Cap 3 Opticas

ACOPLADORES
Antes de mencionar lo que es un acoplador, hay que conocer lo que es un dispositivo

recproco. Este trmino hace referencia a: si las entradas y salidas del dispositivo se pueden
invertir. Por lo tanto un dispositivo no recproco es aquel que transmite en una direccin y
boquea en otras direcciones.
Un acoplador direccional es un dispositivo recproco que tiene la tarea de combinar y dividir

las seales pticas. Un acoplador 2x2 consiste de dos puertos de entrada y dos puertos de
salida, como se puede observar en la figura 3.1. Es construido tpicamente fusionando dos
fibras, o tambin usando guas de onda en ptica integrada.
Un acoplador direccional.
Figura 3.1: Acoplador direccional
Un acoplador 2x2 toma una fraccin \alpha de la potencia de la entrada 1 y la ubica en la salida
1 y la fraccin restante (1-\alpha) en la salida 2. Igualmente, una fraccin 1-\alpha de la
potencia de la entrada 2 es distribuida en la salida 1 y la restante en la salida 2. A \alpha se lo
llama factor de acoplamiento.
Un acoplador puede ser diseado para ser de longitud de onda selectiva o independiente (a
veces llamado longitud de onda plana). En un dispositivo de longitud de onda independiente,
\alpha es independiente de longitud de onda. En un dispositivo de longitud de onda selectiva
\alpha depende de la longitud de onda. Son ampliamente usados en 1310 nm y 1550 nm en
fibras monomodo sin prdidas. En la seal de 1310 nm de entrada la entrada 1 se pasa a travs
de la salida 1, mientras la seal de 1550 nm en la entrada 2 se pasa a travs tambin de la
salida 1. El mismo acoplador puede ser usado para separar 2 seales que se encuentran en una
fibra comn. Son usados tambin para combinar seales de bombeo de 980 nm o 1480 nm con
una seal de 1550 nm en un amplificador de fibra dopada de erbio, en las siguientes figuras.
C3-34.svg
C3-37.svg
Un acoplador 3dB distribuye una seal de entrada en partes iguales entre dos puertos de
salida, si la longitud de acoplamiento l se ajusta de forma que la mitad de la potencia de cada
entrada aparece en la salida.
Un acoplador estrella nxn es una generalizacin del acoplador 3dB. Es un dispositivo de nentradas y n-salidas, con la propiedad de que la potencia de cada entrada es dividida en partes
iguales para todas las salidas. Se puede construir interconectando un nmero de acopladores
de 3dB, como se muestra en la figura 3.2. Es til cuando mltiples seales necesitan ser
combinadas y difundidas (broadcast) a muchas salidas. Otras construcciones de acopladores de
nxn de ptica integrada
C3-2.svg
Figura 3.2: Acoplador estrella con 8 entradas y 8 salidas hecho combinando acopladores 3dB.
La potencia de cada entrada es dividir en partes iguales para todas las salidas.
Los acopladores tambin pueden servir como grifos (tap). Son acopladores que aprovechan
una pequea porcin de la potencia de una corriente de luz. Estos son diseados con valores
de \alpha cercanos a 1 (tpicamente $0.90-0.95$). Estos son usados con propsitos de
monitorizacin.
Los acopladores son bloques de construccin para muchos otros dispositivos pticos, por
ejemplo: en moduladores, conmutadores, interfermetros Mach-Zehnder (usados en filtros
pticos), multiplexores/demultiplexores, y convertidores de longitud de onda.
Principio de Operacin
Cuando dos guas de onda son puestas a proximidad la una de la otra, la luz se "acopla" de una
gua de onda a otra. Esto es debido a qu los modos de propagacin de la gua de onda
combinada son muy diferentes de los modos de propagacin de una gua de onda nica debido
a la presencia de otra gua de onda. Cuando dos guas de onda son idnticas (solo este caso se
considera en este curso), la luz lanzada en una gua de onda se acopla completamente a otra
gua de onda y luego vuelve a la primera gua de onda de manera peridica. El resultado neto
de este anlisis es que los campos elctricos, E_{o1} y E_{o2}, en las salidas de un acoplador
direccional pueden ser expresados en trminos de los campos elctricos en las entradas E_{i1}
y E_{i2}, como sigue:
E3-1.svg
Ecuacin 1 (E3-1)
Aqu, $l$ denota la longitud de acoplamiento, y $\Beta$ es la constante de propagacin en

cada una de las dos guas de onda de un acoplador direccional. La cantidad $\kappa$ es
llamada coeficiente de acoplamiento y est en funcin del ancho de las guas de onda, los
ndices de refraccin de la regin que gua la onda (ncleo) y el substrato, y la proximidad de
las dos guas de onda.
Aunque el acoplador direccional es un dispositivo de dos entradas y dos salidas,

frecuentemente es usado solo con una entrada activa (entrada 1). En este caso, la funcin de
transferencia de la potencia de un acoplador direccional es:
E3-2.svg
Ecuacin 2 (E3-2)
Aqu, $T_{ij}(f)$ representa la funcin de transferencia de la potencia desde la entrada $i$

hasta la salida $j$ y est definida por $T_{ij}(f)=|E_{oj}|^2/|E_{ii}|^2$. La ecuacin 2 se puede
derivar de la ecuacin 1 estableciendo $E_{i2}=0$. Note que de la ecuacin 2 que para un
acoplador 3dB la longitud de acoplamiento debe escogerse para satisfacer $\kappa
l=(2k+1)\pi/4$, donde $k$ es un entero no negativo.
Conservacin de la energa
La forma general de la ecuacin 1 puede derivarse suponiendo que el acoplador direccional es

sin prdidas. Si se asume que los campos elctricos de entrada y salida estn relacionados por
una ecuacin general de la forma.
E3-3
La matriz
E3-3a
es la funcin de transferencia del dispositivo relacionando los campos elctricos de las

entradas y las salidas y es llamado matriz de dispersin (scattering matrix). Se usan
representaciones complejas para los campos elctricos de las entradas y las salidas, y as
$s_{ij}$ tambin es complejo. En las aplicaciones se usa la parte real de los campos complejos.
La representacin compleja para $s_{ij}$ permite representar cualquier cambio de fase
inducidos.
Por conveniencia, se denota $\mathbf{E}_o=(E_{o1},E_{o2})^T$ y

$\mathbf{E}_{i}=(E_{i1},E_{i2})^T$, donde $T$ denota la transpuesta de vector/matriz. En sta
notacin puede ser escrito de manera compacta como $E_o=\mathbf{SE_i}$.
La suma de las potencias de los campos de entrada es proporcional a

$\mathrf{E}_i^T\mathbf{E}_i^*=|E_{i1}|^2+|E_{i2}|^2$. Aqu $*$ representa la compleja
conjugada. De manera similar, la suma de las potencias de los campos de salida es
proporcional a $\mathrf{E}_o^T\mathbf{E}_o^*=|E_{o1}|^2+|E_{o2}|^2$. Si los acopladores
direccionales no tienen prdida, la potencia en los campos de salida deben ser iguales a las
potencias en los campos de entrada entonces
E3-3b
Dado que esta relacin se debe mantener para un $\mathbf{E}_i$ arbitrario, se tiene:
E3-4
Ecuacin 4 (E3-4)
donde $\mathbf{I}$ es la matriz identidad. Tenga en cuenta que esta relacin se deduce de la
conservacin de la energa y se puede generalizar a un dispositivo con un nmero arbitrario de
entradas y salidas.
Para un acoplador direccional 2x2, por la simetra del dispositivo, se puede definir
$s_{21}=s_{12}=a$ y $s_{22}=s_{11}=b$. Aplicando 4 a esta matriz simplificada de dispersin,
se obtiene:
E3-5 Ecuacin 5 (E3-5)
E3-6 Ecuacin 6 (E3-6)
De 5, se puede escribir
E3-7
Ecuacin 7 (E3-7)
Si se escribe $a=cos(x)e^{i\phi a}$ y $b=sin(x)e^{i\phi b}$ arroja
E3-8
As $\phi_a$ y $\phi_b$ deben diferir en un mltiplo impar de $\pi/2$. La forma general de 1

ahora sigue desde 7 y 8.
La conservacin de la energa tiene consecuencias importantes para los tipos de componentes

pticos que podemos construir. Hay que tomar en cuenta que para un acoplador 3dB.
Aunquelos campos elctricosenlas dos salidastienen la misma magnitud, tienen un cambio de
fase relativo de $\pi/2$. Este cambio de fase relativo, quese deduce de laconservacin de la
energacomo se acabo de ver juega un rol crucial en el diseo de dispositivos tales como el
interfermetro Mach-Zehnder. Otra consecuencia de la conservacin de la energa es que la
combinacin sin prdida no es posible. Por lo tantono podemosdisear un dispositivocon

trespuertos, dondela entrada de energaen dos de lospuertosest completamenteentregadoa
la tercera puerta.
Cuestionario
Qu es un dispositivo recproco?
Qu es un dispositivo no recproco?
Qu tarea cumple un acoplador direccional?
De cuntos puertos de entrada y cuntos puertos de salida consiste un acoplador 2x2?
Cmo se construye un acoplador direccional?
Cmo se le denota el factor de acoplamiento?
Cmo funciona un acoplador 2x2?
Cmo se le conoce tambin a un acoplador de longitud de onda independiente?
De qu manera puede ser diseado un acoplador en funcin de la longitud de onda?
En un dispositivo de longitud de onda independiente, Qu pasa con \alpha?
En un dispositivo de longitud de onda selectiva, Qu pasa con \alpha?
Qu hace un acoplador 3dB?
A qu acoplador generaliza un acoplador estrella nxn?
Cmo funcionan los grifos (taps)?
Para qu son utilizados los grifos (taps)?
En qu dispositivos pueden ser usados como bloques de construccin los acopladores?
Qu pasa cuando dos guas de onda son puestas a proximidad?
Debido a qu sucede el acoplamiento de una gua de onda a otra?
Qu pasa con el acoplamiento, cuando dos guas de onda son idnticas?
Cmo se denota la longitud de acoplamiento?
Cmo se denota la constante de propagacin?
Cmo se denota al coeficiente de acoplamiento?
En funcin de qu parmetros se encuentra el coeficiente de acoplamiento?
Cuntas entradas activas tiene un acoplador direccional?
Problemas propuestos
Problema 1 (3.1 del libro de referencia)
Considere el acoplador 2x2 3dB (mostrado en la figura). Suponga que se conectan las dos
salidas con un pedazo de fibra. Suponga que se conservan las polarizaciones a travs del
dispositivo. Una seal de luz es enviada en la primera entrada. Qu pasa? Deduzca la funcin
de transferencia del campo para el dispositivo. Suponga que el acoplador utilizado es un
dispositivo recproco, por lo tanto, trabaja de la misma manera si sus entradas y salidas son
invertidas. Consejo: Este dispositivo es llamado un espejo de lazo (loop mirror).
Considere un dispositivo con tres puertos donde se desea enviar toda la energa de entrada de
los puertos 1 y 2 al puerto 3. Supongamos, en general, que todos los puertos pueden ser
usados como entradas y salidas. La matriz de dispersin (scattering matrix) de tal dispositivo
puede ser escrita como
E3-P2
Mostrar que la matriz de dispersin de esta forma no puede satisfacer la condicin de

conservacin de la energa (Ecuacin 4). Por lo tanto, es imposible construir un dispositivo que
combine toda la potencia de los dos puertos de entrada en un tercer puerto, sin prdida.
AISLADORES Y CIRCULADORES
Tabla de contenidos
1.1. Principio de operacin
1.2. Cuestionario
1.3. Problemas propuestos
1.3.1. Problema 1 (3.3 del libro de referencia)
Un aislador es un dispositivo no recproco, su funcin principal es permitir la
transmisin en una direccin y boquear en otras direcciones. Son usados en sistemas en
la salida de amplificadores pticos y lasers, principalmente para prevenir las reflexiones
que entren en este dispositivo, que de otro modo degradara su rendimiento. Los dos
parmetros clave de un aislador son su prdida de insercin, que es la prdidaen la
direccinhacia adelante y la cual debe ser lo ms pequea posible, y su aislamiento, que
es la prdida en direccin inversa, la cual debe ser lo ms grande posible. La prdida por
insercin tpica es alrededor de 1dB, y el aislamiento alrededor de 40-50 dB.
Un circulador es similar a un aislador, excepto que tiene varios puertos, tpicamente tres
o cuatro, como se muestra en la figura 1. En un circulador de tres puertos, una seal de
entrada en el puerto 1 es enviada por el puerto 2, un seal de entrada en el puerto 2 es
enviada por el puerto 3, y una seal de entrada en el puerto 3 es enviada por el puerto 1.
Los circuladores son tiles para construir elementos add/drop. Los circuladores operan
con el mismo principio de los aisladores.
Figura 1: Representacin funcional de un circulador: (a) tres puertos y (b) cuatro

puertos. Las flechas representan la direccin del flujo de la seal.
Principio de operacin
Primero se necesita entender la nocin de polarizacin. Recuerde que el estado de
polarizacin (State Of Polarization, SOP) de luz que se propaga en una fibra monomodo
se refiere a la orientacin de su vector de campo elctrico en un plano que es ortogonal

a su direccin de propagacin. En cualquier momento, el vector de campo elctrico
puede ser expresado como una combinacin lineal de las dos polarizaciones lineales
ortogonales permitidas por la fibra. Llamaremos a estos dos modos de polarizacin los
modos horizontal y vertical.
El principio de operacin de un aislador se muestra en la figura 2. Suponga que la seal
de luz de entrada tiene el SOP vertical mostrado en la figura. Este pasa a travs del
polarizador, el cual pasa solo la energa de la luz en el SOP vertical y bloquea la energa
de la luz en el SOP horizontal. Tales polarizadores pueden ser construidos usando
cristales, llamados dicroicos, los cuales tienen la propiedad de absorber la luz de forma
selectiva con un SOP. El polarizador va seguido por un rotador de Faraday. Un rotador
de faraday es un dispositivo no recproco, est hecho de un cristal que hace rotar el
SOP, por ejemplo, en sentido horario, por 45, sin importar la direccin de propagacin.
El rotador de Faraday es seguido por otro polarizador que hace pasar solo los SOPs con
esta orientacin de 45 grados. Por lo tanto, la seal de luz de izquierda a derecha se
pasaa travs del dispositivosin ninguna prdida. De otro lado, la luz que entra en el
dispositivo de derecha por causa de la reflexin, con la misma orientacin de 45 del
SOP, es rotada otros 45 por el rotador de Faraday, y por lo tanto, bloqueada por el
primer polarizador.
Figura 2: Principio de operacin de un aislador que trabaja solo para un estado de

polarizacin particular de la seal de entrada.
Se debe tener en cuenta que la explicacin dada supone un SOP particular para la seal
de luz de entrada. En la prctica, no podemos controlar el SOP de entrada, y por lo tanto
el aislador debe trabajar sin importar el SOP de entrada. Esto requiere un diseo ms
complicado, existen diferentes diseos. Uno de estos diseos para un aislador miniatura
independiente de la polarizacin se muestra en la figura 3. La seal de entrada con un
SOP arbitrario es enviada primero a travs de un Spatial Walk-off Polarizer (SWP). El
SWP divide la seal en sus dos componentes ortogonalmente polarizados. Tal SWP
puede ser construido usando cristales birrefringentes cuyo ndice de refraccin es
diferente para los dos componentes. Cuando la luz con un SOP arbitrario es incidente en
tal cristal, los dos componentes ortogonalmente polarizados son refractados en
diferentes ngulos. Cada componente pasa a travs de un rotador de Faraday, el cual
rota los SOPs 45. El rotador de Faraday es seguido por una placa de media onda (halfwave plate). El half-wave plate (dispositivo recproco) rota los SOPs 45 en la direccin
de las agujas del reloj para las seales que se propagan de izquierda a derecha, y por 45
en sentido antihorario para las seales que se propagan de derecha a izquierda. Por lo
tanto, la combinacin del rotador de Faraday y el half-wave plate convierten la
polarizacin horizontal en una polarizacin vertical y viceversa, y las dos seales son
combinadas por otros SWP en la salida. Para las seales reflejadas en direccin inversa,
el half-wave plate y el rotador de Faraday cancelan los efectos de los otros, y los SOPs
permanecen sin cambios a medida que pasan a travs de estos dos dispositivos, por lo
tanto, no son recombinados por el SWP en la entrada.
Figura 3: Un aislador independiente de la polarizacin. El aislador es construido de la

misma manera queun aisladordependiente de la polarizacin pero usa Spatial Walf-off
Polarizers en las entradas y salidas. (a) propagacin de izquierda a derecha. (b)
propagacin de derecha a izquierda.
Cuestionario
Considere un aislador que es un dispositivo de dos puertos donde la potencia debe ser
transferida desde el puerto 1 al puerto 2, pero ninguna potencia debe ser transferida
desde el puerto 2 al puerto 1. La matriz de dispersin de tal dispositivo puede ser escrita
como
Muestre que la matriz de dispersin de esta forma no puede satisfacer la condicin de

conservacin de energa. As, laprdidase produce enel aisladorporque la potencia de
entrada en el puerto 2 debe ser absorbida por este. Sin embargo, la potencia de entrada
en el puerto 1 puede ser transferida al puerto 2 sin prdida.
Multiplexores y Filtros
Tabla de contenidos
1. Rejillas[Editar]
1.1. Principio de Operacin (Rejillas)
1.2. Cuestionario (Rejillas)
1.3. Problemas Propuestos (Rejillas)
2. Rejillas de Bragg[Editar]
2.1. Principio de Operacin (Bragg)
2.2. Cuestionario (Bragg)
3. Rejillas de fibra[Editar]
3.1. Rejillas de fibra de Bragg
3.2. Rejillas de fibra de perodo largo
3.3. Principio de Operacin (Fibra)
3.4. Cuestionario (Fibra)
4. Filtros Fabry-Perot[Editar]
4.1. Principio de Operacin (Fabry-Perot)
4.2. Sintonizabilidad
4.3. Cuestionario (Fabry-Perot)
4.4. Problemas Propuestos (Fabry-Perot)
4.4.1. Problema 3.7 (Libro de Referencia)
5. Filtros Multicapa dielctricos de pelcula delgada (Thin-Film)[Editar]
5.1. Cuestionario (Thin-Film)
5.2. Problemas propuestos (Thin-Film)
6. Interfermetros Mach-Zehnder[Editar]
6.1. Principio de operacin (Mach-Zehnder)
6.2. Cuestionario (Mach-Zehnder)
6.3. Problemas propuestos (Mach-Zehnder)
7. Rejillas de Arreglos de Guas de Onda: Arrayed Waveguide Grating[Editar]
7.1. Principio de Operacin (Arrayed Waveguide)
7.2. Cuestionario (Arrayed Waveguide)
7.3. Problemas propuestos (Arrayed Waveguide)


8. Filtro Ajustable Acousto-Optic[Editar]
8.1. Principio de Operacin (Acousto-Optic)
8.2. Funcin de transferencia (Acousto-Optic)
8.3. AOTF como longitud de onda de crossconnect

8.4. Cuestionario (Acousto-Optic)
8.5. Problemas propuestos (Acousto-Optic)
9. Arquitecturas del multiplexor High Channel Count[Editar]
9.1. Serial
9.2. Multietapas Banding
9.3. Intercalacin de multietapas

9.4. Cuestionario (Arquitecturas del multiplexor High Channel Count)
Los filtros pticos son componentes esenciales en los sistemas de transmisin para al
menos dos aplicaciones: para multiplexar y demultiplexar longitudes de onda en un
sistema WDM -Estos dispositivos son llamados multiplexores/demultiplexores- y para
proveer la ecualizacin de la ganancia y filtrado del ruido en amplificadores pticos.
Adems, entender el filtrado ptico es esencial para entender la operacin de los lasers.
Las diferentes aplicaciones de los filtros pticos son mostrados en la figura 3.6. Un
filtro simple es un dispositivo de dos puertos que selecciona una longitud de onda y
rechaza las otras. Este puede tener un tercer puerto adicional en el cual las longitudes de
onda rechazadas pueden ser obtenidas. Un multiplexor combina seales de diferentes
longitudes de onda en sus puertos de entrada en un puerto de salida comn, y un
demultiplexor presenta la funcin opuesta. Los multiplexores y demultiplexores son
usados en los terminales WDM como tambin en wavelength crossconnects ms grandes
y wavelength add/drop multiplexers.
Figura 3.6: Diferentes aplicaciones de los filtros pticos en las redes pticas. (a) Un
filtro simple, el cual selecciona una longitud de onda y bloquea las longitudes de onda
restantes o las hace disponibles en el tercer puerto. (b) Un multiplexor, el cul combina
varias longitudes de onda en una nica fibra. En la direccin contraria, el mismo
dispositivo acta como un demultiplexor separando las diferentes longitudes de onda.
Los demultiplexores y multiplexores pueden ser puestos en cascada para realizar

wavelength crossconnects (WXCs) estticos. En un WXC esttico, el patrn de conexin
cruzada se fija en el momento en que se construye el dispositivo y no puede ser
cambiado dinmicamente. La figura 3.7 muestra un ejemplo de un WXC esttico. El
dispositivo encamina seales desde un puerto de entrada hasta un puerto de salida en
funcin de la longitud de onda. Los WXCs dinmicos pueden ser construidos
combinando conmutadores pticos con multiplexores y demultiplexores. Los WXCs
estticos son altamente limitados en trminos de su funcionalidad. Por esta razn, los
dispositivos de inters son dinmicos en lugar de estticos.
Figura 3.7: Un wavelength crossconnect esttico. El dispositivo encamina seales

desde un puerto de entrada a un puerto de salida en funcin de la longitud de onda.
Una variedad de tecnologas de filtrado ptico estn disponibles. Sus caractersticas

clave para usar en sistemas son las siguientes:
1. Los buenos filtros pticos deberan tener bajas prdidas de insercin. La prdida de
insercin es la prdida de entrada a salida del filtro.
2. La prdida debe ser independiente del estado de polarizacin de las seales de
entrada. El estado de polarizacin vara aleatoriamente con el tiempo en la mayora de
sistemas, y si el filtro tiene una prdida dependiente de la polarizacin, la potencia de
salida tambin variar con el tiempo -una caracterstica indeseable.
3. La banda de paso de un filtro debe ser insensible a las variaciones de la temperatura
del ambiente. El coeficiente de temperatura es medido por la cantidad de
desplazamiento de longitud de onda por las unidades de cambio de temperatura en
grados. El sistema debe funcionar para todo el rango de temperatura (alrededor de
100C), el desplazamiento de la longitud de onda debe ser menor que el
espaciamiento de longitud de onda entre los canales adyacentes en un sistema WDM.
4. Como ms y ms filtros son puestos en cascada en los sistemas WDM, la banda de
paso llega a ser cada vez ms estrecha. Para asegurar el ancho en la banda de paso al
final de la cascada, los filtros individuales deben tener bandas de paso muy planas,
para poder dar cabida a pequeos cambios en las longitudes de onda de operacin de
los lasers en el tiempo. Esto es medido por el ancho de banda de 1dB, como se
muestra en la figura 3.8.
5. Al mismo tiempo, las faldas de la banda de paso deben ser afiladas para reducir la
cantidad de energa que se pasa a los canales adyacentes. Esta energa es vista como
crosstalk y degrada el rendimiento del sistema. La supresin del crosstalk, o el
aislamiento del filtro, el cual est definido como la potencia relativa pasada a travs de
los canales adyacentes, tambin es un parmetro importante.
Figura 3.8: Caracterizacin de algunos parmetros importantes de forma espectral de

los filtros pticos. $\lambda_0$ es la longitud de onda central del filtro, y $\lambda$
denota la longitud de onda de la seal de luz.
Adems de todos los parmetros de rendimiento descritos, tal vez la consideracin ms
importante es el costo. Las tecnologas que requieren un montaje a mano cuidadoso
tienden a ser ms caros. Hay dos formas de reducir el costo en los filtros pticos. La
primera es fabricarlos usando tecnologa de gua de onda de ptica-integrada. Esto es

anlogo a los chips en semiconductores, aunque el estado de integracin logrado con la
ptica es significativamente menor. Estas guas de onda pueden ser hechas con muchos
substratos, incluyendo slice, silicon, InGaAs, y polmeros. Los dispositivos de gua de
onda tienden inherentemente a ser dependientes de la polarizacin debido a la geometra
de las guas de onda, y se debe tener cuidado para reducir el PDL en estos dispositivos.
El segundo mtodo es realizar dispositivos totalmente de fibra. Tales dispositivos son
susceptibles a la produccin en masa y son inherentemente independientes de la
polarizacin.
Rejillas[Editar]
Autor: Jairo Armijos
Seccin 3.3.1 del libro de referencia
El trmino Rejilla es usado para describir a dispositivos cuya operacin envuelve
mltiples seales pticas originadas de una misma fuente pero que poseen un cambio de
fase relativo diferente. Mientras que, denominamos Etaln a un dispositivo donde las
mltiples seales pticas son generadas por recorridos repetidos en una cavidad nica.
Una onda electromagntica (en este caso de luz), que se propaga en la direccin z,
depende tanto de z como de t, y est definida de la forma cos(t - z), siendo la
frecuencia angular, la constante de propagacin la cual depende del medio, y el
conjunto t - z representa la fase de la onda. Por lo tanto, para lograr un cambio de
fase relativo entre dos ondas de la misma fuente se hace que estas recorran dos
trayectorias de diferentes longitudes.
En la figura 3.9 se muestran dos ejemplos de rejillas. Las rejillas son muy utilizadas
para separar la luz en diferentes longitudes de onda. sta utilidad de las rejillas permite
que, en sistemas de comunicacin WDM (Multiplexacin por Divisin de Longitud de
Onda), stas acten como Multiplexores (combinando longitudes de onda) o
Demultiplexores (separando longitudes de onda).
Figura 3.9: (a) Rejilla de Transmisin (b) Rejilla de Reflexin.
La figura 3.9 (a) muestra un plano de rejilla, el cual contiene ranuras igualmente
espaciadas denominadas tonos o pasos de la rejilla. El funcionamiento es como sigue,
la luz incidente, procedente de una fuente en un lado de la rejilla, se transmite a travs
de las ranuras. Dado que cada ranura es estrecha, debido al fenmeno de difraccin, la
luz transmitida a travs de cada ranura se propaga en todas las direcciones. Por lo tanto,
cada ranura acta como una fuente secundaria de luz. Ahora, imaginemos un plano
paralelo al plano rejilla del otro lado, denominado plano de representacin; para las
ondas que inciden en el plano de representacin, en fase, habr interferencia
constructiva en ese punto, mientras que para las ondas que llegan fuera de fase habr
interferencia destructiva, provocando un aumento o disminucin en la intensidad de la
luz respectivamente. Aunque, para la mayor parte de puntos del plano de representacin
habr interferencia destructiva. Dado que diferentes longitudes de onda interfieren
constructivamente en diferentes puntos en el plano imagen, la rejilla separa
efectivamente una seal WDM espacialmente en sus longitudes de onda constituyentes.
En un sistema de fibra ptica, las fibras pticas se pueden colocar en diferentes puntos
del plano de representacin para recoger la luz en sus diferentes longitudes de onda.
Es importante recalcar que la clave para el funcionamiento de las rejillas es el fenmeno
de difraccin, dado que sin ste, la luz simplemente se transmitira por las ranuras y no
permitira que diferentes longitudes de onda interacten constructivamente o
destructivamente, por sta razn a estos se los denomina rejillas de difraccin.
En la figura 3.9 se muestran dos tipos de rejillas de difraccin, en (a) se muestra
la rejilla de transmisin, dado que mltiples transmisiones ocurren en la rejilla;
mientras que en (b) se muestra la rejilla de reflexin, la cual posee el mismo principio
de funcionamiento que la rejilla de transmisin, sin embargo, su diferencia radica en
que las ranuras no reflectantes son reemplazadas por ranuras estrechas reflectantes.
Principio de Operacin (Rejillas)

Como hemos visto, una rejilla de difraccin es una serie de ranuras paralelas en gran
nmero, todas del mismo ancho y separadas por distancias iguales a a entre sus centros.
En la figura 3.10 se muestra un plano de rejilla (transmisin), para entender su principio
de operacin haremos las siguientes suposiciones:
La fuente de luz est lo suficientemente lejos del plano rejilla comparada con
la distancia a entre ranuras, de tal manera que podemos asumir que el
ngulo de incidencia i es el mismo para todas las ranuras.
Los rayos son difractados con un ngulo d desde el plano rejilla.
El plano de representacin, al igual que la fuente de luz, est lo
suficientemente lejos del plano rejilla comparada con el ancho de la ranura o
tono.
Las hendiduras son pequeas en comparacin con la longitud de onda, de
modo que el cambio de fase a travs de una hendidura es insignificante.
Figura 3.10: Principio de Operacin de una Rejilla de Transmisin. La Rejilla de

Reflexin trabaja de una manera anloga.
Bajo las suposiciones anteriores se puede demostrar que la diferencia en la longitud de
trayectoria entre rayos, que atraviesan ranuras adyacentes, es la diferencia de longitudes
entre los segmentos de lnea AB y CD, y est dado aproximadamente por a[sin(i) sin(d)]
Por lo tanto, los rayos difractados con ngulo d y longitud de onda que llegan al
plano de representacin, sufren interferencia constructiva si la diferencia de trayecto
entre ranuras adyacentes es igual a un nmero entero de longitudes de onda, es decir si
la siguiente ecuacin de rejilla se cumple:
donde m es un entero llamado orden de la rejilla. En un sistema WDM, la ecuacin

anterior debe satisfacerse para cada longitud de onda , por ejemplo, d1 es el ngulo
para el cual la ecuacin de rejilla cumple para 1.
Hay que tener en cuenta varios aspectos:
La energa en una sola longitud de onda se distribuye en todos los

ngulos discretos que satisfacen la ecuacin rejilla para esa longitud
de onda.
Cuando se utiliza la rejilla como un demultiplexor en un sistema WDM,
la luz es recogida solamente de uno de los ngulos, y la energa
restante en los otros rdenes se pierde.
La mayor parte de la energa se concentrar en el orden cero (m =
0) interferencia mxima, los cuales ocurren en i = d para todas las
longitudes de onda.
La energa de la luz en el orden cero, interferencia mxima, es
desperdiciada debido a que las longitudes de onda no son separadas.
De este modo, las rejillas deben ser diseadas de tal manera que
la energa de la luz sea mxima en uno de los otros mximos de
interferencia.
La figura 3.11 muestra una rejilla de reflexin con ngulo de resplandor . En este tipo
de rejillas, las ranuras de reflexin estn inclinadas un ngulo con el plano de rejilla,
esto tiene el efecto de maximizar la energa de la luz en el mximo de interferencia cuyo
orden corresponde con el ngulo de resplandor.
Figura 3.11: Rejilla de Reflexin con ngulo de resplandor . La energa en la

interferencia mxima corresponde al ngulo de resplandor que la maximiza.
Cuestionario (Rejillas)
1.
2.
3.
4.
5.
6.
7.
8.
9.
10.
Describa el trmino rejilla en un sistema ptico

Cmo se logra un cambio de fase relativo entre dos ondas?
Cmo actan las rejillas en sistemas de comunicacin WDM?
Cul es el fenmeno clave para el funcionamiento de las rejillas?
Qu tipos de rejillas de difraccin existen y cual es su diferencia?
Qu es una Rejilla de Difraccin?
Cundo se produce interferencia constructiva en una rejilla de transmisin?
En qu orden m se concentra la mayor parte de energa de una rejilla?
Por qu el mtodo de demultiplexacin de rejilla de difraccin no es 100% eficiente?
Qu es y qu utilidad tiene el ngulo de resplandor en una rejilla de reflexin?
Problemas Propuestos (Rejillas)

En la figura 3.10, demuestre que la diferencia de longitud de trayectoria entre los rayos
difractados a un ngulo d que pasan a travs de ranuras adyacentes es
aproximadamente a[sin(i) sin(d)], cuando el tono rejilla es pequeo comparado con
la distancia de la fuente y el plano imagen desde el plano rejilla.
Derive la ecuacin rejilla para una rejilla de reflexin con ngulo de resplandor , tal
como se muestraen la Figura3.11.
Rejillas de Bragg[Editar]
Autor: Diego Auquilla
Son ampliamente utilizados en sistemas de comunicacin de fibra ptica. Cualquier

perturbacin peridica en el medio de propagacin sirve como una rejilla de Bragg. Esta
perturbacin es generalmente una variacin peridica del ndice de refraccin del
medio. Los lseres utilizan rejillas de Bragg para lograr una operacin en una frecuencia
nica. Estas rejillas de Bragg en fibra pueden usarse para hacer una variedad de
dispositivos tales como filtros, multiplexores de extraccin-insercin y compensadores
de dispersin.
El principio de la rejilla de Bragg tambin subyace en el funcionamiento del filtro
sintonizable acstico-ptico. En este caso, la rejilla de Bragg est formada por la
propagacin de una onda acstica en el medio.
Principio de Operacin (Bragg)

Considerando dos ondas que se propagan en direcciones opuestas con constantes de
propagacin 0 y 1. La energa se acopla de una onda a la otra si cumplen con la
condicin tono-fase de Bragg
donde A es el perodo de la rejilla.

Considere una onda de luz que se propaga de izquierda a derecha con constante de
propagacin 1, la energa de esta onda est acoplada con una onda que viaja en
direccin opuesta con la misma longitud de onda, quedando
Asumiendo
es la longitud de onda de la onda incidente
es el ndice refractivo efectivo de la gua de onda o fibra; la onda se refleja
proporcionando
esta longitud de onda se le llama longitud de onda Bragg.

Si varias longitudes de onda se transmiten por una fibra en una rejilla de Bragg, la
longitud de onda de Bragg se refleja mientras que las otras longitudes de onda se
transmiten.
El funcionamiento de una rejilla de Bragg se puede entender haciendo referencia a la
figura 3.13.
Figura 3.13: Principio de operacin de una rejilla de Bragg.
En la figura 3.13 se muestra una variacin peridica del ndice de refraccin, la onda
incidente es reflejada en cada perodo de la rejilla, estas reflexiones se suman en fase
cuando la longitud del trayecto entre las ondas en cada perodo de longitud de onda es
igual a la mitad de la longitud de onda de la onda incidente 0.
Esto es equivalente a:
la cual es la condicin de Bragg.

El espectro de reflexin que se muestra en la figura es para una rejilla con el ndice de
reflexin uniforme que cambia a travs de su longitud.
Figura 3.12 (a): Espectro de reflexin de una rejilla de Bragg con ndice de reflexin
uniforme.
A fin de eliminar los lbulos secundarios indeseables, es posible obtener una rejilla
apodizada, donde el cambio del ndice de reflexin se hace mas pequeo hacia los
bordes de la rejilla.
El espectro de reflexin de una rejilla apodizada se muestra en la figura 3.12, en donde,
para la rejilla apodizada, los lbulos laterales se han reducido drsticamente, pero a
expensas de aumentar la anchura del lbulo principal.
Figura 3.12(b): Espectro de reflexin de una rejilla de Bragg con ndice de reflexin
apodizada.
Los lbulos laterales en el caso de un perfil de ndice de refraccin uniforme surgen al
final de la rejilla debido a un arranque brusco, lo que resulta como un comportamiento
sinc(.) para los lbulos laterales.
La apodizacin se puede lograr mediante un arranque y apagado gradual de la rejilla.
Esta tcnica es similar a los pulsos shaping usados en sistemas de comunicacin
digitales para reducir los lbulos laterales en el espectro de la seal transmitida.
El ancho de banda de la rejilla, la cual se puede medir, por ejemplo, por la anchura del
lbulo principal, es inversamente proporcional a la longitud de la rejilla. Tpicamente, la
rejilla mide unos pocos milmetros de largo con el fin de lograr un ancho de banda de 1
nm.
Cuestionario (Bragg)
1.
2.
3.
4.
5.
6.
7.
En dnde son usadas las rejillas de Bragg?

Qu puede servir como una Rejilla de Bragg?
Qu son generalmente estas perturbaciones?
Para qu se pueden usar las rejillas de Bragg?
Cundo se acopla la energa de una onda con otra?
Cul es la longitud de onda de Bragg
Qu ocurre si varias longitudes de onda se transmiten por una fibra en una rejilla de
Bragg?
8. Con una imagen explique el principio de operacin de una rejilla de Bragg
9. Cmo se eliminan los lbulos secundarios indeseables?
10. Cul es la relacin entre el ancho de banda de la rejilla y la longitud de la rejilla?
Rejillas de fibra[Editar]
Autor: Anglica Cabrera
Las rejillas de fibra son dispositivos que se pueden utilizar para una gran variedad de
aplicaciones, entre ellas est el filtrado, funciones de add/drop, y para compensar la
dispersin acumulada en el sistema. Al ser dispositivos de fibra, sus principales ventajas
son su baja prdida, facilidad de acoplamiento (con otras fibras), la insensibilidad a la
polarizacin, bajo coeficiente de temperatura, y el empaquetado simple. Por lo tanto son
dispositivos de bajo costo.
Se las puede realizar usando las siguientes tcnicas: la primera consiste en provocar
cambios en el ndice de refraccin en el ncleo de la fibra, esto se logra exponiendo a
la fibra a rayos ultravioleta (UV). Una rejilla se puede realizar en una fibra exponiendo
su ncleo a dos haces UV interferentes. El cambio en el ndice de refraccin necesario
para obtener rejillas es bastante pequeo, alrededor de 1E-4. Otra de las tcnicas son las
mscaras de fase, una mscara de fase es un elemento ptico de difraccin; cuando est
iluminado por un haz de luz, se divide las vigas en diferentes rdenes de difraccin, que
luego interfieren uno con el otro para escribir la rejilla en la fibra. Las rejillas de fibra se
clasifican en rejillas de perodo corto o redes de Bragg y en rejillas de perodo largo.
Rejillas de fibra de Bragg

Son rejillas de perodo corto, pueden ser fabricadas con muy baja prdida (0.1 dB), con
alta precisin de longitud de onda ( 0,05 nm) y alta supresin de diafona de canal
adyacente (40dB).
El coeficiente de temperatura de una fibra de rejilla de Bragg es tpicamente 1,25 10-2

nm /C debido a la variacin en la longitud de la fibra con la temperatura.
Este tipo de rejillas tiene una gran variedad de usos en sistemas WDM, que van desde
filtros y elementos add/drop pticos a compensadores de dispersin. En la figura 3.14 se
muestra un sistema drop en la parte (a) y un add/drop en la parte (b).
Existen muchas variaciones del add/drop que se pueden realizar mediante el uso de
rejillas en combinacin con acopladores y circuladores. Una preocupacin importante
en estos diseos es que el reflejo de estas rejillas no es perfecto, y como resultado, algo
de energa en la longitud de onda seleccionada se filtra a travs de la rejilla.
Estas rejillas tambin se pueden utilizar para compensar la dispersin acumulada a lo
largo del enlace.
FIgura 3.14: Elementos pticos de insercin/extraccin basados en rejillas de fibra de

Bragg. (a) Un elemento de extraccin (drop). (b) Un elemento combinado
de insercin/extraccin (add/drop).
Rejillas de fibra de perodo largo

Rejillas de fibrade perodo largose fabricande la misma maneraque lasrejillas de fibra de
Bragg y se utilizanprincipalmente como filtrosdentro delos amplificadores de fibra
dopado con erbio para compensar suespectro de gananciano plana. Estos dispositivos
sirven como filtros de supresin de banday se pueden adaptar para
proporcionarecualizacincasi exacta delespectro de gananciadel erbio. En la
figura3.15 muestra el espectro de transmisin de una rejilla tal.
Figura 3.15: Espectro de transmisin de una rejilla de fibra de Bragg de largo perodo
usado como un ecualizador de ganancia para los amplificadores de fibra dopada con
erbio.
Principio de Operacin (Fibra)

En las rejillas de periodo largo, la energa se acopla desde el modo de propagacin en el
ncleo de la fibra hasta los modos de propagacin en el revestimiento. Los modos en el
revestimiento tienen enormes prdidas y su energa decae rpidamente cuando se
propaga a lo largo de la fibra debido a las prdidas en la interfaz revestimiento-aire.
Hay muchos modos de revestimiento, y el acoplamiento se produce entre un modo del
ncleo a una longitud de onda dada y un modo del revestimiento en funcin de la
afinacin de la rejilla .
Si indica la constante de propagacin del modo en el ncleo (suponiendo una fibra de
modo nico) y clp la constante del modo de revestimiento de el orden p, entonces la
condicin de acoplamiento de fases dicta que
- clp= 2/
En general, la diferencia en las constantes de propagacin entre el modo del ncleo y
uno cualquiera de los modos del revestimiento es bastante pequea, lo que lleva a un
valor bastante grande de . Este valor es por lo general unos pocos cientos de
micrmetros.
Si neff y neffp denotan los ndices de refraccin efectivo del ncleo y los modos del
revestimiento de orden p, entonces la longitud de onda a la que la energa se acopla
desde el modo del ncleo a los modos de revestimiento y se puede obtener como>
= (neff - neffp)
Donde usamos la relacin: =2 neff /
Una vez que sabemos los ndices efectivos de los modos de ncleo y del revestimiento,
podemos disear la rejilla con un valor adecuado de . A fin de causar el acoplamiento
de la energa de una banda de longitud de onda deseada.
Cuestionario (Fibra)
1.
2.
3.
4.
5.
6.
7.
8.
9.
10.
Cules son las aplicaciones que se les puede dar a las rejillas de fibra?
Mencione dos tcnicas que se usan para construir las rejillas
En que se clasifican las rejillas?
Cul es el valor del coeficiente de temperatura de una fibra de rejilla de Bragg?
Cul es la constante de propagacin del modo del ncleo?
Cul es la constante de propagacin del modo del revestimiento?
Qu es ?
Las rejillas de fibra de Bragg son rejillas de perodo corto (V o F) V
Cul es el ndice de refraccin efectivo del ncleo?
Cul es el ndice de refraccin efectivo del revestimiento?
Filtros Fabry-Perot[Editar]
Autor: Kevin Chaca
Un filtro Fabry-Perot consiste en una cavidad formada por dos espejos altamente
reflectivos colocados paralelamente entre ellos, como se puede apreciar en la figura
3.16. El filtro es tambin llamado interfermetro o etaln. El hay de luz de entrada al
filtro ingresa por el primer espejo en ngulo recto a su superficie. La salida del filtro es
el haz de luz que deja el segundo espejo.
Figura 3.16: Principio de Operacin del Filtro Fabry-Perot

Los filtros Fabry-Perot se han utilizado para redes de pruebas con aplicaciones de
WDM. Existen mejores filtros en la actualidad pero todos utilizan las bases de un filtro
Fabry-Perot con mejoras. Adems la cavidad Fabry-Perot se utiliza en lseres. Se
pueden conseguir filtros Fabry-Perot en integrados comerciales, la principal ventaja de
estos filtros es que pueden sintonizarse para seleccionar diferentes canales en un sistema
WDM.
Principio de Operacin (Fabry-Perot)

Como lo muestra la figura 3.16, una parte de la seal de entrada sale de la cavidad a
travs del espejo por la derecha y otra parte es reflejada entre ambos espejos. Si la
longitud de la cavidad es un mltiplo entero de la mitad de la longitud de onda del haz
de luz, la onda recorrer un mltiplo entero de su longitud de onda en ida y vuelta entre
los espejos. A estas longitudes de onda se les conoce como longitudes de onda
resonantes de la cavidad. La funcin de transferencia de energa de un filtro es fraccin
de la potencia de entrada, para el filtro Fabry-Perot se puede expresar como:
Lo cual se puede expresar como:
Donde A denota la perdida por absorcin de cada espejo. R es la Reflectividad de cada

espejo. es el retardo de propagacin a travs de la cavidad. n es el ndice de refractivo
de la cavidad, y su longitud l. Encones = nl/c donde c es la velocidad de la luz en el
vaco.
La figura 3.17 muestra la grfica de la funcin de transferencia del filtro Fabry-Perot, se
puede notar que se necesita ndices de refractividad muy altas en los espejos para
obtener un buen aislamiento de canales adyacentes.
Figura 3.17: Funcin de transferencia del filtro Fabry-Perot

Los picos o bandas de paso de la funcin de transferencia se dan en frecuencias f, que
cumple con f = k/2 para k enteros. El rango espectral entre dos picos sucesivos se
llama rango de espectro libre (FSR). Una medida del ancho de banda de paso es su
ancho donde la funcin de transferencia es mayor a la mitad del mximo (FWHM). En
WDM la separacin entre longitudes de onda adyacentes es al menos un FWHM para
evitar interferencias. As la relacin FSR/FWHM indica el nmero (aproximadamente)
de longitudes de onda que se pueden acomodar en un sistema, este radio se llama
finesse (finura), F, dado por:
Sintonizabilidad
Un filtro Fabry-Perot se puede sintonizar a una longitud de onda de varias formas. La
ms simple es cambiar la longitud de la cavidad. Tambin se puede hacerlo variando el
ndice de refractividad dentro de la cavidad. La frecuencia f depende de f = k/2, por lo
tanto para variar la f se debe variar ; = ln/c nos muestra que para esto se debe cambiar
ya sea l o n.
La sintonizacin mecnica del filtro representa varios inconvenientes, pues al mover los
espejos para cambiar la longitud de la cavidad se requiere de gran precisin para
mantener los espejos paralelos entre s; adems se logra una sintonizacin en el orden de
unos pocos milisegundos.
Cuestionario (Fabry-Perot)
1.
2.
3.
4.
5.
6.
7.
8.
Qu es un Filtro Fabry-Perot?
Que ventaja ofrecen los filtros Fabry-Perot?
Describa el principio de Operacin del Filtro Fabry-Perot
Que es una longitud de onda resonante de cavidad?
Que representan el valor de A en la funcin de transferencia del filtro Fabry-Perot?
Que representan el valor de R en la funcin de transferencia del filtro Fabry-Perot?
Que representan el valor de en la funcin de transferencia del filtro Fabry-Perot?
Que condicin cumple las frecuencias f de los picos en la funcin de transferencia del
filtro Fabry-Perot?
9. Qu es el FSR?
10. Qu es el FWHM?
Problemas Propuestos (Fabry-Perot)

Problema 3.7 (Libro de Referencia)
Demuestre que las frecuencias de resonancia fn de una cavidad Fabry-Perot satisfacen fn
= fo + nf, n entero, para algunos fo fijos y f. Por lo tanto estas frecuencias estn
espaciadas igualmente separados.
Tenga en cuenta que las longitudes de onda correspondientes no estn espaciadas
igualmente separados.
Derivar la funcin de transferencia de potencia del filtro Fabry-Perot.
Deducir la expresin (3.13) para la finura del filtro Fabry-Perot. Suponga que la
reflectividad del espejo, R, es cercano a la unidad.
Mostrar que la fraccin de la potencia de entrada que se transmite a travs del filtro de
Fabry-Perot, sobre todas las frecuencias, es (1-R) / (1 + R). Tenga en cuenta que esta
fraccin es pequea para valores altos de R. Por lo tanto, cuando se consideran todas las
frecuencias, slo una pequea fraccin de la potencia de entrada se transmite a travs de
una cavidad con facetas altamente reflectantes.
Considere una cascada de dos Fabry-Perot filtra con la cavidad longitudes l1 y l2,
respectivamente. Asumir las reflectividades especulares de ambos filtros igual a R, y el
ndice de refraccin de sus cavidades es n. Reflexiones negligencia de la segunda
cavidad de la primera y viceversa. Cul es la funcin de transferencia de energa de la
cascada? Si l1 / l2 = k /m, donde k y m son nmeros enteros relativamente primos,
encontrar una expresin para el rango espectral libre de la cascada. Exprese este FSR en
trminos de los informes de estabilidad financiera de los filtros individuales.

Demostrar que la funcin de transferencia del filtro de bloque dielctrico se muestra en
la Figura G.1 (b) es idntica a la de un Fabry-Perot filtro con reflectividad
R = (n2 n1)/(n2 + n1)
asumiendo n3=n1.
Considere la posibilidad de una pila de 2k pelculas dielctricas alternas de bajo ndice
(nL) y de alto ndice (nH). Que cada una de estas pelculas tienen un espesor de cuarto
de onda en o. En la notacin de la seccin 3.3.6, esta pila se denota por (HL)^k.
Encuentra la reflectividad de esta pila como una funcin de la longitud de onda ptica.
As, un filtro dielctrico de pelcula de cavidad unica delgada puede ser visto como un
filtro de Fabry-Perot con reflectividades especulares dependientes de la longitud de
onda.
Filtros Multicapa dielctricos de pelcula delgada (ThinFilm)[Editar]

Autor: Ismael Chacho
Un filtro de cavidad resonante de pelcula delgada (TFF) Es un interfermetro FabryPerot o talon, donde los espejos que rodean la cavidad se realizan mediante el uso de
mltiples capas de pelcula delgada dielctricas reflectantes. Este dispositivo acta
como un filtro de paso de banda, pasando a travs de una longitud de onda particular y
que refleja todas las otras longitudes de onda. La longitud de onda que se transmite est
determinada por la longitud de la cavidad.
Un thin-film resonant multicavity filter (TFMF) consiste de dos o ms cavidades
separadas por capas de pelcula delgada dielctricas reflectantes, por ejemplo el
mostrado en la figura 3.18 tiene 3 cavidades. El efecto de tener mltiples cavidades en
la respuesta del filtro se ilustra en la figura 3.19. Segn se aadan ms cavidades, el
mximo de la pasabanda viene a ser ms favorecido y los costados ms ntidos, ambas
caractersticas son deseadas en las caractersticas de los filtros.
Figura 3.18: Filtro de pelcula delgada dielctrica resonante de tres cavidades.
Figura 3.19: Funciones de transferencia de una cavidad, de dos cavidades, y los filtros
de capa fina dielctricas de tres cavidades.
Debemos tener en cuenta cmo el uso de mltiples cavidades conduce a una banda de
paso ms plana y una transicin ms aguda de la banda de paso a la banda de parada.
Figura 3.20: Un multiplexorde longitud de

onda/demultiplexorusandothinfilmdielctricomulticapafiltros.
Segn se quiera un multiplexor o demultiplexor, un nmero determinado de estos filtros
pueden estar en cascada, como en la figura 3.20. Cada filtro deja pasar una diferente
longitud de onda y refleja todas las dems. Cuando es usado como un demultiplexor, el
primer filtro en cascada pasa una longitud de onda y refleja todas las otras sobre el
segundo filtro. El segundo filtro pasa otra longitud de onda y refleja el restante de
longitudes, y as sucesivamente.
Este filtro tiene muchas caractersticas para aplicaciones en sistemas. Son
extremadamente estables con respecto a las variaciones de temperatura. Tienen bajas
prdidas y en indiferente a la polarizacin de la seal. Por stas razones estos filtros son
ampliamente comerciales.
Cuestionario (Thin-Film)
1. En qu Consisten los Filtros Multicapa dielctricos Thin-Film?
2. Los Filtros Multicapa dielctricos Thin-Film estn compuestos de nicamente 1
cavidad separada por capas de pelcula delgada dielctricas reflectantes?: [V] [F]
3. Mencione 1 caracterstica si se aaden ms cavidades a los Los Filtros Multicapa
dielctricos Thin-Film?:.
4. Cuando I0/I=1 para cualquier cavidad se tiene la caracterstica de transmisin mnima
del filtro?: [V] [F]
5. Cuando I0/I es cercano a 0.996 o 1.004 para cualquier cavidad se tiene la
caracterstica de transmisin mnima del filtro?: [V] [F]
6. Cuando I0/I=1 para cualquier cavidad se tiene la caracterstica de transmisin mxima
del filtro? [V] [F]
7. Cules son las 2 caractersticas en la Banda que se deben tener en cuenta cmo el
uso de mltiples cavidades?:
8. Los Filtros Multicapa dielctricos Thin-Film no tienen uso Comercial?: [V] [F]
9. Cuando Los Filtros Multicapa dielctricos Thin-Film son usados como multiplexores
que caractersticas se obtienen entr3 el primer y segundo filtro?:
10. Los Filtros Multicapa dielctricos Thin-Film son extremadamente inestables con
respecto a las variaciones de temperatura: [V] [F]
Problemas propuestos (Thin-Film)

Considere una pila de 2k que alterna pelculas dielctricas de bajo indice (nL) y de alto
ndice (nH). En donde cada una de estas pelculas tiene un cuarto de onda de espesor 0.
Esta pila esta denotada por (HL)k. Encuentre la reflectividad de esta pila como funcin
de la longitud de onda ptica . Un filtro dielctrico de pelcula delgada de una sola
cavidad puede ser visto como un filtro de Fabry-Perot con reflectividades dependientes
de la longitud de onda.
Interfermetros Mach-Zehnder[Editar]
Autor: David Espinoza
Un interfermetro Mach-Zehnder (MZI) es un dispositivo interferomtrico que hace uso
de dos trayectorias de interferencia de diferentes longitudes para resolver diferentes
longitudes de onda. Hoy en da, los interfermetros Mach-Zehnder se construyen
tpicamente en ptica integrada y consisten en dos acopladores direccionales 3 dB
interconectados a travs de dos tramos de fibra de diferente longitud, uno de L + L y
otro L, como se muestra en la figura 3.21 (a). El sustrato es generalmente de silicio, y
las regiones de gua de ondas y revestimientos son slice (SiO2).
Figura 3.21: (a) Un MZI construido mediante la interconexin de dos acopladores

direccionales 3 dB. (b) una representacin en diagrama de bloques del MZI en (a). L
denota la diferencia de camino entre los dos brazos. (c) Un diagrama de bloques de
un Mach-Zehnder de cuatro etapas, que utiliza diferentes diferencias de longitud de
camino en cada etapa.
Interfermetros Mach-Zehnder son tiles como filtros (banda ancha y banda estrecha) y
(de)multiplexores. A pesar de que hay mejores tecnologas para la fabricacin de filtros
de banda estrecha, por ejemplo, filtros multicavidad dielctrica de capa fina, MZIs
siguen siendo tiles en la realizacin de filtros de banda ancha. Por ejemplo, MZIs se
puede utilizar para separar las longitudes de onda en las bandas 1,3 m y 1,55 m. Los
filtros MZI de banda estrecha se fabrican en cascada en una serie de etapas, como
veremos, y esto conduce a mayores prdidas. Se puede tener un buen rendimiento de
diafona utilizando MZIs si las longitudes de onda no deseadas, se producen cerca de los
nulos de la funcin de transferencia de potencia. Sin embargo, en la prctica, las
longitudes de onda pueden no ser fijadas con precisin. Como resultado, el rendimiento
de diafona est lejos de la situacin ideal.
MZIs son tiles como, multiplexores de dos entradas y demultiplexores de dos salidas.
Tambin se pueden utilizar como filtros sintonizables, donde la afinacin se consigue
variando la temperatura de uno de los brazos del dispositivo. Esto hace que el ndice de
refraccin de ese brazo cambie, que a su vez afecta a la relacin de fase entre los dos
brazos y causa una longitud de onda diferente a ser acoplada. El tiempo de sintonizacin
requerido es del orden de varios milisegundos.
Principio de operacin (Mach-Zehnder)

Para describir el funcionamiento del MZI, vamos a considerar que opera como un
demultiplexor, es decir, utiliza una nica entrada, en este caso la entrada 1. Si se le
aplica una seal de entrada al filtro MZI, al llegar sta al primer acoplador direccional,
su potencia se divide por igual entre el brazo de arriba (de longitud L) y el de abajo (de
longitud L+L). Pero la seal en uno de los brazos experimenta un salto de fase de /2
con respecto al otro. Concretamente, la seal que se acopla al brazo de arriba no sufre
ningn cambio, sin embargo la parte de la seal que se acopla al brazo de abajo sufre un
cambio de fase de /2. Tras propagarse a lo largo de los brazos, las seales llegan al
segundo acoplador direccional. En este punto, la seal que se propaga por el brazo de
abajo experimenta un desfase adicional de L, debido a la diferencia de longitud entre
los dos caminos. Para la salida 1, la seal procedente del brazo de abajo sufre otro
retraso de fase de /2 respecto a la seal que se transmite por el brazo de arriba, de esto
modo la diferencia de fase relativa total entre las dos seales, en la salida 1 es de /2 +
L + /2. Sin embargo para la salida 2, la seal transmitida por el brazo de arriba sufre
un cambio de fase de /2 , quedando una diferencia de fase relativa total entre las dos
seales de /2 + L - /2 = L.
Si L = k y k es impar, las seales en la primera salida aaden en fase, mientras que
las seales en la segunda salida aaden con fases opuestas y por lo tanto se anulan entre
s. Por lo tanto las longitudes de onda que pasan de la primera entrada a la primera
salida son aquellas para la cual L = k y k es impar. Las longitudes de onda que
pasan de la primera entrada a la segunda salida son aquellas para la cual L = k y k es
par.
Supongamos que la diferencia entre estas longitudes de trayectoria es L y que slo hay
una entrada, por ejemplo, la entrada 1, est activa. Entonces se puede demostrar que la
funcin de transferencia de potencia del interfermetro de Mach-Zehnder est dada por:
Ecuacin 14 (E3-14)
As, la diferencia de trayectoria entre los dos puertos, L, es el parmetro clave que
caracteriza la funcin de transferencia del MZI. Vamos a representar al MZI de la figura
3.21(a) utilizando el diagrama de bloques de la figura 3.21(b).
Ahora consideran k MZIs interconectados, como se muestra en la figura 3.21(c) para k
= 4. Tal dispositivo se denomina un interfermetro de Mach multietapa-Zehnder. La
diferencia de longitud de trayectoria para el k-simo MZI en la cascada se supone que
es 2k-1L. La funcin de transferencia de cada MZI en este multietapa MZI junto con la
funcin de transferencia de potencia de todo el filtro se muestra en la figura 3.22.
Figura 3.22: Funciones de transferencia de cada etapa de un MZI de varias etapas.
La funcin de transferencia de energa de mltiples etapas de la MZI tambin se

muestra en una escala de decibelios en la figura 3.23.
Figura 3.23: Funcin de transferencia de un interfermetro de Mach-multietapa

Zehnder.
Ahora vamos a describir cmo un MZI se puede utilizar como un demultiplexor 12.
Dado que el dispositivo es recproco, si se intercambian las entradas y salidas, actuar
como un multiplexor 21. Considere un solo MZI con un valor fijo de L. Digamos que
la entrada 1, sea una seal multiplexada por divisin de longitud de onda con todas las
longitudes de onda elegidas para coincidir con los picos o depresiones de la funcin de
transferencia. Asumir la propagacin constante = 2neff/, donde neff es el ndice de
refraccin efectivo de la gua de ondas. Las longitudes de onda de entrada i tendran
que ser elegidas de tal manera que neffL/i = mi /2 para algn entero positivo mi. Las
longitudes de onda i para las cuales m es impar apareceran entonces en la primera
salida, y las longitudes de onda para las que mi es par apareceran en la segunda salida.
Si slo hay dos longitudes de onda, una para mi impar y otra para mi par, tenemos un
demultiplexor 12.
Cuestionario (Mach-Zehnder)
1. Cules son los elementos que conforman el esquema de un interfermetro de MachZehnder?
2. Cules son los materiales que conforman un interfermetro de Mach-Zehnder?
3. Cmo pueden ser utilizados los interfermetros de Mach-Zehnder?
4. Cules son las longitudes de onda que pasan de la primera entrada a la primera salida
del interfermetro de Mach-Zehnder?
5. Cules son las longitudes de onda que pasan de la primera entrada a la segunda
salida del interfermetro de Mach-Zehnder?
6. Mencione un filtro de banda estrecha que utilice mejor tecnologa que la de un filtro
de banda estrecha de Mach-Zehnder?
7. Cul es el parmetro clave que caracteriza la funcin de transferencia del

interfermetro Mach-Zehnder?
8. Cmo se denomina un interfermetro con k interfermetros Mach-Zehnder (MZIs)
interconectados?
9. El interfermetro Mach-Zehnder es un dispositivo reciproco?
Problemas propuestos (Mach-Zehnder)

Deducir la funcin de transferencia de potencia del interfermetro de Mach-Zehnder,
asumiendo slo una de sus dos entradas es activa.

Considere el interfermetro Mach-Zehnder de la Seccin 3.3.7.
(a) Con la ayuda de un diagrama de bloques, muestrar cmo un demultiplexor 1
n puede construirse utilizando n-1 MZIs. Supongamos que n es una potencia de dos.
Debe especificar las diferencias de longitud del camino L que debe utilizarse en cada
uno de los MZIs.
(b) Se puede simplificar su construccin si slo una seal especfica necesita ser
separada del resto de n - 1?
Rejillas de Arreglos de Guas de Onda: Arrayed Waveguide

Grating[Editar]
Autor: Esteban Farfn
Una arrayed waveguide grating (AWG) es una generalizacin del interfermetro MachZehnder. Se compone de dos acopladores multipuerto interconectados por una serie de
guas de onda.
Figura 3.24: Rejilla de Arreglos de Gua de Onda
El MZI puede ser visto como un dispositivo donde dos copias de la misma seal,
desplazadas en fase en diferentes cantidades, se juntan. Mientras que AWG es un
dispositivo en el que varias copias de la misma seal, pero desplazadas en fase en
diferentes cantidades, se suman entre s. El AWG puede ser usado como multiplexor de
gua de onda (nx1). Es decir, n entradas y 1 sola salida, donde las n entradas son seales
de guas de onda diferentes y la salida es la combinacin de todas ellas. El inverso de
esta funcin, es llamado demultiplexor de gua de onda (1xn), las cuales tambin usan
AWG.
En relacin con una cadena de MZI, un AWG tiene menor prdida y una banda de paso
plana, adems de ser ms fcil de realizar sobre un sustrato integrado. Dado que las
guas de onda de entrada y salida, los acopladores multipuerto, y las guas de ondas
enlazadas estn fabricados en un nico sustrato. El sustrato generalmente es el silicio, y
las guas de ondas son de slice, de slice dopado con germanio, entre otros.
AWG tambin puede ser utilizada como una longitud de onda de conexin cruzada
esttica. Sin embargo, esta longitud de onda de conexin cruzada no es capaz de lograr
un patrn de encaminamiento arbitrario. Aunque varios patrones de interconexin se
puede lograr mediante una eleccin adecuada de las longitudes de onda y de la FSR del
dispositivo.
Figura 3.25: La figura muestra una conexin esttica cruzada 4 4 de banda de

frecuencia con cuatro longitudes de onda con una longitud de onda direccionadas desde
cada entrada a cada salida.
Principio de Operacin (Arrayed Waveguide)

El nmero de entradas y salidas de AWG se denota por n. Los acopladores en la entrada
y la salida son de tamao n m y m n, respectivamente. As, los acopladores estn
interconectados por m guas de onda. A estas guas de onda se las llama, guas de onda
enlazadas, para distinguirlas de las guas de onda de entrada y salida. Las longitudes de
estas guas de onda se eligen de manera que la diferencia en longitud entre guas de
onda consecutivas sea constante, denotada por L. MZI es un caso especial del AWG,
donde n = m = 2. Las fases relativas estn determinadas por las distancias recorridas en
el acoplador de las guas de ondas de entrada a las guas de ondas enlazadas. La
diferencia en las distancias recorridas entre la gua de ondas de entrada i y k estn dados
por Asumiendo que la gua de onda enlazada k tiene un largo de trayectoria de k-1
para DL. Del mismo modo, se denotan las diferencias en las distancias recorridas entre
guas de ondas enlazadas k y de salida j, as .
Entonces, las fases relativas de las seales desde la entrada i hasta la salida j atraviesan
los diferentes caminos entre ellos, est dado por:
Ecuacin 15 (E3-15)
Donde:
- n1 es el ndice de refraccin en los acopladores de la entrada y salida.
- n2 es el ndice de refraccin en las guas de ondas enlazadas.
A partir de la entrada i, aquellas longitudes de onda , para lo cual ijk, k = 1, ..., m,
difirieren por un mltiplo de 2 y se puede aadir en la fase de la salida j.
Si los acopladores de entrada y salida estn diseados de tal manera que
, entonces se puede escribir:
Ecuacin 16 (E3-16)
Tal construccin es posible y se llama el crculo de construccin Rowland. Las

longitudes de onda estn presentes en la entrada i y satisfacen
para un entero p agregado a la fase de la salida j.
Figura 3.26: La construccin crculo Rowland para los acopladores utilizados en el

GTE. Las guas de onda se encuentran dispuestas en el arco de un crculo, llamado el
crculo de rejilla, cuyo centro est en el final de la entrada (salida) de gua de ondas
central. El espaciado vertical entre las guas de ondas dispuestas se elige para ser
constante.
Para el uso como demultiplexor, todas las longitudes de onda son presentadas como una
sola entrada, llamada entrada i. Por lo tanto, si las longitudes de onda 1, 1,...1, en el
sistema WDM satisfacen la ecuacin anterior, entonces estas longitudes de onda se
demultiplexan por AWG.
AWG tiene una respuesta peridica (en frecuencia), y todas las longitudes de onda debe
estar dentro de una FSR.
Cuestionario (Arrayed Waveguide)

1.
2.
3.
4.
5.
Qu es arrayed waveguide grating (AWG)?

Cules son las ventajas de AWG?
Cmo puede ser usado AWG?
Describa la construccin del crculo de Rowland:
Cual es la respuesta de AWG?
Problemas propuestos (Arrayed Waveguide)

Considere la posibilidad de la construccin crculo Rowland muestra en la Figura 3.26.
Demostrar que las diferencias en longitudes de trayecto entre una gua de onda de
entrada fija y dos guas de onda de arreglos sucesivas es una constante. Supongamos
que la longitud del arco en la que se encuentran las guas de ondas dispuestas es mucho
ms pequeo que el dimetro del crculo Rowland. Sugerencia: Seleccione un sistema
de coordenadas cartesianas, cuyo origen es el punto de tangencia de la Rowland y
crculos de rejilla. Ahora expresar la distancia eucldea entre una entrada arbitraria
(salida) de gua de ondas y una gua de ondas dispuestos arbitrario en este sistema de
coordenadas. Utilice el supuesto indicado anteriormente para simplificar su expresin.
Por ltimo, tenga en cuenta que la distancia vertical entre las guas de onda dispuestos
es constante. En la notacin del libro, esto demuestra quei=d*seni, donde d es la
separacin vertical entre las guas de ondas dispuestas sucesivas, y i es la separacin
angular de gua de ondas de entrada i de la gua de ondas de entrada central, tal como se
mide desde el origen.
Obtenga una expresin para la FSR de un AWG para una gua de onda de entrada fija i
y una salida fija de gua de ondas j. El FSR depende de las guas de onda de entrada y
salida. Pero muestran que si la longitud del arco del crculo de Rowland en el que se
encuentran las guas de onda de entrada y salida (ver Figura 3.26) es pequeo, entonces
el FSR es aproximadamente constante.Utilice el resultado dl problema 3.16 co i= seni.
Considere un AWG que satisface la condicin dada en el problema 3.17 para que su
FSR sea aproximadamente independiente de las guas de ondas de entrada y salida.
Dada la FSR, determinar el conjunto de longitudes de onda que se debe seleccionar para
que el AWG para funcionar como el router de longitud de onda representada en la
Figura 3.25. Supongamos que la separacin angular entre las guas de onda de entrada
(y salida) es constante. Utilice el resultado del Problema 3.16 que i=d*seni.
Disear un AWG que pueden multiplexar / demultiplexar 16 seales WDM espaciados
100 GHz aparte en la banda de 1.55m. Su diseo debe especificar, entre otras cosas, la
separacin entre las guas de ondas de entrada / salida, la diferencia de longitud de
camino entre sucesivas guas de ondas dispuestas, el radio R del crculo de rejilla, y la
FSR del AWG. Suponga que el ndice de refraccin de las guas de onda de entrada /
salida y las guas de onda dispuestos es de 1.5. Tenga en cuenta que el diseo puede no
ser nico, y puede que tenga que tomar decisiones razonables para algunos de los
parmetros, que a su vez determinan el resto de los parmetro.
Filtro Ajustable Acousto-Optic[Editar]

Autor: Luis Garcia
El filtro ajustable acousto-optic es el nico que se conoce que es capaz de seleccionar
varias longitudes de onda simultneamente, estos se pueden utilizar para construir un
wavelength crossconnect. El filtro sintonizable acousto-optic (AOTF) es un ejemplo de
varios dispositivos pticos cuya construccin se basa en la interaccin de la luz y
sonido. Bsicamente, una onda acstica se utiliza para crear una rejilla de Bragg en una
gua de ondas, que luego se utiliza para llevar a cabo la seleccin de longitud de onda.
Principio de Operacin (Acousto-Optic)

Considere el dispositivo mostrado en la figura 3.27. Se compone de una gua de ondas
construido a partir de un material birrefringente y soporta solamente modos TE y TM de
orden ms bajo. Suponemos la energa de la luz de entrada solamente en el modo TE.
Un polarizador, que selecciona nicamente la energa de la luz en el modo TM, se
coloca en el otro extremo de la gua de ondas. Si la energa de la luz alrededor de la
longitud de onda a ser seleccionada se convierte en el modo TM, mientras que el resto
de la energa de la luz permanece en el modo TE, tenemos un filtro de longitud de onda
selectiva. Esta conversin se efecta en un AOTF con el lanzamiento de una onda
acstica a lo largo de, o frente a, la direccin de propagacin de la onda de luz.
Figura 3.27: Un AOTF simple. Una onda acstica introduce una rejilla cuyo paso
depende de la frecuencia de la onda acstica.
Como resultado de la propagacin de la onda acstica, la densidad del medio vara de
manera peridica. El perodo es igual a la longitud de onda de la onda acstica. Esta
variacin peridica de la densidad acta como una rejilla de Bragg. Si los ndices de
refraccin nTE y nTM de los modos TE y TM satisfacen la condicin de Bragg.
Ecuacin 17 (E3-17)
Por lo tanto la energa de la luz en un rango espectral estrecho alrededor de la longitud
de onda que satisface la ecuacin 3-17 sufre la conversin de modo TE a TM. Cuando
esto ocurre el dispositivo acta como un filtro de ancho de banda estrecho, figura 3.27.
En LiNbO3, los modos TE y TM tienen ndices de refraccin nTE y nTM que difieren en
aproximadamente 0,07. Si esta diferencia de ndice de refraccin se denota por (N), la
condicin de Bragg (3.17) se puede escribir como:
=(n)
Ecuacin 18 (E3-18)
La longitud de onda que se somete a la conversin de modo y por lo tanto se encuentra
en la banda de paso del AOTF se puede seleccionar, o sintonizar, eligiendo
adecuadamente la longitud de onda acstica . Con el fin de seleccionar una longitud de

onda de 1,55 micras, por (N) = 0,07, usando (3-18), la longitud de onda acstica es de
aproximadamente 22 micras. La velocidad del sonido en LiNbO3 es aproximadamente
3,75 km / s, la frecuencia de RF es de aproximadamente 170 MHz. Dado que la
frecuencia RF se sintoniza con facilidad, la longitud de onda seleccionada por el filtro
puede tambin ser fcilmente ajustada. La prdida de insercin tpica es de
aproximadamente 4 dB.
El AOTF considerado aqu es un dispositivo dependiente de la polarizacin ya que la
energa de la luz de entrada se supone que es en su totalidad en el modo TE. Con un
AOTF independiente de la polarizacin, el cual se muestra en la figura 3.28, se puede
realizar exactamente de la misma manera que un aislador independiente de la
polarizacin por la descomposicin de la seal de luz de entrada en sus constituyentes
TE y TM y el envo de cada constituyente por separado a travs de la AOTF y
recombinando todos en el de salida.
Figura 3.28: Un AOTF simple. Una onda acstica introduce una rejilla cuyo paso
depende de la frecuencia de la onda acstica.
Funcin de transferencia (Acousto-Optic)

Considerando que la condicin de Bragg determina la longitud de onda que se
selecciona, la anchura de la banda de paso del filtro se determina por la longitud de la
interaccin acstico-ptico. Cuanto ms larga sea esta interaccin, ms estrecha es la
banda de paso. La dependencia de longitud de onda de la fraccin de la potencia
transmitida por el AOTF est dada por:
Esto se grfica en la figura 3.29, donde = -0, donde 0 es la longitud de onda

ptica que satisface la condicin de Bragg, y = 02/ ln es una medida de la anchura
de banda de paso del filtro, l es la longitud del dispositivo. Se puede demostrar que la
anchura total a la mitad del mximo (FWHM) de ancho de banda del filtro es 0,8.
Esta ecuacin muestra claramente que mientras ms largo sea el dispositivo, ms
estrecha es la banda de paso. Sin embargo la velocidad de sintonizacin es inversamente
proporcional a l. Esto es porque la velocidad de sintonizacin se determina por el
tiempo que tarda una onda de sonido en recorrer la longitud del filtro.
Figura 3.29: La funcin de transferencia del filtro ajustable acustico-ptico.
AOTF como longitud de onda de crossconnect

El AOTF independiente de la polarizacin ilustrado en la figura 3.28 se puede utilizar
como un wavelength crossconnect dinmico de dos-entradas y dos-salidas. La energa
en la longitud de onda que satisface la condicin de coincidencia de fases Bragg (318) se intercambia entre los dos puertos. Esto se ilustra en la figura 3.30 (a), donde la
longitud de onda 1 satisface la condicin de Bragg y se intercambia entre los puertos.
Ahora con el lanzamiento de mltiples ondas acsticas simultneamente, la condicin
de Bragg (3-18) puede ser satisfecha por mltiples longitudes de onda pticas
simultneamente. As se pueden realizar intercambios de mltiples longitudes de onda
de forma simultnea entre dos puertos con un nico dispositivo de la forma que se
muestra en la figura 3.28. Esto se ilustra en la figura 3.30 (b), donde las longitudes de
onda 1 y 4 se intercambian entre los puertos. Sin embargo, el AOTF es una de dos
entradas y dos salidas de conexin cruzada dinmica completamente general ya que el
patrn de enrutamiento, o el conjunto de longitudes de onda que se intercambiarn, se
puede cambiar fcilmente mediante la variacin de las frecuencias de las ondas
acsticas lanzados en el dispositivo. En principio, los ms grandes dinmicas
dimensionales de los crossconnects (con ms puertos de entrada y salida) pueden ser

construidas en cascada adecuadamente 22 conexiones cruzadas.
Figura 3.30:Crossconnects Wavelength construidas a partir de filtros sintonizables

acstico-pticos. (a) La longitud de onda 1 se intercambia entre los dos puertos. (b)
Las longitudes de onda 1 y 4 se intercambian simultneamente entre los dos puertos
por el lanzamiento simultneo de dos ondas acsticas apropiadas.
El AOTF ya sea como un filtro sintonizable verstil o un wavelength crossconnect no ha

cumplido su promesa. Una razn para esto es el alto nivel de diafona que est presente
en el dispositivo. Como se puede ver en la figura 3.29, el primer lbulo lateral en su
funcin de transferencia de potencia no es ni siquiera 10 dB por debajo del pico de la
transmisin. Este problema puede ser aliviado en cierta medida si se pone en cascada
dos de tales filtros. Pero incluso as, el primer lbulo lateral sera inferior a 20 dB por
debajo del pico de la transmisin. Otra de las razones para el fracaso relativo de la
AOTF hoy, es que el ancho de banda de paso es bastante grande (100 GHz o ms)
incluso cuando la longitud de interaccin acusto-ptica es de alrededor de 1 pulgada.
Esto hace que sea inadecuado para su uso en sistemas WDM densos donde las
separaciones de canal se han reducido a 50 GHz. Los dispositivos con longitudes de
interaccin ms grandes son ms difciles de fabricar.
Cuestionario (Acousto-Optic)
1. en que se basa la construccin de los filtro sintonizable acousto-optic (AOTF)?
2. Cmo funciona un filtro ajustable?
3. Cmo funciona un filtro ajustable acstico-optico?
4.
5.
6.
7.
8.
9.
Cmo acta una rejilla de Bragg?

Cul es la condicin de Bragg?
para que se utiliza los filtros ajustables acousto-optic?
Cmo de determina el ancho de paso de banda del filtro?
Cul es la funcin de transferencia de potencia de un AOTF?
Qu pasa si la ecuacin de Bragg es satisfecha por mltiples longitudes de onda
simultneamente?
10. Por qu los AOTF no funciona en la prctica como predice la teora?
Problemas propuestos (Acousto-Optic)

Demuestre que el ancho de banda un filtro acousto-optic es 0.820/ln.
Explique como el filtro ajustable acousto-optic independiente de la polarizacin (Figura
3.28) acta como enrutador de longitud de onda de dos entradas y dos salidas cuando
ambas entradas estn activas.
Arquitecturas del multiplexor High Channel Count[Editar]

Autor: Fabin Guamn
Con el nmero de longitudes de onda en continuo aumento, el diseo de multiplexores y
demultiplexores para manejar un gran nmero de longitudes de onda se ha convertido
en un problema importante, es por ello que al disear demultiplexores se debe tomar en
cuenta que estos acten tambin como multiplexores. A continuacin se describen
varios mtodos para construir demultiplexores con un elevado nmero de canales.
Serial
Aqu, la demultiplexacin se realiza una longitud de onda a la vez. El demultiplexor
consta de W etapas de filtrado en serie, uno para cada una de W longitudes de onda.
Cada etapa de filtrado demultiplexa una longitud de onda y permite que las otras
longitudes de onda pasen, la arquitectura del demultiplexor se muestra en la figura 3.20,
una ventaja de esta arquitectura es que en las etapas de filtrado se puede ir aadiendo
uno a uno conforme se vayan aadiendo ms longitudes de onda.
Figura 3.20: Una longitud de onda multiplexor/demultiplexor utilizando filtros de capa

de metal dielctrico multicapa.
El enfoque Serial se usa para demultiplexar un nmero relativamente pequeo de
canales, pero no se adaptan para manejar un gran nmero de canales. Esto es debido a la
prdida de insercin (en decibelios) del demultiplexor aumenta casi linealmente con el
nmero de canales que se demultiplexan.
De una sola etapa

Aqu, todas las longitudes de onda se demultiplexan juntos en una sola etapa. El AWG
(arrayed waveguide grating) se muestra en la figura 3.24.
Figure 3.24: An arrayed waveguide grating.

Este mtodo proporciona prdidas relativamente ms bajos, en comparacin con el
mtodo en serie, pero el nmero de canales para demultiplexar est limitado por el
nmero mximo de canales del equipo, tpicamente alrededor de 40 canales.
Multietapas Banding
Un enfoque popular usado hoy es dividir las longitudes de onda en bandas. Por ejemplo,
un total de 32 longitudes de onda puede ser dividido en cuatro bandas, cada una con 8
longitudes de onda.
La demultiplexacin se realiza en dos etapas (figura 3.31).
1) El conjunto de longitudes de onda se demultiplexa en bandas.

2) las bandas se demultiplexan, y longitudes de onda individuales se extraen.
Figura 3.31: Un demultiplexor de 32-canales se obtiene por medio de cuatro bandas de

8 canales cada uno.
Un inconveniente del enfoque de bandas es que por lo general tendremos que dejar un
espacio de "guardia" entre bandas como se muestra en la figura 3.31.
Este espacio de guardia permite los filtros de la primera etapa sean diseados para
proporcionar la supresin de diafona adecuada, manteniendo una baja prdida de
insercin.
Intercalacin de multietapas
La intercalacin ofrece otro enfoque para la realizacin de demultiplexores con un gran
nmero de canales. Un intercalador de dos etapas se muestra en la figura 3.32.
Figura 3.32: Un enfoque de multiplexacin de dos etapas utilizando intercalacin. En

este demultiplexor 32 canales, la primera etapa escoge cada longitud de onda alterna, y
la segunda etapa extrae la longitud de onda individual.
La primera etapa separa las longitudes de onda en dos grupos. El primer grupo
consiste de longitudes de onda 1, 3, 5. . . y el segundo grupo se compone de longitudes
de onda 2, 4, 6 . . .
En la segunda etapa se extraen las longitudes de onda individuales. Este mtodo
tambin es modular en el sentido de que la ltima etapa de demultiplexores se puede
completar segn sea necesario. Si es necesario se pueden utilizar ms de dos etapas.
Los filtros en la ltima etapa puede ser mucho ms ancho que la ancho del canal. Por
ejemplo, supongamos que queremos demultiplexar un conjunto de 32 canales con
separacin de 50 GHz aparte. Despus de la primera etapa de demultiplexacin, los
canales estn espaciados 100 GHz aparte, como se muestra en la figura 3.32. As
demultiplexores con una banda de paso ms amplio adecuado para demultiplexar 100
GHz canales espaciados pueden ser utilizados en la segunda etapa.
Los desafos con el enfoque de entrelazado se encuentran en la realizacin de los
demultiplexores que realizan la intercalacin en todos los niveles, excepto el ltimo
nivel.
Cuestionario (Arquitecturas del multiplexor High

Channel Count)
1.
2.
3.
4.
5.
6.
7.
8.
9.
10.
Qu problema surge con el continuo aumento en las longitudes de onda?

Cul es el requerimiento principal al disear un multiplexor?
En donde se requiere que un demultiplexor se comporte como multiplexor?
El mtodo serial las longitudes de onda se demultiplexan juntos en una sola etapa (FV).
El mtodo serial la demultiplexacin se realiza una longitud de onda a la vez (FV).
El mtodo de una sola etapa es usado para dividir las longitudes de onda en bandas
(FV).
El mtodo de una sola etapa todas las longitudes de onda se demultiplexan juntos en
una sola etapa (FV).
El mtodo de una sola etapa proporciona prdidas relativamente ms bajos, en
comparacin con el mtodo en serie (FV).
El mtodo Multietapas Banding es usado para dividir las longitudes de onda en bandas
(FV).
En el mtodo Intercalacin Multietapas en la ltima etapa el ancho de banda del filtro
puede ser mayor que el ancho de banda del canal? (SN).
Amplificadores pticos
Tabla de contenidos
1. Emisin estimulada[Editar]
1.1. Cuestionario (Emisin estimulada)
2. Emisin espontnea[Editar]
2.1. Cuestionario
3. Amplificadores de fibra dopados de Erbio[Editar]
3.1. Principio de operacin
3.2. Ganancia de planicidad (flatness)
3.3. Diseo multietapa
3.4. L-Band EDFAs
3.5. Cuestionario (EDFA)
4. Amplificadores de Raman[Editar]
4.1. Cuestionario (Amplificadores de Raman)
5. Amplificadores pticos semiconductores[Editar]
5.1. Cuestionario (SOA)
6. La diafona en los SOAs[Editar]
6.1. Cuestionario (Diafona en los SOA)
En un sistema de comunicacin ptica, las seales pticas que son emitidas desde el
transmisor son atenuadas por la fibra ptica a medida que se propagan a travs de la
fibra. Otros componentes pticos, como los multiplexores y acopladores, tambin
agregan prdida. Despus de una distancia, la prdida acumulada de la intensidad de la
seal causa que sta llegue demasiado dbil para ser detectada. Antes que esto pase, la
intensidad de la seal debe ser restaurada. Antes de la llegada de los amplificadores
pticos, la nica opcin era regenerar la seal, esto es, recibir la seal y retransmitirla.
Este proceso es llevado a cabo por los regeneradores. Un regenerador convierte la seal
ptica a una seal elctrica, la limpia, y la convierte de regreso en una seal ptica para
su posterior transmisin.
Los amplificadores ofrecen varias ventajas en relacin a los regeneradores. De una lado,
los regeneradores son especficos para una tasa de transmisin y formato de modulacin
utilizada por el sistema de comunicacin. De otro lado, los amplificadores pticos son
insensibles a la tasa de transmisin y formato de modulacin. Por lo tanto un sistema
que usa amplificadores pticos se puede actualizar ms fcilmente, por ejemplo, a altas
tasas de transmisin, sin reemplazar el amplificador. En cambio en un sistema que
utiliza regeneradores, para hacer dicha actualizacin se requerira sustituir todos los
regeneradores. Adems, los amplificadores pticos tienen mayores anchos de banda de
ganancia y, como consecuencia, un solo amplificador pueden amplificar
simultneamente varias seales WDM. En contraste, necesitaramos un regenerador
para cada longitud de onda. As los amplificadores pticos se han convertido en
componentes esenciales en los sistemas de comunicacin ptica de alto rendimiento.
Sin embargo, los amplificadores no son dispositivos perfectos. Producen ruido
adicional, y este ruido es acumulado cuando la seal pasa a travs de varios
amplificadores a lo largo de su camino debido a la naturaleza anloga del amplificador.
La forma espectral de la ganancia, la potencia de salida, y el comportamiento transitorio
del amplificador son tambin consideraciones importantes para aplicaciones de
sistemas. Idealmente, se necesita tener una potencia de salida suficientemente alta para
satisfacer las necesidades de una aplicacin de red. Tambin es necesario que la
ganancia sea plana en el rango de longitudes de onda de funcionamiento y que sea
insensible a las variaciones de potencia de entrada de la seal. En esta seccin se
consideran tres tipos de amplificadores: amplificadores de fibra dopados de erbio,
amplificadores de Raman, y amplificadores ptico de semiconductor.
Emisin estimulada[Editar]
Autor: Layla Guerrero
seccin 3.4.1 del libro
En todos los amplificadores que consideramos, el fenmeno fsico clave detrs de la
seal de amplificacin es la emisin estimulada de radiacin por tomos en presencia de
un campo electromagntico.
De acuerdo con los principios de la mecnica cuntica, cualquier sistema fsico (por
ejemplo, un tomo) se encuentra en un nmero discreto de los niveles de energa. Por
consiguiente, considerar un tomo y dos de sus niveles de energa, E1 y E2, con E2>
E1. Un campo electromagntico cuya frecuencia fc satisface hfc = E2 - E1 induce
transiciones de los tomos entre los niveles de energa E1 y E2. Aqu, h es la constante
de Planck (6,63 10-34 J s). Transiciones E1 E2 son acompaadas por la absorcin
de fotones desde el incidente campo electromagntico. Transiciones E2 E1 estn
acompaadas por la emisin de fotones de energa hfc, la misma energa que la de los
fotones incidentes. Si la emisin estimulada llegara a dominar sobre la absorcin, es
decir, la seal incidente provoca ms transiciones E2 E1 que transiciones E1
E2 tendramos un incremento neto en el nmero de fotones de energa hfc y una
amplificacin de la seal. De lo contrario, se atenuar la seal.
Se desprende de la teora de la mecnica cuntica que la tasa de las transiciones E1
E2 por tomo es igual a la tasa de las transiciones de E2 E1 por tomo. Tasa comn
r. Si el nmero de tomos en el nivel de energa E1 y E2 son N1 y N2, respectivamente,
tenemos un incremento neto en el poder (energa por unidad de tiempo) de (N2 - N1)
rhfc. Es evidente que para que se produzca la amplificacin, esta debe ser positiva, es
decir, N2> N1. Esta condicin se conoce como inversin de poblacin.
Inversin de poblacin se puede lograr mediante el suministro de energa adicional que
puede estar en forma ptica o elctrica.
Cuestionario (Emisin estimulada)

1. Cul es el fenmeno fsico clave detrs de la seal de amplificacin?: el fenmeno
fsico clave detrs de la seal de amplificacin es la emisin estimulada de radiacin
por tomos en presencia de un campo electromagntico.
2. Qu induce un campo electromagntico cuya frecuencia fc?: Induce transiciones de
los tomos entre los niveles de energa E1 y E2.
3. De qu estn acompaadas las transiciones E1 E2?: Transiciones E1 E2 son
acompaadas por la absorcin de fotones desde el incidente campo electromagntico.
4. De qu estn acompaadas las transiciones E2 E1?: Transiciones E2 E1 estn
acompaadas por la emisin de fotones de energa hfc.
5. La emisin estimulada se da cuando se inducen mas transiciones tipo: E2 E1
6. Cundo se atena la seal?: Cuando la seal incidente provoca ms transiciones E1
E2 que transiciones E2 E1
7. Si se considera un tomo y dos de sus niveles de energa, E1 y E2, con E2> E1. La
seal incidente debe provocar ms transiciones E2 E1 o E1 E2 para amplificar la
seal? E2 E1
8. Cmo se logra la inversin de poblacin?: Inversin de poblacin se puede lograr
mediante el suministro de energa adicional que puede estar en forma ptica o
elctrica.
Emisin espontnea[Editar]
Autor: Oswaldo Giansaca
Para la emisin espontnea consideramos un sistema atmico con dos niveles de
energa, independiente de cualquier radiacin externa que pueda estar presente; los
tomos en el nivel de energa E2 transitan hacia el nivel de energa mas bajo E1,
emitiendo un fotn con energa hfc. La tasa de emisin espontnea por tomo desde el
nivel energtico E2 hacia E1 es una caracterstica del sistema, y recproca, denotada por
r21, llamada tiempo de vida de emisin espontnea. As, si existen N2 tomos en el nivel
E2, la tasa de emisin espontnea es N2 / 21, y la energa de emisin espontnea es hfcN2
/ 21.
La emisin espontnea no contribuye a la ganancia del amplificador. Aunque los
fotones emitidos tienen la misma energa como la seal ptica incidente, estos son
emitidos en diferentes direcciones, polarizaciones y fases, diferencindose as de la
emisin estimulada, donde ocurre exactamente lo contrario. Los fotones emitidos no
solo tienen la misma energa que los fotones incidentes sino tambin la misma direccin
de propagacin, fase, y polarizacin. Por lo que a la emisin estimulada se la conoce
como un proceso coherente, mientras al proceso de emisin espontnea se lo denomina
incoherente.
La emisin espontnea tiene un efecto nocivo en el sistema. El amplificador trata a la

radiacin de emisin espontnea como otro campo electromagntico a una frecuencia
hfc, el cual tambin es amplificada, y se suma a la seal ptica incidente. Esta emisin
espontnea amplificada (Amplified Spontaneous Emission, ASE) aparece como ruido a
la salida del amplificador. En algunos diseos de amplificadores, el ASE es lo
suficientemente grande como para saturar el amplificador.
Cuestionario
1. Mediante que fenmeno se emite un fotn y cual es su energa?: Se emite un fotn
cuando un tomo pasa de un nivel de energa superior a otro inferior, el fotn que se
emite tiene una energa igual a hfc.
2. Cul es la energa de emisin espontnea?: La energa de emisin espontnea es
hfcN2 / 21, donde N2 / 21 es la tasa de emisin espontnea.
3. Cul es la diferencia entre la emisin espontnea y la emisin estimulada?: En la
emisin espontnea los fotones emitidos tienen la misma energa como la seal ptica
incidente, estos son emitidos en diferentes direcciones, polarizaciones y fases,
diferencindose as de la emisin estimulada, donde ocurre todo lo contrario.
4. Explique el efecto negativo de la emisin espontnea?: El amplificador trata a la
radiacin de emisin espontnea como otro campo electromagntico con frecuencia
hfc, el cual tambin es amplificado, y se suma a la seal ptica incidente, esta seal
amplificada aparece como ruido a la salida del amplificador.
Amplificadores de fibra dopados de Erbio[Editar]

Autor: Gino Jaramillo
seccin 4.3 del libro
Un amplificador de fibra dopada de erbio (EDFA) se muestra en la Figura 3.34.
Consiste en una longitud de fibra de silicio cuyo ncleo est dopado con tomos
ionizados (iones), Er3+, de erbio. Esta fibra es bombeada usando una seal de bombeo
desde un lser, tpicamente a una longitud de onda de 980 nm o 1480 nm. Con el fin de
combinar la salida del lser de bombeo con la seal de entrada, la fibra dopada est
precedida por un acoplador de longitud de onda selectiva.
Una combinacin de varios factores ha hecho del EDFA el amplificador preferido en los
sistemas actuales de comunicaciones pticas: (1) la disponibilidad de lsers de bombeo
de semiconductores de alta potencia compacto y fiable, (2) el hecho de que es un
dispositivo totalmente de fibra ptica, haciendo es independiente de la polarizacin y
fcil de acoplar la luz dentro y fuera de la misma, (3) la simplicidad del dispositivo, y
(4) el hecho de que no introduce diafona cuando amplifica las seales WDM.
Figura 3.34: Unamplificador de fibradopada con erbio.
Principio de operacin
Tres de los niveles de energa de iones de erbio en vidrio de slice se muestran en la
figura 3.35 y se etiquetan E1, E2, E3 y en orden creciente de energa. No se muestran
otros niveles de Er3+. Cada nivel de energa que aparece como una lnea discreta en un
ion aislada de erbio se divide en mltiples niveles de energa cuando estos iones se
introducen en el vidrio de slice. Este proceso se denomina divisin Stark.
Macroscpicamente, es decir, cuando se ve como una coleccin de iones, esto tiene el
efecto de propagacin de cada nivel de energa discreta de un ion erbio en una banda de
energa continua. Esta difusin de los niveles de energa es una caracterstica til para
amplificadores pticos ya que aumentan el rango de frecuencia o longitud de onda de
las seales que pueden ser amplificados. Dentro de cada banda de energa, los iones de
erbio se distribuyen en los diferentes niveles dentro de esa banda de una manera no
uniforme por un proceso conocido como termalizacin. Es debido a este proceso de
termalizacin que un amplificador es capaz de amplificar varias longitudes de onda
simultneamente. Tenga en cuenta que la divisin Stark denota el fenmeno por el cual
los niveles de energa de iones de erbio libres se dividen en un nmero de niveles, o en
una banda de energa, cuando el ion se introduce en el vidrio de slice. Termalizacin se
refiere al proceso por el cual los iones de erbio se distribuyen dentro de los distintos
niveles (split) que constituyen una banda de energa.
Figura 3.35: Tresniveles de energaE1,E2,yE3deionesEr3+en el vidriode slice.

Elcuartonivel de energa,E4,est presenteen el vidriode fluoruro, pero no en el vidriode
slice.Los niveles de energase distribuyenen bandaspor elproceso de divisinStark.La

diferencia entre losniveles de energase etiqueta conla longitud de ondaen nmdel
fotncorrespondientea la misma.Lasflechas hacia arribaindicanlas longitudes de ondaa
la que elamplificador puede serbombeadapara excitarlosiones enel nivel de energams
alto.La transicin980nmcorresponde a labrecha de bandaentre los nivelesE1 y E3.
Latransicin1480nmcorresponde ala distanciaentre la parte inferiorde la bandaE1a la
parte superiorde la banda deE2.La transicinhacia abajorepresenta lalongitud de onda
delos fotones emitidosdebido a la emisinespontnea yestimulada.
En el sistema atmico de dos niveles de energa, slo una seal ptica a la frecuencia fc,
que satisface hfc = E2 -E1, podra amplificarse. Si estos niveles se distribuyen en bandas,
todas las frecuencias que corresponden a la diferencia de energa entre un poco de
energa en la banda de E2 y un poco de energa en la banda E1 pueden ser amplificadas.
En el caso de los iones de erbio en el vidrio de slice, el conjunto de frecuencias que
puede ser amplificada por emisin estimulada de la banda de E2 a la banda E1
corresponde a la gama de longitud de onda 1525 a 1570 nm, un ancho de banda de 50
nm, con un pico alrededor de 1532 nm.
Denotemos poblacin inica en nivel Ei por Ni, i = 1, 2, 3. En el equilibrio trmico, N1>
N2> N3. La condicin de inversin de poblacin para la emisin estimulada de E2 a E1
es N2 > N1 y se puede lograr por una combinacin de absorcin y emisin espontnea de
la siguiente manera. La diferencia de energa entre los niveles E1 y E3 corresponde a una
longitud de onda de 980 nm. As que si la potencia ptica a 980 nm llamada la bomba
de potencia se inyecta en el amplificador, que har que las transiciones de E1 a E3 y
viceversa. Desde N1> N3, habr una absorcin neta de la potencia de 980 nm. Este
proceso se denomina bombeo.
Los iones que se han planteado a nivel E3 de este proceso de trnsito rpido para nivelar
E2 por el proceso de emisin espontnea. La vida til de este proceso, 32, es de
aproximadamente 1 s. Los tomos de nivel E2 sern tambin de trnsito para nivelar E1
por el proceso de emisin espontnea, pero el curso de la vida para este proceso, 21, es
de unos 10 ms, que es mucho ms grande que el E3 a E2 vida. Por otra parte, si la
potencia de la bomba es lo suficientemente grande, los iones que el trnsito al nivel E1
se eleva rpidamente de nuevo al nivel E3 slo para el trnsito hacia el nivel E2 de
nuevo. El efecto neto es que la mayora de los iones se encuentran en el nivel de E2, y
por lo tanto tenemos la inversin de poblacin entre los niveles de E2 y E1. Por lo tanto,
si simultneamente una seal en la banda de 1525 - 1570 nm se inyecta en la fibra, se
amplific mediante la emisin estimulada de la E2 al nivel E1.
Varios niveles distintos de E3 son ms altos que E2 y, en principio, puede ser utilizado
para bombear el amplificador. Pero el proceso de bombeo es ms eficiente, es decir,
utiliza menos potencia de la bomba para una ganancia dada, a 980 nm de estas otras
longitudes de onda. Otra posible opcin para la longitud de onda de la bomba es 1.480
nm. Esta eleccin corresponde a la absorcin desde el subnivel inferior de la banda E1 al
subnivel superior de la banda de E2 en s. El bombeo a 1480 nm no es tan eficiente
como el bombeo 980 nm. Por otra parte, el grado de inversin de poblacin que se
puede lograr por bombeo en 1480 nm es menor. Cuanto mayor es la inversin de
poblacin, menor es el factor de ruido del amplificador. Otra ventaja del bombeo en
1480 nm es que la potencia de la bomba tambin puede propagarse con baja prdida en
la fibra de slice que se utiliza para transportar las seales. Por lo tanto, el lser de
bombeo puede estar ubicado de forma remota desde el propio amplificador. Esta
caracterstica se utiliza en algunos sistemas para evitar colocar los componentes activos
en el medio del enlace.
Ganancia de planicidad (flatness)

Dado que los niveles de poblacin en los diferentes niveles dentro de una banda son
diferentes, la ganancia de un EDFA se convierte en una funcin de la longitud de onda.
En la figura 3.36, se grfica la ganancia de un EDFA tpica en funcin de la longitud de
onda para diferentes valores de la potencia de la bomba. Cuando se utiliza un tal EDFA
en un sistema de comunicacin WDM, diferentes canales WDM se someten a diferentes
grados de amplificacin.
Figura 3.36: La ganancia tpica de unEDFAcomo una funcinde lalongitud de onda

paracuatro valoresdiferentes delapotencia de la bomba, obtenido a travs
desimulaciones.La longitud de lafibra dopadase toma comose supone15my980nmde
bombeo.
Una forma de mejorar el flatness del perfil de ganancia del amplificador es utilizar fibra
de vidrio de fluoruro en lugar de fibra de slice, dopado con erbio [Cle94]. Estos
amplificadores se llaman amplificadores de fibra dopada de erbio fluoruro (EDFFAs).
El vidrio de fluoruro produce un espectro de ganancia de forma natural ms plano en
comparacin con el vidrio de slice. Sin embargo, hay algunos inconvenientes a la
utilizacin de vidrio de fluoruro. El nivel de ruido de EDFFAs es ms pobre que
EDFAs. Una de las razones es que deben ser bombeadas a 1.480 nm y no pueden ser
bombeadas a 980 nm. Esto es porque el vidrio de fluoruro tiene un mayor nivel de
energa E4 adicional por encima del nivel E3, como se muestra en la figura 3.35, con la
diferencia de energas entre estos dos niveles que corresponden a 980 nm. Esto causa
que la potencia de la bomba de 980 nm sea absorbida por la transicin desde el nivel E3
a E4, lo cual no produce ganancia til. A este fenmeno se le denomina absorcin por
estado excitado.
Otro enfoque para aplanar la ganancia EDFA es utilizar un filtro en el interior del
amplificador. El EDFA tiene una ganancia relativamente alta a 1532 nm, que se puede
reducir mediante el uso de un filtro de muesca en el interior de la regin del
amplificador de esa longitud de onda. Las rejillas de fibra de perodo largo y filtros de
capa fina dielctricos son actualmente los principales candidatos para esta aplicacin.
Diseo multietapa
En la prctica, la mayora de los amplificadores implementados en los sistemas reales
son ms complicados que la estructura simple que se muestra en la Figura 3.34. La
Figura 3.37 muestra un diseo de dos etapas ms comnmente utilizado. Las dos etapas
se optimizan de manera diferente. La primera etapa est diseada para proporcionar una
alta ganancia y bajo ruido, y la segunda etapa est diseada para producir una alta
potencia de salida. El nivel de ruido de todo el amplificador est determinada
principalmente por la primera etapa.
As, esta combinacin produce un amplificador de alto rendimiento con bajo nivel de
ruido y alta potencia de salida. Otra consideracin importante en el diseo es
proporcionar redundancia en caso de fallo de una bomba, el nico componente activo
del amplificador. El amplificador utiliza dos bombas y puede ser diseado de modo que
el fallo de una bomba tenga slo un pequeo impacto en el rendimiento del sistema.
Otra de las caractersticas del diseo de dos etapas es que un elemento de prdida se
puede colocar entre las dos etapas con un impacto insignificante en el rendimiento. Este
elemento de prdida puede ser un filtro de aplanamiento de ganancia, un simple
multiplexor de insercin/extraccin ptica, o un mdulo de compensacin de la
dispersin utilizado para compensar la dispersin acumulada a lo largo del enlace.
Figura 3.37: Unamplificador de fibrade dos etapasdopada con erbiocon unelemento de

prdidainsertadaentre laprimeraysegundaetapa.
L-Band EDFAs
La banda L EDFAs opera con el mismo principio que la banda C EDFA. Sin embargo,
hay diferencias significativas en el diseo de banda L y de la banda C de amplificadores
EDFA. El espectro de ganancia del erbio es mucho ms plano intrnsecamente en la
banda L que en la banda C. Esto hace que sea ms fcil para disear filtros de gananciaaplanamiento de la banda L. Sin embargo, el coeficiente de ganancia de erbio en la
banda L es aproximadamente tres veces menor que en la banda C. Esto requiere el uso
de ya sea longitudes de fibra, dopadas, mucho ms largas o de fibra con concentraciones
ms altas de dopaje de erbio. En cualquiera caso, las potencias para la bomba en la

banda LEDFAs, son mucho ms altas que su contra parte en la banda C. Debido a la
menor absorcin en las secciones transversales de la banda L, estos amplificadores
tambin tienen emisin espontnea amplificada ms alta. Por ltimo, muchos de los
otros componentes utilizados en el interior del amplificador, tales como aisladores y
acopladores, muestran prdidas dependientes de la longitud de onda, por lo tanto se
especifican de manera diferente para la banda L y para la banda C.
Como resultado delas diferencias significativas entre los amplificadores de bandaCy
L,estos amplificadoresse suelenrealizar comodispositivos separadosen lugar decomo un
nico dispositivo.En una aplicacin prctica desistema, las longitudes de onda en las
bandasC yLenuna fibra, son primeroseparadaspor undemultiplexor, a
continuacin,amplificadas poramplificadores separados,y despusrecombinadas.
Cuestionario (EDFA)
1. En qu consiste los Amplificadores de fibra dopados de Erbio?: Consiste en una
longitud de fibra de silicio cuyo ncleo est dopado con tomos ionizados (iones), Er3+,
del raro elemento de la tierra erbio.
2. Escriba 3 factores que han hecho que el EDFA el amplificador preferido de la
actualidad en sistemas de comunicaciones pticas?: (a)disponibilidad de lsers de
bombeo de semiconductores de alta potencia, compactos y fiable. (b) Simplicidad del
dispositivo, (3) No introduce diafona cuando amplifica las seales WDM.
3. A qu se conoce como divisin de Stark?: Es el fenmeno por el cual los niveles de
energa de iones de erbio libres se dividen en un nmero de niveles, o en una banda de
energa, cuando el ion se introduce en el vidrio de slice.
4. Qu es la Termalizacin?: Es el proceso por el cual los iones de erbio se distribuyen
dentro de los distintos niveles (split) que constituyen una banda de energa.
5. En el caso de iones de erbio en el vidrio de slice, cul es el conjunto de frecuencias
que puede ser amplificada por emisin estimulada de la banda de E2 a la banda E1?:
Corresponde a la gama de longitud de onda 1525 a 1570 nm, un ancho de banda de 50
nm, con un pico alrededor de 1532 nm.
6. Cmo se puede mejorar la planitud del perfil de ganancia del amplificador?: Es
utilizar fibra de vidrio de fluoruro en lugar de fibra de slice, debido a que el vidrio de
fluoruro produce un espectro de ganancia de forma natural ms plano en comparacin
con el vidrio de slice. utilizar un filtro en el interior del amplificador
7. Cul es la diferencia entre la banda L y banda C de amplificadores EDFA?: El
espectro de ganancia del erbio es mucho ms plano intrnsecamente en la banda L que
en la banda C y el coeficiente de ganancia de erbio en la banda L es aproximadamente
tres veces menor que en la banda C.
Amplificadores de Raman[Editar]
Autor: Juan Loja
seccin 4.4 del libro
La Stimulated Raman scattering o dispersin estimulada Raman (SRS) es una
dispersin no lineal que afecta a la seal que se propaga a travs de la fibra. Esta misma
no linealidad puede ser utilizada como amplificador ya que como se ve en la figura 2.18
el espectro de ganancia de Raman es bastante amplio, adems que su pico de ganancia

se encuentra por los 13Thz, lo cual da separaciones de onda entre los 100nm.
Figura 2.18: Coeficiente de ganancia SRS en funcin de la separacin del canal.

La principal diferencia de los amplificadores Raman con los EDFAs es que a diferencia
de los EDFAs, podemos utilizar el efecto Raman para proporcionar ganancia en
cualquier longitud de onda. Un EDFA proporciona una ganancia en las bandas C y L
(1528-1605 nm), sin embargo los amplificadores Raman pueden dar ganancias a otras
bandas para WDM, como la banda S que est justo debajo de 1528 nm. Tambin,
podemos utilizar varias bombas en diferentes longitudes de onda y diferentes potencias
simultneamente para adaptar la forma general de ganancia Raman.
Los amplificadores Raman dependen solo de la potencia de bombeo de la seal que se
transmite en la fibra, pudiendo producir amplificaciones agrupadas, discretas y
distribuidas.
El uso ms comn de los amplificadores Raman es para complementar a los EDFAs
proporcionando ganancia adicional de manera distribuida en sistemas de ultra-larga
distancia. El mayor desafo para construir un amplificador Raman est ligado a la fuente
de bombeo en si misma. Estos amplificadores requieren de fuentes de bombeo de alta
potencia mayores a 1 W.
El ruido en los amplificadores Raman se produce por las fluctuaciones de la fuente, en
este caso la ganancia del amplificador vara, produciendo diafona (Interferencia) en la
seal. Por lo tanto en los amplificadores Raman es importante mantener la potencia de
la fuente constante. Tener una seal de bombeo que se propaga en la direccin opuesta
a la seal original, ayuda dramticamente, debido a que las fluctuaciones en la potencia
de la seal de bombeo se promedian sobre el tiempo de propagacin en la fibra. En el
caso en que la bomba irradia en la misma direccin que la seal, las dos ondas viajan
aproximadamente a la misma velocidad, entonces cuando la potencia de la bomba es

alta en la entrada, la seal ve alta ganancia, y cuando la potencia es baja, la seal ve una
menor ganancia. Consideremos ahora el caso cuando la seal y la bomba viajan en
direcciones opuestas. Para simplificar, supongamos que la potencia de la bomba vara
entre dos estados: altas y bajas. A medida que la seal se propaga a travs de la fibra,
cada vez que se solapa con la seal de bomba en el estado de alta potencia, se ve una
ganancia alta y cuando se solapa con la seal de bomba en el estado de baja energa, se
ve una menor ganancia. Si las fluctuaciones de la bomba son relativamente rpidas en
comparacin con el tiempo de propagacin de la seal a travs de la fibra, las
variaciones de ganancia se promedia en la salida, obteniendo una ganancia constante.
Otra fuente de ruido se debe a la back-reections de la seal de la bomba causada por la
dispersin de Rayleigh en la fibra. Esta suele ser la principal fuente de ruido, ya que, en
el diseo del amplificador podemos eliminar la mayora de las otras fuentes de ruido.
Cuestionario (Amplificadores de Raman)

1. En que se basan los amplificadores de Raman?: Los amplificadores Raman
aprovechan la dispersin estimulada de Raman, ya que su espectro de ganancia es
grande.
2. Cul es la principal diferencia entre los amplificadores Raman y los EDFAs?: Los
amplificadores Raman pueden dar ganancia a otras bandas adems de las C y L (15281605 nm). Los EDFAs solo pueden dar ganancias en estas bandas C y L.
3. Cules son las principales fuentes de ruido en los amplificadores Raman?: (a)
Interferencia (Diafona) producida por las fluctuaciones de la bomba. (b) Interferencia
producida por la dispersin de Rayleigh (Black-reflexion)
4. Cul es el principal desafo de construccin de un amplificador Raman?: El mayor
desafo que los amplificadores Raman se encuentra en la propia fuente de la bomba y
que se requieren instalar fuentes mayores a 1 W.
5. Qu es lo ms importante en un amplificador Raman?: Mantener la fuente
constante
Amplificadores pticos semiconductores[Editar]

Autor: Jos Lopez
Los Amplificadores pticos semiconductores (SOA) son precedidos por los EDFAs,
aunque no son muy buenos, su potencial est en las aplicaciones como interruptores y
dispositivos convertidores de longitud de onda.
En la figura 3.39 se muestra el diagrama de bloques de un SOA que es bsicamente una
unin pn. Con esto, la capa de agotamiento se forma en la unin de estos dos dando
lugar a la amplificacin de la luz cuando sta se propaga a travs de la regin activa.
Figura 3.39: Diagrama de bloques de un amplificador ptico semiconductor.

En un amplificador, cada extremo tiene un recubrimiento antirreflectante (AR) para
eliminar ondulaciones en la ganancia del amplificador en funcin de la longitud de
onda, pero en el caso del lser, en donde el SOA tiene su fuerte, no habra ningn
recubrimiento.
Un semiconductor consiste en dos bandas de niveles de energa de electrones: Una
banda de baja movilidad de electrones llamada banda de valencia y una banda de alta
movilidad de electrones llamada banda de conduccin, y estn separadas por una
diferencia de energa llamada banda prohibida, en esta banda no existe ningn nivel de
energa.
Figura 41: Configuracin juntura pn. (a) juntura pn(b) Concentracin de portadores
minoritarios y regin de agotamiento sin votaje aplicado (c) Concentracin de
portadores minoritarios y regin de agotamiento con un voltaje aplicado Vf
Cuando los semiconductores estn en una sola posicin como muestra la figura 41(a);
los agujeros en el material de tipo p reciben electrones del material tipo n y viceversa,
esto crea una carga negativa neta en la regin tipo p del semiconductor y una carga neta
positiva en la regin tipo n del semiconductor como muestra la figura 41(b).
Esta regin se encuentra con escasos portadores de carga libres y se denomina regin de
agotamiento, cuando no se aplica un voltaje, los electrones y huecos se mantienen en un
equilibrio trmico y no hay conduccin.
Cuando se aplica una polarizacin positiva al material de tipo n, la unin es desplazada
hacia adelante como muestra la figura 41(c) y el ancho de la regin de agotamiento
disminuye, en este momento existe conduccin ya que la barrera que divide a los
electrones de los huecos se ha reducido permitiendo el paso de los mismos.
En la prctica esto no se utiliza pero s se intercala material semiconductor entre las
regiones de tipo p y n, esta estructura se llama Heteroestructura.
Cuestionario (SOA)
1. Cules son las aplicaciones de los interruptores pticos?: Interruptores y dispositivos

convertidores de longitud de onda.
2. Cundo se da la amplificacin de la luz?: Cuando la luz se propaga por la regin
activa.
3. Cmo se llama la banda con baja movilidad de electrones?: banda de valencia
4. Cmo se llama la banda con alta movilidad de electrones?: banda de conduccin
5. Cuando se aplica polarizacin positiva, el semiconductor conduce: verdadero
6. Heteroestructura se llama al material semiconductor intercalado: verdadero
La diafona en los SOAs[Editar]

Autor: Juan Molina
Considere un SOA a la que se introduce la suma de dos seales pticas a diferentes
longitudes de onda. Supongamos que ambas longitudes de onda estn dentro del ancho
de banda de la SOA. La presencia de una seal agotar la concentracin de portadores
minoritarios por el proceso de emisin estimulada de modo que la inversin de
poblacin visto por la otra seal se reduce. As, la otra seal no se amplific en la
misma medida y, si las concentraciones de portadores minoritarios no son muy grandes,
incluso puede ser absorbida! (Recordemos que si no se consigue la condicin de
inversin de poblacin, hay absorcin neta de la seal.) Por lo tanto, para las redes
WDM, la ganancia vista por la seal en un canal vara con la presencia o ausencia de
seales en los otros canales. Este fenmeno se denomina diafona, y tiene un efecto
perjudicial sobre el rendimiento del sistema.
Este fenmeno de diafona depende de la vida til de la emisin espontnea del estado
de alta energa a baja energa. Si la vida til es lo suficientemente grande en
comparacin con la tasa de fluctuaciones de potencia en las seales de entrada, los
electrones no pueden hacer la transicin desde el estado de alta energa a baja energa en
respuesta a estas fluctuaciones. Por lo tanto no se produce diafona en absoluto. En el
caso de SOA, esta vida til es del orden de nanosegundos. Por lo tanto los electrones
pueden responder fcilmente a las fluctuaciones de potencia de las seales moduladas
en tasa de gigabit / segundo, resultando en un deterioro importante del sistema debido a
la diafona. En contraste, el tiempo de vida de emisin espontnea en un EDFA es de
unos 10 ms. Por lo tanto la diafona se introduce slo si las velocidades de modulacin
de las seales de entrada son menos de unos pocos kilohertz, que no es generalmente el
caso. As amplificadores EDFA son ms adecuados para su uso en sistemas WDM que
SOA.
Hay varias formas de reducir la diafona introducida por SOA. Una forma es hacer
funcionar el amplificador en la regin de seal reducida donde la ganancia es
relativamente independiente de la potencia de entrada de la seal. Otra es la de sujetar la
ganancia del amplificador usando una variedad de tcnicas, de manera que incluso a
altas potencias de seal, su ganancia permanece relativamente constante, independiente
de la seal de entrada. Adems, si un nmero suficientemente grande de seales en
diferentes longitudes de onda estn presentes, aunque cada seal vara en su potencia, la
potencia total de la seal en el amplificador puede permanecer bastante constante.
Cuestionario (Diafona en los SOA)

1.- De que depende la diafona?
El fenmeno de diafona depende de la vida til de la emisin espontnea del estado de
alta energa a baja energa.
2.- Que sucede si la vida til es lo suficientemente grande en comparacin con la

tasa de fluctuaciones de potencia en las seales de entrada.
Si la vida til es lo suficientemente grande en comparacin con la tasa de fluctuaciones
de potencia en las seales de entrada, los electrones no pueden hacer la transicin desde
el estado de alta energa a baja energaen respuesta a estas fluctuaciones. Por lo tanto no
se produce diafona en absoluto.
3.- Liste una forma de reduir la diafona.

Una forma es hacer funcionar el amplificador en la regin de seal reducida donde la
ganancia es relativamente independiente de la potencia de entrada de la seal.
Transmisores
Tabla de contenidos
1. Lasers[Editar]
1.1. Modos Longitudinales
1.2. Lser de Retroalimentacin Distribuida
1.3. Lser de Cavidad Externa
1.4. Lser de Emisin Superficial de Cavidad Vertical
1.5. El Lser de Modo Bloqueado
1.6. Cuestionario (Lsers)
1.7. Problemas Propuestos

1.7.1. Problema 1 (Problema 3.13 libro gua)
2. Diodos Emisores de Luz[Editar]
2.1. Cuestionario
3. Lsers Ajustables[Editar]
3.1. Lsers de Cavidad Externa
3.2. VCSEL ajustables

3.3. Lsers DBR de dos y tres secciones
3.4. Lsers VGF
3.5. Muestreados Rejas y super-estructura de rejilla DBR Lsers
3.6. Matrices de lser
3.7. Cuestionario (Lsers Ajustables)
3.8. Problemas propuestos (lasers ajustables)
4. Modulacin directa y externa[Editar]
4.1.1. Cuestionario (modulacin directa y externa)

5. Fuentes de bombeo para amplificadores Raman[Editar]
5.1.1. Cuestionario (Fuentes de bombeo)
Lasers[Editar]
Autor: Miltn Muoz
seccin 5.1 del libro de referencia
Un lser es esencialmente un amplificador ptico encerrado dentro de una cavidad
reflectante que hace que oscile a travs de retroalimentacin positiva. Los lsers
semiconductores utilizan semiconductores como el medio de ganancia, en tanto que los
lsers de fibra suelen utilizar fibra dopada con erbio como medio de ganancia. Son
compactos, usualmente unos pocos cientos de micrmetros de tamao. Puesto que son
esencialmente uniones pn, son fabricados en grandes volmenes usando la tecnologa de
semiconductores altamente integrados. Un lser de fibra tpicamente usa un lser
semiconductor como un bomba. Los lsers semiconductores son tambin altamente
eficientes para convertir la energa de entrada elctrica (bomba). Ambos tipos de lsers,
semiconductores y de erbio, son capaces de lograr altas potencias de salida, tpicamente
entre 0 y 20 dBm, aunque los lsers semiconductores usados como fuentes WDM
tpicamente tienen potencias de salida entre 0 y 10 dBm. Los lsers de fibra son usados
mayoritariamente para generar trenesperidicos depulsos muy cortos (mediante el uso
deuna tcnica llamadade modo de bloqueo).
En los amplificadores pticos, parte de la energa es reflejada en la cavidad que tiene
dos paredes planas y hacen las veces de espejo, esto produce que la luz que logra salir
est en fase (Figura 3.42).
Figura 3.42: Reflexin y transmisin a las facetas de una cavidad Fabry-Perot.
Modos Longitudinales
Para que la oscilacin lser ocurra se deben cumplir dos condiciones la primera es que
la longitud de onda debe estar dentro del ancho de banda o de la ganancia media, por
ejemplo si se usa fibra dopada de Erbio la seal debera estar entre los 1525 y 1560 nm.
La segunda condicin es que la longitud de la cavidad sea un mltiplo entero de la
mitad de la longitud de onda. Para un lser dado, a todas las longitudes de onda que
satisfacen la segunda condicin reciben el nombre de Modo longitudinal del lser. El
adjetivo longitudinal es usado para distinguir este de los modos de gua de onda (los
cuales deben ser llamados de manera estricta modos espaciales).
Al lser anteriormente descrito se lo llama tambin lser Fabry-Perot y puede oscilar
simultneamente en muchos modos longitudinales MLM (Mltiple Longitudinal Mode).
Un espectro tpico de la salida de un lser MLM se muestra en la figura 3.43 (a). Para
sistemas de comunicaciones pticas de alta velocidad, la anchura espectral de la fuente
debe ser tan estrecha como sea posible para minimizar los efectos de la dispersin
cromtica. Por lo tanto, es deseable disear un lser que oscila en un nico modo
longitudinal (SLM). El espectro de la salida de un lser SLM se muestra en la figura
3.43 (b). Una oscilacin de un nico modo longitudinal se puede lograr mediante el uso
de un mecanismo de filtrado en el lser que selecciona la longitud de onda deseada y
proporciona la prdida en las otras longitudes de onda. En los lsers Fabry-Perot la
retroalimentacin ocurre a partir del lado reflectante hacia el final de la cavidad.
Figura 3.43: El espectro de la salida de (a) un lser de MLM y (b) un lser SLM. La
longitud de la cavidad del lser se denota por L, y su ndice de refraccin por n. La
separacin de frecuencias entre los modos de un lser de MLM es entonces c/2nl.
Lser de Retroalimentacin Distribuida

En este lser la retroalimentacin de la luz se lo hace de manera distribuida con una
serie de reflectores estrechamente espaciados, la manera ms comn de lograrlo es
proporcionar una variacin peridica del ancho de la cavidad de resonancia (figuras
3.44 (a) y (b)). La onda incidente es reflejada varias veces en la zona corrugada, todas
estas contribuyen y dan como resultado la onda transmitida en fase a la salida. Deben
cumplir con la condicin de bragg, es decir que deben cumplir un nmero entero de
medias longitudes de onda. Cuando la zona corrugada esta fuera de la zona activa se
conoce como Distributed Bragg Reflector (DBR).
Figura 3.44: La estructura de (a) un lser DFB y (b) un lser DBR. En un lser DFB, la
ganancia y la seleccin de longitud de onda se obtienen en la misma regin, mientras
que en un lser DBR, la regin de seleccin de longitud de onda est fuera de la regin
de ganancia.
Lser de Cavidad Externa

La supresin de las oscilaciones con ms de un modo longitudinal se puede lograr
usando otra cavidad llamada la cavidad externa. El resultado de tener dos cavidades es
que el lser sea apto para oscilar nicamente en las longitudes de onda tanto de la
primera cavidad como de la cavidad externa. Se puede usar tambin una rejilla exterior
y cubrir el espejo de la cavidad de ganancia con un recubrimiento anti reflejante.
Figura 3.45: La estructura de un lser de cavidad externa.
Lser de Emisin Superficial de Cavidad Vertical

Si tratamos de hacer la cavidad de ganancia lo ms pequeas posibles entramos al
terreno de los lser con cavidad vertical, estos tienen los espejos en la parte superior e
inferior y la salida se toma de una de las superficies, generalmente la superior. Una
desventaja de estos dispositivos es la gran resistencia que presenta lo que produce que el
dispositivo se caliente y necesita un enfriamiento trmico eficiente.
Figura 3.47: La estructura de un VCSEL.
El Lser de Modo Bloqueado

Lsers en modo bloqueado se utilizan para generar impulsos pticos estrechos que son
necesarios para los sistemas TDM de alta velocidad. Considere un lser Fabry-Perot que
oscila en N modos longitudinales, que son adyacentes entre s. Esto significa que si las
longitudes de onda de los modos son 0, 1, . . . ,N1, la longitud de la cavidad l
satisface l = (k + i) i / 2, i = 0, 1,. . . , N-1, para algn entero k. A partir de esta
condicin, se puede demostrar que las frecuencias correspondientes f0, f1,. . . , FN-1 de
estos modos debe satisfacer fi = f0 + if, i = 0, 1,. . . , N - 1.
La oscilacin a la frecuencia fi es de la forma aiCos (2fit + i), donde ai es la amplitud y
i la fase de modo i. De este modo la oscilacin total de salida del lser toma la forma:
Esta expresinse representaen la figura3.49 para N =10, para diferentesconjuntos

devalores de lai:
Figura 3.49: Oscilacin de salida de un de lser oscilante simultneamente en 10

modos longitudinales. (a) Las fases de los modos son elegidos al azar. (b) Todas las
fases son iguales entre s; tal lser es llamado como modo de bloqueo.
Cuestionario (Lsers)
1. Qu es un lser?: Un lser es esencialmente un amplificador ptico encerrado dentro
de una cavidad reflectante que hace que oscile a travs de retroalimentacin positiva
2. Cules son las condiciones para que la oscilacin laser ocurra?: La longitud de onda
debe estar dentro del ancho de banda o de la ganancia media y la longitud de la
cavidad sea un mltiplo entero de la mitad de la longitud de onda.
3. Escriba 2 modos de propagacin longitudinales: Multiple Longitudinal Mode (MLM) y
Single Longitudinal Mode (SLM)
4. Cundo es recomendable utilizar un lser SLM y por qu?: En sistemas de
comunicaciones pticas de alta velocidad, para minimizar los efectos de la dispersin
cromtica.
5. Qu es un lser de realimentacin distribuida?: Es una modificacin del lser FabryPerot, donde la retroalimentacin se lo hace mediante la modificacin peridica del
ancho de la cavidad de resonancia.
6. Para qu se utilizan los Lsers de Cavidad Externa?: Para la supresin de las
oscilaciones con ms de un modo longitudinal.
7. Cmo funcionan los Lsers de Cavidad Externa?: Al tener dos cavidades el lser es
apto para oscilar nicamente en las longitudes de onda de la primera y segunda
cavidad.
8. Qu son los Lser de Emisin Superficial de Cavidad Vertical?: Son lsers con cavidad
de ganancia lo ms pequeas posibles que tienen los espejos en la parte superior e
inferior y la salida se toma de una de las superficies, generalmente la superior
9. Cul es la desventaja del Lser de Emisin Superficial de Cavidad Vertical?: Su
desventaja es la gran resistencia que presenta lo que produce que el dispositivo se
caliente y que necesite un enfriamiento trmico eficiente.
10. Para qu se utiliza el Lser de Modo Bloqueado?: Se utilizan para generar impulsos
pticos estrechos que son necesarios para los sistemas TDM de alta velocidad.
Problemas Propuestos
Problema 1 (Problema 3.13 libro gua)
Considere una pila de 2k alternando pelculas dielctricas de bajo-ndice (nL) y altondice (nH). Cada una de estas pelculas tiene un espesor de cuarto de onda en 0. En la
notacin de la seccin 3.3.6, esta pila se denota por (HL) k. Encuentra la reflectividad de
esta pila como una funcin de la longitud de onda ptica . As, un filtro de pelcula
delgada dielctrico de cavidad simple puede ser visto como un filtro de Fabry-Perot con
reflectividad especulares dependientes de la longitud de onda.
Diodos Emisores de Luz[Editar]

Autor: Fabin Naula
Un LED es una unin de polarizacin directa-pn en la que la recombinacin de los
portadores minoritarios (electrones inyectados en la regin de tipo p y los agujeros en la
regin de tipo n) por el proceso de emisin espontnea produce luz. Debido a que la
emisin espontnea ocurre dentro de todo el ancho de banda del medio de ganancia (que
corresponde a todas las diferencias de energa entre las bandas de valencia y de
conduccin para un LED), la luz de salida de un LED tiene un espectro amplio, a
diferencia de la de un lser. Los LED tambin no son capaces de producir potencias de
alto rendimiento como los lsers, y potencias de salida tpicos son del orden de -20
dBm. No pueden ser modulados directamente a velocidades de datos superiores a unos
pocos cientos de megabits por segundo.
Los LED son usados en algunas aplicaciones en donde se requiere de velocidades bajas,
distancias cortas y bajo presupuesto (fuente con un ancho espectral estrecho). Un LED
de silicio es la salida de un filtro ptico pasa-banda estrecho colocado en frente del
LED. El filtro ptico selecciona una parte de la salida de este. Diferentes filtros pueden
ser utilizados para seleccionar (casi) espacios espectrales que no se superponen a la
salida. As, un LED puede ser compartido por un nmero de usuarios.
Cuestionario
1. Cundo es conveniente usar LEDs?: Aplicaciones en las que las velocidades de datos
son bajas y las distancias son cortas.
2. Qu es un LED?: Un LED es una unin de polarizacin directa-pn en la que la

recombinacin de los portadores minoritarios por el proceso de emisin espontnea
produce luz.
3. Cul es la diferencia de LED con lser?: El LED tiene un espectro amplio a diferencia
del lser.
4. Cul es la potencia tpica de un LED ?: Es de -20dBm.
5. Qu es un LED de silicio?: Es la salida de un filtro ptico de pasa-banda estrecho
colocado en frente del LED.
Lsers Ajustables[Editar]
Autor: Sal Ochoa
Los Lsers ajustables son una de las herramientas clave de las redes pticas
reconfigurables. Estos proporcionan la flexibilidad de elegir la longitud de onda de
transmisin en la fuente de una trayectoria de luz. El tiempo de puesta a punto necesaria
para este tipo de aplicaciones es del orden de milisegundos porque la seleccin de
longitud de onda que ocurre slo en los momentos en que el camino de luz est
configurado, o cuando tiene que ser desviado en el evento de un fallo. Una aplicacin
para los Lsers ajustables es en las redes de conmutacin de paquetes pticos, donde los
datos se necesita transmitir en diferentes longitudes de onda sobre una base de paquete
por paquete. Los lsers ajustables son un elemento bsico en la mayora de los
laboratorios de WDM y entornos de prueba, donde son ampliamente utilizados para la
caracterizacin y pruebas de distintos tipos de equipos pticos. Estos lsers son
tpicamente dispositivos de tipo tablero de la mesa.
El material InGaAsP / InP utilizado para la mayora de los lsers de longitud de onda
larga se ve reforzada por el uso de estructuras de pozo cuntico y tiene un ancho de banda
de ganancia global de aproximadamente 250 nm a 1,55 m, lo suficientemente grande
para las necesidades de los sistemas WDM actuales. Sin embargo, los mecanismos de
ajuste disponibles potencialmente limitan el rango de sintonizacin a una pequea
fraccin de este nmero.
Los siguientes mecanismos de ajuste se utilizan normalmente:
La inyeccin de corriente en un lser semiconductor provoca un cambio en el ndice de

refraccin del material, que a su vez cambia la longitud de onda de emisin del lser.
Este efecto es bastante pequeo.
El ajuste de la temperatura es otra posibilidad. El funcionamiento del lser a
temperaturas significativamente ms altas que la temperatura ambiente hace que
envejezca rpidamente, degradando su vida til.
El ajuste mecnico se puede utilizar para proporcionar una amplia gama sintonizable en
los lsers que utilizan un mecanismo de cavidad externa separada. Muchos de estos
lsers tienden a ser voluminosos.
Lsers de Cavidad Externa
Los lsers de cavidad externa pueden ajustarse si la longitud de onda central de la rejilla
o otro espejo de longitud de onda selectiva usados se pueden cambiar. Considere la rejilla
lser de cavidad externa mostrada en la figura 3.46. La longitud de onda seleccionada por
la rejilla para la reflexin a la cavidad de ganancia est determinada por el paso de la
rejilla de difraccin, su ngulo de inclinacin con respecto a la cavidad de ganancia, y su
distancia de la cavidad de ganancia. Por lo tanto, variando el ngulo de inclinacin y la
distancia a la rejilla de difraccin desde la cavidad de ganancia (mostrado con las flechas
punteadas en la figura 3.46), la longitud de onda del lser puede ser cambiada. Este es un
mtodo lento de sintonizacin ya que la inclinacin y la posicin de la rejilla de difraccin
tienen que ser cambiados por medios mecnicos. Sin embargo, con este mtodo se puede
obtener una muy amplia gama de sintonizacin de aproximadamente 100 nm para lsers
semiconductores. Este mtodo de sintonizacin es apropiado para instrumentos de
prueba, pero no para una fuente de luz compacta de sistemas de comunicacin.
Figura 3.51: Estructura de un lser de emisin superficial de cavidad vertical

sintonizable micro-electro-mecnico.
VCSEL ajustables
Los principales desafos en la realizacin de longitud de onda largas de 1,55 m VCSEL
estaban en la obtencin de suficiente ganancia de cavidad, obteniendo superficies de
espejo altamente reflectantes, que trata de la disipacin de calor, y hacen que el lser
opere en un sllo modo longitudinal. La capacidad de ajuste se consigue teniendo el
espejo superior sea un micro-electro-mecnico (MEM) membrana mvil. La separacin
de la cavidad se puede ajustar moviendo el espejo superior mediante la aplicacin de un
voltaje a travs de los espejos superior e inferior.
Para llevar a cabo el calor lejos de la parte inferior del espejo, un agujero est grabado en
el sustrato de InP. El diseo utiliza un lser de bombeo 980 nm para bombear la cavidad
VCSEL. Cualquier longitud de onda de bomba inferior a la longitud de onda de emisin
lser deseado puede ser usado para excitar a los electrones de semiconductores a la banda
de conduccin. Por ejemplo, las bombas de semiconductores 980 nm utilizadas para
bombear los amplificadores de fibra dopada con erbio se pueden utilizar aqu tambin. Al
disear el tamao del punto de la bomba para que coincida con el tamao del modo de
accin lser fundamental. El uso de ganancia para realizar esta funcin es mejor que tratar
de disear la cavidad para proporcionar mayor prdida en los modos de orden superior.
Lsers DBR de dos y tres secciones

Podemos cambiar el ndice de refraccin de un lser semiconductor mediante la
inyeccin de corriente en l. Se puede ajustar variando la corriente de polarizacin, que
cambia el ndice de refraccin, sin embargo, al cambiar la corriente de polarizacin
tambin cambiar la potencia de salida del dispositivo, lo que hace esta tcnica
inadecuada para su uso en un lser DFB.
Un lser DBR convencional tambin tiene una sola regin de ganancia, que es
controlado por la inyeccin de una corriente de polarizacin directa Ig. La variacin de
esta corriente slo cambia la potencia de salida y no afecta a la longitud de onda. Esta
estructura se puede modificar mediante la adicin de otro electrodo para inyectar una
corriente Ib separada en la regin Bragg que se desacopla de la regin de ganancia,
como se muestra en la figura 3.52 (a). Esto permite que la longitud de onda sea
controlada independientemente de la potencia de salida.
Figura 3.52: Dos y tres secciones lseres DBR y su principio de seleccin de longitud
de onda. (a) dos secciones de DBR que muestran el control independiente de la
ganancia y las secciones de Bragg. (c) Tres secciones de DBR, que aaden un control
adicional para la fase de cavidad.
A fin de obtener sintonizacin continua en toda la gama de longitud de onda, una seccin
de la fase tercera adicional se puede aadir a la DBR, como se muestra en la figura 3.52
(b). La inyeccin de una tercera corriente Ip en esta seccin nos permite obtener el control
de la separacin de modo de cavidad, independiente de los otros efectos que estn
presentes en el lser. Controlando cuidadosamente Ip a la lnea de un modo de la cavidad
para corresponder a la longitud de onda mxima de la rejilla de Bragg determinado por la
longitud de onda se puede ajustar de forma continua en el rango sintonizable.
De dos y de tres secciones DBR capaces de sintonizar ms de 32 canales en incrementos
de 50 GHz se demostr hace varios aos y estn a punto de disponibilidad comercial.
Lsers VGF
Figura 3.53: Un lser sintonizable de filtro acoplador de rejilla vertical.
La figura 3.53 muestra el esquema de un lser de VGF. Se compone de dos guas de

ondas, con una regin de acoplamiento entre ellos. Su funcionamiento es similar a la de
la filtro sintonizable acstico-ptica. Usando (3.17), la longitud de onda $\lambda$ est
acoplado de una gua de ondas de ndice de refraccin n1 a otra de ndice de refraccin
n2 si
donde B es el perodo de la rejilla de Bragg. El cambio del ndice de refraccin de una

regin, por ejemplo, n1 por n1, por lo tanto resulta en una longitud de onda de
sintonizacin donde
Esta es significativamente mayor que la relacin de n1 / n1 que es alcanzable en los

DBR de dos y tres secciones que hemos estudiado anteriormente. En la figura 3.53, la
corriente Ic controla el ndice n1, y la corriente Ig proporciona la corriente a la regin de
ganancia en la otra gua de ondas. Al igual que con la de dos y tres secciones DBR, a fin
de obtener sintonizacin continua, la separacin de modo de la cavidad necesita ser
controlada por una tercera corriente Ip. Los lsers con gamas de sintona sobre los 70 nm
se han demostrado usando este enfoque.
Un problema importante con este enfoque es que la longitud de la cavidad debe ser
bastante larga (tpicamente 800-1000 m) para obtener un buen acoplamiento entre las
guas de ondas. Esto hace que los modos de la cavidad esten espaciados muy
estrechamente. Por tanto, el lser tiende a subir bastante fcilmente de un modo de la
cavidad a otra, a pesar que todas las corrientes de control se mantuvieron estables. Esto
resulta efectivamente en una supresin de modo lado pobre, haciendo que al lser no
adecuado para la alta tasa de bits de transmisin de larga distancia.
Muestreados Rejas y super-estructura de rejilla DBR

Lsers
Un lser DBR de rejilla de muestreo se muestra en la figura 3.54. Tiene dos rejillas, una
en la parte delantera y uno atras. La rejilla de Bragg delante se interrumpe peridicamente
(o un muestreo) con un perodo de Ai. Esto se traduce en un conjunto peridico de picos
reflector de Bragg, separadas en longitud de onda por 2/2 eff1, como se muestra en la
figura 3.54, donde es la longitud de onda central nominal. Los picos se estrechan
gradualmente en la reflectividad, con la ms alta reflexin se produce en la longitud de
onda de Bragg 2neff, donde A es el perodo de la rejilla. La rejilla en la parte posterior
se muestrea con un perodo diferente A2, lo que resulta en otro conjunto de picos de
reflexin separados en una longitud de onda por 2 / 2neff2. Para que la accin del lser
ocurra, tenemos que tener una superposicin entre los dos picos de reflexin de las rejillas
de Bragg y un modo de la cavidad. A pesar de que el rango de sintonizacin de cada pico
de reflexin se limita a 10-15 nm, la combinacin de los dos conjuntos de picos de
reflexin resultan en una amplia gama de sintonizacin. Al igual que con la de dos y de
tres secciones de lsers DBR, una seccin de fase separada controla el espaciado modo
de la cavidad para asegurar la sintonizacin continua. Una complicacin adicional de este
enfoque es que debido a que los picos de reflexin disminuyen, la corriente en la regin
de ganancia debe aumentar para compensar la reflectividad ms pobre que el lser se
sintoniza de distancia desde el pico principal reflexin Bragg.
Otra forma de conseguir el mismo efecto es el uso de rejillas chirri peridicamente en
lugar de las rejillas que se muestran en la figura 3.54. Esta estructura se llama una superestructura de rejilla lser DBR. La ventaja de esta estructura es que las rejillas de variacin
de frecuencia proporcionan un conjunto altamente reflectante de los picos en un rango de
longitud de onda ms ancha que la estructura de rejilla de muestreo.
Figura 3.54: Un lser DBR de rejilla muestreado y su principio de la seleccin de

longitud de onda.
Lser Reflector de Rejas-Coupled muestreados

El lser GCSR es una combinacin de un VGF y una super-estructura de rejilla, como se
muestra en la figura 3.55. El VGF ofrece una amplia gama de sintonizacin, y la rejilla
SSG ofrece una alta selectividad para eliminar los modos secundarios. En cierto sentido,
el VGF ofrece sintonizacin gruesa para seleccionar una banda de longitud de onda con
mltiples modos de la cavidad en la banda, y la rejilla SSG ofrece la seleccin de longitud
de onda dentro de la banda. Al igual que en las de dos y tres seccin Lsers DBR, una
seccin de fase adicional proporciona el control fino sobre los modos de cavidad para
proporcionar sintonizacin continua dentro de la banda para suprimir los modos
secundarios.
Matrices de lser
Otra forma de obtener una fuente de lser sintonizable es usar una matriz de lsers de
longitud de onda diferenciadas y girar uno de ellos en cualquier momento. Los arreglos
tambin podran utilizarse para reemplazar las fuentes de luz individuales.
Figura 3.55: Un lser reflector muestreado de rejilla acoplada.
Un enfoque consiste en fabricar una matriz de lsers DFB, cada uno de ellos en una
longitud de onda diferente. Combinado con la sintonizacin de temperatura, se puede
utilizar este mtodo para obtener la sintonizacin bastante continua. Un problema
importante con este enfoque es en la exactitud de longitud de onda de los lsers
individuales en la matriz, lo que dificulta la obtencin de un peine de longitudes de onda
espaciados con precisin fuera de la matriz. Sin embargo, si slo un lser es para ser
utilizado en un momento dado, podemos utilizar la sintonizacin de temperatura para
compensar esta inexactitud. Los lsers que utilizan este enfoque se han demostrado y
utilizado
en
los
experimentos
del
sistema.
Otro enfoque es el uso de matrices de lser Fabry-Perot del tipo y el uso de un mecanismo
externo para la seleccin de la longitud de onda de emisin lser. Se han propuesto varias
estructuras, uno usando una gua de ondas externa rejilla y la otra usando una gua de
ondas dispuestos de rejilla externa. Con estas estructuras, la exactitud de longitud de onda
est determinada por la rejilla externa. Los resultados de larga longitud de la cavidad son
potencialmente un gran nmero de modos de cavidad dentro de la ventana de seleccin
de longitud de onda de la rejilla, lo que podra causar que el lser salte entre los modos
de la cavidad durante el funcionamiento.
Cuestionario (Lsers Ajustables)

1. Para qu redes son deseables los Lsers Ajustables?: Lseres Ajustables son
componentes altamente deseables para redes WDM.
2. Qu proporcionan los lsers ajustables?: Proporcionan la flexibilidad de elegir la
longitud de onda de transmisin en el origen de un camino de luz.
3. Diga dos aplicaciones de los lsers ajustables: Los Lseres Ajustables son un elemento
bsico en la mayora de los laboratorios de WDM. Lseres ajustables son usados en las
redes de conmutacin de paquetes pticos.
4. Enumere los mecanismos de ajust: La inyeccin de corriente en un lser
semiconductor. Temperatura de sintonizacin. La sintonizacin mecnica.
5. Qu provoca la inyeccin de corriente en un lser semiconductor?: Provoca un
cambio en el ndice de refraccin del material, que a su vez cambia la longitud de onda
de emisin lser. Este efecto es bastante pequeo.
6. Qu sucede cuando un lser funciona a temperaturas altas?: El funcionamiento del
lser a temperaturas significativamente ms altas que la temperatura ambiente hace
que envejece rpidamente, degradando su vida til.
7. Cuntas rejillas tiene un lser DBR?: Un lser DBR de rejilla de muestreo tiene dos
rejillas, una en la parte delantera y uno en la espalda.
8. Qu ofrece un lser VGF?: El VGF ofrece una amplia gama de sintonizacin.
9. Qu ofrece un lser SSG?: La rejilla SSG ofrece una alta selectividad para eliminar los
modos secundarios.
10. Explique una forma de cmo obtener una fuente de lser ajustables: Para obtener
una fuente de lser sintonizable es usar una matriz de Lseres de longitud de onda
diferenciadas y girar uno de ellos en cualquier momento.
Problemas propuestos (lasers ajustables)

Este problema muestrael efectoVernier, que se utilizapara obtenerun filtrocon una gran
periodicidad dadofiltrosindividualesconperiodicidadesms pequeos.Consideremos
dosfiltrosperidicos, uno conperiodo def1y el otro conperiodo def2, tantosupone queser
nmeros enteros.
En otraspalabras, elprimer filtro se selecciona la frecuenciaf=mf1,dondees un entero,y el
segundofiltroseleccionalongitudes de ondaf =mf1.Sise conectan en cascadalas
dosfiltros,demostrar que la funcinde filtradoresultantees peridica,conun perodo
determinadopor elmnimo comn mltiplo def1yf2.Por ejemplo,si los perodosde las
dosfiltrosson500GHz y600GHz,entonces la estructuraen cascadaserperidica conun
periodo de3000GHz.Supongamos ahora queel perodo de cadafiltropuede ser
sintonizadoen un 10%.Paralosnmeros antes mencionados,perododelprimerfiltropuede
ser sintonizadoa50025GHzy el segundofiltrode60030GHz.Tenga en cuenta quelosdos
peinesse superponena una frecuencia de193.000GHz.Para tener una ideadelrango de
sintonizacinde la estructuraen cascada,determinar la frecuenciams cercanaa
estafrecuencia inicialen la que losdos peinesse superponencuando los
perodosdelosfiltrosindividualesestn sintonizados
a(1)525GHzy630GHz,(2)475GHzy630GHz,(3)475GHz
y570GHz,y(4)525GHzy570GHz.Paratener una idea delo complejo que espara
sintonizaresta estructura,ademsde determinar losperodos decadafiltropara obteneruna
superposicinen193.100GHz.
Modulacin directa y externa[Editar]

Autor: Andrs Ordoez
La modulacin es un proceso de imposicin de datos sobre la luz y este tiene un
esquema de modulacin ms simple o ms utilizado que es el encendido y apagado, as
mismo este consiste en encender o apagar la fuente de luz en funcin del bit, si este es 1
o 0.
Este tipo de modulacin se denomina on-off keying (OOK) y se dan generalmente de
dos maneras: primero la de un lser semiconductor o LED y la segunda mediante el uso
de un modulador externo. Este esquema se muestra en la figura 3.56 en donde la
corriente del lser se ajusta por encima del umbral para un bit 1 y por debajo del umbral
para representar un 0. La relacin entre las potencias de salida para los bits 0 y 1 se
llama relacin de extincin.
FIgura 3.56. Modulacin directa de un laser semiconductor
Una de las principales ventajas de los lsers semiconductores es que pueden ser
modulados directamente. En contraste, existen otros tipos de lsers con fuentes de luz
de onda continua en los que no se puede realzar este tipo de modulacin. Estos lsers
requieren un modulador externo como lo son los lsers de erbio que no pueden ser
modulados directamente incluso a velocidades que no sobrepasan los pocos kilobits por
segundo.
Mientras que la desventaja de este es que en la modulacin directa los pulsos resultantes
sufrirn un chirp considerable. La cantidad del chip que se puede reducir mediante el
aumento de la potencia se da de tal manera que el bit cero siempre se mantenga por
encima del umbral, la desventaja es que esto reduce la tasa de extincin que a su vez
degrada el rendimiento del sistema. En la prctica se mantiene una relacin de extincin
de alrededor de 7dB, manteniendo un Chirp razonable para justificar el uso de
moduladores externos de alta velocidad en sistemas de comunicacin de dispersin
limitada.
Un modulador externo OOK se coloca delante de la fuente de luz y esta se activa o
desactiva segn los datos a transmitir. La fuente de luz opera de manera continua. Con
esto se logra minimizar los efectos indeseables (particularmente el chirp).
Los moduladores externos se vuelven esenciales en transmisores para sistemas de
comunicacin mediante solitones o modulacin con retorno a cero (RZ). Como se
observa en la figura 3.57 (a), para obtener un tren de pulsos con modulacin RZ,
podemos utilizar un lser que genere un tren de pulsos peridicos, tales como un lser
de modo bloqueado seguido de un modulador externo. El bloque modula los pulsos
correspondientes al bit 0 (que por lo general no se puede modular directamente con un
lser de pulsos peridicos). Mientras en la figura (b), los sistemas de RZ actuales
utilizan un lser DFB de onda continua seguido por un modulador externo de dos etapas
que se describen a continuacin.
La primera: crea un tren peridico de pulsos cortos (RZ)

La segunda: impone la modulacin mediante el bloqueo de los bits 0
Figura 3.57: Modulaciones externas para realizar un transmisor de sistemas RZ o

pulsos de soliton.
(a) Un lser que emite un tren de pulsos peridico en el cual el modulador externo se
utiliza para bloquear los bits 0 y dejar pasar los bits 1.
(b) Un enfoque ms comn es el uso de un lser de onda continua (CW) DFB seguido
de un modulador de dos etapas.
Dos tipos de moduladores externos son ampliamente utilizados hoy en da:
El primero es el modulador de niobato de litio: Hace uso del efecto electro ptico,
donde un voltaje aplicado induce un cambio en el ndice de refraccin del material. El
dispositivo se configura ya sea como un acoplador direccional o como un interfermetro
de Mach-Zehnder (MZI). En la figura 3.58 se muestra la configuracin direccional del
acoplador. La aplicacin de un voltaje a la zona de acoplamiento cambia su ndice de
refraccin que a su vez determina cuanta energa se acopla desde la gua de onda de
entrada 1 a la salida de la gua de onda 1 en la figura 3.58.
Figura 3.58 Un modulador externo de niobato litio utilizando una configuracin de

acoplador direccional.
En la figura 3.59 se muestra la configuracin MZI. En comparacin a un acoplador

direccional, la MZI ofrece una velocidad de modulacin ms alta para una tensin de
excitacin dada y proporciona una relacin de extincin superior. Por estas razones es la
configuracin ms popular. En un estado, las seales de los brazos de la figura estn en
fase e interfieren constructivamente y aparece esta interferencia en la salida. En el otro
estado aplicando un voltaje provoca un desplazamiento de fase en entre los dos brazos
de la MZI, lo que produce la interferencia destructiva y que no haya seal de salida.
Estos moduladores tienen muy buenas relaciones de extincin de entre 15 y 20dB y se
puede controlar el chirp de manera precisa.
Figura 3.59 Un modulador externo de niobato de litio utilizando una configuracin de

Mach-Zehnder (MZI). (a) la configuracin de dispositivos. (b) Cambio terico de la
respuesta como una funcin de la tensin aplicada, V. V indica la tensin necesaria
para lograr un cambio de fase de entre los dos brazos. Tenga en cuenta que la MZI
tiene una respuesta peridica.
El segundo es el Semiconductor de electro-absorcin (EA): es una alternativa
atractiva a la de los moduladores de niobato de litio, ya que puede ser fabricado usando
el mismo material con las mismas tcnicas utilizadas para la fabricacin de lsers
semiconductores. Esto puede permitir a un modulador EA ser integrado junto con un
lser DFB en el mismo paquete y resulta en una solucin muy compacta y de menor
costo, en comparacin con el uso de un modulador de niobato de litio.
En trminos mas simple, el modulador EA utiliza un material tal que en condiciones
normales, su banda prohibida es mas alta que la energa del fotn de la seal de luz
incidente. Esto hace que la seal de luz se propague. Al aplicar un campo elctrico al
modulador y reducir el tamao de la banda prohibida del material, causando la
incidencia de fotones para ser absorbidos por el mismo. Este efecto se denomina
"Franz-Keldysh effect" o "Stark effect". El tiempo de respuesta de este efecto antes
mencionado es lo suficientemente rpido como para permitirnos realizar moduladores
con 2.5 Gb/s y 10Gb/s.
Cuestionario (modulacin directa y externa)
1. Qu es un chirp?: Es un fenmeno en el que la frecuencia de la portadora del pulso
transmitido varia con el tiempo y provoca una ampliacin del espectro de transmisin
2. Qu es el efecto "Franz-Keldysh effect" o "Stark effect"?: Es cuando se aplica un

campo elctrico al modulador y este reduce el tamao de la banda prohibida del
material, causando la incidencia de fotones para ser absorbidos por el mismo.
3. Hasta qu velocidad nos permite realizar moduladores el efecto "Franz-Keldysh
effect" o "Stark effect"?: 2.5 Gb/s y 10Gb/s.
4. Cul es una Ventaja de los lsers semiconductores?: Es que pueden ser modulados
directamente
5. Si se logra mantener una fuente de luz que opere de manera continua, Qu
producira?: Logra minimizar los efectos indeseables, particularmente el Chirp.
6. Cules son las dos etapas para un modulador externo en los sistemas RZ que
utilizan un lser DFB de onda continua?: La primera: crea un tren peridico de pulsos
cortos (RZ). La segunda: impone la modulacin mediante el bloqueo de los bits 0.
7. Cmo normalmente se configura un modulador de niobato de litio?: Se configura ya
sea como un acoplador direccional o como un interfermetro de Mach-Zehnder (MZI)
8. En qu rango se encuentra la relacin de extincin para la configuracin MZI?: 15 y
20dB
9. Qu que debe considerar para reducir el Chirp con respecto a la potencia?: Para
realizar esto se debe considerar que el bit cero siempre se mantenga por encima del
umbral
10. En condiciones normales de un modulador EA, Qu produce?: En estas condiciones
la banda prohibida es mas alta que la energa del fotn de la seal de luz incidente
Fuentes de bombeo para amplificadores Raman[Editar]

Autor: Wilmer Pacheco
El efecto Raman slo se ve con muy altas potencias en la fibra, se requieren potencias de
bombeo del orden de varios vatios para proporcionar una amplificacin efectiva. Un
mtodo consiste en combinar un nmero de lsers semiconductores de bombeo de alta
potencia. La potencia que se puede extraer a partir de un solo diodo semiconductor lser
de bombeo est limitada a unos pocos cientos de mili vatios. Mltiples semiconductores
lsers de bombeo se pueden mezclar usando una combinacin de longitud de onda y/o
multiplexado de polarizacin para obtener una bomba compuesta de alta potencia. Un
desafo consiste en hacer realidad el lser a la longitud de onda de la bomba deseada.
A partir de un lser de bombeo de alta potencia en una longitud de onda
convenientemente disponible, podemos generar fuentes de bombeo a ms longitudes de
onda utilizando el efecto Raman sobre la misma fibra colocando en cascada varios
resonadores. Los resonadores individuales se pueden realizar fcilmente con rejillas de
fibra de Bragg u otras estructuras de filtro.
Un resonador Fabry-Perot se obtiene en la fibra utilizando un par de emparejamientos en
las rejilla de fibra de Bragg que sirven como espejos de onda selectiva. El resonador ms
interno convierte la seal inicial de la bomba en otra seal de bomba en 1.155 nm y ste
pasa a travs de seales en otras longitudes de onda.
El siguiente resonador (figura 3.60) convierte la bomba de 1.155 nm en una bomba de

1.218 nm. En principio, podemos obtener cualquier longitud de onda de la bomba deseada
con un nmero de resonadores en serie.
La figura 3.60 muestra una serie de resonadores en cascada para obtener una salida de la
bomba 1.455 nm. La rejilla de fibra de Bragg al final est diseado para tener menor
reflectividad, permitiendo que la seal de la bomba de 1.455 nm pueda emitirse. Esta
seal de la bomba puede entonces ser usado para proporcionar una ganancia Raman
alrededor de 1.550 nm. Debido a la baja la prdida de fibra y alto reflectividad de las
rejillas de Bragg, el 80% de la luz de entrada se convierte en la salida.
Figura 3.60: Segunda etapa de un amplificador de fibra dopado de erbio con un

elemento de prdida insertado entre la primera y segunda etapa.
Cuestionario (Fuentes de bombeo)

1. Mencione que configuracin se utiliza para elevar la potencia de bombeo: se utiliza
una configuracin en cascada para obtener un nivel de potencia elevado.
2. Describa el funcionamiento del resonador de Fabry-Perot: El primer resonador
convierte la seal inicial de la bomba en otra seal de bomba en 1155 nm. Pasa a travs
de seales en otras longitudes de onda. El segundo resonador convierte la fuente de
bombeo de 1.155 nm en una fuente de bombeo de 1.218 nm.
3. Qu porcentaje de Luz de entrada se convierte en salida utilizando las rejillas de
Bragg?: La luz de entrada se convierte en un 80% de la luz de salida.
Detectores
Tabla de contenidos
1. Fotodetectores[Editar]
1.1. Foto-diodos pin
1.2. Fotodiodos de Avalancha
1.3. Cuestionario (Fotodetectores)
1.4. Problemas propuestos
2. Amplificadores Front-End[Editar]
2.1. Cuestionario (Amplificadores Front-End)
Un receptor convierte una seal ptica en una seal elctrica que se pueda usar. La
figura 3.61 muestra los diferentes componentes dentro de un receptor. El fotodetector
genera una corriente elctrica proporcional a la potencia ptica incidente. El
amplificador front-end incrementa la potencia de la seal elctrica generada a un nivel
que se pueda usar. En los sistemas de comunicaciones digitales, el amplificador frontend es seguido de un circuito de decisin que estima los datos desde la salida del
amplificador front-end. El diseo del circuito de decisin depende del esquema de
modulacin usado para transmitir los datos. Un amplificador ptico puede ser
opcionalmente puesto antes del fotodetector para actuar como un preamplificador.
Figura 3.61: Diagrama de bloques de un receptor de un sistema de comunicacin

digital.
Fotodetectores[Editar]
Autor: Alvaro Pesantez
El principio de foto deteccin est ilustrado en la figura 3.62. Los fotones que inciden
en un semiconductor son absorbidos por los electrones en la banda de valencia,
adquiriendo de esta manera altas energas logrando ser excitados en la banda de
conduccin, dejando un hueco en la banda de valencia. Si aplicamos una tensin externa
al semiconductor, el par electrn-hueco da lugar a la fotocorriente.
La mecnica cuntica establece que cada electrn puede absorber solo un fotn para
transitar entre niveles de energa, por lo tanto para generar la fotocorriente la energa del
fotn incidente debe ser al menos igual a la energa de la banda prohibida. Esto nos da
la siguiente limitacin en frecuencia fc y longitud de onda en la que un material
semiconductor con banda prohibida Eg puede ser usado como fotodetector.
Ecuacin 19 (E3-19)
El valor mximo de para el cual se satisface la ecuacin 19 se le llama longitud de
onda de corte cutoff.
Figura 3.62: Principio bsico de fotodeteccin usando un semiconductor. Los fotones

incidentes son absorbidos por los electrones en la banda de valencia, creando un par de
electrn-hueco libres o mviles. Este par da lugar a una fotocorriente cuando se aplica
un voltaje externo.
Por estudios se puede notar que materiales como el silicio y el arseniuro de galio no
pueden ser usados como fotodetectores en las bandas de 1.3 y 1.5 m. Sin embargo el
germanio si puede ser usado en las dos bandas, pero posee muchas desventajas que le
restan efectividad por lo cual se han ideado nuevos compuestos como el arseniuro de
galio indio, arseniuro fosfrico de galio indio, estos son ampliamente usados en estas
bandas. En la banda de 0.8um se usa el silicio ampliamente.
Tabla 3.2: Energasde banda prohibiday longitudes de ondade corte paraun nmero
demateriales semiconductores. In1-xGaxAs es un
compuestoternariosemiconductordondeuna fraccin 1-x de los tomos de Ga en GaAs
son reemplazados por tomos de In. In1-xGaxAsPy-1 es un
materialsemiconductorcuaternario en el que, enuna fraccin 1-y de los tomos de As
son reemplazados por tomos de P.
La fraccin de energa de la seal ptica que es absorbida y genera la fotocorriente se la

llama la eficiencia del fotodetector. Para transmisiones a altas tasas de bit y largas
distancias la energa ptica es escasa, por lo cual los fotodetectores se deben disear con
una eficiencia aproximada a 1, para esto se usa una placa de espesor suficiente de modo
que se cumpla la siguiente ecuacin:
Donde Pin es la potencia de la seal incidente y es el coeficiente de absorcin del

material, teniendo entonces:
El coeficiente de absorcin depende de la longitud de onda por lo que es cero para

longitudes de onda >cutoff . As, un semiconductor es transparente a longitudes de onda
mayores que su longitud de onda de corte.
Los valores tpicos de estn en el orden de los 104 /cm de modo que se pueda lograr
una eficiencia de >0.99, as una placa con un espesor en el orden de los 10um es
requerida. El rea del fotodetector se elige generalmente para ser lo suficientemente
grande como para que toda la potencia ptica incidente puede ser capturada por el
mismo. Los fotodetectores tienen un ancho de banda de funcionamiento muy amplio de
modo que un fotodetector en una determinada longitud de onda puede servir como
fotodetector en todas las longitudes de onda ms pequeas. As, un fotodetector
diseado para la banda de 1,55 um tambin puede ser utilizado en la banda de 1,3 um.
Los fotodetectores son comnmente caracterizados por su capacidad de respuesta R. Si

un fotodetector produce una corriente media de Ip amperios cuando la potencia ptica
incidente es Pin vatios, la capacidad de respuesta R ser:
Puesto que la potencia ptica incidente corresponde a una incidencia de $P_in / HFC$
fotones / s en promedio, y una fraccin de estos fotones incidentes son absorbidos
entonces generan un electrn en el circuito externo, podemos escribir:
La capacidad de respuesta es generalmente expresada en trminos de :
donde en la ltima expresin se expresa en um. Podemos hacer que sea lo bastante
cercano de 1 en la prctica, la capacidad de respuesta es obtenida en el orden de 1 A / W
en la banda de 1,3 um y 1,2 A / W en la banda de 1,55 um.
En la prctica, el uso de una placa de semiconductor como un fotodetector hace que no
haya una alta eficiencia. Esto se debe a que muchos de los electrones generados en la
banda de conduccin se recombinan con los agujeros de la banda de valencia antes de
que alcancen el circuito externo. Por lo tanto es necesario barrer los electrones
generados en la banda de conduccin rpidamente fuera del semiconductor. Esto se
puede hacer mediante la imposicin de un campo elctrico de intensidad suficiente en la
regin donde se generan los electrones. Esto se consigue mejor mediante el uso de un
semiconductor de unin pn en lugar de una placa homognea y aplicando un voltaje de
polarizacin inversa (sesgo positivo a la de tipo n y el sesgo negativo a la de tipo p) a la
misma, como se muestra en la figura 3.63. Este tipo de fotodetectores se llaman
fotodiodos.
Los pares electrn-hueco que se generan lejos de la regin de agotamiento viajan
principalmente bajo el efecto de la difusin y puede recombinarse sin dar lugar a una
corriente en el circuito externo. Esto reduce la eficiencia del fotodetector, ya que la
difusin es un proceso mucho ms lento que la deriva, la difusin de corriente que se
genera por estos pares electrn-hueco no respondern rpidamente a cambios en la
intensidad de la seal ptica incidente, reduciendo as la frecuencia de respuesta del
fotodiodo.
Foto-diodos pin
Para mejorar la eficiencia del fotodetector, un semiconductor intrnseco muy
ligeramente dopado se introduce entre los semiconductores de tipo p y tipo n. Tales
fotodiodos son llamados fotodiodos pin, donde la i de pin se refiera a intrnseco. En
estos fotodiodos, la regin de agotamiento se extiende completamente a travs de este
semiconductor intrnseco (o regin). La anchura de los semiconductores de tipo p y de

tipo n es pequea en comparacin con la regin intrnseca, de modo que gran parte de la
absorcin de la luz tiene lugar en esta regin. Esto aumenta la eficiencia y por lo tanto
de la capacidad de respuesta del fotodiodo.
Un mtodo ms eficiente de aumentar la capacidad de respuesta es el uso de un material
semiconductor con las regiones de tipo p y de tipo n que sean transparentes a la longitud
de onda de inters.
Figura 3.63:Unin pnpolarizada inversamenteutilizada comofotodetector a) Fotodiodo

de unin pn b)Regin de agotamientosintensin de polarizacin aplicada c)Regin de
agotamiento con una tensin de polarizacin inversa d) Campo elctricoenpolarizacin
inversa.
As, la longitud de onda de inters es ms grande que la longitud de onda de corte de

este semiconductor, y no se presenta absorcin de la luz en estas regiones. Esto se
ilustra en la figura 3.64, donde el material InP se usa para las regiones de tipo p y tipo
n, e InGaAs se usa para la regin intrnseca. Una estructura de fotodiodo pin es
denominada como doble hetero-unin o una hetero-estructura que consiste en dos
uniones con dos materiales semiconductores completamente diferentes.
Figura 3.64: Un fotodiodopin en base aunahetero-estructura. La regin de tipo p y n

estn construidas de InP, la cual es transparente en las bandas de 1.3 y 1.55 um. La
regin intrnseca est construida de InGaAs, la cual es fuertemente absorbente en estas
dos bandas.
Fotodiodos de Avalancha
La capacidad de respuesta de los fotodetectores que hemos descrito hasta ahora se ha
limitado por el hecho de que un fotn puede generar un solo electrn cuando es
absorbido. Sin embargo, si el electrn generado se somete a un campo elctrico muy
alto, puede adquirir la suficiente energa para desprender ms electrones desde la banda
de valencia a la banda de conduccin. Estos pares electrn-hueco secundarios pueden
generar an ms pares electrn-hueco cuando son acelerados a niveles suficientes. Este
proceso se llama multiplicacin de avalancha. Un fotodiodo de ste tipo se
llama fotodiodo de avalancha, o simplemente un APD.
El nmero de pares electrn-hueco secundarios generados por el proceso de
multiplicacin de avalancha por un nico electrn (primario) es aleatorio, y el valor
medio de este nmero se denomina ganancia multiplicativa y se denota por Gm. La
ganancia multiplicativa de un APD se puede hacer bastante grande e incluso infinita en
una condicin llamada ruptura por avalancha. Sin embargo, un valor grande de Gm
tambin est acompaado por una variacin ms grande en la fotocorriente, lo que
afecta negativamente al rendimiento de ruido de la APD. Por lo tanto existe un
compromiso entre la ganancia y el factor multiplicativo. Los APDs generalmente estn
diseados para tener un valor moderado de Gm que optimiza su rendimiento.
Cuestionario (Fotodetectores)
1. Qu pasa cuando un fotn incide en un semiconductor?: Los fotones son absorbidos
por los electrones en la banda de valencia, adquiriendo de esta manera altas energas
logrando ser excitados en la banda de conduccin, dejando un hueco en la banda de
valencia
2. Cmo se genera la fotocorriente?: Si aplicamos una tensin externa al
semiconductor, el par electrn-hueco da lugar a la fotocorriente.
3. Para el trnsito entre niveles de energa Cuntos fotones puede absorber un
electrn?: En el trnsito entre niveles de energa un electrn puede absorber solo un
fotn
4. Qu es la eficiencia del fotodector?: La fraccin de energa de la seal ptica que es
absorbida y genera la fotocorriente se le llama la eficiencia del fotodetector.
5. De qu depende principalmente el coeficiente de absorcin en los fotodetectores?: El

coeficiente de absorcin depende de la longitud de onda por lo que es cero para
longitudes de onda >cutoff.
6. Como mejoramos la eficiencia en los semiconductores de un fotodetector?: es
necesario barrer los electrones generados en la banda de conduccin rpidamente
fuera del semiconductor. Esto se puede hacer mediante la imposicin de un campo
elctrico de intensidad suficiente en la regin donde se generan los electrones.
7. Qu son los fotodiodos pin?: Son fotodetectores en los cuales un semiconductor
intrnseco muy ligeramente dopado se introduce entre los semiconductores de tipo p y
tipo n.
8. Qu es un APD?: Es un fotodiodo de Avalancha
9. Qu es la ganancia multiplicativa en los fotodiodos de Avalancha?: el nmero de
pares electrn-hueco secundarios generados por el proceso de multiplicacin de
avalancha por un nico electrn (primario) es aleatorio, y el valor medio de este
nmero se denomina ganancia multiplicativa.
10. Cual es la desventaja de hacer muy grande la ganancia multiplicativa?: un valor
grande de Gm tambin est acompaado por una variacin ms grande en la
fotocorriente, lo que afecta negativamente al rendimiento de ruido de la AP
En un fotodetector, Por qu los electrones de la banda de conduccin no absorben los
fotones incidentes?
Amplificadores Front-End[Editar]
Autor: Jos Placencia
En los sistemas de comunicaciones pticas se utilizan dos tipos de amplificadores frontend:
El Front-End de alta impedancia.

El Front-End de transimpedancia.
Figura 3.65 (a) Circuito equivalente para un amplificador de alta impedancia (b)
Circuito equivalente para un amplificador de transimpedancia.
La capacitancia C de los circuitos equivalentes incluyen la capacitancia debido al
fotodiodo, la capacitancia de entrada del amplificador, y otras capacitancias parsitas.
El tema principal del diseo es la opcin de la resistencia de carga RL. Sin embargo, el
ancho de banda del fotodiodo, que establece el lmite superior en la velocidad de bits
utilizable, es inversamente proporcional a la resistencia de carga de salida visto por el
fotodiodo,
Primero considere el Front-End de alta impedancia. En este caso, Rp = RL, y se debe

elegir RL lo suficientemente pequeo como para acomodar la velocidad de bits del
sistema.
Ahora considere el Front-End de transimpedancia para el que Rp = RL / (A + 1), donde A
es la ganancia del amplificador. El ancho de banda se incrementa por un factor de A + 1
para la misma resistencia de carga.
Hay otra consideracin en la eleccin de un amplificador de front-end, Rango dinmico:
Es la diferencia entre los niveles de seal ms grandes y ms pequeos que el

amplificador front-end puede manejar.
En el caso de redes, en las que el nivel de seal recibida puede variar en unos pocos
rdenes de magnitud, dependiendo de la ubicacin de la fuente en la red.
El amplificador de transimpedancia tiene un rango dinmico significativamente mayor
que el de alta impedancia, y este es otro factor a favor de la eleccin del amplificador
de transimpedancia.
Podemos entender esto de mejor manera si hacemos referencia a la figura 3.65

(b).
o Un cambio Ip en la fotocorriente provoca un cambio en el voltaje IpRL
a travs de la resistencia RL (haciendo caso omiso de la corriente a travs
de la capacitancia C). Esto resulta en un cambio de voltaje a travs de las
entradas del amplificador de solamente Ip RL/ (A + 1). As, si la
ganancia, A, es grande, este cambio de voltaje es pequeo.
o En el caso del amplificador de alta impedancia, sin embargo, el cambio de
voltaje a travs de las entradas del amplificador sera IpRL (de nuevo
haciendo caso omiso de la corriente a travs de la capacitancia C).
Un transistor de efecto de campo (FET) tiene una impedancia de entrada muy alta y por
esta razn se utiliza a menudo como amplificador Front-End.
Cuestionario (Amplificadores Front-End)

1. Ponga los dos tipos de amplificadores front-end que se utilizan en sistemas de
comunicaciones pticas: (a) El front-end de alta impedancia. (b) El front-end de
transimpedancia.
2. Cul es el tema principal en el diseo de amplificadores front-end?: es la opcin de
la resistencia de carga RL.
3. Escriba las dos consideraciones para el valor de RL: (a) el front-end de alta impedancia
se hace Rp = RL, (b) el front-end de transimpedancia se hace Rp = RL / (A + 1), donde A
es la ganancia del amplificador.
4. A qu hace referencia el Rango Dinmico?: sta es la diferencia entre los niveles de
seal ms grandes y ms pequeos que el amplificador front-end puede manejar.
5. Cmo se comporta el rango dinmico en los amplificadores front-end?: el
amplificador de transimpedancia tiene un rango dinmico significativamente mayor
que el de alta impedancia, y este es otro factor a favor de la eleccin de la amplificador
de transimpedancia.
6. Por qu se utilizan FET en los amplificadores front-End?: un transistor de efecto de
campo (FET) tiene una impedancia de entrada muy alta y por esta razn se utiliza a
menudo como el amplificador en el extremo frontal.
Conmutadores
Tabla de contenidos
1. Grandes conmutadores pticos[Editar]
1.1. Clos
1.2. Spanke
1.3. Benes
1.4. Spanke-Benes
1.5. Cuestionario (Grandes conmutadores pticos)
1.6. Problemas propuestos (GCO)
2. Tecnologas de conmutacin ptica[Editar]
2.1. Interruptores Mecnicos Bulk
2.2. Interruptores de Sistema Micro-Electro-Mecnicos (MEMS)
2.2.1. Espejos 2D
2.2.2. Espejos 3D
2.2.3. Micromecanizado de superficie
2.2.4. Micromecanizado a granel (bulk).
2.3. Interruptores de Cristal Lquido
2.4. Interruptores Electro-pticos
2.5. Interruptores Termo-pticos
2.6. Interruptores Amplificador ptico semiconductor (SOA)
2.7. Cuestionario (Tecnologas de conmutacin ptica)
Grandes conmutadores pticos[Editar]

Autor: Diego Quizhpe
Dado que una sola oficina central se encarga de mltiples fibras, con cada fibra
transportando de varias decenas a cientos de longitudes de onda, es fcil imaginar la
necesidad de conmutadores de gran escala para disponer y proteger a estas longitudes de
onda.
Las principales consideraciones en la construccin de grandes conmutadores son los
siguientes:
Nmero de elementos de conmutacin requeridos: Grandes conmutadores son
hechos para usar mltiples elementos de conmutacin. El costo y la complejidad del
conmutador, en cierta medida dependen del nmero de elementos de conmutacin
requeridos, el empaquetado, el empalme, y la facilidad de fabricacin y control.
Uniformidad de prdida: Una medida de la uniformidad de prdida se puede obtener
teniendo en cuenta el nmero mnimo y mximo de elementos de conmutacin en el
camino ptico, para diferentes combinaciones de entrada y salida.
Nmero de cruzamientos: A diferencia de los circuitos electrnicos integrados donde
las conexiones entre los distintos componentes se pueden hacer en varias capas, en
ptica integrada, todas estas conexiones se deben hacer en una sola capa por medio de
guas de onda. Si los caminos de dos guas de ondas se cruzan, se producen dos efectos
indeseables: la prdida de potencia y la diafona.
Caractersticas de bloqueo: Los conmutadores son de dos tipos: de bloqueo o sin
bloqueo. Un conmutador se dice que es sin bloqueo si un puerto de entrada no utilizado
puede ser conectado a cualquier puerto de salida sin utilizar. Si algn patrn de
interconexin no puede realizarse, se dice que el conmutador es de bloqueo. La mayora
de las aplicaciones requieren conmutadores sin bloqueo.
Los conmutadores sin bloqueo wide-sense hacen uso de algoritmos de enrutamiento
especficos para las conexiones de ruta de modo que no se bloquearn las conexiones
futuras. Un conmutador sin bloqueo strict-sense permite que cualquier entrada no
utilizada sea conectada a cualquier salida no utilizada independientemente de cmo se
hicieron las conexiones anteriores. Un conmutador sin bloqueo que podra requerir el
redireccionamiento de conexiones para lograr la propiedad sin bloqueo se dice que es
rearrangeably sin bloqueo. La ventaja de las arquitecturas de conmutadores
rearrangeably sin bloqueo es que utilizan menos conmutadores pequeos para construir
un conmutador ms grande, en comparacin con las arquitecturas de conmutador widesense sin bloqueo. El principal inconveniente de conmutadores rearrangeably sin
bloqueo es que muchas aplicaciones no permitirn que las conexiones existentes sean
interrumpidas, para dar cabida a una nueva conexin. La Tabla 3.4 compara las
caractersticas de estas arquitecturas.
Tabla 3.4: Comparacin de diferentes arquitecturas de conmutadores.
Crossbar (Barra Cruzada)

Un conmutador crossbar 44 se muestra en la figura 3.66. Este conmutador utiliza
16 conmutadores de 22.
Figura 3.66: Un conmutador crossbar 4x4 usando 16 conmutadores de 2x2.

La arquitectura es de barra cruzada sin bloqueo wide-sense. Para conectar la entrada i a
la salida j, el camino recorrido atraviesa los conmutadores 2x2 en la fila i hasta que
alcanza la columna j y luego atraviesa los conmutadores en la columna j hasta que llega
a la salida j.
En general, un crossbar de nn requiere n2 conmutadores de 22. La longitud del
camino ms corto es 1 y la longitud del camino ms largo es de 2n-1, y este es uno de
los principales inconvenientes de la arquitectura en crossbar. El interruptor se puede
fabricar sin ningn tipo de cruzamientos.
Clos
La arquitectura de Clos proporciona un conmutador strict-sense sin bloqueo. Un
conmutador de nxn es construido como sigue: se usan tres parmetros, m, k, y p. Donde
n=mk. La primera y la tercera etapa consiste de k(m x p) conmutadores. Cada uno de
los k conmutadores en la primera etapa est conectado a todos los conmutadores en la
etapa media. (cada conmutador es la primera etapa tiene p salidas. Cada salida est
conectada a la entrada de un conmutador diferente en la etapa media). Del mismo modo,
cada uno de los k conmutadores en la tercera etapa est conectado a todos los
conmutadores en la etapa media.
Figura 3.67: Un conmutador strict-sense sin bloque de de 1024 puertos de 3 estados.

Tiene varias ventajas que lo hacen adecuado para su uso en la conmutacin de varias
etapas. La uniformidad de prdidas entre diferentes combinaciones de entrada-salida es
mejor que un crossbar, y el nmero de elementos de conmutacin requeridos es
significativamente ms pequeo que un crossbar.
Spanke
Un conmutador de nn se realiza mediante la combinacin de n conmutadores de 1n
junto con n conmutadores de n1, como se muestra en la figura 3.68. La arquitectura es
strict-sense sin bloqueo.
Figura 3.68: Un conmutador nxn strict-sense sin bloqueo en la arquitectura Spanke.

En muchos casos, un conmutador ptico 1n puede ser construido utilizando un nico
elemento de conmutacin. Por lo tanto, solo 2n elementos de conmutacin son
necesarios para construir un conmutador de nxn. Este enfoque proporciona una prdida
de insercin mucho menor que los diseos en varias etapas. La prdida es la misma
independientemente de la combinacin de entrada y salida especficas.
Benes
Su arquitectura es un conmutador sin bloqueo rearrangeably. En la figura 3.69 se
muestra un conmutador sin bloqueo rearrangeably de 8x8 usando solo 20 conmutadores
de 2x2. En comparacin de un conmutador crossbar que requiere 64 conmutadores de
2x2. La prdida es la misma a travs de toda la trayectoria en el conmutador.
Figura 3.69: Un conmutador sin bloqueo rearrangeably de 8x8 en arquitectura de

Benes.
Sus dos inconvenientes principales son que no es sin bloqueo wide-sense y que se
requiere un nmero de crossovers de gua de onda, por lo que es difcil de fabricar en
pticas integradas.
Spanke-Benes
Es llamado arquitectura planar de n etapas ya que requiere n etapas (columnas) para
realizar un conmutador de nn. Se requiere n(n-1)/2 conmutadores, la longitud del
camino ms corto es n/2, y la longitud del camino ms largo es n. No hay crossovers.
Sus principales desventajas son que no es sin bloqueo wide-sense y la prdida no es
uniforme.
Figura 3.70: Un conmutador de 8x8 sin bloqueo rearrangeably sin crossovers de gua
de onda en arquitectura planar de n estados.
Cuestionario (Grandes conmutadores pticos)

1. De qu depende el costo y la complejidad del conmutador?: Depende del nmero
de elementos de conmutacin requeridos, el empaquetado, el empalme, y la facilidad
de fabricacin y control.
2. Qu sucede si los caminos de dos guas de ondas se cruzan?: Se producen dos
efectos indeseables: la prdida de potencia y la diafona.
3. Cules son los tipos de conmutadores?: Los conmutadores son de dos tipos: de
bloqueo y sin bloqueo.
4. Cundo se dice que un conmutador es sin bloqueo?: Un conmutador se dice que es
sin bloqueo si un puerto de entrada no utilizado puede ser conectado a cualquier
puerto de salida sin utilizar.
5. Qu usan los conmutadores sin bloqueo wide-sense para conexiones de ruta?:
Conmutadores sin bloqueo wide-sense hacen uso de algoritmos de enrutamiento
especficos para las conexiones de ruta de modo que no se bloquearn las conexiones
futuras.
6. Cul es el principal inconveniente de los conmutadores rearrangeably sin bloqueo?:
Muchas aplicaciones no permitirn conexiones existentes a ser interrumpidos, para
dar cabida a una nueva conexin.
7. Cul es la ventaja de las arquitecturas de conmutadores rearrangeably en
comparacin con las arquitecturas de conmutador wide-sense sin bloqueo?: La
ventaja de las arquitecturas de conmutadores rearrangeably sin bloqueo es que
utilizan menos conmutadores pequeos para construir un conmutador ms grande.
8. Cmo es la arquitectura de un conmutador Clos?: Su arquitectura es un conmutador
sctict-sense sin bloqueo.
9. Cmo es la arquitectura de un conmutador Benes?: Su arquitectura es un
conmutador sin bloqueo rearrangeably.
10. Cules son las principales desventajas de un Spanke-Benes?: Sus principales
desventajas son que no es sin bloqueo wide-sense y la prdida no es uniforme.
Problemas propuestos (GCO)

Problem 3.29
Tecnologas de conmutacin ptica[Editar]

Autor: Christian Sanchez
Entre las tecnologas de conmutacin ptica tenemos diferentes tipos de interruptores o
conmutadores, entre los ms comunes tenemos:
Interruptores Mecnicos (Bulk)

Interruptores Micro-Electro-Mecnicos (MEMS)
Interruptores Termo-pticos
Interruptores de Cristal Lquido
Interruptores de Polmero
Interruptores Electro-pticos
A continuacin se observa una tabla comparativa entre los tipos de conmutadores

mencionados anteriormente:
Tabla 3-5. Comparacin entre tecnologas de conmutacin
Interruptores Mecnicos Bulk
Uno de estos conmutadores utiliza una disposicin de espejos que controla la

conmutacin por el movimiento del espejo.
Otro tipo de interruptor mecnico utiliza un acoplador direccional. Al cambiar la
relacin de acoplamiento mediante doblamiento o estiramiento de la fibra se cambia
la luz desde un puerto de entrada entre los diferentes puertos de salida.
Tienen bajas prdidas de insercin, bajas prdidas dependientes de la polarizacin
(PDL), y baja diafona.
Son dispositivos relativamente baratos.
La velocidad de conmutacin est en el orden de unos pocos milisegundos.
Nmero de puertos pequeo por lo que son usados en pequeas conexiones cruzadas
de longitud de onda (wavelength crossconnect) para proteccin de conmutacin.
Por ser componentes mecnicos sufren desgaste y tienen menor vida til.
Interruptores de Sistema Micro-Electro-Mecnicos

(MEMS)
Son espejos mviles en miniatura fabricados en silicio.

Tienen dimensiones que van desde cientos de micrmetros a unos pocos milmetros.
Los espejos se pueden fabricar y empaquetar como matrices, debido a su tamao.
Los espejos son trasladados de una posicin a otra mediante mtodos
electromagnticos, electrostticos, o piezoelctricos.
La desviacin electrosttica es eficiente en cuanto a la energa, pero es difcil de
controlar en un amplio rango de deflexin.
Espejos 2D
Es la estructura ms simple de espejos

En un estado, el espejo es plano en donde el haz de luz no se desva.
En el otro estado, el espejo se eleva a una posicin vertical, y el haz de luz, es
desviado.
Son fciles de controlar mediante procesos digitales debido a que solo hay dos estados
Espejos 3D
El espejo est conectado a un marco interior, y este a su vez a un marco exterior.

Las uniones permiten que el espejo pueda girar libremente en dos ejes distintos.
El espejo puede ser controlado para realizar una combinacin de deflexiones
angulares.
El control se realiza con mecanismos de control que utilizan servos para ubicar al
espejo en la posicin correcta.
Estos interruptores son compactos
Tienen muy buenas propiedades pticas (baja prdida, buena uniformidad de la
prdida, de dispersin despreciable).
Bajo consumo de energa.
Figura 3-72: Estructura de un Espejo 3D

Adems se pueden realizar combinaciones de interruptores en matriz como se ve en la
figura 3.73:
Figura 3-73: Conmutador nxn usando dos arreglos MEMS
No presenta diafona adicional porque se establece una conexin slo cuando los dos
espejos se sealan el uno al otro
Adems mltiples conexiones se cruzan entre s en el interior del interruptor pero no
interfieren.
Hay dos tipos de tcnicas de fabricacin utilizados para hacer las estructuras MEMS:
Micromecanizado de superficie
Mltiples capas se depositan en la parte superior de un sustrato de silicio.

Estas capas estn separadas una cierta distancia
Las piezas se dejan ancladas al sustrato para producir diversas estructuras.
Micromecanizado a granel (bulk).
Las estructuras MEMS se hacen a mano

El tipo de micromecanizado y el sustrato de silicio influyen en las propiedades de la
estructura.
Entre las diversas tecnologas, la tecnologa de espejo 3D MEMS ofrece el mejor

potencial para la construccin a gran escala de conmutadores pticos, por ejemplo, 2561000 puertos
Interruptores de Cristal Lquido
Utilizan los efectos de polarizacin para realizar la funcin de conmutacin.

Aplican un voltaje a una celda de cristal lquido, con lo cual la polarizacin de la luz que
pasa a travs de la clula pueda ser rotada o no.
Se puede combinar con divisores de haz de polarizacin pasivas y combinadores

para producir un interruptor independiente de la polarizacin.
El principio del funcionamiento es similar a los MEMS
El divisor de haz de polarizacin pasiva, el combinador, y el interruptor activo pueden
ser realizados utilizando una matriz de clulas de cristal lquido.
La rotacin de la polarizacin en la celda de cristal lquido puede ser controlado
analgicamente mediante el control de la tensin.
Esta tecnologa puede ser utilizada para realizar un atenuador ptico variable (VOA),
para controlar la potencia de salida que est acoplada
El tiempo de conmutacin est en el orden de unos pocos milisegundos.
Es un dispositivo de estado slido.
Puede ser fabricado en volumen y a bajo costo.
Interruptores Electro-pticos
Un interruptor de 2 2 electro-ptico puede realizarse utilizando una configuracin de

modulador externo.
Un material comnmente usado es niobato de litio (LiNbO3).
La relacin de acoplamiento vara cambiando la tensin y por lo tanto el ndice de
refraccin del material en la regin de acoplamiento.
Es capaz de cambiar su estado muy rpido, en menos de 1 ns. determinado por la
capacitancia de la configuracin del electrodo.
Permiten niveles de integracin, en comparacin con los interruptores mecnicos.
Conmutadores ms grandes se pueden realizar mediante la integracin de varios
interruptores 2 2 en un nico sustrato.
Prdida relativamente alta y PDL.
Son ms caros que los interruptores mecnicos.
Interruptores Termo-pticos
Son esencialmente interruptores de 2 2 integrando interfermetros construido en

guas de ondas cuyo ndice de refraccin es funcin de la temperatura.
Estos dispositivos se han realizado en slice as como en sustratos de polmero.
Tienen relativamente baja diafona.
El efecto es bastante lento, y velocidades de conmutacin en el orden de unos pocos
milisegundos.
Interruptores Amplificador ptico semiconductor

(SOA)
Se puede utilizar como un interruptor de encendido y apagado mediante la variacin

de la tensin de polarizacin al dispositivo.
Si se reduce la tensin de polarizacin el dispositivo absorbe las seales de entrada.
Si la tensin de polarizacin est presente amplifica las seales de entrada.
La velocidad de conmutacin es del orden de 1 ns.
Conmutadores ms grandes pueden ser fabricados mediante la integracin de SOA con
acopladores pasivos.
Es un componente caro y es dependiente de la polarizacin debido a la orientacin de

la regin activa del lser.
Cuestionario (Tecnologas de conmutacin ptica)

1. Enumere los tipos de conmutadores pticos: (a)Interruptores Mecnicos (Bulk),
(b) Interruptores Micro-Electro-Mecnicos (MEMS), (c) Interruptores Termopticos, (d) Interruptores de Cristal Lquido, (e) Interruptores de
Polmero, (f) Interruptores Electro-pticos
2. Mencione 2 caractersticas de los Interruptores Mecnicos: (a) Hay 2 tipos:
uno que utiliza el movimiento de espejos y otro que utiliza un acoplador
direccional, (b) Tienen bajas prdidas de insercin, bajas prdidas dependientes
de la polarizacin (PDL), y baja diafona.
3. Mencione 2 caractersticas de los Interruptores Micro-Electro-Mecnicos
(MEMS): (a) Son espejos mviles en miniatura fabricados en silicio, (b) Los espejos son
trasladados de una posicin a otra mediante mtodos electromagnticos,
electrostticos, o piezoelctricos.
4. Cuales son los tipos de Interruptores MEMS?: (a) Espejos 2D, (b) Espejos 3D
5. Cuales son los dos tipos de tcnicas de fabricacin para hacer las estructuras
MEMS?: (a) Micromecanizado de superficie, (b) Micromecanizado a granel (bulk)
6. Mencione 2 caractersticas de los Interruptores de Cristal Lquido: (a) Utilizan los
efectos de polarizacin para realizar la funcin de conmutacin, (b) Se puede combinar
con divisores de haz de polarizacin pasivas y combinadores para producir un
interruptor independiente de la polarizacin.
7. Mencione 2 caractersticas de los Interruptores Electro-pticos: (a) La relacin de
acoplamiento vara cambiando la tensin y por lo tanto el ndice de refraccin del
material en la regin de acoplamiento, (b) Prdida relativamente alta y PDL.
8. Mencione 2 caractersticas de los Interruptores Termo-pticos: (a) Estos dispositivos
se han realizado en slice as como en sustratos de polmero, (b) Tienen relativamente
diafona baja.
9. Mencione 2 caractersticas de los Interruptores con Amplificadores pticos
Semicondutores: (a) Se puede utilizar como un interruptor de encendido y apagado
mediante la variacin de la tensin de polarizacin al dispositivo, (b) Si la tensin de
polarizacin est presente amplifica las seales de entrada.
10. Clasifique los interruptores desde el menor a mayor, de acuerdo con la velocidad de
conmutacin: (a) Termo-pticos, (b) Mecnicos, (c) Micro-Electro-pticos, (d) Cristal
Lquido, (e) Amplificadores pticos Semiconductores, (f) Electro-pticos
Convertidores de Longitud de Onda

Tabla de contenidos
1.1. Enfoque optoelctrico
1.2. Compuertas pticas
1.3. Tcnicas interferomtricas
1.4. Mezcla de onda
Un convertidor de longitud de onda es un dispositivo que convierte datos desde una
longitud de onda de entrada a otra longitud de onda de salida. Son componentes tiles
en las redes WDM por tres razones principales. Primero, los datos pueden entrar en la
red a una longitud de onda que no es adecuada para el uso dentro de la red. Por ejemplo,
en la primera generacin de redes se transmitan comnmente los datos en la ventana de
1310 nm, usando LEDs o lasers FabryPerot. Ni la longitud de onda no el tipo de laser es
compatible con las redes WDM. Por lo que enlas entradas y salidasdela red, los datos
deben ser convertidos desde esta longitud de onda a las seales estrechas WDM en el
rango de los 1550 nm. Un convertidor de longitud de onda usado para realizar esta
funcin aveces es llamado un transponder. Segundo, pueden ser necesarios dentro de la
red para mejorar la utilizacin de las longitudes de onda disponibles en los enlaces de
red. Finalmente, pueden ser necesarios en los lmites entre diferentes redes si estas redes
son administradas por entidades diferentes y estas entidades no coordinan la asignacin
de longitudes de onda en sus redes.
Los convertidores de longitud de onda pueden clasificarse en funcin del rango de
longitudes de onda que pueden manejar en sus entradas y salida. Una un dispositivo de
entrada fija y salida fija siempre toma una longitud de onda fija en la entrada y la
convierte a una longitud de onda fija en la salida. Un dispositivo de entrada variable y
salida fija toma una variedad de longitudes de onda, pero siempre convierte la seal de
entrada a una longitud de onda fija. Un dispositivo de entrada fija y salida variable
realiza la funcin opuesta. Finalmente, un dispositivo de entrada variable y salida
variable puede convertir cualquier longitud de onda de entrada a cualquier longitud de
onda de salida.
Adems al rango de longitudes de onda en la entrada y salida, tambin se necesita
considerar el rango de las potencias pticas de entrada que el convertidor puede
manejar, si el convertidores transparentea latasa de bits y al formato de modulacindelas
seales de entrada, y si este produce ruido adicional o fluctuaciones de fase en la seal.
Las dos ltimas caractersticas dependen del tipo de regeneracin utilizado por el
convertidor. Para los convertidores de longitud de onda totalmente pticos, la prdida
dependiente de la polarizacin tambin debera ser mantenida al mnimo.
Hay cuatro maneras fundamentales de lograr la conversin de longitud de onda: (1)
optoelctrica, (2) compuertas pticas, (3) interfermetros, y (4) de mezcla de onda. Los
ltimos tres enfoque son totalmente pticos pero no lo suficiente maduros para su uso
comercial. Hoy en da, los convertidores optoelctricos ofrecen substancialmente mejor
rendimiento a bajo costo que los convertidores totalmente pticos.
Enfoque optoelctrico
Hoy en da, este es el mtodo ms simple, obvio y prctico para realizar la conversin
de longitud de onda. Como se muestra en la Figura 3.75, la seal de entrada es
convertida primero a su forma elctrica, regenerada, y luego retransmitida usando un
laser con una longitud de onda diferente. Es frecuentemente un convertidor de entrada
variable y salida fija. El receptor no se preocupa por la longitud de onda de entrada,
siempre y cuando este en la ventana de 1310 nm o 1550 nm. El laser es usualmente de
longitud de onda fijo. Se puede lograr una salida variable usando un laser ajustable.
El rendimiento y transparencia de los convertidores depende del tipo de regeneracin
usado. La Figura 3.75 muestra los diferentes tipos posibles de regeneracin. En el caso
ms simple, el receptor simplemente convierte los fotones de entrada en electrones, los
cuales son amplificados por un amplificador de RF analgico y maneja el laser. Este es
llamado regeneracin 1R. Esta forma de conversin es verdaderamente transparente al
formato de modulacin (siempre que se utilice el receptor adecuado para recibir la
seal) y puede manejar tambin datos analgicos. Sin embargo, es aadido ruido al
convertidor, y los efectos de no linealidad y dispersin no se resetean.
Otra alternativa es usar la regeneracin con reshaping pero sin retiming, llamado
regeneracin 2R. Este es aplicable solo a datos digitales. La seal es reshaped
enviandola a travs de una compuerta lgica, pero no retimed. Lafluctuacin de
faseadicional introducida debido a este proceso puede ser eventualmente limitar el
nmero de etapas que puede ser puesta en cascada.
La ltima alternativas es usar la regeneracin con reshaping y retiming (3R). Este
resetea completamente los efectos de no linealidad, dispersin de la fibra, y ruido en el
amplificador; por otra parte, no introduce ruido adicional. Sin embargo, el retiming es
una funcin especfica de la tasa de bits, y se pierde transparencia. Si la transparencia no
es muy importante, este es un enfoque muy atractivo. Estos tipos de regeneradores a
menudo incluyencircuitospara llevar a caboel monitoreo del desempeoy de proceso,y
modificar la gestin asociada al overhead, la cual est relacionada con la seal.
Figura 3.75: Diferentes tipos de regeneracin optoelctrica. (a) 1R (regeneracin sin

reshaping
o retiming. (b) 2R (regeneracin con reshaping). (c) 3R (regeneracin con reshaping y
retiming).
Compuertas pticas
Tcnicas interferomtricas
Mezcla de onda

Cap 3 Opticas

Uploaded by

Document Information

Copyright

Available Formats

Share this document

Share or Embed Document

Sharing Options

Did you find this document useful?

Is this content inappropriate?

Copyright:

Available Formats

Cap 3 Opticas

Uploaded by

Copyright:

Available Formats

ACOPLADORES

Antes de mencionar lo que es un acoplador, hay que conocer lo que es un dispositivo

Un acoplador direccional es un dispositivo recproco que tiene la tarea de combinar y dividir

Figura 3.1: Acoplador direccional

Aqu, $l$ denota la longitud de acoplamiento, y $\Beta$ es la constante de propagacin en

Aunque el acoplador direccional es un dispositivo de dos entradas y dos salidas,

Aqu, $T_{ij}(f)$ representa la funcin de transferencia de la potencia desde la entrada $i$

La forma general de la ecuacin 1 puede derivarse suponiendo que el acoplador direccional es

es la funcin de transferencia del dispositivo relacionando los campos elctricos de las

Por conveniencia, se denota $\mathbf{E}_o=(E_{o1},E_{o2})^T$ y

La suma de las potencias de los campos de entrada es proporcional a

E3-5 Ecuacin 5 (E3-5)

E3-6 Ecuacin 6 (E3-6)

Si se escribe $a=cos(x)e^{i\phi a}$ y $b=sin(x)e^{i\phi b}$ arroja

As $\phi_a$ y $\phi_b$ deben diferir en un mltiplo impar de $\pi/2$. La forma general de 1

La conservacin de la energa tiene consecuencias importantes para los tipos de componentes

combinacin sin prdida no es posible. Por lo tantono podemosdisear un dispositivocon

Mostrar que la matriz de dispersin de esta forma no puede satisfacer la condicin de

Figura 1: Representacin funcional de un circulador: (a) tres puertos y (b) cuatro

se refiere a la orientacin de su vector de campo elctrico en un plano que es ortogonal

Figura 2: Principio de operacin de un aislador que trabaja solo para un estado de

Figura 3: Un aislador independiente de la polarizacin. El aislador es construido de la

Muestre que la matriz de dispersin de esta forma no puede satisfacer la condicin de

3.4. Cuestionario (Fibra)

7.3.1. Problema 1 (3.16 del libro de referencia)

7.3.2. Problema 2 (3.17 del libro de referencia)

7.3.4. Problema 4 (3.19 del libro de referencia)

8.3. AOTF como longitud de onda de crossconnect

9.3. Intercalacin de multietapas

Los demultiplexores y multiplexores pueden ser puestos en cascada para realizar

Figura 3.7: Un wavelength crossconnect esttico. El dispositivo encamina seales

Una variedad de tecnologas de filtrado ptico estn disponibles. Sus caractersticas

Figura 3.8: Caracterizacin de algunos parmetros importantes de forma espectral de

primera es fabricarlos usando tecnologa de gua de onda de ptica-integrada. Esto es

Figura 3.9: (a) Rejilla de Transmisin (b) Rejilla de Reflexin.

Principio de Operacin (Rejillas)

Figura 3.10: Principio de Operacin de una Rejilla de Transmisin. La Rejilla de

donde m es un entero llamado orden de la rejilla. En un sistema WDM, la ecuacin

La energa en una sola longitud de onda se distribuye en todos los

Figura 3.11: Rejilla de Reflexin con ngulo de resplandor . La energa en la

Describa el trmino rejilla en un sistema ptico

Problemas Propuestos (Rejillas)

Problema 1 (3.4 del libro de referencia)

Son ampliamente utilizados en sistemas de comunicacin de fibra ptica. Cualquier

Principio de Operacin (Bragg)

donde A es el perodo de la rejilla.

esta longitud de onda se le llama longitud de onda Bragg.

la cual es la condicin de Bragg.

En dnde son usadas las rejillas de Bragg?

Rejillas de fibra de Bragg

El coeficiente de temperatura de una fibra de rejilla de Bragg es tpicamente 1,25 10-2

FIgura 3.14: Elementos pticos de insercin/extraccin basados en rejillas de fibra de

Rejillas de fibra de perodo largo

Principio de Operacin (Fibra)

Figura 3.16: Principio de Operacin del Filtro Fabry-Perot

Principio de Operacin (Fabry-Perot)

Lo cual se puede expresar como:

Donde A denota la perdida por absorcin de cada espejo. R es la Reflectividad de cada

Figura 3.17: Funcin de transferencia del filtro Fabry-Perot

Problemas Propuestos (Fabry-Perot)

Problema 3.12 (Libro de Referencia)

Filtros Multicapa dielctricos de pelcula delgada (ThinFilm)[Editar]

Figura 3.18: Filtro de pelcula delgada dielctrica resonante de tres cavidades.

Figura 3.20: Un multiplexorde longitud de