YARILETKENMALZEMELERVEPNBRLEM

BJTler ounlukla ykseltme ve anahtarlama gibi uygulamalarda kullanlan bir

elemandr. Transistr iki birleimli PN yapsna ve Beyz, Emiter ve Kollektr olmak zere
balant ucuna sahiptir.
Bu ksmda incelenecek konular.

Transistrn yaps
Transistrn almas
Transistrn parametreleri
Transistrn alma durumlar
Transistrn karakteristik erisi
Transistrn ykseltici ve anahtar olarak kullanlmas
DC analiz
Transistr testi anlatlacaktr.

Transistrn Yaps:
Transistr, bir grup elektronik devre elemanna verilen temel addr. Transistrler yaplar
ve ilevlerine bal olarak kendi aralarnda gruplara ayrlrlar. BJT (Bipolar Jonksiyon
Transistr), FET, MOSFET, UJT v.b gibi. Elektronik endstrisinde her bir transistr tipi
kendi ad ile anlr. Genel olarak transistr denilince akla BJTler gelir.

BJT' nin Yaps:

BJTler elektronik endstrisinin en temel yar iletken devre elemanlarndandr. BJT
"bipolar junction transistor" "ift kutuplu yzey birleimli transistr" kelimelerinin
baharfleridir. Bundan dolay bipolar (ift kutuplu) szc kullanlr.
Transistr ilk icat edildiinde yar iletken maddeler birbirlerine nokta temasl olarak
monte edilirlerdi. Bu nedenle onlara Nokta Temasl Transistr denirdi. Gnmzde
transistrler yapm itibar ile bir tost grnmndedir. Transistr imalatnda kullanlan
yar iletkenler, birbirlerine yzey birleimli olarak retilmektedir. Bu nedenle Bipolar
Jonksiyon Transistr olarak adlandrlrlar.

Bipolar birleimli transistrler katklanm tabakadan oluur. Bu tabaka Emitter

(emiter), Collector (Kolektr) ve Base (Beyz)dir. P ve N tipi malzemelerin yerleim
srasna bal olarak BJTnin PNP ve NPN olmak zere iki eidi vardr.

NPN

PNP

C (Kollektr)

C (Kollektr)

C
IC

IC
IB

IB
P

2 m

0.3mm

B
(Beyz)

IE
N

E (Emiter)

B
(Beyz)

IE

E
P

E (Emiter)

BJTlerde beyz blgesi, emitere gre daha az katklanr ve daha dar tutulur. Bunun
nedeni tayclarn geiini kolaylatrmaktr.

+
+
+
+
+

+
+
+
+
+

+
+
+
+
+

Transistrn almas:

NOT: Transistrlerin alma prensiplerinin

benzer olmas nedeniyle aklamalarda
sadece NPN tipi transistr verilecektir.

BJT nin almas iin gerekli koullar:

BJTnin alabilmesi iin; baz-emiter
birleimi dz ynde, baz-kollketr birleimi
ise ters ynde kutuplandrlmaldr. Bu
alma biimine transistrn aktif blgede
almas denir.
Baz akm olmadan, emiter-kollektr
birleimlerinden akm akmaz. Transistr
kesimdedir. Baz akm kk olmasna
ramen transistrn almas iin ok
nemlidir.
PN
birleimlerinin
karakteristikleri
transistrn almasn belirler. rnein;
transistr, VBE olarak tanmlanan beyz-emiter
birleimine doru ynde bir balang
gerilimi uygulanmasna gereksinim duyar. Bu
gerilimin deeri silisyum BJT lerde 0.7V,
germanyum BJTlerde ise 0.3V civarndadr.

BJT Akm ve Gerilimleri

Emiterden enjekte edilen elektronlarn kk bir miktar ile beyz akm oluur ve
elektronlarn geri kalan byk ksm ile de kolektr akm oluur. Buradan hareketle
emiterden enjekte edilen elektronlarn miktarnn, beyze doru ve kollektre doru akan
miktarn toplam kadar olduu sylenebilir. Buna gre emiter akm;
IE = IB + IC

IC = IB

IE = (1+)IB

Akm yn elektron aknn zt yn alnarak yandaki sembol gsterime gidilir.

TRANSSTRN KARAKTERSTK ERLER:

Transistrn Giri Karakteristii: (IB = f (VBE))
Transistrler balant trlerine gre ortak emiterli, ortak kolektrl, ve ortak bazl olmak
zere e ayrlr.
Bir ortak emiterli devrede giri gerilimi base-emiter arasndaki gerilimdir. Giri
karakteristii base akmnn base-emiter aras gerilimle deiimini gstermektedir.

IB = f(VBE) karakteristii yanda izilmitir. Bu karakteristik

bir diyodun I-V karakteristii ile ayndr.

Transistrn Giri Karakteristii: (IB = f (VBE))

Ortam scakl arttka bir diyot eleman daha dk gerilimlerde iletime geer. B-E
aras bir diyot grnmnde olan BJTnin scaklkla deiimi aadaki gibidir.

B
1

BE

Transistrn k Karakteristii: (IC = f(VCE))

Transistrlerin k karakteristii farkl base akmlar iin IC ve VCE nin deiimini
gstermektedir. k karakteristiini elde etmek iin aadaki devreden yararlanlr.

VCE = VCC RC * IC

D
B OY
LG UM
ES

Karakteristii karmak iin nce VBB gerilimi belli bir deere ayarlanr. Bylece IB,
dolaysyla IC akm sabit tutularak VCC kayna ayarlanarak farkl VCE gerilimlerinde akan
IC deerleri llerek karakteristik karlm olur. Elde edilen bu eri sadece o an geerli
olan base akm iindir.

Transistrlerin alma Durumlar

B-E arasndaki PN birleimi ve B-C arasndaki PN birleimleri birer diyot gibi
modellenebilirler. Bir BJT iin; emiter diyotun iletimde olduu durumda B-E gerilimi VBE
0,7V civarnda, B-C aras ise VBC 0,5V civarndadr. Her zaman iin emiter diyotun eik
gerilimi kollektr diyottan daha byktr.
-

+
N

Kollektr diyot
VBC

VBC

- C +
IC

+
+

VCE

+ I
B
VCE

+
IE
Emiter Diyot
VBE
N

VBE

Emiter ve kollektr diyotlarn durumlar BJTnin alma durumunu belirlemektedir.

Eer hem VBE ve hem de VBC kendi eik gerilimlerinden daha dk iseler her iki diyotta
yaltmdadr. Bu ekliyle transistr KESM blgesindedir.
Eer her iki diyot iletimde ise (VBE 0,7 ve VBC 0,5V) transistr iletimdedir ve
kollektrden maksimum akm akar. Bu durumda transistr DOYUM (Saturasyon)
blgesindedir.
Eer emiter diyot iletimde kollektr diyot yaltmda olacak ekilde transistr kutuplanrsa
(VBE 0,7 ve VBC <0,5V) bu durumda transistr AKTF alma durumundadr.
KESM : Emiter ve kollektr diyot yaltmda
DOYUM : Emiter ve kollektr diyot iletimde
AKTF : Emiter diyot iletimde ve kollektr diyot yaltmda

Aktif alma Blgesi:

Analize ilk bata Base +2V uygulayalm ve kollektr ucu bota kalsn;
Bu ekildeki kutuplamada sadece baseden emitere akm ak vardr. Emiter diyot
iletimde olduu zaman emiterdeki elektronlar birleimi aarak basee gelirler. Bu
elektronlar base akmn oluturmaktadr. Akm yn olarak elektron hareketinin zt yn
alnmaktadr.

Aktif Durum:
imdi kollektre pozitif bir gerilim uygulayalm; Kollektr ucu base ucuna gre daha
pozitif olduundan kollektr diyot ters kutuplanr ve yaltmda kalr. Bylece baseden
kollektre bir akm ak olmaz. Eer kollektr gerilimi yeterli byklkte ise, pozitif
kollektr ucu emiterden pskrtlen elektronlar kendisine ekeceinden kollektrdenemitere doru byk bir akm art olur. Bu akm miktar base akmnn kat kadar
olmaktadr.

100

IE = IB + IC = IB + .IB = (1 + ).IB
(sznt akmlar ihmal edildi)

Aktif Blge:
AKTF blgede olan bir transistrn modeli;

IB

IB

RNEK:
= 50 alndnda kollektr akm ile emiter akm arasndaki ilikiyi bulunuz.
(Kirchhoffun akmlar yasasna gre)

Kollektr akm base akmnn kat olduuna gre;

Transistr Gc:

AKTF durumdaki bir transistrde zerinde harcanan g u ekilde hesaplanr;

P = VCE * IC + VBE * IB
Kollektr
Kat

Base Kat

Kollektr akmna gre olduka kk olan IB akm ounlukla ihmal edilir.

Buna gre P = VCE * IC hesab her zaman iin yaklak doru sonutur.

Base Kollektr Ters Dayanma Gerilimi (VCB0) :

AKTF durumda alan bir transistrde kollektr diyodu yaltmdadr. PN birleimleri

ters kutuplandklar zaman eer bu gerilim deeri transistrn dayanma geriliminden
byk olursa eleman bozulacaktr.
Bu nedenle transistrn kollektr-base dayanma geriliminden daha byk bir gerilim ters
ynde uygulanmamaldr.

Transistrde Maksimum G Snr

Her bir transistrn alma alann belirleyen bir takm snr (maksimum) deerler vardr.
Bu deerler standart transistr kataloglarnda verilir. Transistrlerle yaplan tasarmlarda
bu deerlere uyulmaldr. Kataloglarda verilen tipik maksimum snr deerlerini; kollektrbeyz gerilimi, emiter-beyz gerilimi, kollektr-emiter gerilimi,
kollektr akm ve
maksimum g harcamas olarak sayabiliriz. ekilde tipik bir k karakteristii
zerinde maksimum deerler gsterilmitir.

RNEK:

IC = * IB = 100 * 0,13mA = 13mA

IE = IB+ IC =13.13mA
VB = 0,7V VC = 10V

VE = 0V

VCB = VC VB = 10 0,7 = 9,3V >0

VCE = VC VE = 10 0 = 10V
P = VCE * IC = 130mW

RNEK:
VB = VE + 0,7 = 0,7V

VE = 0V

VBE = 0,7V

BJT nin AKTF blgede olduu kabul edilirse;

IC = * IB = 100 * 0,03mA = 3mA
VC = VCC RC * IC = 5 1K * 3mA = 2V
IB = 0,03mA,

IC = 3mA,

IE = 3.03mA

VB = 0,7V,

VC = 2V,

VE = 0V

VCB = VC VB = 2 0,7 = 1,3V>0

VCE = VC VE = 2 0 = 2V
P = VCE * IC = 2 * 3mA = 6mW

Kesim ve Doyum Durumlar:

a)Kesim Durumu: Kesim durumunda her iki diyotta yaltmdadr. (VCB > 0, VBE < 0,7)

VE = 0V, VB = 0,7V alalm;

Base akm negatif olamaz. Bu nedenle transistr kesim

durumundadr. yleyse gerekte IB = 0Adir. Eer Base
akm 0A ise transistrn tm akmlar sfrdr.
VB = 0V, VE = 0V, VC = 5V, VCB = 5V

b) Doyum Durumu:
+5V
RC
2K

BJT nin AKTF blgede alt kabul edilirse;

VE = 0V, VB = 0,7V,
+5V

100K

IC = 100 . IB = 100 . 0,043mA = 4,3mA

=100
VBE = 0,7V

VC = VCE = VCC RC * IC = 5 2K * 4,3mA = -3,6V

Uygulanan gerilim 5V olduundan Kollektr gerilimi negatif
olamaz. Yani VCE 0 ile 5V arasnda olmak zorundadr.
Dolaysyla hesaplanan tm akm ve gerilimler doru deerler
deildir. VCB ve VCE bu devre iin hibir zaman negatif olamaz.
O halde bu transistor AKTF blgede deildir.

Eer kollektr-base gerilimi negatif ise kollektr diyodu iletimdedir ve ayn ekilde emiter
diyot da iletimdedir. Her iki diyodun iletimde olmas doyum durumunu belirtir
Kollektr-base PN birleimi iletimde olduunda, buna karlk gelen gerilim yaklak
0,5Vtur. Kollektr diyot iletimde olduunda gerek base-kolektr gerilimi;
VBC 0,5V ve VCEsat = VBE - VBC = 0,7 0,5 = 0,2V
Basitlik amacyla kollektr gerilimi yaklak emiter gerilimine eit alnr.
VCEsat 0V VC VE
Eer transistr doyumda ise base akmndaki deiim kollektr akmnda deiime
neden olmaz.

Transistr doyumda ise; VC VE = 0

IB = 0,043mA

IE = IB + IC = 0,043A + 2,5mA = 2,543mA

VB = 0,7V
VC = 0V (transistr doyumda VC = VE)
VCB = -0,5V
VCE = 0V (yaklak)
P = VCE * IC 0W

RNEK:

ekildeki devrede transistr doyuma gtrmek iin

VBBnin min. deeri ne olmaldr? (VCEsat 0)

zm:
IBmin noktasnda transistr doyum ile aktif blgenin
snrndadr. Dolaysyla bu nokta;
IC = * IBmin = IC(sat)

(VCEsat 0)

200

zm:

ICsat 5mA
Transistrn doyumda olabilmesi iin VBB 1,95 olmaldr.

RNEK:
Transistrn doyumda olmas iin RB direncinin max. deeri ne olmaldr?
zm:

200

RB 52K olduu srece transistr doyumda alr.

ZET:
KESM DURUMU VBE < 0,7V

VBC < 0,5V

IB = IC = IE = 0A

AKTF DURUMU

VBE = 0,7V

VBC < 0,5V

VC > VE

IB, IC, IE > 0A

DOYUM DURUMU VBE = 0,7V

VBC = 0,5V

VC VE

IC = IC(sat)

IC = * IB

1. Eer VBB 0,7V ise transistr kesimde, tm akmlar 0A

2. Eer VBB > 0,7V ise transistrn AKTF durumda olduu kabul edilir.
3. Eer IB > 0 ise IC = . IB bants kullanlabilir.
4. VCB > 0.5 ise transistr AKTF blgededir. Analiz sonlandrlr.
5. VCB < 0.5 ise transistr doyumdadr. Doyuma gre yeniden zm yaplmaldr.

TRANSSTRLERDEKODLAMAVEKILIFTPLER
Uluslar aras birok firma transistr retimi yapar ve kullancnn tketimine sunar.
Transistr retimi farkl ihtiyalar iin binlerce tip ve modelde yaplr. retilen her bir
transistr farkl zellikler ierebilir. Farkl amalar iin farkl tiplerde retilen her bir
transistr; reticiler tarafndan bir takm uluslararas standartlara uygun olarak
kodlanrlar. Transistrler bu kodlarla anlrlar. retilen her bir transistrn eitli
karakteristikleri retici tarafndan kullancya sunulur.
Uluslararas Standart Kodlama:
Transistrlerin kodlanmasnda bir takm harfler kullanlmaktadr. rnein; AC187,
BF245, 2N3055, 2SC2345, MPSA13 vb gibi birok transistr sayabiliriz. Kodlamada
kullanlan bu harf ve rakamlar rastgele deil uluslararas standartlara gre belirlenir ve
anlamldr. Gnmzde kabul edilen ve kullanlan balca 4 tip kodlama vardr:
Avrupa Pro-Electron Standard (Pro-Electron)
Amerikan Jedec Standard (EIA-Jedec)
Japon (JIS)
Dou Blok (eski SSCB)

Pro-Electron Standard: Avrupa lkelerinde bulunan transistr reticilerinin genellikle

kullandklar bir kodlama trdr. Bu kodlamaya rnekler: AC187, AD147, BC237,
BU240, BDX245 vb. Kodlamada genel kural; nce iki veya harf sonra rakamlar gelir.
lk harf: Transistrlerin yapm malzemesini belirtmektedir. Germanyumdan yaplan
transistrlerde kodlama A harfi ile balar. r: AC121, AD161 vb. Silisyumdan yaplan
transistrlerde ise B harfi ile balar. r: BC121, BF254 vb.
kinci harf: Transistrn kullanm alanlarn belirtir. rnek kodlamalar aada verilmitir.
AC:dk gl alak frekans transistrdr. Germanyumdan yaplmtr. AC121,
AC187, AC188, AC547 gibi..
BC:dk gl alak frekans transistrdr. Silisyumdan yaplmtr. BC147, BC547
gibi.
BD:dk gl, yksek frekans transistr. BD135, BD240, BD521 gibi.
BF:dk gl, yksek frekans transistr. BF199, BF240, BF521 gibi.
BL:byk gl, yksek frekans transistr. BL240, BL358, BL521 gibi
BU:byk gl anahtarlama transistr. BU240, BU521 gibi..
nc harf: nc harf endstriyel amala zel yapldn belirtir. rnek olarak;
BCW245,BCX56, BFX47, BFR43, BDY108, BCZ109, BUT11A vb gibi.

Dier Kodlama Trleri ve Standartlar: Avrupa pro-electron standardna gre

kodlamaya ilave olarak Amerikan ve Japon reticilerinin uyduklar kodlamalar ve
anlamlar aada liste olarak verilmitir.
Baz byk retici firmalar ise kendi kodlaryla zel retim yapmaktadrlar. zelliklerini
kataloglardan temin edebilirsiniz.

Transistr kategorileri ve klf tipleri

Uluslar aras transistr reticileri retimlerini genellikle 3 temel kategoride gerekletirir.
Bu kategoriler;
Genel amal/alak frekans transistrleri
G transistrleri
Radyo frekans (RF) transistrleri
Genel Amal/Kk Sinyal Transistrleri:
Bu tip transistrler genellikle orta gl ykselte veya anahtarlama devrelerinde
kullanlr. Metal veya plastik klf iinde retilirler. ekilde plastik klfa sahip standart
transistr klf tipleri, klf kodlar ve terminal isimleri verilmitir.

Genel amal alak sinyal plastik transistr klflar ve terminal isimleri

Aadaki ekilde ise genel amal/alak frekans transistrleri kategorisinde bulunan

ve metal klf iinde retilen baz transistrlerin klf kodlar ve terminal isimleriyle birlikte
verilmitir. Farkl terminal balantlarna ve klf tipine sahip onlarca tip transistr vardr.
Ayrntl bilgileri retici kataloglarndan elde edebilirsiniz.

Genel amal alak sinyal metal transistr klflar ve terminal isimleri

G Transistrleri:
G transistrleri yksek akm ve gerilim deerlerinde altrlmak zere tasarlanmtr.
Dolaysyla boyutlar olduka byktr. Bu tip transistrler genellikle metal klf iinde
retilirler. Transistorn gvdesi metaldir ve kollektr terminali metal gvdeye monte
edilmitir. ekilde yaygn olarak kullanlan baz g transistrlerinin klf kodlar ve
terminal balantlar verilmitir.

Radyo Frekans (RF) Transistrleri:

ok yksek frekansla alan sistemlerde (radyo frekans=RF) altrlmak zere
tasarlanm transistrler, RF transistrleri olarak anlmaktadr. zellikle iletiim
sistemlerinde kullanlan bu transistrlerin klf tipleri dierlerinden farkllk gsterebilir.
Bunun nedeni yksek frekans etkisini minimuma indirmektir. ekilde baz RF
transistrlerinin standart klf tipleri rnek olarak verilmitir.

RNEK-19:

2N3904n katalog deerleri

Sembol

Karakteristik

Min.

Max.

Test Koullar

BVCB0
BVEB0

.
.
.
VBE(sat)
VCE(sat)

Kolektr-base dayanma gerilimi

Emiter-Base dayanma gerilimi
DC Akm Kazanc
.
.
.
Base-Emiter Saturasyon Gerilimi
Kollektr-Emiter Sat. Gerilimi

60V
6,0V
40
90
60
40
-

360
0,85
0,25

IC = 10A, IE =0A
IE = 10A, IC = 0A
IC = 0,1mA,VCE= 5,0V
IC = 1,0mA,VCE= 5,0V
IC = 10mA,VCE= 5,0V
IC = 50mA,VCE= 5,0V
IC = 50mA, IB= 5,0mA
IC = 50mA, IB= 5,0mA

5.5. TRANSSTRLERDE DC ALIMA NOKTASI

Transistorn bir ykselte olarak alabilmesi iin DC kutuplandrma gereklidir.
Uygulanan DC kutuplandrma nedeniyle k karakteristii zerinde bir noktaya karlk
gelen belirli bir akm ve gerilim deeri vardr. Transistrn sahip olduu akm ve gerilim
deerini gsteren bu nokta alma noktas ya da skunet noktas olarak adlandrlr
(Quiet-Q).

alma noktas rnekleri

Lineer ykseltme

Lineer olmayan ykseltme

Lineer olmayan ykseltme

Lineer olmayan ykseltme

5.6. DC YK DORUSU:
DC yk dorusunu izmek iin aadaki devreyi rnek alalm.
k evresinden;
200

IC

22K

VCC
0-10V

VBB
0-5V

IB

k karakteristii zerinde bu iki noktann

birletirilmesiyle yk dorusu izilmektedir.

IB akm ayarlanarak farkl base akmlarna karlk alma noktalar yk dorusu

zerinde hareket eder. Dorusal ykseltme iin alma noktas yk dorusunun tam
ortas seilmelidir

DC kutuplamann etkisini ve nemini anlamak zere ekildeki devrede IB akmn farkl

deerlere ayarlayalm. Ayarladmz her bir akm deerine karlk transistrn ve
deerlerinin nasl deitiini inceleyelim. lk olarak VBB kaynan ayarlayarak deerini
IB=200A yapalm. Bu durumda transistrn kollektr akm IC ve kollektr-emiter gerilimi
VCE;
IC=IB=100.200A=20mA
VCE=VC-(ICRC)=10-(20mA.220=5.6V
Bu deerlere karlk gelen alma noktas transistr karakteristiinde gsterildii gibi
olacaktr.

Transistrn beyz akmnn IB=300A yaplmas durumunda ise kollektr akm;

IC=IB=100.300A=30mA
Kollektr-emiter gerilimi: VCE=VC-(ICRC)=10-(30mA.220=3.4V
Bu deere karlk gelen transistrn alma noktas transistr karakteristiinde
gsterildii gibi Q2 olacaktr

Son olarak beyz akmnn IB=400A olmas durumunda alma noktas;

IC=IB=100.400A)=40mA
Kollektr-emiter gerilimi: VCE=VC-(ICRC)=10-(40mA.220=1.2V
Bu deere karlk gelen transistrn alma noktas transistr karakteristiinde
gsterildii gibi Q3 olacaktr.

Transistrn beyz akmndaki deiim kolektr akmn deitirmekte dolaysyla

transistrn kollektr-emiter gerilimi de deimektedir. rnein IB akmndaki artma IC
akmn arttrmaktadr. Buna bal olarak VCE gerilimi azalmaktadr. Bu durumda VBB
geriliminin ayarlanmas ile IB deeri ayarlanmaktadr. IBnin ayarlanmas ise transistorn
DC alma noktasn dzgn bir hat zerinde hareket ettirmektedir. Q1, Q2 ve Q3 olarak
belirtilen alma noktalarnn birletirilmesiyle bir DC yk dorusu elde edilir.

DC yk dorusu yatay ekseni 10Vda

kesmektedir.
Bu
deer
VCE=VCC
noktasdr.
Bu
noktada
transistr
kesimdedir. DC yk dorusunun dey
ekseni kestii nokta ise 45.45mAdir. Bu
deer ise transistr iin doyum noktasdr.
Transistrn doyum noktasnda IC
maksimumdur. Kollektr akm;

RNEK:
ekildeki devrenin yk dorusunu izerek Vi giriine karlk k iaretlerini iziniz.

VBB = 1V
RC

VCC = 10V
RC = 1K

RB

VCC
(2)

V
(1)
VBB

RB = 8K

= 100

VBE =0,6V
V

= 0,35 sint

RC

RB

VCC
(2)

V
(1)
VBB

DC Analiz (Vi = 0):

Giri evresinden;

ktan evresinden;

-VBB - V + RB . IB + VBE = 0

ICQ = . IB = 5mA

VCEQ = VCC RC . IC = 10 1K . 5mA = 5V

AC Analiz (Vi = 0,35 sint)

RC

RB

VCC
(2)

V
(1)
VBB

IC = . IB = 5mA + 3,75 sint mA

VCE = VCC RC . IC = 10 1K . (5mA + 3,75 sint mA) = 5 3,75 sint

AC Analiz (Vi = 0,35 sint)

IB=0,05 + 0,0375 sint mA
VCE =5 3,75 sint
Kazanlar:
Akm Kazanc (AI)
= k Akmndaki Deiim / Giri Akmndaki Deiim

Gerilim Kazanc (AV)

= k Gerilimindeki Deiim / Giri Gerilimindeki Deiim

G Kazanc(AP)
=AV.AI = 100 . 12,5 =1250

AC Analiz (Vi = 0,35 sint)

IC (mA)
10

Yk dorusu
Giri baz akmnn
AC sinyali

8,75
5

IBQ = 0,05mA
Q

1,25

k kollektr
akmnn AC sinyali

1,25

8,75

VCE(V)
10

k kollektr-emiter
geriliminin AC sinyali

5.7. IKIIN BOZULMASI:

Q alma noktas doyum veya kesim blgelerine yakn seilirse giri iaretine bal
olarak k iaretinde bozulmalar olabilir.
Bununla birlikte Q alma noktas tam orta noktada olsa bile giri iaretinin genlii
bykse yine kta bozulmalar olabilir.

Doyum blgesine yakn alma

IB

IC
Doyum

IC

VCE(V)

Doyum

VCE

Kesim blgesine yakn alma

IB

IC(mA)

IC
Q
VCE(V)
Kesim
Kesim

VCE

Byk genlikli giri iareti ve yk dorusunun orta noktasnda alma

IB

IC(mA)
Doyum

Doyum

IC

Kesim

VCE(V)

Kesim

Doyum

VCE
Kesim

5.7. TRANSSTR DEVRELERNN DC ANALZ

5.7.1. TRANSSTRLERN NGERLMLENMES

DC ngerilimlemenin amac, transistorn belirli bir alma noktasnda almasn

salamaktr. Bir transistor istenilen alma noktasna getirip ngerilimleme
yapldktan sonra, scakln etkisi de gz nnde bulundurulmaldr.
Scaklk, akm kazanc ve kaak akm gibi transistr karakteristiklerinin deimesine
yol aar. Scaklk art, oda scaklna gre daha fazla akma yol aar ve bylece
ngerilimleme devresiyle belirlenen alma koulunu deitirir. Bu nedenle,
ngerilimleme devresinin belirli bir oranda scaklk kararlln salayarak
transistordeki scaklk deiimlerinin alma noktasnda meydana getirecei
deiimi en aza indirmesi gerekir.

5.7.1. TRANSSTRLERN NGERLMLENMES

Sabit ngerilimli devre

Bir BJT nin ngerilimlenmesi baz-emiter ve baz-kollektr DC ngerilimlenme evre

denklemleri ayr ayr ele alnarak analiz edilebilir.
BJT nin dorusal blgede alabilmesi iin baz-emiterin ileri, baz-kollektrn ise
ters ngerilimli olmas gerekir.

RB

RC

AC
k
areti
AC
k
areti

VCC

5.7.1. TRANSSTRLERN NGERLMLENMES

Baz-Emiterin ileri ngerilimlenmesi

IB

RB

Kollektr-Emiterin ileri ngerilimlenmesi

RC
IC

+
VCC

VCE

VBE

V V
IB CC BE
RB

-VCC+IB RB+ VBE=0

VCC

IC=IB
-VCC+IC RC+ VCE=0
VCE= VCC-IC RC

RNEK:
RB

ekildeki devrede, VCC=12V, RB=240k,

RC=2.2K olduuna gre b=50 ve b=100 iin
IB=?, IC=?, IE=?, VCE=?

RC

AC
k
areti

VCC

AC
Giri
areti

zm:
Devrenin baz-emiter evresinden;
=50 iin I B

V C C V B E 1 2 0 .7

4 7 .0 8 A , I C I B 2 .3 5 4 m A ,
RB
240K

I E ( 1 )I B 2 .4 0 1 m A

=100 iin I B

V C C V B E 1 2 0 .7

4 7 .0 8 A , I C I B 4 .7 0 8 m A ,
RB
240K

I E ( 1 )I B 4 .8 0 2 m A

Devrenin kollektr-emiter evresinden;

=50 iin VCE= VCC-IC RC=12-2.354*2.2k

VCE=6.83V

=100 iin VCE= VCC-IC RC=12-4.708*2.2k

VCE=1.642V

kolektr akm (IC) ve kollektr-emiter gerilimi (VCE)nin deiim yzdeleri:

% I C

I C( b100) I C( b50)

% VCE

I C( b50)

*100

VCE( b100) VCE( b50)

VCE( b50)

4.708mA 2.354mA
*100 %100
2.354mA

*100

1.642 6.83
*100 %75,95
1.642

RNEK:
RB

ekildeki devrede, VCC=12V, RB=240k, RC=2.2K,

RE=0.8K olduuna gre
b=50 ve b=100 iin IB=?, IC=?, IE=?, VCE=?

RC

AC
k
areti

VCC

AC
Giri
areti

RE

zm:
Devrenin baz-emiter evresinden;
=50 iin

IB

=100 iin I B

V CC V BE
1 2 0 .7

4 0 .2 4 A , I C I B 2 .0 1 2 m A ,
RB
2 4 0 K ( 5 0 1 ) 0 .3 K

I E ( 1 ) I B 2 .0 5 2 m A

V CC V BE
1 2 0 .7

3 5 .2 2 4 A , I C I B 3 .5 2 2 m A ,
RB
2 4 0 K ( 1 0 0 1 ) 0 .8

I E ( 1 ) I B 3 .5 5 7 m A

Devrenin kollektr-emiter evresinden;

=50 iin
VCE= VCC-IC RC-IE RE
=12-2.012*2.2k-2.052*0.8k
VCE=5.932V

=100 iin
VCE= VCC-IC RC-IE RE
=12-3.522*2.2k-3.557*0.8k
VCE=1. 406V

kolektr akm (IC) ve kollektr-emiter gerilimi (VCE)nin deiim yzdeleri:

% I C

I C( b100) I C( b50)

% VCE

I C( b50)

*100

VCE( b100) VCE( b50)

VCE( b50)

3.522mA 2.012mA
*100 %75
3.012mA

*100

1.406 5.932
*100 %76
5.932

Emiter Kutuplamal Devre

Emiter kutuplamas transistrn kararl altrlmas iin gelitirilmi bir dier kutuplama
yntemidir. Bu kutuplama tipinde pozitif ve negatif olmak zere iki ayr besleme gerilimi
kullanlr. VCC ve VEE olarak adlandrlan bu kaynaklar transistrn kutuplama akm ve
gerilimlerini salarlar. Bu devrede VCC ve VEE eit olduu takdirde beyz gerilimi yaklak
0Vdur. Bu nedenle bu kutuplama ekli baz kaynaklarda simetrik kutuplama olarak da
adlandrlmaktadr.
Giri evresinden,
RC

RC

IC

- VEE VBE I B R B I E R E
IC

VCC

VB

RE

VEE

VEE VBE
R BB (1 )R E

VCC
RB

RB

IB

IB

RE

IE

IE
VEE

k evresinden,
0 = -VCC-VEE+ VCE ICRC - IERE
VCE = VCC+VEE ICRC - IERE

RNEK Yanda verilen devrede deerinin 50den 100e kmas durumunda alma
noktasnda meydana gelecek deiimleri analiz ediniz.
VCC=15V
RC
22K

=50 iin; Giri evresinden,

IB

VEE VBE
15 0,7

I B 33A
R BB (1 )R E 15k 51 * 8,2k

IC I B 1.65mA
I E (1 )I B 1,683mA
RB
15K

VC
VB

RE
82K

VE

k evresinden,
0 = -VCC-VEE+ VCE ICRC - IERE
VCE = 30-1,65m*2,2k-1,683m*8,2k
VCE =12,569V

-VEE=-15V

=100 iin; Giri evresinden,

IB

VBB VBE
15 0,7

I B 16,96 A
R BB (1 )R E 50k 101 * 8,2k

IC I B 1.696mA ( %2.8)
I E (1 )I B 1,713mA

k evresinden,
0 = -VCC-VEE+ VCE ICRC - IERE
VCE = 30-1,696m*2,2k-1,713m*8,2k
VCE =12,222V
(-%2,83 deiim)

Akm Kazanc Kararl Devre

Yukardaki ngerilimleme devresinde, kolektr akm ve gerilim deerleri akm kazancyla
orantl olarak artmaktadr. Ancak deeri zellikle silisyum tabanl transistrlerde scakla
kar olduka duyarldr. Ayrca nn anma deeri tam olarak tanmlanmadndan
ngerilimleme devrelerinin beta deiimlerinden fazla etkilenmemesi istenir. Aadaki devre
bu tip devreler iin bir rnektir.

R1

RC
C2
AC
k

C1
AC
Giri

VCC

R2

RE

CE

Devrenin zmnde iki temel yntem vardr. Birinci yntem devrede beyz akm ihmal
edilebilecek kadar kk ise uygulanr. Bu yntemde I1=I2 varsaylarak zm retilir. kinci
yntemde ise devre analizi beyz akm dikkate alnarak yaplr. zm tekniinde thevenin
teoreminden yararlanlr.
Yntem 1: Bu yntemde beyz akm ihmal edilebilecek kadar kk kabul edilir. Rin
direncinden akan akmn R2 direncinden ok byk olduu kabul edilir (Rin>>R2). Devrenin
edeeri aadaki ekilde verilmitir. Edeer devrede; R1 ve R2 direnlerinin birletii
noktada elde edilen gerilim, transistrn beyz kutuplama gerilimi olacaktr.
+Vcc
R1

I1
R
I

VCC

in

RE

R1

IB=0
B

I2
R2

VB geriliminin deeri;

RC

IB ihmal edildiinden IE=IC olur.

R2

Rin

VC= VCC ICRC

VCE =VCC-ICRC-IERE

Yntem 2:
Gerilim blcl kutuplama devresinde bir dier yntem ise Thevenin teoremini
kullanmaktr. Bu yntem tam zm sunar. Devrenin Baz ucunun Thevenin edeer devresi
aadaki gibi karlabilir.
+Vcc
RC

R1
R1

I2

RBB

R BB R1//R 2

R2

R2

* VCC
BB R R
1
2

R2

VCC
VBB

RE
I1

Giri evresinden,
-VBB+IBRBB+VBE+IERE=0
VBB VBE
IB
R BB (1 )R E
I C I B
I E (1 )I B

k evresinden,

-VCC+ICRC+VCE+IERE=0
VCE =VCC-ICRC-IERE

RNEK
Yukardaki devrede R1=39k, R2=3.9k, RC=10k, RE=1,5k, VCC=22V olduuna gre,
devreyi tam zm ynteminden yararlanarak =50 ve =100 iin znz.

zm: Devreye thevenin teoremi uygulanrsa,

VB

R2
39k
VCC
22 2V
R1 R 2
39k 3,9k

=50 iin; Giri evresinden,

IB

VBB VBE
2 0,7

R BB (1 )R E 3,545k 51*1,5k

R BB

R1R 2
39k.3,9k

3,545k
R1 R 2
42,9k

=100 iin; Giri evresinden,

IB

VBB VBE
2 0,7

R BB (1 )R E 3,545k 101*1,5k

I B 16.24 A

I B 8,384 A

IC I B 0.812mA

IC I B 0.838mA (%3.2 deg isim )

I E (1 )I B 0,828mA

I E (1 )I B 0,846mA

k evresinden,

k evresinden,

VCE =VCC-ICRC-IERE
=22-0,812m*10k-0,828m*1,5k
VCE =12,638V

VCE =VCC-ICRC-IERE
=22-0,838m*10k-0,846m*1,5k
VCE =12,351V
(-%2,27 deiim)

RNEK:

ekildeki devrede DC analiz yaparak transistrn hangi blgede

altn belirleyiniz.

+12V

RC

2,2K

zm:
Base topraa bal olduundan base-emiter birleimi iletimde
olamaz. Dolaysyla, IB, IC, ve IE sfrdr. Her iki diyot yaltmda
olduundan transistr kesim blgesindedir.

RE

1K

VC = VCC = 12V

RNEK:
DC analiz yaparak transistrn hangi blgede altn belirleyiniz.
VCC

-11V

RC

VE = VEB = 0,7V

1K

b 100
VEB= 0,7
IE
RE

zm:

2,2K

IE

V E E V E 1 1V 0 ,7 V

4 ,6 8 m A
RE
2 ,2 K

IB

IE
4 ,6 8 m A

0 ,0 4 6 3 m A
1 b
101

I C b I B 4 .6 3 m A
I E (1 b ) I B 4 , 6 8 m A
IC . RC = VC VCC VC = VCC + IC . RC

+11V
VEE

VC = -11V + (4,63mA) * (1K) = - 6,37V

VCB < 0 olduundan BJT Aktif blgededir

RNEK:
ekildeki devrede DC analiz yaparak tm noktalardaki gerilimleri ve tm kollardaki
akmlar bularak transistrn hangi blgede altn belirleyiniz. (VCESAT = 0.2V)
zm:

+15V

(1) numaral evre denkleminden;

RC

5K

VBB = RB . IB + VBE + IE . RE
+5V

= RB.IB + VBE + (1 + ) . RE . IB

RB
(2)

IB

33,3K

(1)

RE

3K

V BB V BE
R B ( 1 b ). R

IC = 1.27mA,

5 0 ,7
4 ,3 V

0 ,0 1 2 7 m A
3 3 , 3 K ( 1 0 1 ). 3 K 3 3 6 , 3 K

IE = 1,282mA

VB = VBB RB.IB = VBE + RE . IE

VB = 0,7V + (1,282mA).3K = 4,548V

(2) numaral evre denkleminden;

+15V

RC

VC = VCC RC . IC

5K

= 15V (1,27 mA) *.5K = 8,65V

+5V

RB
(2)

VCB = VC VB = 4,1V

33,3K

(1)

VC > VB olduundan kollektr diyot ters kutuplanmtr.

Dolaysyla transistr AKTF blgededir.
RE

3K

RNEK:
Q1 ve Q2 transistrlerinin hangi blgelerde altklarn belirleyiniz (IB akmlar ihmal
edilecektir).
+15V
R1

RC1

100K

4,3K

zm :
I. Transistre thevenin teoremi uygulanrsa;

Q2

E TH

50K
.1 5 V 5 V
150K

Q1

RTH = 50K // 100K = 33,3K

R2

RE1

50K

3K

RE2

b1b2100

3K

Bu ekildeki ard arda kuplajl devrelerde nce

birinci katn zm yaplarak analizi
tamamlanr. Sonra bu katta bulunur ve kollektr
gerilimi ikinci katn giri gerilimi alnarak ileme
devam edilir. Bu ekilde yaplan zm yaklak
zmdr.

zm:

I B1

Q1 iin;
+15V

5 0 ,7
1 2 ,7 8 A
3 3 ,3 K 1 0 1,3 K

IC1 IE1 = 1,278mA

RC1
4,3K

VE1= IE1 . RE1 = 3,835V

Q2

RTH=33.3K

VCE1 = 4,775V

Q1

VTH
=5V

VB1 = VBE1+IE1.RE1=0,7+3,834 = 4,534V

RE1
3K

VCE1 = VCC IC1 . RC1 VE1 =15 3,835 6,39

RE2

3K

VC1 = VCC IC1 . RC1 = 15 (1,278mA) . 5K = 8,61V

VCB1 = 8,61 4,534 = 4,076V
VC1 > VB1 Q1 AKTF blgededir.

Q2 iin;
VB2 = VC1 = 8,61V
+15V
R1

RC1

100K

4,3K

IE2

V B 2 V B E 2 8 ,6 1 0 ,7

2 ,6 3 6 m A
3K
3K

Q2

VE2 = IE2 * RE2 = 7,91V

Q1

R2

RE1

50K

3K

VC2 = VCC = 15V

VCE2 = VC2 VE2 = 15 7,91 = 7,09V
RE2

3K

VC2 > VB2 olduundan

Q2 AKTF blgede almaktadr.

5.6. TRANSSTRN SALAMLIK TEST

Bir transistr, devrede ya da devrede deilken test edilebilir.
Aadaki basit bir transistr devresinde 4 adet test noktas seilmi ve eitli
arzalar iin olabilecek olas durumlar verilmitir
(4)

Test Noktalar

RC

OLASI DURUM

(3)

(1)

VBB

RB

(2)

VCC

VBB ksa devre

0V

0V

VCC

VCC

VCC ksa devre

VBB

0,7V

0V

0V

RB ak devre

VBB

VCC

VCC

RC ak devre

VBB

0,7

VCC

B-E birleimi ak devre

VBB

VBB

VCC

VCC

B-C birleimi ak devre

VBB

0,7

VCC

VCC

5.6. TRANSSTRN SALAMLIK TEST

Transistor test etmenin en basit yollarndan birisi, transistr devreden kararak
tek bana salamln kontrol etmektir.

Bu amala bir avometrenin diyot konumundan yaralanlr. NPN ve PNP

transistorlerin eik gerilimlerinin okunmas suretiyle bacaklar saptanabilir ve
salaml test edilebilir.

Ko

ll

r
t
k
e

yo
Di

C
Ko

B
Em

ll

r
t
k
e

yo
Di

Hatrlatma:

Emiter diyot eik gerilimi 0,7V

ite

Em
rD

i yo

ite

Kolektr diyot eik gerilimi 0,5V

rD

i yo

5.10. DARLNGTON BALANTI:

Yksek akm kazanc elde etmek iin transistrler darlington olarak adlandrlan bir
balant ekliyle kullanlrlar. ki tip darlington balant mevcuttur.
i. npn-npn Darlington Balants:

VC
IC

Akm Kazanc

VC1
IB1

IC = IC1 + IC2

IC = 1 . IB1 + 2 . IB2

VB

VC2
Q1 IC1

VB1

VE1

IC = 1 . IB1 + 2 . IE1
IC = 1 . IB1 + 2 . (1 + 1) . IB1
IC = IB1 . [1 + 2 . (1 + 1)]

IC2

IE1

VB2
Q2
IB2

IE2
VE2
IE
VE

5.10. DARLNGTON BALANTI:

ii. npn-pnp Darlington Balants:

IE2
IB2
Q2
IB1

IC = IC2 + IE1

IC1

IC = 2 . IB2 + (1 + 1) . IB1

Q1

IC = 2 . IC1 + (1 + 1) . IB1
IC2

IC = 2 . 1 . IB1 + (1 + 1) . IB1
IC = [1 . 2 + (1 + 1)] . IB1

IE1

IC

5.10. DARLNGTON BALANTI:

RNEK:
ekildeki devrede VCE2 = 6V olabilmesi iin
R direncinin deeri ne olmaldr. 1 = 2 =25

+24V
I1
330

IB1

IC1

IC2

ZM:
I1 = I2 ve I1 =IB1 + IC1 + IC2

Q1

= IB1 [1 + 1 + 2 + 1 . 2] = 676 IB1

ktan;
24 6 = 330 I1 + 120 I2 I1 = I2 = 40mA
I B1

18
5 9 .1 7 A
4 5 0 .6 7 6

Giriten; 24 0,7 0,7 = 330 I1 + R . IB1 + 120 I2

R

Q2

2 2 ,6 4 5 0 .4 0 m A
7 7 .7 4 K
5 9 .1 7 A

120
I2

5.11. KASKAD BALANTI

rnek:
ekildeki devrede Q1 ve Q2 transistrlerinin hangi blgede altn belirleyin (IB
akmlar ihmal edilecek).
+12V
zm:

R1
40K

RC
5K

Q2
R2
10K

Q1

Kaskad bal ykselteler yksek giri

direnci ve yksek kazan salamak iin
kullanlrlar. Devrede kullanlan kapasiteler
dc analizde ak devre, ac analizde ise ksa
devre yaplarak zm devam ettirilir.
1 = 2 = 100
VBE1 = VBE2 = 0,7

R3
10K

RE
1K

5.11. KASKAD BALANTI

Yukardaki devre dc analiz iin yeniden dzenlenirse; (IB1 IB2 0 )
+12V

V B1

10K
.1 2 2 V
10K 10K 40K

VE1 = VB1 0,7 = 2 0,7 = 1,3V

IE1

1,3 V

1 ,3 m A
1K

IC1 I

E 1

ve I

E 2

I C 1 o ld u g u n d a n

R1
40K

VB2

VC2
Q2

R2
10K

I C 2 I E 2 I C 1 I E 1 = 1 ,3 m A

5K

VE2
VC1

VC2 = VCC RC . IC2 = 12 5K . 1,3mA = 5,5V

V B2

R2R3
20K
. V CC
.1 2 4 V
R1 R2 R3
60K

VC1 = VE2 = VBE2 0,7 = 3,3V

VC2 > VE2 ve VC1 > VE1
Her iki transistr AKTF blgededir

Q1

VB1
R3
10K

VE1
1K

RNEK
ekildeki devrede V1 ve V2 girilerine karlk VO1 ve VO2 klarnn ne olacan
belirleyiniz (ngerilimleme transistrleri doyumda tutacak ekilde tasarlanmtr).
+VCC

RC

RC
RB3
Q3

VO2

RB1
V1

Q1

RB2
V2

Q2

VO1

V1

V2

VO1

VO2

0
0
1
1

0
1
0
1

1
1
1
0

0
0
0
1

RNEK:

+15V

RC

VBE1 = VBE2 = 0,7

RC

1 = 2 = 60
RB = 10K , RC = 6,8K

V1

V2

VCE1 = VCE2 = 8V ise

IE1 = ? RE = ?

RB

RB
RE

IE

VEE =-15V

+15V

ZM:
RC

RC

(1)
V1

V2

Simetriden dolay;

RB
RB

(2)

RE

15 15

IE

VEE =-15V

1 = 2 = 60, RB = 10K , RC = 6,8K

VCE1 = VCE2 = 8V, VBE1 = VBE2 = 0,7

I E1
* R B V BE1 2 I E1 * R E
1 b1

(1 b 1 ) * ( V C C V C E 1 V B E 1 )
1 ,1 8 m A
b1 * R C R B

V CC V BE 1
RE

b1
. I E1 . R C V CE1 2 I E1 . R E
1 b1

1 5 I B1 * R B V BE1 I E * R E

IE1

IE = IE1 + IE2 = 2IE1

RB
* I E1
1 b1

2 I E1

(2 )

10 K
* (1,18 mA )
61
5 ,97 K
2 * 1,18 mA

15 0 , 7

(1 )

RNEK
ekildeki devrede S anahtar kapal R anahtar ak tutulduunda VO1 ve VO2
gerilimlerinin deerini hesaplaynz
+5V

VCEsat = 0,2

R4
2K

R1
2K

1 = 2 = 50

VO1
VO2

VB = 5V

R2
20K

R3
20K

R5

R6
Q2A

25K

Q2

Q1

Q1A
25K

VB

VB

+5V
R4
2K

R1
2K

1 = 2 = 50
VB = 5V
VCEsat = 0,2

VO1
VO2
R2
20K

R3
20K

R5

R6
Q2A

Q1

Q2

Q1A
25K

25K
S

VB

VB

ZM: I B 2 V B V B E 2 A 5 0 , 7 1 7 2 A
R

25K

IC2 = 50 * 172A = 8,6 mA

I C2 A - sat

5 0 .2
2,4mA
2K

IC2A-sat<ICA2 ve Q2A tansistr doyumdadr. IC2A = 8,6mA sonucu doru deildir.

Q2A doyumda ise: VO2 = VCE2Asat = 0,2V

S anahtar kapalyken Q1 kesimdedir. nk 0,2 Vluk bir gerilim ile kutuplanmtr.

Q1 kesimde olduu iin R4 ve R2 ierisinden ayn akm dolar; IR2=IR4
I B2

V CC V BE 2
5 0 ,7

1 9 5 ,4 A
R2R4
20K 2K

VO1 = VCC IB2 * R4

VO1 = 5 (195,4A) * 2K= 4,61V

RNEK:
Diyotlar ideal olduuna gre verilen giriler iin VA ve VO deerini hesaplaynz. (Q
doyumda olacak ekilde kutuplanmtr)
+5V
D1
V1
D2

RC

RB1

V2

VO
RB2

D3
V3
VA

V1

V2

V3

VA

0
0
0
0
1
1
1
1

0
0
1
1
0
0
1
1

0
1
0
1
0
1
0
1

0
0
0
0
0
0
0
1

VO

1
1
1
1
1
1
1
0

DEV:
ekildeki devrede V1 ve V2 girilerinin lojik bir durumuna bal olarak transistrlerin
doyumda alt kabul edilmektedir (VCE = 0V). Lojik sfr durumunda ise
kesimdedirler. Buna gre;
a)

V1

V2

0
0
1
1

0
1
0
1

VO1

VO2

b) VO1den k alndnda ne tip bir mantk kaps elde edilir

c) VO2den k alndnda ne tip bir mantk kaps elde edilir

?
+VCC
RC

RC2

RB3

RB1
V1

RB2
V2

VO1

VO2