G Elektronii Dersi in

Kaynaklar
Power Electronics,
Converters, Applications
and Design (Ned Mohan,
Tore Undeland, William P.
Robins)
Power Electronic, Control
of AC Motors (JMD Murphy,
FG Turnbull Pergamon)
Pergamon Press 1989
Power Electronics (Cyrill
Lander) Mc Grown Hill
Book Company

G ELEKTRON
eviriciler,
Uygulamalar ve
Tasarm (2. Basmdan
eviri) Ned Mohan,
Tore M. Undeland,
William P. Robbins
G Elektronii
(Do.Dr. Osman
GRDAL) Nobel Yayn
Datm
ODT, T, Boazii
niversitelerinin G
Elektronii ders notlar

G ELEKTRON:
Anahtarlar olarak yariletken aralar
kullanarak deiik deerlerde yk
karakteristikleri oluturmak iin
elektriksel gc kontrol etme bilimidir.
G elektronii uygulamalarnn g
sahas:
10 W 2000 MW (HVDC)

G elektronii devrelerinin
verimi ok yksektir.
%80lik bir verim bile dk
kabul edilmektedir.

Ana Uygulama Alanlar

G elektronii motor srcleri
Kesintisiz g kaynaklar (UPS)
Yksek gerilim DC iletim (HVDC)
Rayl sistemler
Ev aletleri retimi

Yariletken G Anahtarlar
Diyot:
Diyotlar tm g seviyesinde
kullanlrlar (5000 V, 5000 A).

Tek bir kristaldeki p ve n tipi silikon arasndaki

bir jonksiyon, p-n jonksiyonunun temelini
oluturur. Diyot, iki ulu elektronik anahtar
olarak gz nne alnabilir. Anot katoda gre
pozitif iken anahtar kapal veya iletimde ; anot
katoda gre negatifken ise anahtar ak veya
iletmiyordur.
Yukardaki ekilde sa taraftaki n-tipi yariletken
sadece safl bozan verici atomlarla temsil
edilir. Bunlar daire iine alnm pozitif ykl
atomlar ve onlara ilikin serbest elektronlarla
temsil edilir. Atom yapnn bir parasdr ve
hareketsizdir. Halbuki elektron serbest
taycdr.

Benzer olarak sol taraftaki p-tipi yariletken safl

bozan alc atomlarla temsil edilir ve ve bunlar
daire iine alnm hareketsiz negatif iyonlarla
hareketli pozitif tayclar veya deliklerdir.
Bylelikle jonksiyonun sa tarafnda yksek
konsantrasyonda elektronlar ve sol tarafnda
yksek konsantrasyonda delikler vardr.
Uygulanm bir elektrik alan olmasa bile
yksek konsantrasyonlu blgeden dk
konsantrasyonlu blgeye yaylarak hareket
etmek iin tayclarda bir eilim vardr.
Bylece serbest elektronlar ve delikler
jonksiyonun her iki yanna yaylarak yeni bir
form olutururlar. Bu durumda jonksiyonun her
iki yanndaki hareketli tayclar sayesinde
blge younluu azalacak ve hareketsiz ykl
atomlar kar karya gelecektir.

Blgedeki bu azalma yada boluk arj, ilave

ounluk tayclarnn yaylmasna kar
potansiyel bir bariyer oluturan jonksiyonda bir
elektrik alan retir.
Diyot, jonksiyonun p tarafn pozitif n tarafn
negatif yapan harici bir gerilimin uygulanmas
ile ileri ynde polarr. Bu gerilim sonucu elektrik
alan azalm blgeyi daraltarak potansiyel
bariyeri azaltr. Yeterli enerjili ounluk
tayclar azaltlm potansiyel bariyerinden
yaylarak jonksiyondan ileri ynde bir akm
akar. Harici gerilimin arttrlmasyla bu akm
azaltlm bariyer kaybolana kadar artar ve
sonuta ileri ynde ok byk bir akm akarak
diyot iletime geer.

Harici bir kaynakla diyot ters polartldnda (anot

negatif, katot pozitif) n blgesindeki hareketli
elektronlar ve p blgesindeki delikler
jonksiyondan uzaa doru ekilir. Bylece
azaltlm tabak geniler ve bunun sonucunda
potansiyel bariyer artarak jonksiyondaki
ounluk tayclarn yaylm nlenir. Bununla
birlikte baz aznlk tayclar (silikon atomlarn
sl iyonizasyonundan dolay) jonksiyonun her
iki tarafnda mevcut olur (n blgesinde delikler,
p blgesinde elektronlar). Jonksiyondaki
elektrik alan jonksiyon ularndaki bu aznlk
tayclarnn akmasna yardm eder ve bunun
sonucu ters polarm p-n jonksiyonunda kk
bir sznt akm oluur.

P ve N tipi yariletkenlerin
oluturulmas
N-Tipi:
Silikon peryodik tabloda IV. Gurupta yer alan bir
elementtir ve en d yrngesinde 4 tane
elektronu mevcuttur. En d yrngesinde 5
tane elektronu olan V. Guruptan (Azot, fosfor
gibi) bir element eklenirse kristal yapda bir
serbest elektron oluur. Serbest elektronlar
iletimi salarlar. Negatif olarak arjl olan
elektronun oluturduu element N-tipi
yariletken olarak bilinir.

P ve N tipi yariletkenlerin
oluturulmas
P-Tipi:
Eer silikona III. Guruptan (Baron, Al, Ga
gibi) saf olmayan bir element eklenirse
yani en d yrngesinde 3 tane elektronu
olan element, bu durumda kristal yapda
boluk yada delik oluur ki bu yap
elektron almaya elverili olur.Bu boluun
pozitif arjl olduu gz nne alnabilir.
Bu da olduka iyi bir iletkenlie msaade
eder. Bu tip malzeme P-tipi yariletken
olarak bilinir.

P-tipi silikonda delikler ounluk

tayclarn oluturur. Serbest
elektronlar ise aznlk tayclarn
oluturur.
N-tipi silikonda elektronlar ounluk
tayclarn oluturur. Isl olarak
retilen delikler ise aznlk
tayclarn oluturur.

Diyotun statik karakteristii

Diyot iletim modundayken akmdan
bamsz ileri ynde bir gerilim dmne
sahiptir. Bu gerilim silikon diyot iin
yaklak 1 Vtur. G kayb ileri yndeki
akm ve gerilimin arpm ile belirlenir.
Yukardaki ekilde geri yndeki
karakteristik aznlk tayclarndan dolay
oluan kk bir sznt akmn gsterir.
Eer diyota ters ynde ar bir gerilim
uygulanrsa diyot delinir. Bu gerilime
VRRM tekrarlamal tepe ters gerilimi yada
ksaca devrilme gerilimi denir.

P-N diyodunun srekli durum karakteristii

Hzl Dzelmeli Diyotlar

letim modunda ounluk tayclar p ve n
blgelerinden dier tarafa jonksiyon
zerinden aznlk tayclar olarak geer.
Diyot bu tayclar uzaklatrmadktan
sonra zt yndeki gerilimi bloke edemez.
Bu nedenle zt ynde uygulanan
gerilimden dolay ters ynde yksek
akma neden olan ksa bir aralk mevcut
olur. Bu arala ters dzelme zaman
denir. Bu zaman diyotun kullanm yeri ve
tipine gre deiir.

Hzl Dzelmeli Diyotlar

QRR: Ters dzelme

yk
IRR: Ters dzelme
akm
tRR: Ters dzelme
zaman

Yava diyotlarda tRR 50 s : 50 Hzlik dorultucularda kullanlr.

Hzl diyotlarda tRR 30 ns ila 100 ns : SMPS uygulamalarnda
ve dier yksek anahtarlamal
uygulamalarda kullanlr.

Schottky Diyotlar
ok hzl diyotlardr.
leri ynde kk bir gerilim
dmne sahiptir ( 0.4 V)
Dk gerilim yksek akm
SMPSlerde ok kullanlr.
100 Va kadar (200 A) mevcuttur.

TRSTR (SCR)
Tristr veya Silikon
Kontroll Dorultucu
(SCR) 1957de General
Electric Company (USA)
tarafndan piyasaya
srld. ekilde
grld gibi tristr 4tabakal bir p-n-p-n
silikonudur.

Ana utaki elektrodlar tabakalarn iki ucuna yerletirilmitir.

p-tipi emiter anot, n-tipi emiter ise katottur. ki i tabaka baz
tabakas olarak bilinir. Kontrol elektrodu veya gate p-tipi i
tabakaya yerletirilir. Negatif anot-katot gerilimi
uygulandnda orta jonksiyon ileri ynde polarr fakat
dtaki dier iki jonksiyon ters polarr. Bu yzden tristrn
ters polarma karakteristii silikon diyota benzerdir.
Tristrde de kk bir sznt akm kritik ters bozulma
gerilimi alncaya kadar akar. Daha fazla bir ters gerilim
uygulandnda ise tristr patlar.
Tristre pozitif anot-katot gerilimi uygulandnda orta
jonksiyon ters polardndan kk bir sznt akm akar.
Eer uygulanan gerilim arttrlrsa (ileri yndeki kritik
devrilme gerilimini aana kadar, VBO) tristr iletim
pozisyonuna geer. Fakat bu tetikleme mekanizmas
genellikle kullanlmaz. Genel bir metot olan kap
tetiklemesi, gate-katot jonksiyonu J3 ileri ynde polartan
kk bir harici kap akm enjekte edilerek yaplr. Bu
akm, ileri yndeki devrilme gerilimini azaltr.

ki Tranzistr Analojisi

Yukardaki ekilde herbir tranzistrn kollektr karlkl olarak

birbirinin baz ile birletirilmitir. Her bir tranzistr saturasyona
srecek pozitif bir geri besleme vardr. Bylece pozitif gate
akm n-p-n tarnzistrn iletime girmesini salar, bunun sonucu
olarak kollektr akm, Ic2 akar. Bu akm p-n-p tranzistrnn
baz akm olur ve sonucunda Ic1 akm akmaya balar. Ic1 ayn
zamanda n-p-n tranzistrnn baz akm olduundan tristr hep
iletimde tutulur. Yani harici gate srcs kullanlmasa dahi
tristr iletimde kalr. Genelde tristr pozitif bir anot katot
gerilimine sahipken her bir tranzistr normal durumdaki gibi
polarr ve ortak baz akm kazancna () sahiptir. (=IC/IE).
Bylece p-n-p tranzistr iin, 1 e1 emiterine enjekte edilen delik
akmnn bir parasdr. Eer I, e1 emiterine giri yapan harici
akm ise kollektr akm;
I1CO : Tranzistrn kollektr
sznt akm

Benzer olarak n-p-n tranzistr, c2 kollektrne ulaan e2

emiterine enjekte edilen elektron akmnn paras olan 2
akm kazancna sahiptir. Bylece;

2CO

: n-p-n tranzistrnn kollektr sznt akm

Kollektr akmlarnn toplam harici akm Iya eittir.

CO

: Tristrn toplam sznt akm

Eer 1 ve 2 akm kazanlar kkse tristr akm

sznt akm ICOdan ok az daha byk olacak ve
bu yzden tristr ileri ynde tutma durumunda
olacaktr. 1+2 akm kazanlarnn toplam
yukarda bahsedilen metotlardan biri vastasyla
arttrlmadka tristr bu kesim konumunda
kalacaktr. Yukardaki denklemden de grld
gibi, 1+2 1e yaklatnda tristr akm sonsuza
yaklaacaktr. Pratikte harici devrenin direnci akm
akn snrlamaldr. nk iki tanzistrde
saturasyondadr ve tm jonksiyonlar ileri ynde
polarmtr. Bu koullar altnda p-n-p-n eleman
ok kk bir empedansa sahiptir ve iletim
durumundadr.

Tranzistrn akm kazanc emiter akmnn bir

fonksiyonudur. (=IC/IE). Bu yzden eer herhangi
bir tranzistrn baz-emiter jonksiyonu ileri ynde
polarrsa 1+2 akm kazanlarnn toplam artacak
ve sonuta tristr iletime girecektir. Genelde
tetikleme iin n-p-n tranzistrnn baz kullanlr.
Eer yk akm tutma akmndan kk olursa yani
1+2 < 1 ise, tristr iletim pozisyonunu devam
ettiremez ve tristr yeniden ileri ynde tutma
konumuna geer.

Tristrn alma Blgeleri

Tristrn alma blgesi vardr:
1- Tristrn negatif tutma blgesi ( UA< 0)
2- Tristrn pozitif tutma blgesi ( UA> 0, IA< IH)
3- leri ynde iletim blgesi ( UA> 0, IA> IH)

Tristrn Dinamik Davranlar

Tristrn iletime girmesi olay

Tristrn kesime girmesi olay

Tristrn iletime girmesi

1- Kap akm ile tetikleyerek iletime girmesi
2- steimiz d iletime girmesi
i) Tristr ularndaki gerilimin tristrn ileri
ynde tutma gerilimi UBO amas ile iletime
girmesi
ii) UA geriliminin deiim hznn belli bir deeri
amas sonucuyla iletime girmesi ( dUA/dt)
iii) Tristrn snarak iletime girmesi

i) Tristr ularndaki gerilimin tristrn ileri ynde

tutma gerilimi UBO amas ile iletime girmesi

UA UBO durumlarnda tristr devrilme gerilimini

aarak iletime girer. Bu durum istenmeyen bir
durumdur. Bu zellik kullanlarak Schottky diyotlar
yaplr.

ii) UA geriliminin deiim hznn belli bir deeri

amas sonucuyla iletime girmesi ( dUA/dt)

Tristr ileri ynde polarm ise;

C2 kondansatrnn yk Q2 ise ve ularndaki gerilim UA ise

herhangi bir t anndaki yk;

t + t annda

kadar artyorsa;

Her iki taraf tye blersek;

t=dt ise

dC2/dtnin (kapasitenin deiim nedeni plakalarn

deimesidir) etkisi kk olduundan dC2/dt ihmal edilebilir.

dUA/dt deeri tristrlerin kataloglarnda verilir. Bu deerler

tristrn tipine bal olarak 10-200 V/s arasnda deiir.

iii) Tristrn snarak iletime girmesi

Tristr sndnda UBO gerilimi dmekte ve UAUBO art
yerine geldii an tristr kendiliinden iletime gemektedir.

Tristrn Susturulmas
1.

2.

Ters kap akm ile trsitr susturmak. Bu susturma ilemi

kk gl tristrlerde kullanlr. Bu tip tristrler GTO
olarak arttrlr.
Komtasyon gerilimiyle susturma. Bu susturma teknii
DC kycalar konusunda detayl olarak ele alnacaktr.
Ancak temel prensip nceden arj edilmi bir kapasiteyi
tristrn susturulmasnn istendii anda tristr ularna
ters ynde balanmasyla kapasitenin tristr zerinden
dearj edilmesi prensibine dayanmaktadr.

Tristrn Statik Karakteristiinin

karlmas

1.

2.

K1 kapal K2 akken Ubyi kademe kademe arttrarak

ampermetreden geen akm okunur. Ia akmndaki
deiim belli bir gerilime kadar ok az olur. Gerilim yle
bir deere getirilir ki o anda akm ok byk bir deere
ani olarak ykselir. Bu gerilime tristrn ileri ynde
devrilme gerilimi denir (UBO).
UB gerilimi minimuma getirilir ve K1 ve K2 anahtarlar
kapatlr. Ug gerilimini ayarlayarak kap akm da
ayarlanr. Bu akm herhangi bir Ig akmna getirilerek Ub
gerilimi arttrlr. Ub geriliminin belirli bir deerinde
tristr akm ani olarak artarak trisitr iletime geer. Bu
gerilim tristrn devrilme geriliminden daha kktr.
Kap akmnn deeri bydke tristr iletime geiren
Ub geriliminin deeri de kk olur.

TRYAK
ki tristrn anti-paralel balanmasyla meydana gelmi bir
elemandr. Triyaklar her iki ynde de iletimde olabilirler.

G TRANSSTRLER (BJT)
Artk gnmzde eskisi kadar yaygnca kullanlmayan bir
eleman. 600 A, 1400 Vluk transistrler mevcuttur. letime ve
kesime girme hzlar 10 s ila 20 s civarndadr. En byk
dezavantajlar dk akm kazanlar (10 civarnda) ve srekli
bir baz akmna ihtiya duymalardr. Bunun yannda avantaj
olarak baz akmlar kesildiinde kolayca kesime girerler.

Transistrlerin baz akm kazanlarn arttrmak iin kendi

aralarnda darlington veya trplington olarak balanabilir.
Fakat bu durum transistrlerin anahtarlama hzlarnn
yavalamasna neden olur.

Darlington veya trplington balantnn dier bir dezavantaj ise;

kollektr-emiter saturasyon gerilimi tek bir transistrnkinden daha
yksektir. Sonuta iletim ynndeki g kayb daha fazla olur.

G MOSFET
Gerilim kontrolldr ve ok hzl elemanlardr. letime
ve kesime girme sreleri 10ns-100ns civarndadr. letim
kayplar fazladr. Snr g oranlar yaklak 50Ade
600Vtur (800V,10A veya 60V,100A). SMPS ve otomobil
elektroniinde kullanlrlar. MOSFETin iletim durumundaki
gerilim dm sabit deildir. nk iletim durumunda RDS
kanal direncine sahiptir. Bu diren belli bir boyut iin anahtar
geriliminin bir fonksiyonudur.

IGBT
MOSFET
ve
G
Transistrlerinin
bir
kombinasyonudur. MOSFETin hzl anahtarlama zelliine,
g transistrn yksek g kabiliyetine sahiptir ve IGBT de
MOSFET gibi gerilim kontrolldr. 250Vdan 4500a kadar
ve 1000Ae kadar retilirler. Anahtarlama hzlar 400ns1000ns arasndadr. 5kW-500kW arasndaki motor
srclerinde kullanmlar olduka poplerdir. 6,5 kVluk
IGBT yaknda kacaktr.

GTO
Kk bir gate akmyla iletime girerken, negatif gate akmyla
kesime girerler. Ayrca kesime girme akm kazanlar olduka dktr
(4-5). Yani 4000V, 3000Alik bir GTOyu kesime sokmak iin 750Alik bir gate akm gereklidir. ok byk snubber devreleriyle
birlikte kullanlmak zorunda olduklarndan anahtarlama frekanslar 12kHz civarndadr. AC-DC yksek gl makine srclerinde,
UPSlerde, indksiyon stmada birka kWtan birka MWa kadar
kullanlrlar. Anahtarlama hzlar birka snden 25snye ye kadardr.

letim durumundaki gerilim dmleri 2-3V civarndadr.

MCT (Mos kontroll Tristr)

MCT anoda gre negatif bir gate darbesiyle iletime ve
pozitif bir gate darbesiyle kesime sokulur. GTOlarda olduu
gibi kesime sokmak iin yksek gate akmna gerek
duymazlar. Daha yksek gl elemanlar elde etmek iin
kolayca seri-paralel kombinasyonda balanabilirler. IGBTler
ile karlatrlabilecek kadar anahtarlama hzlar yksektir ve
daha dk iletim gerilim dmne sahiptirler.

SIT (Statik ndksiyon Tranzistr)

SIT yksek gl ve yksek frekansl bir elemandr.
Normalde iletimdedir. Kesime sokmak iin negatif bir gate
gerilimine ihtiya duyarlar. Gvenilirlii, grlts ve
salaml MOSFETinkine gre daha stndr. Anahtarlama
hzlar MOSFETe gre yksektir. SITler AM/FM
yayclarnda, indksiyon stmada, yksek gerilim dk akm
g kaynaklarnda, ultrasonik generatrlerde ve lineer g
ykseltelerinde kullanlrlar.

IGCT
(zoleli Gateinden Komtasyonlu Tristr)
Yksek g oranlarnda IGBT ile rekabet edecek yeni
bir eleman. Aslnda zerine entegre edilmi gate srme
devreli bir GTOdur.

MOS Turn-Off Thyristor

imdilik deneysel amal olarak kullanlyor. Kesime
girebilmesi iin entegre edilmi MOSFETli bir tristrdr.

Anahtarlarn Gelecei: Bir ok sayda yeni eleman

yaplar ve, mevcutlarnn gelitirilmesi zerinde halen
allyor. ok hzl hareket eden bir teknolojiye sahip.
yle ki 15 yl evvel IGBTnin daha ad bile duyulmamt !)

Anahtar Kapasitelerinin zeti

ANAHTARLARDA G KAYBI
1- letim kayplar:
Diyot:

Transistr ve IGBT
Saturasyondayken akmn gerilim dmndeki etkisi ihmal edilir
ve gerilim dmnn VCE(sat) deerinde sabit olduu varsaylr.

Tipik olarak;
VCE(sat)=0.2 V (kk tranzistrlerde)
VCE(sat)=0.5 V (byk tranzistrlerde)

MOSFET
letimdeyken MOSFETler bir diren gibi davranrlar. Bu diren
(RDS(on) jonksiyon scakl ile deiir.

2- Anahtarlama Kayplar:
a-) Kesime Girme Kayb:
letim ve kesim durumlarnda akmn
lineer olarak deitiini varsayalm.
ndktif yk gz nne alalm (Tm
uygulamalarn %99.9u)
L ok byk olsun yle ki anahtarlam
durumunda yk akm ok az deisin.

b-) letime Girme Kayb:

SOUTUCU TASARIMI

Turn-off Snubber

Q srekli rejimde iletimdeyken;

C kapasitesi R zerinden boalr
ve;
I d=0, IS =0 ve IC =IL olur.

Snubber dalga ekilleri

G Kayb
Transistrn Snubberl durumda Turn-off g kayb:

Snubber Kayb
Qnun her zaman iletime sokulduu an snubber
kapasitesi R zerinden boalr. Bu yzden:

Not: Snubber+toff g kayb, snubbersz g kaybndan

daha byk olur. Ancak bu durum tranzistrn
patlamasndan daha iyidir.

Snubber direnci Rnin seimi

R direnci C kapasitesini Q iletimdeyken tamamen
boaltmaldr. Normal olarak;
3RC = Q iin min. iletim sresi. Yani;

Turn-on Snubber Devresi

Turn-on snubber devreleri, yksek anahtarlama frekanslarnda turn-on
anahtarlama kayplarn azaltmak iin kullanlr. Turn-on snubber
devresi akm ykselirken anahtar ularndaki gerilimi azaltarak alr.
Bu tip bir snubber devresi aadaki iki ekilde de balanabilir. Her
iki durumda da turn-on ve turn-off anahtarlama dalga ekilleri ayn
olur. Turn-on sresince tranzistr ularnda grlen gerilimdeki
azalma Ls indktansndaki gerilim dmnden dolaydr. Bu azalma;

Burada ton akmn ykselme zamandr. I ise yk akmnn en byk

deeridir. Yada turn-on iin di/dt verilmi ise bu da yukardaki formlde
direkt olarak kullanlabilir.

Eer boluk diyodunun ters dzelme tepe akmn azaltmak nem arz
ediyorsa sadaki ekilde grld gibi byk bir Ls kullanlarak buna
ulalabilir. Burada akmn di/dtsi Ls ile kontrol edilir ve tranzistr
ularndaki gerilim akmn ykselmesi boyunca hemen hemen sfrdr.

Turn-on snubber direncinin belirlenmesi

Tranzistrn iletim periyotu boyunca Ls, yk akm Iy tar.
Tranzistr kesime girerken snubber devresinde depolanan ()LsI2
enerjisi snubber direnci Rsde harcanacaktr. Snubber devresinin
zaman sabiti = Ls/Rsdir. Rsi semede aadaki iki faktr gz
nne alnmaldr:
1-Tranzistr kesime girerken turn-on snubber devresi tranzistr ularnda
ar bir gerilim oluturacaktr. Bu gerilim;
VCEmax=Rs*I (1)
2-Tranzistr kesime girerken indktans akm kk bir deere
boalmaldr. rnein 0.1*I deeri. Bylelikle snubber, gelecek
iletime girme an iin hazr olacaktr. Bu yzden, tranzistrn kesimde
kald min. sre;
(2)

Bylece, byk indktans deeri iletime girme

annda dk gerilime ve dolaysyla dk iletime
girme kayplarna neden olurken kesime girme annda
anahtar zerinde byk ar gerilimler oluacaktr.
Buda gerekli min. off-state araln uzatacak
(Denk.2) ve yksek snubber kayplarna neden
olacaktr. Bu nedenle Rs ve Lsi seerken turn-off
snubber daki gibi tasarm aamalar gzetilmelidir.
Turn-on snubber indktans yk akmn tamak
zorunda olduundan dolay (buda maliyeti artrr)
turn-off snubbera gre daha az kullanlr.

Yar letken AC alterler

alter gc;

P = U max .I max

Her bir tristrn iinden geen akmn ortalama deeri;

I TAV

Im
0 I m . sin t.dt = 2 cos t

1
=
2

Im

Her bir tristrn iinden geen akmn efektif deeri;

I TEFF =

1
2

I m2 . sin

t .d t =

I m2
2

(
0

I
1 cos 2 t
)d t = m
2
2

Devreden geen akmn efektif deeri;

Im
I EFF
2
I EFF
2
=
=
= 2 I TEFF =
Im
I TEFF
2
2
2

AC alterin normal alterlere gre avantajlar;

Ama kapama annda ark yoktur,

mrleri daha uzundur,
Devreyi ama kapama sreleri ok daha kktr,
alter gleri daha byktr.

AC alterin normal alterlere gre dezavantajlar;

ok pahaldrlar,
Devreyi tamamen ak devre yapamazlar (Sznt
akmndan dolay),
Ar akm ve gerilimlere olduka duyarldr.

Alternatif Akm Kyclar

y kontrol ederek yk geriliminin

ve dolaysyla yk akmnn efektif
deeri deitirilerek ykn gc
kontrol edilir.

Harmonikler

Akm tam sins olmad iin eitli

harmonikler oluur. Bu harmonikleri
bulmak iin dalga eklini Fourier Serisine
amamz gerekir.

ao
f (t ) = + a1 cos t + a2 cos 2t + .. + ak cos kt +
2
+ b1 sin t + b 2 sin 2t + .. + b k sin kt
ao dc bileendir ve bu devrede mevcut deildir.

2
ak = f (t ). cos kt.dt
T 0
T

2
bk = f (t ). sin kt.dt
T 0

a0 = 0
Bu katsaylarn ilkini alsak yeterlidir.
nk en etkili olan 1. harmoniktir.

i = I1Q . cos t + I1 A . sin t

I1 A =

. sin t. sin t.dt =

Im
(1 cos 2t )
1
= Im.
(t sin 2t ) I =
d t =

2
2

sin 2
= .[ +
]
2

Im

I1A= Sinsl bileenin 1. harmoniinin maksimum akmdr.

I1Q =

I m . sin t. cos t.dt =

Im

. sin 2

I1Q= Cosinsl bileenin 1. harmoniinin maksimum akmdr.

 = arctg

I 1Q
I1A

sin 2
= arctg
1
+ sin 2
2

( Aktif ve reaktif g arasndaki a )

Bundan dolay meydana gelen reaktif g;

Q1 = U

I1Q
2

Bu iaretin fourier analizi yaplrsa

asndaki sin2 deeri pozitif
kar. Bu da kapasitif yk
oluturur.
Bu
tip
devreler
kompanzasyonda kullanlr.

Bu durumda ve 1 i yle
ayarlarz ki ykmz saf omik olur.
ve 1 birbirlerini kompanze eder.

rnek-1:
220 Vluk ebekeden beslenen 2.2 kWlk bir
direnli stcnn akm tristrl bir kycyla
ayarlanmak istenmektedir. =90o olduuna
gre akmn ana bileeninin ebeke gerilimi
ile olan faz farkn ve ebekeden ekilen
reaktif gc hesaplaynz.

rnek-2:
ekildeki devrede anahtar 460 V
efektif, 60 Hzlik bir kaynaktan
omik bir ykn gcn kontrol
etmektedir.
Yk direnci 20 ve =35o dir.
Buna gre;
a)Yk akmnn tepe deerini
b)Yk akmnn efektif deerini
c) Devrenin g faktrn
hesaplaynz.

Tek Fazl Dorultucular

Tm elektronik devrelerde yer ald iin ok
nemlidir. ki temel tipi vardr:
1. Kontrolsz dorultucu: Sabit k, diyotlar
kullanlr.
2. Kontroll dorultucu: Deiken k, tristrler
kullanlr.

Dorultucu devresi ve filtre

Tek bana dorultucu devresi dzgn bir dc
vermez. lave dzeltme devrelerine gereksinim
duyulur. Dzeltmenin yapld yntemin devre
almasnda byk etkileri vardr.
Dzeltme iki ekilde yaplabilir:
1. Kapasitif dzeltme: k gerilimini dzeltmeye
yarar. Dorultucu k akm kesiklidir
(darbelidir).
2. ndktif dzeltme: k akmn dzeltmeye
yarar. Dorultucudan ekilen k akm
sreklidir.
1. yntem dk glerde ok poplerdir. 2.
yntem ise yksek glerde zorunludur.

Orta Ulu Dorultucu

Orta Ulu Dorultucu

Bugnlerde nemli bir devre tipi deildir.
Fakat dorultucunun temelini renmek iin
iyi bir yaklam olabilir. Diyotlar ve kaynan
ideal olduunu farz edelim yani
transformatrn empedans sfr olsun ve
ktaki filtre indktansn deeri ok byk
olsun. Bu durumda anodu en pozitif olan
diyot iletime geecektir dier diyot ise
kesimde olacaktr.

Kk bir kaynak empedans ile

alma durumu

ha ve hb akmn D1den D2ye veya D2den D1e ani

olarak transfer edilmesini engeller. D1 ve D2nin
iletimde olduu VA0 ve VB0n sfr gei civarnda
bir periyod elde ederiz. Bu overlap (akm)
olarak bilinir. Overlap sresince edeer devre;

I1+I2=Id

dI1/dt

+ dI2/dt = dId/dt = 0

dI1/dt = -dI2/dt
V=VA0-V1 Buradan VA0-h.dI1/dt = VB0-h.dI2/dt
V=VA0+h.dI2/dt

h.dI2/dt = V-VA0

V=VB0-V+VA0
2V=VB0+VA0
V= (VA0+VB0)/2=0
(Overlap sresince)

Overlap dalga ekilleri

A alan ha ularnda grnr
ve akm Idden 0a azalr.

Overlap sresi nn hesab

Kpr Dorultucu

VABnin sfr kestii noktada h tm diyotlar

iletimde ksa bir sre brakarak overlap
a neden olur.
hdaki akmn toplam deiimi=2.Id
Bu yzden VTAA=2.Id.h olur. Overlaptan
dolay kaybolan gerilim;

Overlap sresi nn hesab

ndktif Dzeltme
Lnin boyutu nasl hesaplanr?

V deeri Idnin dzgn olduu

varsaylarak hesaplanr. Yani Idnin
ortalama deeri kullanlr.

Kapasitif Dzeltme

Cnin yeterince byk

olduunu varsayalm
yle ki V sabit olsun.
IR=Io eitliini salayan
V herhangi bir deere
oturur. Pratikte V sabit
deildir ve u ekilde
deiir:

 Verilen bir V (ripple) deeri iin kapasitenin deeri nasl

hesaplanr?
Yaklak metot: Kapasitenin boalma periyodunun periyod
srd varsaylr. Yani kapasitenin arj sresi ihmal edilir.
Buna gre;

G Faktr ve G Elektronii Devreleri

AC sistemlerde g faktr;

Bir g elektronii devresi iin (dorultucu) g faktr;

G Faktr ve G Elektronii Devreleri

Burada;
I1eff/Ieff = distorsiyon faktrdr.
cos = yerdeitirme (displacement) faktrdr.
G Faktr = distorsiyon faktr*yerdeitirme fak.
Kapasitif dzeltmeli bir diyot dorultucu devresi
iin distorsiyon faktr dktr ve ok kt bir
g faktr elde ederiz (0.4 ila 0.5)
ndktif dzeltmeli bir diyot dorultucu devresi iin
g faktr 0.9 civarnda yerdeitirme faktr ise
1 civarndadr.

Tek Fazl Kontroll Kpr Dorultucu

Tek fazl kontroll dorultucular fazla bir uygulama alan
bulamamaktadrlar. Pil, ak arjnda kullanlrlar.
Her bir tristrn atelemesi bir tetikleme devresi ile as kadar
geciktirilir. Bu geciktirme ilemi yle bir noktada balatlr ki tristr
bir diyot olsayd o noktada iletime girerdi.

k geriliminin hesab
T3 ve T4 tetiklendiinde T1 ve T2 otomatik olarak ters
polaracaktr. Bu durumda doal komtasyon oluacaktr. Bu
alma art iin 0<<180o olmas gerekir.

Yukardaki denklem kaynan ideal olmas durumu iin

geerlidir. A alan h ularnda grnr ve kaynak akmn
+Idden Idye deitirir. Bu durumda A alan;

k Gerilimi ve nn Hesab
VTAA=2.Id.h=VTAB
Kaybolan ortalama k gerilimi;

nversiyon (k geriliminin iaretinin deitirilmesi)

Eer >90o ise ortalama k gerilimi negatif olur. Fakat Id

sadece bir ynde akabildiinden g ak ters evrilir. Buna
nversiyon denir.
Bu durumun salanabilmesi iin dc tarafta ters k gerilimine
kar akm akn salayacak bir kaynak olmaldr. rnein
generatr olarak alan bir dc motor.
Overlap ihmal edildiinde;

 Ana bileen, E.sinwtye gre

>90o geridedir. Bu yzden
g AC kaynaa akar.
nn snrlamas:
Her bir tristr iin ters
polarma zaman, uygun bir
alma iin tq dan uzun
olmaldr.

Daha nceki ekle baktmzda ters polarma sresi;

180o-(+) idi.
180o-(+)>tq olmaldr.
Pratikte daki snr 150o-160o civarndadr. Kaynak indktans
bykse overlap byyeceinden daha kk olmaldr.

 Fazl Kaynaklarn zeti

Yldz bal bir kayna gz nne alalm:

Daima A, B, C faz srasn gz nne alalm. yle ki B,

Adan geride C ise Bden geridedir.

Yani;
VAN = E.sin t
VBN = E.sin(t 2 / 3)
VCN = E.sin(t 4 / 3) = E.sin(t + 2 / 3)
VAB = 3.E.sin(t + / 6)
VBC = 3.E.sin(t / 2)
VCA = 3.E.sin(t + 5 / 6)

fazl kaynak gerilim dendiinde bunun anlam fazlararas

efektif gerilimdir.
Bylece 380 V, 50 Hz, fazl sistem demek;

3E
= 380V; = 100
2

3-Fazl Yarm Dalga Kontrolsz

Dorultucu (O3)
VAN = E.sin t
VBN = E.sin(t 2 / 3)
VCN = E.sin(t 4 / 3)

1.
2.
3.
4.

Hat Akmnn nemli zellikleri

Yerdeitirme Faktr: Hat akmnn ana bileeni ile
ona ilikin faz gerilimi arasndaki faz kaymasnn
kosins
Distorsiyon Faktr: Ana akmn rms deeri / Toplam
akmn rms deeri
F r: Vrms.I1rms.cos / Toplam VA (rms)
G Gakt
arpm
Harmonikler: Hat akm dalga ekli:

Harmonikler
an=0 simetriklikten dolay
ao=Idc=0

Bizim durumda =120odir.

Bu durumda;
Eer 3 ve 3n kat
harmonikler de olsayd akm
dalga eklimiz tam bir kare
dalga olurdu.

Yerdeitirme Faktr
Hat akmnn ana
bileeni ile ona ait faz
gerilimi arasndaki
ann kosinsdr.
Yandaki ekilden de
grld gibi faz
kaymas sfrdr.
Yerdeitirme faktr
= cos(0) = 1

Distorsiyon Faktr
D.F=Ana akmn rms deeri / Toplam akmn rms deeri

G Faktr
Bize ne kadarlk bir VAin Watta dntn syler.

Farzedelim ki gerilim bozulmam tam bir sins olsun.

Bu durumda faz bana:
Gerek i = Vrms.I1rms.yerdeitirme faktr
Toplam rms VA arpm = Vrms.Irms

G Faktr = Yerdeitirme Fak * Distorsiyon Fak.

G faktr iyi deil. Bunun anlam; akm byk olmasna
karn g byk deil.

ift Tristrl DC Kyc

T2nin kesime girmesi durumunda dalga ekilleri

Maksimum E, IL ve tq tristr
iin gerekli cnin deerini
belirler.
Kycdan elde edilebilecek
max. k, tam D1 iletime
girerken T1in tekrar
tetiklenmesiyle elde edilir.
Min. k ise birka faktre
baldr.
Vo ortalamann kk
deerlerinde T1 ksa bir sre
iin iletimde kalr. Bylece C
kapasitesi +Eye tekrardan
dolamaz. Verilen bir yk akm
iin bu T2 atelendiinde T1
iin az bir trv sresi salar.

 Min. k geriliminde max. yk akmn uygun bir

R deeri belirlemek iin bilmemiz gerekir.

Devrenin almas
T1 veT2 iletime girdiklerinde di/dt akmn snrlamak iin konan
indktansn deeri ok kktr. Yk akmnn sabit olduu
kabul edilmektedir.
T1in iletimde T2nin kesimde olduunu gz nne alalm. Akm
kaynaktan yke T1 zerinden akacaktr. Diyot ters polard iin
iletmeyecektir. (T2 tristr de kesimdedir) Komtasyon
kondansatr C, R zerinden exponansiyel olarak +E gerilimine
dolmutur (mavi ile gsterilen polaritede). Yk ularndaki
gerilim +Edir ve kondansatr dolduundan Ic akm sfrdr. T1
ularndaki gerilim ise bu tristr iletimde olacandan sfr
olacaktr.
T1i kesime sokmak istediimiz an T2yi iletime sokarz. Bu
durum iletimdeki iki tristr l ve Cden oluan bir dng ortaya
karacaktr. Cdeki enerji yznden saat ynnn tersinde

Devrenin almas
akan akm bu dngde ok hzl olarak ykselecektir (di/dt, l
tarafndan snrlanr) ve ok abuk olarak yk akmna eit bir
deere ulaacaktr. Bu anda T1deki akm sfra ular ve T1
kesime girer. Bu ksa sre iinde ok kk bir arj Cden
kaybolur. Yk akm T2 , C ve l zerinden akmaya balar ve bu
yzden VT1=-Vc olur. Dolaysyla T1 ters polarr. Yk akm
Cnin ters ynde arj olmasna neden olur (nk IL sabittir) ve
kapasitr gerilimi Eye ykselir (krmz polarite). T1,
kondansatr gerilimi sfra ulancaya kadarlk srede ters
polarm durumda kalr. Bu sre tristrn tq sresinden daha
byk olmaldr. Eer kk olursa tristr kesime giremeyebilir.
Kondansatr gerilimi Eye ulatnda diyot ularndaki gerilim
sfra eit olacaktr. ndktif ykten ve ILnin sabit olmasndan
dolay kondansatr gerilimi Eden biraz daha fazla bir gerilime
arj olur (diyodun eik gerilimi kadar) ve diyot dz polarp

Devrenin almas
letime girerek yk akmn T2 ve kondansatrden alr. T2
kesime giremeyecektir nk akm R zerinden akmaya devam
edecektir. T2den akan akm E/R olacaktr ve bu akm kk bir
deerdedir. Kondansatrn gerilimi ise Ede kalacaktr (krmz
polaritede).
Devre u anda T2nin ilettii T1in iletmedii konuma gelmitir.
Devrenin orijinal konumuna gelmesi iin T1 iletime sokulur. Bu
durumda Ic akm + ynde ok abuk olarak ykselir ve IT2 hzla
sfra der. IT2=E/R gibi kk bir deere sahip olduundan
dolay bu ok hzl olur. Biz bu yzden bu olayn sfr zamanda
olduunu varsayabiliriz. Kondansatrden dolay ularndaki
gerilim negatif olan T2 kesime girer. i sfra der ve T1 yk
akmn D zerinden alr. Kondansatr exponansiyel olarak R
zerinden +Eye dolar (mavi polaritede).

Rezonans DC Kyc

Devrenin almas
T1 iletimdeyken yk akm T1 zerinden akar. D1 ise ters
polard iin kesimdedir. Kondansatr R zerinden +E
geilimine dolmutur.
T1i kesime sokmak iin T2 iletime sokulur. Sinsoidal bir
rezonans akm T2, L, C ve T1den akacaktr (Ryi ihmal ederek).
Rezonans periyodunun yarsndan sonra rezonans akm IR
sfra gidecektir ve D2 iletime geecektir.
IT1=IL-IR olduundan dolay IR akm ILye ulatnda IT1 sfra
gider ve T1 kesime girer. Bu noktada kondansatr gerilimi eksi
deerdedir ve T1 ters polarm durumdadr. IR=IL olduunda
rezonans snm olacaktr ve kondansatr + ynde dolmaya
balayacaktr. Kondansatr gerilimi +Eye ulatnda D1 iletime
girer ve IL D1 ve D2 arasnda paylalr. Devre bu durumda
tekrar rezonansa girer ve lk periyottan sonra IR sfra der
ve D2 kesime girer. Bu durumda D1 yk akmnn tamamna
sahiptir ve komtasyon tamamlanr. D1 iletime girmeye

Devrenin almas
baladnda Lde biriken enerji Cye gider ve kondansatr
gerilimi +Eden daha yksek bir gerilimde kalr.
Kondansatrdeki bu fazlalk enerji gelecek komtasyondan
nce Rde harcanr.

nverter Devreleri
nverterler sabit bir DC kaynaktan deiken genlikli ve
frekansl AC kaynak salarlar.
nverterlerin en nemli uygulama alan deiken hzl
asenkron motor srcleridir.
VX letimdeki

Anahtarlanan
Elemanlar

Q1

Q1

Q1

D1

Q2

D2

Q2

Q2

Hi biri

D2

Hi biri

D1

Her ikisi

BNG

Elemanlar

Tek Fazl nverter

Aadaki inverter devresi ayn zamanda 4 blgeli DC kaynak olarak da
kullanlabilir. (V, I 4 blge olarak adlandrlr.) 4 blgeli kyc, H-kpr,
yada anahtarlama kuvvetlendiricisi olarak da adlandrlr. Yksek
performansl DC motor srclerinde kullanlr. Bu tip devrelerin ok
yaygnca kullanlmasndan dolay bir ok yariletken reticileri modl olarak
anahtar retirler.

reticiler IPMs (Intellegent Power Modules) de retirler.

Bunlar g anahtarlar, srme devreleri ve korumalar da
ierir.
Tek fazl inverterlerin uygulama alanlar:
1. Statik Frekans Deitiricileri (SFC): Kk i yerlerinde
kullanlr.

2. UPS (Kesintisiz G Kaynaklar)

nemli ara ve gereler iin kullanlr. Yani elektrik kesildiinde
aletin almasn devam ettirir.

Tek Fazl nverterin almas

Anahtarlanan ILnin letimdeki VL
Anahtarlar
yn Anahtarlar

Idc=0 veya Idc= I IL I

Idcnin
yn

Q1 Q4

Q1 Q4

Q1 Q4

D1 D4

Q2 Q3

D2 D3

-E

Q2 Q3

Q2 Q3

-E

Q1 Q3

D3 Q1

Q1 Q3

D1 Q3

Q2 Q4

D2 Q4

Q2 Q4

Q2 D4

 Devre yke +E, -E veya 0 voltu tranzistr bazlarn

anahtarlayarak salayabilir. VLnin E ve 0 olduu zaman
yksek frekansta modle ederek, istediimiz herhangi dk
frekansl dalga eklini inverter knda elde edebiliriz.
rnek olarak ortalama deeri farkl DC elde edelim:
Q1 ve Q4 iletimde
0 t dT
Q2 ve Q3 iletimde
dT t T
0<d<1

VL ortalama, +E ile E
arasnda deiir.

 Bu durum DC motoru kontrol etmenin bir yolu olarak grlebilir.

AC k elde etmek iin VLnin ortalama deeri sfr olmal ve
darbelerin genilikleri VL sinzoidal olacak ekilde
ayarlanmaldr. Darbelerin frekans iyi bir sonu almak iin arzu
edilen k frekansndan olduka daha byk olmaldr.

Ana kn genliini modlasyon iaretinin genliini deitirerek

kontrol edebiliriz. Bu Darbe Genilik Modlasyonu (PWM) olarak
adlandrlr. Yukardaki kare dalga eklinden ana harmonik
bileenini elde etmek iin filtre kullanrz.

Genelde yk indktiftir. Yk indktans alak geirgen filtre

gibi davranr. Bu durumda yk, ekstra filtreye ihtiya
duymakszn yeterli saylabilir. Sonuta yk akm
sinzoidaldir.

Tek Fazl Kpr Gerilim Kaynakl nverter

Devrenin almas
Devrede Q1 ve Q2 tranzistrleri, baz akmlarn uygulayarak
yada keserek ters olarak 180o aralklarla iletime veya kesime
sokulurlar. Tranzistr ularndaki gerilim dmlerini ihmal
edersek ykn A ucu bu yzden srayla DC kaynan ya pozitif
ucuna yada negatif ucuna balanr. Buna benzer olarak ykn
B, ucu Q3 ve Q4 anahtarlaryla DC kaynan pozitif yada
negatif ularna balanr.Q1 ve Q4 ayn anda
anahtarlandnda DC gerilim (Vd), yk ularnda grlr.
Benzer olarak Q2 ve Q3 ilettiinde DC gerilim ters ynde yk
ularnda grlecektir.
Eer tranzistrlerin iletime ve kesime girme sreleri ihmal
edilirse A ve B ularndaki gerilimler kare dalga ekillerine sahip
olacaklardr. DC kaynan orta noktasn kullanmamamza
ramen referans olarak almamz uygun olacaktr.
Bu durumda kutup gerilimleri, VAo ve VBo, Vd/2 genliine sahip

olacaktr. Yk ularnn DC kaynan ortasna gre gerilimleri

kutup gerilimleri olarak adlandrlr.
Q1 ve Q4 ayn anda iletime sokulup karlr ve Q2 ve Q3 de
ayn anda iletime sokulup karlr. Bu yzden yk ularndaki
gerilim, VAB;

VAB= VAo-VBo
olur.
k gerilimi kare dalga olarak Vd genliine sahiptir. Saf rezistif
yk iin yk akm dalga ekli, gerilim dalga ekli ile ayn olur.
Bu durumda akm ani olarak yn deitirebilecei iin boluk
diyotlarna gerek olmayacaktr.

Akm Dalga ekilleri

nverter indktif bir yk besliyorsa, akm uygulanan gerilimden
geride olur. Yukardaki ekilde inverterin bir R-L ykn
besledii durumda yk akmnn dalga ekli gsterilmektedir.
Akm exponansiyel olarak deiir ve yk geriliminin polaritesi
deitiinde ykn ani g harcamas negatif olur. nk akm
ve gerilim ters polaritelere sahiptir. Bu durumda indktif ykte
depolanan enerji boluk diyotlar zerinden DC kaynaa geri
verilir.
Eer inverter ileri g faktrl bir yk besliyorsa bu durumda
ykn enerjisi DC kaynaa geri verilebilir. Bu durum iin yk,
inverter k frekansndan daha yksek bir frekansa sahip olan
seri RLC devresinden oluabilir. Bu durumda yk akm
yaklak olarak sinzoidaldir ve yk gerilimi yn deitirmeden
nce akm yn deitirir.

 Aadaki ekilde gsterildii gibi gerilimin her bir yar

periyodundan sonunda yle bir ksm vardr ki yk gerilimi ve
akm farkl iaretlere sahiptir. Bu durumda ykteki enerji boluk
diyotlar vastasyla kaynaa geri verilir.
leri g faktrl yk, tranzistr akmnn, gerilimin yar
periyodundan nce sfra dmesine neden olur ve yk akm
yn deitirerek boluk diyotlarndan artarak akmaya balar.
Diyotun ileri yndeki gerilim dm tranzistre kk bir ters
gerilim uygular. Bu gerilimin uygulanma sresi yar periyodun
kalan ksm boyuncadr. Bu yk koulu iin tranzistr kendi
kendine kesime girme kabiliyetine gerek duymaz ve bu yzden
bu inverter devresinde tranzistrler yerine zorlamal
komtasyon devreleri gerekmeksizin tristrler kullanlabilir.
nk diyot zerindeki gerilim dm tristre ters olarak
uygulanr. Bu sre iinde tristrden geen akm sfr
olacandan tristr doal olarak kesime girecektir.
Bu, tristr yk komtasyonu olarak adlandrlr.

DC Kaynak Akm
DC kaynak akmnn dalga ekli yk akmnnkine benzer olur.
Sadece yk akmnda pozitif olarak grnen diyot akmlar DC
kaynak akmnda negatif olarak grnr. nk bu durumda
yk akm kaynaa geri verilir. Ortalama DC kaynak akm
invertere verilen ortalama g ile belirlenir. nverter hemen
hemen kaypsz olduu iin ortalama DC akm Watt olarak
ortalama yk gc ile orantl olacaktr.
nverter AC bir motoru besleyebilir. Motor hz ani olarak
azaldnda tranzistrler yar periyotta halen anahtarland
halde boluk diyotlar iletime girecek ve motordaki enerji DC
kaynaa geri verilecektir. Bu durumda ortalama DC akm
negatiftir. Bir DC ak bu gerilimi absorbe edebilir fakat
dorultucu edemez. Bu yzden DC link konverterde DC linkteki
kapasitr gerilimi ar arjdan dolay artacaktr. Bu durumda bu
ar enerjiyi harcamak iin dinamik Breaking Resistorler
kullanlr.

Frekans ve Gerilim Kontrol in Metotlar

eyrek-Kare Dalga
Metodu
nverter bacaklarnn her
ikisi arzu edilen
frekansta bir kare dalga
ile anahtarlanr. ktaki
ana harmoniin genliini
ayarlamak iin iki kare
dalga arasndaki faz
kaymas ayarlanr.
VLnin ana bileeninin
tepe deeri:

AC ve DC Taraftaki Harmonikler Arasndaki liki

nverterde bir enerji depolanmasnn ve herhangi bir kaybn

olmadn varsayyoruz. Bu yzden:

Enin sabit olduunu varsayarsak; idc(t)nin frekans spektrumu,

V (t).iac(t)nin E sabiti ile skalalanm frekans spektrumu ile ayn
olacaktr.

Genel olarak V(t) ve i(t), ana bileen art harmonik serileri

cinsinden yazlabilir (yani Fourier Serisi):
ve
Bu yzden;

Bu sonu, AC taraftaki her bir gerilimin harmonii AC taraftaki her

bir akm harmonii ile etkileime girerek, (N+M) toplam ve
(N-M) fark frekanslarda DC akmda iki bileen rettiini gsterir.

 Ayn frekanstaki akmlar ve gerilimler arasndaki etkileim, DC

akmda; DC bileen ve iki kat frekansta (2N) bir bileen retir.
Bu da bize tek fazl bir inverterin DC linkinde niin ok byk
2. harmonik akm mevcut olduunu aklamaktadr (AC
taraftaki akm ve gerilimin ana bileenleri arasndaki
etkileimden dolay (N=M=1)).
Sistemdeki aktif g aknn, DC gerilim sabit olduundan
dolay sadece DC link akmndaki DC bileenden dolay
olutuunu not ediniz. Bu da sadece AC tarafta ayn
frekanstaki akm ve gerilim bileenleri arasndaki etkileimden
olumaktadr.
AC taraftaki farkl frekanslardaki (NM) akm ve gerilim
bileenleri arasndaki etkileim, inverterin DC ve AC taraflar
arasndaki enerji osilasyonundan sorumlu DC tarafta iki
harmonie neden olur. Bu durumda net enerji ak yoktur.
nk;

 Burada N N. harmonik frekansndaki yk faz asdr.

 rnek : nveterin AC tarafnda

ana harmonik ve 18. ile 20.
harmonikleri olduunu gz nne
aln. Dier tm harmonikleri ihmal
edin. Bu durumda AC taraftaki
gerilim ve akm harmoniklerinin
etkileiminin DC taraftaki akm
harmoniklerine yansmasn
bulunuz.

* gerek g akn
gstermektedir.

AC side harmonics

DC side current
harmonics

Voltage

Current

0 (dc) *

18

17

19

20

19

21

18

17

19

18

18

0 (dc) *

36

18

20

38

20

19

21

20

18

38

20

20

0 (dc) *

40

PWM TEKNKLER
(DARBE GENLK MODLASYONLARI)

PWM Teknii
Tek Fazl kpr inverterler iin PWMin iki temel ekli
vardr.
ki Seviyeli PWM
k durumlar iin sadece +E (Q1 ve Q4 on) ve E (Q2 ve
Q3 on) kullanlr. Anahtarlama iaretlerinin elde edilmesi
tek fazl deiken frekans ve gerilim gz nne alnarak
yaplr. En basit yntem doal rnekleme tekniidir.

ki Seviyeli PWM (Doal rnekleme)

Modlasyon indexi:

Modlasyon derinlii:

Tek Fazl Kpr nverter

Frekans oran:

fc/fm
Frekans oran tam say
ise sistem senkrondur.
Aksi halde sistem
asenkrondur.

Doal rnekleme ile ki Seviyeli PWMin Elde Edilmesi

 Doal rneklemede MI=Mddir. Md<1 tutulur.

nverterden PWM dalga eklinde deiken bir modlasyon
frekans bileeni elde etmek iin, c(t) sabit genlikte tutularak
M(t)nin genlii deitirilir. Modlasyon frekans da M(t)nin
frekans deitirilerek kontrol edilir. Bylece inverter knda
deiken frekans ve genlik elde edilir.

PWM Dalgann Spektrumu

PWM dalga Modlasyon frekans bileeninden (yani arzulanan
frekanstan) ve tayc frekans ve o frekansn katlarndan
oluan harmoniklere sahiptir.
fc
fc2 fm
2fcfm
3fc
fc4fm
2fc3fm
3fc2fm
v.s
v.s
v.s
v.s

ki Seviyeli PWM in Elde Edilen Dalga ekilleri

1
0.5
0
-0.5
-1
0

0.002

0.004

0.006

0.008

0.01

0.012

0.014

0.016

0.018

0.02

0.002

0.004

0.006

0.008

0.01

0.012

0.014

0.016

0.018

0.02

0.002

0.004

0.006

0.008

0.01
Zaman (sn)

0.012

0.014

0.016

0.018

0.02

100

Vab (V)

50
0
-50
-100

Yk Akimi (A)

10
5
0
-5
-10

1
0.5
0
-0.5
-1
0

0.01

0.02

0.03

0.04

0.05

0.06

0.01

0.02

0.03

0.04

0.05

0.06

0.01

0.02

0.03
Zaman (sn)

0.04

0.05

0.06

100

Vab (V)

50
0
-50
-100

Yk Akimi (A)

10
5
0
-5
-10

1
0.5
0
-0.5
-1
0

0.01

0.02

0.03

0.04

0.05

0.06

0.01

0.02

0.03

0.04

0.05

0.06

0.01

0.02

0.03
Zaman (sn)

0.04

0.05

0.06

100

Vab (V)

50
0
-50

Yk Akimi (A)

-100

5
0
-5

 Seviyeli PWM
ki seviyeli PWM sfr volt gerilim koulunu kullanmaz. k
gerilimi sadece Eden oluur. Eer kta E ve 0 volt elde
edilirse bu durumda daha iyi bir sonu elde edilir. Bu seviyeli
PWM olarak adlandrlr.
VAo ve VBon her ikisi de iki seviyeli PWM dalga ekline sahiptir
ve daha nce bahsedildii gibi ayn genlik spektrumuna
sahiptir. Bununla birlikte VAo ve VBodaki baz bileenler ayn
fazda bazlar da 180o faz farkldr. VAB ularnda sadece faz
bileenlerinin dnda kalan iaretler grlr. Ayn fazdaki
bileenler grlmez. BU bileenler:
fc2fm
3fc
fc

fc4fm
3fc2fm
v.s

3fc4fm

 Seviyeli PWM
Faz dndaki bileenler VABde grlr. Bu bileenler:
fm
2fcfm

2fc3fm
v.s
seviyeli PWM verilen bir tayc frekans iin daha iyi bir
spektrum retir.

 Seviyeli PWM

Seviyeli PWMin Elde Edilmesi

 Seviyeli PWM in Elde Edilen Dalga ekilleri

1
0.5
0
-0.5
-1
0

0.002

0.004

0.006

0.008

0.01

0.012

0.014

0.016

0.018

0.02

0.002

0.004

0.006

0.008

0.01

0.012

0.014

0.016

0.018

0.02

0.002

0.004

0.006

0.008

0.01
Zaman (sn)

0.012

0.014

0.016

0.018

0.02

100

Vab (V)

50
0
-50
-100

Yk Akimi (A)

10
5
0
-5
-10

1
0.5
0
-0.5
-1
0

0.01

0.02

0.03

0.04

0.05

0.06

0.01

0.02

0.03

0.04

0.05

0.06

0.01

0.02

0.03
Zaman (sn)

0.04

0.05

0.06

100

Vab (V)

50
0
-50
-100

Yk Akimi (A)

10
5
0
-5
-10

1
0.5
0
-0.5
-1
0

0.01

0.02

0.03

0.04

0.05

0.06

0.01

0.02

0.03

0.04

0.05

0.06

0.01

0.02

0.03
Zaman (sn)

0.04

0.05

0.06

100

Vab (V)

50
0
-50
-100

Yk Akimi (A)

10
5
0
-5
-10

3 Fazl PWM

Fazl Kpr nverter

Fazl PWMin Elde Edilmesi

Tayc (Anahtarlama) Frekansn Seimi

Daima anahtarlama kayplaryla kaliteli dalga ekli
arasnda bir uyuma vardr.
Tipik deerler:
fazl IGBT inverter iin;
1 kW
16 kHz
100 kW
5 kHz
1 MW
1 kHz
Tipik fazl inverterler iin:
10 kW
14 kHz
2-5 kHz
55 kW
1 MW
400-800 Hz

Ticari PWM retimi

Doal rnekleme u anda ok az kullanlmaktadr.
Doal rneklemede bir mikroilemciyle darbe
srelerini hesaplamak mmkn deildir. Bunun
yerine dzenli rnekleme teknii kullanlr. Bu
teknikte modlasyon iareti M(t) rneklenir ve fc
veya 2fc lik bir frekansta tutulur. Daha sonra
rneklenmi bu iaret tayc dalga c(t) ile
karlatrlr. Bu durumda darbe sreleri
mikroilemcilerle kolayca hesaplanabilir. nk
darbe genilikleri sabit bir izgiyi kesen zme
sahiptir.


1.
2.
3.

Bunun iin;
rneklenecek sins dalgas mikroilemci hafzasnda
depolanr.
1. madde kullanlarak darbe genilikleri hesaplanr.
PWM dalga ekillerini retmek iin 2deki sonular bir
zamanlaycya (timer) yklenir.