Universit de Cergy-Pontoise. Master 1 Physique. Cellules Photovoltaques.

CELLULES PHOTOVOLTAIQUES.
Etude et comparaison de deux types de cellules.

B. AMANA, Ch. RICHTER et O. HECKMANN

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La manipulation a pour but l'tude du fonctionnement des cellules

photovoltaques et la comparaison des performances de deux types de
cellules : une cellule au silicium mono-cristallin et une cellule au silicium
amorphe (7 cellules montes en srie).

I-THEORIE.
Seul sera considr pour exposer le principe de fonctionnement d'une cellule
photovoltaque, le cas des cellules base de silicium cristallin. La structure
lectronique d'un semi-conducteur est reprsente sur la figure I-1.

Bande de Conduction
Ec

de
Ban

rdit
e
t
n
I

Bande de Valence

Ef
Ev

Figure I-1

I-1 Niveaux d'nergie d'un semi-conducteur.

A l'tat fondamental (T= 0 K) tous les lectrons de la couche M du silicium se
trouvent dans la bande de valence BV. La formation d'une bande rsulte de
l'interaction par rsonance des 4 tats d'hybridation sp3 des N atomes Si de
tout l'chantillon. La largeur totale de la bande de valence est d'une dizaine
d'eV. Vu le trs grand nombre d'tats qu'elle renferme, on peut la considrer
comme un quasi continuum. L'nergie du bord suprieur de la BV est note Ev.
Le nombre d'tats d'nergie comprise entre E et E+dE est donn par N(E).dE
o N(E) est la densit d'tats pour l'nergie E.

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La bande de conduction BC reprsente le premier tat excit (tats anti-liants
des lectrons formant les liaisons Si-Si). Elle est vide 0 K. Sa limite infrieure
est note Ec. La rgion comprise entre les bandes BV et BC s'appelle bande
interdite, elle ne contient aucun tat susceptible de recevoir un lectron. Pour
le silicium cristallin sa largeur est de 1,08 eV. A T 0, un certain nombre
d'lectrons sont excits thermiquement de BV vers BC. Pour une temprature
donne T, la rpartition des lectrons est rgie par la statistique de Fermi-Dirac
f (E ) qui donne la probabilit pour qu'un tat d'nergie E soit occup :

f (E ) =

1
1 +e

(1)

EE F
kT

EF est un paramtre (homogne une nergie) appel niveau de Fermi et qui

se trouve dans la bande interdite. La figure I-2 montre la forme de la fonction
f (E ) . A la temprature T, le nombre d'lectrons n dans la BC est donn par :
n = N( E) f ( E)dE

(2)

BC

On montre que l'on peut crire une relation de la forme :

n = f (Ec )N (Ec )

(3)

o N(Ec) dfinit une densit d'tats effective dans la bande de conduction.

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Energie

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Ec
Ef
Ev

0,5

f
Figure I-2
Aux n lectrons excits dans BC correspond un nombre gal p de trous (ou
dfauts d'lectrons) dans BV.
Si l'on applique une tension V aux bornes de l'chantillon, on observe un
courant qui correspond une conductivit donne par :
= q(nn + p p )

(4)

o q est la charge de l'lectron et n et p sont respectivement les mobilits

respectives des lectrons dans BC et des trous dans BV.
Remarque:
Les units gnralement utilises dans les problmes de semi-conducteurs
sont donnes ci-dessous :

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- l'nergie s'exprime en lectronvolts (1 eV=1,610-19 joule)
- la densit d'tats N(E) s'exprime en eV-1cm-3
- la densit d'tats effective N(Ec) s'exprime en cm-3
- la concentration n en lectrons dans BC et la concentration p en
trous dans BV s'expriment en cm-3

I-2 Dopage
Si l'on introduit dans le rseau de silicium des atomes pentavalents tels que le
phosphore ou l'arsenic, ils se placent en site de substitution.
Quatre lectrons sont utiliss pour les liaisons avec les Si voisins, le cinquime
est trs peu li et a une trs grande probabilit d'tre excit vers BC. On a du
silicium dop n. La rpartition des lectrons est encore rgie par la fonction de
Fermi mais cette fois EF est situe dans la moiti suprieure de la bande
interdite ainsi que le montre la figure I-3a. Les niveaux lectroniques
correspondant aux atomes d'impuret sont situs dans la bande interdite et
trs proches de Ec. Il y a un nombre gal de charges positives sur les atomes
donneurs (P ou As) et d'lectrons dans la bande de conduction.
Si l'on introduit des atomes trivalents (bore), il manque maintenant un lectron
pour former les quatre liaisons autour de l'impuret. Un lectron sera excit
depuis BV pour combler cette lacune et il reste un trou dans BV. La statistique
des trous est aussi rgie par la fonction de Fermi, E F est alors dans la moiti
infrieure de la bande interdite (figure I-3b).

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Niveau donneur

Ec

Ec
Ef

Ef
Niveau donneur

Ev

b
s em i-conducteur dop p

s em i-conducteur dop n

Ev

Figure I-3

I-3 Eclairement par une source lumineuse.

Si un semi-conducteur est clair avec des photons d'nergie suprieure la
largeur de la bande interdite, ces photons sont absorbs et il en rsulte
l'excitation d'un certain nombre d'lectrons de BV vers BC. Il reste des trous p
dans BV. Mais rien ne permet de sparer les paires lectron-trou ainsi
formes, leur recombinaison est trs rapide. On ne peut pas recueillir d'nergie
lectrique de cette faon. Il faut donc trouver un moyen de sparer les charges
initialement formes. Ceci est ralis dans un dispositif appel jonction pn.

I-4 Jonction p-n.

Lorsqu'un semi-conducteur dop p est mis en contact avec un semi-conducteur
dop n, les lectrons en excs dans la rgion n diffusent vers l'interface. Il en
rsulte une charge d'espace dans une rgion d'environ 1 m autour de
l'interface, ce qui produit un champ lectrique qui peut tre calcul grce
l'quation de Poisson. La barrire de potentiel au niveau de la jonction est
donne par :

Vi =

E F EF
n

(5)

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EF et EF
n

sont les niveaux de Fermi respectivement dans les

rgions n et p ; q est la charge lmentaire.

On a un dispositif dit "redresseur", ce qui peut se voir en traant la
caractristique j-V l'aide du montage de la figure II-2. En l'absence
d'clairement on obtient la courbe "a" de la figure 4 qui a pour quation :
j = js (e

qV/ kT

1)

(6)

js est appel courant de saturation et dpend des caractristiques des semiconducteurs formant la jonction.
La jonction p-n est le dispositif utilis dans les cellules photovoltaques. En
effet, quand des photons sont absorbs dans la zone de charge d'espace, les
paires lectron-trou formes sont spares par le champ lectrique de la
jonction qui fait migrer les lectrons vers la rgion n et les trous vers la rgion
p. Si l'on trace la caractristique j-V avec le mme montage que
prcdemment, on a cette fois une courbe du type "b" de la figure I-4 dont
l'quation est calcule dans le paragraphe suivant. La zone hachure dans le
quatrime quadrant correspond l'nergie disponible ainsi qu'on le verra.

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a
b

Figure I-4: caractristique de la jonction pn.

I-5 Cellule photovoltaque.

Figure I-5:schma de la cellule photovoltaque.

Le schma d'une cellule photovoltaque est donn sur la figure I-5.
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On a gnralement une couche mince de silicium p au-dessus d'une plaquette
de silicium n. En surface, un dpt mtallique en forme de peigne a pour rle
de recueillir les charges tout en laissant passer la lumire. Le circuit quivalent
est donn sur la figure 6.
La sparation des paires lectron-trou par le champ lectrique de la jonction pn
fait passer au travers de celle-ci un courant jg (courant gnr par la lumire)
depuis la rgion n vers la rgion p. Simultanment la rgion p se charge
positivement et la rgion n ngativement, crant ainsi une polarisation de la
cellule qui en retour fait passer au travers de la jonction un courant inverse ji de
signe oppos celui de jg. S'il n'y a pas de connections extrieures, jg=ji. Par
contre, si la cellule est relie un circuit d'utilisation simul par une rsistance
de charge Ru, une partie de jg passe par le circuit extrieur.

Figure I-6: schma quivalent d'une cellule photovoltaque.

On a :
jg = j i + j u

(7)

o ju est le courant passant dans le circuit d'utilisation. L'quation

fondamentale de la jonction p-n (quation 6) devient :

jg =j s(eqV /kT 1) + ju

(8)

V est ici la tension de polarisation due au passage du courant jg. La chute de

tension dans le circuit s'crit donc :
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V = juRs + V u

(9)

o Vu est la tension aux bornes du circuit d'utilisation et Rs la rsistance

interne de la cellule qui peut tre considre comme tant en srie.
La combinaison des relations 8 et 9 conduit l'quation fondamentale de la
cellule photovoltaque :

k T

jg ju
Rs j u
Vu = Log 1+
j s
q

(10)

Le courant de court-circuit jcc est le courant qui passe dans le circuit

d'utilisation si Ru=0. jcc est proportionnel jg selon (7), donc proportionnel au
flux lumineux. Par suite des pertes lectriques, on a toujours jcc<jg.

La tension aux bornes de la cellule est maximum quand j u = 0 soit (R u = ) .

On dfinit ainsi la tension de circuit ouvert Vco :

kT

j
Vco = Log 1+ cc
js
q

(11)

Comme jcc est proportionnel au flux lumineux, Vco augmente comme le

logarithme du flux.
A chaque valeur de Ru correspond un couple de valeurs Vu, ju. La
caractristique donne sur la figure I-7 est obtenue en faisant varier Ru du court-circuit (Vu=0)
jusqu'au circuitouvert (Vu=Vco).
On notera que la puissance lectrique fournie par la cellule, P=Vu ju, dpend de
la rsistance Ru du circuit extrieur. Ceci est d au fait que les pertes
lectriques dans la cellule dpendent du "point de fonctionnement", lui-mme
dtermin par les caractristiques du circuit extrieur. Soit P max la puissance
fournie par la cellule dans les conditions optimales. La grandeur Pmax/Vco jcc
s'appelle facteur de remplissage (fill factor) et est note FF. Elle est toujours
infrieure 1 (Cf figure 1-7) et joue un rle important en intervenant dans le
calcul du rendement de la cellule.

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ju
jcc

Pmax

Vco

Vu

Figure I-7: caractristique j-V d'une cellule photovoltaque

I-6 Rendement de conversion photovoltaque.

Le rendement d'une cellule photovoltaque est gal au rapport de la
puissance lectrique fournie la puissance lumineuse incidente. Le rendement
est limit par un certain nombre de facteurs :
-- les pertes par rflexion : une partie de la lumire incidente est
rflchie la surface du silicium. Pour un milieu d'indice de rfraction le
2
coefficient de rflexion est gal [( 1)( + 1)] . Pour le silicium dont l'indice
de rfraction est lev ( 3,5) , environ 30 % de la lumire est rflchie. Le
dpt d'une couche anti-rflectrice la surface permet de diminuer cette perte.
On dfinit le rendement partiel correspondant R comme le rapport du nombre
de photons incidents au nombre de photons pntrant dans l'chantillon.
-- le spectre de la lumire solaire est trs large. Seuls les photons
d'nergie suprieure la largeur de la bande interdite peuvent tre absorbs,
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soit environ 50 %. De mme que ci-dessus le rendement partiel correspondant
A sera le rapport du nombre de photons absorbs au nombre de photons
pntrant dans l'chantillon.
-- les pertes lectriques qui interviennent plusieurs stades. jcc est limit par
l'efficacit de collection des charges. Il faut que les photons soient absorbs
dans la zone de charge d'espace pour avoir une bonne sparation des paires
lectron-trou. De plus il faut minimiser les pertes par recombinaison ou
pigeage des charges au cours de leur migration vers les contacts extrieurs.
Vco est dtermin par les positions des niveaux de Fermi de part et d'autre de
la jonction. Vco dpend du flux lumineux et est au maximum de l'ordre de 700
mV ce qui signifie que l'nergie recueillie pour un photon absorb est au
maximum 0,7 eV quelle que soit l'nergie du photon incident. Enfin le facteur
FF vient lui aussi limiter le rendement. Il est trs sensible la rsistance interne
Rs de la cellule ainsi que le montre la relation 10 qui met en vidence la
diminution de Vu quand ju augmente. Le rendement correspondant
l'ensemble des pertes lectriques est donn par .FF.
E

-- enfin, il faut tenir compte d'une contrainte thermodynamique : l'ensemble qui

nous fournit de l'nergie constitue un systme qui comprend une source
chaude (soleil T=6000K) et une source froide (cellule T=300K). Le principe de
Carnot

nous

indique
C = 1 (300 / 6000 ) = 0, 95 .

que

le

rendement

maximum

est

Le rendement global de la cellule s'obtient en faisant le produit des rendements

partiels :

= C R A E FF

(12)

Pour les cellules au silicium mono-cristallin, on calcule un rendement thorique

maximum d'environ 20% qui ne tient compte que des pertes qu'il est impossible
d'liminer. Par suite de difficults technologiques le rendement des cellules
commercialises est au plus de l'ordre de 15%.
Pour des raisons conomiques videntes, de nombreuses recherches portent
sur la fabrication de cellules ayant un prix de revient moins lev que celles au
silicium mono-cristallin. Outre des essais faits avec d'autres matriaux, la
fabrication de cellules au silicium poly-cristallin et au silicium amorphe a t
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mise au point. Les rendements sont sensiblement moins levs (12% pour le
silicium poly-cristallin, aux environs de 8% pour les meilleures cellules au
silicium amorphe).

II-MANIPULATIONS.
Les diffrentes tapes de la manipulation sont les suivantes :
-- Etude l'obscurit et sous clairement de la caractristique j-V de la cellule
considre comme jonction p-n.
-- Etude de la caractristique j V des cellules. Dtermination de
jcc , V co et FF.
-- Effet du flux lumineux sur jcc et V co
-- Comparaison de diffrentes cellules
--Etude de la rponse spectrale d'une cellule.

II-1 Matriel
Cellules: on dispose de 2 types de cellules :
- cellule A au silicium mono-cristallin
- cellule B au silicium amorphe compose de 7 lments monts
en srie.
Alimentation de tension continue (de couleur jaune) avec bouton de
reglage fin
Multimtres: pour les mesures d'intensit, choisir la gamme A. Pour les
mesures de tension choisir la gamme V= (tension continue).
Dispositif d'clairement : il comprend une lampe halogne alimente par un
transformateur tension variable (12 V au maximum).
Bote de rsistances

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Filtres neutres: de densits diffrentes, permettent d'attnuer le flux lumineux
de faon identique sur tout l'ensemble du spectre du visible.
Monochromateur (Jobin Yvon): ce monochromateur de focale 200 mm est
quip d'un rseau 1200 traits/mm. Il a une dispersion de
4 nm/mm. Il
permet de slectionner une longueur d'onde en faisant varier l'orientation du
rseau de diffraction l'aide du bouton gradu. La bande passante dpend de
la largeur des fentes d'entre et de sortie choisies (mme valeur pour les
deux). La gamme spectrale couverte par le monochromateur (compte tenu du
rseau dont il est quip) s'tend de 350 800 nm. Il est utilisable jusqu'
environ 880 nm, mais son facteur de rflexion diminue au-del de 800 nm.
L'affichage des longueurs d'onde est en nanomtre. L'ouverture du
monochromateur est de f/4 (les dimensions du rseau sont de 5 cm x 5 cm).

II-2 Rglages prliminaires.

-Raliser le montage de la figure II-1 donnant un faisceau sensiblement
parallle sur la cellule B (la plus grande).

cellule
B

L2

L1

D lampe

Figure II-1

L1:lentille de 50 mm de distance focale placer 15 cm environ de la lampe.

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L2:lentille de 100 mm de distance focale placer 15 cm environ derrire L1.

D: diaphragme ne pas fixer trop prs de la lampe (risque de fusion).
-Placer le support de la cellule B dans une position telle que le faisceau de
lumire provenant de L2 claire la totalit de sa face avant. Au besoin ajuster
la position de L2.
Dans la suite du TP les positions des diffrents lments ne changeront
pas sauf si on le demande expressment, ceci afin d'avoir le mme flux
lumineux sur des cellules de surfaces diffrentes.

II-3 Etude d'une cellule considre comme jonction p-n (sur

cellule B uniquement).

-Raliser le montage de la figure II-2

Figure II-2

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Le but est de tracer la caractristique j-V en ajustant la tension applique
fournie par un gnrateur extrieur, d'une part lorsque la cellule est claire et
d'autre part l'obscurit.
-Pour appliquer une tension ngative relier la borne rouge la borne - de
l'alimentation.
-En cas de besoin ne pas hsiter utiliser pour les mesures d'intensit le
calibre A du multimtre.
Remarque: la rsistance interne du multimtre pouvant perturber les
mesures d'intensit, il est prfrable de ne pas changer de calibre
pendant toute la dure des mesures.
-Pour chaque valeur de tension de -7 0 V , lire la tension sur le multimtre et
mesurer j. Continuer augmenter progressivement la tension et mesurer j.
-Tracer la courbe j = f (V) .
-Reprendre la mme srie de mesures dans l'obscurit (lampe teinte).;
-Tracer la courbe j = f (V) sur le graphique prcdent.
Il pourra tre utile de retracer avec plus de prcision la rgion o l'on a V>0 et
j<0 (quatrime quadrant de la figure 1-4).

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II-4 - Etude de la carctristique j-V en charge d'une cellule.

L'tude sera faite sur la cellule A en silicium monocristallin puis sur la cellule B
en silicium amorphe.

S vaut 41,5 mm2 et pour la cellule B, S vaut 760 mm2.

- Mesurer ju et Vu pour des valeurs croissantes de Ru. On veillera
pas changer le calibre du microampremtre.
- Tracer la courbe ju = f (Vu )

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ne

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- Calculer en chaque point la puissance dlivre P = juV u et tracer
P = f (V u )
-Dterminer sur la courbe de puissance la valeur maximale Pmax
- Dterminer la facteur de remplissage FF = Pmax / Vco . j cc
-Remplacer la cellule A par la cellule B sans changer la distance entre le
support de cette cellule et la lentille L2 de faon ne pas modifier le flux
lumineux. Effectuer les mmes mesures que sur la cellule A.

II-5 Comparaison des deux types de cellules.

-Placer l'ensemble des rsultats (Vco, Jcc/S, FF, Pmax/S) dans un tableau.
-Commenter les rsultats du tableau en essayant de relier les valeurs obtenues
aux caractristiques des deux types de cellules (s'aider en partie de la thorie
expose auparavant ou de lectures complmentaires).
Remarque: Tenir compte du fait que la cellule B est compose de 7
cellules montes en srie pour la discussion concernant les valeurs de
Vco.

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II-6 Effet du flux lumineux sur jcc et Vco.

Filtre
L2 neutre

cellule
A

L1

D lampe

Figure II-4
-Modifier la figure II-1 en intercalant entre L1 et L2 un porte-filtre
perpendiculaire l'axe optique de manire ce que tout le faisceau passe
travers le filtre (le mettre assez proche de la lentille L2 pour viter de le griller
au point de focalisation entre L1 et L2) (voir figure II-4)..
-Avec la cellule A, dterminer les variations de jcc et Vco en fonction du flux
lumineux F. Le flux sera attnu par les filtres neutres disponibles. Pour un
filtre neutre donn, le flux est gal F=Fo.T, T tant le facteur de transmission
du filtre utilis et Fo le flux en l'absence de filtre. La valeur d'un filtre est
donne en terme de densit d, avec la relation d=log10(1/T). On dispose des
valeurs de filtres suivantes: filtre 1: d=0,2; filtre 2: d=0,5; filtre 3: d=0,7; filtre 4:
d=1; filtre 5: d=2.
-Mesurer les valeurs de jcc et Vco pour le filtre (grille) de densit inconnue.
-Vrifier en traant les courbes correspondantes que jcc varie linairement
avec T et Vco avec d. Expliquer.

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-Dterminer partir de vos courbes la densit du filtre inconnu.

II-7 Etude de la rponse spectrale d'une cellule photovoltaque

L1

cellule A

lampe

-Raliser le montage de la figure II-5. Former par L1 l'image du filament de la

lampe sur la fente d'entre du monochromateur. Le faisceau de lumire issue
de L1 claire toute la fente d'entre du monochromateur avec une ouverture
gale celle du monochromateur, de faon clairer tout le rseau. Les
distances filament-L1 et L1-fente d'entre seront sensiblement gales 2 f1.
-Placer la cellule A derrire la fente de sortie du monochromateur une
distance courte suffisante pour examiner l'aide d'une feuille de papier la
couleur utilise.
-En faisant varier les longueurs d'onde de sortie( de 200 880 nm), mesurer la
valeur du courant dlivr par la cellule. Noter les valeurs prcises des minima
et des maxima.
Remarque. Faire varier la longueur d'onde trs lentement dans la gamme
comprise entre 600 et 878 nm.
-Tracer la courbe R()= j/jmax = f() o jmax est la valeur maximale de courant
mesure. Commenter.
NB: Pour des longueurs d'onde suprieures 800 nm (infra-rouge) on ne
verra videmment rien la sortie du monochromateur. Ne pas s'en tonner!
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