You are on page 1of 15

UNIVERSIDAD AUTONOMA DE SINALOA

FACULTAD DE INGENIERIA
INGENIERIA EN PROCESOS INDUSTRIALES

Electrnica II.

Prctica: El Transistor de Efecto de Campo de Juntura

Baltazar Barajas Uziel Ibrahim

Mario Jaime Garca Irigoyen

Culiacn Sinaloa, Noviembre 2014

Prctica: El Transistor de Efecto de Campo de Juntura


OBJETIVOS:
1. Obtener experimentalmente la curva corriente de drenaje contra voltaje de drenaje.
2. Implementar un circuito de auto-polarizacin para el JFET.
3. Observar la distorsin no lineal provocada por el JFET.
LISTA DE EXPETIMENTOS
1. Curva corriente de drenaje contra voltaje compuerta-fuerte.
2. Auto polarizacin del JFET
3. Operacin de CA del JFET de auto polarizacin
MATERIAL

Osciloscopio.
Multimetro
Generador de funciones
Adaptadores BNC-Banana
Adaptadores BNC-Caimn
Cables Caiman-Caiman
Cables Banana-Caimn
Pinzas de punta
Pinzas de corte
Alambre del numero 20
Una protoboard
JFET 2SK43 Canal N
Dos potencimetros o trimpot de 10K

CUESTIONARIO
1.

Investigue y reporte la forma de la curva Corriente de drenaje contra voltaje


compuerta-fuente.

2. Investigue y reporte la forma de la curva Corriente de drenaje contra voltaje


drenaje-fuente

3. Investigue y reporte que es el voltaje de corte compuerta a fuente (VGS(off))


Cuanto mas negativa sea la tensin puerta-fuente, menor sera la corriente de
drenador. A esta tensin de corte las capas de deplexion se ponen en contacto. En

efecto, el canal de conduccin desaparece. Por eso la corriente de drenador es


aproximadamente a cero.
4. Investigue y reporte que es el voltaje de estrangulacin (VP)
5. Investigue y reporte la deficion matemtica de transconductancia del JFET
(gm)
VGS(off) es dificil de medir con exactitud, mientras que IDSS y gm0 se miden muy
facilmente y con gran precision. Por tanto, VGS(off) se obtiene normalmente con la
siguiente ecuacion:

En esta ecuacion, gm0 es el valor de la transconductancia cuando VGS=0.


Esto es lo que hacen los fabricantes en las hojas de caracteristicas.
Cuando VGS es negativa, disminuye el valor de gm. La ecuacion de gm para
cualquier valir de VGS es:

gm disminuye linealmente cuando VGS se hace mas negatica. Esta propiedad es


muy util en el control automatico de ganancia.
6. Investigue y reporte cual es la ecuacin que describe la curva corriente de drenaje
contra voltaje compuerta fuente

7. Investigue y reporte el diagrama de circuito de auto polarizacin del JFET

8. Investigue que es la distorsin armnica


La distorsin armnica es la alteracin de la forma de onda de una seal debido a
que la ganancia no lineal del sistema genera nuevas componentes espectrales en
frecuencias que son mltiplo (armnicas) de las frecuencias de otras componentes
espectrales ya presentes en la seal.
9. Investigue y reporte cual es la ecuacin que describe la curva de transferencia
de un circuito o amplificador no lineal
VSat=AVent
Vsat=AVent+BV2ent+.....
AVent: Es el trmino lineal, la seal de entrada es amplificada por un factor
BV2ent :Es el trmino cuadrtico, responsable de la distorsin por segunda
armnica.

10. En la hoja de datos del JFET 2N5457 investigue y reporte el grafico de la curva
de corriente de drenaje contra voltaje drenaje-fuente.

11. De la curva corriente de drenaje contra voltaje drenaje-fuente, reporte el VGS


(off)
-1.8V, -1.9V
12. De la curva corriente de drenaje contra voltaje drenaje-fuente, reporte la IDSS

Experimento 1. Curva corriente de drenaje contra voltaje


compuerta-fuente
Para la implementacin de las practicas usamos un JFET 2SK43

1. El circuito de la figura est diseado obtener la curva corriente de drenaje contra


voltaje compuerta-fuente.
2. Arme el circuito
3. Llene la tabla
4. Grafique los datos en la tabla

VGS
-1.8
-1.6
-1.4
-1.2
-1
-0.8
-0.6
-0.4
-0.2
0

ID
135.7m

117.7m
105.4m

Experimento 2. Auto polarizacin del JFET


1. El circuito de la figura 2 es JFET con auto polarizacin
2. Siga los pasos anotados a continuacin para lograr la auto polarizacin del JFET
segn el diagrama de la figura 2.
a. Anote el voltaje de compuerta-fuente de apagado

VGS= -50V
b. El voltaje de polarizacin debe satisfacer la siguiente condicin (para la presente
practica el voltaje de polarizacin de fija en 9V.

c. RG se prefija en 10Mohms para reducir al mnimo la corriente de compuertadrenaje.


d. Anote el valor de la corriente de drenaje para un voltaje de compuerta-fuente
VGS(off)
IDSSmax= 14.3mA
e. Calcule la resistencia de fuente mediante la siguiente formula

Rs=2048ohms
f. Calcule el voltaje de la terminal fuente considerando por el canal circulara la mitad
de la corriente de saturacin IDSS

Vs=14.6432V

g. Calcule un voltaje de la terminal de drenaje, el cual debera estar centrado entre


VDD y VS.

VD=11.8216V
h. Calcule la resistencia de drenaje

RD=394Ohms
3. Arme y polarice el circuito empleando los componentes calculados
4. Mida los voltajes en las terminales de compuerta, fuente y drenaje
5. Si el voltaje de drenaje es diferente del valor esperado por ms de un volt, reajuste
la resistencia de drenaje RD para lograr el voltaje de drenaje deseado

Experimento 3
1. Arme el circuito utilizando las resistencias calculadas en el experimento
2. Las resistencias que se exhiben se calcularon para un modelo en particular y pueden
no corresponder con el modelo que Ud. Calculo en el experimento anterior
3. Observe y reporte el oscilograma obtenido.

You might also like