UNIVERSIDAD NACIONAL

MAYOR DE SAN MARCOS

(Universidad

del Per, Decana de Amrica)

FACULTAD DE INGENIERA ELECTRNICA Y ELECTRCA

AMPLIFICACIN
Curso

Laboratorio de Circuitos Elctronicos I

Integrantes: KEVIN OSORIO MIRANDA

201

10190082

TRANSISTOR
El transistor es un dispositivo electrnico semiconductor que cumple
funciones de amplificador, oscilador, conmutador o rectificador. El trmino
"transistor" es la contraccin en ingls de transfer resistor ("resistencia de
transferencia"). Actualmente se los encuentra prcticamente en todos los
enseres domsticos de uso diario: radios, televisores, grabadores,
reproductores de audio y vdeo, hornos de microondas, lavarropas
automticos, automviles, equipos de refrigeracin, alarmas, relojes de
cuarzo, computadoras, calculadoras, impresoras, lmparas fluorecentes,
equipos de rayos X, tomgrafos, ecgrafos, reproductores mp3, celulares,
etc.
El transistor bipolar es el ms comn de los transistores, y como los
diodos, puede ser de germanio o silicio. Existen dos tipos transistores: el
NPN y el PNP, y la direccin del flujo de la corriente en cada caso, lo indica
la flecha que se ve en el grfico de cada tipo de transistor. El transistor es
un dispositivo de 3 patillas con los siguientes nombres: base (B), colector
(C) y emisor (E), coincidiendo siempre, el emisor, con la patilla que tiene la
flecha
en
el
grfico
de
transistor.

Transistor NPN

Transistor PNP

El transistor es un amplificador de corriente, esto quiere decir que si le

introducimos una cantidad de corriente por una de sus patillas (base), el
entregar por otra (emisor) , una cantidad mayor a sta, en un factor que
se
llama
amplificacin.
Este factor se
llama b (beta) y es un
dato propio de
cada transistor.

Entonces:
- Ic (corriente que pasa por la patilla colector) es igual a b (factor de
amplificacin) por Ib (corriente que pasa por la patilla base).
- Ic = * Ib
- Ie (corriente que pasa por la patilla emisor) es del mismo valor que Ic,

slo que, la corriente en un caso entra al transistor y en el otro caso sale

de el, o viceversa.

Segn la frmula anterior las corrientes no dependen del voltaje que

alimenta el circuito (Vcc), pero en la realidad si lo hace y la corriente Ib
cambia ligeramente cuando se cambia Vcc. Ver figura.

Regiones
operativas del transistor:
-Regin
de corte: Un transistor esta
en corte
cuando:
corriente
de colector = corriente de
emisor = 0, (Ic = Ie = 0). En este caso el voltaje entre el colector y el
emisor del transistor es el voltaje de alimentacin del circuito (como no hay
corriente circulando, no hay cada de voltaje, ver Ley de Ohm). Este caso
normalmente se presenta cuando la corriente de base = 0 (Ib =0)
-Regin de saturacin: Un transistor est saturado cuando:
corriente de colector = corriente de emisor = corriente mxima, (Ic = Ie = I
mxima)
En este caso la magnitud de la corriente depende del voltaje de
alimentacin del circuito y de las resistencias conectadas en el colector o el
emisor o en ambos, ver ley de Ohm.
Este caso normalmente se presenta cuando la corriente de base es lo
suficientemente grande como para inducir una corriente de colector veces
ms grande. (recordar que Ic = * Ib)
-Regin activa: Cuando un transistor no est ni en su regin de saturacin
ni en la regin de corte entonces est en una regin intermedia, la regin
activa. En esta regin la corriente de colector (Ic) depende principalmente
de la corriente de base (Ib), de (ganancia de corriente de un amplificador,
es un dato del fabricante) y de las resistencias que hayan conectadas en el
colector y emisor). Esta regin es la mas importante si lo que se desea es
utilizar el transistor como un amplificador.
Configuraciones: Hay tres tipos de configuraciones tpicas en los
amplificadores con transistores, cada una de ellas con caractersticas
especiales que las hacen mejor para cierto tipo de aplicacin. y se dice que
el transistor no est conduciendo. Normalmente este caso se presenta
cuando no hay corriente de base (Ib = 0)
- Emisor comn - Colector comn - Base comn

JFET
En los transistores bipolares, una pequea corriente de entrada (corriente de base) controla la
corriente de salida (corriente de colector); en los casos de los FET, es un pequeo voltaje de
entrada que controla la corriente de salida.
La corriente que circula en la entrada es generalmente despreciable (menos de un pico amperio).
Esto es una gran ventaja, cuando la seal proviene de un dispositivo tal como un micrfono de
condensador o un transductor piezo elctrico, los cuales proporcionan corrientes insignificantes.
Los FETs, bsicamente son de dos tipos:
El transistor de efecto de campo de Juntura o JFET.
El transistor de efecto de campo con compuerta aislada o IGFET, tambin conocido como
semiconductor de xido de metal, MOS, o simplemente MOSFET.
CIRCUITO EQUIVALENTE FET DE AC
El circuito equivalente de ac para un FET se ilustra en la figura. Aqu se muestra solo el dispositivo
FET con un voltaje de entrada de ac, Vgs.

El modelo de ac, o circuito equivalente de ac, nicamente para el dispositivo FET, consiste en una
fuente de corriente controlada por voltaje entre los terminales de Drenaje y de Fuente, que
depende del valor gm del dispositivo y del voltaje de ac de entrada Vgs, y una resistencia de ac del
dispositivo entre los terminales de drenaje a fuente con valor de rd (resistencia de ac de salida).

EL AMPLIFICADOR FUENTE COMUN CS:

Ganancia de Voltaje
La ganancia de voltaje de un amplificador FET puede obtenerse del circuito equivalente de ac. Del
circuito equivalentes de ac se puede observar que:
VO = - (gm.Vgs)(RD||rd)
AV = VO/Vi = [- (gm.Vgs)(RD||rd)]/Vgs
AV = - gm.(RD||rd)
Si el valor de la resistencia del dispositivo, rd, es mucho mayor que la resistencia del circuito, RD,
la ecuacin para la ganancia de voltaje es casi igual a :

AV = - gm.RD
MOSFET

Modos de operacin[
La operacin de un transistor MOSFET se puede dividir en tres diferentes regiones de operacin,
dependiendo de las tensiones en sus terminales. En la presente discusin se utiliza un modelo
algebraico que es vlido para las tecnologas bsicas antiguas, y se incluye aqu con fines
didcticos. En los MOSFET modernos se requieren modelos computacionales que exhiben un
comportamiento mucho ms complejo.
Para un transistor NMOS de enriquecimiento se tienen las siguientes regiones:
Cuando VGS < Vth
en donde Vth es la tensin de umbral del transistor
De acuerdo con el modelo bsico del transistor, en esta regin el dispositivo se encuentra apagado.
No hay conduccin entre el surtidor y el drenador, de modo que el MOSFET se comporta como un
interruptor abierto.
Un modelo ms exacto considera el efecto de la energa trmica descrita por la distribucin de
Boltzmann para las energas de los electrones, en donde se permite que los electrones con alta
energa presentes en el surtidor ingresen al canal y fluyan hacia el drenador. Esto ocasiona una
corriente de subumbral, que es una funcin exponencial de la tensin entre compuerta-surtidor. La
corriente de subumbral est descrita aproximadamente por la siguiente expresin:

en donde ID0 es la corriente que existe cuando VGS = Vth,

VT = kT/q es el voltaje trmico,
n = 1 + CD/COX
en donde CD es la capacitancia de la regin de agotamiento, y
COX es la capacitancia de la capa de xido
Cuando VGS > Vth y VDS < ( VGS Vth )
Al polarizarse la puerta con una tensin mayor que la tensin de umbral, se crea una regin de
agotamiento en la regin que separa la fuente y el drenador. Si esta tensin crece lo suficiente,
aparecern portadores minoritarios (huecos en PMOS, electrones en NMOS) en la regin de
agotamiento, que darn lugar a un canal de conduccin. El transistor pasa entonces a estado de
conduccin, de modo que una diferencia de potencial entre fuente y drenador dar lugar a una
corriente. El transistor se comporta como una resistencia controlada por la tensin de compuerta.

La corriente entre el drenador y el surtidor es modelada por medio de la ecuacin:

donde

es la movilidad efectiva de los portadores de carga,

es el ancho de compuerta,
es la longitud de compuerta y
es la capacitancia del xido por unidad de rea.

Saturacin
Cuando VGS > Vth y VDS > ( VGS Vth )
Cuando la tensin entre drenador y fuente supera cierto lmite, el canal de conduccin bajo
la puerta sufre un estrangulamiento en las cercanas del drenador y desaparece. La
corriente entre fuente y drenador no se interrumpe, ya que es debido al campo elctrico
entre ambos, pero se hace independiente de la diferencia de potencial entre ambos
terminales.
En esta regin la corriente de drenador se modela con la siguiente ecuacin:

Estas ecuaciones son un modelo sencillo de funcionamiento de los transistores MOSFET, pero no
tienen en cuenta un buen nmero de efectos de segundo orden, como por ejemplo:

Saturacin de velocidad: La relacin entre la tensin de puerta y la corriente de drenador no crece

cuadrticamente en transistores de canal corto.
Efecto cuerpo o efecto sustrato: La tensin entre fuente y sustrato modifica la tensin umbral que
da lugar al canal de conduccin
Modulacin de longitud de canal.

SIMULACION

R3
R1

RD1

20k

200

RC

2k
B

C3

RD2

R5

600

2k

8k

B1

C6

12V

C5
4.7uF

4.7uF

Q2

C1

2N3819

+6.48

Q3

Volts

2N2222A

1k

mV

Volts

R2
10k

RS1

C2

600

4.7uF

R01

R4

1k

8k

R6

-3.86

Volts

2k

Volts

RE
400

C4

FM

2N7000 +7.54
Volts

R03
1k

+0.70

4.7uF

AM

R02
1k

-0.21

R0

-2.69

Q1
2

+1.58
Volts

4.7uF

4.7uF

+1.72
Volts

RS2

C7

400

4.7uF

CONCLUSIONES

Se puede concluir que el amplificador, posee un buen rendimiento

tanto en bajas frecuencias, como en altas frecuencias, haciendo
que este sea lo suficientemente comercial
Concluyo que el amplificador diseado, se posee una impedancia
de salida muy alta, con una corriente de base pequea, lo que
hace que las ganacias de voltaje que se pueden obtener con el
amplificador sin que se sature el transistor son muy altas