Instituto Tecnolgico de Oaxaca

Fsica de Semiconductores

Fsica de los semiconductores

Ing. Electrnica

Garcia Muoz Marcos Eucario

Porras Garcia Cesar Alfonso
Garcia Martnez Roberto
Porras Garcia Edgar Antonio
Martnez Gmez Lenin
Jernimo Ros Carlos Alberto
Ing. Castellanos Baltazar Roberto Tamar

Grupo: E1B

3 Semestre

Bases de la fsica de los semiconductores

Todos los cuerpos o elementos qumicos existentes en la naturaleza poseen caractersticas diferentes,
agrupadas. Desde el punto de vista elctrico, todos los cuerpos simples o compuestos formados por
esos elementos se pueden dividir en tres amplias categoras:

Conductores

Aislantes

Semiconductores

Como sabemos existen materiales capaces de conducir la corriente elctrica mejor que otros.
Generalizando, se dice que los materiales que presentan poca resistencia al paso de la corriente
elctrica son conductores. Analgicamente, los que ofrecen mucha resistencia al paso de esta, son
llamados aislantes. No existe el aislante perfecto y prcticamente tampoco el conductor perfecto. Existe
un tercer grupo de materiales denominados semiconductores que, como su nombre lo indica, conducen
la corriente bajo ciertas condiciones. Son materiales que ocupan una oposicin intermedia entre los
aislantes y los conductores. Los primeros poseen muy pocas cargas mviles y, en consecuencia,
presentan una resistencia muy alta al paso de la corriente (idealmente una resistencia infinita). La
resistencia elctrica que presentan los segundos es muy baja (idealmente cero) debido a su riqueza en
dichas cargas. Los semiconductores suelen ser aislantes a cero grados Kelvin, y permiten el paso de
corriente a la temperatura ambiente. Esta capacidad de conducir corriente puede ser controlada
mediante la introduccin en el material de tomos diferentes al del semiconductor,
denominados impurezas. Cuando un semiconductor posee impurezas se dice que
est dopado. Dependiendo de la capacidad de conducir corriente, los
semiconductores se clasifican en:
INTRNSECOS: cuando se encuentra en estado puro, o sea, que no contiene
ninguna impureza, ni tomos de otro tipo dentro de su estructura. En ese caso, la cantidad de huecos
que dejan los electrones en la banda de valencia al atravesar la banda prohibida ser igual a la cantidad
de electrones libres que se encuentran presentes en la banda de conduccin.
EXTRINSECOS: Un semiconductor extrnseco es aquel en el que se han introducido pequeas cantidades
de una impureza con el objeto de aumentar la conductividad elctrica del material
a la temperatura ambiente: Hay dos tipos dependiendo de tipo de impureza
tengan; SEMICONDUCTOR EXTRINSECO TIPO N: Son los que estn dopados, con
elementos pentavalentes,). Que sean elementos pentavalentes, quiere decir que
tienen cinco electrones en la ltima capa, lo que hace que al formarse la estructura
cristalina, un electrn quede fuera de ningn enlace covalente, quedndose en un
nivel superior al de los otros cuatro, SEMICONDUCTOR EXTRINSECO TIPO P: En este
caso son los que estn dopados con elementos trivalentes, El hecho de ser trivalentes, hace que a la
hora de formar la estructura cristalina, dejen una vacante con un nivel energtico ligeramente superior
al de la banda de valencia, pues no existe el cuarto electrn que lo rellenara.
Lo

que

diferencia

cada

grupo

es

su

estructura

atmica.

Los

conductores

son,

generalmente, metales esto se debe a que dichos poseen pocos tomos en sus ltimas rbitas y, por lo
tanto, tienen tendencia a perderlos con facilidad. De esta forma, cuando varios tomos de un metal, se

acercan los electrones de su ltima rbita se desprenden y circulan desordenadamente entre una
verdadera red de tomos. Este hecho (libertad de los electrones) favorece en gran medida el paso de la
corriente elctrica. El elemento semiconductor ms usado es el silicio, el segundo el germanio.

Los "semiconductores" como el silicio (Si), el germanio (Ge) y el selenio (Se), por ejemplo, constituyen
elementos que poseen caractersticas intermedias entre los cuerpos conductores y los aislantes, por lo
que no se consideran ni una cosa, ni la otra. Sin embargo, bajo determinadas condiciones esos mismos
elementos permiten la circulacin de la corriente elctrica en un sentido, pero no en el sentido
contrario. Esa propiedad se utiliza para rectificar corriente alterna, detectar seales de radio, amplificar
seales de corriente elctrica, funcionar como interruptores o compuertas utilizadas en electrnica
digital, etc.
Los semiconductores son materiales cuya conductividad vara con la temperatura, pudiendo
comportarse como conductores o como aislantes. Para conseguir esto, se introducen tomos de otros
elementos en el semiconductor. Estos tomos se llaman impurezas y tras su introduccin, el material
semiconductor presenta una conductividad controlable elctricamente. Existen dos tipos de impurezas,
las P y las N, que cambian la conductividad del silicio y determinan el tipo de cristal a fabricar. Por tanto,
como hay dos tipos de impurezas habr dos tipos fundamentales de cristales,
cristales de impurezas P y cristales de impurezas tipo N. El Material tipo
N es un material con impurezas "Donadoras", sus impurezas son
pentavalentes. Como los electrones superan a los huecos en un
semiconductor tipo n, reciben el nombre de "portadores mayoritarios",
mientras que a los huecos se les denomina "portadores minoritarios". Al aplicar una corriente al
semiconductor, los electrones libres dentro del semiconductor se mueven hacia la izquierda y los
huecos lo hacen hacia la derecha. Cuando un hueco llega al extremo
derecho del cristal, uno de los electrones del circuito externo entra al
semiconductor y se recombina con el hueco. Los electrones libres circulan
hacia el extremo izquierdo del material semiconductor o cristal, donde
entran al conductor y fluyen hacia el positivo de la batera. El
Material tipo P es un el material con impurezas "Aceptoras", que
son impurezas trivalentes. Como el nmero de huecos supera el
nmero de electrones libres, los huecos son los portadores
mayoritarios y los electrones libres son los minoritarios. Al aplicarse
una tensin, los electrones libres se mueven hacia la izquierda y los
huecos lo hacen hacia la derecha. Los huecos que llegan al extremo
derecho del cristal se recombinan con los electrones libres del circuito externo. En el circuito hay
tambin un flujo de portadores minoritarios. Los electrones libres dentro del semiconductor circulan de
derecha a izquierda. Como hay muy pocos portadores minoritarios, su efecto es casi despreciable en
este circuito.
En una unin entre un semiconductor P y uno N, a temperatura ambiente, los huecos de la zona P pasan
por difusin hacia la zona N y viceversa. En la zona de la unin, huecos y electrones se recombinan,
quedando una estrecha zona de transicin con una distribucin de carga debida a la presencia de los
iones de las impurezas y a la ausencia de huecos y electrones. Este movimiento de portadores de carga
tiene un doble efecto. Centrmonos en la regin de la zona P cercana a la unin: El electrn que pasa la

unin se recombina con un hueco. Aparece una carga negativa, ya que antes de que llegara el electrn
la carga total era nula. Al pasar el hueco de la zona P a la zona N, provoca un defecto de carga positiva
en la zona P, con lo que tambin aparece una carga negativa. El mismo razonamiento, aunque con
signos opuestos puede realizarse para la zona N. En consecuencia, a ambos lados de la unin se va
creando una zona de carga, que es positiva en la zona N y negativa en la zona P.
Zona P: Semiconductora, con una resistencia Rp.
Zona N: Semiconductora, con una resistencia Rn.
Zona de agotamiento: No es conductora, puesto que no posee
portadores de carga libres. En ella acta un campo elctrico, o bien
entre los extremos acta una barrera de potencial.

Al combinarse los tomos de Silicio para formar un slido, lo hacen formando

una estructura ordenada llamada cristal. Esto se debe a los "Enlaces
Covalentes", que son las uniones entre tomos que se hacen compartiendo
electrones de tal forma que se crea un equilibrio de fuerzas que mantiene
unidos los tomos de Silicio. Cada tomo de silicio comparte sus 4 electrones
de valencia con los tomos vecinos, de tal manera que tiene 8 electrones en la
rbita de valencia. La fuerza del enlace covalente es tan grande porque son 8
los electrones que quedan con cada tomo,
gracias a esta caracterstica los enlaces
covalentes son de una gran solidez. Los 8
electrones de valencia se llaman electrones ligados por estar unidos en
los
tomos.
La temperatura hace que los tomos en un cristal de silicio vibren dentro
de
l, a mayor temperatura mayor ser la vibracin. Con lo que un electrn
se
puede liberar de su rbita, lo que deja un hueco, y ese hueco atraer otro
electrn. A 0 K, todos los electrones son ligados y a 300 K o ms,
aparecen electrones libres. Esta unin de un electrn libre y un hueco se
llama "recombinacin", y el tiempo entre la creacin y desaparicin de un
electrn libre se denomina "tiempo de vida". Enlace covalente roto: Es cuando tenemos un hueco, esto
es una generacin de pares electrn libre-hueco.
Enlace covalente roto: Es cuando tenemos un hueco, esto es una generacin de pares electrn librehueco. Segn un convenio ampliamente aceptado tomaremos la
direccin de la corriente como contraria a la direccin de los electrones
libres.
Para determinar el nivel de energa en el que se encuentran los
electrones podemos considerar la teora de bandas. En esta teora se
consideran que los orbitales atmicos de valencia de los N tomos de
litio estarn formando enlace metlico se combinan entre s para dar
unos orbitales moleculares pertenecientes a todo el cristal, y con energas muy semejantes entre s. Se
obtendrn tantos orbitales moleculares como orbitales atmicos se combinen la banda formado por los
orbitales 2S semi llenos se le denomina banda de valencia y a la banda vaca formada por los orbitales
2P se le llama banda de conduccin. Los metales son conductores porque las bandas de valencia y de

conduccin se superponen y hace que los electrones se muevan con facilidad de una a otra. En el caso
de los semiconductores las bandas de valencia de conduccin no se superponen pero la diferencia
energtica entre ambas es pequea por lo que una pequea aportacin de energa para que puedan
proporcionar electrones a la banda de conduccin por tanto conducir corriente elctrica. En los
aislantes, por su parte las bandas de valencia estn alejadas de la banda de conduccin, esto hace que
la banda de conduccin sea inaccesible por lo que no pueden conducir corriente elctrica.
Para determinar el nivel de energa utilizamos el nivel de fermi que nos
dice el nivel de fermi es un trmino
utilizado para describir la parte
superior del conjunto de niveles de
energa
de
electrones
a
la
temperatura de cero absoluto. Los
electrones son fermiones y por el principio
de exclusin de Pauli no pueden existir en
estados de energa idnticas, la energa de fermi nos ayuda a comprender las propiedades fsicas
elctricas trmicas de los slidos, el nivel de fermi nos proporciona informacin sobre las velocidades de
los electrones que participan en la conduccin elctrica ordinaria.