Professional Documents
Culture Documents
www.eemdersnotlari.tr.gg
.g
g
tkanabilen tristr (GTO), bipolar g transistr, g MOSFETi ve yaltlm kapl bipolar transistr (IGBT)
saylabilir. Diyot haricindekiler ileri ynde potansiyele dayanabilir ve dolaysyla kontrol edilebilirler.
ri.
tr
DYOT :
Kaak Akm
~ mA
Anot
tla
leri iletim
P
N
Katod
Sembol
Yap
Karakteristik
m
de
r
sn
o
Ters Tkama
Zener diyodu ; Fark, p-n ekleminin zener yklmasna olanak verecek ekilde ok dar tutulmu
olmasdr. Gerilim referans veya gerilim dzenleyici olarak kullanlrlar.
.e
e
TRSTR :
Anot
I
Tutma akm
Kilitleme akm
Geri kaak
akm
Kap
Ters
delinme
Katod
leri kaak
akm
leri ynde
delinme
Sembol
Yap
Karakteristik
-1-
Kap akm uygulanmad durum iin tristr, iki ynde de iletime izin vermeyen tane seri bal diyot
gibidir. Ters ynde kutuplanma durumunda diyotla ayn davran sergiler. leri ynde kutuplamada yani anot
pozitif iken, merkezdeki kontrol jonksiyonunun delinme gerilimi almadka sadece kaak akm akar. Delinme
gerilimleri iki yn iin de ayndr. Ters kutuplama durumunda katod P-N jonksiyonu 10Vda delindiinden tm
.g
g
I
leri iletim
ri.
tr
Ters
Tkama
Ig
tla
sn
o
Anot akm kilitleme akm seviyesini geer ve tutma akmnn altna dmezse tristr iletimde kalr ve bu andan
itibaren de kap akm kaldrlabilir.
Ianot
m
de
r
gemesine
geen
bir
srede
ileri
ynde
gerilim
.e
e
Tristrn kap-katot ular karakteristii zayf P-N jonksiyonununkine benzer. rnden - rne
VG
Yksek diren
snr
fonksiyonudur.
Kap akm ve geriliminin min. ve max.
deerleri vardr.
IG
60 C
30 C
Minimum tetikleme
limitleri
Kap Akm
-2-
VG
Karakteristik st snr
.g
g
Max. Gerilim
IG
Tristr
ri.
tr
snmdeyken
gerilimini
tla
Maksimum g
snr
sn
o
R2
VG
Tristr karakteristii
IG
m
de
r
RG
kap
A
Yk Hatt
VG
IG
E/RG
.e
e
Devrenin Thevenin edeeri de yukardadr. Edeer devredeki gerilim ve akm miktarn belirlemek
amacyla tristrn karakteristii ile Thevenin edeerinin oluturduu yk hattnn kesiim noktas belirlenir.
V G ile I G arasndaki iliki ; E ve R G nin oluturduu yk hatt tarafndan belirlenir. Tetikleme sinyali
uygulandnda kap akm karakteristik boyunca ilerleyerek P noktasna ular. Ancak P noktasna ulalmadan
(tahminen A noktasnda) tristr iletime gemi olur. letimin kesin olabilmesi iin tetikleme devresinin
elemanlar yle seilmelidir ki alma noktas olan P, maksimum g snr ile A noktas arasnda kalsn.
anot akmnn kilitleme seviyesine ulaabilecei uzunlukta hzl ykselme zamanna sahip darbe retebilen
tetikleme devreleriyle elde edilir. Darbe kullanlmasnn nedeni kapda daha az g harcanmasna ve tetiklenme
annn daha iyi belirlenmesine imkan vermesindendir.
-3-
10V
AC Besleme
Yk hatt
Gecikme
Zaman
50
1A
IG
Yk Hatt
Tetikleme Derbeleri
ri.
tr
Darbe ekli
.g
g
VG
10Vluk kaynaktan 1A akma ulaabilecek bir darbedir. Ancak ou uygulamada 10s uzunlukta, 1sde 2Va
tla
Tetikleme devresi art arda darbeler retebilmelidir. Baz uygulamalarda katodlar farkl potansiyele
sahip iki tristr ayn anda tetiklenmelidir. Bu durumda devre iki veya daha ok izole k olan trafo iermelidir.
sn
o
Ters ynde darbe uygulamasndan kanlmaldr, yoksa daha ok g harcanr. Ayrca tristr ters kutupluyken
kap akm uygulanrsa bu kaak akm artrr.
m
de
r
Vyk
VL
R
Vbesleme
.e
e
ig
bal olduundan her periyot deiebilir, tristrn scaklna ve dier deiimlere bal olarak. Ayrca tam
o
Basit ama pratikte kullanlabilecek tetikleme devresi aada grlmektedir. Devre AC kaynaktan
beslenir. R 1 e bal olarak C 1 exponansiyel ekilde
R2
R1
C1
-4-
R 1 in ayarlanmasyla 180 ye kadar gecikme elde edilebilir. Bu tr bir devre ile omik ykler kontrol
edilebilir. R 1 e eklenecek ek devrelerle de uzaktan otomatik kontrol salanabilir. htiyaca uygun olarak daha ok
.g
g
G kontrol eleman olarak tristr ieren daha karmak sistemler ; kapal evrim linkler, ok fazl
ri.
tr
besleme, motor tork seviyesi ya da akmnn otomatik kontrol, farkl gruplarn ayn anda tetiklenmesi sonucu
yanl almay nleyici dngler v.s. ierirler. Kontrol karakteristii, tetikleme gecikme as ile giri gerilimi
arasnda tanmlanan ilikiyi verecek ekilde olmaldr. Aada byle bir kontrol ve tetikleme devresi diyagram
tla
olarak gsterilmitir.
Dier Kontrolclerden
Senkronizasyon Sinyali
m
de
r
sn
o
Ge Darbe retimi
.e
e
Tetikleme iin AC
besleme referans
-5-
Tristr
kaplarna
TRYAK :
Terminal T2
T2
.g
g
Ig = 0
N
Ig = 0
ri.
tr
Kap
Ig
T1
Terminal T1
Sembol
Tristr Edeeri
Triyak Karakteristii
tla
Yap
Triyak be katmanl, her iki ynde de P-N-P-N yoluna sahip ve dolaysyla iki ynde de iletebilen
elemandr. Triyak pozitif ya da negatif kap akmyla iletime geebilir. T 2 pozitifken pozitif, T 1 pozitifken
sn
o
negatif uygulamak daha iyidir, ancak pratikte her ikisi iin de negatif darbe uygulanr.
Tristrn bulunmasndan sonra iki yeni rn daha icat edildi. Bunlardan birisi ters ynde daima iletimde
olan ancak daha ince silikon kullanlmasyla daha ksa srede tkamaya geebilen asimetrik tristrdr. Bu tristr
m
de
r
inverter devrelerde kullanlr. Birka s iinde devreye alnp karlabilir. Dier bir eleman kap akmn
uygulayp kesmekle iletime sokup karlabilen GTO tristrlerdir.
A
P+
N+
P+
N+
P+
N+
P+
N
P
N+
N+
.e
e
N+
birbirine
yakn
ve
dar
kanallardan
GTOlar
da
yaplmtr.
GTOlar
karmak
Yap
Sembol
akm enjekte edilir. Sndrmek iin ise katod - kap ynnde 10V
seviyesinde gerilim uygulanr. Snm iin geecek akm anot akmnn
On
Off
1/5i veya 1/3 kadar olmaldr. Bu akm 1sden daha az bir zamanda
salanacandan Anot geriliminin artn snrlamak iin kondansatr
balanr.
Gerilim
Kayna
Akm
Kayna
-6-
Yandaki
R1
+15V
T1
basit
kap
kontrol
devresi
C1
C2
Kontrol
D1 (12 Volt)
.g
g
T2
devrede
On Off
G Transistor :
Collector
IC
tla
IB artyor
IC
IB
VCE
N
P
m
de
r
Emitter
Yap
Sembol
Belirli IB
deerleri
Doyma
Gerilimi
sn
o
Base
ri.
tr
0V
Ters
Delinme
IB = 0
Kaak
Akm
Delinme
Gerilimi
VCE
Bipolar transistr 3 katmanl NPN veya PNP yapda g transistrdr. alma aralnda I C , I B nin
fonksiyonudur. Belirli bir V CE iin baz akmndaki deime kollektr akmnda katlanm olarak grlr. Bu
oran 15 100 kat arasndadr. Ters gerilim uygulanan bir transistrn baz emiter jonksiyonu 10V civarnda
.e
e
10
IB
Yk
IC
-7-
IC
Ksa devre
IB => yksek
IC => devreye bal
200
100
Ak devre
IB = 0
.g
g
50
Gvenli letme
Blgesi
VCE
IC
IB
VCE
0.1
10
50
100
tla
ri.
tr
10
500
sn
o
VCE (ani)
m
de
r
.e
e
G Mosfeti ;
Drain
Metal Kontak
Drain
N+
ID
Diyot
Akm
P
N+
VGS
9V
Gate
P
N+
ID
Transistr
Akm
N+
7.5V
VDS
G
N+
6V
VGS
4.5V
ID
Silikon Dioksit (SiO2)
Metal Kontak
Gate
3V
Source
Source
-8-
VDS
G Mosfeti (metal oksit yar iletken alan etkili transistr) bipolar transistrden farkl olarak gerilimle
kontrol edilir. V GS sfr iken MOSFET kesimdedir. Yaklak 3V uygulannca iletime geer. Dk V DS
.g
g
deerleri iin MOSFET sabit diren zellii gsterir. G kayplarnn az olmas iin g mosfeti bu blgede
alr. Kap gerilimi Drain akm snrnn yk akmndan daha byk olmasn salayacak byklkte tutulmal
ancak 20Vu gememelidir. MOSFETin ama kapama zaman 1snin altndadr. letim esnasndaki direnci
100Vluk MOSFET iin 0,1 ; 500Vluk MOSFET iin 0,5dur. G MOSFETleri dorudan mikro
ri.
tr
elektronik devrelerce kontrol edilebilir. Tristrden daha az gerilim seviyelerine sahip olmasna ramen daha
hzldr. 100Vdaki iletim kayplar tristr ve transistrden daha fazladr, ancak anahtarlama kayplar ok daha
azdr.
IGBT ( Yaltlm Kapl Bipolar Transistr ) ;
C
P+
N+
tla
N-
P
N+
P
N+
N+
N+
sn
o
+15V
m
de
r
E
C
-15V
On
Off
.e
e
bipolar transistrden daha azdr ( 0,15s ) ve MOSFETe benzer. letimden k zaman 1sdir. ( P N Pye
benzer). IGBTlerin anahtarlanmas yukardaki ekilde grld gibi yaplr. Yke bal olarak sndrme
ok hzl anahtarlama yapabildiinden mikrodalga frekanslar seviyesinde kullanlr. Normalde kesimde olan
SITde imal aamasndadr.
-9-
.g
g
Buraya kadar elemanlar ve karakteristiklerini inceledik. Ancak bir g yar iletken elemannn etiket
deerleri oluturulurken ok deiik boyutlarn gz nne alnmas gerekir.
ri.
tr
IF
di
dt
trr
tla
Zaman
verilen I
Alan = Qrr
Irr
sn
o
olacaktr. Tristrn iletime gemesi kap akmyla salanyordu. Ancak ileri ynde gerilim art hz belirli bir
deeri aarsa trisrn iletime gemesi mmkndr. Tristr jonksiyonunu kapasitr gibi dnecek olursak,
i=C
dv
olacaktr. Yeterince yksek bir dv/dt oranyla (
dt
m
de
r
rnein 100V/s ) bu akm tristr tetikleyerek iletime geirebilir. Dolaysyla belirli bir tristr iin almamas
gereken bir dv/dt deeri vardr.
Tristrn iletime gemesi ncelikle kap elektrodu civarnda olur. Toplam anot akm aniden geecek
olursa ar snma nedeniyle tristr yanabilir. letime geme esnasnda akmn tm yzeye yaylabilmesi iin
belirli bir zamana ihtiya vardr ( tipik olarak 10s ) Bu sebeple bir tristr iin akm art hz belli bir dI/dt
deerini amamaldr.
.e
e
deerini amamaldr. Bu nedenle jonksiyondan tabana olan termal direncin belirli bir deeri vardr.
Bir elemann nominal akm deerini, oluturaca jonksiyon scakl belirler yani kayp gcn bir
fonksiyonudur. Tanan akmn tipi kayp gc etkileyecektir. Eer sinsoidal bir dalga sz konusu ise referans
verilir.
deer kullanlabilir. zel bir dalga ekli iin ise 180 lik iletimde ortalama dalga deeri etiket deeri olarak
Ksa sreli ar yk durumu iin her elemann bir tolerans vardr. Ar yk iin s artna sebep
olacandan cihaz yanabilir. G kayb s artnn gstergesi olup akmn karesiyle orantldr. Bu sebeple
belirli bir eleman iin
i dt
2
belirli olmaldr.
Bir elemann ileri ve ters ynde uygulanabilecei maksimum gerilim snr vardr. Bunlar repetitive
peak reverse and peak forward voltages olarak tanmlanr. Ayrca periyodik olmayan ar gerilimler de sz
konusu olabilir. Dolaysyla bir elemann delinmeden dayanabilecei bu tr gerilimlere ait deeri de vardr.
- 10 -
letimdeki bir elemann geirdii akm miktarna bal olarak belirli bir gerilim dm deeri vardr.
Bir g transistr iin etiket deerlerinde, kollektr baz akm kazanc, frekans ve anahtarlama
zaman bellidir.
.g
g
Bir tristr iin kap devresiyle alakal olarak akm, gerilim g snrlamalar vardr.
Belirli bir eleman iin geici ve kararl hallerde sahip olunan etiket deerleri ok deikendir.
Belirleyici unsurlar ; gerilim, akm, anahtarlama zamanlar, kontrol parametreleri, kayplar, scaklk deerleri vs..
Bunlar kataloglarda verilmitir.
ri.
tr
KAYIPLAR VE SOUTMA
1 letim kayplar ; letim akmnn ve gerilim dmnn fonksiyonudur. Dk frekanslarda ana kayp
kaynadr.
tla
4 Anahtarlama kayplar ; letime ve snme geme esnasndaki kayp enerji. Yksek frekans
sn
o
uygulamalarnda nemli.
m
de
r
Alan = G x Zaman
kayplarnn
toplamnn
frekansla
g iletim kayplaryla anahtarlama kayplarnn toplamna eittir. Bu kayp cihazda s retimine neden olarak
scaklk art oluturur. Jonksiyonda retilen s nce cihaz tabanna oradan da soutuculara transfer olur. Bu
.e
e
transfer s seviyesinin dk olmasyla radyasyonla deil konveksiyonla olur. Is seviyesine bal olarak hava
veya suyla soutma tercih edilebilir.
Is transferi yksek scaklkl blgeden dk scaklkl blgeye doru olur ve scaklk farknn termal
Jonksiyon s
gc girii
Hava
Tvj = Ta + PR ja dr.
Rjb
Taban
Scakl
Tb
Rbh
Soutucu
Scakl
Th
Rha
evre
Scakl
Ta
- 11 -
depolama
kapasitesi
dikkate
alnarak
hesaplanmaldr. retilen snn bir ksm elemanda depolanrken bir ksm da transfer edilir.
Bu
durumda
C bana yaylan g.
.g
g
max = P / B
ri.
tr
= max (1 e t / T )
T = A / B (Termal zaman sabiti) eklinde olur. Bu denklem homojen malzeme iin geerlidir.
Tristrde ise jonksiyon blgesinde g kayb dalm uniform deildir. Ayrca silikon s iin iyi bir iletken
deildir. Bu sebeple scaklk art miktarlar kalc hal ve geici hal iin ayn olmayacaktr.
tla
max 2
Bir
eleman
ancak
imalat
sn
o
Bu sebeple ar yk ancak
max 1
m
de
r
Zaman (t)
Z th kullanlr.
.e
e
Normal
artlarda
kadar
Ar yk
t1 T
deerine
- 12 -
Pratikte uygun eleman seimi uygulamadan uygulamaya deiir. Uygulamada kriterler ; cihaz etiket
deerlerine, iletim kayplarna, anahtarlama kayplarna, anahtarlama zamanlarna, kontrol stratejilerine ve
maliyete bal olarak belirlenir.
.g
g
Tristr elemanlar iinde en yksek akm ve gerilim seviyesine sahiptir, dayankldr, dk iletim kayplar
vardr ve ucuzdur. Ancak iletime geii yavatr, snm yke baldr. Yksek g ve gerilimlerin olduu 50,
60 Hz uygulamalar iin idealdir.
ACden DC eldesinde ya da switch mode g kaynaklarnda hzl anahtarlama deeri aranr ve ters
ri.
tr
kutuplamada tkamaya ihtiya yoktur. Buralarda bipolar g transistr IGBT, MOSFET, GTO, MCT
kullanlabilir. 100kHzin zerinde ancak MOSFET kullanlabilir. 100kHze kadar bipolar transistrle IGBT
dk maliyeti, dk iletim kayplar sebebiyle MOSFETe kar tercih edilirken anahtarlama kayplar
MOSFETden fazladr. 15 kHze kadar tristr ; GTO yada asimetrik tristr kullanlr.
o
tla
Ksa devreye kar koruma tristr ailesiyle ok kolaydr. Bu, transistrlerin yksek akm ve gerilimlerde
sn
o
5kV
.e
e
4kV
m
de
r
Tristr
3kV
IGBT
Akm
1kHz
1kV
10kHz
2kV
GTO
100kHz
1Mhz
500A
1000A
1500A
Frekans
- 13 -
2000A
3000A
.g
g
alternatif akm dalgalanma bileeni ierir. Aada bahsedilen devrelerin tamam DC gerilim
vermesine ramen ; ktaki AC dalgalanmas, ortalama gerilim seviyesi, verimi ve AC
beslemedeki ykleme tesirleri asndan farkllk arz ederler.
ri.
tr
Dorultucu devreleri yarm dalga ve tam dalga balantlar olmak zere iki grupta
tanmlanabilir.
Yarm Dalga Devreleri : Bu devrelerde AC beslemenin her hattna bir dorultucu eleman
tla
balanr ; elemanlarn katodlar DC yke ve ykn dier ucu da AC beslemenin ntr ucuna
balanr. Akm ak her hatta tek ynldr. Tek yollu devre de denilir.
sn
o
Tam Dalga Devreleri : Biri yk besleyen, dieri de yk akmn AC hatta dndren iki adet
yarm dalga devresinin seri balanmasndan olutuundan, ntr hattna gerek yoktur. Kpr
devreleri ya da ift yollu devreler olarak da adlandrlr.
m
de
r
.e
e
saysn ifadede kullanlan bir terimdir. rnein 6-darbeli devrenin k dalgalanmas giri
-1-
A.C
Dorultucu
besleme
.g
g
Yk
ri.
tr
Komtasyon diyodu
tla
sn
o
Yk
m
de
r
(a)
Vmax
.e
e
Vort
Vort
Ortalama gerilim :
1
Vmax sin d
2 0
ou DC ykler (DC motorlar)
iL
Vort = Vmax / =
= t
Vmax
(b)
(c)
-2-
Ancak DC dalgalanmalar istemeyen kayplara yol aar. Devredeki diyodun seimi iin hem
akm hem de gerilim dikkate alnmaldr. Yklerin neredeyse tamam ; endktans ierir. Bu
durumda ekil 2.2(c) dalga ekilleri elde edilir.
1
=
2
max
.g
g
di L
dir. Buradan akm dalga ekli elde edilebilir. Gerilimin
dt
ri.
tr
Yk Gerilimi : V L = Ri L + L
iT
iL
iD
Tetikleme
Devresi
Yk
tla
ig
R+jXL
ekilleri grlmektedir.
Komtasyon Diyodu
(a)
sn
o
yk akm ve gerilimi
deimektedir. Akm seviyesi
Vmax
S
ig
m
de
r
Vmax
iL
Vort
.e
e
iT
Vort
Vort =
Vmax
(1 + cos ) olur.
2
olur.
Vmax
Vmax
(c)
1
Vmax sin d
2
iD
(b)
Vort =
-3-
T1
i1
iL
T2
Yk
i2
R+jXL
iS
.g
g
ig1
T1
ri.
tr
(a)
Vmax
Yk Gerilimi
Vort
tla
sn
o
= t
ig1
Tetikleme
Darbeleri
iL
i1
i2
Yk Akm
Tristr
Akmlar
AC besleme akm
iS =(i1 - i2)xN
.e
e
iS
m
de
r
ig2
T1
Tristr Gerilimi
T1 = 1 - L
Vort =
max
sin d =
2Vmax
cos
(b)
yaplrken yk endktansnn ; yk
akmnn srekli kalmasn
darbelidir. Gerilimin ortalama deeri dtke yk akm dalgalanmas artar ve kesintili hal
alr. AC besleme akm da non-sinsoidaldir ve gerilime gre geridir. (endktif)
-4-
Vmax
L
.g
g
Yk
(a)
1
1/2 Vmax
L
Yk
Vmax
L
iL
Yk
i1,i2
Ykn altndan
ntre olan gerilim
Vort
Yk gerilimi
= t
sn
o
tla
(b)
ri.
tr
Ykn tepesinden
ntre olan gerilim
Yk akm
Diyot akmlar
i3,i4
(c)
iS
D1
i1
i3
D1
D3
Yk
i4
Diyot gerilimi
Vmax
D2
D4
(d)
D1
iL
m
de
r
iS
Besleme akm
iS = i1 - i4
(e)
i2
.e
e
uygulamalarnda ekil 2.7(c) gsterimi kullanlr. Tek-Faz kpr balants iki tane yarm
dalga balantsnn seri balanmasndan elde edilmitir. (ekil 2.7 (b)) ekil 2.7 (e)de dalga
ekilleri grlmektedir. Yk akm sreklidir. Bir periyot ierisinde iki tekrar sz konusu
-5-
i3
ig3
T1
1
y
Yk
iS
ig2
ig4
i4
Tetikleme
Devresi
R+jXL
T2
T4
Katod
Kap
T2
i2
Katod
tla
x
2
Kap
iL
T3
T1
ri.
tr
i1
T1
.g
g
ekil 2.8deki devrede T1 ve T2 , T3 ve T4 grup halinde her yar periyotta ayn anda
Ykn tepesinin
N'e gre gerilimi
Ykn tabann
N'e gre gerilimi
m
de
r
Tetikleme
Darbeleri
ig3,ig4
x
Vort
Yk akm
.e
e
i1,i2
Tristr akmlar
i3,i4
Ortalama deeri ;
Yk gerilimi
= t
iL
ig1,ig2
Vmax
sn
o
1/2 Vmax
iS
Besleme akm
iS = i1 - i4
Vmax = PFV
T1
Tristr gerilimi
Vmax = PRV
-6-
Vort =
2V max
cos dr.
.g
g
aslnda iki yarm dalga devresinin eklenmesinden olumutur. Yke giren akm tristrlerden
geerken dn yolu da diyotlarla salanmaktadr. nceki konuda olduu gibi bir N (besleme
ntr) noktas tanmlayarak ve yk ularnn bu noktaya olan potansiyel deiimlerini
ig1
i3
ig3
T3
T1
1
x
2
iL
iD
Yk
iS
ig2
ig4
D2
D4
i4
Komtasyon
Diyodu
i2
(a)
Yk tepesinin N'e
gre potansiyeli
Yk tabannn N'e
gre potansiyeli
m
de
r
ig1,ig2
Tetikleme
Darbeleri
ig3,ig4
Vmax
L
Yk gerilimi
Yk akm
.e
e
iL
akm
D2
T3
i3,i4
durumda
i1,i2
Vort
= t
R+jXL
sn
o
1/2 Vmax
Yk
tla
i1
T1
ri.
tr
Komtasyon
Diyodu Akm
iD
tristr
tetiklenmeyeceinden
kadar
bu
sre
iS
A.C. Besleme
akm
(b)
-7-
zamanda
komtasyon
max
sin d =
Vmax
(1 + cos ) olur.
.g
g
Vort =
Yar kontroll devre, tam kontrollye gre daha ucuzdur, ancak AC besleme akm daha ok
ri.
tr
harmonik ierir. Ayrca yar kontrollde ortalama gerilim negatif deer alamaz.
tla
alan snrldr. Anlatm kolayl bakmndan burada yldz bal olduu kabul edilecektir.
sn
o
Yldz Bal
Sekonder
D1
i1
i2
i3
D2
D1
D3
IL
V1
m
de
r
V2
Yk
V3
VL
(a)
Vmax
Yk gerilimi
olmaz
Vort
.e
e
Yk akm
iL
Ortalama Gerilim :
Diyot
Akmlar
i3
Diyot Gerilimi
D1 = 1 L
D1
iL
i2
= t
i1
3 Vmax
5 / 6
Vort
1
3 3
=
Vmax sin d =
Vmax dr.
2 / 3 / 6
2
I RMS = I L / 3
olur.
(b)
kalaca gerilim
-8-
3Vmax dr.
Diyotlarn
maruz
Yani fazlar aras gerilim kadardr. Ayn devrede diyot yerine tristr kullanlarak tam kontroll
balant elde edebiliriz. tetikleme as 120 0 farkla her faz tristrne uygulanarak Vort
ayarlanabilir. = 0 iin Vort en yksek deerindedir.(diyot durumu) nn balangc iki faz
ig1 i2
i1
T1
ig2 i3
T2
ig3
.g
g
T1
T3
iL
V1
V2
Yk
VL
ri.
tr
(a)
Vort
> 30 0 den
L
= t
Vort
itibaren
tla
Vmax
negatif
ani
ig2
sn
o
ig1
(c)
Vort
ig3
iL
iL
i1
m
de
r
i3
(d)
T1
( 5 / 6 ) +
max
sin d =
( / 6)+
3 3
Vmax cos
2
Vort
i2
1
=
2 / 3
artacandan
yk
3 Vmax
(b)
.e
e
altda biri iletimdedir. Diyot durumunda dalga ekli faz gerilimlerinin tepesi olup 6 darbelidir.
( 2 / 3) +
max
( / 3) +
sin d =
Vort =
-9-
i1
T1
T2
Yk L
iL
T6
T5
T4
T3
periyot
iletimde
verimsiz
olabileceinden
kullanlm
.g
g
olur
ve
ri.
tr
2 3 4
Yk gerilimi
Vmax
Vort
= t
tla
kullanlr.
iL
i1
sn
o
Tristr akm
T1
Tristr gerilimi
m
de
r
T1 = 1 L
2Vmax
(b)
.e
e
i2
i4
D2
i6
D4
iy
Trafo Primeri
ia
D5
R
iL / 2
4
i1
i5
D6
ib
3
ekil 2.16 6 Faz Fork Balants
i3
D1
1
5
iL / 2
Sekonder
nterfaz trafosu
(Reaktr)
(a)
- 10 -
Sekonder
D3
iL
Yk
ift yldz balants : ki bamsz 3 fazl yarm dalga devresinin 6 darbeli k vermek zere
paralel almasndan ibarettir. Her bir yldz grubu birbirine 180 0 faz farkyla beslenir. Eer
.g
g
yldz noktal interfaz trafosu yerine dorudan irtibatlandrlsayd, basit 6~ yldz balant
yaplm olurdu. nterfaz trafosu aslnda bir reaktrdr ve yk akmnn dn reaktrn orta
ucuna yaplmaktadr.
ekil
Sa el yldz
3~ k
5 6
dalga
ekilleri
Sol el yldz
3~ k
ri.
tr
Vmax
1 2 3 4
2.17(b)deki
Yk Gerilimi
tla
Yk Akm
iL
iL /2
i2
i3
sn
o
iL /2
i1
Diyot
Akmlar
i4
m
de
r
i5
i6
ia
ia = (i1 - i4) *
Dntrme Oran
ib
.e
e
ib = (i3 - i6) *
Dntrme Oran
3 3
Vmax
2
ki
grupta
birbirinden
iy = ia - ib
Vmax/2
Vort =
iy
3
)Vmax
2
Reaktr
Gerilimi
- 11 -
yldz bal 6~l devreye dnm olur. Bunu nlemek iin dorultucu ularna kk
deerli daimi bir yk bal bulundurulur. Reaktrn grevini yerine getirmedii durumda
devre 6~l devre gibi davrandndan diyotlar 2Vmax a dayanacak ekilde seilir.
Yk gerilimi
3~l k
3~l k
(Dier Yldz)
gerilimleri
= 90
Yk gerilimi
Yk
(a)
Vmax
Diyot
.g
g
ri.
tr
yine
arasnda
iki
yldz
grup
orta
yolu
takip
tla
Vmax
sn
o
(b)
trafosunun
time
gerilim
deiimi
kareye
m
de
r
(c)
tam kontroll devrede kullanlacak interfaz trafosu fiziksel olarak 3 kat byk olacaktr.
.e
e
3~l
Besleme
Yk
yarm
dalga
balantsyla
beslenirken
balantsyla
salanmaktadr.
Ntr
- 12 -
i'b
i'a
D5
D3
Trafo Primeri
i5
i3
D1
ia
iy
i1
VD1
ib
D6
D4
i4
D2
i6
i2
(a)
Vfaz (max)
grlr.
arasndaki
Maksimum
eittir.
Devre
ri.
tr
deerine
Vort
Yk Gerilimi
Yk Akm
iL
tla
= t
iL
kullanmann
i2
sebebi
3.
harmonii
Diyot Akmlar
i4
sn
o
i3
deeri :
Vort = 2
i5
i6
3 3
3
VFAZ (max) = V HAT (max)
ia
m
de
r
ia = i1 - i4
ib
ib = i3 - i6
ic
AC Besleme
Akmlar
(Sekonder)
ic = i5 - i2
iy
iy = (ia - ib)*
.e
e
Dntrme Oran
D1
potansiyelleri
olduu
max
Yk tabannn N'ye
noktasna
Yk tepesinin N'ye
gre potansiyeli
= t
gre potansiyeli
i1
fark
Vhat (max)
.g
g
ic
bunlarn
gerilim
dm
ihmal
yk
akmnn
tamamn
dalga
ekli
1~l
kpr
Vhat (max)
kontroll
(b)
yaplabilir.
Dolaysyla
- 13 -
ia
Yk
ig2
T2
ig6
T6
ig4
T4
i4
i6
i2
(a)
Vfaz (max)
.g
g
i5 ig5
T5
i3 ig3
T3
L
= t
= t
ri.
tr
i1 ig1
T1
Vhat (max)
Vort
devresinde
a - b b - c c - a
a - c b - a c - b
ig2
Vhat (max)
ig3
devrelerde
tla
ig1
dier
konusudur.
Vort
i1
Devrenin
sz
ilk
sn
o
i4
ia
(b)
(c)
m
de
r
gibi dier tristr iletime alnrken bu tristre yine tetikleme uygulanmas zorunluluu vardr.
Bu sebeple balangta her bir tristre iki kez (fakat belirli aralklarla) tetikleme uygulanr.
alma dzene kavuunca bu uygulamaya gerek kalmaz, ancak devam edilmesi de saknca
oluturmaz.
Tetikleme gecikmesi artarsa (ekil 2.22 (c)) 3 darbeli iki dalga ekli izerek yk
.e
e
geriliminin dalga ekli deiimini anlamak gleir. Bu sebeple faz geriliminin farkndan
oluan 6 hat gerilimleri ile dalga ekli elde edilebilir. Yk geriliminin ortalama deeri :
Vort =
V HAT (max) cos dr. (ki adet seri tristr gerilim dm ihmal edilirse) 6 tristr yerine
3 tristr ve 3 diyot kullanlarak ve 3~l yarm dalga balants yaparak yk gerilimi kontrol
edilebilir. 1~l yarm dalga balantsnda olduu gibi komtasyon diyodu kullanlarak ekil
2.23 (a)daki devre edilir. Gerilim dalga ekilleri incelendiinde; iki adet 3 darbeli dalgann
stte olan kk tetikleme darbesi gecikmeli olduu, dierinin ise diyot durumu dalga ekli
olduu gzlenir. Aradaki fark yk gerilimi V2 yi verir. Bu durumda dalga ekli 3 darbeli olup
tam kontrollye gre daha fazla harmonik ierir.
- 14 -
i1
a
T5
T3
iD
Akm
iL
ia
Yk
b
D6
D4
i4
(a)
geciktirilmi,
ancak
tamamlayan
D4
fazda
L
= t
ift
Vort
i1
Bu
ebeke akmnda
olumas
harmoniklerin
i1
st
i4
i4
ia
iD
dalga
formu
alt
dalga
iL
m
de
r
ia
(b)
grlr.
sn
o
iL
diyodunun
tla
Vort
devreyi
simetrisizlik oluacaktr. Bu da
Vhat (max)
olduu
nedenle i a
gre
gerilimine
ri.
tr
Vfaz (max)
ekilleri
Komtasyon
Diyodu
D2
dalga
.g
g
T1
ierir.
Sfr
blgelerde
yk
(c)
akm
komtasyon
diyodu
zerine alr.
.e
e
Vort =
Tam
kontroll
devreyle
olmayan, fakat yk gerilimi ve besleme akmnda daha ok harmonik oluturan bir devredir.
- 15 -
11
(a)
1
1
.g
g
9
10 11 12
Zaman
3
5
Sekonderler
10
12
(a)
6
4
ri.
tr
Yk
Primer
(b)
sn
o
Yk
tla
Primer
(b)
iL / 2
iL
m
de
r
iL / 2
nterfaz
Trafosu
(c)
Yk
.e
e
yaygn
12-darbeli
balant
anda iletimdedir. ekil 2.25 (b) ve (c)de tam dalga balantlar 2 adet 3~l kpr devresinin
klarnn seri veya paralel balanmasndan elde edilmitir. Bu iki balantda da trafo biri
gen dieri yldz bal olmak zere iki adet sekonder sargsna sahiptir. Bu sebeple iki
kpr devresini besleyen gerilimler arasnda 30 0 faz fark vardr. ekil 2.25(b)deki balant
yksek gerilim eldesi iin kullanlr. Diyot seimi bulunduu kpr devresinin deeri dikkate
alnarak yaplr. Yksek akm gerektiren uygulamalarda ekil 2.25(c) tercih edilebilir. Bu 12
darbeli balantda olduu gibi 3 faz bloklar kullanlarak daha yksek darbeli balantlar
yaplabilir. ekil 2.25deki devrelerde tristr veya tristr-diyot kombinasyonlar kullanlarak
tam veya ksmi kontroll devreler oluturulabilir.
- 16 -
trafo
ekirdeinin
farkl
ayarlarna
balanabilir.
Bu
nedenle
trafo
.g
g
ri.
tr
dalga eklinin daha iyi olmas ve farkl ayaklarla irtibatl sarglardan olumu fazlarn olmas
sebebiyle byledir. Fork balantsnda sekonder sarg primer sargdan daha byk boyutludur.
veya daha fazla sekonder sargnn bir tek primer sargyla irtibatl olduu trafolarda; sarg
tla
sn
o
uzunlukta olmaldr, bylece magneto motor kuvvet dengesi salanr. Aksi takdirde ar
mekanik zorlamalar sz konusu olur.
2.11 ZET :
m
de
r
doru seimi yapabilmek iin deiik devreler zerine karlatrma yapma imkan
salanmtr.
Bir dk gerilimli yk iin (mesela 100V), gerilim deerleri diyot ve tristr etiket
deeri asndan nemli bir gerilim stresi oluturmayacaktr. Ancak bu gerilim seviyesinde;
yarm dalga balantsndaki bir diyot gerilim dm ile tam dalga balantsndaki iki diyot
.e
e
Bir yksek gerilimli yk iin (mesela 2kV) kpr devresi tercih edilmelidir. nk
yarm dalga devresinde diyot ya da tristr etiket deeri daha byk seilecektir. Yksek
ekilecek akmn grlt oran snrlandrlr. Ek olarak daha byk yklerin fazda
beslenmesi iin sebepler vardr.
Ortalama gerilimin ters evrilmesi istenen yerlerde tam kontroll balants
kullanlmaldr. Bu gerekmiyorsa yar kontroll kullanmak daha ucuzdur, ancak akm ve
- 17 -
.e
e
m
de
r
sn
o
tla
ri.
tr
.g
g
getirilmitir.
- 18 -
.g
g
anlatlan devrelerin bazlar hem redresr hem de inverter olarak alabiliyordu. Dolaysyla
ri.
tr
tla
2. Blmde bir diyottan (ya da tristr) dierine akm transferinin (komtasyon) bir
anda gerekletii kabul edilmitir. Pratikte ; besleme kaynann diren ve entktansnn
dahil edilmesiyle akmn bir elemandan dierine transferi belirli bir zaman alr. Transfer eden
i1
i2
D2
D1
i3
D3
sn
o
IL
V2
m
de
r
V1
Yk
VL
V3
(a)
V1
.e
e
Vmax
V2
V3
VL
uygulanabilir.
IL
i1
i2
i3
(b)
-1-
i1
i2
IL
D2
ri.
tr
D1
.g
g
olur.
V2
V1
L
D1 den D2 ye
akm komtasyonu balangc
V2
V1 - V2
V 2 - V1 = L
di
di
+L
dt
dt
olur.
sn
o
V1
tla
3 V max olup
eitlik :
m
de
r
zaman (t)
di =
3Vmax
sin tdt haline gelir.
2L
3Vmax
cos t
bylece ;
+ C ve t = 0da i = 0dan C =
(2L)
3Vmax
2L
i=
3Vmax
(1 cos t ) komtasyon bitiminde i = I L ve t = ayrca L = X (kaynak
2L
.e
e
i=
reaktans) olup ;
3Vmax
2I X
(1 cos ) ya da cos = 1 L bulunur.
2X
3Vmax
IL =
Komtasyon sresince 3~l grubun iki faz aslnda fazlar aras ksa devreye maruz kalmtr.
Gerilimin ortalama deerini hesaplamak iin ekil 3.1 (b)deki dalga ekilleri
kullanlabilir.
Vort =
1 5 / 6
0
2 / 3 ( / 6) +
6
Vort =
3 3Vmax
(1 + cos ) elde edilir.
4
-2-
Overlap ihmal edilirse ( = 0), V ort nceki blm 3~l yarm dalga devresinin ayn
deerinde olur. Ayn forml L
di
= V ve I L forml kullanlarak da bulunabilir.
dt
.g
g
Kontroll 3-darbeli durum iin (tristr kullanlarak) overlapin etkisi ekil 3.3de grld
gibidir. Bu durumda :
V1
V2
V 2 - V1 =
V3
max
3Vmax sin (t + ) = 2 L
Akmdaki deiiklie
neden olan gerilim fark
3Vmax sin (t + )
di
dt
ri.
tr
= t
3Vmax
[cos cos(t + )]
2L
i=
tla
i = I L ve t =
IL
i1
IL =
sn
o
3Vmax
[cos cos( + )]
2L
+
3 3Vmax
1 5 / 6
[cos + cos( + )]
Vmax sin d + Vmsx sin cos d =
4
2 / 3 ( / 6) + +
6
m
de
r
Vort =
Deiik darbe saylarna sahip dorultucu devrelerine ait dalga ekilleri overlap dahil
edildiinde ekil 3.4deki gibi olur.
.e
e
(a)
IL
(b)
Yk
(c)
c) 6 Darbeli kontrolsz
b) Kontroll 2 Darbeli
d) Kontroll 6 Darbeli
V =L
V
V
di
= Vmax sin t , ve i = 0 (t = 0)da i = max (1 cos t ) I L = max (1 cos )
dt
L
L
Burada diyot gerilim dmleri ihmal edilmitir. (Kpr devreleri iin dikkate alnmaldr.)
.g
g
IL
ri.
tr
tla
sn
o
ok bykse overlap sresi bir sonrakine kadar uzayabilir, mesela 6-darbeli devre iin 60 o yi
aabilir. Devre balantlarna gre bu durum dikkate alnmaldr. Uygulamada byle bir olay
az grlr. (Mesela DC motora dk gerilimle yol verme esnasnda)
3.2 G Faktr :
m
de
r
Alternatif akmla beslenen bir ykn g faktr PF = Ortalama G / V rms I rms olarak
tanmlanr. Eer akm sinsoidal ise g faktr bu durumda akm ile gerilim arasndaki faz
farknn cosinsne eit olur. Bu sebeple PF = cos tarifi yanltr. 2.Blmdeki kontroll
dorultucularn dalga ekilleri incelenirse ; tetikleme gecikmesinin faz gerilimine nazaran
besleme akmnda gecikmeye sebep olduu grlr. Akm harmonikleri de ierdiinden
.e
e
R.M.S deeri temel bileenin R.M.S deerinden daha byk olur. Bu sebeple cos ile
hesaplanan deer gerek g faktr deerinden dk olur.
Normalde besleme gerilimi sinsoidal kabul edilebilir. Dolaysyla harmonik akmlar
g kaybna neden olmaz diyebiliriz. Bu durumda ; P = V1rms I 1rms cos 1 burada 1 indisi
I 1rms
cos 1 dir.
I rms
I 1rms
ye giri bozulma faktr ; cos 1 e giri deplasman (yer deitirme) faktr denir. Yk
I rms
nverter almay izah iin herhangi bir tam kontroll devre kullanlabilir. Ancak
burada 3-darbeli devre kullanlacaktr. Akmn sabit olduu kabul ile tetikleme asn
kk bir deerden 180 o ye kadar deitirirsek ekil 3.7 b-f elde edilir.
.g
g
T1
T3
iL
V1
ri.
tr
V2
VL
V3
tla
(a)
Vort
Yk gerilimi VL ters
sn
o
Vort
dndnde DC makine
(c)
(b)
m
de
r
90
yn ters yne
geemeyeceinden ve makine
Vort
(d)
(e)
.e
e
dn yn ayn kalrsa,
Vort
Tristr komtasyonu
iin mevcut gerilim
(g)
ekil 3.7 (a) 3 darbeli balant ve DC makina (yk) (b) Dorultucu alma (kk ) (c)
Dorultucu alma (Bir miktar gerilim ani deeri negatif) (d) = 90 Vort = 0 (e) nverter
alma (Vort = negatif) (f) nverter alma ( --> 0 limitine yaklarken) (g) nverter
alma (overlap etkisi dahil edilmi)
Vort
(f)
generatrn gerilim
bir AC senkron abekeye bal olmaldr. ebekeye geri verilin enerji, bal bulunan dier
yklerce tketilir. Akmn T 1 tristrnden T 2 ye transferinde komtasyonun olabilmesi iin
2. faz geriliminin 1. faz geriliminden daha byk olmas gerekir. (V 2 ,V 1 den daha az negatif)
-5-
.g
g
cinsinden ifadesi = 180 o - dr. Bu forml darbe says ne olursa olsun deimez.
ekil 3.7 (g)de overlap grlmektedir. Eer iletimde olan fazlarn gerilimleri birbirine
eit olmadan nce komtasyon tamamlanmazsa yk (generatr) akm snmesi gereken
ri.
tr
tristrde kalacandan akmn dier tristre transferi mmkn olmaz. Bu sebeple overlap as
, tetikleme ncelik as dan az olmaldr. Pratikte as 0a drlemez. ekil 3.7
tla
sn
o
nverter almay daha detayl inceleyebilmek iin ekil 3-8deki devre kullanlabilir.
Generatr (DC makine) AC sistemi balayan g kayna olarak dnlrse, gerilim
referansn dorultucuda olduuna benzer ekilde ters evirerek izebiliriz. ekil 3.7 (a) ile
m
de
r
karlatrlrsa ekil 3.8 (a)daki DC makinenin armatr sarglar ters evrilmitir. Verilen bir
gerilim dn yn fralarda deimeyip ; makine, motor veya generatr olarak alsa da
fralarda sadece akm yn deiir.
i1
ig1
T1
.e
e
V1
Vort =
Vort =
i2
ig2
i3
T2
ig3
T3
imaj verilmitir.
V2
V3
(a)
Generatr
eklinde hesaplanrsa :
+
1 ( 5 / 6)
V
sin
+
Vmsx sin cos d
max
(
/
6
)
2 / 3
6
3 3Vmax
[cos + cos( )]
4
-6-
Generatr Gerilimi
VL
ig1
ig2
ig3
iL
i1
i2
i3
tla
ri.
tr
= t
.g
g
Vmax
m
de
r
sn
o
Generatr Akm
Tristr Akmlar
Tristr Gerilimi
VT1 = VL - V1
.e
e
VT1
(b)
ristr gerilim dm dahil edilirse generatr gerilimi ortalama deerden (V ort ) bir tristr
gerilim dm kadar fazla olacaktr. Generatr akmnn sabit kald kabul ile tristr
gerilim kadar ters uyguland grlr. Bu sre zarfnda tristr yeniden bloke durumunu
kazanr.
-7-
3.4 Reglasyon :
Reglasyon terimi bir donanmn ykl haldeki karakteristiklerini tanmlamada
kullanlr. Dorultucu durumu iin reglasyon; ak devre veya yksz duruma gre, ykn
ri.
tr
.g
g
R2
R3
IL
tla
V0
Yk
VL
sn
o
m
de
r
durum iin sabit kabul edilebilir. ncs olan kaynak endktansnn gerilim dm etkisi
ise overlap konusunda izah edilmiti. ekil 3.1 kullanlarak hesaplanan ortalama gerilim
hesabnda integral limitleri ;
+ dan
6
Vort =
5
+ ya kadar olup, ortalama gerilim
3 3Vmax
3
cos
LI L idi. Grld gibi dorultucu devresi ister kontroll, ister
2
2
.e
e
3L
kontrolsz olsun her durumda
I L kadar bir gerilim dm mevcuttur. Bu gerilim
2
dm ekil 3.9da
3L
deerli bir direnle temsil edilebilir.Dier direnlerin aksine
2
(R1 , R2 ) bu diren (R3 ) g kayb oluturmaz, sadece overlapin tesirini izah iin
konulmutur.
Overlapin sebep olduu gerilim dm; eer overlapin sresi bir sonraki
komtasyona kadar srerse, ok byk deerlere ulaabilir. Normal durumdaki overlap model
durumu olarak adlandrlrken elemann maruz kald uzun sreli overlapa ise mode 2
durumu denir. nverter almada, overlap sebebiyle gerilim dm yukardakine benzer
ekilde hesaplanabilir ;
-8-
1 (5 / 6 )
Vmax sin tdt + LI L
2 / 3 ( / 6 )
Vort =
3 3Vmax
3L
cos +
I L dir
2
2
.g
g
Vort =
ri.
tr
Vmax
dorultucunun overlap as
Vmax cos
p
nn da dahil edilmesiyle
= t
sn
o
= t
tla
1 ( / p ) +
V
cos
d
+
V
cos
cos
d
max
max
2 / p ( / p )+ +
p
Vort =
pVmax
2
Vort =
pVmax
2
sin [cos + cos( + )] (eleman gerilim dmleri ihmal)
p
.e
e
m
de
r
Vort =
Vort =
besleme komtasyon reaktans X (/faz) sebebiyle meydana gelen gerilim dm ekil 3.10
kullanlarak karlabilir. Zaman baz alarak ve overlap sebebiyle kaybolan alan LI L olarak :
Vort =
1
( / p ) + ( / ) V cos tdt LI = pVmax sin cos pX I
max
L
L
2 / p ( / p ) + ( / )
p
2
pX
Bu denklem; ak devre ortalama gerilimi V0 cos - gerilim dm
I L yi temsil
2
eden ekil 3.11deki devreyi tarif etmektedir. (Elemanlarn ve gerek direnlerin gerilim
dmleri ihmal)
-9-
pX / 2
Yk
Vort
.g
g
V0 cos
ri.
tr
XI L = Vmax sin
tla
sn
o
devrelerde AC besleme akm hem gerilime gre geri, hem de harmonikler ieriyordu. Akmn
nonsinsoidal yaps ve dk g faktr elektrik retim ve datm kurulularnn g
sistemine eitli problemler oluturur.
i3
m
de
r
i1
T1
D1
T3
D3
g faktr = 1 ve
iS
T4
D4
T2
i2
ve P.W.Me dayal
(a)
kontrol stratejisi
kullanlarak
VR
gerekletirilebilir.
XIS
XIS
VR
(b)
D2
VS
VL
i4
IS
Yk veya
Kaynak
T2
.e
e
T4
inverter alsn ;
kontroll bir dorultucu,
T3
T1
VS
IS
Eleman olarak g
(c)
ekil 3.12 Bir fazl kpr, Gerilim kaynakl PWM konverter (a) Devre (b) Fazr
Diyagram (Dorultucu) (c) Fazr Diyagram (inverter)
GTO kullanlabilir.
Temel devre balants
ekil 3.12de
grlmektedir. Voltaj
Kondansatr ; ksa sreli gerilim dalgalanmalarn nleyerek, sabit bir DC gerilim salar.
Anahtarlama elemanna paralel ters ynde geiren diyot balanmtr. ekil 3.12 (b) ve (c) AC
devre fazr diyagramlarn gstermektedir. (PF=1 iin) Dikkat edilirse VR > VS dir. nverter
.g
g
ri.
tr
VR sin = XI S kullanlarak g =
as) Eer V R ;VS den geri ise g ak AC beslemeden konvertere dorudur. V R , VS den
ileri ise tersi durum sz konusudur. ekil 3.12 (b) ve (c) ; g faktrnn bir olmas hali iin
VL
R ' nin
tla
temel bileeni
iS
sn
o
VL
letimdeki
Elemanlar
T4
T4
T3
D2
T1
T2
"ON"
Sinyali
T3
T4
1 1
2 3
1
2
1 1 1 1
3 2 2 3
2
4
3 2
4 4
3
4
2 3 3 4
4 4 4 2
D1
D1 D1
D1
D1 D1 T1 T1
T2
D3 T2
D3
T2 D3 T3 T4
T3
D2 T3
D2
T3 D2 T2 D3
D4 D4 D4
D4
D4 D4 T4 D2
.e
e
i1
m
de
r
letimdeki
Kollar
i3
i2
i4
T1
T2
di
ye karlk gelir.
dt
( L ebekenin endktans)
T3
T4
- 11 -
.g
g
ift 2 ve 3 kolu) Hangi kolun devrede olduuna bal olarak akm ya AC beslemeden
kapasitre akar; ya da konvertere gre AC girii, ksa devre durumdadr. ekil 3.13deki dalga
ri.
tr
uygulanacak akm (IGBTye gerilim) Eer ana devredeki akm yn uygunsa transistr
iletime geirir, yoksa transistre bal diyottan akm geer. Akm tayan bir transistr
sndrldnde, akm, seri durumdaki iki koldan dier yarsndaki diyoda aktarlr. (Eer
tla
T4 veya T2 ile T3 ) asla ayn anda iletimde olmamaldr, yoksa DC yk ularndaki kapasitr
ksa devre edilmi olur.
sn
o
m
de
r
.e
e
ekil 3.12deki PWM konverterin ana kullanm alan deiken hzl AC motorlardr.
- 12 -
VL
R ' nin
Dorultucu
temel bileeni
iS
almay
balatma
ekil
3.12deki
PWM
.g
g
letimdeki
Kol
1 1 1 1
3 2 2 3
1 1
1 1
2 3
4 4
3 2
2 3 3 2
4 4 4 4
3 2
letken
Elemanlar
D1 D1 T1 T1
T1
T1 T1
T1
T2 D3 T3 D2
T3
D2 T3
D2
D1 D1
T3 D2 T2 D3
T2
D3 T2
D3
D4 D4 T4 T4
T4
T4 T4
T4
T3 D2
ri.
tr
T1
T2
"ON"
Sinyali
tla
T3
T4
sn
o
y ayarlamaldr. nverter alma iin PWM konverter kararldr. Akmdaki bir art VR ve
kapasitr gerilimini arttrr. (Ve dolaysyla AC gc) Yine de kontrol sistemi optimum
alma artlarn devam ettirmek iin y ayarlamaldr. (Ani deiimleri engellemek iin)
m
de
r
.e
e
PWM
LS
T1
iS
LD
Yk
Elemanlarn
T4
yaplmaktadr.
T3
iR
ile
frekans
PWM
konverterin
T2
di
sebebiyle gerilim endklenecektir. Bu gerilim T3 n iletime alnmasn mmkn hale
dt
getirir. Bylece yk akm T2 ve T3 kolu araclyla akmaya balar. AC besleme akm ise
.g
g
kapasitr zerinden akar. Sfr periyodunun bitiminde PWM, T1 GTO tristrn tekrar iletime
ekil 3.15deki PWM konverterin almasn zetleyecek olursak yar iletken eleman
ri.
tr
olarak diyot kullanlsayd, AC besleme akm kare dalga eklinde olacakt. PWM ve GTO
kullanlmasyla AC akm i R , sinsoidal ama harmonik ieren bir akm olmutur. LC
tla
kontrol ile, DC ykn akm ve gerilimi kontrol edilebilir. Normal faz as gecikmesi
sn
o
.e
e
m
de
r
devresi kullanlmaldr. 3~l kpr devresinde PWM, 1~l devrenin bir uzantsdr.
- 14 -
.g
g
ri.
tr
Yk endktif ise, snm sonras yk akmnn devam edebilmesi iin ularna diyot
balanr. Yk ularndaki
or
tla
or
or
on/off
periyodu
sn
o
deitirilerek ayarlanabilir.
Eleman
VL
VL
transistoru
durumunda,
m
de
r
Yk
On
Zaman t
olarak
kullanlmas
kollektr-
Off
deitirilmesiyle
ayarlanabilir (bylece yk
.e
e
demektir.
tristrlerin sndrlebilmesi iin harici bir devre bulunuyordu. Bu devre anot akmn sfra
drerek ve tristrn bloke durumunu kazanabilmesi iin yeterli bir zaman ters gerilim
-1-
iT
Zaman
E/R
.g
g
VT
olur.
Tirstr
sndrmek
iin
ekildeki doldurulmu
ri.
tr
Kapasitr
bir
anahtar
kapatlarak
ynde
gerilim
tla
ters
uygulanr. Bylece tristr akm azalarak negatif blgeye geer ve tristr yklerinin bloke
durumu kazandracak ekilde yerlemelerini salar. Bir mddet sonra tristr ularndaki
sn
o
m
de
r
Yarm Periyot
Kosins Dalgas
ig2
T1
ic
1
Osilasyon fre.=
VC
VT1
VC
ig1
ig2
iT1
T2
2E
R
iC
-t/RC
iT2
VT2
iT2
ig1
iR
.e
e
iD
2E/R
E/R
Yk
Yk Akm
iD
iT1
VT1
VT2
Snm Z.
Maksimum dv/dt
Exponansiyel Art
-E
endktans,
kapasitr
OFF
ig2
Batarya
baland
salamak iindir.
-2-
(LC)
Balangta tristrler snmde olduklar iin batarya balansa bile akm akmaz.
ncelikle T2nin tetiklenerek C kapasitrnn dolmas salanr. Bu durumda ekil 4.4 (a) daki
balant gereklemi olur. Kapasitr, akm ekspnonansiyel olarak azalan bir dalga ekliyle
.g
g
dolar. (Balang deeri E/R dir) Bir mddet sonra kapasitr E batarya gerilim seviyesine
kadar dolar. (T2 nin tutuma akmnn altna inmesiyle akm sneceinden tam E ye kadar
ri.
tr
dolamaz)
T1 tetiklenirse yk, bataryaya balanm olur. (ekil 4.4 (b)) Ayn zamanda L endktans ile
C kapasitans arasnda yarm peryot srecek bir osilasyon balar. ( Diyot ters ynde akm
akn engelleyeceinden). Bylece kapasitr ularndaki polarite deierek ekil 4.4(a) daki
tla
sn
o
T1
T1
L
m
de
r
T2
(a)
(b)
.e
e
endktansn neden olaca ikincil bir osilasyon sz konusu olabilir. Bylece kapasitr bir
-3-
T2
T1
ortadan
kaldrr.
T1in
.g
g
imkn
T2nin
tetiklenmesiyle
ri.
tr
Yk
verir.
R1
tla
sndrr. Bu basit devrenin dezavantaj ise R2 direncinde meydana gelen kayptr. R2 byk
sn
o
m
de
r
iC
T2
T1
VC
E
L
T3
Yk
.e
e
grlmektedir. devrede T1 in tetiklenmesi, bataryay yke balar. Ayn zamanda veya bir
ekil 4.6 da kapasitr doluyken T2 tetiklenirse bu, T1i sndrr. snm esnasnda C
kondansatr T2 araclyla yk zerinden ters polariteli olarak E kadar dolar. Bir sonraki T1
.g
g
ri.
tr
imdiye kadar anlatlan bu devreleri seerken Kriter: ykn tipi, anahtarlama frekans,
.e
e
m
de
r
sn
o
tla
-5-
.g
g
ikinci bir tristr gerektirmeden, iletime girdikten belli bir zaman sonra yk tristrn
sndrmede kullanlabilir.
ri.
tr
ekil 4.8 (a) da grlen seri rezonans devresi, tristr akmnn ters ynde evrilmesini
ve snmn gerekleebilmesini salamak iin eksik snml tasarlanmaldr. ekil 4.8 (b) de
dalga ekilleri grlmektedir.
tla
VT
VC
sn
o
Yk
R
VL
(a)
VC=VL
.e
e
iT
Bu
andan
itibaren
Eksponansiyel
azalma
tristr
m
de
r
>E
olur.
ig
Snm
zaman
kutuplama
iletimde
olur.
kalma
pozitif
Devrede
tristr
sresi
osilasyon
takdirde
dv/dt
bir
sonraki
tetiklemesinde
akm
VI
tristr
osilasyon
yaplamayabilir.
yeniden
VT
ularnda
uygulanm
Tristrden
incelenecek
olursa
geen
ikinci
Zaman(t)
tetiklenmede
birincisinden
ilk tetikleme darbesi
geen
az
olduu
akmn
grlr.
zaten belirli
bulunmu olmasdr.
-6-
bir
gerilim
seviyesi
iT
VC
ig
E/R
VT
ig
iC
iT
R
VC
VL
ri.
tr
L
E
.g
g
iC
iL,VL
tla
E/R
iT = iL - iC
baland
zaman
devredeki
iT
sn
o
Batarya
Snm
Zaman
Batarya
baland
m
de
r
VT
dV/dt
(b)
byk olmas durumunda tristr akm ters dnmeye alacaktr ve sonuta snecektir.
Osilasyon ilk yar periyodunda tristr akm artarken sonra azalmaya balayacak ve ikinci
yarsnn balarnda da sfra decektir. ekil 4.9 (b) deki dalga ekilleri LCR seri devresinin
kritik snml olduu (R2= 4L/C) durumu iin geerlidir. Eer R drlrse yk akm
.e
e
osilasyon akmndan (LC) daha byk olabilir. R arttrlrsa, bu da kapasitrn dolma sresini
arttrr. (Yani minumum snm sresi). Bu nedenle, bir devre sabit direnli ykler iin
kullanlabilir.
-7-
reaktr doyumda
ig
C
iC
L
E
.g
g
VC
R
iL,VL
ri.
tr
tla
ON
OFF
sn
o
L byk olduu iin doyma blgesine geene kadar yava bir osilasyon olur. Doyma
blgesinde L azalacandan akm birden artar ve yarm periyot devam eder. Bu akm yk
akmyla ayn ynde tristr den akar. osilasyon akm doyma blgesinden knca yine az bir
m
de
r
akmla devam eder ve ters ynde akmaya balar. Bu akm yine doyma blgesine ulaabilirse
tristr sndrr. Bu devre ile ykn iletimde kalma sresi arttrlm olur.
.e
e
diyot balanabilir.
C
C
D2
E
D1
Yk
D2
D1
-8-
Ykn endktans deeri ekil 4.13 deki rezonans endktansndan ok daha bykse,
ekil 4.13 devresini kullanmak dier devreleri kullanmaktan daha avantajldr. Avantaj: L
endktansnn, tristrn akm art hzn snrlayabilmesidir. Ayrca tristr snme giderken
.g
g
akm yava yava azalacaktr, bylece tristrde ters ynde yk birikmesi az olacaktr.
Devredeki D2 diyodu yk (motor) sebebiyle kapasitrn dolumunda problem olumasn
nlemektedir. kapasitrn yk araclyla dolmas ise besleme kaynandan ar gerilim
.e
e
m
de
r
sn
o
tla
ri.
tr
dm olmasn nleyecektir.
-9-
.g
g
zerinde DC besleme gerilimine ters ve ondan daha byk deerli bir gerilim
oluturulmaldr. Bu gerilim tristr ularnda ters kutuplanma meydana getirir ve yeterince
uzun olursa tristr sner.
D1
Yk
R
VL
ri.
tr
L2
Yk
iT1
D2
T1
VT1
ig1
VT2
iT2
ig2
L1
T2
VC
tla
geriliminin
(a)
iL1
da
kaynak
devreye
balannca C kondansatr,
(a)
(b)
L2
sn
o
E'den byk
ve
D2
zerinden
VC
ig1
m
de
r
VL, iT1
E/R
ig2
T2
tristrn
sndrr.
Bundan
sonra
iT2
iL1
.e
e
snm zaman
frekans,
L1 C
devresinden ok daha
VT1
VT2
ON
dalga ekilleri grlmektedir. Yk akm kare dalga biimindedir. ekil 4.14(a) daki devrede
kullanlan elemanlarn kaypsz olduu kabul edilirse her anahtarlamada bir kondansatr
ularndaki gerilim 2E kadar byyecektir. Bu durum ekil 4.15 de grlmektedir.
- 10 -
eklinde
3E
sonuta
4E
3E
C
ve
2E
-2E
da
ri.
tr
D2
olacak
.g
g
L2
kapasitr
gerilimi
2E
ile
snrlandrlabilir.
tla
ekil 4.16da ise kuplajl darbe devresi grlmektedir. Bu devrede yk kaynaa baland
T1
T2
gerekli
E
L1
M
L2
yk
T1
in
akmnn
MdiL/dt
L2diL/dt
gerilim
m
de
r
iL
Yk
dolar.
tetiklenmesiyle,
sn
o
iC
ynde
indkleyecektir.
Bu
Yk
akm
geirerek
dolduracaktr.
diyodu
onu
da
.e
e
kondansatr dolduracak, bu gerilime ekil 4.16 (b) de grld gibi m.diL/dt gerilimi de
katkda bulunacaktr.
ekil 4.16 daki kuplajl darbe devresinin dier iki devreye stnl yk zerinden
kapasitrn dolmas ve bylece snm iin gerekli artlarn garantilenmi olmasdr. Ayrca
- 11 -
.g
g
uzaklatrarak dier yk akm tayan tristr ya da diyoda transfer eden komtasyon teknii
kullanrlar. ki eit yk arasnda akm transfer eden byle bir devre ekil 4.17de
grlmektedir.
T1
iL1
R
kaynaa
C
iT2
VC
VT2
ig1
tla
iT1
VT1
yk
T1
bir
iL2
tetiklendiinde
ri.
tr
is
balanm olur. Bu
T2
ig2
ekil
4.18
deki
basit
inverter
devreyi
sn
o
oluturabilir.
(a)
VL
ig1
i1
Yk
ig2
m
de
r
VC
-E
iC
2E
R
iL1
VL
-t/RC
2E/R
E/R
i2
3E/R
E/R
max di/dt
iL2
.e
e
iT1
iT2
snm zaman
VT1
max dV/dt
VT2
is
Zaman (t)
ilk tetikleme
Batarya
baland
ON/OFF
OFF/ON
1 Periyot
- 12 -
T3
T1
C1
Yk
L1
E
L4
T2
C2
D2
ri.
tr
T4
C4
D4
D3
C3
.g
g
D1
C1 = C2 = C3 = C4 = C
L1 = L2 = L3 = L4 = L
tla
ekil
4.19
daki
komtasyonu
L1=L
E
L4=L
C4
T2
T4
olmakszn
T1in
sndrlmesi,
ykn
m
de
r
sn
o
(a)
C1
olaylar grlmektedir.
I/2
.e
e
E=LdI/dt
C4
T2
Endktrde
depolanan
enerji
(b)
L4
i
D4
(c)
- 13 -
seviyesi korunmu olur. Omik bir yk varsaym ile yk akm sfra derken, I akm eit
oranda C1 ve C4 zerinden ekilir. C1 ve C4, L4 ile osilasyona girer. (f=1/2 2 LC ) C4n
gerilimi (1/2)E ye dnce T1 pozitif kutuplanr, bu zamana kadar da T1 bloke olmu olur.
.g
g
E
E
ri.
tr
T4
T2
(a)
tla
C4
Yk
Yk
I
D4
I+i
T4
(b)
endktans,
komtasyon
sn
o
ykn
T2
byktr.
tetiklendikten
Bu
durumda
hemen
sonra
T4
akm
T1A
m
de
r
D1
Yk
T4
D4
T2
.e
e
T4A
T3
T1
salamaktadr.
periyodunca
deimediini
yk
kabul
Yukardaki ekilde ise LC seri devresi ve yedek tristrlerde snm ve akm transferi
balanabilir.
- 14 -
iD1
iin
VT1
Yk
IL
gerekir.
4.23 de grlmektedir.
Devrede
iD4
VC
tetiklenmesi
ig1A
iC
T1Ann
komtasyon
gereklemektedir
ve
.g
g
iT1A
aamada
komtasyon
ri.
tr
ig1A
tla
IL
T1 sner
sn
o
VC
IL
iT1A , iC
(a)
iT1
(b)
(c)
m
de
r
iC - IL
iD1
IL - iC
iD4
IL
snm zaman
dV/dt
VT1
ileri gerilim
dm
Zaman
.e
e
Kondansatr, basit bir LC devresinden daha fazla bir gerilime ular. Kondansatr akm ters
dnmek isteyince T1A tristr t3 annda sner, D4 diyodu yk akmn zerine alr.
ekil 4.23 teki artlar zetlersek IC akm IL den daha byk bir pik deere sahip
ularndaki gerilimin deiim hz yksek olduu iin pratikte bu art D4 diyodunun daha
erken akm zerine almas demektir, bu da C kondansatrnn daha fazla gerilimle dolmas
anlamna gelir. Bylece bir sonraki komtasyon daha kolay yaplabilir.
- 15 -
Bu
kaynaa
E/R
R
anlatlmtr.
tristrlerin
Ykn
tipine
(b)
ri.
tr
(a)
almamtr.
veya
bal
DC
E
C
blmde
.g
g
E+V
R
L-C
Devrelere
kombinasyonlar
ierdiinden
i
E
devre
tla
R-C
sn
o
(d)
(c)
gibidir. i=Be-t/T
m
de
r
.e
e
(b)
(a)
t
(c)
v=E+ Ae-t/T
t
(d)
- 16 -
t=0 ise A ve B belirlenebilir. ekil 4.26 da grlen RLC seri devresinin ise cevab
szkonusu olabilir. ou snm devreleri az snml devrelerdir. ekil 4.26 iin eitlikler:
.g
g
tla
sn
o
=R/2L
w= [(1/LC) (R/2L)2]1/2
ri.
tr
m
de
r
i=A sin(wn t+ )
w= E + B sin(wn t+ K)
wn=(1/LC)1/2
.e
e
R2>4L/C olup
i=Ae-at + Be-bt
a= (R/2L) [(R/2L)2 - (1/LC)]1/2
- 17 -
R2 = 4L/C1 ise
.g
g
i=e-t(At+ B)
.e
e
m
de
r
sn
o
tla
ri.
tr
v=E + e-t(Ct+D)
- 18 -