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Benemrita Universidad Autnoma de Puebla

Circuitos Electrnicos
Verano de 2015

Prctica # 1
Polarizacin de un Diodo.
Garca Lpez lvaro V., Hernndez Rayn Rubn, Romero Jimnez Areli, Salas Rojas Luis Rey, Saldaa Heredia
Alejandra Aline, Elsa Chavira Martnez.
Facultad de Ciencias de la Computacin.
14 Sur y San Claudio, Edif. 104C, Ciudad Universitaria, Col. San Manuel, C.P. 72570, Puebla, Pue., Mxico.
avgl_625@hotmail.com, pintor15_@hotmail.com, aaree_ate10@hotmail.com, salasgluis@hotmail.com, alesal2409@gmail.com,
elsachavira56@hotmail.com
Abstract A diode signal commonly used as the
1N4001 is made of silicon and has a forward voltage
drop of 0.7V.
Direct polarization of a diode is nearly constant at any
current passing through it, so it obtains a graph of
current-voltage characteristics pronounced.
When the reverse bias is applied to an ideal diode, this
does not lead, but all real diodes have a small leakage
current, this leakage can be ignored, however, all
diodes have a maximum voltage or reverse voltage
about 50V, if this fails then exceeds the diode current
and let go in the reverse direction, this is called break.
Why ordinary diodes can be classified into signal
diode which let through currents of 100mA and which
pass large currents.
Whereby the silicon diode characteristics were
verified.

dejara pasar corriente en direccin inversa, esto se le


denomina ruptura.
Por eso los diodos ordinarios se pueden clasificar en
diodo de seal los cuales dejan pasar corrientes de
100mA y los que dejan pasar grandes corrientes.
Por lo cual se verificaran las caractersticas del diodo
de silicio.
ndicesCircuito, conmutacin, diodo, electrnico,
fuente de alimentacin, polarizacin, rectificador,
tensin directa, voltaje.

I. NOMENCLATURA
Regin p.- nodo de un diodo.
Regin n.-Ctodo de un diodo.
Huecos.- La ausencia de un electrn en la banda
de valencia de un tomo.
Electrn.- Partcula bsica de carga elctrica
negativa.
Dopado.- El proceso de agregar impurezas

Keywords Circuit, diode, electronic, forward voltage,


polarization, power supply, rectifier, reverse voltage,
switching, voltage.

a un material semiconductor intrnseco


para controlar sus caractersticas de
conduccin.

Resumen Un diodo de seal de uso general tal


como el 1N4001 est hecho de silicio y tiene una cada
de tensin directa de 0.7V.
La polarizacin en directa de un diodo es casi
constante a cualquier corriente que pase a travs de l,
por lo que obtiene una grfica corriente-voltaje con
caractersticas pronunciadas.
Cuando la polarizacin inversa es aplicada sobre un
diodo ideal, este no conduce, pero todos los diodos
reales presentan una pequea fuga de corriente, esta
fuga puede ignorarse, sin embargo, todos los diodos
tienen un mximo voltaje o tensin inversa ms o
menos 50V, si esta excede el diodo entonces falla y

Unin p-n.-Limite entre dos tipos diferentes de


materiales semiconductores.
Polarizacin inversa.- La condicin en la cual
un diodo impide que circule corriente.
Polarizacin directa.- La condicin en la cual un
diodo conduce corriente.
Potencial de barrera.- Cantidad de energa
requerida para producir conduccin completa a
travs de la unin p-n con polarizacin directa.

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Caracterstica V-I.- Curva que muestra
la relacin del voltaje y corriente en un
diodo.

II. INTRODUCCIN

OS diodos son dispositivos semiconductores


que permiten hacer fluir la electricidad solo en
un sentido. Los diodos son la versin elctrica de la
vlvula.

Fig. 2. Regin de empobrecimiento en polarizacin inversa de


un diodo.

Con la polarizacin directa, la unin p-n impulsa los


huecos de la regin p a la regin de
empobrecimiento y los electrones de de la regin n
a la regin de empobrecimiento Fig. 1., de tal
modo la unin de los electrones y huecos se
combinan de modo que se mantiene una corriente
continua. [1]

III. PREPARACIN DEL TRABAJO (MARCO TERICO)


Se supuso que la regin p y la regin n de un
diodo estn completamente dopadas y adems
cuentan con la cantidad suficiente de huecos y
electrones de manera que, en un amplio rango de
corrientes, la cada hmica de tensin en ellas es
nula o muy pequea.
En esta prctica de laboratorio utilizamos el
diodo 1N4001que es un diodo de silicio con las
siguientes caractersticas.
Las mismas en con polarizacin directa.
En polarizacin inversa las de la tabla 1:
TABLA I
RUPTURA EN CIERTAS CONDICIONES DE FUNCIONAMIENTO.

Fig. 1. Regin de empobrecimiento en polarizacin directa de


un diodo.

TENSIN INVERSA

La aplicacin de un voltaje inverso a la unin p-n


produce un flujo de corriente transitoria y ambos
electrones y huecos se separan de la unin. Cuando
el potencial formado por la regin de
empobrecimiento Fig. 2., se iguala al voltaje
aplicado y se s cesa la corriente excepto una
pequea cantidad de corriente trmica. [2]

Simbolo

1N4001

VRRM

50V

VRWM

50V

VR

50V

REPETITIVA DE PICO

TENSIN INVERSA DE
PICO DE
FUNCIONAMIENTO.

TENSIN DE BLOQUE EN
CC.

Por lo cual analizamos las Limitaciones


mximas que son las anteriores.
Los valores de la tabla especifican la ruptura de
funcionamiento, de la cual sabemos que la tensin
de ruptura para este diodo es de 50V, de manera
indiferente a como se use.

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IV. EQUIPO Y MATERIAL REQUERIDO.
Para el desarrollo experimental se ocuparon los
siguientes equipos y materiales:

Fuente de poder variable.*


Ampermetro digital.*
Voltmetro digital.*
Protoboard.*
Diodo 14N001.
Resistencias (470).

*. Incorporado en el dispositivo NI ELVIS II.


Fig. 4. Montaje simulado en protoboard con Fritzing.

V. DESARROLLO EXPERIMENTAL.
Describiremos el procedimiento efectuado para
la realizacin del experimento de la prctica del
laboratorio para la paralizacin del diodo en directa
e inversa.

2.
3.

A. Construccin del circuito del diodo polarizado


en directa.
1.

4.

Se construy el circuito segn la Fig. 3. Se


puede observar el posicionamiento de
ampermetro y del voltmetro.

5.

En la Fig. 4. Se muestra el armado del


circuito en protoboard.
Se procedi a conectar la fuente variable
al protoboard y se empez con un voltaje
igual a cero y se tomaron las mediciones
del voltmetro y el ampermetro.
Se increment gradualmente el voltaje de
la fuente variable hasta alcanzar un
mximo de 12 V en la fuente y 779 en el
voltaje del diodo.
Los datos obtenidos fueron anotados y
fueron
utilizados
para
referencias
posteriores y conclusiones obtenidas del
experimento.

B. Construccin del circuito del diodo polarizado


en inversa.
1.

Fig. 3. Esquemtico realizado en proteus de polarizacin


directa. [3]

El circuito construido para la polarizacin


inversa del diodo es muy similar al de la
Fig. 3. Difiriendo que los polos de la
fuente estn invertidos como se muestra en
la Fig. 5.

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VI. REGISTRO DE LOS DATOS EXPERIMENTALES Y
RESULTADOS.
A. Polarizacin Directa.
Los datos registrados del desarrollo experimental
para la polarizacin del diodo en directo son
mostrados en la Tabla II y la Fig. 7.

Fig. 5. Esquemtico realizado en proteus de polarizacin


inversa. [4]

2.

3.

4.

5.

Se hizo el montaje en el protoboard de


manera similar a la Fig. 4. Tomando en
cuenta la diferencia radica en lo polo de la
fuente se colocan de manera inversa.
Se procedi a conectar la fuente variable
al protoboard y se empez con un voltaje
igual a cero y se tomaron las mediciones
del voltmetro y el ampermetro.
Se increment gradualmente el voltaje de
la fuente variable hasta alcanzar un
mximo de 12 V en la fuente y 779 en el
voltaje del diodo.
Los datos obtenidos fueron anotados y
fueron
utilizados
para
referencias
posteriores y conclusiones obtenidas del
experimento.

Fig. 7. Grafica correlacin entre voltaje y amperaje de la


polarizacin en directo del diodo (Ntese la curva caracterstica
que se forma) y el punto de inflexin a los 700 mV (0.7V).
TABLA II
REGISTRO DE LOS DATOS OBTENIDOS DE LA MEDICIN DE LOS
DATOS ENTRE CORRIENTE Y VOLTAJE EN POLARIZACIN
DIRECTA.
VD
(mV)
ID(mA)
VD
(mV)
ID(mA)
VD
(mV)
ID(mA)

317

586

631

637

665

690

.002

1.17

2.7

2.7

10.35

711

723

734

741

749

755

759

15.9
763

21.0
766

27.4
770

34.1
773

39.4
776

45.5
777

49.9
779

57.0

62.5

67.7

79.6

85.5

87.1

88.9

B. Polarizacin inversa.
Los datos registrados del desarrollo experimental
para la polarizacin del diodo en inversa son los
mostrados en la Table III y la Fig. 8.
Fig. 6. Medicin con el voltmetro y ampermetro incorporado
en el dispositivo NI ELVIS II.

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cnicas/electro_dis/ensenanzas-tecnicas/electronicade-dispositivos/tema-06.pdf
[3][4] Dispositivos Electronicos 8va Edicin,
Editorial Pearson, Thomas L. Floyd.
[5] Prctica 1 Ctos Electrnicos EChM Verano
2015, Elsa Chavira Martinez, Gustavo Rubin
Linares.
[6] Plantilla Reportes Lab Ctos Electrnicos
Verano 2015, Juan Carlos Gonzlez Ruiz, Carlos
Silverio Prez Garca, Elsa Chavira Martnez.

TABLA III
REGISTRO DE LOS DATOS OBTENIDOS DE LA MEDICIN DE LOS
DATOS ENTRE
CORRIENTE Y VOLTAJE EN POLARIZACIN
INVERSA.
VD (V)
ID(pA)
VD (V)
ID(mA)

0
0

-0.05
-9.7

-50
-11.4

-100
-11.4

-0.1
-11

-0.5
-11.2

-1
-11.3

-5
-11.3

-10
-11.3

VII. CONCLUSIONES.
En conclusin podemos decir que las caractersticas
de los diodos como vlvulas elctricas son
importantes para el desarrollo de circuitos elctricos
y electrnicos, dado a sus propiedades, adems de
entender de mejor forma el comportamiento de los
materiales semiconductores, como el silicio que l
es el sustrato principal del diodo 1N4001 empleado
para estos experimentos.
Adems podemos afirmar que el diodo en
polarizacin directa la unin p-n acta como un
cortocircuito y en polarizacin inversa como un
circuito abierto.
VIII. AGRADECIMIENTOS
Los autores agradecen las contribuciones de los
encargados del laboratorio de hardware, a la
profesora del curso de Circuitos Electrnicos, Elsa
Chavira.
IX. REFERENCIAS
[1]
[2]http://cvb.ehu.es/open_course_ware/castellano/te

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