7.

SEMICONDUCTORES
7.1 SEMICONDUCTORES INTRNSECOS

Comportamiento elctrico se basa en estructura

electrnica inherente al material puro.

10-6 104 -1m-1

Eg < 2 eV
I.e. banda prohibida, Eg, no es demasiado
pequea existe excitacin trmica

Diamante: Eg5 eV e
E
Silicio: Eg1,12 eV e

Eg

aislador
2 kT
4 x1010 :
semiconductor
2 kT

10 43 :

n(T): densidad de e- en banda de conduccin (BC)

p(T): densidad de huecos en banda de valencia (BV)

En general:

= p q h + n q e
Banda de conduccin

Eg
Banda de valencia

La excitacin trmica de e- a la banda de

conduccin produce huecos en la banda de
valencia
p = n
Huecos: portadores de carga positiva.
Conductividad se debe a huecos y electrones:

= n q ( e + h )

DEFINICIONES:

Banda de valencia: banda ms energtica

completa a T=0.
Banda de conduccin: banda menos energtica
vaca a T=0.
Puede haber ms de una de cada tipo.
NB:
En los metales la BC est llena hasta la mitad.
En los semimetales ambas bandas se traslapan.

BANDAS DE ENERGA EN SEMICONDUCTORES REALES

TRANSICIONES DIRECTAS E INDIRECTAS

k ko

Directas: Mnimo de BV y mximo de BC en

Indirectas: Mximo y mnimo para distintos k.

Transicin electrnica debe estar acompaada de
fonones que entreguen diferencia faltante de

"seudomomntum": (k k ) q

Luego, fonn se lleva energa (q )

umbral E g (q )

Motivacin: Por qu los chips de computadores

son de Si pero el lser del CD es de GaAs?
La absorcin ptica involucra excitar un e- desde un
estado lleno a otro vaco con k0.
El GaAs tiene la menor energa de transicin directa
"vertical".

Densidad de portadores en el equilibrio

En semiconductores intrnsecos:
n no T3/2 exp (-Eg/2kT)

Comportamiento tipo Arrhenius, salvo factor 2

i.e cada promocin trmica genera 2
portadores de carga (electrn y hueco).
(T) = o(T) exp (-Eg/2kT)
o(T) = no ( e + h ) T3/ 2

Comportamiento dominado por trmino

exponencial (T3/2 vara lentamente).

ln()

ln = o (Eg/2k)(1/T)
EJEMPLO: Si. Calcular n y p a temperatura ambiente.

(T=300 K) = 4 x 10-4 -1m-1

e = 0,14 m2V-1s-1
h = 0,048 m2V-1s-1
7

n p

n p

e e h

4 10 4 1m 1
1,6 10 19 C 0,14 0,048m 2V 1s 1

n = p = 1,33 x 1016 m-3

2.4.2 SEMICONDUCTORES EXTRNSECOS

Resultan de agregar impurezas a los
semiconductores intrnsecos:
Semiconductor
Dopado
+
=
intrnseco
(ppm)

Semiconductor
extrnseco

De esta forma se puede aumentar en varios

rdenes de magnitud la conductividad (por
huecos o por electrones).
Cmo se hace? Qu tipo de impurezas?
Portadores de carga negativos: TIPO n
Portadores de carga positivos: TIPO p
IIIA

IVA

VA

Dopante tipo p SC intrnseco Dopante tipo n

3 e4 e5 ede valencia
de valencia
de valencia
Deficiencia de e- puede e- adicional puede ser eproducir hueco
de conduccin

Tanto los huecos como los e- contribuyen a la

conduccin:

= ( n e + p h )e
J=E

Bandas de e- ms externos son cualitativamente

iguales en C, Si, Ge y Sn.

10

 CONCENTRACIN DE DOPANTE:
- Recordemos: semiconductor intrnseco (Si)
n = p = 1,33 x 1016 m-3

- Semiconductor extrnseco
1 ppm 1017 tomos/cm-3 = 1023 tomos/m-3
conductividad es dominada por las impurezas

1 ppm es poco deforman poco las bandas

n n p

Energa de Fermi: determina el portador dominante

Tipo n (donantes; n=ND): EF > Eg/2
Tipo p (aceptores; p=NA): EF < Eg/2
luego
(EF)n= Ec - kTln(Nc/ND)
(EF)p= Ev + kTln(Nv/NA)
Notar: Si ND (NA) NC (NV) EF EC (EV)
11

Qu pasa si densidad de dopante es muy alta?

Radios de Bohr se traslapan

Hay tantos estados cerca de la BC (o de la BV)
que es como si la banda misma se desplazara.
(Dibujar figuras)

12

(A) SEMICONDUCTORES TIPO n

Electrones adicionales introducidos producen
efecto donante (Ed) cerca de la banda de
conduccin
disminuye barrera para la conduccin

Eg
Ed

EF > Eg/2

Barrera para crear e- de conduccin es

= Eg-Ed y EF crece

13

 Conductividad?
= nh q h + ne q e
pero ne >> nh = ne q e
(T) = o(T) exp (-(Eg-Ed)/kT)

Ojo: no hay factor 2 ! Por qu?

El nmero de portadores de e- de conduccin

extrnsecos es menor o igual al nmero de
tomos dopantes
conduccin tiene lmites !
14

(no hay ilimitados portadores de carga)

Ln

1/T

15

(A) SEMICONDUCTORES TIPO p

Si se utiliza dopante que tiene menos electrones
de valencia.
Ejemplos:
Al en Si
B en Si

16

 Se introducen niveles de aceptores (Ea) cerca de

la banda de valencia
disminuye barrera para la conduccin

Eg

EF < Eg/2

Ea
0

Barrera para crear e- de conduccin es

= Ea y EF disminuye.
Conductividad en este caso?
= nh q h + ne q e
pero nh >> ne = nh q h
17

 p(T) = o(T) exp (-Ea)/kT)

Nuevamente no hay factor 2 ! Por qu?
Ln

1/T

Nota: Comparacin con metales

18

Efecto sobre resistividad,

Metales

Semiconductores

1. Adicin de impurezas
2. Efecto de la temperatura

2.4.3 EFECTO HALL

Mtodo ms comn para determinar el tipo de

portador de carga mayoritario en metales y
semiconductores.
Tambin: sirve para determinar movilidades,
Bz
--------------+Va

++++++++++
++++++++++

Ix
-

VH

Caractersticas:

Barra rectangular slida

Campo elctrico (E, Va) en direccin de la barra:

corriente I

Campo magntico aplicado perpendicular a E:

ejerce fuerza sobre partculas cargadas en
direccin a E y B.

F q( E v B)

Efectos:

Desviacin de huecos (+) hacia una cara

19

Desviacin de electrones (-) hacia la otra

Se genera EH entre ambas caras (!):
F = qEH = qVH/d (VH: voltaje Hall)
En estado estacionario:

I = Q/t = (nq A x)/t = nqA v

VH/d = vB = B x I/(nqA)
VH = (1/nq) I B (d/A)
VH = RH I B / t
RH=1/nq : constante de Hall
H = R H

Consecuencias:

VH < 0 presencia mayoritaria de eVH > 0 presencia mayoritaria de huecos

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