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Los conductores son los elementos que transmiten o llevan el fluido elctrico. Se
emplea en las instalaciones o circuitos elctricos para unir el generador con el
receptor
o Clasificacin de conductores:
+ Hilo o alambre: Es un conductor constituido por un nico alambre macizo.
+ Cordn: Es un conductor constituido por varios hilos unidos elctricamente
arrollados helicoidalmente alrededor de uno o varios hilos centrales.
+ Cable: Es un conductor formado por uno o varios hilos o cordones aislado
elctricamente entre s.
Segn el nmero de conductores aislados que lleva un cable se denomina unipolar,
si lleva uno solo; bipolar, si lleva dos hilos; tripolar, tres; tetrapolar, pentapolar,
multipolar
Los cables son canalizados en las instalaciones mediante tubos para protegerlos de
agentes externos como los golpes, la humedad, la corrosin, etc.
DOPAJE
Se denomina dopaje al proceso intencional de agregar impurezas en un
semiconductor extremadamente puro (tambin referido como intrnseco) con el fin
de cambiar sus propiedades elctricas.
Hueco de electrn
ELECTRONES
El electrn (del griego clsico , mbar), comnmente representado por el
smbolo: e, es una partcula subatmica con una carga elctrica
elemental negativa.12 Un electrn no tiene componentes o subestructura conocidos,
en otras palabras, generalmente se define como unapartcula elemental.2 Tiene una
masa que es aproximadamente 1836 veces menor con respecto a la del
protn.13 El momento angular (espn) intrnseco del electrn es un valor semientero
en unidades de , lo que significa que es un fermin. Su antipartcula es
denominada positrn: es idntica excepto por el hecho de que tiene cargas entre
ellas, la elctrica de signo opuesto. Cuando un electrn colisiona con un positrn,
las dos partculas pueden resultar totalmente aniquiladas y
producir fotones de rayos gamma.
Los electrones, que pertenecen a la primera generacin de la familia de partculas
de los leptones,14 participan en las interacciones fundamentales, tales como
la gravedad, el electromagnetismo y la fuerza nuclear dbil.15 Como toda la
materia, posee propiedades mecnico-cunticas tanto de partculas como de ondas,
de tal manera que pueden colisionar con otras partculas y pueden
ser difractadas como la luz. Esta dualidad se demuestra de una mejor manera en
experimentos con electrones a causa de su nfima masa. Como los electrones son
fermiones, dos de ellos no pueden ocupar el mismo estado cuntico, segn
el principio de exclusin de Pauli.14
El concepto de una cantidad indivisible de carga elctrica fue teorizado para
explicar las propiedades qumicas de los tomos, el primero en trabajarlo fue el
filsofo naturalista britnico Richard Laming en 1838.4 El nombre electrn para
esta carga fue introducido el 1894 por el fsico irlands George Johnstone Stoney.
Sin embargo, el electrn no fue identificado como una partcula hasta 1897
por Joseph John Thomson y su equipo de fsicos britnicos.6 16 17
En muchos fenmenos fsicos tales como la electricidad, el magnetismo o
la conductividad trmica los electrones tienen un papel esencial. Un electrn que
se mueve en relacin a un observador genera un campo elctrico y es desviado por
campos magnticos externos. Cuando se acelera un electrn, puede absorber o
radiar energa en forma de fotones. Los electrones, junto con ncleos atmicos
formados de protones yneutrones, conforman los tomos, sin embargo, los
electrones contribuyen con menos de un 0,06% a la masa total de los mismos. La
Material P
Se denomina unin P-N a la estructura fundamental de los componentes
electrnicos comnmente denominados semiconductores, principalmente diodos y
transistores BJT. Est formada por la unin metalrgica de dos cristales,
generalmente de Silicio (Si), aunque tambin se fabrican de Germanio (Ge), de
naturalezas P y N segn su composicin a nivel atmico. Estos tipos de cristal se
obtienen al dopar cristales de metal puro intencionadamente con impurezas,
normalmente con algn otro metal o compuesto qumico.
Silicio "extrnseco" tipo "P"
Un Semiconductor tipo P se obtiene llevando a cabo un proceso de dopado,
sustituyndole algunos de los tomos de un semiconductor intrnseco por tomos
con menos electrones de valencia que el semiconductor anfitrin, normalmente
trivalente, es decir con 3 electrones en la capa de valencia (normalmente boro), al
semiconductor para poder aumentar el nmero de portadores de carga libres (en
este caso positivos, huecos).
Cuando el material dopante es aadido, ste libera los electrones ms dbilmente
vinculados de los tomos del semiconductor. Este agente dopante es tambin
conocido como impurezas aceptoras.
El propsito del dopaje tipo P es el de crear abundancia de huecos. En el caso del
silicio, una impureza trivalente deja un enlace covalente incompleto, haciendo que,
por difusin, uno de los tomos vecinos le ceda un electrn completando as sus
cuatro enlaces. As los dopantes crean los "huecos". Cada hueco est asociado con
un ion cercano cargado negativamente, por lo que el semiconductor se mantiene
elctricamente neutro en general. No obstante, cuando cada hueco se ha
desplazado por la red, un protn del tomo situado en la posicin del hueco se ve
MATERIALES DE TIPO P Y N
Se les llama semiconductores de tipo P a los semiconductores contaminados con
impurezas aceptoras. Las impurezas aceptoras son aquellas que agregan un hueco
en el material. Estas son impurezas con 3electrones en su rbita de valencia. Al
tener solo 3 electrones queda una unin incompleta dejando un hueco para que un
electrn libre pueda tomar ese lugar. Este material es de tipo P debido a que la
conduccin elctrica se produce debido a su gran nmero de huecos(portadores
mayoritarios). Comparados con los electrones los huecos tienen polaridad
positiva.Los semiconductores tipo N son aquellos a los que se le agregan impurezas
donoras (que donan un electrn). Estas impurezas suelen tener 5 electrones. De
estos 5 electrones 4 formaran una unin con los tomos vecinos y 1 quedara libre.
De esta forma este material contiene un mayor nmero de electrones libres
comparados con los huecos libres. Este material es de tipo N debido a que la
conduccin elctrica se produce debido a su gran nmero de electrones
(Portadores mayoritarios) de polaridad negativa.En ambos casos la conduccin se
hace por medio de los electrones perose puede decir que en el material tipo P la
conduccin se produce por elmovimiento de huecos ya que los electrones se
desprenden de una unindejando un hueco para pasar a otro.
SU USO EN ELECTRNICA
El material semiconductor (silicio o germanio) tiene 4 electrones en su ltima
rbita. Con fines electrnicos se contamina estos materiales con impurezas del tipo
N electrones y tipo P protones.Esto se hace para poder utilizar los semiconductores
como elemento
Unin PN
Se denomina unin PN a la estructura fundamental de los componentes
electrnicos comnmente denominados semiconductores,
principalmente diodos y transistores BJT. Est formada por la unin metalrgica
de dos cristales, generalmente de Silicio (Si), aunque tambin se fabrican
de Germanio (Ge), de naturalezas P y N segn su composicin a nivel atmico.
Estos tipos de cristal se obtienen al dopar cristales de metal puro
intencionadamente con impurezas, normalmente con algn otro metal o compuesto
qumico.
Unin P-N
Semiconductores intrnsecos
En un cristal de Silicio o Germanio que forma una estructura tetradrica similar a
la del carbono mediante enlaces covalentes entre sus tomos, en la figura
representados en el plano por simplicidad. Cuando el cristal se encuentra a
temperatura ambiente algunos electrones pueden absorber la energa necesaria
para saltar a la banda de conduccin dejando el correspondiente hueco en
la banda de valencia (1). Las energas requeridas, a temperatura ambiente, son de
1,12 eV y 0,67 eV para el silicio y el germanio respectivamente.
Obviamente el proceso inverso tambin se produce, de modo que los electrones
pueden caer, desde el estado energtico correspondiente a la banda de conduccin,
a un hueco en la banda de valencia liberando energa. A este fenmeno de
singadera extrema se le denomina recombinacin. Sucede que, a una determinada
temperatura, las velocidades de creacin de pares e-h, y de recombinacin se
igualan, de modo que la concentracin global de electrones y huecos permanece
constante. Siendo "n" la concentracin de electrones (cargas negativas) y "p" la
concentracin de huecos (cargas positivas), se cumple que:
ni = n = p
siendo ni la concentracin intrnseca del semiconductor, funcin exclusiva de la
temperatura y del tipo de elemento.
Ejemplos de valores de ni a temperatura ambiente (27c):
ni(Si) = 1.5 1010cm-3
ni(Ge) = 1.73 1013cm-3
Los electrones y los huecos reciben el nombre de portadores. En los
semiconductores, ambos tipos de portadores contribuyen al paso de la
corriente elctrica. Si se somete el cristal a una diferencia de potencial
se producen dos corrientes elctricas. Por un lado la debida al
movimiento de los electrones libres de la banda de conduccin, y por
otro, la debida al desplazamiento de los electrones en la banda de
valencia, que tendern a saltar a los huecos prximos (2), originando
una corriente de huecos con 4 capas ideales y en la direccin contraria
al campo elctrico cuya velocidad y magnitud es muy inferior a la de la
banda de conduccin.
[editar]Semiconductores extrnsecos
Si a un semiconductor intrnseco, como el anterior, se le aade un
pequeo porcentaje de impurezas, es decir, elementos trivalentes o
pentavalentes, el semiconductor se denomina extrnseco, y se dice que
est dopado. Evidentemente, las impurezas debern formar parte de la
estructura cristalina sustituyendo al correspondiente tomo de silicio.
Hoy en dia se han logrado aadir impurezas de una parte por cada 10
millones, logrando con ello una modificacin del material.
[editar]Semiconductor tipo N
Un Semiconductor tipo N se obtiene llevando a cabo un proceso
de dopado aadiendo un cierto tipo de tomos al semiconductor para
poder aumentar el nmero de portadores de carga libres (en este caso
negativos o electrones).
Cuando se aade el material dopante, aporta sus electrones ms
dbilmente vinculados a los tomos del semiconductor. Este tipo de
agente dopante es tambin conocido como material donante, ya que da
algunos de sus electrones.
El propsito del dopaje tipo n es el de producir abundancia de
electrones portadores en el material. Para ayudar a entender cmo se
produce el dopaje tipo n considrese el caso del silicio (Si). Los tomos
del silicio tienen una valencia atmica de cuatro, por lo que se forma
un enlace covalente con cada uno de los tomos de silicio adyacentes. Si
un tomo con cinco electrones de valencia, tales como los del grupo 15
de la tabla peridica (ej. fsforo (P), arsnico (As) o antimonio (Sb)), se
incorpora a la red cristalina en el lugar de un tomo de silicio, entonces
ese tomo tendr cuatro enlaces covalentes y un electrn no enlazado.
Este electrn extra da como resultado la formacin de "electrones
libres", el nmero de electrones en el material supera ampliamente el
nmero de huecos, en ese caso los electrones son los portadores
mayoritarios y los huecos son los portadores minoritarios. A causa de que
los tomos con cinco electrones de valencia tienen un electrn extra que
"dar", son llamados tomos donadores. Ntese que cada electrn libre
en el semiconductor nunca est lejos de un ion dopante positivo
inmvil, y el material dopadotipo N generalmente tiene una carga
elctrica neta final de cero.
[editar]Semiconductor tipo P
Un Semiconductor tipo P se obtiene llevando a cabo un proceso
de dopado, aadiendo un cierto tipo de tomos al semiconductor para
poder aumentar el nmero de portadores de carga libres (en este caso
positivos o huecos).
Banda de valencia
Banda de conduccin
En semiconductores y aislantes, la banda de conduccin es el intervalo
de energas electrnicas que, estando por encima de la banda de valencia, permite
a los electrones sufrir aceleracionespor la presencia de un campo elctrico externo
y, por tanto, permite la presencia de corrientes elctricas. Los electrones de un
semiconductor pueden alcanzar esta banda cuando reciben suficiente energa,
generalmente debido a la excitacin trmica.
Teora de bandas
diferencia de energa entre cada uno de ellos tan pequea que se puede considerar
como si los niveles de energa conjunta formaran bandas continuas ms que niveles
de energa como ocurre en los tomos aislados. Sin embargo, debido a que algunos
intervalos de energa no contienen orbitales, independiente del nmero de tomos
agregados, se crean ciertas brechas energticas entre las diferentes bandas.
Dentro de una banda los niveles de energa son tan numerosos que tienden a
considerarse continuos si se cumplen dos hechos:
1. Si la separacin entre niveles de energa en un slido es comparable con la
energa que los electrones constantemente intercambian en fotones;
2. Si dicha energa es comparable con la incertidumbre energtica debido
al principio de incertidumbre de Heisenberg, para periodos relativamente largos
de tiempo.
[editar]Bandas de energa
La banda de valencia (BV): est ocupada por los electrones de valencia de los
tomos, es decir, aquellos electrones que se encuentran en la ltima capa o nivel
energtico de los tomos. Los electrones de valencia son los que forman los
enlaces entre los tomos, pero no intervienen en la conduccin elctrica.