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componentes;
1.1
La aportacin de energa externa a dicha red en cantidad suficiente provoca que algunos
electrones se liberen del enlace; el electrn puede entonces moverse libremente por la red
cristalina. Macroscpicamente, esa libertad de movimiento de algunos electrones se
representa en una variable del semiconductor conocida como conductividad intrnseca. El
electrn, al liberarse del enlace, deja un hueco en ella, que se comporta como si se tratase de
una carga positiva.
La conductividad intrnseca no sirve para generar electricidad. Para hacerlo deben
introducirse impurezas en la red cristalina. Los tomos de dichas impurezas pueden tener o
bien un electrn ms (en el caso del fsforo, el antimonio, y el arsnico) o bien un electrn
menos (el caso del boro, el galio y el indio) que el tomo de silicio. La introduccin de
tomos de impurezas se denomina dopado.
Si se introduce fsforo como impureza, nos encontramos con un dopado de tipo N; si se
introduce boro, tenemos un dopado tipo P. En un semiconductor de tipo N existe exceso de
electrones; en uno de tipo P, exceso de huecos.
El efecto fotoelctrico.
Al exponer la unin PN est expuesta a la luz del Sol. En este caso, los electrones de la red
absorben los fotones. La energa que aportan estos fotones rompe enlaces y forma nuevos
pares electrn-hueco; el campo elctrico de la unin hace que los electrones migren hacia la
regin N y los huecos, hacia la regin P. A este proceso se le denomina efecto fotoelctrico1.
Si en el borde exterior de la regin N y de la P situamos sendas conexiones elctricas y las
conectamos a travs de una resistencia, por dicho circuito fluye una corriente elctrica. Pero
hay una parte de los portadores de carga que no llega a esos terminales, sino que se
recombina con su portador opuesto: la recombinacin de electrones y huecos no produce
energa, sino que se cuenta entre las prdidas que limitan el rendimiento de la clula
fotoelctrica.
1.3
La clula fotovoltaica suele estar formada por dos capas de semiconductores con dopados
diferentes. La capa sobre la que incide la luz solar es de tipo N, dopada generalmente con
fsforo; la capa inferior es de tipo P, dopada con boro. Para poder extraer la energa
generada por la luz solar en la clula es preciso conectarla elctricamente. En la capa
inferior se introduce generalmente una capa conductora de plata o de aluminio. La conexin
de la capa superior debe dejar pasar la luz del Sol, con lo que se sita una conexin en forma
de peine o de rejilla, tal como se aprecia en la figura.
La creacin de una textura superficial en forma de pequeas pirmides en la cara frontal del
panel permite aprovechar mejor la luz reflejada.
1.4
La primera clula solar data del ao 1883; fue desarrollada por Charles Fritts, que recubri
una muestra de selenio semiconductor con oro. En 1946 se produce la primera patente de
clula fotovoltaica, y en 1954 se descubre en los laboratorios Bell la sensibilidad a la luz de
los semiconductores dopados con impurezas.
Desde finales de la dcada de 1950, la carrera espacial influy considerablemente en el
desarrollo de clulas solares para alimentar elctricamente a los satlites artificiales. En
1970 se fabrica la primera clula de arseniuro de galio (GaAs), material que domin la
fabricacin de clulas fotovoltaicas hasta la dcada de 1980. Posteriormente el uso de
clulas de silicio ha reemplazado casi completamente a las de GaAs.
1.5
1.5.2
1.5.3
1.5.4
Otras tecnologas.
1.6
Prdidas y rendimiento.
En la clula fotovoltaica tienen lugar una serie de prdidas que limitan su rendimiento,
de modo que solo es posible extraer una parte de la energa solar que incide sobre ella.
Sombra causada por la conexin elctrica y reflexin de parte de la radiacin
solar, 3%.
Energa de los fotones demasiado baja como para romper el enlace del silicio
y generar un par electrn-hueco, 22%.
Energa de los fotones demasiado elevada para romper el enlace del silicio,
30%.
Prdidas de energa debido a la recombinacin de electrones-huecos, 8.5%.
Prdida de tensin en la celula, 20%.
Prdidas en la resistencia, 0.5%.
Todo ello limita el rendimiento global de la celula fotoelctrica a aproximadamente el
16%.
2 MDULOS FOTOVOLTAICOS.
Una clula solar tpica posee en la actualidad una superficie de 243 centmetros cuadrados y
produce aproximadamente una potencia cercana a los 4 vatios y una intensidad de entre 7 y
8 amperios. El escaso valor de la tensin y la potencia hace necesaria la conexin de varias
clulas en serie. Para ello, se suelda el conector superior (negativo) de una clula con el
conector inferior (positivo) de la siguiente. Entre las clulas individuales se introduce un
pequeo espacio de unos 2mm, tal como muestra la figura.
Las clulas de pelcula fina se conectan elctricamente como parte del proceso de
fabricacin.
La mayor parte de los mdulos o paneles fotovoltaicos posee entre 36 y 96 clulas
conectadas en serie. En la primera poca de las instalaciones fotovoltaicas, su aplicacin
principal era las instalaciones aisladas, en las que se empleaban bateras de 12 voltios para el
almacenamiento de la energa.
Para asegurar un proceso de carga ptimo se empleaba una asociacin en serie de entre 36 y
40 clulas, que proporcionaba una tensin de salida de 17 voltios. En la actualidad, los
mdulos estndar llegan a entregar una potencia de hasta 300 vatios, con unos valores de
tensin que rondan habitualmente los 30 voltios en el punto de mxima potencia.
Adems de las clulas propiamente dichas, el panel debe contar con una serie de elemetos
adicionales:
1. Un aislamiento adecuado, para proteger las clulas frente a los agentes
atmosfricos y evitar que se daen o se degraden.
2. Una consistencia mecnica que permita manipular el conjunto y proporcionarle la
adecuada solidez.
2.1
Cubierta frontal. Fabricada con vidrio templado y con un grosor de tres o cuatro
milmetros, debe ser buen trasnmisor de la radiacin solar y proteger contra los
agentes atmosfricos. La superficie exterior de esta cubierta es antirreflexiva y
antiadherente.
Cubierta posterior. Suele estar fabricada con poliflururo de vinilo (PVF) o polister.
Al igual que la cubierta frontal, sirve para proteger al mdulo frente a los agentes
atmosfricos y para aislarlo elctricamente.
Conexiones. Se sitan en la parte posterior del mdulo, en una caja que los protege
del polvo. Estas cajas deben tener como mnimo una proteccin IP 54. En el
momento del montaje, se debe evitar totalmente que entre agua en la caja, lo que se
logra mediante el uso de prensaestopas. En la actualidad, lo ms comn es que los
mdulos , como los que muestra la fotografa de la derecha, vengan provistos con
cables y conectores, diferentes para cada polo, para hacer la instalacin ms fcil y
rpida. De este modo, la conexin entre los mdulos se puede efectuar de forma
directa.
3 MAGNITUDES Y CARACTERSTICAS.
Para representar las principales magnitudes elctricas de una clula solar, imaginaremos una
clula con una superficie de 243 centmetros cuadrados que proporciona en sus conductores
una tensin de aproximadamente 0.5 voltios y una intensidad proporcional a la luz del sol,
hasta un mximo de 7 u 8 amperios. A la clula se le puede acoplar una resistencia variable,
un ampermetro para medir la intensidad generada y un voltmetro para cuantificar la
diferencia de potencial que existe entre los terminales de la clula.
Para representar una clula fotoelctrica o un mdulo en un circuito se emplea el smbolo de
la figura.
Cuando la resistencia es infinita o, en otras palabras, cuando
abrimos el circuito- en los extremos de la clula mediremos la
tensin de circuito abierto (Voc o Vca). A la inversa, si la resistencia
es nula, por el circuito circular una corriente elctrica denominada
intensidad de cortocircuito (Isc o Icc). Esos valores de tensin e
intensidad corresponden a los mixmos tericos que puede proporcionar la clula.
La forma de dichas curvas es diferente para cada tipo de clula, tal como podemos observar
en la figura.
Clculo de la potencia.
El punto de trabajo ede una clula solar se sita siempre sobre una de sus curvas
caractersticas. En dicho punto, la potencia es igual al producto de la tensin por la
intensidad:
P L=V LI L
donde PL es la potencia entregada por la clula, V L la tensin en el receptor conectado a
la clula e IL la intensidad entregada por la misma.
V mppI mpp
V ocI sc
P mx FFV ocI sc
=
GAc
GAc
Caso Prctico: Un mdulo fotovoltaico posee una potencia mxima de 162 vatios y est
formado por 48 clulas de 155 mm. Cul es la eficiencia de la clula?
Tal como hemos visto, el mdulo fotovoltaico est formado por clulas conectadas entre
s. Supongamos que todas las clulas operan bajo las mismas condiciones de irradiancia
y temperatura. En ese caso, la tensin que proporciona el mdulo es igual al producto de
la tensin de cada clula por el nmero de clulas conectadas en serie,
V M =V CN s
La intensidad del mdulo es igual al producto de las clulas o ramas conectadas en
paralelo por la intensidad de cada rama:
I M =I CN p
Finalmente, la potencia proporcionada por el mdulo es igual al producto de la potencia
de cada clula por el nmero de cloas conectadas en serie. Si concectamos en paralelo,
la potencia total de la instalacin ser igual a la potencia de los mdulos por el nmero
de ramas en paralelo. De ese modo, podemos calcular la potencia de toda la instalacin
como:
P T =N sN pP c
Caso prctico: En una pequea instalacin fotovoltaica disponemos de dos mdulos
conectados en paralelo, cada uno de los cuales posee 60 clulas conectadas en serie . En
un momento dado, las clulas estn proporcionando una corriente de 4.3A a una tensin
de 0.5V. Cal es la potencia que proporciona la instalacin?
3.2
Hojas de caractersticas.
Los principales parmetros elctricos que proporcionan los fabricantes de mdulos
fotovoltaicos son la corriente de cortocircuito, la tensin a circuito abierto y la potencia
mxima (o potencia de pico) que es capaz de entregar el mdulo, habitualmente con una
tolerancia de entre el 3 y 5 .
Cuando el Sol incide sobre la clula con la intensidad especificada, la temperatura de
esta sube por encima de los 25C. Por esa razn, la hoja de caractersticas suele
especificar tambin la temperatura de operacin nominal de la clula (TONC o NOTC
en ingls). Se trata de la temperatura que adquirir el mdulo en condiciones estndar de
trabajo; por tanto, es un indicador de su capacidad para disipar el calor.
La TONC se determina para un nivel de irradiancia de 800W/m 2, una temperatura
ambiente de 20C y una velocidad del viento de 1m/s. A partir del dato de la TONC, la
irradiancia y la temperatura ambiente calcularemos la temperatura de trabajo de la clula
segn la siguiente ecuacin:
TONC 20
T c =T aG
800
donde Tc es la temperatura de trabajo de la clula, Ta es la temperatura ambiente (ambas
expresadas en grados centgrados) y G es la irradiancia. Dicha frmula es aproximada y
dicho
dato,
podemos
tomar
45
46
grados
como
valor
aceptable.
En primer lugar, en la esquina superior tenemos una informacin general sobre las
caractersticas del mdulo: tipo de clulas, superficie, tensin mxima, potencia
nominal, dimensiones, peso y tipo de conectores.
La parte central de la hoja est formada por los datos elctricos del mdulo: Voc,
VMPP, Isc, IMPP, Pmx y .
Las grficas inferiores nos informan de las caractersticas del mdulo: grficas I-V y
P-V para diversos valores de irradiancia, variacin de la tensin de circuito abierto y
4 COSTES DE FABRICACIN.
Como toda tecnologa innovadora, en sus inicios la generacin de electricidad mediante
paneles fotovoltaicos ha tenido un coste elevado. La inversin de investigacin y desarrollo
y la produccin en masa de clulas y mdulos solares, junto con las innovaciones en los
dems elementos que componen una instalacin solar (inversores, estructuras, cableado,
etctera) ha hecho descender considerablemente los costes. Para medirlos se emplea
comnmente el precio (generalmente en euros o en dlares) por vatio pico (es decir, por
vatio de potencia mxima). El grfico siguiente muestra a evolucin del precio de los
mdulos fotovoltaicos; en ellos se observa claramente una tendencia descendente a medida
que aumenta la potencia fotovoltaica instalada en el mundo. Las variaciones en los precios
de las tarifas elctricamente sujetas en algunos pases a primas especiales, explican tambin
en parte las oscilaciones de los precios.