Actividad 5.

- Transistores de potencia
Se denominan tiristores a todos aquellos componentes semiconductores
con dos estados estables cuyo funcionamiento se basa en la
realimentacin regenerativa de una estructura PNPN. Existen varios
tipos dentro de esta familia, de los cuales el ms empleado con mucha
diferencia es el rectificador controlado de silicio (SCR), por lo que suele
aplicrsele el nombre genrico de tiristor.
Es un componente con dos terminales principales, nodo y ctodo y uno
auxiliar para disparo o puerta. Se puede decir que se comporta como un
diodo rectificador con iniciacin de la conduccin controlada por la
puerta: como rectificador, la conduccin no es posible en sentido
inverso, pero s en sentido directo. Sin embargo, a diferencia de los
diodos, el tiristor no conduce en sentido directo hasta que no se aplica
un pulso de corriente por el terminal de puerta. El instante de
conmutacin (paso de corte de conduccin), puede ser controlado con
toda precisin actuando sobre el terminal de puerta, por lo que es
posible gobernar a voluntad el paso de intensidades por el elemento, lo
que hace que el tiristor sea un componente idneo en Electrnica de
Potencia, ya que es un conmutador casi ideal, rectificador y amplificador
a la vez.
En la siguiente figura se pueden apreciar el smbolo, estructura y
esquema equivalente del tiristor de potencia.

Tipos de tiristores

SCR (Silicon-Controlled Rectifier)

Funciona a la frecuencia de lnea y se apagan por conmutacin natural.

Control de compuerta. Corriente para activacin sin control de apagado.

Caracterstica de control. Activacin con una seal de pulso apagado con
conmutacin natural.

Ventajas. Activacin sencilla, dispositivo de la ganancia de activacin en

muy alta. Bajo costo, alto voltaje, alta corriente.
Frecuencia. Baja 60 Hz.
Voltaje. 1.5 kV, 0.1MVA.
BCT (Bidireccional Fhase-Controlled Thyristors)
Es un dispositivo nico que combina las ventajas de tener dos tiristores
en un encapsulado.

Control de compuerta. Dos compuertas; corriente para activacin, sin

control de apagado.
Caracterstica de control. Activacin con una seal de pulso. Apagado
con conmutacin natural.
Ventajas. Igual que los SCR controlados por fase, excepto que tienen dos
compuertas y la corriente puede pasar en ambas direcciones. Combina
dos SCR espalda con espalda en un solo dispositivo.
Desventajas. Similar a los SCR controlados por fase.
Frecuencia. Baja 60 Hz.
Voltaje. 6.5 kV, 1.5 kA, 0.1 MVA.
Corriente. 3 kA, 1.8 kV, 0.1 MVA.

LASCR (Light-Activated Sillicon-Controlled Rectifier)

Enciende por irradiacin directa, con luz, de la oblea de silicio.

Control de compuerta. Seal luminosa para activar. Sin control de

apagado.
Caractersticas de control. Activacin con una seal de pulso. Apagado
con conmutacin natural.
Ventajas. Parecidas a los SCR controlados por fase, excepto que la
compuerta est aislada y se puede operar a control remoto.
Desventajas. Parecidos a los SCR controlados por fase.
Frecuencia. Baja 60 Hz.
TRIAC (Tiristores de trodo bidimensional)
Puede conducir en ambas direcciones y se usa para control por fase.

Control de compuerta. Corriente para activacin sin control de apagado.

Caracterstica de control. Activacin aplicando un pulso de seal a la
compuerta para flujo de corriente en ambas direcciones. Apagado con
conmutacin natural.
Ventajas. Igual que los SCR (Fase) excepto que la corriente puede pasar
en ambas direcciones, tiene una compuerta para activar en ambas
direcciones.
Desventajas. Parecidos a los SCR (fase), excepto para aplicaciones de
baja potencia.
Frecuencia. Baja 60 Hz.
GTO (Tiristores apagados por compuerta)
Enciente aplicando una seal positiva a la compuerta pero puede abrirse
con una seal negativa de compuerta.

Control de compuerta. Corriente para control de activacin y apagado.

Caractersticas de control. Activacin con una seal positiva en la
compuerta, apagado con un pulso negativo.
Ventajas. Parecidos a los tiristores de apagado rpido, excepto que se
puede apagar con un pulso negativo.

Desventajas. La ganancia en apagado es baja, requiere una gran

corriente de compuerta en estado encendido. Hay una larga cola de
corriente durante el apagado. Dispositivo de retencin que requiere una
corriente mnima en la compuerta para mantener un estado de
encendido.
Frecuencia. Intermedia 5kHz.
MTO (MOS Turn-Off)
Requiere un circuito de encendido con grandes pulsos de corriente, para
la compuerta de baja impedancia.
Control de compuerta. Dos compuertas, control tanto para encendido y
apagado. Pulso de corriente para activacin, seal de voltaje para
apagado.
Caractersticas de control. Encendido con un pulso positivo de corriente
a la compuerta de encendido. Apagado con un voltaje positivo a la
compuerta de apagado de MOS que apaga el dispositivo.
Ventajas. Parecida las de los GTO excepto que se puede encender por la
compuerta normal y apagar por la compuerta de MOSFET.
Desventajas. Parecidas a las de los GTO, tiene una larga cola de
corriente durante el apagado.
Frecuencia. Intermedia 5 kHz.
Voltaje. 10 kV, 20 MVA, 4.5 kV, 500 A.
Corriente. 4 kA, 20 MVA.
ETO (Emiter Turn-Off)
Dispositivo hibrido de MOS y GTO.

Control de compuerta. Dos compuertas; control tanto de encendido

como de apagado.
Caractersticas de control. Encendido con pulso positivo de corriente a la
compuerta de encendido y un pulso positivo de voltaje a la compuerta
de apagado del MOS. Apagado con un pulso negativo de voltaje a la
compuerta de apagado del MOS.
Ventajas. Debido al MOS en serie, la corriente de transferencia a la
regin catdica es rpida y el apagado es rpido, el MOSFET en serie
debe conducir las corrientes principal y andica.
Desventajas. En forma parecida a los GT tiene una larga cola de
corriente durante el apagado. El MOSFET en serie debe conducir la
corriente principal andica y aumenta la cada de voltaje en estado
encendido en 0.3 - 0.5 V, as como las cadas por conduccin.
Frecuencia. Intermedia 5 kHz.
IGCT (Integrated Gate-Commutated Thyristor)
Tiristor conmutado por compuerta y un activador por compuerta en
tarjeta de circuido impreso multicapa.

Control de compuerta. Dos compuertas; control tanto para activacin

como para apagado.
Caractersticas de control. Se enciende con un pulso positivo de
corriente a la compuerta de encendido, se apaga aplicando una
corriente negativa de subida rpida de una tarjeta de circuito impreso de
varias capas en la compuerta.
Ventajas. Como un GTO de conexin permanente, apagado muy rpido
debido al aumento rpido de corriente que es grande en la compuerta
de apagado, bajo consumo de compuerta de apagado puede tener un
diodo anti paralelo incorporado.

Desventajas. Parecidas a los otros dispositivos GTO, la inductancia de la

activacin de compuertas y del lazo del ctodo deben tener un valor
muy pequeo.
Frecuencia. Intermedia 5kHz.
Voltaje. 5 kV, 400 A.

MCT (MOS Controlled Thyristor)

Se combinan las propiedades de un tiristor regenerativo de 4 capas y
una estructura de compuerta de MOS.

Estructura MCT.
Control de compuerta. Dos compuertas; control tanto para encendido
como para apagado.

Caractersticas de control. Se enciende en el MCT de canal p con un

voltaje negativo con respecto al nodo, y se apaga con un voltaje
positivo.
Ventajas. La potencia en encendido y apagado es muy pequea, el
tiempo de retardo es pequeo y como tiristor de retencin tiene baja
cada de voltaje en estado encendido.
Desventajas. Tiene el potencial de ser un tiristor de apagado casi
definitivo, pocas prdidas en estado encendido y por conmutacin y alta
velocidad de conmutacin para aplicaciones del en convertidores de alta
frecuencia.
Frecuencia. Intermedia 5 kHz.
SITH (Static Induction Thyristor)
Control de compuerta. Una compuerta; control tanto para encendido
como para apagado.
Caracterstica de control. Se enciende aplicando un voltaje positivo de
encendido, y se apaga con un voltaje negativo de compuerta.
Ventajas. Dispositivo de portadores minoritarios. Baja resistencia o cada
de voltaje en estado encendido. Velocidades altas de conmutacin y
capacidades para dv/di di/dt altas.
Desventajas. Controlado por campo, requiere voltaje continuo en la
compuerta. Muy sensible al proceso y pequeas perturbaciones en el
proceso de manufactura producen cambios en el dispositivo.
Frecuencia. Alta 100 kHz.
Voltaje. 2500 V.