You are on page 1of 64

BLM 1 - YARI LETKENLER

1.1 Yar letken Dorultucu Elemanlar ve Dier Elemanlar


1.2 Yar letken Eleman Katalog Deerleri
1.3 Kayplar ve Soutma
1.4 Yar letken G Elemanlarnn Karlatrlmas
BLM 2 - DORULTUCU DEVRELER
BLM 3 - KONVERTER ALIMA
3.1 Overlap (akma - st ste Gelme)
3.2 G Faktr
3.3 nverter alma
3.4 Reglasyon
3.5 P-Darbeli Konverter in Eitlikler
3.6 Darbe Genilik Modlatr (P.W.M) Konverterleri ile G Faktr Kontrol
BLM 4 - DC HAT KOMTASYONU
4.1 Paralel Kapasitans
4.2 Rezonansla Snm
4.3 Kuplajl Devre
4.4 Bir Baka Yk Besleyen Tristr Araclyla Komtasyon
4.5 Formllerle zet

www.eemdersnotlari.tr.gg

YARI LETKEN DORULTUCU ELEMANLAR


Yar iletken dorultucularda ana elemanlar olarak; diyot, konvansiyonel tristr, triac, kapdan

.g
g

tkanabilen tristr (GTO), bipolar g transistr, g MOSFETi ve yaltlm kapl bipolar transistr (IGBT)
saylabilir. Diyot haricindekiler ileri ynde potansiyele dayanabilir ve dolaysyla kontrol edilebilirler.

ri.
tr

DYOT :

leri ynde (gerilim dm)


~ 0.6V - 0.7V

Kaak Akm
~ mA

Anot

tla

leri iletim

P
N

Katod
Sembol

Yap

Karakteristik

m
de
r

N tipi ; negatif ykl

sn
o

Ters Tkama

P tipi ; pozitif ykl

Zener diyodu ; Fark, p-n ekleminin zener yklmasna olanak verecek ekilde ok dar tutulmu
olmasdr. Gerilim referans veya gerilim dzenleyici olarak kullanlrlar.

.e
e

TRSTR :

Anot

I
Tutma akm

Kilitleme akm

leri ynde (gerilim dm)


~ 0.6V - 0.7V

Geri kaak
akm

Kap

Ters
delinme

Katod

leri kaak
akm

leri ynde
delinme

Sembol
Yap

2000 V , 300 A iin


30 mm ap ; 0.7 mm kalnlk

Karakteristik

-1-

Kap akm uygulanmad durum iin tristr, iki ynde de iletime izin vermeyen tane seri bal diyot
gibidir. Ters ynde kutuplanma durumunda diyotla ayn davran sergiler. leri ynde kutuplamada yani anot
pozitif iken, merkezdeki kontrol jonksiyonunun delinme gerilimi almadka sadece kaak akm akar. Delinme
gerilimleri iki yn iin de ayndr. Ters kutuplama durumunda katod P-N jonksiyonu 10Vda delindiinden tm

.g
g

voltaj anottaki P-N jonksiyonunda grlr.


leri ynde kutuplamada gerilim oluursa tristr, iki

I
leri iletim

jonksiyonlu diyot gibi alr ve diyotun iki kat gerilim

dm olur. Tristrn iletimde kalabilmesi iin anot

Ig'ye bal gerilim


deerleri

ri.
tr

akmnn kilitleme akm (latching) seviyesini amas ve


V

Ters
Tkama

tutma akm (holding) seviyesinin altna dmemesi gerekir.

Ig

I L 2 I h < %1I FULL LOAD

tla

I g kap akm uygulanrsa tristr iletime geer.

sn
o

ekilde grld gibi ileri ynde kutuplanm tristre

Anot akm kilitleme akm seviyesini geer ve tutma akmnn altna dmezse tristr iletimde kalr ve bu andan
itibaren de kap akm kaldrlabilir.

Tristr sndrmek iin (kesim) anot akm seviyesinin altna

Ianot

drlmeli ve tristr kontrol jonksiyonunun tkama durumuna


kadar

m
de
r

gemesine

geen

bir

srede

ileri

ynde

gerilim

uygulanmamaldr. Bu amala tristre ekilde grld gibi

harici bir devre tarafndan ters ynde akm gemesi salanr.

Ters ynde akm

Akmn sresi genelde 10 ila 100 s arasndadr. Ters iletimli


tristr : Bir silikon katmannda tristr ile, ters ynde ileten diyot
kombinasyonu oluturulan yar iletken eleman

Ters kaak akm

.e
e

Tristr Kap Ucu ve Gerektirdikleri :

Tristrn kap-katot ular karakteristii zayf P-N jonksiyonununkine benzer. rnden - rne

deimekle birlikte ekildeki karakterlerden birine uyan bir davran sergiler.

Tristrlere uygulanacak minimum akm ve

VG

Yksek diren
snr

gerilim seviyesi jonksiyon scaklnn bir

Belirli bir tip tristrlere


ait karakteristikler

fonksiyonudur.
Kap akm ve geriliminin min. ve max.
deerleri vardr.

IG
60 C

Bu deerler ayrca belli bir minimum


VG

seviyenin stnde olmaldr.

30 C
Minimum tetikleme
limitleri

Kap Akm

Kap akmnn ve geriliminin arpm olan


IG

gcn de bir maksimumu vardr.

-2-

VG

Karakteristik st snr

Yandaki ekilde tristrn iletime gemesi iin


tetikleme akm ve geriliminin almas gerekli deerleri

.g
g

Max. Gerilim

gsteren blge taranarak iaretlenmitir. Uygun

Max. G (VG IG)

artlardaki tetikleme darbesi bir izolasyon trafosu


Max. Kap Akm
Tetikleme
Blgesi

araclyla tristr kapsna uygulanr. Trafonun kap

tarafnda kap akmn snrlamak iin bir R 1 direnci


bulunur.

Min. kap akm

IG

Tristr

ri.
tr

Karakteristik alt snr

snmdeyken

gerilimini

snrlamak iin de R 2 direnci balanmtr.

tla

Min. kap gerilimi


R1

Maksimum g
snr

sn
o

R2

VG

Tristr karakteristii

IG

m
de
r

RG

kap

A
Yk Hatt

VG

IG

E/RG

Belirsiz Tetikleme Blgesi

.e
e

Devrenin Thevenin edeeri de yukardadr. Edeer devredeki gerilim ve akm miktarn belirlemek
amacyla tristrn karakteristii ile Thevenin edeerinin oluturduu yk hattnn kesiim noktas belirlenir.
V G ile I G arasndaki iliki ; E ve R G nin oluturduu yk hatt tarafndan belirlenir. Tetikleme sinyali

uygulandnda kap akm karakteristik boyunca ilerleyerek P noktasna ular. Ancak P noktasna ulalmadan

(tahminen A noktasnda) tristr iletime gemi olur. letimin kesin olabilmesi iin tetikleme devresinin
elemanlar yle seilmelidir ki alma noktas olan P, maksimum g snr ile A noktas arasnda kalsn.

Genellikle bu artlar salayan E = 5 ila 10 V ; I G =0,5 ila 1 A arasndadr.


Tetikleme Devrelerinin Salamas Gerekli artlar :
Bir tristr iletime geirmek iin kap akmnn ok hzl ykselme zamanna sahip olmas gerekir. Bu ;

anot akmnn kilitleme seviyesine ulaabilecei uzunlukta hzl ykselme zamanna sahip darbe retebilen
tetikleme devreleriyle elde edilir. Darbe kullanlmasnn nedeni kapda daha az g harcanmasna ve tetiklenme
annn daha iyi belirlenmesine imkan vermesindendir.

-3-

10V
AC Besleme
Yk hatt
Gecikme

Zaman

50

1A

IG
Yk Hatt

Tetikleme Derbeleri

ri.
tr

Darbe ekli

.g
g

VG

Yukardaki ekillerde grld gibi; zellikle AC besleme uygulamalarnda tetikleme devresinin


retecei darbe beslemenin fazna gre belirlenebilmeli ve yeri deitirilebilmelidir. Tipik rnek ; 1sde

10Vluk kaynaktan 1A akma ulaabilecek bir darbedir. Ancak ou uygulamada 10s uzunlukta, 1sde 2Va

tla

ulaan darbe yeterlidir.

Tetikleme devresi art arda darbeler retebilmelidir. Baz uygulamalarda katodlar farkl potansiyele
sahip iki tristr ayn anda tetiklenmelidir. Bu durumda devre iki veya daha ok izole k olan trafo iermelidir.

sn
o

Ters ynde darbe uygulamasndan kanlmaldr, yoksa daha ok g harcanr. Ayrca tristr ters kutupluyken
kap akm uygulanrsa bu kaak akm artrr.

m
de
r

Tipik Tetikleme Devreleri :

Vyk

VL
R

Vbesleme

.e
e

ig

Yukardaki devrede yk gerilimi kontrol edilmektedir. i g V besleme / R

bal olduundan her periyot deiebilir, tristrn scaklna ve dier deiimlere bal olarak. Ayrca tam
o

sfr ve tam 90 de tetikleme yaplamaz. Dolaysyla bu devre pratikte kullanlmaz.

kap akmnn deeri Rye

Basit ama pratikte kullanlabilecek tetikleme devresi aada grlmektedir. Devre AC kaynaktan
beslenir. R 1 e bal olarak C 1 exponansiyel ekilde
R2

dolar. C 1 belli bir deere ulanca unijonksiyon

R1

transistr iletime geer ve C 1 transistr zerinden

boalarak tristr kapsna darbe retir.

C1

-4-

R 1 in ayarlanmasyla 180 ye kadar gecikme elde edilebilir. Bu tr bir devre ile omik ykler kontrol
edilebilir. R 1 e eklenecek ek devrelerle de uzaktan otomatik kontrol salanabilir. htiyaca uygun olarak daha ok

.g
g

elektronik devre ieren veya osilatr ieren tetikleme devreleri de vardr.

Tetikleme Devrelerinin Kontrol zellikleri :

G kontrol eleman olarak tristr ieren daha karmak sistemler ; kapal evrim linkler, ok fazl

ri.
tr

besleme, motor tork seviyesi ya da akmnn otomatik kontrol, farkl gruplarn ayn anda tetiklenmesi sonucu

yanl almay nleyici dngler v.s. ierirler. Kontrol karakteristii, tetikleme gecikme as ile giri gerilimi

arasnda tanmlanan ilikiyi verecek ekilde olmaldr. Aada byle bir kontrol ve tetikleme devresi diyagram

tla

olarak gsterilmitir.

Dier Kontrolclerden
Senkronizasyon Sinyali

Geri besleme sinyalleri


(Yk gerilimi, akm, devir)

m
de
r

Darbe Katar Limiti

sn
o

Ge Darbe retimi

Kontrol ve Tetikleme Devresi

.e
e

Tetikleme iin AC
besleme referans

-5-

Tristr
kaplarna

stenilen k salayc kontrol


sinyali (Tetikleme asnn kontrol)

TRYAK :

Terminal T2

T2

.g
g

Ig = 0

N
Ig = 0

ri.
tr

Kap

Ig

T1

Terminal T1
Sembol

Tristr Edeeri

Triyak Karakteristii

tla

Yap

Triyak be katmanl, her iki ynde de P-N-P-N yoluna sahip ve dolaysyla iki ynde de iletebilen
elemandr. Triyak pozitif ya da negatif kap akmyla iletime geebilir. T 2 pozitifken pozitif, T 1 pozitifken

sn
o

negatif uygulamak daha iyidir, ancak pratikte her ikisi iin de negatif darbe uygulanr.

GTO (Gate Turn Off - Kapdan Tkanabilen Tristr) :

Tristrn bulunmasndan sonra iki yeni rn daha icat edildi. Bunlardan birisi ters ynde daima iletimde
olan ancak daha ince silikon kullanlmasyla daha ksa srede tkamaya geebilen asimetrik tristrdr. Bu tristr

m
de
r

inverter devrelerde kullanlr. Birka s iinde devreye alnp karlabilir. Dier bir eleman kap akmn
uygulayp kesmekle iletime sokup karlabilen GTO tristrlerdir.
A

P+

N+

P+

N+

P+

N+

P+

N
P

N+

N+

.e
e

N+

ekilde grld gibi GTO, klasik tristre gre


daha karmak bir yapya sahiptir. Yksek oranda
katk ieren + iaretli katmanlar vardr. Kap ve
katod

birbirine

yakn

ve

dar

kanallardan

olumaktadr. leri kutuplamada merkezi N-P


jonksiyonu gerilimi tutar ancak ters kutuplamada
bloke yaplamaz. Ama ters bloke yapabilen

GTOlar

da

yaplmtr.

GTOlar

karmak

yaplar sebebiyle daha yksek kilitleme akmna

Yap

Sembol

sahiptir. GTOyu iletime sokmak iin kapsna

akm enjekte edilir. Sndrmek iin ise katod - kap ynnde 10V
seviyesinde gerilim uygulanr. Snm iin geecek akm anot akmnn
On

Off

1/5i veya 1/3 kadar olmaldr. Bu akm 1sden daha az bir zamanda
salanacandan Anot geriliminin artn snrlamak iin kondansatr
balanr.

Gerilim
Kayna
Akm
Kayna

-6-

Yandaki

R1

+15V

T1

basit

kap

kontrol

devresi

grlmektedir. Kontrol sinyalinin konumuna gre

C1

C2
Kontrol

T 1 ve T 2 iletime geerek C 1 doldurulup boaltlarak


tristr iletime veya kesime geirilir. C 2 ise anot

D1 (12 Volt)

.g
g

T2

devrede

katod geriliminin dV/dt artn snrlar.


On Off

On Off

G Transistor :

Collector

IC

tla

IB artyor

IC

IB
VCE

N
P

m
de
r

Emitter

Yap

Sembol

Belirli IB
deerleri

Doyma
Gerilimi

sn
o

Base

ri.
tr

0V

Ters
Delinme

IB = 0

Kaak
Akm

Delinme
Gerilimi
VCE

NPN transistr karakteristii

Bipolar transistr 3 katmanl NPN veya PNP yapda g transistrdr. alma aralnda I C , I B nin
fonksiyonudur. Belirli bir V CE iin baz akmndaki deime kollektr akmnda katlanm olarak grlr. Bu
oran 15 100 kat arasndadr. Ters gerilim uygulanan bir transistrn baz emiter jonksiyonu 10V civarnda

.e
e

delinir. Bu modda allacaksa transistre seri diyot balanmaldr.


+V = 200V

10

IB

Yk

Transistrde kayplar V CE ile I C nin arpmnn bir fonksiyonudur. Yandaki


ekilde baz akm I C akmnn 10A gemesini salyorsa, kayp g 1kW,
gerilim dm 100V ve verim %50 olacaktr. Bu kabul edilemez bir kayptr.
Bu nedenle g uygulamalarnda transistr anahtar gibi kullanlr. I B = 0 iken

IC

transistr kesimde. letim iin transistr karakteristiinin doyma blgesi


kullanlr. Doyma gerilimi 1,1V civarndadr. Kayplar sadece anahtarlama
srasnda olur.

-7-

IC

Ksa devre
IB => yksek
IC => devreye bal

200
100

Ak devre
IB = 0

.g
g

50

Gvenli letme
Blgesi

VCE

IC

IB
VCE

0.1
10

50

100

tla

ri.
tr

10

500

sn
o

VCE (ani)

Tristr ile G Transistr karlatrlrsa ;

30A tristr 0,1A kap akm, 30A transistr 2A baz akm

G transistrnn ar yk kapasitesi tristrden dk

Transistrn anahtarlama hz ok yksek (1s)

Transistrle yk akm kontrol edilebilirken, tristrde iletimden sonra kontrol yoktur.

m
de
r

Transistrlerin akm kazancn artrmak iin yandaki ekilde grld

.e
e

gibi darlington balants kullanlr. Bu ekilde akm kazanc 250ye karlabilir.

G Mosfeti ;
Drain

Metal Kontak

Drain

N+

ID
Diyot
Akm

P
N+

VGS
9V

Gate

P
N+

ID

Transistr
Akm

N+

7.5V

VDS

G
N+

6V

VGS

4.5V

ID
Silikon Dioksit (SiO2)
Metal Kontak

Gate

3V

Source

Source

-8-

VDS

G Mosfeti (metal oksit yar iletken alan etkili transistr) bipolar transistrden farkl olarak gerilimle
kontrol edilir. V GS sfr iken MOSFET kesimdedir. Yaklak 3V uygulannca iletime geer. Dk V DS

.g
g

deerleri iin MOSFET sabit diren zellii gsterir. G kayplarnn az olmas iin g mosfeti bu blgede
alr. Kap gerilimi Drain akm snrnn yk akmndan daha byk olmasn salayacak byklkte tutulmal
ancak 20Vu gememelidir. MOSFETin ama kapama zaman 1snin altndadr. letim esnasndaki direnci

100Vluk MOSFET iin 0,1 ; 500Vluk MOSFET iin 0,5dur. G MOSFETleri dorudan mikro

ri.
tr

elektronik devrelerce kontrol edilebilir. Tristrden daha az gerilim seviyelerine sahip olmasna ramen daha
hzldr. 100Vdaki iletim kayplar tristr ve transistrden daha fazladr, ancak anahtarlama kayplar ok daha
azdr.
IGBT ( Yaltlm Kapl Bipolar Transistr ) ;
C

P+

N+

tla

N-

P
N+

P
N+

N+

N+

sn
o

+15V

m
de
r

E
C

-15V

On

Off

IGBT transistr MOSFET ile bipolar transistrn zelliklerinden yararlanarak yaplmtr. G


transistrnde daha ok N P N kullanlrken IGBTde P N P yaps kullanlr. Kollektr Emiter
karakteristii bipolar transistre benzerken kontrol zellikleri MOSFET gibidir. Tipik iletime geme zaman

.e
e

bipolar transistrden daha azdr ( 0,15s ) ve MOSFETe benzer. letimden k zaman 1sdir. ( P N Pye
benzer). IGBTlerin anahtarlanmas yukardaki ekilde grld gibi yaplr. Yke bal olarak sndrme

esnasnda ters gerilim uygulanmas gerekebilir.


DER ELEMANLAR

MCT ( Mos Kontroll Tristr ) ;


Tristrn yk karakteristii ile MOSFETin kontrol karakteristii birletirilmitir. MCT , GTOda

olduu gibi ters kutuplanmada tkama yapamaz.


SIT ( Statik Endksiyon Transistr ) ;
Normalde iletimde olan bu eleman, (baz sinyali yokken iletimde) ters kutupland zaman kesime gider.

ok hzl anahtarlama yapabildiinden mikrodalga frekanslar seviyesinde kullanlr. Normalde kesimde olan
SITde imal aamasndadr.

-9-

SITH ( Statik Endksiyon Tristr ) ;


GTOya benzer, ancak normalde iletimdedir. Katod kapya ters gerilim uygulanrsa kesime gider.
Dier tristrlere gre daha az kayplar vardr ve daha hzl alrlar. Normalde kesimde olan SITHlarda imal
aamasndadr.

.g
g

YARI LETKEN ELEMAN KATALOG DEERLER

Buraya kadar elemanlar ve karakteristiklerini inceledik. Ancak bir g yar iletken elemannn etiket
deerleri oluturulurken ok deiik boyutlarn gz nne alnmas gerekir.

akm akarken tristr

ri.
tr

Yandaki ekilde bir tristrden I

IF
di
dt

di/dt eimiyle snme gtrlyor. Tristr, jonksiyonda

yeterli arj miktar olan Q rr yk birikene kadar ters

trr

ynde I rr akm geirecektir. Belirli bir tristr iin

tla

Zaman

verilen I
Alan = Qrr
Irr

ve di/dt deerlerine karlk o tristrde buna

Tipik Snm Durumu

sn
o

bal olarak Q rr toparlanma yk ; ters toparlanma yk


ters toparlanma zaman t rr ve ters toparlanma akm I rr

olacaktr. Tristrn iletime gemesi kap akmyla salanyordu. Ancak ileri ynde gerilim art hz belirli bir
deeri aarsa trisrn iletime gemesi mmkndr. Tristr jonksiyonunu kapasitr gibi dnecek olursak,

i=C

dv
olacaktr. Yeterince yksek bir dv/dt oranyla (
dt

m
de
r

sznt akmna karlk gelen deplasman akm

rnein 100V/s ) bu akm tristr tetikleyerek iletime geirebilir. Dolaysyla belirli bir tristr iin almamas
gereken bir dv/dt deeri vardr.

Tristrn iletime gemesi ncelikle kap elektrodu civarnda olur. Toplam anot akm aniden geecek
olursa ar snma nedeniyle tristr yanabilir. letime geme esnasnda akmn tm yzeye yaylabilmesi iin
belirli bir zamana ihtiya vardr ( tipik olarak 10s ) Bu sebeple bir tristr iin akm art hz belli bir dI/dt
deerini amamaldr.

.e
e

Jonksiyon scakl diyot iin 150

C ; tristr iin 125 oC ve g transistr iin 150 oC - 200 oC

deerini amamaldr. Bu nedenle jonksiyondan tabana olan termal direncin belirli bir deeri vardr.
Bir elemann nominal akm deerini, oluturaca jonksiyon scakl belirler yani kayp gcn bir

fonksiyonudur. Tanan akmn tipi kayp gc etkileyecektir. Eer sinsoidal bir dalga sz konusu ise referans

verilir.

deer kullanlabilir. zel bir dalga ekli iin ise 180 lik iletimde ortalama dalga deeri etiket deeri olarak

Ksa sreli ar yk durumu iin her elemann bir tolerans vardr. Ar yk iin s artna sebep

olacandan cihaz yanabilir. G kayb s artnn gstergesi olup akmn karesiyle orantldr. Bu sebeple
belirli bir eleman iin

i dt
2

belirli olmaldr.

Bir elemann ileri ve ters ynde uygulanabilecei maksimum gerilim snr vardr. Bunlar repetitive
peak reverse and peak forward voltages olarak tanmlanr. Ayrca periyodik olmayan ar gerilimler de sz
konusu olabilir. Dolaysyla bir elemann delinmeden dayanabilecei bu tr gerilimlere ait deeri de vardr.

- 10 -

letimdeki bir elemann geirdii akm miktarna bal olarak belirli bir gerilim dm deeri vardr.
Bir g transistr iin etiket deerlerinde, kollektr baz akm kazanc, frekans ve anahtarlama
zaman bellidir.

.g
g

Bir tristr iin kap devresiyle alakal olarak akm, gerilim g snrlamalar vardr.
Belirli bir eleman iin geici ve kararl hallerde sahip olunan etiket deerleri ok deikendir.
Belirleyici unsurlar ; gerilim, akm, anahtarlama zamanlar, kontrol parametreleri, kayplar, scaklk deerleri vs..
Bunlar kataloglarda verilmitir.

ri.
tr

KAYIPLAR VE SOUTMA

Bir g yar iletkeninde kayp kaynaklar u ekilde sralanabilir ;

1 letim kayplar ; letim akmnn ve gerilim dmnn fonksiyonudur. Dk frekanslarda ana kayp
kaynadr.

tla

2 Tkama ynnde kaak akmla ilgili kayp


3 Kap devresinde tetikleme sinyali sebebiyle kayp

4 Anahtarlama kayplar ; letime ve snme geme esnasndaki kayp enerji. Yksek frekans

sn
o

uygulamalarnda nemli.

letim kayplar gerilim dm ve tanan akmn arpmnn bir periyottaki ortalamasndan


hesaplanabilir. Anahtarlama kayplar ise aadaki ekillerden tespit edilebilir.
P=Vi
V

Akm ile gerilimin arpm bize ani g ifadesini

verir. Is enerjisi ise g * zaman yani P erisi

altnda kalan alandr. Anahtarlama sebebiyle

m
de
r

Alan = G x Zaman

meydana gelen ortalama g kayb ; iletim ve


kesim

kayplarnn

toplamnn

frekansla

iletime gei zaman

kesime gei zaman

arpmndan bulunur. Tetikleme ve kaak akm


g kayplar ihmal edilirse elemann tketecei

g iletim kayplaryla anahtarlama kayplarnn toplamna eittir. Bu kayp cihazda s retimine neden olarak
scaklk art oluturur. Jonksiyonda retilen s nce cihaz tabanna oradan da soutuculara transfer olur. Bu

.e
e

transfer s seviyesinin dk olmasyla radyasyonla deil konveksiyonla olur. Is seviyesine bal olarak hava
veya suyla soutma tercih edilebilir.
Is transferi yksek scaklkl blgeden dk scaklkl blgeye doru olur ve scaklk farknn termal

P = (T1 T2 ) / R Termal direncin birimi oC / W dr.

rezistansa oranyla hesaplanr.

Is ak jonksiyondan tabana oradan soutucuya ve

Jonksiyon s
gc girii

daha sonra da evreye dorudur. Toplam termal diren


;

R ja = R jb + Rbh + Rha dr.

Hava

Sanal jonksiyon scakl ise ;

Tvj = Ta + PR ja dr.

Tm bu hesaplamalar kalc hal ve daimi akm


artlarndadr. Ksa sreli geici haller iin (ar yk,
ksa devre) jonksiyondaki scaklk art elemann
termal
Sanal Jonksiyon
Scakl
Tvj

Rjb

Taban
Scakl
Tb

Rbh

Soutucu
Scakl
Th

Rha

evre
Scakl
Ta

- 11 -

depolama

kapasitesi

dikkate

alnarak

hesaplanmaldr. retilen snn bir ksm elemanda depolanrken bir ksm da transfer edilir.

Bu

durumda

enerji dengesini yazacak olursak ;


Kayp enerji = Depolanan termal enerji art + evreye enerji transferi

Pt = A + Bt P = Kayp g , A = 1 oC arta karlk gelen enerji depolanma miktar (sl


o

C bana yaylan g.

.g
g

depolama kapasitesi jul olarak) , B = 1


Denklemin limiti alnrsa ;

P = A(d / dt ) + B olur. t = 0 iin scaklk = 0 kabul ile diferansiyel denklemin zm ;

max = P / B

(Sonu kalc scaklk art)

ri.
tr

= max (1 e t / T )

T = A / B (Termal zaman sabiti) eklinde olur. Bu denklem homojen malzeme iin geerlidir.
Tristrde ise jonksiyon blgesinde g kayb dalm uniform deildir. Ayrca silikon s iin iyi bir iletken
deildir. Bu sebeple scaklk art miktarlar kalc hal ve geici hal iin ayn olmayacaktr.

Yandaki eriler matematiksel olarak izilmitir.

tla

max 2

Bir

eleman

ancak

imalat

sn
o

Bu sebeple ar yk ancak

max 1

forml yerine transient termal

m
de
r

empedans deeri kullanlr ;

Z th = Scaklk fark (art) / Belirli bir zaman

Zaman (t)

diliminde cihazdaki g kayb

Jonksiyon Scaklk Art Erileri

Bylece ar yk durumlar iin hesaplama basitlemi olur. R yerine

Z th kullanlr.

.e
e

YARI LETKEN G ELEMANLARININ KARILATIRILMASI

G elektronii devrelerinde elemanlar anahtar olarak kullanlr. dealde bir anahtar ;

Snrsz gerilim ve akm deerleri

Ani ama kapama zamanlar

Sfr kaak akm

Sfr iletim ve anahtarlama kayplar

Sfr kap tetikleme gc art

Ar akm ve gerilimlere dayanabilme kabiliyeti

Ksa devrelere kar koruma kolayl

Dk maliyet ve montaj kolayl

t1 kadar bir sre

uygulanabilir. Ar yk artlar ok karmak


olduu iin

Normal
artlarda

kadar

kullanlabilir. ( max 1 ) Aksi takdirde cihaz yanar.

Ar yk

t1 T

deerine

- 12 -

Pratikte uygun eleman seimi uygulamadan uygulamaya deiir. Uygulamada kriterler ; cihaz etiket
deerlerine, iletim kayplarna, anahtarlama kayplarna, anahtarlama zamanlarna, kontrol stratejilerine ve
maliyete bal olarak belirlenir.

.g
g

Tristr elemanlar iinde en yksek akm ve gerilim seviyesine sahiptir, dayankldr, dk iletim kayplar
vardr ve ucuzdur. Ancak iletime geii yavatr, snm yke baldr. Yksek g ve gerilimlerin olduu 50,
60 Hz uygulamalar iin idealdir.

ACden DC eldesinde ya da switch mode g kaynaklarnda hzl anahtarlama deeri aranr ve ters

ri.
tr

kutuplamada tkamaya ihtiya yoktur. Buralarda bipolar g transistr IGBT, MOSFET, GTO, MCT

kullanlabilir. 100kHzin zerinde ancak MOSFET kullanlabilir. 100kHze kadar bipolar transistrle IGBT
dk maliyeti, dk iletim kayplar sebebiyle MOSFETe kar tercih edilirken anahtarlama kayplar
MOSFETden fazladr. 15 kHze kadar tristr ; GTO yada asimetrik tristr kullanlr.
o

C ye kadar iletilebilirken tristrler 125 oC ile

tla

letme scaklklar dnldnde transistr ailesi 150

snrldr. Kayplar ve soutma maliyetleri eleman seiminde nemlidir.

Ksa devreye kar koruma tristr ailesiyle ok kolaydr. Bu, transistrlerin yksek akm ve gerilimlerde

sn
o

imalini engelleyici olmutur.

5kV

.e
e

4kV

m
de
r

Tristr

3kV

IGBT

Akm
1kHz

1kV

10kHz

2kV

GTO

100kHz
1Mhz
500A

1000A

1500A

Frekans

- 13 -

2000A

3000A

BLM 2 : DORULTUCU DEVRELER


Bir dorultucu devresi AC beslemesini DC yke balayan devredir. Elde edilen DC
gerilim akde olduu gibi sabit olmayp ortalama gerilim seviyesine sper impoze edilmi

.g
g

alternatif akm dalgalanma bileeni ierir. Aada bahsedilen devrelerin tamam DC gerilim
vermesine ramen ; ktaki AC dalgalanmas, ortalama gerilim seviyesi, verimi ve AC
beslemedeki ykleme tesirleri asndan farkllk arz ederler.

ri.
tr

2.1 Devre Tanmlar ve Gruplandrma :

Dorultucu devreleri yarm dalga ve tam dalga balantlar olmak zere iki grupta
tanmlanabilir.

Yarm Dalga Devreleri : Bu devrelerde AC beslemenin her hattna bir dorultucu eleman

tla

balanr ; elemanlarn katodlar DC yke ve ykn dier ucu da AC beslemenin ntr ucuna
balanr. Akm ak her hatta tek ynldr. Tek yollu devre de denilir.

sn
o

Tam Dalga Devreleri : Biri yk besleyen, dieri de yk akmn AC hatta dndren iki adet
yarm dalga devresinin seri balanmasndan olutuundan, ntr hattna gerek yoktur. Kpr
devreleri ya da ift yollu devreler olarak da adlandrlr.

Devrelere ait kontrol karakteristikleri kategoride toplanabilir.

m
de
r

Kontrolsz Dorultucu Devreleri : Sadece diyot ierirler, AC besleme gerilimiyle orantl


sabit DC gerilim salarlar.

Tam Kontroll Dorultucu Devreleri : Tristr (ya da g transistr) kullanlr. Tristrlerin


iletime getii faz asnn kontrolyle DC yk geriliminin ortalama deeri ayarlanabilir,
yn deitirilebilir. Tam kontroll devreler yk ve besleme arasnda iki ynde de g
transferine imkan tandndan ift ynl konverter olarak da adlandrlrlar.

.e
e

Yarm Kontroll Devreler : Tristr ve diyot karm ierirler. Gerilimin yn deitirilemez


ancak ortalama deeri ayarlanabilir. Bu sebeple yar kontorll ve kontrolsz devreler tek

ynl konverter olarak adlandrlrlar.

Darbe Says : AC beslemenin bir periyodunda DC gerilim dalga eklinin tekrar

saysn ifadede kullanlan bir terimdir. rnein 6-darbeli devrenin k dalgalanmas giri

frekansnn 6 kat frekansa sahiptir. Giri 50 Hz ise, DC dalgalanma 300 Hzdir.

-1-

2.2 Komtasyon Diyodu :


ou devreler (zellikle
kontrolsz ya da yar kontroll)

A.C
Dorultucu
besleme

.g
g

yandaki ekilde olduu gibi


komtasyon diyodu ierirler. By-

Yk

Pass diyodu da denilir. ki

ri.
tr

fonksiyonu vardr : 1-Yk

geriliminin ynnn deimesini

Komtasyon diyodu

nlemek 2- Yk akmnn ana

tla

dorultucudan akn nleyerek dorultucunun bloke durumuna gemesini salamak.

2.3 Tek Faz Yarm Dalga (Tek Yollu) Devre :


iL

sn
o

ekil 2.2 (a)da kontrolsz tek

Yk

fazl yarm dalga balants

grlmektedir. Dalga ekilleri


izilirken diyodun ideal anahtar

m
de
r

(a)

gibi davrand kabul

edilmitir. ekil 2.2 (b)de yk,

Vmax

.e
e

Vort

endktans iermektedir. Omik


yk iin diyot gerilimi dm
ihmal edilirse :
Yk akm : i L = VS / R

Vort

Ortalama gerilim :
1
Vmax sin d
2 0
ou DC ykler (DC motorlar)

iL

Vort = Vmax / =

(Pozitif yar periyot) olur.

= t

saf omik iken (c)de ise

gerilimin ortalama deerine


tepki gsterirler, dolaysyla

Vmax

(b)

(c)

ekil 2.2 Tek faz yarm dalga devresi

-2-

RMS deerle pek ilgilenmez.

Ancak DC dalgalanmalar istemeyen kayplara yol aar. Devredeki diyodun seimi iin hem
akm hem de gerilim dikkate alnmaldr. Yklerin neredeyse tamam ; endktans ierir. Bu
durumda ekil 2.2(c) dalga ekilleri elde edilir.

1
=
2

max

.g
g

ortalama deeri ise : Vort

di L
dir. Buradan akm dalga ekli elde edilebilir. Gerilimin
dt

sin d olup, daha dktr.

ri.
tr

Yk Gerilimi : V L = Ri L + L

Tek faz yarm dalga devresi


T

tristr kullanlarak kontrol

iT
iL

iD

Tetikleme
Devresi

Yk

edilebilir. ekil 2.4 (a)da devre


yaps (b) ve (c)de ise dalga

tla

ig

R+jXL

ekilleri grlmektedir.

Komtasyon Diyodu

tetikleme asna bal olarak

(a)

sn
o

yk akm ve gerilimi
deimektedir. Akm seviyesi

Vmax
S

diyot tutma seviyesinin altna

ig

derse yk akm kesintili olur.

m
de
r

(ekil 2.4 (c)) Yk geriliminin


ortalama deeri ;

Vmax

iL

Vort

.e
e

iT

Vort

Vort =

Vmax
(1 + cos ) olur.
2

deeri der ve 180 0 de sfr


Vmax

olur.

Vmax

Vmax
(c)

ekil 2.4 Kontroll tek faz yarm dalga devresi

1
Vmax sin d
2

arttka gerilimin ortalama

iD

(b)

Vort =

-3-

2.4 ki Faz Yarm Dalga (Tek Yollu) Devresi :


ekil 2.5(a)daki devrede iki faz
ig2

T1

i1

iL

T2

Yk

i2

balants grlmektedir. Yke her


L

besleme hattnda bulunan tristrler

R+jXL

iS

.g
g

ig1

T1

araclyla besleme yaplmaktadr.

Herhangi bir anda sadece bir tristr

devrededir. ekildeki trsitrlere anto

ri.
tr

geriliminin pozitif kald herhangi


bir anda tetikleme uygulanabilir.
Tristr yerine diyot kullanlrsa

(a)
Vmax

Yk Gerilimi

Vort

tla

=0 olmu olur. Herhangi bir

deerinde T1 tristr iletime

geirildiinde yk akm T1 zerinde

sn
o

= t

akar, V1 gerilimi negatife getiinde

V2 pozitif olacandan yine derece

ig1

Tetikleme
Darbeleri

iL
i1
i2

Yk Akm

Tristr
Akmlar

AC besleme akm

iS =(i1 - i2)xN

.e
e

iS

m
de
r

ig2

T1

Tristr Gerilimi

T1 = 1 - L

sonra T2 tetiklenir ve T1 akm


komtasyonla T2 ye aktarlm olur.

T1 snme gittii anda ularnda


2Vmax (yani tm sekonder sarg
gerilimi) kadar gerilim bulunur.
Ortalama Gerilim :

Vort =

max

sin d =

2Vmax

cos

eklinde olur. Bu hesaplama


Vmax = PRV

(b)

yaplrken yk endktansnn ; yk
akmnn srekli kalmasn

ekil 2.5 ki faz yarm dalga devresi

salayacak deerde olduu kabul

edilmitir. = 0 iin ortalama gerilim en yksek deerindedir. (diyot durumu), = 90 0 iin


ise Vort = 0 dr. Gerilim dalga ekli bir periyotta iki kez tekrarlandnda bu devre iki

darbelidir. Gerilimin ortalama deeri dtke yk akm dalgalanmas artar ve kesintili hal
alr. AC besleme akm da non-sinsoidaldir ve gerilime gre geridir. (endktif)

-4-

2.5 Tek Faz Kpr (ift Yollu) Devreleri :


2.5.1 Kontrolsz :

Vmax
L

.g
g

Yk

(a)
1

1/2 Vmax
L

Yk
Vmax
L
iL
Yk

i1,i2

Ykn altndan
ntre olan gerilim

Vort

Yk gerilimi

= t

sn
o

tla

(b)

ri.
tr

Ykn tepesinden
ntre olan gerilim

Yk akm

Diyot akmlar

i3,i4

(c)

iS

D1

i1

i3

D1

D3

Yk

i4

Diyot gerilimi
Vmax

D2

D4

(d)

D1

iL

m
de
r

iS

Besleme akm
iS = i1 - i4

(e)

i2

.e
e

ekil 2.7 Tek faz kpr devresi

Yukardaki ekillerde tek-faz kpr devrelerinin deiik gsterimleri yer almaktadr. G

uygulamalarnda ekil 2.7(c) gsterimi kullanlr. Tek-Faz kpr balants iki tane yarm

dalga balantsnn seri balanmasndan elde edilmitir. (ekil 2.7 (b)) ekil 2.7 (e)de dalga

ekilleri grlmektedir. Yk akm sreklidir. Bir periyot ierisinde iki tekrar sz konusu

olduundan bu balant ekli de iki darbelidir.Diyot ve besleme devresinin akm dalga

ekilleri yarm dalga balantsyla (ekil 2.5) ayndr.

-5-

2.5.2 Tam Kontroll :


ekil 2.7deki devrede diyotlar yerine tristr kullanlrsa tam kontroll kpr devresi
elde edilir. Tristrler tetiklenene kadar iletim sz konusu olmaz. Akmn geebilmesi iin

tetiklenmelidir. Bunu salamak iin de T1 ve T2 ayn devreyle tetiklenir.


ig1

i3

ig3

T1

1
y

Yk

iS
ig2

ig4
i4

Tetikleme
Devresi

R+jXL

T2

T4

Katod
Kap

T2

i2

Katod

tla

x
2

Kap

iL

T3

T1

ri.
tr

i1

T1

.g
g

ekil 2.8deki devrede T1 ve T2 , T3 ve T4 grup halinde her yar periyotta ayn anda

ekil 2.9 Tetiklemeler

Ykn tepesinin
N'e gre gerilimi
Ykn tabann
N'e gre gerilimi

m
de
r

fazl yarm dalga balantyla ayndr.

Tetikleme
Darbeleri

ig3,ig4
x

Vort

Yk akm

.e
e

i1,i2

Tristr akmlar

i3,i4

Ortalama deeri ;

Yk gerilimi

= t

iL

grld gibi izolasyon trafosu


araclyla yaplr. Yk gerilimi iki

ig1,ig2

Vmax

Tetikleme darbeleri ekil 2.9da

sn
o

1/2 Vmax

iS

Besleme akm
iS = i1 - i4
Vmax = PFV

T1
Tristr gerilimi
Vmax = PRV

ekil 2.8 Tam kontroll kpr devresi

-6-

Vort =

2V max

cos dr.

Ancak devredeki iki tristrn gerilim


dmleri dahil edilmemitir ve yk
akmnn srekli olduu kabul
edilmitir.

2.5.3 Yar Kontroll :


ekil 2.10 (a)daki yar kontroll balantda grld gibi, iki tristr ve iki diyot
kullanarak ortalama DC gerilimi kontrol etmek mmkndr. ekildeki tam dalga balants

.g
g

aslnda iki yarm dalga devresinin eklenmesinden olumutur. Yke giren akm tristrlerden
geerken dn yolu da diyotlarla salanmaktadr. nceki konuda olduu gibi bir N (besleme
ntr) noktas tanmlayarak ve yk ularnn bu noktaya olan potansiyel deiimlerini

ig1

i3

ig3
T3

T1

1
x
2

iL

iD

Yk

iS
ig2

ig4
D2

D4

i4

Komtasyon
Diyodu

i2

(a)

Dalga ekillerinden de grld

Yk tepesinin N'e
gre potansiyeli

Yk tabannn N'e
gre potansiyeli

m
de
r

ig1,ig2

Tetikleme
Darbeleri

ig3,ig4

Vmax
L

Yk gerilimi

Yk akm

.e
e

iL

olunca ortalama gerilim sfra


der. Komtasyon diyodu hem

yk geriliminin negatif olmasn


nler, hem de endktif olma
durumu iin yk akmn zerine
alr. ebeke geriliminin sfrdan
getii ve T1 iletimde olduu bir
dn

akm

D2

zerinden ebekeye dnmektedir.

T3

i3,i4

olmaz. Gecikme as = 180 0

durumda

i1,i2

gibi yk gerilimi asla negatif

Vort

= t

R+jXL

sn
o

1/2 Vmax

Yk

tla

i1

T1

ri.
tr

inceleyerek dalga ekillerini elde edebiliriz.

Komtasyon
Diyodu Akm

iD

tristr

tetiklenmeyeceinden

kadar

bu

sre

zarfnda ykn endktif akm T1

iS
A.C. Besleme
akm

(b)

ve D4 zerinden akmak isteyecek


ve D2 akmn D4 e devredecektir
Ayn

ekil 2.10 Yar kontroll tek fazl kpr

alacandan T1 tristr snecektir.

-7-

zamanda

komtasyon

diyodu da yk akmn zerine

Tam kontrollnn aksine yar kontroll balantsnda komtasyon diyodu sebebiyle AC


akmda sfr seviyeye dme gzlenecektir. Yk geriliminin ortalama deeri ;

max

sin d =

Vmax

(1 + cos ) olur.

.g
g

Vort =

Yar kontroll devre, tam kontrollye gre daha ucuzdur, ancak AC besleme akm daha ok

ri.
tr

harmonik ierir. Ayrca yar kontrollde ortalama gerilim negatif deer alamaz.

2.6 Faz Yarm Dalga (Tek Yollu) Devre :

faz yarm dalga balants ok fazl dorultucu devrelerinin temel elemandr.


Ancak, besleme trafosunun sekonderinin zig-zag balanmasn gerektirdiinden kullanm

tla

alan snrldr. Anlatm kolayl bakmndan burada yldz bal olduu kabul edilecektir.

ok fazl balantlaryla DC dalga eklindeki dalgalanmalar daha azdr. Ayrca

ve sabit deerli kabul edilebilir.

sn
o

endktans byk gl ykler beslenebilir. Yk akm dalgalanmann azl nedeniyle srekli

ekil 2.12de her faz bir diyot araclyla yke

Yldz Bal
Sekonder

D1

i1

i2

i3
D2

D1

D3
IL

V1

ucuyla irtibatlandrlmtr. Herhangi bir anda

m
de
r

V2
Yk

V3

balanmtr. Yk k ise sekonder sargnn nrt

VL

sadece bir diyot iletimdedir. ekil 2.12 (b)deki

dalga ekillerinden de anlalabilecei gibi, V1


gerilimi dier sarg gerilimlerine gre daha byk

(a)

Vmax

Yk gerilimi

olmaz

Vort

.e
e

Yk akm

iL

Ortalama Gerilim :
Diyot
Akmlar

i3
Diyot Gerilimi
D1 = 1 L

D1

deiirken 1 periyotta 3 dalgalanma grlr. Yani


bu devre darbeli karaktere sahiptir.

iL

i2

D1 diyodu akmn D2 ye devreder. DC

gerilimin ani deeri Vmax ile 1/2 Vmax arasnda

= t

i1

iken D1 iletimdedir. V2 gerilimi V1 den byk olur

3 Vmax

5 / 6

Vort

1
3 3
=
Vmax sin d =
Vmax dr.

2 / 3 / 6
2

Yk akm sabit kabul edilirse, her bir diyot bir


periyodun te birinde iletimde olacandan RMS
deeri

I RMS = I L / 3

olur.

(b)

ekil 2.12 3~l Yarm Dalga Devresi

kalaca gerilim

-8-

3Vmax dr.

Diyotlarn

maruz

Yani fazlar aras gerilim kadardr. Ayn devrede diyot yerine tristr kullanlarak tam kontroll
balant elde edebiliriz. tetikleme as 120 0 farkla her faz tristrne uygulanarak Vort
ayarlanabilir. = 0 iin Vort en yksek deerindedir.(diyot durumu) nn balangc iki faz
ig1 i2

i1

T1

ig2 i3
T2

ig3

geriliminin kesitii noktadadr. (faz

.g
g

T1

T3
iL

V1

geriliminin 0dan geii deil) Bu

V2
Yk

balant sebebiyle gerilim dalgalanmas

VL

ri.
tr

artmtr (yine de 3 darbelidir) Ancak


V3

akm ekilleri ayn kalmtr, sadece

kadar telenmilerdir. ekil 2.14 (c) ve

(a)

(d)deki dalga ekilleri incelenirse ;

Vort

> 30 0 den

L
= t

Vort

itibaren

tla

Vmax

negatif

ani

deerler ald grlr.

ig2

sn
o

Gerilim ortalama deeri :

ig1

(c)

Vort

ig3
iL

iL

i1

m
de
r

i3

(d)

T1

( 5 / 6 ) +

max

sin d =

( / 6)+

3 3
Vmax cos
2

olup tetikleme as nn cosinsne

Vort

i2

1
=
2 / 3

baldr. = 90 0 de ortalama deer


sfr olur. Sfra yaklatka DC gerilim
dalgalanmas

artacandan

yk

akmnn sreklilii kabul azalacaktr.

3 Vmax

(b)

.e
e

ekil 2.14 3~l Yarm Dalga Kontroll Devre

2.7 Alt Fazl Yarm Dalga (Tek Yollu) Devre :


Bu devre 3~l yarm dalga balantsnn bir uzantsdr. Her bir tristr bir periyodun

altda biri iletimdedir. Diyot durumunda dalga ekli faz gerilimlerinin tepesi olup 6 darbelidir.

Tristr balanrsa gecikme asna bal olarak ortalama gerilim :


1
2 / 6

( 2 / 3) +

max

( / 3) +

sin d =

Vmax cos dr.

Vort =

-9-

i1

T1

Tristr geriliminin dalga eklinden


T1

T2

Yk L

VPRV , VPPV nin 2Vmax olduu grlr.

iL

Yar iletken eleman sadece 1/6

T6

T5

T4

T3

periyot

iletimde

verimsiz

olabileceinden

kullanlm

.g
g

olur

ve

I RMS = I L / 6 dr. ( I L sabit) ekil

ri.
tr

2.15deki basit yldz balant AC


(a)

2 3 4

primer sargda byk 3. harmonik

oluturacandan bunun yerine ekil

Yk gerilimi

Vmax

Vort

2.16daki fark balants ya da

= t

ekil 2.17deki ift-yldz balants

tla

kullanlr.

iL

i1

sn
o

Tristr akm

T1

Tristr gerilimi

m
de
r

T1 = 1 L

2Vmax

(b)

ekil 2.15 6 Faz Yarm Dalga Devresi

.e
e

i2

i4

D2

i6

D4

iy

Trafo Primeri

ia

D5
R

iL / 2
4

i1

i5

D6

ib

3
ekil 2.16 6 Faz Fork Balants

i3
D1
1

5
iL / 2

Sekonder

nterfaz trafosu
(Reaktr)
(a)

ekil 2.17 ift - Yldz 6 Faz Yarm Dalga Devresi

- 10 -

Sekonder

D3

iL

Yk

ift yldz balants : ki bamsz 3 fazl yarm dalga devresinin 6 darbeli k vermek zere
paralel almasndan ibarettir. Her bir yldz grubu birbirine 180 0 faz farkyla beslenir. Eer

.g
g

yldz noktal interfaz trafosu yerine dorudan irtibatlandrlsayd, basit 6~ yldz balant
yaplm olurdu. nterfaz trafosu aslnda bir reaktrdr ve yk akmnn dn reaktrn orta
ucuna yaplmaktadr.

ekil

Sa el yldz
3~ k

5 6

dalga

ekilleri

incelendiinde her bir yldz grubuna ait 2

Sol el yldz
3~ k

ri.
tr

Vmax

1 2 3 4

2.17(b)deki

adet 3-darbeli dalga ekli grlr. Reaktr ;

Yk Gerilimi

bu iki yldz grubun, yldz noktalar

tla

arasndaki gerilim fark nedeniyle ayn anda

iletimde olmasn salar ve yk geriliminin

Yk Akm

iL

deiimi bu iki grup dalga ekillerinin orta

iL /2

i2
i3

sn
o

yollarn takip eder. Bylece yk geriliminin

iL /2

i1

ulaabilecei max ani deer sekonder sarg

max deerinden kk olur : (

Diyot
Akmlar

i4

m
de
r

Diyot kullanlma durumu iin ortalama

i5

gerilim sadece bir yldz grubun dalga

eklinden veya dorudan yk gerilimi dalga

i6
ia

eklinden elde edilebilir :

ia = (i1 - i4) *

Dntrme Oran

ib

.e
e

ib = (i3 - i6) *

Dntrme Oran

3 3
Vmax
2

ki

grupta

birbirinden

bamsz olduundan her bir diyot 1/3

Bu devrenin AC besleme akm sinsoidale


AC Besleme Akm

daha yakndr. ekil 2.17 (b)deki reaktr

iy = ia - ib

Vmax/2

Vort =

periyot iletimde kalr ve 1/2 yk akm tar.

iy

3
)Vmax
2

gerilimi VR , iki yldz grubu gerilimleri

Reaktr
Gerilimi

arasndaki farktr. Yaklak gen ekli


vardr ve max deeri, faz gerilimi max
deerinin yarsna eittir. Reaktr ularnda

ekil 2.17 (b) Dalga ekilleri

gerilim indklenebilmesi iin bir mknatslama akmna ihtiya vardr. Bu da yk akmdr.


Yk akm deeri bu mknatslama akm deerinden az ise aralarnda gerilim
indklenmeyeceinden reaktr yok gibidir, yani iki yldz noktas birlemi gibidir. Devre

- 11 -

yldz bal 6~l devreye dnm olur. Bunu nlemek iin dorultucu ularna kk
deerli daimi bir yk bal bulundurulur. Reaktrn grevini yerine getirmedii durumda
devre 6~l devre gibi davrandndan diyotlar 2Vmax a dayanacak ekilde seilir.

Yk gerilimi

3~l k
3~l k
(Dier Yldz)

ekil 2.19(a)da asnn kk olmas


hali iin dalga ekilleri grlmektedir.
gerilimi

gerilimleri

= 90

Yk gerilimi

yerine tristr kullanlrsa tam

kontroll ift-yldz devresi elde edilir.

Yk

(a)

Vmax

Diyot

.g
g

ri.
tr

yine

arasnda

iki

yldz

grup

orta

yolu

takip

ederken, gerilim ortalama deeri yk

akmnn srekli olmas durumu iin cos

tla

ile orantl olacaktr. = 90 0 olduunda


Vort = 0 dr ve yk gerilimi dalga ekli

Vmax

sn
o

(b)

2.19 (b)deki gibidir. Bu durumda interfaz

trafosunun

time

gerilim

deiimi

kareye

benzer. Reaktrdeki ak deiimi bu

m
de
r

gerilim deiiminin altnda kalan alanla

(c)

orantldr. Bu alan diyot devresindeki

ekil 2.19 Kontroll ift Yldz Devre

gene gre 3 kat fazla olduundan ak


deiimi 3 kat fazla olacaktr. Bu nedenle

tam kontroll devrede kullanlacak interfaz trafosu fiziksel olarak 3 kat byk olacaktr.

.e
e

2.8 3 Faz Kpr (ift-Yollu) Devresi :

3 faz kpr (tam dalga) devresi ekil


2.20de grlmektedir. Yk bir adet 3~l

3~l
Besleme

Yk

yarm

dalga

balantsyla

beslenirken

dn yine dier bir 3~l yarm dalga

balantsyla

salanmaktadr.

Ntr

balantsna gerek yoktur. Aslnda ekil


2.21deki balant daha uygundur.
ekil 2.20 3~ Tam Dalga Devresi

- 12 -

i'b
i'a

D5

D3

ekil 2.21 (b)deki dalga ekilleri


iL

incelenirse; yk geriliminin, ykn


Yk

Trafo Primeri

i5

i3
D1

ia

iy

i1

VD1

ib

D6

D4
i4

D2

i6

i2

(a)

Vfaz (max)

grlr.

arasndaki
Maksimum

eittir.

Devre

ri.
tr

deerine

darbelidir. V HAT = 3V FAZ

ekil 2.21 (a)daki trafonun sekonderi

Vort

Yk Gerilimi

yldz baldr, ancak gen balama

Yk Akm

da yaplabilir. Yldz-gen trafo

iL

tla

= t

iL

kullanmann

i2

sebebi

3.

harmonii

azaltmaktr. Yk geriliminin ortalama

Diyot Akmlar

i4

sn
o

i3

deeri :

Vort = 2

i5
i6

3 3
3
VFAZ (max) = V HAT (max)

Ayn anda iki diyot iletimdedir, ancak

ia

m
de
r

ia = i1 - i4

ib

ib = i3 - i6

ic

AC Besleme
Akmlar
(Sekonder)

ic = i5 - i2

iy

iy = (ia - ib)*

.e
e

Dntrme Oran

D1

potansiyelleri

olduu

max

Yk tabannn N'ye

noktasna

deeri, fazlar aras (hat) geriliminin

Yk tepesinin N'ye
gre potansiyeli

= t
gre potansiyeli

i1

st noktas ile alt noktasnn yldz

fark

Vhat (max)

.g
g

ic

bunlarn

gerilim

dm

ihmal

edilmitir. Diyotlar 1/3 periyot (1200 )


boyunca

yk

akmnn

tamamn

iletirler. AC besleme akm simetrik


olmasna ramen basamakl yapdadr.
Ancak,

dalga

ekli

1~l

kpr

devresine gre daha sinsoidaldir.


D1 = a - Yk tepesinin N'ye
potansiyeli

Diyot yerine 6 adet tristr


kullanlarak 3~l kpr devresi tam

Vhat (max)

kontroll

(b)

yaplabilir.

Dolaysyla

ortalama gerilim ya bal olarak

ekil 2.21 Faz Kpr Devresi

ayarlanabilir. Bu devre ekil 2.22de

grlmektedir. Dalga ekilleri kk bir deeri iin izilmitir.

- 13 -

ekil 2.22de kk bir gecikme


iL

asnn uyguland tam kontroll

ia
Yk

ig2
T2

ig6
T6

ig4
T4
i4

i6

3~l kpr devresi grlmektedir.


6 darbeli yk gerilimi dalga eklini

i2

oluturmak iin iki 3 darbeli

(a)

Vfaz (max)

.g
g

i5 ig5
T5

i3 ig3
T3

balant bir araya getirilmitir.

L
= t

= t

Akm dalga ekilleri diyot alma

ri.
tr

i1 ig1
T1

durumuna benzer; ancak, as

Vhat (max)

kadar geciktirilmilerdir. Bu kpr

Vort

devresinde

a - b b - c c - a
a - c b - a c - b

ig2

Vhat (max)

ig3

devrelerde

rastlanmayan bir problem

tla

ig1

dier

konusudur.

Vort

i1

Devrenin

sz

ilk

altrlmas srasnda iki tane

sn
o

tristr ayn anda iletimde olmas

i4

gerekeceinden iki tetikleme bir

ia

tristre yapldktan bir mddet

(b)

(c)

ekil 2.22 Tam kontroll 3~ l kpr devresi

sonra ekil 2.22 (b)de grld

m
de
r

gibi dier tristr iletime alnrken bu tristre yine tetikleme uygulanmas zorunluluu vardr.
Bu sebeple balangta her bir tristre iki kez (fakat belirli aralklarla) tetikleme uygulanr.
alma dzene kavuunca bu uygulamaya gerek kalmaz, ancak devam edilmesi de saknca
oluturmaz.

Tetikleme gecikmesi artarsa (ekil 2.22 (c)) 3 darbeli iki dalga ekli izerek yk

.e
e

geriliminin dalga ekli deiimini anlamak gleir. Bu sebeple faz geriliminin farkndan
oluan 6 hat gerilimleri ile dalga ekli elde edilebilir. Yk geriliminin ortalama deeri :
Vort =

V HAT (max) cos dr. (ki adet seri tristr gerilim dm ihmal edilirse) 6 tristr yerine

3 tristr ve 3 diyot kullanlarak ve 3~l yarm dalga balants yaparak yk gerilimi kontrol

edilebilir. 1~l yarm dalga balantsnda olduu gibi komtasyon diyodu kullanlarak ekil

2.23 (a)daki devre edilir. Gerilim dalga ekilleri incelendiinde; iki adet 3 darbeli dalgann
stte olan kk tetikleme darbesi gecikmeli olduu, dierinin ise diyot durumu dalga ekli

olduu gzlenir. Aradaki fark yk gerilimi V2 yi verir. Bu durumda dalga ekli 3 darbeli olup
tam kontrollye gre daha fazla harmonik ierir.

- 14 -

i1
a

T5

T3

iD

Akm

iL

ia
Yk

b
D6

D4

i4
(a)

geciktirilmi,

ancak

tamamlayan

D4

fazda
L

= t

ift

Vort

i1

Bu

ebeke akmnda

olumas

harmoniklerin

den byk olduu durumlarda

i1

st

i4
i4
ia

iD

dalga

formu

alt

dalga

formuna gre daha negatif olur.


Bu durumda yk gerilimi dalga

ekli deeri sfr olan blgeler

iL

m
de
r

ia

(b)

grlr.

demektir. Tetikleme asn 90 0

sn
o

iL

diyodunun

tla

Vort

devreyi

simetrisizlik oluacaktr. Bu da

Vhat (max)

olduu

nedenle i a

gre

akmnn ise gerilimi ile ayn

gerilimine

ri.
tr

Vfaz (max)

ekilleri

incelendiinde ise T1 tristr


akmnn

Komtasyon
Diyodu

D2

dalga

.g
g

T1

ierir.

Sfr

blgelerde

yk

(c)

ekil 2.23 3~ l yar kontroll kpr devresi

akm

komtasyon

diyodu

zerine alr.

= 180 0 iin yk gerilimi ortalama deeri sfrdr. Yk geriliminin ortalama deeri:


3 3
3
V FAZ (max) (1 + cos ) =
V HAT (max) (cos ) dr.
2
2

.e
e

Vort =

Tam

kontroll

devreyle

karlatrldnda ; Yar kontroll devresi daha ucuz, balang altrma problemleri

olmayan, fakat yk gerilimi ve besleme akmnda daha ok harmonik oluturan bir devredir.

- 15 -

2.9 12 Darbe Devreleri :

11

(a)

1
1

.g
g

9
10 11 12

Zaman

3
5

Sekonderler

10
12

(a)

6
4

ri.
tr

Yk

Primer

(b)

nterfaz Trafolar (reaktrler)

ekil 2.24 12 darbeli dalga ekilleri

sn
o

Yk

tla

Primer

ekil 2.24de grld gibi


darbe says arttka DC gerilimi

(b)

iL / 2

iL

ideal sabit deere yaklamakta,

m
de
r

ebeke akm da sinsoidale

iL / 2

nterfaz
Trafosu

(c)

yaklamaktadr. ekil 2.25de 3

Yk

.e
e

ekil 2.25 Tipik 12 darbe balantlar


(a) Yarm Dalga (b) Kpr (seri) (c) Kpr (paralel)

yaygn

12-darbeli

balant

grlmektedir. ekil 2.25 (a)da


ift-yldz yarm dalga balants
vardr. Yldz gruplar 30 0 faz
farkna sahiptir. Drt diyot ayn

anda iletimdedir. ekil 2.25 (b) ve (c)de tam dalga balantlar 2 adet 3~l kpr devresinin

klarnn seri veya paralel balanmasndan elde edilmitir. Bu iki balantda da trafo biri

gen dieri yldz bal olmak zere iki adet sekonder sargsna sahiptir. Bu sebeple iki
kpr devresini besleyen gerilimler arasnda 30 0 faz fark vardr. ekil 2.25(b)deki balant

yksek gerilim eldesi iin kullanlr. Diyot seimi bulunduu kpr devresinin deeri dikkate
alnarak yaplr. Yksek akm gerektiren uygulamalarda ekil 2.25(c) tercih edilebilir. Bu 12

darbeli balantda olduu gibi 3 faz bloklar kullanlarak daha yksek darbeli balantlar
yaplabilir. ekil 2.25deki devrelerde tristr veya tristr-diyot kombinasyonlar kullanlarak
tam veya ksmi kontroll devreler oluturulabilir.

- 16 -

2.10 Besleme Trafosunun Boyutlandrlmas :


Dorultucu devrelerinin besleme trafolar nonsinsoidal akm tarlar ve sekonder
sarglar

trafo

ekirdeinin

farkl

ayarlarna

balanabilir.

Bu

nedenle

trafo

.g
g

boyutlandrlmasnda bu faktrler dikkate alnmaldr. Trafo sarglarnn boyutlandrlmas :


Sarg says, RMS gerilim deeri ve RMS akm deerinin arpmyla belirlenir. Primer
saysnn boyutlar sekonder sargdan farkl olabilir ; zellikle yarm dalga devrelerinde, akm

ri.
tr

dalga eklinin daha iyi olmas ve farkl ayaklarla irtibatl sarglardan olumu fazlarn olmas
sebebiyle byledir. Fork balantsnda sekonder sarg primer sargdan daha byk boyutludur.

ki faz, interkonnekte yldz veya ift-yldz sekonder sarglarnda olduu gibi ; ki

veya daha fazla sekonder sargnn bir tek primer sargyla irtibatl olduu trafolarda; sarg

tla

dizaynnda, sarglar aras ortalama mesafenin ayn olmas salanmaldr. Sekonderler bu

sebeple blmlendirilir ve ayn boluu verecek ekilde karlkl irtibatlandrlrlar. Bylece


primer ve sekonder sarglar arasnda kaak ak ayn olur. Her bir sekonder says primerle ayn

sn
o

uzunlukta olmaldr, bylece magneto motor kuvvet dengesi salanr. Aksi takdirde ar
mekanik zorlamalar sz konusu olur.
2.11 ZET :

Bu blmde birka dorultucu devresi anlatlmtr. Bylelikle verilen bir uygulamada

m
de
r

doru seimi yapabilmek iin deiik devreler zerine karlatrma yapma imkan
salanmtr.

Bir dk gerilimli yk iin (mesela 100V), gerilim deerleri diyot ve tristr etiket
deeri asndan nemli bir gerilim stresi oluturmayacaktr. Ancak bu gerilim seviyesinde;
yarm dalga balantsndaki bir diyot gerilim dm ile tam dalga balantsndaki iki diyot

.e
e

gerilim dm nemli olacaktr. Ayrca yarm dalga balantsnda daha az g kayb sz


konusudur.

Bir yksek gerilimli yk iin (mesela 2kV) kpr devresi tercih edilmelidir. nk

yarm dalga devresinde diyot ya da tristr etiket deeri daha byk seilecektir. Yksek

gerilim seviyesinde kpr devresinin iki diyot gerilim dm nemsiz kalacaktr.

Orta gerilim seviyesinde karmak trafo dizaynlar kullanarak maliyet dncesiyle

yarm dalga balants dnlebilir.


1~l devreler iin dk g uygulamalar sz konusudur. (15kW) nk beslemeden

ekilecek akmn grlt oran snrlandrlr. Ek olarak daha byk yklerin fazda
beslenmesi iin sebepler vardr.
Ortalama gerilimin ters evrilmesi istenen yerlerde tam kontroll balants
kullanlmaldr. Bu gerekmiyorsa yar kontroll kullanmak daha ucuzdur, ancak akm ve
- 17 -

gerilim dalga ekillerindeki byk grltler sebebiyle kullanmlarnda teknik snrlamalar

.e
e

m
de
r

sn
o

tla

ri.
tr

.g
g

getirilmitir.

- 18 -

BLM 3 KONVERTER ALIMA

2. Blmde AC beslemesinin empedans ihmal edilerek genel dorultucu devrelerinin

.g
g

temel karakteristikleri incelenmitir. Bu blmde ise besleme empedansnn tesiri,


beslemeden ekilen akm ve g faktr ve ters ynde g ak da ele alnacaktr. Aslnda

anlatlan devrelerin bazlar hem redresr hem de inverter olarak alabiliyordu. Dolaysyla

ri.
tr

devreler iin konverter terimini kullanmak daha dorudur.

3.1 Overlap (akma st ste Gelme)

tla

2. Blmde bir diyottan (ya da tristr) dierine akm transferinin (komtasyon) bir
anda gerekletii kabul edilmitir. Pratikte ; besleme kaynann diren ve entktansnn

dahil edilmesiyle akmn bir elemandan dierine transferi belirli bir zaman alr. Transfer eden

i1

i2
D2

D1

i3
D3

sn
o

elemann akm exponansiyel olarak azalrken , dierininki de ayn oranda artar.

AC beslemenin endktif reaktans, direncinden

IL

V2

edilebilir. Bu reaktansn byk bir ksmn

m
de
r

V1

ok byktr. Bu sebeple direnci ihmal

Yk

VL

V3

ekil 3.1deki gibi bir kaynak ve seri bal bir

reaktansla temsil edilebilir. Akm


komtasyonunu izah iin ekil 3.1deki 3~l

(a)

V1

.e
e

Vmax

V2

yarm dalga balants kullanlmtr. Benzer

V3

ekilde bu anlatm dier devrelere

VL

trafonun kapak reaktans oluturur. AC devresi

uygulanabilir.

ekil 3.1 (b)de dalga ekilleri grlmektedir.


Overlap Periyodu

IL

Komtasyon sresince () hem akm devreden


hem de devralan diyot iletimdedir. ()ya
komtasyon as veya overlap as denir.

i1

i2

ekil 3.1 3 ~l yarm dalga dorultucuda


overlap

i3
(b)

-1-

Komtasyon sresince yk akm iletimdeki iki diyodun akmlar toplamna eittir.


(Yk endktif ve yk akm sabit kabul ile) bu anda yk gerilimi iletimde olan fazlarn
gerilimleri ortalamasna eittir. Overlapn (komtasyonun) tesiri ile ortalama deerde dme

i1

i2

IL
D2

ekil 3.2de grld gibi, komtasyon

ri.
tr

D1

.g
g

olur.

sresince iletimde olan D 1 ve D 2

V2

diyotlar araclyla bir i akmnn

V1

akt dnlebilir. Diyot gerilim

L
D1 den D2 ye
akm komtasyonu balangc

V2
V1 - V2

V 2 - V1 = L

di
di
+L
dt
dt

olur.

Bu gerilim fark hat gerilimine eit

sn
o

V1

tla

dmleri ihmal edilirse ;

olduundan max deeri

3 V max olup

eitlik :

m
de
r

zaman (t)

ekil 3.2 Overlap sresince artlar

di =

3Vmax
sin tdt haline gelir.
2L

ki tarafn integre edilmesinden ;

3Vmax
cos t
bylece ;

+ C ve t = 0da i = 0dan C =
(2L)

3Vmax
2L

i=

3Vmax
(1 cos t ) komtasyon bitiminde i = I L ve t = ayrca L = X (kaynak
2L

.e
e

i=

reaktans) olup ;

3Vmax
2I X
(1 cos ) ya da cos = 1 L bulunur.
2X
3Vmax

IL =

Komtasyon sresince 3~l grubun iki faz aslnda fazlar aras ksa devreye maruz kalmtr.
Gerilimin ortalama deerini hesaplamak iin ekil 3.1 (b)deki dalga ekilleri

incelenerek, dalgann sresince ve sonrasnda oluan iki para altndaki alanlar

kullanlabilir.

Vort =

1 5 / 6

Vmax sin d + Vmsx sin cos d

0
2 / 3 ( / 6) +
6

Vort =

3 3Vmax
(1 + cos ) elde edilir.
4

-2-

Overlap ihmal edilirse ( = 0), V ort nceki blm 3~l yarm dalga devresinin ayn
deerinde olur. Ayn forml L

di
= V ve I L forml kullanlarak da bulunabilir.
dt

.g
g

Kontroll 3-darbeli durum iin (tristr kullanlarak) overlapin etkisi ekil 3.3de grld
gibidir. Bu durumda :

V1

V2

V 2 - V1 =

V3

max

3Vmax sin (t + ) = 2 L

Akmdaki deiiklie
neden olan gerilim fark

3Vmax sin (t + )

di
dt

ri.
tr

= t

3Vmax
[cos cos(t + )]
2L

i=

tla

i = I L ve t =

IL

i1

IL =

sn
o

ekil 3.3 Kontroll 3 Darbeli Dorultucuda Overlap

3Vmax
[cos cos( + )]
2L

Kontrolsz durumla ( = 0) karlatrldnda daha ksadr ve komtasyon sresince akm


lineer deiir. Ortalama gerilim ise ;

+
3 3Vmax
1 5 / 6

[cos + cos( + )]
Vmax sin d + Vmsx sin cos d =

4
2 / 3 ( / 6) + +
6

m
de
r

Vort =

Deiik darbe saylarna sahip dorultucu devrelerine ait dalga ekilleri overlap dahil
edildiinde ekil 3.4deki gibi olur.

Komtasyon diyodunun kullanld ekil

.e
e

(a)

IL

(b)

Yk

3.5deki devre iin overlap artlar incelenirse :

ekil 3.5 Komtasyon diyotlu devre ve overlap

Besleme gerilimi ekilde grlen ynde ters


(d)

(c)

ekil 3.4 Overlapl dalga ekilleri


a) 2 Darbeli kontrolsz

c) 6 Darbeli kontrolsz

b) Kontroll 2 Darbeli

d) Kontroll 6 Darbeli

evrildiinde bir i akm komtasyon diyodu


araclyla akacaktr. i = I L olunca komtasyon
sona erer.

I L nin sabit kald kabul ile yk komtasyon artlarn etkilemeyecektir. Bylece :


-3-

V =L

V
V
di
= Vmax sin t , ve i = 0 (t = 0)da i = max (1 cos t ) I L = max (1 cos )
dt
L
L

Burada diyot gerilim dmleri ihmal edilmitir. (Kpr devreleri iin dikkate alnmaldr.)

.g
g

ekil 3.5deki komtasyon diyodunun iletim

IL

periyodunun bitmesini mtaakip dier tristr


tetiklenecek ve yk akm yine besleme
L
Yk

ri.
tr

zerinden geecektir. Akmn tristre transferi


esnasnda (ekil 3.6) yine bir overlap sresi
olacak ve bu esnada yk gerilimi efektif

manada sfr olacaktr. Bu sefer ebeke gerilimi

ekil 3.5 Yk Akm komtasyon


diyodundan tristre aktarlrken

tla

yke pozitif uygulandndan (tetikleme


annda) daha ksa bir srede overlap

(komtasyon) sona erecektir. ebeke reaktans

sn
o

ok bykse overlap sresi bir sonrakine kadar uzayabilir, mesela 6-darbeli devre iin 60 o yi
aabilir. Devre balantlarna gre bu durum dikkate alnmaldr. Uygulamada byle bir olay
az grlr. (Mesela DC motora dk gerilimle yol verme esnasnda)

3.2 G Faktr :

m
de
r

Alternatif akmla beslenen bir ykn g faktr PF = Ortalama G / V rms I rms olarak
tanmlanr. Eer akm sinsoidal ise g faktr bu durumda akm ile gerilim arasndaki faz
farknn cosinsne eit olur. Bu sebeple PF = cos tarifi yanltr. 2.Blmdeki kontroll
dorultucularn dalga ekilleri incelenirse ; tetikleme gecikmesinin faz gerilimine nazaran
besleme akmnda gecikmeye sebep olduu grlr. Akm harmonikleri de ierdiinden

.e
e

R.M.S deeri temel bileenin R.M.S deerinden daha byk olur. Bu sebeple cos ile
hesaplanan deer gerek g faktr deerinden dk olur.
Normalde besleme gerilimi sinsoidal kabul edilebilir. Dolaysyla harmonik akmlar

g kaybna neden olmaz diyebiliriz. Bu durumda ; P = V1rms I 1rms cos 1 burada 1 indisi

temel bileeni ifade eder. Sinsoidal besleme gerilimi iin g faktr PF =

I 1rms
cos 1 dir.
I rms

I 1rms
ye giri bozulma faktr ; cos 1 e giri deplasman (yer deitirme) faktr denir. Yk
I rms

akmnn srekli olduu tam kontroll balantlarn da 1 gecikme as ya eittir. Diyot


durumundaki akmla gerilimin ayn fazda olduu durumda bile besleme akmnda harmonik
bileenler varsa g faktr 1den daima dk kalr.

3.3 nverter alma :


-4-

nverter almay izah iin herhangi bir tam kontroll devre kullanlabilir. Ancak
burada 3-darbeli devre kullanlacaktr. Akmn sabit olduu kabul ile tetikleme asn
kk bir deerden 180 o ye kadar deitirirsek ekil 3.7 b-f elde edilir.

.g
g

Tetikleme as 90 o ye kadar dorultucu alma olur. 90 o de ortalama deer sfrdr.


90 o den sonra ortalama
T2

T1

T3

iL

V1

gerilim negatif olup, dalga


ekilleri dorultucuya

ri.
tr

V2

benzemekle beraber terstir.

VL

ekil 3.7 adaki balantda


kullanlan DC makine ;

V3

tla

konverter dorultucu olarak

(a)

Vort

Yk gerilimi VL ters

sn
o

alrken, motor almadadr.

Vort

dndnde DC makine

generatr olarak alr. Bu


durumda konverter inverter

(c)

(b)

modunda almaktadr. Akm

m
de
r

90

yn ters yne
geemeyeceinden ve makine

Vort

(d)

(e)

.e
e

dn yn ayn kalrsa,
Vort

Tristr komtasyonu
iin mevcut gerilim

(g)

ekil 3.7 (a) 3 darbeli balant ve DC makina (yk) (b) Dorultucu alma (kk ) (c)
Dorultucu alma (Bir miktar gerilim ani deeri negatif) (d) = 90 Vort = 0 (e) nverter
alma (Vort = negatif) (f) nverter alma ( --> 0 limitine yaklarken) (g) nverter
alma (overlap etkisi dahil edilmi)

balantlar ters evrilmelidir.

akarken gerilim ters ynde

Vort

(f)

retebilmesi iin alan sarg

Bu almada akm fazlardan

generatrn gerilim

olduundan retilen gcn de


generatrden AC sisteme geri
beslenmesi sz konusudur.
Tristrlerde komtasyon
olabilmesi iin, konverter gl

bir AC senkron abekeye bal olmaldr. ebekeye geri verilin enerji, bal bulunan dier
yklerce tketilir. Akmn T 1 tristrnden T 2 ye transferinde komtasyonun olabilmesi iin
2. faz geriliminin 1. faz geriliminden daha byk olmas gerekir. (V 2 ,V 1 den daha az negatif)

-5-

= 180 o olduunda V 2 = V 1 olacandan komtasyon gerekleemez. Dolaysyla = 180 o


limittir. nverter moda tetiklemenin yeri 180 o den ne kadar nce olduuyla llr.(ncelik
as advance angle) ve ekil 3.7 e-f de grld gibi ile gsterilir. Bu durumda nn

.g
g

cinsinden ifadesi = 180 o - dr. Bu forml darbe says ne olursa olsun deimez.

ekil 3.7 (g)de overlap grlmektedir. Eer iletimde olan fazlarn gerilimleri birbirine
eit olmadan nce komtasyon tamamlanmazsa yk (generatr) akm snmesi gereken

ri.
tr

tristrde kalacandan akmn dier tristre transferi mmkn olmaz. Bu sebeple overlap as
, tetikleme ncelik as dan az olmaldr. Pratikte as 0a drlemez. ekil 3.7

(g)de gsterilen as ; = ya eit olup snme giden tristrn komtasyon sonras


bloke durumunu kazanabilmesi iin mevcut bulunan zaman gsterir. asna toparlanma

tla

as (recovery ya da extinction as) denir. Ve 5 o den az deildir.

Tristr tetiklenme devreleri komtasyonunun tam olarak yaplabilmesini salamak iin

sn
o

tetikleme darbesini yeterince nce balatmaldr.

nverter almay daha detayl inceleyebilmek iin ekil 3-8deki devre kullanlabilir.
Generatr (DC makine) AC sistemi balayan g kayna olarak dnlrse, gerilim
referansn dorultucuda olduuna benzer ekilde ters evirerek izebiliriz. ekil 3.7 (a) ile

m
de
r

karlatrlrsa ekil 3.8 (a)daki DC makinenin armatr sarglar ters evrilmitir. Verilen bir
gerilim dn yn fralarda deimeyip ; makine, motor veya generatr olarak alsa da
fralarda sadece akm yn deiir.

i1

ig1

T1

.e
e

V1

Vort =
Vort =

i2

ig2

i3

T2

ekilde ayrca AC kaynak gerilim

ynleri yldz noktasna doru

ig3

ynlendirilerek AC sistemin gc ektii

T3

imaj verilmitir.

V2

ekil 3.8 (b) deki generatr dalga


ekli 3.7 (g)dekinin inversi olmutur.
iL

V3

Dolaysyla ekil 3.8 (b)deki deeri ok


VL

ynnde arttrlacaktr. ( gsteriminin


tersine) Generatr ortalama gerilimi dalga

(a)

Generatr

eklinde hesaplanrsa :

+
1 ( 5 / 6)

V
sin

+
Vmsx sin cos d
max

(
/
6
)

2 / 3
6

3 3Vmax
[cos + cos( )]
4

-6-

Generatr Gerilimi

VL

ig1
ig2
ig3
iL
i1
i2
i3

tla

ri.
tr

= t

.g
g

Vmax

m
de
r

sn
o

Generatr Akm

Tristr Akmlar

Tristr Gerilimi
VT1 = VL - V1

.e
e

VT1

(b)

ristr gerilim dm dahil edilirse generatr gerilimi ortalama deerden (V ort ) bir tristr
gerilim dm kadar fazla olacaktr. Generatr akmnn sabit kald kabul ile tristr

akmlar ekildeki gibidir. Akmlar gerilimlerine gre ileri olduklarndan g AC sistemine


akmaktadr ve AC sistem ileri g faktrne sahiptir. Tristr gerilimi dalga ekli incelenirse,

gerilim kadar ters uyguland grlr. Bu sre zarfnda tristr yeniden bloke durumunu
kazanr.

-7-

3.4 Reglasyon :
Reglasyon terimi bir donanmn ykl haldeki karakteristiklerini tanmlamada
kullanlr. Dorultucu durumu iin reglasyon; ak devre veya yksz duruma gre, ykn

k gerilimindeki de karlk gelen ana sebep vardr ;


1- Diyot ve/veya tristrlerde gerilim dm

ri.
tr

2- AC besleme kayna ve iletkenlerinin direnci

.g
g

ortalama gerilimindeki dmeyi ifade eder.

3- AC besleme kayna endktans

Bu gerilim dm ekil 3.9da grlen direnlerle temsil edilebilir.


R1

R2

R3

IL

tla

Burada V 0 ; ak devre gerilimi, ve


V L mevcut yk gerilimidir. I L nin

V0

Yk

VL

sn
o

srf sabit DC olduu kabulyle,

herhangi bir gerilim dm


direnlerle temsil edilebilir. Bu

ekil 3.9 Ykl bir dorultucu edeer devresi

gerilim dmlerinden ilk ikisi ou

m
de
r

durum iin sabit kabul edilebilir. ncs olan kaynak endktansnn gerilim dm etkisi
ise overlap konusunda izah edilmiti. ekil 3.1 kullanlarak hesaplanan ortalama gerilim

hesabnda integral limitleri ;
+ dan
6
Vort =

5
+ ya kadar olup, ortalama gerilim

3 3Vmax
3
cos
LI L idi. Grld gibi dorultucu devresi ister kontroll, ister
2
2

.e
e

3L
kontrolsz olsun her durumda
I L kadar bir gerilim dm mevcuttur. Bu gerilim
2

dm ekil 3.9da

3L
deerli bir direnle temsil edilebilir.Dier direnlerin aksine
2

(R1 , R2 ) bu diren (R3 ) g kayb oluturmaz, sadece overlapin tesirini izah iin

konulmutur.
Overlapin sebep olduu gerilim dm; eer overlapin sresi bir sonraki

komtasyona kadar srerse, ok byk deerlere ulaabilir. Normal durumdaki overlap model

durumu olarak adlandrlrken elemann maruz kald uzun sreli overlapa ise mode 2
durumu denir. nverter almada, overlap sebebiyle gerilim dm yukardakine benzer

ekilde hesaplanabilir ;

-8-

1 (5 / 6 )
Vmax sin tdt + LI L

2 / 3 ( / 6 )

Vort =

3 3Vmax
3L
cos +
I L dir
2
2

.g
g

Vort =

3.5 P-Darbeli Konverter in Eitlikler :

P Darbeli kontroll bir

ri.
tr

Vmax

dorultucunun overlap as

Vmax cos
p

nn da dahil edilmesiyle

= t

gerilim ifadesi ekil 3.10


kullanlarak karlabilir.

sn
o

= t

tla

elde edilecek ortalama

ekil 3.10 P - darbeli dorultucunun genel dalga formlar

1 ( / p ) +

V
cos
d
+
V
cos
cos
d

max
max

2 / p ( / p )+ +
p

Vort =

pVmax
2

sin + sin + ( + ) + cos sin ( + ) cos sin


p
p

Vort =

pVmax
2


sin [cos + cos( + )] (eleman gerilim dmleri ihmal)
p

.e
e

m
de
r

Vort =

= T1 ve ortalama gerilimin pozitif olduu dncesiyle inverter almada ise :


pVmax

sin [cos + cos( )] dr. P-Darbeli dorultucu ; I L yk akmn beslerken


2
p

Vort =

besleme komtasyon reaktans X (/faz) sebebiyle meydana gelen gerilim dm ekil 3.10

kullanlarak karlabilir. Zaman baz alarak ve overlap sebebiyle kaybolan alan LI L olarak :

Vort =

1
( / p ) + ( / ) V cos tdt LI = pVmax sin cos pX I
max
L
L

2 / p ( / p ) + ( / )

p
2

pX
Bu denklem; ak devre ortalama gerilimi V0 cos - gerilim dm
I L yi temsil
2
eden ekil 3.11deki devreyi tarif etmektedir. (Elemanlarn ve gerek direnlerin gerilim

dmleri ihmal)
-9-

pX / 2

Overlap as ; yk akm I L , besleme


gerilimi Vmax ve komtasyon reaktans X

Yk

Vort

.g
g

V0 cos

arasndaki iliki herhangi bir gecikme as


iin P- Darbeli dorultucuda

[cos cos( + )] dr.

ri.
tr

XI L = Vmax sin

ekil 3.11 Ykl dorultucu edeer devresi

3.6 Darbe Genilik Modlatr (P.W.M) Konverterleri ile G Faktr Kontrol :

tla

imdiye kadar anlatlan kontroll dorultucular ; AC beslemeden tabii komtasyona


ve faz as tetikleme gecikmesi kontrolne dayal klasik tristr kullanan devrelerdi. Bu

sn
o

devrelerde AC besleme akm hem gerilime gre geri, hem de harmonikler ieriyordu. Akmn
nonsinsoidal yaps ve dk g faktr elektrik retim ve datm kurulularnn g
sistemine eitli problemler oluturur.
i3

m
de
r

i1

T1

D1

T3

D3

g faktr = 1 ve

iS

T4

D4

T2

bir konverter hzl


anahtarlama elemanlar

i2

ve P.W.Me dayal

(a)

kontrol stratejisi
kullanlarak

VR

gerekletirilebilir.

XIS

XIS
VR
(b)

sinsoidale yakn akm


ekiyorsa idealdir. Byle

D2

VS

VL

i4

IS

Yk veya
Kaynak

T2

.e
e

T4

inverter alsn ;
kontroll bir dorultucu,

T3

T1

ster dorultucu, isterse

transistor, IGBT veya

VS

IS

Eleman olarak g

(c)

ekil 3.12 Bir fazl kpr, Gerilim kaynakl PWM konverter (a) Devre (b) Fazr
Diyagram (Dorultucu) (c) Fazr Diyagram (inverter)

GTO kullanlabilir.
Temel devre balants
ekil 3.12de
grlmektedir. Voltaj

kaynakl tabiri kullanlan byk deerlikli kondansatr sebebiyledir.


- 10 -

Kondansatr ; ksa sreli gerilim dalgalanmalarn nleyerek, sabit bir DC gerilim salar.
Anahtarlama elemanna paralel ters ynde geiren diyot balanmtr. ekil 3.12 (b) ve (c) AC
devre fazr diyagramlarn gstermektedir. (PF=1 iin) Dikkat edilirse VR > VS dir. nverter

.g
g

almada yk yerine D.C. kaynak bulunmaldr.


ekil 3.12 (a)da grlen endktans zerindeki g ak fazr diyagramndan, g = VS I S ve
VS V R
sin olarak bulunur. ( deplasman veya yk
X

ri.
tr

VR sin = XI S kullanlarak g =

as) Eer V R ;VS den geri ise g ak AC beslemeden konvertere dorudur. V R , VS den

ileri ise tersi durum sz konusudur. ekil 3.12 (b) ve (c) ; g faktrnn bir olmas hali iin

geerlidir; geri veya ileri g faktr,

VL

R ' nin

sabit tutulurken gerilimin genliini

tla

temel bileeni

iS

deitirmekle elde edilebilir.

sn
o

ekil 3.13de, P.W.M konverterin


alma prensibi grlmektedir.

(Dorultucu alma) ekil 3.12 (a) ve

VL

letimdeki
Elemanlar

T4

T4

T3

D2

T1
T2

"ON"
Sinyali

T3
T4

1 1
2 3

1
2

1 1 1 1
3 2 2 3

(b)ye baklrsa; transistrlere ON ve

2
4

3 2
4 4

3
4

2 3 3 4
4 4 4 2

D1

D1 D1

D1

D1 D1 T1 T1

T2

D3 T2

D3

T2 D3 T3 T4

T3

D2 T3

D2

T3 D2 T2 D3

D4 D4 D4

D4

D4 D4 T4 D2

.e
e

i1

m
de
r

letimdeki
Kollar

VR nin temel bileeni ve VS arasndaki


ilikiyi doru salayabilmek iin
kadar faz gecikmesi sz konusudur.
Devredeki kapasitr yeterince byk

sabit kabul edilebilir. Elemanlarn

i3

devreye alnp karlmalar VR nin ani


deerinin VL veya 0 olduu anlarda

mekanizmas VS yi referans alr, ancak

olduundan DC yk gerilimi olan VL

i2

OFF sinyallaerini gnderecek kontrol

i4

T1

olur. VS ile VR arasndaki gerilim fark

T2

di
ye karlk gelir.
dt

ani deer olarak L

( L ebekenin endktans)

T3

T4

ekil 3.13 PWM konverter dalga ekilleri (Dorultucu Modu)

- 11 -

transistrlerin anahtarlama zamanlar AC dalgann bir modlatr gen dalga ile


karlatrlmas ile elde edilir. ekil 3.12 (a)da grlen P.W.M konverterinin kontrolnde; 1
ve 4 gibi seri ift olarak adlandrlan kollardan sadece birisi ON konumundadr. (dier seri

.g
g

ift 2 ve 3 kolu) Hangi kolun devrede olduuna bal olarak akm ya AC beslemeden
kapasitre akar; ya da konvertere gre AC girii, ksa devre durumdadr. ekil 3.13deki dalga

formlar 2 ve 3 kollar arasndaki anahtarlamayla elde edilmitir. Transistr bazna

ri.
tr

uygulanacak akm (IGBTye gerilim) Eer ana devredeki akm yn uygunsa transistr

iletime geirir, yoksa transistre bal diyottan akm geer. Akm tayan bir transistr
sndrldnde, akm, seri durumdaki iki koldan dier yarsndaki diyoda aktarlr. (Eer

T1 ( T2 ) sndrlmse akm D4 ( D3 ) diyoduna transfer olur.) Seri koldaki iki transistr ( T1 ve

tla

T4 veya T2 ile T3 ) asla ayn anda iletimde olmamaldr, yoksa DC yk ularndaki kapasitr
ksa devre edilmi olur.

sn
o

ekil 3.13 incelendiinde, AC besleme akmnn sinsoidale yakn ve besleme gerilimi


ile ayn fazda olduu grlr. Pratikte; elemanlarn anahtarlanmalar ok daha fazladr. Her
yar periyotta daha fazla ON-OFF periyotlar bulunmasyla AC dalga formu neredeyse tam
sinsoidal olur, ok kk bir harmonik frekans salnm vardr. Tipik olarak modlasyon

m
de
r

frekans birka kHzdir. (3 kHz 50 Hzde 60 basamak)

nverter alma modunda; (g ak DC taraftan AC tarafa) transistrlerin


tetiklenmesi, besleme gerilimi VS den kadar ileride referans alnacak kadar zaman sonra
olmaldr. Bu durumdaki VR nin temel bileeni VS den kadar nce gelir. (ekil 3.14) Dikkat
edilirse ; AC besleme akm i S , inverter modunda g ak ters yne evrildiinden

.e
e

dorultucu duruma gre 180 o faz fark vardr.

ekil 3.12deki PWM konverterin ana kullanm alan deiken hzl AC motorlardr.

G faktrnn 1 olmas iin konverter AC gerilimi VR nin AC besleme geriliminden daha

byk olmas gerektii gerei dorultucu olarak DC yk geriliminin kontroln snrlar.

(Dk deerli DC yk gerilimine izin verilmez.)

- 12 -

VL

R ' nin

Dorultucu

temel bileeni

iS

almay

balatma

durumunda, btn transistrler OFF

durumunda ise, kapasitr AC geriliminin

ekil

3.12deki

PWM

.g
g

tepe deerine kadar dolacaktr.


konverter,

dorultucu olarak pek kararl (stabil)

letimdeki
Kol

1 1 1 1
3 2 2 3

1 1

1 1

2 3
4 4

3 2

2 3 3 2
4 4 4 4

3 2

letken
Elemanlar

D1 D1 T1 T1

T1

T1 T1

T1

T2 D3 T3 D2

T3

D2 T3

D2

D1 D1

T3 D2 T2 D3

T2

D3 T2

D3

D4 D4 T4 T4

T4

T4 T4

T4

T3 D2

ri.
tr

deildir. Yeni sabit asyla alrken


ekstradan bir yk akm (g) talebi

olursa, bu kapasitr gerilimini drr.


(Bylece VR yi de) nn verilen bir

T1
T2
"ON"
Sinyali

deeri iin bu AC gte azalma manasna

tla

T3
T4

gelir. Kontrol sistemi, AC giri gcne


ekil 3.14 nverter modda PWM konverter dalga ekilleri

karlk DC yk akn dengelemek iin

sn
o

y ayarlamaldr. nverter alma iin PWM konverter kararldr. Akmdaki bir art VR ve
kapasitr gerilimini arttrr. (Ve dolaysyla AC gc) Yine de kontrol sistemi optimum
alma artlarn devam ettirmek iin y ayarlamaldr. (Ani deiimleri engellemek iin)

m
de
r

Birim g faktr ile (PF = 1) sinsoidale yakn akm eken ve DC yk gerilimi


kontrol edilebilen alternatif bir PWM dorultucu ekil 3.15de grlmektedir. Akm kaynakl
bu konverterde byk deerlikli bir LD endktans ykle seri balanmtr. Bu endktr ksa
sreli periyotlarla yk akmn sabit tutmaktadr. Devrede eleman olarak GTO kullanlmtr.
Ancak transistr kullanlacaksa devrede seri bir diyot, ters ynde gerilime maruz kalmay
nlemek iin bulunmaldr. Seilen GTO tristrler ters ynde uygulanacak gerilime

.e
e

dayanabilecek tipte olmaldr. Aksi takdirde seri diyot kullanlabilir.

PWM

LS

T1

iS

ekil 3.15de grlen devrenin kontrol

LD

Yk

Elemanlarn

devresi AC girie balanmtr. Bu filtrenin


rezonans

T4

yaplmaktadr.

anahtarlanabilmesi iin bir L-C filtre

T3

iR

ile

frekans

PWM

konverterin

modlasyon frekansnn ok ok altnda

T2

olmas gerekir. Diyelim ki, T1 ve T2


ekil 3.15 1~l kpr akm kaynakl PWM konverter

iletimde; Eer dalga eklinde bir sfr

periyodu oluturmak istiyorsak T1 i sndrmeli ve T3 iletime almalyz. GTOnun kapsna


akm uygulayarak T1 i sndrrz. Bylece akm sfra drrken DC hat endktrnde
- 13 -

di
sebebiyle gerilim endklenecektir. Bu gerilim T3 n iletime alnmasn mmkn hale
dt

getirir. Bylece yk akm T2 ve T3 kolu araclyla akmaya balar. AC besleme akm ise

alr, bylece AC besleme gerilimi tekrar dorultucuya uygulanm olur.

.g
g

kapasitr zerinden akar. Sfr periyodunun bitiminde PWM, T1 GTO tristrn tekrar iletime

ekil 3.15deki PWM konverterin almasn zetleyecek olursak yar iletken eleman

ri.
tr

olarak diyot kullanlsayd, AC besleme akm kare dalga eklinde olacakt. PWM ve GTO
kullanlmasyla AC akm i R , sinsoidal ama harmonik ieren bir akm olmutur. LC

filtresinin kullanlmasyla bu harmonikler szlerek AC ebekeden ekilen akmn sinsoidale


ok yakn olmas salanmtr. PWM dalgasnn (gen dalga) modlasyon endeksinin

tla

kontrol ile, DC ykn akm ve gerilimi kontrol edilebilir. Normal faz as gecikmesi

kullanlabilir. Ayrca blm3.3deki hususlar dahilinde PWM kullanlarak nverter alma

sn
o

elde edilebilir. Bu durumda g ak DC taraftan AC tarafadr. (DC kaynak kullanlmaldr)


PWM kontroll konverterler mevzusu teoride kabul edilebilir, ancak pratikte stabilite,
arza ve geici hal artlaryla ilgili problemler meydana gelmektedir. Burada sadece 1 nolu
kpr devresi iin PWM anlatlmtr ama byk g isteyen uygulamalarda 3~l kpr

.e
e

m
de
r

devresi kullanlmaldr. 3~l kpr devresinde PWM, 1~l devrenin bir uzantsdr.

- 14 -

Blm 4 : DC HAT KOMTASYONU


Dorultucu elemanlarn bir AC beslemeyle irtibatl olduu nceki iki blmde,
elemanlar AC peryot ierisinde akmn sfra dt anlarda tabii olarak snyorlard. DC

.g
g

beslemeli ou uygulamalarda da yar iletken elemanlar bulunabilir. DC kaynakla beslenen

yklerin anahtarlanmasyla yk gc kontrol edilebilir. Btn devreler DC Kyc denir.


Kycnn temel yaps ekil 4.1 de grlmektedir. Gerilim ve akm anahtarlama frekansna

ri.
tr

bal olarak g transistor, g MOSFET i GTO veya IGBT kullanlabilir.

Yk endktif ise, snm sonras yk akmnn devam edebilmesi iin ularna diyot

balanr. Yk ularndaki

or

gerilimin ortalama deeri,

tla

or

or

on/off

periyodu

sn
o

deitirilerek ayarlanabilir.
Eleman

VL

VL

transistoru
durumunda,

m
de
r

Yk

On

Zaman t

olarak

kullanlmas
kollektr-

emiter gerilimi baz akmnn

Off

deitirilmesiyle

ekil 4.1 DC Kyc

ayarlanabilir (bylece yk

gerilimi de ayarlanm olur). Ancak bu uygulama kk g seviyesinde yaplabilir. Yk


akm 100A iin transistr ularnda 200V gerilim dm demek, transistor de 20kW g
kayb demektir. Bu kayp transistor n yanmasna yol amasa bile en azndan parasal kayp

.e
e

demektir.

Eski temel devrelerin ou anahtarlama eleman olarak tristr ieriyordu. Bu

tristrlerin sndrlebilmesi iin harici bir devre bulunuyordu. Bu devre anot akmn sfra

drerek ve tristrn bloke durumunu kazanabilmesi iin yeterli bir zaman ters gerilim

uygulanmasn salayarak tristr sndryordu. Bu blmde bu temel sndrme devrelerinin

genel prensipleri anlatlacaktr. Devrelerle alakal formller blm sonunun da izah


edilecektir.

-1-

4.1 PARALEL KAPASTANS

ekil 4.2 deki tristr


C

iletime alnrsa akm

iT

Zaman

E/R

.g
g

VT

olur.

Tirstr

sndrmek

iin

ekildeki doldurulmu

ri.
tr

Kapasitr

bir

anahtar

ekil 4.2 Paralel Kapasitrle Snm

kapatlarak

ynde

gerilim

tla

ters

uygulanr. Bylece tristr akm azalarak negatif blgeye geer ve tristr yklerinin bloke
durumu kazandracak ekilde yerlemelerini salar. Bir mddet sonra tristr ularndaki

sn
o

gerilim kapasitrn dolmasyla pozitif olarak E seviyesine ular. Bu devredeki kapasitr


deeri tristrn bloke durumunu kazanmasn salayabilecek deerde olmaldr. ekil 4.2
deki devreyi pratikte kullanabilmek iin S anahtar elektronik bir anahtarla deitirilmeli ve
devre, yeniden snm salayabilecek ekilde kapasitr doldurabilmelidir. Byle bir devre

m
de
r

ekil 4.3de grlmektedir.

Yarm Periyot
Kosins Dalgas

ig2

T1

ic

1
Osilasyon fre.=

VC

VT1

VC

ig1

ig2

iT1

T2

2E
R

iC

-t/RC

iT2

VT2

iT2

ig1

iR

.e
e
iD

2E/R
E/R

Yk

Yk Akm

iD

iT1

ekil 4.3 (a) Paralel Kapasitans Kmtasyon Devreli


Kyc Devresi

VT1

dalga ekilleri (b)de grlmektedir. T1, ana

VT2

deal tristrler ve kaypsz elemanlar kabul ile

Snm Z.

Maksimum dv/dt

Exponansiyel Art

-E

yk tristrdr. T2 ise T1 in snm iin


ON

gerekli kapasitr devreye almak iin yedek


tristrdr.

endktans,

kapasitr

ularndaki polaritenin doru ynde olmasn

OFF

ig2
Batarya
baland

ekil 4.3 (b) Paralel Kapasitans Kmtasyon Devreli


Kyc Devresi

salamak iindir.

-2-

(LC)

Balangta tristrler snmde olduklar iin batarya balansa bile akm akmaz.
ncelikle T2nin tetiklenerek C kapasitrnn dolmas salanr. Bu durumda ekil 4.4 (a) daki
balant gereklemi olur. Kapasitr, akm ekspnonansiyel olarak azalan bir dalga ekliyle

.g
g

dolar. (Balang deeri E/R dir) Bir mddet sonra kapasitr E batarya gerilim seviyesine
kadar dolar. (T2 nin tutuma akmnn altna inmesiyle akm sneceinden tam E ye kadar

ri.
tr

dolamaz)

T1 tetiklenirse yk, bataryaya balanm olur. (ekil 4.4 (b)) Ayn zamanda L endktans ile
C kapasitans arasnda yarm peryot srecek bir osilasyon balar. ( Diyot ters ynde akm
akn engelleyeceinden). Bylece kapasitr ularndaki polarite deierek ekil 4.4(a) daki

tla

durumu alr. T2 tetiklenirse, C nin T1 zerinden boalmasyla T1 sndrlr. bylece ekil

sn
o

4.4(a) da T2 tristr ve yk zerinden geen akmn balang deeri 2E/R olur.

T1

T1
L

m
de
r

T2

(a)

(b)

.e
e

ekil 4.4 ekil 4.3 iin edeer devreler

ekil 4.3 teki devrenin almasn zetleyecek olursak: T1 tetiklenirse yk bataryaya

balanm olur. T2nin tetiklenmesi T1i sndrerek yk bataryadan ayrr. Bu devrenin

dezavantaj, kapasitrn yk araclyla doldurulmasdr. Pratikte D diyodu yerine tristr

kullanlabilir. Eer diyot kullanlrsa T2 sndkten sonra diyot ve kapasitr araclyla

endktansn neden olaca ikincil bir osilasyon sz konusu olabilir. Bylece kapasitr bir

miktar boalr. Tristr kullanm bunu nleyecektir.

-3-

T2

T1

ekil 4.5 teki devre endktr kullanlma


gerekliliini

ortadan

kaldrr.

T1in

.g
g

tetiklenmesi hem yk bataryaya balar, hem


de C kapasitrnn R2 zerinden kolmasna

imkn

T2nin

tetiklenmesiyle

kondansatr gerilimi T1e uygulanm olur

R2 ve T2 sner. T2, R2 zerinden akm

ri.
tr

Yk

verir.

R1

akacandan iletimde kalr ve R1 araclyla


C kapasitrn ters ynde doldurur.

tla

T1 tetiklenirse R1 yk bataryaya balanm


ekil 4.5 Basit paralel kapasitrl kyc

olur, ayn zamanda C kondansatr T2 yi

sndrr. Bu basit devrenin dezavantaj ise R2 direncinde meydana gelen kayptr. R2 byk

anahtarlama frekansn snrlar.

sn
o

seilerek bu kayp azaltlabilir, ancak bu kondansatrn dolma sresini artrarak ykn

m
de
r

iC

T2

T1

VC

E
L

T3

Yk

.e
e

ekil 4.7 LC devresi bataryaya


seri bal

ekil 4.6 Deiik bir paralel kapasitans


komtasyon devresi

ekil 4.6 da kapasitrn yk zerinden doldurulmasn nleyen bir devre

grlmektedir. devrede T1 in tetiklenmesi, bataryay yke balar. Ayn zamanda veya bir

mddet sonra T3 tetiklenirse LC devresinde meydana gelen osilasyonla C kapasitr 2E


gerilimine kadar dolar. Bu olay anlamak iin ekil 4.7 deki devreye baklabilir. Devrede
osilasyon frekans kayplar ihmal edilirse 1/2 LC dir. Eer kayplar varsa C kapasitr
snml bir osilasyonla sonuta E gerilimine ulaacaktr. T3 tristr ters ynde akm
akmasn nleyeceinden sadece yarm periyotluk bir osilasyon olur ve kapasitr ularnda
yaklak 2E kadar gerilim bulunur.
-4-

ekil 4.6 da kapasitr doluyken T2 tetiklenirse bu, T1i sndrr. snm esnasnda C
kondansatr T2 araclyla yk zerinden ters polariteli olarak E kadar dolar. Bir sonraki T1

.g
g

ve T3 n tetiklenmesiyle de kondansatr osilasyonla dier ynde 2Enin de zerinde dolmu


olur. Bu devrenin avantaj, kondansatrn batarya geriliminden daha byk bir deerle
komtasyonu gerekletirmesidir. Dezavantaj ise T2 ve T3 yanllkla birlikte tetiklenirse

ri.
tr

batarya ular ksa devre edilmi olur.

imdiye kadar anlatlan bu devreleri seerken Kriter: ykn tipi, anahtarlama frekans,

.e
e

m
de
r

sn
o

tla

elemanlarn byklkleri , kayplar ve maliyet gz nne alnmaldr.

-5-

4.2 REZONANSLA SNM

Kondansatr-Bobin kombinasyonu kendinden osilasyona girme zellii, yedek veya

.g
g

ikinci bir tristr gerektirmeden, iletime girdikten belli bir zaman sonra yk tristrn
sndrmede kullanlabilir.

ri.
tr

ekil 4.8 (a) da grlen seri rezonans devresi, tristr akmnn ters ynde evrilmesini

ve snmn gerekleebilmesini salamak iin eksik snml tasarlanmaldr. ekil 4.8 (b) de
dalga ekilleri grlmektedir.

Batarya balandktan sonra ilk tetikleme darbesi


iT

tla

uygulannca LC osilasyonu balar tristr akm yn


ig

VT

ters dnemeyecei iin osilasyon yarm periyot


VI

devam eder ve tristr sner. osilasyon sonunda

VC

kapasitr ularnda yaklak 2E kadar gerilim

sn
o

Yk
R

VL

bulunduundan tristre ters kutuplanmayla E kadar


gerilim

(a)

VC=VL

.e
e

iT

Bu

andan

itibaren

Osilasyon dalga ekli

balar. Gerilimi Enin altna dnce

Eksponansiyel
azalma

tristr

m
de
r

>E

olur.

kondansatr yk zerinden boalmaya

ig

Snm
zaman

kutuplama
iletimde

olur.
kalma

pozitif

Devrede

tristr

sresi

osilasyon

frekans belirler. Kesim sresi ise yke


baldr. Ancak kondansatrn gerilim

takdirde
dv/dt

bir

sonraki

tetiklemesinde

akm

VI

tristr
osilasyon

yaplamayabilir.

yeniden

sre iin kesimde kalmaldr. Aksi

VT

ularnda

deeri, Enin altna decek kadar bir

uygulanm

Tristrden

incelenecek

olursa

geen
ikinci

Zaman(t)

tetiklenmede
birincisinden
ilk tetikleme darbesi

geen
az

olduu

akmn
grlr.

Bunun nedeni kondansatrn ularnda


(b)

zaten belirli
bulunmu olmasdr.
-6-

bir

gerilim

seviyesi

ekil 4.9 da ise paralel rezonansla snm salayan devre grlmektedir.

iT

VC

ig
E/R

VT
ig

iC

iT
R

VC

VL

ri.
tr

L
E

.g
g

iC

iL,VL

tla

E/R

ekil 4.9 Paralel rezonansla snm

iT = iL - iC

baland

zaman

devredeki
iT

sn
o

Batarya

kondansatr E seviyesine kadar dolar. bu

Snm
Zaman

andan itibaren tristrn tetiklenmesiyle


yke gerilim uygulanm olur, ayn

Batarya
baland

m
de
r

zamanda LC devresinde osilasyon balar.

VT

Osilasyon akmnn yk akmndan (E/R)

dV/dt
(b)

byk olmas durumunda tristr akm ters dnmeye alacaktr ve sonuta snecektir.
Osilasyon ilk yar periyodunda tristr akm artarken sonra azalmaya balayacak ve ikinci
yarsnn balarnda da sfra decektir. ekil 4.9 (b) deki dalga ekilleri LCR seri devresinin
kritik snml olduu (R2= 4L/C) durumu iin geerlidir. Eer R drlrse yk akm

.e
e

osilasyon akmndan (LC) daha byk olabilir. R arttrlrsa, bu da kapasitrn dolma sresini
arttrr. (Yani minumum snm sresi). Bu nedenle, bir devre sabit direnli ykler iin

kullanlabilir.

-7-

reaktr doyumda

ig
C

iC
L
E

.g
g

VC
R

iL,VL

ri.
tr

ekil 4.10 Doyumlu reaktrl paralel snm devresi

Rezonans devresi, doymaya ulaabilen bir


iT

reaktr kullanmyla ekil 4.10 daki gibi

tla

gelitirilebilir. Bu reaktr demir nveli


VT

yksek endktansl bir reaktrdr. Ancak


doyma blgesinde endktans dktr.

ON

ekil 4.10 daki devrede tristr tetiklenirse

OFF

sn
o

ekil 4.11 Doyumlu reaktrl paralel snm devresi ekilleri

L byk olduu iin doyma blgesine geene kadar yava bir osilasyon olur. Doyma
blgesinde L azalacandan akm birden artar ve yarm periyot devam eder. Bu akm yk
akmyla ayn ynde tristr den akar. osilasyon akm doyma blgesinden knca yine az bir

m
de
r

akmla devam eder ve ters ynde akmaya balar. Bu akm yine doyma blgesine ulaabilirse
tristr sndrr. Bu devre ile ykn iletimde kalma sresi arttrlm olur.

Eer yk endktifse yk ularna ekil 4.12 de grld gibi diyot balanmaldr.


Ayrca LC osilasyon devresinin akmna yk zerinden akmasn nlemek iin LC ularna

.e
e

diyot balanabilir.

C
C

D2
E

D1

Yk

D2

D1

ekil 4.12 Paralel rezonansl snm devresi


(diyotlar eklenmi)

-8-

ekil 4.13 Yksek endktansl ykler iin


rezonans devresi

Ykn endktans deeri ekil 4.13 deki rezonans endktansndan ok daha bykse,
ekil 4.13 devresini kullanmak dier devreleri kullanmaktan daha avantajldr. Avantaj: L
endktansnn, tristrn akm art hzn snrlayabilmesidir. Ayrca tristr snme giderken

.g
g

akm yava yava azalacaktr, bylece tristrde ters ynde yk birikmesi az olacaktr.
Devredeki D2 diyodu yk (motor) sebebiyle kapasitrn dolumunda problem olumasn
nlemektedir. kapasitrn yk araclyla dolmas ise besleme kaynandan ar gerilim

.e
e

m
de
r

sn
o

tla

ri.
tr

dm olmasn nleyecektir.

-9-

4.3 KUPLAJLI DEVRE

Yk akmn tayan tristr, kendisine seri bir endktrle sndrlebilir. Bu endktr

.g
g

zerinde DC besleme gerilimine ters ve ondan daha byk deerli bir gerilim
oluturulmaldr. Bu gerilim tristr ularnda ters kutuplanma meydana getirir ve yeterince
uzun olursa tristr sner.

D1

Yk
R

VL

ri.
tr

ekil 4.14 (a) ve (b) de dolu


kondansatr

L2
Yk

iT1

endktr araclyla tristr

D2

T1

VT1

ig1

sndrmesine ait devreler

VT2
iT2
ig2

L1

grlmektedir. ekil 4.14

T2
VC

tla

geriliminin

(a)

iL1

da

kaynak

devreye

balannca C kondansatr,

(a)

(b)

L2

sn
o

E'den byk

ve

D2

zerinden

yaklak 2E kadar dolar. T1 tetiklenirse; L1

VC

araclyla yk, kaynaa balanm olur. T2

tetiklenince kondansatr gerilim L1 zerinde

ig1

T1 tristrn sndrr. L1, C rezonans

m
de
r

VL, iT1

E/R

devresi kondansatr ters ynde doldurarak

ig2

T2

tristrn

sndrr.

Bundan

sonra

kondansatr, L2 ve D2 araclyla yeniden

iT2

T1 tristrn sndrecek ekilde doldurulur.


Bu devrede, L2 C devresinin rezonans

iL1

.e
e

snm zaman

frekans,

L1 C

devresinden ok daha

VT1

dktr. Dolaysyla Cnin L1 zerinden


boalmas, L2 den bamszdr. L2, L1 den

VT2

ON

daha byk seilmelidir. Eer D2 yerine, T2


OFF

ekil 4.14 Harici darbeyle komtasyon


a)Dorudan balant b) Karlkl kuplajl
c) Dalga ekilleri

sndkten sonra iletim giren bir tristr


balanrsa L2 daha kk seilebilir ve
OFF sresi azaltlabilir. ekil 4.14 (c)

dalga ekilleri grlmektedir. Yk akm kare dalga biimindedir. ekil 4.14(a) daki devrede
kullanlan elemanlarn kaypsz olduu kabul edilirse her anahtarlamada bir kondansatr
ularndaki gerilim 2E kadar byyecektir. Bu durum ekil 4.15 de grlmektedir.

- 10 -

L2, C devresindeki osilasyon -3E,+3E


4E

eklinde
3E

sonuta

4E

deerine ulaacaktr. Aslnda kayplar


bu deere kadar klmasn nler. T2

3E
C

ve

2E

ularna ters balanacak bir diyot ile


bir periyotluk bir salnm salanarak

-2E

da

ri.
tr

D2

olacak

.g
g

L2

kapasitr

ekil 4.15 - ekil 4.14 (a)'da T1 'in ilk sn sonras artlar

gerilimi

2E

ile

snrlandrlabilir.

tla

ekil 4.16da ise kuplajl darbe devresi grlmektedir. Bu devrede yk kaynaa baland

anda kondansatr snm iin

T1

T2

gerekli

E
L1

M
L2

yk

T1

in

akmnn

art L2 de gerilim endkleyecek

MdiL/dt

bu da karlkl endktansla L1de

L2diL/dt

gerilim

m
de
r

iL

Yk

dolar.

tetiklenmesiyle,

sn
o

iC

ynde

indkleyecektir.

Bu

gerilim, kondansatr zerinden i

Yk

ekil 4.16 Kuolajl darbe devresiyle komtasyon

akm

geirerek

dolduracaktr.

diyodu

onu
da

kondansatrn dearj olmasn nler. T2 tetiklendiinde kondansatr, T1 i sndrr ve ters


ynde dolar. T1 in bir sonraki tetikleniiyle L1, C ve D zerinde meydana gelen osilasyon

.e
e

kondansatr dolduracak, bu gerilime ekil 4.16 (b) de grld gibi m.diL/dt gerilimi de
katkda bulunacaktr.

ekil 4.16 daki kuplajl darbe devresinin dier iki devreye stnl yk zerinden

kapasitrn dolmas ve bylece snm iin gerekli artlarn garantilenmi olmasdr. Ayrca

yk akm ne kadar ok olursa kapasitrn dolumu da o kadar ok olacandan, tristr snm

iin o kadar ok sre, kondansatr tarafndan salanabilecektir.

- 11 -

4.4 BR BAKA YK BESLEYEN TRSTR ARACILIIYLA KOMTASYON

zellikle inverterlerde bulunan ou devreler, yk akmn, sndrlecek tristrden

.g
g

uzaklatrarak dier yk akm tayan tristr ya da diyoda transfer eden komtasyon teknii
kullanrlar. ki eit yk arasnda akm transfer eden byle bir devre ekil 4.17de
grlmektedir.
T1
iL1
R

kaynaa

ise C kondansatr T1 i sndrr ve ters ynde

C
iT2

dolar. Bu anda T2 zerinden dier yk kaynaa

VC
VT2

ig1

tla

iT1

VT1

yk

yk ve T1 araclyla dolar. T2 tetiklendiinde

T1

bir

balanrken ayn zamanda C kondansatr dier

iL2

tetiklendiinde

ri.
tr

is

balanm olur. Bu

T2
ig2

ekil

4.18

deki

devreden yola klarak

basit

inverter

devreyi

sn
o

oluturabilir.

(a)

VL

ig1

i1

Yk

ig2

m
de
r

VC

-E

iC

2E
R

iL1

VL

-t/RC

2E/R
E/R

i2

3E/R

ekil 4.18 - ekil 4.17 (a)'nn invertere dntrlmesi

Bu devrede eit zaman aralklaryla iki

E/R

max di/dt

tristrn tetiklenmesi yk ularnda AC


gerilim oluturur. Tamamlayc bir
devre olan McMurray-Bedford darbe
komtasyonlu kpr devresi ekil
4.19 da grlmektedir. eer T1 ve T2

iL2

.e
e

iT1

iT2

snm zaman

VT1

max dV/dt

iletimde ise yk kaynaa bal demektir


veya T3 ve T4 iletimdeyse yk ters
ynde akmgeecek ekilde kaynaa

VT2

bal demektir. Bylece yk ularnda


AC gerilim elde edilebilir.

is
Zaman (t)
ilk tetikleme
Batarya
baland

ON/OFF

OFF/ON

1 Periyot

ekil 4.17 Eit iki yk arasnda komtasyon

- 12 -

T3

T1

C1

Yk

L1
E
L4

T2

C2

D2

ri.
tr

T4

C4

D4

D3

C3

.g
g

D1

C1 = C2 = C3 = C4 = C

L1 = L2 = L3 = L4 = L

tla

ekil 4.19 Tamamlayc darbe komtasyonlu kpr devresi (Mc-Murray - Bedford)

ekil

4.19

daki

komtasyonu

incelersek: T1 (ve T2) iletimde ve yk


T1

L1=L

E
L4=L

C4

T4e transfer olarak T1 i sndrecektir.

Dier iki tristrde (T2 ve T3) bir deiiklik

T2

T4

olmakszn

T1in

sndrlmesi,

ykn

kaynaktan ayrlmasna neden olur. T4le

m
de
r

sn
o

akmn tarlarken T4 tetiklenirse yk akm

ayn anda T3 tetiklenirse T1 ve T2 ayn anda

(a)

sner ve yk ters ynde kaynaa balanm

olur. ekil 4.20de komtasyon esnasndaki

C1

olaylar grlmektedir.

I/2

.e
e

E=LdI/dt

C4

T2

Endktrde

depolanan

enerji

1/2LI2 dir. T4 tetiklenince ekil 4.20 (b)

(b)

nce artlar bulunmaktadr. C4, E ile


doludur.

ekil 4.20(a) da T4n tetiklenmesi

deki artlar gerekleir. C4n gerilimi L4


ularna uygulanr ve bu da L1 zerinde E

gerilimi endkler. Bu sebeple T1 ters

kutuplanarak sner. ekil 4.20 (b) deki akm

L4
i

D4

dal T4n tetiklenmesinden sonra L1,

L4 teki depolanan enerjinin deimemesi

(c)

sebebiyledir. L1 den akmakta olan I akm

ekil 4.20 Omik yk iin snm artlar


a) T4 tetiklenmeden nce b) T4 tetiklendikten hemen sonra
c) Kondansatr gerilimi ters olmaya baladktan sonra

L4 e transfer olur, bylece 1/2LI2 enerji

- 13 -

seviyesi korunmu olur. Omik bir yk varsaym ile yk akm sfra derken, I akm eit
oranda C1 ve C4 zerinden ekilir. C1 ve C4, L4 ile osilasyona girer. (f=1/2 2 LC ) C4n
gerilimi (1/2)E ye dnce T1 pozitif kutuplanr, bu zamana kadar da T1 bloke olmu olur.

.g
g

Devrede diyotlar olmasayd, osilasyon sebebiyle C1 ularndaki gerilim 2E nin zerine


kacak ve sonuta E seviyesine inecekti. D4 sebebiyle C4 ularndaki gerilim ters dnemez,
ekil 4.20 (c) de grld gibi L4n

tamamlar. Bylece C1, E seviyesine

kadar dolar. T4n akm ise D4 ve L4

E
E

ri.
tr

deki kayplar sebebiyle sfra der.

T4

T2

ou durumda yk endktif olduu iin

(a)

tla

C4

azalan akm D4 diyodundan devresini

Yk

yk akm srekli olacaktr. Ayrca

Yk
I

D4

I+i

T4
(b)

endktans,

komtasyon

devresinin endktansndan ok daha

sn
o

ykn

T2

byktr.

tetiklendikten

Bu

durumda

hemen

sonra

T4
akm

deiiklii ekil 4.21 (a) daki gibi olur.

T1A

m
de
r

ekil 4.21 Endktif yk iin snm artlar


a) T4 tetiklendikten hemen sonra b) D4 diyodu iletimdeyken

D1

Yk

T4

D4

T2

.e
e

T4A

C4n dearj akm iki kat artmtr.

T3

T1

nk kondansatr hem ykn hem


de T4n akmn
Komtasyon
akmnn

salamaktadr.

periyodunca
deimediini

yk
kabul

edersek, D4 iletime geince T4n

ekil 4.22 Yedek tristrlerle darbe komtasyonu

akm azalr, yk akm da T2 ve D4 zerinden akar, ancak yk ularndaki gerilim sfrdr. (

ekil 4.21 (b) )

Yukardaki ekilde ise LC seri devresi ve yedek tristrlerde snm ve akm transferi

gerekletirilen devre grlyor. T1 ile T2 veya T3 ile T4 iletime alnarak yk kaynaa

balanabilir.

- 14 -

Devrede T1 tristr sndrebilmek


iT1

iD1

iin

VT1
Yk
IL

gerekir.

4.23 de grlmektedir.
Devrede

iD4

VC

tetiklenmesi

Komtasyon sresince dalga ekilleri ekil

ig1A
iC

T1Ann

komtasyon

gereklemektedir

ve

.g
g

iT1A

aamada

komtasyon

ri.
tr

sresince yk akm sabit kalmaktadr. T1A


tetiklenirse, ekil 4.24 (a) da grld

gibi CL devresi T1 ile seri olur ve

kondansatr T1 zerinden boalr. t1

ig1A

annda kondansatr akm IL ye eit olur ve

tla

IL

T1 sner

sn
o

VC

IL

iT1A , iC

(a)

iT1

(b)

(c)

Kondansatr akm artmaya devam

eder. IL den fazlas D1 diyodundan geer

m
de
r

iC - IL

iD1

(ekil 4.24(b) ) kondansatr gerilimi ters

IL - iC

iD4

IL

evrilince, akm yk akmnn altna


der. D1in akm azalr ve D4 iletime

snm zaman

dV/dt

VT1
ileri gerilim
dm

D'de ileri gerilim


dm

geer. Bylece ekil 4.24 (c) de olduu

Zaman

gibi LC kaynak ularna balanm olur.

.e
e

Kondansatr, basit bir LC devresinden daha fazla bir gerilime ular. Kondansatr akm ters

dnmek isteyince T1A tristr t3 annda sner, D4 diyodu yk akmn zerine alr.

ekil 4.23 teki artlar zetlersek IC akm IL den daha byk bir pik deere sahip

olmaldr. T1 tristrnn snm zaman, D1 diyodunun iletimde kalma sresi kadardr. Bu

anda tristre uygulanan ters kuplajlama gerilimi, D1 zerindeki gerilim dm kadardr. T1

ularndaki gerilimin deiim hz yksek olduu iin pratikte bu art D4 diyodunun daha
erken akm zerine almas demektir, bu da C kondansatrnn daha fazla gerilimle dolmas
anlamna gelir. Bylece bir sonraki komtasyon daha kolay yaplabilir.

- 15 -

4.5 FORMLLERLE ZET

Bu
kaynaa

E/R
R

anlatlmtr.

tristrlerin

Ykn

tipine

(b)

ri.
tr

gre devre uygulamalar yer

(a)

almamtr.
veya

bal

DC

snm ile ilgili devreler

E
C

blmde

.g
g

E+V
R

L-C

Devrelere

kombinasyonlar

ierdiinden

i
E

devre

davranna uygun formller

tla

R-C

verilecektir. R-C devresinde

akm ve gerilim zamana gre

sn
o

deimeleri ekil 4.25 teki

(d)

(c)

gibidir. i=Be-t/T

ve zaman sabiti T=R.C dir

ekil 4.25 RC devresinde dolum koullar

m
de
r

.e
e

(b)

(a)

t
(c)

v=E+ Ae-t/T

t
(d)

ekil 4.26 - RLC seri devresi (ilk artlar sfr)


a) Devre b) az snml c) kritik d) ar snml

- 16 -

t=0 ise A ve B belirlenebilir. ekil 4.26 da grlen RLC seri devresinin ise cevab
szkonusu olabilir. ou snm devreleri az snml devrelerdir. ekil 4.26 iin eitlikler:

.g
g

Az snml R2<4L<C1 ise i=Ae-t sin(wt+ )

v=E+ B e-t sin(wt+ )

tla

dv/dt = A [e-t wcos(wt+ K) - e-t sin(wt+ K)]

sn
o

=R/2L

w= [(1/LC) (R/2L)2]1/2

ri.
tr

di/dt = A [e-t cos(wt+ ) - e-t sin(wt+ )]

Formllerdeki A, B, ve K sabitleri t= 0 ilk atnda belirlenebilir + ihmal edilebiliyorsa R=0

m
de
r

ve snmsz devre szkonsudur.

i=A sin(wn t+ )

w= E + B sin(wn t+ K)
wn=(1/LC)1/2

.e
e

snmsz tabii frekans. Ar snm durumunda

R2>4L/C olup

i=Ae-at + Be-bt
a= (R/2L) [(R/2L)2 - (1/LC)]1/2

b= (R/2L) + [(R/2L)2 - (1/LC)]1/2 dir.

A, B, C, D sabitleri yine t=0 artndan belirlenebilir. Kritik snml durum iin

- 17 -

R2 = 4L/C1 ise

.g
g

i=e-t(At+ B)

.e
e

m
de
r

sn
o

tla

=R/2L olup t= 0 dan A,B,C ve D belirlenebilir.

ri.
tr

v=E + e-t(Ct+D)

- 18 -

You might also like