EFECTOS DE LA FRECUENCIA

La banda media de un amplificador de a.c es el intervalo de frecuencia en el que los capacitares

no influyen en el circuito equivalente para a.c y solo se toman en cuenta los resistores. Se
estudiar el funcionamiento de los amplificadores fuera de su banda media. A frecuencias
inferiores a la banda media, el amplificador pierde ganancia a causa de los capacitares de
acoplamiento y de paso que incluye el circuito. A frecuencias situadas arriba de la banda media la
ganancia tambin disminuye, en este caso a causa de las capacitancias internas del transistor y
las capacitancias parsitas del cableado.
Empezamos estudiando la red de adelanto RC porque constituye la base de los efectos de baja
frecuencia. Despus estudiaremos la red de atraso o de retardo porque nos ayuda a explicar
muchos efectos de alta frecuencia. Adems se incluirn temas como los decibeles, diagramas de
Bode y otros temas igualmente tiles para entender los efectos de la frecuencia sobre los
amplificadores.
LA RED DE ADELANTO.
La red de adelanto de la figura 1 es la clave para analizar el comportamiento de los
amplificadores en baja frecuencia. Como se sabe, la reactancia capacitiva est dada por:
Xc= 1 / (2..f.C)
A frecuencias muy bajas, Xc tiende a infinito; mientras que a frecuencias altas, tiende a cero. Un
capacitor equivale a un cortocircuito para altas frecuencias, mientras que a frecuencias bajas se
comporta como un circuito abierto.
El nombre de red de adelanto se debe a que el voltaje de salida est adelantado con respecto al
voltaje de entrada. Ms adelante se estudiar el ngulo de fase; por ahora, el principal inters se
concentra en la variacin de la magnitud del voltaje de salida respecto a la frecuencia.
RESPUESTA EN FRECUENCIA
Los voltajes Vent. y Vsal. de la figura 1 se refieren a valores rms. Al variar la frecuencia el voltaje
de salida cambia debido a la reactancia del capacitor. Esto implica que la ganancia de voltaje
Vsal / Vent est en funcin de la frecuencia.
En la figura 2 se indica la respuesta en frecuencia (ganancia de voltaje en funcin de la
frecuencia) de una red de adelanto. A frecuencia cero, Xc es infinita y, por consiguiente, tanto el
voltaje de salida como la ganancia de voltaje son cero. Conforme aumenta la frecuencia, Xc
disminuye y la ganancia de voltaje aumenta. Cuando la frecuencia es suficientemente elevada, Xc
es mucho menor que R y Vsal es aproximadamente igual a Vent. Por consiguiente, la ganancia de
voltaje de la red de adelanto tiende a 1 para frecuencias altas, como se muestra en la figura 2.
FRECUENCIA DE CORTE
La red de adelanto de la figura 1 es un divisor de voltaje de a.c con un voltaje de salida
Vsal= (R / R + Xc ).Vent.

Esto puede escribirse tambin como Vsal. Vent.= (R /R + Xc). Ecuac. 1

Representando grficamente esta ecuacin en funcin de la frecuencia, pueden obtenerse valores
exactos para la curva de respuesta en frecuencia de la figura 2.
La frecuencia de corte (tambin llamada frecuencia crtica, frecuencia de rompimiento y frecuencia
caracterstica frecuencia a -3db ) es la frecuencia para la cual Xc es igual a R.
Matemticamente, Xc=R, o lo que es igual: 1 / (2..f.C) = R. De donde se despeja f para obtener
f=1 / (2..R.C).
Para distinguir este valor de frecuencia, se le aadir una c como subndice indicador de
frecuencia de corte, y as queda FC=1/(2..R.C)
PUNTOS DE MEDIA POTENCIA
En la frecuencia de corte, Xc=R; si se sustituye en la ecuacin 1 se obtiene: Vsal/Vent =0,707.
Esta es la ganancia de voltaje a la frecuencia de corte. En la figura 2, el punto de corte se llama a
veces punto de media potencia porque en ese punto la potencia en la carga es la mitad de su
valor mximo. Supngase, por ejemplo, que Vent es de I.V y R de 1, la mxima potencia en la
carga es de 1W. A la frecuencia punto de corte el voltaje de salida es de 0.707 V y la potencia en
la carga es P= (0.707V) / 1 = 0,5 W
RESISTENCIA DE LA FUENTE

En la figura 3 se ilustra una red de adelanto con la resistencia de una fuente. La ganancia de
voltaje est dada por
.
El punto de media potencia se presenta cuando la reactancia capacitiva es igual a la resistencia
serie total: Xc = Rf + Zin. Esto es 1 / (2.Fin.Cin) = Rf + Zin

Despejando la frecuencia de corte te obtiene que F CIN= 1 / 2( Rf + Zin ).Cin

En la figura 4 se tiene la respuesta en frecuencia de la red de adelanto considerando el efecto de
la resistencia de la fuente. En la banda media del circuito el capacitor acta como un cortocircuito
y la ganancia de voltaje es: Vsal/Vent = Zin / (Rf + Zin), lo que puede escribirse tambin como
sigue: Amedia = Zin / (Rf + Zin).
Amedia es entonces la ganancia de voltaje en la banda media, gama de frecuencias para las
cuales puede considerarse que el capacitor se comporta como un cortocircuito. Por debajo de la
banda media, la ganancia de voltaje disminuye. Ntese que es igual a 0.707 Amedia en la
frecuencia de corte.
Para obtener una Av en la banda media se debe cumplir que la fin = 10f C, y para que los
condensadores de acople y de paso cumplan una buena funcin deben cumplir con la siguiente
Condicin: CCIN=1/(2(Rf +Zin).fCIN )=; CCO=10/(2(RC + RL); fCO )=; Cbp = 10/1 (2.Re.fCbp ).
En electrnica se trabaja mucho con el factor de 10 que no es otra cosa, lo que algunos autores
llaman acoplamiento rgido.
Esto implica que la frecuencia mnima con acoplamiento rgido es 10 veces mayor que la
frecuencia de corte. Esto es de gran utilidad porque a veces se conoce solo una de las
frecuencias. Por ejemplo, si se mide una frecuencia de corte de 200 Hz se puede calcular que la
frecuencia mnima de trabajo ser de 2.000 Hz, se sabe inmediatamente que tiene una frecuencia
de corte de 50Hz.

ANALISIS DE UN AMPLIFICADOR
En la figura 5 puede verse un amplificador E.C. que ya se ha estudiado en clases anteriores.
Posee un capacitor de acoplamiento en la entrada, un capacitor de paso y otro ms en la salida.
Lo que ahora se desea hacer es identificar las redes de adelanto de entrada y de salida para
calcular fcilmente las frecuencias de corte.
En el prrafo siguiente se ver el efecto del capacitor de paso de emisor. De momento no se
considera suponiendo que se trata de una capacitancia infinita. Esto permitir dibujar el circuito
equivalente de a.c. que se muestra en la figura 6. Por el lado de entrada, Rin es la suma de la
impedancia de la fuente y la impedancia de entrada de la etapa en la banda media de frecuencia
del amplificador. Su valor es: Zin = R1// R2 //B re
En el lado de la salida, Ro es la impedancia de salida de la etapa en la banda media del
amplificador. Despreciando la resistencia de la fuente de corriente de colector. Ro=Rc + R L.
En efecto, en aquellos amplificadores se estudiaba su funcionamiento en la banda media y para
esas frecuencias las Zin y Zo. Son puramente resistivas. Fuera de esa banda media, las
impedancias de entrada y salida Zin y Zo, pasan a ser variables complejas en virtud de que
incluyen efectos reactivos.
Se tienen tres redes de adelanto, una a la entrada, otra de salida y la otra de paso del emisor. La
red de entrada tiene una frecuencia de corte de: F CIN= 1 / 2(Rf + Zin).CCIN =; donde:
FCIN= Frecuencia de corte de la red de adelanto a la entrada.
Rf= Resistencia de la fuente
Zin = Impedancia de entrada del amplificador.

CCIN= Capacitancia del capacitor de entrada de la red de adelanto.

La red de salida tiene una frecuencia de corte de: F CO = 1 / 2(RC + RL ).CCO =; Donde:
FCO= Frecuencia de corte de la red de adelanto a la salida
Rc= Resistencia del colector del amplificador.
RL= Resistencia de carga del amplificador.
CCO= Capacitancia del capacitor de salida de la red de adelanto.

El capacitor de paso de emisor hace que la respuesta en frecuencia de l amplificador presente una
cada a cierta frecuencia de corte FC(Emisor).
En la banda media del amplificador, el capacitor de paso de emisor acta como si fuera un
cortocircuito para ac. El emisor est conectado prcticamente a tierra y ganancias de voltaje son
cargas de - rc / re, donde rc = Rc // R L. Por debajo de la banda medio, sin embargo, el capacitor
de paso ya no puede considerarse como un cortocircuito de ac perfecto, y la ganancia de voltaje
disminuye, como se indica en la figura 7.
El circuito de emisor es equivalente a una red de atraso. La comprobacin es fcil aplicando el
teorema de Thvenin al circuito que excita al capacitor Cbp como se muestra en la figura 8.
La red de emisor tiene una frecuencia de corte de: F C(Emisor) = 1 / 2.Re.CCbp=; Donde:
FC(Emisor) = Frecuencia de corte en la red de adelanto en el circuito del emisor.
Re= La resistencia del emisor es la resistencia equivalente thvenin de salida sobre el capacitor, y
que se obtuvo cuando se hall la impedancias de salida en un amplificador de colector comn.
Re= re + (Rf // R1 //R2) / =; Cuando se tiene un amplificador con resistencia de emisor dividida se
tiene: Re= re + (Rf // R1 //R2) / + r*e=.
CCbp =capacitancia del capacitor de paso en el emisor.
Las ecuaciones anteriores pueden servir para analizar cualquier amplificador; se aplican
igualmente a seguidores de emisor, amplificadores con FET o MOSFET, etc, siempre que sea
posible calcular las resistencias de entrada, de salida y del emisor o surtidor del amplificador.
Para un FET o MOSFET en la configuracin de surtidor comn la red entrada tiene una frecuencia
de corte de: FCIN= 1 / 2(Rf + Zin).CCIN =, prcticamente la frmula es la misma, lo nico que
cambia es la impedancia de entrada del amplificador, para un FET o MOSFET la Zin= R 1// R2. o
puede ser Zin = RG, dependiendo del circuito de polarizacin que utilicemos. Para la red de salida
tenemos casi la misma frmula, solamente cambiamos la Rc por la R D: FCO=1/2(RD + RL ).CCO =.
Para la red del surtidor tiene una frecuencia de cortes de: F C(Surtidor) = 1 / 2.R(Surtidor).CCbp=.
La R(Surtidor) cambia bastante con respecto a la Re.
La R(Surtidor)= rm = 1/ gm o R(Surtidor)= rm + rs =, si es un amplificador con resistencia de compensacin.
A continuacin se desarrollara el siguiente ejemplo ilustrativo. Si =150 calcular las frecuencias de
corte de las redes de entrada, de salida y de emisor de la figura 9.

SOLUCION
V2=10x2,2K/(10 K+2,2 K)=1,8V; IE=(1,8 0,7) / 1K= 1,1mA; re=25mV/1,1mA=22,727;
Zin(BASE)=150x22,727=3409,09; Zin=10 K//2,2 K//3409,09=1179,413.
Para la FCIN=1/(2..(1K+1179,41).0,47f)=155,375Hz; F CO=1/(2..(3,6K+1,5K)0.22f=
FCO=141,849Hz; FC(Emisor) =1/2..(22,727+((1K//10K//2,2K)/150).50f=117,824Hz
La red de adelanto de entrada es la que presenta la frecuencia de corte ms alta. A causa de ella
la potencia suministrada a la carga cae a la mitad cuando la frecuencia es de 155,375Hz, como
muestra la figura 10. Cuando se tiene ms de una red de adelanto, lo ms importante es siempre
la de mayor frecuencia de corte ya que sta es la que produce el primer rompimiento (esquina o
codo) en la respuesta del amplificador. Por eso se le llama frecuencia de corte de la red de

adelanto dominante.
LA RED DE ATRASO
La red de atraso de la figura 11 es la base para el estudio del comportamiento de los
amplificadores en alta frecuencia. A frecuencias muy bajas, Xc es grande y el voltaje de salida se
aproxima mucho al voltaje de entrada. A frecuencias muy altas, Xc es pequeo y el voltaje
de salida es casi cero. El circuito toma su nombre de red de atraso porque el voltaje de salida est
atrasado con respecto al voltaje de entrada.

RESPUESTA EN FRECUENCIA.
En la figura 12 puede verse la respuesta en frecuencia de una red que atraso. La ganancia de
voltaje es unitaria a bajas frecuencias. A la frecuencia de corte, la ganancia de voltaje es de 0.707.
Ms all de la frecuencia de corte, la ganancia de voltaje sigue disminuyendo y tiende a cero para
frecuencias infinitamente altas.
FRECUENCIAS DE CORTE.
La ganancia de voltaje de la red de atraso es: Vsal. Vent.= (X C /R + Xc).
Representando grficamente esta ecuacin, puede encontrarse el valor exacto de los puntos de la
curva en la figura 12. La frecuencia de corte se define como aquella frecuencia para la cual Xc = R
y est dada por fc=1 / (2..R.C), donde:
Fc = Frecuencia de corte de la red de atraso de la entrada o de la salida.
R= Resistencia de la red de atraso de la entrada o de la salida.
C= Capacitancia de la red de atraso de la entrada o de la salida.
RESISTENCIA DE CARGA.
A menudo aparece un capacitor en paralelo con el resistor de carga, como se indica en la figura
13. A frecuencias bajas el capacitor se comporta como un circuito abierto y la red viene siendo un
divisor de voltaje con una ganancia de banda media de Amedia= Rb / (Rb + Rf).
Sin embargo, para frecuencias ms altas, el capacitor desva la corriente alterna de la carga, lo
que hace que el voltaje en sta experimente una cada al aumentar la frecuencia.
La forma ms simple de encontrar la frecuencia de corte es aplicando el teorema de Thvenin al
circuito que excita al capacitor. El voltaje Thvenin es: V TH=( Rb / (Rb + Rf))Vin o tambin:
Vth= Amedia.Vin. La resistencia Thvenin es: Rth= Rf // Rb.

En la figura 14 se muestra el circuito Thvenin equivalente que, como se ver, es una red de
atraso. Por lo tanto, su frecuencia de corte es: fc= 1 / (2.(Rf // R b).C.
Como se indica en la figura 15 la ganancia de voltaje es de 0,707. Amedia para esta frecuencia de
corte.

FUENTE DE CORRIENTE

En la figura 16 puede verse una fuente de corriente con cargas Rc, R L y C en paralelo. Esta
disposicin es equivalente a una red de atraso. La forma ms simple de ver esto es aplicando el
teorema de Thvenin reduciendo el circuito, como se muestra en la figura 17. Ya que dicha circuito
es una red de atraso, la frecuencia de corte es: fc= 1 / .(2.(R C // RL).C=.
Esta es la frmula de la frecuencia de corte de la red de atraso de salida que demostraremos ms
adelante para los dispositivos bipolares para altas frecuencias.
ANLISIS DEL FET y MOSFET EN ALTA FRECUENCIA
En la figura 18 puede verse un generador de seal Vf de resistencia interna Rf excitando a un
amplificador FET polarizado por divisor de voltaje. Para altas frecuencias, los capacitores de
acoplamiento y de paso se comportan como cortocircuitos. As pues, el circuito equivalente de ac
queda como en la figura 19. La resistencia rD es la resistencia de ac vista por el drenador,
combinacin de RD y RL en paralelo. rD = RD // RL.
La resistencia Rth es la resistencia de Thvenin de ac vista desde el graduador o compuertas del
FET. Esta resistencia incluye los resistores de polarizacin en paralelo con el resistor del
generador. Por ejemplo, con polarizacin por divisor de voltaje: R th= R1//R2//Rf.
En la banda media del amplificador, la ganancia de voltaje con carga es de: Av= - g m.rD
A frecuencias superiores para la banda medio, las capacitancias internas del FET y las
capacitancias parsitas del cableado forman redes de atraso que originan una diminucin de la
ganancia de voltaje. En la figura 20 pueden verse estas capacitancias equivalentes en el circuito
equivalente de ac

CAPACITANCIAS.
En la figura 21 se indican las tres capacitancias internas del FET en sus tres terminales: C gs, Cgd,
Cds. Cgs es la capacitancia interna entre el graduador y el surtidor. C gd representa la capacitancia
interna entre el graduador y el drenador y Cds representa la capacitancia interna entre el drenador
y surtidor o fuente.
Por conveniencia los fabricantes miden las capacitancias del FET en condiciones de cortocircuito.
Por ejemplo, Ciss es la capacitancia de entrada con la salida en cortocircuita, como en la figura 22.
Puesto que Cgd est en paralelo con Cgs, entonces Ciss= Cgd + Cgs=.

En las hojas tcnicas aparace tambin Coss, qu es la capacitancia vista desde la salida del FET
con los terminales de entrada en cortocircuito (Figura 23). Puesto que C ds est en paralelo con Cgd,
entonces Coss= Cds + Cgs =.
La otra capacitancia que figura en las hojas tcnicas es C rss, capacitancia de retroalimentacin,
Crss= Cgd=.
Cuando la salida de un amplificador con FET excita a otra etapa, la capacitancia de salida de
cableado de esa etapa siguiente queda entre los terminales de drenador y tierra de la primera,
como se muestra en la figura 20.
La capacitancia parsita de cableado, que es la capacitancia entre los cables de conexin y tierra.
Como gua, puede usarse una aproximacin burda de 0,3pf de capacitancia parsita por cada
pulgada de cableado.
EL TEOREMA DE MILLER
En la figura 24 puede verse un amplificador que tiene un capacitor entre la entrada y la salida. A
veces se le denomina capacitor de retroalimentacin porque la seal amplificada de salida es
retroalimentada a la entrada. Cuando la ganancia AV es elevada, la retroalimentacin altera

considerablemente la impedancia entrada del amplificador.

El circuito equivalente de Miller.

Un circuito como el de la figura 24 es difcil de estudiar porque el capacitor de retroalimentacin

forma parte de los puertos de entrada y de salida. El teorema de Miller dice que puede sustituirse
el circuito original por el circuito equivalente que se indica en la figura 25. En el circuito
equivalente, el capacitor de entrada vale: Cin(MILLER)= C(1 + AV)=, y el condensador de salida vale :
CO(MILLER)= C(1 + AV)/AV=.
Las ventajas del circuito equivalente Miller es que divide el capacitor de retroalimentacin en dos,
uno sobre el circuito de entrada y el otro en el circuito de salida. De este modo los circuitos de
entrada y salida no estn ya interconectados y el anlisis es mucho ms fcil.
Demostracin matemtica
La corriente alterna que pasa por el capacitor de retroalimentacin de la figura 24 est dada por la
expresin IC=(VEnt VSal) / JXC donde puede sustituirse VSal por (AV. VEnt) para obtener:
IC=VEnt (1 AV) / JXC= o VEnt / IC= JXC / (1 AV) = J1 / 2..f.C(1 AV).
El trmino VEnt / IC representa la impedancia del capacitor vista desde el lado de entrada del
amplificador. Ntese que la capacitancia de retroalimentacin aparecer multiplicada por (1 A V).
Esto hace que la capacitancia equivalente entrada sea: Cin(MILLER)= C(1 + AV)=.
Est capacitancia Miller de entrada aparece en paralelo entre los terminales de entrada del
amplificador (vase la figura 25).
La capacitancia de salida puede obtenerse en forma similar: la corriente que pasa por el capacitor
se expresa en funcin del voltaje de salida IC=(VSal VEnt) / JXC=(1 1/AV)VSal / - JXC con lo que
nos queda VSal / IC= JXC / (AV 1) /AV= J1 / 2fC(AV 1) /AV=.
La razn VSal / IC representa la impedancia del capacitor vista desde los terminales de salida, y la
capacitancia real es CO(MILLER)= C(1 + AV)/AV=, como se indica en la figura. Cuando el Valor de AV es
muy elevado, la capacitancia es aproximadamente igual a C, la capacitancia de retroalimentacin.
Red de atraso de graduador (compuerta) o de entrada.
En la figura 20, Cgd es un capacitor de retroalimentacin. Segn el teorema de Miller la
capacitancia parsita de entrada es: Cin(Miller)= Cgd(1 + AV) o tambin Cin(Miller)= Cgd( 1+ gm.rD )=.
La figura 26 muestra las capacitancias parsitas de entrada y salida en un circuito de la red de
atraso.

Las capacitancias en paralelo se suman. Por consiguiente, el amplificador del FET de la figura 26
presenta dos redes de atraso, una de entrada o graduador y otra de salida o drenador. La
capacitancia total de entrada o graduador es: C(Entrada)= Cin(cableado) + Cgs + Cin(Miller)=.
La frecuencia de la red de atraso de entrada o graduador es: f (Entrada)= 1 / (2..Rth.C(Entrada))=; donde:
FC(Entrada)= Frecuencia de corte de entrada o de graduador.
Rth= Resistencia de ac vista desde la entrada o el graduador.
C(Entrada)= Capacitancia equivalente de la red de atraso de entrada o de graduador.
Red de atraso de drenador o de salida.
El drenador se comporta como una fuente de corriente excitando la resistencia r D en ac y en
paralelo con las capacitancias CO(Miller), Cds y CO(Cableado). La capacitancia total del circuito de
drenador es: C(Salida)= CO(Miller) + Cds + CO(Cableado)=; y la frecuencia de corte es:
FC(Salida)= 1 / (2..rD.CD)=; donde:
FC(Salida) = Frecuencia de corte de salida o de drenador.
rD = Resistencia de ac vista desde el drenador o salida.
C(Salida) = Capacitancia total en el circuito de drenador o de salida.
Anlisis del transistor bipolar en alta frecuencia.

En la figura 27 se tiene un generador Vf con resistencia interna Rf excitando a un amplificador EC.

El circuito equivalente de ac en la banda media es el que se muestra en la figura 28. La resistencia
rG es la resistencia de Thvenin de ac vista desde la base del transistor es:
rG= Rf // R1 //R2=.
La resistencia rc es la resistencia de ac vista por el colector o de salida: rc = R(Salida) = Rc // R L=.
Arriba de la banda.
Ce es la capacitancia parsita del diodo del emisor. Cc es la capacitancia parsita del diodo del
colector.

La figura 29 muestra el circuito equivalente de ac para frecuencias superiores a la banda media

del amplificador. Ntese que Cc es un capacitor de retroalimentacin situado entre la base y el
colector. Obsrvese tambin que sea incluido la resistencia de dispersin de base r B. Su inclusin
en necesaria para el estudio en alta frecuencia porque forma parte de la red de atraso de la base.
Red de atraso de la entrada o de la base.
Para encontrar las frecuencias de corte en un amplificador bipolar hay que identificado primero las
redes correspondientes a la entrada (base) y la salida (colector). El primer paso ser encontrar la
capacitancia de Miller de entrada. La ganancia de voltaje a Banda media de base a colector es:
Av= -rc / re=. Y, por lo tanto, la capacitancia Miller de entrada es:
Cin(Miller)= Cc( 1 + Av ) = o Cin(Miller)= Cc( 1 + rc / re)=.
En la figura 30 se muestra est capacitancia Miller de entrada.
La capacitancia Miller de salida es: Co(Miller)= Cc( 1 + Av ) / Av=; aproximadamente igual Cc ya
que la ganancia y de voltaje (Av) suele ser grande en un amplificador bipolar EC. En la figura 30 la
capacitancia Miller de salida est en paralelo con la capacitancia parsita de cableado de la etapa
siguiente si es multietapa. Las capacitancias de la figura 30 estn en paralelo. La capacitancia
total de entrada o de base es:
C(Entrada)= CB = Cin(Cableado) + Cin(Miller) + Ce=;y la capacitancia total del circuito de salida o
de colector es: C(Salida)= Cc = Cce + Co(Miller) +Co(Cableado) =; como se muestra en la figura
31.

Para que el circuito de entrada o de base quede en forma de red de atraso, tiene que encontrarse
el equivalente de Thvenin del circuito conectado a la capacitancia de entrada o de base, llegando
as a la figura a la figura 32. Obsrvese que la resistencia Thvenin conectada a la capacitancia de
salida o de base es: R(Entrada) = rB = (rG + rb)//.re=.

Obsrvese la figura 32. Dejando a un lado la confusa profusin de smbolos, el circuito es muy
simple: consta de dos redes de atraso. La red de atraso de la entrada o de base tiene una
frecuencia de corte de: f(Entrada)= 1 / (2.. R(Entrada). C(Entrada))=; donde:
f(Entrada)= Frecuencia de corte de entrada o de base.
R(Entrada)= Resistencia de ac vista desde la entrada o de base.
C(Entrada)= Capacitancia total de la red de atraso de entrada o de base.
Red de atraso de la salida o del colector.

El circuito de colector es otra red de atraso cuya frecuencia de corte es:

f(Salida)= 1 / (2.. R(Salida). C(Salida))=; donde:
f(Salida)= Frecuencia de corte de salida o de colector.
C(Salida)= Resistencia de ac vista desde el colector o de salida.
R(Salida)= Capacitancia total de la red de atraso de salida o de colector.
La capacitancia Ce no suele aparecer en los catlogos porque resulta muy difcil de medir
directamente. En su lugar, el fabricante suele publicar un valor llamado producto de ganancia de
corriente por ancho de banda que se designa por fT (frecuencia de transaccin). Se trata de la
frecuencia a la cual la ganancia de corriente del transistor toma valor unitario. A partir de ella
pueden calcularse Ce al aplicado Ce= 1/2..fT.re=.
Ganancia de potencia en decibeles.
Las ganancias de potencia de un amplificador es la razn entre la potencia de salida y la potencia
de entrada G= Po/Pin=.
La ganancia de potencia en decibeles se define como G=10logG=; su unidad es el decibel (dB)
cada vez que una respuesta se expresa en decibeles automticamente se sabr que se trata de
la ganancia de potencia en decibeles y no de la ganancia normal de potencia.
Ganancia de voltaje en decibeles.
Las mediciones de voltaje son mucho ms comunes que las de potencia. No es de sorprenderse,
pues, que se usen tambin decibeles para especificar mediciones de ganancia de voltaje. La
ganancia de voltaje en decibeles se define como: Av=20logAv.
Para hallar la ganancia de potencia en los amplificadores FET y MOSFET la calculamos en
funcin de la ganancia de voltaje y la resistencia de la entrada y la salida, as G=Av.Zin/Zo=.
En la mayor parte de los sistemas (por ejemplo en telefona y microondas) las impedancias de
entrada y de salida estn acopladas, lo que significa que Zin=Zo. Teniendo en cuenta esta
condicin, la ecuacin anterior se reduce a G = Av.
Lo que significa que la ganancia de potencia en decibeles es igual a la ganancia de voltaje en
decibeles sea G = Av, relacin vlida para cualquier sistema con impedancias acopladas.
DIAGRAMAS DE BODE
Expresndolo en nmeros complejos, la ganancia de voltaje de una red de atraso es:
Vo/Vin= JXc / (RJXc)=. Lo que puede expresarse mediante dos ecuaciones, una para magnitud
y la otra para el ngulo de fase de: Vo/Vin= Xc/ (R+Xc)=; y = arctan R/Xc=.
La ecuacin para magnitud puede escribirse tambin como: Av=Vo/Vin=Xc/ (R+Xc)= o
Av=1/1+(R/Xc). Y puesto que R/Xc=fRC=fin/fc, la es: Av=1/1+( fin / fc )=, y la ganancia de
voltaje expresada en decibeles es: Av= 20log( 1/1+( fin / fc) )=.
Cuando fin = fc, la ganancia de voltaje es igual al - 3 dB (punto de media potencia).
Cuando fin = 10fc, la ganancia de voltaje es de - 20 dB por cada dcada de aumento de la
frecuencia.
El diagrama de Bode de la ganancia de voltaje en decibeles puede verse en la figura 33.
Arriba de la frecuencia de corte, la ganancia cae 20 dB por cada dcada de aumento en
frecuencia; por lo tanto la grfica de la ganancia de voltaje en decibeles ser una lnea recta con
una pendiente - 20 decibeles porque cada dcada.

La ecuacin del ngulo de fase hallada anteriormente se puede escribir de la siguiente forma:
= arctan fin/fc. En la figura 34 advirtase como vara la fase de una red de atraso en funcin de
la frecuencia. Para frecuencias muy bajas, el ngulo de fase es cero. Cuando fin = 0.1 fc el ngulo
de fase es 6. Cuando fin = fc, el ngulo de fase es de 45. Cuando fin = 10fc, el ngulo de
fase es de 84. Posteriores aumentos de frecuencia representan incrementos muy pequeos del
ngulo de fase ya que el Valor lmite es de 90. Como puede verse, el ngulo de fase de una red

de atraso paria entre 0 y 90. El signo menos indica que el voltaje de salida est atrasado
respecto al de entrada.
El anlisis para una red de adelanto de fase es similar al que se ha una utilizado para la red de
atraso. La ganancia de voltaje en decibeles es: Av= 20log( 1/1+( fc / fin ) )=. El ngulo de fase
es: = arctan fc / fin. Si se comparan estas ecuaciones con las anteriores de la red de atraso, se
observa que existe una simetra inversa. As pues, los diagramas idealizados de Bode de ganancia
de voltaje y ngulo de fase quedan como se muestra en la figura 35 Y 36. Por debajo de la
frecuencia de corte, la ganancia de voltaje en decibeles experimenta una cada de 20 dB por
dcada equivalente a 6 dB es por octava. El ngulo de fase vara entre 0 y 90, lo que significa
que la salida est adelantada con respecto a la entrada.

PROBLEMAS PARA RESOLVER SOBRE EFECTOS DE FRECUENCIA

1.- Calcular el ancho de banda real y terica, y la ganancia de potencia real en la carga en decibeles del circuito FET
de la figura 1 que cumpla con los siguientes parmetros: gm=2mS; Cgd=2pf; Cgs=7pf; Cds=10pf; Cin(cableado)=140pf;
Co(cableado)=400pf. Las respuestas son: B(REAL)=96.511,488Hz; B(TEORICO)=9.606,13Hz; Ap(REALRL)=33,18334dB.
2.- El amplificador de la figura 2 tiene los siguientes parmetros: gm=2mS; Cgd=5pf; Cgs=5pf; Cds=15pf;
Cin(cableado)=64 pf; Co(cableado)=230pf. Calcular el ancho de banda real y terica, y la ganancia de potencia real en
RD en decibeles. Las respuestas son: B(REAL)=99.964,225Hz; B(TEORICO)=9.947,183 Hz; Ap(REALRD)=43,268dB.
3.- Calcular el ancho de banda real y terica, y la ganancia de potencia real en la carga en decibeles del circuito
MOSFET de la figura 3 que cumpla con los siguientes parmetros: gm=4mS; Cgd=5pf; Cgs=5pf; Cds=15pf;
Cin(cableado)=35pf; Co(cableado)=310pf. Las respuestas son: B(REAL)=151.618,703Hz; B(TEORICO)=15.083,088Hz;
Ap(REALRL)=55,561dB.

4.- Calcular el ancho de banda real y terica, y la ganancia de potencia real en R D en decibeles del circuito MOSFET
de la figura 4 que cumpla con los siguientes parmetros: gm=4mS; Cgd=6pf; Cgs=5pf; Cds=6pf; Cin(cableado)=50pf;
Co(cableado)=300pf. Las respuestas son: B(REAL)=131.590,823Hz; B(TEORICO)=13.080,34Hz; Ap(REALRD)=56,018dB.
5.- Calcular el ancho de banda real y terica, y la ganancia de potencia real en R D en decibeles del circuito MOSFET
de la figura 5 que cumpla con los siguientes parmetros: gm=3,75mS; Cgd=5pf; Cgs=5pf; Cds=6pf; Cin(cableado)=75pf;
Co(cableado)=250pf. Las respuestas son: B(REAL)=99.512,736Hz; B(TEORICO)=9.863,767Hz; Ap(REALRD)=61,301dB.
6.- Calcular el ancho de banda real y terica, y la ganancia de potencia real en la carga en decibeles del circuito FET
de la figura 6 que cumpla con los siguientes parmetros: gm=2mS; Ccin=8nf; Cco=0,75f; Cbp=50f; Cgd=5pf;
Cgs=5pf; Cds=15pf; Cin(cableado)=100pf; Co(cableado)=360pf. Las respuestas son: B(REAL)=104.526,778Hz;
B(TEORICO)=10.368,644Hz; Ap(REALRL)= 42.026dB.

7.- Con los parmetros del circuito de la figura 7 que son: =200; Ccin=140nf; Cco=0,2f; Cbp=12f; Cc=3pf; Ce=5pf;
C`ce=6pf; Cin(cableado)=30pf; Co(cableado)=48pf y el r B=500. Calcular:
a).- El ancho de banda real.
b).- El ancho de banda terico
c).- La ganancia de potencia real que disipa RL en decibeles.
Las respuestas son: B(REAL)=1025.549,252Hz; B(TEORICO)=101.549,9Hz; Ap(REALRL)= 32,507dB.

8.- Con los parmetros del circuito de la figura 8 que son: =200; Cc=1pf; Ce=7pf; C`ce=4pf; Cin(cableado)=40pf;
Co(cableado)=30pf y el rB=400. Calcular:
a).- El ancho de banda real.
b).- El ancho de banda terico
c).- La ganancia de potencia real que disipa RD en decibeles.
Las respuestas son: B(REAL)=1136.719,299Hz; B(TEORICO)=112.664,873Hz; Ap(REALRL)=31,397dB.
9.- Con los parmetros del circuito de la figura 9 que son: =200; Cc=1pf; Ce=2pf; Cce=7pf; Cin(cableado)=40pf;
Co(cableado)=30pf; rB=500 Calcular:
a).- El ancho de banda real.
b).- El ancho de banda terico
c).- La ganancia de potencia real que disipa RC en decibeles.
Las respuestas son: B(REAL)=1263.636.327Hz; B(TEORICO)=125.365,136Hz; Ap(REALRL)=31,593dB.

10.- Con los parmetros del circuito de la figura 10 que son:=200; re=26,724; Cc=2pf; Ce=5pf; C`ce=5pf;
Cin(cableado)=30pf; Co(cableado)=35pf y el r B=500. Calcular:
a).- El ancho de manda real.
b).- El ancho de banda terico
c).- La ganancia de potencia real que disipa RD en decibeles.
Las respuestas son: B(REAL)=1.202.553,874Hz; B(TEORICO)=118.769,906Hz; Ap(REALRL)=28,682dB.
11.- Con los parmetros del circuito de la figura 11 que son: =200; Cbp=30f;Cc=1pf; Ce=4pf; Cce=10pf;
Cin(cableado)=60pf; Co(cableado)=40pf; r B=500 Calcular:
a).- El ancho de banda real.
b).- El ancho de banda terico
c).- La ganancia de potencia real que disipa RL en decibeles.
Las respuestas son:
B(REAL)=1491.349.933Hz; B(TEORICO)=147.981,463Hz; Ap(REALRL)=36,943dB.

AMPLIFICADOR DE POTENCIA CLASE A

LA LINEA DE CARGA DE A.C. DE UN AMPLIFICADOR CLASE A.Cada amplificador tiene un circuito equivalente
para corriente continua y otra para corriente alterna.Por ello, tiene dos rectas de carga; la recta de carga para continua
y la recta de carga para alterna. Para el funcionamiento con pequeas seales, la posicin del punto Q no es crtica.
Pero con amplificadores de seal grande, el punto Q tiene que estar en la mitad de la recta de carga de alterna para
conseguir la mxima oscilacin en la salida.
LINEAS DE CARGA DE CC. Y DE A.C._ El amplificador en la configuracin E.C de la figura 1, tiene el circuito
equivalente de cc que se muestra en la figura 2, y con este circuito equivalente de cc se obtiene la lnea de carga de
cc que se observa en la figura 6.
Recuerde que la corriente de saturacin de cc es Ic(SAT) = Vcc / (Rc + RE) y que el voltaje de corte es: VCE(CORTE) = Vcc.
Cuando se le aplica una seal de AC al transistor de la figura 1, los capacitores se comportan como cortocircuitos en
ac y las fuentes de voltaje de cc tambin se cortocircuitan, motivo por el cual las resistencias de fuente y de carga se
ven diferentes desde el transistor. La resistencia Thevenin de AC aplicada a la base es: Rth=R F//R1//R2, y la
resistencia de carga de ac que se presenta en el colector es: rc = Rc // RL. La figura 4 muestra el circuito equivalente
de ac. De este circuito se obtiene la lnea de carga de la figura 6. En ausencia de seal, el transistor opera en el punto
Q que se muestra en la figura 6. Cuando se presenta una seal, el punto de operacin se desplaza a lo largo de la
lnea de carga de ac en lugar de hacerlo en la lnea de carga de cc, puesto que la resistencia de carga de ac es
diferente de la resistencia de carga de cc.
Hacemos una malla como se indica en la figura 3,el cul nos da:

ic.rc + Vce =0Ec. 1.

ic ; Vce
YVce(pico) = Vce
V
Icp-p = C(mx) =

(SAT)

(CORTE)

(CORTE)

CEQ

= VCE(MX) =

Vcep-p; ic (pico) = ic

Ec. 3.

Tomamos la ec. 1, y reemplazamos la ic por la ec. 2, y el

CQ =Ec. 2.

(SAT)

Vce por la ec. 3, y la ec. 1 nos queda en:

( c(SAT) - CQ) . c + ( ce(CORTE) - VcEQ) = 0

Para hallar la ic( SAT) que est en la coordenada de la Y, como condicin fundamental es que la otra coordenada (X)

Vce
= 0 .Entonces:
(ic -ICQ).rc + (0/rc ic =ICQ+ VCEQ/rc=;ec. 4.Ahora hacemos ic (sat)=0 y hallamos el Vce(corte):
V )=0
ICQ rc + Vce
=V
Vce
=

debe valer cero (0) que en este caso pertenece a

(CORTE)

(SAT)

I
( 0 ICQ).rc + (Vce
V
+ ICQx rc=;ec. 5.Las ecuaciones 4, y 5, tambin sirven para un amplificador de base comn. Tambin
VcEQ)=0ic(SAT) CQ=VCEQ

(sat)

CEQ

(CORTE)

(CORTE)

CEQ

(CORTE)

CEQ

hallaremos para el E.C. con resistencia de emisor parcialmente desacoplada (figura 4.) y un amplificador de colector
comn (figura 5.).

IC.r + Vce + IC.rE = 0

I Re = 0 EC. 7.

EC. 6.
ce+ C.
Reemplazando en la ecuacin 6 y 7 por las ecuaciones 2 y 3
C

ic

(SAT)

Vce

CQ] . ( C + E) = - (

(CORTE)

VCEQ )

ic

Hacemos lo mismo que en la demostracin anterior o sea

ic ICQ] = ( 0 V ) / (rc + rE)

[ic = ICQ + V
/ (rc + rE)
ic
Vce
= V + ICQ x (rc+r )
[

(SAT)

CEQ

(SAT)

CEQ

(SAT)

ic

I
Vce

CQ] .

(SAT)

ic

(SAT)

(SAT)

Re=-(Vce

(CORTE)

VCEQ )

=? yVce(CORTE)= 0

CQ] = ( 0 VCEQ) /Re

= CQ + (VCEQ / Re)

(CORTE)
(CORTE) = VCEQ + CQ x Re
CEQ
E
EXCURSIN MXIMA DE SALIDA DE A.C. SIN DISTORSION EN LA CARGA = Pp = VPp

La lnea de carga de AC es una ayuda visual para entender la operacin con seales grandes. Durante el semiciclo
positivo de voltaje de la fuente de AC, el voltaje del colector se desplaza desde el punto Q hacia el punto de
saturacin, mientras que durante el semiciclo negativo, el voltaje del colector se desplaza desde el punto Q hacia el
punto de corte. Para una seal de AC suficientemente grande, se puede presentar recorte en cualquiera o en ambos
picos de la misma.
Se llama excursin mxima de salida de AC al voltaje de AC pico a pico mximo, sin recortes, que puede proporcionar
un amplificador. A partir de este momento, se representar la excursin mxima de AC de salida de un amplificador
con el smbolo PP, recordando que ste es el voltaje mximo pico a pico no recortado que un amplificador puede
proporcionar.
En el estudio realizado en los circuitos de polarizacin se estableci el punto Q cerca de la mitad de la lnea de carga
de C.C, debido a que se quera hacer en forma sencilla el estudio. Se puede incrementar la excursin mxima de
salida de AC si se fija el punto Q en un lugar ms alto que el centro de la lnea de carga enC.C como se muestra en la
figura 6.
Lo que se trata de obtener en el diseo o rediseo es una variacin igual de voltaje para ambas direcciones, como se
muestra en la figura 6a. Esto permite una variacin mxima a lo largo de la recta de carga de ac para cada semiciclo
y, en consecuencia, dar el valor de excursin mxima de salida de ac. Para obtener la misma variacin de voltaje en
ambas direcciones deben satisfacerse las siguientes relaciones para cada uno de los amplificadores bsicos

Para obtener el punto Q optimo partimos que el Vp+ = Vp y por lo tanto Pp por el ciclo positivo seria igual 2Vp+ y por
el pico negativo Pp = 2 Vp . Por el pico positivo partimos de Vp+ = Vce(corte) V CEQ y por el pico negativo Vp = VCEQ
- 0 y miramos el Vce(corte) de cada una de las configuraciones, por ejemplo para el emisor comn con resistencia de
emisor totalmente desacoplada el Vce(corte) = ICQ .rC + VCEQ entonces:Vp+ = ICQ .rC + VCEQ VCEQ; p+ = ICQ .rCy
Vp = VCEQ; Pp = 2 ICQ.rC Pp = 2VCEQ. Tambin estas ecuaciones sirven para el base comn.Para el emisor
comn con resistencia de emisor parcialmente desacoplada si miramos el circuito de la figura 4. vemos que
aparentemente rC y rE estn en serie, como la mxima excursin de AC se refiere es a la carga, no tenemos en cuenta
la rE si no solamente la rC porque elVce(corte) = VCEQ + ICQ x ( rC + rE ) entonces Vp+ = VCEQ+ICQ xrC VCEQ Pp = 2Vp+ =
2ICQ .rC y para el pico negativo el VCEQ se repartira para rC y rE por estar aparentemente en serie estas dos
resistencias, por lo tanto quedara Vp = VCEQ .rC / (rC + rE)=;Pp = 2Vp = 2 VCEQ .rC / (rC + rE).
Para el colector comn se hara exactamente lo mismo Pp=2Vp+ =2 I CQ.Re y
Pp= 2 Vp = 2VCEQ.
OPERACIN EN CLASE A.La operacin clase A significa que el transistor opera en la regin activa durante todo el
ciclo de ac. Esto implica que la corriente de colector fluya durante los 360 del ciclo de ac. Anteriormente se haba
analizado algunos parmetros para amplificadores de seal pequea la cual pertenece el clase A. Por ejemplo para la
ganancia de voltaje es: Av=-rC/ re;
Av = r C / (re + rE)=;Av = Re / (re + Re);Ai =ic / ib = Ap =Av.Ai PDQ =
ICQ.VCEQ = PDMAX. Al disear se debe estar seguro que P DQ es menor que la potencia nominal del transistor que se est
utilizando, puesto que el PDQ representa en el peor de los casos. La ecuacin P DMAX = PDQ solo tiene validez para la
operacin en clase A. En este caso es que ocurre la condicin en el peor de los casos para la disipacin de potencia
del transistor cuando no hay seal.
CONSUMO DE CORRIENTE.En un amplificador como el de la figura 1, la fuente de voltaje cc es Vcc y es la que
suministra la corriente directa a las resistencias de polarizacin y resistencia de colector. Las resistencias de
polarizacin consumen una corriente de cc de: I 1=Vcc (R1 + R2) y si es diseo o rediseo la I 1 = 11 IB y para la
resistencia de colector, el consumo de corriente de cc es: I 2 = ICQ. En un amplificador clase A las variaciones
sinusoidales en corriente de colector dan un valor promedio de cero. Por tal razn ya sea que la seal de ac est
presente o no, la fuente de cc debe suministrar una corriente promedio de: I S = I1 + I2, este es el valor total del
consumo de corriente de cc. La potencia de cc total suministrada al amplificador ser: Ps = Vcc. IS
MXIMA POTENCIA DE AC EN LA CARGA.La excursin mxima de salida de ac sin distorsin en la carga (Pp) es
igual al mximo voltaje no recortado de salida. Por lo tanto, se puede resumir como P LMAX = PP2 / 8RL. Esta es la
mxima potencia de ac en la carga de un amplificador clase A que puede disipar sin que haya recorte de seal.
EFICIENCIA DE LA ETAPA.Este parmetro nos indica que porcentaje de la potencia de cc de entrada alcanza la
salida en forma de potencia de ac en la carga. Su ecuacin es:= (PL(mx) Ps ) . 100 25%.
En un amplificador clase A existen los rediseos para alcanzar la excursin mxima de salida de ac sin distorsin en la
carga. Nosotros solo analizaremos cuatro casos:
1. CASO DE REDISEO
Un amplificador de E.C. con R E totalmente desacoplada, (ver figura 7) partimos que: Vp+ = Vp ; entonces: ICQ.rC=
VCEQ EC. 1.Mirando la figura 7 y haciendo una malla para encontrar V CEQ tenemos: -Vcc + ICQxRC + VCEQ + ICQxRE = 0
De donde VCEQ = Vcc - ICQxRc - ICQ RE = EC. 2.Para este caso tenemos la condicin fundamental que es R E = Rc y la
cambiamos en la EC. 2.
VCEQ = Vcc - ICQ.Rc - ICQ.1/4.RC VCEQ = Vcc (5/4) ICQ.RC = EC. 3.Ahora tomamos la EC. 3 y la reemplazamos en la EC.1.
ICQ.rC= Vcc 5/4. ICQ.RC ICQ .rC+ 5/4.ICQ.RC = Vcc entonces ICQ = Vcc (rC+ 5/4.RC)=; una vez hallada la ICQ la
comprobamos. Como? Primero hallamos VCEQ a partir de la EC.3. sea:
V CEQ = Vcc 5/4.ICQ.RC. Segundo,
calculamos los Pp tanto por el pico positivo como por el pico negativo y nos deben dar iguales o difieren en
cantidades muy pequeas, se debe trabajar como mnimo con tres decimales y si no, es difcil que los Pp nos den
iguales. Una vez comprobada la ICQ hallamos el valor de las resistencias que se van a cambiar, como son R 1, R2 y RE,
para eso hallamos la IB. La IB = ICQ / =, I1 =11. IB y I2 = 10. IB. Para este problema el VE = ICQ.RE = 1/4.Rc.ICQ=, V2 = VE +
VBE = VE + 0.6v, V1 = Vcc - V2; R1 = V1 / I1 y R2 =V2 / I2 como ya sabemos RE = de Rc y ahora si calculamos los
dems parmetros del problema teniendo en cuenta los nuevos valores.

2. CASO DE REDISEO

Un amplificador emisor comn con resistencia de emisor dividida. (Ver figura 8). Para este
problema como en el anterior tenemos que cambiar los valores de R E, R1 y R2 los dems
parmetros los dejamos constantes, partimos que Vp+ = Vp.
IcQ.rC = VCEQ.rC / (rC + rE)

IcQ. (rC + rE) = VCEQEC. 1.

La condicin fundamental para este diseo es que V E = 1/6 Vcc. Observando la figura 8, ahora
hacemos la malla para hallar VCEQ como en el problema anterior. - Vcc+ICQ.RC+VCEQ+ICQ.RET = 0
VCEQ = Vcc - ICQRC - ICQRETEC. 2.Para este problema el: VE = IcQ. RET=1/6Vcc, ahora este valor lo
remplazamos en la EC. 2.VCEQ = Vcc - ICQ.RC 1/6Vcc VCEQ=5/6Vcc - ICQ.RcEC. 3.Ahora
tomamos la EC.3.la reemplazamos en la EC. 1.IcQ. (rC + rE) = Vcc - ICQ.Rc 1/6 Vcc. IcQ.(rC + rE)
+ ICQ.Rc = 5/6Vcc IcQ = 5/6Vcc (rC + rE + Rc ). Ahora comprobamos la ICQ
calculada,
hallando el VCEQ por medio de la ecuacin 3. Con el ICQ y el VCEQ calculado, hallamos los Pp que
nos deben salir iguales para ello trabajamos con 3 decimales como mnimo. Una vez comprobada

y que nos sirve hallamos los valores de R1, R2 y RET partiendo de que:IB= ICQ/ =; I1=11IB y
I2=10IB;V2=VE+VBE=ICQ.RET+0.6V; V1= Vcc -V1;R1 = V1 / I1 y R2 =V2 / I2 y RET =Vcc / 6 ICQ.
3. CASO DE REDISEO
Un amplificador de emisor comn polarizado por emisor y con resistencia de emisor totalmente
desacoplada.(Ver figura 9). Para este caso solo cambiamos R E ya que RB no se puede calcular
solo miramos que cumpla con la siguiente condicin que sea mayor o igual a 10K. La condicin
fundamental para este caso es que I CQ.RE = VEE - 0.6V siempre que sea un rediseo partimos de
Vp+ = Vp para un E.C con R E totalmente desacoplada ser: I CQ. rC = VCEQ EC. 1.Mirando la figura
9 y haciendo la malla tenemos: Vcc + I CQ.Rc + VCEQ + ICQ.RE VEE = 0 VCEQ =Vcc+VEEICQ.Rc
ICQ.RE.EC. 2.Como la C.F es que la I CQRE = VEE 0.6 la reemplazamos en la EC.2: V CEQ=Vcc+VEEICQ.Rc( VEE0.6)=Vcc+VEE- ICQ.Rc-VEE+0,6=Vcc+0,6 - ICQ.Rc.EC.3.Ahora tomamos la ecuacin 3.
Y la reemplazamos en la ecuacin 1, quedando que I CQ.rC = Vcc + 0.6 - ICQ.Rc; ICQ. rC + ICQ.Rc =
Vcc + 0.6
I CQ = (Vcc + 0.6) / (rC + Rc). Comprobamos si la I CQ calculada nos sirve, y para
ello calculamos el VCEQ por medio de la ecuacin 3. Teniendo I CQ y VCEQ calculamos los Pp, si nos
dan iguales nos sirve la ICQ. (No olvidar que hay que trabajar con tres decimales para que nos den
iguales). Para este problema solo tenemos que calcular la R E por medio de la siguiente ecuacin:
RE=(Vcc 0.6) ICQ y procedemos a calcular los dems parmetros que pide el problema.

4.CASO DE REDISEO
Amplificador de emisor comn con resistencia de emisor parcialmente desacoplada, con
resistencia de emisor dividida. (Ver figura 10). Con este rediseo es muy similar al anterior pues su
condiccinfundamental es ICQ.RET =VEE 0.6 lo que cambia es el Vp pues para esta clase de
amplificador el Vp = VCEQ. rC / (rC +rE). Por lo tanto Vp+ = Vp ICQ.rC = VCEQ . rC / (rC + rE),
ICQ. (rC + rE) = VCEQ EC. 1.Observando la figura 10 hacemos la malla para hallar el V CEQ.
Vcc + ICQ.Rc+VCEQ+ICQ.RET - VEE=0 VCEQ = Vcc + VEEICQ.Rc ICQ.RET. Cambiamos la ICQ.RET
Por (Vcc0.6), y la reemplazamos en VCEQ=Vcc+VEEICQRc(VEE 0.6)=Vcc+VEICQRc VEE + 0.6
VCEQ = Vcc + 0.6 ICQ.Rc.Mirando la EC.1, tenemos: ICQ (rC + rE)= Vcc + 0.6 ICQ RETICQ(rC + rE) +
ICQRc = Vcc + 0.6 ICQ = (Vcc + 0.6) /(rC + rE + Rc)=.
Una vez calculada la ICQse halla el VCEQ por medio de la ecuacin 3. Con la I CQ y el VCEQcalculado,
procedo a calcular los Pppor el pico positivo y por el pico negativo y me deben dar iguales para
que pueda utilizar la ICQcalculada. No olvidar trabajar las cantidades con tres decimales para que
haya una mejor aproximacin a la igualdad de los Pp. Si los Pp no son iguales, se debe recalcular
para encontrar una nueva ICQy que los Pp nos de iguales. Una vez comprobada la I CQ procedo a
calcular la RET y luego la RE, de donde: RET = (Vcc 0.6) / ICQ =; y RE=RET-rE=, como es la nica
resistencia que hay que calcular, porque solo hay que mirar siR Bcumple con la condicin de que la
RB10K, si no cumple,le daremos un valor entre 10K y 18K. Luego pasaremos a calcular los
dems parmetros que pide el problema.

PROBLEMAS EJEMPLO
1. Redisese el amplificador de la figura 11 para obtener la mxima excursin posible de salida
de ac en le carga y luego calcular: Av, AirealRL, Aprealen Rc, PDQ, PL( MAX), IS, PS, y Vo.

Vp+= Vp. Partimos ICQ. (rC+ rE) = VCEQ. Hacemos la malla para hallar VCEQ.VCEQ=Vcc+VEE ICQRc
ICQRET=.Si la C.F. es ICQRET=VEE0.6 VCEQ =Vcc+VEEICQRc(VEE .6);VCEQ=Vcc+VEE ICQRcVEE +
0.6 VCEQ=Vcc+0,6 ICQRc ICQ. (rC + rE) =Vcc + 0.6 - ICQRc ICQ. (rC + rE) + ICQ.Rc = Vcc + 0.6
ICQ =(Vcc + 0.6) / (rC + rE+ Rc)=; sirC =6K // 3K = 2K;
ICQ= (8 + 0.6 ) / ( 2K + 6k + 100 ) =
1,061mA; VCEQ = 8 + 0.6 1.061mA.6K = 2,229V;
Pp =2 x1,061
mAX2K=4,244V; Pp =2x2,229x2K /( 2K+100 ) =4.245V; RET = (6 - 0.6) /1.061mA = RET =5089,538;
RE=5089,538 100 = 4989,538; re=25mv /1,061mA=23,562; Av =-2K / ( 23, 562 + 100)=16,186; Vo = Av . Vin= Vin=Vf.Zin/(Zin+Rf)=; Zin=RB//Zin(BASE) Zin(BASE)=200(23,56+100)=
Zin(BASE)=24,712K; Zin = 18K // 24,712K = 10.414,38
Vin = 180mv.10.414,309
/ ( 3K + 10.414,309)=139,744mv;Vo =139,744mv*16,186 =2.261V;iRL= Vo / RL =;
iRL=2.261/3K=; iRL=753.968A; iRc=Vo/Rc=(2.261/ 6K)=376.984A;

if=(180mV-

139,744mV)/3K=13.418A; AirealRL=753.968A/13.418A= AirealRL=56,19; AirealRc=iRc/if=376,984A

/ 13.418A=28.095;
Avreal = Vo/VF= 12.561; AprealRc = AirealRc.Avreal = 28,095.12.561=
AprealRc =352.901; PDQ = 1.061mA x 2.229V = 2.364 mw; la Is=ICQ= ICQ= 1.061mA, y la Ps = Is.
(Vcc+VEE)= 1.061mAx(8+8) = 16.976mw;
PL(MAX) = (4.244)2/8x3K=750,48W;
=(750,48W / 16.976 mW) x 100 = 4.42% y el Vo = 2.261V
2. Redisese el amplificador de la figura 12 para tener la excursin mxima posible de salida de
ac.Si el =200: calcular: Av, Ai real en RC, Ap real en RL, PDQ, PL (MAX), IS, PS, y Vo.
Vp+ = Vp
ICQ.rC = VCEQ.rC / (rC + rE) ICQ (rc + rE) = VCEQ VCEQ = Vcc + VEE ICQRc ICQ RET. Si la C.F. es VE
= 1 / 6 Vcc, Pero el VEno ser igual a ICQ.RET, sino que se toma de la siguiente malla:VEE+ ICQ
RET+VE= 0; y despejamos la ICQ RET para sustituirla en la formula de VCEQ VECQ = VCC + VEE
ICQRc (VEE - VE) VECQ = VCC + VEE ICQRc VEE + VE =; VECQ = VCC+VE ICQRc ICQ(rc+
rE)=Vcc+ VE ICQRc; ICQ (rc + rE)+ICQRc =Vcc+ VEICQ= Vcc + VE / (rc+rE+Rc)=; VE =(1/6) x12=
2V;rc =8K // 4K= 2666,666; ICQ=(12+2)/(2.666K+50+8K)=1.306ma; VECQ=12+21.306mA.8K
=3.548V; Pp=2x1.306mAx2.666K= Pp== 6.965V; Pp= 2x3,548x2,666K / (2,666K+50)=
6,965V;RET=(32)/1.306mA=RET=765,696RE=765,69650=715.696;re=19,142; IB
=1.306mA/200=6.53A; I1=11x6.53A=71.83A I2 =10 x6.53A= 65.3A; V2 =ICQxRET + 0.6 = VEE VE + 0.6 =; V2 = 3 2+0.6=1.6V;V1=13.4V;R1=13.4/ 71,83A = 186551.58; R2 = 1.6 / 65.3A =
24.502,29;Zin (BASE) = 200 (19.142 + 50) Zin (BASE) = 13828.4; Zin = 186551,58 //

24502,29 //13828.4 =8439.679 Vin=(200mvx8439,679)(1.2K+8439.679) = 175.102mv Av =

-2.666K/ (19.142+50) = -38.567 Vo = (-38,567)x 175,102mv =-6.753V; iRc = 6.753/ 8K =
844.125A iRL= 6.753/4K =1.688mA if=(VfVin)/Rf=20,748A; AirealRC =
iRc/if=844,125A/20.748A=40,684; AirealRL= 81,368Avreal=Vo/Vf=-6.753/200mv=-33.765
AprealRL=AvrealxAirealRL=33.765x81.357=2747,39
PL(MAX)=(6,965)2/8x4K=1,515 mwIS =
71.83A + 1.306mA = 1.3778mA ;
Ps = Is (Vcc + VEE) = Ps = 1.3778mA ( 12 + 3 ) =
20.667mw;=1.515mwx100 / 20.667mw=7,33% y el Vo =- 6,753V.
3. Redisese el amplificador de la figura 13 para obtener el punto Q optimo. Si el =200 calcular:
Av, Ai real en RL y Ap real en RC, PDQ, PL (max), Is, Ps, y el Vo.Vp+ = Vp ICQrc=VCEQ; Vcc+ ICQ
RC +VCEQ +ICQ.REVEE=0; VCEQ = Vcc + VEEICQ.Rc ICQ.RE.La C.F. es
RE = Rc = 2K VCEQ =Vcc + VEE -ICQ.Rc - ICQ. Rc; VCEQ =Vcc +
VEE 5/4ICQ.Rc; ICQ rc=Vcc+VEE-5/4ICQ.Rc;ICQ
rc+5/4ICQ.Rc=Vcc+VEEICQ =Vcc + VEE / (rc + 5/4 Rc) ICQ = (9+3) /
((24/11)K+(5/4) 8K)=;ICQ = 985.074ma; VCEQ =( 9+3) 985.074 A x
10K = 2.149V Pp = 2x 985.074 A x 24/11 K =4,298V;
Pp=2x2,149=4,298V;
r e=25 mv/985.074A=25.378; Av =
rc / re=(24K/11)/25.378=Av = 85.972;
IB=985.074A/200=4,925A; I1=54,179A;I2= 49,253A; V2 = VBE+ICQ.RE=;V2 =0.6+985.074A.2K
=2,57V; V1=122,57=9,43V; R1=9,43/54,179A=174.052,677; R2=2,57V/49.253A=52.179,562;
Zin(BASE) = 200x25,378 = Zin(BASE) = 5075,6; Zin = 174052,67 // 52179,562// 5,075K=; Zin =
4505,904;Vin=20mV x4505,904/(4505,904+500)=18,002mV;Vo =18,002mV x(
85,972)=1,547V;AirealRc=iRc/if;iRc=1.547/8K=193.375A;
iRL=1.547/3K=515.666A;iF=(20mA18mA)/500=3,996a;AiRC=193.375A/3.996A= 48.392
AirealRL=515.666A/3,996A=129,045; Avreal =77.35 ; AprealRc=Avreal.AirealRc=AprealRc= (77.35)
(48,392)=3743,121;PDQ=985.074A.2,15=2,117mw; PL(Mx)=769,7w;
IS=54.179A+985.074A=1.039mA; Ps = (9+3).1.039mA= 12.468mw; = 6,173% y el Vo
=1,547V.
4.Redisee el amplificador de la figura 14. Para obtener el punto Q ptimo y una mxima
excursin posible de salida de a.c. en la carga. Calcular: AV, Ai real Rc, Ap real R L, PDQ, PLMAX,Is,
Ps, y Vo.Si el =200.
Vp+ = Vp. ICQrc = VCEQ y VCEQ = Vcc + VEE - ICQRc - ICQRE=;La C.F.
es:ICQRE=VEE0.6=; VCEQ =Vcc+VEE-ICQRc (VEE - 0.6 ) VCEQ
=Vcc+VEE -ICQRc VEE +0.6 =; VCEQ = Vcc + 0.6 - ICQRc
ICQrc=Vcc+0,6-ICQ.RcICQ.rc+ICQ.Rc=Vcc+0,6=;ICQ=(Vcc+0,6)/
(rc+Rc)ICQ =(6 +0,6) / (4444,444 + 8K)= 530,357 A;
rc=8K//10K=4444,444; VCE=(6+0.6)530,357A.8K=2,357v;
Pp=2x530,357A.40/9K=4,714v Pp=2x2,357=4,714v; RE=(6
0,6)/530,357A=10181,82; re=25mv/530,357A=47,138; Av= 4444,444/47,138= 94,285ZinBASE=200x47,138=9427,6;Zin=15K//9427,6=5789,107;Vin=20mvx5789,107/
(5789,107+500)=18,409 mv;Vo =18,409mv(- 4,285)=1,735V; iRc=1,735/8k=
216,875A;iRL=1,735V/10k=173,569A;if=(20mv18,409mv)/500=3,182a;
Avreal=1,735/20mv=86,75; AirealRc=216,875A/3,182A=68,156;AirealRL=173.5a / 3,182A =
AirealRL=54,525; AprealRL = (86,75x54,525= =4730,043; PDQ = 2,357vx530,357A=1,25mw
PL(MAX)=(4,714)2 / 8x10K=277,772w Is = ICQ = 530,357A Ps = (6+6)x 530,357A = 6,364mw
= (277,772 w / 6,364mw) x100 = 4,364% y el Vo = 1,735v.

PROBLEMAS SOBRE AMPLIFICADORES CLASE A PARA ENTREGAR EL DIA DEL SEGUNDO PREVI0
PROBLEMAS PARA PRACTICAR LA TEORIA VISTA
Los problemas los irn resolviendo a medida que vayamos viendo los temas:
1.- Redisese el amplificador de la figura 1, 3, 5 y 7 para tener la excursin mxima posible de salida de ac.Si el
=200 calcular: Av, Aireal en RC, Apreal en RL, PDQ, PL(MAX), IS, PS, y Vo.

2 .- Redisese el amplificador de la figura 2, 4, 6 y 8 para tener la excursin mxima posible de salida de ac.Si el
=200 calcular: Av, Aireal en RL, Apreal en RC, PDQ, PL(MAX), IS, PS, y Vo.