20/5/2015

LECCIN26:DIODOSDECUATROCAPAS

201419ElectronicaBasica

LECCIN26:DIODOSDECUATROCAPAS
El diodo de cuatro capas o diodo Shockley es un dispositivo compuesto por cuatro capas
semiconductores npnp, cuya estructura y smbolo se describen en la figuras 161a y 161b.
Esencialmente es un dispositivo interruptor. Al aplicar un tensin positiva entre nodo y ctodo se
puedeobservarquelauninJ1yJ3estapolarizadaendirecta,ylauninJ2polarizadaeninversa.
En estas condiciones nicamente circula una corriente muy baja (despreciable) y el dispositivo se
encuentra cortado. Aumentando esta tensin positiva se llega a una tensin VBO de ruptura o
avalancha donde la corriente crece de forma abrupta y la cada de tensin decrece de la misma
manera.Enestemomento,eldiodohaconmutadodesdeelestadodebloqueoaconduccin.

Figura161.Diododecuatrocapas:a)Estructura,b)smbolo,c)estructuraequivalenteyd)modelode
conduccin.
Una manera sencilla de entender el funcionamiento de este diodo consiste en separar su estructura
fsicaendosmitades(figura161a).LamitadizquierdaesuntransistorNPNylamitadderechaPNP,
resultandoelcircuitomostradoenlafigura161dquenormalmenteesreferidocomocandado.

Figura162.Caractersticastensin/corrientedeldiododecuatrocapas.

Lascaractersticaselctricasdeundiododecuatrocapassemuestranenlagraficadelafigura162.
Enestagrafica,sepuedenidentificardoszonasycuatroregionesdeoperacin:
1.Zonadirecta(V>0)
1.a)Regindecorte.
Eldiodoseencuentraencorteconunascorrientesmuybajas.Enestareginsepuedemodelarcomo
unaresistenciaROFFdevalor:

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1.b)Reginderesistencianegativa.
Cuandolatensinentrenodoyctodoessuficientementealtaseproducelarupturadelaunincon
unincrementomuyelevadoencorrientecomportndoseeldiodocomosifueraunaresistencia
negativadebidoalarealimentacinpositivadesuestructura.
1.c)Regindesaturacinoconduccin.
En esta regin, la cada de tensin entre nodo y ctodo est comprendida entre 0.5V y 1.5 V,
prcticamente independiente de la corriente. Se mantendr en este estado siempre que la tensin y
corrientealcancenunosvaloresmnimosconocidoscomonivelesdemantenimientodefinidosporVHe
IH.
2.Zonainversa(V<0)
2.a)Reginderuptura.
El diodo puede soportar una tensin mxima inversa VRSM que superado ese valor entra en
conduccindebidoafenmenosderupturaporavalancha.

ELSIDAC
ElSIDACesundispositivobilateraldedisparodealtatensinycorriente.Esbsicamenteundiodode
cuatrocapasconunascaractersticaselctricassimtricas.Enlafigura163asedescribesuestructura
fsica, en la figura No. 163b el smbolo de este dispositivo y en la figura 163c sus caractersticas
elctricassimtricas.
El SIDAC se utiliza en aquellas aplicaciones que se necesitan una tensin de disparo VBO cuyos
valoresestncomprendidosentre120Vy270V(tpicos).

Figura163.SIDAC:a)estructurafsica,b)smboloyc)caractersticasIV.

ElMKP3V120deMotorolaesunejemplotpicodeunSIDAC,conunacorrientemximade1Ayuna
tensin de ruptura de VBO=120 V (pertenece a la serie MKP3VXXX en donde las tres ltimas cifras
definenlaVBO).
Enlafigura164seindicansuscaractersticasIVenestadodeconduccin.Enestecaso,latensin
nodoctodo es aproximadamente ~1.1V prcticamente independiente de la corriente. Una de las
aplicacionesmstpicasdelSIDACescomogeneradordedientedesierraendondeseaprovechalas
caractersticasdedisparoybloqueodeestedispositivo.

Figura164.CaractersticasIVenconduccindelMKP3V120.
En la figura 165a se presenta el esquema de este circuito basado en el MKP3V120. Las principales
caractersticasdeestedispositivoson:VTVH=1.1V,IH=100mA(mx.),VBO=120V(typ),IBO=200pA
(mx.).
En la figura 165b se muestra la forma de onda de Vo que se asemeja a un diente de sierra. El
funcionamiento del circuito es el siguiente. El condensador se carga a travs de R cuando el SIDAC
estcortado.Enestascondiciones,eldispositivosecomportacomounaresistenciaROffdevalor

Esta resistencia es tan elevada que a efectos prcticos se puede considerar como despreciable. La
ecuacin del carga del condensador parte de una tensin inicial VH (VH=1.1V), correspondiente a la
tensindemantenimientodelSIDAC,hastalatensinfinalVCC(VCC=200V).Estaecuacines
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LatensinVo(t)evolucionadeformaexponencialtalcomosemuestraenlafigura165b.Esteproceso
decargadelcondensadorfinalizaracuandoelSIDACentreenconduccin,situacinqueseproduce
cuandolatensinVo(t)alcancelatensinderuptura,esdecir,elprocesodecargadurarauntiempoto
correspondientealtiempoquetardaVo(t)entomarelvalorVBO,esdecir:
Vo(tto)=VBO=120V.
Estetiempoestdefinidoporlasiguienteecuacin

Figura165.a)SIDACcomogeneradordedientedesierra.b)FormadeondadeVo.

EnelmomentoqueentraenconduccinelSIDAC,estedescargarpidamenteelcondensadorChasta
sutensindemantenimiento(VH).Eldispositivoestarpermanentementeeneseestadosiempreque
seasegurelacorrientedemantenimientoIHde100mA.

Peroenestecircuito,lacorrientequecirculaporResmenorquelacorrientedemantenimiento,luego
el SIDAC pasara a estado de corte de forma natural permitiendo que el condensador se cargue
nuevamente a travs de R y se repita el proceso indefinidamente. Si se desea que el SIDAC
permanezca en conduccin permanente con Vo = VH es preciso asegurar la corriente de
mantenimiento,paralocuallaresistenciaRtienequesermenorqueelvalordelaresistenciacritica
obtenidoporlasiguienteexpresin

AcontinuacinunejemplodelahojacaractersticadeunSIDAC:

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ELSBS

ElSBSoSiliconBidirectionalSwitchesundispositivodebajapotenciasimtricoparaaplicacionesde
disparo ms verstil que el SIDAC. Tiene adems un terminal adicional (gate o G) que permite
modificar sus caractersticas de disparo con pequeos pulsos de corriente (decenas de A). Su
reducido coste, alta velocidad y capacidad para disparar puertas de tiristores con altos valores de
corrientehacequeestedispositivoseamuytilenmuchasaplicaciones.ELSBSnoessolamenteun
versin mejorada del diodo de cuatro capas, sino que es fabricado como un circuito integrado
constituidoportransistores,diodosyresistencias.Lafigura166amuestrasusmbolo,lafigura166bsu
estructura a nivel circuital y la figura 166c sus caractersticas I V. El MBS4991 de Motorola es un
ejemplotpicodeunSBSsimtrico.Susparmetroscaractersticosdeacuerdoalagraficadelafigura
166cson:VS=8V,IS=175A,|H=0.7mAyVF=1.4V El disparo de este dispositivo se puede realizar
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biensuperandolatensinVSobienaplicandounacorrientedepuertaIGf=100A.

Figura166.SBS:a)smbolo,b)circuitoequivalenteyc)CurvacaractersticaIV

AcontinuacinunejemplodelahojacaractersticadeunSBS:

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