ELECTRONICA BASICA

Presentado por:
HERMINSO BUCURU YATE
CODIGO: 1.006.597 182

TUTORA:
VICTORIA DIANA GISSELA

UNIVERSIDAD NACIONAL ABIERTA Y A DISTANCIA UNAD

ESCUELA DE CIENCIAS BASICAS TECONOLOGIA E INGENIERIA
FLORENCIA-CAQUETA

1.4 Dadas las

Formulas:
Pz =
Vz* Iz
Izmx = Pz /
Vz
Izmn = Izmx
*0,15

2013
RSmn = (Vs - Vz) / Izmx
RSmx = (VS - VZ) / (Izmn + IRL)
RS = (RSmn + RSmx) / 2

RSmn
<RS
<RSmx
V
L
=

VZ
IRL = VL /
RL IZ =
IS - IRL
IS = IZ +
IRL
IS = (VS VZ) / RS

Disear un Regulador Zener que cumpla estas condiciones: Tensin

de fuente Vs = 22Vdc corriente necesitada en la carga IRL= 22mA.
En este diseo se debe
implementar el Diodo 1N750.Completar luego de los clculos
La Tabla:
IZmin
11.25mA

RSmin RSmax
RS
IZ
PZ
204
370.9
287.45
23mA 108.1mW

RL

IS

156.6

53mA

1.5 Construir en el Simulador Pspice Student 9.1 el circuito Regulador Zener

incluya
imagen capturada desde la aplicacin mostrando los valores medidos de Voltaje y
Corriente.

1.6 describa la utilidad e incluya al menos una imagen de cada uno de los
siguientes tipos de diodos.

LOS DIODOS
DIODO: El Diodo es un componente elctrico que se desarroll
como solucin al problema de transformacin de cualquier tipo de corriente alterna
en corriente continua. Este permite el paso de la corriente en un solo sentido, a
este proceso se le llama rectificacin. Para esto se inserta en el circuito un
dispositivo conocido como rectificador, el cual es el que permite que solo pase la
corriente en un sentido, bloqueando la corriente en el otro

DIODOS LED( LUMINISCENTES ): Este tipo de diodos es muy

popular, sino, veamos cualquier equipo electrnico y veremos por lo
menos 1 ms diodos led. Podemos encontrarlos en direfentes
formas, tamaos y colores. La forma de operar de un led se basa
en la recombinacin de portadores mayoritarios en la capa de
barrera cuando se polariza una unin Pn en sentido directo. En
cada recombinacin de un electrn con un hueco se libera cierta
energa. Esta energa, en el caso de determinados
semiconductores, se irradia en forma de luz, en otros se hace de
forma trmica.
Dichas radiaciones son bsicamente monocromticas (sin color).
Por un mtodo de "dopado" del material semiconductor se puede
afectar la enega de radiacin del diodo.El nombre de LED se debe
a su abreviatura en ingles ( Light Emmiting
Diode)
Adems de los diodos led existen otros diodos con diferente
emisin, como la infrarroja, y que responden a la denominacin
IRED (Diodo emisor de infra- rojos)
.

FOTODIODOS: Algo que se ha utilizado en favor de la tcnica

electrnica moderna es la influencia de la energa luminosa en la
ruptura de los enlaces de electrones situados en el seno constitutivo
de un diodo. Los fotodiodos no son diodos en los cuales se ha
optimizado el proceso de componentes y forma de fabricacin de
modo que la influencia luminosa sobre su conduccin sea la
mxima posible. Esto se obtiene, por ejemplo, con fotodiodos de
silicio en el mbito de la luz incandescente y con fotodiodos de
germanio en zonas de influencia de luz infrarroja.

DIODO TNEL: Es un semiconductor que tiene una unin pn, en la

cual se produce el efecto tnel que da origen a una conductancia
diferencial negativa en un cierto intervalo de la caracterstica
corriente-tensin. Puede funcionar como amplificador, como
oscilador o como biestable.

DIODO P-I-N: es un diodo que presenta una regin P fuertemente dopada

y otra regin N tambin fuertemente dopada, separadas por una
regin de material que es casi intrnseco. Se puede utilizar como
interruptor o como modulador de amplitud en frecuencias de
microondas ya que se puede presentar como un cortocircuito en
sentido directo y como un circuito abierto en sentido inverso.
DIODO SCHOTTKY O DIODO DE BARRERA SCHOTTKY: Es un
dispositivo semiconductor constituido por una unin metalsemiconductor (barrera Schottky) que proporciona conmutaciones
muy rpidas y bajas tensiones umbral.
Permite rectificar seales de hasta 300MHz y eliminar excesos de
corriente en circuitos de alta intensidad.

FASE 2: EL TRANSISTOR BJT

2.1 Formulas

Dado el circuito Transistor BJT NPN Emisor Comn

VC
7.5V

RC
75

IB
0.89mA

VB
0.7V

RB
4837

PD
750mW

2.2 Mencionar las zonas de trabajo del Transistor BJT y aplicacin

200

7.5
A mayor voltaje menor corriente de igual forma en viceversa a menor voltaje
mayor corriente siempre estando en el rango de 7.5V y 200mA dentro desde rango
de accin la relacin voltaje corriente es lineal.