SEMICONDUCTORES

Introduccin.- Para comprender cmo funciona los diodos, transistores y

circuitos integrados es necesario estudiar los materiales
que no se comportan ni como conductores

semiconductores

ni como aislantes. Los

semiconductores poseen algunos electrodos libres, pero lo que les confiere

un carcter especial es la presencia de huecos. En este captulo aprender
conceptos relacionados con los semiconductores y sus propiedades ms
relevantes.
1.

Conductores
El cobre es un buen conductor. La razn es evidente si se tiene en cuenta
su estructura atmica, como se ve en la Fig. 2-1. El ncleo o centro del
tomo contiene 29 protones (cargas positivas). Cuando un tomo de
cobre tiene una carga neutra, 29 electrones (cargas negativas) circulan
alrededor del ncleo, como los planetas alrededor del sol.
1.1.

Orbitas estables

El ncleo positivo en la Figura 2.1 atrae los electrones orbitales. Estos no

caen hacia el ncleo a la fuerza centrfuga (hacia afuera) creada
por su movimiento orbital. Cuando un electrn se halla e una
rbita estable, la fuerza centrfuga equilibra extremadamente la
atraccin elctrica ejercida por el ncleo. La fuerza centrfuga es
menor en los electrodos ms lentos. Los electrodos de las rbitas
ms alejadas del centro se mueven a menor velocidad que los
electrodos de las rbitas ms alejadas del centro se mueven a
menor

velocidad que los electrodos

de las rbitas ms

cercanas.
1.2.

La parte interna del tomo y el electrn libre

Como se puede apreciar en la fig. 2-1, el ncleo y los electrones de

rbitas internas son de poco inters en el estudio de la
electrnica.

La atencin en la mayor parte de este libro

estar puesta en la

rbita exterior, tambin llamada rbita de valencia. Es esta rbita

exterior la que determina las propiedades elctricas del tomo.
Para subrayar la importancia de la rbita exterior, se define la
parte interna (core) de un tomo como el ncleo ms todas las
rbitas. Para un tomo de cobre, la parte interna de un ncleo
(+29) y las tres primeras rbitas (-28).
La parte interna de un tomo de cobre tiene una carga resultante de
+1, porque tiene 29 protones y 28 electrones internos. Como el
electrn de valencia se encuentra en una rbita exterior alrededor
de la parte interna con una carga resultante de +1, la atraccin
que sufre este electrn es muy pequea. Como la atraccin es tan
dbil, este electrn recibe el nombre de electrn libre.
2.

Semiconductores
Un semiconductor es un elemento con valencia 4, lo que quiere decir que
un tomo aislado de semmiconductor tiene 4 electrones en su rbita
exterior o de valencia. El nmero de lectores en la rbita de valencia es
clave para la conductividad elctrica. Los conductores poseen un electrn
de valencia, los semiconductores tiene 4 y los aislantes 8 electrones de
valencia.
La etiqueta de semiconducores por s proporcionan una pista en cuanto
a las caractersticas de este dispositivo. El prefijo semi se aplica por lo
general a una gama de niveles que se encuentren a la mitad entre dos
lmites.
El trmino conductor se aplica a cualquier natural que soporte

un

generoso flujo de:

Carga cuando se aplica una fuente de voltaje de magnitud limitada a
travs de sus terminales.
un aislantes es un material que ofrece un nivel muy pobre de
conduccin bajo la tensin de una fuente de voltaje aplicada.

 Por lo tanto, un semiconductor es un material que tiene un nivel de

conductividad situado entre los casos extremos de un aislante y un
conductor.
Los

componentes

semiconductores

se

fabrican

principalmente

de

germanio y de silicio. Posteriormente, se empezaron a emplear tambin

componentes de combinaciones de otros elementos, por ejemplo, de
galio y arsenio (arseniuro de galio).
Los tomos se componen del ncleo y de una serie de capas de
electrones concntricas con l. Estas capas estn ocupadas por distinto
numero de electrones segn cual sea la capa y el elemento qumico.
2.1. Germanio
El germanio es un ejemplo, se semiconductores. En la fig. 2-2 se
muestra un tomo de germanio. En el centro se halla un ncleo
con 32 protones. En este caso los electrones se distribuyen cono
sigue: 2 electrones en la primera rbita, 8 en la segunda y 18 en
la tercera. Los ltimos 4 electrones se localizan en la rbita
exterior o de valencia.
2.2.

Silicio

El material semiconductor ms ampliamente utilizado es el silicio.

Un tomo aislado

de silicio tiene 14 protones y 14 electrones.

Como puede apreciarse en el fig. 2-3, la primera rbita contiene 2

electrones, y la segunda contiene 8. Los 4 electrones se hallan en
la rbita exterior.
2.3. Conduccin

de

la

corriente

en

los

materiales

semiconductores
En la fig. 382 nos muestra que los materiales semiconductores
presentan una conductividad elctrica menor que la de los
metales

pero mayor que la de los aisladores. Por ello, se

denominan semicinductores los materiales como el germanio y el

silicio.

2.1.

La conectividad de los semiconductores depende

de la temperatura.
Cuando se aplica una tensin a un cristal semiconductor los
electrones liberados se movern a travs del cristal en direccin al
polo positivo de la fuente. En aquellos

puntos, de los tomos

donde se encontraban los electrones ya liberados faltan las cargas

negativas. Estos puntos con defecto de electrones se denomina
huecos. Como ahora la carga positiva del ncleo

atmico es

mayor que la del conjunto de sus electrones es mayor que la del

conjunto de sus electrones resultar que los huecos aparecern
siempre cargados positivamente. La carga positiva de un hueco es
de igual valor absoluto que la carga negativa del electrn.
3.

CRISTALES DE SILICIO
Cuando los tomos de silicio se combinan para formar un slido se
combinan para formar un slido, lo hacen formados una estructuras
ordenas llamada cristal. Cada tomo de silicio comparte sus electrones
de valencia con los tomos de silicio vecinos, de tal manera que tiene 8
electrones

en la rbita de valencia, como se

muestra en la fig. 2-4.

Cuando un tomo posee 8 electrones en su rbita de valenia, como se

parecia aqu, se vuelve qumicamente estable, los crculos sombreados
representan las partes internas del silicio. Aunque el tomo central tena
originalmente 4 electrones en su rbita de valencia, ahora tiene 8
electrones en esa rbita.
3.1.

Enlaces covalentes

Cada tomo vecino comprende un electrn con el central. De esta

forma, el tomo central parece tener 4 electrones adicionales,
sumando un total de 8 electrones en su rbita de valencia. En

realidad, los electrones dejan de pertenecer a un solo tomo, ya

que ahora estn compartidos por tomos adyacentes.
En la fig. 2-4, cada parte interna presenta una carga de +4.
Obsrvase la parte interna central y la que est a su derecha.
Estas dos partes mantienen el par de electrones

entre ellas

atrayndolos con fuerzas iguales y opuestas. Este equilibrio entre

las fuerzas es el que mantiene unidos a los tomos de silicio. La
idea es similar a la del juego de tirar de la cuerda. Mientras lo
equipos

tiren con fuerza iguales y opuestas, permanecern

unidos.
3.2.

No ms d 8 electrones de valencia

Cada tomo en un cristal de silicio tiene 8 electrones en su rbita de

valencia. Estos 8 electrones produce una estabilidad qumica que
da como resultado un cuerpo compacto de material de silicio.
La rbita de valencia no tiene capacidad para ms de 8 electrones
por eso se dice que est llena

o saturada cuando contiene 8

electrones. Adems, lo 8 electrones de valencia se llaman

electrones

ligados por encontrarse fuertemente unidos en los

tomos. Debido a estos electrones ligados, un cristal de silicio es

casi

un

aislante

perfecto

temperatura

ambiente

(aproximadamente 25C).
3.3.

La energa trmica puede crear huecos

La temperatura

ambiente es la temperatura del aire circundante.

Cuando la temperatura ambiente es mayor que el cero absoluto (273C), la energa trmica del aire circundante hace que los
tomos en un cristal de silicio vibren dentro del cristal. Cuando
mayor sea la temperatura ambiente, ms intensas

sern las

vibraciones mecnicas de estos tomos.

Las vibraciones de los tomos silicio pueden, ocasionalmente, hacer
que se desligue un electrn de la rbita de valencia. Cuando

sucede esto, el electrn liberado gana la energa suficiente para

situarse en una rbita mayor, como se muestra en la fig. 2-5. En
dicha rbita, el electrn es un electrn libre. Adems, la salida
del electrn deja un vaco en la rbita de valencia.
3.4.

Recomendaciones y tiempo de vida

En un cristal de silicio puro se crean igual nmero de electrones

libres que de huecos debido a la energa trmica (calor). Los
electrones libres se mueven de forma aleatoria a travs

del

cristal. En ocasiones, un electrn libre se aproximara a un hueco,

ser atrado y caer hacia l. Esta unin de un electrn libre y un
hueco se llama recombustin.
El tiempo que transcurre entre la creacin y la desaparicin de un
electrn libre recibe el nombre de tiempo de vida. Vara desde
unos cuantos nanosegundos a varios microsegundos, segn la
perfeccin del cristal y otros factores.
5.

Semiconductores Intensos
Un semiconductor intenso es una semiconductor . un cristal de silicio es
un semiconductor intenso si cada tomo del cristal

es un tomo de

silicio. A temperatura ambiente }, un cristal se silicio s comporta ms o

menos como un aislante, ya que tiene

solamente cuantos electrones

libres y sus huecos producidos por excitacin trmica.

4.1.

Flujo de electrones libres

La fig. 2-6

muestra parte de un cristal de silicio entre dos placas

metlicas cargadas . supngase que la energa trmica ha

producido un electrn libre y un hueco. El electrn libre se halla
en una rbita grande en el extremo derecho del cristal. Debido a
la placa cargada negativamente, el electrn
hacia

libre es repelido

la izquierda. Este electrn puede pasar de una rbita

grande a la siguiente hasta alcanzar la placa positiva.

4.2.

Flujo de huecos

Obsrvese el hueco a la izquierda de la fig. 2-6. Este hueco atrae al

electrn de valencia del punto A, lo que provoca que el electrn
de valencia se mueva hacia el hueco. Esta accin no es la misma
que la recombustin, en la cual un electrn libre cae en un hueco.
En vez de un electrn

libre, se tiene electrn

de valencia

movindose hacia un hueco.

Cuando el electrn de valencia en el punto A se mueve hacia la
izquierda, crea un nuevo hueco en el punto A. el efecto es el
mismo que si el hueco original se desplazara hacia la derecha. El
nuevo hueco en el punto A puede atraer y capturar otro electrn
de valencia. De esta forma, los electrones

de valencia pueden

desplazarse a lo largo de la trayectoria indicada por las flechas.

Esto quiere decir que el hueco se puede mover en el sentido
opuesto a lo largo de la trayectoria A-B-C-D-E-F.
5.

Dos tipos de flujo

La fig. 2-7 muestra un semiconductor intrseco. Obsrvese que tiene el
mismo nmero de electrones libres que de huecos. Esto se debe a que
por accin de la energa trmica se producen los electrones libres y los
huecos por pares. La tensin aplicada forzar a los electrones libres a
circular hacia la izquierda y a los huecos hacia la derecha. Cuando los
electrones libres llegan al extremo izquierdo del cristal, entran al
conductor extremo y circulan hacia el terminal positivo de la batera. Por
otra parte, los electrones libres en el terminal negativo de la batera
fluirn hacia el extremo derecho del cristal. En este punto, entran en el
cristal y se recombinan con los huecos que llegan al extremo derecho
del cristal. As se procede un flujo estable de electrones libres y huecos
dentro del semiconductor.
Dos tipos de flujo: el de los electrones libres en una direccin y el de los
huecos en direccin opuesta. Los electrones libres y los huecos reciben a
menudo

la

denominacin

comn

de

portadores

transportan la carga elctrica de un lugar a otro.

debido

que

6.

Dopado de un semiconductor
Una forma de aumentar

la conductividad de un semiconductor es

mediante el dopado. El dopado supone que deliberadamente se aadan

tomos de impurezas a un cristal intrseco para modificar

su

conductividad elctrica.
Un semiconductor dopado se llama semiconductor extrnseco.
6.1.

Aumento del nmero de electrones libres

Cul es el proceso de dopado de un cristal de silicio? El primer paso

consiste en difundir un cristal puro de silicio de slido. Con el fin
de aumentar el nmero de electrones libres, se aaden tomos
pentavalentes al silicio fundido. Los tomos pentavalentes tiene
5 electrones e la rbita de valencia. El arsnico, antimonio y el
fsforo son ejemplos de tomos pentavalentes. Como estos
materiales

donarn un electrn extra al cristal de silicio se les

conoce como impurezas donadoras.

La fig. 2-8 muestra cmo queda el cristal de silicio despus de
enfriarse y volverse a tomar su estructura de cristal slido. En el
centro se halla un tomo pentavalente rodeado

por cuatro

tomos de silicio. Como antes, los tomos vecinos comparten un

electrn con el tomo central. Pero
electrn adicional. Recurdese que

en este caso queda

un

cada tomo pentavalente

tiene 5 electrones de valencia, el electrn adicional queda en una

rbita mayor. en otras palabras, se trata de un electrn libre.
Cada tomo pentavalente, o donador, en un cristal de silicio produce
un electrn libre. Un fabricante controla as la conductividad de
un semiconductor dopado. Cuantas impurezas se aadan, mayor
ser la conductividad. As, un semiconductor se puede dopar
ligera o fuertemente. Un

semiconductor dopado ligeramente

tiene una grana resistencia elctrica y uno fuertemente dopado

tiene una resistencia pequea.

6.2.

Aumento del nmero de huecos

Como dopar un cristal

huecos?.

La

de silicio para

respuesta

es

que

obtener un exceso de

utilizando

una

impurezas

trivalentes: es decir una impureza cuyos tomos tengan slo 3

electrones de valencia como por ejemplo el aluminio, el boro o el
galio.
La fig. 2-8b muestra un tomo trivalente en el centro. Esta rodado
por cuatro tomos de silicio, cada uno compartiendo uno de sus
electrones de valencia como el tomo trivalente tena al principio
slo 3 electrones de valencia y comparte un electrn con cada
uno de sus vecinos, hay slo 7 electrones en la rbita de valencia.
Esto significa que hay un hueco en la rbita de valencia de cada
tomo trivalente. Un tomo trivalente se denomina tambin
tomo aceptar un electrn libre durante la recombinacin.
6.3.

Puntos que hay que recordar

Para

que u fabricante pueda adoptar un semiconductor, debe

producirlo inicialmente

cono un cristal absolutamente

puro.

Controlando posteriormente la cantidad de impurezas, puede

determinar con precisin las propiedades del semiconductor.
Inicialmente resultaba ms fcil producir cristales puros de
germanio que de silicio. Por esta razn los primeros dispositivos
semicondcutores

estaban

mejoraron las tcnicas

hechos

de

germanio.

Despus

de fabricacin y se pueden obtener

cristales puros de silicio. Por las ventajas que tiene, el silicio se ha

erigido como el material semicnductor ms popular y til.
7.

Dos tipos de semiconductores extrnsecos

Un semiconductor se puede dopar para

que

tenga un exceso de

electrones libres o un exceso de huecos. Debido a ello, existen dos tipos

de semicondcutores dopados.

Un material semicopnductor

que se a sometido

a este proceso de

dopando se denomina material extrnseco.

Hay dos materiales extrnsecos de importancia invaluable para

la

fabricacin de dispositivos semicobnductores: el tipo p. cada uno se

describir con cierto detalle en los siguientes prrafos.
7.1.

Semiconductores tipo n

El silicio

que

ha sido dopado con una impureza pentavalente se

llama semiconductor tipo n hace referencia a negativo. En la fig.

2-9 muestra un semiconductor tipo n. como los electrones superan
a los huecos en un semiconductor
portadores mayoritarios, mientras

tipo n, recibe el nombre de

que los

huecos se les

denomina portadores minonoritarios.

Los electrones libres

mostrados en la fig. 2-9 circulan hacia el

extremo izquierdo del cristal, donde entran la conductor y fluyen

hacia el terminal positivo de la batera. Adems de los electrones
libres. Algn electrn de valencia abandona ocasionalmente el
extremo izquierdo del cristal. La salida de este electrn de
valencia crea un hueco en el extremo izquierdo del cristal.
7.2.

Semoconductores tipo p

El silicio que ha

dopado con impurezas trivalentes se llama

semiconductores tipo p, donde p hace referencia a positivo. La

Fig. 2-10 representa un semiconductor tipo p, como el nmero de
huecos supera el nmero de electrones libres, los huecos
portadores

mayoritarios

los

electrones

libres

son

son
los

minoritarios.
Al aplicarse una tensin, los electrones libres se mueven hacia la
izquierda y los huecos lo hacen hacia le derecha. En la fig. 2-10,
los huecos que llegan

al extremo derecho del cristal se

recombinan con los electrones libres del circuito extremo.

En el diagrama de la fig. 2-10 hay tambin un flujo de portadores

minoritarios. Los electrones libres dentro del semiconductor
circulan de derecha a izquierda, como hay muy pocos portadores
minoritarios, su efecto es casi despreciable en este circuito.
El material tipo p se forma dopando un cristal puro de germanio o
silicio con tomos de impureza que tenga tres electrones de
valencia. Los elementos que se emplean con mayor frecuencia
para este propsito son el boro, el galio y el indio. El efecto de uno
de estos elementos (el boro) sobre silicio base se indica en la fig.
1-11.
El material p

resultado es elctricamente neutro, por las mismas

razones que las del material tipo p.

7.3.

Electrn contra efecto hueco

El efecto de un hueco en la conduccin se muestra en la fig. 1-12.
Si

un electrn de valencia adquiere suficiente energa para

romper su enlace covalente y llenar la vacante creada por un

hueco, se crear una vacante o hueco en el enlace covalente que
liber a ese electrn. En consecuencia, hay una transferencia de
huecos hacia la izquierda y de electrones hacia la derecha, como
se muestra en la fig. 1.12. la direccin que se emplear en este
libro es la que corresponde al flujo convencional, la cual se indica
mediante la direccin del flujo de huecos.
7.4.

Portadores mayoritarios y mimoritarios

En el estado intrnseco, el nmero del electrones libres en el Ge o
el Si se debe slo a aquellos pocos electrones

en la banda de

valencias que han adquirido suficiente energa de

fuentes

trmicas o luminosas para romper el enlace covalente o las pocas

impurezas que podra no haberse eliminado. Las vacantes que se
quedan atrs en la estructura del enlace covalente reresmetan
nuestros muy limitados suministros de huecos. En un material tipo
n, el nmero de huecos no ha cambiado de manera significativa a

partir de este nivel intrnse. El resultado neto por lo tanto, es que

el nmero de electrones excede en demasi al nmero de huecos.
Por esta razn:
en un material tipo n (fig. 1.13 a) electrn se denomina portador
mayoritario y el hueco, portador minoritario.
Para el material tipo p, el nmero de huecos supera ampliamente
al nmero de electrones, como se muestra en la fig. 1.13b. por lo
tanto:
en un material tipo p el hueco es un portador mayoritario y el
electrn es el portador minoritario.
8.

El diodo no polarizado
Como se ha expuesto en sesiones anteriores, cada tomo pentavalente
es un cristal de silicio produce un electrn libre. Por esa razn puede
representarse un cristal de semiconductor tipo n como se demuestra en
el lado derecho de la fig. 2-11. Cada signo ms encerrado en un crculo
representa un tomo pentavalente y cada signo menos es el electrn
libre con el que contribuye en el semiconductor.
De

manera

similar,

los

tomo

trivalentes

los

huecos

en

un

semicondutor tipo p se pueden representar como se aprecia en e lado

izquierda

de

la

fig.

2-11.

Cada

signo

menos

encerrado

en

un

semicoductor representa un tomo trivalente y cada signo ms es el

hueco de su rbita de valencia. Obsrvese que cada cristal de material
semiconductor es elctricamente neutro porque el nmero

de signos

menos y ms es igual.
8.1.

La zona de deplexin

Debido a su repulsin mutua, los electroneslibres en el lado n d ella

fig. 2-12 tienden a dispersarse en cualquier direccin. Algunos
electrones libres se difunden atravesando la unin. Cuando
electrn libre entra en la regin p

un

se convierte en un portador

minoritario. Con tantos huecos a su alrededor, este electrn tiene

un tiempo de vida muy corta.
Poco despus de entrar en la regin p el electrn libre cae en un
hueco, cundo esto sucede, el hueco desaparece y el electrn libre
se convierte en un electrn de valencia. Cada vez que un electrn
se difunde a travs de la unin crea un par de iones. Cuando un
electrn abandona el lado n dejo un tomo pentavalente a que le
hace falta una carga negativa; este tomo

se convierte en ion

positivo. Una vez que el electrn cae en un hueco en el lado p. el

tomo trivalente que lo ha capturado se convierte en ion negativo.
8.2.

Barra de potencial

Cada dipolo tiene un campo elctrico entre los iones positivos y

negativos.
Por tanto, si electrones libres adicionales entran a la zona de
deplexin, el campo elctrico trata de devolver estos electrones
hacia la zona n. la intensidad del campo elctrico aumenta con
cada electrn que cruza hasta que se alcanza el equilibrio. En una
primera aproximacin tal coda significa que el campo acabar por
detener la difusin de electrones a travs de la unin.
8.3.
La

unin de pn
fig.

391

nos

muestra

dos

trozos

unidos

de

materiales

semiconductores, 1 de tipo n y el otro de tipo p.

tal

como nos indican las flechas, en una estrecha capa a ambos

lados de la superficie de contacto los huecos y los electrones
tienden a desplazarse a la parte opuesta del cristal. Este
movimiento se denomina difusin. Cuando

los electrones se

difunden en el cristal de tipo p se toparan con huecos y se

recombinaran con ellos. Lo mismo ocurre con los huecos que se
difunden en el cristal de tipo n.

por tanto

causada la recombinacin de los huecos y electrones

aparecer una zona exenta de portadores de carga mviles (fig.

392). La corriente elctrica no puede circular en

condiciones

normal a travs de esta zona que se denomina capa barrea

cuyo espesor vale algunas milsimas de mm

debido a la difusin entran portadores de carga negativa en la zona
del cristal de tipo p y portadores positivos en la zona de tipo n.
la tensin de difusin del germanio vale entre 0.2 v y 0.2 v y del
silicio, entre 0.5 v y 0.8 v.
8.4.

Efecto de vlvula de la unin pn

El diodo semiconductor es un componente formado bsicamente por

una unin pn (fig. 393).
El experimento nos muestra que:
un diodo semiconductor slo deja pasar la corriente en un solo
sentido. La unin pn presenta pues un efecto de vlvula
Cuando el polo positivo de la fuente esta aplicado a la zona p, y el
polo negativo a la zona n del diodo semiconductor se encontrar
este conectado en sentido de paso o directo.
9.

Polarizacin directa (VD>0V)

Una condicin de polarizacin directa

o de encendido se establece

aplicando el potencial positivo al material tipo p y el potencial negativo al

material tipo n, se indica en la fig. 1.18. por lo tanto para referencias
futuras:
Un diodo semicoductor esta polarizado directamente cuando se ha
restablecido la asociacin entre tipo p y positivo, hacia como entre tipo n
y negativo.

En ausencia de un voltaje de polarizacin aplicado el g

flujo neto de carga de cualquier direccin para un diodo semiconductor
es 0.
La aplicacin de un potencial de polarizacin directa V D "Presionara" a
los electrones en el material tipo n y a los huecos en el material tipo p,
para recombinar con iones cerca de la frontera y reducir la anchura de la
regin de agotamiento, como se muestra en la fig. 1.18.
un electrn del material tipo n "VE" una barrera producida en la unin,
debida a la reduccin en la regin de

agotamiento y una fuerte

atraccin por el potencial positivo aplicado al material tipo p.

9.1.

Flujo de electrones libres

La corriente circula fcilmente en un circuito como el de al fig. 2-14.

Porqu? La causa es que la fuente obliga a los electrones libres
ya los huecos a fluir hacia la a unin. Estos iones positivos atraen
los electrones hacia el cristal desde el circuito externo. Por tanto,
los electrones libres pueden abandonar el terminal negativo de la
fuente y fluir hacia el extremo derecho del cristal.
9.2.

Flujo de electrones de valencia

Qu sucede con los electrones libres que desaparecen en la unin?.

Se convierte en los electrones de valencia. Como tales se mueve a
travs de los huecos de la regin p
10.

Condicin de polarizacin inversa (VD<0V)

Si un potencial externo de V volts se aplica en la unin p-n de manera
tal que la terminal positiva este conectada al material tipo n y la
terminal negativa al material tipo p, como se muestra en la fig. 1.16, el
nmero de iones positivos descubiertos en la regin de agotamiento de
material tipo n aumentar debido al mayor nmero de electrones
"libres" arrastrados hacia el potencial positivo del voltaje aplicado.

Dicho ensanchamiento de la regin de

agotamiento establecer una

barrera demasiado grande, como para que los portadores mayoritarios

puedan superar, reduciendo efectivamente el flujo

de los mismos a

cero como se muestra en la fig. 1.16.

la corriente que existen bajo condiciones de polarizacin inversa se
denomina corriente de saturacin inversa y se representa con el
smbolo I5.

10.1.

Ensanchamiento de la zona de replexin

El terminal negativo de la batera atrae los huecos y el terminal

positivo atrae los electrones libres. Por ello, los huecos y
electrones libres se alelan de la unin; como resultado, la zona
de deplexin se ensancha.
cundo aumenta la anchura de la zona de replexin. Cuando los
huecos y electrones se alejan de la unin, los iones recin
creados hacen que aumente la diferencia de potencial a travs
de la zona de deplexin. A mayor anchura de la zona de
deplaxin corresponde mayor diferencia de potencial.
A veces la zona de deplexin se muestra como una zona
sombreada

como de la fig. 2-16. La anchura de la

zona

sombreada e proporcional a la tensin inversa. A medida que la

tensin inversa crece, aumenta tambin la zona de deplexin.
10.2.

Corriente de portadores minoritarios

Existe alguna corriente despus de haberse establecido la zona

de deplexin? Si, incluso con polarizacin inversa existe una
pequea corriente. Recurdese que a energa trmica crea
continuamente pares de electrones libres y huecos, lo que
significa

que

ambos

de

la

unin

existen

pequeas

concentraciones

de

portadores

minoritarios.

Cuando

esto

sucede, por el circuito externo circula una pequea corriente.

En la fig. 2-17 se ilustra esta idea. Supngase que la energa
trmica ha creado un electrn libre y un hueco cerca de la
unin. La zona de deplexin empuja al electrn libre hacia la
derecha provocando que un electrn deje un extremo derecho
del cristal. El hueco en la zona de deplexin es empujado hacia
la izquierda. Este hueco extra en el lado p provoca que un
electrn entre por el extremo izquierdo de cristal y se combine
con un hueco. Cuanto mayor es la temperatura de la unin,
mayor es la corriente inversa de saturacin. Es decir un diodo
de silicio tiene una I5 mucho menor que un diodo de germanio
con la misma forma y tamao.
10.3.

Corriente superficial de fugas

Adems de la corriente de portadores minoritarios producidos
trmicamente, existe alguna otra corriente en el diodo
polarizado en la inversa? Si, una pequea corriente fluye sobre
la superficie del cristal. Esta corriente se denomina corriente
superficial de fugas, y es causada por impurezas en la
superficie del cristal e imperfecciones de su estructura interna.

11. Ruptura
Los diodos admiten hasta unos valores mximos en las tensiones que se
les aplica. En otras palabras existen un lmite para la atencin mxima
en inversa con que se puede polarizar un diodo sin correr el riesgo de
destruirlo.
11.1.

Efectos de avalancha

Si se aumenta continuamente a la atencin inversa, llegara un

momento en que se alcance la tensin de ruptura. Para diodos
rectificadores con, la atencin de ruptura es normalmente
mayor que 50v. una vez alcanzada la tensin de ruptura, una

gran

cantidad

de

portadores

minoritarios

repentinamente en la zona de deplexin

aparece

y el diodo conduce

descontroladamente.
De donde vienen estos portadores? Se produce por el efecto de
avalancha

(Fig.

2-18)

que

aparece

atenciones

inversas

elevadas. Como se sabe, hay una pequea corriente inversa de

portadores minoritarios.
Cuando la tensin inversa aumenta obliga a los portadores
minoritarios a moverse ms rpidamente. De esta forma
chocara con los tomos del cristal. Si el proceso es progresivo,
ya que un electrn libre libera a un electrn de valencia
obtenindose 2 electrones libres. Estos dos electrones libres
liberan, a su vez, a otros dos de valencia, y as sucesivamente,
el proceso continua hasta que al corriente inversa es muy
grande
11.2.

Efecto zener

Cuando un diodo esta muy deporado, la zona de deplexin es muy

estrecha. Debido a ello, el campo elctrico en la zona de
deplexin es muy intenso. Cuando la intensidad del campo
alcanzan aproximadamente los 300000 V/cm, el campo puede
extraer los electrones de sus rbitas de valencia. La creacin de
electrones libres de esta manera recibe el nombre de efecto
zener. Este efecto es muy diferente del efecto avalancha, que
requiere

que

los

portadores

minoritarios

con

grandes

velocidades desliguen electrones de valencia.

El efecto zener se produce para tensiones de ruptura menores de
4v, mientras que el efecto de avalancha requiere al menos 6v.
cuando la tensin de ruptura esta entre 4 y 6v, ambos efectos
pueden darse simultneamente.
11.3.

Tensin de ruptura (breakdown voltage)

Define el valor de tensin entre dos electrodos especficos, en que

la estructura del cristal cambia y la corriente comienza a subir
rpidamente. Luego la tensin queda relativamente constante
sobre un amplio rango de corriente de electrodo. Las tensiones
de ruptura pueden ser rizado en una u otra direccin, inversa i
directa. La fig. 44 muestra una serie de curvas caractersticas
de colector para diferentes condiciones de polarizacin de
base. Esto puede ser visto as; el voltaje de ruptura conector emisor aumenta cuando la polarizacin base-emisor decrece
desde los valores normales de la polarizacin directa

hacia

valores inversos. BV CEO, es la tensin de ruptura de colector

emisor con la base abierta; BV CER, son una resistencia externa
de base para emisor; BV CES, con la base y emisor cortocircuitos,
y BVCEV, con una tensin inversa de base emisor.