TRANSISTORES DE UNION

POLAR

MARTINEZ REYEZ OTONIEL

MENDEZ APANCO JESUS
VERA SANTAMARIA MARCO

Prctica No. 3. EL TRANSISTOR BIPOLAR

Objetivo
Realizar mediciones de variables elctricas en circuitos bsicos con transistores y visualizar las
aplicaciones generales.
Material y Equipo Empleado
Fuente de alimentacin de CD. (variable).
Osciloscopio con puntas de medicin.
Generador de funciones.
Multmetro digital.
Resistencias de varios valores a 1/2 W.
Un transistor 2N3905.
Un transistor 2N3902.
Un transistor 2N2222.
Un potencimetro de 2.5 K
Cuatro bateras de 1.5V.
Porta bateras para AA.
Tablilla de experimentacin (protoboard).
MATERIAL:

Practica No. 3 Transistores Bipolares

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EXPERIMENTO 1. IDENTIFICACIN FSICA DEL TRANSISTOR.

a) Con el multmetro identifique las terminales y el tipo de transistor de los solicitados en la
prctica, posteriormente dibuje cada terminal como lo muestra la figura 1.

Para ello ponemos nuestro multmetro en la escala de resistencia y vamos a identificar la unin
con polarizacin directa Base-Emisor ya que esta registrar una resistencia relativamente baja
para un transistor NPN mientras que la unin con polarizacin inversa Base-Colector con
polarizacin inversa muestra una resistencia mucho mayor.
La unin con polarizacin directa debe verificarse segn se muestra en la siguiente figura:

Y da como resultado una lectura que por lo regular caer en el rango de 100 a unos cuantos K.

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La unin con polarizacin inversa Base-Colector debe verificarse segn se muestra en la

figura siguiente:

TRANSISTOR

DIAGRAMA

2N 3904

2N 3904

VALOR

E-B 1560K
B-E 1480K

E-B 740K
B-E 0

Con una lectura que suele exceder los 100k .

Para un transistor PNP las terminales se invierten para cada unin.

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El tipo de transistor tambin puede determinarse con solo observar la polaridad de las puntas de
prueba cuando se aplican a la unin Base-Emisor. Si la punta de prueba positiva se conecta a la
Base y la negativa al Emisor una lectura de baja resistencia indicar que se trata de un transistor
NPN y una lectura de alta resistencia indicar que se trata de un transistor PNP.

2N2222

2N2222
R

VBE

VBC

VCE

IE

IC

50

-0.752V

-0.728V

0.042V

12.04 mA

5.54 mA

553

-0.639V

4V

4.6V

4.27 mA

1.640 mA

1052

-0.625V

4.93V

5.55V

0.876 mA

0.880 mA

1555

-0.615V

5.26V

5.87V

0.603 mA

O.604 mA

2000

-0.607V

5.42V

6.03V

0.471 mA

0.471 mA

Figura 1.

EXPERIMENTO 2. POLARIZACIN DEL TRANSISTOR NPN.

a) Construya el circuito que se muestra en la figura 2.

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Figura 2.
b) Con los valores de voltaje VEE y VCC constante, ajuste el potencimetro R1 con la perilla a
su valor mnimo, posteriormente haga incrementos en el orden de 500 ; para cada
incremento de R1 mida las corrientes IE e IC, hasta llegar al valor mximo del potencimetro.
c) Construya una tabla y grafique los resultados con ejes R1 vs IE y R1 vs IC.
EXPERIMENTO 3. POLARIZACIN DEL TRANSISTOR PNP.
a) Construya el circuito que se muestra en la figura 3.

Figura 3
b) Con los valores de voltaje VEE y VCC constante, ajuste el potencimetro R1 con la perilla a su
valor mnimo, posteriormente haga incrementos en el orden de 500 , a cada incremento mida las
corrientes IE e IC, hasta llegar al valor mximo del potencimetro.
c) Ajuste el potencimetro R1 con la perilla a su valor mnimo, obtenga los parmetros de
polarizacin de emisor mxima, mida VEB, VCB y VCE, anote sus resultados.
d) Retire la fuente V2 y obtenga el valor de ICBO.
EXPERIMENTO 4 TRANSISTOR REGIN CORTE Y SATURACIN

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a) Construya el circuito de la figura 4.

b) Calcule el valor de las resistencias de polarizacin RC y RB para que el transistor conmute entre
la regin de corte y de saturacin
c) Con el Multmetro mida el valor del voltaje VBE en los puntos A y B, el valor del voltaje de salida
VCE, el voltaje VBC y las corrientes IB e IC.
d) Anote sus lecturas y haga sus observaciones.
Los transistores pueden ser usados como switches para aplicaciones de cmputo y control.
La red de la figura siguiente puede emplearse como un inversor en circuitos lgicos.

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Un diseo apropiado para el inversor requiere que el punto de operacin switchee desde corte a
saturacin a lo largo de la lnea de carga dibujada sobre la curva de salida de la configuracin de
Emisor-Comn.

Para el clculo de RB y RC para que el transistor switchee entre las regiones de corte y de
saturacin. Debemos considerar el VCEsat mnimo de nuestro transistor desde nuestra data sheet.

Tomando un valor medio de 0.65v para V CEsat podemos calcular nuestra corriente I Csat haciendo una
malla en el circuito de salida teniendo entonces que

12v VRc VCEsat 0

VRC 12v VCEsat
V RC 12v 0.65v 11.35v
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I Csat

11.35v
RC

Para esto tambin debemos seleccionar un valor para nuestra corriente de saturacin I Csat desde la
hoja de datos de nuestro transistor. Como seleccionamos un valor de V CEsat de 0.65v entonces
nuestro valor de corriente se debe encontrar dentro del rango de 150mA a 500mA si seleccionamos
un valor de 175mA podemos calcular el valor de Rc. Por Ley de Ohm

RC

V RC
I Csat

11.35v
64.86
175mA

Ya que la configuracin en la cual se encuentra conectado este transistor es

una Configuracin de Emisor-Comn. Sabemos que para una Configuracin de
Emisor-Comn

Ic I B
Por lo tanto a partir de esta relacin podemos calcular una corriente I B correspondiente a nuestra
corriente de saturacin ICsat dada por:

IB

I C 175mA

El parmetro como sabemos lo podemos obtener de la hoja de datos de nuestro transistor como
hFE. Para el transistor 2N2222 este parmetro cae entre los valores siguientes:

Como estamos en la regin de saturacin el valor de para V CEsat = 1v es de 50. Y con este
parmetro ya podemos calcular IB.

IB

I C 175mA

3.5mA

50

Con este valor de IB calculado podemos hacer una malla en el circuito de entrada y tendremos
entonces que para cuando Vi=5v la siguiente ecuacin:

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 5v V RB V BE 0
Y como hemos visto en la unin Base-Emisor hay un diodo y por lo tanto el VBE es
aproximadamente 0.7v. y con ello podemos despejar el voltaje en R B.

V RB 5v V BE 5v 0.7v 4.3v

Y por Ley de Ohm conociendo nuestra IB en el punto de saturacin podemos calcular el valor
necesario para RB mediante Leyde Ohm.

RB

V RB
4.3v

1228 1.5k
IB
3.5mA

Con estos valores para RB y RC ahora si podemos conectar nuestro circuito y hacer las pruebas
solicitadas.
EXPERIMENTO 5
a) Construye el circuito que se muestra en la figura 5.
b) Calcule el valor de las resistencias de polarizacin RC y RB.
c) Alimente el circuito con el generador de seales ajustndolo a una onda tipo cuadrada de 3 Hz
de frecuencia y un valor de amplitud de 7 volts pico a pico.
d) Partiendo de la frecuencia de 3 Hz realice incrementos en el orden de 10 Hz hasta un valor de
100 Hz.
e) Con el osciloscopio, para cada incremento de la frecuencia, observe y mida el voltaje de salida
colector emisor, observe el comportamiento del LED y explique lo que sucede.
f) Con el multmetro mida los voltajes VBE, Vc y las corrientes IB e IC para cada incremento de
frecuencia.

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