Elektronik II - Yıldız Teknik Üniversitesi - Analog Elektronik

ANALOG ELEKTRONK
co
m
ANALOG ELEKTRONK
em
de
rs
no
tla
ri.
ANALOG ELEKTRONK .............................................................................................................. i

A. KISA ATOM BLGS............................................................................................................1
Giri .............................................................................................................................................1
Yrnge ve Kabuk.......................................................................................................................1
Enerji Bantlar..............................................................................................................................2
letken, Yar letken ve Yaltkanlar .............................................................................................4
Kovalent Ba ...............................................................................................................................5
Saf Yar letken Malzemenin zellikleri.....................................................................................5
N Tipi Malzeme...........................................................................................................................6
P Tipi Malzeme ...........................................................................................................................7
Katk Maddelerine Scakln Etkisi............................................................................................8
B. DYOTLAR ve ETLER ...................................................................................................9
P-N Jonksiyonu............................................................................................................................9
Ters Kutuplama ...........................................................................................................................9
Delinme...............................................................................................................................10
leri Kutuplama..........................................................................................................................10
Diyodun V-I Karakteristii........................................................................................................11
Diyotlu Devrelerde Grafik Yntemi ile alma Noktasnn Bulunmas..................................12
leri Kutuplama Durumu .......................................................................................................12
Uygulama 1 : .........................................................................................................................13
zm : .................................................................................................................................13
Ters Kutuplama Durumu .......................................................................................................14
Uygulama 2 : .........................................................................................................................14
zm : .................................................................................................................................14
Sonular .....................................................................................................................................15
Diyodun Direnci ........................................................................................................................15
Uygulama 3 : .........................................................................................................................15
zm : .................................................................................................................................16
Uygulama 4 : .........................................................................................................................17
zm : .................................................................................................................................17
Diyot Devrelerinin Yaklak Edeer Analizi ...........................................................................17
Uygulama 5 : .........................................................................................................................18
zm : .................................................................................................................................18
Uygulama 6 : .........................................................................................................................19
zm : .................................................................................................................................19
Uygulama 7 : .........................................................................................................................19
.e
Y.Do.Dr.A.Faruk BAKAN
ANALOG ELEKTRONK
co
m
ANALOG ELEKTRONK
BPOLAR TRANSSTR
35
.e
em
de
rs
no
tla
ri.
Yaps ve Sembol.....................................................................................................................35
Transistrn almas ..............................................................................................................35
Aktif Blge ............................................................................................................................36
Doyum Blgesi ......................................................................................................................37
Kesim Blgesi........................................................................................................................37
Ters alma Blgesi.............................................................................................................37
Ortak Tabanl Devre ..................................................................................................................37
Kesimde Blgesi....................................................................................................................38
Aktif Blge ve Doyum Blgesi .............................................................................................38
Uygulama 1 : .........................................................................................................................38
zm : .................................................................................................................................38
Uygulama 2: ..........................................................................................................................39
zm: ..................................................................................................................................39
Ortak Emiterli Devre .................................................................................................................40
Uygulama 3: ..........................................................................................................................40
zm....................................................................................................................................40
Ortak emiterli devrede k karakteristii ............................................................................41
Kesim Blgesi........................................................................................................................41
Aktif Blge ve Doyum Blgesi .............................................................................................42
Uygulama 4: ..........................................................................................................................42
zm : .................................................................................................................................42
Ortak Kollektrl Devre............................................................................................................43
Uygulama 5: ..........................................................................................................................43
zm : .................................................................................................................................43
Transistrn maksimum deerleri .............................................................................................44
Uygulama 6: ..........................................................................................................................44
zm: ..................................................................................................................................44
Kutuplama Amac......................................................................................................................45
ANALOG ELEKTRONK
co
m
KISA ATOM BLGS

Giri
em
de
rs
no
tla
ri.
Maddenin en kk paras olan atom, merkezinde bir ekirdek ve etrafnda dnen

elektronlardan oluur. ekirdei oluturan en ar paracklar proton ve ntronlardr. Proton ve
ntronlarn arl yaklak olarak birbirine eittir. Protonun arl elektronun arlnn 8000
katdr. Elektron ve protonun elektrik ykleri birbirine eittir. Protonlar pozitif ykl olup,
elektronlar negatif ykldr. Ntronlar yksz paracklardr. Serbest halde atom ntr haldedir
yani elektron says proton saysna eittir. Atomlardaki elektron says birden yzbee kadar
deimektedir. Elektron, ntron ve proton saysna gre farkl atomlar ve bu atomlardan
zellikleri deiik olan elementler oluur. Bir atomun numaras elektron saysna veya proton
saysna eittir. Atomun arl ise ekirdekteki ntron ve protonlarn saysna eittir. Hidrojen
atomunun yaps ekil 1.1de gsterilmitir.
ekil 1.1. Hidrojen atomu
Elektronlar atomun ekirdei etrafnda yrngelerde dnmektedir. Yrngeler kabuklarda

toplanmtr ve kabuklar arasnda boluklar vardr. Bir atomun belirli sayda kabuu vardr. Her
bir kabukta bulunabilecek maksimum elektron says belirli ve sabittir. Kabuklar ekirdekten
itibaren K,L,M,N,O,P,Q olarak adlandrlr. Kabuklarda bulunabilecek maksimum elektron says
srasyla 2,8,18,32,50,72,98 olarak bilinmektedir. rnek olarak farkl atomlarn yaplar ekil
1.2de gsterilmitir.
.e
Yrnge ve Kabuk
ekil 1.2 Deiik atom yaplar a) Hidrojen, b) Lityum ve c) Silisyum.

1
ANALOG ELEKTRONK
Enerji Bantlar
em
de
rs
no
tla
ri.
co
m
ekirdek etrafndaki dnen elektronlarn her biri ayr bir yrngeye ve her yrnge belirli bir
enerji seviyesine sahiptir. Modern fizie gre her bir elektronun ayrk bir enerji seviyesi
mevcuttur. Elektronlar ekirdekteki pozitif ykl protonlar tarafndan ekilir. Coulomb kanuna
gre elektrik ykleri arasndaki ekim kuvveti mesafenin karesi ile ters orantldr. Dolaysyla
st kabuklarda bulunan elektronlarn ekirdek tarafndan ekilme kuvveti daha zayftr. Bir
atomun K kabuunda bulunan elektronlar, L kabuundaki elektronlara gre ekirdek tarafndan
daha kuvvetli bir ekilde ekilir. Elektronun yrngesinin ap arttka enerjisi de artar. Elektron
enerjisi potansiyel ve kinetik enerjilerin toplamdr. ekil 1.3te yrngelerdeki elektronlar ve
enerjileri grlmektedir.
.e
ekil 1.3. ekirdek etrafndaki yrngeler ve enerji seviyeleri.
r1 < r2 < r3 < r4 < r5 < r6 E1 < E 2 < E 3 < E 4 < E 5 < E 6
r : yarap, E : elektron enerjisi
Elektronlarn enerjileri ekirdekten uzaklatka artmaktadr. Yarap kk olan elektronun

enerjisi en kktr ve enerji yarap ile artar. Kabuk iindeki elektronlarn enerjileri arasndaki
fark kktr. Kabuklar arasndaki enerji fark ise byktr. L kabuunda izin verilen
maksimum elektron says sekizdir yani sekiz farkl enerji seviyesi bulunabilir.
Kabuklar arasndaki blge, yasak blge veya enerji boluu olarak adlandrlr. Elektronlar bu
blgede bulunmazlar. Btn kabuklar arasnda enerji boluu mevcuttur. Atomun en d
kabuundaki elektronlara valans elektron ad verilir. Atomun trne gre d kabuk K, L, M, N
veya baka bir kabuk olabilir. rnein bakr atomundaki elektron says 29 olup en d kabuk N
kabuudur. Bakr atomunda bir tane valans elektron mevcuttur (K=2, L=8, M=18, N=1).
Atomlarn kimyasal zellikleri valans elektronlar tarafndan belirlenir. Bu elektronlar kimyasal
reaksiyonlara girer ve atomlar arasnda ba oluturur. En d kabukta bulunan valans elektronlar
atomik yapdan kolaylkla ayrlarak serbest elektron haline gelebilir. Elektronlar bir atomdan
baka bir atoma ek bir enerji uygulanarak geirilebilir. Atomun en d kabuu tamamen dolu ise
dier atomlarla elektron alverii yapamaz. Bir atom elektron verdiinde pozitif, aldnda ise
2
ANALOG ELEKTRONK
negatif iyon olur. Pozitif iyon olutuunda serbest kalan elektron, atomun ekirdeinin
etkisinden karak d etkilere ak hale gelir.
em
de
rs
no
tla
ri.
co
m
Tek atom iin geerli olan enerji diyagramlar, atomlar bir araya gelerek kat maddeyi
oluturduunda geerli olmaz. Kat maddelerde atomlar birbirine ok yakn olduundan tek bir
atomdaki enerji seviyeleri, kat maddede enerji bantlarn oluturur. Kat bir maddede elektronlar
iin tek bir atoma gre daha fazla enerji seviyesi vardr ve bu seviyeler bantlar ierisinde
toplanmtr. ekil 1.4te enerji bantlar gsterilmitir.
ekil 1.4. Enerji bantlar
.e
ekil 1.4te grld gibi valans bandnn altnda bir ok bant bulunabilir. Maddenin elektriksel
zelliklerini incelemek iin asndan valans band, iletim band ve bu iki bant arasndaki enerji
boluu zerinde durmak yeterlidir.
Atom ve yar iletken teorisinde kullanlan elektron volt (eV) birimi, bir elektronun bir Vluk
gerilim potansiyeline kar hareket etmesi sonucu kazand enerjidir. Bir kat maddenin valans
bandndaki elektronlar iletim bandna geirmek iin s, k, elektrik gibi enerjilerden biri
uygulanabilir. Maddeye gerilim uygulandnda oluan serbest elektronlar elektrik akm retir.
Akm tayan elektronlar serbest elektronlardr. Akm yk ak olduuna gre belirli bir
noktadan saniyede akan yk miktar olarak tanmlanabilir. Yk birimi coulomb ve enerji birimi
joule ile elektron enerjisi eV arasndaki iliki aadaki gibi yazlabilir.
Enerji = G x Zaman
I =Q/t
1 Amper = 1 Coulomb / saniye
W=Pxt=VxIxt
Joule = Watt x saniye
Q=Ixt
1 Amper = 6.25 x 1018 elektron / saniye
W=VxQ
1 Coulomb = 6.25 x 1018 elektron

1 elektron yk = 1.6 x 10 19 Coulomb
1 eV = 1.6 x 10 19 joules
ANALOG ELEKTRONK
letken, Yar letken ve Yaltkanlar
co
m
Maddelerin elektriksel iletkenlii serbest elektron miktarna baldr. Maddelerin 1 cm 3 lk

hacim ierisindeki serbest elektron miktarlarna gre iletken, yar iletken ve yaltkanlar aadaki
tabloda gsterilmitir.
Tablo 1.1. letken, Yaltkan ve Yar letkenlerde
Serbest elektron saylar
ri.
Serbest Elektron Says

10 22 / cm 3 - 10 23 / cm 3
Yar letken
108 / cm 3 1014 / cm 3
tla
letken
Yaltkan
10 / cm 3
.e
em
de
rs
no
letken, yar iletken ve yaltkanlar enerji boluklarna gre de snflandrlr. Bu durum

ekil1.5te gsterilmitir. Enerji boluu bir iletkende 0.05 eVtan kk, yaltkanlarda ise 8
eVden byktr. Yar iletkenlerdeki enerji boluu 0.7 ile 1.4 eV arasndadr.
ekil 1.5. a) letken, b) Yar letken ve c) Yaltkan malzemenin enerji bant diyagramlar.
letkenlerde enerji bant diyagramndan grld gibi valans band ile iletim band arasnda
boluk yoktur. Valans elektronlar atomlara zayf olarak baldr. Valans elektronun atomdan
ayrlarak serbest elektron haline gelmesi ok kolaydr. Oda scaklnda ilave bir enerji
uygulamadan elektrik akmn iletebilecek ok sayda serbest elektron mevcuttur. Metallerin iyi
iletken olmalarnn en nemli sebebi son yrngesinde 1, 2 veya 3 elektron bulunmas ve bu
elektronlar kolaylkla verebilmeleridir.
Yar iletkenlerdeki enerji boluu nedeniyle iletim bandnda hi elektron olmad kabul
edilebilir. Yar iletkenlerin valans yrngeleri iletkenlere gre daha fazla dolu olduundan
atomlar arasndaki ba daha kuvvetlidir. Yar iletkeni iletken hale getirmek iin bu ba
bozabilecek bir enerji uygulamak gerekir. Silisyumun enerji boluu 1.1 eV, germanyumun 0.7
eVtur. Germanyum silisyuma gre daha iyi iletkendir. Germanyumun serbest elektron says
silisyuma gre 1000 kat fazladr. Oda scaklnn salad az bir enerji ile baz elektronlar
balarn kopararak iletim bandna atlayabilirler. Bundan dolay yar iletken malzemeler oda
scaklnda elektrik akmn iletirler. rnein silisyumun serbest elektron miktar 25 ! C de
2 x1010 / cm 3 , 100 ! C de 2x1012 / cm 3 tr. Scaklkla orantl olarak serbest elektron saysnn
4
ANALOG ELEKTRONK
co
m
artmas yani direncin dmesi nedeniyle yar iletkenler negatif scaklk katsaysna sahiptir.
letkenlerde ise tayc says scaklk ile artmaz. Scakln artmas ile elektronlarn
hareketlerinde oluan titreimler akm geiini zorlatrr. Bundan dolay iletkenlerin direnci
scaklkla artar ve diren pozitif scaklk katsayldr. Yaltkanlarda enerji boluunun ok byk
olmas nedeniyle enerji vererek valans elektronlar iletim bandna geirmek ok zordur. Valans
bandnn tamamen dolu olmasndan dolay idealde iletim bandnda hi elektron yoktur. Pratikte
iletim bandnda ok az sayda elektron olmas nedeniyle yalktanlar ok kk akmlar iletir.
ri.
Kovalent Ba
no
tla
Atomlar arasnda elektronlarn ortak kullanlmas ile kovalent ba oluur. Ayn cins atomlar
kovalent ba ile boyutlu dzenli bir kristal yap oluturur. Kristal yap periyodik bir ekilde
kendini tekrarlayan yapdr. Kat cisimlerin ou kristal yapdadr. Paylalan her elektron,
kendisini paylaan iki komu atomun ekirdei tarafndan eit bir ekilde ekilmektedir. Valans
elektronlarn bu ekilde paylam atomlar bir arada tutar. Kovalent ba ile elektron paylam
atomun ntr olmasn deitirmez.
.e
em
de
rs
Kararl bir atom yapsnda son yrngede 8 elektron bulunur. Son yrngesinde 4 elektron
bulunan bir yar iletken malzemede (silisyum veya germanyum), kendilerine komu olan atomlar
elektron paylaarak kovalent ba oluturur. Bylece atomlarn son yrngelerindeki elektron
says 8e tamamlanr ve kristal yap oluur. Silisyum kristalinin iki boyutlu yaps ekil 1.6da
gsterilmitir.
ekil 1.6. Silisyum kristalinin iki boyutlu yaps.
Saf Yar letken Malzemenin zellikleri

Saf bir yar iletken kristalinde 0 ! K ( 273! C )de valans elektronlarn hepsi komu atomlara sk
bir ekilde kovalent ba ile baldr. Bal olan elektronlar kristal yap iinde hareket edemez ve
elektrik akmn iletemez. Valans band doludur ve iletim bandnda hi elektron yoktur. Yar
iletken kristal bir yaltkan gibi davranr.
Saf bir yar iletken kristali oda scaklnda bir miktar iletkenlik gsterir. Oda scaklnda kristal
snarak atomlar enerjilenir. Atomlarn enerjilenmesi valans elektronlarn enerjisi arttrr. Valans
bandnn st seviyesinde bulunan elektronlardan bazlar yeterli kinetik enerjiye ulaarak
atomdan ban koparr ve serbest elektron haline gelir. Yani boluk bandn atlayarak iletim
bandna geer. Saf olan Ge ve Sideki serbest elektronlar, sadece valans bandnda bulunan ve s
veya k kaynaklarndan kovalent ba koparmaya yetecek enerji alan veya tam
saflatramamaktan kaynaklanan az saydaki elektrondan olutur. 1013 atom iinde bir katk
atomu bulunduran silisyum saf kabul edilir.
5
ANALOG ELEKTRONK
no
tla
ri.
co
m
Kristal yapda s enerjisi alarak kovalent ban koparan bir elektron ve elektronun ayrlmas
nedeniyle oluan boluk ekil 1.7de gsterilmitir. Elektron kaybeden atom pozitif ykl hale
gelir. Elektronun atomdan ayrlmas ile kovalent bada oluan bolua delik denir. Delik pozitif
ykl olup bir arla sahip deildir ve elektronlar eker. Serbest kalan elektron ve oluan
delik, elektron-delik itfi olarak adlandrlr. Kristal iindeki elektron-delik ifti says scaklkla
artar.
rs
ekil 1.7. Oda scaklnda saf silisyum kristalinde bir elektronun ban kopartarak serbest hale
gelmesi ve delik olumas.
em
de
Oda scaklnda bulunan yar iletken kristale bir gerilim uygulandnda, scaklk nedeniyle
serbest kalan elektronlar elektrik akm retir. Serbest elektronlar atomlarn ekim etkisinden
kurtulduu iin hzl bir ekilde kaynan pozitif ucuna doru hareket eder. Scakln artmas ile
serbest elektron ve delik says artar. Kovalent balarn koparan serbest elektronlarn
oluturduu delikler de hareket halindedir. Kovalent ba iindeki delik komu atomun elektronu
tarafndan doldurulur. Komu atomda oluan delik, onun komusu olan atom tarafndan
doldurulur. Delik kaynan negatif ucuna doru ilerler ve kaynaktan kopan bir elektron delii
doldurur. Scaklk nedeniyle elektron-delik ifti srekli oluur ve yar iletkenden bir akm geer.
Delikleri dolduran elektronlar, serbest elektron olmak iin yeterli miktarda enerjilenememi olan
valans elektronlardr. Serbest elektronun hareketi delik hareketine gre ok hzldr. Yar
iletkenden geen akm, serbest elektronlarn oluturduu akm ile deliklerin oluturduu akmn
toplamdr. Delik hareketi serbest elektronlarn hareketinin tersinedir. Saf bir yar iletkende
serbest elektronlarn says ile deliklerin says birbirine eittir. Saf bir yar iletken malzemeye
katk atomlar eklendiinde bant yaps, elektriksel karakteristikleri deiir. Katk oran on
milyonda bir civarnda olmasna ramen yar iletkenin davran nemli lde farkllar.
Katklanan malzeme N tipi veya P tipi malzemeye dnr.
.e
N Tipi Malzeme
Valans elektron says be olan antimon, arsenik, bizmut ve fosfor gibi bir katk maddesi
germanyum veya silisyum tabana nceden belirlenmi miktarda eklenerek N tipi malzeme elde
edilir. ekil 1.8de silisyum malzemeye az miktarda arsenik eklenerek elde edilen N tipi
malzemenin scaklk ile ilikisi gsterilmitir. Arsenik atomlarnn be valans elektronu silikonun
kristal yapsna tam olarak uymaz. Sadece drt elektronu kovalent bada bulunur. Beinci
elektron kovalent baa katlmaz ve mutlak sfr scaklkta komu atoma gevek bir ekilde
baldr. Bu elektron oda scaklnda ald enerji (0.05 eV civarnda) ile serbest elektron olur.
Bu elektronun atomdan ayrlmas ile delik olumaz. Arsenik atomu elektron kaybettii iin
pozitif iyon olur. Pozitif iyonlarn kristal yap iindeki konumlar deimez.
6
ri.
ekil 1.8. Silisyuma arsenik eklenmesiyle elde edilen N tipi malzeme.
tla
Kovalent ba oluturan elektronlardan bazlar oda scaklnda iletim bandna geerek delikler
oluur. letim bandndaki serbest elektron says valans bandndaki delik saysndan ok fazladr.
Bu miktar katklama oran ile belirlenir. Katklama ilemi arseniin serbest elektron says, oda
scaklnda oluan elektron-delik iftinin bir milyon kat olacak ekilde yaplr. Saf kabul edilen
no
silisyum malzemesinde oda scaklnda her 1012 atomda bir serbest elektron bulunur. 10 6
ekil 1.9. N tipi malzemede elektron ve delik aklar.
.e
em
de
rs
atomda bir katk atomu bulunursa, tayc oran 10 6 (bir milyon kat) artar. N tipi malzemede
serbest elektronlar ounluk akm taycs ve delikler aznlk akm taycsdr. ekil 1.9da N
tipi malzemede elektron ve delik aklar gsterilmitir. Elektronlar kaynan () ucundan (+)
ucuna doru hareket eder. Akm yn elektron aknn tersi olarak kabul edilir.
co
m
ANALOG ELEKTRONK
P Tipi Malzeme
Valans elektron says olan indiyum, boron, aluminyum ve galliyum gibi bir katk maddesi
germanyum veya silisyum tabana nceden belirlenmi miktarda eklenerek P tipi malzeme elde
edilir. ekil 1.10da silisyum malzemeye az miktarda indiyum eklenerek elde edilen P tipi
malzemenin scaklk ile ilikisi gsterilmitir. Indiyum atomlarnn valans elektronu
silisyumun kristal yapsna tam olarak uymaz. Indiyum kristal yapda kovalent ba oluturur
ve bir kovalent ba bo kalr. Bo kalan kovalent badaki delik, komu atomlarn valans
elektronlar ile kolaylkla doldurulabilir. Bu deliin doldurulmas iin gereken enerji, valans
elektronlarn boluk bandn atlayarak iletime bandna gemeleri iin gereken enerjiden ok
kktr. Indiyum atomlarna komu olan silisyum atomlarnn valans elektronlar oda
scaklnda yeterli miktarda enerji alarak (0.08 eV civarnda) delikleri kolaylkla doldurur.
ndiyum atomlar elektron ald iin negatif iyon olur. Oda scaklnda silisyum atomlarnda
oluan elektron-delik ifti nedeniyle iletim bandnda az sayda serbest elektron da bulunur. P tipi
malzemede ounluk akm tayclar delikler ve aznlk akm tayclar elektronlardr. Bu
durum ekil 1.11de gsterilmitir.
no
tla
ri.
ekil 1.10. Silisyuma indiyum katlarak elde edilen P tipi malzeme.
rs
ekil 1.11. P tipi malzemede elektron ve delik aklar.
de
Katk Maddelerine Scakln Etkisi
em
Scaklkla N veya P tipi malzemede oluan elektron-delik ifti, yani aznlk akm tayclar
artar. Katk maddesinden gelen ounluk tayclar ise scaklkla deimez. rnek olarak N tipi
bir malzemede farkl scaklklarda oluan elektronlar ve delikler Tablo 1.2de gsterilmitir.
Mutlak sfrda (-273 C) elektron-delik ifti oluturacak bir enerji yoktur. Ayn zamanda katk
atomlarnn elektronlarn iletim bandna geirecek seviyede bir enerji de yoktur. Oda
scaklnda (25 C) aznlk tayclarnn says, katk maddesinden kaynaklanan serbest
elektron saysna gre ok dktr. Scaklk 250 C olduunda delik says elektron saysna
yaklak olarak eittir ve madde saf bir yariletken gibi davranr.
.e
co
m
ANALOG ELEKTRONK
Tablo 1.2. Farkl scaklklarda tipik bir N tipi silisyumun tayc konsantrasyonlar.
Scaklk
Katk maddesinin
Scaklkla oluan
Toplam serbest
serbest elektronlar elektron (delik) says
elektron says
0
0
0
-273 C
15
10
10
1.5x10
25 C
1015
15
15
10
10
2x1015
200 C
1015
1016
1.1x1016
250 C
ANALOG ELEKTRONK
A. DYOTLAR ve ETLER
co
m
P-N Jonksiyonu
P ve N tipi malzemeler bir kristal yap iinde bir araya getirildiinde iki blge arasnda bir P-N
jonksiyonu olutur. Bu eleman yar iletken diyot olarak bilinir ve tek ynde akm geirir. P-N
jonksiyonu diyot, transistr ve dier yar iletken elemanlarn temelidir.
.e
em
de
rs
no
tla
ri.
Jonksiyon olumadan nce oda scaklnda, N blgesinde ok sayda serbest elektron ve P

blgesinde ok sayda delik mevcuttur. Elektronlar ve delikler btn ynlere serbeste hareket
eder. Jonksiyon olumas annda elektronlardan bir ksm P blgesine doru hareket eder. Bu
hareketin sebebi difzyon akmdr. Difzyon akm elektron younluunun ok olduu yerden
az olduu yere doru oluan yaylmadr. P blgesine geen elektronlar deliklerle birleir. N
blgesinde elektronlarn kaybeden atomlar (+) ve P blgesinde elektron alarak deliklerini
kaybeden atomlar (-) olur. Bunun sonucunda P-N jonksiyonu yaknnda ok sayda pozitif ve
negatif iyon olur. N blgesindeki elektronlarn hepsi P blgesine geemez. N blgesindeki
elektronlar pozitif iyonlar tarafndan ekilir. Bu elektronlarn P blgesine geebilmeleri iin
negatif iyonlarn itme kuvvetini yenmeleri gerekir. ekil 2.1(a)da P-N jonksiyonu ve (b)de
jonksiyonun birlemesinden sonra oluan boluk blgesi gsterilmitir. Boluk blgesi bir pil
gibi gerilim retir. Boluk blgesinde oluan gerilim germanyum diyotlarda 0.3 V, silisyum
diyotlarda ise 0.7 Vtur.
ekil 2.1. a) P-N jonksiyonu, b) Boluk blgesinin olumas.
Boluk blgesi, jonksiyonu difzyon yoluyla gemek isteyen ounluk tayclar iin bir engel
oluturur. N blgesindeki bir serbest elektronun P blgesine geebilmesi iin bu gerilim
potansiyelini aacak bir enerjiye sahip olmas gerekir. Boluk blgesinde scaklk nedeniyle
oluan elektron-delik iftleri srklenme (drift) akm ile difzyon akmnn tersine hareket eder.
Bu iki akmn toplam sfrdr.
Ters Kutuplama
P-N jonksiyonunun P blgesine negatif ve N blgesine pozitif bir gerilim uygulanmasna ters
kutuplama (polarma) denir. P blgesindeki delikler kaynan negatif ucu tarafndan ve N
blgesindeki elektronlar kaynan pozitif ucu tarafndan ekilir. ounluk tayclar
jonksiyondan uzaklaarak jonksiyon etrafnda daha ok pozitif ve negatif iyon oluur. Geici
rejimde ounluk akm tayclar bir akm oluturur. Boluk blgesi genileyerek kararl
rejimde bu blgenin potansiyeli P-N jonksiyonuna uygulanan VR gerilimine eit olur ve
ANALOG ELEKTRONK
ounluk tayc akm sfr olur. ok kk bir VR gerilimi ounluk akm tayclarnn
akn durdurmak iin yeterlidir. Ters kutuplanan bir P-N jonksiyonunda aznlk akm
rs
no
tla
ri.
co
m
tayclar jonksiyondan bir sznt akm geirir. VR gerilimi arttka sznt akm artar. VR
geriliminin daha fazla arttrlmas aznlk akm tayclarnn saysn arttrmaz nk elektrondelik iftinin miktar scakla baldr. Jonksiyondan geen bu akma ters doyma akm denir.
ekil 2.2de ters kutuplama durumundaki P-N jonksiyonu ve iinden geen sznt akm
gsterilmitir.
de
ekil 1.13 Ters kutuplama durumundaki P-N jonksiyonu.
em
Delinme
P-N jonksiyonuna uygulanan ters gerilimin artrlmas aznlk akm tayclarnn daha hzl
hareket etmelerine neden olur. Bu akm tayclar kristal iindeki atomlara arparak valans
elektronlarn enerjilenmesine ve kovalent ba kopararak valans elektronlarn serbest kalmasna
neden olur. Serbest kalan aznlk akm tayclar hzla hareket ederek baka atomlara arpar ve
yeni elektron-delik iftlerinin olumasna neden olur. Bylece aznlk akm tayc says hzl
bir ekilde ( gibi) ykselir. Bu olaya delinme denir ve aznlk akm tayclarn bu ekilde
hzlandrmak iin gerekli enerjiyi oluturan gerilime ters devrilme gerilimi ( VBD ) denir. Ters
devrilme gerilimi scakla, katk miktarna ve baka faktrlere baldr.
.e
leri Kutuplama
P-N jonksiyonunun P blgesine pozitif ve N blgesine negatif bir gerilim uygulanmasna ileri
kutuplama denir. P blgesindeki delikler kaynan pozitif ucu tarafndan ve N blgesindeki
elektronlar kaynan negatif ucu tarafndan jonksiyona doru itilir. Bu blgedeki pozitif ve
negatif iyonlar ntr hale gelmeye balar. Jonksiyona uygulanan VF gerilimi yeteri kadar byk
ise, diyot iinde oluan gerilim potansiyeli sfrlanr ve boluk blgesi ortadan kalkar. N
blgesindeki elektronlar yeterli enerji alarak P blgesine geer. P blgesine geen elektron
burada valans elektron haline gelir ve delikten delie atlayarak kaynan pozitif ucuna doru
hareket eder. P blgesinde valans elektronlarn hareketi, deliklerin ters ynde hareketi demektir.
Akm yn, delik hareketi ile ayn ynde kabul edilir. N blgesini terk eden her elektron iin
kaynan negatif ucundan bir elektron kar. Bylece jonksiyondan srekli akm geer. VF
gerilimi silisyum diyotta 0.7 V ve germanyum diyotta 0.3 Vtan byk olduunda P-N
10
ANALOG ELEKTRONK
co
m
jonksiyonundan akm gemeye balar. Gerilimin biraz daha arttrlmas akmn hzla artmasna
neden olur. Akm snrlamak iin diyoda seri bir diren balanr. ekil 2.3te ileri ynde
kutuplanm bir P-N jonksiyonu gsterilmitir.
rs
no
tla
ri.
N blgesinde ounluk akm taycs olan elektronlarn, P blgesine gemeleri difzyon ile
olur. P blgesinde elektronlar aznlk akm tayclardr. Bu durum transistrn almasnn
anlalmas asndan nemlidir.
de
ekil 2.3. leri ynde kutuplanm P-N jonksiyonu.
Diyodun V-I Karakteristii
.e
em
P-N diyodunun P blgesine anot ve N blgesine katot ismi verilir. leri ynde kutuplanm
diyotta akm Pden Nye doru akar. Diyodun ok sembol ileri ynde kutuplanm diyottan
geen akm ynn gsterir. ekil 2.4te diyodun sembol ve V-I karakteristii gsterilmitir.
ekil 2.4. Diyodun sembol ve V-I karakteristii.

Diyodun akm geirmeye balad gerilim eik gerilimi ( VT 0 ) olup, germanyum iin 0.3 V ve
silisyum iin 0.6 Vtur. Eik gerilimi scaklkla azalr. I s ters ynde doyma akmdr ve
11
ANALOG ELEKTRONK
co
m
scaklkla artar. Oda scaklndaki doyma akm silikonda on nano amperler mertebesindedir.
Germanyumda ise enerji boluu daha kk olduundan silikona gre daha fazla aznlk akm
taycs mevcuttur ve sznt akm birka mikro amper mertebesindedir. VBD diyodun ters
ynde devrilme gerilimidir. Diyoda ters ynde uygulanabilecek gerilimin tepe deeri (PRV),
VBD den kktr ve silisyum diyotta 1000 V , germanyumda ise 400 V civarndadr. PRV ksa
sreli ters gerilimdir. Kataloglarda ayrca ters ynde uygulanabilecek DC gerilimin maksimum
deeri ( VRDC ) de verilir. Silisyum diyot 200 ! C scakla kadar kullanlabilirken, germanyum
ri.
diyot 100 ! C ye kadar kullanlabilir. Silisyum diyodun germanyuma gre dezavantaj eik
geriliminin daha yksek olmasdr. Germanyum diyot silisyumdan daha hzldr.
tla
Diyotlu Devrelerde Grafik Yntemi ile alma Noktasnn Bulunmas
no
Elektronik devrelerde kullanlan diyotlarn almasn devre analizi yntemleri ile incelemek
mmkndr. Uygulamalarda diyot devaml iletim, devaml yaltm veya zaman zaman iletim ve
yaltm durumunda alr. DC devrelerde diyodun tek bir alma noktas yani akm ve gerilimi
mevcuttur. AC bir devrede ise diyodun alma noktas deikendir.
de
rs
Diyodun alma noktas grafik yntemleri kullanlarak da bulunabilir. Diyodun alma

noktasnn grafik ile bulunmas iin nce diyodun hangi blgede olduuna karar verilir. Diyot
ileri kutuplama, ters kutuplama veya devrilme blgelerinden birinde olabilir. Daha sonra V-I
karakteristii ile yk dorusu kesitirilir ve alma noktas bulunur.
.e
em
leri Kutuplama Durumu

leri ynde kutuplanm bir diyot ve alma noktas ekil 2.5te gsterilmitir.
ekil 2.5. DC bir devrede diyodun ileri kutuplanmas ve alma noktas.

Seri devrede kaynak gerilimi, diyot gerilimi ile yk geriliminin toplam olarak yazlr.
VS = v D + R Y i D
Yk dorusunun izilmesi iin yukardaki denklemde i D = 0 iin v D = VS ve v D = 0 iin
i D = VS / R Y deerleri elde edilir. Bu iki deer kullanlarak yk dorusu izilir. Yk dorusu ile
diyodun V-I karakteristiinin kesitii nokta alma noktasdr. Bu noktann akm ve gerilim
deerleri I D ve VD olarak gsterilmitir.
12
ANALOG ELEKTRONK
b) VS = 3 V
no
tla
ri.
a) VS = 1.5 V
co
m
Uygulama 1 :
V-I karakteristii aada verilen bir diyot R Y = 1.5 k olan seri diren zerinden ileri
kutuplanacak ekilde DC gerilim kaynana balanmtr. Diyodun alma noktasn bulunuz.
zm :
de
rs
a) VS = 1.5 V iin
1.5 = v D + 1500 i D (yk dorusunun denklemi)
i D = 0 v D = 1.5 V
v D = 0 i D = 1.5 / 1500 = 0.001 A = 1 mA
em
Bu iki deer kullanlarak yk dorusu izilir. Diyodun V-I karakteristii ile yk dorusunun
kesime noktas (a) diyodun alma noktasdr. Grafikte (a) noktasnda diyodun gerilimi
v D = 0.55 V ve akm i D = 0.63 mA olarak grlmektedir. Sonucun doruluunu kontrol etmek
iin bulunan akm ve gerilim denklemde yerine konulur. 1.5 0.55 + 1500 x 0.63x10 -3
.e
b) VS = 3 V iin
3 = v D + 1500 i D
(yk dorusunun denklemi)
iD = 0 vD = 3 V
v D = 0 i D = 3 / 1.5 k = 2 mA
Diyodun alma noktas (b noktas) v D = 0.6 V ve akm i D = 1.6 mA olarak grlmektedir.
13
ANALOG ELEKTRONK
co
m
Ters Kutuplama Durumu

Ters ynde kutuplanm bir diyot ve alma noktas ekil 2.6da gsterilmitir. evre denklemi
aadaki gibi yazlr.
VS = v D + R Y i D
no
tla
ri.
Yk dorusunun izilmesi iin yukardaki denklemde i D = 0 iin v D = VS ve v D = 0 iin

i D = VS / R Y deerleri elde edilir. Bu iki deer kullanlarak yk dorusu izilir.
rs
ekil 2.6. DC bir devrede diyodun ters kutuplanmas ve alma noktas.
de
Uygulama 2 :
V-I karakteristii aada verilen bir diyot R Y = 5 M olan seri diren zerinden ters
kutuplanacak ekilde DC gerilim kaynana balanmtr. Diyodun alma noktasn bulunuz.
b) VS = 75 V
c) VS = 125 V
.e
em
a) VS = 50 V
zm :
a) Yk dorusu gerilim eksenini 50 Vta, akm eksenini 50 / 5 M = -10A deerinde keser.
alma noktas v D = 45 V ve i D = 1 Adir.
b) Yk dorusu gerilim eksenini 75 Vta, akm eksenini 75 / 5 M = -15Ade keser.
alma noktas v D = 70 V ve i D = 2 Adir. Bu akm ters doyma akmdr ve gerilimle artmaz.
Devrilme gerilimine kadar ayn deerde akm geer. Bu akm deeri aznlk akm tayclarnn
saysna baldr.
c) Yk dorusu gerilim eksenini 125 Vta, akm eksenini 125 / 5 M = -25Ade keser.
alma noktas v D = 100 V ve i D = 5 Adir. 100 Vun zerindeki bir ters gerilim diyodun ters
devrilmesine ve ar akm gemesine neden olur. Devrilme blgesinde diyot akm
14
ANALOG ELEKTRONK
ri.
co
m
snrlanmazsa ar akm geer ve diyot bozulur. Bu devrede 5 Mluk seri diren ar akm
gemesini nler.
tla
Sonular
de
rs
no
Yk dorusu analizinden aadaki sonular karlabilir.

1. Kaynak gerilimi diyodu ileri kutupladnda, kaynak geriliminin arttrlmas ile diyot gerilimi
eik geriliminden sonra artmaya devam etmez, hemen hemen sabit kalr. Diyottan geen
akm seri diren tarafndan belirlenir.
2. Kaynak gerilimi diyodu ters kutupladnda, diyottan ok kk bir ters akm geer. Kaynak
gerilimi VBD gerilimine ulaana kadar sabit kabul edilebilir.
3. Diyoda uygulanan ters gerilim VBD den byk ise, diyot zerinde VBD gerilimi der.
Diyot akm seri diren tarafndan belirlenir.
em
Diyodun Direnci
.e
Diyodun direnci DC veya AC olarak tanmlanabilir. alma noktasndaki diren DC veya statik
diren olarak tanmlanr. leri ynde kutuplanm bir diyodun statik direnci akm ykseldike
artar. Diyot karakteristiinin belirli bir blgesinde, gerilimdeki deimenin akmdaki deimeye
oran AC veya dinamik diren olarak tanmlanr. ekil 2.7de diren tanmlar gsterilmitir.
ekil 2.7 Diyodun AC ve DC direnci.

Uygulama 3 :
Aadaki verilen diyot karakteristiini kullanarak A, B ve C noktalarndaki diyodun direnlerini
bulunuz. deal diyot ile karlatrnz.
15
no
tla
ri.
co
m
ANALOG ELEKTRONK
VDC
0.5
=
= 250
I DC
2 mA
V
0.8
R DC = DC =
= 40
I DC
20 mA
rs
zm :
de
A noktasndaki DC diren;
B noktasndaki DC diren;
R DC =
em
leri kutuplama blgesinde diyodun direnci gerilim ve akm arttka artar. deal bir diyotta
iletimdeki i diren sfr kabul edilir.
R DC =
VDC
10
=
= 5 M
I DC
2 A
Ters kutuplama blgesinde diren olduka yksektir. deal bir diyotta ise bu blgede direncin
sonsuz olduu ve hi akm gemedii kabul edilir.
DC bir devrede belirli bir alma noktasnda diyodun direnci bulunarak, diyot yerine bu edeer
diren konulabilir.
.e
C noktasndaki DC diren;
16
ANALOG ELEKTRONK
Uygulama 4 :
co
m
Yanda verilen diyot karakteristiini

kullanarak A, B noktalar arasnda
diyodun AC direncini bulunuz.
zm :
VA VB
0.8 0.73
=
iA iB
20.10 3 6.10 3
R AB = 5
tla
no
AB noktalar arasndaki diren AC

diren veya ortalama diren olarak
adlandrlr.
ri.
R AB =
rs
Diyot Devrelerinin Yaklak Edeer Analizi
de
Bir devrede diyodun alma noktas grafik metodu ile veya diyodun edeeri kullanlarak
bulunabilir. Diyodun yaklak edeerini kullanmak kolay bir zmdr ve doruluu daha
dktr. alma noktasnn bulunmas grafik metodu ile olduka gtr.
.e
em
Diyodun yaklak edeer devresinde, geirme ynnde diyodun belirli bir eik geriliminde
iletime getii kabul edilir. Bu eik gerilimi germanyum iin 0.3 V ve silisyum iin 0.7 Vtur.
Diyot eik geriliminden sonra bir diren gibi davranr. letimdeki i diren olduka dktr
(birka ohm mertebesinde) ve bir ok uygulamada ihmal edilir. deal diyodun edeeri ile
silisyum ve germanyum diyotlarn edeer devreleri ekil 2.8de gsterilmitir.
ekil 2.8 deal, silisyum ve germanyum diyotlarn edeer devreleri.

Ters kutuplama blgesinde diyodun edeer direnci sonsuz kabul edilir. Diyoda ters ynde
devrilme geriliminden daha byk bir gerilimi uygulanrsa diyot devrilerek akm geirir. Bu
akmn deeri dirence baldr. Bu esnada diyodun zerindeki gerilim devrilme gerilimidir.
Uygulamada diyodun ters devrilme gerilimi, zerine gelebilecek maksimum gerilimden byk
seilir.
17
ANALOG ELEKTRONK
Uygulama 5 :
co
m
Yanda verilen devrede,

a) deal diyot iin,
b) Silisyum diyot iin,
c) Germanyum diyot iin
ri.
diyot akmn ve diren gerilimini bulunuz.
tla
zm :
Devrede diyot geirme ynnde kutuplanmtr ve iletimdedir. Diyot ve diren seri bal
olduundan diyot akm diren akmna eittir. Diyot gerilimi ile diren geriliminin toplam
kaynak gerilimini verir.
10
1.10 3
= 10 mA bulunur.
Diren gerilimi,
rs
I=
no
a) deal diyodun gerilim dm sfrdr ve iletimdeki i direnci sfrdr. Devreden geen akm,
de
VR = I.R = 10 mA.1k = 10 V bulunur.
em
b) Silisyum diyodun iletim gerilim dm 0.7 Vtur. Diyodun iletimdeki i direnci ok

kktr ve diren yannda sfr kabul edilebilir. Devreden geen akm,
I=
10 0.7
1.10 3
= 9.3 mA bulunur.
Diren gerilimi,
.e
VR = I.R = 9.3 mA.1k = 9.3 V bulunur.
c) Germanyum diyodun iletim gerilim dm 0.3 Vtur. Diyodun iletimdeki i direnci ok

kktr ve diren yannda sfr kabul edilebilir. Devreden geen akm,
I=
10 0.3
1.10 3
= 9.7 mA bulunur.
Diren gerilimi,
VR = I.R = 9.7 mA.1k = 9.7 V bulunur.
NOT : Devredeki gerilim ok byk ise silisyum ve germanyum diyodun eik gerilimi de ihmal
edilerek zm ideal diyottaki gibi bulunur.
18
ANALOG ELEKTRONK
Uygulama 6 :
co
m
ekildeki devrede kullanlan diyodun devrilme

gerilimi VBD = 75 V tur.
ri.
a) VS = 30 V ve
b) VS = 100V iin,
devreden geen akm ile diyot ve diren
gerilimini bulunuz.
tla
zm :
rs
I 0
VD = - 30 V
VR = I.R = 0
no
a) Diyot ters kutuplama blgesinde olduuna gre devreden geen akm sfr kabul edilir. Btn
gerilim diyot zerinde oluur. Diren zerindeki gerilim sfrdr.
b) Diyoda gelen ters gerilim devrilme gerilimini atna gre seri diren akm belirler.
de
VD = - 50 V
V VBD 100 75
I= S
=
= 0.25 mA = 250 A
R
100 k
em
VR = I.R = 100 k. 250 A = 100. 10 3 . 250. 10 6 = 25 V
Diyotta harcanan g, PD = 50.250.10 6 =12.5 mW bulunur.
Yarm Dalga Dorultucu
.e
Diyot tek ynde akm geirme zelliinden dolay dorultucu devrelerinde yaygn olarak
kullanlr. Dorultucu devreleri, AC gerilimi DC gerilime evirmek iin kullanlr. Dorultucu
analizinde diyotlar ideal kabul edilecektir. ekil 2.9da yarm dalga dorultucu devresi
gsterilmitir. Devrenin giriine bir AC gerilim uygulanmtr. t 0 t1 aralnda yani pozitif
alternansta diyot iletimdedir. Bu aralkta diyodun gerilimi sfr kabul edilirse, giri gerilimin
tamam yk zerinde grlr. t1 t 2 aralnda yani negatif alternansta diyot kesimdedir.
Devreden geen akm ve yk gerilimi sfrdr.
ekil 2.9 Yarm dalga dorultucu, giri ve k gerilimleri.

19
ANALOG ELEKTRONK
Tam Dalga Dorultucu
em
de
rs
no
tla
ri.
co
m
Tam dalga dorultma, AC gerilimin her iki alternansnn dorultularak yke verilmesi ile yaplr.
ekil 2.10da orta ulu transformatr ile yaplan tam dalga dorultucu devresi gsterilmitir.
Transformatr giriine uygulanan ebeke geriliminin ve kndaki gerilimlerin orta uca gre
deiimleri ekilde gsterilmitir. Devrede iki diyot kullanlarak her iki alternans dorultulur ve
yke verilir. t 0 t1 aralnda D1 diyoduna gelen gerilim orta uca gre pozitiftir. D1 diyodu
iletime girer ve yke pozitif alternans verilir. D 2 diyodu bu aralkta negatif gerilime maruz
kaldndan kesimdedir. t1 t 2 aralnda aralnda, D 2 diyodu orta uca gre pozitif gerilime
maruz kalr ve iletime girer. Bylece negatif alternans dorultularak yke verilir. Bu aralkta st
sarg gerilimi orta uca gre negatiftir ve D1 diyodu kesimdedir. Ykten geen akm her iki
alternansta da pozitiftir dolaysyla yk gerilimi pozitif olur.
ekil 2.10. Orta ulu transformatr ile yaplan tam dalga dorultma devresi.
.e
Dntrme oran n:1 , giri gerilimi V1 ve k gerilimi 2x V2 olan orta ulu transformatrde,
V
V2m = 1m
2n
olarak yazlr. m indisi maksimum deerdir. Yk zerindeki gerilimini ortalama deeri,

VDC =
2V2 m
olarak hesaplanr. Bir diyodun maruz kald maksimum gerilim,

PIV = 2V2m
eklinde hesaplanr. PIV (Peak Inverse Voltage) diyot kesimde iken oluur. Kullanlan diyodun
PIV deeri bu deerin stnde olmaldr.
20
ANALOG ELEKTRONK
Uygulama 7 :
V1 = 220 V
V2m = 220 2 V = 311 V
V2 = 15 V
rs
V2m = 15 2 V
1
T=
= 0.02 = 20 ms
50
no
a)
tla
zm :
ri.
a) Giri ve k gerilimlerinin deiimlerini

iziniz ve k geriliminin ortalamasn
bulunuz.
b) Bir diyodun minimum PIV deerini
hesaplaynz.
co
m
ekilde verilen tam dalga dorultucuda

transformatr giri gerilimi 220 V, 50 Hz ve
k gerilimi 2x15 Vtur (Gerilim deerleri
efektif deerlerdir).
de
2V2 m 2.15 2
=
= 13.5 V
em
VDC =
Kpr Dorultucu
Kpr dorultucu ile elde edilen DC gerilim, orta ulu transformatr ile yaplan tam dalga
dorultucudaki DC gerilimin iki katdr. ekil 2.11de kpr dorultucu devresi ve giri k
gerilimleri gsterilmitir.
.e
b) Bir diyoda gelen maksimum gerilim,

PIV = 2V2m = 30 2 = 42.4 V
Diyodun PIV deeri 42.4 Vtan byk olmaldr. PIV deeri 50 V veya 75 V seilebilir.
ekil 2.11. Kpr dorultucu devresi ve giri k gerilimleri.

21
ANALOG ELEKTRONK
co
m
Pozitif alternansta D1 - D 2 diyotlar iletimde, D 3 D 4 diyotlar kesimdedir. Negatif alternansta

D 3 D 4 diyotlar iletimde, D1 - D 2 diyotlar kesimdedir. Ykten geen akm ve yk gerilimi
her iki alternansta da pozitiftir. Bir diyodun maruz kald maksimum gerilim giri geriliminin
tepe deeridir.
KIRPICI DEVRELER
tla
ri.
Diyot devreleri giri iaretinin belirli bir blgesini krpmak ve iareti telemek iin kullanlabilir.
Krpclar ngerilimli, ngerilimsiz, seri, paralel, pozitif veya negatif trde olabilir. ngerilimli
devrelerde DC gerilim kayna kullanlr. Krpma seviyesi devrede kullanlan DC gerilim
kaynann deeri ile ayarlanabilir. Diyodun yn ile seri veya paralel bal olmasna gre,
pozitif veya negatif krpma yaplabilir. Kaynan ynnn deitirilmesi ile krpma ilemi
tamamen deiir.
em
de
rs
no
ekil 2.12de ngerilimli seri krpc ve giri gerilimi ile k gerilimi arasndaki iliki
gsterilmitir. Bu devrede 5 Vtan daha dk gerilimler iin diyot ak devre olur ve k
gerilimi sfr olur. 5 Vun zerinde diyot iletime girer. Bylece giri gerilimi 5 V yukar
telenmi olur ve alt krplr.
ekil 2.12 ngerilimli seri bir krpc.
.e
ekil 2.13de ngerilimli paralel krpc gsterilmitir. Bu devrede 5 Vtan daha kk gerilimler
iin diyot ksa devre olur ve k gerilimi 5 V olur. Giri geriliminin 5 Vun altndaki ksm
krplr.
ekil 2.13 ngerilimli paralel krpc.

ekil 2.14te gsterilen ngerilimli paralel krpcda iki diyot kullanlmtr. Pozitif alternansta ve
5 Vun stnde, pozitif yndeki diyot iletime girer ve k gerilimi 5 V olur. Negatif alternansta
ve 10 Vun altnda, negatif yndeki diyot iletime girer ve k gerilimi -10 V olur. Bylece
giri gerilimi hem alttan hem de stten krplm olur. Gerilim deerleri deitirilerek krpma
seviyeleri deitirilebilir.
22
co
m
ANALOG ELEKTRONK
ri.
ekil 2.14 ngerilimli iki diyotlu paralel krpc.
KENETLEYC DEVRELER
no
tla
Kenetleyici devreler ac bir iarete dc bir seviye eklemek iin kullanlr. Kenetleyiciler televizyon
alclarnda dc seviye elde etmek iin kullanlr. Alcya gelen video iareti genellikle kapasitif
bir amplifikatr ile ykseltilir. Ykseltme ilemi dc bileenin yani siyah, beyaz ve boluk
seviyelerinin kaybolmasna neden olur. Video iareti resim tpne uygulanmadan nce bu
referans seviyeler kenetleyici yeniden elde edilir.
ekil 2.15 Pozitif bir dc kenetleyici.
Kenetleyici devreler giri iaretini negatif dc seviyeye de kaydrabilir. Kenetleyici devre iinde
dc bir gerilim kayna kullanlarak farkl dc seviyeler de elde edilebilir. ekil 2.16da negatif bir
dc kenetleyici gsterilmitir.
.e
em
de
rs
ekil 2.15te pozitif dc kenetleyici gsterilmitir. A noktasna kadar kondansatr arj olur. Daha
sonra kondansatr geriliminin sabit kald kabul edilir. Devrede kondansatrn dejarj R
zerinden olur. RC zaman sabiti uygulanan giri sinyalinin peryodundan ok byktr. k
gerilimi sabit olan kondansatr gerilimi ile giri geriliminin toplamdr.
ekil 2.16 Negatif bir dc kenetleyici.
23
ANALOG ELEKTRONK
ri.
co
m
Uygulama 8 :
Aada verilen kenetleyici devrede giri gerilimi iin k gerilimini iziniz.
no
T = 1 / f = 1 ms
tla
zm :
Devre giriine uygulanan iaretin frekans 1 kHz olduuna gre darbe peryodu,
olarak bulunur. RC zaman sabiti,
rs
R.C = 100k.1 = 100.10 3.1.10 6 = 100.10 3 =100 ms.
de
RC zaman sabiti darbe peryodundan ok byk olduu iin kondansatr geriliminin R zerinden
dearj olmad kabul edilir.
em
Analize diyodun iletimde olduu aralktan balayalm.

t1 t 2 aralnda diyot iletimdedir. Devrenin giriinde
20 V gelmektedir. Yani alt ucuna + 20 V uygulanmtr.
Diyot bu aralkta Anot-Katot gerilimi pozitif olduundan
iletime girer ve k gerilimi 5 V olur. Kondansatr ise
ekilde gsterildii gibi + 25 Va arj olur. t 2 t 3
aralnda diyot kesime girer. k gerilimi giri gerilimi
ile kondansatr geriliminin toplamdr. v o = 10 V + 25 V
= 35 V. k geriliminin deiimi yanda verilmitir.
.e
Zener Diyot
Normal diyotlarda ters devrilme olay istenmez. Zener diyotlar ise belirli bir gce kadar ters
devrilme blgesinde kullanlabilir. Ters kutuplanm bir diyodun devrilmesi iki ekilde olur.
1- devrilme: Ters kutuplama ile hzlanan aznlk tayclarn kovalent badaki valans
elektronlar koparmas ile oluur. devrilme diyoda 5 volttan daha byk bir ters gerilim
uygulandnda oluur.
2- Zener devrilme : Boluk blgesi dar olmas durumunda meydana gelen yksek elektrik alan
nedeniyle oluur. Bu elektrik alan kovalent badaki valans elektronlar kopararak diyottan
ters ynde yksek akm gemesine neden olur. Zener devrilme 5 volttan kk gerilimlerde
oluur. Katk orannn arttrlmas boluk blgesini daraltr. Boluk blgesinde oluan
elektrik alan (uzaklk ile ters orantl) ise artar. Dolaysyla katk orannn arttrlmas zener
diyodun devrilme gerilimini azaltr.
24
ANALOG ELEKTRONK
co
m
Zener diyodun karakteristii, sembol ve edeer devreleri ekil 2.17de gsterilmitir. Zener
diyot ileri ynde kutuplanrsa normal bir diyot gibi davranr. Uygulamalarda zener diyot ters
devrilme blgesinde kullanlr. Karakteristik eride iki nemli nokta gsterilmitir. A noktas
zener diyodunun ters devrilme noktasdr. Zener diyodun A noktasnda alabilmesi iin,
diyottan minimum bir akm gemesi gerekir. Bu durumda zener gerilimi minimumdur. B
noktasnda diyottan maksimum akm geer ve zener gerilimi maksimumdur. B noktasndaki
akm deeri katalogda verilen I ZM deerini amamaldr. Zener diyotlar 1.8 V ile 200 V
arasndaki gerilim deerlerinde ve 1 / 4 W ile 50 W arasndaki g deerlerinde retilmektedir.
ri.
Zener diyodun ideal edeeri bir gerilim kayna kabul edilir. Yaklak edeeri ise bir diren ve
kaynak geriliminin toplam olarak verilir.
tla
v z = Vz + rz .i z
.e
em
de
rs
no
Zener diyodun i direncinin tanm karakteristik eri zerinde gsterilmitir. diren ne kadar
kk olursa, zener ularndaki gerilimin akm ile deimesi o kadar az olur. Zener diyot,
reglasyon ve referans gerilim salamak amacyla yaygn olarak kullanlmaktadr.
ekil 2.17. Zener diyodun karakteristii, sembol ve edeer devreleri.
Zener diyodun devrilme gerilimi scaklkla deiir. Kataloglarda gerilimin ! C bana yzde
olarak deimesini gsteren bir scaklk katsays ( K T ) verilir. rnein 15 Vluk bir zener
diyotta K T = 0.2 % / ! C ise, 1 ! C lik art zener geriliminin 0.03 V artmasna neden olur.
Scaklk katsays zener devrilme blgesinde alan diyotlarda negatif, devrilme blgesinde
alan diyotlarda pozitiftir. Zener gerilimi arttka scaklk katsays da artar.
Uygulama : 9
Biz zener diyodun akmnda 2 mAlik bir deime olduunda, ularndaki gerilim 50 mV
deimektedir. Zener direncini hesaplaynz.
zm :
rZ =
Vz 50 mV
=
= 25
I z
2 mA
25
ANALOG ELEKTRONK
co
m
Uygulama : 10
Gerilimi 10 V ve i direnci 5 olan zener diyottan 20 mA gemesi durumunda ularndaki
gerilimin ne olacan bulunuz.
zm:
Diren ularndaki gerilim,
rz .i z = 5.20.10 3 = 0.1 V
tla
v z = Vz + rz .i z = 10 + 0.1 = 10.1 V
olur. 20 mA akm getiinde zener diyot
gerilimi % 10 artar.
ri.
bulunur. Zener ularndaki gerilim,
no
Uygulama : 11
ekilde verilen devrede giri geriliminin hangi

aralnda reglasyon salanacan hesaplaynz.
de
rs
I Z min = 1 mA , I Z max = 15 mA
VZ = 5.1 V , rZ = 10
em
zm:
I Z min = 1 mA iin;
Vo = VZ + rZ .I Z min = 5.1 + 10. 1mA = 5.11 V
Vi min = R.I Z min + Vo = 600. 1mA + 5.11 = 5.71 V
I Z max = 15 mA iin;
Vo = VZ + rZ .I Z max = 5.1 + 10. 15mA = 5.25 V
Vi max = R.I Z max + Vo = 600. 15mA + 5.25 = 14.25 V
.e
Girie deiken bir giri gerilimi uygulanmas ile k geriliminin deimemesi istenmektedir.
k geriliminin regle edilebilmesi iin girie 5.71 V ile 14.25 V aralnda bir gerilim
uygulanmas gerekir. Bu durumda k gerilimi 5.11 V ile 5.25 V arasnda bir deer alr.
Uygulama : 12
ekilde verilen devrede I Z min = 3 mA ,
I ZM = 90 mA , VZ = 12 V , rZ = 10 olan bir
zener diyot kullanlmtr.
a) Reglasyon salanabilmesi iin R Y
direncinin minimum deerini hesaplaynz
( rZ = 0 alnz).
b) k geriliminin akma bal deiimini
iziniz. k gerilimindeki bal
reglasyonu hesaplaynz.
26
ANALOG ELEKTRONK
zm:
I R max = I Z max =
co
m
a) Devrede yk bal deil iken, R direncinden geen akm maksimum olur. Bu akm ayn
zamanda zenerden geer.
Vi VZ 24 12
=
= 24 mA
R
500
I Z max < I ZM
ri.
Zenerden geen maksimum akm I ZM deerini gememelidir. Devrede I Z max < I ZM art
salandndan R direncinin deeri uygundur. Bu devrede R direnci biraz daha kk seilebilir.
VY
I Y max
12
= 570
21 mA
R Y > 570 olmaldr.
rs
R Y min =
no
I Y max = I R max I Z min

I Y max = 24 mA 3 mA = 21 mA
tla
Yk akm maksimum iken zenerden geen akm minimumdur. Zener diyodun reglasyon
yapmas iin I Z min = 3 mA deerinde bir akm zenerden gemelidir. Yk akmndan geen
maksimum akm ve minimum yk direnci aadaki gibi hesaplanr.
.e
em
de
Yk geriliminin deiimi akma gre aadaki gibi izilebilir. Yk akm 21 mA olana kadar
zener diyot reglasyon salar. Bu aralkta dorunun eimi rZ direncini verir. Bu deerden sonra
zener diyot ok az akm geirir ve yksek diren gsterir. k ksa devre edilirse gerilim sfr
olur, akm sadece R direnci snrlar. Ksa devre akm 24V/500 = 48 mAdir.
b) Bota almada yk akm sfrdr ve zenerden maksimum akm geer. Bu durumda zener
gerilimi (yk gerilimi) maksimum olur.
VY max = VZ max = VZ + rZ .I Z max = 12 + 10.21.10 3 = 12.21 V
Yk akm maksimum olduunda zenerden geen akm minimumdur. Bu durumda zener gerilimi
(yk gerilimi) minimum olur.
VY min = VZ min = VZ + rZ .I Z min = 12 + 10.3.10 3 = 12.03 V
Bal Yk Reglasyonu =
12.21 12.03
x100 = % 1.5
12
27
ANALOG ELEKTRONK
tla
ri.
co
m
Zenerli AC reglatr (AC Snrlayc)

Zener diyot, elektronik eleman ve entegre devrelerin girilerini ar gerilimlerden korumak iin
kullanlabilir. ekilde 2.18de gerilimi tek ynde krpma devresi gsterilmitir. Devrede giri
geriliminin pozitif blgesinde zener geriliminin stn krpar. Negatif alternansta normal diyot
gibi davranr ve iletime girer.
ekil 2.18. Tek ynl krpc
em
de
rs
no
Gerilimi iki ynde krpmak iin ekilde 2.19da verilen devre kullanlabilir. Pozitif alternansta
Z1 diyodu normal, Z2 diyodu ise zener diyot gibi davranr. Negatif alternansta ise Z2 normal
diyot, Z1 zener diyot gibi davranr. Zener diyotlarn gerilimleri uygun seilerek giri gerilimi
istenilen seviyede krplabilir.
ekil 2.19. ki ynl krpc
Varaktr Diyotlar
.e
Ters gerilim uygulanan diyot bir kapasite gibi davranr. Normal diyotlarda ters gerilim
uygulandnda bir boluk blgesi oluur. Bu boluk blgesi uygulanan ters gerilim ile artar.
Boluk blgesi akm geirmediinden yaltkan kabul edilir. P ve N blgeleri ise iletken
olduundan kapasitenin plakalar gibi davranr. Normal diyotlarn kapasitesi uygulanan ters
gerilime bal olarak az miktarda deiir. Katklama miktar jonksiyon civarnda arttrlarak
kapasitenin deime oran ykseltilebilir. Bu ekilde yaplan zel diyotlara varaktr diyot denir.
Varaktr diyotlarn kapasitesi gerilimle deitirebilir. Diyodun kapasitesi,
C=
A
d
olarak hesaplanr. Burada geirgenlik, A jonksiyonun alan ve d jonksiyonun geniliidir.

Diyoda ters gerilim uygulandnda oluan kapasite ve varaktr diyodun edeeri ekil 2.20de
gsterilmitir. Ters gerilim arttka boluk blgesi artar ve kapasite azalr. Kapasitenin gerilime
bal deiimi ekil 2.21 de gsterilmitir. Bir potansiyometre ile diyoda gelen ters gerilim
deitirilerek varaktr diyodun kapasitesi kontrol edilebilir. Varaktr diyot, radyolarda frekansn
ayarlanmasnda ve televizyonlarn elektronik tuner devrelerinde yaygn olarak kullanlr.
28
ri.
de
rs
no
tla
ekil 2.20. Diyoda ters gerilim uygulandnda oluan kapasite ve varaktr diyodun edeeri.
em
ekil 2.21 . Bir varaktr diyotta kapasitenin gerilime bal deiimi.
Schottky Diyotlar
Schottky diyotlar ok yksek frekanslarda ve hzl anahtarlama uygulamalarnda kullanlr.

letim gerilim dmnn azl ve yksek anahtarlama hzndan dolay zellikle anahtarlamal
g kaynaklarnda verim asndan tercih edilir. Hzlarnn ykseklii sebebiyle entegre (IC)
devrelerde kullanlr. Schottky diyotta P tipi malzeme yerine altn, gm, platin gibi bir metal
kullanlr. Metalde iletim bandnda ok sayda elektron mevcuttur. P-N diyodunda mevcut olan
boluk blgesi Schottky diyotta yoktur ve dk bir gerilimle iletime girer. Pozitif kutuplama ile
N blgesindeki yksek enerjili elektronlar metale (P blgesine) geerek bu blgedeki
elektronlarn enerjilerini arttrr. Schottky diyot, P-N diyoda gre ok hzldr. nk bu diyot
sadece ounluk akm tayclar ile alr. Serbest elektronlarn hareketi deliklerin hareketine
gre ok hzldr. Shottky diyodun yaps ve sembol ekil 2.22de gsterilmitir.
.e
co
m
ANALOG ELEKTRONK
ekil 2.22. Shottky diyodun yaps ve sembol.

29
ANALOG ELEKTRONK
Tnel Diyot
rs
no
tla
ri.
co
m
Tnel diyot, P ve N blgelerinde jonksiyon civarndaki katklanma miktar arttrlarak yaplan bir
diyottur. Bilindii gibi katklama miktarnn arttrlmas boluk blgesini daraltr ve zener
gerilimini azaltr. Tnel diyotta boluk blgesinin genilii normal diyodun yzde biri kadar
kktr. Bu nedenle ok kk bir ileri gerilim diyottan akm gemesine neden olur. Tnel
diyodun yaps, karakteristii ve sembol ekil 2.23te verilmitir.
ekil 2.23. Tnel diyodun yaps, karakteristii ve sembol.
em
de
ekilde gsterildii gibi tnel diyodun karakteristii belirli bir blgeden sonra normal diyot ile
ayndr. Tnel diyodun almas u ekildedir. A noktasnda bir gerilim uygulanmamtr ve
diyottan akm gemez. A noktasnn altnda ok kk ters bir gerilim uygulandnda diyottan
geen akm ters gerilimle hzl bir ekilde artar. Diyoda kk bir pozitif gerilim uygulandnda
akm geer ve pozitif gerilimin arttrlmas ile akm artar. B noktasndan C noktasna kadar akm
azalr. B ile C arasnda diyodun dinamik direnci negatiftir. Gerilimdeki art akmda azalmaya
neden olur. Tnel diyot bu zellii nedeniyle osilatr devrelerinde kullanlr.
Tnel diyotta boluk blgesini geen elektronlarn hz, normal diyotta difzyon ile yaylan
elektronlara gre ok yksektir. Tnel diyotta elektronlar P-N jonksiyonu civarnda k hzna
.e
yakn bir hzla hareket eder. Tnel diyot bu nedenle ok yksek frekanslarda ( 10 7 MHze kadar)
kullanlabilir.
Ik Yayan Diyotlar (LED)

P-N diyot doru ynde kutuplandnda, N-tipi malzemedeki serbest elektronlar difzyon ile P
blgesine geer. Elektronlar P blgesinde deliklerle birleerek valans elektron haline gelir. N
blgesinde iletim bandnda bulunan elektronlarn, P blgesinde valans bandna gemeleri enerji
kaybetmelerine neden olur. Bu enerji kayb silisyum ve germanyum diyotlarda sya dnr.
Galliyum arsenid ve galliyum fosfat gibi malzemelerden yaplan diyotlarda bu enerjinin bir
miktar k enerjisine (fotonlara) dnr. Yaylan n enerjisi ve frekans aadaki gibi
hesaplanr.
E=hxf
h = 4.137x 10 15 : Planck sabiti (Elektronvolt / Hertz)
30
ANALOG ELEKTRONK
co
m
E burada elektronun kaybettii enerjidir. Enerji ne kadar byk olursa yaylan n frekans o
kadar yksektir. Elektronlar elektrik enerjisini tad gibi, fotonlar k enerjisini tayan,
arl ve yk olmayan kk paracklardr. Ik emen cisim enerji alm olur ve snr. Bir
madde ne kadar ok snrsa yayd klarn dalga boylar o kadar ksa olur. In hz ile
elektromanyetik dalgann hz ayn olup c = 3 x 10 8 metre / saniyedir. In frekans ile dalga
boyu arasndaki iliki aada verilmitir.
c
f
ri.
tla
Dalga boyu, k veya elektromanyetik dalgann bir peryodunda ka metre yol aldn gsterir.
Yksek frekanslarda uzunluk birimi olarak metre yerine, milimetrenin onmilyonda biri olan
angstron kullanlr.
!
1 A = 10 -10 metre
.e
em
de
rs
no
Farkl renkteki k enerjilerinin frekans ve dalga boylar ekil 2.24te gsterilmitir. nsan gz
3800-7000 angstron dalga boyundaki klar grebilir. Gzn en iyi alglad renkler sar ile
sar-yeil renk blgeleridir. Gne btn klar eit ierdii iin beyaz k olarak grnr.
ekil 2.24. Ik enerjisinin frekans ve dalga boyu sprektrumu.
Uygulama : 13
!
Dalga boyu 7000 A olan krmz k fotonlarnn enerjisini hesaplaynz.

zm :
In frekans,
f=
c
3x108
=
= 0.43x10 15 Hz
10
7000x10
Fotonlarn enerjisi,
E = h x f = 4.137x 10 15 x 0.43x 10 15 = 1.78 eV.
31
ANALOG ELEKTRONK
co
m
Ledlerde galyum arsenit (GaAs), galyum fosfat (GaP), galyum arsenit fosfat (GaAsP) gibi
maddeler kullanlr. Bu malzemelerin kartrlmas ve katklama orannn ayarlanmas ile
LEDlerin istenilen dalga boyunda k vermesi salanr. LEDler krmz, turuncu, sar ve beyaz
renklerde retilmektedir.
rs
no
tla
ri.
LED Karakteristikleri
LEDin V-I karakteristii, sembol ve yayd n gc ekil 2.25te verilmitir. LEDin
iletim gerilim dm 1 V ve geen akm 100 mA civarndadr. Buna ramen a dnen g
W seviyesindedir. Elektrik enerjisinin k enerjisine dnmndeki verim ok dktr.
LEDlerin g ihtiyac 10 ile 150 mW arasnda deiir ve mrleri 100.000 saatten fazladr.
LEDlerin ters dayanma gerilimleri 3-4 V civarndadr.
de
ekil 2.25. LEDin V-I karakteristii, sembol ve yayd n gc.
em
Diyot Katalog Bilgileri
Genel olarak reticilerin kataloglarda diyotlarla ilgili verdikleri bilgiler 3 ksmda toplanabilir.
Bunlar ileri ynde akm-gerilim, ters ynde akm-gerilim ve scaklkla ilgili deerlerdir. Ayrca
mekanik zellikler ve ksa bilgiler de verilir. Diyodun trne gre parametre eitleri deiebilir.
rnein, zener diyot ile dorultucu diyodun kataloglarnda farkllklar mevcuttur. Aada bir
dorultucu diyodunda kullanlan genel ksaltmalar ve aklamalar verilmitir.
.e
Maksimum Deerler ve Termal Karakteristikler

VRRM : Ters ynde dayanabilecei pik gerilim
VRMS : Ters ynde dayanabilecei efektif gerilim
: Ters ynde dayanabilecei DC gerilim
VDC
I F(AV) : Diyottan geebilecek maksimum dorultulmu akm
I FSM
R
TA
TJ
: Diyottan geebilecek tek bir yarm dalga sins eklindeki akmn tepe deeri
: Termik diren
: DC gerilimin tutulduu maksimum scaklk
: Jonksiyonun alma scaklk aral
Elektriksel Karakteristikler
: leri ynde maksimum ani gerilim dm
VF
: Nominal ters DC gerilimde geen maksimum ters akm
IR
: Tipik jonksiyon kapasitesi
CJ
32
ANALOG ELEKTRONK
BPOLAR TRANSSTR
co
m
Yaps ve Sembol
.e
em
de
rs
no
tla
ri.
Bipolar transistr iki jonksiyonlu ve ulu bir elemandr. Diyodun almasndaki prensipler
kullanlarak bipolar transistrn almas aklanabilir. Bipolar transistr yerine genellikle
sadece transistr kelimesi kullanlmaktadr. NPN ve PNP olmak zere iki eit transistr
vardr. Transistr, emiter, taban ve kollektr ularndan oluur. NPN transistrde taban (baz), iki
N blgesi arasndadr. N blgelerinden biri emiter, dieri kollektrdr. PNP transistrde ise
taban, iki P blgesi arasndadr. P blgelerinden biri emiter, dieri kollektrdr. Transistrde
taban blgesinin genilii ve katklama oran, emiter ve kollektre gre ok kktr. Emiter ve
kollektr ayn tr malzeme olmakla birlikte emiterin katklama oran kollektre gre ok
yksektir. ekil 3.1de NPN ve PNP transistrlerin yap ve sembolleri gsterilmitir.
ekil 3.1. NPN ve PNP transistrlerin yap ve sembol.
Transistrn almas
Transistrde iki jonksiyon mevcuttur. Emiter ile taban arasndaki jonksiyon ve taban ile kollektr
arasndaki jonksiyon. Bu iki jonksiyonun kutuplanmasna gre transistr farkl blgelerde alr.
Tablo 3.1de transistrn alma blgeleri gsterilmitir.
alma Blgesi
Aktif
Doyma
Kesim
Ters
Tablo.3.1 Transitrn alma blgeleri.

E-B jonksiyonu
C-B jonksiyonu
leri kutuplama
Ters kutuplama (veya bo)
leri kutuplama
leri kutuplama
Ters kutuplama
Ters kutuplama (veya bo)
Ters kutuplama
leri kutuplama
35
ANALOG ELEKTRONK
no
tla
ri.
co
m
Aktif Blge
Transistrn drt farkl alma blgesinden ncelikle aktif blgeyi inceleyelim. NPN bir
transistrn aktif blgede almas iin kutuplamann nasl yapld ekil 3.2de gsterilmitir.
Aktif blgede alan bir NPN transistrde E-B jonksiyonu ileri ynde, C-B jonksiyonu ters
ynde kutuplanr. Emiter blgesinde ounluk akm tayclar olan elektronlar kaynan (-) ucu
tarafndan itilerek taban blgesine doru hareket eder. Taban blgesinin dar olmas ve az
miktarda katklanmas sebebiyle, emiter blgesindeki elektronlarn ok az taban blgesindeki
deliklerle birleir, ounluu kollektr blgesine geer. Bunun nedeni C-B jonksiyonunun ters
kutuplanmasdr. Emiterdeki elektronlar, kollektre bal (+) gerilim kayna tarafndan ekilir.
Ayn zamanda C-Bde oluan boluk blgesi emiterden gelen elektronlarn hareketini destekler.
Emiterden gelen elektronlarn yaklak olarak % 99u kollektre gider. Bu akm kaln okla
gsterilmitir. Transistrdeki dier akmlar bu akmn yannda ok kktr. Emiter elektronlar
yayan blgedir. Kollektr ise bu elektronlarn topland blgedir. Emiterden gelen elektronlarn
yaklak olarak % 1i tabana doru gider. Bu esnada taban blgesindeki deliklerin bir ksm da
emitere doru hareket eder. Tabann katklama oran ok dk olduundan bu akm da ok
kktr.
.e
em
de
rs
C-B jonksiyonunun ters ynde kutuplanmas ile boluk blgesi oluur ve sznt akm geer.
Bde aznlk aznlk akm tayclar olan elektronlar Cye doru, Cde aznlk akm tayclar
olan delikler Bye doru hareket eder. B-E ularna bir gerilim uygulanmadnda, C-Bden
geen sznt akm I CB0 sembol ile gsterilir.
ekil 3.2. Aktif blgede alan bir NPN transistrn kutuplanmas.
leri ynde uygulanan VBE geriliminin deeri, transistrden geen emiter akmn miktarn
belirler. Ters ynde uygulanan VCB geriliminin kollektr akmna etkisi ok azdr. VCB
geriliminin arttrlmas boluk blgesini geniletir ve baz blgesini daraltr. Bu durumda
emiterden kollektre gelen elektronlar artar, tabana gelen elektronlar azalr.
Devre zmnde kabul edilen akm yn elektron aknn tersidir. NPN transistrn aktif
blgede almas durumunda elektronlarn ak ve akm yn ekil 3.3te gsterilmitir.
ekil 3.3. NPN transistrde akm ynleri.

36
ANALOG ELEKTRONK
ri.
IE = IB + IC
I B << I E
I C = DC I E + I CB0
I CB0 0
=>
I C DC I E
I
DC = C , DC akm kazanc, 0.95 < DC < 0.999
IE
co
m
Transistrde taban akm ile kollektr akmnn toplam emiter akmn verir. Taban akm,
emiter ve kollektr akmna gre ok kktr. Kollektr akmnn emiter akmna oran 1e
yakndr. Bu oran DC akm kazancn verir ve DC ile gsterilir.
no
tla
Doyum Blgesi
Tablo 3.1de gsterildii gibi her iki blge de ileri ynde kutuplanrsa alma doyum blgesinde
olur. Doyumda C-B jonksiyonundaki boluk blgesi ortadan kalkar. Kollektrn emiterden gelen
akm tayclar toplama zellii byk lde azalr. Eer C-B jonksiyonundaki ileri kutuplama
yeterli ise kollektr emiterden gelen akm tayclarn toplamaz ve emiter gibi tabana doru
akm tayc yayar.
de
rs
Kesim Blgesi
Transistrn her iki jonksiyonu ters ynde kutuplanrsa alma kesim blgesinde olur. Emiter
taban blgesine ounluk akm tayc gndermez. Emiter ve kollektrden sznt akm geer.
Emiter akmnn sfr olmas da kesim blgesinde almadr.
em
Ters alma Blgesi

Transistrde kollektr ve emiter yer deitirilerek kullanlrsa bu blge ters alma blgesidir.
Emiter ve kollektrn katklama oran ayn olmad iin bu blgedeki alma, aktif blgeden
farkldr. Kollektr ve emiterin deitirilmesi genellikle mmkn deildir. Fakat baz zel
devrelerde transistr bu ekilde kullanlabilir.
ulu bir devre elemannda bir ortak u, bir giri ucu ve bir k ucu vardr. Ortak uca gre
transistr devreleri farkl karakteristik gsterir. Ortak u taban ise ortak tabanl devre oluur.
NPN ve PNP transistrlerin ortak tabanl devresi ekil 3.4te gsterilmitir. Ortak tabanl
devrede giri akm emiter, k akm ise kollektr akmdr. k akmnn giri akmna oran
DC akm kazancn verir ve DC olarak tanmlanr.
.e
Ortak Tabanl Devre
ekil 3.4. NPN ve PNP transistrlerde ortak tabanl devreler.
37
ANALOG ELEKTRONK
Kesimde Blgesi
Emiter ucunun ak olmas

E-B jonksiyonun kutuplanmamas ( VBE = 0 )
leri yndeki E-B jonksiyon geriliminin yeterli olmamas
E-B jonksiyonuna ters ynde gerilim uygulanmas
ri.
co
m
Kesim durumunda emiterden bir akm gemez ve kollektr akm olumaz. Transistrn kesimde
olmasnn sebebi aadakilerden biri olabilir.
Aktif Blge ve Doyum Blgesi
kullanlan
transistrde
em
de
rs
Uygulama 1 :
ekildeki
devrede
silisyum
NPN
DC 1 kabul ederek,
a) I E , I C ve VCB
hesaplaynz.
b) VEE = 5.1 V olmas
I E , I C ve VCB
hesaplaynz.
no
tla
E-B jonksiyonu yeterli bir ileri gerilim ile kutuplanrsa, emiter akm geer ve kollektr akm
oluur. Kollektr akm yaklak olarak, emiter akmna eittir ( I C DC I E , DC 1 ,
I C I E ). C-B jonksiyonu ters kutuplandnda transistr aktif blgede alr ve I E nin
arttrlmas I C nin artmasna neden olur. C-B jonksiyonu ileri ynde kutuplandnda transistr
doyuma girer ve I E nin arttrlmas ile I C akm deimez.
deerlerini
durumunda
deerlerini
zm :
a) Transistrn B-E jonksiyonu doru ynde kutuplanmtr. VBE = 0.7 V .
4 0.7
IE =
= 1 mA
3.3 k
I C I E = 1 mA
VCB = 20 1 mA x 15 k = 5 V
.e
5.1 0.7
= 1.33 mA
3.3 k
I C I E = 1.33 mA
VCB = 20 1.33 mA x 15 k = 0 V ( transistr doyumda )
b) I E =
C-B jonksiyonu ters kutuplanmad iin ( VCB = 0) transistr doyuma girmitir. Doyumda
I E akmnn arttrlmas I C yi arttrmaz. Kollektr akmnn doyum deeri,
I C R C = VCC
V
I C = I Csat = CC = I Esat eklinde hesaplanr.
RC
38
ANALOG ELEKTRONK
ri.
co
m
Uygulama 2:
ekildeki devrede bir silisyum PNP
transistr kullanlmtr. I E , I C ve
VCB deerlerini hesaplaynz.
a) R E = 4.7 k
b) R E = 680
c) R E = 470
d) R E = 470 , R C = 150
zm:
VCC
15
= 10 mA
=
R C 1.5 k
tla
a) Transistrn doyma akm, I Csat = I Esat =
10 0.7
= 1.97mA 2 mA
4.7 k
I E < I Esat transistr doymaya girmez. Aktif blgededir.
I C I E = 2 mA
VCB = -15 + 2 mA x 1.5 k = -12 V, sonu negatif. PNP transistr aktif blgededir.
rs
no
IE =
de
10 0.7
= 13.7mA
680
I E > I Esat transistr doymaya girer.
I C = I Csat =10 mA
b) I E =
10 mA x 1.5 k = 0 V
em
VCB = -15 +
10 0.7
= 20 mA
470
I E > I Esat transistr doymaya girer.
I C = I Csat =10 mA
VCB = 0 V
.e
c) I E =
d) Transistrn yeni doyma akm, I Csat = I Esat =
VCC
15
=
= 100 mA
R C 150
I E =20 mA
I E < I Esat transistr doymaya girmez.
I C I E = 20 mA
VCB = -15 + 20 mA x 150 = -12 V, sonu negatif. PNP transistr aktif blgededir.
39
ANALOG ELEKTRONK
Ortak Emiterli Devre
co
m
Ortak emiterli devrede NPN transistrn aktif blgede almas iin uygulanan gerilimler
ekil.3.4te gsterilmitir. B-E ularna VBE ve C-E ularna VCE kutuplama gerilimleri
uygulanr. E-B jonksiyonu ileri ynde kutuplanr yani VBE gerilimi pozitiftir. Kollektre,
emitere gre pozitif VCE gerilimi uygulanr. Kollektr gerilimi tabana gre aadaki gibi
yazlr.
ri.
VCB = VCE VBE
tla
C-B jonksiyonunu ters kutuplamak iin VCB gerilimi pozitif olmaldr. Yani VCE gerilimi VBE
geriliminden byk olmaldr. VCE gerilimi VBE den kk ise VCB gerilimi negatif olur ve
C-B jonksiyonu ileri ynde kutuplanr dolaysyla transistr doymaya girer.
no
Ortak emiterli devrede giri taban, k kollektrdr. Belirli bir I B giri akm iin I C k
akm oluur. Transistrn almas ortak tabanl devreki gibidir. Ortak tabanl devredeki kazan
cinsinden I B ile I C arasndaki iliki aadaki gibi elde edilir.
em
de
rs
IE = IB + IC
I C = DC I E + I CB0 , I CB0 0 , I C DC I E
IB (1 DC ).IE
IB
IE
1 DC
IB
IE = IC + IB =
1 DC
DC
IC =
I B , I C = DC .I B
1 DC
DC
DC =
1 DC
I
DC = C : Akm kazanc
IB
I E = I B + I C = I B + DC .I B = (1 + DC )I B
.e
ekil 3.5. Ortak emiterli devre.
Uygulama 3:
Bir transistr DC = 0.995 deerine sahiptir. Transistrn DC deerini hesaplaynz.
zm
DC =
DC
0.995
=
= 199
1 DC 1 0.995
40
ANALOG ELEKTRONK
Ortak emiterli devrede k karakteristii
de
rs
no
tla
ri.
co
m
Ortak emiterli devrede bir NPN transistrn k karakteristii ekil 3.6da verilmitir. A
noktasnda taban akm sfrdr ve transistrden ok kk bir kollektr akm geer. Bu akm
I CE 0 sembol ile gsterilir ( I CE 0 = DC .I CB0 ). A noktasnda transistr kesimdedir. B ve C
noktalarnda transistr aktif blgededir. Aktif blgede kollektr akm, taban akmnn DC
katdr. Karakteristik zerinde grld DC gibi her noktada ayn deildir. D noktasnda ise
transistr doyumda alr. Transistrde alma noktasnn bulunmas yk dorusu izilerek
yaplabilir. VCE = VCC I C R C (ekil 3.5ten) denklemi kullanlarak yk dorusu izilir.
Karakteristik ile akan nokta alma noktasdr. Transistr amplifikatr olarak kullanlyorsa
alma noktas dikkatli seilmelidir.
em
ekil 3.6. Ortak emiterli NPN transistrn k karakteristii.
Kesim Blgesi
.e
Kesim blgesinde transistrden

taban akm gemez. Bu durum,
B-E jonksiyonunun ak devre
olmas, ters kutuplanmas veya
yeteri kadar kutuplanmamas ile
ortaya kar.
Transistrn kollektr-emiter
ular ak devre gibi davranr.
Kollektrden geen akm sfrdr
ve kollektr-emiter ularnda
maksimum gerilim oluur.
ekil 3.7. Ortak emiterli devrede transistrn kesimde olmas.
Kesimde transistrden I CE 0 akm geer. Bu akm ihmal edilebilir.
41
ANALOG ELEKTRONK
VCEsat
,
RC
I
I Bsat Csat
RC
ri.
I Csat
co
m
Aktif Blge ve Doyum Blgesi

E-B jonksiyonu yeteri kadar kutuplanmsa taban akm geer. Aktif blgede kollektr akm
I C = DC .I B olarak hesaplanr. Taban akm arttrldnda kollektr akm orantl olarak artar.
Doyma blgesinde taban akmnn arttrlmas ile kollektr akm artmaz. Doymada kollektr
akm maksimum deerine ve C-E gerilimi minimum deerine ular. Doyma blgesinde
VCE 0 kabul edilerek I Csat ve I Bsat aadaki ekilde hesaplanr.
zm :
de
rs
no
ekildeki devrede kullanlan NPN

transistrde DC = 150 olduuna gre,
a) R B = 100 k iin I B , I C , I E ve
VCE deerlerini hesaplaynz.
b) Taban direncini 50 k alarak
yukardaki ilemleri tekrarlaynz.
c) I B = 1 mA olmas durumunda I C
ve I E yi hesaplaynz.
tla
Uygulama 4:
6 0.7
=106 A
50 k
I Csat = 12 mA, I Bsat =80 A
I B I Bsat olduundan transistr
doyuma girer.
em
6 0.7
= 53 A
100 k
12
I Csat =
= 12 mA
1 k
12 mA
= 80 A
I Bsat =
150
I B < I Bsat olduundan transistr
aktif blgededir.
b) I B =
.e
a) I B =
I C = I Csat = 12 mA
VCE 0
I E = I C + I B =12.11 mA
I C = DC I B =150 x 53 A = 7.95 mA
VCE = 12 V 7.95 mA x 1 k = 4.05 V
I E = I C + I B 8 mA
c) Taban akm 1 mA ise transistr doyumdadr. Doyumda kollektr akm sabit olup, taban
akm ile orantl olarak artmaz. Taban akmnn fazlal emiter akmn arttrr.
I E = I C + I B =12 mA + 1 mA = 13 mA
42
ANALOG ELEKTRONK
Ortak Kollektrl Devre
co
m
Ortak kollektrl devrede transistrn kutuplanmas ortak emiterli devredeki gibidir. ekil
3.8de NPN transistrn ortak kollektr balants ve eitlikler verilmitir. Devrenin girii taban,
k ise emiterdir.
ri.
VBB = I B R B + VBE + I E R E
VBB VBE = I B R B + I E R E
I E = ( DC + 1)I B
VBB VBE = I B R B + ( DC + 1)I B R E
VBB VBE
R B + ( DC + 1)R E
tla
IB =
no
Taban akm R B + ( DC + 1)R E

tarafndan belirlenir.
Doyumda ; I Esat
de
rs
ekil 3.8. Ortak kollektrl devre.
direnci
VCC
I Esat
, I Bsat =
RE
(1 + DC )
Uygulama 5:
em
ekil 3.5teki ortak kollektrl devrede R B = 50 k , R E = 1 k , VBB = 12 V , VCC = 16 V ve

DC = 99 olarak bilinmektedir.
.e
a) I B , I E , VE ve VCE deerlerini hesaplaynz.

b) VBB gerilimi arttrldnda ka V doymaya neden olur?
zm :
12 0.7
= 75.3 A
50 k + (99 + 1).1k
I E = (1 + DC )I B = 7.53 mA
VE = I E R E =7.53 V
VB = VE + VBE =7.53 + 0.7 = 8.23 V
VCE = VCC VE = 16 7.53 V = 8.47 V
a) I B =
VCC
16
=
= 16 mA
RE
1 k
IE
16 mA
I Bsat =
=
= 160 A
1 + DC 1 + 99
VBB 0.7
IB =
= 160 A
50 k + (99 + 1).1k
b) I Esat =
VBB = 24.7 V
43
ANALOG ELEKTRONK
Transistrn maksimum deerleri
co
m
Transistrn maksimum deerleri, kollektr-taban gerilimi, kollektr-emiter gerilimi, emitertaban gerilimi, kollektr akm, jonksiyon scakl ve harcanan g iin verilir. Transistrn
gc VCE ile I C nin arpmdr.
P = I C .VCE
no
12 V x 50 mA = 600 mW ( B noktasnda)
20 V x 30 mA = 600 mW (C noktasnda)
tla
ri.
A-B noktalar arasndaki blge I C max blgesidir. Pmax blgesi B-C noktalar arasndaki
blgedir. C-D noktalar arasndaki blge ise VCE max blgesidir. ekil 3.9da transistrn
maksimum g erisi kollektr karakteristii zerinde izilmitir. B ile C noktas arasndaki
herhangi bir noktada akm ve gerilimin arpm, transistrde harcanabilecek maksimum gc
verir.
Transistrde harcanabilecek maksimum g scaklkla azalr. 25 ! C de 1 W harcanabilen bir

transistrde, scaklk katsays 5mW/ ! C ise, bu transistrde 70 ! C de harcanabilecek maksimum
.e
em
de
rs
g 1W - 5mW/ ! C x ( 70 ! C 25 ! C ) = 0.775 W bulunur.
ekil 3.9. Bir transistrn maksimum g erisi.

Uygulama 6:
Maksimum gc 0.25 W olan bir transistrde VCE = 6 V durumunda transistrden geebilecek
maksimum akm bulunuz
zm:
P
0.25 W
I C = max =
=41.67 mA
VCE
6V
VCE gerilimi dk iken kollektr akm arttrlabilir. Akm I C max snrn, g Pmax snrn
amamaldr.
44
ANALOG ELEKTRONK
Kutuplama Devreleri
no
tla
ri.
co
m
Bir transistrn ykseltici (amplifikatr) olarak alabilmesi iin dc olarak kutuplanmas (n

gerilimlenmesi) gerekir. Ykseltici devrenin giriine bir AC iaret uygulandnda, kta elde
edilen iaret, DC bileen ile AC iaretin toplamdr. Bir AC iaret uygulanmazsa devrede sadece
DC bileen mevcuttur. ekil 3.10da bu durum gsterilmitir. Uygulamada transistr iki ayr
kaynak yerine tek bir kaynak ile kutuplanr. ekil 3.11de gsterilen ortak emiterli devrenin
giriine bir AC gerilim uygulanmtr ve taban akm 200 A ile 400 A arasnda deimektedir.
Taban akmnn 500 A den byk olmas durumunda kollektr akm ve gerilimi doymaya
gider. Taban akmnn negatif olmas durumunda ise transistr kesime gider. alma noktasna
ve snrlara dikkat edilmelidir.
.e
em
de
rs
ekil 3.10. Bir ykselticide DC ve AC bileenlerin toplam.
ekil 3.11. alma noktasnn bulunmas.

45
ANALOG ELEKTRONK
co
m
Taban Kutuplama Devresi

B-E ve C-E jonksiyonlarnn iki ayr kaynak yerine tek bir kaynak ile kutuplanmas daha pratik
bir zmdr. Bu devreye taban kutuplama devresi denir. ekil 3.12de taban kutuplama devresi
gsterilmitir. ekildeki ortak emiterli devrede devrenin giri ve kna kondansatr konularak
DC bileenler filtre edilmitir.
VCC VBE
RB
VBE 0.7 V
no
tla
ri.
IB =
Aktif blgede;
I C = .I B
VCE = VCC I C R C
rs
ekil 3.12. Ortak emiterli devrede taban kutuplama devresi.
em
de
Devrede alma noktas kararl deildir. VBE gerilimi scakln artmas ile azalr. VBE
geriliminin artmas taban akmn azaltr. I CB0 sznt akm scaklkla artar. I CB0 akm, R B
direnci zerinde taban akmn arttrc ynde bir gerilim oluturur. DC de scaklkla deiir. Bu
deiimler devrede alma noktasnn deimesine yol aar. VBE ve I CB0 n deimesi VCC
gerilimine gre olduka kktr. alma noktasndaki kararszlk daha ok DC deki
deiimden kaynaklanr.
.e
Emiter Direnli Kutuplama Devresi

Emiter direncinin eklenmesi kararll arttrr. alma noktasndaki deiim ok kktr.
VCC I B R B VBE I E R E = 0
I E = ( + 1).I B
VCC VBE
IB =
R B + ( + 1)R E
I C = .I B
VCE = VCC I C (R C + R E )
ekil 3.13. Emiter direnli kutuplama devresi
46
ANALOG ELEKTRONK
rs
no
tla
ri.
co
m
Gerilim Blc ile Kutuplama

En ok kullanlan kutuplama devresidir. alma noktas DC den bamszdr.
ekil 3.14. Gerilim Blc Devre ile Kutuplama
em
de
R B1R B2
R B1 + R B2
R B2
VBB =
VCC
R B1 + R B2
VBB = I B R BB + VBE + I B (1 + DC )R E
R BB << (1 + DC )R E ise
R BB =
VE
RE
IC IE
VCE = VCC I C (R C + R E )
IE =
Emiter akmnn DC den bamsz olmas nedeniyle devredeki alma noktas kararldr.
.e
Uygulama 7:
ekil 3.14teki
R B1 = 39 k ,
R B2 = 3.9 k , R C = 10 k , R E = 1.5 k ,
VCC = 22 V ve = 140 olarak verilmitir. Transistrn VCE gerilimini, i C akmn ve
transistrde harcanan gc hesaplaynz.
devrede
zm:
R B2
39
VCC =
22 = 2 V
R B1 + R B2
39 + 3.9
VE = VB VBE = 2 0.7 = 1.3 V
V
1.3
I E = E IC =
= 0.867 mA
RE
1.5 k
VCE = VCC I C (R C + R E ) =22 - 0.867mA .10 k =13.3 V
P = I C .VCE =0.867mA . 13.33 V = 11.55 mW
VBB =
47
ANALOG ELEKTRONK
co
m
Geribeslemeli DC ngerilimleme
ekil 3.15te geribeslemeli bir ngerilimleme devresi gsterilmitir. Geribesleme de emiter
direnci gibi ngerilimleme kararlln arttrr.
VCC I 'C R C I B R B VBE I E R E = 0
I 'C = I C + I B = I E = ( + 1)I B
VCC VBE
R B + ( + 1)(R C + R E )
tla
IB =
ri.
VCC ( + 1)I B R C I B R B VBE ( + 1)I B R E = 0
no
VCC I 'C R C VCE I E R E = 0

I 'C = I E
rs
VCE = VCC I E (R C + R E )
de
ekil 3.15. Geribeslemeli DC

ngerilimleme
em
Uygulama 8:
ekil 3.15teki devrede R B = 250 k , R E = 1.2 k , R C = 3 k , VCC = 10 V ve = 50
olarak verilmitir. Transistrn VCE gerilimini, i C akmn ve transistrde harcanan gc
hesaplaynz.
zm:
VCC VBE
10 0.7
= 20.03 A
=
R B + ( + 1)(R C + R E ) 250 k + 51.(3 k + 1.2 k)
.e
IB =
I E = ( + 1)I B = 51 . 20.03 A =1.02 mA

VCE = VCC I E (R C + R E ) = 10 1.02 mA .(3 k + 1.2 k ) = 10-4.28 = 5.72 V bulunur.
P = I C .VCE =1.02 mA . 5.72 V = 5.7 mW
ngerilimleme Devrelerinde Kararllk
-
Ters ynde kollektr akm (kaak akm I CB0 ) scaklktaki her 10 ! C artla ikiye katlanr.
- Baz emiter gerilimi VBE , her ! C bana 2.5 mV azalr

- Transistrn akm kazanc, scaklkla artar.
Kararllk faktr S, scaklk nedeniyle bir parametrede meydana gelen deiiklik nedeniyle
kollektr akmnda grlen deimenin lsdr. ngerilimleme devrelerinin tasarmnda
ncelikle transistrn sndaki deimelere kar kararllk hedeflenir.
48
ANALOG ELEKTRONK
co
m
rnek bir DC Kutuplama Devresinin Tasarm

Transistrl bir devrede alma noktasnn nceden belirlenmesi gerekli olduunda, devre
elemanlarnn seilerek bir tasarm yaplmas gerekir. Tasarm ileminde devre trne gre baz
zel kabuller yaplr. Burada rnek olarak ekil 3.14te verilen gerilim blcl kutuplama
devresinin tasarm incelenecektir.
rs
no
tla
ri.
Bu devrede emiter ile toprak arasna bir diren yerlemek, dc kutuplama kararll salar.
Transistrn kaak akmlar nedeniyle kollektr akmnda ve transistrn deerinde meydana
gelen deiimlerin, alma noktasnda byk bir deiiklie yol amamas salanr. Emiter
direnci byk tutulmaz, nk zerinde den gerilim kollektr-emiter arasndaki gerilimin
deiim araln snrlar. Emiter direncinin zerindeki gerilim VCC geriliminin 1/10u seilerek
tasarm yaplr. nce emiter direnci seilerek, daha sonra R C hesaplanr. Gerilim blc
direnlerin hesab baz akm ihmal edilerek yaplr. R B1 ve R B2 direnlerini belirlemek iin bu
direnlerden geen akmn, taban akmnn 10 kat olacan kabul edilirse aadaki eitlikler
elde edilir.
R B2
VB =
VCC
R B2 + R B1
1
R B2 R E
10
de
Uygulama 9:
Gerilim blc ile yaplan kutuplama devresinde transistrn akm kazanc 150 ve kaynak
gerilimi VCC = 16 V olarak bilinmektedir. Devrede alma noktasnn I C = 1 mA ve
VC = VCC / 2 olmas iin devrede kullanlacak diren deerlerini hesaplaynz.
em
zm:
Tasarmda emiter gerilimi, kaynak geriliminin yaklak onda biri seilir.
1
1
VCC = 16 = 1.6 V
10
10
VE 1.6 V
RE =
=
= 1.6 k bulunur ( I C I E = 1 mA ).
I E 1 mA
V
VCE = CC = 8 V olmas istendiine gre,
2
V VCE VE 16 8 1.6
R C = CC
=
= 6.4 k bulunur.
IC
1 mA
1
150 x 1.6 k
R B2 R E =
= 24 k
10
10
.e
VE =
VB = VE + VBE = 1.6 + 0.7 = 2.3 V

R B2
VB =
VCC
R B2 + R B1
24 k
2.3 =
16
24 k + R B1
R B1 = 143 k bulunur.
49
ANALOG ELEKTRONK
Darlington Balant
ri.
co
m
Akm kazanc yksek olan transistrler ykseltici devrelerde tercih edilir. Akm kazanc 1000
civarnda olan transistrler mevcuttur. Daha yksek bir kazan elde etmek iin ekil 3.16da
gsterildii gibi iki transistrden oluan darlington balant kullanlr. Darlington balantda
akm kazanc iki transistrn akm kazanlarnn arpmna eittir. Bu kazan 7000 ile 70000
arasndadr. Darlington iftinin giri empedans yksektir. Darlington balantdaki iki transistr,
genellikle tek bir transistr klfnda retilir. Darlington iftine rnek olarak NPN olan 2N5308A
gsterilebilir.
tla
I E1 = 1I B1
I E 2 = 2 I B2 = 21I B1 = .I B1
= 1 2
rs
no
I B2 = I E1
de
ekil 3.15. NPN Darlington transistr ifti
em
Transistrn Anahtar Olarak Kullanlmas
.e
Transistr anahtarlama devrelerinde yaygn olarak kullanlr. Transistr saysal devrelerde,

kontrol, sayc, zamanlama, veri ileme, lme devrelerinde, radar, televizyon vb. devrelerinde
anahtar olarak kullanlr. Transistr anahtar olarak kullanldnda iletim ve kesim olmak zere
iki konumda alr. letim konumunda direnci 0.1-100 arasndadr ve ksa devre kabul
edilebilir. Kesim konumunda transistr ak devre gibi davranr ve direnci 100-1000 M
arasndadr. Transistrn anahtarlama hz da nemli bir deikendir. Transistrn iletime ve
kesime girme srelerinin toplam 1 s civarnda ise, transistrn alabilecei maksimum
frekans f = 1 / T = 1 MHz olur. ekil 3.16da transistrn anahtar olarak kullanld bir devre
ve yk geriliminin deiimi verilmitir.
ekil 3.16. Transistrn anahtar olarak kullanlmas.
50
ANALOG ELEKTRONK
rs
no
tla
ri.
co
m
nverter Devresi
Transistrn anahtar olarak kullanld devrelerden biri de inverter devresidir. nverter devresi
saysal devrelerin temelidir. nverter devresinde girie kare dalga gerilim uygulanr. Kollektr ile
toprak arasndan alnan k gerilimi giri geriliminin tersidir. Giri gerilimi 0 iken transistr
kesimdedir ve k gerilimi 5 Vtur. Giri gerilimi 5 V iken transistr iletime girer ve k
gerilimi 0 olur. Devre transistr iletimde iken doymada alacak ekilde tasarlanr. ekil 3.17de
transistrl inverter devresi ile giri ve k gerilimleri gsterilmitir.
ekil 3.17. Transistrl inverter devresi.
de
Uygulama 10:
ekilde verilen devrede transistr anahtar olarak almakta ve bir lambay kontrol etmektedir.
Giri gerilimi 6 V iken lamba yanmaktadr. Lamba 24 Vta 20 mA geirmektedir.
.e
em
a) Giri gerilimi 6 V iken transitrn doymada almas iin akm kazanc ne olmaldr?
b) Lambaya verilen g ile transistrn giri gcn hesaplaynz.
zm :
a) Transistr iletimde iken lamba gerilimi 24 V ve kollektr akm 20 mAdir.
6 0.7
IB =
= 53 A
100 k
20 mA
=
= 377
53 A
Transistrn doymada alabilmesi iin akm kazanc en az 377 olmaldr.
b) Lamba gc = 24 V x 20 mA = 480 mW
Transistrn giri gc = 6 V x 53 A = 0.318 mW
ok kk bir giri gc ile ykn gc kontrol edilmektedir.
51
ANALOG ELEKTRONK
Transistr Katalog Bilgileri
co
m
Transistr kataloglarnda belirli bir transistre ait alma karakteristikleri, parametre deerleri,
karakteristik erileri, mekaniksel bilgiler ve maksimum alma deerleri verilir. Bir devrede
kullanlacak olan transistrn ncelikle maksimum deerlerine dikkat edilmelidir. Aadaki
Tablo 3.2de bir transistrn 25 C deki maksimum deerleri verilmitir. Tabloda gerilim
sembollerinin bandaki B harfi ters yndeki devrilme gerilimini temsil eder.
Tablo 3.2. Bir transistrn 25 C deki maksimum deerleri
Emiter-taban gerilimi
6V
BVCB0
Kollektr taban gerilimi
25 V
BVCE 0
Kollektr emiter gerilimi
20 V
I C max
Kollektr akm
300 mA
PD max
Toplam kayp
150 mW
TJ max
Jonksiyon scakl
150 C
no
tla
ri.
BVEB0
.e
em
de
rs
Uygulama 11:
ekilde verilen devreleri Tablo 3.2de verilen transistrn maksimum deerlerini kullanarak
inceleyiniz.
zm:
a) E-B jonksiyonu 10 V ile ters kutuplanmtr. Bu deer 6 V olan BVEB0 deerinden byktr.
Transistr tahrip olur.
b) Kollektr akm 50 mA olup I C max deerden kktr. Kollektr-emiter ise gerilimi 5 Vtur.
Transistrde harcanan g P = I C .VCE = 50 mA . 5 V = 250 mWtr. G PD max deerinden
byk olduundan transistr tahrip olur.
c) Kollektr-taban arasndaki besleme gerilimi 30 Vtur. BVCB0 gerilimi 25 V olduundan
transistr bozulur.
d) Emiter-kollektr arasndaki gerilim 25 Vtur. Bu gerilim 20 V olan BVCE 0 geriliminden
byk olduundan transistr bozulur.
52
ANALOG ELEKTRONK
ALAN ETKL TRANSSTR
co
m
FET (Alan Etkili Transistr) gerilim kontrollu ve ulu bir elemandr. FETin ular G (Kap),
D (Drain) ve S (Kaynak) olarak tanmlanr. FETin yaps ve sembol ekil 4.1de gsterilmitir.
FETler aadaki gibi 3 grupta toplanabilir.
JFET (Jonksiyon FET)
IGFET( Kap izoleli FET)
MOSFET (Metal oksit yar iletken FET)
ri.
JFET
no
tla
BJT akm kontrollu bir elemandr yani taban akm ile kollektr akm kontrol edilir. FET ise
gerilim kontrollu bir elemandr. FETin kap (G) ile kaynak (S) arasna uygulanan gerilim ile,
kanaldan (D ile S arasndan) geen akm kontrol edilir. G-S ularna uygulanan gerilim, kanaldan
geen akmn ynne dik olan bir elektrik alan oluturur. JFET, N veya P kanal olabilir. N kanal
JFETde, kanal N tipi ve kap P tipi bir malzemedir. Kapdan kanala bir P-N jonksiyonu
mevcuttur. Kapya uygulanan gerilim P-N jonksiyonunu ters ynde kutuplar ve kapdan ok
kk bir sznt akm geer. Bu nedenle FETlerde giri direnci ok yksektir (1000 M).
ekil 4.1. JFET yap ve sembolleri, a) N kanal ve b) P kanal.
.e
em
de
rs
G ile S ularna ters ynde bir gerilim uygulandnda, P-N jonksiyonunda boluk blgesi oluur.
Boluk blgesinde akm taycs yoktur. Boluk blgesi kanal iine doru genileyerek kanaln
akm geiren ksmn daraltr ve kanaln direncini arttrr. Bu durum ekil 4.2de gsterilmitir.
Kanaln direnci ve kanaldan geen akm, VGS ile VDS nin fonksiyonudur.
ekil 4.2. N kanal JFETin alma prensibi.

52
ANALOG ELEKTRONK
co
m
N kanal FETte G ile S ular arasna 0 veya negatif bir gerilim, D ile S ular arasna ise pozitif
bir gerilim uygulanr. Kapdan kanala olan P-N jonksiyonu ters ynde kutuplanr.
VGD = VGS VDS olduuna gre, VGD gerilimi VGS e gre daha negatiftir. Bu nedenle, G ile
D arasndaki blgede ters ynde kutuplanan P-N diyodunun boluk blgesi daha geni olur.
.e
em
de
rs
no
tla
ri.
VGS = 0 iken VDS geriliminin arttrlmas ile N kanal JFETte elde edilen karakteristik ekil
4.3te gsterilmitir. A ile B noktalar arasndaki diren blgesinde VDS nin 0dan itibaren
arttrlmas ile i D akm I DSS deerine kadar artar. A ile B arasnda, boluk blgesinin genilii
etkili olmadndan kanaln direnci sabittir. VGS = 0 iken geen I DSS akm FETin maksimum
akmdr. B noktasnda VDS gerilimi VP deerini alr. B noktasndan sonra, VDS geriliminin
artrlmas ile i D akm deimez. C noktasndan sonra VDS geriliminin artrlmas, P-N
jonksiyonunun ters ynde devrilmesine neden olur ve i D akm hzla artar. B ile C noktalar
arasndaki blgeye pinch-off blgesi denir. P-N jonksiyonunun ters kutuplanmas ile oluan
boluk, pinch off blgesinde kanal tkar ve kanal direncini artrr. Buna ramen kanal akm
sabit kalr. Akmn sabit kalmasnn nedeni, VDS geriliminin kanal direncindeki art
dengelemesidir. VDS gerilimi, kaynaktan kan elektronlarn tkal blgeyi geerek D ucuna
ulamasn salar. B noktasndaki VDS gerilimine VP pinch-off gerilimi denir. FETin VP
deeri, BJTde nn karldr.
ekil 4.3. VGS = 0 iken N kanal JFETin karakteristik erisi.
VGS ve VDS gerilimleri deitirildiinde, N kanal JFETte i D akmnn deiimi ekil 4.4te
verilmitir. FETin kesim blgesinde VGS gerilimi VP ye eit olur. Bu durumda boluk blgesi
kanal tamamen tkar ve kanal direnci ok byktr. VDS geriliminin artrlmas ile (ters
devrilmeye kadar) kanaldan akm geemez. VGS = 0 iken, VDS gerilimi VP deerini aldnda
FETin akm I DSS deerini alr. Bu esnada G ile D ular arasndaki P-N jonksiyonu, VP
gerilimi ile ters ynde kutuplanr ve G ile D arasndaki boluk blgesi kanal tkar. VGD = VP
durumu pinch-off blgesinin balangcdr. VGS negatif bir gerilim ve VDS gerilimi VP
deerinden kk iken VGD = VP art salandnda, G-D arasndaki kanal tkanr ve pinch
off blgesinde alma gerekleir. Bu durumda VDS kk olduundan i D akm da I DSS ten
kktr. VDS in pinch off deeri VDS( P) = VP + VGS eklinde hesaplanr. ekil 4.4 ve 4.5te
FETin karakteristik erileri ve alma blgeleri gsterilmitir.
53
no
tla
ri.
co
m
ANALOG ELEKTRONK
.e
em
de
rs
ekil 4.4. N kanal JFETin karakteristik erileri.
ekil 4.5. N kanal JFETin alma blgeleri.

54
ANALOG ELEKTRONK
Uygulama 1:
ri.
tla
a) VGS gerilimi 5 V ise, pinch-offun balad

VDS gerilimini bulunuz.
b) VDD gerilimi 12 V, VDS pinch- off geriliminden
byk ve kap ucu topraa bal ise I D akmn
hesaplaynz.
c) VGS gerilimi 10 V iken I D akm ne olur ?
co
m
ekilde verilen FETte VP = 8 V ve

I DSS = 12 mA dir.
rs
no
zm :
a) VDS( P) = VP + VGS = 8 + (-5) = 3 V
b) VGS = 0 ve VDS pinch- off geriliminden byk ise, I D = I DSS = 12 mA olur.
c) JFET kesimdedir ve I D = 0 olur.
JFETin Transfer Karakteristii
de
N kanal FETte VGS gerilimi, 0 ile - Vp arasnda deitirilerek I D akm kontrol edilir. P kanal
FETte ise I D akmnn kontrolu iin VGS gerilimi 0 ile Vp arasnda deitirilir. Kesimdeki
VGS deerine VGS(off ) da denir. VGS(off ) ile Vp mutlak deer olarak birbirine eittir.
em
Kataloglarn ounda sadece VGS(off ) deeri verilir. Bu deer 10 nA gibi ok kk bir akmda
.e
tanmlanr. VGS gerilimi ile I D akm arasndaki iliki aadaki eitlikte verilmitir. Bu eitlie
gre, VGS gerilimi ile I D akm arasndaki iliki, yani transfer karakteristii parabolik bir
deiim gsterir. N kanal FETin transfer karakteristii ekil 4.6da gsterilmitir.
VGS
I D = I DSS 1
VGS(off )
VGS = VGS(off )
VGS = 0
ID = 0
I D = I DSS
ekil 4.6. N kanal JFETin transfer karakteristii.
Uygulama 2:
N kanal bir JFETte VGS(off ) = 8 V ve I DSS = 10 mA dir. VGS = 0 V, - 2V, - 4 V ve - 6 V iin
i D akmn hesaplayarak transfer karakteristiini iziniz.
55
ANALOG ELEKTRONK
zm:
VGS = 0 I D = I DSS = 10 mA
ID = 0
VGS
I D = I DSS 1
VGS(off )
co
m
VGS = 8 V
VGS = 2 V I D = 10 mA 1 - - 2 = 5.625 mA
-8
- 4
VGS = 4 V I D = 10 mA 1 - = 2.5 mA
-8
2
tla
- 6
VGS = 6 V I D = 10 mA 1 - = 0.625 mA
-8
ri.
no
leri Yn Gei letkenlii
.e
em
de
rs
FETde ileri yn gei iletkenlii g m , VDS gerilimi sabit iken, I D akmndaki deiimin VGS
gerilimindeki deiime oran olarak tanmlanr. FETin transfer karakteristii lineer olmad iin
g m alma noktasna bal olarak deiir. ekil 4.7de farkl alma noktalarnda g m in
bulunmas gsterilmitir.
ekil 4.7. N kanal JFETte farkl alma noktalarndaki g m .
VGS = 0 iken g m deeri g m 0 olarak tanmlanr. Herhangi bir noktadaki g m deeri, g m 0 a gre
aadaki eitlikle hesaplanr.
VGS
g m = g m 0 1
VGS(off )
Uygulama 3:
VGS(off ) = 8 V , I DSS = 20 mA ve g m 0 = 4000 s olan JFETin VGS = -4 V iin ileri yn
gei iletkenliini bulunuz
zm:
VGS
8
= 2000 s
g m = g m 0 1
= 4000 1
4
VGS(off )
56
ANALOG ELEKTRONK
JFETin kutuplanmas
co
m
JFETde kutuplamann amac uygun bir VGS gerilimi ile istenilen I D akmn salamaktr.
VG gerilimi sznt akm ok kk
olduundan 0 kabul edilir.
VGS = VG VS = 0 I D R S
ri.
VGS = I D R S
tla
VD = VDD I D R D
VDS = VD VS
no
VS = I D R S
VDS = VDD I D (R D + R S )
ekil 4.8 JFETin kutuplanmas.
de
rs
Uygulama 4:
ekil 4.8de verilen devrede R D = 1 k , R S = 500 , VDD = 10 V ve I D = 5 mA olarak
verilmitir. VDS ve VGS yi hesaplaynz.
em
zm:
VS = I D R S = 5 mA x 500 = 2.5 V
VG = 0 olduuna gre,
VGS = VG VS = 2.5 V bulunur.
.e
VD = VDD I D R D = 10 V - 5 mA x 1 k = 5 V
VDS = VD VS = 5 V - 2.5 V = 2.5 V bulunur.
Uygulama 5:
VGS(off ) = 10 V , I DSS = 25 mA olan N kanal JFETte VGS = 5 V tur. R S direncinin
deerini hesaplaynz.
zm:
2
-5
VGS
=
25
mA
1
=
I D I DSS 1
- 10 = 6.25 mA
VGS(off )
VGS = VG VS
VG = 0 olduuna gre,
VGS = I D R S
Rs =
VGS
5V
=
= 800 bulunur.
ID
6.25 mA
57
ANALOG ELEKTRONK
MOSFET (Metal Oksit Yar letken FET)
co
m
MOSFETde kap ile kanal arasnda JFETdeki gibi bir P-N jonksiyonu yoktur. MOSFETin
kaps silisyum dioksit (SiO2) tabakas ile kanaldan izole edilmitir. ki temel MOSFET
mevcuttur.
- DE MOSFET
- E MOSFET
DE MOSFET
em
de
rs
no
tla
ri.
DE MOSFETin temel yaps ekil 4.9da gsterilmitir. DE MOSFETte D ve S altkatman

malzeme zerine katklanarak, kapya komu olan dar bir kanal ile birbirine balanmtr. DE
MOSFET N kanal ve P kanal olabilir. Burada sadece N kanall DE MOSFET incelenecektir. P
kanall DE MOSFETte gerilim ynleri terstir fakat alma prensipleri ayndr.
ekil 4.9 DE MOSFETin temel yap ve sembol a) N kanal ve b) P kanal.
.e
Kap kanaldan izole olduu iin kapya negatif veya pozitif gerilim uygulanabilir. DE MOSFET
kapsna negatif gerilim uygulanrsa Azaltma (Depletion), pozitif gerilim uygulanrsa Arttrma
(Enhacement) modunda alr. DE MOSFETte kap ve kanal bir kapasitenin iki paralel plakas
ve SiO2 tabakas bir dielektrik malzeme gibidir.
ekil 4.10. N kanal DE MOSFETin almas.

58
ANALOG ELEKTRONK
co
m
Negatif bir kap gerilimi uygulandnda, P malzemesindeki delikler N kanala doru ekilir ve
elektronlar kanaldan uzaklar. Bu elektronlarn yerine pozitif iyonlar oluur ve N kanaldaki
serbest elektronlar azalr. Bu durumda kanal direnci artar ve kanal akm azalr (ekil 4.10(a) ).
Pozitif bir kap gerilimi uygulandnda, elektronlar kanala doru ekilir ve P malzemesindeki
delikler uzaklatrlr. Bylece kanalda daha ok serbest elektron olur. Bu durumda kanal direnci
azalr ve kanal akm artar (ekil 4.10(b) ).
rs
no
tla
ri.
DE MOSFETin transfer karakteristii ekil 4.11de gsterilmitir.
de
ekil 4.11. N ve P kanal DE MOSFETin transfer karakteristikleri.
E MOSFET
.e
em
E MOSFETin yap ve sembol ekil 4.12de gsterilmitir. Bu MOSFETte fiziksel bir kanal
yoktur. N kanal E MOSFETte kapya uygulanan gerilim eik deerinde, SiO2 tabakasna komu
olan P malzemesinde ince bir negatif yk tabakas ve bir kanal oluturur. Eik geriliminin altnda
bir kanal olumaz. Kap kaynak arasndaki pozitif gerilim arttrldnda kanala daha ok
elektron ekilir ve kanaln iletkenlii artar. N kanal E MOSFETin alma prensibi ekil 4.13te
gsterilmitir.
(a)
(b)
ekil 4.12 E MOSFETin temel yap ve sembol a) P kanal ve b) P kanal.
E MOSFET yalnz kanal arttrma ile kullanlr. N kanall bir E MOSFET pozitif kap kaynak
gerilimi ile alr. P kanall trnde ise negatif kap kaynak gerilimi gerekir. ekil 4.14te
gsterildii gibi E MOSFETin transfer karakteristiinde VGS = 0 iken bir akm gemez. Yani
59
ANALOG ELEKTRONK
E MOSFETte, JFET ve DE MOSFETteki gibi I DSS parametresi yoktur. VGS gerilimi VGS( th )
co
m
eik gerilimine ulaana kadar I D akm sfrdr. E MOSFETin transfer karakteristiinin eitlii
aada verilmitir. MOSFETin K sabiti VGS nin belirli bir deeri iin verilen I D(on ) akm
iin katalogda verilir.
no
tla
ri.
I D = K VGS VGS( th ) 2
.e
em
de
rs
ekil 4.13. N kanal E MOSFETin almas.
ekil 4.14. N ve P kanal E MOSFETin transfer karakteristikleri.
Uygulama : 6
VGS = 10 V iin I D(on ) =3 mA olan E MOSFETin VGS( th ) = 5 V verilmitir. VGS = 8 V iin
I D akmn hesaplaynz.
zm:
K=
I D (on )
[VGS VGS( th ) ]
3 mA
(10 - 5)
3 mA
25 V
= 0.12 mA / V 2
K sabiti kullanlarak VGS = 8 V iin I D akm hesaplanr.
I D = K VGS VGS( th ) 2 =0.12 x ( 8 5 )2 = 1.08 mA

60
ANALOG ELEKTRONK
co
m
Uygulama : 7
Yanda verilen DE MOSFET kutuplama
devresinde I D akmn ve VDS gerilimini
hesaplaynz.
VGS(off ) = 8 V , I DSS = 12 mA
VDD = 18 V , R D = 600 , R G = 10 M
tla
ri.
zm:
VGS = 0 olduundan I D = I DSS olur.
VDS = VDD I DSS R D eklinde hesaplanr
. I D = I DSS =12 mA
VDS = VDD I DSS R D = 18 12mA x 600 M = 10.8 V
rs
no
Uygulama : 8
Yanda verilen Geribeslemeli E MOSFET kutuplama
devresinde VGS gerilimi l aleti ile 8.5 V olarak
llyor. Devrede I D akmn hesaplaynz.
VGS( th ) = 3 V
de
VDD = 15 V , R D = 5 k , R G = 50 M
em
zm:
Geribeslemeli devrede kap akm sfr kabul edilir.
VDS = VGS = 8.5 olur.
V VDS 15 8.5
=
I D = DD
olur.
RD
5 k
Uygulama : 9
Yanda verilen gerilim blcl E MOSFET
kutuplama devresinde VDS ve VGS gerilimlerini
hesaplaynz.
I D(on ) =3 mA @ VGS = 10 V
.e
VGS( th ) = 5 V
VDD = 24 V
R 1 = 10 k , R 2 = 15 k , R D = 1 k
zm:
R2
15 k
VDD =
24 = 14.4 V
R1 + R 2
10 k + 15 k
I D (on )
3 mA
3 mA
=
=
= 0.12 mA / V 2
K=
2
2
2
[VGS VGS( th ) ]
(10 - 5)
25 V
VGS =
I D = K VGS VGS( th ) 2 =0.12 x ( 14.4 5 )2 = 10.6 mA

VDS = VDD I D R D = 24 V - 10.6 mA x 1 k = 13.4 V
61

Elektronik II - Yıldız Teknik Üniversitesi - Analog Elektronik

Uploaded by

Document Information

Copyright

Share this document

Share or Embed Document

Sharing Options

Did you find this document useful?

Is this content inappropriate?

Copyright:

Elektronik II - Yıldız Teknik Üniversitesi - Analog Elektronik

Uploaded by

Copyright:

ANALOG ELEKTRONK

ANALOG ELEKTRONK .............................................................................................................. i

KISA ATOM BLGS

Maddenin en kk paras olan atom, merkezinde bir ekirdek ve etrafnda dnen

ekil 1.1. Hidrojen atomu

Elektronlar atomun ekirdei etrafnda yrngelerde dnmektedir. Yrngeler kabuklarda

ekil 1.2 Deiik atom yaplar a) Hidrojen, b) Lityum ve c) Silisyum.

ekil 1.3. ekirdek etrafndaki yrngeler ve enerji seviyeleri.

Elektronlarn enerjileri ekirdekten uzaklatka artmaktadr. Yarap kk olan elektronun

ekil 1.4. Enerji bantlar

1 Amper = 1 Coulomb / saniye

1 Amper = 6.25 x 1018 elektron / saniye

1 Coulomb = 6.25 x 1018 elektron

letken, Yar letken ve Yaltkanlar

Maddelerin elektriksel iletkenlii serbest elektron miktarna baldr. Maddelerin 1 cm 3 lk

Serbest Elektron Says

letken, yar iletken ve yaltkanlar enerji boluklarna gre de snflandrlr. Bu durum

ekil 1.6. Silisyum kristalinin iki boyutlu yaps.

Saf Yar letken Malzemenin zellikleri

ekil 1.8. Silisyuma arsenik eklenmesiyle elde edilen N tipi malzeme.

ekil 1.9. N tipi malzemede elektron ve delik aklar.

ekil 1.10. Silisyuma indiyum katlarak elde edilen P tipi malzeme.

ekil 1.11. P tipi malzemede elektron ve delik aklar.

Katk Maddelerine Scakln Etkisi

Jonksiyon olumadan nce oda scaklnda, N blgesinde ok sayda serbest elektron ve P

ekil 2.1. a) P-N jonksiyonu, b) Boluk blgesinin olumas.

ekil 1.13 Ters kutuplama durumundaki P-N jonksiyonu.

ekil 2.3. leri ynde kutuplanm P-N jonksiyonu.

Diyodun V-I Karakteristii

ekil 2.4. Diyodun sembol ve V-I karakteristii.

Diyotlu Devrelerde Grafik Yntemi ile alma Noktasnn Bulunmas

Diyodun alma noktas grafik yntemleri kullanlarak da bulunabilir. Diyodun alma

leri Kutuplama Durumu

ekil 2.5. DC bir devrede diyodun ileri kutuplanmas ve alma noktas.

Ters Kutuplama Durumu

Yk dorusunun izilmesi iin yukardaki denklemde i D = 0 iin v D = VS ve v D = 0 iin

ekil 2.6. DC bir devrede diyodun ters kutuplanmas ve alma noktas.

Yk dorusu analizinden aadaki sonular karlabilir.

ekil 2.7 Diyodun AC ve DC direnci.

Yanda verilen diyot karakteristiini

AB noktalar arasndaki diren AC

Diyot Devrelerinin Yaklak Edeer Analizi

ekil 2.8 deal, silisyum ve germanyum diyotlarn edeer devreleri.

Yanda verilen devrede,

diyot akmn ve diren gerilimini bulunuz.

VR = I.R = 10 mA.1k = 10 V bulunur.

b) Silisyum diyodun iletim gerilim dm 0.7 Vtur. Diyodun iletimdeki i direnci ok

VR = I.R = 9.3 mA.1k = 9.3 V bulunur.

c) Germanyum diyodun iletim gerilim dm 0.3 Vtur. Diyodun iletimdeki i direnci ok

ekildeki devrede kullanlan diyodun devrilme

VR = I.R = 100 k. 250 A = 100. 10 3 . 250. 10 6 = 25 V

Diyotta harcanan g, PD = 50.250.10 6 =12.5 mW bulunur.

Yarm Dalga Dorultucu

ekil 2.9 Yarm dalga dorultucu, giri ve k gerilimleri.

Tam Dalga Dorultucu

olarak yazlr. m indisi maksimum deerdir. Yk zerindeki gerilimini ortalama deeri,

olarak hesaplanr. Bir diyodun maruz kald maksimum gerilim,

a) Giri ve k gerilimlerinin deiimlerini

ekilde verilen tam dalga dorultucuda

b) Bir diyoda gelen maksimum gerilim,

ekil 2.11. Kpr dorultucu devresi ve giri k gerilimleri.

Pozitif alternansta D1 - D 2 diyotlar iletimde, D 3 D 4 diyotlar kesimdedir. Negatif alternansta

ekil 2.12 ngerilimli seri bir krpc.

ekil 2.13 ngerilimli paralel krpc.

ekil 2.14 ngerilimli iki diyotlu paralel krpc.

ekil 2.15 Pozitif bir dc kenetleyici.

ekil 2.16 Negatif bir dc kenetleyici.