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-Bases Tericas
2.1.1.
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ys = i + k y d 1/ 2
donde:
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(2.1)
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n=
s d
(2.2)
Gb
donde:
n nmero de dislocaciones
constante
s tensin cortante en el plano de deslizamiento
d dimetro de grano
G mdulo de cortadura
b vector de Burgers
Se encontr que la tensin en la parte delantera de la dislocacin es n veces
mayor que s. Cuando esta tensin lmite excede de un valor crtico c, las dislocaciones
bloqueadas por los lmites de grano pueden liberarse de este freno.
c = n s =
s 2 d
Gb
(2.3)
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c =
( i ) 2 d
(2.4)
Gb
= i + k y d 1 / 2
(2.5)
ys = T + ST + k y d 1 / 2
(2.6)
donde:
2.3.
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POR ALEADO
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2.-
= (1 + cos ) lv = sv + lv sl
( 2.7 )
1. Reordenamiento.
Inicialmente se calienta el polvo hasta que aparece la fase lquida. Al
principio hay una rpida densificacin debida a las fuerzas capilares al mojar el
lquido al slido. Disminuye la porosidad (se minimiza la energa superficial) y
el compacto se comporta como un slido viscoso. La eliminacin de porosidad
incrementa la viscosidad del compacto y como consecuencia disminuye la
velocidad de densificacin.
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2. Solucin-Reprecipitacin.
Cuando la densificacin y el reordenamiento disminuyen, llega un
momento en que los fenmenos de solubilidad y difusividad son dominantes. El
fenmeno ms importante que tiene lugar en esta etapa es el crecimiento de las
partculas. El crecimiento se debe a una distribucin en tamaos de las
partculas. La solubilidad de una partcula en el lquido que la rodea es
inversamente proporcional al tamao de la partcula. La diferencia de
solubilidades establece un gradiente de concentraciones en el lquido.
3. Estado slido.
Esta ltima etapa se caracteriza por una densificacin muchsimo menor
debido a la existencia de un esqueleto slido. La rigidez del esqueleto impide un
reordenamiento, aunque el crecimiento de las partculas contina. Los poros
residuales aumentarn de tamao si contienen gas encerrado provocando en el
compacto el fenmeno de tumorado (swelling). Ahora el contacto entre
partculas permite una sinterizacin slida.
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1414 C, respectivamente. Los eventos que tienen lugar durante el ciclo trmico en el
sistema Al-Al12Si se describen a continuacin con la ayuda del diagrama de fases AlSi.
El calentamiento hasta la temperatura de sinterizacin (650 C) induce, en las
reas de contacto, interdifusin atmica en la frontera del par Al/Si, estableciendo, de
este modo, zonas locales de Al saturadas en silicio. Esto es confirmado por McCaldin y
Sankurt [42], y Best y McCaldin [43], en sus investigaciones sobre interdifusin en el
sistema aluminio-silicio, quienes han demostrado que el aluminio es la especie mvil
menos dominante. Asimismo, Fujikama et al. [44] quienes investigaron los coeficientes
de interdifusin en pares de difusin Al/Si, observaron que el marcador Kirkendall se
desplaz hacia las regiones ricas en silicio, indicando que los tomos de silicio difunden
ms rpidamente que los tomos de aluminio, es decir, DSi/Al > DAl/Si. Por su parte,
Vermolen y Van der Zwaag [45] desarrollaron un modelo numrico, con buen ajuste,
que describe el proceso experimental de disolucin de partculas esfricas de silicio en
una matriz de aluminio. Ellos determinaron que la energa de activacin -aparenterequerida durante el proceso de disolucin es mayor que la requerida para la difusin.
Y, Song et al. [46] observaron, en sus estudios con composites de matriz de aluminio
puro reforzado con 40%/vol de partculas de Si, que, por debajo de 570 C, ningn
cambio microestructural fue apreciable, y, a 580 C, creacin de una nueva fase por
descomposicin de las partculas de Si debido a la reaccin eutctica.
Sobre la temperatura eutctica (577 C) se origina una fase lquida (L) en las
regiones de composicin eutctica (figura 2.2). El incremento de temperatura
subsiguiente producir un gradiente de concentracin en el charco lquido formado
como sugiere la curva de lquidus (figura 2.1.b). Es decir, el lquido (L1) en equilibrio
con el Al -slido- tiende a enriquecerse en tomos de aluminio (al desplazarse hacia el
lado izquierdo del diagrama).
El aumento de la temperatura conduce, por tanto, a la licuefaccin local del
Al en contacto directo con L1. Por ejemplo, a 577 C el lquido formado (L) tiene la
composicin Al-12.6%Si (eutctica) en la interfaz Al/Si, pero, a 650 C, L1 tiene la
composicin Al-1.5%Si. De este modo, L1 est continuamente empobrecindose de
tomos de silicio desde 12.6% a 577 C hasta 1.5% a 650 C. Estos pasan a formar
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solucin slida con el aluminio, es decir, Al(Si), debido a la alta movilidad de esta
especie desde el lquido, la alta temperatura (650 C), y duracin de la
sinterizacin (1 h).
A su debido tiempo se habr agotado todo el silicio, no obstante, el lquido
habr persistido durante gran parte de la sinterizacin debido al proceso de disolucin
progresivo del silicio. Las zonas de difusin local en el seno de las partculas de Al,
Al(Si), en contacto directo con L1, pueden incluso sobresaturarse de silicio, ya que, a
577 C el Al disuelve un mximo de 1.6%Si que pasa a ser de 0.2%Si a 650 C, en
condiciones de equilibrio. No obstante, como estas zonas tienden al equilibrio
termodinmico, una va, unidireccional preferente, muy probable, es la de proveer
tomos de Si a las extensas regiones vecinas e intactas de Al, que, en las condiciones de
sinterizacin estn en capacidad de disolver silicio.
Hacia el final (1 h) de la etapa de sinterizacin, el lquido remanente estar
muy enriquecido en aluminio, que podr ser absorbido por las partculas de Al por
interdifusin, persistir hasta la solidificacin durante el enfriamiento.
(a)
(b)
L2
650 C
L1
577 C
Figura 2.1: (a) Diagrama de equilibrio binario Al-Si, y (b) Porcin ampliada del
diagrama.
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Al
Fase Lquida
Al12Si
Zona de difusin
Regin original
de Al pobre en Si
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