Professional Documents
Culture Documents
Introduccin
1. Estructura, arreglos y movimiento de los tomos.
1.1 Importacin y clasificacin de los materiales en ingeniera.
Materiales puros
Aleaciones ferrosas y no ferrosas
Materiales cermicos
Materiales de origen inorgnico
Materiales orgnicos e inorgnicos
Materiales orgnicos
Defectos puntuales.
Dislocaciones
Mecanismos de difusin
Difusin por vacancia
Difusin intersticial
Otros Tipos de difusin
Tiempo
Difusin y el procesamiento de los materiales
Crecimiento de grano
Soldadura por difusin
Conclusin.
Bibliografa.
Introduccin.
El siguiente trabajo presentar los temas de la primera unidad. La ciencia
e ingeniera de los materiales es un campo que se ocupa de inventar nuevos
materiales y mejorar los ya conocidos, mediante el desarrollo de un conocimiento
ms profundo de las relaciones entre microestructura, composicin, sntesis y
procesamiento Por eso se vern conceptos e importancias sobre la clasificacin
de los materiales, defectos y movimiento de los tomos.
Metales
Cermicos
Polmeros
Materiales compuestos
Sin embargo, est clasificacin no es nica, pues los materiales se pueden dividir
por su estructura, por sus propiedades fsicas y qumicas, por sus usos en industrias
especficas, etc.
Materiales puros
El primer intento de hacer una clasificacin de los materiales encontrados en la
naturaleza fue hecho por el qumico el qumico J. W. Dbenreiner en 1829. l
organiz un sistema de clasificacin de elementos en el que stos se agrupaban en
conjuntos de tres denominados tradas. Las propiedades qumicas de los elementos
de una trada eran similares y sus propiedades fsicas variaban de manera ordenada
con su masa atmica. La trada del cloro, del bromo y del yodo es un ejemplo. En
este caso, la masa de uno de los tres elementos de la trada es intermedia entre la
de los otros dos. Para 1850 ya se podan contar con unas 20 tradas para llegar a
una primera clasificacin coherente.
En 1869, el qumico ruso Dmitri Ivanovich Mendeleyev desarroll una tabla peridica
de los elementos segn el orden creciente de sus masas atmicas. Coloc lo
elementos en columnas verticales empezando por los ms livianos, cuando llegaba
a un elemento que tena propiedades semejantes a las de otro elemento empezaba
otra columna. Mendeleiev perfeccion su tabla acomodando los elementos en filas
horizontales. Su sistema le permiti predecir con bastante exactitud las propiedades
de elementos no descubiertos hasta el momento.
En 1914, el fsico y qumico ingls, Henry Moseley, descubri que los tomos de
cada elemento tienen un nmero nico de protones en sus ncleos, siendo el
nmero de protones igual al nmero atmico del tomo. Moseley organiz los
elementos en orden ascendente de nmero atmico y no en orden ascendente
solucionando los problemas de ordenamiento de los elementos en la tabla peridica.
La organizacin que hizo Moseley de los elementos por nmero atmico gener un
claro patrn peridico de propiedades.
En la actualidad, hay 18 grupos en la tabla estndar. El hecho de que la mayora de
estos grupos correspondan directamente a una serie qumica no es fruto del azar.
La tabla ha sido estructurada para organizar las series qumicas conocidas dentro
de un esquema coherente. La distribucin de los elementos en la tabla peridica
proviene del hecho de que los elementos de un mismo grupo poseen la misma
configuracin electrnica en su capa ms externa. Como el comportamiento qumico
est principalmente dictado por las interacciones de estos electrones de la ltima
capa, de aqu el hecho de que los elementos de un mismo grupo tengan
propiedades fsicas y qumicas similares. Cabe sealar, adems de los elementos
naturales, se han agregado elementos sintticos producidos en laboratorio.
En los materiales, el tipo de enlace qumico determina una gran cantidad de sus
propiedades. El orbital ms externo llamado capa de valencia, determina cuantos
enlaces puede formar un tomo. Para que se forme un enlace se requiere:
Que las capas de valencia se toquen; por esto debe ser el orbital ms externo.
Que haya transferencia de electrones en las capas de valencia de ambos
tomos.
Existen tres diferentes tipos de enlace considerados energticamente fuertes: el
enlace inico, el covalente y el metlico. Existen adems las llamadas fuerzas de
atraccin dbiles o fuerzas intermoleculares.
Enlace inico
Para que pueda darse este enlace, uno de los
tomos debe ceder electrones y, por el contrario,
el otro debe ganar electrones, es decir, se produce
la unin entre tomos que pasan a ser cationes y
aniones. El ejemplo tpico es el cloruro de sodio, en
donde para formarse, el sodio debe ceder un
electrn al cloro, quedando un sodio con carga
neta positiva y un cloro con carga neta negativa.
Formacin del cloruro de sodio (NaCl) a travs del
enlace inico.
Enlace covalente
En este enlace cada uno de los tomos aporta un electrn. Los orbitales de las
capas de valencia de ambos tomos se combinan para formar uno solo que
contiene a los 2 electrones.
Enlace metlico
Los tomos de los metales tienen pocos electrones en
su ltima capa, por lo general 1, 2 3. Estos tomos
pierden fcilmente esos electrones y se convierten en
iones positivos, por ejemplo Na+, Cu2+, Mg2+. Los
iones positivos resultantes se ordenan en el espacio
formando la red metlica.
Los electrones de valencia desprendidos de los tomos
forman una nube de electrones que puede desplazarse a
travs de toda la red. De este modo todo el conjunto de los iones positivos del metal
queda unido mediante la nube de electrones con carga negativa que los envuelve.
Enlaces intermoleculares
Este tipo de enlaces se caracteriza por que la distancia
entre los tomos es ms grande, se encuentran las
fuerzas de London, Van der Waalls y los puentes de
hidrgeno. Estos enlaces son los que permiten cierta
cohesin en sustancias como el agua o que le dan a
ciertos materiales propiedades elctricas (electrosttica).
A diferencia de los otros enlaces, este es ms comn
molculas y no tanto para tomos.
Aleaciones base Al. Son materiales ligeros y muy flexibles, lo que permite
maquinarlos a formas muy diversas, adems de ser de baja corrosin. Se usan
en el enlatado de alimentos y manufactura de todo tipo de piezas, incluyendo las
de automviles y aviones.
Aleaciones base Ti. Son aleaciones menos densas que el acero pero con
propiedades mecnicas muy similares, por lo que se usan en la industria
aeronutica y aeroespacial. Adems tambin son materiales de bajo porcentaje
de corrosin por lo que son muy tiles en la industria qumica donde se trabajan
muchas sustancias corrosivas y, en la actualidad, tienen adems aplicacin en el
rea de biomateriales como prtesis de huesos de alta carga mecnica (cadera,
rodilla, fmur, etc.).
Materiales orgnicos
Son as considerados cuando contienen clulas de vegetales o animales. Estos
materiales pueden usualmente disolverse en lquidos orgnicos como el alcohol o
los tetracloruros, no se disuelven en el agua y no soportan altas temperaturas.
Algunos de los representantes de este grupo son:
Plsticos
Productos del petrleo
Madera
Papel
Hule
Piel
Los minerales
El cemento
La cermica
El vidrio
El grafito (carbn mineral)
Materiales cermicos
Los materiales cermicos tienen como caracterstica qumica estar compuestos
principalmente por enlaces inicos y covalentes, que se ordenan en forma
especfica, dndole al material una estructura cristalina, lo que les proporciona
ciertas propiedades distintivas. Son materiales inorgnicos, de baja conduccin
elctrica y mecnicamente frgiles. Algunos de estos materiales se utilizan desde la
Antigedad, pues son los materiales de uso en construccin ms extendidos y
antiguos del mundo, debido a la abundancia de terrenos arcillosos en casi todas las
zonas del planeta. Ladrillos, adobes y todo tipo de tabiques usados en construccin
son ejemplos de estos.
Prensado con polvo seco. Se consigue rellenando un troquel con polvo y luego
prensndolo. Generalmente el polvo contiene algn lubricante, tal como cido,
esterico o cera. Despus la pieza fresca o verde se somete al horneado.
Mientras se calienta, se elimina el agua y los gigantes voltiles.
a) Los gases
monoatmicos inertes no tiene
ordenamiento regular de tomos.
b) y c) Algunos
materiales, que incluyen vapor de
agua, nitrgeno gaseoso, silicio
amorfo y vidrios de silicato, tienen
orden de corto alcance.
d) Los metales,
aleaciones y muchas cermicas, as
como algunos polmeros, tienen
ordenamiento regular de tomos o
iones que se extiende a travs del
material.
Sin orden En los gases monoatmicos como el argn (Ar) o el plasma que se forma
en un tubo de luz fluorescente, los tomos o los iones no tienen arreglo ordenado.
Estos materiales llenan todo el espacio disponible que tienen.
Los puntos de red estn en las esquinas de las celdas unitarias y en algunos casos,
en las caras o en el centro de la celda unitaria.
Solo cuando se toma una red de Bravias y se comienza a definir la base es decir,
uno o mas tomos asociados con cada punto de red -, se puede describir una
estructura cristalina. Por ejemplo, si se toma la red cubica centrada en las caras y se
supone que cada punto de red tiene un tomo se obtiene la estructura cristalina
cubica centrada en las caras.
Aunque solo hay 14 redes Bravias, se pueden tener muchas bases ms.
Como la estructura cristalina se obtiene sumando red y base, se tienen cientos de
estructuras cristalinas distintas.
Parmetros de red
Los parmetros de red que
describen el tamao y la
forma de la celda unitaria
incluyen las dimensiones de
las aristas de la celda unitaria
y de los ngulos entre estas.
Se
requieren
varios
parmetros de red para
definir el tamao y la forma
de
celdas
unitarias
complicadas. Para una celda
unitaria
ortorrombica
se
deben
especificar
las
dimensiones de sus tres lados: a0, b0 y c0.
Las celdas unitarias hexagonales requieren dos dimensiones a0 y c0, y el ngulo de
120entre los ejes a0. La celda mas complicada es la triclnica que se describe con
tres longitudes y tres ngulos.
Cantidad de tomos por celda unitaria Cada una de las celdas unitarias se define
con una cantidad especfica de puntos de red.
Figura 3-18
Defectos puntuales.
tomo intersticial
tomo de sustitucin pequeo
tomo de sustitucin grande
Defecto de Frenkel
Defecto de schottky
puede mover los tomos o los iones, es decir, difundirse, en un material slido, en
especial en los metales puros.
Defectos intersticiales. Se forman cuando se inserta un tomo o ion adicional en
estructura cristalina en una posicin normalmente desocupada.
Defecto sustitucional. Se introduce un defecto sustitucional cuando un tomo o ion
es situado con un tipo distinto de tomo o ion. Los tomos o iones sustitucionales
ocupan el sitio normal en la red.
Los semiconductores que no contienen concentraciones apreciables de dopantes o
impurezas se llaman semiconductores intrnsecos.
Los semiconductores extrnsecos son los que contienen dopantes o impurezas.
Defecto puntual autointerstical. Se crea cuando un tomo idntico a los puntos de
red est en una posicin intersticial. Es ms probable encontrar estos defectos en
estructuras cristalinas que tienen bajo factor de empaquetamiento.
Un defecto o par de Frenkel es un par vacancia-intersticial que se forma cuando un
ion salta de un punto normal de red a un sitio intersticial y deja atrs una vacancia.
Un defecto Schottky es exclusivo de los materiales inicos y suele encontrarse en
muchos materiales cermicos.
Dislocaciones
Son imperfecciones lineales en un cristal, se suelen introducir en el cristal durante la
solidificacin del material o cuando el material se deforma permanentemente.
Aunque en todos los materiales incluyendo cermicos y polmeros, hay
dislocaciones, son especialmente tiles para explicar la deformacin y el
endurecimiento de los materiales metlicos. Se pueden identificar 3 clases de
dislocaciones: de tornillo, de borde y mixta.
Dislocaciones de tornillo se puede ilustrar haciendo un corte parcial en un cristal
perfecto y a continuacin, torcindose el cristal una distancia atmica. Si se sigue un
plano cristalogrfico durante una revolucin respecto al eje de torcimiento del cristal,
comenzando en el punto x y recorriendo distancias interatmicas iguales en cada
direccin, se termina una distancia atmica debajo del punto de partida (el punto y).
Figuras. (a) Difusin de tomos por vacancia o por tomos sustituciones y (b)
difusin intersticial.
Difusin por vacancia:
En la autodifusin y en la difusin de tomos sustitucionales, un tomo abandona su
sitio en la red para llenar una vacancia cercana (creando as una nueva vacancia en
su lugar original en la red). Conforme contina la difusin, se tiene un flujo de
vacancias y tomos en sentidos opuestos conocido como difusin por vacancia. El
nmero de vacancias, que se incrementa al aumentar la temperatura, ayuda a
determinar la extensin tanto de la autodifusin como de la difusin de los tomos
sustitucionales.
Difusin intersticial:
Cuando en la estructura cristalina est presente un pequeo tomo intersticial, este
tomo pasar de un sitio intersticial a otro. Para este mecanismo no es necesario
que existan vacancias. En parte porque el nmero de sitios intersticiales es mucho
mayor que el de vacancias, por tanto, se espera que la difusin intersticial sea
rpida.
Otros Tipos de difusin:
Existe tambin difusin en las fronteras de granos y en la superficie del material, la
cual es rpida ya que hay muchos lugares donde se puedan colocar los pocos
tomos que se estn moviendo.
Factores que afectan la difusin y la energa de activacin:
Una pequea cantidad de energa de activacin Q incrementa el coeficiente de
difusin y el flujo, porque se requiere menos energa trmica para vencer dicha
barrera de energa de activacin. Varios factores influyen en la energa de activacin
y, por tanto, en la velocidad de difusin. La difusin intersticial, con una energa de
activacin baja, por lo general ocurre mucho ms aprisa que la difusin por
vacancias.
Las energas de activacin por lo general son menores para tomos difundindose a
travs de estructuras cristalinas abiertas que a travs de estructuras cristalinas
compactas. Dado que la energa de activacin depende de la fuerza del enlace
atmico ser mayor para la difusin de tomos en materiales con una alta
temperatura de fusin. Los materiales con enlaces covalentes, como el carbono y el
silicio tienen energas de activacin extraordinariamente altas, lo que es congruente
con la alta resistencia de sus enlaces atmicos.
Tiempo:
La difusin requiere tiempo. Si un gran nmero de tomos debe difundir para
producir una estructura uniforme, pudieran requerirse extensos periodos, incluso a
temperaturas altas. Puede reducirse el tiempo para los tratamientos trmicos
mediante temperaturas ms altas o haciendo que las distancias de difusin sean lo
ms pequeas posible.
La soldadura por difusin, mtodo utilizado para unir materiales, se efecta en tres
pasos (figura). El primero se realiza mediante presin, deformndolas, obligando a
las dos superficies a unirse, fragmentando impurezas, y produciendo una gran rea
de contacto tomo-tomo. Mientras las superficies se mantienen en compresion y a
temperatura elevada, los tomos se difunden a lo largo de los bordes de grano hacia
las vacancias restantes; los tomos se concentran y se reduce el tamao de las
vacancias en la interfase. Dado que la difusin en los bordes de grano sucede
rpidamente, el segundo paso se da en corto tiempo. Finalmente, el crecimiento de
grano aleja los huecos remanentes de las fronteras de grano. Para el tercer paso, es
decir para la eliminacin completa de los huecos, deber ocurrir la difusin
volumtrica, la que es relativamente lenta.
Conclusin.
Pues como vimos la ciencia e ingeniera de los materiales est ligada con el
conocimiento de los procesos de fabricacin de los materiales, esto hace que los
objetos que son fabricados puedan ser creados con los mejores materiales y con el
menor margen de error que pueda existir, para que sea de mejor calidad. El material
que se usaba con mayor inters tecnolgico era el metal, sin embargo, ahora los
ms usados son los cermicos, compuestos, y los polmeros gracias a las nuevas
tecnologas de fabricacin.
Es por eso que es de vital importancia conocer las propiedades de cada uno de los
materiales de mayor uso en la industria.
Bibliografa.
http://www.itescam.edu.mx/principal/webalumnos/sylabus/asignatura.php?cla
ve_asig=MTM-0505&carrera=IMCT-2005-284&id_d=90
http://descom.jmc.utfsm.cl/proi/materiales/fases.htm
https://docs.google.com/viewer?a=v&q=cache:_aNFWX9Z5lcJ:www.utp.edu.c
o/~publio17/temas_pdf/difusion.pdf+&hl=es419&pid=bl&srcid=ADGEESgZRtjxxCoGHfnD5pikumTQgarqcSFpK3p94Pbf87kIbuEvbRKc4ATXggAWQo8HNLPF_vXo41q5asgd58U7Ifv8WS_H9HkMPG08tc0OkTUDIXsK0oV
hExjR123IO3bLYpoyET&sig=AHIEtbTYjCHrl5KQ6128yxVcND94TFs9MA
https://docs.google.com/viewer?a=v&q=cache:T8WPC6sS7GQJ:www.escuel
aing.edu.co/uploads/laboratorios/1960_idplasticosr2.pdf+&hl=es419&pid=bl&srcid=ADGEESgJiMXToSXtTXUFp7YzOFnZJOqkd6aVsLiluTXc
hEdGHtg1q_VCdtEj4vYicdVcWOwy765AF9eXQmSnJCxy1w_iRPAQP4Qkoc
QEICC9vmaYjAhEFB3s9M5Y0NXQclVdpb_gP20&sig=AHIEtbTvbpL56doEPifDOqBTrgF8vFFoTQ