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Circuitos Electrnicos
Verano de 2015
Prctica # 1
Polarizacin de un Diodo.
Garca Lpez lvaro V., Hernndez Rayn Rubn, Romero Jimnez Areli, Salas Rojas Luis Rey, Saldaa Heredia
Alejandra Aline, Elsa Chavira Martnez.
Facultad de Ciencias de la Computacin.
14 Sur y San Claudio, Edif. 104C, Ciudad Universitaria, Col. San Manuel, C.P. 72570, Puebla, Pue., Mxico.
avgl_625@hotmail.com, pintor15_@hotmail.com, aaree_ate10@hotmail.com, salasgluis@hotmail.com, alesal2409@gmail.com,
elsachavira56@hotmail.com
Abstract A diode signal commonly used as the
1N4001 is made of silicon and has a forward voltage
drop of 0.7V.
Direct polarization of a diode is nearly constant at any
current passing through it, so it obtains a graph of
current-voltage characteristics pronounced.
When the reverse bias is applied to an ideal diode, this
does not lead, but all real diodes have a small leakage
current, this leakage can be ignored, however, all
diodes have a maximum voltage or reverse voltage
about 50V, if this fails then exceeds the diode current
and let go in the reverse direction, this is called break.
Why ordinary diodes can be classified into signal
diode which let through currents of 100mA and which
pass large currents.
Whereby the silicon diode characteristics were
verified.
I. NOMENCLATURA
Regin p.- nodo de un diodo.
Regin n.-Ctodo de un diodo.
Huecos.- La ausencia de un electrn en la banda
de valencia de un tomo.
Electrn.- Partcula bsica de carga elctrica
negativa.
Dopado.- El proceso de agregar impurezas
II. INTRODUCCIN
TENSIN INVERSA
Simbolo
1N4001
VRRM
50V
VRWM
50V
VR
50V
REPETITIVA DE PICO
TENSIN INVERSA DE
PICO DE
FUNCIONAMIENTO.
TENSIN DE BLOQUE EN
CC.
V. DESARROLLO EXPERIMENTAL.
Describiremos el procedimiento efectuado para
la realizacin del experimento de la prctica del
laboratorio para la paralizacin del diodo en directa
e inversa.
2.
3.
4.
5.
2.
3.
4.
5.
317
586
631
637
665
690
.002
1.17
2.7
2.7
10.35
711
723
734
741
749
755
759
15.9
763
21.0
766
27.4
770
34.1
773
39.4
776
45.5
777
49.9
779
57.0
62.5
67.7
79.6
85.5
87.1
88.9
B. Polarizacin inversa.
Los datos registrados del desarrollo experimental
para la polarizacin del diodo en inversa son los
mostrados en la Table III y la Fig. 8.
Fig. 6. Medicin con el voltmetro y ampermetro incorporado
en el dispositivo NI ELVIS II.
TABLA III
REGISTRO DE LOS DATOS OBTENIDOS DE LA MEDICIN DE LOS
DATOS ENTRE
CORRIENTE Y VOLTAJE EN POLARIZACIN
INVERSA.
VD (V)
ID(pA)
VD (V)
ID(mA)
0
0
-0.05
-9.7
-50
-11.4
-100
-11.4
-0.1
-11
-0.5
-11.2
-1
-11.3
-5
-11.3
-10
-11.3
VII. CONCLUSIONES.
En conclusin podemos decir que las caractersticas
de los diodos como vlvulas elctricas son
importantes para el desarrollo de circuitos elctricos
y electrnicos, dado a sus propiedades, adems de
entender de mejor forma el comportamiento de los
materiales semiconductores, como el silicio que l
es el sustrato principal del diodo 1N4001 empleado
para estos experimentos.
Adems podemos afirmar que el diodo en
polarizacin directa la unin p-n acta como un
cortocircuito y en polarizacin inversa como un
circuito abierto.
VIII. AGRADECIMIENTOS
Los autores agradecen las contribuciones de los
encargados del laboratorio de hardware, a la
profesora del curso de Circuitos Electrnicos, Elsa
Chavira.
IX. REFERENCIAS
[1]
[2]http://cvb.ehu.es/open_course_ware/castellano/te