ELEKTRONK-I (Metin Yazg)

2.Ylii Snav

08.12.2009

*************************************************************************************

ekil-S1
S1- ekil-S1deki devrede giri gerilimi 12V ile 20V arasnda deimektedir.
a) k geriliminin maksimum ve minimum deerleri ne olur? (10Puan)
b) Zener diyotta harcanacak maksimum gc bulunuz.(10Puan)
c) Vonun Vi iin verilen deiim aralnda her Vi deeri iin 10V olmas istenmektedir. Bu durumu
salayan maksimum R1 deerini bulunuz. (10Puan)
*************************************************************************************
S2- 9V-0.1Alik bir g kayna filtrelemeli topoloji kullanlarak tasarlanacaktr. G kaynann
gerilimindeki maksimum dalgallk %3 olacaktr. Transformatrn evirme orannn ve kullanlacak
kondansatrn deerinin en dk olaca yapy kullanarak g kaynan gerekletiriniz (devreyi izip
kondansatrn deerini, kullanlacak diyotun veya diyotlarn maksimum dayanma akmn, ve
transformatrn evirme orann bulunuz).(20Puan)
*************************************************************************************
S3- ekil-S3te verilen devrede kullanlan tranzistor
iin =200 ve VBE0.6V deerleri verilmitir.
a) Tranzistorun (DC) kollektr akmn (IC) bulunuz.(10Puan)
b)Tranzistorun zerinde harcanan gc bulunuz.(10Puan)
(Not: BJT iin PDCICxVCE)
c) ekil-S3teki devrede tranzistorun aktif blgeden kmasna
sebep olacak minimum RC deeri nedir?(10Puan)
(Not: VC=VB art aktif blge ile saturasyon blgesi arasnda
snr olarak alnabilir.)

ekil-S3

*************************************************************************************
S4- Aktif blgede alan bir tranzistorun (VBE gerilimi sabit olmak zere) kollektr-emetr gerilimi
(VCE) 3Vtan 5Va deitiinde kollektr akmnn (IC) %1 deitii gzlenmitir. Tranzistorun VA Early
gerilimini bulunuz.(10Puan)
*************************************************************************************
S5- Bipolar jonksiyonlu tranzistorun akm kazanc (IC/IB) parametresi nn deerinin byk olmas iin
gerekli noktalar belirtiniz.(10Puan)

ELEKTRONK-I (metinyazgi) 1.YIL SINAVI 01.11.2011

Soru-1 Delik hareketinde gerekte hareket eden nedir?(10Puan)
Soru-2 Katkl bir yariletken malzemede iyonlarn says hareketli yklerin saysnn yaklak iki katdr.
Malzemenin tipini aklayarak beliritiniz.(10Puan)
Soru-3 Bir diyodun difzyon kapasitesi kapasitif uygulama amacyla kullanlamaz. Neden?(10Puan)
Soru-4 D/=VT=kT/q ifadesinden anlalaca gibi scaklk arttkca difzyon katsays ile hareket yetenei
arasndaki oran artmaktadr. Bunu nasl aklarsnz? (10puan)
Soru-5 Tepesi kesik piramit eklinde bir has silisyum malzemenin taban yzeyinin kenar uzunluu
50mdir. Malzemenin tepe ksmnn kenar uzunluu 10mdir. Malzemenin ykseklii 50m olup
malzemenin taban ile tepesi arasna 5Vluk gerilim uygulanmaktadr. Malzemeden akan akm bulunuz.
(ni=1,5x1010cm-3, n=1200cm2/Vs, n=500cm2/Vs, q=1,6x10-19C) (10puan)
Soru-6 Soru 5teki malzemede gerilimin deiimini ifade eden banty (y cinsinden) veriniz (malzemenin
tabann y=0, tepesini y=50um olarak alnz). [ yol gsterme: V(y)=V-IxR(y) ] (10Puan)
Soru-7 Soru-6da bulduunuz gerilim ifadesinden elektrik alannn (E) yye bal ifadesini kartp
maksimum olduu noktadaki deerini bulunuz.(10Puan)
Soru-8 ekildeki diyotlu devrede kullanlan diyotlar
iin VDO=0.7V olarak verilmektedir.
IK=2mA iin diyot akmlarn (diyotlar iin sabit gerilim
dm modelini kullanarak) bulunuz.(10Puan)

Soru-9 ekilde kpr diyotlu ve filtrelemeli bir dorultucu

devresi grlmektedir
a) k geriliminin Vo=10V, k akmnn maksimum deeri
Io=0.1A ve k gerilimi dalgallnn maksimum 0.4V olmas
istenmektedir. Kondansatrn deerini ve transformatrn n
evirme orann bulup, diyotlardan akacak maksimum akmn
deerini belirtiniz. (10Puan)
Not: diyot iletim yn gerilimlerini VD1V olarak alnz.
b) Dalgalln azaltlmas amacyla zener diyot ve direnle reglasyon devresi tasarlanacaktr. Bu durum iin k
gerilimi 8V olacaktr. k akm ise ayn (0.1A) kalacaktr. Devreyi tasarlayp eleman deerlerini (direnci ve

zener diyodun zener gerilimini) belirleyiniz. Kullanlacak zener diyodun dayanmas gereken maksimum g
seviyesi en az ne olmaldr bulunuz.(10Puan) Not: Devrede kullanlacak zener diyodun minimum zener akm
ihmal edilebilir.
Gerekli formuller;
%(Vr)=T/2RC,

IDmaks=IL[1+2(Vo/2Vr)]

ELEKTRONK-I (metinyazgi) 1.YIL SINAVI 20.11.2012

Soru-1 Alan atom katkl (NA=1014cm-3) katkl bir has silisyum malzemede elektron ve delik younluklar
nedir?(10P)
Soru-2 Has silisyum malzemede herhangi bir silisyum atomun iyon halinde bulunma olasl nedir?(10P)
Soru-3 Bariyer gerilimi VB=0,7V olan termal dengedeki bir diyodun jonksiyon kapasitesi CJo=100pF
olduuna gre diyoda ters ynde 5Vluk gerilim uygulandnda jonksiyon kapasitesinin deeri ne
olur?(10P)
Soru-4 ekilde ND=2.25x1015cm-3 katkl N tipi bir blgedeki delik
younluunun deiimi verilmektedir (Pno termal dengedeki delik
younluudur). X=0 noktasndaki elektrik alan deerini E0
alarak elektrik alann xe bal ifadesini 0-W aral iin kartnz. (10P)
Not: Serbest elektron younluunun termal denge durumuyla ayn
olduu varsaylacaktr.
Soru-5 Soru 4te bulduunuz elektrik alan ifadesinden gerilimin
xe bal ifadesini bulunuz. Not: X=0 noktasndaki gerilim V0 alnacaktr.
(10P)
Soru-6 Soru-4te verilen N tipi blgenin gvde direncini bulunuz.
(10P)
Soru-7 Soru-4te verilen N tipi blgede X ynndeki difzyon akmn bulunuz.(10P)
Soru-8 ekildeki devredeki diyotlar 3mA ve 1mAlik DC akm
Kaynaklar ile beslenmektedir. Devrede kullanlan Vac kayna
10mV ile -10mV arasnda dalgalanmaktadr. A noktasnda oluacak ac
iaretin genliini bulunuz.(10P)
Not:Diyotlar etir.

Soru-9 Zener diyot reglasyonlu kpr diyot yapsn kullanan 10Vluk (Iomax=100mA) bir DC gerilim
kayna tasarlanacaktr.
a) Devreyi (transformatr de ierecek ekilde) iziniz.(10P)
b) Kullandnz elemanlar iin gerekli deerleri veriniz.(10P)
Gerekli olabilecek deerler ve formuller;

Silisyum, T=300K;
ni=1,5x1010cm-3
n=1350cm2/V.s
p=480cm2/V.s
s=11,7o (o=8,9x10-14F/cm)
Atom Younluu=5x1022cm-3
VT26mV
***************
Diyot-Fakirlemi blge genilii: Xp+Xn=[(VB+VR)(2s/q)(NA+ND) /(NDNA)]1/2
dE/dx =/

-dV/dx =E

rd=VT/ID

%(Vr)=T/2RC

R=L/Aq(nn+pp)

IDp= -qDp(dp/dx)

IDmaks=IL[1+2(Vo/2Vr)]

IDn= -qDn(dn/dx)

ELEKTRONK-I (metinyazgi) 2.YIL SINAVI 18.12.2012

Soru-1 ekildeki devrede kullanlan MOSFET iin VTH=1V deeri
verilmektedir.(VA=)
a) VG=4V iken VD=2V olmaktadr. 'nn deerini bulunuz.(10P)
b) ekildeki devrede VG=2V iin ID ne olur bulunuz.(10P)
Not: iin ada bulduunuz deer geerlidir.
c) Devrenin eleniini izerek a ve b klarnda oluan Id akmlarn
verecek VG ve VD deerlerini belirtiniz.(10P)
******
Soru-2 ekildeki devredeki tranzistorlar iin |VBE|=0.7V F=100
deeri verilmektedir.
a) T2 tranzistorunun IC2 akmn bulunuz.(10P)
b) T1 ve T2 tranzistorlarnn kollektr-emetr gerilimlerini (VCE1 ve
VCE2) bulunuz.(10P)
c) T2 tranzistoru doyma snrna I2 akm kaynann hangi deeri
iin ular? (10P)

*******
Soru-3 Zener diyot ve BJT reglasyonlu Vo=9V ve
IRYmax=250mAlik bir DC gerilim kayna tasarlanacaktr.
Vc noktasndaki dalgallk %5 olup Vcnin tepe deeri
VCT=(311/13)/2-VD11Vtur.
Zener diyodun zener gerilimini ve Rs direncinin deerini
(minimum g tketimi iin) bulunuz.(10P)
***********

Soru-4 ekilde N kanall MOSFETin fiziksel yaps

gsterilmektedir.
a) N kanall MOSFETin ekilde grlen halini gznne
aldnzda oluan parazitik elemanlar gsteriniz.(10P)
b) D-S arasnda akm akmas nasl mmkn
olmaktadr aklaynz.(10P)
c) VGS>VTH ve VDS>0 olmak zere, VGSnin sabit bir
deeri iin D-S gerilimi ile D-S arasndaki akm nasl
deiir iziniz. Deiimde ka farkl blge grlmektedir
belirtiniz.(10P)
*********************************************************************************

leri aktif blgede: BJT iin: iC F i B I S e

MOSFET iin:
Doyma-doymasz blge snr:

vGD=Vt

(vGS

VT=kT/q25mV

Vt:MOSFET eik gerilimi

v DS
) v DS
2
v
Vt ) 2 (1 DS )
VA

Doymasz alma akm: i D ( v GS Vt

Doymal alma akm: i D

vBE
VT

=k= Cox(W/L)

Elektronik I (M. YAZGI) Guz14 YI-1 Ad:

mza:

Soyad:
NO:

ni=1,5x1010cm-3
VT=26mV
dE/dx =/
rd=VT/ID
**********************************
S1- Silisyum yariletken malzemede katklama sonucu iyon durumundaki atom says 105 kat artmtr. Katklamann
tipini ve katklama sonucu oluan serbest elektron ve delik younluklarn bulunuz.(10P)
Katklama N tipi ya da P tipi olabilir.
N tipi katklama durumunda n=105X1,5.1010=1,5.1015 olurken p=1,5.105 olur. Bu durumda katk atomlar iyon
durumunda olup iyon durumundaki silisyum atomlarn says ihmal edilebilir.
P tipi katklama durumunda iyon durumunda katk atomu says ile iyon durumundaki silisyum atom says yaklak
eittir. Bu durumda p=(1/2) .105X1,5.1010=0,75.1015 olurken n=3.105 olur.
S2-Yariletken bir malzemenin iinde bir elektronun bulunabilecei durumlar ve sz konusu durumlar belirleyen
enerji seviyelerini belirtiniz.(10P)
3 kritik enerji seviyesi vardr. Bunlar Ev, Ec ve E seviyeleridir. Ev ile Ec arasnda bir enerji boluu bulunur ve
ikisinin fark Eg ile gsterilir. Elektronun enerjisi Evnin altnda ise atoma baldr. Enerjisi Ecyi geerse elektron
malzemede serbest hale geer. Yani atomu terk eder ve malzeme iinde serbest olarak hareket edebilir. Enerjisi
Ey aarsa bu sefer malzemeyi de terk eder (elektron emisyonu).

S3- ni parametresinin Diyot akmnn scakla bamllndaki byk etkisini nasl aklarsnz?(10P)
ni scaklktan ok etkilenen bir byklk olup has yariletkende delik ve serbest elektron saysn verir. ninin
artmas yariletkende hareketli yk younluunun xe gre deitii blgelerdeki younluk gardyantnn artmasna
sebep olur. Bu durum ise difzyon akmn artmas anlamna gelir. Diyottaki akm difzyon akm olduundan ninin
artmas diyot akmn ok etkiler. Sonu olarak diyot akmnn scakla bamll zerinde ni byk etkiye sahip
olur.

S4- Bir PN jonksiyonu ileri ynde 0.5Vluk gerilimle kutuplanmaktadr. P tipi blgede fakirlemi blge snrndaki
serbest elektron younluu termal denge durumuna gre nasl deiir belirtiniz.(5P)
Termal dengedeki deere npo dersek yeni deeri npo.e0.5/VT olur. Yani e0.5/VT orannda artar (burada VT termal
gerilimdir).
S5- Diyot parazitik kapasitelerinden jonksiyon kapasitesinin neden olutuunu aklaynz?(5P)
Diyota ters nde ya da iletim ynnde gerilim uygulanrsa fakirlemi blge geniler ya da daralr. Bu durumda ise
fakirlemi blgedeki yk deerleri artar ve azalr. Yk deeri gerilimle deiirse bu durum kapasitif davran
anlamna gelir. Diyottaki ortaya kan sz konusu kapasitif davran jonksiyon kapasitesi olarak isimlendirilir.

S6- Bir diyot ve seri 1klk bir diren (R) bu iki elemana seri bir akm kayna ile IK=1mAlik DC akm ile almaktadr.
Scaklk 4oC arttnda diyot gerilimi ne kadar deiir hesaplaynz.( VD/T=-2.4mV/oC)(Bu soruda VT25mV
alabilirsiniz)(5P)
4 oC x(-2.4mV/oC)=-9.6mV

Diyot gerilimi 9.6mV azalr.