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UNIDAD 2: CLULAS Y MDULOS FOTOVOLTAICOS.

Como se ha visto en la primera unidad la fotovoltaica es una aplicacin prometedora que ha


experimentado un gran crecimiento a lo largo de las ltimas dcadas. Hecho que ha provocado que
a medida que su implantacin crece, su coste disminuye provocando un aumento de su
competitividad. As es que se nos plantea, como fundamental el conocimiento de:

funcionamiento de un panel fotovoltaico;

tipos de paneles existentes en el mercado;

componentes;

interpretacin de la hoja de caractersticas.

Cuestiones que trataremos en esta unidad.


1 LA CLULA FOTOVOLTAICA.
El tipo de clula fotovoltaica -tambin denominada clula fotoelctrica o clula solar- ms
comn es la clula de silicio cristalino. El silicio es un material semiconductor. Sus
propiedades de conductividad elctrica estn situadas a medio camino entre los materiales
conductores y los aislantes.
Los tomos estn formados, como sabemos, por un ncleo -constituido por protones y
neutrones- y una serie de electrones situados en rbitas u orbitales a su alrededor. Los
tomos de los diferentes elementos que existen en el universo se diferencian nicamente en
el nmero de sus partculas constitutivas. El nmero de electrones y la forma como estos se
estructuran determina ciertas propiedades bsicas del tomo; en particular , la configuracin
del ltimo orbital -llamado orbital de valencia- explica cmo se comportan los tomos y
cmo estos se combinan con otros par formar estructuras ms o menos complejas.
La configuracin ms estable del tomo es aquella en la que la capa u orbital de valencia
posee ocho electrones. Es esta la configuracin que caracteriza a los gases nobles (el nen,
argn, xenn, entre otros), as llamados porque no se combinan con otros tomos. El resto
de los tomos se combinan entre s, compartiendo o cedindose electrones, para aproximarse
a dicha configuracin.

1.1

Configuracin de los materiales semiconductores.

Los tomos de silicio tienen cuatro electrones en su orbital de valencia,electrones que


forman una red cristalina con otros tomos de silicio, tal como muestra la figura. Los tomos
comparten cada uno de sus cuatro electrones con los dems tomos que los rodean,
formando poderosos enlaces que mantienen unida la estructura. Al compartir dichos
electrones con sus cuatro tomos vecinos, el tomo de silicio adquiere su configuracin de
gas noble.

La aportacin de energa externa a dicha red en cantidad suficiente provoca que algunos
electrones se liberen del enlace; el electrn puede entonces moverse libremente por la red
cristalina. Macroscpicamente, esa libertad de movimiento de algunos electrones se
representa en una variable del semiconductor conocida como conductividad intrnseca. El
electrn, al liberarse del enlace, deja un hueco en ella, que se comporta como si se tratase de
una carga positiva.
La conductividad intrnseca no sirve para generar electricidad. Para hacerlo deben
introducirse impurezas en la red cristalina. Los tomos de dichas impurezas pueden tener o
bien un electrn ms (en el caso del fsforo, el antimonio, y el arsnico) o bien un electrn
menos (el caso del boro, el galio y el indio) que el tomo de silicio. La introduccin de
tomos de impurezas se denomina dopado.
Si se introduce fsforo como impureza, nos encontramos con un dopado de tipo N; si se
introduce boro, tenemos un dopado tipo P. En un semiconductor de tipo N existe exceso de
electrones; en uno de tipo P, exceso de huecos.

Qu ocurre si en un material semiconductor se introducen impurezas de tipo N por un lado


e impurezas de tipo P, por otro? En la red cristalina se forma, entonces, una unin PN con
dos regiones separadas. En esta unin, los electrones extra que hay en la regin N se
difunden en la regin P, dejando en esta, a su vez, un exceso de huecos o cargas positivas. Al
formar parte de una red cristalina, los electrones no se pueden mover libremente para
recombinarse y se establece un campo elctrico, una diferencia de potencial entre ambas
regiones. Este campo se opone al movimiento de las cargas, de modo que el proceso de
difusin se detiene hasta llegar a un momento de equilibrio electrnico. Tal como se muestra
en la figura anterior, la carga positiva de la regin N impedir que fluyan a ella ms
electrones. En ese momento se dice que la unin est bloqueada.
1.2

El efecto fotoelctrico.

Al exponer la unin PN est expuesta a la luz del Sol. En este caso, los electrones de la red
absorben los fotones. La energa que aportan estos fotones rompe enlaces y forma nuevos
pares electrn-hueco; el campo elctrico de la unin hace que los electrones migren hacia la
regin N y los huecos, hacia la regin P. A este proceso se le denomina efecto fotoelctrico1.
Si en el borde exterior de la regin N y de la P situamos sendas conexiones elctricas y las
conectamos a travs de una resistencia, por dicho circuito fluye una corriente elctrica. Pero
hay una parte de los portadores de carga que no llega a esos terminales, sino que se
recombina con su portador opuesto: la recombinacin de electrones y huecos no produce
energa, sino que se cuenta entre las prdidas que limitan el rendimiento de la clula
fotoelctrica.

1 El efecto fotoelctrico consiste en la emisin de electrones en la emisin de electrones cuando se ilumina un


material . El efecto fotovoltaico es una aplicacin prctica de esta propiedad que permite producir energa elctrica a
partir de luz

1.3

Fabricacin de la clula fotovoltaica.

La clula fotovoltaica suele estar formada por dos capas de semiconductores con dopados
diferentes. La capa sobre la que incide la luz solar es de tipo N, dopada generalmente con
fsforo; la capa inferior es de tipo P, dopada con boro. Para poder extraer la energa
generada por la luz solar en la clula es preciso conectarla elctricamente. En la capa
inferior se introduce generalmente una capa conductora de plata o de aluminio. La conexin
de la capa superior debe dejar pasar la luz del Sol, con lo que se sita una conexin en forma
de peine o de rejilla, tal como se aprecia en la figura.

La clula ms comn es la cristalina de silicio. El silicio es el segundo material ms comn


de la Tierra despus del oxgeno, por lo que la materia prima para la fabricacin de las
clulas fotovoltaicas est presente en cantidades virtualmente ilimitadas; sin embargo, el
silicio no aparece en estado puro sino bajo la forma de xido de silicio (el material de la
arena y el cuarzo).
La clula convencional se fabrica mediante una capa de P (habitualmente de silicio dopado
con boro) con un espesor de entre 100 y 500 micras, sobre la que se difunde una capa fina de
fsforo (con un espesor de entre 0.2 y 0.5 micras) para obtener una unin PN.
Habitualmente se trata de reducir la reflexin de la luz solar en la clula creando en su
superficie pequeas pirmides, en un proceso denominado texturizacin.

La creacin de una textura superficial en forma de pequeas pirmides en la cara frontal del
panel permite aprovechar mejor la luz reflejada.

1.4

Breve historia de la clula solar.

La primera clula solar data del ao 1883; fue desarrollada por Charles Fritts, que recubri
una muestra de selenio semiconductor con oro. En 1946 se produce la primera patente de
clula fotovoltaica, y en 1954 se descubre en los laboratorios Bell la sensibilidad a la luz de
los semiconductores dopados con impurezas.
Desde finales de la dcada de 1950, la carrera espacial influy considerablemente en el
desarrollo de clulas solares para alimentar elctricamente a los satlites artificiales. En
1970 se fabrica la primera clula de arseniuro de galio (GaAs), material que domin la
fabricacin de clulas fotovoltaicas hasta la dcada de 1980. Posteriormente el uso de
clulas de silicio ha reemplazado casi completamente a las de GaAs.
1.5

Tipos de clulas fotovoltaicas.

En el mercado y en los laboratorios de investigacin coexisten clulas y mdulos solares de


muy diversos tipos. Con mucho, las ms comunes son las de silicio monocristalino, las de
silicio policristalino y los mdulos de capa fina. Junot con estos tres tipo, existen otros de
carcter ms o menos experimental, en ocasiones con rendimientos superiores pero de
presencia en el mercado todava muy reducida.
1.5.1

Clulas de silicio monocristalino.

1.5.2

Clulas de silicio policristalino.

1.5.3

Clulas de capa fina.

1.5.4

Otras tecnologas.

El uso de arseniuro de galio (GaAs) como material semiconductor.


La tecnologa de esferas de silicio desarrollada por Texas Instruments.
Desarrolladas por el fabricante Sunways, existen celulas solares traslucidas
Nanosolar, empresa fundada con capital procedente de Google, ha apostado por
fabricar los mdulos fotovoltaicos ms baratos del mundo, a razn de un dlar por
vatio. Emplean la tecnologa de cobre-indio-diselenio, que supuestamente alcanza
una eficiencia del 19,9% en el laboratorio, y dicen haber desarrollado una suerte de
<<tinta semiconductora>> que permitira fafricar celulas mediante un proceso de
impresin.

1.6

Prdidas y rendimiento.
En la clula fotovoltaica tienen lugar una serie de prdidas que limitan su rendimiento,
de modo que solo es posible extraer una parte de la energa solar que incide sobre ella.
Sombra causada por la conexin elctrica y reflexin de parte de la radiacin
solar, 3%.
Energa de los fotones demasiado baja como para romper el enlace del silicio
y generar un par electrn-hueco, 22%.
Energa de los fotones demasiado elevada para romper el enlace del silicio,
30%.
Prdidas de energa debido a la recombinacin de electrones-huecos, 8.5%.
Prdida de tensin en la celula, 20%.
Prdidas en la resistencia, 0.5%.
Todo ello limita el rendimiento global de la celula fotoelctrica a aproximadamente el
16%.

2 MDULOS FOTOVOLTAICOS.
Una clula solar tpica posee en la actualidad una superficie de 243 centmetros cuadrados y
produce aproximadamente una potencia cercana a los 4 vatios y una intensidad de entre 7 y
8 amperios. El escaso valor de la tensin y la potencia hace necesaria la conexin de varias
clulas en serie. Para ello, se suelda el conector superior (negativo) de una clula con el
conector inferior (positivo) de la siguiente. Entre las clulas individuales se introduce un
pequeo espacio de unos 2mm, tal como muestra la figura.

Las clulas de pelcula fina se conectan elctricamente como parte del proceso de
fabricacin.
La mayor parte de los mdulos o paneles fotovoltaicos posee entre 36 y 96 clulas
conectadas en serie. En la primera poca de las instalaciones fotovoltaicas, su aplicacin

principal era las instalaciones aisladas, en las que se empleaban bateras de 12 voltios para el
almacenamiento de la energa.
Para asegurar un proceso de carga ptimo se empleaba una asociacin en serie de entre 36 y
40 clulas, que proporcionaba una tensin de salida de 17 voltios. En la actualidad, los
mdulos estndar llegan a entregar una potencia de hasta 300 vatios, con unos valores de
tensin que rondan habitualmente los 30 voltios en el punto de mxima potencia.
Adems de las clulas propiamente dichas, el panel debe contar con una serie de elemetos
adicionales:
1. Un aislamiento adecuado, para proteger las clulas frente a los agentes
atmosfricos y evitar que se daen o se degraden.
2. Una consistencia mecnica que permita manipular el conjunto y proporcionarle la
adecuada solidez.
2.1

Pares de un mdulo fotovoltaico.


El mdulo fotovoltaico est compuesto por las siguientes partes:

Cubierta frontal. Fabricada con vidrio templado y con un grosor de tres o cuatro
milmetros, debe ser buen trasnmisor de la radiacin solar y proteger contra los
agentes atmosfricos. La superficie exterior de esta cubierta es antirreflexiva y
antiadherente.

Encapsulado. Para proporcionar solidez a las clulas, estas se insertan en un


material transparente que las asla elctricamente. Se emplean cuatro mtodos de
encapsulado: el de etileno vinil acetato (EVA), el de butial de polivinilo (PVB), el de
tefln y el de resina. El encapsulado debe permitir al igual que la cubierta frontal
la trasnmisin de la radiacin solar y no degradarse con la luz ultravioleta.

Cubierta posterior. Suele estar fabricada con poliflururo de vinilo (PVF) o polister.
Al igual que la cubierta frontal, sirve para proteger al mdulo frente a los agentes
atmosfricos y para aislarlo elctricamente.

Marco. Fabricado en aluminio anodizado por la mayor parte de fabricantes, sirve


para proporcionar rigidez y resistencia al mdulo, proporcinando adems un sistema
de fijacin. En la actualidad hay muchos modelos de paneles que no poseen marco,
principalmente los de capa fina.

Conexiones. Se sitan en la parte posterior del mdulo, en una caja que los protege
del polvo. Estas cajas deben tener como mnimo una proteccin IP 54. En el
momento del montaje, se debe evitar totalmente que entre agua en la caja, lo que se
logra mediante el uso de prensaestopas. En la actualidad, lo ms comn es que los
mdulos , como los que muestra la fotografa de la derecha, vengan provistos con
cables y conectores, diferentes para cada polo, para hacer la instalacin ms fcil y
rpida. De este modo, la conexin entre los mdulos se puede efectuar de forma
directa.

Los mdulos solares como elementos arquitectnicos.


En muchas ocasiones, los paneles solares se emplean en edificios y se convierten as no solo
en un dispositivo funcional para producir electricidad, sino tamben en elementos
arquitectnicos que deben integrarse estticamente en el inmueble del que forman parte.
2.2

Fabricacin de un mdulo fotovoltaico.


La materia proma para la fabricacin de clulas solares es, como ya hemos mencionado,
arena comn u xido de silicio (SiO 2). Este compuesto debe reducirse en primer lugar a
silicio y se somete a continuacin a un proceso de purificacin a travs de una
destilacin fraccionada. Esta es la fase ms cara del proceso y consume mucha energa.
Para fabricar un mdulo de silicio mono o policristalino deber seguirse posteriormente
un proceso de cristalizacin para formar un lingote cilndrico de silicio cristalizado;
estos lingotes se cortan posteriormente en lminas, tambin denominadas obleas o
wafers. Sobre estas lminas se efectuarn posteriormente las operaciones de dopado para
la formacin de la unin PN y la ubicacin de los electrodos metlicos; en la ltima fase
se produce el soldado de las clulas y su montaje y encapsulacin en el mdulo.

3 MAGNITUDES Y CARACTERSTICAS.
Para representar las principales magnitudes elctricas de una clula solar, imaginaremos una
clula con una superficie de 243 centmetros cuadrados que proporciona en sus conductores
una tensin de aproximadamente 0.5 voltios y una intensidad proporcional a la luz del sol,
hasta un mximo de 7 u 8 amperios. A la clula se le puede acoplar una resistencia variable,
un ampermetro para medir la intensidad generada y un voltmetro para cuantificar la
diferencia de potencial que existe entre los terminales de la clula.
Para representar una clula fotoelctrica o un mdulo en un circuito se emplea el smbolo de
la figura.
Cuando la resistencia es infinita o, en otras palabras, cuando
abrimos el circuito- en los extremos de la clula mediremos la
tensin de circuito abierto (Voc o Vca). A la inversa, si la resistencia
es nula, por el circuito circular una corriente elctrica denominada
intensidad de cortocircuito (Isc o Icc). Esos valores de tensin e
intensidad corresponden a los mixmos tericos que puede proporcionar la clula.

Curvas caractersticas IV y PV por una clula de silicio cristalino. En ella se observa la


posicin del punto de mxima potencia (MPP).
Si variamos la resitencia entre cero e infinito, intensidad y tensin varan siguiendo una
curva que denominamos cruva caracterstica tensin-intensidad o curva I-V. Para una
temperatura y nivel de irradiancia determinados, el punto de trabajo (combinacin de
intensidad proporcionada y tensin de la clula) est siempre situado en dicha curva. La
resistencia del circuito al que est conectado la clula determinar la ubicacin del punto de
trabajo en la curva caracterstica.

La forma de dichas curvas es diferente para cada tipo de clula, tal como podemos observar
en la figura.

Comparacin de las curvas caractersticas IV de clulas de silicio cristalino y silicio amorfo.


En realidad, la curva caracterstica no es nica, sino que vara con la temperatura y con la
iluminacin o radiacin incidente, con lo que, en realidad, para cada clula fotovoltaica
disponemos de una familia de curvas caractersticas.

Curvas caractersticas IV para diversos vectores de irradiacin, a temperatura constante.


3.1

Clculo de la potencia.
El punto de trabajo ede una clula solar se sita siempre sobre una de sus curvas
caractersticas. En dicho punto, la potencia es igual al producto de la tensin por la
intensidad:
P L=V LI L
donde PL es la potencia entregada por la clula, V L la tensin en el receptor conectado a
la clula e IL la intensidad entregada por la misma.

Junto con la curva caracterstica I-V podemos representar tambin habitualmente en la


misma grfica la curva P-V, en la que observamos un punto de potencia mxima, que
corresponde a unos valores de tensin e intensidad que denotaremos como Vmpp e Impp,
respectivamente, siendo:
P mx =V mppI mpp
La potencia mxima (Pmx o Pmpp) o potencia de pico de la clula es la potencia que esta
es capaz de proporcionar en condiciones estndar de medida (STC: Standard Test
Condictions): temperatura de la clula de 25C e irradiancia de 1000W/m 2 con espectro
AM1,5. En la realidad, es poco frecuente que la clula llegue a proporcionar la potencia
de pico, entre otras razones debido a que con la radiacin del Sol su temperatura
aumenta y, con ello, su eficiencia desciende.
Se denomina factor de forma al coeficiente entre dicha potencia mxima y el producto
de la tensin de circuito abierto por la intensidad de cortocircuito.
FF =

V mppI mpp
V ocI sc

El factor de forma es siempre inferior a la unidad y es un parmetro de la calidad de la


clula. En el caso de las clulas cristalinas, el factor de forma est situado entre 0.7 y
0.85; para clulas solares amorfas, entre 0.5 y 0.7. En la ilustracin de la figura podemos
observar una definicin grfica del concepto de factor de forma.
Figura 3.13. definicin del factor de forma en una clula fotovoltaica.
Se denomina rendimiento o eficiencia al porcentaje de la energa solar recibida que se
convierte en energa elctrica. Es igual al cociente entre la potencia mxima y el
producto del rea superficial de la clula por la irradiancia que incide sobre ella en
condiciones estndar de medida:
=

P mx FFV ocI sc
=
GAc
GAc

Caso Prctico: Un mdulo fotovoltaico posee una potencia mxima de 162 vatios y est
formado por 48 clulas de 155 mm. Cul es la eficiencia de la clula?
Tal como hemos visto, el mdulo fotovoltaico est formado por clulas conectadas entre
s. Supongamos que todas las clulas operan bajo las mismas condiciones de irradiancia
y temperatura. En ese caso, la tensin que proporciona el mdulo es igual al producto de
la tensin de cada clula por el nmero de clulas conectadas en serie,

V M =V CN s
La intensidad del mdulo es igual al producto de las clulas o ramas conectadas en
paralelo por la intensidad de cada rama:
I M =I CN p
Finalmente, la potencia proporcionada por el mdulo es igual al producto de la potencia
de cada clula por el nmero de cloas conectadas en serie. Si concectamos en paralelo,
la potencia total de la instalacin ser igual a la potencia de los mdulos por el nmero
de ramas en paralelo. De ese modo, podemos calcular la potencia de toda la instalacin
como:
P T =N sN pP c
Caso prctico: En una pequea instalacin fotovoltaica disponemos de dos mdulos
conectados en paralelo, cada uno de los cuales posee 60 clulas conectadas en serie . En
un momento dado, las clulas estn proporcionando una corriente de 4.3A a una tensin
de 0.5V. Cal es la potencia que proporciona la instalacin?
3.2

Hojas de caractersticas.
Los principales parmetros elctricos que proporcionan los fabricantes de mdulos
fotovoltaicos son la corriente de cortocircuito, la tensin a circuito abierto y la potencia
mxima (o potencia de pico) que es capaz de entregar el mdulo, habitualmente con una
tolerancia de entre el 3 y 5 .
Cuando el Sol incide sobre la clula con la intensidad especificada, la temperatura de
esta sube por encima de los 25C. Por esa razn, la hoja de caractersticas suele
especificar tambin la temperatura de operacin nominal de la clula (TONC o NOTC
en ingls). Se trata de la temperatura que adquirir el mdulo en condiciones estndar de
trabajo; por tanto, es un indicador de su capacidad para disipar el calor.
La TONC se determina para un nivel de irradiancia de 800W/m 2, una temperatura
ambiente de 20C y una velocidad del viento de 1m/s. A partir del dato de la TONC, la
irradiancia y la temperatura ambiente calcularemos la temperatura de trabajo de la clula
segn la siguiente ecuacin:
TONC 20
T c =T aG
800
donde Tc es la temperatura de trabajo de la clula, Ta es la temperatura ambiente (ambas
expresadas en grados centgrados) y G es la irradiancia. Dicha frmula es aproximada y

en muchas ocasiones la temperatura de trabajo de la clula se estima o bien se observa


empricamente con ayuda de un termmetro infrarrojo o una cmara termogrfica.
El valor de la temperatura nominal de operacin de la clula (TONC) es un parmetro
que se obtiene de la hoja de caractersticas de un mdulo fotovoltaico; si no disponemos
de

dicho

dato,

podemos

tomar

45

46

grados

como

valor

aceptable.

Caso Prctico: El mdulo BP Solar, tiene una NOTC de 47C. Qu temperatura de


trabajo alcanzarn sus clulas con una irradiancia de 1000W/m 2 y una temperatura
ambiente de 18C?
Adems de los datos elctricos, la hoja de caractersticas proporciona informacin sobre
las dimensiones, peso, valores lmite de temperatura y tensin mecnica, junto con los
coeficientes segn los cuales la potencia mxima, la tensin de circuito abierto y la
corriente de cortocircuito varan con respecto a la temperatura.
En la pgina siguiente vemos un ejemplo de una hoja de caracterstica (data sheet), del
mdulo NDQ2E3E/ND162E1 de la empresa Sharp. Como podemos observar, dicha hoja
contiene diversa informacin agrupada en varias tablas:

En primer lugar, en la esquina superior tenemos una informacin general sobre las
caractersticas del mdulo: tipo de clulas, superficie, tensin mxima, potencia
nominal, dimensiones, peso y tipo de conectores.

A su derecha, observamos las condiciones ambientales en las que el mdulo debe


trabajar: as, en nuestro ejemplo, la temperatura de operacin no debe nunca superar
los 90C ni caer por debajo de los -40C.

Inmediatamente debajo de la anterior resean los coeficientes de temperatura para el


mdulo; con ellos podemos calcular, para una determinada temperatura de trabajo de
la clula, los valores de Isc, de Voc y de Pmx del mdulo. El parmetro que ms vara
con la temperatura es la tensin de circuito abierto. Es importante, como veremos
ms adelante, estimar adecuadamente para el rango de temperaturas al que se prev
que trabaje el mdulo, de cara al dimensionamiento del inversor; si la temperatura
asciende por encima de lo previsto, es posible que la tensin supere el valor
admisible del inversor y lo dae irreparablemente.

La parte central de la hoja est formada por los datos elctricos del mdulo: Voc,
VMPP, Isc, IMPP, Pmx y .

Las grficas inferiores nos informan de las caractersticas del mdulo: grficas I-V y
P-V para diversos valores de irradiancia, variacin de la tensin de circuito abierto y

la corriente de cortocircuito con respecto a la irradiancia y variacin de Voc, Isc y Pmx


con respecto a la temperatura.

Finalmente, disponemos de informacin detallada con respecto a las dimensiones y


las posibles aplicaciones del mdulo.

4 COSTES DE FABRICACIN.
Como toda tecnologa innovadora, en sus inicios la generacin de electricidad mediante
paneles fotovoltaicos ha tenido un coste elevado. La inversin de investigacin y desarrollo
y la produccin en masa de clulas y mdulos solares, junto con las innovaciones en los
dems elementos que componen una instalacin solar (inversores, estructuras, cableado,
etctera) ha hecho descender considerablemente los costes. Para medirlos se emplea
comnmente el precio (generalmente en euros o en dlares) por vatio pico (es decir, por
vatio de potencia mxima). El grfico siguiente muestra a evolucin del precio de los
mdulos fotovoltaicos; en ellos se observa claramente una tendencia descendente a medida
que aumenta la potencia fotovoltaica instalada en el mundo. Las variaciones en los precios
de las tarifas elctricamente sujetas en algunos pases a primas especiales, explican tambin
en parte las oscilaciones de los precios.

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