SIMULACIN DE CIRCUITOS CON DIODOS

Henry Ivan Parrales Oyola

Henry_0790@hotmail.com

No obstante, cuando el sistema es trifsico y de tres

hilos o conductores, slo se utilizan dos vatmetros
monofsicos para medir la potencia Vea la Fig. 3. Las
dos bobinas de corriente llevan las corrientes de las
dos lneas y las dos bobinas de voltaje se conectan a
la lnea restante. Observe que no se hace ninguna
conexin al hilo neutro. La potencia trifsica total es
igual a la suma algebraica de las lecturas de los
vatmetros.

RESUMEN:

La siguiente prctica se ha
planteado con la finalidad de realizar circuitos
con diodos para aprender su utilizacin y
caracterstica de cada diodo .Primeramente se
procedi a armar los circuitos con diodos uno
con diodo de silicio y otro con diodo de germanio
, de los cuales despus procedimos a tomar la
intensidad que circulaba y los voltajes que haba
en la resistencia y cada uno de los diodos antes
mencionados , despus tomamos apuntes de los
Voltajes e intensidades y procedimos a realizar la
curva caracterstica de cada circuito.
PALABRAS CLAVE: Diodo, Germanio,
Silicio

Para cargas balanceadas a un factor de potencia

igual a 1, las indicaciones de los vatmetros sern
idnticas. Cuando el factor de potencia de la carga es
50 por ciento, un medidor indicar cero y el otro
indicar la potencia trifsica total. Para factores de
potencia intermedios entre 50 y 100 por ciento, un
medidor indicar una potencia mayor que la del otro.
Para factores de potencia inferiores al 50 por ciento,
la indicacin de uno de los medidores ser negativa y
el total de la potencia trifsica ser la que indique un
medidor menos la potencia negativa que indique el
otro. A un factor de potencia igual a cero, los
vatmetros indicarn valores idnticos pero de signo
contrario, dando en total una potencia de cero. Por
consiguiente, existe una relacin especfica entre las
indicaciones de los medidores para cada valor del
factor de potencia del circuito.

ABSTRACT:

The following practice has been

proposed in order to make diode circuits to learn and
use characteristic of each diode. Firstly proceeded to
assemble one diode circuits and one silicon diode
with germanium diode, of which we then proceeded
taking the intensity circulating and voltages resistance
was in each of the aforementioned diodes, then take
notes Voltages and currents and proceeded to make
the characteristic curve of each circuit.

KEY WORDS: Diode, Germanium, Silicon

El Mdulo EMS de wattmetro trifsico 8446, se

componen de dos vatmetros y tiene una conexin tal
que slo se requiere conectar las lneas trifsicas de
entrada 1, 2 y 3. La carga se conecta a las terminales
de salida 4, 5 y 6.

1.- INTRODUCCIN
El instrumento bsico utilizado para medir la potencia
en
circuitos
trifsicos
es
el
vatmetro
electrodinammetro. Este medidor tiene dos bobinas.
Una de las bobinas, llamada bobina de corriente, es
esttica y est diseada para transportar una
corriente proporcional a la corriente de carga. La
segunda bobina, llamada bobina de potencial, es
mvil y transporta una corriente proporcional a la
tensin de la carga[1].

2.- OBJETIVOS
2.1 Conocer la forma correcta de instalar los diodos,
las resistencias y los cables.
2.2 Determinar las diferencias entre las grficas de
los circuitos armados con diodo de silicio y germanio
respectivamente.
2.3 Reconocer el comportamiento de los diodos en
DC mediante la polarizacin directa.

Este bobina al girar vence la accin de un resorte

helicoidal, y, puesto que el par es proporcional al
producto de los valores de las corrientes de las dos
bobinas, tambin es proporcional al producto de la
corriente I y el voltaje E. En consecuencia la escala
se debe graduar directamente en watts.

3.- LIMITACIONES

Estudie la Fig. 1. La bobina fija de corriente, A, est

en serie con la carga y la bobina mvil de voltaje V se
conecta a travs de la carga. La defleccin resultante
es directamente proporcional a la potencia entregada
a la carga.

3.1 No haga ninguna conexin cuanto la fuente est

conectada.
3.2 La fuente debe desconectarse despus de hacer
cada conexin.

Si se desea medir la potencia suministrada por un

sistema trifsico de cuatro hilos, simplemente se usan
tres vatmetros monofsicos conectados en la forma
en que se muestra en la Fig. 2, y se suman las tres
lecturas.

3.3 Se debe trabajar con un voltaje no mayor a 50 V

ya que es el voltaje de fractura del diodo.

4.- INSTRUMENTOS Y EQUIPO

1

Empleando las lecturas de datos procederemos a

calcular la potencia aparente, potencia real y factor
de potencia cuando se emple el mdulo resistivo,
capacitivo e inductivo

- Mdulo de fuente de alimentacin (0-120:208 V/

3).
- Amperimetro
- Resistencia de 1k
-1 Diodo de silicio y germanio
- Cables de conexin

-Mdulo Resistivo:

5.- METODOLOGA

Potencia aparente =
Potencia real

5.1 Conecte el circuito ilustrado en la Fig. 4, utilizando

los mdulos EMS de wattmetro trifsico, fuente de
alimentacin, resistencia y medicin de c-a.

Factor de potencia

b) Conecte la fuente de alimentacin y ajuste el

voltaje de lnea a 100 V c-a, segn lo indique el
voltmetro V 1 .

potencia indicada por

W1

W2

I1

P
=0.953
S

* Debido a que el circuito es completamente resistivo

presenta un factor de potencia cercano a 1, es decir
no tiene potencia reactiva.

5.2 a) Ajuste la resistencia de cada seccin a 300

ohms.

c) Mida y anote la corriente de lnea

33

E1I 11.73=34.6 VA

-Mdulo Capacitivo:
Potencia aparente =
Potencia real

y la

Factor de potencia

I 1 =0.2 A c a
P1=33 W
P2=0 VAR

E1I 11.73=34.6 VA

P
=0 (90 )
S

-Mdulo Inductivo:
Potencia aparente =
Potencia real

E1I 11.73=34.6 VA

P
=0 (90 )
S

d) Reduzca el voltaje a cero y desconecte la fuente

de alimentacin.

Factor de potencia

5.3 a) Sustituya el mdulo de resistencia con el de

capacitancia.

7.- ILUSTRACIONES

b) Ajuste la reactancia de cada seccin a 300

ohms.
c) Repita el procedimiento 5.2.

I 1 =0.183 A ca
P1=0 W
P2=33 VAR
P1+ P 2=33W
5.4 a) Reemplace el mdulo de capacitancia con el
de inductancia.

Figura 1. Circuito con Diodo.

b) Ajuste la reactancia de cada seccin a 300

Resultado de las Mediciones

E(variable
ID (mA) VR
VD
)
0
0,366
0,3
0,334
0,3
0,383
0,9
0,562
0,6
0,652
1,2
0,586
1,7
1,834
2,4
0,635
4,1
4,169
4,8
0,672
8,4
8,531
9,2
0,704
9,4
9,353
10
0,708

ohms.
c) Repita el procedimiento 5.2.

I 1 =0.183 A ca
P1=0 W
P2=33 VAR
P1+ P 2=33 W
6.- CALCULOS

IR
0
0,3
0,6
1,7
4,1
8,4
9,4

Tabla1. Resultados con Diodo de Silicio.

E(variable
)
0,3
0,9
1,2
2,4
4,8
9,2
10

Resultado de las Mediciones

ID
VR
VD
(mA)
0
0,00003
0,314
0,3
0,303
0,634
0,6
0,562
0,659
1,7
1,744
0,700
4
4,129
0,730
8,4
8,465
0,754
9,3
9,224
0,757

Figura 3 . Curva Caracterstica del Diodo de

Germanio

IR
0
0,3
0,6
1,7
4
8,4
9,3

Tipos de Diodos
OA90
1N4747
1N4007
Codigo
Tipo
Ge
Si
Si
(Ge/Si)
USA
Fabricante USA EU
200
If=(mA) 1040 8
30
15,2
V rm (v ) 700

Tabla 2. Resultado con Diodo de Germanio.

P(mW )
T j max ()125 90
I z max (v )
V z (v ) 1000
T()
C p (P F ) 15

1N4148

BZX55C5V
1

Si

Si

USA
200
100

JPN
200

500

500

175

200

175

12,5

450

20

5,1

10%

Tabla 3.- Identificacin de diodos

8.- CONCLUSIONES
8.1 La indicacin negativa de un vatmetro significa
que el circuito posee un efecto capacitivo.
8.2 Un factor de potencia 1 significa que el circuito es
netamente resistivo.

Figura 2. Curva Caracteristica del Didodo Silicio

9.- REFERENCIAS
[1] Nilsson. J. W. and Riedel. S. A., Circuitos Elctricos
(7ma ed). pp. 543. 2005. Madrid: Pearson Education S.A.