Yrd. Do. Dr.

Nil Toplan

ELEKTRKSEL MALZEMELER DERS NOTLARI (2006-2007)

BLM 1. GR

ri.

co

Genel anlamda bir amac gerekletirmek iin kullanlan her madde malzeme adn alr. Malzemeler
atomlarn farkl dzenlerde bir araya gelmesi ile meydana gelirler. Atomlar farkl dzenlerde ve
yaplarda birbirleri ile balanmalarna gre malzemeleri metal, seramik, polimer, kompozit ve yar
iletken olarak snflandrlrlar.

Metaller

Seramikler

Polimerler (Plastik malzemeler)

Yar iletkenler (Elektronik malzemeler)

Kompozitler

1.1. Malzeme Trleri

de
rs
n

Metalik Malzemeler

ot
la

Bir mhendisin mevcut binlerce malzeme zelliklerini tamam ile bilmesi ve gelimeleri izlemesi
ok zor olduundan; btn malzeme zelliklerini etkileyen ve oluturan prensipleri iyice anlamas
gerekir.

elik, alminyum, bakr, inko, dkme demir, titanyum ve nikeli kapsayan metal ve alamlar
genellikle iyi termal ve elektrik iletkenliine nispeten yksek dayanma, kolay ekillendirilebilme
zelliine ve yksek darbelere dayanan malzemelerdir. Saf metaller zaman zaman kullanlmalarna
ramen genellikle alamlar ad verilen metal karmlar arzu edilen belirli bir zellikte gelime
salamak veya daha iyi zellikler elde etmek iin kullanlr. Alminyum evre dostu bir metaldir.
Para yapmnda kullanlan monel metal alamnn %30 bakr %70 Nikeldir. elik sa zerine inko
kaplama galvanizleme, kalay kapl sa ise teneke olarak bilinir.

.e
e

elikler
Sade Karbonlu elikler
1. Az Karbonlu %(0-0,20 C )
- Dnya elik retiminin en byk miktarn kapsayan bu elik trne,
yass elikler ile inaat sektr ve temel yaplarda kullanlan elik
ubuk ve profiller rnek olarak verilebilir.
- Yzeyleri sert i taraflar yumuaktr.
- Kaynak ve imalat iin ilenebilirlikleri ok iyidir.
- ekillendirilmeleri en yksek olan bu elikler dvme, preste
ekillendirme ilemlerinde tercih edilirler.
- Kimyasal bileimleri
C
%0-0,20
Mn
%0,30-0,60
Si
%0,10-0,20
P
%0,04 max
S
%0,05 max
2. Orta Karbonlu %(0,20-0,50 C )
- Isl ilemler ile yeterli oranda sertletirilebilmektedirler
1

Makine sanayiinin tercih ettii eliklerdir.

ekillendirilmeleri az karbonlu eliklerden zordur
Kimyasal bileimleri
C
%0,20-0,50
Mn
%0,60-0,90
Si
%0,15-0,30
P
%0,04 max
S
%0,05 max

co

Yrd. Do. Dr. Nil Toplan

de
rs
n

Alaml elikler

ot
la

ri.

3. Yksek Karbonlu
- Yksek mukavemetlidirler. Sneklikleri dktr.
- Isl ilemler ile fevkalede yksek kalitede sertleebilmektedirler.
- Anmaya dayankl ve kesici zellik kazanrlar
- Kimyasal bileimleri
C
%0,50 den fazla
Mn
%0,70-1
Si
%0,15-0,30
P
%0,04 max
S
%0,05 max

1. Az Alaml
- Alam elementi veya katlan alam elementlerinin toplam miktar
%5 den az olmas halinde az alaml elikler oluur

Seramikler

2. Yksek Alaml
- Alam elementi veya katlan alam elementlerinin toplam miktarnn
%5 den yksek olmas halinde yksek alaml elikler oluur

.e
e

Tula,cam,porselen refrakterler ve andrclar gibi seramik malzemeler dk elektrik ve termal

iletkenliklere sahiptirler ve yaltkan olarak da kullanlabilirler. Seramik malzemeler sert olmalarna
ramen; darbe dayanmlar zayftr. Buna karn pek ok seramik korozif artlara ve yksek
scakla kar mkemmel bir diren gstermektedir.

*
Klasik Seramik Malzemeler
Gzenekli rnler
1.Kr renkli (Tula, kiremit gibi )
2.Kr beyaz (Ak ini gibi)

Porselen hakknda bilgi

Porselen %50 Kaolen %25 Feldispat %25Kuvars

tan oluur. Beyaz veya saydam olabilir
Yumuak Porselen 1200-1300 C
Sert Porselen 1300-1400C ve
yukarsnda piirilir.

Gzeneksiz rnler
1. Kr renkli ( Kanalizasyon borular, yer karolar gibi )
2. Kr beyaz (Salk gereleri, mutfak eyalar, asite dayankl tulalar gibi)

Yksek Teknolojili Seramik Malzemeler

Elektriksel zelliklerinden faydalanlan seramikler
2

co

ri.

Polimerik Malzemeler

ot
la

1. zolasyon Malzemeleri (Almina, magnezya, berilya...)

2. Ferro elektrik seramikler (Baryum titanat, stronsiyum titanat...)
3. Piezo elektrik seramikler (kurun oksit, zirkonya, titanatlar...)
4. yonik iletken seramikler (sensrler) (beta almina, zirkonya...)
5. Yar iletken seramikler (baryum titanat, SiC, ZnO-Bi2O3)
6. Sper iletken seramikler (CuO, BaO,Y2O3,La2O3)
Manyetik zelliklerinden faydalanlan seramikler
1. Yumuak manyetik malzemeler (ZnO, Fe2O3, Mn2O3)
2. Sert manyetik malzemeler (Fe2O3, BaO, SrO)
Optik zelliklerinden faydalanlan seramikler
Kimyasal zelliklerinden faydalanlan seramikler
Isl zelliklerinden faydalanlan seramikler
Mekanik zelliklerinden faydalanlan seramikler
Biyolojik zelliklerinden faydalanlan seramikler
Nkleer zelliklerinden faydalanlan seramikler

Yrd. Do. Dr. Nil Toplan

Termosetler :

de
rs
n

Lastik, plastik ve birok yaptrcy ieren polimerler, polimerizasyon denilen bir ilemle organik
molekllerden byk molekllerin retilmesiyle elde edilirler. Polimeriler, dk elektrik ve termal
iletkenliklere sahiptirler yksek scaklklarda kullanlmazlar.
1. Dk younluktadrlar,
2. Dk elastisite modlne sahiptirler,
3. Genelde 120 C dereceye kadar kullanlabilmektedirler,
4. Isy iyi iletmez,
5. Isl genleme katsaylar byktr,
6. Kimyasal etkilere kar stn dayankllk zellikleri vardr.

.e
e

Termoset plastikler makro molekller arasnda kuvvetli balar oluturarak 3 boyutlu a yapsna
sahip olan plastik malzemelerdir. Reaksiyon (polikondansasyon) sonunda a yapsnn
tamamlanmasyla sertleir ve tekrar stlarak yumuatlamazlar. Pratik olarak btn yaps tek bir
molekl olarak dnlr. nk her tarafta valans balar vardr. Termoplastiklerden daha
kuvvetlidirler ve daha yksek scaklkta kullanlabilirler. Telefon cihazlar, elektrik prizleri, mutfak
eyalarnn saplar rnek olarak verilebilir.

Termoplastikler :

Is etkisiyle yumuayan plastik malzemelerdir. zellikle yksek scaklklarda Van der Waals
kuvvetleri daha kolaylkla yenildiinden, ekil deitirme daha da kolay olur. Bu malzemeler
plastik duvar ve deme kaplamas olarak kullanlmaktadr.

Yar letkenler

letkenlik bakmndan iletkenler ile yaltkanlar arasnda yer alrlar, normal halde yaltkandrlar.
Ancak s, k ve magnetik etki altnda brakldnda veya gerilim uygulandnda bir miktar
valans elektronu serbest hale geer, yani iletkenlik zellii kazanr. Bu ekilde iletkenlik zellii
kazanmas geici olup, d etki kalknca elektronlar tekrar atomlarna dnerler. Tabiatta basit
3

Yrd. Do. Dr. Nil Toplan

eleman halinde bulunduu gibi laboratuarda bileik eleman halinde de elde edilir. Yar iletkenler
kristal yapya sahiptirler. Yani atomlar kbik kafes sistemi denilen belirli bir dzende sralanmtr.
Bu tr yar iletkenler, yukarda belirtildii gibi s, k, etkisi ve gerilim uygulanmas ile belirli
oranda iletken hale geirildii gibi, ilerine baz zel maddeler katlarak da iletkenlikleri
arttrlmaktadr. Katk maddeleriyle iletkenlikleri arttrlan yar iletkenlerin elektronikte ayr bir yeri
vardr.

co

Tablo 1. Elektronikte yararlanlan yar iletkenler ve kullanlma yerleri.

KULLANILMA YER

Germanyum (Ge) (Basit

eleman)

Diyot, transistr, entegre devre

Silikon (Si) (Basit eleman)

Diyot, transistr, entegre, devre

ot
la

ri.

ADI

Diyot

Bakr oksit (kuproksit) (CuO)

(Bileik eleman)

Diyot

Galliyum Arsenid (Ga As)

(Bileik eleman)

Tnel diyot, laser, fotodiyot, led

Indiyum Fosfur (In P) (Bileik

eleman)

Diyot, transistr

Kurun Slfr (Pb S) (Bileik

eleman)

Gne pili (Fotosel)

de
rs
n

Selenyum (Se) (Basit eleman)

.e
e

Silikon, germanyum, GeAs, SiC ve ZnO gibi malzemeler ok krlgan olmalarna ramen elektronik
sanayinde bilgisayar ve iletiim haberleme uygulamalarnda kullanlan nemli malzemelerdir. Bu
malzemeler elektrik iletimler, transistor ve entegre devre olarak uygulamalarnn kullanmn
kolaylatrmak amacyla kullanlrlar

Kompozit Malzemeler

Farkl malzemelerin en iyi zellikleri birletirilerek yeni malzeme yapmna kompozit (karma)
malzemeler denir. Alman metalurji cemiyeti kompozit malzemeleri, birbiri ile uyumlu ancak birbiri
ile ar reaksiyona girmeyen ve en az iki bileenin makro lde bir araya getirilmesi ile oluan
malzeme olarak tanmlar. Beton, kontraplak, cam yn tipik kompozit malzeme rnekleridir.
Kompozitlerle hafif, salam, snek ve yksek scakla dayankl malzemeler retilebilir.
Kompozit Malzeme eitleri
1. Fiber (Elyaf Takviyeli) Kompozitler
2. Tabaka (Lamine) Yapda Kompozitler
3. Yzeyi Kapl Kompozitler
4. Tane yapsnda Kompozitler

Yrd. Do. Dr. Nil Toplan

Tablo 1: Malzemelerin snflandrlmas

Otomobil motor bloklar

Alaml elikler

Vidalar

SiO2-Na2O-CaO
Al2O3-MgO-SiO2

Pencere camlar
Refrakterler

yi optik zellikler, Is yaltm

Yksek scakla dayanm.
Korozyon direnci

Polimeriler

Polietilen
Epoksi
Fenoller

Yiyecek paketleme
Tamamlanmam devre izolasyonu
Yaptrc

nce, kolay ekillenebilir

Yaltkanlk
Neme kar diren

Yar iletkenler

Silikon
GaAs, CdTe
ZnO

Transistrler, Elektronik devreler

Gne pili, Fiber optik sistemler
Yksek gerilim hatlar

Elektriksel davran
Elektriksel sinyal dntrc
Lineer olmayan I V karakteristii

Kompozitler

Grafit-Epoksi
WC-Co

Uak paralar
Kesme takmlar

Arla gre yksek dayanm

Yksek sertlik ve darbe dayanm
Dk maliyet, Korozyona kar
dayanm

de
rs
n

ot
la

ri.

co

Gri dkme demir

Titanyum kaplanm
elik

Reaktr kapaklar

.e
e

Metaller

Elektrik kablo iletkeni

Seramikler

Yksek elektrik iletkeni

Kolay ekillendirilebilme
Dklebilirlik, lenebilirlik,
titreim azaltma
iyi mukavemet

Bakr (Cu)

1. 2. zellik Yapekillendirme likisi

Parann beklenen mr ierisinde grevini yerine getirmesi iin uygun ekil ve zelliklere sahip
olacak ekilde retilmesi gerekmektedir. Malzeme mhendisleri, malzemenin i yaps, malzemeye
uygulanan ilemler ve elde edilen malzeme zelliklerini gz nne alarak bu ihtiyalar karlarlar.

zellikler :
1. Mekanik zellikler
2.Fiziksel zellikler

Mekanik zellikler
Uygulanan yk veya gerilime kar malzemenin nasl davranacan gsterir. En ok bilinen
mekanik zellikler dayanm, sneklik ve malzemenin bklmezliidir. Malzemenin ani yk (darbe),
devaml deien yk (yorulma) , yksek scaklktaki yk altnda (srnme) ve anmaya kar nasl
davranacaklar nemlidir. Mekanik zellikler malzemenin sadece kullanm srasndaki
5

Yrd. Do. Dr. Nil Toplan

performansnn iyi olmas iin deil ayn zamanda kolay ekillendirilebilmesi asndan da
nemlidir.

Fiziksel zellikler

co

Elektrik, manyetik, termal ve kimyasal davranlar ierir. Fiziksel zellikler hem malzemenin
ekillendirme yntemine hem de i yapsna baldr. Kompozisyondaki ok kk deiiklikler
bile yar iletken metaller ve seramiklerin zelliklerinde ok byk deiiklikler yapabilir.

ri.

Yap:

ekillendirme:

de
rs
n

ot
la

Malzemenin yaps zelliklerini dorudan etkiler. Atom ekirdeini kuatan elektronlarn dizilimi
elektrik, manyetik, sl ve optik davranlar ile beraber malzemenin korozyon direncini de nemli
lde etkileyebilir. Elektronik dizilme, atomlarn birbiri ile nasl balanacan etkiledii gibi
malzeme trlerinin belirlenmesinde de etkilidir. Metaller, seramiklerin ou ve baz polimerler
kristal yapya sahiptirler. Baz seramikler ve ou polimerlerin atomik dizilimleri dzensizdir.
Amorf yapya sahip (cams yap) malzemelerin davranlar, kristal yapda olanlara gre farkldr.
rnein cams polietilen saydam iken, kristal olanlar yar saydamdr. Atomik dizilimde genelde
hatalar vardr ve bu hatalar malzemenin zelliklerini dorudan etkiledikleri iin kontrol
edilmelidirler.

.e
e

Balangta ekilsiz olan malzemeden arzu edilen ekle sahip para retmek iin eitli
ekillendirme yntemleri uygulanr. Metaller, sv metal bir kalba doldurularak (dkm), ayr metal
paralar birletirilerek (kaynak, lehimleme), yksek basn kullanlarak (dvme, ekme,
haddeleme) gibi yntemlerle ekillendirilirler. ok kk metal tozlar kat bir ktle olarak
sktrlmak suretiyle ekillendirilirler (toz metalurjisi). Seramikler ise slip dkm, extrzyon,
enjeksiyon ve izostatik pres, HIP, CIP gibi yntemlerle polimerler yumuak plastik kalplara
enjekte edilerek (dkm gibi), ekilerek ekillendirilebilirler.

Elektriksel Malzemeler Ders Notlar

Yrd. Do. Dr. Nil Toplan

BLM 2. ATOMK YAPI

2.1. GR

ot
la

ri.

co

Hava, su, dalar, hayvanlar, bitkiler, vcudumuz, oturduunuz sralar, ksacas en arndan en
hafifine kadar grdmz, dokunduumuz, hissettiimiz her ey atomlardan meydana gelmitir.
Atomlar yle kk paracklardr ki, en gl mikroskoplarla dahi bir tanesini grmek mmkn
deildir. Bir atomun ap ancak milimetrenin milyonda biri kadardr. Bu kkl bir insann
gznde canlandrmas pek mmkn deildir. O yzden bunu bir rnekle aklamaya alalm:
Elimizde bir anahtar olduunu dnelim. Kukusuz bu anahtarn iindeki atomlar grebilmemiz
mmkn deildir. Atomlar mutlaka grmek istiyoruz diyorsak, anahtar dnyann boyutlarna
getirmemiz gerekecektir. Elinizdeki anahtar dnya boyutunda byrse, ite o zaman anahtarn
iindeki her bir atom bir kiraz byklne ulaabilir ve de onlar grebiliriz. Kiraz
byklndeki atomlarn iinde ekirdei gzlemleme olanamz kesinlikle yoktur. Gerekten bir
ey grebilmek istiyorsak yeniden l deitirmek gerekecektir. Atomumuzu temsil eden kiraz
yeniden byyp iki yz metre yksekliinde kocaman bir top olmaldr. Bu akl almaz boyuta
karn atomumuzun ekirdei yine de ok kk bir toz tanesinden daha iri bir duruma
gelmeyecektir. Boyutlar atomun 10 milyarda biri olmasna ramen, ekirdein ktlesi atomun
ktlesinin % 99.95'ini oluturmaktadr.

de
rs
n

Atomun ekirdeindeki proton ve ntronlar kuark ad verilen daha kk paracklarn biraraya

gelmesiyle oluurlar. Gnmzden 20 yl ncesine kadar atomlar oluturan en kk paracklarn
protonlar ve ntronlar olduklar sanlyordu. Ancak ok yakn bir tarihte, atomun iinde bu
paracklar oluturan ok daha kk paracklarn var olduu kefedildi. Bu bulutan sonra,
atomun iindeki "alt paracklar" ve onlarn kendilerine has hareketlerini incelemek zere
"Parack Fizii" isimli bir fizik dal ortaya kmtr. Parack fiziinin yapt aratrmalar u
gerei aa karmtr: Atomu oluturan proton ve ntronlar da aslnda "kuark" ad verilen daha
alt paracklardan olumaktadrlar.

.e
e

Elektronlar tpk dnyann gne evresinde dnerken, ayn zamanda kendi evresinde dnmesi
gibi, atom ekirdeinin evresinde dnen paracklardr (1000km/sn hzla). Fakat dnyayla gnein
byklkleri arasndaki oran ile atomun iindeki oran ok farkldr. Eer elektronlarn bykl
ile dnyann bykl arasnda bir kyas yapmak gerekirse, bir atomu dnya kadar bytsek,
elektron sadece bir elma boyutuna gelecektir. Elektronlar, ntron ve protonlarn yaklak 2000 de
biri kadar ufak paracklardr. Bir atomda, protonlarla eit sayda elektron bulunur ve her elektron
her bir protonun tad art (+) yke eit deerde eksi (-) yk tar. ekirdekteki toplam art (+)
yk ile elektronlarn toplam eksi (-) yk birbirini dengeler ve atom ntr olur.

Atom ekirdeinin evresinde 7 tane yrnge vardr ve atomlarn tm yrngelerinde bulunabilecek

en fazla elektron says matematiksel bir formlle belirlenmitir: 2n2. (formldeki "n" harfi, yrnge
numarasn belirtir).

7 tane olan bu yrngelerden her bir yrnge belirli bir enerji seviyesine sahiptir. Sz konusu enerji
seviyesi yrngenin ekirdekten olan uzaklna bal olarak deiir. Bir yrnge ekirdee ne
kadar yaknsa elektronun enerjisi o kadar az, ekirdee ne kadar uzaksa enerjisi o kadar yksek
olur. Elektronlarn yrngelerinin her birinin altnda da "alt yrngeler" vardr. Elektronlar,
bulunduklar yrngenin "alt yrngeleri" arasnda srekli olarak hareket ederler. Elektronun
yrngeler arasnda seyahat etmesi iin dardan enerji almas gerekir. Bu enerjinin kayna ise
"foton"dur. Foton, en basit anlatmyla "k parac"dr.

Elektriksel Malzemeler Ders Notlar

Yrd. Do. Dr. Nil Toplan

Atomu oluturan paracklarn kendi eksenleri etrafnda olaanst bir hzla dnlerine "spin" ad
verilir. "Spin hareketi" basit olarak nesnenin kendi ekseni etrafnda dnmesi anlamna gelir.
Evrendeki pek ok sistemde spin hareketi nemli bir rol oynar.

BOHR atom modeline gre, bir atom merkezinde 10-11mm apnda bir ekirdek ve bu ekirdei
epeevre kuatan elektronlardan oluur. Atom yaklak 10-7mmlik bir apa sahiptir.

ri.
ot
la

ekil 1. Na elementinin ematik atom yaps

co

Na=1s22s22p63s1

de
rs
n

Atom ; (1,673.10-24 gr) arlndaki proton, (1,675.10-24 gr) arlndaki ntron ve (9,109.10-28 gr)
arlndaki elektron ad verilen 3 paracktan oluur. ekirdek atom ktlesinin nemli bir
blmn oluturur (ntron + proton)
D Yrngedeki elektronlar atomun elektriksel, kimyasal, sl zelliklerini belirler.
zotop Atom : Farkl sayda ntronu bulunan ayn elementin atomlarna izotop denir. Atomik
ktleleri farkldr. Ortalamalarn alarak izotoplarn atomik ktleleri hesaplanr.
Atomik Ktle : Proton ve ntronun saylar toplamdr. Avagadro says kadar atomun ktlesine
sahip olur. rnein 1gr/mol Al= 26,38 gr ktle ve 6,02.1023 atom ierir

rnek//
Nikel atomlarndan oluan bir atom topluluunda, atomlarn %70i 30 ntron ve %30u 32 ntron
ieren Niin yaklak atomik ktlesini hesaplaynz? (N=28)

.e
e

Malzemenin mhendislikteki zelliklerine en byk etkiyi elektronlarn says, konumlar ve

hareketleri yapmaktadr. Son derece kk olan elektronlarn hareketleri normal mekanik
kurallarna uymaz. Elektronlarn kuantum mekanii ad verilen kendi kurallar vardr. Kuantum
mekaniine gre elektronlar atomda ancak belirli basamak seviyelerindeki enerjilere sahiptir.
Enerjinin deimesi bir basamaktan dierine srama eklinde olur ve enerji dalga mekanii
denklemleri ile hesaplanr. Elektronlarn sahip olduklar enerji seviyeleri, dalga denkleminin
zmnde geen 4 eit kuantum saysyla belirlenir.

2.2. Kuantum Saylar

Elektronun ait olduu enerji seviyelerini ayrmak iin kullanlr

1.Temel (Birincil) Kuantum Says :n ile gsterilir. { 1, 2, 3, 4 .. n }

Elektronun ana enerji seviyesini gsterir ve ayn zamanda ana kabuk olarak da adlandrlr ve her
bir ana kabuk K, L, M, N, O, P, Q harfleri ile tanmlanarak belirli sayda elektron bulundururlar.
Elektronlar bir elektron kabuu ierisinde en dk enerji seviyesine sahip yrngeleri doldurma
eilimi tarlar.

Elektriksel Malzemeler Ders Notlar

Yrd. Do. Dr. Nil Toplan

2.Azimuthal (kincil) Kuantum Says

co

n=1=K kabuu, 2elektron

n=2=L kabuu, toplam 8 elektron
n=3=M kabuu, toplam 18 e
n=4=N kabuu, toplam 32 e
n=5=O kabuu, toplam 50 e
n=6=P kabuu, toplam 72 e
n=7=Q kabuu, toplam 98 e bulunabilir.

:l ile gsterilir. {0,1, 2 n-1} l = n-1

ot
la

ri.

Atom ekirdei etrafndaki elektronlarn bulunduu her bir ana kabuk, bir elektron bulutu
eklindedir. Bu kabuk ierisinde farkl enerji seviyelerine sahip ve elektronlarn hareket ettii
yrngeler vardr. Bu yrngeler ikincil kuantum says (l) olarak ifade edilirler. kincil kuantum
saysnn deeri, birincil kuantum saysnn deerine bal olup, (n-1) ile bulunur ve dolaysyla 0,
1, 2, 3 olarak belirlenir. Genellikle l=0 yerine s harfi,
l=1 yerine p harfi,
l=2 yerine d harfi,
l=3 yerine f harfi kullanlr.

de
rs
n

Her bir s, p, d, f yrngelerinde belirli sayda elektron bulunabilir. s yrngesinde 2 elektron p

yrngesinde 6 elektron, d yrngesinde 10 e ve f yrngesinde 14 adet e bulunabilir.
3. Manyetik Kuantum Says

:(ml) ile gsterilir.

(ml) = 2l+1

Manyetik kuantum says bir manyetik alann etkisinde kalan yrngelerin, uzaydaki farkl
dorultulardaki hareket biimini tayin eder. Yrngelerin sahip olduu enerji seviyesi ykseliyorsa
ml (+), azalyorsa ml (-) deer alr. Manyetik alan etkileimi olmad zaman sfr deerindedir.

Her azimuntal kuantum says iin enerji seviyeleri veya orbital saysn verir

Deerler l ile +l arasndaki tm saylar ierir

rnek // l=2 iin manyetik kuantum saylarn yaznz ?

(ml) = 2l+1 = (2*2)+1= 5

: (ms) ile gsterilir.

.e
e

4. Spin (Dnme) Kuantum Says

(ml)={-2,-1,0,1,2}

Pauli dlama prensibine gre bir yrngede zt elektronik dnmeli ikiden

fazla elektron bulunduramaz. Elektronlar kendi ekseni etrafnda biri saat ynnde
dieri ters ynde olmak zere 2 farkl dnme ynne sahiptir.

Dnme kuantum says farkl spinleri belirleyebilmek iin +1/2 ve -1/2

deerlerini alr.
Her enerji kabuundaki maximum elektron says Tablo 2 deki ablon kullanlarak gsterilir.

Tablo 2. Elektronlarn enerji seviyelerini belirlemede kullanlan ablon

n=1 (K)
n=2 (L)
n=3 (M)
n=4 (N)
n=5 (O)
n=6 (P)

l=0
(s)
2
2
2
2
2
2

l=1
(p)

l=2
(d)

l=3
(f)

l=4
(g)

l=5
(h)

6
6
6
6
6

10
10
10
10

14
14
14

18
18

22

Elektriksel Malzemeler Ders Notlar

Yrd. Do. Dr. Nil Toplan

Belli bir kuantum kabuunda en dk enerji seviyesine den elektronlar s ile gsterilir.
Dolaysyla 1s2 birinci kuantum kabuunda yani K kabuunda dk enerji seviyelerindeki zt

manyetik dnl iki elektronu gsterir. Ayn ekilde 2s2 iaretinin gsterdii iki elektron ikinci
kuantum kabuunun (L kabuu) en dk enerji seviyesinde olanlardr. Bir kabuun s enerji

co

seviyesinde bulunabilecek elektron adedi en ok 2 dir. Tablo 2 de kabukta bulunan enerji

seviyelerinin alabilecei max. elektron saylar verilmektedir. Bylece, germanyumun elektronik

yaps aadaki gibi gsterilir.

ri.

1s2 2s2 2p6 3s2 3p6 3d10 4s2 4p2

ot
la

Elektronik yapnn dzenli olarak sralanmas, zellikle atom numaras arttnda, d ve f seviyeleri
dolmaya baladnda devam etmez ve beklenen elektronik yapsndan sapmalar olur. rnein
atomik numaras verilen demirin elektronik yaps yle verilebilir,
1s2 2s2 2p6 3s2 [3d8]
Ancak gerek yap farkldr;

de
rs
n

1s2 2s2 2p6 3s2 [3d64s2]

Dolmam 3d seviyesi, daha sonra tartlaca zere, demirin manyetik davranna neden olur.
Valans: Bir atomun valans, atomun dier bir elementle kimyasal bileime girme yetenei ile
ilikilidir, ve genellikle kombine edilmi sp seviyesinin en dtaki elektron says ile belirlenir.
Mg: 1s2 2s2 2p6 [3s2]
2

Valans: 2

Al: 1s 2s 2p [3s 3p ]
2

10

Valans:3

Valans:4

.e
e

Ge: 1s 2s 2p 3s 3p 3d [4s 4p ]

Elektronegatiflik: Elektronegatiflik bir atomun elektron alma eilimini tarif der. Klor gibi d

enerji seviyelerini hemen hemen tamamen doldurmu atomlar gl elektronegatiflerdir ve

kolaylkla elektron alrlar. Bu karn sodyum gibi d seviyeleri hemen hemen bo olan atomlar

kolaylkla elektronlarn verirler ve gl elektropo-zitiftirler. Yksek atom numaral elementler de

dk bir elektronegatiflie sahiptirler; nk d elektronlar ekirdekten olduka uzatrlar ve

elektronlar atomlara kuvvetlice ekilemezler.

rnek // Na=11 elementinin her biri iin kuantum saylar setini tamamlaynz.

10

Elektriksel Malzemeler Ders Notlar

Yrd. Do. Dr. Nil Toplan

ml=0
ml=+1
ml=+1
ml=0
ml=0
ml=-1
ml=-1
ml=0
ml=0
ml=0
ml=0

ms= +1/2 ya da -1/2

ms= -1/2
ms= +1/2
ms= -1/2
ms= +1/2
ms= -1/2
ms= +1/2
ms= -1/2
ms= +1/2
ms= -1/2
ms= +1/2

co

l=0
l=1
l=1
l=1
l=1
l=1
l=1
l=0
l=0
l=0
l=0

ri.

n =3
n =2
n =2
n =2
n =2
n =2
n =2
n =2
n =2
n =1
n =1

ot
la

11.elektron
10.elektron
9.elektron
8.elektron
7.elektron
6.elektron
5.elektron
4.elektron
3.elektron
2.elektron
1.elektron

Na11=1s22s22p63s1

rnek :// Bir atomun M kabuundaki maksimum elektron saysn hesaplaynz?

M kabuu iin temel kuantum says n=3 ise l=0,1,2 dir.
3s2 l=0

mL=0

3p6l=1

mL=+1 ms =+1/2 ,-1/2

mL= 0 ms =+1/2 ,-1/2
mL=-1 ms =+1/2 ,-1/2

3d10l=2

mL= 2
mL= 1
mL= 0
mL=-1
mL=-2

de
rs
n

ms= +1/2 , -1/2

.e
e

ms =+1/2,-1/2
ms= +1/2,-1/2
ms =+1/2,-1/2
ms =+1/2,-1/2
ms= +1/2,-1/2

11

Yrd. Do. Dr. Nil Toplan

3. ATOMLARARASI BALAR

ri.

co

Atomlar birarada tutan Coulomb ekme kuvvetleri sayesinde atomlararas balar meydana gelir.
Coulomb ekme kuvvetlerinin gcne gre, kuvvetli ve zayf balar olmak zere 2 grup atomsal
ba vardr. Atomlararas kuvvetli balar d elektron kabuuna ait olan elektronlarn (valans
elektronlar) saysnn deimesiyle salanr. Atomlar byle bir deiimle daha dengeli duruma yani
asal gazlara zg duruma gelmeye alrlar. Bu srada elektron alma veya verme sz konusuysa,
elektriksel toplam yk sfr olan atom, negatif veya pozitif iyon haline geer. Her iyonun bir
elektrostatik alan ve dolaysyla evresi zerine bir kuvvet etkisi vardr.
Kuvvetli Balariyonik-kovalent-metalik
Zayf Balar-------Van der Waals ve hidrojen ba

Kuvvetli Balar

ot
la

1- yonik Ba : NaCl, MgO gibi pozitif ve negatif ykl iyonlarn birbirini ekmesiyle oluan
balardr. Ametallerle metaller arasnda olan balardr. yonik ba iin gerekli ba enerjisi 150-370
kcal/mol dr. Seramiklerin ou ve mineraller iyonik baa sahiptir.

yonik (elektrovalent) balar

de
rs
n

Atomlar, elektron kazanarak ya da kaybederek

iyon ad verilen ykl paracklar olutururlar.

anyon

katyon

.e
e

Bir iyonik ba, zt ykl iyonlar arasndaki ekim

kuvvetidir.

ekil: iyonik balanma

1

19

Yrd. Do. Dr. Nil Toplan

de
rs
n

ot
la

ri.

co

rnek: yok ba: Magnezyum atomunun son yrngesinde iki, Flor atomunun son yrngesinde
yedi elektron vardr. Magnezyum Florr bileii oluurken, magnezyum atomu son yrngesindeki
iki elektronunu verir. Oktet kuralna uyarak son yrngesindeki elektron saysn sekize tamamlar.
Bu iki elektronun her birini bir flor atomu alr. Flor atomlar da oktet kuralna uyarak son
yrngelerindeki elektron saylarn sekize tamamlarlar. Elektron alveriinden sonra magnezyum
atomu (+2) iyon, flor atomlar ( 1) iyon haline geerler. Zt elektrikle yklenen magnezyum ve flor
atomlar birbirlerini ekerler. Bylece aralarnda iyonik ba oluur.

20

.e
e

2- Metalik Ba
: Bir metal atomu d kabuunda bulunan elektronlardan 1, 2 ya da 3
elektronu kolayca vererek pozitif ykl iyonlara dnrler. Saf metallerde elektron alabilecek
trden atomlar bulunmad iin serbest kalan bu valans elektronlarna toplu olarak elektron bulutu
ad verilir. Pozitif ykl iyonlar ile elektron bulutu arasndaki elektrostatik kuvvetler metalik ba
oluumunu salar. kabuktaki elektronlar ise ekirdek etrafna skca tutunurlar. Bu olay
neticesinde serbest elektronlar ve bunlarn arasnda pozitif iyon adacklar olumas metalik ban
temelini oluturur. Serbest elektronlar elektron bulutu olutururlar. Pozitif iyon adacklar da bu
bulutun iinde yer alr. Negatif elektron bulutu ile pozitif iyonlar arasndaki ekim kuvveti metalik
ba oluturur. Pozitif iyonlar metalin kristalini tekil eder ve metale mekanik zelliklerini
kazandrr. Serbest elektronlar ise metale s ve elektrik iletkenlii zellikleri kazandrr. Metalik
ba iin gerekli ba enerjisi 25-200 kcal/mol dr. A

Metal iinde valans elektronlar serbest olarak hareket edebilirler. Metallerin elektriksel ve sl
iletkenliklerinin iyi olmasnn ana nedeni budur. Yar iletkenlerde ise iletkenlik, farkl
mekanizmalar yardmyla aklanr. Metal iyonlarnn yer deitirmesi bunlar ile elektron bulutu
arasndaki elektrostatik kuvvetlerde nemli bir deiiklik yaratmaz. Yani metalik ba
bozulmakszn atomlar birbirine gre telenebilir. Metallerin plastik ekil deitirme kabiliyetinin
temelinde bu zellik yatar.

Yrd. Do. Dr. Nil Toplan

ot
la

ri.

co

Metalik balar

43

Ato
k olan metallerde metalik ba daha kk olan metallerde metalik ba daha ba kuvvetliyse
erime ve kaynama noktalar da yksektir

H + H

H:H

de
rs
n

3- Kovalent Ba
:Ametallerin kendi aralarnda yaptklar balardr.
Atomlar arasnda
elektronlarn ortak kullanlmas ile molekller oluturulur. H2, O2, CH4 moleklleri gibi. Kovalent
ba komu atomlar arasnda elektronlar ortaklaa kullanlarak, ikier elektronlardan oluan kprler
yardmyla salanr. zellikle gaz molekllerinin atomlar arasnda grlen bu ba tr ayrca 4
valans elektronlu yar iletkenlere de zgdr.

Kovalent balar

.e
e

Elektronegatiflikleri ayn ya da yakn olan iki ya da

daha fazla atom, tam bir elektron aktarm olmakszn
elektronlar paylaarak soygaz yapsna ularlar.
Bylece atomlar arasnda kovalent balar oluur.

22

Zayf Balar-------Van der Waals

: Van der Waals balar atom veya molekllerdeki pozitif veya negatif
Van der Waals
elektron yklerinin merkezlerinin ayn noktaya dmemesi neticesinde ortaya kan kutuplamadan
doarlar. Van der waals balar molekller veya atom gruplarn zayf elektrostatik ekimlerle
3

Yrd. Do. Dr. Nil Toplan

birbirine balar. Birok plastik, seramik, su ve dier molekller srekli kutuplar (polarize edilir),
bu molekllerin baz ksmlar pozitif olarak yklenme eiliminde iken dier ksmlar negatif olarak
yklenirler. Simetrik olmayan her molekl bir ift kutup tekil eder ve bu kutuplama molekllerin
birbirine balanmasna sebep olur.

ri.

Van der Waals kuvvetleri

co

Van der waals ba ikincil bir badr, ancak molekl iindeki atomlar veya atom gruplar kuvvetli
kovalent veya iyonik ba ile balanrlar. Suyu kaynama noktasna stmak van der waals balarn
krar ve suyu buhara dntrr, ancak oksijen ve hidrojen atomlarn birletiren kovalent ba
krmak iin ok yksek scaklklar gerekir.

de
rs
n

ot
la

Dipol-dipol etkileimidir.

44

Hidrojen Balar : Hidrojen atomunun elektron alma zellii fazla olan N, O ve F gibi atomlarla
yapt molekller aras balardr. Hidrojen ba yapabilen bileikler suda iyi znr. rnein;
NH3, HF, H2O...

Hidrojen balar

.e
e

Bir hidrojen (H) atomunun oksijen (O) ve azot (N) gibi

bir elektronegatif atoma kovalent balanmas halinde,
elektronlarn oksijen ve azot atomuna hidrojenden daha
yakn bulunmalar nedeniyle elektropozitif hale gelen
hidrojenin baka bir elektronegatif atom tarafndan
ekilmesi sonucu meydana gelir.

40

Kark balar: Malzemelerde kuvvetli ve zayf balar ayr ayr bulunabilecei gibi, tek bir
malzemede birden fazla ba trne de rastlanr. CaSO4ta hem iyonik hemde kovalent balarn her
ikiside mevcuttur. Ca ve SO4 iyonu arasnda iyonik ba varken, S ile O arasnda kovalent ba
vardr.
4

Elektriksel Malzemeler Ders Notlar

Yrd. Do. Dr. Nil Toplan

Ba Enerjisi ve Atomlararas mesafe

co
ri.

ba enerjisi 150-370 Kcal/mol

ba enerjisi 125-300 Kcal/mol
ba enerjisi 25-200 Kcal/mol
ba enerjisi <10 Kcal/mol

5-10

de
rs
n

ot
la

Ba Enerjisi
yonik Ba iin
Kovalent Ba iin
Metalik Ba iin
Vander wals iin
Hidrojen ba iin

Atomlararas ba koparmak veya oluturmak iin gerekli min. enerjiye ba enerjisi denir. Denge
halindeki 2 iyon arasndaki uzakla atomlararas denge mesafesi ad verilir. Atomlararas denge
mesafesi 2 iyon yaraplarnn toplamna eit olacaktr. Scaklk, iyon ap, komu atomlarn says,
kovalentlik derecesi atomlararas denge mesafesini etkileyen faktrlerdir.

.e
e

ekil. Ba kuvvetleri ve ba enerjisi

ekil. H-H ba mukavemeti

Elektriksel Malzemeler Ders Notlar

Yrd. Do. Dr. Nil Toplan

Atomlararas Denge Mesafesi

co

Malzemeler ok sayda atomlarn ba kuvvetleri etkisi altnda bir arada dizilmesiyle oluur.
Atomlararas uzaklk atomlarn dizili biimini ve yapsn belirlemede byk rol oynar.
Atomlararas mesafeyi en basit ekilde anlatmak iin zt iaretli iki iyondan oluan bir model alnr.
ki iyon arasndaki ekme kuvveti sayesinde iyonlar aras mesafe azalr. yonlar birbirine
dediklerinde ayn ykl elektronlar arasndaki itme kuvvetleri uzakln azalmasn zorlatrrlar.
tme kuvvetleri yakn mesafede ok iddetlidir. Mesafe uzadka hzla azalan itme kuvveti 0 olur .
ekme ve itmenin eit olduu noktada kuvvet sfrdr ve iyonlar aras denge oluur. Denge
halindeki iki iyon arasndaki uzakla, atomlar aras denge mesafe ad verilir.

ri.

Atomlararas mesafeyi etkileyen faktrler:

ot
la

Scaklk
Denge halindeki iki atomun arasndaki uzaklk bunlarn atom yaraplarnn toplamna eittir. Bu
mesafeler scakl arttrmamz durumunda artacaktr
Saf Metal da Mesafe
= R+R =2R
ki tr Metal da mesafe
= R1+R2
yon ap

de
rs
n

Bir atomdan valans elektronlar uzaklatrlrsa ap klr, ilave edilirse ap byr. Bu tr

malzemelerde atomlararas mesafe iyon aplarnn toplamna eittir.
rnek : //
Ntr Fe atomunun yarap R=1,241
Fe+2nin R=0,74
Fe+3nin R=0,64
O-2nin R=1,41
FeO malzemesinde atomlararas mesafe = 1,41+0,74 = 2,15
Bir atomu kuatan atomlarn says= Koordinasyon says

.e
e

Bir atomu evreleyen atomlarn says arttka bunlarn elektronlarnn arasndaki zt etkileme
nedeniyle atomlararas mesafe de artacaktr. HMK sistemde bir atoma en yakn komu atomlarn
says (KS) 8 dir. YMK sistemde ise KS=12dir. YMK sistemde komu atomlar, HMK sistemdeki
atomlara gre biraz daha uzaktrlar ve YMK yapdaki atomlararas mesafe daha fazladr. rnein
HMK ntr demirde atomlararas mesafe 1.241 A iken YMK ntr Fe de biraz artarak 1.269 A
olmaktadr.

Kovalentlik derecesi
Kovalent bal cisimlerde kovalentlik derecesi dolaysyla paylalan elektron says arttka
atomlar birbirlerini daha kuvvetli ekeceklerinden atomlararas mesafe azalr. nk ne kadar ok
elektron paylalrsa, atomlar birbirini daha kuvvetli ekeceklerdir. Dolays ile atomlar birbirinden
ayrmak iin de daha fazla enerjiye ihtiya duyulacaktr.
rnek://
C-C = 1,54
CC = 1,2

Bir malzemeye ait ba enerjisi ukuru ne kadar derin ise, o malzemenin atomlararas ban
koparmak iin o kadar fazla enerjiye ihtiya vardr. Dolays ile malzemenin ergime scakl da o
oranda yksek olur. Ergime scakl yksek olan malzemelerin sl genlemeleri daha dktr.
2

Elektriksel Malzemeler Ders Notlar

Yrd. Do. Dr. Nil Toplan

2.5. Koordinasyon Says

Gerek malzemeler yalnzca iki atom arasnda deil, ok sayda atomlarn ba kuvvetleri etkisinde
ktle halinde dizilmeleri sonucu oluurlar. Koordinasyon says bir atoma teet komu atomlarn
saysna denilmektedir. Bireysel atomlardan oluan gazlarda atomlar aras ba olmadndan
koordinasyon says sfr saylr.

([Ni(CO)4] , [Cu(CN)4]3-, Si, Ge, ZnS)

KS: 6 (NaCl)

.e
e

KS: 4

de
rs
n

ot
la

ri.

Tablo. Koordinasyon says ve atom aplar arasndaki oran ilikisi

Koordinasyon Says Minimum r/R oran
3
0,155
4
0,255
6
0,414
8
0,732
12
1,00

co

Merkez atom yarap r onu evreleyen atomlarn yarap R ise r/R oran bize koordinasyon
saysn verir. Minimum atomik boyut oranlar ( r/R) koordinasyon saysnn belirlenmesinde
etkilidir. R (-) iyon ap, r (+) iyon ap

KS=8 (CsCl)

KS: 12 (Pb)
3

Elektriksel Malzemeler Ders Notlar

Yrd. Do. Dr. Nil Toplan

Malzemelerdeki hatalar ihmal edersek, atomik dzenlemeyi 3 aamada inceleyebiliriz.

Dzensizlik (Amorf yap)
Ksa mesafede dzenlilik (Molekler yap)
Uzun mesafede
(Kristal yap)

BLM 4. KRSTAL YAPILAR

de
rs
n

ot
la

ri.

co

Atomlarn dizilme ekillerine bal olarak, malzemelerin zellikleri ve mikroyaplar deimektedir.

Bir malzemeyi meydana getiren yaplardan amorf yap, atomlarn dzensiz veya rastgele dizilmesi
(gazlar, svlar ve kat maddelerden cam amorf yapya rnektir) ile, molekler yap, molekllerin
zayf balarla balanarak birarada bulunmas ile (Molekler yapl malzemelerde, molekl
ierisinde dzenli bir dizili szkonusu iken molekller aras rastgele bir dizilie sahiptir. H2O,
CO2, O2, N2 ve birok polimer malzemeler molekler yapya sahiptir). Kristal yap ise atomlarn
belirli bir geometrik dzene gre dizilmesi ile olumaktadr (btn metaller, ou seramik
malzemeler ve baz polimerler kristal yapya sahiptirler).

.e
e

ekil 1. Amorf ve kristalin yaplar

Atomlarn boyutlu uzayda belli bir dzene gre dizilmeleri sonucu oluan kristal yapda dzenli
dizili birbirinin tekrarlanmas eklinde olur. Dzenli yapnn en kk birimine birim hcre
denir. Birim hcre, tm kafesin btn zelliklerine sahiptir. Bunlar yan yana dizilerek kristal
yapnn tamam elde edilir. Bir kristal yapy tanmlamak iin birim hcresini tanmlamak yeterlidir.
Birim hcrenin kenar uzunluklar ve kenarlar arasndaki alar kafes parametresidir. Kafes
parametrelerinin farkl kombinasyonlar sonucu olarak deiik geometrik ekillere sahip 14 tane
kristal kafes mevcuttur. Metallerde en fazla grlen HMK, YMK ve HSP kristal kafesleridir.

Birim
Hcre
KristalYap

Elektriksel Malzemeler Ders Notlar

Yrd. Do. Dr. Nil Toplan

Kristal yap trleri

co

Genelde 7 farkl kristal tr veya sistemi vardr. Uzayda en genel halde bir eksen takm seilsin ve
bu eksen takm arasndaki alar , ve olsun ve uzay bu eksenler boyunca eit aralkl paralel
dzlemler geirilerek eit hacimlere ayrlsn. Aadaki ekilde de grld gibi x ekseni boyunca
a, y ekseni boyunca b ve z ekseni boyunca c aralklaryla geirilen dzlemlerin ayrd eit
hacimler eik ve genel prizma eklindedir. Birim hcre olarak adlandrdmz bu prizmann , ve
alarna ve a,b,c kenarlarna zel deerler verilerek 7 kristal trnn birim hcreleri elde edilir.
Tablo 1. 7 farklkristal sistemlerine ait kafes parametreleri

,,
== =90
== =90
== =90
= =90 90
90
90
Alar = = 90 ve
= 120

de
rs
n

ekil 2. Kafes parametreleri

a,b,c
a=b=c
a=bc
abc
abc
abc
a=b=c
a1=a2=a3c

ri.

Kristal Tr
Kbik
Tetragonal
Ortorombik
Monoklinik
Triklinik
Rombohedral
Hegzagonal

ot
la

Kbik kafes yaplar

Geometrik olarak kbik kristalde atomlar farkl ekilde dizilerek basit kbik (BK), hacim
merkezli kbik (HMK) ve yzey merkezli kbik (YMK) kafeslerini oluturabilirler.

a0=2R

.e
e

Basit Kbik (B.K)

Kelerde birbirine teet deen atomlar vardr. Ancak kararsz bir dizili tr olduu iin
doada bu yapda cisim yoktur.

Elektriksel Malzemeler Ders Notlar

Yrd. Do. Dr. Nil Toplan

ot
la

ri.

co

Hacim merkezli kbik (H.M.K)

Hacim merkezli kbik yapda kpn her kesinde ve merkezinde bir atom bulunur ve ke
atomlar merkeze teettir. Gerekte her kedeki atom 8 komu birim hcre tarafndan
paylalmaktadr. Bir kede birim hcreye ancak 1/8 lik bir dilim der. 3a=4R

de
rs
n

Yzey merkezli kbik (Y.M.K)

.e
e

Yzey merkezli kbik yapda kpn her kesinde ve yzey merkezlerinde bir atom bulunur.
Yzey merkezindeki atomlarn bir yars, gz nne alnan hcreye, dier yars komu hcreye
aittir.

rnek: Kbik kristal sistemdeki her bir hcre iin atom saylarn belirleyiniz?
Kbik sistemde birim hcredeki toplam atom says;

Ntoplam=Ni+1/4Nkenar +1/2 Nyzey +1/8 Nke

Birim hcre BK iin
Hacim merkezli kbik hcre (HMK) iin
Yzey merkezli kbik hcre (YMK) iin

: {1/8} * 8 ke
: ({1/8} * 8 ke)+1 merkezdeki
: ({1/8} * 8 ke)+(1/2)6 yzey

=1
=2
=4

Elektriksel Malzemeler Ders Notlar

Yrd. Do. Dr. Nil Toplan

ot
la

Polimorfizm ( Allotropi)

ri.

co

Hegzagonal sk paket yap (HSP)

rnek : Demir
Karmak yaplar

de
rs
n

Birden fazla kristal yapya sahip olan malzemeler allotrofik veya polimorfik malzemelr olarak
bilinir. (Scaklk ve basnca bal olarak birden fazla kristal yapda bulunabilme zellii) Allotropi
saf elementlerde, polimorfizm ise bileiklerde kullanlr. Bir metal birden fazla kistal yapya sahip
olabilir Fe ve Ti elementleri gibi. Silika gibi birok seramik malzemelerde de polimorfik
dnmler grlr. Malzemelerin stlmas ve soutulmas srasnda polimorfik veya allotropik
dnmler hacim deiikliine neden olur. Bu hacim deiimi uygun bir ekilde kontrol edilmezse
malzemenin atlama ve hasarna neden olur.
oda scaklnda H.M.K
>910 C0 Y.M.K
>1400 C0 H.M.K yapya sahiptir.

Elmas kbik yap ( Si, Ge, Sn, C gibi elementlerde)

NaCL ve CsCl (Sezyum klorr) yaplar
Kristal silika
Kristallemi polimerler

.e
e

Paketleme Faktr ( Atomsal Dolgu Faktr ) (Atom Dizim Katsays )

Bu faktr atomlarn dolu kreler olduunu varsayarak bulunan birim hcredeki atomlarn toplam
hacminin birim hcre hacmine blnmesiyle bulunur.

tomsay heratomunhacmi
Birimhcrehacmi

Paketlemefaktr =

rnek : H.M.K nn atomsal dolgu faktrn hesaplaynz.

4
2 r 3
8 r 3
8
3
Paketlemefaktr =
=
=
= 0,68
3
3
64
a

4
r
0

Metallerde en yksek atomik paketleme faktr 0.74 deeri ile YMK ve HSP yapdadr. HMK
yapda 0.68 iken basit kpte 0.53tr.
7

Elektriksel Malzemeler 5. hafta

Yrd.Do.Dr. Nil TOPLAN

Birim Hcrelerde Dorultular (Ynler) ve Dzlemler

[110]
726x102
1303x102
2105x102
3846x102

ot
la

ri.

Tablo . Anizotropik ve izotropik zelliklere sahip baz metallerin E deerleri

Metal
Metalin davran
Elastisite Modl(E) (MPa)
ekli
[111]
[100]
Alminyum
Anizotropik
762x102
637x102
Bakr

1911x102
667x102
Demir

2727x102
1250x102
2
Tungsten
zotropik
3846x10
3846x102

co

Malzemelerin zellikleri, kristalde zelliin lld dorultuya gre deiebilir. Miller indisleri bu
dorultular tanmlamakta kullanlan ksa gsterimlerdir. Kristallerde atomlarn merkezlerini birletiren
dorular uzatlacak olursa uzayda kafes grnmnde bir yap elde edilir. Bundan dolay bu yapya kafes
yaps ad verilir. Deiik dorultularda ve deiik dzenlerde farkl atomsal dizili grlr. Bu nedenle
zellikler dzlemlere ve dorultulara gre deiir. Buna anizotropi denir. Eer zellikler kristalin btn
dorultularnda benzer ise malzeme izotropiktir.

Kristal dorultular

[111]

[010]

.e
e

[100]

Uyar
Misal:
[122] gibi
durumlarda
hepsini en byk
indise bleceiz
[122] = [1/2 ,1,1]

[001]

0,0,0

de
rs
n

Kristallerin bir ok zellii kristal dorultusuna bal olarak deiir. Dorultular belirlemek iin miller
indisleri kullanlr ve [h k l ] eklinde ifade edilir.

000

[110]

Edeer dorultular ailesi

Kafes yaps simetrik zellie sahip olursa baz farkl dorultularda atom dizilileri ayndr. Bu
dorultulara edeer dorultular ad verilir. Bir kafes yapda edeer dorultularn tm bir edeer
dorultular ailesini oluturur ve bu ailenin miller indisleri < h k l > eklinde gsterilir.
rnek : <100> ailesini yaznz ?

[100] - [010] - [001] - [ 1 00] - [0 1 0] - [00 1 ]

<110> ailesini yaznz?

Sayfa 1 / 5

Elektriksel Malzemeler 5. hafta

Yrd.Do.Dr. Nil TOPLAN

[110]

[1 1 0]

[101]

[ 1 10]

[011]

[0 1 1]

[ 1 1 0]

[ 1 01]

[1 01 ]

[0 1 1]

[0 1 1 ]

[01 1 ]

Kristal Dzlemler

z
(-100)

ot
la

0,0,0

0,0,0

x
z

de
rs
n

(010)

(0-10)

0,0,0

(001)

0,0,0

0,0,0

.e
e

Misal :
(122) gibi
durumlarda byk
olanlarn tersini
alacaz
(122) = (1 ,1/2,1/2)

ri.

(100)

co

Kristallerde atomlar dzlemler boyunca dizilirler. Kafes yapdaki bir dzlemi belirtmek iin (h k l) miller
indislerini kullanlr
Negatif Gsterimler aslnda yle olmaldr r/ : ( 1 ,0,0)
Uyar

(00-1)

0,0,0

Sayfa 2 / 5

Elektriksel Malzemeler 5. hafta

z

Yrd.Do.Dr. Nil TOPLAN

z
(111)

x
z

(110)

(112)

.e
e

0,0,0

de
rs
n

0,0,0

1,1,2

1,1,

ot
la

ri.

0,0,0

co

0,0,0

(101)

**Dzlemler aras mesafe

Sayfa 3 / 5

Elektriksel Malzemeler 5. hafta

Yrd.Do.Dr. Nil TOPLAN
Miller indisleri h,k,l olan birbirine paralel en yakn iki dzlem arasndaki mesafe aadaki formlle
hesaplanr (dhkl )
a

d hkl =

bu denklemde a kafes parametresi hkl miller indisleridir

h + k2 + l2

co

rnek :

4,29
12 + 12 + 0 2

4,29
= 3,03 0
1,14

ot
la

d hkl =

ri.

Sodyum (HMK) yapdadr a= 4,29 A veriliyor miller indisleri (110) olan kristal dzlemleri gstererek bu
dzlemler aras mesafeyi hesaplaynz?

**Birim hcrelerde hacimsel, dzlemsel, dorusal younluk hesaplar

Bir malzemenin teorik (hacimsel) younluu kristal yapsnn zellikleri kullanlarak hesaplanabilir.

de
rs
n

tom say Her atomun ktlesi

Birim hcre hacmi Avagadro Say

d=

Birim Hcre hacmi kbik sistemlerde Kafes parametresinin kbne eittir.

rnek : Kafes parametresi 2,866 A0 olan H.M.K Fe in younluunu hesaplaynz?

2 * 55,85.10-6
_
-30
23
23,54.10 *6,023.10

10-6 ile arpp

Ton a evirdik

= 7,878 ton/m3

.e
e

d=

Atom says = 2
Atomik ktle= 55,85 gr/mol
a = 2,866 .10-10 m
Avagadro says = 6,023*1023

rnek: YMK Bakr atomunun yarap r=1,278 A atom arl 63,5gr/mol olduuna gre younluunu
hesaplaynz?

a=4r/2=3,61.10-8

d=

n AtomMa
4 * 63,5
=
= 8,98 gr/cm3
a Avagadro Say (3,61.10 8 ) 3 * 6,02.10 23
3

Dzlemsel d(younluk)

Yzey atom says

Yzey alan

Sayfa 4 / 5

Yrd.Do.Dr. Nil TOPLAN

Elektriksel Malzemeler 5. hafta

Belirli bir ynde seilen uzunlukta
bir izgi tarafndan kesilen atom says
Dorusal d(younluk)
=
Seilen izgi Uzunluu

co

rnek: HMK yapdaki Fe (110) dzleminin dzlemsel atom younluunu mm2ye den atom
cinsinden hesaplaynz a= 0,278nm

z
(110)

a0

2a=4R

2R

ot
la

0,0,0

ri.

de
rs
n

1
4* +1
2
2
4
d=
= 2
=
= 1,72.10 23 atom/mm2
2
aa 2
a 2 (0,278) 2

( )

rnek: Cu (YMK) yapdadr a=0,361 nm olduguna gre [110] ynnde dorusal atom younluunu
atom/mm cinsinden yaznz.
z

2 atom

.e
e

0,0,0

1,1,0

2
a 2

(0,361)

= 3,92.10 6 atom / mm

Dorusal d hkl =

Sayfa 5 / 5

Elektriksel Malzemeler 6. hafta

Yrd. Do. Dr. Nil TOPLAN

BLM 5. KRSTAL YAPI KUSURLARI

co

Gerek kristallerin hacim kafesi ideal dzenli yapdan birok sapmalar gsterir. Bu sapmalarn her biri
kafesin bozulmasna ve gerilmesine neden olur. Baz hallerde atom boluu, atom yer deitirmesi veya
fazla atom durumu olur ki bu hatalara nokta hatalar denir. izgi hatalar fazla bir atom dzleminin
kenarn gsterir. Son olarak komu kristaller arasnda veya bir kristalin d yzeyinde yzeysel (hudut )
hatalar bulunur. Byle hatalar mekanik kuvvet, elektriksel zelikleri ve kimyasal reaksiyon gibi
malzemenin birok zelliklerini etkiler.
5.1 Noktasal Hatalar

de
rs
n

ot
la

ri.

Boluklar; En basit nokta hatasdr, metal yaps iinde yerinde bulunmayan (yeri bo olan) bir atomun
hatasdr. Byle bir hata ilk kristalleme srasnda atomlarn hatal olarak ylmas veya yksek scaklk
derecesinde termal titreimleri sonucu olabilir. Isl enerji ykseldike tek atomun dk enerji
seviyesindeki yerinden darya frlamas ihtimali artar. Boluklar, tek veya iki ile daha fazlas bir arada
toplanarak iki boluk veya boluk olabilir (ekil 1).

.e
e

ekil 1. Atom boluu hatas

(a)
(b)
ekil 2. a. Safszlk hatas b. sar atom yeralan atom hatasn temsil ediyor

Arayer ve yeralan hatalar; Normal olamayan bir kafes noktasnda, kafes yaps ierisinde fazla atom
yerletirildiinde bir arayer hatas oluur. Bir atom farkl bir atomla yer deitirdiinde yeralan hatas
meydana gelir. Yeralan atomu normal orijinal kafes noktasnda yer alr. Arayer ve yeralan hatalarnn her
ikisi de malzemelerde empriteler ve bilinli olarak katlan elementler olarak bulunur (ekil 3 ).
Sayfa 1 / 6

Yrd. Do. Dr. Nil TOPLAN

Elektriksel Malzemeler 6. hafta

co

ekil 3. Arayer atom hatas

ri.

Schottky hatalar; Boluklara ok benzer, fakat elektrik yk dengesi nedeniyle bileik olarak bulunurlar
(ekil 4). Ayr iaretli iki iyon boluu eklindedir. Boluklar ve Schottky hatalarnn her ikisi de atom
yaynmasn kolaylatrr.

ot
la

Frenkel hatalar; Kristal kafesindeki bir iyon yerinden kp bir arayer atomu ekline geerse buna
Frenkel hatas denir. Sk paketli yaplarda atomu arayere sktrmak iin daha ok enerji gerektiinden
Schottky hatalarndan daha az Frenkel hatalar ile arayer hatalar bulunur.

de
rs
n

FD - Frenkel defect - cation

vacancy and cation interstitial.

SD - Schottky defect - anion and

.e
e

ekil 4. Frenkel, Schottky ve boluk hatalar

5.2.izgisel Hatalar

Bir kristalin iinde en ok grlen hata dislokasyondur. Dislokasyonlar kristal yapdaki izgisel
kusurlardr. ki deiik trde grlr: kenar dislokasyonlar ve vida dislokasyonlar. Kenar dislokasyonu
(sembol ) kristal iinde sona eren bir kafes dzleminin kenar olarak dnlebilir (ekil 5-a). Vida
dislokasyonunda kafes dzlemi kendisine dik olan dislokasyon izgisi etrafnda spiral eklini alr (ekil
5-b). Dislokasyonlar ok ksa blmlerde saf kenar veya saf vida karakteri gsterip, genellikle bu ikisinin
bileimi olan kark dislokasyon halindedirler.
Kristal kafesinde atomlarn telenmesi, dislokasyonlarn varl ve bunlarn harekete geirilmesi yoluyla
daha dk kuvvetle salanabilir. Bu olgu metallerde byk lde dislokasyon hareketleri ile
gerekleen plastik ekil deiim kabiliyetinin iyi olmasnda nemli rol oynar. ekil 6 de kark
dislokasyon verilmitir.

Sayfa 2 / 6

Yrd. Do. Dr. Nil TOPLAN

de
rs
n

(a)

ot
la

ri.

co

Elektriksel Malzemeler 6. hafta

(b)

.e
e

ekil 4. (a) Kenar dislokasyonu (b) Vida dislokasyonu

ekil 6. Kark dislokasyon

Sayfa 3 / 6

Yrd. Do. Dr. Nil TOPLAN

5.3.Yzeysel Hatalar

de
rs
n

ekil 7. Dislokasyon hareketi

ot
la

ri.

co

Elektriksel Malzemeler 6. hafta

ekil 7 da dislokasyon hareketi grlmektedir.

Bir cismin yzeyinde bulunan atomlar enerji ynnden ieridekilerden farkldr. erideki atomlar komu
atomlarla tamamen kuatlm olup dk enerji konumundadrlar. Yzey atomlarnn ise bir yanlarnda
komu atomlar yoktur ve ktle tarafndan daha byk bir kuvvetle ekilirler, bu nedenle de enerjileri daha
yksektir. Yzeye atom eklenirse bir miktar enerji aa kar, eer yzeyden atom koparlmak istenirse
bir miktar enerji vermek gerekir. Yzeydeki bu fazla enerjiye yzey enerjisi denir.

.e
e

Tane Snrlar; Metallerin mikroyaplar ve dier pek ok kat malzeme, birok tanelerden meydana
gelir. Tane, ierisinde atom dizilmelerinin zde olduu malzemenin bir ksmdr. Buna kar atom dizili
ynlenmesi veya kristal yap her bitiik an iin farkldr. ekil 8de ematik olarak taneler gsterilmitir;
her tane iinde kafes yaps ayndr fakat kafes ynlenmeleri farkldr. Tane snr, bireysel taneleri
birbirinden ayran yzeydir ve atomlarn dzgn yerlemedii dar bir alandr.

ekil 8. Tane snrna yakn atomlar dengeli bir aralk ve dizilme oluturamazlar

Sayfa 4 / 6

Cotteril

ot
la

ri.

co

Elektriksel Malzemeler 6. hafta

Yrd. Do. Dr. Nil TOPLAN
Kk al tane snr; Kk al bir tane snr, dislokasyonlarn bitiik kafesler arasnda kk bir
ynlenme bozukluu oluturduu bir dislokasyon srasdr (ekil 9). Yzey enerjisi, dzenli tane
snrnkinden az olduu iin, kk al tane snrlar kaymay engelleyecek kadar etkili deildir. Kenar
dislokasyonlar tarafndan oluturulan kk al tane snrlar eik snrlar ve vida dislokasyonlarnn
neden olduu snrlar ise burma snrlar olarak adlandrlr.

ekil 9. Kk al tane snrlar (Kk al tane snr dislokasyonlarn dizilmesiyle oluur ve snrn her iki tarafnda
kafesler arasnda benzer olmayan as oluur.)

.e
e

de
rs
n

stif hatalar:stif hatalar YMK metallerde olur ve sk paket dzlemlerin istiflenmesi srasndaki bir
hatay gsterir. Normal olarak hatasz bir YKM kafsinde istiflenme sras ABCABCABC eklindedir.
Fakat aadaki sralamann olutuu kabul edilsin.
ABCABAB,CABC
Gsterilen sralanmada, A tipi bir dzlem, normalde C dzleminin yerlemesi gerektii yerde
gsterilmitir.

ekil 10. istif hatas.

kiz snrlar; Bir ikiz snr, dzlem boyunca kafes yapsndaki ynlenme bozukluunun zel bir ayna
grnts olan bir dzlemdir (ekil 11). kizler, ikiz snr boyunca kayma kuvveti etkidiinde oluabilir
ve atomlarn pozisyon dna kaymasna neden olur. kizlenme belirli metallerin ekil deitirmesi veya
sl ilemi srasnda olur. kiz snrlar kayma ilemi ile kesiir ve metalin dayanmn arttrr.

Sayfa 5 / 6

Yrd. Do. Dr. Nil TOPLAN

ekil 11. kiz snrlar

Nv=Nexp [-Qv/kT] bants ile hesaplanabilir.

ot
la

Bir malzemenin belirli scaklktaki atom boluklar says (Nv);

ri.

co

Elektriksel Malzemeler 6. hafta

de
rs
n

Nv: Kristal kafesin belirli bir hacmindeki atom boluu says

N: Kristal kafesin birim hcresindeki atom says (atom/m3)
Qv: Bir atom boluunun oluabilmesi iin gerekli aktivasyon enerjisi (eV/atom)
T: Mutlak scaklk (K)
k: Gaz veya boltzman sabiti (8.62.10 -5 eV/atom K)

rnek: Altnn 900C de bir m3nde oluabilecek atom boluklarn hesaplaynz? Atom boluunun
oluabilmesi iin gerekli aktivasyon enerjisi 0.98 eV/atom olup; Altnn younluu 19.32 g/cm3 ve atom
ktlesi 196.9 g/moldr.
zm: Altnn 1m3 hacminde bulunabilecek atom says N, teorik younluk formlnden bulunabilir.

tom say Her atomun ktlesi

ise,
Birim hcre hacmi Avagadro Say

d=

6.023.10 23 atom / mol.19.32 g / cm 3 .10 6 cm 3 / m 3

=5.90.1028 atom/m3
196.9 g / mol

.e
e

Atom says (N)=

Nv=Nexp [-Qv/kT] =( 5.90.1028 atom/m3) exp [-(0.98 eV/atom)/ (8.62.10 -5 eV/atom K. 1173)]

Nv=3.64.1024 atom boluu/m3

Sayfa 6 / 6

co

ELEKTRONK ZELLKLER
Elektron teorileri genel olarak;
- Elektron gaz teorisi
- Serbest elektron teorisi
- Elektron band teorisi olarak 3 grupta incelenebilir.
Elektron gaz teorisinde elektronlarn tpk gaz atomlar gibi davranarak, serbest elektron teorisinde
elektronlarn kat ierisinde serbest olarak hareket ederek, band teorisinde elektronlarn kat ierisinde
belli enerji seviyelerinde bulunduklar ve seviyelerini deitirme sureti ile iletkenlii saladklar esas
alnmaktadr.

ot
la

ri.

Elektrik akm ou kez elektronlarn ynlenmi ak sonucu oluurken, baz durumlarda elektrik akm
iyonlarn hareketi ile de salanabilir. letkenlik ksaca malzemelerin elektrik akmn iletme yeteneidir.
Elektriksel yk tayclardan e ile yaynan (-) ykl iyonlar (anyon) eksi yk tayc, e boluklar ile
yaynan (+) ykl iyonlar (katyon)art yk tayclardr. Bir malzemenin iyi bir iletken olup olmadn
malzemenin her iki ucuna bir potansiyel fark tatbik edilerek anlalabilir. Geen akm iddeti I,
malzemenin direnci R ve tatbik edilen voltaj (V) arasndaki iliki, ohm kanununa gre;
I=V/R
Bir malzemenin direnci onun karakteristiine baldr. rnein Cu tel ayn kesit ve uzunluktaki demir tele
oranla daha dk bir dirence sahiptir. Bu fark ohm kanununa ilave edilerek zdiren ( )

de
rs
n

A
(ohm.cm2/cm= ohm.cm) elde edilir.
L
Bir malzemeyi iinden geen elektrik akmna kar diren gsteren deilde; iletken olarak dnmek
daha dorudur. letkenlik zdirencin tersine eittir.
1
=
(ohm.cm)-1

= R.

zgl iletkenlik, 1 cm3te bulunan yk tayc says ile orantldr.

= n.q.

.e
e

n: 1cm3te bulunan yk tayc says

q: birim elektrik yk (kulon, Amper.sn)
: elektriksel yk tayclarn iletken ortamdaki hareket yetenei (cm2/volt.sn)
E elektrik alan iinde belli bir ak (srklenme) hzna ulaan yk tayclar malzemedeki atomlarn sl
titreimleri, yap hatalar ile tanmlanr. Kesit alan A olan malzemede l uzunluu iinde tm yk
tayclar bir yzden dier yze hareket eder ve akm younluu (J);

J = n.q. olur.

J= n.q. .E = .E elde edilir.

= E olduundan;

Uygulamada malzemeler zdirenlerine veya iletkenliklerine gre; iletkenler, yariletkenler ve

yaltkanlar olarak 3 gruba ayrlrlar.

m
co

ot
la

ri.

Figure 1: Electrical conductivities of some common materials.

de
rs
n

Figure 2: The energy bands of metals, semiconductors and insulators. For the insulators and
semiconductors, the lower band is called the valence band and the higher band is called the conduction
band. The lower energy band in metals is partially filled with electrons.
LETKEN, YARI LETKEN VE YALITKANLAR
Enerji Seviyeleri ve Bant Yaplar

Elektronlar, atom ekirdei etrafnda belirli yrngeler boyunca srekli dnmektedir. Bu hareket,
dnyann gne etrafnda dnne benzetilir. Hareket halindeki elektron, iki kuvvetin etkisi ile
yrngesinde kalmaktadr:

.e
e

1. ekirdein ekme kuvveti

2. Dnme hareketi ile oluan merkezka kuvveti
Enerji Seviyeleri

Hareket halinde olmas nedeniyle her yrnge zerindeki elektronlar belirli bir enerjiye sahiptir. Eer
herhangi bir yolla elektronlara, sahip olduu enerjinin zerinde bir enerji uygulanrsa, ara yrngedeki
elektron bir st yrngeye geer. Valans elektrona uygulanan enerji ile de elektron atomu terk eder.
Valans elektronun serbest hale gemesi, o maddenin iletkenlik kazanmas demektir.

Valans elektronlara enerji veren etkenler:

1.
2.
3.
4.
5.

Elektriksel etki
Is etkisi
Ik etkisi
Elektronlar kanalyla yaplan bombardman etkisi
Manyetik etki

Ancak, valans elektronlar serbest hale geirecek enerji seviyeleri malzeme yapsna gre yle

deimektedir:
letkenler iin dk seviyeli bir enerji yeterlidir.
Yar iletkenlerde olduka fazla enerji gereklidir.
Yaltkanlar iin ok byk enerji verilmelidir.

Bant Yaplar

ri.

co

Malzemelerin iletkenlik dereceleri, en iyi ekilde, bant enerjileri ile tanmlanr.

Valans band enerji seviyesi: ekil 1 'de grld gibi her malzemenin, valans elektronlarnn belirli bir
enerji seviyesi vardr. Buna valans band enerjisi denmektedir. letkenlik band enerji seviyesi Valans
elektronu atomdan ayrabilmek iin verilmesi gereken bir enerji vardr. Bu enerji, iletkenlik band enerjisi
olarak tanmlanr.

ot
la

letkenlerde iletim iin verilmesi gereken enerji:

letkenlerin, ekil 1(a) 'da grld gibi, valans band enerji seviyesi ile iletkenlik band enerji seviyesi
bitiiktir. Bu nedenle verilen kk bir enerjiyle, pek ok valans elektron serbest hale geer.
Yariletkenlerde iletim iin verilmesi gereken enerji:

de
rs
n

Yariletkenlerin valans band ile iletkenlik band arasnda ekil 2(b) 'de grld gibi belirli bir boluk
band bulunmaktadr. Yar iletkeni, iletken hale geirebilmek iin valans elektronlarna, boluk bandnnki
kadar ek enerji vermek gerekir.
Yaltkanlarda iletim iin verilmesi gereken enerji:

.e
e

Yaltkanlarda ise, ekil 1.(c) 'de grld gibi olduka geni bir boluk band bulunmaktadr. Yani
elektronlar, valans bandndan iletkenlik bandna geirebilmek iin olduka byk bir enerji verilmesi
gerekmektedir.

ekil 1. letkenlik derecesine gre deien bant enerjileri

(a) letken,
(b) Yar iletken,

(c) Yaltkan

letkenler: Bir maddenin iletkenliini belirleyen en nemli faktr, atomlarnn son yrngesindeki

elektron saysdr. Bu son yrngeye "Valans Yrnge" zerinde bulunan elektronlara da "Valans
Elektron" denir. Valans elektronlar atom ekirdeine zayf olarak baldr. Valans yrngesindeki
elektron says 4 'den byk olan maddeler yaltkan 4 'den kk olan maddeler de iletkendir. rnein
bakr atomunun son yrngesinde sadece bir elektron bulunmaktadr. Bu da bakrn iletken olduunu
belirler. Bakrn iki ucuna bir eletrik enerjisi uygulandnda bakrdaki valans elektronlar g kaynann
pozitif kutbuna doru hareket eder. Bakr elektrik iletiminde yaygn olarak kullanlmaktadr. Sebebi ise
maliyetinin dk olmas ve iyi bir iletken olmasdr. En iyi iletken altn, daha sonra gmtr. Fakat
bunlarn maaliyetinin yksek olmas nedeniyle elektrik iletiminde kullanlmamaktadr.

ri.

ot
la

Elektrik akmn iyi iletirler.

Atomlarn d yrngesindeki elektronlar atoma zayf olarak baldr. Is, k ve elektriksel etki
altnda kolaylkla atomdan ayrlrlar.
D yrngedeki elektronlara Valans Elektron denir.
Metaller, baz sv ve gazlar iletken olarak kullanlr.
Metaller, sv ve gazlara gre daha iyi iletkendir.
Metaller de, iyi iletken ve kt iletken olarak kendi aralarnda gruplara ayrlr.
Atomlar 1 valans elektronlu olan metaller, iyi iletkendir. Buna rnek olarak, altn, gm, bakr
gsterilebilir.
Bakr tam saf olarak elde edilmediinden, altn ve gme gre biraz daha kt iletken olmasna
ramen, ucuz ve bol olduundan, en ok kullanlan metaldir.
Atomlarnda 2 ve 3 valans elektronu olan demir (2 d elektronlu) ve alminyum (3 d
elektronlu) iyi birer iletken olmamasna ramen, ucuz ve bol olduu iin gemi yllarda kablo
olarak kullanlmtr.

de
rs
n

co

letkenlerin balca zellikleri:

Yaltkanlar

Elektrik akmn iletmeyen maddelerdir. Bunlara rnek olarak cam, mika, kat, kauuk, lastik ve plastik
maddeler gsterilebilir. Elektronlar atomlarna sk olarak baldr. Bu maddelerin d yrngedeki
elektron saylar 8 ve 8 'e yakn sayda olduundan atomdan uzaklatrlmalar zor olmaktadr. Bu tr
yrngeler doymu yrnge snfna girdii iin elektron alp verme gibi bir istekleri yoktur. Bu
sebeplede elektrii iletmezler. Yaltkan maddeler iletken maddelerin yaltmnda kullanlr.

.e
e

Yar letkenler

Yar iletkenlerin valans yrngelerinde 4 elektron bulunmaktadr. Bu yzden yar iletkenler iletkenlerle
yaltkanlar arasnda yer almaktadr. Elektronik elemanlarda en yaygn olarak kullanlan yar iletkenler
Germanyum ve Silisyumdur. Tm yar iletkenler son yrngelerindeki atom saysn 8 'e karma
abasndadrlar. Bu nedenle saf bir germanyum maddesinde komu atomlar son yrngelerindeki
elektronlar Kovalent ba ile birletirerek ortak kullanrlar. ekilde Kovalent ba grlmektedir. Atomlar
arasndaki bu kovalent ba germanyuma kristallik zellii kazandrr. Silisyum maddeside zellik olarak
germanyumla hemen hemen ayndr. Fakat yar iletkenli elektronik devre elemanlarnda daha ok
silisyum kullanlr. Silisyum ve Germanyum devre eleman retiminde saf olarak kullanlmaz. Bu
maddelere katk katlarak Pozitif ve Negatif maddeler elde edilir. Pozitif (+) maddelere "P tipi", Negatif () maddelere de "N tipi" maddeler denir.

Yar iletkenlerin balca u zellikleri vardr:

co

ri.

letkenlik bakmndan iletkenler ile yaltkanlar arasnda yer alrlar,

Normal halde yaltkandrlar.
Ancak s, k ve magnetik etki altnda brakldnda veya gerilim uygulandnda bir miktar
valans elektronu serbest hale geer, yani iletkenlik zellii kazanr.
Bu ekilde iletkenlik zellii kazanmas geici olup, d etki kalknca elektronlar tekrar
atomlarna dnerler.
Tabiatta basit eleman halinde bulunduu gibi laboratuarda bileik eleman halinde de elde edilir.
Yar iletkenler kristal yapya sahiptirler. Yani atomlar kbik kafes sistemi denilen belirli bir
dzende sralanmtr.
Bu tr yar iletkenler, yukarda belirtildii gibi s, k, etkisi ve gerilim uygulanmas ile belirli
oranda iletken hale geirildii gibi, ilerine baz zel maddeler katlarak da iletkenlikleri
arttrlmaktadr.
Katk maddeleriyle iletkenlikleri arttrlan yar iletkenlerin elektronikte ayr bir yeri vardr.
Bunun nedeni Tablo 1.de grld gibi, elektronik devre elemanlarnn retiminde
kullanlmalardr.

ot
la

Tablo 1. Elektronikte yararlanlan yar iletkenler ve kullanlma yerleri.

ADI

KULLANILMA YER
Diyot,
devre
Diyot,
devre

transistr,

de
rs
n

Germanyum (Ge) (Basit eleman)

Silisyum (Si) (Basit eleman)

Selenyum (Se) (Basit eleman)

transistr,

entegre,
entegre,

Diyot

Bakr oksit (kuproksit) (CuO) (Bileik

Diyot
eleman)
Galliyum Arsenid (GaAs) (Bileik Tnel diyot, laser, fotodiyot,
eleman)
led

Indiyum Fosfur (InP) (Bileik eleman) Diyot, transistr

.e
e

Kurun Slfr (PbS) (Bileik eleman) Gne pili (Fotosel)

Saf Germanyumun ve Silisyumun Kristal Yaps, Kovalent Balar

Germanyum ve Silisyum yar iletkenleri, kristal yaplarnn kazandrd bir takm iletken zelliine
sahiptir. Germanyum ve Silisyum, elektroniin ana elemanlar olan, DYOTLARIN,
TRANSSTRLERN ve ENTEGRE DEVRELERN retiminde kullanlmaktadr. Bu nedenle,
elektronik devre elemanlar hakkndaki temel bilgilerin edinilebilmesi bakmndan bu iki yar iletkenin
yaplarnn iyi bilinmesi gerekir.

co

Her iki yar iletken de tabiattan elde edilmekte ve saflatrlarak monokristal haline getirildikten sonra
devre elemanlarn retiminde kullanlmaktadr.

ri.

Germanyumun Elde Edilii:

1. Baz cins maden kmrnn baca tozlarndan,

2. inko rafine endstrisi yan rnlerinden

ot
la

Germanyum balca iki kaynaktan salanr:

Yukarda belirtilen kaynaklardan germanyumun oluturulabilmesi iin uzun ilemler gerekmektedir.

de
rs
n

Bu iki evrede oluturulan germanyum henz saf deildir ve ierisinde baz yabanc maddeler bulunur.
Germanyumun kullanlabilmesi iin nce iindeki yabanc madde orannn 1/108 'in altna drlmesi
gerekmektedir. Bunu salamak iinde ikinci evre olarak saflatrma ilemi yaplr.
Germanyumun Saflatrlmas:

Germanyumun saflatrlmasnda en ok uygulanan yntem "Blgesel saflatrma" dr.

.e
e

ubuk ekline getirilmi, yaklak 100 gram arlndaki germanyum ekil 2.2 'de grld gibi zel
bir pota ierisine konularak, saatte 5-6 cm 'lik hzla, endksiyon yolu ile stlan bir frnn ierisinden
geirilir.

Istc
sistem,
germanyumun
erime
derecesi
olan
936C'ye
ayarlanmtr.
Germanyum ubuun stc ierisine giren ucu erimeye balar ve ubuun hareketi ile erime bir utan
dier uca doru devam eder. Ayn anda germanyum ierisindeki yabanc maddeler de eriyerek ubuun
arka tarafna toplanr. Saflatrma sonunda bu u kesilerek alnr. Kesilecek u diren kontrol ile
belirlenir. Germanyum saflatka direnci artmaktadr. Gerekirse bu ilemler birka kez daha

tekrarlanarak germanyumun saflk derecesi arttrlabilir. Bu halde germanyum henz polikristaldir.

Silisyumun Elde Edilii ve Saflatrlmas:

Silisyum tabiatta silika halinde bol miktarda bulunur. Silisyum, germanyum iin anlatlan yntemle
saflatrlmaz. erisinde bulunan BOR "blgesel saflatrma" yolu ile tamamen alnamamaktadr.
Saflatrma ilemi ok uzun srmektedir.

co

Germanyumun MonoKristal Hale Getirilmesi:

de
rs
n

ot
la

ri.

Germanyum ve silisyum ancak MONOKRSTAL haline getirildikten sonra DYOT, TRANSSTR ve

ENTEGRE DEVRELERN retiminde kullanlabilir. "Monokristal" kelimesi uluslararas bir terimdir ve
Tek tip kristal anlamna gelmektedir.

ekil 2.3 - Germanyumun monokristal haline getirilmesi

Germanyumda monokristal yap yle olumaktadr:

.e
e

Poli kristalli saf germanyum grafit bir pota ierisinde ergime derecesine kadar stlr. Ergimi
germanyum ierisine, ekil 2.3 'te grld gibi monokristal halindeki germanyum ubuk daldrlp
yava yava dndrlerek ekilir. ekme ilemi ilerledike, eriyik halindeki germanyum da yzeysel
gerilim etkisiyle ubuk etrafnda toplanr ve ayn zamanda ubuun kristal yapsna uygun olarak
katlar. Btn eriyik katlancaya kadar ayn ilemle ekmeye devam edilir. Sounda, monokristal
yapya sahip bir germanyum kitlesi ortaya kar.

Silisyumun Monokristal Haline Getirilmesi:

Her ne kadar, monokristal silisyum da Germanyum gibi tek kristal ekirdekten retilse de, ergime
derecesinin yksek (1420C) olmas ve baka maddelerle birlememesi nedeniyle ilem ayrntlarnda
farkllklar vardr.
Saf Germanyum ve Silisyumun Kristal Yaps

Gerek Germanyum gerekse de Silisyum kristal yap bakmndan ayn olduundan, anlatmda rnek olarak
birinin veya dierinin alnmas fark etmemektedir.

MonoKristal yap nedir?

Kovalent Ba

de
rs
n

ot
la

ri.

co

Monokristal yapda atomlar ekil 2.4 'te boyutlu olarak gsterildii gibi, bir kbik kafes sistemi
oluturmaktadr. Sistemdeki krecikler, atomlar, atomlar arasndaki yollar da kovalent balar
gstermektedir.

Monokristal yaplarda, valans elektronlar komu iki atomun d yrngelerinde birlikte bulunmaktadr.
Bu durum iki elektron arasda sanki bir ba varm gibi yorumlanmaktadr. te bu sembolik baa
kovalent ba ad verilir. ekil 2.5 'te Germanyum monokristalin atomlar arasndaki kovalent balar
gsterilmitir. Kovalent balarn ucundaki elektronlar her iki atoma da bal bulunduundan atomlarn d
yrngeleri 8 elektronlu olmaktadr.

D yrngesinde 8 elektron bulunan atomlar elektron almaya ve vermeye istekli olmazlar.

.e
e

Bir monokristal stldnda veya k ve elektriksel gerilim etkisi altnda brakldnda, kovalent ba
kuvvetini yenen ok az saydaki elektron atomdan uzaklar. Bu durum bir yar iletkenlik belirtisi
olmaktadr.

Saf Olmayan (Katk Maddeli) Germanyum ve Silisyumun Kristal Yaps

Diyotlar, transistrler, entegre devreler v.b. gibi aktif devre elemanlarnn yapmnda kullanlan
germanyum ve silikon yar iletken kristallerinin nce N ve P tipi kristaller haline dntrlmeleri
gerekmektedir.

de
rs
n

ot
la

ri.

co

N veya P tipi kristal yapsn elde edebilmek iin. ekil 2.6 'da grld gibi bir pota ierisine konulan
germanyum veya silikon monokristali eritilir, belirli oranlarda katk maddesi kartrlr. Sonrada zel
olarak
hazrlanm
monokristal
ekirdek,
eriyie
daldrlp
dndrlerek
ekilir.
Konulan katk maddesinin cinsine gre ekilen kristal N veya P tipi olur.

N Tipi Yar letken Kristali

.e
e

Arsenik maddesinin atomlarnn valans yrngelerinde 5 adet elektron bulunur. Silisyum ile arsenik
maddeleri birletirildiinde, arsenik ile silisyum atomlarnn kurduklar kovalent badan arsenik
atomunun 1 elektronu akta kalr. ekilde akta kalan elektronu grlmektedir. Bu sayede birleimde
milyonlarca elektron serbest kalm olur. Bu da birleime "Negatif Madde" zellii kazandrr. N tipi
madde bir gerilim kaynana balandnda zerindeki serbest elektronlar kaynan negatif kutbundan
itilip pozitif kutbundan ekilirler ne gerilim kaynann negatif kutbundan pozitif kutbuna doru bir
elektron ak balar.

N Tipi Kristalin Oluumu:

Eritilen Germanyum veya Silisyum kristaline Tablo 2.2 'de verilen 5 valans elektronlu fosfor,
arsenik, antimuan gibi katk maddelerinden biri katlr.
Bu katk maddesi atomlarnn kristal iine yaylp etrafndaki Germanyum veya Silisyum
atomlar ile kovalent ba oluturmas salanr.

Tablo 2.2. N ve P tipi kristallerin yapmnda kullanlan elementler.

m
co

13
14
15
31
32
33
49
51

Yrngedeki
elektron
Sembol
says
KL M N O
Al 2 8 3
Alminyum
Si
Silisyum
28 4
P
Fosfor
28 5
Ga 2 8 18 3
Galliyum
Germanyum Ge 2 8 18 4
As 2 8 18 5
Arsenik
In
2 8 18 18 3
ndiyum
Antimuan
Sb 2 8 18 18 5

Eleman
ad

ri.

Atom
numaras

ot
la

Katk maddesinin kristal yap ierisinde yer al:

ekil 2.7 'de katk maddesi olarak en ok kullanlan Arseniin Germanyum kristalinde yer al
gsterilmitir.

de
rs
n

Arsenik 5 valans elektronlu olduundan ancak 4 elektronu komu germanyum atomlaryla kovalan ba
oluturur. 5. elektron ise ekirdein pozitif ekme kuvvetinin etkisi altnda zayf olarak atoma bal
kalmakta ve ufak bir enerji altnda serbest hale gemektedir. Hatta, bir ksm balangta, s ve k
etkisiyle atomdan ayrlr.
Bylece Arsenik, Germanyum kristali iin bir elektron kayna olmaktadr ve kristal ierisinde pek ok
serbest elektron bulunmaktadr.

.e
e

Bu yap, N tipi yar iletken kristali olarak tanmlanr.

"N tipi kristal" deyimindeki harfi, "Negatif" kelimesinin ilk harfidir. Kristal ierisindeki SERBEST
ELEKTRONLARIN yaratt "negatif elektrik ykn" sembolize etmektedir. N tipi kristaldeki AKIM
TAIMA LEMN bu elektronlar gerekletirmektedir.
N Tipi Yar letken Kristalinde Bulunanlar

Ge veya Si ATOMLARI: Kristal yapy oluturmaktadr. Aralarnda Kovalent ba vardr.

ri.

co

Verici Katk Maddesi: Atomlar kolaylkla elektron veren katk elementleridir. Bu nedenle Verici
Katk Maddesi denmitir.
Pozitif yonlar: Verici katk maddesi atomlarnn tamamna yakn ksm, Ge veya Si atomlar ile
kovalent ba oluturarak 1 elektronunu kaybetmi olduundan POZTF YON halindedirler.
Ancak, kovalent bal olduundan elektriksel bir etkisi bulunmamaktadr.
ounluk Tayclar: Verici katk maddesinden ayrlm olan elektronlardr.
Bu elektronlara, ok sayda olduundan ve akm tama grevini de yrttnden, ounluk
tayclar ad verilmitir.
Aznlk Tayclar: N tipi germanyum veya silikon kristalinde, s ve k emii nedeniyle, veya
gerilim etkisiyle kovalent balarn koparan bir ksm elektronun atomdan ayrlmas sonucu,
geride pozitif elektrik ykl Ge veya Si atomlar kalmaktadr.
Bu tr atomlar da elektrik akm tama zelliine sahiptir. Ancak aznlkta kaldndan, bunlara
da aznlk tayclar denmitir. Normal alma dzeninde nemli saylabilecek rolleri
bulunmamaktadr.

ot
la

P Tipi Yar letken Kristali

de
rs
n

Bor maddesininde valans yrngesinde 3 adet elektron bulunmaktadr. Silisyum maddesine bor maddesi
enjekte edildiinde atomlarn kurduu kovalent balardan bir elektronluk eksiklik kalr. Bu eksiklie
"Oyuk" ad verilir. Bu elektron eksiklii, karma "Pozitif Madde" zellii kazandrr. P tipi maddeye bir
gerilim kayna balandnda kaynan negatif kutbundaki elektronlar p tipi maddeki oyuklar
doldurarak kaynan pozitif kutbuna doru ilerlerler. Elektronlar pozitif kutba doru ilerlerken oyuklarda
elektronlarn ters ynnde hareket etmi olurlar. Bu kaynan pozitif kutbundan negatif kutbuna doru bir
oyuk hareketi salar.

Bu katk maddelerinin 3 valans elektron bulunduundan, atom teorisi gereince bunu 4 'e
tamamlamak ister, Bu nedenle, komu Ge veya Si atomundan 1 elektron alr ve 4 kovalent ba
oluturur.
1 elektron alan katk maddesi atomu, NEGATF YON haline gelir. Ancak, kovalent bal
olduundan herhangi bir elektriksel etkinlii olmaz. 1 elektronu kaybeden Ge veya Si atomunda 1
ELEKTRON BOLUU oluur. Bu boluk, genellikle delik veya oyuk olarak adlandrlr.
Bir elektron veren atom, pozitif elektrik yk hale geldiinden, delik veya oyuk yerine "POZTF
ELEKTRK YK" demek daha dorudur. Nitekim oluan kristale, " pozitif elektrik ykleri"
amalanarak P TP KRSTAL denmitir. P tipi kristalde akm tama ilemi "pozitif elektrik
ykleri" tarafndan gerekletirilir.

.e
e

Germanyum veya Silisyum kristaline Alminyum gibi 3 valans elektrona sahip bir katk maddesi ilave
edildiinde:

m
co
ri.
ot
la

P Tipi Yar letken Kristalinde Bulunanlar

.e
e

Ge veya Si Atomlar: Kristal yapy oluturmaktadr.

Verici Katk Maddesi: Elektron almak zere, katlan madde.
Negatif yonlar: Katk maddesi atomlarnn tamamna yakn ksm, Si veya Ge atomlarndan 1
elektron olarak negatif elektrik ykl hale gelmektedir. Ancak, bunlar kovalan bal olduundan
elektriksel bir etkisi bulunmadan negatif iyon halinde kalmaktadr.
ounluk Tayclar: 1 elektronu kaybetmi olan ve dolaysyla da, pozitif elektrik ykl
(oyuklu) hale gelen ok saydaki Si ve Ge atomlardr. Bunlar P tipi kristalde akm tama grevi
yaparlar.
Aznlk Tayclar: P tipi kristalde bulunabilen ok az saydaki serbest elektronlardr. Bunlara da,
akm tayc olarak az sayda bulunduundan, aznlk tayclar denmitir.

de
rs
n

Figure 4: A p-type and n-type semiconductor. The fifth valence electron of the n-type dopant can easily
jump to the conduction band and carry current. In the p-type semiconductor, electrons are easily promoted
to the vacant level in the dopant. This creates a hole in the valence band which can carry current by
traveling in the opposite direction of electron flow.

Saf yar iletkenlerde toplam iletkenlik; = nn .q. + n p .q.

n

n: eksi yk tayc elektronlarn hareket yetenei

p: art

boluklarn

www.eemdersnotlari.com
Elektriksel Malzemeler Ders Notlar

Yrd. Do. Dr. Nil Toplan

Ba Enerjisi ve Atomlararas mesafe

co
ri.

ba enerjisi 150-370 Kcal/mol

ba enerjisi 125-300 Kcal/mol
ba enerjisi 25-200 Kcal/mol
ba enerjisi <10 Kcal/mol

5-10

de
rs
n

ot
la

Ba Enerjisi
yonik Ba iin
Kovalent Ba iin
Metalik Ba iin
Vander wals iin
Hidrojen ba iin

Atomlararas ba koparmak veya oluturmak iin gerekli min. enerjiye ba enerjisi denir. Denge
halindeki 2 iyon arasndaki uzakla atomlararas denge mesafesi ad verilir. Atomlararas denge
mesafesi 2 iyon yaraplarnn toplamna eit olacaktr. Scaklk, iyon ap, komu atomlarn says,
kovalentlik derecesi atomlararas denge mesafesini etkileyen faktrlerdir.

.e
e

ekil. Ba kuvvetleri ve ba enerjisi

ekil. H-H ba mukavemeti

Elektriksel Malzemeler Ders Notlar

Yrd. Do. Dr. Nil Toplan

Atomlararas Denge Mesafesi

co

Malzemeler ok sayda atomlarn ba kuvvetleri etkisi altnda bir arada dizilmesiyle oluur.
Atomlararas uzaklk atomlarn dizili biimini ve yapsn belirlemede byk rol oynar.
Atomlararas mesafeyi en basit ekilde anlatmak iin zt iaretli iki iyondan oluan bir model alnr.
ki iyon arasndaki ekme kuvveti sayesinde iyonlar aras mesafe azalr. yonlar birbirine
dediklerinde ayn ykl elektronlar arasndaki itme kuvvetleri uzakln azalmasn zorlatrrlar.
tme kuvvetleri yakn mesafede ok iddetlidir. Mesafe uzadka hzla azalan itme kuvveti 0 olur .
ekme ve itmenin eit olduu noktada kuvvet sfrdr ve iyonlar aras denge oluur. Denge
halindeki iki iyon arasndaki uzakla, atomlar aras denge mesafe ad verilir.

ri.

Atomlararas mesafeyi etkileyen faktrler:

ot
la

Scaklk
Denge halindeki iki atomun arasndaki uzaklk bunlarn atom yaraplarnn toplamna eittir. Bu
mesafeler scakl arttrmamz durumunda artacaktr
Saf Metal da Mesafe
= R+R =2R
ki tr Metal da mesafe
= R1+R2
yon ap

de
rs
n

Bir atomdan valans elektronlar uzaklatrlrsa ap klr, ilave edilirse ap byr. Bu tr

malzemelerde atomlararas mesafe iyon aplarnn toplamna eittir.
rnek : //
Ntr Fe atomunun yarap R=1,241
Fe+2nin R=0,74
Fe+3nin R=0,64
O-2nin R=1,41
FeO malzemesinde atomlararas mesafe = 1,41+0,74 = 2,15
Bir atomu kuatan atomlarn says= Koordinasyon says

.e
e

Bir atomu evreleyen atomlarn says arttka bunlarn elektronlarnn arasndaki zt etkileme
nedeniyle atomlararas mesafe de artacaktr. HMK sistemde bir atoma en yakn komu atomlarn
says (KS) 8 dir. YMK sistemde ise KS=12dir. YMK sistemde komu atomlar, HMK sistemdeki
atomlara gre biraz daha uzaktrlar ve YMK yapdaki atomlararas mesafe daha fazladr. rnein
HMK ntr demirde atomlararas mesafe 1.241 A iken YMK ntr Fe de biraz artarak 1.269 A
olmaktadr.

Kovalentlik derecesi
Kovalent bal cisimlerde kovalentlik derecesi dolaysyla paylalan elektron says arttka
atomlar birbirlerini daha kuvvetli ekeceklerinden atomlararas mesafe azalr. nk ne kadar ok
elektron paylalrsa, atomlar birbirini daha kuvvetli ekeceklerdir. Dolays ile atomlar birbirinden
ayrmak iin de daha fazla enerjiye ihtiya duyulacaktr.
rnek://
C-C = 1,54
CC = 1,2

Bir malzemeye ait ba enerjisi ukuru ne kadar derin ise, o malzemenin atomlararas ban
koparmak iin o kadar fazla enerjiye ihtiya vardr. Dolays ile malzemenin ergime scakl da o
oranda yksek olur. Ergime scakl yksek olan malzemelerin sl genlemeleri daha dktr.
2

Elektriksel Malzemeler Ders Notlar

Yrd. Do. Dr. Nil Toplan

2.5. Koordinasyon Says

Gerek malzemeler yalnzca iki atom arasnda deil, ok sayda atomlarn ba kuvvetleri etkisinde
ktle halinde dizilmeleri sonucu oluurlar. Koordinasyon says bir atoma teet komu atomlarn
saysna denilmektedir. Bireysel atomlardan oluan gazlarda atomlar aras ba olmadndan
koordinasyon says sfr saylr.

([Ni(CO)4] , [Cu(CN)4]3-, Si, Ge, ZnS)

KS: 6 (NaCl)

.e
e

KS: 4

de
rs
n

ot
la

ri.

Tablo. Koordinasyon says ve atom aplar arasndaki oran ilikisi

Koordinasyon Says Minimum r/R oran
3
0,155
4
0,255
6
0,414
8
0,732
12
1,00

co

Merkez atom yarap r onu evreleyen atomlarn yarap R ise r/R oran bize koordinasyon
saysn verir. Minimum atomik boyut oranlar ( r/R) koordinasyon saysnn belirlenmesinde
etkilidir. R (-) iyon ap, r (+) iyon ap

KS=8 (CsCl)

KS: 12 (Pb)
3

Elektriksel Malzemeler Ders Notlar

Yrd. Do. Dr. Nil Toplan

Malzemelerdeki hatalar ihmal edersek, atomik dzenlemeyi 3 aamada inceleyebiliriz.

Dzensizlik (Amorf yap)
Ksa mesafede dzenlilik (Molekler yap)
Uzun mesafede
(Kristal yap)

BLM 4. KRSTAL YAPILAR

de
rs
n

ot
la

ri.

co

Atomlarn dizilme ekillerine bal olarak, malzemelerin zellikleri ve mikroyaplar deimektedir.

Bir malzemeyi meydana getiren yaplardan amorf yap, atomlarn dzensiz veya rastgele dizilmesi
(gazlar, svlar ve kat maddelerden cam amorf yapya rnektir) ile, molekler yap, molekllerin
zayf balarla balanarak birarada bulunmas ile (Molekler yapl malzemelerde, molekl
ierisinde dzenli bir dizili szkonusu iken molekller aras rastgele bir dizilie sahiptir. H2O,
CO2, O2, N2 ve birok polimer malzemeler molekler yapya sahiptir). Kristal yap ise atomlarn
belirli bir geometrik dzene gre dizilmesi ile olumaktadr (btn metaller, ou seramik
malzemeler ve baz polimerler kristal yapya sahiptirler).

.e
e

ekil 1. Amorf ve kristalin yaplar

Atomlarn boyutlu uzayda belli bir dzene gre dizilmeleri sonucu oluan kristal yapda dzenli
dizili birbirinin tekrarlanmas eklinde olur. Dzenli yapnn en kk birimine birim hcre
denir. Birim hcre, tm kafesin btn zelliklerine sahiptir. Bunlar yan yana dizilerek kristal
yapnn tamam elde edilir. Bir kristal yapy tanmlamak iin birim hcresini tanmlamak yeterlidir.
Birim hcrenin kenar uzunluklar ve kenarlar arasndaki alar kafes parametresidir. Kafes
parametrelerinin farkl kombinasyonlar sonucu olarak deiik geometrik ekillere sahip 14 tane
kristal kafes mevcuttur. Metallerde en fazla grlen HMK, YMK ve HSP kristal kafesleridir.

Birim
Hcre
KristalYap

Elektriksel Malzemeler Ders Notlar

Yrd. Do. Dr. Nil Toplan

Kristal yap trleri

co

Genelde 7 farkl kristal tr veya sistemi vardr. Uzayda en genel halde bir eksen takm seilsin ve
bu eksen takm arasndaki alar , ve olsun ve uzay bu eksenler boyunca eit aralkl paralel
dzlemler geirilerek eit hacimlere ayrlsn. Aadaki ekilde de grld gibi x ekseni boyunca
a, y ekseni boyunca b ve z ekseni boyunca c aralklaryla geirilen dzlemlerin ayrd eit
hacimler eik ve genel prizma eklindedir. Birim hcre olarak adlandrdmz bu prizmann , ve
alarna ve a,b,c kenarlarna zel deerler verilerek 7 kristal trnn birim hcreleri elde edilir.
Tablo 1. 7 farklkristal sistemlerine ait kafes parametreleri

,,
== =90
== =90
== =90
= =90 90
90
90
Alar = = 90 ve
= 120

de
rs
n

ekil 2. Kafes parametreleri

a,b,c
a=b=c
a=bc
abc
abc
abc
a=b=c
a1=a2=a3c

ri.

Kristal Tr
Kbik
Tetragonal
Ortorombik
Monoklinik
Triklinik
Rombohedral
Hegzagonal

ot
la

Kbik kafes yaplar

Geometrik olarak kbik kristalde atomlar farkl ekilde dizilerek basit kbik (BK), hacim
merkezli kbik (HMK) ve yzey merkezli kbik (YMK) kafeslerini oluturabilirler.

a0=2R

.e
e

Basit Kbik (B.K)

Kelerde birbirine teet deen atomlar vardr. Ancak kararsz bir dizili tr olduu iin
doada bu yapda cisim yoktur.

Elektriksel Malzemeler Ders Notlar

Yrd. Do. Dr. Nil Toplan

ot
la

ri.

co

Hacim merkezli kbik (H.M.K)

Hacim merkezli kbik yapda kpn her kesinde ve merkezinde bir atom bulunur ve ke
atomlar merkeze teettir. Gerekte her kedeki atom 8 komu birim hcre tarafndan
paylalmaktadr. Bir kede birim hcreye ancak 1/8 lik bir dilim der. 3a=4R

de
rs
n

Yzey merkezli kbik (Y.M.K)

.e
e

Yzey merkezli kbik yapda kpn her kesinde ve yzey merkezlerinde bir atom bulunur.
Yzey merkezindeki atomlarn bir yars, gz nne alnan hcreye, dier yars komu hcreye
aittir.

rnek: Kbik kristal sistemdeki her bir hcre iin atom saylarn belirleyiniz?
Kbik sistemde birim hcredeki toplam atom says;

Ntoplam=Ni+1/4Nkenar +1/2 Nyzey +1/8 Nke

Birim hcre BK iin
Hacim merkezli kbik hcre (HMK) iin
Yzey merkezli kbik hcre (YMK) iin

: {1/8} * 8 ke
: ({1/8} * 8 ke)+1 merkezdeki
: ({1/8} * 8 ke)+(1/2)6 yzey

=1
=2
=4

Elektriksel Malzemeler Ders Notlar

Yrd. Do. Dr. Nil Toplan

ot
la

Polimorfizm ( Allotropi)

ri.

co

Hegzagonal sk paket yap (HSP)

rnek : Demir
Karmak yaplar

de
rs
n

Birden fazla kristal yapya sahip olan malzemeler allotrofik veya polimorfik malzemelr olarak
bilinir. (Scaklk ve basnca bal olarak birden fazla kristal yapda bulunabilme zellii) Allotropi
saf elementlerde, polimorfizm ise bileiklerde kullanlr. Bir metal birden fazla kistal yapya sahip
olabilir Fe ve Ti elementleri gibi. Silika gibi birok seramik malzemelerde de polimorfik
dnmler grlr. Malzemelerin stlmas ve soutulmas srasnda polimorfik veya allotropik
dnmler hacim deiikliine neden olur. Bu hacim deiimi uygun bir ekilde kontrol edilmezse
malzemenin atlama ve hasarna neden olur.
oda scaklnda H.M.K
>910 C0 Y.M.K
>1400 C0 H.M.K yapya sahiptir.

Elmas kbik yap ( Si, Ge, Sn, C gibi elementlerde)

NaCL ve CsCl (Sezyum klorr) yaplar
Kristal silika
Kristallemi polimerler

.e
e

Paketleme Faktr ( Atomsal Dolgu Faktr ) (Atom Dizim Katsays )

Bu faktr atomlarn dolu kreler olduunu varsayarak bulunan birim hcredeki atomlarn toplam
hacminin birim hcre hacmine blnmesiyle bulunur.

tomsay heratomunhacmi
Birimhcrehacmi

Paketlemefaktr =

rnek : H.M.K nn atomsal dolgu faktrn hesaplaynz.

4
2 r 3
8 r 3
8
3
Paketlemefaktr =
=
=
= 0,68
3
3
64
a

4
r
0

Metallerde en yksek atomik paketleme faktr 0.74 deeri ile YMK ve HSP yapdadr. HMK
yapda 0.68 iken basit kpte 0.53tr.
7