Aula 01

Curso Tcnico em

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Eletrnica Diodo Semicondutor

Prof. Fbio Roberto Trevisan

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Um diodo semicondutor constitudo por uma juno

PN de material semicondutor (silcio ou germnio) e
por dois terminais, o nodo (A) e o Ctodo (K).

Smbolo:

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A juno de um material semicondutor do tipo P (com excesso de

lacunas) com um material semicondutor do tipo N (com excesso de
eltrons livres) origina uma juno PN. Na zona da juno, os eltrons
livres do semicondutor N recombinam-se com as lacunas do
semicondutor P formando uma zona sem portadores de carga eltrica,
que se designa por zona neutra ou zona de deplexo.

Eletrons livres

Lacunas
Zona neutra ou
zona de depleo

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Identificao visual dos terminais

O terminal que se encontra mais prximo do anel
o ctodo (K).

O terminal ligado parte mais

estreita/afunilada o ctodo (K).

O terminal ligado parte com rosca o

ctodo (K).

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Diodo polarizado diretamente

O diodo semicondutor um componente unidirecional, ou seja, s conduz num
sentido (quando o nodo est a um potencial positivo em relao ao Ctodo).
Nessa situao diz-se que o diodo est polarizado diretamente.

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Diodo polarizado inversamente

Quando o diodo semicondutor est polarizado inversamente (nodo a um
potencial negativo em relao ao ctodo) no conduz (est cortado).

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Princpio de funcionamento
Quando polarizado diretamente um diodo secondutor conduz porque na
juno PN a zona neutra ou zona de deplexo (zona sem portadores de
carga eltrica) estreita-se, e a corrente eltrica pode circular

Eltrons livres

Lacunas

Zona neutra ou
zona de
deplexo
estreita

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Princpio de funcionamento
Quando polarizado inversamente, um diodo no conduz porque na juno PN
a zona neutra ou zona de deplexo, (zona sem portadores de carga eltrica)
alarga-se significativamente e a corrente eltrica no passa.

Eltrons livres

Lacunas

Zona neutra ou zona

de deplexo alarga

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Barreira de potencial
Barreira de potencial a queda de tenso interna quando o diodo est
polarizado diretamente. A corrente eltrica ao passar pela zona neutra ou
zona de deplexo origina uma queda de tenso.
Nos diodos de silcio essa queda de tenso interna pode variar entre
0,6Volt e 1Volt.
Nos diodos de germnio essa queda de tenso interna pode variar entre
0,2Volt e 0,4Volt.

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Caractersticas tcnicas
Tenso
direta

UF

Corrente
direta

IF

Tenso
inversa

UR

Corrente
inversa

IR

IF

UR

UF

IR

Para efeito de especificao, as mais importantes so a

corrente direta e tenso reversa

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Exemplo: Diodo 1N4007

UR = 1000V

Tenso inversa mxima que se pode aplicar ao

diodo em polarizao inversa.

IF = 1A

Corrente direta mxima permanente que

pode circular pelo diodo.

IR = 5

A Corrente inversa que percorre o diodo

quando polarizado inversamente

VF = 1,1V

Queda de tenso interna mxima quando o

diodo polarizado diretamente conduz a
corrente mxima .