Tesis0309.2009 08 24 12 22 06 PDF

Transporte eletrnico em sistemas
mesoscpicos
Alexis Ricardo Hernndez Nuez
Centro Brasileiro de Pesquisas Fsicas - CBPF/MCT

Rio de Janeiro, Brasil
2009
1
chpate esa mandarina!!
Tese de doutoramento submetida ao Centro Brasileiro de Pesquisas Fsicas sob

orientao do Prof. Caio H. Lewenkopf e co-orientao do Prof. Ral O. Vallejos
para a obteno do titulo de Doutor em Fsica por
Alxis Ricardo Hernndez Nuez
2009
Resumo
Derivamos a frmula de Landauer, para transporte eletrnico em sistemas mesoscpicos,
usando o formalismo de funes de Green fora de equilbrio. Em seguida extendimos
esta descrio para o caso da condutncia no linear, o que permitiu aprimorar o nvel
de aproximao no qual a interao eletrnica era considerada.
Usando um modelo simples de anel quntico calculamos as quantidades envolvidas na
descrio de transporte no linear em termos de matrizes de espalhamento: injetividade,
emissividade, potencias caractersticos e a prpria condutncia no linear G(2) . Isto nos
permitiu estudar as propriedades interferomtricas da condutncia no linear num anel
com dois contatos. Certas simetrias sobre a inverso do campo magntico apresentadas
por alguns dos coeficientes da condutncia no linear tambm foram discutidas.
O transporte eletrnico dependente do tempo em pontos qunticos com interao
eletrnica foi considerado por meio do formalismo de funes de Green fora de equilbrio. Considerando a aproximao de campo mdio e o regime adiabtico foi possvel
escrever um conjunto de equaes que permitem calcular a corrente bombeada num
ponto quntico no regime de bloqueio de Coulomb.
Abstract
The Landauer formula for electronic transport in mesoscopic systems is derived in terms
of non-equilibrium Greens functions. In the sequence this description was extended
to consider the non-linear regime. The Greens function description allowed us to improve the level of approximation which the electron interactions was considered in the
scattering formalism.
Using a single channel model for a quantum ring it was possible to compute the
quantities involved in the scattering matrix description of non-linear transport, i.e.,
injectivities, emissivities, characteristic potentials and the first non-linear correction to
the conductance. We study the possibility to do interferometer measurements with the
non-linear conductance in a two contact setup. We also address the symmetry properties
of non-linear coefficients under magnetic field inversion.
The time dependent electronic transport in interacting quantum dots is considered
by using non-equilibrium Greens functions. Assuming the quantum dot to be in the
Coulomb blockade regime and the time variation to be adiabatic, it was possible to write
a system of equations which give us the pumped current as a function of time in such
system.
ii
Contedo
1 Introduo
2 Formalismo de Keldysh para pontos qunticos.
2.1
Hamiltoniano do modelo . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
2.2
Relao entre a corrente e as funes de Green. . . . . . . . . . . . . . .
2.3
Funo de Green da regio central. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
10
2.4
A condutncia . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
13
2.4.1
15
Conexo com a matriz de espalhamento. . . . . . . . . . . . . . .
3 Transporte quntico no linear
17
3.1
Abordagem em termos de matrizes de espalhamento . . . . . . . . . . . .
17
3.2
Abordagem em termos de funes de Green. . . . . . . . . . . . . . . . .
20
3.2.1
Coeficiente linear da condutncia. . . . . . . . . . . . . . . . . . .
22
3.2.2
Coeficiente de segunda ordem da condutncia. . . . . . . . . . . .
24
3.2.3
Ordens superiores. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
26
3.3
Conexo entre os dois formalismos. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
28
3.4
Implementao da aproximao de Hartree-Fock no FFG. . . . . . . . . .
30
4 Condutncia de um anel de Aharonov-Bohm
32
4.1
Resultados experimentais de interesse. . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
32
4.2
Modelo do anel quntico . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
36
4.3
Injetividade e emissividade . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
40
4.4
Potenciais caractersticos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
41
(2)
4.5
Condutncia no linear G
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
43
4.6
Anel assimtrico. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
45
4.7
Rigidez de fase. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
46
4.8
Potenciais caractersticos de segunda ordem u . . . . . . . . . . . . . . .
48
iii
CONTEDO
4.9
iv
Discusso dos resultados. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
5 Bombeamento quntico de eltrons.
49
52
5.1
Modelo . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
53
5.2
Corrente num ponto quntico com interao e dependncia temporal. . .
54
5.2.1
Definio da corrente.
55
5.2.2
Expresso da corrente em termos da funo de Green do ponto
5.3
5.4
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
quntico. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
56
Determinando a funo de Green do ponto quntico . . . . . . . . . . . .
57
5.3.1
Aproximao de campo mdio. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
58
5.3.2
Soluo formal das equaes de movimento . . . . . . . . . . . . .
59
Regime Adiabtico . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
60
5.4.1
61
5.4.3
Reparametrizao das funes de Green . . . . . . . . . . . . . .

(0)
Calculo auto-consistente de Gss (, t) . . . . . . . . . . . . . . . .
(1)
Clculo auto-consistente de Gss (, t) . . . . . . . . . . . . . . . .
5.4.4
Expresso da corrente na aproximao adiabtica . . . . . . . . .
67
5.4.2
64
66
6 Concluses
69
A Limite ao caso no interagente.
71
Lista de Figuras
2.1
Representao esquemtica de um condutor mesoscpicos. . . . . . . . .
2.2
Contorno de Keldysh . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
4.1
(a) Imagem do anel quntico. (b) Parte no linear da curva caracterstica

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
33
4.2
(a) Coeficientes da condutncia. (b) Rigidez de fase. . . . . . . . . . . . .
34
4.3
Grfica experimental da fase observada como funo das voltagens de
I V do anel.
porta VP G .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
35
4.4
Representao esquemtica do anel quntico. . . . . . . . . . . . . . . . .
37
4.5
Amplitudes de probabilidade de transmisso e reflexo. . . . . . . . . . .
39
4.6
Condutncia linear . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
39
4.7
Injetividades. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
41
4.8
Emissividades. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
41
4.9
Potenciais caractersticos, u1 (x) u2 (x). . . . . . . . . . . . . . . . . . .
42
4.10 Primeira correo no linear, G(2) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
43
4.11 Simetria de reflexo. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
44
(2)
4.12 Primeira correo no linear, G , para um anel assimtrico.
. . . . . .
45
4.13 Curvas de G(2) para vrios valores da fase introduzida. . . . . . . . . . .
46
4.14 G(2) como funo do fluxo magntico e da fase introduzida.
. . . . . . .
47
4.15 Fase observada como funo da fase introduzida. . . . . . . . . . . . . . .
48
4.16 Potencial caracterstico de segunda ordem. . . . . . . . . . . . . . . . . .
50
5.1
Representao esquemtica do bombeamento de eltrons em um ponto
5.2
quntico. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Grfica de hn0s(t)i. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
55
65
Captulo 1
Introduo
O desenvolvimento da capacidade de produo e caracterizao de amostras, junto com
as melhorias considerveis nos campos da micro-eletrnica e da criogenia, tem aberto
inmeras possibilidades no que diz respeito explorao do mundo quntico. Dentre
as variadas opes, o estudo do transporte eletrnico em sistemas nanoscpicos tem se
constitudo numa das principais formas de explorar tais possibilidades, tornando-se assim
em um dos tpicos mais importantes da nanocincia. Do ponto de vista fundamental a
pesquisa nesta rea orientada a melhorar o nosso entendimento dos sistemas qunticos.
J de um ponto de vista mais aplicado, o conhecimento adquirido, ser sem dvida de
muita utilidade no desenvolvimento de novos nano-dispositivos.
No que tange teoria, a bem sucedida frmula de Landauer [1, 2, 3, 4], proporcionou
as bases para descrever uma ampla variedade de fenmenos Esta frmula traduz a idia
de que condutncia (quntica) equivalente transmisso (quntica). Isto uma excelente aproximao para processos dominados pela fsica de partculas independentes.
Porm, experimentos recentes envolvendo: interao eletrnica (correlao) [5], processos inelsticos [6], dependncia temporal [7] e transporte no linear [8], entre outros,
requerem de um tratamento mais abrangente.
O formalismo de funes de Green fora do equilbrio, ou formalismo de Keldysh,
nos proporciona uma ferramenta de trabalho onde os novos fenmenos apresentam uma
descrio mais natural. Ademais, o formalismo de Keldysh tem a vantagem de nos
permitir empregar inmeras ferramentas prprias da teoria de campos.
O transporte quntico eletrnico no-linear em dispositivos nanoscpicos tem apresentado um crescente interesse tanto no mbito experimental [9, 10, 11, 12, 13, 14,
15] quanto no terico [16, 17, 18, 19, 20, 21, 22]. Experimentos em semicondutores
CAPTULO 1. INTRODUO
mesoscpicos, como por exemplo pontos qunticos [9, 10, 11] e anis de Aharanov-Bohm
[12, 13], tem-se focalizado na investigao dos efeitos de retificao e na violao das
relaes de reciprocidade de Onsager-Casimir. Estudos similares tambm tem sido realizados em nanotubos de carbono [14]. Igualmente, o transporte no linear tem sido de
grande interesse em eletrnica molecular [15], onde os experimentos tem enfatizado a
possibilidade de usar molculas como diodos, transistores ou interruptores. J no mbito terico, o transporte eletrnico no-linear tem apresentado avanos significativos
no que diz respeito a processos elsticos. Tais avanos tem se realizado por meio de
ambos formalismos, o de matrizes de espalhamento (Landauer) [16, 17, 18, 19, 23], e o
formalismo de funes de Green (Keldysh) [20, 21, 22, 24].
Por sua vez, o bombeamento adiabtico de eltrons em sistemas no interagentes foi
considerado pelo Brouwer [25], que usando o formalismo de matrizes de espalhamento
demonstrou que a corrente bombeada proporcional freqncia de bombeamento. Esta
descrio tambm tem sido utilizada para estudar aspectos como: o rol de simetrias discretas na corrente bombeada [26], o efeito de espalhamentos inelsticos e da descoerncia
[27, 28], o papel do rudo e da dissipao [29], os efeitos de interferncias de Andreev
na presena de fios super-condutores [30, 31] e o bombeamento de spin [32, 33, 34].
O fenmeno de bombeamento em sistemas no interagentes tambm tem sido tratado
usando uma abordagem baseada na soluo iterativa dos estados dependentes do tempo
[35]. Ademais, a teoria de matrizes aleatrias foi usada com certo sucesso na descrio
de bombeamento adiabtico de cargas e do efeito fotovoltaico em sistemas sem interao
[36].
Experimentalmente, a primeira implementao do bombeamento de eltrons foi conseguida por Pothier et al., que observaram uma carga quantizada devida ao fenmeno
de bloqueio de Coulomb [37]. J o bombeamento de eltrons no quantizado foi observado em pontos qunticos abertos e reportado na Ref. [38]. Mais recentemente, foi
implementado o bombeamento de spin [39].
Voltando teoria, o bombeamento em sistemas com interao, tem sido bem menos
estudado. Usando a descrio em termos de bsons escravos e a aproximao de campo
mdio, Aono evidenciou a separao entre o spin e a carga no bombeamento adiabtico
no regime de Kondo [40]. O bombeamento quntico foi estudado tambm nos regimes
aberto [41]e de bloqueio de Coulomb [42, 43]. Mais recentemente, tcnicas de funes de
Green fora de equilbrio tem sido utilizadas para estudar o bombeamento adiabtico em
pontos qunticos com interao: no limite U [44, 45], e no limite de acoplamento
CAPTULO 1. INTRODUO
fraco do ponto quntico aos fios [46].

Esta tese tem por finalidade usar tanto o formalismo de Landauer quanto o de
Keldysh para estudar diferentes fenmenos de transporte quntico de eltrons, mais especificamente estaremos abordando o transporte no linear em anis de Aharonov-Bohm
e o bombeamento de eltrons em pontos qunticos no regime de bloqueio coulombiano.
No captulo 2 rederivamos a frmula de Landauer usando o formalismo de funes
de Green fora do equilbrio e o mtodo das equaes de movimento. Este captulo serve
para apresentarmos as bases para os desenvolvimentos que se seguem.
O captulo 3 comea por descrever o formalismo desenvolvido por Bttiker e colaboradores para tratar o transporte eletrnico no linear. A seguir, introduzimos a
contrapartida deste formalismo em termos de funes de Green fora do equilbrio. Por
ltimo, ilustramos a potencial do novo formalismo, considerando a interao eletrnica
num melhor nvel de aproximao.
No captulo 4 utilizamos as ferramentas desenvolvidas no captulo anterior para fazer
contato com os resultados de um experimento particular. O experimento em questo
estuda a condutncia no linear num anel de Aharonov-Bohm conectado a dois contatos.
Para tal fim, usamos o formalismo de matrizes de espalhamento e um modelo simples
para o anel quntico. Em particular centramos nossa discusso na violao das relaes
de Onsager bem como na possibilidade de usar este sistema como interfermetro.
Para finalizar, no captulo 5 apresentamos uma abordagem terica que nos permite
descrever, usando funes de Green, o bombeamento adiabtico de eltrons em pontos
qunticos no regime de bloqueio de Coulomb.
Captulo 2
Formalismo de Keldysh para pontos
qunticos.
Neste captulo ser descrito o formalismo de funes de Green fora do equilbrio (NEGF),
atravs do qual possvel calcular a condutncia em sistemas mesoscpicos. Posteriormente apresentaremos uma comparao entre os resultados obtidos com este formalismo
e os obtidos atravs do formalismo de matrizes de espalhamento [47].
2.1
Hamiltoniano do modelo
Para construir o nosso modelo preciso decompor o sistema em duas partes: uma regio
central onde os eltrons interagem, e os fios que conectam esta regio aos reservatrios.
Isto representado na Fig. (2.1). Feito isto, o hamiltoniano do sistema composto por
trs termos
H = HL + HC + HLC .
O hamiltoniano que descreve os eltrons nos fios dado por
X
HL =
kas ckas ckas ,
(2.1)
(2.2)
kas
onde os canais nos fios so descritos por a = (, n), onde n = 1, , N especifica

o modo transversal (canal) no fio = 1, , N . A energia do modo transversal n
no fio (as ) define o limiar de energia no qual o canal aberto. Assumindo que a
propagao ao longo dos fios livre se tem kas = as + ~2 k 2 /2m , com m a massa
efetiva do eltron e k o nmero de onda longitudinal. O spin do eltron representado
por s =, e ckas (ckas ) so operadores ferminicos de criao (aniquilao), que seguem
4
CAPTULO 2. FORMALISMO DE KELDYSH PARA PONTOS QUNTICOS.
a regra de anticomutao {ckas , ck0 a0 s0 } = aa0 ss0 kk0 . Os eltrons no fio esto em
equilbrio trmico com o reservatrio ao qual ele esta conectado, caracterizado pela
temperatura T e pelo potencial qumico . costumeiro escolher as temperaturas
dos reservatrios todas iguais, mas isto no necessrio, em particular no estudo de
transporte de calor a escolha de temperaturas diferentes responsvel pela situao de
desequilbrio na regio central. Em algumas situaes conveniente modelar os fios como
cadeias semi-infintas de tipo tight-binding"[3, 48], ou atravs de representaes realistas
da estrutura atmica em questo. Esta ltima opo utilizada em eletrnica molecular,
onde os fios so modelados como redes peridicas semi-infinitas de tomos [24, 49, 50,
51, 52]. Independente de qual seja a descrio utilizada para os fios, a decomposio
feita na Eq. (2.1) til sempre que a dinmica dos fios for simples", isto , quando
for possvel definir modos de propagao assintticos para a transmisso de eltrons
entre os reservatrios e a regio central. Em pontos qunticos, os fios so associados
a contatos pontuais que certamente so bem diferentes de fios semi-infinitos. Porm,
pode-se mostrar que, se os fios forem suficientemente longos para que a contribuio
de modos evanescentes seja desprezvel, o modelo completamente justificado (ver, por
exemplo, apndice C da Ref. [53]).
Figura 2.1: Visualizao esquemtica do condutor conectado aos fios = 1, ..., N . Cada
fio por sua vez conectado a um reservatrio de potencial qumico e possui N canais
abertos (modos propagantes).
O hamiltoniano da regio central

HC =
[HC ] ds ds ,
(2.3)
onde ds (ds ) cria (aniquila) um eltron no estado de uma base qualquer da regio central. Como HC bilinear, as interaes eltron-eltron so tomadas em considerao s
na aproximao de campo mdio. Isto simplifica enormemente o clculo da condutncia.
Porm tal aproximao no descreve processos de flutuao de carga nem correlaes
eletrnicas, o que exclui o tratamento de fenmenos como o bloqueio Coulombiano e
o efeito Kondo. Em vista destas limitaes, natural questionar a utilidade real deste
modelo. A resposta, obtida atravs do estudo de correlaes eletrnicas fortes [54, 55, 56],
que o modelo realista, desde que o condutor esteja bem acoplado a vrios modos em
cada fio. A grosso modo, isto implica que a condutncia seja maior do que 2e2 /h. O
hamiltoniano HC tambm exclui processos inelsticos. Esta uma limitao do modelo,
e no do formalismo de funes de Green, como se pode constatar na Ref. [57].
Note que escolhemos no usar uma representao diagonal para HC . Isto facilitar
o mapeamento na linguagem de matrizes de espalhamento (Seo 2.4.1) e conseqentemente a identificao da frmula de Landauer. Alm disso, as representaes no
diagonais so frequentes em eletrnica molecular. Nos modelos tight-binding, a escolha
de uma representao no diagonal natural: os estados da base correspondem a stios
na cadeia, e os termos no diagonais do hamiltoniano representam a conexo entre os
stios. Mtodos mais elaborados, como Density Functional Theory"(DFT) [58], usados
em eletrnica molecular, precisam de uma hiptese a mais [24, 49, 50, 51], a saber: os orbitais de Kohn-Sham devem ser identificados com os orbitais de partcula independente
da Eq. (2.3) [59].
At agora o nosso modelo composto por fios em equilbrio trmico com o reservatrio
correspondente e uma regio central isolada. O acoplamento entre estes dois subsistemas
introduzido atravs do hamiltoniano de contato, que dado por
i
Xh
HLC =
Vka, ckas ds + H.c. .
(2.4)
ka,,s
Em pontos qunticos os elementos de matriz Vka, ,que descrevem o acoplamento entre

os fios e a regio central, so considerados parmetros livres. Em eletrnica molecular
os Vka, so determinados pela superposio entre as funes de onda da regio central
(a molcula) e dos fios (eletrodos) [24, 60]. Neste caso, para calcular a condutncia
necessrio determinar com preciso as caudas da funo de onda da molcula que penetra
na regio dos fios.
Na presena de uma diferena entre os potenciais qumicos dos reservatrios, o
sistema sai do equilbrio e uma corrente eletrnica flui. Quando o regime estacionrio
alcanado, um potencial eletrosttico auto-consistente U (r) estabelecido. O potencial
U (r) levado em considerao no clculo de HC , e depende do potencial qumico dos
reservatrios e das propriedades do material. Em situaes prximas do equilbrio a
separao em fios e regio central um pouco arbitrria, no entanto, medida em que
a diferena de potencial aplicada aumenta, os fios so definidos como a regio onde no
existe uma queda de potencial aprecivel, isto , onde U (r) Ueq (r) constante. Aqui
Ueq (r) o potencial eletrosttico na ausncia de diferena de potencial.
2.2
Relao entre a corrente e as funes de Green.
Nesta seo derivaremos uma expresso para a corrente em termos da funo de Green
da regio central. Para isto, necessrio apenas tratar os eltrons na regio dos fios
como no interagentes. Para simplificar a discusso, assumiremos que o campo magntico externo nulo. Assim, na aproximao de campo mdio, o spin dos eltrons no
desempenha nenhum papel. A corrente no fio dada por
d
I (t) = 2e
N (t)
dt
(2.5)
onde e a carga do eltron, o fator 2 d conta das duas projees de spin, e h i

representa a mdia trmica. O operador de nmero de eltrons
N (t) =
N X
X
n=1
ckn (t)ckn (t).
(2.6)
Note que a foi substitudo por (, n) e o ndice de spin foi omitido. A equao de
movimento
i
d
N (t) = [H, N (t)]
dt
~
nos leva a
I (t) =
D
E
i
2ie X h
Vkn, ckn (t)d (t) H.c. .
~ nk,
Introduzindo as funes de Green menor G< (do ingls lesser) [61, 62]
E
iD
i 0
0
0
0
G<
(t,
t
)
c
(t
)d
(t)
,
e
G<
d (t )ckn (t)
,kn
kn, (t, t )
kn
~
~
(2.7)
(2.8)
(2.9)

chegamos a
(
I (t) = 4e Re
)
Vkn, G<
,kn (t, t)
(2.10)
nk,
Neste captulo estamos interessados em processos de transporte estacionrios, onde nem

H nem dependem explicitamente do tempo. Portanto, todas as funes de Green
apresentam um nico argumento temporal, isto : G(t, t0 ) G(t t0 ).
O tratamento perturbativo padro para sistemas de muitos corpos em equilbrio [61,
62] baseado na incorporao e remoo adiabtica da interao, e no clculo de valores
esperados de processos ordenados temporalmente. Os estados inicial (t ) e final
(t +) correspondem a uma dinmica sem interao e encontram-se em equilbrio.
Isto faz sentido considerando que, em equilbrio, o estado inicial e final so essencialmente idnticos (Teorema de Feynman e Low). Porm, em processos fora do equilbrio,
como o caso do transporte, o sistema no necessariamente retorna ao estado de equilbrio termodinmico inicial depois de ter sido desligada a interao. Sem o Teorema de
Feynman e Low, no possvel escrever a funo de Green em termos de integrais ordenadas temporalmente, apropriadas para o uso do teorema de Wick. No entanto, fazendo
uma continuao analtica da funo de Green no plano complexo, possvel definir
um contorno de integrao no qual se tem um ordenamento temporal", que preserva
a estrutura da expanso perturbativa. Isto significa que todas as expresses obtidas
para as funes de Green em equilbrio so recuperadas para a situao de no equilbrio, com a diferena que as integrais temporais esto definidas no contorno ilustrado
na Fig. (2.2). Finalmente, o tratamento destas integrais feito atravs das regras de
Langreth [63, 64]. Uma vantagem da funo de Green ordenada no contorno que ela
contem toda a informao necessria para a descrio do transporte.
Figura 2.2: Contorno de integrao para as funes de Green fora do equilbrio. Sendo
que em a) t prvio a t0 e em b) vice-versa.
O formalismo de Keldysh nos permite obter uma expresso fechada para G< da
Eq. (2.10). A derivao padro [61, 65, 66] e composta por duas etapas. Primeiro,
se resolve a equao de movimento para funes de Green ordenadas temporalmente.
Depois, so empregadas as regras de Langreth para chegar na expresso final.
Comecemos por definir a funo de Green de contacto ordenada temporalmente:
E
iD
G,kn (t t0 ) =
T d (t)ckn (t0 ) .
(2.11)
~
Tal definio satisfaz a seguinte equao de movimento
i~ 0 kn G,kn (t t0 ) =
G (t t0 )V,kn ,
t
onde
G (t t0 )
i
T d (t)d (t0 )
~
(2.12)
(2.13)
a funo de Green da regio central.

Como a propagao nos fios livre, sua funo de Green dada por
i~ 0 kn gkn (t t0 ) = (t t0 ),
t
com g diagonal. Combinando as Eqs. (2.12) e (2.14), escrevemos
XZ
0
dt1 G (t t1 ) V,kn gkn (t1 t0 ) .
G,kn (t t ) =
(2.14)
(2.15)
Implementando a continuao analtica no contorno de Keldysh e com ajuda das regras

de Langreth [63, 64] finalmente obtemos
n
o
X Z +
<
0
r
<
0
<
a
0
G,kn (t t ) =
dt1 V,kn G (t t1 )gkn (t1 t ) + G (t t1 )gkn (t1 t )
(2.16)
e
a(r)
G,kn (t
t)=
XZ
<
com g e g
a(r)
a(r)
0
dt1 V,kn Ga(r)
(t t1 )gkn (t1 t ),
(2.17)
dados por [61]

i
0
f (kn )eikn (tt )/~ ,
~
i
0
r
(t t0 ) = (t t0 )eikn (tt )/~ ,
gkn
~
i
0
a
(t t0 ) = (t0 t)eikn (tt )/~ ,
gkn
~
<
gkn
(t t0 ) =
(2.18)
(2.19)
(2.20)
10
sendo f () = [e( ) + 1]1 a funo de Fermi do -simo fio, com potencial qumico
. conveniente escrever = eq eV , onde V a voltagem aplicada no -simo
contato.
Substituindo as Eqs. (2.16), (2.18) e (2.20) na Eq. (2.10), podemos escrever a corrente
como
(
XX Z
4e
0
I (t) = Im
dt0 V,kn Vkn, eikn (tt )/~
~
kn
0
0
f (kn )Gr (t t0 ) + G<
(t t )(t t )
(2.21)
)
.
Note que a corrente expressa unicamente em termos da funo de Green da regio

central.
2.3
Funo de Green da regio central.
Nesta seo nos dedicaremos ao clculo das funes de Green, retardada Gr e a funo
de correlao G<
, da regio central. Novamente, o primeiro passo consiste em escrever
a equao de movimento para a funo de Green ordenada temporalmente
X
X
i~ 0 [HC ] 0 G 0 (t t0 ) = (t t0 ) +
V,kn Gkn, (t t0 ) , (2.22)
t
kn
0
Poderamos agora proceder como antes, transformando a equao de movimento em
uma equao integral em tempo real, fazendo a continuao analtica para o contorno
de Keldysh e usando as regras de Langreth. Porm, existe uma forma mais simples
de calcular as funes de Green retardada e avanada, j que elas esto diretamente
relacionadas com a ordenada temporalmente segundo
Z
r(a)
G () =
dt exp(i() t/~)G(t)
(2.23)
onde = i0+ . Fazendo a transformada de Fourier da Eq. (2.22) obtemos

X
X
r(a)
r(a)
V,kn Gkn, () .
0 [HC ] 0 G 0 () = +
(2.24)
kn
r(a)
A funo de Green de contato Gkn, () obtida fazendo a transformada da Eq. (2.17)

r(a)
r(a)
Gkn, () = gkn ()
Vkn, Gr(a)
, () .
(2.25)
11
r(a)
Inserindo Gkn, na Eq. (2.24), chegamos ao conjunto de equaes

i
Xh
r(a)
r(a)
0 [HC ] 0 0 () G 0 () = ,
(2.26)
onde introduzimos a auto-energia

()
V,kn gkn () V,kn

,
(2.27)
kn
r(a)
<
). conveniente substituir
r(a) (ou < ) so obtidos identificando gkn com gkn (ou gkn
a soma em k por uma integral em energia. Para isto definimos V,pn (kn ) V,kn e
usamos a identidade [67] ( )1 = i( ) + PV( )1 , com o qual obtemos
XZ
X
1
r(a)
() = i
n ()V,n () V,n () + PV
dn ()V,n ()
() .
V,n
n
n
n
(2.28)
Aqui n o limiar de energia para abrir o n-simo modo de propagao no fio , n ()
a densidade de estados neste modo, e PV indica que preciso tomar o valor principal da
integral. Os fios so modelados como guias de ondas retangulares, onde os elementos de
matriz de acoplamento V,n () so funes suaves de . Neste modelo, o valor principal
r(a)
da integral produz uma contribuio desprezvel para (), exceto para valores de
prximos do limiar de energia n . Desta forma, a auto-energia fica independente da
energia, e se l
onde
[ ]
i
r(a)
,
2
e
[ ] = 2
n V,n V,n
.
(2.29)
(2.30)
Esta aproximao muito til (aproximao de banda larga) pertinente em muitas situaes de interesse. Em particular, considerar os elementos da matriz de acoplamento
V,n independentes da energia usualmente uma boa aproximao para descrever transporte eletrnico em pontos qunticos a baixa temperatura, uma vez que (como ir se
ver posteriormente) a condutncia dominada pelos estados mais prximos do nvel de
Fermi. Tal aproximao tambm freqentemente empregada para descrever barreiras
de tunelamento assimtricas assim como, por exemplo, sistemas de tunelamento ressonante em presena de diferenas de potencial grandes. A idia principal que a parte
real da auto-energia s renormaliza a posio do plo, enquanto que a parte imaginria
descreve o processo de decaimento ou o vazamento eletrnico para fora da regio central
12
(ver discusso na Ref. [67]). Em contraste, quando a estrutura atmica do contato relevante a auto-energia r(a) depende de . Nestes casos preciso calcular a auto-energia
r(a)
(), atravs de tcnicas de dizimao [68] ou por algum outro mtodo [52].
r(a)
O resultado final para G melhor representado em forma matricial
1
i
r(a)
,
G () = I HC
2
(2.31)
onde I a matriz identidade.

Agora passaremos ao clculo da funo de Green G< . Apesar de em geral ser mais
dificil, algumas vezes possvel evitar o clculo explcito de G< . Em particular, para o
modelo de Anderson com uma ressonncia acoplada a fios com s um canal de transmisso, Meir e Wingreen [65] desenvolveram um procedimento que faz uso da conservao da
corrente para eliminar G< da Eq. (2.21). Para adaptar este mtodo ao caso de mltiplas
ressonncias, preciso que [ ] = [ ] , com constante. Porm, salvo no caso de
sistemas invariantes mediante o intercmbio dos fios p e q, a suposio de acoplamentos
proporcionais para o caso de mltiplas ressonncias pouco razovel.
Para um modelo com hamiltoniano bilinear, como o considerado aqui, o clculo de
G< simples. Usando a expresso exata para (), Eq. (2.27), pode-se obter G<
diretamente da equao de Dyson [61]:
G< () = Gr ()< ()Ga ()
(2.32)
onde < obtido a partir da Eq. (2.27)

<
()
N X
X
<
V,kn gkn
() V,kn
=1 kn
N
X
[<
()] .
(2.33)
=1
Seguindo os mesmos passos usados para obter a Eq. (2.29) escrevemos

<
() = if () .
(2.34)
Finalmente, juntando os resultados, obtemos

G< () = i
N
X
f ()Gr () Ga () .
(2.35)
=1
A funo de Green G< () nos permite calcular a densidade eletrnica

Z
n(r) = i~ d/(2)G< (, r).
(2.36)
13
Esta importante relao nos proporciona uma forma natural para calcular o potencial
eletrosttico U (r), que ser de grande utilidade quando abordarmos o transporte no
linear.
Com estes elementos, estamos prontos para voltar Eq. (2.21) e calcular a corrente.
2.4
A condutncia
Retomando a Eq. (2.21), comecemos por transformar a soma sobre k em uma integral
em energia, tal como foi feito para a auto-energia . Integrando em t obtem-se
Z
n
o
2e d
I =
ImTr [G< () + f ()Gr ()] .
(2.37)
~ 2
No equilbrio, os potenciais qumicos nos contatos so iguais, isto : = eq para
= 1, , N . O teorema de flutuao-dissipao estabelece que G< = feq ()ImGr
[61], com feq () = [e(eq ) + 1]1 , o que nos permite verificar que em equilbrio a
corrente nula, como fisicamente esperado.
Introduzindo Gr da Eq. (2.31) e G< da Eq. (2.35) na Eq. (2.21) escrevemos a corrente
como
2e X
I =
h =1
h
i
d f () f () Tr Gr () Ga () ,
(2.38)
Este o resultado central deste captulo. Os primeiros a obter uma equao similar
Eq. (2.38) foram Caroli e colaboradores [69], usando NEGF para estudar a corrente
numa juno metal-isolante-metal. Entretanto, no contexto de sistemas mesoscpicos, a
Eq. (2.38) foi derivada primeiro por Pastawski [70]. A derivao apresentada aqui segue
a linha do artigo de Meir e Wingreen [65], onde limitaes da Eq. (2.38) so discutidas
e o caso de sistemas fortemente interagentes tratado.
Definindo a transmisso total do terminal ao terminal a energia como
h
i
T () = Tr Gr () Ga ()
(2.39)
a corrente se escreve
2e
I =
h
N h
i
X
d
T ()f () T ()f () .
(2.40)
=1
Este resultado vlido para transporte linear, e tambm para transporte no-linear,
desde que o potencial eletrosttico presente nas funes de Green seja calculado autoconsistentemente. Isto ser discutido em detalhe no captulo 3.
14
Note que a equao (2.40) no evidencia o princpio de excluso de Pauli, j que

P
P
a corrente depende de T f e no de T f (1 f ), como seria o caso numa
equao de taxas padro. Na prtica, esta diferena poderia ser notada na presena
de um campo magntico externo. Porm, aqui o transporte completamente coerente
e embora cada estado que transmita eltrons do fio para o tenha componentes
assintticas nos dois fios, os eltrons que fluem de para encontrasse em equilbrio
trmico unicamente com o fio fonte". Uma discusso mais detalhada do assunto,
assim como do papel que um campo magntico desempenha sobre os estados nos fios e
do transporte inelstico e no coerente pode ser encontrada no livro do Datta [4].
Antes de discutir o regime linear, vamos reescrever a corrente da seguinte forma:
Z
N
h
i
2e X
I =
d
f ()T () com T () = Tr Gr ()( )Ga () .
h =1
(2.41)
Esta forma de escrever a corrente muito conveniente para dispositivos com mltiplos
terminais [23].
No regime linear, a diferena entre os potencias qumicos s dos reservatrios to
pequena que no causa um efeito aprecivel nas funes de Green. Portanto possvel
linearizar a funo de Fermi na Eq. (2.41) em torno do potencial qumico de equilbrio eq
r(a)
e substituir as funes de Green Gr(a) () pelas funes de Green de equilbrio G0 ().

Fazendo isto, chegamos finalmente formula de Landauer-Bttiker para a condutncia
G ,
Ilinear
N
X
G V
com
=1
2e2
=
h
feq
d
Aeq
(),
(2.42)
onde V a voltagem no contacto , e Ilinear a componente linear da corrente I .

r(a)
O super-ndice em Aeq
() indica que A () calculada usando G0 (). Vale a pena
P
P
enfatizar que as Eqs. (2.41) e (2.42) implicam que
G = 0. A
G = 0 e
primeira soma representa a conservao da carga, e a segunda a invarincia de calibre,
isto , a invarincia da corrente com respeito a uma mudana dos potencias {V } de
uma constante [23].
Atualmente, a maior parte dos experimentos com dispositivos nanoscpicos utilizam
geometrias com dois contatos. Neste caso no necessria a introduo dos coeficientes
A , e podemos escrever a condutncia linear diretamente como
Z
2e2
dI
f
=
G=
d
g(),
dV
h
V 0
(2.43)

onde
h
i
r
a
g() = T12 () = Tr 1 G0 ()2 G0 ()
15
(2.44)
chamada de condutncia adimensional.
2.4.1
Conexo com a matriz de espalhamento.
Vamos agora discutir a relao entre a condutncia dada pela Eq. (2.42), e a forma
padro, frmula de Landauer-Bttiker, que dada em termos de matrizes de espalhamento. Isto em princpio possvel para a condutncia linear, uma vez que a matriz
S contm toda a informao referente a processos de espalhamento em equilbrio e de
partcula independente no condutor. Mais especificamente, os elementos da matriz de
espalhamento Sab () so a amplitude de probabilidade para processos onde eltrons entram no condutor atravs do canal b e saem do sistema pelo canal a a uma energia .
Lembremos que os ndices associados aos canais denotam modos tanto de entrada (fonte)
quanto de saida (dreno), a = (, n).
Antes de prosseguir, importante salientar que a frmula de Landauer pode ser
obtida diretamente a partir da teoria de resposta linear, sem a necessidade de recorrer
ao formalismo de Funes de Green fora do equilbrio. Isto foi feito primeiramente por
Fisher e Lee [71] em 1981. Embora seja uma demonstrao simples, a importncia deste
artigo no deve ser subestimada pois no momento de sua publicao a validade das idias
de Landauer no estava completamente estabelecida.
Por simplicidade consideraremos o caso particular de apenas dois contactos. Os
canais pertencentes a um mesmo contato se agrupam naturalmente, produzindo uma
estrutura de blocos na matriz de espalhamento. No caso em questo (dois contatos)
temos
S=
r t0
t r0
!
(2.45)
Aqui, r (r0 ) constitudo pelos coeficientes de reflexo para estados do contato 1 (2),
enquanto que t (t0 ) apresenta os coeficientes correspondentes transmisso de eltrons
que entram pelo contato 1 (2) e saem pelo contato 2 (1). Na ausncia de campo magntico
externo, a simetria de reverso temporal preservada e consequentemente a matriz S
simtrica, i.e. t0 = t .
De acordo com a formula de Landauer, a condutncia adimensional expressa por

(2.46)
g = Tr t t .
16
A generalizao da formula de Landauer para o caso de mltiplos contactos pode ser

encontrada na Ref. [53].
Voltemos ao objetivo desta seo, que , conectar as Eqs. (2.44) e (2.46). Para isto,
reescrevemos o hamiltoniano dos fios da seguinte maneira
XZ
HL =
d cn cn
,n
(2.47)
onde {cn , c0 0 n0 } = ( 0 )0 nn0 . Em conseqncia, o hamiltoniano de contato

alterado da seguinte forma
HLC =
XZ
n,
d Wn, cn ds + H.c. .
(2.48)
Note que os elementos de acoplamento W s tm dimenses diferentes das de seus predecessores os V s. A idia de introduzir os operadores cn e cn que relacionam estados
assintticos |pn i usual na teoria de espalhamento resonante [53]. Alm disso, formular
o problema de espalhamento em termos de estados assintticos garante automaticamente
a conservao do fluxo, evitando os problemas discutidos nas Refs. [72, 73].
A derivao da matriz S (ressonante) descrita nas Ref. [53, 74]. Desprezando o
tunelamento direto entre estados em diferentes fios [75], podemos escrever
S() = I i2WGr0 ()W ,
(2.49)
onde [Gr0 ]1 = HC + iW W . Por inspeo da matriz de larguras de decaimento em

Gr , identificamos
= 2
Wa
Wa = 2
Va
a Va ,
(2.50)
onde a soma varre todos os canais abertos nos contactos. Os V s so definidos na

Eq. (2.4).
Para finalizar, comparamos as Eqs. (2.45) e (2.49) para extrair a matriz de transmisso t. Usando (Gr ) = Ga e a propriedade cclica do trao, encontramos
i

Tr t t = (4)2 Tr W1 Gr0 W2 W2 Ga0 W1 = Tr 1 Gr0 2 Ga0 ,
que exatamente o resultado esperado.
(2.51)
Captulo 3
Transporte quntico no linear
Neste captulo descreveremos como o formalismo de funes de Green fora do equilbrio, apresentado no captulo anterior, descreve naturalmente o transporte quntico
no linear, considerando interao Coulombiana na aproximao de campo mdio. A
comparao com o formalismo de matrizes de espalhamento tambm ser discutido.
3.1
Abordagem em termos de matrizes de espalhamento
O ponto de partida para a descrio da condutncia no linear em sistemas mesoscpicos

dado pela frmula de Landauer-Bttiker,
N
2e X
I =
h =1
dE f (E) A (E, U (r)) ,
(3.1)
que descreve a corrente no fio na ausncia de processos inelsticos. Aqui f (E) =

f0 (E eV ), com f0 (E) = (eE/kB T + 1)1 a funo de distribuio de Fermi e kB a
constante de Boltzmann. Para simplificar a notao escolheremos V como sendo medido
em relao ao potencial de equilbrio 0 , ou seja, V V 0 /e.
A transmisso A (E, U (r)) dada em termos da matriz de espalhamento do condutor S (E, U (r))
A (E, U (r)) = Tr[1 S S ] ,
(3.2)
onde as linhas e colunas de S (E, U (r)) esto associadas com os modos propagantes
17
CAPTULO 3. TRANSPORTE QUNTICO NO LINEAR
18
nos contatos e , respectivamente. 1 a matriz identidade com dimenso dada pelo

nmero de canais de propagao no contato . O trao tomado sobre os canais abertos
em e .
A matriz de espalhamento S e conseqentemente o coeficiente de transmisso A
so funes da energia do eltron e funcionais do potencial eletrosttico U (r) presente no
condutor. Em resposta linear, A calculado com o potencial de equilbrio Ueq (r) que
se estabelece quando todos os reservatrios se encontram no mesmo potencial qumico
0 . Para ir alm desse regime necessrio calcular U (r) de forma autoconsistente, como
primeiramente observado por Landauer [76].
Para iniciar, conveniente expandir todas as quantidades em potncias de V . O
potncial eletrosttico U (r) dado por
U (r) = Ueq (r) +
u (r)V +
1X
u (r)V V + O(V 3 ),
2
onde u (r) o potencial caracterstico definido por
u (r) =
U (r)
.
V V
{V }=0
(3.3)
(3.4)
Aqui {V } = 0 serve para denotar que V = 0, para todos os contatos.

Algumas propriedades do potencial caracterstico podem ser obtidas a partir de consideraes fsicas simples.
Mudanas no potencial qumico do reservatrio no afetam U (r) no interior do
reservatrio . Assim, u (r) = 0, sempre que r se encontre dentro do reservatrio
6= .
Para r no interior de , U (r) = V . Portanto u (r) = 1, se r .
Uma mudana global dos potenciais aplicados, V V + V0 , faz com que U (r)
P
U (r) + V0 . Isto implica a regra de soma u (r) = 1 que vlida para qualquer
ponto do espao r.
A expanso correspondente corrente I
X
X
X
I =
G V +
G V V +
G V V V + .
(3.5)
Em concordncia com a notao padro [23], no escrevemos I como uma srie de

Taylor nos {V }.

O coeficiente G corresponde condutncia linear, e dado por
Z
2e2
f0
G =
dE
A (E, Ueq (r)),
h
E
19
(3.6)
onde os coeficientes de transmisso A (E, Ueq (r)) [23], so calculados atravs da matriz
de espalhamento S obtida para o potencial de equilbrio Ueq (r).
A primeira correo no linear corrente, representada por G , dada por [23, 16]
Z
h
2e3
f0
1 i A
,
(3.7)
G =
dE
dr u (r)
h
E
2
eU (r) {V }=0
onde a integrao espacial feita na regio onde A /U (r)|{V }=0 no nulo, isto ,
no interior do condutor.
A expresso anterior depende explicitamente do potencial eletrosttico via u (r).
Para determinar esse ltimo, o formalismo tem que ser complementado com um clculo autoconsistente da distribuio eletrnica, ou com algum tipo de aproximao. Na
Ref. [23] feita uma aproximao de campo mdio usando a seguinte linha de argumentao: O potencial U (r) modificado pelo desbalano de carga n(r) induzido pelo
cmbio dos potenciais qumicos nos reservatrios. Por outro lado, n(r) o resultado da
carga injetada pelos fios e da carga induzida no condutor em resposta carga injetada.
As propriedades de injeo do condutor so descritas pela injetividade
"
#
Z
S
S
f0 X
dns (r, )
1
dE
Tr S
=
S ,
dE
2i
E
eU (r) eU (r)
(3.8)
calculada com {V } = 0. O super-ndice S empregado para distinguir as quantidades

que so calculadas dentro do formalismo de matrizes de espalhamento. Como dns /dE
inclui a degenerescncia de spin, a nossa definio difere da apresentada na Ref. [23] de
um fator de 2.
A densidade de carga induzida, em primeira ordem em V , dada por
XZ
dnind (r) = e
dr0 (r, r0 ) u (r0 )dV
(3.9)
onde (r, r0 ) a funo de polarizao de Lindhard. O formalismo de matrizes de

espalhamento no oferece uma descrio desta funo. Porm, lembrando a relao entre
o tempo de atraso de Wigner-Smith e a densidade de estados do condutor, dnind (r) pode
ser escrito na aproximao de Thomas-Fermi como
dnind (r) = e
X dns (r)
dE
u (r)dV .
(3.10)
20
A densidade local de estados dns /dE

dns (r) X dns (, r)
=
,
dE
dE
onde dns (, r)/dE chamada de emissividade e dada por

"
#
S
dns (, r)
1
f0 X
S
=
dE
Tr S
S .
dE
2i
E
eU
(r)
eU
(r)
(3.11)
(3.12)
Com tais elementos em mos, escrevemos a equao de Poisson

2 u (r) + 4e2
dns (r)
dns (r, )
u (r) = 4e2
,
dE
dE
(3.13)
onde tanto a densidade de estados quanto a injetividade dependem unicamente da matriz

de espalhamento.
Os coeficientes correspondentes a ordens superiores da expanso da condutncia,G ,
podem ser calculados sem maiores dificuldades uma vez conhecidos os u . Por outro
lado, obter equaes auto-consistentes para os potenciais caractersticos u bem
mais complexo. Isto foi feito apenas at a segunda ordem, usando a aproximao de
Thomas-Fermi, como descrito na Ref. [77].
3.2
Abordagem em termos de funes de Green.
Nesta seo apresentaremos um formalismo sistemtico para calcular os coeficientes da

condutncia G e o potencial auto-consistente U (r). Para tal fim, expandiremos tanto
f (E) quanto T (E, U (r)) presentes na equao:
N
2e X
I =
h =1
dE f (E) T (E, {V }) .
(3.14)
Para comear, escrevemos a funo de Green retardada (avanada):

Gr(a) (E) =
1
E H0 eU r(a) (E)
(3.15)
sem escolhermos nenhuma representao particular. Em seguida, expandimos Gr(a) considerando que o incremento dos potencias qumicos nos reservatrios afeta ambos U e
. O resultado a equao de Dyson
r(a)
Gr(a) = G0
r(a)
+ G0 Veff Gr(a) ,
(3.16)
21
onde a perturbao efetiva do potencial Veff dada por

i
XXh
r(a)
r(a)
Veff (E) = eU eUeq +
n (E eV ) n (E) ,
(3.17)
e a funo de Green de equilbrio dada por

1
r(a)
G0 (E) =
r(a)
E H0 eUeq eq (E)
(3.18)
O prximo passo consiste em escrever a auto energia

r(a) (E) =
XX
r(a)
n (E eV )
(3.19)
como
r(a)
n
nr(a) (E eV ) = r(a)
n (E) eV
E
r(a)
V =0
2 n
+ e2 V2
E 2
(3.20)
V =0
r(a)
onde r(a) (E) = eq (E). Da Eq. (3.20) vemos que, na aproximao de banda larga, as
auto energias (tanto retardada quanto avanada) no dependem em {V }, j que
r(a)
n
i n
=0.
(3.21)
E
2 E
V =0
Com isto, observa-se que Veff depende unicamente dos potenciais caractersticos
Veff = e
1 X
u V V + .
u V + e
2
(3.22)
Inserindo a Eq. (3.22) na (3.16) obtemos uma expresso formal para Gr(a) para qualquer
ordem em V .
Com o objetivo de calcular os potenciais caractersticos (u... ) vamos escrever o
desbalano na densidade eletrnica n(r) = n(r) neq (r) originado pela mudana dos
potenciais qumicos nos reservatrios.
Em termos de funes de Green, a densidade eletrnica dada por
Z
X
dE
<
hr|G< (E)|r, i (3.23)

n(r, t) =
hs (r, t)s (r, t)i = 2i~hr|G (t, t)|ri = 2i
2
s
onde os operadores de campo s (r, t) esto definidos por
s (r, t) =
ds (r).
(3.24)
22
Para calcular n(r), expandimos G< = Gr < Ga em potencias de {V }. Utilizando a

aproximao de banda larga na expanso de < temos
XX
XX
< (E) =
<
f0 (E eV )n
n (E eV ) i
= i
f0 (E eV )
f0 X
V +
= i f0 e
E
!
.
(3.25)
Finalmente G< , at ordem linear em V , l-se
X f0
r
a
a
r
<
r
a
r
a
V i
G = if0 G0 G0 e
G0 G0 + f0 (G0 u G0 G0 u G0 ) + O(V 2 ) . (3.26)
E
r
Perto do equilbrio, quando {V } 0, a funo de Green G< G<
0 = 2if0 ImG0 ,
em concordncia com o teorema de flutuao-dissipao [78]. Usando as Eqs. (3.23) e

(3.26), escrevemos a densidade eletrnica como
X
n(`) (r)
n(r) =
(3.27)
onde o super-ndice ` corresponde potencia V ` . Note que n(0) (r) = neq (r).
Agora estamos prontos para identificar, ordem a ordem, os coeficientes da condutncia G . Introduzindo Eqs. (3.16) e (3.22) na Eq.(3.14), obtemos a transmisso T
em termos das funes de Green de equilbrio e dos potenciais caractersticos. Estes
ltimos podem serem calculados a partir da equao de Hartree
Z
dE
2
U (r) = 4e n(r) = 8ie
hr|G< (E)|ri ,
2
(3.28)
com a expanso da funo de Green G< da Eq. (3.26).
3.2.1
Coeficiente linear da condutncia.
Em primeira ordem em V , a corrente no contato

X
G V .
I(1) =
(3.29)
O coeficiente linear da condutancia G identificado a partir da expanso da Eq. (3.14)

em termos do potencial aplicado V , e dado por
Z
f0
2e2
dE
G =
T (E, {V } = 0) .
h
E

onde
h
i
r
a
T (E, {V } = 0) = Tr G0 (E)( )G0 (E) .
23
(3.30)
A Eq. (3.30) idntica formula de Landauer-Bttiker [79], como discutido no captulo

anterior.
As equaes (3.23) e (3.26) fornecem a densidade eletrnica de estados de equilbrio
Z
2
neq (r) =
dEf0 (E)Imhr|Gr0 (E)|ri .
(3.31)

importante destacar ainda que mesmo na aproximao de Hartree (local), dependendo do sistema, o clculo de Ueq (r) pode representar um trabalho computacional rduo. Em sistemas mesoscpicos, devido natureza catica e/ou desordenada do sistema
em considerao, resultados quantitativos podem serem obtidos por meio de tratamentos
estatsticos [80] usando teoria de matrizes aleatrias ou tcnicas diagramticas. Em contraste, em eletrnica molecular um clculo completo da estrutura eletrnica necessrio.
Uma simetria importante da condutncia no regime linear obtida ao considerarmos
a presena de um campo magntico externo. O coeficiente de condutncia linear satisfaz
as relaes de reciprocidade de Onsager-Casimir sob inverso do campo magntico [81].
Usando a micro-reversibilidade
r(a)
r(a)
G0 (B) = [G0 (B)]T
(3.32)
e a propriedade cclica do trao em (3.30), possvel mostrar que

G (B) = G (B)
(3.33)
para 6= . No que se refere aos coeficientes diagonais, onde = , e possvel usar a

condio de conservao da corrente e a Eq. (3.33), ou diretamente a relao
Ga Gr = iGa Gr = iGr Ga ,
(3.34)
para mostrar que G (B) = G (B).

No caso particular de dois terminais, existe apenas um coeficiente independente, que
par no campo magntico,
G12 (B) = G12 (B),
(3.35)
o que mostra que as relaes de Onsager so particularmente restritivas neste caso. No

formalismo de matrizes de espalhamento, a Eq. (3.35) obtida usando a unitaridade
da matriz S [79, 82], enquanto que no formalismo de funes de Green ela obtida
24
combinando a conservao da corrente com G (B) = G (B). A paridade de G com

respeito a B foi observada experimentalmente [83, 84], e tem implicaes importantes
para experimentos de interferncia quntica. Em anis mesoscpicos conectados a dois
terminais impossvel medir diferenas de fases, j que as oscilaes de Aharonov-Bohm
tm a fase restrita aos valores 0 ou [84, 85]. Este fenmeno conhecido como rigidez
de fase.
3.2.2
Coeficiente de segunda ordem da condutncia.
O termo de seguinte ordem na expanso da corrente

I(2) =
O coeficiente G , obtido da expanso de
G V V .
(3.36)
f T na Eq. (3.14), formalmente dado
pela Eq. (3.7):

G
2e3
=
h
f0
dE
E
T
dr u (r)
.
2 eU (r) {V }=0
V
(3.37)
A expresso explcita em termos de funes de Green [20]
Z
f0
2e3
r
dE
G =
Tr
G0 u
Gr0 ( )
h
E
2
a
+ ( )G0 u
Ga0 . (3.38)
2
Vale a pena notar que a Ref. [20] apresenta esta expresso sem considerar a aproximao de banda larga, considerando a dependncia em energia da auto energia. Aqui
preferimos empregar a aproximao de banda larga a fim de simplificar as expresses e
tornar mais claro o formalismo. A remoo de tal aproximao no gera novas dificuldades.
P
Uma vez que a conservao da corrente herdada da Eq. (3.14), a regra de soma
G = 0 satisfeita trivialmente por todos os termos da expanso. A invarincia
da corrente sob uma diferena global nas voltagens aplicadas nos terminais nos proporP
ciona a seguinte regra de soma,
(G + G ) = 0 [23]. Os coeficientes G da
Eq. (3.38) satisfazem esta regra de soma sempre que os potenciais caractersticos satisP
faam u (r) = 1. Esta ltima condio precisamente a condio de invarincia de
calibre dos potenciais caractersticos, e ser discutida posteriormente.
25
Agora voltamos nossa ateno para a densidade eletrnica n(1) (r) de (3.27). A expanso de G< em potncias de V junto com a Eq. (3.23) resulta em
X Z
dn(r, )
(1)
0
0
0
V
dr (r, r )u (r )
n (r) = e
,
dE
V
onde
Z
(r, r ) = 2i
0
i
dE h
r
0
0
r
f0 hr|G0 (E)|r ihr |G0 (E)|ri H.c.
2
(3.39)
(3.40)
a funo de Lindhard e
dn(r, )
=2
dE
dE
2
f0
hr|Gr0 Ga0 |ri
(3.41)
a densidade (parcial) local de estados, chamada de injetividade no formalismo de

matrizes de espalhamento. A forma compacta da Eq. (3.41) devida aproximao de
banda larga. Como foi discutido na Ref. [20], dn(r, )/dE pode ser facilmente modificado
para levar em considerao a dependncia especfica na energia de . Tais correes so
importantes em eletrnica molecular, onde as caractersticas dos contactos so relevantes.
Na aproximao de Hartree, os potenciais caractersticos u (r) so determinados por
Z
dn(r, )
0
0
0
2
2
dr (r, r )u (r )
(3.42)
u (r) = 4e
dE
V
com as condies de contorno discutidas na Sec. 3.1. Esta equao tem a mesma
estrutura que a Eq. (3.13). (A comparao destas equaes ser tratada na prxima
seo.) Os dois termos do lado direito da Eq. (3.42) provm do balano de cargas n(1) (r)
[86].
Empregando a Eq. (3.34) e integrando por partes obtem-se a relao
X dn(r, ) Z
= dr0 (r, r0 ) .
dE
V
(3.43)
Esta relao tambm vlida alm da aproximao de banda larga.[20]

Somando a Eq. (3.42) para todos os contactos , obtemos
"
#
Z
X
X
2
u (r) = 4e2 dr0 (r, r0 )
u (r0 ) 1 .
(3.44)
Esta equao, em conjunto com as condies de contorno para u , produz a regra de soma
P
u = 1. Desta forma recuperamos a regra de soma para os potenciais caractersticos
sinalizada em [23]. Esta uma prova simples de que, na aproximao de Hartree, o
26
formalismo de funes de Green manifestamente invariante de calibre. Em contraste,

P
o formalismo de matrizes de espalhamento necessita impor a regra de soma u = 1
para se obter (3.13).
Outro caminho para obter a regra de soma
u = 1 consiste em observar que ela
automaticamente garante que n(1) (r) permanea constante sob um deslocamento global
dos potenciais V V + V0 (como foi mostrado para todas as ordens na seo anterior).
Como conseqncia, evidente que a implementao padro da DFT tambm invariante de calibre, sem importar o funcional de troca e correlao Uxc [n(r)] empregado.
Experimentalmente, observa-se que as relaes de reciprocidade de Onsager-Casimir
no so vlidas para a condutncia quntica no-linear [9, 14, 10, 11]. Teoricamente, a
violao de tais relaes explicada em termos de interao Coulombiana [17, 21]. No
formalismo de funes de Green este resultado se obtm a partir da Eq. (3.37) e fazendo
uso da condio de micro-reversibilidade para as funes de Green Gr(a) (r, r0 ; E, B) =
Gr(a) (r0 , r; E, B). Embora T /U (r), calculado para {V } = 0, seja funo par no
campo magntico, em geral u (r, B) 6= u (r, B). Isto pode ser observado da Eq. (3.42),
ainda que a funo de Lindhard seja uma funo par em B,
(r, r0 ; B) = (r, r0 ; B),
(3.45)
dn(r, , B)
dn(r, , B)
6=
.
dE
dE
(3.46)
a injetividade no , ou seja
Desta forma reencontramos o resultado da Ref. [17].
3.2.3
Ordens superiores.
A expresso geral para G1 J em termos das derivadas funcionais da transmisso T
G1 J
J Jl
Z
f0 X X (1)l+1
2e2
dE
1 2 2 3 l1 l
=
h
E l=1 n=0
l!
Z
Z
T1
dr1 drl1 dr01 dr0n
U (r1 ) U (rl1 )U (r01 ) U (r0n )
(n)
Kl+1 J (r01 , , r0n ),
(3.47)
onde K (n) definido como

(n)
Kl+1 J (r01 ,
h
i
U (r01 ) U (r0n )
, r0J ) =
(J l)! n! Vl+1
VJ
{V }=0
(3.48)
27
e est relacionada com o potencial caracterstico atravs da Eq. (3.4). Para n = 0,

definimos K (0) = Jl .
Para obter a Eq. (3.47) identificamos os termos contendo V J na expanso da corrente com os coeficientes G,1 ,J da Eq. (3.5). A potencia V J provm do produto das
expanses de T e f0 na Eq. (3.14). O ndice da primeira soma na Eq. (3.47) corresponde ao nmero de V s que procedem da expanso de f0 . As potncias restantes de
V s (J l), provm da expanso da transmisso T , isto , do termo que contm uma
derivada de ordem J l da transmisso T com relao aos potenciais V . Por sua vez,
as J l derivadas de T com respeito dos V s do origem a potenciais caractersticos e
derivadas funcionais do tipo T /U (r0 ). O ndice n da segunda somatoria, representa
o nmero de derivadas V que produzem termos do tipo u (r0 )/U (r0 ). As restantes
J l n derivadas so responsveis por incrementar a ordem dos potenciais caractersticos u1 2 . A expanso de f0 trivial. Porm, para fatorar o termo (E f0 ) temos
que integrar por partes. Como resultado, obtemos l 1 derivadas funcionais adicionais
que atuam em T . Finalmente, note que, os ndices 1 l devem ser simetrizados.
interessante destacar que expresses com estruturas similares foram obtidas usando
mecnica estatistica clssica fora do equilbrio [87]. A conexo entre estes resultados
ainda um tpico aberto.
A expresso para o potencial caracterstico de ordem J obtida a partir da expanso
de G< na Eq. (3.28)
Z
k termos
J
z
}|
{ X
dE
X
u1 J (r) = 8e
hr|Gr0 Veff Gr0 Veff Gr0
f (E eV )
2 V1
VJ k=0
j
termos
Jk
}|
{
X
z
Ga0 Veff Ga0 Veff Ga0 |ri

(3.49)
.
j=0
2
{V }=0
O potencial efetivo Veff = eU eUeq no afetado por um deslocamento global dos

potenciais aplicados V V + V0 , o que garante a invarincia de calibre de nosso
resultado. As equaes (3.47) e (3.49) permitem-nos solucionar o problema no-linear
para qualquer ordem. Como teste de consistncia, verificamos que as expresses obtidas
para ordens mais baixas so recuperadas a partir destas equaes.
A fim de ilustrar a utilidade de nossas equaes, vamos empreg-las para obter a
28
condutncia em terceira ordem:
Z
Z
e2
T
f0
G =
dE
dr1
u (r1 )
(3.50)
h
E
U (r1 )
Z
Z
T
1
+
dr1 dr2
u (r1 )u (r2 ) u (r1 ) +
,
U (r1 )U (r2 )
3
e a equao correspondente para o potencial u :
dn(r)
d2 n(r)
d2 n(r, )
2
2
u (r) = 4e
u (r) + e
u
(r)u
(r)
+
e
dE
dE 2
dE 2
d2 n(r, )
d2 n(r, )
u (r) e
u (r) .
(3.51)
e
dE 2
dE 2
Por simplicidade escrevemos u na aproximao de Thomas-Fermi. fcil ver que
P
u = 0, respeitando invarincia de calibre. A Eq.(3.51) coincide com a apresentada
na Ref. [20].
3.3
Conexo entre os dois formalismos.
No que segue, descreveremos a equivalncia entre os resultados obtidos no formalismo

baseado em funes de Green (descritos na seo anterior) e os referentes ao formalismo
de matrizes de espalhamento (formulados por Bttiker e colaboradores, e resumidos na
seo 3.1).
Lembramos que as idias bsicas empregadas na construo do formalismo de matrizes de espalhamento so:
Perceber que a matriz de espalhamento uma funo da energia e um funcional
do potencial eletrosttico no condutor, sendo que este ltimo, em situao de noequilbrio, funo dos potenciais nos contatos. Desta forma, a matriz S(E, U (r)),
usada para construir coeficiente de transmisso T , pode ser expandida nos potenciais nos contactos, dando origem s expresses para os coeficientes da condutncia.
Argumentos fsicos so empregados para construir a equao de Poisson que relaciona U (r) com termos de fonte expressos como funo da prpria matriz de espalhamento S. A invarincia de calibre uma imposio que serve de guia na
construo da equao dos potencias caractersticos.
Para comear, escrevemos a matriz de espalhamento (equilbrio) na forma padro
[88]
Smn (E) = mn 2i
[Gr0 (E)] Vn ,
(n m )1/2 Vm
(3.52)
29
onde n e m representam os modos propagantes nos fios, e as funes de Green so calculadas com o potencial eletrosttico de equilbrio Ueq (r). A medida que os potenciais dos
contatos so incrementados, U (r) modificado, assim como as ressonncias do condutor
e o limiar de abertura dos canais. Supondo que os potenciais aplicados no acrescentem novos processos fsicos ao problema de transporte, como por exemplo interao com
fnons, a Eq. (3.52) pode ser generalizada na forma
Smn (E, U (r)) = mn 2i
[Gr (E)] Vn .
(n m )1/2 Vm
(3.53)
Aqui a funo de Green do condutor Gr contm o potencial de no-equilbrio U (r).

Lembrando a definio da largura de decaimento , obtemos [89]
h
i
A = Tr 1 S S = T
(3.54)
onde concluimos que o formalismo de funes de Green e o formalismo de matrizes de

espalhamento produzem expresses equivalentes para a corrente.
Agora examinaremos como o potencial U (r) tratado nos dois formalismos, ou seja,
compararemos as Eqs. (3.13) e (3.42).
Comearemos comparando as expresses para a injetividade. Fazendo explicitamente
a soma sobre canais, a injetividade em termos de matrizes de espalhamento (3.8) se
escreve
dns (r, )
1 X
=
dE
2i
dE
2
f0
Smn
Smn
Smn
Smn ,
eU (r) eU (r)
n
(3.55)
calculada com {V } = 0. A Eq. (3.53) estabelece a ponte entre os dois formalismos e pro
porciona um caminho fcil para calcular a derivada funcional Smn
/U (r). Inicialmente,
empregamos Gr [(Gr )1 ] + (Gr )(Gr )1 = 0 para escrever

X
Smn
[Gr (E)1 ]0 0 r
= +2i(n m )1/2
[G (E)] 0 Vn .
Vm
[Gr (E)]0
eU (r)
eU
(r)
0
0

Em seguida, notando que (Gr )1 = E H0 eU + i/2 e U =
escrevemos
(3.56)
dr0 h|r0 iU (r0 )hr0 |i,
[Gr (E)1 ] = h|rihr|i .

eU (r)
(3.57)
Finalmente, introduzindo as Eqs. (3.52) e (3.56) em (3.55), mostramos que dns (r, )/dE
coincide exatamente com a Eq. (3.41), obtida na aproximao de banda larga.
30
Seguindo os mesmos passos, tambm encontramos que a emissividade no formalismo

de matrizes de espalhamento dada por
Z
dn(, r)
dE
f0
=2
hr|Ga0 Gr0 |ri.

dE
E
2
(3.58)
A aproximao de Thomas-Fermi crucial para fechar o mecanismo de clculo no

formalismo de matrizes de espalhamento. A idia assumir que u (r) depende mais
fracamente das coordenadas do que (r, r0 ), e desta forma escrever
Z
Z
0
0
0
dr (r, r )u (r ) u (r) dr0 (r, r0 )
V
dn(r)
u (r)
dE
(3.59)
onde usamos a Eq. (3.43). Neste limite, a equao de Poisson do potencial na aproximao de Hartree do formalismo de funes de Green (3.42) reduz correspondente
equao de Poisson no formalismo de matrizes de espalhamento (3.13). interessante
notar que a parte diagonal do (r, r0 ) pode ser escrita como
Z
i
dE
f0 h
hr|Ga0 (E) Gr0 (E)|ri
(r, r) = 2i
E
2
que, integrando por partes e usando a Eq. (3.34), nos fornece
(r, r) =
X dn(, r)
dE
(3.60)
Note que a Eq. (3.51) coincide com a sua anloga do FMS na aproximao de ThomasFermi [77]. Isto sugere que, dentro das aproximaes discutidas nesta seo, ambos
formalismos so equivalentes em todas as ordens.
3.4
Implementao da aproximao de Hartree-Fock

no FFG.
A fim de ilustrar as vantagens obtidas ao utilizar funes de Green para descrever o problema de transporte no-linear, nesta seo estaremos aprimorando a nossa descrio da
interao eletrnica ao considerar a aproximao de Hartree-Fock. Note que isto simples neste formalismo devido ao fato das funes de Green serem objetos que incorporam
naturalmente fenmenos de muitos corpos. Note tambm que a natureza no-local da
interao de troca (esta justamente a diferena entre HF e Hartree) impede a sua
31
incluso na descrio do transporte no linear em termos dos potenciais caractersticos

definidos na Eq. (3.3). Porm, como antes, igualmente possvel construir uma expanso
auto-consistente para a corrente. Consideremos o hamiltoniano de interao
HInt =
com
1XX
H ds ds0 ds0 ds ,
2 ss0
(3.61)
Z
H =
dr1 dr2 V (r1 r2 ) (r1 ) (r2 ) (r2 ) (r1 ) ,
(3.62)
que, na aproximao de Hartree-Fock, se escreve [90]

h
X
HF
HInt
=
H
ds ds ds0 ds0 ds ds0 ds0 ds
ss0

i
0
0
+ 1/2 ds ds ds0 ds 1/2 ds ds ds0 d,s .
(3.63)
Como o hamiltoniano de interao bilinear, trivial inclui-lo na funo de Green,

obtendo-se
r(a) (E) = (Gr(a) (E))1 HHF 1 ,

G
Int
onde os elementos de matriz do hamiltoniano de interao so dados por

"
#
X
X
HF
HInt s,s0 = s,s0

H
ds00 ds00 H ds ds
.
(3.64)
(3.65)
s00
A funo de Green de correlao dada por

< (E) = G
r (E)< (E)G
a (E)
G
e a equao que define a auto consistncia
Z
Z

dE <
dE <
0
0
ds ds = i
Gs0 s (E) = iss
G (E).
2
2
(3.66)
(3.67)
A invarincia de calibre pode ser demonstrada utilizando os mesmos argumentos da

Seo 3.2.
As eqs. (3.64), (3.66) e (3.67) fornecem os elementos necessrios para escrever a
expanso de I , em analogia com a Seo 3.2. A natureza no local da interao de
troca encontra-se codificada nas Eqs. (3.62) e (3.63).
Captulo 4
Condutncia de um anel de
Aharonov-Bohm
Neste captulo estaremos interessados em fazer contato com os resultados experimentais
da Ref. [12]. Para tal fim, empregaremos um modelo simples de anel quntico [91] que
nos permitir calcular tanto a matriz de espalhamento do anel, quanto a sua derivada
funcional. Uma vez obtidas estas quantidades usaremos a descrio do transporte no
linear desenvolvida por Bttiker e colaboradores [16] para calcular a condutncia no
linear. Finalmente, ser discutida a possibilidade de usar a condutncia no linear para
se fazer interferometria.
4.1
Resultados experimentais de interesse.
Comeamos o captulo dedicando esta seo descrio dos resultados experimentais

obtidos pelo grupo liderado pelo Prof. Klauss Ensslin (ETH-Suia) e apresentados nas
Ref. [12]. Mais informao sobre o experimento e experimentos similares encontram-se
nas Refs. [93, 94, 95].
O anel usado no experimento foi desenhado oxidando localmente, com um microscpio de fora atmica, uma heteroestrutura de GaAs/GaAlAs. A Fig. 4.1(a) apresenta
uma imagem do anel resultante obtida com o mesmo microscpio. Embora o anel esteja conectado a trs terminais, o experimento foi realizado com um deles totalmente
fechado, e sendo monitorado o tempo todo.
A parte no linear de uma caracterstica I V tpica, apresentada na Fig. 4.1(b)
para dois valores do campo magntico de amplitudes iguais, porm de sinais opostos. A
32
CAPTULO 4. CONDUTNCIA DE UM ANEL DE AHARONOV-BOHM
33
Figura 4.1: (a) Imagem microscpica (microscpio de fora atmica) do anel e esquema
da montagem experimental usada na Ref. [12]. O terceiro contato foi fechado a fim
de trabalhar unicamente com dois contatos. (b) Parte no linear de uma caracterstica
I V tpica para dois valores do campo magntico de amplitudes iguais, porm de sinais
opostos [12].
curva mostra claramente a apario de um comportamento no linear para diferenas de
voltagem acima de 0.1mV . Tambm fica evidente que a corrente no mais simtrica
em campo magntico, I(B) 6= I(B), o que representa uma violao das relaes de
Onsager-Cassimir discutidas na seo 3.2.1.
A fim de quantificar o comportamento no linear, os autores ajustaram um polinmio
de quinta ordem s curvas I V , segundo
I=
5
X
G(n) (V V0 )n ,
(4.1)
n=1
sendo G(n) e V0 os parmetros de ajuste. O resultado dos parmetros de ajuste G(n) como
funo do campo magntico e com os potenciais das portas fixos so apresentadas na Fig.
4.2(a). As curvas tracejadas correspondem reflexo horizontal das curvas originais e
tem a finalidade de facilitar a observao da simetria baixo reflexo do campo magntico.
Todas as condutncias G(n) apresentam oscilaes de Aharonov-Bohm com perodo
consistente com o dimetro litogrfico do anel (260nm). Adicionalmente a estas oscilaes (h/e), os coeficientes mpares (G(1,3,5) ) apresentam fortes oscilaes de perodo
34
Figura 4.2: (a) Contribuies de diferentes ordens condutncia no linear do anel. (b)
Acima, a rigidez de fase presente na condutncia linear. Embaixo, a quebra desta rigidez
na primeira contribuio no linear [12].
h/2e. A presena de tais oscilaes unicamente nos coeficientes mpares uma das
perguntas em aberto.
No que diz respeito paridade da condutncia como funo do campo magntico, a
Ref. [12] reporta que a condutncia linear G(1) , em consistncia com a teoria, par por
inverso do campo magntico. J as condutncias no lineares apresentam comportamentos diferentes. Os coeficientes pares no mostraram uma simetria definida, enquanto
que os coeficientes npares exibem um comportamento par no campo magntico. Esta
uma outra questo aberta neste experimento.
Na Fig. 4.2(b) so mostradas as condutncias de primeira e segunda ordem, como
funo do campo magntico, para valores dos potenciais de porta VP G2 = VP G3 compreendidos entre +0.125 V (curva inferior) e 0.025 V (curva superior). As curvas
esto deslocadas verticalmente para mais clareza. A idia por trs deste grfico que
um aumento nos potencias das portas P G2 e P G3 produz um aumento na densidade de
carga no brao superior do anel Fig. 4.1(a), causando um aumento na fase dos eltrons
que percorrem este brao. Desta forma, ao se variar tais potenciais se pretende estudar
a possibilidade de se fazer interferometria no linear num anel com dois contatos. O
grfico superior mostra que a condutncia linear apresenta um comportamento par e a
conseqente rigidez de fase que impossibilita a interferometria (linear) num anel de dois
contatos. No entanto, a grfica inferior mostra como a condutncia G(2) apresenta uma
defasagem na medida que os potenciais de porta so variados. Isto abre a possibilidade
35
Figura 4.3: Fase das oscilaes em campo magntico de G(2) como funo de VP G2 = VP G3
com VP G1 = 0 (crculos) e como funo de VP G1 com VP G2 = VP G3 = 0 (tringulos). A
linhas tracejadas indicam a tendncia linear dos pontos com inclinaes de 0.85 /V
(tringulos) e 1.90 /V (crculos) (grfica extrada da Ref. [12]).
de fazer interferometria de dois contatos por meio da condutncia no-linear. Este um
dos pontos que nos dispomos a investigar neste captulo.
Observe-se que as variaes na forma das curvas da condutncia G(2) dificultam a
identificao da defasagem. Por isto conveniente calcular a defasagem do que seria o
primeiro harmnico da condutncia, o qual est relacionado com trajetrias com uma
nica volta em torno do anel. Esta defasagem se calcula por meio da seguinte formula:
tan() =
hG(2) (B)sen(B/B0 )i
,
hG(2) (B) cos(B/B0 )i
(4.2)
onde B0 = h/e o perodo das oscilaes de Aharonov-Bohm e h i indica que h de

se tomar o valor mdio.
A Fig 4.3 exibe a variao da defasagem calculada com a Eq. (4.2) em funo dos potenciais de porta correspondentes a ambos braos. O fato de ambos braos apresentarem
uma tendncia monotnica (crescente neste caso particular) um resultado em favor da
possibilidade de empregar a condutncia no linear para fazer interferometria. Alm
disso, note que a taxa mdia de aumento do brao superior aproximadamente o dobro
da taxa mdia de aumento do brao inferior, o que consistente com o comprimento
dos braos. Porm, estranho que ambas curvas apresentem um comportamento crescente, quando se esperaria que apresentassem tendncias opostas. Lembre-se que uma
defasagem positiva num brao corresponde a uma defasagem negativa no outro.
36
Para finalizar, gostariamos de destacar as quatro observaes experimentais que abordaremos neste captulo. (i) As propriedades de simetria por inverso do campo magntico
dos diferentes termos da condutncia. (ii) A ausncia de oscilaes de perodo h/2e nos
coeficientes G(2,4) . (iii) A possibilidade de usar a condutncia no linear para se fazer
interferometria com dois contatos. (iv) Justificativa de o por que as duas inclinaes na
Fig. 4.3 tem o mesmo sinal.
4.2
Modelo do anel quntico
O modelo que usaremos para descrever o anel quntico composto por duas peas, a
propagao ao longo dos braos, e o espalhamento nos vrtices formados pelos contatos e
o anel. Com a finalidade de mantermos o modelo o mais simples possvel, consideraremos
a propagao livre nos braos. Embora seja possvel considerar vrios canais sem maiores
dificuldades, por simplicidade nossos clculos so realizados com um nico canal aberto
em cada contato.
Matematicamente os vrtices so representados por meio de matrizes de espalhamento. A matriz de espalhamento de um vrtice que conserva o fluxo de carga tem de
ser uma matriz unitria, o que significa que os vrtices estaro representados por elementos do grupo U (3). Considerando que o efeito do campo magntico sobre os eltrons
desprezvel para a escala de tamanho dos vrtices, podemos supor que a matriz seja
simtrica. Ademais, como qualquer ganho de fase dos eltrons pode ser includo na
propagao nos braos possvel escolher uma matriz real. Finalmente, por simplicidade, impomos que o vrtice divida o fluxo eletrnico de forma simtrica entre os dois
braos do anel. O resultado de tais consideraes a matriz uniparamtrica
1/2
1/2
a
1/2 1 (1 a) 1 (1 a)
2
2
1
1/2 1
(1 a) 2 (1 a)
2
(4.3)
onde a = ( 1 2), e o parmetro ( [0, 1/2]) permite ajustar a transparncia

do vrtice. O valor = 0 corresponde a transparncia nula (reflexo total), enquanto
que = 1/2 corresponde a transparncia 1 (transmisso total). A escolha do sinal na
equao (4.3) determina o sinal do determinante da matriz (escolheremos o sinal inferior
que corresponde a um determinante +1), entanto que a escolha do sinal em a esta
relacionada com o tipo de interface presente no vrtice. Como estamos interessados em
37
Figura 4.4: Representao esquemtica do anel quntico com as respectivas amplitudes

de onda nas vizinhanas dos vrtices.
vrtices abertos ( = 1/2 a = 0) a escolha do sinal em a irrelevante. Note-se que
a Eq. (4.3) apresenta uma correo nos sinais dados na Ref. [91].
Em termos da notao introduzida na Fig. 4.4 a propagao nos braos do anel
dada pelas matrizes de transmisso Tli definidas abaixo
!
=
20
e
1
10
ei(kL l1 1 )
ei(kL l1 +1 )
ei(kL l2 2 )
ei(kL l2 +2 )
10
!
= Tl 1
1
!
20
2
!
(4.4)
= Tl 2
10
20
2
!
(4.5)
onde li=1,2 so os comprimentos dos braos, i=1,2 so as fases de Aharonov-Bohm acup

muladas ao longo de cada brao, e kL = 2mEF ~2 kT2 /~ a componente longitudinal
do vetor de onda. Por outro lado, a equao dos vrtices
i0
i0
i0
1/2
1/2
= 1/2 1 (1 a) 1 (1 + a) i

2
2
1
1
1/2
i
2 (1 + a) 2 (1 a)
(4.6)
nos fornece a matriz de transmisso entre braos.

!
!
!
1/2
10
1
a
a
2
2
1
1
=
1
= 1 w
~ 1 +Tv1
, (4.7)
0
1 + a 1
1 + a a 1
1
10
1
20
2
21/2
=
1+a
1
1
2
2
1+a
2
20
a 1
!
= 2 w
~ 2 + Tv2
2
20
38
!
(4.8)
e a equao para as amplitudes de sada nos contatos

i0 = a i + 1/2 (i + i )
(i = 1, 2).
(4.9)
Uma vez definidos todos estes elementos, podemos calcular a matriz de espalhamento
total. O primeiro passo consiste em calcular as amplitudes internas como funo das
amplitudes entrantes nos contatos, para isto solucionamos o sistema de equaes formado
por (4.4), (4.5), (4.7) e (4.8), com o qual obtemos
!
10
= [1 Tv1 Tl2 Tv2 Tl1 ]1 (w~1 1 + Tv1 Tl2 w~2 2 )
1
!
2
= [1 Tl1 Tv1 Tl2 Tv2 ]1 (Tl1 w~1 1 + Tl1 Tv1 Tl2 w~2 2 )
0
2
!
20
= [1 Tv2 Tl1 Tv1 Tl2 ]1 (w~2 2 + Tv2 Tl1 w~1 1 )
2
!
1
= [1 Tl2 Tv2 Tl1 Tv1 ]1 (Tl2 w~2 2 + Tl2 Tv2 Tl1 w~1 1 )
0
1
(4.10)
Em seguida, a equao (4.9) nos permite calcular as amplitudes de sada. Escolhendo

apropriadamente as amplitudes de entrada obtemos as componentes da matriz de espalhamento:
1 = 1
2 = 0
S11 = 10
S12 = 20
(4.11)
e
1 = 0
2 = 1
S21 = 10
S22 = 20
(4.12)
A Figura 4.5 ilustra a probabilidade de transmisso |T12 |2 e de reflexo |T11 |2 como funo
do fluxo magntico. A condutncia linear obtida com estes coeficientes apresentada
na Fig. 4.6.
Como discutido no captulo anterior, a condutncia no linear depende da derivada
funcional da matriz de espalhamento S/U (x). Para calcular S/U (x), introduzimos
uma funo delta de Dirac na posio indicada por x no brao correspondente. Aqui,
x [0, 1] uma varivel que percorre o anel em sentido horrio e partindo do vrtice
39
Figura 4.5: Mdulo quadrado da amplitude de probabilidade de transmisso e reflexo

(|S12 |2 e |S11 |2 ) para o modelo descrito, como funo do fluxo magntico.
Figura 4.6: Condutncia linear calculada a partir da matriz de espalhamento do modelo.
1. O espalhamento produzido pela presena da funo delta incorporado ao clculo

substituindo a matriz Tl1 por T1 se 0 < x L < l1 ou Tl2 por T2 se l1 < x L < L. Com
L = l1 + l2 e Ti dado por
i ii
e
Ti =
kL
(ikL + )eikL li
eikL (li 2xi )
eikL (li 2xi )
( ikL )eikL l1
!
.
(4.13)
Aqui xi=1 = x L, xi=2 = (1 x) L e representa a amplitude da delta de Dirac.

Finalmente, calculamos a derivada funcional segundo
S
S (U (y) + (y x)) S (U (y))
= lim
.
U (x) 0
(4.14)
4.3
40
Injetividade e emissividade
Uma vez calculada a matriz de espalhamento e a derivada funcional, passamos ao clculo

da injetividade
e da emissividade
"
#
S
dni (r)
1 X
S
S
Tr S
dE
4i
eU (r) eU (r)
(4.15)
"
#
S
dne (r)
1 X
S
Tr S
=
S
dE
4i
eU (r) eU (r)
(4.16)
Onde tomamos o limite de temperatura nula a fim de simplificar os clculos.

A Fig. 4.7 apresenta as injetividades dos contatos 1 e 2, respectivamente, para
os valores do fluxo magntico /0 = /4. Analogamente, a Fig. 4.8 apresenta as
emissividades dos contatos 1 e 2 nas mesmas condies. Para estes grficos usamos os
seguintes parmetros:
Permetro do anel L = 260 nm, l1 = L/3 e l2 = 2L/3.
Vetor de onda kF ermi = [2me (EF ermi ET )]1/2 /~, com a energia de Fermi dada
por EF ermi = (~1.58 106 )2 /2me e a energia do modo transverso estimada em
ET = (~2 /2me )(nT + 1)(6/260 107 )2 . Para fazer esta estimativa supomos que
a seo transversal do potencial um oscilador harmnico de largura caracterstica
igual a um sexto do dimetro litogrfico do anel.
Estes valores foram escolhidos em consonncia com os valores do arranjo experimental
[12]. Ns trabalhamos com o modo transverso nT = 3 a fim de diminuir o nmero de
oscilaes e desta forma fazer com que os grficos sejam mais fceis de visualizar. Vale
lembrar que no experimento de Ensslim estima-se que hajam 4 canais abertos.
As curvas tanto da injetividade quanto da emissividade apresentam comportamentos
similares: descontinuidades nos pontos x = 0 e x = l1 /(l1 + l2 ) = 1/3, com plats e
amplitudes de oscilao diferentes para cada brao. As descontinuidades acontecem na
posio dos vrtices e esto relacionadas ao fato de que a conservao de carga neste
ponto requer que os trs elementos (braos e contato) sejam considerados. Os plats
indicam o tanto de carga que est fluindo por cada brao, enquanto que as oscilaes
esto relacionadas com localizao"de carga. Por ltimo, importante destacar que
a condio dni (B)/dE = dne (B)/dE relacionada simetria de inverso temporal,
visivelmente satisfeita. Tambm foi verificado que a condio dni (B)/dE = dne (B)/dE
satisfeita.
41
Figura 4.7: Injetividades 1 e 2 para valores do campo magntico B correspondentes

aos fluxos magntico de /4. O fator de e2 foi acrescentado a fim de se obter uma
quantidade adimensional.
Figura 4.8: Emissividades 1 e 2 para valores do campo magntico B correspondentes

aos fluxos magnticos de /0 = /4. O fator de e2 foi acrescentado a fim de se obter
uma quantidade adimensional.
4.4
Potenciais caractersticos
Para o clculo dos potenciais caractersticos precisamos resolver a equao de Poisson

[23]
2 u (r) + 4e2
dn(r)
dn(r, )
u (r) = 4e2
,
dE
dE
(4.17)
42
Figura 4.9: Diferena entre os potenciais caractersticos, u1 (x) u2 (x), como funo
da varivel que percorre o anel x [0, 1], para valores conjugados de fluxo magntico
/0 = /4.
mas antes disso, preciso incorporar a funo resposta dos eltrons do semicondutor onde
o anel foi litografado. Uma forma de se fazer isto, acrescentando um termo, tanto de
injetividade dni0 /dE quanto de emissividade dne0 /dE, que representa a resposta deste
material aos cmbios nas distribuies locais de carga. Este procedimento descrito na
Ref. [23].
Uma outra alternativa, consiste em empregar uma funo de Green efetiva para a
equao de Poisson, a qual considera a polarizabilidade do material do substrato. Ns
optamos por este ltimo mtodo empregando a aproximao de interao de contato, o
que nos permite escrever uma soluo algbrica para u ,
4e2 dni /dE
u =
.
cont + 4e2 dne /dE
(4.18)
Nesta aproximao a constante adimensional cont contem a informao sobre o mascaramento de cargas no material. Este fenmeno tem sido estudado por exemplo em
gases bidimensionais [92]. Porm aqui no ser preciso aprofundar neste assunto, j que
a invarincia de calibre exige que cont 4e2 dne /dE 10, o que deixa cont como uma
constante que regulariza as possveis divergncias do potencial caracterstico resultante.
Assim, o potencial caracterstico independente do valor de cont , sempre que este seja
bem menor do que a emissividade.
Como estamos interessados num dispositivo de dois contatos, e com uma ddp aplicada
em forma simtrica (V1 = V /2 e V2 = V /2), precisamos apenas conhecer a diferena
43
(u1 u2 ), que dada por

u1 u2 =
4e2 (dni1 /dE dni2 /dE)

.
cont + 4e2 dne /dE
(4.19)
A diferena (u1 u2 ) obtida com esta aproximao apresentada na Fig. 4.9.
Condutncia no linear G(2)
4.5
Tendo calculado a matriz de espalhamento, a sua derivada funcional e os potenciais

caractersticos, basta introduzirmos estas quantidades na Eq. (3.7) e calcular a integral
correspondente, para obtermos a condutncia de segunda ordem. O resultado deste
clculo apresentado na Fig. 4.10.
Figura 4.10: Condutncia no linear G(2) como funo do fluxo magntico.

importante destacar que todas a condutncias calculadas neste captulo apresentam
um comportamento peridico devido natureza das nossas aproximaes. por este
motivo que os grficos se limitam a mostrar o comportamento da funo em um nico
perodo.
Observe-se que no modelo da seo 5.1, ambos vrtices so descritos pela mesma
matriz de espalhamento, isto faz com que o anel em considerao apresente a simetria
de reflexo ilustrada na Fig. 4.11. Esta simetria a responsvel do comportamento
mpar, em campo magntico, apresentado pela condutncia de segunda ordem G(2) , da
Fig. 4.10. Para justificar esta afirmao comecemos por notar que uma reflexo do
44
Figura 4.11: Simetria de reflexo e redefinio da varivel x.

anel, junto com uma inverso do campo magntico, nos deixa com o mesmo sistema
fsico, a no ser pelo intercmbio dos vrtices e de uma nova definio da varivel de
integrao x, Fig. 4.11. Como resultado, a injetividade 1 com campo magntico B
igual injetividade 2 com campo magntico B, porm com a varivel x refletida. De
forma similar, a emissividade total e a derivada funcional dos coeficientes de transmisso
A so refletidas ao se inverter o campo magntico. Note que a paridade em campo
magntico de A faz com que os ndices associados aos fios no sejam trocados, como no
caso da injetividade. Em resumo, a inverso do campo magntico produz uma reflexo,
na varivel x, das quantidades empregadas no clculo de G(2) , e no que diz respeito
injetividade um intercmbio dos vrtices. A reflexo da varivel x no tem nenhuma
conseqncia no resultado aps a integrao. Porm o intercmbio das injetividades 1
e 2 faz com que a quantidade u1 (x) u2 (x) troque de sinal, produzindo desta forma o
comportamento mpar da Fig. 4.10.
O modelo com simetria de reflexo tem a vantagem de produzir uma condutncia
de terceira ordem G(3) que apresenta um comportamento par em campo magntico, em
concordncia com os experimentos. Porm, a simetria mpar obtida para a condutncia
de segunda ordem G(2) no observada no experimento. Desta forma, o experimento
nos sugere uma das seguintes duas opes: a remoo da simetria de reflexo do anel
ou a considerao de uma contribuio condutncia no linear de diferente natureza
considerada aqui. Na prxima seo exploraremos a segunda alternativa modificando
um dos vrtices do anel a fim de eliminar esta simetria, e obter uma condutncia de
paridade indefinida.
4.6
45
Anel assimtrico.
Para construir um anel sem a simetria de reflexo da Fig. 4.11, precisamos introduzir
matrizes de espalhamento diferentes para os vrtices. Isto feito relaxando alguma
das condies que nos levaram matriz (4.3). Considerando que, tanto a condio de
realidade, quanto a de simetria da matriz tem como base argumentos fsicos; o mais
razovel relaxar a hiptese de simetria por intercmbio de braos. Um jeito simples
de remover esta simetria sem afetar as outras condies, consiste em fazer a seguinte
rotao na matriz do vrtice:
1
0
0
a
1/2
1/2
0 cos sen 1/2 1 (1 a) 1 (1 + a)
2
2
1/2 12 (1 + a) 12 (1 a)
0 sen cos
0 cos sen (4.20)
0 sen cos
Desta forma a matriz do vrtice continua sendo real, simtrica, e unitria. Na Fig. 4.12
apresentamos a condutncia G(2) para um anel com os vrtices dados pela Eq. (4.20)
com tomando os valores de 0 para o vrtice 1 e /6 para o vrtice 2.
Figura 4.12: Condutncia no linear G(2) como funo do fluxo magntico, para um
modelo com vrtices diferentes.
Como espervamos a remoo da simetria de reflexo produz uma curva sem paridade definida, similar curva experimental. Porm, como ser visto na seo 4.8, a
condutncia de terceira ordem para este anel j no mais par no campo magntico, o
que est em desacordo com os resultados experimentais.
46
Na prxima seo empregaremos o modelo assimtrico para estudar a quebra da

rigidez de fase e o comportamento da condutncia em funo de uma fase adicional,
includa num dos braos.
4.7
Rigidez de fase.
primeira vista tentador pensar no anel de Aharonov-Bohm como a verso eletrnica

de um interfermetro ptico. Porm existem vrias diferenas notveis que enganam a
nossa intuio. No anel quntico os eltrons podem dar vrias voltas no anel, o que faz
com que a condutncia apresente contribuies de vrios harmnicos (no experimento
[12], o comprimento de coerncia quntica dos eltrons tal que, ao menos, os dois
primeiros harmnicos tem contribuies considerveis). Alm disso, nos braos do anel
quntico eltrons viajam em ambos sentidos, o que produz localizao", enquanto que,
num interfermetro ptico os ftons se propagam num sentido s.
Figura 4.13: Condutncia no linear G(2) do anel assimtrico como funo do fluxo
magntico para k l2 = 0, 2/15, 4/15, 2/5, 8/15, 2/3. As curvas foram deslocadas
verticalmente para maior clareza.
bem conhecido [91, 96] que anis de Aharonov-Bohm com dois contatos no podem
ser usados como interfermetros de eltrons devido s relaes de Onsager, que impem
que a condutncia linear seja uma funo par no campo magntico. Por conta disto, ao
introduzirmos um elemento que modifique a fase do eltron ao percorrer um dos braos
do anel, o padro de interferncia no se desloca na medida que a fase do eltron, por
47
exemplo, no brao superior incrementada. O que acontece que a paridade imposta

pelas relaes de Onsager limitam a fase dos harmnicos presentes na condutncia a
serem 0 ou . Isto chamado na literatura por rigidez de fase [96]. A fim de se
evitar este inconveniente, os experimentos de interferncia costumam empregar anis
com quatro contatos, de forma que as relaes de Onsager no estabeleam paridade na
condutncia. Neste caso porm, a interpretao dos resultados no to simples [82].
Estas consideraes so validas para transporte linear. Estudamos aqui o que acontece
para a condutncia no linear.
Introduzindo um incremento no vetor de onda dos eltrons num dos braos, neste
caso no brao 2, simulamos o efeito dos condutores vizinhos no experimento [12]. Note
que desta forma estamos acrescentando a fase que ganha o eltron ao percorrer este
brao exatamente na quantidade k li . Em contraste, no experimento no possvel
saber ao certo a defasagem correspondente com um potencial de porta dado. Na Fig.
4.13 apresentamos as curvas da condutncia G(2) para vrios valores de k l2 .
Na figura 4.13 no possvel identificar o que est acontecendo com as curvas, elas
podem estar se deslocando, mas a deformao das mesmas nos impede de observar isto
com clareza. Para solucionar este inconveniente, extramos o primeiro harmnico da
condutncia G(2) e o graficamos como funo do fluxo magntico /0 e da fase extra .
O resultado apresentado na Fig. 4.14.
Figura 4.14: Primeiro harmnico da condutncia G(2) em funo do fluxo magntico

/0 e da fase extra introduzida no brao de comprimento l2 .
Nesta figura o efeito da defasagem introduzida mais claro, o harmnico parece estar
se deslocando linearmente numa direo dada. Um grfico experimental, similar a este
48
pode ser encontrado na Ref. [95]. Para sermos mais precisos, usamos a expresso (4.2)
para obter a fase deste harmnico como funo da fase introduzida no anel. Isto
apresentado na Fig. 4.15 a para defasagens introduzidos no brao 1 e na Fig. 4.15 b
para o brao 2. Note que a Fig. 4.15 b correspondente a situao dos grficos 4.13 e
4.14.
Na Fig. 4.15 observamos dois comportamentos bem contrastantes. Para defasagens
introduzidas no brao 1 o deslocamento causado tem um comportamento altamente no
linear, e portanto, completamente inapropriado para se fazer interferometria. J para
o brao 2 o resultado bem mais alentador, o deslocamento exibe um comportamento
monotonicamente crescente com respeito defasagem introduzida. A Fig. 4.15 mostra
que na verdade no existe um comportamento linear entre a fase do primeiro harmnico
e a defasagem introduzida. Isto era de se esperar j que ao modificarmos a fase num dos
braos no s modificamos a funo de onda nele, mas tambm a distribuio de cargas
e por conseguinte o potencial eletrosttico resultante.
Figura 4.15: Fase do primeiro harmnico da condutncia G(2) como funo da fase
acrescentada num dos braos do anel.
4.8
Potenciais caractersticos de segunda ordem u .
Nesta seo calcularemos o potencial caracterstico de segunda ordem, o que nos permitir fazer algumas observaes sobre as propriedades de simetria, da condutncia G(3) ,
sob inverso do campo magntico.
Comecemos escrevendo a equao para a condutncia de terceira ordem num anel

com potenciais aplicados de forma simtrica,
Z
e3
f0
(3)
G =
dE
h
E
(Z
Z
49
(4.21)
2 (A11 A12 )
dr dr [(u1 (r) u2 (r))(u1 (r ) u2 (r )) + 1/3]

U (r)U (r0 ) {V }=0
)
Z
(A11 A12 )
.
+ dr (u11 (r) + u22 (r) u12 (r) u21 (r))
U (r)
{V }=0
0
Nesta equao os nicos elementos capazes de introduzir um termo mpar em campo

magntico so os relacionados aos potenciais caractersticos. Desta forma, conveniente
estudar o comportamento da combinao (u11 + u22 u12 u21 )(x) baixo inverso do
campo magntico. Usando a equao de Poisson (3.51) escrevemos
2 i
d2 n
d n1 d2 ni2
3
2
2 dn
(u11 +u22 u12 u21 ) = 4e [(u1 u2 ) +1] 2 2(u1 u2 )
.
+ 4e
dE
dE
dE 2
dE 2
(4.22)
A Fig. 4.16 apresenta os grficos de (u11 + u22 u12 u21 )(x) para um anel simtrico
com valores do fluxo magntico de /0 = /4.
Observemos que a inverso do campo magntico causa unicamente uma reflexo
na varivel x. Em conseqncia, a condutncia de terceira ordem deve apresentar um
comportamento simtrico no fluxo magntico, j que a inverso do campo magntico
causa uma reflexo das quantidades envolvidas na Eq. (4.21) e tal reflexo irrelevante
dada a integral na varivel de posio. Para o termo que apresenta (u1 u2 )(u1
u2 ) tambm vale o mesmo argumento, j que os cmbios de sinal cancelam-se e resta
unicamente a reflexo destas quantidades. Desta forma mostra-se que um anel simtrico
produz uma condutncia G(3) par em campo magntico.
Por ltimo, gostariamos de destacar que para anis sem simetria de reflexo u alguma
outra propriedade especifica no h nenhuma razo pela qual a condutncia G(3) deva
ser simtrica.
4.9
Discusso dos resultados.
No que diz respeito interferometria no linear os resultados aqui apresentados no so

muito alentadores. Para se fazer interferometria preciso calibrar um anel de forma
que a defasagem observada na condutncia do mesmo corresponda de forma unvoca
com a defasagem introduzido no anel. Embora a Fig. 4.15 b tenha mostrado que
50
[u 11+ u 22- u 12- u 21](x ,-B)
[u 11+ u 22- u 12- u 21](x ,B)

12
12
10
10
8
8
6
[1/mVolt]
(2)
2
0
(2)
[1/mVolt]
6
4
4
2
0
-2
-2
-4
-4
-6
-6
0,0
0,2
0,4
0,6
0,8
1,0
0,0
0,2
0,4
0,6
0,8
1,0
Figura 4.16: Potencial caracterstico de segunda ordem como funo da posio adimensional (x). A esquerda o campo magntico corresponde com uma fase de AB = /4 e
a direita de = /4.
possvel encontrar uma configurao do anel para a qual a relao entre as defasagens
unvoca, este no o caso mais comum. Alem disso, a no linearidade do problema faz
com que a introduo de algum elemento extra no anel, como por exemplo um ponto
quntico, resulte numa situao bem diferente a simplesmente acrescentar uma fase.
Para dar conta disto basta estimar o impacto de um ponto quntico, introduzido num
brao do anel, sobre os potenciais caractersticos. Ademais existem outros problemas que
temos evitado nas nossas consideraes. Por exemplo, a temperatura no experimento [12]
corresponde a uma mdia sobre uma variao no vetor de onda longitudinal dos eltrons,
kL , que introduz modificaes considerveis tanto no potencial caracterstico quanto
na transmisso. Isto , a sensibilidade do interfermetro faz com que a temperatura
registrada no possa ser desprezada. Outro problema, seria considerar vrios canais.
Embora o nosso modelo permita superpor os canais trivialmente, a situao real, um
ponto quntico num dos braos do anel, bem mais complexa. Em especial considerando
que os diferentes canais tem acoplamentos particulares com os estados do ponto quntico.
Sobre a simetria dos diferentes coeficientes da condutncia, encontramos que no
existe razo, a no ser que o anel apresente uma simetria de reflexo, para que os
coeficientes G(3,5) sejam pares sob inverso do campo magntico. Considerando que
o anel foi fabricado com o mximo de simetria possvel (permitida pelas limitaes
experimentais) e que os contatos se encontram no regime aberto, razovel supor um
51
alto grado de simetria de reflexo no dispositivo. Isto nos remete ausncia de simetria,
observada experimentalmente, dos coeficientes G(2,4) , a qual no consistente com o
observado no nosso modelo. Segundo nosso modelo tais coeficientes deveriam apresentar,
para um anel simtrico, um comportamento mpar em campo magntico. Uma possvel
soluo a este problema seria supor que a componente mpar da condutncia no linear
calculada aqui se adiciona com uma componente par em campo magntico proveniente
de algum outro tipo de processo no linear, no elstico no includo no modelo. Por
enquanto isto uma simples especulao.
Outra questo por que as oscilaes de perodo h/2e no se manifestam nos coeficientes G(2) e G(4) . Uma possvel explicao tem a ver com o cenrio de um anel simtrico.
Estas oscilaes esto relacionadas com processos que apresentam duas voltas nas trajetrias dos eltrons que interferem. Dado que para dois contatos, reflexo e transmisso
esto relacionados de forma linear, basta considerar unicamente os processos de reflexo.
Existem dois tipos de processos a serem considerados: processos de interferncia entre
duas trajetrias cada uma com uma volta em torno do anel e processos com duas voltas
numa trajetria e nenhuma na outra. Os processos com duas voltas numa mesma trajetria tem uma amplitude menor devido descoerncia, e para o comprimento de
descoerncia estimado no experimento [12] resultam desprezveis. J a interferncia de
trajetrias com uma volta cada, produz oscilaes de amplitude considervel, conhecidas
na literatura por Altshuler-Aronov-Spivak [97]. importante notar que as oscilaes
AAS so independentes da fase acumulada no anel e tem um comportamento par no
campo magntico. Desta forma as oscilaes AAS no contribuem aos coeficientes G(2)
e G(4) de um anel simtrico. Por ltimo gostariamos de chamar a ateno para o fato de
que o valor do campo magntico para o qual as oscilaes de perodo h/2e desaparecem
( 0.3 T) correspondem com o campo magntico no qual o raio de ciclotron da ordem
do raio do anel, o que destro as oscilaes de AAS.
Captulo 5
Bombeamento quntico de eltrons.
Neste captulo descreveremos uma forma de tratar o problema de bombeamento de
eltrons em pontos qunticos, empregando funes de Green e levando em considerao
a interao eletrnica. Em particular estaremos interessados no regime de bloqueio de
Coulomb.
Considerando que este captulo apresenta uma quantia considervel de clculo explcito, o que pode dificultar a compreenso dos resultados, achamos pertinente apresentar
um esboo da estratgia de clculo.
O captulo comea com a definio do modelo usado para descrever a dinmica do
ponto quntico com interao e dependncia temporal, seo 2.1. A seguir, definiremos a
corrente em termos das funes de Green de contato, seo 5.2.1, e usando o formalismo
das equaes de movimento expressaremos esta corrente em termos da funo de Green
do ponto quntico, seo 5.2.2.
Para o calculo da funo de Green do ponto quntico usaremos de novo o formalismo
das equaes de movimento, seo 5.3. Neste ponto, constataremos que as equaes
de movimento no fecham, ou seja, o clculo das funes de Green do ponto quntico
requer funes de correlao de 4 operadores. O clculo destas funes de correlao
requer por sua vez mais funes de correlao, neste caso envolvendo 6 operadores. O
aumento indefinido de funes de correlao, cada vez envolvendo mais operadores,
conseqncia do termo de interao no hamiltoniano e a manifestao da fsica de
muitos corpos presente no nosso problema.
A fim de lidar com as dificuldades descritas anteriormente, preciso introduzir algum
tipo de aproximao. Na seo 5.3.1 se descreve a aproximao de Hartree com a qual as
equaes de movimento para a funo de Green do ponto quntico so fechadas, seo
52
CAPTULO 5. BOMBEAMENTO QUNTICO DE ELTRONS.
53
5.3.2.
At aqui, temos lidado com a fsica de muitos corpos presente no nosso problema. O
seguinte passo, est relacionado s dificuldades inerentes variao temporal do hamiltoniano (5.4). A fim de simplificar estas dificuldades, restringiremos o nosso estudo ao
regime adiabtico descrito na seo 5.4. Neste regime a dinmica do ponto quntico tem
duas escalas de tempo bem diferenciadas: uma escala de tempo relacionada vida mdia
do estado ressonante (escala de tempo rpida), e outra escala de tempo correspondente
freqncia de bombeamento (escala de tempo lenta). Para evidenciar a separao entre
estas duas escalas de tempo nas nossas equaes, introduziremos a re-parametrizao
descrita na seo 5.4.1.
Observemos que o clculo das funes de Green do ponto quntico da seo 5.4 requer
(0)
(1)
dos valores mdios das ocupaes hns (t)i e hns (t)i. As sees 5.4.2 e 5.4.3 mostram
como tais valores podem ser calculados em termos das prprias funes de Green do
ponto quntico, produzindo desta forma um problema auto-consistente. Desta forma
os valores mdios da ocupao do ponto quntico so calculados iterativamente at se
alcanar um valor constante. Em seguida a funo de Green calculada tomando em
considerao o valor obtido no processo iterativo.
Para concluir o clculo da corrente de bombeamento, na seo 5.4.4 introduzimos a
re-parametrizao da seo 5.4.1 na equao da corrente (5.21).
A fim de testar os nossos resultados, calculamos o limite para o caso sem interao,
o qual ser comparado com os resultados obtidos na Ref. ... usando outros mtodos.
Esta comparao ser discutida no apndice A.
5.1
Modelo
Consideremos um ponto quntico com uma nica ressonncia, no regime do bloqueio

de Coulomb, com o potencial no ponto quntico sendo controlado por meio de um
acoplamento capacitivo entre o ponto quntico e uma regio condutora disposta para
tal fim (V3 (t) na Fig. 5.1). O hamiltoniano do sistema se l
Hponto =
s (t) ds ds + U n n ,
(5.1)
s=,
onde ns = ds ds o operador de nmero e ds (ds ) o operador de criao (aniquilao)

de eltrons no ponto quntico, com energia s (t) = 0s eV3 (t) e spin s. Aqui e > 0
denota a carga do eltron e a constante que descreve a magnitude do acoplamento
54
capacitivo. O ponto quntico se encontra em contato com dois reservatrios, a saber L

e R, por meio de dois fios qunticos cada um com um nico canal aberto. Assumindo
que os eltrons nos fios no interagem, podemos escrever o hamiltoniano dos eltrons
nos fios como
Hfios =
X X X
k
ks cks cks ,
(5.2)
=L,R s=,
onde cks (cks ) so os operadores de criao (aniquilao) de eltrons com momento k

e spin s no fio . O ponto quntico separado dos fios por barreiras de tunelamento
controladas independentemente por meio das voltagens V1 (t) e V2 (t), segundo se mostra
na Fig. 5.1. Ento, o hamiltoniano de acoplamento
i
Xh
Hfiosponto =
Vk (t) cks ds + H.c. .
(5.3)
k,,s
Os elementos da matriz de tunelamento Vk conectam os estados nos fios com o estado

ressonante do ponto quntico, e aqui vamos supor que sejam independentes de spin.
Porm, importante notar que eles apresentam uma dependncia temporal.
Finalmente, o hamiltoniano total do nosso modelo a soma das trs contribuies
descritas anteriormente,
H = Hfios + Hponto + Hfiosponto .
5.2
(5.4)
Corrente num ponto quntico com interao e dependncia temporal.
O hamiltoniano Hfiosponto gera um acoplamento entre os eltrons nos fios com os do

ponto quntico. Isto, combinado com o termo de energia de carga do ponto quntico,
faz com que a evoluo temporal do sistema se torne um problema no trivial de muitos
corpos. Em conseqncia no mais possvel calcular os coeficientes da condutncia em
termos de elementos de matrizes de espalhamento de partculas independentes. Desta
forma, a descrio usual das correntes de bombeamento, em termos de matrizes de
espalhamento, no mais vlida. A seguir, apresentaremos uma formulao que nos
permite superar estas limitaes.
55
Figura 5.1: Representao esquemtica do bombeamento de eltrons em um ponto quntico com uma nica ressonncia. As voltagens V1 (t) e V2 (t) produzem a variao temporal
dos acoplamentos entre a ressonncia da regio central e os estados nos fios. Enquanto
que o potencial V3 (t) introduz uma variao do nvel da ressonncia. Note-se que ambos
reservatrios possuem um mesmo potencial qumico 0 .
5.2.1
Definio da corrente.
Antes de escrever a expresso para a corrente, importante sinalizar que neste captulo
estamos interessados em calcular a corrente de bombeamento estacionria, ou seja, no
estamos interessados no regime transiente. Sendo assim, podemos calcular a corrente de
bombeamento da mesma maneira que no captulo 2, desta forma escrevemos
X d
J (t) = e
Ns (t) ,
dt
(5.5)
onde os brakets representam a mdia trmica e o operador de nmero de eltrons dado

por
Ns (t) =
cks (t) cks (t).
(5.6)
Note-se que definimos a corrente como positiva quando flui do ponto quntico aos fios.
Usando a equao de Heisenberg para calcular a derivada temporal de Ns (t) obtemos
J (t) =
D
E
i
ie X h
Vk (t) cks (t) ds (t) c.c. ,
~ k,,s
(5.7)

o que se pode escrever em termos das funes de Green [64, ?, 61]
E
iD
0
0
G<
(t,
t
)
c
(t
)
d
(t)
e
s
s,ks
~ ks
i 0
0
d
(t
)
c
(t)
G<
(t,
t
)
ks
ks,s
~ s
como
(
J (t) = 2e Re
56
(5.8)
)
Vk (t) G<
s,ks (t, t) .
(5.9)
k,s
Aqui usamos a relao
5.2.2
G<
s,ks (t, t)
= [G<
ks,s (t, t)] .
Expresso da corrente em termos da funo de Green do

ponto quntico.
Nesta subseo, usaremos o mtodo das equaes de movimento, junto com as regras
de Langreth, para obter uma expresso da corrente em termos unicamente da funo de
Green do ponto quntico.
O primeiro passo consiste em escrever e solucionar as equaes de movimento das
funes de Green ordenadas temporalmente. Sendo assim, escrevemos
iE
iD h
t
0
0
Gs,ks (t, t )
T ds (t) cks (t ) .
~
(5.10)
onde T o operador de ordenamento temporal. Derivando Gts,ks (t, t0 ) com respeito a t0

e usando a equao de Heisenberg para calcular t0 cks (t0 ), obtemos a equao diferencial
(t0 ) Gtss (t, t0 ),

(5.11)
i~ 0 ks Gts,ks (t, t0 ) = Vk
t
com
i
T ds (t) ds (t0 ) .
(5.12)
~
Em seguida, usando a equao da funo de Green dos eltrons nos fios isolados, a saber
t
(t, t0 ) = (t t0 ),
(5.13)
i~ 0 ks gks
t
Gtss (t, t0 )
reescrevemos a Eq. (5.11) da seguinte forma

Z +
t
0
t
Gs,ks (t, t ) =
dt1 Gtss (t, t1 ) Vk
(t1 ) gks
(t1 , t0 ).
(5.14)
O passo seguinte consiste em realizar a extenso analtica desta equao para posteriormente empregar as regras de Langreth, assim
Z
0
(1 ) gks (1 , 0 ).
Gs,ks (, ) = d1 Gss (, 1 ) Vk
C
(5.15)
57
Realizando um clculo anlogo ao descrito anteriormente escrevemos

Z
0
Gks,s (, ) = d1 gks (, 1 ) Vk (1 ) Gss (1 , 0 ),
(5.16)
com a integrao destas equaes sendo realizada no contorno de Keldish C, ilustrado

na Fig. 2.2. Note que como Hfios independente do tempo, a funo de Green dos fios
invariante por translaes temporais, ou seja gks (, 0 ) = gks ( 0 ). Finalmente, o
teorema de Langreth [63] nos permite calcular G< a partir da Eq. (5.15) e o resultado
Z
i
h
0
a
<
0
<
(t
,
t
)
. (5.17)
(t
)g
(t,
t
)V
(t1 , t0 ) + G<
(t1 )gks
dt1 Grss (t, t1 )Vk
Gs,ks (t, t ) =
1
1
1
ks
k
ss
As funes de Green dos fios isolados so [61]

i
0
(t0 t) eiks (tt )/~ ,
~
(5.18)
i
0
r
gks
(t, t0 ) = (t t0 ) eiks (tt )/~
~
(5.19)
a
gks
(t, t0 ) =
e
<
gks
(t, t0 ) =
sendo que f (E) = [e(E ) + 1]1
i
0
f (ks ) eiks (tt )/~ ,
(5.20)
~
a funo de Fermi do fio . Introduzindo as
Eqs. (5.18) e (5.20) na Eq. (5.17) e o resultado disto na Eq. (5.9), chegamos expresso
2e
J (t) = Im
~
XZ
k,s
dt0 Vk
(t0 )Vk (t) eiks (tt )/~
0
0
[f (ks ) Grss (t, t0 ) + G<
ss (t, t )(t t)]
(5.21)
Agora, s resta calcular a funo de Green do ponto quntico Gss (t, t0 ), mas aqui
onde a fsica de muitos corpos se apresentara.
5.3
Determinando a funo de Green do ponto quntico
A expresso para a corrente derivada na Sec. 5.2 requer as funes de Green do ponto
r
quntico G<
ss e Gss . A fim de calcul-las, comearemos escrevendo as equaes de movi-
mento da funo de Green ordenada tempotalmente Gtss , como definida na Eq. (5.12):
(2)
i~ s (t) Gtss (t, t0 ) = (t t0 ) + U Gss,s (t, t0 ) +

Vk
(t) Gtks,s (t, t0 ),
(5.22)
t
k,
58
onde introduzimos a funo de correlao

(2)
Gss,s (t, t0 )
i
T ds (t) ns(t) ds (t0 )
~
(5.23)
que envolve quatro operadores ferminicos. A apario da nova funo de correlao

G(2) foi causada pelo termo de interao U n n . Da mesma forma, este termo tambm
gerar funes de correo de ordens superiores na equao de movimento para G(2) , a
saber
i~ s (t) U
t
X
+
(2)
Gss,s (t, t0 ) = (t t0 )hns(t)i

(5.24)
i
h
(2)
(2)
(2)
3;ks (t, t0 ) .
1;ks (t, t0 ) Vk 2;ks (t, t0 ) Vk
Vk
Aqui
hns (t)i = hds (t)ds (t)i i~ G<
ss (t, t)
(5.25)
e as trs funes de correlao fio-ponto so dadas por [61]:
i
T cks (t)ns(t)ds (t0 )
~
iE
iD h
(2)
0
0
2;ks (t, t )
T cks (t)ds(t)ds (t)ds (t ) ,
~
iE
D
h
i
(2)
0
0
T cks (t)ds(t)ds (t)ds (t ) .
3;ks (t, t )
~
(2)
1;ks (t, t0 )
(5.26)
A proliferao de funes de correlao, cada vez com um maior nmero de operadores envolvidos, segue indefinidamente, impossibilitando qualquer tentativa de clculo analitico exato. Desta forma necessrio introduzir algum tipo de aproximao
controlvel que permita fechar a lgebra.
5.3.1
Aproximao de campo mdio.
Centrando a nossa ateno no regime de bloqueio coulombiano e assumindo que a temperatura de Kondo muito baixa, TK T , define-se um cenrio onde a aproximao de
campo mdio funciona bem. Na aproximao de campo mdio as funes de correlao
das Eqs. (5.26) se reduzem a
(2)mf
1;ks = hnsi Gks,s
(2)mf
(2)mf
2;ks = 3;ks = 0,
com o qual, a Eq. (5.24) se escreve

"
#
(2)mf
0
0
t
0
Vk (t) Gks,s (t, t ) .
i~ s (t) U Gss,s (t, t ) = hns(t)i (t t ) +
t
k
(5.27)
(5.28)
59
Aqui o nmero de ocupao hns(t)i tem de ser determinado auto-consistentemente para

cada instante de tempo t. importante notar que a Eq. (5.28) se refere funo de Green
(2)
Gss,s ordenada temporalmente. Temos portanto que solucionar um sistema formado por
trs equaes de movimento, Eqs. (5.11), (5.22) e (5.28), e trs funes desconhecidas,
(2)
Gtks , Gtss e Gss,s . Posteriormente, fazendo a continuao analtica obteremos as funes,

Grss e G<
ss , necessrias para o clculo da corrente bombeada dada pela Eq. (5.21).
5.3.2
Soluo formal das equaes de movimento
Para comear, definamos as duas funes de Green auxiliares gs e gsU que satisfazem as
equaes de movimento
respectivamente.
i~ s (t) gs (t, t0 ) = (t t0 )
t
(5.29)
i~ s (t) U gsU (t, t0 ) = (t t0 ),

t
(5.30)
Escrevendo a continuao analtica da Eq. (5.28) em termos das
funes introduzidas acima, se obtem

(2)mf
Gss,s (, 0 )
gsU (, 0 )hns( 0 )i+
XZ
d1 gsU (, 1 ) hns(1 )i Vk
(1 ) Gks (1 , 0 ). (5.31)
k,
Em seguida, usando a Eq. (5.16), escrevemos

Z
(2)mf
Gss,s (, 0 )
d2 Fss (, 2 ) Gss (2 , 0 ),
(5.32)
onde foi introduzida a funo

XZ
0
Fss (, ) =
d1 gsU (, 1 ) hns(1 )i Vk
(1 ) gks (1 0 ) Vk ( 0 ).
(5.33)
gsU (, 0 )hns( 0 )i
k,
Neste ponto, estamos prontos para escrever a equao integral para Gss (, 0 ). Usando
o resolvente da Eq. (5.29) para reescrever a Eq. (5.22) como uma equao integral,
efetuando a continuao analtica no plano complexo, e usando as Eqs. (5.16) e (5.32),
encontramos que
Z
Gss (, ) = gs (, ) + U hns( )i d1 gs (, 1 ) gsU (1 , 0 )
Z
Z
e ss (1 , 2 ) Gss (2 , 0 ),
+
d1 d2 gs (, 1 )
0
(5.34)
60
onde
e ss (, 0 ) = U Fss (, 0 ) +
XZ
Vk
( ) gks ( 0 ) Vk ( 0 )
(5.35)
k,

d1 U gsU (, 1 ) hns(1 )i + ( 1 ) Vk
(1 ) gks (1 0 ) Vk ( 0 ).
k,
Podemos simplificar a equao para Gss introduzindo o resolvente

Z
0
0
0
gs (, ) gs (, ) + U hns( )i d1 gs (, 1 ) gsU (1 , 0 ).
(5.36)
Como resultado, obtemos

Z
0
Gss (, ) = gs (, ) +
Z
d1
d2 gs (, 1 ) s (1 , 2 ) Gss (2 , 0 ),
(5.37)
com a auto-energia de campo mdio definida por

s (, 0 ) =
Vk
( )gks ( 0 ) Vk ( 0 ).
(5.38)
E interesante notar que a auto-energia pode ser calculada independentemente dos estados
do ponto quntico.
Antes de concluir esta seo, gostaramos de sinalizar que as Eqs. (5.36) e (5.37)
indicam que para o clculo de Gss (, 0 ) preciso conhecer hns( )i. Por sua vez, o
valor esperado hns( )i calculado por meio da funo de Green Gss (, 0 ). Portanto, o
conjunto de equaes (5.25), (5.36) e (5.37) formam um problema auto-consistente.
5.4
Regime Adiabtico
O bombeamento de cargas em pontos qunticos apresenta duas escalas de tempo bem

diferenciadas: O tempo mdio D que um eltron permanece dentro do ponto quntico
(vida mdia do estado ressonante) e o inverso da frequncia de bombeamento, pump =
1/pump .
Os experimentos de bombeamento em pontos quanticos so tipicamente realizados
com freqncias entre 10 MHz e 1 GHz. Por exemplo, para pump = 100 MHz se tem
um pump 10 ns. J o tempo mdio de permanncia no ponto quntico dado pelo
inverso da largura da ressonncia . Para estimar esta largura, lembremos primeiro que o
espaamento mdio de nveis = 2~2 /(Am ), sendo A a rea efetiva do ponto quntico
e m = 0.067me (para o AlGaAs). Desta forma ~2 /m = 121 eV
e por conseguinte
61
7.6eV/A , com A medido em microns quadrados. Finalmente, no regime de

bloqueio de Coulomb = (0.01 0.1), e conseqentemente D = ~/ (0.8 8)
ns/A.
Para 0.01, e A 1 m2 , temos que pump D . Sendo assim, na medida que os
potenciais de bombeamento so variados, o sistema evolui de uma situao estacionria a
outra. No caso de bombeamento puro", isto , com todos os reservatrios em equilbrio
trmico mesma temperatura e potencial qumico, o sistema evolui entre situaes de
equilbrio. Isto o que se conhece como aproximao adiabtica.
Na proxima subseo expressaremos todas as funes de Green envolvidas nas Eqs.
(5.36) e (5.37) na aproximao adiabtica.
5.4.1
Reparametrizao das funes de Green
Com a finalidade de separar as escalas de tempo descritas anteriormente, introduzimos

a seguinte re-parametrizao
t + t0
G(t, t ) G t t ,
2
0
(5.39)
desta forma, as variveis temporais so substitudas por uma diferena de tempos t =

t t0 (escala de tempo rpida) e o tempo mdio t = (t + t0 )/2 (escala de tempo lenta).
Reescrevendo a Eq. (5.36) em termos dos novos parmetros, obtemos
Z
0
t + t1
0
0
0
U
0 t1 + t
gs (t t , t ) = gs (t t , t ) + U hns(t )i dt1 gs t t1 ,
gs t1 t ,
.
2
2
(5.40)
A seguir, expandimos as funes de Green at a ordem linear nas variveis associadas
com a escala de tempo lenta,
gs (t t0 , t) = gs (t t0 , t)
(5.41)
t hns(t)i
t1 t gs
+ U hns(t)i
(t t1 , t )
dt1 gs (t t1 , t) +
2
t
2
t
t1 t gsU
0
U
0
gs (t1 t , t ) +
(t1 t , t ) ,
2
t
e realizamos uma transformada de Fourier com respeito s variveis rpidas, desprezando

os termos de segunda ordem. Desta forma chegamos a
i
i~ hns(t)i h
U
gs (, t ) = gs (, t ) + U
gs (, t )gs (, t )
t
2
i~ gs
g U
+ U hns(t)i gs (, t) gsU (, t)
(, t) s (, t)
2 t
U
i~ gs
g
+
(, t) s (, t) .
2
t
62
(5.42)
Note que a varivel foi definida com dimenses de energia e no de freqncia. Em

continuao, expandimos formalmente as funes de Green e as ocupaes at a ordem
linear, isto ,
gs (, t) = gs(0) (, t) + gs(1) (, t),
(0)
(5.43)
(1)
hns(t)i = hns (t)i + hns (t)i,
(5.44)
(0)
gs(0) (, t) = gs(0) (, t) + U hns (t)i gs(0) (, t) gsU (0) (, t)
(5.45)
e (omitindo a dependncia em e t)
i
h
(1)
(0)
(0)
gs(1) = gs(1) + U hns (t)i gs(0) gsU (0) + hns (t)i gs(1) gsU (0) + hns (t)i gs(0) gsU (1) (5.46)
"
#
U (0)
U (0)
(0)
(0)
g
g
i~
hns(t)i gs gsU
g
g
s
s
s
s
(0)
(0)
+
U
hns (t)i
+ hns (t)i
.
2
t
t
t
Logo, temos que fazer a extenso analtica destas equaes e calcular os coeficientes da
expanso das funes de Green livre do ponto quntico,
i
gsr (t t0 , t) = (t t0 )e ~
~
i
Rt
t0 dt1 s (t1 )
(5.47)
Para isto, expandimos a dependncia temporal do nvel de energia da ressonncia em

ordem linear, ou seja s (t1 ) = s (t) + (t1 t)ds (t)/dt, e obtemos
Z
dt1 s (t1 ) = s (t)(t t0 ) + O(3).
(5.48)
t0
(1)r(a)
Vemos que gs
U (1)r(a)
se anulam, simplificando consideravelmente a Eq. (5.46).
(1)r
gs
(1)a
e gs
Adicionalmente, para
e gs
os ltimos dois termos do lado direito da Eq. (5.46) se
cancelam mutuamente dado que

gs(0)r(a) (, t) =
1
s (t) i
gsU (0)r(a) (, t) =
1
,
s (t) U i
(5.49)
de forma que
(0)r(a)
gs
t
(0)r(a)
(, t) =
gs
(, t)
ds (t)
dt
(5.50)

e
63
U (0)r(a)
U (0)r(a)
gs
ds (t)
(, t)
.
(5.51)
t
dt
(1)<
Este cancelamento simples no acontece para gs (, t). Finalmente, as funes de
gs
(0)r(a)
Green gs
(1)r(a)
e gs
(, t) =
se reduzem a
(0)
gs(0)r(a) (, t) = gs(0)r(a) (, t) + hns (t)i gs(0)r(a) (, t)U gsU (0)r(a) (, t)
(5.52)
(1)
gs(1)r(a) (, t) = hns (t)i gs(0)r(a) (, t)U gsU (0)r(a) (, t)
(0)
i~ hns (t)i (0) r(a)

+ U
gs
(, t)gsU (0) r(a) (, t) .
2
t
(5.53)
(0)<
(1)<
Por sua vez, as funes de Green menor gs

e gs
so
gs(0)< (, t) = f () gs(0)a (, t) gs(0)r (, t)
(5.54)
(1)
gs(1)< (, t) = U hns (t)if () gs(0)a (, t)gsU (0)a (, t) gs(0)r (, t)gsU (0)r (, t)
(0)
i~ hns (t)i
+
U
f () gs(0) a (, t)gsU (0) a (, t) gs(0) r (, t)gsU (0) r (, t)
2
t
(
gsU (0)a
f () (0)a
i~
(0)
U hns (t)i
gs (, t) gs(0)r (, t)
(, t)
+
2
t
)
(0)r
U (0)a
gs
(5.55)
(, t) gs
(, t) gsU (0)r (, t) .
t
Procedendo da mesma forma, reescrevemos a Eq. (5.37) em termos da parametrizao

definida na Eq. (5.39),
Gss (t t , t) = gs (t t , t) +
0
dt1 dt2 gs (t t1 ,
"
X
k
t + t1
)
2
(5.56)
#
Vk
(t1 )gks (t1 t2 )Vk (t2 ) Gss (t2 t0 ,
t2 + t0
),
2
e expandindo at a ordem linear na varivel lenta, em torno do tempo mdio escrevemos
Z
Z
0
t
1 t2 + t2 t
0
0
gs (t t1 , t)
Gss (t t , t) = gs (t t , t) + dt1 dt2 gs (t t1 , t) +
2
t
0
X
t1 t + t1 t0
t
2 t + t2 t

Vk (t) +
Vk (t) gks (t1 t2 ) Vk (t) +
Vk (t)
2
2
k
t2 t1 + t1 t
0
0
Gss (t2 t , t) .
Gss (t2 t , t) +
(5.57)
2
t
64
Tomando a transformada de Fourier de Gss (tt0 , t) com respeito da varivel rpida tt0
e expressando o resultado a ordem linear nas variveis lentas, escrevemos
(1)
Gss (, t) = G(0)
ss (, t) + Gss (, t),
(5.58)
onde o termo de ordem zero a funo de Green de equilbrio, soluo da equao de

Dyson
G(0)
s(0) (, t) + gs(0) (, t)s (, t)G(0)
ss (, t) = g
ss (, t),
com s (, t) =
(5.59)
0
d(t t0 )ei(tt )/~ s (t t0 , t) e a auto energia s (t t0 , t) definida pela
Eq. (5.38).
A correo de primeira ordem
s(0) (, t)s (, t)G(1)
s(1) (, t) + gs(1) (, t)s (, t)G(0)

G(1)
ss (, t)
ss (, t) + g
ss (, t) = g
(0)
i~
gs

(, t)
s (, t)G(0)
(, t)
ss
2 t
G(0)
i~
ss
(0)
gs (, t)s (, t)
(, t)
+
2
t
(0)
gs
i~
s
+
(, t)
(, t)G(0)
ss (, t)
2
t
(0)
s
Gss
i~ (0)
g (, t)
(, t)
(, t)
2 s
t
i~ 0
g (, t)S (1) (, t)G(0)

(5.60)
ss (, t)
2 s
com
S (1) (, t) =
5.4.2
i g
Xh
ks

V k
(t)Vk (t) Vk
(t)Vk (t)
(, t).
(5.61)
(0)
Calculo auto-consistente de Gss (, t)
Na seo 5.3.2 foi sinalizado que para o clculo das funes de Green, Gss (, 0 ), seria
preciso realizar um clculo auto-consistente. Nesta seo realizamos tal clculo para o
(0)r
termo de ordem zero da funo de Green Gss (, t). Antes de prosseguir conveniente
fazer algumas consideraes referentes s auto-energias parciais",
s ( t)

Vk
(t)gks (, t)Vk (t),
relacionadas auto-energia por s =
s .
(5.62)
65
Assumindo que a dependncia em k dos elementos da matriz de acoplamento seja

fraca e que a largura de banda dos canais seja grande, s pode ser escrita em termos
de amplitudes de decaimento , segundo
r(a)
s (, t) = i
(t)
2
<
s (, t) = if () (t),
(5.63)
com
(t) = 2|V (t)|2 .
(5.64)
Aqui tambm temos assumido que , a densidade de estados no fio , constante. Por
convenincia de notao introduzimos tambm a largura de decaimento total , definida
P
como = .
Figura 5.2: Clculo auto-consistente de hn0s(t)i, como funo de s (t) F , para trs
valores fixos de (t).
(0)r
Voltando ao clculo de Gss (, t), as Eqs. (5.29), (5.30) e (5.45) conduzem expresso
G(0)r
ss (, t) =
s (t) + U (hns(t)i 1)
.
[ s (t)][ s (t) U ] + i (2t) [ s (t) U (hn0s(t)i 1)]
O teorema de flutuao dissipao [66] nos permite escrever

Z
Z
d (0)<
1
0
hns(t)i =
Gss (, t) =
df ()Im G(0)r
ss (, t) .

2i
(5.65)
(5.66)
66
Logo, hn0s(t)i calculado iterativamente, a partir de um valor inicial arbitrrio, por

meio das Eqs. (5.65) e (5.69). Na Fig. 5.2, mostra-se o resultado do clculo numrico e
auto-consistente, de hn0s(t)i, para trs valores fixos do parmetro (t).
(0)r
Tendo calculado hn0s(t)i, a Eq. (5.65) nos permite calcular Gss (, t), e dado que a
ordem zero corresponde dinmica de equilbrio, o teorema de flutuao dissipao nos
(0)<
permite calcular trivialmente a componente menor da funo de Green Gss (, t).
5.4.3
(1)
Clculo auto-consistente de Gss (, t)
Para o clculo da corrente de bombeamento, precisaremos de expresses explicitas para

(1)r
(1)<
Gss e Gss . Aplicando as regras de Langreth Eq. (5.60), obtemos

"
1
G(1)r
gs(1)r (, t) + gs(1)r (, t) rs (t) G(0)r
ss (, t)
ss (, t) =
(0)r
r
1 gs (, t) s (t)
(0)r
(0)r
(0)r
(5.67)
(0)r
i~
gs
Gss
i~
gs
Gss
(, t) rs (t)
(, t) +
(, t) rs (t)
(, t)
2 t
2
t
#
(0)r
(0)r
r
r
gs
i~
G
i~
ss
s
s
(, t)
(t) G(0)r
g(0)r (, t)
(t)
(, t))
+
ss (, t)
2
t
2 s
t
e
G(1)<
=
ss
"
1
1
(0)r
gs
rs
(1)a
gs(1)< + gs(0)r <
s(0)< as G(1)a
s Gss + g
ss
(0)a
+ gs(1)r rs G(0)<
+ gs(1)r <
s(1)< as G(0)a
ss
s Gss + g
ss
(0)r
(0)<
i~
gs
r (0)< i~ (0)r r Gss
s Gss +
gs s
2 t
2
t
(0)r
(0)<
r
r
gs s (0)< i~ (0)r s Gss
i~
G
gs
+
2 t ss
2
t
(0)r
(0)a
i~
gs
< (0)a i~ (0)r < Gss
G
+
g s
2 t s ss
2 s
t
(0)r
(0)a
i~
gs <
i~
<
s
s Gss
+
G(0)a
gs(0)r
ss
2 t
2
t
(0)a
(0)<
i~
i~
gs
a (0)a
(0)< a Gss
+
s
G
g
2
t s ss
2 s
# t
(0)<
(0)a
i~
gs
as (0)a i~ (0)< as Gss
+
Gss gs
,
(5.68)
2 t
2
t
onde omitimos a dependncia funcional por razes de espao. Finalmente, as funes de

Green tem de ser calculadas auto-consistentemente usando a relao
Z
d (1)<
1
hns(t)i =
Gss ().
2i
(5.69)
5.4.4
67
Expresso da corrente na aproximao adiabtica
Nesta seo transladaremos a expresso da corrente bombeada, Eq. (5.21), s variveis

introduzidas na re-parametrizao das funes de Green, Eq. (5.39). Desta forma, obteremos a expresso geral da corrente de bombeamento, J (t), no regime adiabtico.
Para comear reescrevamos a expresso da corrente dada na Eq. (5.21), considerando
o limite de banda larga com densidade de estados constante e elementos de matriz de
acoplamentos Vk (t) independentes de k [44], ou seja
#
"
Z
Z
e (t, t)
e
d
0
e (t0 , t)Gr (t, t0 ) .
Js (t) = Im
G<
f () dt0 ei(tt )/~
ss (t, t) +
ss
~
2
2
(5.70)
Aqui introduzimos a largura de decaimento de dois tempos
e (t, t0 ) = 2V (t)V (t0 ) .
(5.71)
e no necessariamente real. Mas,

Notemos que para t 6= t0 a largura de decaimento
e (t, t) = (t).
para t = t0 , ela igual largura de decaimento padro
Antes de avanar e reescrever a equao da corrente bombeada em termos das funes
de Green obtidas mediante a aproximao adiabtica , interessante identificar, na expressao da corrente, duas contribuies de natureza diferente: Uma devida s flutuaes,
relacionada com a injeo de carga, e portanto, ao termo correspondente funo de
Green menor. A outra devida dissipao, correspondente funo de Green retardada. Desta forma escrevemos
fl
dis
Js (t) Js
(t) + Js
(t),
(5.72)
fl
dis
Com as correntes de flutuao Js
(t) e dissipao Js
(t) dadas pela primeira e segunda
parcela da Eq. (5.70), respectivamente.

Para reescrever a corrente de flutuao suficiente usar a relao
Z
d <
<
<
G (, t),
Gss (t, t) Gss (0, t) =
2 ss
o que conduz a
fl
Js
(t)
Z
e
(t)
d <
= Im
G (, t) .
~
2
2 ss
(5.73)
(5.74)
Enquanto que para reescrever a corrente de dissipao, preciso substituir

Gss (t, t0 ) Gss (t t0 ,
t0 t Gss
t + t0
) Gss (t t0 , t) +
(t t0 , t) ,
2
2
t
t=t
(5.75)
0
0
e
(t , t) (t) + (t t)
(t, t)
t
t=t
t0 t
(t)
= (t) +
2
68
(5.76)
e em seguida realizar a integrao na variavel t0 . Na segunda linha da Eq. (5.76) definimos

e (t, t)/ t|t=t para simplificar a notao. Note-se que para B = 0, ambos
(t)/2 =
(t) e (t) coincidem. Finalmente, a corrente de dissipao dada por
Z
e
i~
Grss
i~
2 Grss
d
dis
r
Js (t) Im
f () (t)Gss (, t) + (t)
(, t) + (t)
(, t) .
~
2
2
2
t
(5.77)
Na sequncia, expandimos formalmente as funes de Green e a corrente em potncias
da varivel lenta, ou seja
(1)
Gss (, t) = G(0)
ss (, t) + Gss (, t)
(5.78)
(0)
(1)
Js (t) = Js
(t) + Js
(t).
(5.79)
e
(0)
A corrente de ordem zero Js (t) anula-se j que representa a corrente do sistema na

situao de equilbrio correspondente ao instante de tempo t. Do ponto de vista formal,
o resultado conseqncia imediata do teorema de flutuao-dissipao.
A correo de primeira ordem corrente devida s flutuaes dada por
Z
(t)
e
d (1)<
(1)fl
Js (t) = Im
G (, t) ,
~
2
2 ss
(5.80)
e o termo de primeira ordem proveniente da corrente de dissipao
Z
e
d
(1)r
(1)dis
Js (t) = Im (t)
f ()Gss (, t)
~
2
(Z
#)
"
(0)r
G
e
d
f
ss
Re
(t)G(0)r
(, t)
.(5.81)
ss (, t) + (t)
2
2
t
Derivamos assim um conjunto de equaes que permite calcular a corrente de bombeamento adiabtico num ponto quntico no regime de Coulomb. No apndice A estes
resultados so testados ao comparar o limite no interagente de nossas equaes com os
resultados de Brouwer [56].
Captulo 6
Concluses
O ponto de partida desta tese foi apresentar uma derivao da frmula de Landauer
usando o formalismo de Keldysh. Isto permitiu-nos familiarizarmos com duas das principais ferramentas usadas para descrever o transporte de eltrons em sistemas mesoscpicos, a saber: o formalismo de matrizes de espalhamento (FMS), ao qual a formula de
Landauer pertence, e o formalismo de funes de Green fora de equilbrio, tambm
conhecido como formalismo de Keldysh (FK).
O FMS tem permitido descrever uma grande variedade de fenmenos, a maioria deles
relacionados a processos dominados pela fsica de partculas independentes. J o formalismo de funes de Green fora de equilbrio de maior utilidade para descrever problemas
de muitos corpos. Portanto, uma ponte entre os dois formalismos de grande utilidade,
j que permite transportar os desenvolvimentos prvios ao nosso novo marco de trabalho.
Um bom exemplo disto foi apresentado no captulo 3, onde a descrio do transporte
no linear em termos de matrizes de espalhamento serviu de guia na derivao de uma
descrio equivalente em termos de funes de Green fora de equilbrio. A nova descrio
se mostrou mais completa e verstil. A equao para os potenciais caractersticos foi
obtidas de forma natural para qualquer ordem, entanto que no FME isto s foi possvel
dentro da aproximao de Thomas-Fermi. O FK nos proporcionou a expresso exata da
funo de Lindhard (3.41), coisa que no se tinha no FME. Finalmente, o formalismo
de Keldysh tambm nos permitiu aprimorar o nvel de aproximao no qual a interao
eltron-eltron considerada. Na seo 5.3.1 descrevemos as modificaes necessrias
para considerar a aproximao de Hartree-Fock, incluindo desta forma a interao de
troca, uma parte muito importante da fsica de muitos corpos.
No captulo 4, usamos um modelo simples de anel quntico para calcular as quan-
69
CAPTULO 6. CONCLUSES
70
tidades envolvidas na descrio do transporte no linear em termos do FMS, a saber:

matriz de espalhamento, condutncia linear G(1) , derivada funcional da matriz de espalhamento, injetividade, emisividade, potencial caracterstico u (x), primeira correo
no linear G(2) , e o potencial caracterstico de segunda ordem u (x). Desta forma, foi
possvel abordar algumas questes encontradas nos resultados experimentais da Ref. [12].
No que diz respeito das possibilidades interferomtricas da condutncia no linear
num anel com dois contatos, encontramos um conjunto de parmetros para os quais a fase
da condutncia no linear exibiu um comportamento similar ao apresentado na Ref. [12].
Ou seja, a fase do primeiro harmnico apresentou um comportamento monotonicamente
crescente como funo da fase introduzida. Porm, os nossos resultados sinalizaram
para um inconveniente grave. A fase observada em funo da fase introduzida no ,
na totalidade dos casos, uma funo unvoca. Isto impossibilita a inverso da funo
e, conseqentemente, a funcionalidade do interfermetro. Alm disso a presena de
dificuldades adicionais, no includas no nosso modelo foram mencionadas, como por
exemplo: a sensibilidade do interfermetro temperatura na qual o experimento foi
realizado e a falha no mecanismo para introduzir a fase, j que os potencias de porta
introduzem fases diferentes para cada canal.
Com respeito das simetrias sob inverso do campo magntico dos diferentes coeficientes da condutncia, encontramos que a presena de uma simetria de reflexo poderia
explicar a paridade apresentada pelos coeficientes G(3) e G(5) , porm, os coeficientes G(2)
e G(4) teriam de apresentar um comportamento mpar no observado experimentalmente.
Uma possvel explicao para este fato poderia ser a presencia de uma contribuio no
linear, de natureza par e diferente da considerada por ns. Por ltimo, o cenrio de um
anel com a simetria de reflexo tambm permitiu explicar a ausncia das oscilaes de
perodo h/2e nos coeficientes G(2) e G(4) .
Finalmente, no captulo 5 usamos o formalismo de funes de Green fora de equilbrio
para descrever o transporte eletrnico dependente do tempo em pontos qunticos com
interao. Como resultado se obteve um conjunto de equaes que permitem calcular
a corrente bombeada adiabaticamente num ponto quntico no regime de bloqueio de
Coulomb.
Apndice A
Limite ao caso no interagente.
A fim de testar os nossos resultados, tomaremos o limite ao caso no interagente, U 0,
e compararemos os nossos resultados com os de Brouwer [56]. Em este caso
gs(0) (, t) = gs(0) (),
gs(1) (, t) = 0
(A.1)
e G(1) dada pela seguinte expresso

(0)
(1)
G(1)
ss (, t) = gs ()s (, t)Gss (, t)
(0)
i~ (0)
G(0)
i~ gs

ss
(0)
()
s (, t)Gss (, t) +
gs ()s (, t)
(, t)
2 t
2
t
(0)
(0)
i~ gs
s
i~ (0)
s
Gss
+
()
(, t)G(0)
(,
t
)
g
()
(,
t
)
(, t).
ss
2
t
2 s
t
(A.2)
Aplicando as regras de Langreth a esta expresso, se tem

r(a)
G(1)r(a)
(, t)
ss
(0)r(a)
i~ gs
Gss
=
+
()r(a)
(, t)
s (t)
2
t
r(a)
r(a)
r(a)
(0)r(a)
i~ gs
s (0)r(a)
i~ r(a)
s Gss
+
()
(t)Gss
(, t) gs ()
(t)
(, t),
2
t
2
t
(A.3)
(1)r(a) (, t)
gsr(a) ()r(a)
s (, t)Gss
(0)r(a)
onde omitimos o super-ndice (0) na funo gs
(). De agora em diante, simplificare-
mos ainda mais a notao.

Antes de escrever a funo de Green menor, mostraremos que G(1)r(a) se cancela:
i~ G(0)r
r
r 2 (0)r
r 2 r
(0)r 2
r
(0)r 2
(1)r
(g
)
G
(g
)
(G
)
+
g
(G
)
G
=
t
2
gr
i~
t r (G(0)r )2 G(0)r g r g r r G(0)r
=
2
i~
=
t r (G(0)r )2 [0] = 0.
(A.4)
2
71
APNDICE A. LIMITE AO CASO NO INTERAGENTE.
72
Invocando novamente o teorema de Langreth, obtemos que a funo de Green menor

G(1)< = g r r G(1)< + g r < G(1)a + g < a G(1)a
i~
+
{ , t} g r r (f ()G(0)a ) g r r (f ()G(0)r )
2
+ g r (f ()a )G(0)a g r (f ()r )G(0)a
+ (f ()g a )a G(0)a (f ()g r )a G(0)a
G(1)< =
G(0)r
gr
i~
2
(A.5)
"
+(1) g r r (f ()tG(0)a ) +(2) g r tr (f ()G(0)a )
(3) r
g tr ( f ()G(0)a ) (4) g r tr (f () G(0)a )
g r r (f ()tG(0)r ) g r tr (f ()G(0)r )
+ g r tr ( f ()G(0)r ) + g r tr (f () G(0)r )
+
(1)
g r (f ()a )tG(0)a +(2) g r (f ()ta )G(0)a
(9) r
(1)
g ( f ()a )tG(0)a (4) g r (f ()ta ) G(0)a

g r (f ()r )tG(0)a (2) g r (f ()tr )G(0)a
+ g r ( f ()r )tG(0)a +(10) g r (f ()tr ) G(0)a

+ ( f ()g a )a tG(0)a + ( f ()g a )ta G(0)a + (f () g a )a tG(0)a
+ (f () g a )ta G(0)a (f ()g a )ta G(0)a
(9)
(2)
( f ()g r )a tG(0)a (3) ( f ()g r )ta G(0)a (1) (f () g r )a tG(0)a
(f () g r )ta G(0)a +(10) (f ()g r )ta G(0)a ,
(A.6)
onde os sub-ndices indicam os pares que cancelam. Restando desta forma

"
(0)r
G
i~
G(1)< =
f () g r r tG(0)r g r tr G(0)r
gr
2
(A.7)
#
+ g a a tG(0)a + g a ta G(0)a g a ta G(0)a
G(0)r
gr
i~
2
"
f () g r tr G(0)r + g r r tG(0)a + g a a tG(0)a + g a ta G(0)a .
Aps calcular as derivadas, uma grande parte dos termos cancelam e a expressao se
reduzem a
G(1)< =
i~
2
"
f () tG(0)r + tG(0)a
#
(A.8)
APNDICE A. LIMITE AO CASO NO INTERAGENTE.
73
Introduzindo as Eqs. (A.4) e (A.8) nas expresses para a corrente (5.80) e (5.81), temos
(
#)

"
Z
e
(t)
i~
d
f
(1)fl
(t) =
Js
Im
tG(0)r + tG(0)a
~
2
2 2
e
d
f
=
(t)
Re tG(0)r + tG(0)a
4
2
e
d
f
=
(t)
Re tG(0)r
(A.9)
2
2
e
e
(1)dis
Js
(t) = Re
2
(Z
d
2
#)
"
(0)r
f
Gss
(t)G(0)r
(, t)
.
ss (, t) + (t)
Finalmente a corrente total se l
e
d
f
(1)
Js (t) =
(t)Re G(0)r
ss (, t) ,
2
2
o que confere com a expresso de Brouwer.
(A.10)
(A.11)
Bibliografia
[1] R. Landauer, IBM J. Res. Develop. 1, 223 (1957).
[2] Y. Imry and R. Landauer, Rev. Mod. Phys. 71, S306 (1999).
[3] D. K. Ferry and S. M. Goodnick, Transport in Nanostructures (Cambridge University Press, Cambridge, 2001).
[4] S. Datta, Electronic Transport in Mesoscopic Systems (Cambridge University Press,
Cambridge, 1996).
[5] M. Grobis, I. G. Rau, R. M. Potok, and D. Goldhaber-Gordon, cond-mat/0611480.
[6] M. Sigrist, T. Ihn, K. Ensslin, D. Loss, M. Reinwald, and W. Wegscheider Phys.
Rev. Lett. 96, 036804 (2006).
[7] S. K. Watson, R. M. Potok, C. M. Marcus, and V. Umansky, Phys. Rev. Lett. 91,
258301 (2003); M. Switkes, C.M. Marcus, K. Campman, and A. C. Gossard, Science
283, 1905 (1999).
[8] A. Lfgren et al., Phys. Rev. Lett. 92, 046803 (2004); R. Leturcq, D. Sanchez, G.
Gtz, T. Ihn, K. Ensslin, D. C. Driscoll, and A. C. Gossard Phys. Rev. Lett. 96,
126801 (2006); D. M. Zumbuhl, C. M. Marcus, M. P. Hanson, and A. C. Gossard,
Phys. Rev. Lett. 96, 206802 (2006).
[9] A. Lfgren, C. A. Marlow, I. Shorubalko, R. P. Taylor, P. Omling, L. Samuelson,
and H. Linke, Phys. Rev. Lett. 92, 046803 (2004).
[10] C. A. Marlow, R. P. Taylor, M. Fairbanks, I. Shorubalko, and H. Linke, Phys. Rev.
Lett. 96, 116801 (2006).
[11] D. M. Zumbhl, C. M. Marcus, M. P. Hanson, and A. C. Gossard, Phys. Rev. Lett.
96, 206802 (2006).
74
BIBLIOGRAFIA
75
[12] R. Leturcq, D. Snchez, G. Gtz, T. Ihn, K. Ensslin, D. C. Driscoll, and A. C.

Gossard, Phys. Rev. Lett. 96, 126801 (2006).
[13] L. Angers, E. Zakka-Bajjani, R. Deblock, S. Guron, H. Bouchiat, A. Cavanna, U.
Gennser, and M. Polianski, Phys. Rev. B 75, 115309 (2007).
[14] J. Wei, M Shimogawa, Z. Wang, I. Radu, R. Dormaier, and D. H. Cobden, Phys.
Rev. Lett. 95, 256601 (2005).
[15] A. Nitzan and M. A. Ratner, Science 300, 1384 (2003).
[16] T. Christen and M. Bttiker, Europhys. Lett. 35, 523 (1996).
[17] D. Snchez and M. Bttiker, Phys. Rev. Lett. 93, 106802 (2004).
[18] M. L. Polianski and M. Bttiker, Phys. Rev. Lett. 96, 156804 (2006).
[19] M. L. Polianski and M. Bttiker, Phys. Rev. B 76, 205308 (2007).
[20] B. Wang, J. Wang, and H. Guo, J. Appl. Phys. 86, 5094 (1999).
[21] B. Spivak and A. Zyuzin, Phys. Rev. Lett. 93, 226801 (2004).
[22] E. Deyo, B. Spivak, and A. Zyuzin, Phys. Rev. B 74, 104205 (2006).
[23] M. Bttiker, J. Phys. Condens. Matter 5, 9361 (1993).
[24] Y. Xue, S. Datta, and M. A. Ratner, Chem. Phys. 281, 151 (2002).
[25] P. W. Brouwer, Phys. Rev. B 58, R10135 (1998).
[26] I. L. Aleiner, B. L. Altshuler, A. Kamenev, Phys. Rev. B 62, 10374 (2000).
[27] M. Moskalets and M. Bttiker, Phys. Rev. B 64, 201305 (2001).
[28] J. N. H. J. Cremers and P. W. Brouwer, Phys. Rev. B 65, 115333 (2002).
[29] M. Moskalets and M. Bttiker, Phys. Rev. B 66, 035306 (2002).
[30] F. Tadei, M. Governale and R. Fazio, Phys. Rev. B 70, 052510 (2004).
[31] M. Blaauboer, Phys. Rev. B 65, 235318 (2002).
[32] E. R. Mucciolo, C. Chamon, C. M. Marcus, Phys. Rev. Lett. 89, 146802 (2002).
BIBLIOGRAFIA
76
[33] M. Martinez-Mares, C. H. Lewenkopf and E. R. Mucciolo, Phys. Rev. B 69, 085301

(2004).
[34] M. Governale, F. Tadei and R. Fazio, Phys. Rev. Lett. 68, 155324 (2003).
[35] O. Entin-Wohlman, A. Aharony and Y. Levinson, Phys. Rev. B 65, 195411 (2002).
[36] M. G. Vavilov, V. Ambegaokar and I. L. Aleiner, Phys. Rev. B 63, 195313 (2001).
[37] H. Pothier, P. Lafarge, C. Urbina, D. Esteve and M. H. Devoret, Europhysics Lett
17, 249 (1992).
[38] M. Switkes, C. M. Marcus, K. Chapman and A. C. Gossard, Science 283, 1905
(1999).
[39] S. Watson, R. M. Potok, C.M. Marcus and V. Umansky, Phys. Rev. Lett. 25, 258301
(2003).
[40] T. Aono, Phys. Rev. Lett. 93, 116601 (2004).
[41] I. L. Aleiner and A. V. Andreev, Phys. Rev. Lett. 81, 1286 (1998).
[42] P. W. Brouwer, A. Lamacraft and K. Flensberg, Phys. Rev. B 72, 075316 (2005).
[43] E. Cota, R. Aguado and G. Platero, Phys. Rev. Lett. 94, 107202 (2005).
[44] J. Splettstoesser, M. Governale, J. Knig, and R. Fazio, Phys. Rev. Lett. 95, 246803
(2005).
[45] P. Sela and Y. oreg, Phys. Rev. Lett. 96, 166802 (2006).
[46] J. Splettstoesser, M. Governale, J. Knig and R. Fazio, Phys. Rev. B 74, 085305
(2006).
[47] A. Hernndez, V. M. Apel, F. A. Pinheiro, and C. H. Lewenkopf, Physica A 385,
148 (2007).
[48] T. Ando, Phys. Rev. B 44, 8017 (1991).
[49] J. Taylor, H. Guo, and J. Wang, Phys. Rev. B 63, 245407 (2001).
[50] F. Evers, F, Weigend, and M. Koentopp, Phys. Rev. B 69, 235411 (2004).
BIBLIOGRAFIA
77
[51] J. B. Neaton, K. H. Khoo, C. D. Spataru, and S. G. Louie, Comp. Phys. Comm.

169, 1 (2005).
[52] P. A. Khomyakov, G. Brocks, V. Karpan, M. Zwierzycki, and P. J. Kelly, Phys.
Rev. B 72, 035450 (2005).
[53] P. A. Mello and N. Kumar, Quantum Transport in Mesoscopic Systems (Oxford
University Press, 2004).
[54] K. Flensberg, Phys. Rev. B 48, 11156 (1993).
[55] K. A. Matveev, Phys. Rev. B 51, 1743 (1995); A. Furusaky and K. A. Matveev,
Phys. Rev. Lett. 75, 709 (1995).
[56] P. W. Brouwer, A. Lamacraft, and K. Flensberg, Phys. Rev. Lett. 94, 136801 (2005);
Phys. Rev. B 72, 075316 (2005).
[57] R. Lake, G. Klimeck, R. C. Bowen, and D. Jovanovic, J. App. Phys. 81, 7845
(1997).
[58] K. Capelle, cond-mat/0211443.
[59] DFT accounts for correlation effects beyond the mean-field. However, in its standard
implementations, it is still not suitable to address Coulomb blockade and Kondo
physics. This is why the bilinear form of Eq. (2.3) is often naively described as a
mean-field approximation, which in the case of DFT is inacurate.
[60] C. B. Duke, Tunneling in Solids, Suppl. 10, Solid State Physics, Ed. by F. Seitz, D.
Turnbull, and H. Ehrenreich (Academic Press, New York, 1969) p. 294.
[61] H. Haug and A.-P. Jauho, Quantum Kinetics in Transport and Optics of Semiconductors (Springer, New York, 1996).
[62] H. Bruus and K. Flensberg, Many-Body Quantum Theory in Condensed Matter
Physics, (Oxford University Press, 2004).
[63] D. C. Langreth, on Linear and Non-Linear Transport in Solids, ed. by J. T. Devreese
and E. Van Dofen (Plenum, New York, 1076).
[64] J. Rammer and H. Smith, Rev. Mod. Phys. 58, 323 (1986).
BIBLIOGRAFIA
78
[65] Y. Meir and N. S. Wingreen, Phys. Rev. Lett. 68, 2512 (1992).
[66] A.-P. Jauho, N. S. Wingreen, and Y. Meir, Phys. Rev. B 50, 5528 (1994).
[67] R. D. Mattuck, A Guide to Feynman Diagrams in the Many-Body Problem (Dover,
New York, 1992).
[68] M. P. Lpez Sancho, J. M. Lpez Sancho, and J. Rubio, J. Phys. F 15, 851 (1985);
C. E. T. Gonalves Dias and B. Koiller, Solid State Commun. 40, 215 (1981).
[69] C. Caroli, R. Combescot, P. Nozieres ,and D. Saint-James, J. Phys. C 4, 916 (1971).
[70] H. M. Pastawski, Phys. Rev. B 44, 6329 (1991); Phys. Rev. B 46, 4053 (1992).
[71] D. S. Fisher and P. A. Lee, Phys. Rev. B 23, 6851 (1981).
[72] A. D. Stone and A. Szafer, IBM J. Res. Dev. 32, 384 (1988).
[73] H. U. Baranger and A. D. Stone, Phys. Rev. B 40, 8169 (1989).
[74] C. Mahaux and H. A. Weidenmuller, Shell-model Approach to Nuclear Reactions
(North holland, Amsterdam, 1969).
[75] This is quite reasonable approximation, provided the typical length of the conductor
L is sufficiently long. The same hypothesis is use in molecular electronics [24].
[76] R. Landauer, in Nonlinearity in Condensed Matter, Ed. R. Bishop et al., (Springer,
Berlin, 1987).
[77] Z.-s. Ma, J. Wang, and H. Guo, Phys. Rev. B 57, 9108 (1998).
[78] H. Haug and A.-P. Jauho, Quantum Kinetics in Transport and Optics of Semiconductors (Springer, New York, 1996).
[79] M. Bttiker, IBM J. Res. Dev. 32, 317 (1988).
[80] I. L. Aleiner, P.W. Brouwer, and L.I. Glazman, Phys. Rep. 358, 309 (2002).
[81] L. Onsager, Phys. Rev. 38, 2265 (1931); H. B. G. Casimir, Rev. Mod. Phys. 17,
343 (1945).
[82] M. Bttiker, Phys. Rev. Lett. 57, 1761 (1986).
BIBLIOGRAFIA
79
[83] A. D. Benoit, S. Washburn, C. P. Umbach, R. B. Laibowitz, and R. A. Webb, Phys.

Rev. Lett. 57, 1765 (1986).
[84] A. Yacoby, M. Heiblum, D. Mahalu, and H. Shtrikman, Phys. Rev. Lett. 74, 4047
(1995); A. Yacoby, R. Schuster, and M. Heiblum, Phys. Rev. B 53, 9583 (1996).
[85] A. L. Yeyati and M. Bttiker, Phys. Rev. B 52, R14 360 (1995).
[86] I. B. Levinson, Sov. Phys. JETP 68, 1257 (1989).
[87] D. Andrieux and P. Gaspard, J. Stat. Mech. P02006 (2007); J. Chem. Phys. 121
6167 (2004).
[88] C. Mahaux and H. A. Weidenmller, Shell-model Approach to Nuclear Reactions
(North Holland, Amsterdam, 1969).
[89] We adopt the convention that a trace in an expression involving S-matrices refers
to sums over channels a and b , whereas traces over Greens functions are
taken over the conductor states {}.
[90] H. Bruus and K. Flensberg, Many-Body Quantum Theory in Condensed Matter
Physics: An Introduction (Oxford University Press, 2004).
[91] Y. Gefen, Y Imry and M. Y. Azbel, Phys. Rev. Lett. 52,129 (1984); M. Bttiker,
Y Imry and M. Y. Azbel, Phys. Rev. A 30, 1982 (1984).
[92] T. Ando, A. B. Fowler and F. Stern, Rev. Mod. Phys. 54 437-672 (1982).
[93] Andreas Fuhrer, Phase Coherence, Orbital and Spin States in Quantum Rings.
PhD. Thesis. (2003) Diss. ETH No. 15094.
[94] Romeo Bianchetti, Magnetic Field Symmetries of Quantum Rings in the Nonlinear
Transport Regime. Diploma Thesis in Solid State Physics, ETH Zrich. (2006).
[95] R. Leturcq, R. Bianchetti, G. Gtz, T. Ihn, K. Ensslin, D. C. Driscoll, and A. C.
Gossard, Physica E 35, 327-331 (2006).
[96] A. Yacoby, M. Heiblum, D. Mahalu and H. Shtrikman, Phys. Rev. Lett. 74, 4047
(1995); A. Yacoby, R. Schuster and M. Heiblum, Phys. Rev. B 53, 9583 (1996).
[97] B. L. Altshuler, A. G. Aronov and B. Z. Spivak, Pisma Zh. Eksp. Teor. Fiz. 33,
101 (1981). JETP Lett. 33, 94 (1981).

Tesis0309.2009 08 24 12 22 06 PDF

Uploaded by

Document Information

Original Title

Copyright

Available Formats

Share this document

Share or Embed Document

Sharing Options

Did you find this document useful?

Is this content inappropriate?

Copyright:

Available Formats

Tesis0309.2009 08 24 12 22 06 PDF

Uploaded by

Copyright:

Available Formats

Transporte eletrnico em sistemas

Alexis Ricardo Hernndez Nuez

Centro Brasileiro de Pesquisas Fsicas - CBPF/MCT

Tese de doutoramento submetida ao Centro Brasileiro de Pesquisas Fsicas sob

2 Formalismo de Keldysh para pontos qunticos.

Relao entre a corrente e as funes de Green. . . . . . . . . . . . . . .

Funo de Green da regio central. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Conexo com a matriz de espalhamento. . . . . . . . . . . . . . .

3 Transporte quntico no linear

Abordagem em termos de matrizes de espalhamento . . . . . . . . . . . .

Abordagem em termos de funes de Green. . . . . . . . . . . . . . . . .

Coeficiente linear da condutncia. . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Coeficiente de segunda ordem da condutncia. . . . . . . . . . . .

Conexo entre os dois formalismos. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Implementao da aproximao de Hartree-Fock no FFG. . . . . . . . . .

4 Condutncia de um anel de Aharonov-Bohm

Resultados experimentais de interesse. . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Modelo do anel quntico . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Potenciais caractersticos de segunda ordem u . . . . . . . . . . . . . . .

Discusso dos resultados. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

5 Bombeamento quntico de eltrons.

Corrente num ponto quntico com interao e dependncia temporal. . .

Expresso da corrente em termos da funo de Green do ponto

Determinando a funo de Green do ponto quntico . . . . . . . . . . . .

Aproximao de campo mdio. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Soluo formal das equaes de movimento . . . . . . . . . . . . .

Reparametrizao das funes de Green . . . . . . . . . . . . . .

Expresso da corrente na aproximao adiabtica . . . . . . . . .

A Limite ao caso no interagente.

Representao esquemtica de um condutor mesoscpicos. . . . . . . . .

(a) Imagem do anel quntico. (b) Parte no linear da curva caracterstica

(a) Coeficientes da condutncia. (b) Rigidez de fase. . . . . . . . . . . . .

Grfica experimental da fase observada como funo das voltagens de

Representao esquemtica do anel quntico. . . . . . . . . . . . . . . . .

Amplitudes de probabilidade de transmisso e reflexo. . . . . . . . . . .

Potenciais caractersticos, u1 (x) u2 (x). . . . . . . . . . . . . . . . . . .

4.10 Primeira correo no linear, G(2) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

4.11 Simetria de reflexo. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

4.12 Primeira correo no linear, G , para um anel assimtrico.

4.13 Curvas de G(2) para vrios valores da fase introduzida. . . . . . . . . . .

4.14 G(2) como funo do fluxo magntico e da fase introduzida.

4.15 Fase observada como funo da fase introduzida. . . . . . . . . . . . . . .

4.16 Potencial caracterstico de segunda ordem. . . . . . . . . . . . . . . . . .

Representao esquemtica do bombeamento de eltrons em um ponto

fraco do ponto quntico aos fios [46].

onde os canais nos fios so descritos por a = (, n), onde n = 1, , N especifica

CAPTULO 2. FORMALISMO DE KELDYSH PARA PONTOS QUNTICOS.

CAPTULO 2. FORMALISMO DE KELDYSH PARA PONTOS QUNTICOS.

O hamiltoniano da regio central

Em pontos qunticos os elementos de matriz Vka, ,que descrevem o acoplamento entre

CAPTULO 2. FORMALISMO DE KELDYSH PARA PONTOS QUNTICOS.

Relao entre a corrente e as funes de Green.

onde e a carga do eltron, o fator 2 d conta das duas projees de spin, e h i

ckn (t)ckn (t).

CAPTULO 2. FORMALISMO DE KELDYSH PARA PONTOS QUNTICOS.

Neste captulo estamos interessados em processos de transporte estacionrios, onde nem

CAPTULO 2. FORMALISMO DE KELDYSH PARA PONTOS QUNTICOS.

a funo de Green da regio central.

Implementando a continuao analtica no contorno de Keldysh e com ajuda das regras

dados por [61]

CAPTULO 2. FORMALISMO DE KELDYSH PARA PONTOS QUNTICOS.

Note que a corrente expressa unicamente em termos da funo de Green da regio

Funo de Green da regio central.