Bases de la fsica de los semiconductores

Todos los cuerpos o elementos qumicos existentes en la naturaleza poseen caractersticas diferentes, agrupadas. Desde el punto
de vista elctrico, todos los cuerpos simples o compuestos formados por esos elementos se pueden dividir en tres amplias
categoras:

Conductores
Aislantes
Semiconductores

Como sabemos existen materiales capaces de conducir la corriente elctrica mejor que otros. Generalizando, se dice que
los materiales que presentan poca resistencia al paso de la corriente elctrica son conductores. Analgicamente, los que ofrecen
mucha resistencia al paso de esta, son llamados aislantes. No existe el aislante perfecto y prcticamente tampoco el conductor
perfecto. Existe un tercer grupo de materiales denominados semiconductores que, como su nombre lo indica, conducen la
corriente bajo ciertas condiciones. Son materiales que ocupan una oposicin intermedia entre los aislantes y los conductores. Los
primeros poseen muy pocas cargas mviles y, en consecuencia, presentan una resistencia muy alta al paso de la corriente
(idealmente una resistencia infinita). La resistencia elctrica que presentan los segundos es muy baja (idealmente cero) debido a
su riqueza en dichas cargas. Los semiconductores suelen ser aislantes a cero grados Kelvin, y permiten el paso de corriente a la
temperatura ambiente. Esta capacidad de conducir corriente puede ser controlada mediante la introduccin en el material de
tomos diferentes al del semiconductor, denominados impurezas. Cuando un semiconductor posee impurezas se dice que est
dopado. Dependiendo de la capacidad de conducir corriente, los semiconductores se clasifican en:
INTRNSECOS: cuando se encuentra en estado puro, o sea, que no contiene ninguna impureza, ni tomos
de otro tipo dentro de su estructura. En ese caso, la cantidad de huecos que dejan los electrones en la
banda de valencia al atravesar la banda prohibida ser igual a la cantidad de electrones libres que se
encuentran presentes en la banda de conduccin.
EXTRINSECOS: Un semiconductor extrnseco es aquel en el que se han introducido pequeas cantidades de una impureza con el
objeto de aumentar la conductividad elctrica del material a la temperatura ambiente: Hay dos tipos
dependiendo de tipo de impureza tengan; SEMICONDUCTOR EXTRINSECO TIPO N: Son los que estn
dopados, con elementos pentavalentes,). Que sean elementos pentavalentes, quiere decir que tienen
cinco electrones en la ltima capa, lo que hace que al formarse la estructura cristalina, un electrn quede
fuera de ningn enlace covalente, quedndose en un nivel superior al de los otros cuatro,
SEMICONDUCTOR EXTRINSECO TIPO P: En este caso son los que estn dopados con elementos
trivalentes, El hecho de ser trivalentes, hace que a la hora de formar la estructura cristalina, dejen una
vacante con un nivel energtico ligeramente superior al de la banda de valencia, pues no existe el cuarto electrn que lo rellenara.
Lo que diferencia a cada grupo es su estructura atmica. Los conductores son, generalmente, metales esto se debe a que dichos
poseen pocos tomos en sus ltimas rbitas y, por lo tanto, tienen tendencia a perderlos con facilidad. De esta forma, cuando
varios tomos de un metal, se acercan los electrones de su ltima rbita se desprenden y circulan desordenadamente entre una
verdadera red de tomos. Este hecho (libertad de los electrones) favorece en gran medida el paso de la corriente elctrica. El
elemento semiconductor ms usado es el silicio, el segundo el germanio.

Los "semiconductores" como el silicio (Si), el germanio (Ge) y el selenio (Se), por ejemplo, constituyen elementos que poseen
caractersticas intermedias entre los cuerpos conductores y los aislantes, por lo que no se consideran ni una cosa, ni la otra. Sin
embargo, bajo determinadas condiciones esos mismos elementos permiten la circulacin de la corriente elctrica en un sentido,
pero no en el sentido contrario. Esa propiedad se utiliza para rectificar corriente alterna, detectar seales de radio, amplificar
seales de corriente elctrica, funcionar como interruptores o compuertas utilizadas en electrnica digital, etc.
Los semiconductores son materiales cuya conductividad vara con la temperatura, pudiendo comportarse como conductores o
como aislantes. Para conseguir esto, se introducen tomos de otros elementos en el semiconductor. Estos tomos se llaman
impurezas y tras su introduccin, el material semiconductor presenta una conductividad controlable elctricamente. Existen dos
tipos de impurezas, las P y las N, que cambian la conductividad del silicio y determinan el tipo de cristal a fabricar. Por tanto, como
hay dos tipos de impurezas habr dos tipos fundamentales de cristales, cristales de impurezas P y cristales de impurezas tipo N. El
Material tipo N es un material con impurezas "Donadoras", sus impurezas son pentavalentes.
Como los electrones superan a los huecos en un semiconductor tipo n, reciben el nombre de
"portadores mayoritarios", mientras que a los huecos se les denomina "portadores minoritarios".
Al aplicar una corriente al semiconductor, los electrones libres dentro del semiconductor se
mueven hacia la izquierda y los huecos lo hacen hacia la derecha. Cuando un hueco llega al
extremo derecho del cristal, uno de los electrones del circuito externo entra al semiconductor y se recombina con el hueco. Los
electrones libres circulan hacia el extremo izquierdo del material semiconductor o cristal, donde
entran al conductor y fluyen hacia el positivo de la batera. El Material tipo P es un el material
con impurezas "Aceptoras", que son impurezas trivalentes. Como el nmero de huecos supera
el nmero de electrones libres, los huecos son los portadores mayoritarios y los electrones libres
son los minoritarios. Al aplicarse una tensin, los electrones libres se mueven hacia la izquierda
y los huecos lo hacen hacia la derecha. Los huecos que llegan al extremo derecho del cristal se recombinan con los electrones libres
del circuito externo. En el circuito hay tambin un flujo de portadores minoritarios. Los electrones libres dentro del semiconductor
circulan de derecha a izquierda. Como hay muy pocos portadores minoritarios, su efecto es casi despreciable en este circuito.
En una unin entre un semiconductor P y uno N, a temperatura ambiente, los huecos de la zona P pasan por difusin hacia la zona
N y viceversa. En la zona de la unin, huecos y electrones se recombinan, quedando una
estrecha zona de transicin con una distribucin de carga debida a la presencia de los
iones de las impurezas y a la ausencia de huecos y electrones. Este movimiento de
portadores de carga tiene un doble efecto. Centrmonos en la regin de la zona P cercana
a la unin: El electrn que pasa la unin se recombina con un hueco. Aparece una carga
negativa, ya que antes de que llegara el electrn la
carga total era nula. Al pasar el hueco de la zona P
a la zona N, provoca un defecto de
carga positiva en la zona P, con lo que tambin
aparece una carga negativa. El mismo
razonamiento, aunque con signos opuestos puede
realizarse para la zona N. En
consecuencia, a ambos lados de la unin se va
creando una zona de carga, que es
positiva en la zona N y negativa en la zona P.
Zona P: Semiconductora, con una resistencia Rp.
Zona N: Semiconductora, con una resistencia Rn.
Zona de agotamiento: No es conductora, puesto que no posee portadores de carga libres. En ella acta un campo elctrico, o bien
entre los extremos acta una barrera de potencial.

Al combinarse los tomos de Silicio para formar un slido, lo hacen formando una estructura
ordenada llamada cristal. Esto se debe a los "Enlaces Covalentes", que son las uniones entre tomos
que se hacen compartiendo electrones de tal forma que se crea un equilibrio de fuerzas que
mantiene unidos los tomos de Silicio. Cada tomo de silicio comparte sus 4 electrones de valencia
con los tomos vecinos, de tal manera que tiene 8 electrones en la rbita de valencia. La fuerza del
enlace covalente es tan grande porque son 8 los electrones que quedan con cada tomo, gracias a
esta caracterstica los enlaces covalentes son de una gran solidez. Los 8 electrones de valencia se
llaman electrones ligados por estar unidos en los tomos.
La temperatura hace que los tomos en un cristal de silicio
vibren dentro de l, a mayor temperatura mayor ser la vibracin. Con lo que un electrn se
puede liberar de su rbita, lo que deja un hueco, y ese hueco atraer otro electrn. A 0 K,
todos los electrones son ligados y a 300 K o ms, aparecen electrones libres. Esta unin de
un electrn libre y un hueco se llama "recombinacin", y el tiempo entre la creacin y
desaparicin de un electrn libre se denomina "tiempo de vida". Enlace covalente roto: Es
cuando tenemos un hueco, esto es una generacin de pares electrn libre-hueco.
Enlace covalente roto: Es cuando tenemos un hueco, esto es una generacin de pares
electrn libre-hueco. Segn un convenio ampliamente aceptado tomaremos la direccin
de la corriente como contraria a la direccin de los electrones libres.
Para determinar el nivel de energa en el que se encuentran los electrones podemos
considerar la teora de bandas. En esta teora se consideran que los orbitales atmicos de
valencia de los N tomos de litio estarn formando enlace metlico se combinan entre s
para dar unos orbitales moleculares pertenecientes a todo el cristal, y con energas muy
semejantes entre s. Se obtendrn tantos orbitales moleculares como orbitales atmicos se combinen la banda formado por los
orbitales 2S semi llenos se le denomina banda de valencia y a la banda vaca formada por los orbitales 2P se le llama banda de
conduccin. Los metales son conductores porque las bandas de valencia y de conduccin
se superponen y hace que los electrones se muevan con facilidad de una a otra. En el
caso de los semiconductores las bandas de valencia de conduccin no se superponen
pero la diferencia energtica entre ambas es pequea por lo que una pequea
aportacin de energa para que puedan proporcionar electrones a la banda de
conduccin por tanto conducir corriente elctrica. En los aislantes, por su parte las
bandas de valencia estn alejadas de la banda de conduccin, esto hace que la banda de
conduccin sea inaccesible por lo que no pueden conducir corriente elctrica.
Para determinar el nivel de energa utilizamos el nivel de fermi que nos dice el nivel de fermi es un trmino utilizado para describir
la parte superior del conjunto de niveles de energa de electrones a la temperatura
de cero absoluto. Los electrones son fermiones y por el principio de exclusin de
Pauli no pueden existir en estados de energa idnticas, la energa de fermi nos
ayuda a comprender las propiedades fsicas elctricas trmicas de los slidos, el
nivel de fermi nos proporciona informacin sobre las velocidades de los electrones
que participan en la conduccin elctrica ordinaria.