LABORATORIO DE ELECTRNICA DE POTENCIA

PRACTICA N 2: LABORATORIO DE TRANSISTORES DE POTENCIA

2N3055 EN CONFIGURACION DARLINGTON

PRESENTADO POR:
JHAN CARLOS MARTINEZ DURAN

PRESENTADO A:
ING. OVIDIO OSPINO

UNIVERSIDAD COOPERATIVA DE COLOMBIA

FACULTAD DE INGENIERIA
PROGRAMA DE INGENIERIA ELECTRONICA
SANTA MARTA DTCH
2014

INTRODUCCION
En esta prctica de laboratorio se muestra la forma y caractersticas de trabajo,
funcionamiento de un transistor en configuracin Darlington, con ayuda de un
transistor de baja potencia saturar uno de alta potencia, de esta manera
controlar corrientes altas con corrientes controladoras desde los
microamperios.
En este laboratorio utilizaremos un transistor 2N3055 Y 2N222 ambos NPN y
llevar al 2N3055 en corte y saturacin, esta configuracin nos brinda una
mayor ganancia de corriente debido a que es un transistor de potencia que nos
permite controlar hasta 10 amperios.

OBJETIVO GENERAL:

Realizar una configuracin Darlington con ayuda de dos transistores

BJT llevndolo a corte y saturacin

OBJETIVOS ESPECIFICOS:

Saturar un transistor de alta potencia con corrientes baja

Controlar corrientes altas con corrientes por debajo de los amperios, en

este caso miliamperios, microamperios

DESARROLLO DE LA PRCTICA:

Para realizar la prctica debemos tener claro los conceptos bsicos respecto a
funcionamiento de los BJT, en este caso tomar como referencia el laboratorio 1
(corte y saturacin de un BJT).
Primero se trabaj por independiente el transistor 2N3055 y saturarlo con una
corriente de base lo ms pequea posible y lograr la corriente de saturacin
propuesta IC >4.6 Amp pero inferior a 5 Amp.
Para lograr lo anteriormente se coloc una resistencia baja en la terminar de
colector lo suficiente baja para asegurar una corriente grande, en este caso 3
de tal forma el transistor de baja potencia pueda introducir la corriente
suficiente por base y excitar ms rpido al transistor de potencia.
Por ley de ohm:
V 14.5 V
IR= =
R
3

=4.8 Amp

De esta manera con un voltaje de 14.5 y una resistencia de 3 asegurare una

corriente de 4.8 Amp solo falta inyectar la corriente suficiente en base y hasta
lograr independizar la corriente de colector de la base
Debemos tener en cuenta que el transistor de baja potencia soporte el voltaje
suficiente inyectado en colector ya que tanto como el transistor de alta potencia
como de baja potencia trabajan con la misma fuente.

Al realizar la conexin del Darlington se comienza a variar la corriente de base

hasta lograr la corriente de colector deseada, en este casa se seleccion una
resistencia de base de 180 que con un voltaje inyectado en base podemos
obtener una corriente de entrada a 22 m A, al no saturarse podemos aumentar
un poco la fuente de voltaje en el colector de esta manera aumentara la
corriente en colector y la de base podr disminuirse, o si no variar la resistencia
bajar la resistencia de colector asurando un flujo de corriente mayor por esa
zona.
Cono los siguientes parmetros se logr lo dispuesto
laboratorio

en la prctica de

VCC=15V, RL= 3.5, RB= 180

NOTA: se vario el voltaje de base y as aumentar o disminuir la corriente
inyectada la cual llega al transistor de potencia

INCONVENIENTES AL REALIZAR LA PRCTICA

Con la realizacin de la prctica no se presentaron muchos inconvenientes ya
que se aprendi sobre el tema con el laboratorio1 realizado anteriormente, se
present lo siguiente:

Primero se eligi el transistor que satura al de potencia con las

siguientes caractersticas:
BD135
IB= 0.5Amp, e IC= 1.5Amp.
Nos dimos cuenta que la corriente de base era demasiado grande y
que la corriente de colector tambin y al colocarlo en el diseo era muy
difcil controlar la corriente de salida, se saturaba muy rpido

Se averi un transistor de baja potencia por errores de conexin, no

todos los transistores manejan las mismas referencias en sus
terminares

Al realizar los clculos las tolerancias de las resistencias fue otro

problema

SOLUCIONES
Para el problema numero 1 solo basto conseguir un transistor ms pequeo
pero lo suficiente para darnos corrientes que exciten el transistor 2N3055, en
este caso el 2N222.
Para la solucin del problema dos se procur trabajar de la mano con la hoja
de datos de los dispositivos y de esta manera no caer en el mismo error
Para solucionar el problema tres de monto una fuente de voltaje fija, con una
resistencia de colector baja aseguramos una corriente alta solo fue necesario
variar la fuente en base y realizar pruebas y ensayo hasta lograr lo requerido.

CONCLUSION
Con la prctica de laboratorio podemos decir lo siguiente la configuracin de
los transistores como Darlington es muy efectiva a la hora de controlar
corrientes altas con corrientes pequeas. Si se conectan ms transistores en
esta configuracin la corriente de base ser tan pequea hacindonos ms fcil
el control de corrientes altas