Elektronik 1 - Eemdersnotlari - Com Geniş Konu Anlatımı

Blm 1: Pasif devre elemanlar
"Direnler, kondansatrler, bobinler"

Elektrik ve elektronikle ilgili temel kavramlar
1. Elektrik: Grek (Yunan) dilinde kehribar aacnn ad elektriktir. Ad geen toplumun bilginleri,
bu aacn kurumu dallarnn sa kllarna srtlmesinden sonra saman plerini ektiini belirleyince,
bu tip zellik gsteren tm dier cisimlere elektrik adn vermilerdir.
ok eski alarda ortaya konan elektrik kavramnn kapsad alan durgun (statik) elektriktir. 16.
yzyldan sonra hzlanan bilimsel ve teknolojik bulularn sonucunda ise durgun elektrik kavramnn
tesine geilerek, bugn yaantmzn her alannda yararlandmz elektrikli ve elektronik donanmlar
gelitirilmitir.
2. Elektronik: leriki blmlerde ayrntl olarak ilenecek olan madde konusunda da grlecei
gibi doada bulunan 112 elementten bazlarnn atomlarnn son yrngelerinde (valans yrnge)
bulunan eksi (-) ykl elektronlarn hareketlerinden (davranlarndan) yararlanarak eitli donanmlar
yapma bilimine elektronik denir. Baka bir tanm ise u ekildedir: Elektronik, serbest elektron
hareketinin denetimini konu edinen bilim daldr.
20. yzyl elektronik teknolojisinin atlma getii a olmutur. 21. yzyl ise yaantmzn her
diliminin elektronik dzeneklerle donand bir asr olacaktr. Elektronik bilim dal hemen hemen
btn bilim dallaryla iie gemi durumdadr. 1920'li yllarda uygulamaya girmeye balayan ilk
elektronik devreler lambalyd. (Lambal devre eleman: Havas boaltlm elektron lambasdr.) 1950'li
yllardan sonra ise transistrl elektronik devreler kullanlmaya baland.
1960'l yllarn ortalarndan sonra ise, transistrlerin yerine kk ama ok ilevli devre elemanlar,
yani entegreler n plana kt. Entegre (tmleik devre, yonga, chip) olarak adlandrdmz elemanlar,
devrelerin yapsn basitletirmekte, alma hzn artrmakta ve doru almay salamaktadr.
Gnmzde elektronik, ok eitli dallara (endstriyel elektronik, grnt sistemleri, tp elektronii,
dijital elektronik, iletiim, gvenlik...) ayrlabilecek duruma gelmitir. Ancak elektronik temelde, iki
ksmda incelenebilir:
V (V)
I. Analog (rneksel) elektronik
I (A)
II. Dijital (saysal) elektronik
Analog temelli devrelerde sinyalin
deiimi ekil 1.1'de grld gibi kk
zaman aralklarnda olmaktadr. Yani, her
an sinyalin deerleri farkldr ve sonsuz
sayda ara deerler sz konusudur. Dijital
ekil 1.1: Analog sinyal
ekil 1.2: Dijital sinyal
zellikli devrelerde gerilimin yava
deimesi, ona bal olarak devre akmnn
yava deiimi sz konusu olamaz. Dijital yapl devrelerin sinyallerinde ekil 1.2'de grld gibi
iki durum sz konusudur. Yani devreden akm gemekte ya da gememektedir. Anlatmlarda akmn
geme an '1' ile, gememe an ise '0' ile gsterilir. Sonu olarak analog devreler lp rnekler,
dijital devreler ise sayar.
3. Elektrik akm: letkenden (ya da alcdan) birim zamanda geen elektrik yk (elektron)
miktarna akm denir. Akm, elektronlarn hareketiyle ortaya kar. Ancak eskiden akmn art (+)
ykl oyuklar tarafndan tand sanldndan, bugn de eski (klasik) teorem kabul edilmektedir.
Baka bir deyile, bir pilde akm, art (+) utan eksi (-) uca doru gider deriz. Ancak gerekte akm
eksi (-) utan art (+) uca doru akar.
ekil 1.3'te iletken iindeki art (+) ve eksi (-) ykl paracklarn hareket ynleri gsterilmitir.
ekil 1.4'te ise pilin eksi (-) ucundan kan elektronlarn pilin art (+) ucuna doru hareketi
grlmektedir.
1
PDF created with pdfFactory trial version www.pdffactory.com
elektron akmnn yn
iletken
iletken
eksi yk
art yk
elektrik akmnn yn
V
ekil 1.3: Art (+) ve eksi (-) yklerin iletken iindeki hareketi
ekil 1.4: Elektrik akmnn iletkenden

geiinin basit olarak gsterilii
iletken
pil
Ry
analog
ampermetre
Akmn ast katlar: Pikoamper (pA), nanoamper

(nA), mikroamper (mA), miliamper (mA).
alc
Elektrik devresinden geen akm "I" ile

gsterilir ve ampermetreyle llr. Akmn birimi
amper (A), denklemi, I = V/R [A] eklindedir.
ekil 1.5'te DC reteciyle beslenen alcnn
ektii akmn analog tip ampermetreyle
llmesine ilikin balant emas verilmitir.
ekil 1.5: Ampermetrenin devreye balan
Akmn st katlar: Kiloamper (kA), megaamper (MA), gigaamper (GA).

Not: Megaamper ve gigaamper uygulamada pek kullanlmamaktadr. Akmn ast ve st katlar
biner biner byr ve klr.
4. Gerilim (EMK, elektromotor kuvvet, potansiyel fark): Bir retecin iki ucu arasndaki
potansiyel farka gerilim denir. Gerilim, voltmetreyle llr ve V, U, E ya da e ile gsterilir. Birimi
volt (V), denklemi, V = I.R [V] eklindedir.
Gerilimin ast katlar: Pikovolt (pV), nanovolt (nV), mikrovolt (mV), milivolt (mV).
Gerilimin st katlar: Kilovolt (kV), megavolt (MV), gigavolt (GV).
Not: Megavolt ve gigavolt uygulamada kullanlmamaktadr. Gerilimin ast ve st katlar biner
biner byr ve klr.
UV
II
V
RR
ekil 1.6: Ohm kanununun deikenlerinin gen iinde gsterilii
5. Ohm kanunu (yasas): 1828 ylnda George Simon Ohm (Corc Saymn Om) tarafndan
ortaya konan denkleme gre, bir alcya uygulanan gerilim arttka devreden geen akm da
artmaktadr. Alcnn direnci artrldnda ise geen akm azalmaktadr.
Baka bir deyile 1 ohm, 1 volt uygulanm devreden 1 amperlik akm gemesine izin veren diren
deeridir.
Ohm kanununda ortaya konan deikenlerin birbiriyle ilikisi ekil 1.6'da verilen ohm geniyle
aklanabilir. Bu gene gre, hesaplanmak istenen deerin zeri parmak ile kapatlarak denklem
2
kolayca karlabilir. Bu yaklama gre:

V = I.R [V], I = V/R [A], R = V/I [W] eitlikleri karmza kar.
6. Elektronik devre elemanlarnn ilev asndan snflandrlmas
a. Pasif devre elemanlar: Enerji kayna ya da etkin elektromotor kuvvetleri olmayan, gerilim
uygulandnda geen akmn sonucu olarak enerji harcayan ya da depolayan elemanlardr. yle ki;
direnler akm snrlamas yaparken s ve k eklinde enerji harcarlar. Kondansatrler, elektrik
enerjisini elektrik yk eklinde, bobinler ise manyetik alan olarak depolarlar.
b. Aktif devre elemanlar: Kendileri enerji reten ya da enerji seviyesini ykselten elemanlardr.
Pil, dinamo, enerji reten, amplifikatr, enerji seviyesini ykselten aktif eleman rnei olarak
gsterilebilir.
Pasif devre elemanlarnn incelenmesi
A. Direnler (rezistans, resistance)
Bir elektrik devresine gerilim uygulandnda, alcdan akm gemektedir. Geen akm snrlayan
etken devredeki direntir. Bu yaklama gre, elektrik akmnn geiine kar zorluk gsteren
elemanlara diren denir. Elektrik enerjisi diren zerinde sya dnerek harcanr.
Direnler, R ya da r ile ifade edilir. Elektrik devresinde diren denklemi, R = V/I, diren birimi ise
W (ohm)'dur. ekil 1.7'de sabit diren sembolleri verilmitir.
Direncin ast katlar: Pikoohm (pW), nanoohm (nW), mikroohm (mW), miliohm (mW).
Direncin st katlar: Kiloohm (kW), megaohm
(MW), gigaohm (GW).
Not: Pikoohm, nanoohm, mikroohm, miliohm,
gigaohm gibi birimlere sahip direnler uygulamada
pek kullanlmamaktadr.
eski sembol
yeni sembol
ekil 1.7: Sabit diren sembolleri
Direnlerin devredeki ilevleri (fonksiyonlar)

I. Devreden geen akm snrlayarak ayn deerde tutmak.
II. Devrenin besleme gerilimini blerek, yani klterek baka elemanlarn almasna yardmc olmak.
III. Hassas yapl devre elemanlarnn ar akma kar korunmasn salamak.
IV. Yk (alc) grevi yapmak.
V. Is enerjisi elde etmek.
Direnlerin retim ekline gre snflandrlmas
a. Sabit deerli direnler: Diren deerleri sabit olan, yani
deitirilemeyen elemanlardr. Bu direnler, zerlerinden geen akm
ve gerilimin deerine gre farkl diren gstermezler. Ayrca,
dardan yaplan etkiyle (mekanik ya da elektriksel) direnleri
deitirilemez.
Sabit deerli direnler 0,1 W'dan 22 MW'a kadar deiik deerlerde
ve eitli glerde retilir. Ancak bu, her deerde diren retilir
anlamna gelmez. Uygulamada standart deerlere sahip direnler
karmza kar. Eer standart d deerde bir dirence gerek duyulursa
seri ya da paralel balama yaplr. Ya da ayarl diren kullanlr.
Resim 1.1: Sabit direnler
b. Ayarl (deiken deerli) direnler: Diren deerleri,
hareket ettirilebilen orta ular sayesinde ayarlanabilen elemanlardr.
Bu elemanlar yksek direnli tel sarml ya da karbondan yaplrlar. Karbon tip ayarl direnler resim 1.2a'da grld gibi, karbon karml disk biiminde yaplr. Diren grevini, sktrlm kt ya da disk
(a)
(c)
(b)
()
Resim 1.2: eitli ayarl direnler
eklindeki karbon zerine ince bir tabaka eklinde kaplanm karbon karm yapar. Karbon diskin kesilerek
elde edilmi iki ucuna balant terminalleri taklr. nc u, esnek gezer kontak biiminde olup, disk
zerine srtnerek dner ve istenilen diren deerinin elde edilmesini salar. Baz tiplerde gezer u resim
1.2-'de grld gibi dorusal kaymal ekilde de olabilir.
Ayarl direnlerin yksek akm ve gerilimlere dayankl olanlarna ise reosta denir. Reostalar, devrede
akm, gerilim ayar yapmak iin kullanlan direnlerdir. Resim 1.3'te reostalar grlmektedir.
hareketli srg
diren teli
hareketli srg
Resim 1.3: Reostalar
Direnlerin yapld maddeye gre snflandrlmas

a. Karbon karml direnler: ekil 1.8'de grld gibi toz hlindeki karbonun, dolgu
maddesi ve reineli tutkal ile karmndan yaplm diren eididir.
Karbon direnlerin hata (tolerans) oranlar yksektir ve kullanldka (eskidike) diren deerleri
de deiir. Deiim zaman iinde % 20lere kadar ykselebilir.
gvde
karbon karml
diren maddesi
seramik
ekil 1.8: Karbon karml direncin yaps
metal film diren
ekil 1.9: Film direncin yaps
b. Film (ince tabakal) direnler: Seramik bir ubuun zerinin elektrik akmna kar diren
gsteren madde ile kaplanmasyla elde edilen diren eididir. ekil 1.9'da film direncin yaps
gsterilmitir.
Uygulamada kullanlan film diren eitleri unlardr:
Karbon film direnler
Metal oksit film direnler
Metal cam karm film direnler
Cermet (ceramic-metal) film direnler
Metal film direnler
Film tipi direnlerin hata oranlar % 0,1-2 gibi ok kk olabilmektedir. Ayrca bu tip direnlerin
yk altndaki kararllklar da ok iyidir. O nedenle bu tip direnler hassas yapl elektronik devrelerde
yaygn olarak kullanlrlar.
4
Diren snnca lehimli balant erir ve

kontaklar birbirinden ayrlr.
stc
olarak
kullanlan
ta diren
22 W, % 10 toleransl ta diren
10 W
5W
ekil 1.10: Termik dzenekli ta direnler
Resim 1.4: eitli ta direnler
c. Tel sarml (ta) direnler: Krom-nikel, nikel-gm, konstantan, tungsten, manganin gibi
maddelerden retilmi tellerin sya dayankl olan porselen, bakalit, amyant benzeri maddeler zerine
sarlmasyla yaplan direnlerdir.
Ta direnler byk gl olduundan yksek akm tayabilirler. Resim 1.4'te grlen ta direnlerin
byk gl olmas, bu elemanlarn etrafa yayd snn da artmasna yol aar. te bu nedenle
scaktan etkilenen elektrolitik kondansatr, diyot, transistr, entegre gibi elemanlar ta direnlerin
ok yaknna konmaz (monte edilmez).
Uygulamada kullanlan baz ta (tel) direnlerde, ar akm geii durumunda dier devrelerin
zarar grmesini engellemek amacyla yaplm termik dzenekler vardr.
ekil 1.10'da grld gibi direncin gvdesi zerinde ar akm sonucu oluan s lehimi eritir.
Diren gvdesindeki iki u birbirinden ayrlr ve akm geii durur. Sigortann atmas (lehimin erimesi)
direnten ar akm geii olduunu gsterir. Onarm yaplrken ayrlan ksm tel kullanarak birbirine
balamak ok sakncaldr. Bu yapldnda koruma dzenei bir daha grev yapamayarak devrenin
baka ksmlarnn bozulmasna yol aar.
Karbon ve tel sarml direnlerin teknik zellikler bakmndan karlatrlmas
a. Karbon direnler
b. Tel sarml (ta) direnler
-Byk deerli diren yapmaya uygundur. -Kk deerli direnleri yapmaya uygundur.
-Kk akml devrelerde kullanlr.
-Byk akml devrelerde kullanlr.
-Diren deeri renk koduyla belirtilir.
-Diren deeri gvde zerinde yazldr.
-Gleri 1/10 W-5 W arasnda deiir.
-Gleri 2 - 225 W arasndadr.
Ayarl diren eitleri
a. Potansiyometreler (pot)
Diren deerleri, dairesel olarak dnen bir mil ya da srg kolu araclyla deitirilebilen
elemanlara potansiyometre denir. ekil 1.11'de potansiyometre sembol, resim 1.5'te
potansiyometrenin i yaps ve potansiyometre rnekleri verilmitir.
diren
maddesi
hareketli
u
potansiyometrenin
i yaps
ekil 1.11: Potansiyometre sembol
milli potansiyometre
srgl
potansiyometre
Resim 1.5: Potansiyometre rnekleri
Uygulamada kullanlan potansiyometre eitleri unlardr:

I. Anahtarl potansiyometre: Bir anahtar ile potansiyometre ayn gvdede birletirilip hem
5
ama kapama hem de akm ayar ilemini yapabilen elemana anahtarl pot denir. Resim 1.6'da grlen
anahtarl potlar radyo, teyp, dimmer vb. gibi aygtlarda kullanlr.
ayarl diren ular
ayarl diren ular
anahtar
ular
Resim 1.6: Anahtarl potansiyometreler
Resim 1.7: Stereo potansiyometreler
II. Stereo (steryo) potansiyometre: ki potansiyometrenin bir gvde iinde birletirilmesiyle

yaplm olup, stereo (steryo, iki yollu) ses devrelerinde kullanlan elemanlardr. Resim 1.7'de stereo
potansiyometre rnekleri grlmektedir.
III. Oto radyo teyp potansiyometresi: Tatlardaki radyo teyplerde kullanlan potlar oklu
yapdadr. Yani bir mil zerine bir ka adet pot ve ama kapama (on off) anahtar monte edilmitir.
Bu potlar, ses, balans, fader (n-arka) fonksiyonlarn yerine getirirler.
b. Trimpot (trim, trimer diren): Diren deerinin ara sra deimesinin gerektii devrelerde
kullanlan elemandr. Yap olarak potansiyometrelere benzer. Diren deerleri dz ya da yldz ulu
tornavidayla deitirilebilir. ekil 1.12'de trimpot sembolleri, resim 1.8'de ise trimpot rnekleri
verilmitir.
ekil 1.12: Trimpot sembolleri
Resim 1.8: eitli trimpotlar
Resim 1.9: Vidal tip ayarl diren
c. Vidal tip (ok turlu) ayarl diren: Sonsuz dili zellikli vida zerinde hareket eden bir
trnak, kaln film yntemiyle oluturulmu direncin zerinde konum deitirerek diren ayarnn
yaplmasn salamaktadr. Hareketli olan trnak potansiyometrenin orta ucudur. Bu tip ayarl
direnlerle ok hassas diren ayar yaplabilir. Resim 1.9'da vidal tip ayarl diren grlmektedir.
Ayarl direnlerin diren deiim karakteristikleri: Ayarl direnler, kullanlacaklar devreye
gre ayr zellikte retilirler. imdi bunlar inceleyelim.
a. Diren deerleri lineer (dorusal) olarak deien ayarl direnler: Diren deerleri
sfrdan itibaren dorusal (eit adm, eit diren) olarak artar. Gvdelerinde LIN (lin) szc bulunur.
rnein zerinde LIN 220 k yazl olan bir pot lineer zellikte ve 220 kW deerindedir. LIN
yazl direnlerde deiim dzgn olmaktadr. Lineer potansiyometreler, g kayna, zamanlayc vb.
devrelerinde kullanlrlar.
Lineer potansiyometrelerde direncin deiim eklini anlayabilmek iin ekil 1.13 ve ekil 1.14'e
baknz.
6
b. Pozitif logaritmik (poz. log.) zellikli

ayarl direnler: Diren deerleri sfrdan
itibaren logaritmik (erisel) olarak artar. Ayar
milinin ileri hareketiyle direncin deiiminin
logaritmik olabilmesi iin karbon maddesinin
younluu da logaritmik olarak deiecek ekilde
ayarlanmtr.
nsan kula logaritmik yapda olduundan
sesle ilgili elektronik devrelerde (radyo, TV,
ykselte vb.) bu tip direnler kullanlr.
Gvdelerinde LOG ya da POZ. LOG szc
bulunur.
Volm (ses) kontrolnde lineer bir pot
kullanlrsa, ses yava yava alrken, nceleri
hi artmyormu gibi olur. Potun son blmesinde
ise ses birden artar. Bunun nedeni insan kulann
logaritmik bir organ olmasndandr. Aslnda ses
lineer bir potta eit olarak artmaktadr. Ancak
insan kula zayf seslere kar hassas, kuvvetli
seslere kar giderek daha az duyduundan
alglama hatas sz konusu olmaktadr.
Logaritmik bir pot ile yaplan ses ayar ise kulak
tarafndan ok iyi alglanabilmektedir.
Pozitif logaritmik potansiyometrelerde
direncin deiim eklini anlayabilmek iin ekil
1.13'e baknz.
R (W)
negatif
log.
lineer
pozitif
log.
alma alan
ekil 1.13: Ayarl direnlerin deerinin
deiim ekillerini gsteren eriler
5 kWW
ekil 1.14: Lineer potansiyometrelerde direncin deiim aralklar
5 kW W
c. Negatif logaritmik (neg. log) zellikli
ayarl direnler: Diren deerleri sfrdan
ekil 1.15: Logaritmik potansiyometmaksimum (en yksek) deere doru logaritmik
relerde direncin deiim aralklar
(erisel) olarak artar. POZ. LOG. zellikli
direnlere ok benzerler. Yalnzca direncin deiim ekli sfrdan itibaren biraz daha hzldr.
Gvdelerinde LOG ya da NEG. LOG szc yer alr. Negatif logaritmik potansiyometrelerde direncin
deiim eklini anlayabilmek iin ekil 1.13'e baknz.
Ayarl direnlerin kullanm alanlar

a. Akm ayarlayc (snrlayc) olarak kullanma: Ayarl direnler kullanlarak herhangi bir
devreden geen akmn deeri ayarlanabilmektedir. ekil 1.16'da grlen balant yaplp potun orta
ucu hareket ettirilirse alcdan geen akmn deerinin deitii grlr.
C
A
P
Vgiri
A
B
A, B: sabit ular
Ryk
Vk
Vgiri
C: gezici u
B
Vk
ekil 1.17: Ayarl direnlerin gerilim

ayarlayc olarak kullanlmas
ekil 1.16: Ayarl direnlerin akm

ayarlayc olarak kullanlmas
b. Gerilim ayarlayc olarak kullanma: Ayarl direnler kullanlarak herhangi bir devreye
uygulanan gerilimin deeri ayarlanabilmektedir. ekil 1.17'de grlen balant yapldktan sonra
7
ayarl direncin orta ucu hareket ettirilirse alcya uygulanan gerilimin deerinin deitii grlr.
Ayarl direnlerin salamlk testi: Ohmmetrenin problar ekil 1.18-a'da grld gibi ilk
nce ayarl direncin kenar ularna dokundurularak eleman zerinde yazl diren deerinin doru
olup olmadna baklr.
Daha sonra ekil 1.18-b'de grld gibi problardan birisi ayarl direncin hareketli ucuna, dieri
de srayla kenarlarda bulunan sabit ulara dedirilir. Orta ve kenar ulara problar dedirilirken ayarl
direncin mili evrildiinde (ya da srgs hareket ettirildiinde) diren deerinde deiim grlrse
elemann salam olduu anlalr.
R3
(a)
R2
R4
R5
R1
R6
(b)
ekil 1.18: Ayarl direnlerin

salamlk testinin yapl
ekil 1.19: Kademeli

diren sembolleri
ekil 1.20: Kademeli

direnlerin yaps
Kademeli direnler: Bir gvde iine yerletirilmi direnten ok u karlarak yaplan elemanlara
kademeli diren denir. ekil 1.19'da kademeli diren sembolleri, ekil 1.20'de sekiz ulu kademeli
diren rnei, resim 1.10'da ise uygulamada kullanlan kademeli diren eitlerine yer verilmitir.
Resim 1.10: eitli kademeli direnler
Kademeli diren eitleri

a. ok ayakl kademeli direnler: Bir gvde iine yerletirilmi bir ka adet direnten oluur.
ok ayakl olup, bir ka farkl deerde diren elde etmeye yarar. Bu tip direnler, devrelerde gerilim
blc olarak kullanlr. Resim 1.10'da kademeli diren rnekleri verilmitir.
b. Diren kutular: Kalibrasyon (ayar) ilerinde ve deney yapmada kullanlan elemanlara diren
kutusu denir. Bir kutu iine yerletirilmi olan direnlerin deeri ayar dmeleriyle deitirilerek
istenilen deerde diren elde edilebilmektedir. rnein 10'lu diren kutularnda her biri 1-10 arasnda
admlandrlm 5 kademe komtatr vardr. Komtatrlerin admlar, eit deerlikli direnleri,
sral olarak devreye alr ya da kartr. Komtatrn kontrol ettii 10'lu diren gruplar ise birbirine
seri baldr. Diren kutusu zerinde bulunan komtatrlerin her biri bir diren deerini ifade eder.
yle ki; birinci komtatrde direnler birer birer artar. Yani 6 W elde etmek iin komtatr 6.
konuma getirilir. kinci komtatrde ise kademeler 10'ar 10'ar ykselir. 30 W elde etmek iin bu
komtatr 3. kademeye getirmek gerekir. Bu sisteme gre 33257 W'luk diren elde etmek iin
komtatrler u kademelere getirilir:
5. komtatr: 3x10.000
4. komtatr: 3x1000
3. komtatr: 2x100
2. komtatr: 5x10
1. komtatr: 7x1
8
Entegre tipi direnler: ok karmak

devrelerde bir ok diren bir gvde iinde
toplanarak montaj kolayl salayan diren
modlleri kullanlr. Bu tip direnlerin
balantsn doru yapabilmek iin retici
firmalarn kataloglarna bakmak gerekir. ekil
1.21'de entegre tipi diren rneklerine yer
verilmitir.
SMD tip (surface mounted device, yzeye
monte edilmi eleman) direnler: SMT (sur-
face mount technology, yzey montaj teknolojisi)

yntemiyle retilmi kk boyutlu elemanlardr.
SMD direnlerin g ve akm deerleri ok kk
olduundan dk akm eken devrelerde
(osilatr, tuner, kumanda devreleri) kullanlmaya
uygundurlar.
Bu tip direnleri skp takmak iin hassas
Resim 1.11: Diren kutular
almak ve ince ulu kaliteli havyalar kullanmak
gerekir. Resim 1.12'de SMD direnler verilmitir.
SMD direnlerin omaj deeri gvde zerine yazlan rakamlarla ifade edilmektedir. Deer belirtmede
kullanlan rakamlarn en sonda olan arpandr. Bunu rneklerle aklarsak, 180 = 18 W, 332 = 3300 W,
471 = 470 W'dur.
ekil 1.21: eitli entegre tipi direnler
Resim 1.12: SMD (chip, yonga) direnler
Direnlerin balant ekilleri: Elektronik devrelerde kullanlan direnler seri, paralel ya da

kark olarak balanarak eitli deerlerde direnler elde edilebilir. imdi bu balantlar inceleyelim.
a. Direnlerin seri (ard arda) balanmas: Direnler seri balandnda toplam diren artar.
stenilen deerde diren yoksa seri balant yaplr. rnein, iki adet 220 W'luk diren seri balanarak
440 W'luk diren elde edilir. ekil 1.22'de direnlerin seri balants verilmitir. Bu tip balantda
toplam direncin bulunmasnda kullanlan denklem, RT = R1 + R2 + R3 + ... + Rn [W] eklindedir.
9
R1
R2
Rn
R1
R2
R1
R2
R3
R3
RT
RT
RT
ekil 1.22: Direnlerin
seri balanmas

paralel balanmas

kark balanmas
rnek: Deerleri R1 = 12 W ve R2 = 10 W olan iki diren birbirine seri olarak balanmtr.

Devrenin toplam (edeer) diren deerini bulunuz.
zm: RT = R1 + R2 = 12 + 10 = 22 W
b. Direnlerin paralel balanmas: Paralel balantda toplam diren azalr. Ancak, daha yksek
akm geirebilen gl bir diren elde edilir. rnein, 1500 W'luk ve 1/4 W'lk iki diren paralel balanacak
olursa, 750 W ve 1/2 W'lk diren elde edilir. ekil 1.23'te direnlerin paralel balants verilmitir.
Paralel balamada toplam direncin bulunmasnda kullanlan denklem:
1
1
1
1
1
[eklindedir..
=
+
+
+ ..... +
RT
R1 R 2 R3
Rn
rnek: Deerleri R1 = 6 W ve R2 = 4 W olan iki diren birbirine
paralel olarak balanmtr. Devrenin toplam diren deerini bulunuz.
zm: 1/RT = 1/R1+1/R2 = 1/6+1/4 = 2,4 W
c. Direnlerin kark (seri ve paralel) balanmas: Kark
balantda direnler seri ve paralel durum arz ederler. ekil 1.24'te
direnlerin kark balantsna rnek devre verilmitir.
Kark bal diren devrelerinde toplam (edeer) diren
bulunurken, devrenin paralel ve seri ksmlar ayr ayr hesaplanarak
sadeletirme yaplr. Sadeletirme yapldka devre seri hle gelir.
R1=2 W
R2=5 W
R3=5 W
RT=?
kark balanmas
rnek: Deerleri R1 = 2 W, R2 = 5 W, R3 = 5 W olan diren ekil 1.25'teki gibi kark olarak

balanmtr. Devrenin toplam (edeer) direncini bulunuz.
zm: 1/RT1 = 1/R2+1/R3 = 1/5+1/5 = 2/5
RT1 = 5/2 = 2,5 W
RT = R1 + RT1 = 2 + 2,5 = 4,5 W
Kirchhoff (Kirof) kanunlar
a. Kirchhoff'un gerilim kanunu: ekil 1.26'da grld gibi seri olarak balanm direnlerin
zerine den gerilimlerin deerlerinin toplam devreye uygulanan gerilime eittir. Yani,
VT = V1 + V2 +...+ Vn [V]'tur.
V = I.R olduundan denklem,
VT = I.R1 + I.R2 +...+ I.Rn eklinde de yazlabilir.
rnek: ekil 1.27'de verilen birbirine seri olarak balanm direncin zerinde den gerilimler,
VR1 = 32 V, VR2 = 28 V, VR3 = 40 V olarak llmtr. Buna gre devreye uygulanan gerilimin
toplam deeri nedir?
zm: VT = VR1 + VR2 + VR3 = 32 + 28 + 40 = 100 V
rnek: ekil 1.27'de verilen devrede R1 = 8 W, R2 = 7 W, R3 = 10 W olduuna gre, a. Devrenin
10
VR2
VR1
VR3
VT
VT
ekil 1.26: Kirof'un gerilim
kanununun isbatnn yapl
ekil 1.27: Kirof'un gerilim

kanunuyla ilgili devre rnei
toplam direncini bulunuz. b. Devreden geen toplam akm bulunuz.

zm: a. RT = R1 + R2 + R3 = 8 + 7 + 10 = 25 W b. IT = VT/RT = 100/25 = 4 A
b. Kirchhoff'un akm kanunu: ekil
1.28'de grld gibi paralel olarak balanm
direnlerin zerinden geen akmlarn toplam,
devreden geen toplam akma eittir.
Yani, IT = I1 + I2 +...+ In [A]
I = V/R olduundan denklem,
IT = V/R1+V/R2+...+V/Rn
eklinde de yazlabilir.
VT
ekil 1.28: Kirof'un akm

kanununun isbatnn yapl
Not: Direnler paralel balyken hepsinin

zerinde de ayn deerde gerilim dm olur.
rnek: ekil 1.29'da verilen devrede birbirine paralel

balanm iki direncin zerinden geen akmlar llm ve
I1 = 6 A, I2 = 4 A olarak belirlenmitir. Buna gre devreden
geen akmn toplam deeri nedir?
zm: IT = I1+I2 = 6+4 = 10 A
rnek: ekil 1.29'da verilen devrede birbirine paralel bal iki
direncin deerleri R1 = 4 W, R2 = 6 W, devreden geen toplam
akm 10 A olduuna gre,
a. Devrenin toplam direncini bulunuz.
b. Devreye uygulanan gerilimin deerini bulunuz.
zm
a. 1/RT = 1/R1 + 1/R2 = 1/4 + 1/6 = (6 + 4)/24 = 24/10 = 2,4 W
b. VT = IT.RT = 10.2,4 = 24 V
VT
ekil 1.29: Kirof'un akm
kanunuyla ilgili devre rnei
Elektrikte g (P, power): DC (doru akm) ile alan alclarda akm ile gerilimin arpm
gc vermektedir. Baka bir deyile g, birim zamanda yaplan i olarak tanmlanr.
G denklemleri:
P = V.I = I2.R = V2/R [W] eklindedir.
Elektronik devrelerde kullanlan direnlerde g: Standart omaj deerlerindeki direnler
11
eitli glerde retilmektedirler.

Devrelerde ka wattlk diren
kullanlaca verilen emalarda ekil ya
1/20 W 1/10 W
1/8 W
1/4 W
da yaz ile belirtilmektedir.
2
1
ekil 1.30'da direnlerin g
1/3 W
1/2 W
3/4 W
1W
2W
deerinin ekillerle, ekil 1.31'de ise
yazyla gsteriliine ilikin rnekler
ekil 1.30: Direnlerin g deerinin ekillerle belirtilmesi
verilmitir.
Elektronik cihazlarda ounlukla
(radyo, TV, mzik seti vb.) 1/6 W ve 1/4
8.2 W
W'lk (eyrek watt) sabit direnler
100 W
kullanlmaktadr.
Elektronik devrelerde rastgele diren
kullanlmaz. Diren seiminde omaj
22 W
5W
(W) deerinin yannda, g deerinin
uygunluuna da dikkat edilir.
ekil 1.31: Direnlerin g deerinin yazyla belirtilmesi
Mini radyo, walkman (volkmen) gibi
az akm ekerek alan aygtlarda minik boyutlu, yani kk gl ayarl direnler kullanlrken,
mzik seti, dimmer, ak arj cihaz vb. gibi aygtlarda byk boyutlu direnler kullanlr. te bu
nedenle, dk gl bir direnci yksek akml bir devreye balayamayz. Balama yaplrsa eleman
bozulur. ekil 1.31'de direnlerin g deerinin yazyla gsteriliine ilikin rnekler verilmitir.
Direnlerin standart g deerleri: 1/20-1/10-1/8-1/6-1/4 (eyrek watt)-1/3-1/2 (yarm watt) 3/4-1-2-3-4-5-6-9-10-11-17-20- 50-100 W.
Direnlerin omaj (W) deerinin belirtilmesi: Uygulamada kullanlan yzlerce deiik
modeldeki direnlerin omaj deeri eitli biimlerde belirtilmektedir. Bunlardan rakam ve renk
bantlaryla yaplan kodlama ok yaygndr.
Direnlerin renk kodlamas EIA (Electronics Industries Assocation, Elektronik Endstrisi Birlii)
tarafndan standartlatrlmtr.
Direnlerde omaj deerini belirtme yntemleri
a. Direnlerin deerinin yazl
olarak belirtilmesi: Direnlerin omaj
deeri baz modellerin zerinde ekil
50 MW
1.32'de grld gibi rakam olarak
yazldr. Bu yntemde,
1000 W'dan kk deerli
1 MW
direnlerde R harfi, ondal kl
saylardaki virgl gibi kullanlr.
1 kW'dan 999 kW'a kadar olan
direnlerde k harfi kullanlr.
1.1 W 2 W
5 W
1 MW'dan 999 MW'a kadar olan
J
direnlerde M harfi kullanlr.
Yani, R, ohm, k, kiloohm, M,
ekil 1.32: Direnlerin omaj (W) deerinin
megaohm anlamna gelir.
yazyla belirtilmesine ilikin rnekler
rnekler
R10 = 0,10 W
100R = 100 W
2k7 = 2,7 kW
R33 = 0,33 W
k91 = 0,91 kW
10 k = 10 kW
R47 = 0,47 W
1k = 1 kW
47 k = 47 kW
12
1R33 = 1,33 W
1k0 = 1 kW
10M = 10 MW
Deeri rakam ve harflerle belirtilen direnlerin toleransn belirten harfler

B: % 0,1
C: % 0,25
D: % 0,5
F: % 1G: % 2
J: % 5
K: % 10
M: % 20
N: % 30
Tolerans deerli rakamsal kodlama rnekleri
R33M: 0,33 W % 20
R47J: 0,47 W % 5
10R5D: 10,5 W % 0,5
330F: 330 W % 1
2k6J: 2,6 kW % 5
6R8M: 6,8 W % 20
6k8F: 6,8 W % 1
2200J: 2200 W % 5
57kK: 57 kW % 10
b. Direnlerin deerinin renk bantlaryla belirtilmesi: Karbon ve metal filmden yaplm

direnlerin ounda renk bantlaryla yaplm
kodlama kullanlr. Bu yntemde diren Renk
Say Tolerans
arpan
devreye nasl taklrsa taklsn kodlama renk Siyah
0
0
(10 )
1
bantlaryla yapldndan elemann deeri
Kahve
1
0
% 1
(10 )
2
Krmz
kolayca belirlenebilir.
2
00
% 2
(10 )
3
Turuncu
3
000
Renklerle yaplan kodlamalarda 3, 4, 5 ve 6
(10 )
4
Sar
4
0000
(10 )
renk band kullanlr.
5
Yeil
5
00000
%
0.5
(10
)
Hassas direnlerde kararllk faktrnn
6
Mavi
6
000000
%
0.25
(10
)
belirtilmesi renk bantlaryla yapldndan
7
Mor
0000000
7
% 0.1
(10
)
bunlarda 6. renk band da bulunur. Bu blmde Gri
00000000 (108)
8
% 0.05
az karlald iin 6 renk halkal kodlama
000000000 (109)
Beyaz
9
-1
zerinde durulmamtr.
0,1
Altn
% 5
(10 )
-2
Renk kodlarn kolayca renebilmek iin
0,01
Gm
% 10
(10 )
Renksiz
kullanlan anahtar cmle, SoKaKTaSaYaMaM
% 20
GiBidir. Burada byk harflerin herbiri bir
Tablo 1.1: Diren renk kodlar izelgesi
rengi ifade etmektedir. yle ki; S, siyah, K,
kahverengi, K, krmz, T, turuncu, S, sar, Y, yeil, M, mavi, M, mor. G, gri, B, beyazdr.
Direnlerde kullanlan renk bantlarnn ngilizce karlklar yledir: 0: Black, 1: Brown, 2: Red,
3: Orange, 4: Yellow, 5: Green, 6: Blue, 7: Violet, 8: Gray, 9: White, Silver: Gm, Gold: Altn.
Direnlerin renk bantlaryla kodlan ekilleri

1. renk bantl (halkal) kodlama: Eski tip sabit direnlerde kullanlan kodlamadr. Uygulamada
nadiren karlalr.
Renk bantlarnn anlamlar: 1. bant: Say, 2. bant: Say, 3. bant: arpan (eklenecek sfr saysdr).
Direncin zerinde drdnc renk band olmadndan (renksiz), tolerans % 20 olarak kabul edilir.
Not: Renk bantlar direncin gvdesinin hangi kenarna yaknsa o taraf birinci banttr.
rnek: Yeil, mavi, siyah, renksiz
: 56 W % 20
Direncin toleranssz (hatasz) deeri
: 56 W
Direncin hata pay
: 56.0,20 = 11,2
+ toleransl diren deeri
: 56+11,2 = 67,2 W
- toleransl diren deeri
: 56-11,2 = 44,8 W
rnek olarak verilen 56 W'luk direncin gerek deeri tolerans ile birlikte dnldnde 44,867,2 W arasnda bir deer olabilir.
rnek: Gri, krmz, kahverengi, renksiz
: 820 W % 20
rnek: Krmz, mor, turuncu, renksiz
: 27 000 W: 27 kW % 20
rnek: Kahve, yeil, sar, renksiz
: 150 000 W: 150 kW % 20
2. Drt renk bantl (halkal) kodlama: Renk bantlarnn anlamlar: 1. bant: Say, 2. bant: Say,
3. bant: arpan, 4. bant: Tolerans.
rnek: Kahverengi, yeil, altn, gm
: 1,5 W % 10
rnek: Kahverengi, gri, altn, altn
: 1,8 % 5
13
ekil 1.33: renk

bantl kodlama
ekil 1.34: Drt renk

bantl kodlama
ekil 1.35: Be renk

bantl kodlama
: 10 W % 5
: 82 W % 10
: 91 W % 10
: 270 W % 5
rnek: Kahve, siyah, siyah, altn

rnek: Gri, krmz, siyah, gm
rnek: Beyaz, kahverengi, siyah, gm
rnek: Krmz, mor, kahverengi, altn
3. Be renk bantl (halkal) kodlama: Renk bantlarnn anlamlar: 1. bant: Say, 2. bant: Say,
3. bant: Say, 4. bant: arpan, 5. bant: Tolerans.
rnek: Kahverengi, krmz, yeil, gm, kahverengi : 1,25 W % 1
rnek: Krmz, yeil, turuncu, gm, kahverengi : 2,53 W % 1
rnek: Krmz, mor, yeil, altn, gm
: 27,5 W % 10
rnek: Sar, mor, yeil, altn, altn
: 47,5 W % 5
rnek: Krmz, sar, beyaz, siyah, altn
: 249 W % 5
Direnlerde tolerans (hata oran): stenilen deerde diren yaplmas olduka gtr. O nedenle
pratikte kullanlan direnler, zerlerinde belirtilen deerden biraz farkldr. Yani 100 W olarak bilinen
bir direncin deeri tam olarak 100 W olamamaktadr. te bu durum retici firmalar tarafndan direncin
zerinde belirtilir.
Tolerans kavram, direncin retim hatasnn yzdesel olarak ifade edilmesi olarak tanmlanabilir.
Direnlerde hata oran % 0,05 - 20 arasnda deimektedir. Pratikte yaygn olarak kullanlan diren
eitleri ise % 5 - 10 toleransldr. Bir direncin tolerans deerinin yksek olmas (ya da ykselmesi)
istenmeyen bir durumdur. Dk toleransl direnlerle yaplan devrelerin kararl iyi olacandan,
bu tip eleman kullanlarak yaplan cihazlarn mrleri de uzun olmaktadr. O nedenle tolerans deeri
yksek olan kalitesiz direnlerle hassas devre retmekten kanlmaldr.
Ayarl direnlerin bakm: Nem, toz, ar akm ve anma zamanla ayarl direncin zelliklerinin
bozulmasna yol aar ve devre arzalanr. Bu durumdaki ayarl direnler, kontak temizleme spreyi ya
da baka bir maddeyle (alkol, ispirto vb.) temizlenir. Hareketli ayaklar kvrlarak direnli ksma
iyice temas etmesi salanr. Dzelme olmazsa eleman deitirilir. zellikle TV, radyo, ve teyp gibi
cihazlarda kullanlan ayarl direnler ypranmadan dolay sk sk arzaya neden olurlar.
Ayarl diren balklar: Uygulamada kullanlan potansiyometrelerin kolayca kumanda
edilebilmesi iin eitli modellerde pot balklar retilmektedir. Potun miline kumanda eden ubuk
eklindeki ksma geirilerek kullanlan balklarn kimisi sadece gemeli kimisi ise vida ile
sktrmal tiptedir.
Diren retim serileri: Direnler, zel retimler hri standart deerlerde
retilirler. Bu durumda, bir elektronik devrede kullanlacak diren standart
deerlerin dndaysa, piyasada bulmamz mmkn deildir. Ancak, baz
retici firmalar gelitirdikleri devrenin ok kararl almasn salamak iin
standart d deere sahip diren rettirerek cihazlarnda kullanrlar.
IEC (International Electrotechinical Comission) standartlarna
gre retim serileri
E6 serisi: 1,0-1,5-2,2-3,3-4,7-6,8. Tolerans deerleri % 20dir.
14
Resim 1.13: Ayarl

diren balklar
E-6 serisinin anlam: 1-10-100-1000-10.000-100.000-1000.000 W ve 1,5-15-150-1500 15.000150.000-1500.000 W eklinde deere sahip direnler retilmektedir.
E-12 serisi: 1,0-1,2-1,5-1,8-2,2-2,7-3,3-3,9-4,7-5,6-6,8-8,2-9,1. Toleranslar % 10dur.
E-24 serisi: 1,0-1,1-1,2-1,3-1,5-1,6-1,8-2,0-2,2-2,4-2,7-3,0-3,3-3,6-3,9-4,3-4,7-5,1-5,6 6,2-6,87,5-8,2-9,1. Toleranslar % 5tir.
Not: Yukarda verilen standart retim serileri kondansatrler iin de geerlidir.
Arzal direncin belirlenmesi: Gzle bakldnda karbondan yaplm bir direncin orta ksm
kararmsa diren ar akma maruz kalarak tahrip olmu demektir. Gzle bir ey anlalamazsa
ohmmetreyle lm yaplr ve hi deer okunamazsa diren iinden kopmutur. Eer 0 W okunuyorsa
diren iinden ksa devre olmutur. (Film direnlerin gvdesi kararmad hlde yine de arza sz
konusu olabilir.)
Uygulamada yaygn olarak kullanlan direnlerin omaj (W) deerleri
0,1 W
0,47 W
1W
1,2 W
1,5 W
1,8 W
2,2 W
2,7 W
3,3 W
3,9 W
4,7 W
5,6 W
6,8 W
8,2 W
10 W
12 W
15 W
18 W
22 W
27 W
33 W
39 W
390 W
470 W
560 W
680 W
820 W
1 kW
1,2 kW
1,5 kW
1,8 kW
2,2 kW
2,7 kW
47 W
56 W
68 W
82 W
100 W
120 W
150 W
180 W
220 W
270 W
330 W
3,3 kW
3,9 kW
4,7 kW
5,6 kW
6,8 kW
8,2 kW
10 kW
12 kW
15 kW
18 kW
22 kW
27 kW
33 kW
39 kW
47 kW
56 kW
68 kW
82 kW
100 kW
120 kW
150 kW
180 kW
220 kW
270 kW
330 kW
390 kW
470 kW
560 kW
680 kW
820 kW
1 MW
1,2 MW
1,8 MW
2,2 MW
3,3 MW
3,9 MW
4,7 MW
5,6 MW
6,8 MW
8,2 MW
10 MW
12 W
15 W
22 MW
Snrlama ve kontrol direnleri (zel direnler): Elektronik devrelerde sabit ve ayarl direnlerin
yan sra k, s, gerilim, manyetik alan, basn vb. gibi unsurlara gre deerleri deien direnler
de kullanlmaktadr. Bu blmde a, sya ve gerilime duyarl direnler hakknda temel bilgiler
verilecektir.
R (W)
cam pencere
1 MW
10 kW
100 W
k
iddeti
1
ekil 1.36: LDR
sembolleri
gvde
a
duyarl
madde
10 100
lks
(lux)
ekil 1.37: LDR'nin direncinin, n

iddetine gre deiim erisi
birinci
elektrot
taban
ikinci
elektrot
ekil 1.38: LDR'nin yaps
a. Ia duyarl direnler (LDR, light dependent resistance, fotodiren): Ikta az diren,

karanlkta yksek diren gsteren devre elemanlarna LDR denir. Baka bir deyile aydnlkta
LDR'lerin zerinden geen akm artar, karanlkta ise azalr.
LDR'lerin karanlktaki direnleri bir ka MW, aydnlktaki direnleri ise 100 W-5 kW dzeyindedir.
ekil 1.37'de LDR'lerin direncinin a gre deiimine ilikin eri verilmitir.
LDR'ler, CdS (kadmiyum slfr), CdSe (kadmiyum selinr), selenyum, germanyum ve silisyum
(silikon) vb. gibi a kar ok duyarl maddelerden retilmektedir. ekil 1.38'de LDR'lerin i
15
yaps verilmitir.
LDR yapmnda kullanlan madde, alglaycnn hassasiyetini ve alglama sresini belirlemekte,
oluturulan yar iletken tabakann ekli de alglaycnn duyarlln etkilemektedir. LDR'ye gelen
n odaklamasn salamak iin st ksm cam ya da effaf plastikle kaplanmaktadr.
LDR'ler eitli boyutlarda retilmekte olup, gvde boyutlar bydke g deeri ykselmekte
ve geirebilecekleri akm da artmaktadr.
Uygulamada yaygn olarak kullanlan baz LDR'ler, LDR03, LDR05, LDR07, OPR60 olarak
sralanabilir.
LDR'ler, endstriyel kumanda sistemlerinde, otomatik gece lambalarnda, dijital sayclarda,
brlrlerde, kann renk younluunu belirleyen tbb cihazlarda, flal fotoraf makinelerinde, hareket
dedektrlerinde, zil butonlarnda vb. kullanlr.
LDR
W
ekil 1.39: LDR'nin
Resim 1.14: eitli LDR'ler
LDRnin salamlk testi: Ohmmetre kullanlarak ekil 1.39'da verilen balant ile yaplan
lmde LDR, aydnlkta az diren, karanlkta yksek diren gstermelidir.
Resim 1.15: Termistr rnekleri
b. Isya duyarl direnler (sl diren, termistr, th, termistans): Ortam scaklna bal
olarak diren deerleri deien elemanlara termistr denir. Termistrler, nikel oksit, kobalt, manganez
oksitleri, bakr, demir, baryum titanit vb. maddelerden yaplm elemanlar olup, boncuk, disk, rondela
vb. eklinde retilirler. Uygulamada kullanlan termistrler eitli diren deerlerinde (10 W, 100 W,
500 W, 1000 W, 3000 W, 5 kW 10 kW, 20 kW) retilmektedir.
1. PTC (positive temperature confient): Scaklk arttka diren deerleri artan ve zerinden
geirdikleri akm azaltan elemanlara PTC denir. PTC'ler, otomatik s kontrol cihazlarnda, scaklk
lme aletlerinde, renkli TV'lerin tplerinde d manyetik alanlardan dolay ortaya kan renk
karmalarnn nlenmesinde vb. kullanlr.
PTC'nin salamlk testi: Ohmmetreyle yaplan lmde soukta dk diren, stldnda ise
yksek diren deeri grlmelidir.
2. NTC (negative temperature confient): Yap olarak PTC'ye benzer. Isndka direnci azalr
ve zerinden geirebildii akm artar.
NTC'nin salamlk testi: Ohmmetreyle yaplan lmde soukta yksek diren, stldnda
ise dk diren deeri grlmelidir.
PTC ve NTC'lerin baz kullanm alanlar
Isya duyarl devre yapm,
Demanyetizasyon (televizyon ekranlarnda grnt bozulmasnn nlenmesi) ilemi,
16
Scaklk lm,
Transistrl devrelerde scaklk dengeleme,
l aletlerinin korunmas,
Buzdolaplarnda scaklk kontrol,
Zaman geciktirme,
Byk gl elektrikli motorlarn sya kar korunmas
PTC ve NTClerin diren deerinin renk halkalaryla
belirtilmesi: 1. bant: 1. say, 2. bant: 2. say, 3. bant: arpan, 4.
bant: Tolerans
Resim 1.16'da diren deeri renk bantlaryla belirtilmi
termistr rnekleri verilmitir.
ekil 1.40: PTC ve

NTC sembolleri
R (W)
NTC
PTC
rnek: Gvdesi zerinde turuncu, beyaz, turuncu renkleri

bulunan termistrn deerini bulunuz.
zm: Turuncu: 3, Beyaz: 9, Turuncu: 3. Termistrn diren
deeri: 3900 W = 3,9 kW
T (C)
c. Gerilime duyarl direnler (VDR, varistr, voltage

ekil 1.41: PTC ve NTC'lerin
dependent resistor): Gerilim ykselince direnci hzla azalarak
diren deerlerinin scakla
gre deiim erileri
geirdii akm artan elemanlardr. Baka bir deyile, gerilim
dkken VDR'nin direnci ok yksektir. Gerilim deeri
ykseldiinde ise direnci hzla azalr.
4. bant
VDR'ler zellikle mal edildikleri gerilim deerinin zerinde
3. bant
bir gerilimle kar karya kaldklarnda direnleri hzla klerek
2. bant
zerlerinden geirdikleri akm artrrlar. te bu zellikleri
1. bant
sayesinde balandklar devreyi ar gerilimden korurlar.
Gerilime duyarl direnler yksek scaklkta sktrlm
Resim 1.16: Isya duyarl dirensilisyum karpit tozlarndan yaplr. Bu elemanlar, bobin, rle,
lerin renk bantlaryla kodlan
trafo, transistr, tristr, anahtar vb. gibi elemanlar an gerilim
artlarnn getirdii zararl etkilere kar korumak iin, ad geen
elemanlara paralel balanarak kullanlr. ekil 1.43'te VDR'nin transformatr yksek gerilime kar
koruyucu olarak kullanl grlmektedir.
transformatr
v
VDR
ekil 1.42: VDR

sembolleri
Resim 1.17: eitli VDR'ler
ekil 1.43: VDR ile trafonun

yksek gerilime kar korunmas
Baz varistrlerin elektriksel zellikleri yledir:

SO5K130: AC'de iletime geme deeri: 130 V, DC'de iletime geme deeri: 170 V
SO5K275: AC'de iletime geme deeri: 275 V, DC'de iletime geme deeri: 350 V
S10K460: AC'de iletime geme deeri: 460 V, DC'de iletime geme deeri: 615 V
B. Kondansatrler (kapasitr, meksefe, capacity)
Elektrik yklerini ksa sreliine depo etmeye yarayan elemanlara kondansatr denir. Kondansatrn
sembol C, birimi faraddr. ekil 1.44'te kutupsuz ve kutuplu kondansatr sembolleri verilmitir.
17
kutuplu
ekil 1.44: Kutupsuz (polaritesiz) ve kutuplu

(polariteli) kondansatr sembolleri
iletken
kutupsuz
iletken
yaltkan
(dielektrik)
ekil 1.45: Kondansatrn yaps
a. Kondansatrlerin yaps: Kondansatr, ekil 1.45'te grld gibi iki iletken levha (plaka)
arasna konulmu bir yaltkandan oluur. Yaltkana elektrii geirmeyen anlamnda dielektrik ad
verilir. Dielektrik olarak mika, seramik, kt, polyester, elektrolitik, tantal, hava, ya vb. gibi
yaltkanlar kullanlr.
Resim 1.18: eitli kondansatrler
Elektrolitik ve tantal tip kondansatrlerde (+) ve (-) ular belirtilmitir. Yani bunlar kutupludur. O
nedenle bu elemanlar yalnzca DC ile alan devrelerde kullanlrlar. Kutupsuz (polaritesiz) tip
kondansatrler ise DC ve AC gerilimli devrede alabilirler. Son yllarda kutupsuz tip (bipolar)
elektrolitik kondansatrler de retilmeye balanmtr.
b. Kondansatrlerin elektrik enerjisini depolama kapasitesi
I. Plakalarn yzey alanna, II. Plakalarn birbirine yaknlna,
III. Araya konan yaltkann cinsine gre deiir.
letken levhalarn arasndaki dielektrik maddenin kalite durumuna gre, kondansatr herhangi bir
devreye ya da alcya bal olmasa bile zamanla boalr. Yani bu elemanlar pil gibi elektrik yklerini
uzun sre depolayamazlar. Resim 1.18'de eitli kondansatrler grlmektedir.
c. Kondansatrlerin arj (dolmas): arj, kondansatr plakalarnn yk bakmndan farkl
duruma gelerek yklenmesi ya da levhalar arasnda potansiyel farknn meydana gelmesi demektir.
Bo bir kondansatrde iki levha eit miktarda elektrona sahiptir. Kondansatr ularna ekil 1.46'da
grld gibi bir pil balanrsa, pilin art (+) ucunun baland levhadaki elektronlar pilin art (+)
ucuna doru gitmeye balarlar. (+ ile - yk birbirini eker.) Elektronlarn kaybeden levha pozitif
ykl hle geer. Bir levhann pozitif yklenmesi, pilin eksi (-) ucunun bal olduu levhaya gelen
elektronlarn saysn artrr.
Sonu olarak, pilin art (+) ucuna balanan levha pozitif yklenirken, eksi (-) uca balanan levha
negatif olarak yklenir. ki levha arasndaki dielektrik malzeme yaltkan olduundan pil srekli bir
akm dolamn balatamaz. Kondansatrde biriken yklerin gerilimi pil gerilimine eit olduunda
geen akm sfra iner. Pil ile kondansatr birbirinden ayrldktan sonra depolanan enerji ksa sreliine
levhalarda kalr.
Kondansatrler DC enerji kaynana balandnda ilk anda arj olur. DC akm kesildikten sonra
ise belli bir sre bu durumda kalr.
AC enerji kaynana balandnda ise alternans deitike srekli olarak dolup boalr. Yani,
18
yaltkan
elektron
oyuk
C
B
A
plakalar
bo kondansatr
dolu kondansatr
ekil 1.46: Kondansatrn arj
pozitif alternans ykselirken kondansatr arj olmaya balar. Akm maksimum deerden sfra doru
inerken C boalr. Alternans negatif ynde ykselirken C bu kez ters ynl olarak dolmaya balar.
Akm negatif maksimum deerden sfra doru inerken C yine boalr.
Kondansatr alternatif akm ile beslendiinde devreye seri bal bir ampermetreyle gzlem yaplacak
olursa bu elemandan bir akm geii olduu grlr.
Kondansatrlerin kullanlan dielektriin tipine gre snflandrlmas
a. Elektrolitik kondansatrler: Dielektrik (yaltkan) olarak asit borik eriyii gibi boraksl
elektrolitler, iletken olarak alminyum ya da tantalyumdan plakalar kullanlarak yaplm kondansatr
tipidir.
Elektrolitik kondansatrler kutupsuz (polaritesiz) ya da kutuplu olarak retilirler. Kutuplu tiplerin
DC ile alan devrelerdeki balants zen gstererek yaplmaldr. Art (+) ve eksi (-) u belirlenmeden
rastgele yaplan balant anotta bulunan oksit tabakasnn metal yzeyi ksa devre edip yksek s
oluturmasna ve elemann patlamasna neden olmaktadr.
ekil 1.47: Elektrolitik kondansatrn yaps
Elektrolitik kondansatrler kullanlan malzemeye gre iki tipte yaplr:

I. Svl tip elektrolitik kondansatrler: Yalnzca DC akml devrelerde kullanlrlar. Pozitif
levha olarak alminyum kullanlmtr. Kondansatre DC uygulandnda pozitif levha zerinde
yaltkan bir oksit tabakas oluur. Bu tabaka dielektrik maddesi gibi davranr. Oluan oksit tabakas
ok ince olduundan, kondansatrn kapasitesi de byk olur. ekil 1.47'ye baknz.
II. Kuru tip elektrolitik kondansatrler: Bu tiplerde elektrolitik sv yerine boraks eriyii
emdirilmi kt ya da bez kullanlr.
Elektrolitik kondansatrlerin kapasite deerleri: 1-2,2-3,3- 4,7-10-22-33-47-100-220-330470-1000-2200-4700-10.000-22.000-38.000 mF...
Elektrolitik kondansatrlerin alma gerilimleri: 3-6-10-12-16-25-35-40-50-63-100-250350-450 volttur. (Bu voltaj deerlerinin dndaki gerilimlere sahip kondansatrler de piyasada vardr.)
19
Elektrolitik yapl kondansatrlerde

scakln nemi: Bu tip kondansatrlerin
iindeki elektrolitik svs ar scaktan
dolay zamanla kurumaya baladndan
elemannn kapasite deeri der. Bu da
hassas devrelerin alma sisteminde
arzalara yol aar. zellikle TVlerde kk
Resim 1.19: eitli elektrolitik kondansatrler
kapasiteli (2,2-3,3-4,7-10-47-100 mF)
kondansatrlerin elektrolitinin kurumas nedeniyle bir ok arza (ekrann zerinde izgi oluumu,
grnt daralmas vb.) ortaya kmaktadr.
Televizyonlarda ta direnler, besleme trafosu, g transistrleri ve yksek gerilim trafosu s
yaydndan bunlarn yaknnda bulunan elektrolitik kondansatrler abuk bozulur. te bu nedenle
yksek scakln sz konusu olduu yerlerde 85 C'lk ya da 105 C'lk iyi kalite elektrolitik
kondansatrler kullanlmaldr.
b. Ktl kondansatrler: Yaltkanlk kalitesini artrmak iin parafin maddesi emdirilmi 0,01
mm kalnlndaki kdn iki yzne 0,008 mm kalnlndaki kalay ya da alminyum plakalar
yaptrlarak retilmi elemanlardr. ekil 1.48'e baknz.
Kuru ktl, yal ktl, metalize ktl vb. gibi modelleri bulunan ktl kondansatrler
uygulamada yaygn olarak karmza kmamaktadr.
metal yapraklar
alminyum
yaltkan
kt
kt
ekil 1.48: Ktl kondansatr
ekil 1.49: Metal-ktl kondansatr
c. Metal - ktl kondansatrler: ekil 1.49'da grld gibi dielektrik (yaltkan) olarak kt
kullanlm ve bu madde zerine basn yoluyla ince alminyum ya da inko tabakas kaplanmtr.
Bylelikle daha kk boyutlu ama ktlya oranla yksek kapasiteli kondansatr yaplmtr.
Metal-ktl kondansatrler kendi kendilerini onarabilme zelliine sahiptir. yle ki; yzeyin
bir blmnde krlma olduunda ark oluur ve bu ksmda ince bir metal yzey basnc oluarak
metalsiz bir yzey oluur. Bu da ksa devreyi nler.
. Plastik kondansatrler: ekil 1.50'de grld gibi yaltkan madde olarak polypropylen
(polipropilen), polyester, polykarbonat (polikarbonat) kullanlr. Plastik kondansatrlerin metal
ksmlar alminyum levhadr. Bu kondansatrler de kendi kendilerini onarabilirler. Kapasite deerleri
ok kararldr. zolasyon (yaltkanlk) direnleri de yksektir.
d. Tantal kondansatrler: ekil 1.51'de verilen ekilde grld gibi anot olarak grev yapan
oksitlendirilmi bir tantal yaprak, katot ve sargy tutan gzenekli tutucudan oluur. Kapasite deerleri
0,1 mF ile 68 mF arasndadr.
e. Seramik kondansatrler: ekil 1.52'de grld gibi dielektrik maddesi olarak seramik
kullanlmtr. ki iletken levha arasna baryum titanat ya da titanyum dioksit gibi seramik maddeler
konulur. Disk eklinde olan seramik kondansatrler uygulamada, mercimek kondansatr olarak da
adlandrlmaktadr. Seramik kondansatrlerin kapasite deerleri kktr. Toleranslar % 20
dolayndadr. Ayrca kapasiteleri scaklk ve nemden etkilenir. Enerji kayplar ok az olduundan
daha ok yksek frekansl devrelerde kullanlrlar.
20
kt
metal
plastik
metal
plastik
gzenekli tutucu
ekil 1.51: Tantal kondansatr
ekil 1.50: Plastik kondansatr
f. Mika (mikal) kondansatrler: ekil 1.53'te grld gibi dielektrik olarak yaltkanlk dzeyi
ok yksek olan mika kullanlmtr. nce metal folyolar arasna mika konularak yaplan bu elemanlarn
kapasiteleri 1 pF ile 0,1 mF, gerilimleri 100 V ile 2500 V, toleranslar ise % 2 ile % 20 arasnda
deiir.
plaka
mika
plaka
mika
plaka
iletken
seramik yaltkan
473 M
1000 V
47000 pF
47 nF
1000 V
mika
plaka
ekil 1.52: Seramik kondansatr
ekil 1.53: Mika kondansatr
g. SMD (surface mounted device) kondansatrler: Kk boyutlu elektronik devrelerde

plaket zerine monte edilmeye uygun kondansatr eididir. Gvde boyutlar ok kk olduundan
lehimlenmesi biraz zordur. Daha ok TV, video, kamera, cep telefonu, bilgisayar vb. gibi aygtlarda
karmza kar. Resim 1.20'de SMD kondansatrler verilmitir.
Resim 1.20: SMD kondansatrler
Resim 1.21: Polyester kondansatr
. Polyester kondansatrler: letken olan iki levha arasna konulmu polyesterden olumutur.
Kapasite deerleri 220 pF ile 0,33 mF arasnda deiir. Resim 1.21'de polyester kondansatr rnei
verilmitir.
Kondansatrlerin kapasite deerinin llmesi: Ohmmetre ile kondansatrn salam olup
21
olmad anlalabilir. Ancak kapasite belirlenemez. Bu nedenle bir kapasite lere gerek vardr. Analog ya da dijital yapl bir kapasitemetreyle kondansatrlerin deeri ok kolayca belirlenebilir.
(Kondansatrn kapasite deeri llrken doru sonucu bulmak iin kondansatrn ular birbirine
dedirilerek tamamen boalmas salanr. Bu yaplmazsa kapasitemetre tam doru deeri gsteremez.)
Kondansatrlerin kapasite asndan snflandrlmas
a. Sabit kapasiteli kondansatrler: Kapasite
deerleri deitirilemeyen kondansatr eididir.
b. Deiken kapasiteli (ayarl) kondansatrler:
Biri sabit, dieri hareket edebilen iki plakalar vardr.
Dielektrik, hava ya da plastik tr bir maddeden yaplr.
Uygulamada bir, iki ya da gankl (blmeli) ayarl
kondansatrler kullanlmaktadr. ki gankl kondansatr
ekil 1.54-c'de grld gibi iki ayr kondansatrn bir
gvde iinde birletirilmesiyle elde edilmektedir.
(a)
(b)
(c)
ekil 1.54: Ayarl kondansatr

sembolleri a) Elle ayarl
b) Trimer c) ki gankl elle ayarl
Deiken kapasiteli kondansatr eitleri

1. Kapasite deeri elle deitirilebilen (varyabl, mil ayarl) kondansatrler: Mil
dndrldke levhalar birbirinin zerine gelir. Bunun sonucunda kar karya gelen levhalarn
boyutu byr ve kapasite artmaya balar. Levhalar arasnda plastik ya da hava vardr.
Resim 1.22'de eitli ayarl kondansatr tipleri, ekil 1.55'te ise elle ayarl (varyabl) kondansatrlerin
yaps verilmitir.
gvde
hareketli
levhalar
hareketli
levhalarn
balant ucu
evirme
ubuu
pirin mil
sabit levhalar
sabit levhalarn
balant ucu
ekil 1.55: Ayarl kondansatrn yaps
Resim 1.22: Elle ayarl kondansatr eitleri
2. Kapasite deeri tornavida ile deitirilebilen (trimer) kondansatrler: ekil 1.56'da

grlen trimer kondansatrlerde ayar
vidasna bal, 360 dnebilen
plakalarla yzey alan deitirilerek
kapasite azaltlp oaltlabilir. Bu
elemanlarn boyutlar ve kapasite
deerleri ok kktr. Trimer
kondansatrler, FM verici, telsiz vb.
gibi devrelerde kullanlr.
ekil 1.56: Trimer kondansatr rnekleri
Trimer kondansatrlerin kapasite
deerleri yledir:
1,2-6 pF, 1,4-10 pF, 1,6-15 pF, 2-30 pF, 2,5-25 pF, 4,5-70 pF, 5-90 pF
Kondansatr birimlerinin birbirine dntrlmesi: Farad ok byk bir kapasite deeri
22
olduundan uygulamada faradn ast katlar kullanlr. Bunlar: Pikofarad (pF), nanofarad (nF),
mikrofarad (mF), milifarad (mF) eklindedir.
Birimler 1000'er 1000'er byr ve 1000'er 1000'er klr. Byk birim kk birime evrilirken
deer 1000 ile arplr. Kk birim byk birime evrilirken ise deer 1000'e blnr. Kondansatr
birimlerinin birbirine dntrlmesinde izlenen kurallar aada verilmitir.
0,000001 mF
0,00001 mF
0,0001 mF
0,001 mF
0,01 mF
0,1 mF
1 mF
10 mF
100 mF
=
=
=
=
=
=
=
=
=
0,01 nF
0,01 nF
0,1 nF
1 nF
10 nF
100 nF
1000 nF
10000 nF
100000 nF
=
=
=
=
=
=
=
=
=
1 pF
10 pF
100 pF
1000 pF
10000 pF
100000 pF
1000000 pF
10000000 pF
100000000 pF
1F
106 mF
109 nF
1012 pF
1 pF
10-3 nF
10-6 mF
10-12 F
Kondansatr birimlerinin birbirine dntrlmesine ilikin rnekler:

-220 nF ka mF'dr?
: 0,22 mF
-560 nF ka pF'dr?
: 560.000 pF
-33 mF ka pF'dr?
: 33.000.000 pF
Kondansatrlerin alma voltaj: Kondansatrlerin kapasitesinin yannda alma voltaj da
ok nemlidir. Uygulamada kullanlan kondansatrler standart voltaj deerlerindedir.
12 voltta alan bir elektronik devrede 3 voltluk kondansatr kullanmak doru deildir. zellikle
elektrolitik tip kondansatrler ar gerilime maruz kaldklarnda snarak patlarlar.
Kondansatrlerin standart voltaj deerleri yledir: 3 - 6,3 - 10 - 16 - 25 - 35 - 50 - 63 - 100 - 160 250 - 350 - 400 - 450 - 630 - 1000 V...
AC alma gerilimi belli bir devreye balanacak kondansatrn alma voltaj:
VC = Vetkin.1,41 denklemiyle bulunur (Vetkin = Vebeke = Vefektif = VRMS).
rnek: 12 V kl bir dorultma devresinde kullanlacak filtre kondansatrnn alma gerilimi
ka volt olmaldr?
zm: VC = Vetkin.1,41 = 12.1,41 = 16,92 V
Buna gre kondansatrn alma gerilimi en az 16 ya da 25 V olmaldr.
Baz kondansatrlerin maksimum alma voltaj DC cinsinden, bazlarnnki ise AC cinsinden
belirtilir. 250 V DC, 400 V AC gibi. Bu noktadan hareketle zerinde 250 V DC yazan bir
kondansatr 220 V AC devrede kullanamayz. nk, 220 V'luk ACnin maksimum gerilim
deeri, Vmaks = Vetkin.1,41 = 220.1,41 = 310,2 V'tur.
Bu nedenle AC 220 voltluk devreye balanacak kondansatr en az 350 - 450 voltluk olmaldr.
Baz kondansatrlerin zerinde 250 V deerinin yannda ~ iareti bulunur. Bu iaret kondansatrn
220 voltluk alternatif akma dayanabileceini belirtir. Baka bir husus ise udur: zerinde 100 V
DC- (ya da =) yazan bir kondansatr ise en fazla 63 V'luk AC gerilime dayanabilir.
Ek bilgi: Etkin (efektif, RMS) deer
Sinsoidal zellikli olan AC, sfr (0) ekseninin iki yannda pozitif ve negatif deerler almakta ve
bunlara pozitif ve negatif alternanslar denilmektedir. AC'nin deeri her an deiir. Teknik anlatmlarda
akm ve gerilimin herhangi bir andaki deerine an deer denilir. Pozitif ya da negatif alternansn an
deerlerinin toplam maksimum deerin 0,707'sine eit olmaktadr. te bu deere, etkin, efektif ya
da RMS (root mean square) deer ad verilir.
Baka bir anlatmla, AC zellikli bir sinyalin DC'ye eit olan deerine etkin deer denir. l
aletleri elektriin etkin deerini ler. 220 voltluk elektriin maksimum deeri 310,2 volttur.
Kullandmz l aleti etkin deeri (yani 310,2 voltluk gerilimin DC'ye eit olan deerini)
23
ltnden biz skalada 220 V grrz.

Kondansatrler ise AC'nin maksimum deerine dolar. Yani 220 voltluk ebekeye balanan bir
kondansatr 310,2 volta arj olur. te bu nedenle, AC besleme geriliminin maksimum deeri
hesaplanarak kondansatr seimi yaplr.
Kondansatrlerin kapasite deerinin rakam, harf ve renk bantlaryla belirtilmesi:
Kondansatrlerin kapasite deeri ve alma gerilimi arttka gvde boyutlar da byr. Byk gvdeli
kondansatrlerin zerinde kapasite deeri ve alma voltaj rakamsal olarak belirtilmitir.
a. Rakamlarla yaplan kodlama: Kk gvdeli kondansatrlerin zerinde yaz iin fazla yer
olmadndan baz ksaltmalar kullanlr. rnein 0 yerine yalnzca nokta (.) konur.
Toleransl rakamsal kodlamada harflerin tolerans karlklar yledir:
B: % 0,1
C: % 0,25
D: % 0,5
F: % 1
G: % 2
J: % 5
K: % 10
M: % 20
Toleransl rakamsal kodlama rnekleri:
Kk gvdeli bir kondansatrde,
p68 kodu varsa
C: 0,68 pF
15 kodu varsa
C: 15 pF
470 kodu varsa
C: 47 pF
152 kodu varsa
C: 1500 pF
472 kodu varsa
C: 4700 pF
103 kodu varsa
C: 10.000 pF
104 kodu varsa
C: 100.000 pF
1n kodu varsa
1n2 kodu varsa
33n kodu varsa
,039 kodu varsa
,05 kodu varsa
0,5 kodu varsa
m47 kodu varsa
1m0 kodu varsa
C: 1 nF
C: 1,2 nF
C: 33 nF
C: 0,039 mF
C: 0,05 mF
C: 0,5 mF
C: 0,47 mF
C: 1 mF
1,5 nF
Resim 1.23: Kondansatrlerin rakam ve harflerle kodlanmasna ilikin rnekler
P15B kodu varsa

100J kodu varsa
123Jkodu varsa
104K kodu varsa
0,001(K) kodu varsa
473M kodu varsa
C: 0,15 pF
C: 100 pF
C: 12000 pF
C: 100000 pF
C: 0,001 mF
C: 47000 pF
% 0,1 tolerans
% 5 tolerans
% 5 tolerans
% 10 tolerans
% 10 tolerans
% 20 tolerans
b. Renk bantlaryla (halkalaryla) yaplan kodlama: Kondansatrlerin zerindeki renk

bantlarna baklarak, kapasite, tolerans ve voltaj deerleri saptanabilmektedir. Ancak kondansatrlerin
zelliklerini renk bantlaryla belirtme direnlerde olduu gibi tam bir standardizasyonda olmad
iin karmaa sz konusudur. Yani ok deiik ekillerde kodlanm kondansatrler karmza
kabilmektedir.
Kondansatrlerin renk kodlamasnda bulunan deer pF cinsindendir. Renklerin rakamsal karl
bulunurken gvdede bulunan renkler stten aaya ya da soldan saa doru okunarak kapasite
deeri bulunur.
I. renk bandyla yaplan kodlama: 1. bant (A): Say, 2. bant (B): Say, 3. bant (C): arpan.
24
Renkler
Siyah
Kahve
Krmz
Turuncu
Sar
Yeil
Mavi
Mor
Gri
Beyaz
Krmz/mor
Altn
Gm
Say
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
-
arpan
0
00
000
104
105
106
107
108
109
10-1
10-2
Tolerans
% 20
%1
%2
%3
%4
%5
%6
%7
%8
%9
%5
% 10
alma gerilimi (V)

10 V
100 V
200 V
300 V
400 V
500 V
630 V
700 V
800 V
900 V
-
Scaklk katsays
-6
0.10 /C
+33.10-6/C
-75.10-6/C
-150.10-6/C
-220.10-6/C
-330.10-6/C
-470.10-6/C
-750.10-6/C
+100.10-6/C
-
Tablo 1.2: Kondansatr renk kodlar izelgesi
II. Drt renk bandyla yaplan kodlama: 1. bant (A): Say,

2. bant (B): Say, 3. bant (C): arpan, 4. bant (D): Tolerans.
rnek: Mavi, gri, sar, kahverengi: 680.000 pF % 1 (Bu deer
680 nF ya da 0,68 mF olarak da yazlabilir.)
rnek: Sar, mor, turuncu, krmz: 47.000 pF % 2 = 47 nF % 2
Resim 1.24: Renk

bantlaryla kodlanm
kondansatr rnekleri
III. Be renk bandyla yaplan kodlama: 1. bant (A): Say,

2. bant (B): Say, 3. bant (C): arpan, 4. bant (D): Tolerans, 5.
bant (E): alma gerilimi
ekil 1.57: renk
bantl kondansatr
rnek: Kahve, siyah, sar, siyah, krmz:

100 000 pF = 100 nF = 0,1 mF % 20/200 V
rnek: Turuncu, beyaz, kahve, altn, kahve:
390 pF % 5/100 V
rnek: Sar, mor, turuncu, krmz, kahve:

47 000 pF % 2/100 V
IV. Alt renk bandyla yaplan kodlama: 1. bant (A): Say,
2. bant (B): Say, 3. bant (C): arpan, 4. bant (D): Tolerans, 5.
bant (E): alma gerilimi, 6. bant (F): Scaklk katsays
rnek: zerinde, turuncu, siyah, turuncu, kahverengi, krmz,
mor renkleri bulunan kondansatrn kapasitesini bulunuz.
Turuncu: 3. Siyah: 0. Turuncu: 3. Kahverengi: % 1. Krmz:
-6
200 V. Mor: -750.10 /C
Kondansatr: 30.000 pF = 30 nF % 1 / 200 V
-6
Elemann scakla gre kapasite deitirme katsays: -750.10 /C
25
ekil 1.59: Be renk

bantl kondansatr
ekil 1.58: Drt renk

bantl kondansatr
Kondansatr balantlar: Kondansatrler devrede kullanlrken eitli ekillerde balanr.

imdi bunlar inceleyelim.
ekil 1.60: Kondansatrlerin

seri balanmas

paralel balanmas
a. Seri balama: Seri balantda toplam kapasite azalr,

alma gerilimi ykselir. yle ki; 10 mF ve 16 voltluk iki
kondansatr seri balandnda toplam kapasite 5 mF olurken,
alma gerilimi 32 V olur.
Seri balantda toplam kapasiteyi hesaplamada kullanlan
denklem,
1/CT = 1/C1 + 1/C2 +...+ 1/Cn'dir.
rnek: C1 = 10 mF,
C2 = 10 mF CT =?
zm: 1/CT = 1/C1 + 1/C2 = 5 mF

kark balanmas
b. Paralel balama: Paralel balantda toplam kapasite

artar, alma gerilimi ayn kalr.
Toplam kapasiteyi hesaplamada kullanlan denklem,
CT = C1+C2+ ... +Cn'dir.
rnek: C1 = 22 mF,
C2 = 47 mF
zm: CT = C1 + C2 = 69 mF
C
a. Rle konta
CT = ?
c. Kark balama: Hesaplama yaplrken paralel bal

olan ksmlar seri hle indirgenir. Daha sonra seri devrenin
toplam kapasitesi bulunur.
platin
rnek: ekil 1.62'de verilen devrede C1=20 mF, C2 =10 mF,

C3 = 10 mF'dr. Toplam kapasiteyi (CT) bulunuz.
bimetal
zm: lk nce paralel bal C2 ve C3 kondansatrleri seri

hle indirgenir.
CT1 = C2 + C3 = 20 mF
1/CT = 1/C1 + 1/C2 = 1/20 +1/20 = 2/20 = 10 mF
b. Platin
c. Starter
ekil 1.63: Kondansatrn kullanm alanlarna ilikin rnekler
Kondansatrlerin kullanm alanlarna ilikin rnekler

I. Kondansatrler DCyi geirmeyen, ACyi ise geiren bir eleman olduundan ykseltelerde
kuplaj eleman (DC sinyalleri engelleyip AC sinyalleri geirici) olarak kullanlr.
II. ACnin dorultulmasnda diyotlar kullanlr. Ancak diyotlar ACyi tam doru akm hline
getiremezler. Diyodun kna balanan uygun deerli kondansatr, k sinyalini filtre eder (szer).
Yani arj ve dearj olarak alcya giden akm dzgnletirir.
III. Rlelerin kontaklarnn alp kapanmas annda kontak ularnda ark olutuundan, birbirine
deen ksmlar abuk ypranmaktadr. Bu nedenle rlelerin kontaklarna paralel olarak ekil 1.63a'da grld gibi yaklak 0,1 mF'lk bir kondansatr balanr. Rle enerjilendiinde kontaklar
26
kapanrken kondansatr an arj olarak ark nler

Benzinli motorlarn ateleme sisteminde bulunan platinde,
meksefe ad verilen kondansatr ve floresan lamba
starter'lerinde bimetale paralel bal olan kondansatr, ark
sndrc olarak alr. ekil 1.63-b ve c'ye baknz.
Kondansatrlerin salamlk testi
a. Kk kapasiteli kondansatrlerin (1 pF-1 mF)
salamlk testi: Kondansatr boaltldktan sonra yaplan
lmde ohmmetre ibresi ok az kprdarsa ya da hi oynamazsa

llen kondansatr salamdr. (lmlerde ohmmetre
komtatr x1k, x10k ya da x100k konumunda olmaldr.)
ekil 1.64: Kondansatrn

b. Byk kapasiteli kondansatrlerin (1-38000 mF) salamlk testi: lme komtatr

x10 W, x100 W kademesine alnr. Ohmmetre ibresi nce kk bir diren deeri gsterir sonra
yava yava byk deere doru ykselirse kondansatr salamdr.
Byk kapasiteli kondansatrleri pratik olarak u ekilde de test edebiliriz: Kondansatr nce DC
ya da AC ile arj edilir. Sonra ular birbirine dedirilir. Kvlcm (ark) grlyorsa kondansatr
salamdr. Fakat bu yntem kondansatr asndan sakncaldr. nk kondansatrn hzlca
doldurulmas ve boaltlmas plakalarn tahrip olmasna yol aabilir.
En salkl test kapasitemetreyle yaplr. lm yaplmadan nce kondansatrn ayaklar ksa
devre edilerek zerindeki elektrik yk iyice boaltlr. Bu yaplmazsa lm tam doru olmaz.
Kondansatr arzalar
a. Ksa devre: letken levhalar arasndaki yaltkan (dielektrik) madde eitli nedenlerle delinir
ve kondansatr zelliini kaybeder. Bu durum ohmmetre ya da kapasitemetreyle kolayca anlalabilir.
b. Devre kopukluu: Levhalar d devreye balayan iletken ayaklar kopabilir. Bu durumda
eleman deitirilir.
C. Bobinler (indktr, self, coil, inductor)
letken tellerin yan yana ya da st ste sarlmasyla elde edilen devre elemanlarna bobin denir.
Bobinlerin sembol L, birimi henry (H)'dir.
Bobinler DC ile beslenen bir devrede alrken akma sadece omik diren gsterirler. Yani, bobinin
yapld metalin akma kar gsterdii zorluk sz konusudur.
Resim 1.25: eitli bobinler
AC ile beslenen bir devrede ise, bobinin akma gsterdii diren artar. Artn sebebi bobin etrafnda
oluan deiken manyetik alann akma kar ilave bir kar koyma (diren) etkisi oluturmasdr. AC
sinyalin frekans ykseldike oluan manyetik alann deiim hz da artacandan bobinin akma
gsterdii diren de ykselir. Bu nedenle bobinler, direnleri frekansla birlikte ykselen eleman
olarak nitelendirilebilir.
Bobinlerin sarld ksma karkas, mandren ya da makara, iletkenin karkas zerinde bir tur yapmasna
ise sipir, tur ya da sarm ad verilir.
Bobinlerde ounlukla d yzeyi izoleli (vernikli) bakr tel kullanlr.
27
Bobinlerle ilgili temel kavramlar: Elektronik devrelerde yaygn olarak kullanlan bobinlerin
eitli zellikleri vardr. imdi bunlar inceleyelim.
1. ndktans (endktans): Bir bobinin kendi kendini etkileme derecesine indktans denir.
Baka bir deyile, bobinden geen 1 A'lik AC akmn 1 saniyedeki deiimi, 1 V'luk zt EMK
oluturuyorsa bu bobinin indktans 1 henrydir. Henry birimi, Joseph Henry (Cozef Henri) adl
bilginin soyadndan alnmtr.
Henry ok byk bir birimdir. Uygulamada henrynin ast katlar (milihenry, mikrohenry) daha ok
karmza kar.
Bobinlerin birimlerinin birbirine dnmnn basitce gsterilii yledir:
1 H = 103 mH = 106 mH
1 mH = 10-3 mH = 10-6 H
Bobinlerin AC sinyallere gsterdii reaktans, XL = w.L = 2.p.f.L [W] denklemiyle bulunur.
(p = 3,14. f = Frekans. w = Omega)
2. Reaktif devre eleman olarak bobinler: Bobinler de kondansatrler gibi elektrik enerjisini
harcamayan reaktif devre elemandr. Bu elemanlar elektrik enerjisini manyetik alan eklinde ok
ksa sreli olarak depo ederler.
Kondansatrler devreye balyken gerilimi geri brakrken (faz fark), bobinler, gerilimi ileri
kaydrrlar. Bu zellikleriyle bobin ve kondansatr birbirinin tamamen ztt durumundadr.
Bobin ve kondansatrlerin akm ile gerilim arasnda faz fark yaratmas uygulamada eitli ekillerde
fayda ya da zarara neden olur.
3. Bobinlerde zt elektromotor kuvvet (zt EMK):
Bir bobine AC zellikli sinyal uyguland zaman, deiken
akm bobinin etrafnda ekil 1.65'te grld gibi deiken
manyetik alanlarn olumasn salar. te bobin evresinde
oluan manyetik alan, bobin zerinde iki etkide bulunur:
V
Bobinlerin oluturduu manyetik alann birinci etkisi
yledir: Uygulanan alternatif akm sfr deerinden
maksimum deere doru ykselirken, bobinin manyetik alan
kendisini oluturan kuvvete kar koyarak akmn artn
azaltmaya alr.
Bobinlerin oluturduu manyetik alann ikinci etkisi ise
ekil 1.65: Bobinlerde
oluan manyetik alan
udur: Uygulanan alternatif akm maksimum deerinden sfr
deerine doru azalrken, bobinin manyetik alan kendi
zerinde gerilim indkleyerek (oluturarak) geen akmn azalmasn yavalatmaya alr.
te bobinin oluturduu manyetik alann kendi zerinde oluturduu bu gerilime zt EMK denir.
Bobinler zt EMK nedeniyle akmn geiini geciktirirler. Yani AC zellikli akmlarn 90 geri
kalmasna neden olurlar.
4. Bobinlerin indktans deerinin deimesine yol aan etkenler: Uygulamada kullanlan
bir bobinin indktans eitli faktrlere gre azalmakta ya da artmaktadr. Bunlar: a. Sarm says, b.
Nvenin cinsi, c. Sarmlar aras aralk, . Tel kesiti, d. Bobinin biimi, e. Sarg kat says, f. Bobinin ap,
g. Sarg tipi, . Uygulanan AC gerilimin frekansdr. ekil 1.66'ya baknz.
5. Bobinlerin DC ve AC akmlara kar davran: Bir bobine DC akm uygulandnda
geen akm bu elemann etrafnda sabit (donuk, deimeyen) bir manyetik alan oluturur. Bu alana
yaklatrlan demir, nikel, kobalt gibi cisimler bobin tarafndan ekilir. Bobin iine nve konmaz ise
ekim gc az olur.
Bobine DC uygulannca indktif bir etki grlmez. Devreden geen akma yalnzca bobinin omik
28
a. Sarm says
b. Nve olarak kullanlan

maddenin tr
c. Sarmlar aras aralk
. Tel kesiti
d. Bobinin biimi
e. Sarg kat says
f. Bobinin ap
g. Sarg tipi
ekil 1.66: Bobinlerde indktansn deimesine yol aan etkenler
(R) direnci kar koyar.

Ancak, bobine deiken gerilim (AC) uygulandnda, sarm etrafnda oluan deiken manyetik
alan, akmn dolamna engel olucu nitelikte ikinci bir etki dourur. Tamamen bobinin indktansna
bal olarak deien kar koyma iddeti indktif reaktans (XL) olarak adlandrlr.
Bobinin AC akma kar gsterdii iki zorluk empedans olarak tanmlanr. Empedans deeri,
[W] denklemiyle bulunur..
R
rnek: ndktans (endktans) 20 mH (0,02 H), omik direnci 6

W olan bobinin empedansn bulunuz. Frekans 50 Hz'dir.
XL
Z
ekil 1.67: Bobinlerin AC

sinyallere kar gsterdii
omik ve indktif direncin
elektriksel edeeri
zm: XL = 2.p.f.L = 2.3,14.50.0,02 = 6,28 W
Bobin eitleri: Bobinler kullanm yerlerine gre eitli modellerde retilirler. imdi bunlar
inceleyelim.
(a)
(a)
(b)
Resim 1.26: a. Hava nveli bobin sembolleri

b. Hava nveli bobin rnekleri
(b)
Resim 1.27: a. Ferrit nveli bobin sembolleri

b. Ferrit nveli bobin rnei
a. Hava nveli bobinler: Daha ok yksek frekansl (FM radyo alclar, telsiz, TV ve anten
ykselteci devreleri vb.) sistemlerde kullanlan bobin eididir. Devreye bal olan bu tip bir bobinin
pozisyonunun el srerek dah deitirilmesi sakncaldr. nk, bobinin indktans deeri deierek
devrenin almasn olumsuz etkiler. Bu nedenle baz cihazlarda kullanlan hava nveli bobinlerin
st ksm, mekanik zorlanmalardan etkilenmemesi iin silikon benzeri yaptrc maddelerle kaplanr.
b. Ferrit (ferit) nveli bobinler: Resim 1.27'de grlen ferrit nveli bobinler radyo frekans ve
yksek frekansl devrelerde kullanlr. Nve, demir, nikel, kobalt, alminyum, bakr ve baz katk
maddelerinin bir araya getirilmesiyle retilmitir. Ferrit nveli radyo frekans bobinleri ounlukla
petek eklinde sarlr. Petek sarg bobin sipirleri arasndaki kaak kapasiteyi azaltr. Ferrit nve
yksek deerli bobinin retilmesini salar. Bu nvelerin bir baka yarar ise, az bir iletkenle istenilen
deerde bobin yaplabilmesini salamasdr.
29
Ferrit nveler indktans artrc

etki yaparken, manyetik kuvvet
izgilerine kar yksek diren
gsteren pirin ve alminyumdan
ya p l m n vel er i ndkt an s
drrler. letken olan bu tip
nvelerin zer inden manyetik
alandan dolay yksek deerli ksa
devre akmlar (i akmlar) dolar.
z el l i kle MHz (m ega h ert z )
dzeyindeki frekanslara sahip
devrelerde bobin nveleri ksa
devre akmlarnn az dolamasn
salayacak malzemelerden yaplr.
(c)
Resim 1.28: a. Demir nveli bobin sembolleri b. eitli

bobin nveleri c. Demir nveli bobin rnekleri
c. Demir nveli bobinler:

Resim 1.28'de grlen demir nveli
bobinlere ok bobini de denir.
Uygulamada daha ok filtreleme ve
ses frekans devrelerinde kullanlrlar.
. Sac nveli b obinl er:
Transformatr, balast, AC ile alan
motor, kontaktr vb. gibi yerlerde
fuko akmlarnn etkisini azaltmak
iin birer yzleri yaltlm saclardan
yaplm nveli bobinlerdir. Resim
1.29'da sac nveli bobin rnekleri
verilmitir.
(b)
(a)
Resim 1.29: Sac nveli bobin

sembol ve sac nveli bobin rnekleri
hareket edebilen nve
bobin
ular
Resim 1.30: eitli ayarl bobinler
d. Nvesi hareketli ayarl bobinler: Resim 1.30'da grld gibi bobinlerin iindeki nve
hareketlidir. Nvenin hareket ettirilmesiyle birlikte bobinin manyetik alan deierek indktans
deimektedir.
e. Sarg ayarl bobinler (varyometre): Bobinin zerine srtnen trnak eklindeki bir u
araclyla bobinin deeri ayarlanabilir. ekil 1.68-'de sarg ayarl bobin sembol grlmektedir.
f. Kademeli bobinler: Bobinden alnan ular ok konumlu bir anahtara (komtatr) balanarak
farkl indktanslar elde edilebilir. ekil 1.68-d'de kademeli ayarl bobin sembol grlmektedir.
6. Bobinlerin deerinin renk bantlaryla belirtilmesi: Baz firmalar rettikleri bobinlerin ka
mikrohenry (mH) olduunu renk bantlaryla belirtmektedir. Bu yntem direnlerin kodlanmasna benzer.
rnekler
Kahve, siyah, siyah, altn: 10 mH % 5
Krmz, mor, kavrengi, gm: 27 mH % 10
7. Bobinlerin indktans deerinin belirlenmesi: Bobinlerin deeri en doru ekilde
dijital yapl LCRmetre indktans lme konumuna getirilerek yaplr.
30
a. Ferrit nveli
tornavida ayarl
(trimer) tip ayarl
bobin sembol
b. Ferrit nveli
elle ayarl
bobin
sembolleri
c. Demir
nveli elle
ayarl bobin
sembol
d. Kademeli
ayarl bobin
sembol
. Sarg
ayarl bobin
sembolleri
ekil 1.68: Ayarl bobin sembolleri
8. Bobinlerin salamlk testi: Ohmmetre ya

da indktansmetre ile yaplabilir. Ohmmetreyle
yaplan lmde bobinin sadece DC zellikli
akmlara kar gsterdii omik diren deeri ve
kullanlan telin kopuk olup olmad llm olur.
ndktansmetre ile yaplan lmde ise hem
bobinin deeri, hem de salam olup olmad
anlalabilir.
9. Bask devre zerinde oluturulan
bobinler: Yksek frekansl devrelerde (TV, video,
TV anten ykselteci, FM radyo, FM verici vb.)
kullanlan bobinler, bakrl plaket zerine izilmi
dz bir izgi ya da zik zakl bir izgi ile de elde
edilebilmektedir.
Renk
Siyah
Kahverengi
Krmz
Turuncu
Sar
Yeil
Mavi
Mor
Gri
Beyaz
Renksiz
Altn
Gm
1. bant
arpan
Tolerans
% 20
%1
%2
%3
%4
% 20
%5
% 10
0,1
Tablo 1.3: Bobin renk kodlar izelgesi

L1
LT
10. Bob inlerin u ygul amadaki b az

kullanm alanlar: Bobinler uygulamada rle,
kontaktr, otomatik sigorta, analog l aleti,
mekanik zil, numaratr, kap otomatii, dinamik
mikrofon, dinamik hoparlr, transformatr, teyp
kafas, balast, motor vb. gibi cihazlarda kullanlr.
2. bant
L2
L1
L2
L3
L3
LT
Resim 1.31: Bobinlerin seri ve paralel

balanmasnn basit resimlerle gsterilmesi
11. Bobinlerin seri ve paralel balanmas: Bobinler seri balandnda toplam indktans
(endktans) LT=L1+L2+L3+...+Ln [H] denklemiyle hesaplanr.
Bobinler paralel balandnda ise toplam indktans 1/LT = 1/L1+1/L2+1/L3+...+1/Ln [H] ile
hesaplanr.
31
Blm 2: Maddenin yaps ve yar iletkenler

A. Temel kavramlar
Elektroniin temelini oluturan yar iletkenleri
aklamadan nce madde ile ilgili kavramlar
inceleyelim.
Bilindii gibi btn maddeler atomlardan
olumutur. Be duyu organmzla evreyi
incelediimizde ok sayda deiik zellikli madde
grrz. rnein, su, cam, bakr, demir, hava gibi.
a. Madde: Dnyada bulunan 112 eit maddenin
(element) tm atomlarn birleiminden olumutur.
Maddeler doada kat, sv ve gaz hlinde bulunurlar.
Elektrik akmn iletme durumlarna gre maddeler
e ayrlr. Bunlar iletken, yaltkan ve yar
iletkenlerdir.
Elektronik devrelerin byk blm katlarn
iletkenlii temeline dayanlarak yaplr. Bir
maddenin elektrii iletme oran, maddenin serbest
elektron retme yeteneine baldr.
ekirdek
yrngeler
ekil 2.1: Atomun yapsnn
basit olarak gsterilii
32e
elektronlar
b. Atom: Yaplan deneyler, atomun tek bir btn
18e
olmadn, daha kk paralardan olutuunu
8e
gstermitir. Atom, merkezindeki art (+) ykl ve
yksz paracklardan oluan ekirdek ve
2e
elektronlaryla gne sistemi gibidir.
Atomun ekirdeindeki paracklara proton ve
ntron ad verilir.
ekirdein evresinde ise eksi (-) ykl
ekirdek
elektronlar vardr. ekil 2.1 ve ekil 2.2'de atomun
(proton ve
yaps gsterilmitir.
ntronlar)
Atom, blnemez anlamndadr. Baka bir deyile
maddelerin blnemeyen en kk yap talarna
ekil 2.2: Atomun ekirdei ve
yrngelerdeki elektronlarn dizilii
atom denir.
Atom ekirdeinin evresinde dnen elektronlar
en ok 7 yrnge zerinde hareket ederler. Eksi (-) ykl olan
elektronlar yrngelerinin bulunduu yar apa orantl olarak
elektron
potansiyel ve kinetik enerjiye sahiptir.
Atomlarda ekirdee en yakn yrngedeki elektronlarn enerji
atom ekirdei
seviyeleri en dktr. ekirdekten uzaklatka enerji seviyeleri
artar.
Elementler iinde en basit yapya sahip olan madde ekil 2.3'te
grlen hidrojen atomudur. Bu atom, ortada bir ekirdek ile onun
etrafndaki yrngede dnen bir elektrondan olumutur.
Atomlarn ekirdeinde bulunan protonlar elektriksel bakmdan
(+) ykl, ntronlar ise ykszdr. Ntronlarn elektriksel ve
ekil 2.3: Hidrojen atomu
kimyasal etkileimlerde etkisi (ilevi) yoktur.
Atomdaki elektronlar, K, L, M, N, O, P, Q ad verilen kabuklarnda dalm olup, elektrik akmn
tayan elektronlar en son kabukta yer almaktadr.
32
Bir maddenin elektriksel olaylarnn olutuu son kabukta bulunan elektronlara valans elektronlar
denir.
3e- var
2e- var
(a) atom ntr (dengede)
(b)
4e- var
atom art ykl
(c)
atom eksi ykl
ekil 2.4: Atomun ntr, art ykl, eksi ykl iyon durumunun gsterilii
c. Elektrik yk: Bir atom, elektron kaybettiinde ekil 2.4-b'de grld gibi pozitif ykl
hle geer. Eer dardan bir elektron alrsa ekil 2.4-c'de grld gibi negatif ykl duruma
geer.
Atomlarn art (+) ya da eksi (-) ykl olmas durumuna arjl olma da denilir. Eer herhangi bir
atom arjl durumdaysa buna iyon ad verilir. Atomlar fazla olan elektronlarn verip ntr (yksz)
hle gemek isterler. Yani zerlerindeki fazla elektronlar ilk frsatta komu bir atoma vermeye
alrlar. Bu zellik ayn adl kutuplarn birbirini itmesi, zt kutuplarn birbirini ekmesi zelliinden
kaynaklanmaktadr.
. yon: Atomlarn elektriksel adan dengesiz hline iyon denir. yle ki; d etkilerle atomun
son yrngesinde bulunan elektronun biri alnrsa elektriksel denge
bozularak atom, art (+) ykl iyon durumuna geer. Eer dengedeki
bir atomun son yrngesine bir elektron girecek olursa atom eksi (-)
ykl iyon durumuna geer. ekil 2.4-a-b-c'ye baknz.
d. Molekl: Bir ka maddenin birleiminden olumu yeni
maddenin en kk paracna molekl denir.
rnein suyun oluumu iin 1 oksijen atomuyla 2 hidrojen atomu
gerekir. Bakr slfat moleklnde ise 1 bakr atomu, 1 kkrt atomu
ve 4 oksijen atomu vardr.
te bu birleimlerin en kk yap ta molekldr. ekil 2.5'te
molekl modeli rnei verilmitir.
ekil 2.5: Molekl modeli
B. letkenler, yaltkanlar ve yar iletkenler

a. letkenler: Bir atomun en d yrngesinde az sayda (1-2-3) elektron varsa, bu elektronlar
ekirdee balayan g zayftr. rnein bakr atomunun son yrngesinde 1 elektron vardr ve bu,
ekirdek tarafndan kuvvetlice ekilmediinden kolayca serbest hle geebilir.
Bakrdan yaplm bir iletkenin
iki ucuna belli bir gerilim
valans (serbest) elektronlar
uygulanrsa, elektronlar pilin eksi
(-) ucundan art (+) ucuna doru
gitmeye balar. te bu elektron
hareketi elektrik akmdr.
Gerilim kaynann art (+) ucu
ekirdek
elektronlar yakalarken, eksi (-)
ucu maddeye elektron verir.
bakr iletken
Burada gerilimi bir eit elektron
ekil 2.6: Bakr atomunun yapsnn basit olarak gsterilmesi
33
pompas olarak dnebiliriz. Gerilimin

serbest elektron
serbest elektron
bykl artarsa, elektronlar daha
hzl bir ekilde ilerlerler. Yani ortalama
hzlar artar.
Baka bir deyile, son yrngesinde
(valans band) 1-2-3 elektron
bulunduran maddeler az ya da ok
elektrik akmn iletirler.
ekil 2.7: Serbest elektronlarn iletken iindeki hareketi
En d yrngesinde 2 elektron
bulunduran demir ve 3 elektron bulunduran alminyumun iletkenlikleri bakra gre daha azdr.
ekil 2.6'da bakrdan yaplm iletkende serbest elektronlar, ekil 2.7'de bakr iletkende serbest
elektronlarn hareketi, ekil 2.8'de bakr atomunun yaps ve ekil 2.9'da bakr atomunun yapsnn
basit olarak gsterilii verilmitir.
ekirdek
29p
1e
serbest elektron
ekil 2.8: Bakrn atom yaps
ekil 2.9: Bakr atomunun yapsnn basite gsterilii
b. Yaltkanlar: Gerilim uygulandnda iletkenlii ok alak

dzeyde olan malzemelere yaltkan denir. Baka bir deyile elektrik
akmn iletmeyen maddeler yaltkandr.
Atom yaps asndan bakldnda, son yrngelerinde (valans
band) 5-6-7-8 elektron bulunduran tm maddeler az ya da ok
yaltkandrlar.
Yaltkanlarda atomlar aras bolukta serbest elektron bulunmaz.
Ayrca elektronlar ekirdee ok sk balarla baldr.
Elektrik akmn geirmeyen yaltkan maddelerde her atom ntr
durumdadr. Bir yaltkana fazladan yklenen arj, maddenin o
ekil 2.10: Yaltkanlarn
blgesinde statik olarak kalr. Ykler atomdan atoma iletilmedii iin
son yrngesinde
yaltkan zerinde baka bir blgeye gei sz konusu deildir.
bulunan elektronlar
ekil 2.10'da grld gibi plastik, cam, kauuk, mermer, kt,
tahta gibi yaltkanlk dzeyi yksek olan maddelerin atomlarnn son yrngelerinde 8 adet elektron
vardr. Yani bu atomlarda son yrnge elektron bakmndan doymu durumdadr. Darya elektron
verme ya da dardan elektron alma ok zordur.
Cam, mika gibi iyi yaltkanlarn direnci 1015 W/cm3 dzeyindedir. Yaltkanlarn ok yksek diren
gstermeleri madde iindeki serbest elektronlarn ya da dier akm tayclarn olmamasndandr.
Yani yaltkanlarda atomun ba yaps, elektronlarn yrngesinden kmasna izin vermez. Bu durumu
enerji band ynnden ele alrsak, iletim band ile valans band arasndaki yasak blge ekil 2.12'de
grld gibi dardan uygulanacak enerji ile alamayacak kadar genitir.
Ek bilgi: Yaltkanlarn delinmesi
Aslnda elektrik akmn hi geirmeyen madde yoktur. Yaltkan olarak bilinen maddeler ok az
bir akm geirirler. (yi bir yaltkan olarak kabul edilen polistirinin 1 cm3'nde 6,1.1010 adet serbest
34
elektron bulunur.) Ancak bu canllar iin zararl deildir. Yaltkana uygulanan gerilim arttka geirdii
akm da artmaya balar. Belli bir gerilim seviyesinden sonra yaltkan tamamen iletken olur. Buna
yaltkann delinmesi denir. Her yaltkann delinmesine yol aan gerilim deeri ayrdr. Elektrik ve
elektronik almalarnda kullanlan el takmlarnn sap izoleleri incelenecek olursa burada yaltkann
dayanabilecei son (maksimum) gerilim deeri yazldr. rnein penselerin sap izolesinde 10.000 V
yazar. Bu, plastik yaltkan 10.000 V'tan sonra iletken hle geebilir anlam tar.
ekil 2.11: Yar iletkenlerin kristal yapsnn boyutlu olarak gsterilmesi
enerji
enerji
enerji
c. Yar iletkenler: Son yrngelerinde (valans band) drt elektron bulunduran maddelere yar
iletken denir.
Yar iletkenlerin direnci iletkenlerin direncinden yksek, yaltkanlarn direncinden dktr. Yani
iletkenlik bakmndan iletken ve yaltkanlar arasnda yer alrlar.
Yar iletkenlerin 1 cm3'nn iki yz arasndaki diren normal oda scaklnda 0,1-50 W arasndadr.
Bu tip maddelerin direnleri scaklkla dzgn deime gstermez.
Yar iletkenlerin bazlar bileik, bazlar elementtir. Bileiklere rnek olarak inko oksit ile bakr
oksiti verebiliriz. Elementlere rnek olarak germanyum ve silisyum (silikon) gsterilebilir.
Yar iletkenler ekil 2.11'de grld gibi kristal yapdadr. Yani atomlar belirli bir sistemle
sralanmtr. Bu yap tekli (mono) kristal ya da oklu (poli) kristal olabilmektedir. Silisyum ve
germanyum atomlarnn son yrngelerinde drder elektron vardr. Germanyumun ve silisyumun
saf kristalleri olduka iyi bir yaltkan olmalarna karn, atom yaplarna kk miktarlarda arsenik,
indiyum vb. ekleyerek iletkenlikleri nemli lde deitirilebilir.
iletkenlik band
yasak bant ok kk
valans band
a) iletken
iletkenlik band
iletkenlik band
yasak bant
(boluk band)
valans band
b) yar iletken
yasak bant
(boluk band)
valans band
c) yaltkan
ekil 2.12: letken, yar iletken ve yaltkan atomlarnda enerji seviyeleri
C. Atomlarda enerji seviyeleri ve bant yaplar

Bir maddeyi elektriksel bakmdan iletken hle getirebilmek iin dardan bir enerji uygulanmas
gerekir. Bu enerji miktar ayr enerji bandnn olumasn salar. Bunlar, ekil 2.12'de grlebilecei
gibi iletkenlik band, yasak bant ve valans banddr.
Herhangi bir atomun valans bandndaki elektronlarn yrngesinden koparak iletkenlik bandna
geebilmesi iin, bu iki bant arasndaki yasak band gemesi gerekir.
35
a. Yasak bant: Elektron bakmndan bo bulunan ve valans bandndaki elektronlarn iletkenlik

bandna gemesini zorlatran (gletiren) bolua denir.
b. letkenlik band: Valans bandndan kopan ve akm tayabilecek durumda olan elektronlarn
bulunduu banttr. Maddeler, elektronlarnn bu banda gemesiyle iletken hle gelirler.
Maddelerin elektriksel iletkenlii, atomlarnn enerji seviyelerine baldr. Her maddenin, iinde
bulunan elektronlarn serbest hle gemesi iin, o maddeye dardan farkl enerji seviyeleri uygulamak
gereklidir.
Saf bir yar iletken maddede iletkenlik, elektronlarn bir banttan dierine gemesiyle meydana
gelir. Yani bir atomun son yrngesinde bulunan valans elektronun serbest duruma gemesi, o
maddenin iletkenlik kazanmas anlamna gelir.
Dardan enerji (s, k ve benzeri) alan bir elektron bir st banda (tabakaya) ykselebilir. Daha
dk bir banda geen elektron ise darya enerji yayar.
Valans bandnda bulunan elektronlar ekirdein ekim kuvveti nedeniyle yrngelerinden
kamazlar. Bunlarn serbest hle geebilmesi iin dardan yeter miktarda enerji uygulanmas
gereklidir. Bu enerjiyi alan elektron, valans bandndan kp yasak blgeyi geerek iletkenlik bandna
ular ve orada akm tayc olarak grev yapmaya balar. Elektron yerinden kt zaman arkasnda
bir oyuk brakr. Oyuk pozitif ykl olarak kabul edilir.
letkenlerin valans band enerji seviyesiyle iletkenlik band enerji seviyesi ayndr. Bu nedenle
iletkenlerde kk bir enerji uygulanmasyla pek ok valans elektron serbest duruma geebilmektedir.
Baka bir anlatmla, iletkenlerde yasak bant yok denecek kadar azdr. Bu sayede elektronlar kolaylkla
valans bandndan iletkenlik bandna atlayabilirler. ekil 2.12-a'ya baknz.
Yar iletkenlerin valans bandyla iletkenlik band arasnda ekil 2.12-b'de grld gibi belirli
bir boluk band vardr. Bundan dolay yar iletkenlerin iletkenlik oluturabilmesi iin, valans
elektronlarna boluk band kadar ek enerji uygulamak gereklidir.
Yaltkanlarda ise ekil 2.12-c'de grld gibi olduka byk bir boluk band vardr. Bundan
dolay elektronlar valans bandndan iletkenlik bandna geirebilmek iin ok yksek deerli enerjiye
gerek vardr.
c. Atomlarn yrngelerindeki elektron saylar: 20. yzyln balarnda Bohr ve dier bilginler
tarafndan yaplan almalar elektron yrngelerinin katmanlar hlinde olutuunu gstermitir.
Baka bir deyile, elektronlar yrnge (orbital, kabuk) ad verilen yollar zerinde dnerler. Bu
yrngelere K, L, M, N, O, P, Q ad verilir ve yrngeler ekirdekten darya doru 1, 2, 3, ... olarak
numaralanr. Her yrngede en ok ka elektron bulunduu katman saysnn karesinin 2 ile
arplmasyla bulunur.
Yani her katmanda bulunabilen en fazla elektron says 2n2
denklemiyle bulunur (n = 1, 2, 3 ...).
kovalent
Atomlarn kabuklarndaki maksimum elektron saylar
balar
yledir:
K: 2, L: 8, M: 18, N: 32, O: 50, P: 72, Q: 98
rnek: Atomun ikinci (L) kabuunda bulunabilecek

maksimum elektron saysn hesaplaynz.
zm: L kabuunda bulunabilen maksimum elektron
says = 2.n2 = 2.22 = 2.4 = 8
. Atomlarda kovalent (ikili) ba: Kristal zellikli
maddelerin iinde bulunan atomlarn elektronlar dizilirken
kimyasal olarak 8li balarla birbirine balanrlar. Yani
kovalent yapnn olumas iin 8 elektrona gerek vardr.
Ve bu ilem yar iletken atomlarnn son yrngelerindeki
36
ekil 2.13: Yar iletkenlerde

kovalent balarn gsterilii
elektronlarn karlkl kullanmyla gerekleir. ekil 2.13'e baknz.

Silisyumun (ya da germanyumun) drt elektronu komu silisyum atomlarnn elektronlarn ortak
olarak kullanr. Ortak kullanmdaki elektronlar hem kendi hem de komu atomun evresinde dner.
Buna kovalent ba denir.
Silisyum ya da germanyum kristali stlr ya da elektrik akmnn etkisine maruz braklrsa, kovalent
balarn ekim kuvvetini yenen ok az saydaki elektron serbest hle geer. Halbuki ayn uygulama
iletkenlere (rnein bakra) yaplsa saylamayacak derecede ok sayda elektron serbest hle geer.
. Saf (katksz) germanyum ve silisyumun kristal yaplar
Elektronik devre elemanlarnn byk bir blm silisyum ve germanyum elementlerinden
retilmektedir.
Yaklak yarm asr nce balayan yar iletken temelli devre eleman retiminde ilk zamanlar
germanyum maddesi ok yaygnd. Gnmzde ise bu madde az kullanlmaktadr. nk germanyum
oda scaklnda bile ok sayda elektronunu serbest brakmakta, bu ise sznt akmlarnn oalmasna
yol amaktadr. Scaklk arttka ise germanyumdaki iletkenlik iyice artmakta ve bu madde iletken
gibi davranmaya balamaktadr. Silisyum maddesi ise oda scaklnda tam bir yaltkan gibi
davranmaktadr. te bu nedenle diyot, transistr, tristr, entegre vb. yapmnda silisyum maddesi
daha ok kullanlmaktadr.
Si
ekil 2.14: a) Germanyum atomunun yaps

b) Germanyum atomunun basite gsterilii
ekil 2.15: Silisyum atomunun basite gsterilii
Doadan elde edilen bu iki madde saflatrlarak (baka maddelerden arndrlarak) monokristal
hline getirildikten sonra devre elemanlar retiminde kullanlmaktadr. Kimyasal ilemlerle yabanc
maddelerden arndrlan ve monokristal hle getirilen germanyum ve silisyumun i yaps incelenecek
olursa ekil 2.11'de grlen kbik kafes sistemi karmza kar. ekilde krecikler atomlar,
aralarndaki ubuk yollar ise kovalent balar gstermektedir.
Germanyum atomunda ekil 2.14'te grld gibi 32 elektron (K kabuunda 2, L kabuunda 8,
M kabuunda 18 ve N kabuunda 4) bulunur. Elektronikle ilgili anlatmlarda germanyumun sadece
en son yrngesindeki drt elektrondan bahsedildiinden, bu atomun i yaps basit olarak ekil
2.14-b'deki gibi gsterilir. Silisyum atomunda ise 14 elektron, (K kabuunda 2, L kabuunda 8 ve M
kabuunda 4 elektron) vardr. ekil 2.15'te 14 elektronlu silisyum atomunun basit gsterilii verilmitir.
Atomlarn sadece en d yrngesinde bulunan elektronlarda elektriksel olaylar meydana
geldiinden, anlatmlarda yalnzca en d yrngeden sz edilir. Dier (i) yrngelerdeki elektronlar
ekirdek tarafndan ok sk olarak ekildiklerinden, bulunduklar yrngeden ayrlamazlar.
Kristal yapya sahip olmayan maddelerin elektronlar kendi atom ekirdei etrafnda dner. Ancak
germanyum, silisyum gibi kristal yapya sahip maddelerin son yrnge (valans) elektronlar komu
atomlarn her bir valans elektronlaryla adeta balym gibi birlikte dnerler. Bunlara ortak valans
37
iftleri denir. Komu atomlar arasndaki ortak valans balar atomlar arasnda bir ekme kuvveti
yaratr. Ancak komu atom ekirdeklerindeki art (+) ykler arasndaki itme kuvvetleri bu ekim
gcne kar koyar. Bu sayede kristal madde iinde elektriksel denge kurulur.
Kovalent ba iinde olan germanyum ya da silisyum maddesinde elektrik akm hareketini balatmak
iin dardan bir enerji uygulamak gereklidir. nk normalde bu maddeler yaltkan gibi davranrlar.
D. Saf olmayan (katkl) germanyum ve silisyumun kristal yaps
Yar iletkenlere baka madde katld zaman katklanan bu elementlerin elektriksel zellikleri
deimektedir.
Baka bir deyile, elektronik devrelerin retilmesinde kullanlan P ve N tipi yar iletkenler
germanyum ya da silisyuma belli oranlarda yabanc madde katlmasyla oluturulmaktadr.
Son yrngesinde (valans yrnge) 3 elektron bulunduran maddeler kullanldnda P tipi bir yar
iletken oluurken, 5 elektron bulunduran maddeler kullanldnda ise N tipi yar iletken elde
edilmektedir.
Son yrngesinde valans elektronu bulunan maddeler
unlardr: ndiyum, galyum, alminyum, bor.
serbest
Son yrngesinde be valans elektronu bulunan
hle
maddeler ise unlardr: Arsenik, antimuan, fosfor.
a. N (negatif) tipi yar iletkenin oluumu: Son
yrngesinde 4 elektron bulunduran silisyum ya da
germanyumun iine (yaklak olarak 100 milyonda 1
orannda), son yrngesinde 5 elektron bulunduran
arsenik (ya da fosfor, antimuan) maddesi kartrlrsa,
arseniin 4 elektronu komu elektronlarla kovalent ba
yapar. Bir elektron ise bota kalr. ekil 2.16'da grld
gibi serbest hle geen beinci arsenik elektronu, kristal
yapdaki madde iinde dolar. te elektron ynnden
zengin olan bu karma N tipi yar iletken denir.
Kristal yap iine katlan 5 elektronlu madde bir
elektronunu yitirdii iin elektriksel olarak pozitif (+)
ykl iyon duruma geer. Bu elektriksel durum basit
olarak gsterilirken, ekirdek (+) ykl, serbest hlde
dolaan elektronlar ise (-) ykl olarak ifade edilir.
N tipi yar iletkenin oluturulmasnda kullanlan
maddeler elektron oalmasna neden olduklarndan,
bunlara verici (donr) ad verilir.
N tipi yar iletken hline gelmi olan maddenin serbest
hle gemi elektronlar ok olduu iin bunlara ounluk
tayclar denir. Yani, N tipi maddede elektrik akmnn
tanmas iinde ounluk olan elektronlar grev yapar.
geen
beinci
elektron
ekil 2.16: N tipi yar

iletkenin oluumu
b. P (pozitif) tipi yar iletkenin oluumu: Son

yrngesinde 4 elektronu bulunan silisyum ya da
germanyumun iine (yaklak 100 milyonda 1 orannda)
ekil 2.17: P tipi yar iletkenin oluumu
son yrngesinde 3 elektron bulunan indiyum (ya da
galyum, bor, alminyum) kartrlrsa, indiyumun 3 elektronu komu elektronlarla kovalent ba
yapar. ekil 2.17'de grld gibi silisyum ya da germanyumun elektronlarndan birisi ise ba
yapacak indiyum elektronu bulamaz ve dardan elektron kapmak ister.
te elektron ynnden fakir olan bu karm elektriksel olarak pozitif ykl iyon kabul edilir.
Elektrona ihtiya olan yer bir oyuk (hole, delik, boluk) ile ifade edilir ve bu pozitif ykl kabul
38
edilir. nk oyuk her an elektron ekmeye

uygun durumdadr. Oyuk ynnden zengin olan
bu tip karma da P tipi yar iletken denir.
P tipi maddenin durumu basite gsterilecei
zaman, ekirdek eksi (-) ykl, oyuklar ise art
(+) ykl olarak ifade edilir.
P tipi yar iletkenin oluumunda kullanlan
maddeler (indiyum, galyum, bor) elektron
azalmasna neden olduklarndan, bunlara alc
(akseptor, acceptor) ad verilir.
gerilim kaynann etkisiyle

oluan elektron hareketi
anahtar
E. N ve P tipi yar iletkenlerde elektron ve

oyuk hareketleri
ekil 2.18: N tipi yar iletkenlerde elektron hareketi
Dardan madde katks yaplarak elde edilen

P ve N tipi yar iletkenler tek balarna
kullanldklarnda akm iki ynde de
tayabilirler. Bu zellik bir ie yaramaz. Ancak,
yar iletkenin elektrik akmna kar gsterdii
tepkiyi renebilmek iin imdi bunlar
inceleyelim.
gerilim kaynann etkisiyle

oluan oyuk hareketi
I
V
anahtar
a. N tipi yar iletkenlerde eksi (-) ykl
elektronlarn hareketi: N tipi yar iletkenlerde
elektronlar ounluk tayc durumundayken,
ekil 2.19: P tipi yar iletkenlerde oyuk hareketi
ok az sayda olan oyuklar ise aznlk taycs
durumundadr. ekil 2.18'de verilen balant
yapldktan sonra N tipi yar iletkene DC gerilim uygulanrsa, serbest hldeki elektronlar, gerilim
kaynann (+) ucunun ekme kuvveti ve (-) ucunun da itme kuvvetiyle, kaynan (+) ucuna doru
akar. retecin ular ters evrilerek devre gzlenecek olursa elektronlarn bir ncekinin tersi ynde
akt grlr.
Not: N tipi yar iletken iinde ok az sayda oyuk bulunmas maddenin tam saf olmamasndan
kaynaklanr. Bunun pratikte fazla bir zarar yoktur.
b. P tipi yar iletkenlerde art (+) ykl oyuklarn hareketi: P tipi yar iletkenlerde oyuklar
ounluk tayc durumundayken, ok az sayda olan elektronlar ise aznlk taycs durumundadr.
ekil 2.19'da verilen balant yapldktan sonra P tipi yar iletkene DC gerilim uygulanrsa, oyuklar
gerilim kaynann eksi (-) ucunun ekme kuvveti ve art (+) ucunun da itme kuvvetiyle, kaynan
eksi (-) ucuna doru akar. retecin ular ters ynl evrilerek devre gzlenecek olursa oyuklarn bir
ncekinin tersi ynde akt grlr.
Not: P tipi yar iletken iinde ok az sayda serbest elektron bulunmas, maddenin tam saf
olmamasndan kaynaklanan bir durumdur. Bunun pratik uygulamalarda zarar yoktur.
Dikkat edilirse, P ve N tipi yar iletkenlerin tek bana her iki ynde de akm geiine izin verdii
grlr. Bunun uygulamada hibir yarar yoktur. O nedenle P ve N tipi yar iletkenler tek bana
deil, eitli ekillerde biraraya getirilerek devre eleman yapmnda kullanlr.
P tipi maddede az sayda olan elektronlarla, N tipi maddede bulunan az saydaki oyuklara aznlk
akm tayclar ad verilir.
Yar iletken retim teknikleri gelitike % 100 saflkta germanyum ve silisyum elde etmek mmkn
hle gelmitir. Ancak yine de yar iletken devre elemanlar bal olduklar devrelerde alrken s,
k, ar yk gibi etkenlerle aznlk olan akm tayclarnda art olmaktadr.
39
Blm 3: Diyotlar
A
A. Diyotlarn temel yaps ve tanm

P ve N tipi iki yar iletkenin birletirilmesinden oluan elemana diyot (diod,
diot, diyod, diode) denir. Uygulamada kullanlan diyotlar temelde iki gruba
ayrlr. Bunlar,
I. Dorultma (redresr, rectefier) diyotlar,
ekil 3.1: Diyodun

sembol ve yaps
II. Sinyal diyotlardr.
Dorultma diyotlar g kaynaklarnda, AC'yi DC'ye dntrmede kullanlr. Bunlar yksek

akmlar tayabilirler ve yksek ters tepe gerilimlerine dayanabilirler.
Sinyal diyotlar ise lojik (saysal) devre eleman ya da radyo frekans (RF) devrelerinde demodlatr
(sinyal ayrc) olarak kullanlrlar. Baka bir deyile sinyal diyotlar, yksek frekanslarda almaya
duyarl olmalarnn yan sra, dk gerilim ve akmlarda da alabilir.
Dorultma ve sinyal diyotlar silisyum ve germanyum gibi yar iletken maddeler kullanlarak
yaplr.
Germanyumdan yaplan diyotlardan akm geirildiinde zerlerinde yaklak 0,2 voltluk bir gerilim
dm olurken, silisyumdan yaplm diyotlarda bu deer 0,6-0,7 V dolayndadr. te bu fark
nedeniyle germanyum maddesi daha ok sinyal diyodu yapmnda kullanlmaktadr.
P ve N tipi maddeler birletirilerek diyodun retilmesi: Diyotlar, P ve N tipi yar iletken
maddelerin eitli ekilde birletirilmesiyle retilmektedir. imdi P-N birleiminin zelliklerini
inceleyelim.
a. Polarmasz P-N birleimi: P ve N tipi yar iletken madde kimyasal yolla birletirildiinde PN birleimli kristal diyot elde edilir. ekil 3.2'de P-N tipi maddelerin birletirilmesiyle oluan diyodun
yaps verilmitir. P ve N tipi iki madde birletirildii zaman birleim yzeyinin yaknnda bulunan
elektron ve oyuklar birbirleriyle birlemeye balarlar. Birlemeler sonucunda yzey civarnda ntr
(yksz) atomlar oluur.
serbest
oyuklar
serbest
elektronlar
yksz
(ntr) blge
birleim (jonksiyon) yzeyi

ekil 3.3: Polarmasz P-N birleiminde
gerilim settinin oluumu
ekil 3.2: Polarmasz P-N birleiminde

oyuk ve elektronlarn davran
P-N maddelerinin birbirine yakn olan ksmlarnda oluan elektron oyuk birleimleri ekil 3.3'te
taral olarak gsterilen gerilim setti blgesini ortaya karr. Taral blge P-N maddelerinde bulunan
tm elektron ve oyuklarn birbiriyle birlemesini nler.
Elektron ve oyuklarn yer deitirmesini engelleyen blgeye gerilim setti (depletion layer) denir.
Settin kalnl 1 mikron kadar olup 0,2-0,7 V arasnda bir gerilim uyguland zaman yklr (alr).
P-N birleiminde P maddesinin sa blm elektron kazand iin eksi (-) ykl olur. N maddesinin
sol blm ise oyuk kazand iin art (+) ykl duruma geer. ki yzey arasndaki bu kk
40
potansiyel fark (gerilim), oyuk ve elektronlarn daha ok yer deitirmesini nler. Oluan gerilim
setti dardan uygulanan gerilimle yok edilebilir.
te P ve N tipi maddelerin birletirilmesiyle elde edilen devre elemanlarna diyot denir. Gnmzde
katklama oranlar deitirilerek P-N temeli zerine kurulu bir ok eitte diyot yaplmaktadr.
Not: P-N maddelerinin birleiminden oluan diyotlarda akm aslnda eksiden artya doru
olmaktadr. Ancak eskiden akmn artdan eksiye doru gittii kabul edildiinden gnmzde de bu
yaklam benimsenmektedir. Baz kitaplarda yaplan anlatmlar elektron hareketini temel almaktadr.
Ancak kaynak eserlerin ounluu klasik (eski) yaklam uygun grdnden bu kitapta da klasik
yaklama gre anlatm yolu seilmitir.
b. Polarmal P-N birleimi: Polarmasz P-N birleiminin birleim yzeyinde karlkl yk
dengesi olduundan akm gemez. P-N birleimine doru ynde (forward) ve ters ynde (reverse)
gerilim uygulandnda baz elektriksel olaylar ortaya kar. imdi bu durumlar inceleyelim.
birleim (jonksiyon) yzeyi
P
R (W)
1-10 k
(a)
VCC
VCC uygulannca
ntr blge yok olur.
VU
CC
R (W)
CC
1-10 k
anahtar (S)
(b)
ekil 3.4: P ve N tipi yar iletken maddelerin birleiminden
oluan kristal diyodun doru polarmada altrlmas
1. P-N birleimine doru ynde akm uygulama (doru polarma): ekil 3.4-b'de
grld gibi VCC retecinin art (+) ucundan gelen ykler (oyuklar) P tipi maddenin art (+)
yklerini birleim yzeyine doru iter. retecin eksi (-) ucundan gelen elektronlar ise N tipi maddenin
eksi (-) yklerini birleim yzeyine iter.
Art (+) ve eksi (-) ykler birbirini ekeceinden elektronlar oyuklara doru hareket ederler. Yani
elektronlar, P tipi maddeye geerler. Pilin art (+) ucu P tipi maddeye gemi olan eksi (-) ykl
elektronlar kendine eker. Bu ekilde P-N birleiminde elektron ak balar. N tipi maddede bulunan
her elektron yerinden kt zaman buralarda oyuklar oluur. Oyuklar art (+) ykl kabul edildiinden,
pilin eksi (-) ucu tarafndan ekilirler. Grld zere elektron ak eksi (-) utan art (+) uca doru
olmaktadr.
Ancak, eskiden akmn artdan eksiye doru gittii sanlarak (konvansiyonel, klasik yaklam) tm
teorik anlatmlar buna gre yaplmtr. Gnmzde de klasik yaklam benimsenmektedir. Yaplan
kabuln uygulamada hi bir sakncas yoktur.
2. P-N birleimine ters ynde akm uygulama (ters polarma): ekil 3.5'te grld gibi
VCC ad verilen retecin eksi (-) ucu P tipi maddenin oyuklarn eker. retecin art (+) ucu ise N
tipi maddenin elektronlarn kendine eker. Birleme yzeyinde elektron ve oyuk kalmaz. Yani birleim
blgesi art (+) ile eksi (-) yk bakmndan fakirleir.
Bu yaklama gre ters polarmada diyot akm geirmez. Ancak kullanlan maddelerin tam saflkta olmamas
nedeniyle ok az bir sznt akm geer. Mikroamper dzeyinde olan bu akm yok saylr (ihmal edilir).
Ters polarize edilen diyotlara uygulanan gerilim ykseltilirse eleman delinebilir (bozulur).
41
rnein, 1N4001 adl diyodun ters ynde

P
N
uygulanan gerilime dayanabilecei st deer
50 volttur. Yani bu diyot 50 volttan fazla ters
gerilimde delinerek zelliini kaybeder.
Diyodun delinmesi olayna etkisi ad
verilir. Bu etkinin oluumu ksaca yle
aklanabilir: P tipi yar iletkenin iletim
bandndaki bir aznlk elektronu reteten
yeterli enerjiyi alnca diyodun pozitif ucuna
Ntr (yksz) blge geniler.
doru gider. Bu elektron hareket edince bir
VCC
atoma arpar ve yeterli enerjiyi salayarak bir
valans elektronun yrngesinden kp iletim
bandna gemesini salar. Bylece iletim ekil 3.5: P ve N tipi yar iletken maddelerin birleiminden
bandndaki elektron says iki olur. oluan kristal diyodun ters polarmada altrlmas
Yrngelerinden kan bu elektronlar valans
elektronlara arparak herbir elektronu iletim bandna karrlar. Bylece iletim bandnda drt elektron
olur. Bunlar drt valans elektronunu daha iletim bandna sokarlar. Ters polarma geriliminin yksekliine
gre harekete geen elektron says hzla artarak ters ynde geen akmn oalmasna neden olur.
Diyotlarn bir ou ters polarmann ar artrlmas durumunda bozulacandan bu noktada
(dayanma gerilimine yakn yerde) altrlmazlar. Yani 50 volta kadar olan ters gerilimlere dayanabilen
1N4001 adl diyot, en ok 40 voltluk bir devrede kullanlr. 50 voltun zerindeki bir gerilim altnda
alan devre sz konusu ise 1N4002 ya da baka bir model diyot seilir.
B. P-N yzey birlemeli diyot eitleri ve yaplar
Elektronik alannda hzl bir gelime sz konusudur. Srekli AR-GE (aratrma-gelitirme) yapan
byk firmalar her geen gn yeni zelliklere sahip diyot retmektedirler. Bu blmde, uygulamada
en yaygn olarak kullanlan diyotlarn yaps, almas ve kullanm alanlar aklanacaktr.
a. Kristal diyotlarn elektriksel karakteristiklerinin P-N yzey birlemeli diyotlarla
aklanmas: Kristal diyotlar yap olarak P ve N tipi iki yar iletkenin birleiminden olumu
elemanlardr. Uygulamada en ok AC'yi DC'ye evirme (dorultma) ilerinde kullanlr.
Doru polarmada, germanyumdan yaplan dorultma diyotlar yaklak 0,2 - 0,3 voltta, silisyumdan
yaplanlar ise yaklak 0,6-0,7 voltta iletime geer. Yani atom yapsnn farkllndan tr
germanyum ile silisyum diyodun gerilim setti deerleri (iletime geme voltajlar) farkl olmaktadr.
b. Dorultma diyotlarnn doru ve ters polarmadaki karakteristik erileri: ekil
3.6'da grld zere doru polarmada belli bir eik geriliminden sonra diyottan geen akm
artmaktadr. Ters polarmada ise diyot ters dayanma gerilimine kadar akm geirmez. Uygulanan ters
ynl polarma gerilimi artrlacak olursa eleman delinir (zelliini kaybeder). Uygulamada kullanlan
her diyodun ters dayanma (delinme) gerilim deeri farkldr.
c. P-N birleimli dorultma diyotlarn doru ve ters polarma karakteristik erilerinin
karlmas: ekil 3.7'de verilen devre ile doru yn karakteristik erisini karmak iin potun
deeri yava yava deitirilir. Bu ilem srasnda ampermetre ve voltmetrede grlen deerler bir
ka kez kaydedilir.
Daha sonra voltmetreden alnan deerler yatay eksene, ampermetreden alnan deerler ise dikey
eksene iaretlenerek doru polarma karakteristik erisi izilir.
ekil 3.7'de verilen devre ile ters yn karakteristik erisini karabilmek iin ncelikle, deneyde
kullanlan diyot yerinden sklerek ters evrilir. Daha sonra potun mili evrilerek diyoda uygulanan
gerilim sfrdan itibaren artrlrken l aletlerinden okunan deerler bir ka kez kaydedilir. Ardndan
voltmetreden alnan deerler yatay eksene ampermetreden alnan deerler dikey eksene iaretlenerek
42
ters polarma karakteristik erisi izilir.

Diyodu ters ynde polarize ettiimizde
uygulanan gerilim belli bir seviyeye
ulancaya kadar ok kk bir akm
geiinin olduu grlr. Ters ynde
uygulanan gerilimin deeri diyodun
dayanabilecei snr deerin stne
karlrsa eleman bozulur (delinir).
Ters balant durumunda belli bir
gerilimden sonra diyodun yaltkanlk
zelliini kaybederek iletken hle
gemesinin (delinmesinin) nedeni yle
aklanabilir: Diyoda uygulanan gerilimin
bymesiyle (ya da diyodun alma
scaklnn artmasyla), serbest
elektronlara verilen enerji artmakta ve bu
elektronlarn arpma etkisiyle de pek ok
elektron valans bandndan iletkenlik
bandna atlayarak elemandan geen akmn
ar derecede artmasna sebep olmaktadr.
diyot
diyot
-VCC
+VCC
diyot
ekil 3.6: Germanyum ve silisyum diyotlarn dz ve ters

polarma durumundaki gerek elektriksel karakteristik erileri
43
diyot
VCC
. deal diyot: Yukarda, uygulamada

kullanlan dorultma diyotlarnn doru
ve ters ynl polarma gerilimlerine kar
davranlarn akladk.
Bu aklamalarn sonunda u yargya
ulaabiliriz: Diyodun doru polarmasnda
0,2 ile 0,7 voltluk gerilim deerinden sonra
ekil 3.7: Diyotlarn doru ve ters polarma durumundaki
akm geii olmaktadr. Bunun sebebi ise, elektriksel karakteristiklerinin karlmasnda kullanlan devre
diyodun yapmnda kullanlan maddelerin
birleim yzeyinde oluan gerilim settidir.
+Idiyot (A)
Eer diyot yapmnda kullanlan maddelerin
elektronlar kolayca hareket edebilseydi diyot doru polarize iken hemen iletim sz konusu olurdu. Ancak bu
diyot
gerekte mmkn deildir. Yani uygulamada kullanlan
diyotlarn doru ve ters polarma karakteristik erileri
diyodun iletime
ekil 3.8'de verilen ideal diyot karakteristiinden
geme deeri
farkldr.
deal diyot, bir elektrik devresindeki anahtar gibi
0V
+U CC
(V)
+VCC
dnlebilir. Diyodun doru polarlmas kapal -U-V
CCCC(V)
anahtar, ters polarlmas ise ak anahtar ifade eder.
Diyotlarla ilgili hesaplamalarda bu elemanlarn belli
-Idiyot (mA)
bir gerilimden sonra iletime geme durumu gz nne
ekil 3.8: deal diyodun doru
alnarak diyot, ekil 3.9'da grld gibi iinde ters
ve ters polarma grafii
bal bir DC reteci varm gibi dnlr. Bu durumu
ksaca aklayalm: ekil 3.10'da grld gibi 12
voltluk bir retece silisyum diyot (1N4001) ile bir flamanl lambay seri olarak balayalm ve lamba
zerinde den gerilimi lelim. Bu durumda lamba zerinde yaklak 11,4 V grlecektir. Buradan
da anlalaca gibi 0,6 voltluk gerilim diyodun zerinde dmektedir.
Seri bal devrenin matematiksel denklemini:
VCC = Vdiyot + Vlamba = 0,6 + 11,4 = 12 V eklinde yazabiliriz.
diyot iindeki
gerilim setti
1N4001 lamba
N
VCC =12 V
ekil 3.9: Diyotlarn iletime geme geriliminin ana

retece (VCC ) ters bal pil gibi gsterilii
ekil 3.10: Diyot ile lambann seri balanmas
zetlersek
I. Diyotlar doru polarldnda iletime geme ancak belli bir gerilim deerinden sonra
gereklemektedir.
II. Eik gerilimi deeri diyodun retildii maddeye gre deimektedir. rnein silisyumdan
yaplm diyotlarn iletime gemesi iin gereken eik gerilimi 0,6-0,7 volttur.
III. Eik gerilimi diyodun alma scaklna bal olarak bir miktar deimektedir. rnein
germanyumdan yaplm dedektr diyodu, 25 C'ta 0,2 voltta, 60 C'ta ise 0,1 voltta iletime
gemektedir. Silisyum dorultma diyotlar ise, -50 C'ta 0,8 voltta, 25 C'ta 0,65 voltta, 100 C'ta ise 0,5
voltta iletime gemektedir.
IV. Diyotlar ters polarldnda sznt akmnn miktar, scakla, uygulanan gerilime, yar iletkenin
cinsine gre deimekttedir. rnein, germanyum dedektr diyodundan 5 volt altnda 25 C scaklkta
0,8 mA, 60 C'ta 1,8 mA sznt akm getii grlr.1N4001 diyodundan ise 50 voltluk ters polarmada,
50 C'ta 5 mA, 100 C'ta 50 mA sznt akmnn getii grlr.
d. Diyotlarda alma scakl: Her elektronik devre
elemannda olduu gibi diyotlarda da ortam scakl ok
nemlidir. Yani, diyodun scakl arttka karakteristik
zelliklerde de deiimler olmaktadr. Bu nedenle,
germanyumdan yaplm diyotlarn scakl 90 C', silisyum
diyotlarn scakl ise 175C' gememelidir.
diyot
e. Diyotlarn soutulmas: Diyotlarn gvde scaklnn

ykselmesine, elemann iinde doan s neden olur. Diyotta
ekil 3.11: Diyotlarn soutulmasnoluan s elemandan geen akmla doru orantl olarak artar.
da kullanlan alminyum soutucu
Bir diyot nerilen akm deerinde gvenli olarak alr. Yani
gvde scaklnn deeri tehlikeli dzeye kmaz. Diyottan yksek akm geirilirse scaklk ykselir.
Diyotlar, ekil 3.11'de grld gibi alminyum plaka, vantilatr (fan) vb. ile soutulursa, yksek
akmlardaki dayankllklar artar.
f. Yksek gl diyotlar: Yksek akml DC elde etmek amacyla kullanlan bu tip diyotlarn
soutucuyla birlikte kullanlmas gerekir. Uygulamada 4000 ampere kadar akm tayabilen ve 4000
volta kadar alma gerilimli olan diyotlar mevcuttur.
Resim 3.1'de grlen yksek gl diyotlar, kaynak makineleri, ak arj cihazlar, elektroliz
sistemleri vb. yerlerde kullanlr.
g. Diyotlarn gvde ekilleri: Diyotlarda klf maddesi olarak cam, plastik ya da metal kullanlr.
Eer diyodun gvdesinde gri izgi eklinde bir bant (ekil 3.12-a), nokta biiminde bir knt (ekil
3.12-b) bulunuyorsa bunlar katodu belirtir. Metal gvdeli diyotlarda (ekil 3.12-c) ise metal klf
katot ile bal (irtibatl) durumdadr.
Basit dorultma devrelerinde en ok 1N400... kodlu diyotlar karmza kar. Bunlar 1 amperliktir.
44
Resim 3.1: eitli yksek gl diyotlar
(a)
(b)
(c)
ekil 3.12: eitli gvde biimlerinde retilmi diyotlar
Maksimum alma voltajlar (ters polarma delinme gerilimi) ise u ekildedir: 1N4001: 50 V, 1N4002:
100 V, 1N4003: 200 V, 1N4004: 400V, 1N4005: 600 V, 1N4006: 800 V, 1N4007: 1000 V
1N 400.. serisi diyotlarn akm yukarda da belirtildii gibi 1 A'dir. Ancak bu akm en yksek
(maksimum) deeri gsterir. Uygulamada diyodun uzun sre grev yapabilmesi iin en fazla 0,5-0,7
amperlik akm geecek ekilde devre tasarlanr. Daha yksek akml devre kurulmak istenirse
kataloglara baklarak uygun diyot seilir. (rnein 1 amperden fazla akml dorultma devresi
yaplrken 3 A tayabilen 1N5400 seilebilir.)
Baz elektronik devre emalarnda diyot ismi olarak DUS, DUG rumuzlar (ksaltmalar) karmza
kar. Bu durumda u diyotlar kullanlabilir:
DUS: BA127, BA217, BA218, BA222, BA317, BA318, BAX13, BAY61, 1N904, 1N4148.
DUG: OA85, OA91, OA95, AA116.
Resim 3.2: Uygulamada kullanlan eitli dorultma diyotlar
. Dorultma diyotlarnn ayaklarnn bulunmas: Diyodun bir kenarnda gri bant varsa
buras k (katot) ucudur. Eer gri bant silinmise ohmmetreyle ular belirlenebilir. Salamlk testi
yaplrken kk ohm (300 W-3000 W) okunan durumda analog tip (ibreli) ohmmetrenin siyah
probunun dedii u diyodun anot (art) ucudur. Dier u ise katottur.
Not: Analog (ibreli) AVOmetreler ohm kademesindeyken siyah (-, com) prob art (+) durumuna
geer.
h. Dorultma diyotlarnn salamlk testi
I. Ohmmetre ile salamlk testi: Ohmmetre komtatr x1k ya da x10k kademesine alnr.
Diyot bir ynde kk diren (300 W-3000 W), dier ynde byk diren (50 kW-200 kW) gsteriyorsa
salamdr. ekil 3.13'e baknz.
45
II. Polarma gerilimine baklarak salamlk testi: Baz

dijital multimetrelerin (AVOmetre) lme komtatr diyot
sembolnn bulunduu yere getirilir. Yaplan lmlerde
diyot zerinde den gerilim bir ynde yaklak olarak 200950 mV (0,2-0,95 V) olarak okunur, dier ynde hi bir
deer okunamazsa eleman salam demektir. Yaplan iki
ynl lmn birisinde bu deerler okunamazsa diyot
bozulmutur. ekil 3.14'e baknz.
Bir diyot (dorultma diyodu, zener diyot vb.) devreye
balyken ohmmetre kullanlarak salamlk testi yaplacak
olursa yanl sonular okunabilir. Ancak lme
komtatrnde diyot sembol bulunan bir l aletiyle
eleman devreden sklmeden salamlk testi yaplabilir.
ekil 3.13: Diyodun salamlk testinin analog ohmmetreyle yapl
i. Diyotlarn seri ve paralel balanmas

I. Diyotlarn seri balanmas: Ters dayanma gerilimi
daha yksek diyot elde etmek iin seri balama yaplr. ekil
3.15'te diyotlarn seri balanmas gsterilmitir.
rnein 100 voltluk bir devre iin ters dayanma gerilimi
50 V olan 2 adet 1N4001 diyot seri balanarak 100 volta
dayanabilen diyot yaplabilir. ok sayda diyodun seri
balanmasyla elde edilmi olan elemanlara ise yksek
gerilim diyodu ad verilmektedir. ekil 3.16'da yksek
gerilim diyodu rnekleri grlmektedir.
O.6 V
O.L
. Diyotlarn bozulmasnn nedenleri

I. Ar akm gemesi, II. Ortam scaklnn ykselmesi,
III. Lehimleme ileminin hatal yaplmas, IV. Uygulanan
gerilimin ar artmas, V. Mekanik (fiziksel) zorlamalar,
VI. Diyodun kalitesiz olmasdr.
1N4001
1N4001
ekil 3.14: Diyodun salamlk testinin

polarma gerilimine baklarak yapl
D1
D2
ekil 3.15: Diyotlarn seri balanmas
TV15
BY167
II. Diyotlarn paralel balanmas: Yksek akml diyot

elde etmek iin paralel balama yaplr. Ancak bu yntem
salkl deildir. retim kusurlarndan dolay diyotlar ayn
zellikte yaplamaz. Bu nedenle paralel balantda diyodun
birisi daha nce bozulur. Bu dier diyotlardan geen akm
oaltr ve onlarn da yanmasna neden olur.
O nedenle pratik uygulamalarda katalogdan baklarak
uygun akml diyot seimi yaplr. ekil 3.17'de diyotlarn
paralel balanmas gsterilmitir.
ekil 3.16: Yksek gerilim diyotlar
ekil 3.17: Diyotlarn

paralel balanmas
j. Dorultma diyotlarn koruma yntemleri:

Dorultma diyotlar ar akm ve gerilimlerden koruyacak nlemler alnarak kullanm mrleri
uzatlabilir. Kk ve orta gteki dorultmalar ar akmdan korumak iin sigorta kullanlr.
Sigortann akm deeri dorultmacn anma (nominal) akmna eit olacak ekilde seilir.
Byk gl dorultmalar termik, manyetik ya da termistrl ar akm rleleriyle korunurlar.
Yksek akml diyotlarn iyi korunmas iin termistrl scaklk kontrol devreleri kullanlmaktadr.
Is kontrol devresi sayesinde dorultmacn gvde scakl istenmeyen deere ykseldiinde koruma
sistemi almaya balamaktadr.
Dorultma devresini besleyen ebeke gerilimindeki deime fazla olmaz. Yani ebeke gerilimi
(220 V), dorultmac bozacak yksek deerlere kamaz. Ancak buna ramen yine de ar gerilime
46
kar koruyucu nlemler alnr.

D
Dorultma devresinin giriinde
bulunan anahtarn alp kapanmas
annda ya da devrenin enerjisinin
kesildii anlarda trafonun sarglarnda
varistr (VDR)
diyotlar bozacak byklkte yksek
b) kondansatr ve
a) kondansatr
c) varistr ile
diren ile koruma
ile koruma
gerilimler oluur. Yani dorultmata
koruma
kullanlan trafonun primer sargsnda
ekil 3.18: Dorultma diyotlarn koruma yntemleri
bulunan anahtar aldnda demir
nvedeki manyetik alan ksa zamanda sfr (0) olur. Maksimum deerden sfr deerine doru hzlca
den akmn yaratt manyetik alan sekonder sargda yksek bir gerilim oluturur. te sekonder
sarglarnda oluan indksiyon gerilimi zellikle, trafo yksz alrken ok daha byk olur.
ndklenen yksek gerilim ksa sreli olmasna karn dorultmata kullanlan diyotlarn delinmesine
neden olabilir.
Trafoda doan yksek indksiyon gerilimlerini sndrmek iin primer sargya ya da diyotlara
paralel olarak: I. Kondansatr, II. Kondansatr ve diren, III. VDR (gerilime duyarl diren) gibi
elemanlar balanr. ekil 3.18'e baknz.
k. Kpr tipi (bridge, blok) diyotlar
I. ki diyotlu blok diyotlar: Orta ulu trafolu tam dalga dorultma devrelerinin yapmnda
kullanlr. ayakldr.
Kenardaki iki ayaa AC
uygulanrken, orta ayaktan DC
K
A
(DA) k alnr. ki diyotlu blok
A
A
K
K
diyotlar gnmzde ok az
kullanlmaktadr. ekil 3.19'da
iki diyotlu blok (kpr) diyot
rnekleri verilmitir.
ekil 3.19: ki diyotlu blok diyotlar
ki diyotlu blok diyotlarn salamlk testi: Kenardaki ularla orta u arasnda yaplan
lmlerde bir ynde 300 W-3000 W, dier ynde 50 kW-200 kW'luk deerler okunmaldr.
B80C1500/1000
kpr diyot
sembol
+
~
kpr diyot
sembol
(kapal gsterim)
kpr diyot rnekleri
st grnm
st grnm
Resim 3.3: Kpr diyotlarn sembol ve uygulamada kullanlan eitli kpr diyotlar
II. Drt diyotlu blok (kpr) diyotlar: Drt adet dorultma diyodunun bir gvde iinde
birletirilmesiyle elde edilmi olup drt ayaa sahiptirler. Bunlar devreye montajda kolaylk salar.
Gvde zerinde sinsoidal (~) iareti bulunan ayaklar AC giri ulardr. (+) ve (-) iareti bulunan
ayaklar ise DC k ulardr. Resim 3.3'te kpr diyot eitleri grlmektedir.
47
Kpr diyodun salamlk testi: Ohmmetreyle yaplan lmlerde, AC giri ular iki lmde
de yksek diren (50 kW-200 kW), DC k ular bir yndeki lmde kk diren (300 W-3000
W), dier yndeki lmde ise yksek diren (50 kW-200 kW) okunmaldr.
Kpr diyot rnekleri
B40C1500: 40 V/1,5 A
B40C3200: 40 V/3,2 A
B80C5000: 80 V/5 A
B600C500: 600 V/0,5 A
B250C1500/1000: 250 V/1,5 A
B40C2200: 40 V/2,2 A
B40C10000: 40 V/10 A
B380C1500: 380 V/1,5 A
B80C1500/1000: 40 V/1,5 A
Not: Dikkat edilirse baz kpr diyotlarn akm deerinin iki ekilde yazld grlr. rnein
B80C1500/1000 gibi. Bunun anlam udur: Diyot devreye balandktan sonra metal bir soutucuya
balanacaksa zerinden maksimum 1,5 A geirilebilir. Eer soutucu kullanlmayacaksa elemann
tayabilecei maksimum akm 1 A olacaktr.
katot
K
anot
Z 9V1
katot
ekil 3.20: Zener
diyot sembolleri
anot
Resim 3.4: eitli zener diyotlar
l. Zener (zenner, gerilim sabitleyici,

Rn
Rn
regle) diyotlar: P ve N tipi iki yar
K
A
iletkenin birleiminden olumu, ularna
V
(V)
V
(V)
zener
uygulanan gerilimi sabit tutmaya yarayan
zener
A
K
diyotlardr. Zener diyotlarda kullanlan P ve
N tipi yar iletkenlerin katk madde oranlar
b)
a)
dorultma diyotlarndan biraz daha ekil 3.21: Zener diyotlarn, a) Doru b) Ters polarlmas
fazladr.
Zener diyotlar devreye ters balanrlar.
+Izener (A)
(Ters polarma altnda alrlar.) Bu nedenle
ters polarmada gerilim krlmas deiimi
dorultma diyotlarndan farkldr. Yani
belli bir gerilime kadar zener diyot akm
geirmez. Krlma (zener) noktas ad
-Vzener (V)
+Vzener(V)
verilen voltaj dzeyine gelindiinde ise
geen akm miktar aniden ykselir.
iletime
zener noktas
geme
Bu diyotlarn krlma gerilimi, retim
(iletime geme,
gerilimi
aamasnda katk maddesi miktar
krlma noktas)
ayarlanarak belirlenir.
-Izener (mA)
Zener diyodu ekil 3.21-a'da grld
gibi devreye doru polarmal olarak
ekil 3.22: Zener diyotlarn doru ve ters polarma
balayp gerilimi yava yava artrrsak
altnda altrlmas durumunda elde edilen eriler
elemandan geen akmn da artt grlr.
Zener diyodu ekil 3.21-b'de grld gibi devreye ters polarmal olarak balayp gerilimi yava
yava artrrsak elemandan geen akmn belli bir gerilim deerine kadar ok az olduu, gerilim
48
zener diyodun st snr deerini atnda ise geen akmn aniden ok yksek bir deere kt
grlr. Ters polarmada karlalan bu durum uygulamada kullanlan bir ok devrede bize fayda
salar. (Gerilimin sabit-lenmesi, sinyal krpma, eleman koruma vb. gibi.)
ekil 3.22'de zener diyotlarn doru ve ters polarmal olarak altrlmas durumunda elde edilen
karakteristik erisi verilmitir.
Zener diyotlarn alma voltajlar: 1-1,8-2,4-2,7-3,3-3,6-3,9-4,3-4,7-5,1-5,6-6,2-6,8-7,5-8,29,1-10-11-12-13-15-16-18-20-22- 24-27-30-33-36-39-43-47-51-55-62-68-75-82 -91-100-200 V...
Burada verilen voltaj deerlerinin ne anlama geldiini bir rnekle aklayalm: 12 voltluk zener
diyot, zerine uygulanan ters ynl gerilim 12 V olana kadar akm geirmez. Gerilim 12 voltu atnda
ise zener diyot aniden iletkenleerek akm geirmeye balar. Bu srada zener diyoda paralel olarak
bir voltmetre balanp lm yaplacak olursa eleman zerinde 12 voltluk bir gerilim dmnn
olduu grlr.
Zener diyotlar dk akml olduklarndan mutlaka n direnle korunmalar gerekir.
Zener diyodun gc biliniyor ve elemana balanacak n direncin deeri belirlenmek isteniyorsa,
Vzener.Izener maks < Pzener kural gz nne alnr. (Yani zener diyoda uygulanan gerilimle, elemandan
geen akmn deerlerinin arpm zener diyodun gcnden byk olmamaldr.)
Zener diyoda balanmas gereken n direncin deeri ise:
Rn = (Vgiri-Vzener)/Izener maks [A] denklemi ile bulunur.
rnek: a. Gc 200 mW (0,2 W) alma gerilimi 12 V olan zener diyodun dayanabilecei
maksimum akm nedir?
b. Kullanlan zener diyodun bozulmamas iin 15 V giri gerilimi olan bir devrede zener diyoda
balanmas gereken n direncin deerini hesaplaynz.
zm: a. Izener maks = Pzener/Vzener = 0,2/12 = 0,0166 A = 16,6 mA
b. Rn = (Vgiri-Vzener)/Izener maks = (15-12)/0,0166 = 180 W
Basit DC g kayna devrelerinde zener diyodun ters ynde geirebilecei akm yaklak 0,0050,01 A (5-10 mA) olarak kabul edilir. Hassas uygulamalarda en doru akm deeri iin diyot
kataloglarna baklmaldr.
Zener diyotlarn ters balant durumunda belli bir gerilimden sonra iletken olmasnn nedeni:
Eer, P-N maddeleri ters ynde polarlrsa (reverse bias) ters ynde kk bir sznt akm oluur.
Normal olarak bu akm kk oluundan dolay yok saylabilir. Ancak ters ynl olarak uygulanan
gerilim belli bir deeri aarsa diyot ters ynde iletime geer. Diyodun ters ynde akm geirmeye
balamas yar iletken fiziinden (yapsndan) kaynaklanan bir durumdur. Yani zener diyoda uygulanan
ters polariteli gerilimin bymesiyle, serbest elektronlara verilen enerji artmakta ve bu elektronlarn
arpma etkisiyle de pek ok elektron valans bandndan iletkenlik bandna atlayarak geen akmn
artmasna neden olmaktadr.
Uygulamada kullanlan diyotlarda iki eit ters krlma (zener) durumu vardr.
I. olay: Normal diyotlarda yksek gerilimin etkisiyle olay (avalanche effect) ortaya
kar ve diyot bozulur. Yani normal diyotlara uygulanan ters gerilim izin verilen deerin zerine
karlrsa eleman tamamen bozularak kullanlamaz hle gelir.
II. Zener etkisi: Zener diyotlarda ise etkisi kk deerli ters gerilimlerde oluur. Bu olayda
zener diyot hemen bozulmaz. nk, zener diyotlarn krlma gerilimini drmek iin yksek oranda
katk maddesi eklenmektedir. Ters polarma altnda krlma gerilimine yakn deerlerde valans
bandndaki elektronlar hareket ederek ters yn akmnn gemesini kolaylatrr. Ters ynl akmn
zener diyodun tayabileceinden fazla olmamas iin koruyucu olarak n direnler kullanlr.
Zener diyotlarn alma geriliminin belirlenmesi: Zener diyodun zerinde yazl olan
49
zener
diyot
alma voltaj okunamyorsa, ekil 3.23'te verilen basit

devreyle elemann ka voltluk olduu saptanabilir. ekil
Rn
3.23'teki devrede girie 0 volttan balayarak artrlan DC
uygulanr. ktaki voltmetrenin gsterdii gerilim deeri V
V
V
sabitletii anda zener diyodun alma voltaj belirlenmi
Vzener
olur.
Zener diyot gerilimi belirlenirken diyoda seri balanacak
ekil 3.23: Zener diyotlarn alma
diren 220 W - 10 kW dolaynda, kullanlacak g kayna
geriliminin belirlenmesinde kullanlan
balant emas
ise DC 0 - 30 V aras k veren tipte olabilir.
Eer 30 volttan byk gerilime sahip bir diyodun ka voltluk olduu bulunmak isteniyorsa (rnein
TV'lerde kullanlan yksek gerilimli zener diyotlar), bu durumda ebeke gerilimi 1N4004 ya da
1N4007 diyotla DC'ye evrildikten sonra seri direnle (50 kW - 220 kW'luk) korunan zener diyoda
uygulanarak elemann alma gerilimi belirlenebilir.
Zener diyotlarn salamlk testi: Bir ynde kk (300 W - 3000 W), dier ynde byk ohm
(50 kW - 200 kW) okunmaldr.
Zener diyotlarn kodlanmas: Zener diyotlarn zerinde teknik zellikleri bildiren eitli harf
ve rakam kodlamalar bulunur. Arka sayfadaki rneklere baknz.
BZY85C9V1 kodlu zener diyodun zellikleri
B: Silisyumdan yaplmtr.
Tolerans deerini gsteren dier harfler:
Z: Zener diyottur.
A: % 1. B: % 2. D: % 10
Y: Dorultma devrelerinde kullanlr.
85: Firmann retim numarasn belirtir.
C: Elemann hata oran (tolerans) % 5'tir.
9V1: 9,1 V zener diyodun gerilim deeridir.
Zener diyot rnekleri

ABD normuna gre kodlanm baz zener
diyotlarn gerilim deerleri:
1N4728A: 3,3 V
1N4739A: 9,1 V
1N4742A: 12 V
1N4764A: 100 V
Avrupa normuna gre kodlanm

baz zener diyotlarn zellikleri:
BZY63: 9,1 V, Tolerans: % 5, Gc: 0,28 W
BZY69: 12 V, Tolerans: % 5, Gc: 0,28 W
BZX14: 9,1 V, Tolerans: % 5, Gc: 0,4 W
BZX17: 12 V, Tolerans: % 5, Gc: 0,4 W
Zener diyotlarn kullanm alanlar

I. Zener diyotlu regle devresi: Zener diyotlarla basit paralel, seri, nt ve hata ykselteli
regle devreleri yaplabilmektedir. Bu devrelerin grevi, giri gerilimi deimesine ramen k
gerilimini sabit tutmaktr. (Bu konu g kaynaklaryla ilgili blmde aklanmtr.)
II. Rleyi belirli bir gerilimden sonra
altran zener diyotlu devre: ekil
3.24'te verilen balant kullanlarak rlenin
almaya bala-yaca gerilim deeri
ayarlanabilir. Devrede mini rlenin alma
gerilimi 9 V ve seri bal zener diyot ise 6,2
V'luk olsun. Buna gre besleme ularna
uygulanan gerilim yaklak 15,2 V olmadan
rle almaz.
rle
ekil 3.24: Seri bal zener

diyot ile rlenin alma
geriliminin ykseltilmesi
ekil 3.25: l aletlerinin

zener diyot ile yksek
gerilimden korunmas
III. l aletlerini ar (yksek) gerilimden koruyan zener diyotlu devre: Bu tip uygulamalarda
50
korunacak elemana paralel olarak balanan zener

diyot, devreye ar gerilim uygulanmas
durumunda iletime geerek koruma yapar.
rnein i yaps dner ereveli olan bir
voltmetrede, aletin ibresinin hareketini salayan
bobin ve yayl ibre dzeneinin besleme ularna
ekil 3.25'te grld gibi paralel olarak
balanan zener diyot voltmetrenin bobin
dzeneine yksek gerilim gelmesi durumunda
iletime geerek koruma yapar.
ekil 3.26: Led sembolleri
m. Ledler (k yayan diyot, light emitting

diode, solid state lamp): Ik yayan flamansz
lambalara led denir. Bu elemanlar eitli
boyutlarda (1-1,9-2-2,1-3-5-10 mm vb.) retilirler.
ekil 3.27: Ledin yaps
2-20 mA gibi ok az bir akmla altklarndan
ve sarsntlara dayankl olduklarndan her trl
elektronik devrede karmza karlar.
Ik, bir yar iletkende, P tipi madde iine enjekte
edilen bir elektronun oyukla birlemesi ya da N
tipi madde iine enjekte edilen bir oyuun
elektronla birlemesi sonucunda oluur. Bu
olaydaki temel esas, elektronlarn enerji kaybnn
ma olarak ortaya kmasdr.
Ledlerin yayd nlarn renkleri krmz, sar,
yeil, turuncu, mavi, pembe vb. eklindedir.
Bunlardan krmz led en yksek verimli olan tiptir.
Ledler normal koullarda yaklak 100.000 saat
boyunca k verebilirler.
Resim 3.5: Led rnekleri
Ledlerin yapsnda kullanlan galyum arsenik
(GaAs), galyum arsenik fosfat (GaAsP), galyum
fosfat (GaP), inko, nitrojen vb. gibi maddelere
gre ortaya kan n rengi de farkl olmaktadr.
Yani yar iletken iine konan elementler ledin
yayd n rengini belirlemektedir. Yeil renk
ekil 3.28: Ledin seri n diren ile altrlmas
veren ledlerin iinde nitrojen bulunmaktadr.
Nitrojen miktar artrldka k sar olmaktadr.
Krmz renk elde etmek iin ise inko ve oksijen kullanlmaktadr.
Krmz led en az 1,5 - 1,6 V ile alrken, turuncu 1,7 V, sar 1,8 V, yeil 2,2 - 2,4 voltta k
yaymaya balar. Yaklak 2,5 ile 4 volttan yksek gerilimler ledlerde bozucu etki yapar. Yksek DC
gerilimlere balanacak ledlere ekil 3.28'de grld gibi seri olarak n diren balanr. Lede
balanmas gereken n direncin deeri,
Rn = (besleme gerilimi-led gerilimi)/led akm [W]
Baka bir deyile,
Rn = (Vdevre-Vled)/Iled [W] denklemiyle bulunur.
Not: Pratik hesaplamalarda Iled = 10 - 20 mA (0,01- 0,02 A) olarak kabul edilir.
rnek: 12 V'luk devrede krmz lede seri balanacak direncin deerini bulunuz. (Vled = 1,5 V)
zm: R = (12-1,5)/0,01 = 10,5/0,01 = 1050 W = 1000 W = 1 kW
Ledin ektii akm miliamper dzeyinde olduundan lede seri olarak balanacak direncin gcnn
1/4 W olmas yeterlidir.
51
Ledin salamlk testi: Dorultma diyoduyla ayndr. Ohmmetreyle yaplan lmde bir ynde
300 W - 3000 W, dier ynde 50 kW - 200 kW okunmaldr.
anot 1 anot 2
L1
L2
katot 1 katot 2
L1
(b)
(a)
ortak
katot
L2
ortak
anot
krmz anot
(c)
ortak katot
yeil anot
ekil 3.29: ok renkli ledlerin yaps ve ok renkli led rnekleri
n. ok renkli ledler: Uygulamada iki ya da ledin bir gvde iinde birletirilmesiyle

oluturulmu, iki hatta renk yayan ledler de kullanlmaktadr.
ekil 3.29-a'daki ledden farkl renk
elde edilebilir. Anot 1 ve anot 2'ye DC
retecin art ucunu, ortak katoda ise DC
K
A
retecin eksi ucunu balarsak gvde iinde
bulunan iki ledin almas sonucu karma
K
A
bir renk (nc renk) oluur. Anot 1 ile
ekil 3.31: Kapasitif
ortak katoda DC uygulandnda L1 k ekil 3.30: Kapasitif
diyodun yaps
diyot
sembolleri
yayar. Anot 2 ile ortak katoda DC
uygulandnda ise L2 k yayar.
dielektrik madde
o. Kapasitif (varikap, varaktr)

diyotlar: Ularna uygulanan ters
polariteli gerilime bal olarak kapasite
1. levha
2. levha
deeri deien elemanlara kapasitif diyot
denir. Yar iletkenlerde P-N birlemesinde
katot (-)
anot (+)
gei blgesi ters polarma ile
geniletilebilmekte ve bu sayede de
diyodun kapasite deeri deimektedir.
R
Kapasitif diyotlar ters bal olarak
yaltkan blge
devredeyken P-N birleim yzeyinde ekil
3.32'de grld gibi elektron ve
Vdiyot
oyuklarn uzaklat gei blgesi oluur.
Bu blge diyoda uygulanan gerilimle doru
ekil 3.32: Kapasitif diyodun ters polarlmas
orantl olarak deiir. Gerilim artrlrsa
ntr (bo) blge geniler. P-N kristalleri iletken levha durumuna geerken, ntr blge de dielektrik
(yaltkan) zellii gsterir. Bylece kk kapasiteli bir kondansatr elde edilmi olur. Oluan kapasite
devre gerilimiyle ters orantldr. Yani diyoda uygulanan gerilim arttka kapasite azalr.
Hareketli plakal ayarl kondansatrler elektronik devre emprimelerinde (bakrl plaket) ok yer
kapladndan, kk boyutlu ve dijital yapl devrelerde varikap diyotlar kullanlmaktadr.
Kapasitif diyotlar TV, radyo vb. cihazlarn yayn (frekans) seici (tuner) devrelerinde kullanlrlar.
Kapasitif (varikap) diyot rnekleri

-BB105A, B: UHF frekansl devrelerde kapasite deitirmek iin kullanlr.
-BB121A, B: VHF/UHF frekansl devrelerde kapasite deitirmek iin kullanlr.
-BB143A, B: FM/VHF frekansl devrelerde kapasite deitirmek iin kullanlr.
-BB110: FM/VHF frekansl devrelerde kapasite deitirmek iin kullanlr.
52
I (mA)
negatif
diren
blgesi
Ip
R
V
K
Iv
V (V)
Vp
ekil 3.33: Tnel

diyot sembolleri
ekil 3.34: Tnel diyotlarn

karakteristiinin karlmasnda
kullanlan devre
Vv
ekil 3.35: Tnel diyotlarn elektriksel (V-I) karakteristik erisi
. Tnel (tunnel, esaki) diyotlar: Doru polarma altnda alan, gerilime gre direnleri
deien devre elemanlardr.
Tnel diyotlar fazla katkl germanyum ya da galyum arsenikten yaplrlar. Katklama maddesi
olarak galyum, arsenik, berilyum, altn vb. kullanlr.
Bu elemanlar kk polarma gerilimlerinde iletken duruma geebilirler. Ayrca dier diyotlardan
daha iyi iletkendirler.
ekil 3.34'te verilen balant emas kurulduktan sonra V gerilimi sfrdan itibaren artrlacak olursa,
diyottan geen akm da ekil 3.35'te grld gibi artmaya balar. Vp deerine gelindiinde akm
maksimum (Ip) deerine ular. V gerilimi artrlmaya devam edildike Vp deerinden sonra diyottan
geen akmn azalmaya balad grlr. Akmn azalmaya balad arala diyodun negatif diren
blgesi denir.
Gerilim Vv deerine ulatnda akm en dk dzeye (Iv) iner. Vv geriliminden sonra eleman
normal diyot gibi davranr. Ancak, tunel diyotlar bu blgede altrlmazlar.
Tnel diyotlar ok kk gl olup ounlukla alma frekans 10.000 MHz'e kadar olan
osilatrlerde, ykseltelerde ve hzl anahtarlama devrelerinde (multivibratrler, gecikmeli osilatrler)
vb. kullanlrlar.
1N2939 kodlu tnel diyodun baz karakteristik zellikleri yledir: leri yn akm: 5 mA, Ters yn
akm: 10 mA, Ters yn gerilimi: 30 mV, leri ynde tepe nokta akm gerilimi: 450-600 mV.
p. Enfraruj (infrared) ledler: P ve N tipi iki yar iletkenin birleiminden olumutur. Yar
iletkenlere eitli maddeler eklenerek insan gznn gremeyecei frekanslarda (kzl tesi) k
yayan led elde edilmitir. D grnm olarak led diyotlara benzeyen enfraruj ledler en ok uzaktan
kumanda (TV, video, mzik seti, otomatik altrlan
endstriyel makineler vb.) sistemlerinde kullanlrlar.
Enfraruj led rnekleri: LD271, LD274, CQW13,
CQY99, TSHA-6203, VX301...
Enfraruj ledin salamlk testi: Ohmmetreyle

yaplan lmde bir ynde kk ohm (300 W - 3000
W) dier ynde byk ohm (50 kW - 200 kW )
okunmaldr.
ekil 3.36: Enfraruj

led sembol
ekil 3.37: eitli

enfraruj ledler
r. Ledli display'ler (rakam, harf gstergeler): Led

kullanlarak yaplan rakam, harf gsterici devre elemanlarna display denir. Yaygn olan yedi paral
led gstergeler anodu ase (ortak) ve katodu ase olmak zere iki tipte retilir.
I. Anodu ortak (common anode, anodu ase) display'ler: Bu tip display'lerin iinde
bulunan tm ledlerin anodlar ekil 3.38'de grld gibi gvde iinde birbiriyle birletirilmitir.
Eleman altrlrken art (+) besleme ortak anoda uygulanr. Dier ulara uygulanan eksi beslemelere
gre display'de eitli rakamlar oluur.
53
II. Katodu ortak (common cathode, katodu

ase) display'ler: Anodu
asenin tam tersi zelliktedir.
Yani, gvde iindeki ledlerin
tmnn katot ular ekil
3.39'da grld gibi birbirine
baldr.
5 V ile alan devrelerde
kullanlan display'lerin iindeki
ledleri yksek akm ve gerilime
kar korumak iin 220 W - 470 W
arasnda deere sahip n
direnler kullanlr.
Not: Anodu orak display'leri
altrabilmek iin 74LS47,
katodu ase display'leri
altrabilmek iin ise 74LS48
kod zc entegresi
kullanlabilir. (Geni bilgi iin
dijital elektronik kitaplarna
baknz.)
s. Elektronik devrelerde
kullanlan dier diyotlar:
Elektronik devrelerde daha bir
ok eitte diyotlar
kullanlmaktadr. imdi
bunlarn bazlarn inceleyelim.
ortak katot
ortak anot
Resim 3.6: Display'lerin i yaps ve eitli display'ler

+
b c d e f g
+
ekil 3.38: Anodu ortak display'in yaps
nokta
b c d e f
I. Gunn (gan) diyotlar:

1963 ylnda J. B. Gunn adl
bilgin tarafndan bulunan diyot
eididir. Daha ok osilatr
nokta
devrelerinde kullanlr. Gunn
ekil 3.39: Katodu ortak display'in yaps
diyotlar polarma gerilimi
uygulandnda belli voltaj deerinden sonra srekli olarak iletim ve kesime giderek kare dalgaya
benzeyen sinyallerin olumasn salarlar. ekil 3.40-a'da gunn diyot sembol, ekil 3.40-b'de ise bu
diyotlarn elektriksel karakteristii verilmitir.
II. Impact () diyotlar: Gunn diyotlara gre P ve N maddesindeki yabanc madde oranlar
fazladr. Ayrca alma gerilimleri ve gleri gunn diyotlardan daha byktr.
Impact diyotlar silisyum ve galyum arsenik kullanlarak retilir. Bu elemanlar dk grlt ve
hzl tepki zaman gerektiren yksek frekansl devrelerde kullanlrlar. ekil 3.41'de diyotlarn
yaps ve elektriksel karakteristii verilmitir.
III. otki (schottky) diyotlar: ok hzl olarak iletim kesim olabilen diyotlardr. Ayrca bu
elemanlarn iletime geme gerilimleri ok dktr.
Normal diyotlar alak frekanslarda, ularna uygulanan gerilimin yn deitiinde bu deiime
uygun olarak hemen iletken ya da yaltkan durumuna geebilirler. Ancak yksek frekanslarda (10 MHz
54
V
(a)
I2
I (A)
I1
V (V)
V1
(b)
I (A)
V2
I1
ekil 3.40: a) Gunn diyot sembol b) Gun

diyodun elektriksel karakteristik erisi
I2
I3
I4
ekil 3.41: Impact diyodun yaps ve

elektriksel karakteristik erisi
K
N tipi madde
ekil 3.42: otki

diyot sembol
metal
ekil 3.43: otki
diyodun yaps
Resim 3.7: otki

diyot rnekleri
ve daha st), diyot ularna gelen gerilimin yn deitii hlde diyot bir durumdan tekine (iletim,
yaltm durumlar) hemen geemez.
te bu nedenle yksek frekansl devreler iin hzl davranabilen otki diyotlar yaplmtr.
otki diyotlarda birleim yzeyi platin ile kaplanmtr. Bu durum birleme yzeyindeki yaltkan
tabakay inceltmekte ve bu sayede diyodun iletim ya da yaltma geme hz artmaktadr. Bu
elemanlarn birleim yzeyleri ok kk olduundan doru polarmada 0,25 voltluk gerilimlerde
bile iletime geebilmektedirler.
ekil 3.42'de otki diyot sembol, ekil 3.43'te otki diyodun yaps ve resim 3.7'de otki diyot
otki diyotlarn baz kullanm alanlar: Mikro dalga alclar, modlatrler, demodlatrler, dedektr
devreleri vb.
IV. Nokta temasl (kedi by) diyotlar: Germanyum ve silisyumdan retilirler. Diyodun i
grnm ekil 3.44'te grld gibi kedi byna benzediinden elemana bu ad verilmitir.
Nokta temasl diyotlarda P tipi para, N tipi paraya gre noktasal kklktedir. P eleman ile
konta (temas), 0,1 mm apnda tungsten-molibden alaml
kvrk tel salar. Kedi byna benzeyen ince telin kaynak
silisyum
olduu u katoddur. Nokta kontakl diyotlarn iki ucu arasnda
paras
oluan kapasite 1-2 pF gibi kk bir deere
drlebildiinden bu elemanlar yksek frekansl dedektr
K
A
(seme, ayrma) devrelerinde vb. kullanlr.
ekil 3.44: Nokta temasl
Nokta temasl diyot rnei: AA134: Doru yndeki direnci 75
diyodun
yaps
W, ters yndeki direnci 3,5 MW
55
ekil 3.46: Normal lambann yayd nlar
ekil 3.45: Lazer nlar
P tipi madde
yaltkan tabaka
DC
N tipi madde
ekil 3.47: Lazer diyodun yapsnn

basit olarak gsterilii
Resim 3.8: Lazer diyot
V. Yar iletken lazer (laser) diyotlar: Lazer, karlan n ykseltme yoluyla canlandrlp
yaylmas anlamna gelir. Bu yolla k nlar ince ve youn bir k hzmesi (demeti) hline
getirilebilir.
Lazer normal bir kaynaktan kan ktan iki bakmdan ayrlr. Birincisi, lazer ekil 3.45'te
grld gibi tamamyla tek renklidir.Yani lazer nnn frekans tektir. Ayrca lazer dank deildir.
Yani btn k (hepsi elektromanyetik radyasyonun bir formu olduu iin) doadaki dalga formuna
benzer.
Sradan kaynaklardan elde edilen k ekil 3.46'da grld gibi rastgele yaylr. te bu nedenle
lazerden kan k zayflamaz ve ok uzak mesafelere gidebilir.
Yar iletken lazer basit olarak N tipi yar iletken (GaAs) ve difzyon yoluyla ierisine inko konmu
P tipi yar iletken maddeden oluur. ekil 3.47'de lazer diyodun yaps basit olarak gsterilmitir.
Gerilim uygulandnda yaltkan yzey n ya da koharent enfraruj n yayar.
Yar iletken lazer diyotlar, fiber optik kablolarla bilgi iletiminde, gece grme aygtlarnda, mesafe
lmede, tbb aygtlarda, barkod okuyucularda vb. kullanlrlar.
VI. Shockley (okley, PNPN, drt tabaka, 4D) diyotlar: okley diyotlar ekil 3.49'da
grld gibi drt adet yar iletkenin birlemesinden olumu elemanlardr.
Bu diyot doru polarma altnda alrken ularna uygulanan gerilim iletim seviyesine ulancaya
kadar, ekil 3.50'de grld gibi ters polarize edilmi normal diyot gibi alr.
Uygulanan gerilim ykselerek iletim gerilimi seviyesine ulatnda ise diyot aniden iletime
geerken, eleman zerinde den gerilim de azalmaya balar. Gerilim belirli bir deere azaldktan
sonra tekrar ykselmeye balar. Bu noktadaki gerilime tutma gerilimi denir.
okley diyodu tutma geriliminden sonra gerilimini ve akmn artrarak dz polarmal normal diyot
gibi alr.
Baka bir anlatmla okley diyotlar balangta ters polarmal normal diyot gibi, tutma geriliminden
sonra dz polarmal normal diyot gibi alr. Bu iki alma noktas arasnda gerilim derken akmn
artt bir karakteristik gsterirler. te bu zellikleri nedeniyle darbe jeneratrleri, bellek devrelerinde
vb. kullanlrlar.
VII. PIN (P-I-N, pozitif-has-negatif) diyotlar: Katk madde (yabanc madde) oranlar yksek P ve
N tipi yar iletken maddelerinden oluan PIN diyodun P-N eklemi arasna ince bir yaltkan tabaka
56
olan I paras yerletirilmitir.

Bu diyotlar doru polarmada ayarl bir
diren, ters polarmada ise sabit deerli
bir kondansatr gibi alrlar. ekil
3.51'de PIN diyotlarn yaps ve radyo
frekans edeer devresi verilmitir.
PIN diyotlar, alak frekansl (AF) ses
sinyalleriyle, yksek frekansl (YF, HF)
radyo sinyallerinin modlasyonunda
(kartrlmasnda), doru polarma
gerilimi deitirilerek elektronik
zayflatc olarak vb. kullanlrlar.
ekil 3.48: Drt tabaka

(4D) diyot sembol
ekil 3.49: Drt tabaka

(4D) diyodun yaps
I (A)
iletkenlik
blgesi
Imaks
(50mA/5A)
tutma
noktas
Itutma
(1mA/50mA)
VII I. Sabit akml di yotl ar:

Gerilimdeki deimelere ramen akm
sabit tutabilen diyotlardr. rnein
1N5305 kodlu diyoda uygulanan gerilim
2 ile 100 V arasnda deimesine ramen
geen akm 2 mA olarak sabit kalr. Bu
elemanlar akm reglasyonunu salamak
iin kullanlrlar.
negatif
diren
blgesi
kesim blgesi
15 mA/35 mA
Vtutma
0,5 V/1,2 V
V (V)
Valma
20 V/200 V
ekil 3.50: Drt tabaka diyotlarn

elektriksel karakteristik erisi
saf malzeme
ekil 3.51: PIN diyotlarn yar iletken i yaps ve RF (radyo frekans) edeer devresi
IX. SMD tip (chip, ip) diyotlar: Kk boyutlu elektronik devrelerde (bilgisayar, yazc, faks,
TV, telefon, video vb.) kullanlan diyotlardr. SMD tip diyotlarn zellikleri dier diyotlarla ayndr.
Sadece boyutlar ok kk olduundan sklp taklmalar zordur. SMD tipi elemanlarn skp
takma ilemleri ince ulu havya ve kaliteli lehim yoksa yaplmamaldr.
Baz SMD diyot rnekleri: BAS16 (SMD kodu: JU/A6): 75 V/250 mA, BAL74 (SMD kodu: JC):
50 V/250 mA, BYM1050: 50 V/1 A
FSA2500M
Resim 3.9: SMD

tipi diyot rnei
ekil 3.52: Entegre tipi diyotlarn yaps
X. Entegre tipi diyotlar (diyot dizileri): Karmak yapl elektronik devrelerde diyotlar
entegreye benzer ekilde bir gvde iinde toplanm hlde olabilmektedir. ekil 3.52'de verilen entegre
tipi diyot modelinde grld gibi 16 adet diyot bir gvde iinde birletirilerek kullanma
sunulmutur.
57
. Optoelektronik: Led, fiber optik kablo, fotodiyot, fototransistrn birer optoelektronik ara
olduunu vurgularsak kelime ne kadar yabanc olsa da hangi konularla ilgili olduunu kavrayabiliriz.
Optoelektronik aletler, k yayan, alglayan, ya da n bir yerden baka bir yere iletilmesini
salayan aralardr. Bu aletler, iletiim, g elektronii, lm ve denetim yapma gibi bir ok alanda
kullanlmaktadr.
Genel bir tanmla k, radyo dalgalar, gama nlar, kzl tesi nm ve rntgen nlarna benzer
nitelikleri olan elektromanyetik nm (radyasyon) eklinde bir enerjidir. Baka bir deyile k,
dzgn bir enerji dalmna sahip elektrik ve manyetik alandan oluan dalga olup, enerji tayan
paracklardan yani fotonlardan olumaktadr.
In dalga ve paracktan oluan ikili bir yaps vardr. Bazen parack zellii bazen de dalga
zellii arlk kazanr. Ancak mutlak olan husus, n enerji taddr. In elektronik alannda
kullanlmasn salayan bu zelliidir.
Optoelektronik 0,3 mm'den 30 mm'ye kadar dalga boylarndaki elektromanyetik nmlarla ilgilenir.
Yani bu aralk hemen mortesinin iinden balar, gzle grlr aralndan geerek kzltesi
blgesinin epey iine kadar uzanr.
Gzle grlr k, renkli olarak alglanmakta olup, rengi, dalga boyunun belirledii anla-lmaktadr.
Krmz k en uzun dalga boyuna sahip olup, 0,78 mm, mor k ise 0,4 mm'dir. 0,8 mm'den 100 mm'ye
kadar olan aralk kzl tesi, 0,01 mm'den 0,4 mm'ye kadar olan blm ise mor tesi olarak adlandrlr.
BPW 34
BP104
BPX633
BPW 43
Resim 3.10: eitli fotodiyotlar
Optoelektronikle ilgili elektronik devre elemanlar

I. Fotodiyotlar (photodiode, a duyarl diyot): zerine k dtnde iletken olarak katot
ucundan anot ucuna doru akm geiren elemana fotodiyot denir. Bu elemanlar dorultma diyotlarna
ok benzer. Tek fark ekil 3.54'te grld gibi fotodiyotlarn birleim yzeyinin aydnlatlm
(k alabiliyor) olmasdr.
Fotodiyotlar devreye ters balanr ve k ile ters yndeki sznt akmlarnn artmas sretiyle
kontrol yaparlar. Bu kontrol, kla yar iletkenin kristal yapsndaki balarn baz noktalarda kopmas
sonucu elektron ve oyuklarn hareketiyle doan akmn oalmas eklinde olur.
ekil 3.55'te grld gibi fotodiyotlarn zerine gelen k bu elemanlarn geirdikleri akm
artrmaktadr. Geen akm, n iddetine bal olarak 100 mA ile 150 mA, gerilim ise 0,14 - 0,15 volt
arasnda deimekte olup ok kktr.
Fotodiyotlarn alma hz yaklak 1 nanosaniye ile 0,2 mikrosaniye arasnda olup son derece
yksektir. Bu hzl davranlar ve boyutlarnn kk olmas nedeniyle k lm aygtlarnda, k
dedektrlerinde, elektronik alarm dzeneklerinde, elektronik flalarda, optokuplrlerde, fiber optik
kabloyla veri iletiminde vb. yaygn olarak kullanlrlar.
Fotodiyotlar enfraruj nlara kar da duyarldr. Bunu salamak iin diyodun gvdesindeki
alc ksmn mercei renkli cam ya da plastikten yaplarak normal nlarn etkide bulunmas
nlenir.
Fotodiyot rnekleri: BPW12, BPW20, BPW30, BPW33, BPW34, BPW63, BPW65.
II. Optokuplrler (optik bala, optocoupler, optoizolatr, optoswitch): Ik yayan eleman
ile k alglayan bir elemann ayn gvde iinde birletirilmesiyle elde edilen elemanlara optokuplr
denir. ekil 3.56'da yaplar grlen bu elemanlarda k yayan eleman olarak led, enfraruj led
kullanlrken k alglayc olarak fotodiyot, fototransistr, fototristr, fototriyak vb. gibi elemanlar
58
kullanlr.
R
Optokuplrler daha ok
K
K
10 kW
k yoluyla, iki ayr zellikli
devre arasnda elektriksel
K
(galvanik) balant olmadan
irtibat kurulmasn salayan
A
A
V = 12 V
A
devrelerde kullanlrlar. yle
ekil 3.53: Fotodiyot
sembolleri
ki; dk gerilimle alan bir
devreyle yksek gerilimli bir
g devresine optokuplr
Iters (mA-mA)
araclyla kumanda
k
edilebilir.
Optokuplrler 2000 - 5000
mercek
volt aras gerilimlere
dayankl olduundan en
gvde
hassas kontrol sistemlerinde
gvenle kullanlabilir.
P-N
Burada verilen voltaj
eklemi
k iddeti (lux)
(gerilim) deerleri iki ayr
zellikli devrenin birbiri
arasnda akm geiinin
ekil 3.54: Fotodiyodun yaps
ekil 3.55: Ia bal olarak fotoolabilmesi iin uygulanmas
diyodun zerinden geen akmn
deiimini gsteren eri
gereken deeri belirtir. yle
ki; kumanda devresi 5 V ile
alsn. Bu devrenin tetikleme akm gndermesiyle enfraruj led n yayarak karsnda bulunan
a duyarl eleman tetikler. Tetiklenen eleman ise iletime geerek yksek voltajl devrenin
almasn salar. Optokuplrler, TV, bilgisayar, PLC cihaz ve otomasyon sistemlerinde
kullanlr.
4N28
ekil 3.56: Uygulamada kullanlan eitli optokuplrlerin i yaps
III. Optointerraptrlar (optointerrupter, ak tip optokuplr): Optokuplrlere ok benzeyen

devre elemanlardr. Tek farklar, k yayan eleman ile alglayan eleman arasna bir cisim girmesi
mmkn olacak ekilde (ak gvdeli) dizayn edilmi olmalardr. ekil 3.57'de yaplar grlen bu
elemanlarda k yayan elemana akm uygulandnda oluan k alglaycya ular. Alglaycnn
knda maksimum deerde akm oluur. Araya bir cisim girdiinde k geii sona ereceinden
59
enfraruj
diyot
fototransistr
enfraruj diyot
enfraruj
diyot
ekil 3.57: Optointerraptrlarn yaps
alglayc elemann k akm sfr (0) olur.

Optointerraptrlar bilgisayar farelerinde (mouse), otomasyon sistemlerinde, robot kontrollerine
vb. kullanlrlar.
Ek bilgi: Bilgisayar faresinin yaps
ekil 3.58'de i yaps verilen bilgisayar faresi hareket ederken, gvde iindeki bilye elimizle
yaptmz hareketlerin miktarlarn birbirine dik olarak yerletirilmi iki silindir yardmyla ikiye
ayrr. Led ve fotodiyotlar (ya da fototransistrler) arasnda kalan delikli disk, silindirin dnme
hz ile orantl olarak dner. Bu srada fotodiyotlar led tarafndan yaylan n engellerden
gemesi annda bir sinyal (kare
sa-sol
dalga) retirler. Doal olarak
silindiri
delikli
birim zamanda retilen bu
silindir
sinyallerin says delikli diskin
dnme hz, silindirin dnme
hzyla orantl olacaktr. Sonuta
farenin altnda dnen topun
hareketleri entegreli devre
araclyla bilgisayarn ilem
fare
devrelerine aktarlabilmektedir.
bilyesi
IV. Fotopiller (fotosel, gne

fotodiyotlar
led
pili, solar cell, photovoltaic
diyot
cell): Gne enerjisini (gn n)
yukar aa
elektrik enerjisine dntren
silindiri
elemanlara fotopil denir. Foton
ekil 3.58: Bilgisayarda kullanlan farenin i yaps
absorblanmasyla (emilmesiyle)
oluan yk tayclar ounlukta
olduklar blgelere srklenirler. Birleim yzeyinden I akm geer ve N tipi madde eksi (-), P tipi
madde ise art (+) yklenmi olur. I akm, birleim yzeyinin ileri ynde kutuplamasna ve birleim
potansiyel settinin alalmasna neden olur. D devre ak ise (alc yoksa) Pden Nye akm geer ve
birleim yzeyindeki set tekrar ykselir. P blgesi eksi (-), N blgesi art (+) yklenir. Sonra tekrar
60
effaf yaltkan yzey

ince metal zgara
kadmiyum (fosfor karml)
selenyum (bor karml)
PVC
yaltkan
gvde
ekil 3.59: Fotopil sembolleri
ekil 3.60: Fotopilin yaps
foton absorblanarak (emilerek) olay devam eder.

D devreden akm ekilirse P-N birleim yzeyindeki potansiyel, elektronlar daha yksek
potansiyele karan batarya (pil) rol oynamaktadr.
Enerjisi yeterli bir k demeti, P-N birleim yzeyine drlecek olursa foton, elektronlarla
karlap enerji verebilir. Serbest hldeki elektronlar valans elektronlarnn ancak 1/104 kadar
olduundan, bu ihtimal zayftr. Foton, muhtemel valans elektronu ile karlar ve ona enerjisini
brakarak iletkenlik bandna karr. Valans bandna giden elektron arkasnda bir boluk (art yk)
brakr. Sonu olarak P tipi blge art (+), N tipi blge eksi (-) yklenerek bir elektriksel potansiyel
farknn olumasna yol aar. Bu da elektrik akmn dourur.
Foton aks, k demetine birim yzeyden birim zamanda geen foton says olarak tanmlanr.
Ik nlar (fotonlar) fotopil zerine dtnde kk yar iletken temelli hcrelerde yaklak 0,40,5 V / 8-100 mA'lik elektrik akmnn olumasn salarlar.
Gne pilleriyle 3 V gerilim elde etmek isteniyorsa 6 tanesi birbirine seri olarak balanr. Sistemden
alnan akm ykseltilmek istendiinde ise, elemanlar paralel balanr. Yksek gerilim ile akm elde
etmek iin yaplm gne enerjisi panellerinde yzlerce gne pili seri ve paralel bal durumdadr.
Gne pili zerine den n iddeti bir noktadan sonra artrlsa da (rnein 4000 luksten sonra)
alnan gerilim sabit kalmaktadr.
Bu elemanlar, gne yla alan saat, radyo, TV, hesap makinesi, otomobil, sokak lambas,
uydu vericisi, uak vb. gibi aygtlarda kullanlr.
fotopil
paneli
fotopil paneliyle
alan televizyon
fotopil paneliyle alan mini

motorlu araba maketi
Resim 3.11: Fotopil rnekleri
t. Diyot kataloglar: retici firmalar uygulamalarda istenilen sonular elde edebilmek iin
rettikleri elemanlar hakknda ayrntl bilgi kataloglar yaynlarlar.
Elektronik devre tasarmclar ve onarm iiyle uraanlar piyasaya srlm olan kitap ya da CDROM hlindeki tantm kataloglarn alarak bavuru kayna olarak kullanrlar.
Diyot kataloglarnda bulunan ksaltmalarn anlamlar
+Idiyot = IF: Diyodun doru polarmada geirebilecei akm (forward current)
-Idiyot = IR: Diyodun ters yn akm (reverse current)
RF: Diyodun iletim direnci (forward resistance)
RR: Diyodun ters yn direnci (reverse resistance)
Viletim = VF: Diyodun iletim gerilimi (forward voltage)
Vters = VR: Diyodun ters yn gerilimi (reverse voltage). Diyoda uygulanabilecek maksimum gerilim
61
deeri (1N4001 diyot iin bu deer 50 volttur).

tj = tstg: Diyodun alma scakl
Cj: Diyodun kapasitesi
f: Diyodun alma frekans
P: Diyodun gc
u. Diyotlarn rakam ve harflerle kodlanmas
1. harf: Yar iletkeni belirtir.
A: Germanyumdan yaplmtr.
B: Silisyumdan (silikondan) yaplmtr.
C: Galyum-arsenikten yaplmtr.
D: ndiyum-antimuandan, indiyum arsenikten yaplmtr.
R: Polikristal (oklu kristal) yar iletkenlerden (kadmiyum slfat vb.) yaplmtr.
2. harf: Diyodun cinsini (genel ilevini) belirtir.
A: Dedektr diyodu, yksek hzl diyot, mikser diyodu, dorultma diyodu
B: Kapasitif (varikap) diyot
P: Photo (foto) diyot
E: Tnel diyot
N: Optokuplr
P: Ik belirleme (hissetme) eleman
Q: Ik yayan diyot (led)
Y: Dorultma ya da benzeri diyot
Z: Gerilim referans ya da reglatr diyot
Diyot zerinde bir ve ikinci harften sonra gelen numaralar, elemann zel kullanm alanlarn
belirtir.
1N, 1/4M, 25N, 4M, 1/2Z: Amerikan standartnda kullanlan kodlama
1S: Japon standartnda kullanlan kodlama
2T, 3T, 4T: ITT firmasnn kodlamas
5A, 5D, 8D, 10B-C-D, A, AA, AAY, AB, AC, AD, AE, AZ, BA, BAX, BAY, BB... eitli retici
firmalarca kullanlan diyot kodlar
. Diyotlarn renk bantlaryla kodlamas: 1N serisi diyotlarn baz modellerinde elemann
ad renk bandlaryla gsterilmektedir. Renklerin rakamsal karlklar yledir:
Siyah
:0
Kahverengi
:1
Krmz
:2
Turuncu
:3
Sar
:4
Yeil
:5
katot iareti
Mavi
:6
Mor
:7
Gri
:8
Beyaz
:9
rnek: Gvdesi zerinde sar, kahverengi, sar, gri renkleri
bulunan diyodun modelini belirleyiniz.
zm: Sar: 4. Kahverengi: 1. Sar: 4. Gri: 8 = 1N4148
1. renk
sar
1N 4
2. renk 3. renk
kahve
sar
1
4. renk
gri
ekil 3.61: Diyotlarn renk

bantlaryla kodlanmas
62
Blm 4: Transistrler (BJT)

Giri: Elektronikle ilgili sistemlerin geliip stn seviyeye gelmesi yar iletken temelli transistrlerin
bulunmasndan sonra olmutur. Uygulamada 100.000'e yakn eitte transistr vardr. Ayrca her
geen gn yeni zelliklere sahip transistrler retilmektedir.
beyz
balants
emiter
balants
ilk yaplan transistr
transistr
oluturan yar
iletkenler
gvde
kolektr ucu
metal gvdeye
bal
ayaklar
ekil 4.1: Nokta temasl transistrlerin
yapsnn basit olarak gsterilmesi
ekil 4.2: Yzey temasl transistrlerin

yapsnn basit olarak gsterilmesi
ekil 4.1'de grlen germanyumdan yaplm ilk nokta temasl transistrler 1947 ylnda Bell
Telefon Laboratuvarlarnda alan W. Brattain ve J. Bardeen adl bilginler tarafndan bulunmutur.
Germanyum transistrler sdan ok etkileniyor, s ile akmlar artyordu. Elektrotlar aras
kapasitelerinin byk olmas ise osilasyonlara (salnmlara) neden oluyordu. Daha sonraki yllarda
silisyumdan transistr yapm balad. Silisyum transistrler germanyum transistrlerde ortaya kan
bir ok sakncann ortadan kalkmasn salad.
1949 ylnda ise nokta temasl transistrlerden daha kolayca retilebilen, bugn kullandmz iki
polarmal (bipolar) yzey temasl tip transistrler Schockley (okley) tarafndan gelitirilmitir. ekil
4.2'de yzey temasl transistrn yaps grlmektedir. ki polarma yzeyli transistrler teknik
anlatmlarda ksaca BJT (Bipolar Junction Transistr) olarak da adlandrlmaktadr.
Transistr kelimesi, transfer (aktarma) ve resistor (diren) szcklerinin ksaltlmasyla ortaya
kmtr.
Transistrlerin ayak adlarnn Trke karlklar yledir:
Emiter (emitter): Yayc,
Kolektr (collector): Toplayc,
Beyz (base): Taban, giri, kontroldr.
NPN
PNP
A. Transistrlerin genel tanm

ekil 4.3: NPN ve PNP
NPN ya da PNP eklinde dizilmi yar iletkenin birleiminden
transistr sembolleri
olumutur. Ayaklar beyz (B), kolektr (C), emiter (E)'dir. B ucu
tetiklendiinde C-E arasnn diren deeri azalarak akm geirir. C-E arasndan geen akmn
deeri beyz ucuna uygulanan tetikleme akmnn miktarna baldr.
NPN ve PNP transistrn alma ilkesi ve yaps birbirine ok benzemesine ramen yksek frekansl
sinyallere kar tepkisi daha iyi olduundan NPN tip transistrler devrelerde daha yaygn olarak
kullanlmaktadr.
Transistrlerin yaps
a. NPN tipi transistrn yaps: ekil 4.4'te grld gibi NPN transistr yaplrken iki adet
N tipi zellie sahip yar iletken malzemenin arasna ince bir katman hlinde P tipi malzemeden
beyz tabakas yerletirilmitir. Araya yerletirilen beyz tabakas iki byk tabaka arasndaki elektron
63
Resim 4.1: eitli transistrler
oyuk geiini kontrol etme bakmndan grev yapmaktadr.

Transistrleri muslua (vana) benzetmek mmkndr. Musluk
akan svy denetler (ayarlar). Transistr ise geen akm denetler.
Bu zellii sayesinde kk akmlar ayn biimde olmak kaydyla
bytlebilecei gibi, kk bir akm ile byk bir alcnn almas
da salanabilir.
ekil 4.5'te verilen vana edeerinde B ucundan bir miktar su
verildiinde yay ile tutturulmu kol aaya doru inerek C
blgesinden E blgesine doru yksek miktarl bir su geiini salar.
B giriine uygulanan su kesildii anda yay kolu ekerek C ile E
arasndaki geii kapatr.
b. PNP tipi transistrn yaps: ekil 4.6'da grld gibi
PNP transistr yaplrken iki adet P tipi zellie sahip yar iletken
malzemenin arasna ince bir katman hlinde N tipi malzemeden beyz
tabakas yerletirilmitir. Araya yerletirilen beyz tabakas iki byk
tabaka arasndaki elektron oyuk geiini kontrol etme bakmndan
grev yapmaktadr.
kolektr (C)
N
beyz (B)
P
N
emiter (E)
ekil 4.4: NPN transistrn
yar iletken yaps
Transistrlerin alma ilkesi

a. NPN tipi transistrn alma ilkesi: ekil 4.7'de grld gibi, VBB kaynann art
(+) ucu beyz blgesini pozitif olarak ykler. VCC kaynann eksi (-) ucu E blgesindeki elektronlar
yukar iter. Skan elektronlar beyz (B) tarafndan ekilir. Baka bir deyile, emiterin iletim
bandndaki elektronlar E-B gerilim settini aarak beyz blgesine girerler. Ancak B blgesi ok dar
olduundan, emiterden gelen elektronlarn % 1-2'lik ksm B blgesi tarafndan ekilirken, yaklak
% 98-99'luk ksm C blgesine geer. VCC 'nin art (+) ucu C blgesindeki elektronlar kendine
eker. Bu sayede elektron hareketi sreklilik kazanr. VBB 'nin verdii beyz akm olduu srece
Eden C'ye elektron ak srer. NPN transistrde elektronlar yukar giderken (ekil 4.8), oyuklar
aa doru gider (ekil 4.9). Bu nedenle pratik anlatmda B'ye uygulanan art (+) sinyal C'den
E'ye doru akm geirir denir. Sonu olarak, emiter akm, beyz ve kolektr akmlarnn toplamna
eittir. Bunu denklem olarak ifade edersek, IE = IB + IC [A] eitlii yazlabilir.
64
kolektr (C)
yay
beyz (B)
P
emiter (E)
ekil 4.5: Transistrn vana
(musluk) edeeri
ekil 4.6: PNP transistrn

yar iletken yaps
VCC
-
VBB
-
ekil 4.7: NPN

transistrn i yaps
ekil 4.8: NPN transistrde

elektronlarn hareket ynleri
ekil 4.9: NPN transistrde

oyuklarn hareket ynleri
b. PNP tipi transistrn alma ilkesi: ekil 4.10'da grld gibi, VBB kaynann eksi (-)
ucu B blgesini negatif olarak ykler. VCC kaynann art (+) ucu E blgesindeki art (+) ykl
oyuklar yukar iter. Skan art (+) ykler B tarafndan ekilir. Ancak B blgesi ok dar olduundan
oyuklar C blgesine geerler. VCCnin eksi (-) ucu C blgesindeki oyuklar kendine ektiinden
oyuk hareketi sreklilik kazanr. VBB akm olduu srece E'den C'ye oyuk ak srer. E'den gelen
oyuklarn yaklak % 1-2'lik ksm VBB tarafndan yutulurken, geriye kalan % 98-99'luk oyuk VCC
kaynann eksi (-) ucuna gider.
PNP transistrde elektronlar aa giderken (ekil 4.11), oyuklar yukar doru gider (ekil 4.12).
Bu nedenle pratik anlatmda B'ye uygulanan eksi (-) sinyal E'den C'ye doru akm geirir denir.
Grld zere NPN ve PNP transistrn alma ekli ayndr. Sadece birinde elektronlar,
dierinde ise oyuklar grev yaparak akm geiini salamaktadr.
Transistr eklemlerinde oluan gerilim setleri: ekil 4.13'te grld gibi P ve N tipi iki
yar iletken birletirilince, ilk anda birleim blgesinde bir elektron-oyuk hareketi balar. Yani P tipi
maddenin sa tarafndaki oyuklarla N tipi maddenin sol tarafndaki elektronlar birbirini ekerek
birleirler. Bunun sonucunda P-N birleim blgesinde elektriksel olarak ntr (ne art ne de eksi
ykl, yani yksz) blge oluur. te bu ntr blge bir set (engel) gibi davranarak yar iletken
malzemelerin iinde bulunan dier oyuk ve elektronlarn birlemesini engeller.
Ancak dardan bir enerji (k, s, elektrik akm) uygulanacak olursa P-N birleiminin ntr blgesi
(gerilim setti) yklr.
65
IC
P
N
VCC
VBB + P
ekil 4.10: PNP

transistrn i yaps
ekil 4.11: PNP

transistrde elektronlarn
hareket ynleri
Sonu olarak, P-N birleiminin olduu her

elemanda bir gerilim setti sz konusudur.
Bu settin almas iin elektrik akm
uyguladmzda eer eleman germanyumdan
yaplmsa gerilim deeri 0,2 voltu anca,
silisyumdan yaplmsa 0,6 - 0,7 voltu anca akm
geii balar.
Transistrlerde polarma (E-B-C ularna
DC uygulama): Elektronik devrelerde kullanlan
transistrler doru polarmalandnda iletime, ters
polarmalandnda ise kesime giderler. Bu
bakmdan NPN ve PNP transistrlerin hangi
polarmada alt iyice renilmelidir. ekil
4.14'te NPN transistrlerin almas iin
uygulanmas gereken DC gerilimlerin ynleri
verilmitir.
ekil 4.12: PNP

transistrde oyuklarn
hareket ynleri
B
E
ekil 4.13: Transistr oluturan yar iletkenlerin

birleim yzeylerindeki gerilim setleri
IB
IC
a. NPN ve PNP transistrlerin doru

VBB
VCC
polarmalanmas: Transistrn beyz ucuna akm
uygulanmadnda C-E arasndan akm geii
olmaz. Yani eleman kesimde (cut-off) kalr.
ekil 4.14: NPN transistrn alabilmesi iin
Transistr germanyumdan yaplmsa B ucuna
B-C-E ularna DC gerilimin uygulan
uygulanan gerilim 0,2 voltu anca, silisyumdan
yaplmsa 0,6-0,7 voltu anca C ve E aras iletken olur.
NPN tipi transistrlerin B ucuna aseye gre art (+) uygulandnda iletimin olabilmesi iin Cye
VBB
VCC
VBB
ekil 4.15: NPN transistrn

doru polarlmas
VCC
ekil 4.16: PNP transistrn

doru polarlmas
66
art (+) ve Eye eksi (-) uygulanr (ekil 4.15).

PNP transistrlerde B ucuna eksi (-) uygulannca E'den C'ye akm geii olur. Bu srada E'ye art
(+) ve C'ye (-) verilir (ekil 4.16).
Sonu olarak, transistrleri aktif ykseltme eleman olarak kullanabilmek iin B-E birleimi doru
polarmalanrken edilirken B-C eklemi ters polarmalanr. ekil 4.15 ve ekil 4.16'ya baknz.
VBB
VBB
VCC
VCC
ekil 4.17: NPN ve PNP transistrlerin ters polarmal olarak balanmasna ilikin rnek ekiller
(Verilen emalarda transistrlerin B-E ve B-C eklemleri, anlamay kolaylatrmak iin diyot eklinde gsterilmitir.)
b. NPN ve PNP transistrlerin ters polarmalanmas: Transistrlerin beyz-emiter (B-E)

ular doru, beyz-kolektr (B-C) ular ters polarmalanrsa eleman alr. ekil 4.17-a ve b'de
grld gibi B-E ular ve B-C ular yanl polarmalanrsa eleman almaz. Hatta elemanda
bozulma bile olabilir.
yle ki; B-E aras ters
polarmalanrsa beyz-emiter gei
VBB
eklemi ekil 4.18'de grld gibi
geniler ve set gerilimi byr. Akm
geii olmaz. B-C ular ters polarmal
deil
de
doru
polarmalanrsa transistr yine
almaz.
Transistrlerin salamlk testi:
Transistrlerin testi yaplrken u

yntemler kullanlr:
a. Ohmmetre ile salamlk testi:
Salamlk testinde alnmas gereken

deerleri kolayca anmsayabilmek
iin NPN ve PNP transistr ekil
4.19'da grld gibi birbirine ters
seri bal iki diyoda benzetebiliriz.
Bu benzetmeden yola karak
ohmmetre ile yaplacak 6 lmde
izelge 4.1'de verilen deerler
alnmaldr.
Not: Diyotlar birbirine ters
balanmak sretiyle transistr elde
edilemez.
ekil 4.18: B-E eklemi ters polarmalanm PNP transistr (Burada

B-E ularna uygulanan ters ynl polarma gerilimi transistrn
dayanabilecei deerin zerine karsa B-E eklemi bozulur.)
ekil 4.19: PNP ve NPN tipi transistrlerin diyot edeerleri
b. Polarma gerilimine bakarak salamlk testi: Dijital multimetrelerin (AVOmetre)

67
Transistrlerin salamlk testinde B-C-E

ayaklarnn iki ynl lmnde alnmas gereken
deerlerin farkl ekilde ifade edilii:
Wm
Wm
E-C: 50 kW-200 kW / 50 kW-200 kW

B-C: 300 W-3000 W / 50 kW-200 kW
B-E: 300 W-3000 W / 50 kW-200 kW
E-C: Byk W-byk W
B-C: Kk W-byk W
B-E: Kk W-byk W
C-E: W- W
B-C: 0 W- W
B-E: 0 W- W
ekil 4.20:Transistrn salamlk testinin

analog (ibreli) ohmmetreyle yapl
izelge 4.1
komtatr diyot sembolnn bulunduu yere getirilir. Yaplan lmlerde silisyum transistrlerin
B-E ve B-C eklemleri zerinde den gerilimler bir ynde yaklak 450-650 mV olarak okunur,
dier ynde hibir deer okunamazsa (ya da O.L: Ak devre, 1,2 V gibi deerler de grlebilir)
eleman salam demektir. Ayrca lm srasnda B-E eik geriliminin B-C geriliminden biraz byk
olduu grlr. Bu zellik sayesinde E ve C ularn kolayca belirleyebiliriz.
rnek olarak l aleti komtatr diyot konumundayken yaplan lmlerde,
BC547 kodlu transistrde VBE = 582 mV, VBC = 576 mV
2N3055 kodlu transistrde VBE = 455 mV, VBC = 447 mV olarak okunmutur.
Ek bilgi: Bir transistr devreye balyken ohmmetre kullanlarak salamlk testi yaplacak olursa
yanl sonular okunabilir. Ancak lme komtatrnde diyot sembol bulunan bir l aletiyle
eleman sklmeden salamlk testi yaplabilir.
yle ki; l aletinin komtatr diyot iaretinin bulunduu konuma getirilir. B-E, B-C ayaklar
arasnda yaplan lmlerde P-N birleim yzeylerinde den gerilimler mV cinsinden (yaklak
450-650 mV) okunursa eleman salamdr.
Transistrlerin tipinin belirlenmesi: AVOmetre komtatr ohm kademesine alnr (x1k ya
da x10k konumlar) B ucuna art (+) prob, C ya da E ucuna ise eksi (-) prob dedirilir. Kk diren
okunursa (300 W-3000 W) transistr NPN, byk diren okunursa (50 kW-200 kW) PNPdir.
Transistrlerin E-C-B ularnn bulunmas: Transistrlerin E-C-B ularn bulmada kullanlan
yntemler unlardr:
a. Metal gvdeli transistrlerde ayaklarn bulunuu: D gvdesi metal olan transistrlerin
kolektr ucu gvdeye baldr. l aletinin bir ucu gvdeye dedirilip dier u ayaa rastgele
dedirilerek lmler yaplr. Her iki ynl lmde de 0 (sfr) ohmluk direncin okunduu u
kolektr olarak saptanr. Daha sonra ayak kendi arasnda llr. Her iki ynl olarak yaplan
lmlerde ok yksek diren (50 kW-200 kW) gsteren ular bulunduunda kolektr belirlenmi
olduuna gre dier u emiterdir. Geride kalan nc u ise beyzdir.
b. Kataloglara (data book, hand book) bakarak ayaklarn bulunuu: Transistr
68
kataloglarnda her
modelin ayaklarnn
dizili ekli vardr.
Katalog kullanlarak
yaplan u belirleme
hem ok pratik hem
de salkldr. Pratik
uygulamalarda
kullanlan transistr
says onbinlerce
olmasna ramen,
radyo, TV, video gibi
zelge 4.2: Transistr
yaygn olan
cihazlarda kullanlan
transistr says bir ka yz gememektedir.
ICmaks=
150 mA
Pmaks=
250
mW
Pmaks=
500
mW
ICmaks=
50 mA
ayaklarnn kataloa baklarak belirlenmesi
c. Parmak yntemiyle ayaklarn bulunuu: Aada verilen yntem kataloglarda zellii

bulunamayan transistrlerin ularnn bulunmasnda kullanlr.
I. Transistr NPN ise parmak yntemiyle ayaklarn bulunuu: nce byk ohm-byk
ohm gsteren ular bulunur. Bunlar C ve E, dier u ise B'dir. Bundan sonra ohmmetrenin problar
(siyah ve krmz) rastgele E ve C olduklar bilinen ulara dedirilir. Ba parmak siyah proba
dedirilerek, iaret parma ile B ucuna tetikleme uygulanr. Bu durumda aletin gsterdii diren
ok azalyorsa ba parman ve siyah probun temas hlinde olduu transistr aya C'dir.
II. Transistr PNP ise parmak yntemiyle ayaklarn bulunuu: Yukardaki ilemin benzeri
yol izlenir. Farkl olan udur: Bu kez ba parmak krmz proba temas eder. aret parmayla yaplan
tetiklemede ohmmetre dk diren gstermeye baladnda ba parman ve krmz probun temas
hlinde olduu transistr aya E'dir.
. Gvde zerindeki iaretlere bakarak ayaklarn bulunuu: Metal gvdeli baz
transistrlerde emiter ucu trnak olan yere yakn olan ayaktr.
Bunun kars kolektr, ortadaki ise beyzdir. Eski tip
B
2N2222 BC109
transistrlerin gvdesinde ise kk bir krmz benek
2N2219 BC178
bulunur. Bu benek C'yi gsterir. C'nin karsndaki u E,
C 2N2905 2N3053
ortadaki u ise B'dir.
E
ekil 4.21: Transistrlerin ayaklarnn
d. Dijital multimetre kullanlarak ayaklarn
gvde zerindeki iaretlere baklarak
bulunuu: lme komtatrnde diyot sembol olan
bulunuuna ilikin rnek ekil
AVOmetreyle ilem yaplr. Problarla B-E ve B-C aras
gerilim lmleri yaplr. B-E aras gerilim, B-C aras gerilim deerinden biraz byk kacandan
E ve C ular saptanabilir.
Transistrlerin gvde (klf) biimleri: Az g harcayan transistrler kk ve plastik gvdeli,

yksek g harcayanlar ise metal gvdeli olarak retilmektedir.
Transistr gvdeleleri, SOT-32, TO-1, TO-3, TO-5, TO-12, TO-17, TO-18, TO-39, TO-46, TO59, TO-60, TO-63, TO-72, TO-77, TO-92, TO-107, TO-126, TO-202AC, TO220, TO-236 vb. eklinde
kodlanmtr. ekil 4.22'de gvde ekillerine ilikin rnekler verilmitir.
retici firmalar, her bir transistrn zellikleri ve u balantlarn belirtmek iin bilgi formlar
hazrlarlar. Balantlarda hata yapmamak iin bu kataloglara bakmak gerekir. nk ayn paket
tipinde deiik ayak sralamalar sz konusu olabilmektedir.
69
TO-05
TO-59
1: emiter
2: beyz
3: kolektr
TO-39
1: emiter
2: beyz
3: kolektr
ekil 4.22: Transistrlerin gvde ekillerine ilikin rnekler
Transistrlerin soutulmas: Transistrlerin gvdesi, almadan dolay az ya da ok snr.

Bu hem transistrn bal olduu devrenin dzgn almasn engeller hem de elemann ksa srede
tahrip olmasna yol aar.
Ar snan transistrde btn akmlar ykselir ve alma noktas deiir. Kataloglarda verilen
transistr deerleri 25 C'lk scaklk deerinde geerlidir.
Transistrlerde oluan sy gidermek iin gvde zerine resim 4.2'de grld gibi alminyum
alamndan yaplm, s emicilii iyi plakalar (heat sink) monte edilir.
vida
transistr
yaltkan
alminyum
soutucu
ekil 4.23: Isy geiren ancak akm

geirmeyen izolatr (yaltkan) rnekleri
Resim 4.2: Transistr soutucular
Metal gvdeli transistrlerin

gvdesi ayn zamanda kolektr ucu
C
olduundan bu ucun metal
B
soutucuya elektriksel bakmdan
dememesi iin araya ekil 4.23'te
termik macun
grld gibi, sy geiren ancak
E
akm geirmeyen izolatrler
Resim 4.3: Transistrn gvdeekil 4.24: Soutuculu
sinde oluan snn soutucuya
transistr sembol
(yaltkan) konur.
gemesini kolaylatran krem
Transistrlerin gvdesindeki
grnml kimyasal madde
snn ok kolayca soutucu plakaya
gemesini salamak iin ise resim
4.3'te verilen krem grnml kimyasal macunlar kullanlr.
Herhangi bir devrede, transistr sembolnn etrafnda ekil 4.24'te grld gibi kesik izgili bir
daire varsa soutucu plakaya ihtiya olduu anlalr.
70
Transistrlerin ayaklarnn lehimlenmesi: Lehimleme ileminde iyi kalite lehim kullanlmal

ve ilem ok abuk yaplmaldr. Kullanlacak havyann ucu ee ya da zmpara ile pastan (kf)
temizlenmi olmaldr.
Kt bir lehimleme iciliinde souk lehim olarak tanmlanan durum ortaya kar. Souk lehim
nedeniyle bir sre sonra devrede temasszlk oluur. Elektronik cihaz onarmclar arza ararken,
souk lehim olumutur dncesiyle phelendikleri yerlerin lehimlerini yeniden yaparlar. zellikle
TV'lerde, besleme ve yksek gerilim trafolar titretiinden ve ar sndndan, bunlarn bulunduu
blgedeki lehimlerde atlamalar oluur. Bu da temasszlk yaparak cihaz arzalandrr.
Eer arzal bir elektronik aygt, gvdesine vurunca ya da elemanlarn bal bulunduu plaket
(emprime) esnetilince alyorsa byk olaslkla souk lehim sz konusudur ya da baskl devrenin
bakr yollar krlmtr.
Transistrlerin harcad g (zg tketimi): Her transistrn belli bir g harcama
kapasitesi vardr. Buna disipasyon gc denir. Kk gl transistrlerin harcad gcn deeri
dktr. Byk gl transistrler ise yksek g harcarlar. Transistrde harcanan g s eklinde
ortaya kar. Isnan transistr ise devrenin almasn olumsuz etkilediinden snn datlmas iin
soutucular kullanlr.
Transistrlerin gce gre snflandrlmas
I. Kk gl transistrler: 0-1 W aras g harcarlar.
rnekler: BC237 (0,3 W), AC128 (1 W)...
II. Orta gl transistrler: 1-20 W aras g harcarlar.
rnekler: 2N1700 (5 W), BD135 (12,5 W), MJE 240 (15 W)...
III. Yksek gl transistrler: 20 W'n zerinde g harcarlar.
rnekler: 2N3055 (117 W), 2N1722 (50 W)...
Transistrlerde kazan: Transistrlerin beyzine uygulanan akma gre C-E arasndan bir akm
geii olur. te bu iki akmn ilikisine kazan denir. imdi transistr kazanlarn inceleyelim.
a. b (beta) akm kazanc: Transistrler, B ucuna uygulanan akma (tetikleme sinyali) gre C-E
arasndan daha byk bir akm geirir. te bu durum kazan olarak adlandrlr. Baka bir deyile,
kolektr akmnn beyz akmna oran b olarak ifade edilir. Transistrlerin b akm kazanc kabaca 51000 arasnda deiir. Beta akm kazanc kataloglarda hFE olarak da gsterilir.
b akm kazancnn hesaplanmasnda kullanlan denklem:
b = k devresi akm deimeleri / Giri devresi akm deimeleri
b = DIC/DIB ya da,
b = IC/IB'dir. Birimi yoktur.
Basite aklarsak, B ucuna 1 mA uygulandnda C-E arasndan 250 mA geirebilen transistrn
kazanc 250 olmaktadr.
rnek: IB = 3 mA IC = 900 mA
zm: b = IC/IB = 300
rnek: Kolektr akm IC = 10 mA, beyz akm IB = 80 mA (0,08 mA) olan transistrn beta akm
kazancn bulunuz.
zm: b = IC/IB = 10/0,08 = 125
rnek: Beta (b) akm kazanc 100, beyz akm 50 mA olan transistrn kolektr akmn bulunuz.
zm: IC = b.IB = 100.50 = 5000 mA = 5 mA
71
b. a (alfa) akm kazanc: Kolektr akmnn emiter akmna orandr. Emiter ucundan hem beyz
akm, hem de kolektr akm getiinden bu akm (IE) kolektr akmndan biraz byktr.
Denklemi, a = IC / IE'dir. Birimi yoktur.
Beyzi aseye bal tip transistrl ykseltelerde a akm kazanc 0,85-0,998 arasndadr.
rnek: IB = 1 mA, IC = 100 mA, IE = ?, a = ?
zm: IE = IB + IC = 101 mA. a = IC/IE = 100/101 = 0,99
rnek: Silisyumdan yaplm transistrn IC akm 1 mA, IB akm 20 mA'dir. b, IE ve a'y bulunuz.
zm: b = IC / IB = 1 / 0,02 = 50
IE = IB + IC = 0,02 + 1 = 1,02 mA
a = IC / IE = 1 / 1,02 = 0,98
Transistr kazanlarnn birbirine dntrlmesi: Ykselte hesaplamalarnda kazan
deerinin birisi hesaplandktan sonra dier sonular aada verilen denklemlerle kolayca bulunabilir.
Denklemler tamamen birbirinden tretilmektedir. Ancak bu teorik ispatlar zerinde durulmayp
denklemler dorudan verilmitir.
a = b/(b+1)
b = a/1-a
rnek: Silisyumdan yaplm transistrn beta akm kazanc 50, emiter akm 3 mA'dir. Kolektr
akmn bulunuz.
zm: a = b / (b + 1) = 50 / (50 +1) = 0,98
a = IC/IE denkleminden, IC ekilerek,
IC = a.IE = 0,98.3 = 2,94 mA olarak bulunur.
rnek: Alfa (a) akm kazanc 0,95 olan bir transistrn beta (b) akm kazancn bulunuz.
zm: b = a /(1-a) = 0,95 / 1-0,95 = 19
Transistrlerin beta akm kazancnn
belirlenmesi
a. Devre kurarak kazan belirleme:
ekil 4.25'te verilen devrede IB ve IC akmlar
hassas (kaliteli) ampermetreyle llr ve beta
akm kazancn bulmada kullanlan denklem ile
kazan belirlenir.
miliampermetre
mikroampermetre
R B = 1-2,2 kW
VBB
+ VBB
- 1,5 V
A
5-12 V
NPN
VCC -
P 10-50 kW
b. l aletiyle kazan belirleme: ok
fonksiyonlu l aletlerinde (multimetre)
ekil 4.25: Transistrn beta (b) akm
transistr kazancn lme soketleri (yuva, pin)
kazancnn devre kurarak belirlenmesi
vardr. Transistr ayaklar bu soketlere doru
olarak yerletirilir. Aletin komtatr hFE konumuna alnr ve kazan belirlenir.
Baz transistrlerin b akm kazanlar yledir:

AC188 (PNP)
BC160 (PNP)
BC308 (PNP)
MJ2955 (PNP)
: 100
: 40
: 75
:5
BC107 (NPN) : 110

BC237 (NPN) : 110
BC547 (NPN) : 110
2N3055 (NPN): 20
BC140 (NPN)
BC238 (NPN)
BC548 (NPN)
MJ2501
: 40
: 110
: 110
: 10
B. Transistrlerle ykselte (amplifikatr, amplifier) yapm

Transistrlerde beyzden akm gemezken kolektr akm da sfr (0) deerindedir. Beyz akm
arttka kolektrden emitere doru geen akm da ykselmeye balar. Bu olaya akm ykseltme
katsays denir. Yzey temasl (bipolar) transistrlerde beyz iin ok kk de olsa bir akm
72
Cgiri
RB
DC
polarma
direnci
NPN
Ykseltilecek
sinyal buradan
uygulanr.
Ck
yk direnci
gereklidir. Yani bu elemanlar

akm kontrolldr. Bipolar
transistrlerden daha stn
yapda olan JFET ve
MOSFET'lerde ise kontrol
ucu olan gate (G), gerilim
kumandal olduundan bu
elemanlar transistrlere
oranla ok az g harcarlar.
Bu zellikleri sayesinde
kontrol (G) ular akm
ekmez.
TR
Vk
VCC
Ykseltilmi
sinyal buradan
alnr.
Vgiri
ekil 4.26: NPN transistrl emiteri ase ykselte devresi
Bir transistr ykselte

olarak kullanlaca zaman deiik ekilde balanabilir. Bunlar:
I. Emiteri ortak (ase) balama,
II. Beyzi ortak (ase) balama,
III. Kolektr ortak (ase) balamadr.
Ortak szc transistrn hangi ucunun aseye bal olduunu belirtir. Her balantnn zellikleri
geni olarak kitabn 6. blmnde aklanmtr. Transistrlerde ykseltme ilemi en kolay biimde
ekil 4.26'daki emiteri ase balantl devreyle anlatlabilir. Emiteri ase balantda devrede IB, IC
ve IE akmlar dolamaktadr. IB akm DC tetikleme akm olup IC akmnn geiini salamaktadr.
IE akm ise IB ve IC akmlarnn toplamdr.
ekil 4.26'daki devrede IB polarma akmnn deeri IB = (VBB -VBE)/RB denklemiyle bulunabilir.
Devrede kullanlan transistr silisyum ise VBE = 0,6-0,7 V olarak kabul edilebilir.
Verilen devrenin k blmnn akm (IC, IE), gerilim (VC, VCE) deerlerini bulmak iin
kullanlan transistrn beta (b) ya da alfa (a) akm kazancnn bilinmesi gerekir.
Beta akm kazanc biliniyorsa:
b = IC/IB denkleminden IC ekilerek, IC = b.IB yazlp kolektr akm bulunabilir.
IC akmnn bulunmasyla RC direncinde den VRC gerilimi ve transistrn C-E ular arasnda
den VCE gerilimi aada verilen denklemlerle bulunabilir.
VRC = IC.RC
VCE = VCC-VRC
Transistrlerin d arli ngton bal anmas:
Transistrlerin ard arda balanmasyla daha gl, hassas
ve yksek kazanl transistrler yaplabilir. ekil 4.27'de
iki transistrn darlington balan grlmektedir.
Darlington bal iki transistrn toplam kazanc,
btoplam = b1.b2 denklemiyle bulunur.
C
B
E
ekil 4.27: Tran-
ekil 4.28:
Not: Birinci transistr ok dk kolektr akmnda sistrlerin darlington Darlington bal

transistr sembol
almak zorunda olacandan balantnn kazanc b1.b2 balanmas
deerinden biraz daha kk olmaktadr. Piyasada darlington bal olarak retilmi transistrler de
vardr.
rnek: b1 = 250, b2 = 100 olan iki transistr darlington balanmtr. btoplam nedir? Bulunuz.
zm: btoplam = b1.b2 = 250.100 = 25000
73
Pratikte kullanlan darlington bal baz transistrlerin zellikleri

NPN tipi
BC875 (60 V / 1 A / 0,8 W / 200 MHz)
BD645 (80 V / 8 A / 62,5 W / 7 MHz / C-E ular aras gvde iinde diyotla korumal)
BD675 (45 V / 4 A / 40 W / 7 MHz / C-E aras gvde iinde diyotla korumal)
BU808 (1400/700 V / 5 A / 50 W)
PNP tipi
BD902 (100 V / 8 A / 70 W / 1 MHz / C-E aras gvde iinde diyotla korumal)
MJ2501 (80 V / 10 A / 150 W)
Diyotlu g transistrleri: Bobinleri ve trafolar beslemede kullanlan g transistrlerinin
baz modellerinde C-E ayaklar arasna gvde iinden paralel olarak ekil 4.29'da grld gibi
diyot balanmaktadr. Diyot, bobinlerin oluturduu yksek indksiyon gerilimlerini kendi
zerlerinden (ters ynde) geirerek transistrn zarar grmesini (C-E arasnn yksek polarma gerilimi
nedeniyle bozulmasn) engeller. Kataloglarda diyotlu tip transistrlerin zellikleri aklanrken, di
ksaltmas kullanlr.
fotodiyot
di
B
E
ekil 4.29: Diyotlu

g transistr
ekil 4.30: Fototransistr sembolleri
ekil 4.31: Fototransistrn i yaps
Fototransistrler: Beyz ucuna k dtnde C-E arasndan akm geiini salayan

elemanlardr. Fotodiyotlardan farkl olarak kla retilen akm ykseltme yaparlar. Bu zellikleri
sayesinde fotodiyotlardan ok daha stndrler.
yar iletkenin birleiminden oluan fototransistrlerin C-B ular arasna balanm olan
fotodiyoda k enerjisi (foton) gelebilmesi iin beyz ucunun bulunduu ksma mercek eklinde cam
yerletirilmitir. Mercek, n ieriye odaklanarak girmesini salamaktadr. ekil 4.31'de
fototransistrlerin i yaps verilmitir.
Fototransistrler iki ya da bacakl olarak retilir. bacakl olan modellerde mercek boyanacak
olursa eleman normal transistr hline geer. Mercek boyanmaz ve beyz ucu da devreye balanacak
olursa beyze iki etki sz konusu olacandan C-E arasndan geen akmn miktarndaki deime
daha fazla olur. ki bacakl fototransistrlerde (kullanm kolayl bakmndan) beyz ucu darya
karlmamtr.
Bu elemanlar TV, video, mzik seti, klima gibi cihazlarn uzaktan kumanda devrelerinde, gn
na duyarl olarak eitli aygtlarn ve alarm sistemlerinin altrlmasnda vb. kullanlmaktadr.
Fotodiyotlarn zerinden geirebildii akm mikroamper (mA) dzeyindedir. Fototransistrler ise
miliamper dzeyinde bir akm geiini mmkn klarlar. Akmn byk olmas baka bir devreyi
altrmada (srmede) kolaylk salar.
Fototransistr rnekleri: BP103B, BPW40, SFH309, BPY62-2, BPX99...
BP103B tipi fototransistrn karakteristik zellikleri
Kolektr-emiter gerilimi (VCE)
: 35 V
Kolektr akm (IC)
: 100 mA
Kolektr-emiter sznt akm (ICEO)
: 5 nA
74
Resim 4.4: Uygulamada kullanlan eitli fototransistrler
ekil 4.32: Darlington

fototransistr sembol
Endstriyel uygulamalarda fototransistr gibi alan fototristr, fototriyak, fotoJFET vb. gibi
elemanlar da kullanlmaktadr.
Darlington fototransistrler: Bir fototransistr ile normal transistrn arka arkaya
balanmasyla elde edilen devre elemanlarna darlington fototransistr denir. Bu elemanlarn a
kar duyarllklar normal fototransistrlere oranla ok fazladr. ekil 4.32'de darlington fototransistr
sembol verilmitir.
C. Transistrlerin elektriksel karakteristikleri
Herhangi bir transistrn zelliklerinin ortaya karlabilmesi iin karakteristik ile ilgili deneylerden
yararlanlmaktadr. Bu deneyler unlardr:
a. Statik ve dinamik karakteristik deneyleri: Transistrlerin giri, k akmlar, gerilimleri
ve gleri hakkndaki bilgileri almak iin yaplr.
Statik karakteristik deneyleri sadece DC ile alma, dinamik karakteristik deneyleri ise DC besleme
ve AC giri sinyali ile alma durumundaki zellikleri ortaya koymaktadr.
b. Isl (termik) karakteristik deneyleri: Isnan bir transistrdeki deiimlerin ortaya konmas
iin yaplan deneylerdir. Uygulamada kullanlan transistrlerde ortam scaklnn her 8 C'lk artnda
kolektr-emiter aras kaak akm (beyz tetikleme akm sfr iken) yaklak iki kat artmaktadr. rnein
germanyumdan yaplm bir transistrde 25 C'lk ortamda kaak akm ICEO = 0,3 mA dolayndadr.
Ortam scakl 33 C olduunda ise kaak akm ICEO = 0,6 mA'e ykselmektedir. Grld zere
transistrn gvde scakl arttka ICEO kaak akm da artmaktadr. (ICEO: Beyz akm 0 A iken
C-E arasndan geen akm deeri)
Scakl artan transistrlerin verebilecei g azaldndan, devrenin almasndaki denge az ya
da ok bozulur. Transistr kataloglarnda verilen maksimum dayanma gleri 25 C'daki deerlerdir.
Bu scaklk deeri kk gl transistrlerde ortam scakln, byk gl transistrlerde ise
elemann gvde scakln belirtir.
c. Frekans karakteristik deneyleri: Elektronik devrelerin alma frekanslar farkl farkldr.
rnein radyonun devresiyle TV devresinin alma frekanslar farkl olmaktadr. Elektronik
devrelerde kullanlan transistrlerin frekanslar ykseldike g kazanlar dmekte, fiyatlar ise
artmaktadr.
NPN transistrlerde elektrik ykleri elektronlar tarafndan tanrken, PNP transistrlerde oyuklar
tarafndan tanr. Elektronlar oyuklara gre biraz daha hzl hareket edebildiklerinden yksek frekansl
devrelerde daha ok NPN tip transistrler kullanlmaktadr.
. Limit (snr) karakteristik deneyleri: Gnmzde binlerce eitte transistr elektronik
sistemlerde kullanlmaktadr. Kullanlan elemanlarn teknik zellikleri kataloglarda bulunur. Eer
bir transistr ar yk altnda kalr ya da anormal koullar altnda altrlrsa bozulmaktadr. O
75
nedenle elemann snr (limit) deerlerinin zerine kmaktan kanlmaldr. Bozulan bir transistrn
ayns bulunamaz ise muadili (edeeri, karl) olan eleman seimi yaplrken limit deerlerinin
uygun olup olmadna dikkat edilmelidir.
Kataloglarda bulunan limit deerleri unlardr:
Maksimum kolektr gerilimi (VCmax), maksimum kolektr akm (ICmax), maksimum dayanma
gc (Pmax), maksimum C-B birleim blgesi scakl (Tjmax), maksimum C-B gerilimi (VCBmax),
maksimum E-B gerilimi (VEBmax), kazan (b, hFE)
Baz transistrlerin limit karakteristik deerleri yledir:
Ad
Tipi
VCBmax VCEmax VEBmax
ICmax
BC140
NPN
80V
40V
7V
1A
BC141
NPN
100V 60V
7V
1A
BC237
NPN
50V
45V
6V
100 mA
BC308
PNP
30V
25V
5V
100 mA
BC547
NPN
50V
45V
6V
100 mA
2N3055
NPN
100V 60V
7V
15 A
BD135
NPN
45V
45V
5V
1A
BD136
PNP
45V
45V
5V
1A
b (hFE)
40
40
110
75
110
20
40
40
Transistrlerin ykselte olarak altrlmas durumunda yaplan hesaplamalarda

kullanlan drt blge statik karakteristik erileri: Transistrl ykseltelerin zelliklerini ve
teknik deerlerini tam olarak ortaya koyabilmek iin drt adet deney yaplarak drt tane karakteristik
erisi karlr. ekil 4.34'te grlen erilere ksaca drt blge karakteristikleri denir.
Drt blge karakteristik erileri retici firmalar tarafndan her transistr iin karlp
kataloglarda yaynlanr. Bundan ama transistrl devre tasarmclarnn iini kolaylatrmaktr.
Drt blge statik karakteristiklerinin iyi bilinmesi ykselte tasarm ve retiminde
hesaplamalarn kolayca yaplabilmesini salar.
Ykselte devrelerinde kullanlan transistrlerin drt blge karakteristikleri ekil 4.33'te verilen
balant emasyla bulunabilir.
Transistrlerin drt blge karakteristik erilerinin blmleri
a. I. blge (k)
karakteristii:
Kolektr akm ve
kolektr-emiter gerilim
ilikisini, yani, VCE
k geriliminin
deiimine gre, IC
k akmndaki
deiimi gsterir.
Sonuta, Rk=VCE/IC
denklemi kullanlarak
ykseltecin k direnci
(empedans) saptanr.
mA
T
VCE
VCC
VBB
VBE
P
50-470 kW
Transistrl
ekil 4.33: Transistrlerin drt blge karakteristik erilerinin
ykseltelerin DC
karlmasnda kullanlan deney balant emas
yk dorusunun
izimi: Yk dorusunun izimi iin transistrn kesim ve doyumda olduu noktalar saptandktan
sonra iki nokta ekil 4.35'te grld gibi birletirilir. Birletirilen iki nokta arasndaki doruya
76
Transistrn
alma noktas: Yk
dorusu zerinde bulunan,
transistrn hangi k
akm ve gerilimi ile
altn gsteren
noktaya alma noktas
denir.
ki noktann bulunuu
yledir:
I. IB akm sfr (0)
yaplr. Bu durumda IC
akm da sfrdr.
VCE = VCC - IC.RC'den
IB=80 m A
aktif blge
doyum blgesi
DC yk dorusu denir.
Belirlenen deerlere gre
transistrn almas bu
hat zerinde olur. Yani,
IC'nin deiimine karlk
gelen VCE deerinin
deiimi bu hat zerinde
olur. IC'nin deiimine
karlk gelen VCE
deerinin deiimi yine bu
hat yardmyla belirlenir.
VCE = 6 V (sabit)
sabit
2. blge
1. blge
kesim blgesi
VCE
IB (m A)
IB=10 m A
3. blge
4. blge
VCE = 6 V (sabit)
VBE
ekil 4.34: Transistrlerin emiteri ortak balantl
almasnda drt blge karakteristik erileri
IC = 0 A iken VCE = VCC olur.

II. RB'nin diren deeri ayarlanarak IB akm
doyum noktasna getirilir. Bu durumda VCE = 0
V ya da sfra yakn dzeyde olur. Buna gre
denklem yazlrsa:
0 = VCC - IC.RC
ICdoyum = VCC/RC olur.
Ardndan, yukarda hesaplanan iki deer 1.
blge karakteristik erileri zerinde izilerek yk
dorusu bulunabilir.
VCE = VCC-RC.IC
Sonu olarak, transistrn beyz ucuna

VCE
uygulanan akma gre C-E arasndan geen akm
(I C ) deiir. Beyz akm sfr olduunda
transistrn IC akm sfr olur ve VCE byr. ekil 4.35: Deiik beyz akmlarna gre IC akmyla
VCE geriliminin deiiminin belirlenmesi ve yk
alma noktas yatay eksene doru yaklar. dorusunun
izimi
Beyz akm artrldnda IC akm artar ve VCE
gerilimi azalr. alma noktas dikey eksene doru yaklar.
b. II. blge karakteristii: Kolektr akmyla beyz akmnn ilikisini, yani IB giri akmndaki
deiime gre, IC k akmndaki deiimi gsterir.
2. blge karakteristik erisini karmak iin deney yaplrken ilk nce VCE ularna bal olan
77
VCC kaynann gerilimi 6 volta ayarlanr. VBB kayna ile IB akm 10 mA yaplp IC akm okunur.
VBB ayarlanarak IB akm 20, 30, 40, 50, 60 mA deerleri iin IC akm okunup kaydedilir. lmler
yapldktan sonra alnan rakamlar karakteristik erisine aktarlr ve ekil 4.34'teki ikinci blge erisi
karlr.
Sonuta b = IC/IB kullanlarak ykseltecin b akm kazanc bulunur.
c. III. blge (giri) karakteristii: Beyz-emiter gerilimi, beyz akm ilikisini, yani, VBE giri
gerilimindeki deiime gre, IB giri akmndaki deiimi gsterir.
Sonuta, Rgiri = VBE/IB denklemi kullanlarak ykseltecin giri direnci (empedans) saptanr.
Alnan deerler ile ekil 4.34'teki grafik izilerek VBE-IB karakteristii elde edilir. ekil 4.34'teki
nc blge grafiine baklacak olursa silisyum transistrn beyzine uygulanan gerilim 0,6-0,7 V
olduunda iletim (IB akmnn art) sz konusu olmaktadr.
. IV. blge karakteristii: VBE giri gerilimindeki deiime gre, VCE k gerilimindeki
deiimi gsteren karakteristiktir.
ekil 4.34'deki erileri karrken VBB ayarlanarak IB akm 10 mA yaplr. Sonra VCC ayarlanarak
VCE gerilimi eit aralklarla ayarlanp her VCE deerine karlk gelen VBE gerilim deerleri
izelgeye yazlr. Ayn ilem eitli IB deerleri iin tekrarlanr. Alnan deerlere gre transistrn 4.
blge karakteristik erisi karlr.
Transistrlerin alma noktalar
a. Kesim (cut off) noktas: Bu durumda beyz (B) ucunda tetikleme yoktur ve C-E arasndan
akm gememektedir. Yani eleman yaltkandr.
b. Doyum (saturasyon, saturation) noktas: Transistrn beyzine uygulanan tetikleme akm
maksimum dzeydedir ve C-E aras iletkendir. Transistr, tayabilecei en yksek akm
geirmektedir.
c. Aktif alma noktas: Transistr kesim ile doyum noktalar arasnda srekli olarak deikenlik
gsterecek biimde almaktadr. Ykselte devresinde kullanlan bir transistr srekli olarak aktif
blgede alr.
10-33 kW
78
220-330 W
10-33 kW
. Transistrlerin eitli kullanm alanlar

a. Transistrlerin anahtarlama (on-off) eleman olarak kullanlmas: Transistrn kesim
(yaltm) ve doyum (tam iletim) durumunda olmas, elemann anahtarlama yapc olarak
altrlmasdr. Aktif blgede alma ise ykselte devrelerinde
geerlidir.
+
Anahtarlama eleman olarak kullanlacak transistrn ama
5-12 V
S
kapama (on-off) zamanlarnn ok ksa olmas gerekir. zellikle
yksek frekansl devrelerde, zaman rlelerinde, periyodik alan
sistemlerde, dijital dzeneklerde ama kapama sreleri ok
L
nemlidir.
NPN
Alclar mekanik anahtarlarla ve alterlerle altrp
BC547
durdururuz. Yk (Rout, Ry, RL) bydke yksek akml anahtar
BC237
(alter) kullanmak gerekir. Bu ise devrede hem ok yer kaplar
hem de maliyeti artrr. te bu nedenle uygulamada transistr,
tristr, triyak vb. gibi elemanlar kullanlarak kk bir anahtarla
byk alclara kumanda edilebilmektedir.
ekil 4.36: Transistrn anahtar
Byk akmn getii alterlerin olumsuz ynleri unlardr:
olarak altrlmas
I. alter alp kapatlrken byk fiziksel kuvvet gerekir.
II. Alp kapanma esnasnda grlt, kvlcm, ark (erare) olur.
III. Kontaklar ark nedeniyle belli bir sre sonra geirgenliini kaybeder (bozulur).
ekil 4.36'da verilen devrede S mini anahtaryla L alcs (led, lmba, stc, motor vb.) altrlabilir.
yle ki; S kapatlnca transistrn beyzine kk bir akm gider. Bu akm transistrn C-E ular
arasndan yksek deerli bir akm gemesine neden olur. Bu sayede L alcs almaya balar.
Aslnda anahtarlama ilemi sadece alc altrmayla snrl deildir.
yle ki; baz devrelerde osilasyonlu (salnml) sinyaller elde edebilmek iin transistrl a kapa
(on-off) yapc devreler kullanlr. Yani transistr C-E arasndan geen akm srekli verir keser. Bu
ileme de anahtarlama denir.
Transistre balanan yklerin eitleri ve zellikleri: Transistrl devrelerde alc olarak
balanan yklerin herbirinin kendine gre zellikleri vardr. rnein bir lmba ile bir rlenin transistr
zerindeki etkileri farkl olmaktadr. imdi bu yklerin etkilerini inceleyelim.
I. Omik zellikli ykler: Devrenin almas normaldir. Ama kapama esnasnda elektriksel
olarak bir lineerlik (dorusallk) sz konusudur. Yani alc zerine den gerilim arttka alcdan
geen akm artar. Omik alcnn transistr zerinde herhangi bir yan etkisi sz konusu deildir.
II. ndktif zellikli (bobinli) ykler: Anahtarla devreye akm uyguland anda bobin,
transistrn aniden iletken olmasn geciktirir. Bu durum bobinlerin kendine has zelliinden dolaydr.
Transistre uygulanan akm kesildiinde ise bobin yksek deerli bir indksiyon gerilimi retir.
Oluan bu gerilimin deeri bobinin indktans deerine (L) baldr. Bu sebeple bobinin yaratt
yksek indksiyon geriliminin transistre zarar vermesini engellemek iin bobine paralel olarak
diyot, kondansatr ya da VDR balanr. (Bobinlerin DC ve AC akmlara kar davranlar endstriyel
elektronik kitabnda aklanmtr.)
III. Kapasitif zellikli (kondansatr) ykler: Kapasitif yk, devreye enerji verilince akmn
ykselmesine neden olur. Ama esnasnda ise bu yk akm hzla azaltr. Bunu engellemek iin kapasitif
zellikli yke paralel olarak uygun deerli bir diren balanr.
3.3 k
5-12 V
5-12 V
b. Transistrlerin ayarl diren olarak kullanlmas: Byk gl alclarn akm ayar yksek
akml ve byk gvdeli reostalarla yaplabilir. Ancak reostalar hem ok yer kaplar, hem de ek bir
enerji tketir. Ancak, pot ve transistr temeli zerine kurulu devrelerle daha iyi akm kontrol
yaplabilir.
ekil 4.37'de verilen devrede Pnin deeri deitirildike
flamanl lmba
beyze giden tetikleme akm deiir ve buna bal olarak Cden
+
R1
Eye geen akm ayarlanarak Lnin gc kontrol edilmi olur.
D. Transistrlerin ykselte olarak kullanlmas
Transistrler kullanlarak teyplerin okuyucu kafas,
P
10-100 k
mikrofon vb. gibi dzeneklerin rettii zayf elektrik sinyalleri
glendirilebilir. rnein mikrofon, ses dalgalarn, iindeki
T
mini bobin sayesinde elektrik sinyallerine eviririr. Bu
BC547
R2 1 k S
BD135
sinyaller ok kk deerli olduundan hoparlr besleyemez
(sremez). te bu nedenle araya transistrl (ya da entegreli)
ykselte devresi konulur.
ekil 4.37: Transistrn ayarl
Ykselte olarak altrlan bir transistrn,
diren olarak kullanlmas
I. Akm kazanc,
II. Gerilim kazanc,
III. G kazanc salamas istenir.
Transistrlerin ykselte olarak kullanlmasyla ilgili geni bilgi 6. blmde verilmitir.
L
79
E. Transistrn alma kararlln olumsuz ynde etkileyen (transistr bozan) unsurlar
a. Ar yklenme (limit deerlerin zerine kma): Her transistrn dayanabilecei bir

akm, gerilim, frekans deeri vardr. Bunlar kataloglarda verilmektedir. Transistre tayabilecei
deerden fazla ykleme yaplrsa almas dengesizleir. Hatta eleman bozulabilir.
retici firmalar deiik frekans bantlar (aralklar) iin ayr ayr transistrler yaparlar. Yani her
transistrn alma frekans farkldr.
Uygulamada kullanlan transistrler alma frekans bakmndan alak, yksek ve ok yksek
frekans (mikro dalga) transistrleri olarak snflandrlrlar.
Frekans ykseldike transistrn g kazanc dmektedir. Ayrca frekans ykseldike elemann
ayaklar (elektrotlar) aras kaak kapasite artmaktadr. Kaak kapasite etkisini azaltmak iin eleman
retilirken beyz yzeyi olabildiince ince yaplp beyz direnci artrlr. Ayrca elektrotlarn (B-E-C)
duru ekli deitirilir. lave olarak yksek frekansl transistrlere drdnc bir ayak eklenir ve bu
ayak montaj srasnda devrenin asesine balanr.
b. Yksek scaklk: Transistrler ve dier yar iletken devre elemanlar scaklktan olumsuz
etkilenirler. Yani scaklk ar artnca transistr oluturan yar iletkenlerde kovalent balarn bir
ksm bozulur ve serbest hle geen elektron says artar. Bu ise ktan alnan deerlerin deimesine
yol aar. te yandan scaklk artnca kolektr sznt akm (ICBO, ICEO) ykselir.
Transistrl devrelerde iki scaklktan sz edilir. Bunlar, d ve i scaklktr. D scaklk devrenin
bulunduu ortamdan kaynaklanr. scaklk ise elemandan geen akmn istenmeyen ekilde
artmasyla oluur.
Germanyum transistrler yaklak 85 C, silisyum transistrler ise yaklak 195 C'tan sonra bozulur.
Bu nedenle, tad akm yksek olan elemanlar alminyum alaml soutuculara balanr. Hatta
ok hassas olan elemanlarn zerinde (bilgisayar ilemcilerinde vb.) fanl (pervaneli) DC motorlar
vardr.
c. Manyetik alanlar: Elektronik devre elemanlar d manyetik alanlardan olumsuz etkilenirler.
zellikle hassas transistr ve entegreler ar manyetik alanda yanl almaya balarlar. Uygulamada
d manyetik alanlarn bozucu etkisini yok etmek iin Faraday kafesiyle ekranlama (perdeleme)
yaplr ve ekranlayc olarak kullanlan metal kutunun gvdesi aseyle (eksi u, toprak, gnd.)
irtibatlandrlr.
. Transistrleri ters polarma (ters gerilimlerle altrma): Transistrn ayaklarna
uygulanan gerilimlerin ynne ok dikkat edilmelidir. Yanl balama yaplr ve uygulanan gerilimin
deeri transistrn dayanabilecei maksimum deerden yksek olursa eleman tahrip olabilir.
d. Kt lehim ve kirlenme: Transistrlerin lehimlenmesi dzgn ve abuk yaplmaldr. Kalitesiz
havya ve lehimle yaplan ilemde souk lehim ad verilen kt temasl lehim olur. Bu da devrelerin
abuk arzalanmasna yol aar.
Lehimleme ileminden sonra allan yer fra, tiner, alkol, ispirto vb. temizleyicilerle artlmaldr.
Toz, nem, gne ve yksek scaklk elektronik devreleri olumsuz etkiler. nk, toz ve nem
birletii zaman elektronik devrede ksa devreye yol aabilir.
Arzalar azaltmak iin ar tozlanm elektronik cihazlar zaman zaman (kirlenme durumuna gre),
emici ya da fleyici kompresr ile temizlenmelidir.
Nemin bir dier olumsuz etkisi udur: Televizyonu ya da bilgisayar souk ve nemli d ortamdan
scak bir ortama getirdiiniz zaman hemen altrmaynz. nk d ortamdaki nem, tplerin arka
ksmndaki cam yzeyde ince bir su tabakas oluturur. Cihaz altrlnca tpe 20.000-25.000 V
dolaynda bir gerilim uygulandndan elektriksel atlamalar olabilir. Bu ise tpn ya da hassas
entegrelerin arzalanmasna yol aar.
e. Sarsnt: Elektronik cihazlar (TV, bilgisayar vb.) alrken sarslmamaldr. nk sarsnt
80
lehim balantlarnn kopmasna, atlamasna yol aabilir.

F. Transistrlerde alma noktasnn stabilize edilmesi (dengeli hle getirilmesi)
Transistrl devrelerin dengeli bir ekilde uzun sreli olarak alabilmesini salamak iin tasarlanan
devrelerin hesaplamalar titizlikle yaplr. Bunun yannda devre retiminde kaliteli elemanlar kullanlr.
lkemizde kalitesiz elemanlar kolayca satlabilmektedir. En basit bir rnekle durumu aklayacak
olursak, ok yaygn kullanlan BC237 adl transistrn markal ve markasz olmak zere iki tipi
vardr. Markasz olan BC237 markalnn yar fiyatna satldndan ok tercih edilmektedir. Hliyle
ucuz ve kalitesiz elemanla yaplan devrenin uzun mrl olmayaca bir gerektir. O nedenle hassas
alma istenilen yerlerde kaliteli elemanlar kullanlmaldr.
Yar iletkenler scakla ok duyarl elemanlardr. 25 C ortam scaklnda alacak ekilde
tasarlanm bir elektronik devrede ortam scakl ykseldii anda, IB, IC, VCE deerleri hemen
deiir. Devrede akm, gerilim ve kazancn deimesi ktan alnan sinyalleri de deitirir. 6. blmde
transistrl ykseltelerin dengeli almasn salamak iin uygulanacak yntemler aklanmtr.
G. Transistrlerin eitli standartlara gre kodlanmas
Transistrler eitli gvde biimlerinde ve teknik zelliklerde retilirler. Yani her transistrn
karakteristii farkldr. Uygulamada kullanlan transistrlerin gvdelerinde retici firma kodu, teknik
zellik belirten kodlar, ayak adlar ile ilgili bilgiler bulunmaktadr.
Transistrlerin kodlanmasnda kullanlan standartlar: Transistrlerin kodlanmasnda eitli
standartlar kullanlr. imdi bunlar inceleyelim.
a. Eski Avrupa standard: OC, OD ile balayp iki ya da rakam ile devam eden kodlamadr
(OC445 gibi).
O: Elemann germanyumdan yapldn belirtmektedir.
Bu tip kodlu elemanlar eski model cihazlarda karmza kmaktadr. Nadiren karlald iin
genie anlatlmamtr.
rnekler
OA71: Germanyumdan yaplm dk gl ses frekans transistr
AF126: Germanyumdan yaplm dk gl yksek frekans transistr
ASZ16: Germanyumdan yaplm dk gl anahtarlama transistr. nc harf Z ise, elemann
endstriyel amal olduunu belirtir.
b. Yeni Avrupa (Pro Electron) standard
Birinci harf: Elemann yapmnda kullanlan yar iletkenin cinsini belirtir. A: Germanyum, B:
Silisyum (silikon), C: Galyum arsenik, D: ndiyum antimuan, R: Polikristal (oklu kristal) yar
iletken
kinci harf: Elemann cinsini ve kullanld yeri belirtir.
A: Ses frekans n ykselte devrelerinde kullanlr. C: AF (alak
frekans, ses frekans), dk gl k devrelerinde kullanlr. D:
Ses frekans (AF) g transistr, F: Yksek frekansl, gsz
transistr, L: YF (yksek frekans) g transistr, P: Ia duyarl
devre eleman (fototransistr vb.), S: Kk gl anahtarlama
transistr, U: Gl anahtarlama (switching) transistr, Z:
Yksek gl anahtarlama transistr
imalat numaralar
nc harf
ikinci harf
birinci harf
ekil 4.38: Transistrlerin Avrupa
standartlarna gre kodlan
nc harf ve rakamlar
X, Y, Z: Elemanlarn endstriyel (profesyonel, yksek kaliteli) amal olduunu gsterir. Rakamlar
ise dier retim bilgilerini verir.
81
rnekler
-AC...: Germanyum, dk gl, alak frekansl transistr
-BC...: Silisyum, dk gl, alak frekansl transistr
-BD...: Silisyum, orta gl, alak frekansl transistr
-BF...: Silisyum, dk gl, yksek frekansl transistr
-BDX...: Silisyum, orta gl, alak frekanslarda alan endstriyel amal transistr
-BC337: Anahtarlama ve ykselte (zellikle dk gl k katlar) devrelerinde kullanlabilir.
Kolektr-emiter doyum gerilimi (VCES): 50 V, Ters ynl emiter-beyz gerilimi (VEB0): 5 V, Kolektr
akm (IC): 800 mA, Maksimum kolektr akm (ICmaks): 1 A, Beyz akm (IB): 100 mA, G harcamas
(Ptot, Ptoplam): 625 mW, Jonksiyon scakl (Tj): 150 C
-BF257: Silisyumdan yaplm dk gl yksek frekans transistr
c. ABD (EIA, Amerikan) standard: 2N ile balayan kodlara
sahip transistrler ABD standartndadr. rnekler: 2N575, 2N3055
vb.
Dier ABD kodlar: ZN, CK.
Amerikan standartna gre yaplan kodlamalarda, 1: Diyot, 2:
Transistr, 3: FET, 4: Optokuplr anlamna gelir.
ABD standartlarna gre kodlamalarda birinci harften sonra gelen
N harfi elemann yapmnda kullanlan maddenin silisyum olduunu
belirtir. N'den sonra gelen saylar ise firma tarafndan verilen imalat
seri numaralardr.
rnek: 2N3055: NPN, Si, ICmax: 15 A, VCBmaks: 100 V, VCEmax: 60
V, VEBmax: 7 V, TCmax: 200 C, ABD standartlarna gre karl:
2N3713, Avrupa standartlarna gre karl: BDX10, Kullanm
alan: G transistr.
imalat numaralar
harf
birinci rakam
ekil 4.39: Transistrlerin Amerikan standartlarna gre kodlan
imalat numaralar
ikinci harf
birinci harf
birinci rakam
ekil 4.40: Transistrlerin Japon
standartlarna gre kodlan
. Japon standard: 2S ile balar. Baz tiplerde 2S rumuzu

kullanlmadan dier rumuzlar kullanlr. rnein 2SC403, C403 olarak ifade edilebilir.
0: Fotodiyot, 1: Diyot, 2: Transistr, tristr, S: Yar iletkenin silisyum olduunu belirtir.
2Sden sonra gelen harflerin anlam yledir:
A: PNP yksek frekans transistr, B: PNP alak frekans transistr, C: NPN yksek frekans
transistr, D: NPN alak frekans transistr, F: Tristr, J: P kanall JFET, K: N kanall JFET, M:
Triyak.
rnek: 2SD386A: 2: Transistr, S: Silisyum, D: NPN tipi alak frekansl, 386: EIAJ kuruluunun
verdii seri numara, A: Gelitirilmesine ait imalat numaras
d. zel kodlu firma standartlar: Baz firmalar taklidi nlemek iin zel kodlu transistrler
retmektedir.
Firma kodlaryla ilgili bilgiler:
MPM, MPQ, HEP, MD, MF, MHQ, MJ, MJC, MJE, MM, MMCF, MMCM, MMCS, MMF, MMT,
MP...: Motorola kodlar
NS: National firmasnn kodu, TF, XA,XB, XC...: Siemens kodlar, HJ: Hitachi kodu, PL, TM...:
Texas kodlar, TK, TS...: ITT kodlar, SGS: Semitron kodu, GFT: Te Ka De kodu, OT: Lucas
kodu.
Transistr standartlar kalite bakmndan ikiye ayrlr. Bunlar,
I. Ticar standartlar: Transistrn kodunun ba tarafnda iki harf vardr. ki harfli kodlamaya
sahip transistrler yksek kaliteli deildir. BC237, BC238, BC140, BD135... gibi
II. Endstriyel (profesyonel) standartlar: Ba taraf harf (X, Y, Z) ile kodlanmtr. Bunlar
82
yksek kalitelidir.
rnekler
BCX...: Proelektron standard, silisyum, dk gl, dk frekansl, endstriyel amal transistr
BDX...: Proelektron standard, silisyum, orta gl, alak frekansl, endstriyel amal transistr
Transistr kataloglarnda bulunan deerlerin incelenmesi: Kataloglar, retici firmalarn
retikleri elemanlarn zelliklerini kullanclara aktarmaya yararlar. Katalog bilgilerini ksmda
inceleyebiliriz:
I. Maksimum gerilim snrlar: Transistrn alma snrlarn belirleyen en nemli zellikler
maksimum gerilim snrlardr. rnein transistr kesimdeyken C-E gerilimi (VCEO), C-B gerilimi
(VCB0), B-E ters polarma gerilimi (VEB0) izin verilen snrlarn zerine kmamaldr.
VCEO: B ucu akken, C-E arasna uygulanabilecek en yksek gerilim deeridir.
VCB0: E ucu akken, C-B arasna uygulanabilecek maksimum ters gerilim deeridir.
VEB0: C ucu akken, E-B arasna uygulanabilecek maksimum ters gerilim deeridir.
II. Maksimum akm snrlar: Transistrler ektikleri (tayabildikleri) maksimum kolektr akmyla
bilinirler. Devre tasarmnda ekilecek akm deeri belirlenirken, harcanan g deeri almayacak
biimde seim yaplr. rnein 2N3904 kodlu transistrde maksimum akm deeri 200 mA'dir.
III. Maksimum g harcama snr: alma srasnda kolektr akm (IC) ile C-E geriliminin
(VCE) arpm transistrde harcanan gc verir. P = VCE.IC [W]
Kataloglarda bu deer 25 C ortam scakl iin verilir. Pratik hesaplamalarda her 1 C'lk scaklk
art iin gc bir ka mW azaltmak gerekir. Her 1 C'lk arta gre yaplacak azaltma miktarna
azaltma faktr denir. Yksek scaklkta altrlan bir transistrn gc azaldna gre IC akmnn
da decei unutulmamaldr. Yani, 25 C'ta 1 A tayabilen bir transistrn akm 50-60 C'lk
scaklklarda % 50-75 orannda azalr.
Komplementer (elenik, ayn zellikte ancak birbirinin ztt) transistr rnekleri
NPN
BC107
BC108
BC140
BC141
BC237
BC238
BC239
BC337
PNP
NPN
PNP
NPN
PNP
BC177
BC178
BC160
BC161
BC307
BC308
BC309
BC327
BC338
BC546
BC547
BC548
BC635
BCW60
BCX70
BCY58
BC328
BC556
BC557
BC558
BC636
BCW61
BCX71
BCY78
BD135
BD137
BD139
BD175
BD201
BD235
BD643
BD679
BD136
BD138
BD140
BD176
BD202
BD236
BD644
BD680
Transistr kataloglarnda
verilen ksaltmalarn anlamlar
f: Frekans, fo: Test frekans, fb: Kesim
frekans, fT: Gei frekans, Icmax (IC):
Maksimum kolektr akm, V CC :
Transistrl
devreyi
beslemede
kullanlan DC besleme kayna, VCEsat:
IB ve belirli bir ICde kolektr- emiter
doyum gerilimi, Ptot: Transistrn gc,
b (h fe): Kazan, IB: Beyz akm, Tjmax
(T j ): Eklem scakl (jonksiyon
blgesinin dayanabilecei maksimum
scaklk deeri), T case : Klf scakl,
Case: ase, Type: Tip (NPN ya da PNP).
TUN: Herhangi bir NPN transistr.
TUP: Herhangi bir PNP transistr.
TUN
TUP
izelge 4.3: TUN ve TUP transistrlere ilikin rnekler
83
Yaygn olarak kullanlan baz transistrlerin zellikleri

Ad
AC126
AC127
AC187K
AC188K
AD149
BC107
BC108
BC109
BC140
BC141
BC148
BC149
BC160
BC161
BC168
BC237
BC238
BC239
BC307
BC308
BC327
BC328
BC337
BC546
BC547
BC548
BC549
BC556
BC557
BC558
BC559
BC635
BD135
BD136
BD139
BD140
BD233
BD237
BD239
BD240
BD242
BD244
BF257
BPW14-C
MJ2500
MJE3055
2N1613
2N1711
2N2219
2N2222
2N3053
2N3055
2SC1384
2SD970
TIP140
TIP3055
Yapld
madde ve tipi
Klf
ekli
GE-PNP
2
GE-NPN
2
GE-NPN
1
GE-PNP
1
GE-PNP
16
S-NPN
4
S-NPN
4
S-NPN
4
S-NPN
3
S-NPN
3
S-NPN
12
S-NPN
12
S-PNP
3
S-PNP
3
S-NPN
8
S-NPN
9
S-NPN
9
S-NPN
9
S-PNP
9
S-PNP
9
S-PNP
9
S-PNP
9
S-NPN
9
S-NPN
9
S-NPN
9
S-NPN
9
S-NPN
9
S-PNP
9
S-PNP
9
S-PNP
9
S-PNP
9
S-NPN
8
S-NPN
17
S-PNP
17
S-NPN
17
S-PNP
17
S-NPN
17
S-NPN
17
S-NPN
14
S-PNP
14
S-PNP
14
S-PNP
14
S-NPN
3
S-NPN
7
S-PNP
16
S-NPN
17
S-NPN
3
S-NPN
3
S-NPN
3
S-NPN
3
S-NPN
3
S-NPN
16
S-NPN
8
S-NPN-darlington 19
S-NPN
15
S-NPN
16
zellii
zellii
32V-0,2A
32V-0,5A-0,34W
25V-1A-1W
25V-1A-1W
50V-3,5A-27,5W
45V-0,2A-0,3W
20V-0,2A-0,3W
20V-0,2A-0,3W
80V-1A-0,75W
60V-1A-0,75W
30V-0,2A-0,3W
30V-0,2A-0,3W
40V-1A-0,75W
60V-1A-0,75W
30V-0,2A-0,3W
50V-0,2A-0,3W
30V-0,2A-0,3W
30V-0,2A-0,3W
50V-0,2A-0,3W
30V-0,2A-0,3A
50V-0,8A-0,625W
30V-0,8A-0,625W
50V-0,8A-0,625W
65V-0,2A-0,5W
45V-0,2A-0,5W
30V-0,2A-0,5W
30V-0,2A-0,5W
65V-0,2A-0,5W
45V-0,2A-0,5W
30V-0,2A-0,5W
30V-0,2A-0,5W
45V-1A-0,8W
45V-1,5A-12,5W
45V-1,5A-12,5W
80V-1,5A-12,5W
80V-1,5A-12,5W
45V-2A-25W
100V-2A-25W
45V-2A-30W
45V-2A-30W
45V-3A-40W
45V-6A-65W
160V-0,1A-0,8W
Fototransisr
60V-10A-150W
70V-10A-90W
75V-0,5A-0,8W
75V-0.5A-0.8W
60V-0.8A-0.8W
60V-0,8A-0,8W
60V-0,7A-1W
100V-15A-117W
60V-1A-0,75W
120V-8A-50W
60V-10A-125W
100V-15A-90W
84
Karlklar
Karlklar (muadilleri)
AC122(5), AC151(2)...
AC176(2), AC187(2)...
AC176K(1), AC194K(1)...
AC128K(1), AC153K...
AD166(16), 2N1540(16), 2N2148(16)...
BC547(9), BC237(9), BC207(5)...
BC238(9), BC548(9), BC208(5)...
BC173(9), BC184(9), BC239(9)...
BC301(3), 2N1613(3), 2N1711(3)...
2N1613(3), 2N1711(3)...
BC108(4), BC208(5), BC238(9)...
BC109(4), BC239(9)...
BC304(3), BC460(3)...
BC303(3), BC461 (3)...
BC108(4), BC238(9)...
BC547(9), BC582(9), BC107(4), BC171(9)...
BC108(4) BC548(9)...
BC109(4), BC549(9), BC584(9)...
BC557(9), BC177(4)...
BC178(4), BC558(9)...
BC297(4), BC727(10)...
BC298(4), BC728(10)...
BC377(4), BC737(10)...
BC174(9), BC190(4)...
BC107(4), BC171(9), BC237(9), BC382(9)...
BC108(4), BC172(9), BC238(9)...
BC109(4), BC239(9)...
BC256(9), BC448(10)...
BC177(4), BC204(5), BC307(9)...
BC178(4), BC205(5), BC308(9)...
BC309(9), BC206(9)...
BC337(9), BC527(10)...
BD226(17), BD233(17)...
BD166(17), BD176(17), BD227(17)...
BD169(17), BD179(17),BD237(17)...
BD170(17), BD180(17), BD238(17)...
BD175(17), BD375(17), BD437(17)...
BD179(17), BD379(17), BD441(17)...
BD241(14), BD243(14), BD575(18)...
BD242(14), BD244(14), BD576(18)...
BD244(14), BD576(18), BD586(18)...
BD596(18), BD606(18)...
BF337(3), BF658(3)...
BDX64(16),BDX66(16)...
BD207(17), BD213(15)...
BC141(3), BC301(3)...
BC141(3), BC301(3)...
BC140(3), BC302(3)...
BC546(9), BC637(8)...
BC140(3), BC302(3)...
BD130(16)...
BC337(9), BC337(4)...
BDX65(16), MJE3000(16)...
BD245(15), BD249C(15)...
krmz
nokta
ekil 1
ekil 2
ekil 3
ekil 4
ekil 5
ekil 6
ekil 7
ekil 8
ekil 9
ekil 10
ekil 11
ekil 12
ekil 13
ekil 14
ekil 15
ekil 16
ekil 17
ekil 18
ekil 19
ekil 20
ekil 21
ekil 22
ekil 23
ekil 24
ekil 25
ekil 26
ekil 27
ekil 4.41: Yaygn olarak kullanlan transistrlerin ayaklarnn dizilii
85
Blm 5: DC (DA) g kaynaklar

Giri
Elektronik devrelerin bir ounun almas iin tek ynl olarak dolaan (DC) akma gerek vardr.
Bu blmde doru akm (DC, DA) reten temel devreler incelenecektir.
Uygulamada DC retelerine dorultma, dorultucu, adaptr, g kayna, redresr gibi adlar
verilmektedir.
V
V
a) DC sinyal
t (s)
V
t (s)
b) AC sinyal
ekil 5.2: DC ve AC'nin
elektriksel erileri
ekil 5.1: Ayarl kl DC g

kayna devresinin i yaps
Doru (DC) ve dalgal akmn (AC) tanmlanmas

a. Doru akm (DA, DC, direct current): Dinamo, akmlatr, pil, gne pili (solar cell) gibi
dzenekler tarafndan retilir. DC akm ekil 5.2-a'da grld gibi zamana gre yn ve iddet
deitirmeden akar. Yani DC akmn frekans yoktur.
b. Alternatif akm (AA, AC, alternative current): Alternatr ad verilen makineler tarafndan
retilen elektrik akm eididir. Bu akm zamana gre srekli olarak yn ve iddet deitirir. Yani
alternatrden gelen akm srekli azalp oalr ve ak yn deiir. Alternatrn rettii AC sinyal
ekil 5.2-b'de grld gibi sins erisi eklindedir.
Alternatrn rettii akmn zamana gre yn ve iddet deitirme saysna frekans denir.
Trkiyede retilen alternatif akmn frekans 50 Hz'dir. (Hz, Hertz diye okunur.) Baz kitaplarda
frekans birimi olarak c/s (saykl/saniye) de kullanlr. Gnmzde elektrik enerjisinin yzde 90a
yakn blm alternatif akm olarak retilmektedir. nk ACnin tanmas, ykseltilmesi ve
drlmesi kolaydr.
A. Transformatr (trafo)
Alternatif (dalgal) akm, alaltmaya ya da ykseltmeye yarayan aygtlara trafo denir. Bu elemanlar
gerilim dntrme ilemini yaparken frekans deitirmez. Yani girie uygulanan gerilimin frekans
50 Hz ise, ktan alnan gerilimin frekans da 50 Hz olur.
Gerilimi drc trafolarda 220 voltun uyguland ksm (primer, birincil sarm), ince kesitli
telden ok sarml, dk gerilimin alnd ksm (sekonder, ikincil sarm) ise kaln kesitli telden az
sipirli olarak sarlr.
a. Transformatrn yaps: Transformatr karlkl indksiyon olaynn genel bir uygulamasdr.
Primerde oluan deiken manyetik alan sekonder sargsna ulatran nveler, ekil 5.3'te grld
gibi bir yz yaltlm, % 3-4 orannda silisyum katks yaplm ince (0,35-0,5 mm) elik saclardan
retilir. Yksek frekansl devrelerde kullanlan trafolarn nvesi ise ferrit maddesindendir.
86
Resim 5.1: Transformatr
ekil 5.3: Transformatrlerlerin primer ve sekonder sarmlarnn

yerletirildii ince elik saclardan yaplm nvenin yaps
nve
V2
V1
V2
V1
primer sarg (N1)
manyetik ak (f)
Ry
(yk)
sekonder sarg (N2)
ekil 5.4: Trafonun yaps
b. Transformatrn alma ilkesi: Transformatrde primer ve sekonder sarglar arasnda

hi bir fiziksel balant yoktur. Sekonder devresinin ektii g, manyetik alan yardmyla primer
devreden ekilir.
ekil 5.4'te grld gibi primer sarmna (N1) AC gerilim uygulandnda bu sarglarn etrafnda
F (fi) manyetik alan oluur. Bu alan ince elik saclardan yaplm olan nve zerinden geerek N2
sarglarn keser (iletken iindeki elektronlar hareket ettirir) ve V2 gerilimini oluturur.
c. Transformatr seimi: Uygulamada eitli gerilim ve akm deerlerinde trafolar kullanlr.
Kimi trafolarn k gerilimi tek kademeli olurken bazlar ise ok eitli deerlerde gerilim
verebilecek ekilde retilmektedir.
Eer, 12 V/1 A k verebilecek bir DC g kayna yaplmak isteniyorsa, bu i iin 10-15 W'lk
gce sahip bir trafo semek gerekir. zerinde 12 V/50 W yazan bir trafonun verebilecei maksimum
akm ise, P = V.I olduuna gre,
I = P/V = 50/12 = 4,16 = 4 A'dir.
. Transformatrn salamlk testi: Trafo gerilimi drc zellikte ise ohmmetre x1W,
x10W, x100W ya da x1k kademesine alnarak yaplan lmde primer direnci sekonder direncinden
yksek olmaldr.
d. Transformatrde dntrme oran: Aada verilen bantlarn herhangi birisinden
yararlanarak trafolarn baz deerleri hesaplanabilir. ( = K = a = n: Dntrme orann gstermek
iin kullanlan semboller)
V1
N
I2
----= -----1 = ----==K=a=n
V2 N2 I1
rnek: V1 = 220 V N1 = 1000 sipir
V2 = 22 V N2 = ?
87
zm:
N2 = 100 sipir
Not: Trafolarn gvdesinde giri ve k ular iaretlenmitir. 220 V yanllkla ka uygulanrsa

trafo ok yksek gerilim retmeye balar ve tehlike arz eder. O nedenle balantlar titizlikle
yaplmaldr.
Transformatrn yksek gerilim ve alak gerilim sarglar u yntemlerle belirlenebilir:
I. Sarglarn direnci lldnde byk direnli taraf yksek gerilim, dk direnli taraf dk
gerilim sargsn gsterir.
II. Gzle bakldnda alt ksmda bulunan ince kesitli sarglar yksek gerilim, st ksmda bulunan
kaln kesitli sarglar ise dk gerilim ularn belirtir.
e. Arzal transformatrn onarm: Trafo, ar akm ekildiinde, sarglar ksa devre
olduunda, fiziksel darbelere maruz kaldnda arzalanabilir. Bozulan bir trafonun yeniden sarlmas
mmkndr. Elektronik sistemlerde kullanlan trafolarn ounluu kk gl olduundan fiyatlar
ucuzdur. O nedenle kk boyutlu trafolarn sarm yaplmayp yenisiyle deitirme yoluna gidilir.
Ek bilgi
Transformatrlerin g deerinin volt-amper (VA) cinsinden verilmesinin nedeni: Elektrik
enerjisini tketen alclar ayr zelliktedir: Bunlar, omik, indktif ve kapasitif.

Omik alclar (akkor flamanl lmba, t, frn) ebekeden ektikleri akmn tamamn harcarlar.
Omik alclarn harcad gce aktif g denir.
ndktif alclar (balast, bobin, rle, motor) ebekeden ektikleri akmn bir ksmn manyetik
alana dntrrler. Manyetik alan kuvvet izgileri ise indktif alcnn sarglarn keserek (etkileyerek)
ebeke gerilimine zt ynde bir gerilim olutururlar. Zt EMK ad verilen bu gerilim ise alcdan
ebekeye doru ikinci bir akm akna neden olur. rete ve indktif alc arasnda gidip gelen
akmdan dolay harcanan gce reaktif g (Q) denir.
Kapasitif alclar (kondansatr) ebekeden ektikleri akmla arj olurlar. Daha sonra ektikleri
akm ebekeye geri verirler.
Bu bilgilerden sonra u rnei verelim: zerinde 100 VA yazan bir trafo eer omik zellikli bir
alcy besleyecekse yk, trafodan 100 W g alabilir. Eer ad geen trafoyla indktif zellikli bir
alc beslenecekse, alcya reaktif g de gerekeceinden 100 VA'lik gcn bir ksm manyetik alan
oluturmada harcanr. Sonuta 100 VA gcndeki trafodan 100 W'tan daha az bir aktif g alnr.
rnek: Etiketinde Cos j = 0,6 yazan bir motorun aktif gc 1000 W'tr. Bu motorun beslenmesinde
kullanlacak trafonun grnr gc ka VA olmaldr?
zm: Cos j = P/S S = P/Cosj = 1000/0,6 = 1666,66 VA
Sonu olarak, alclarn enerjiyi harcama biimleri farkl olduundan trafolarn bazlarnda g
deeri aktif g cinsinden deil, grnr g cinsinden verilir.
f. Trafoda manyetik kaaklar: Trafonun nvesi yetersiz, saclar kfl, bir yzeyleri yaltkansz,
sarm iilii kt ise primerde oluan manyetik alanlarn bir blm devresini hava zerinden
tamamlar. Buna manyetik kaak denir. yi kalite trafolarda manyetik kaak oran ok az olup, verim
yksektir. Manyetik kaan ok olmas trafonun yksz hlde (bota) alrken ar akm
ekmesinden, fazla snmasndan anlalabilir. Yksek kaliteli devrelerin beslenmesinde manyetik
kaa ok olan trafolar tercih edilmez. Bu tip iler iin, tannm ve TSE belgeli markalar
kullanlmaldr. ekil 5.5'te trafolarn primer sarmlarnda ortaya kan manyetik kaak gsterilmitir.
88
g. Transformatrde kayplar: Transformatr ektii enerjinin bir ksmn kendisi harcar.

Harcanan enerjiye kayp denir. Kaliteli bir transformatrde kayp azdr. Kayplar drt blmde
inceleyebiliriz:
I. Bakr kayplar: Transformatrn sarglarnda kullanlan iletkenlerin omik direncinden dolay
ortaya kar. Bu kayplar, Piletken = Pcu = I2.R [W] denklemiyle bulunur. Bakr kayplar s eklinde
ortaya kar.
II. Histerisiz kayplar: AC'nin her alternansnn yn deitirmesi annda nve zerinde ok az
bir mknatslk kalr. Bu artk mknats ters ynden gelen akmn oluturduu manyetik alana kar
koyarak g kaybna neden olur. Bu duruma histerisiz kayb
denir.
faydal aklar
III. Eddy (fuko) kayplar: Demir nveyi kesen manyetik
aklar nve zerinde akm dolamasna neden olur. Dolaan i
akmlar ana manyetik alann dolamn olumsuz etkiler. Fuko
kayplarn en aza indirmek iin kullanlan nveler ince (0,350,5 mm) ve birbirinden yaltlm elik saclardan yaplr.
f
AC
IV. Manyetik kaak kayplar: Kuplaj katsaysnn 1'den

kk olmas yani primerde oluan manyetik alann bir ksmnn
sekonderi kesememesi nedeniyle ortaya kan kayplardr.
Geirgenlii yksek olan silisyum katkl saclar kullanlarak
manyetik kaaklar azaltlabilmektedir.
. Bir fazl transformatr yapm hesaplar
Herhangi bir gte transformatr sarmak iin
bir ok hesaplama yapmak gerekir. imdi bunlar
grelim.
Sarglarn yerletirilecei ince elik saclardan
yaplan nvenin kesitini belirlemede kullanlan
denklem:
Snve = Sn = C.
[cm2]
kaak
aklar
ekil 5.5: Trafolarda manyetik

alan kaaklarnn gsterilii
S2: Sekonderin grnr gc (VA cinsinden)

C: Nve olarak kullanlacak sacn kalitesine
gre deeri 0,7-1,5 saylar arasnda deien katsay
ekil 5.6: Trafoda sarglarn

yerletirildii nvenin kesiti
Manyetik ak (f): f = B.Sn [makswell]

B: Manyetik ak younluu. Tavlanm sac iin B = 7000-7500 gauss/cm2. DKP sac iin B=60006500 gauss/cm2. Sacn tipi bilinmiyorsa, B = 6000-10.000 gauss/cm2 alnabilir.
Primer gerilimi: V1 = 4,44.f.f.N1.10-8 [V]
Sekonder gerilimi: V2 = 4,44.f.f.N2.10-8 [V]
f: ebeke frekans, N1: Primer sarm says, N2: Sekonder sarm says
Primer sarm says: N1 = V1.108/4,44.f.f [sipir]
Sekonder sarm says: N2 = V2.108/4,44.f.f. [sipir]
Primer akm: I1 = S1/V1 [A]
89
Sekonder akm: I2 = S2/V2 [A]

Primer iletkeninin kesiti: S1iletken = I1/J [mm2]
Sekonder iletkeninin kesiti: S2iletken = I2/J [mm2]
J: Sarmda kullanlacak bakr iletkenin akm younluu deeri (A/mm2), Trafo hava ile
soutuluyorsa: J = 2-2,5 A/mm2, ya ile soutuluyorsa, J = 2,3-3,5 A/mm2 alnr.
Primerde kullanlacak iletkenin ap (d1): d1=
[mm]
Primerde kullanlacak iletkenin ap (d2): d2=

[mm]
Not: Trafo sarmlarnda kullanlan iletkenler ap ls belirtilerek satlmaktadr.
Dntrme oran (=K=a):
Pencere ykseklii (h): h = (2-3,5).a olarak alnr.
rnek: Verilen deerlere gre sarm hesaplarn yapnz.
S2 = 100 VA, V1 = 220 V, C = 1, B = 10 000 gauss, V2 = 12 V, f = 50 Hz, J = 2 A/mm2, h = % 98, e = % 5
e: Sekonderin bo ve ykl almada gerilim fark yzdesi
zm
h = S2/S1 olduuna gre,
S1 = S2/h = 100/0,98 = 102,04 VA
Sn = C.
= 1.100 = 10 cm2
10 Cm2'lik nve kesit alan a ve b kenarlarnn arpmna eittir.
Yani, Sn = a.b yazlabilir.
a = 3 cm alnrsa,
b = Sn/a = 10/3 = 3,33 cm kar.
Kabarma pay gznne alnarak bu deer 3,5 cm olarak kabul edilebilir. (Yani st ste dizilecek
olan trafo saclarnn ykseklii 3,5 cm olacaktr.)
Nve elde etmede kullandmz saclarn kalnl 0,5 mm olduuna gre,
st ste konacak sac adedi, b/0,5 = 35/0,5 = 70 adet bulunur.
f = B.Sn = 10000.10 = 100000 makswell
N1 = V1.108/4,44.f.f = 220.108/4,44.50.100000 = 991 sipir
denkleminden N2'yi ekersek, N2 = V2.N1/V1=12.991/220 = 54 sipir
Yk balannca "e = % 5" gerilim dm gz nne alnarak V2 gerilimi % 5 artrlr. Buna gre,
V2gerek = 1,05.V2 = 1,05.12 = 12,6 V olarak hesaplamalara dhil edilir.
I1 = S1/V1 = 102,04/220 = 0,463 A
I2 = S2/V2gerek = 100/12,6 = 7,93 A
S1iletken = I1/J = 0,463/2 = 0,231 mm2
S2iletken = I2/J = 7,93/2 = 3,96 mm2
d1 =
=
= 0,54 mm
Bu deere en yakn bobinaj teli seilir. rnein 0,60 mm
d2 =
= 2,24 mm = 2,30 mm
h = (2-3,5).a Bu denklemde katsayy 2,5 olarak alalm. Buna gre pencere ykseklii,
h = 2,5.a = 2,5.3 = 7,5 cm bulunur.
90
besleme gerilimi
AC 220 V
transformatr
dorultma
devresi
filtre
devresi
regle
devresi
filtre
devresi
alc
ekil 5.7: AC'yi DC'ye eviren g kaynaklarnn blok emas (kapal ema)
B. ACyi DC'ye dntren devreler (redresrler)

Elektronik aygtlarn ounluu DC ile alr. Konutlarda ise
220 voltluk AC gerilim vardr. DC gerilim pil, ak, dinamo gibi
aralardan baka dorultmalarla da elde edilebilir.
AC'yi DC'ye eviren iyi kalite dorultma devrelerinin blok yaps
ekil 5.7'de grld gibidir. Blok emaya bakldnda iyi kalite
g kaynaklarnn,trafo (AC/AC dntrc), dorultucu (AC/
DC dntrc), 1. filtre, reglatr (gerilim sabitleyici) ve 2. filtre
devrelerinin birleiminden olutuu grlr.
AC/DC dntrme ileminde tek ynl olarak akm geiren
dorultma diyotlar (1N4001, 1N4002, 1N5400 gibi) kullanlr. Resim 5.2: Akm ve gerilim ayarl,
Diyotlar AC'yi DC'ye evirebilirler. Ancak bu DC istenilen ekilde laboratuvar tipi g kayna
tam dzgn deildir.
Filtre devreleri diyotlarn kndaki salnml DC'yi filtre ederek dzgnletirmeye yararlar.
Uygulamada filtre devresi olarak kondansatr ve ok bobinleri kullanlr.
Regle devreleri kararl ve dzgn bir DC gerilim oluturur. Uygulamada kullanlan regleli g
kaynaklarnda regle edici olarak zener diyotlu ya da reglatr entegreli devreler karmza kar.
Gelimi yapl g kaynaklar yukarda ksaca aklanan blmlere ek olarak, akm snrlama,
otomatik ama, ar gerilim korumas devrelerine de sahiptir. Bu kitap temel elektronik bilgisi vermeyi
amaladndan g kayna devrelerindeki tm ayrntlar aklanmayacaktr.
Dorultma devrelerinin eitleri: Uygulamada eitli DC g kaynaklar kullanlr. imdi
bunlar inceleyelim.
a. Bir diyotlu yarm dalga dorultma devresi: AC'yi DC'ye eviren tek diyotlu devredir.
Yarm dalga dorultma devresinde k sinyali tam dzgn olmaz.
Bir diyotlu yarm dalga dorultma devresinin almasn anlayabilmek iin baz hatrlatmalar
yapmamz gerekiyor. yle ki; bilindii zere trafolarn knda zamana gre yn ve iddeti srekli
olarak deien dalgal bir akm vardr. Yani AC sinyalin ak yn saniyede 100 kez deimektedir.
Trafonun kndaki deiken akm, pozitif ve negatif olmak zere iki alternanstan meydana gelmitir.
Diyotlar tek ynl olarak akm geirdiinden trafonun kndaki sinyalin yalnzca pozitif alternanslar
alcya ulaabilmektedir.
Bu temel bilgilerden hareket ederek yarm dalga dorultma devresinin almasn u ekilde
ifade edebiliriz: ekil 5.8'de verilen devrede grld gibi trafonun st ucundaki (A noktas) sinyalin
polaritesi pozitif olduunda diyottan ve alc zerinden akm geer.
Trafonun st ucundaki sinyalin polaritesi negatif olduunda ise diyot akm geirmez. (Kesimde
kalr.) Sonuta alcdan tek ynl akm geii olur. Alcya seri olarak DC akm lebilen bir
ampermetre balanacak olursa ibrenin tek ynl olarak sapt grlr.
Yarm dalga dorultmalarda ktan, trafonun verebilecei gerilimin yaklak yars kadar (Vk = 0,45.Vgiri)
bir voltaj alnr. O nedenle bir diyotlu yarm dalga dorultmalar kk akml (50-250 mA) ve fazla
hassas olmayan alclarn (oyuncak, mini radyo, zil vb.) beslenmesinde kullanlr. Yarm dalga
91
A noktas
+,-
V, I
1N4001
trafonun
sekonderindeki
AC sinyal
t (s)
trafo
AC
V, I
AC k
B noktas
DC k
+,-
t (s)
diyodun kndaki DC sinyal
ekil 5.8: Yarm dalga

dorultma devresi
ekil 5.9: Yarm dalga dorultma devresinin

giri ve k ularndaki elektrik sinyalleri
dorultma devrelerinde ktan alnabilecek akmn deeri ise, Ik = 0,636.Igiri olmaktadr. (Igiri:
Trafonun sekonder akmdr.)
b. Tam dalga dorultma yapan devreler
I. Orta ulu trafolu tam dalga dorultma devresi: AC'nin her iki alternansnn da alcdan
tek ynl olarak akp gemesini salayan devredir. Bu tip devrenin kurulabilmesi iin orta ulu
trafoya gerek vardr.
ekil 5.10'da verilen devrede grld gibi trafonun st ucunda (A noktas) pozitif polariteli
sinyal olutuunda D1 diyodu ve alc zerinden akm geii olur. Trafonun alt ucunda (B noktas)
pozitif polariteli sinyal olutuunda ise D2 diyodu ve alc zerinden akm geii olur.
Grld zere diyotlar sayesinde alc zerinden hep ayn ynl akm gemektedir. Ve bu da
DC akmdr.
ki diyotlu dorultmalarda ktan alnan DC g, uygulanan AC gerilimin 0,9u kadardr. Bunu
denklem eklinde yazacak olursak: Vk = 0,9.Vgiri olur.
k akmnn deeri ise, Ik = 0,79.Igiri'tir.
Orta ulu trafolu tam dalga dorultma devresinde D1 ve D2 diyotlarndan geen akmlar trafonun
orta ucundan devresini tamamlar. Devrenin yapmnda kullanlan trafonun sekonder sarm uludur.
Bu sayede trafonun knda iki adet gerilim olumaktadr. ekil 5.12'de trafonun sekonder sarmnn
N1 ve N2 sarglarndan olutuu grlmektedir. Bu iki sarmda birbirinin tersi polaritede iki gerilim
doar. Yani trafonun A noktasnda oluan sinyalin polaritesi pozitif iken, B noktasnda oluan sinyalin
polaritesi negatif olmaktadr. Trafoda oluan akmlarn devresini tamamlad u ise orta u olmaktadr.
A noktas
V, I
trafo
+,-
AC
B noktas
D1
N1
-,+
t (s)
DC
k
N2
trafonun
sekonderindeki
AC sinyal
Ry
V, I
D2
t (s)
ekil 5.10: Orta ulu trafolu, iki diyotlu

tam dalga dorultma devresi
diyotlarn kndaki DC sinyal

ekil 5.11: Orta ulu trafolu tam dalga dorultma
devresinin giri ve k ularndaki elektrik sinyalleri
92
trafo
A noktas
trafonun
sekonderindeki
AC sinyal
V, I
+,D4
D1
D3
D2
t (s)
AC
B noktas
+,-
DC
k
V, I
Ry
t (s)
diyotlarn kndaki DC sinyal
ekil 5.12: Kpr tipi tam

dalga dorultma devresi
ekil 5.13: Kpr diyotlu dorultma devresinin

giri ve k ularndaki elektrik sinyalleri
II. Kpr tipi tam dalga dorultma devresi: AC'yi en iyi ekilde DC'ye dntren devredir.
Her trl elektronik aygtn besleme katnda karmza kar.
ekil 5.12'de verilen devrede grld gibi trafonun sekonder sarmnn st ucunun (A noktas)
polaritesi pozitif olduunda D1 ve D3 diyotlar iletime geerek Ry zerinden akm dolar. Trafonun
sekonder sarmnn alt ucunun (B noktas) polaritesi pozitif olduunda ise D2 ve D4 diyotlar iletime
geerek Ry zerinden akm dolar.
ktan alnan DC gerilim, girie uygulanan AC gerilimin 0,9u kadardr.
Vk = 0,9.Vgiri Devrenin k akm ise, Ik = 0,9.Igiri kadardr.
C. Dorultma devrelerinden alnan DC'yi tam
doru akm hline getirici szgeler (filtreler)
Dorultma devrelerinde trafonun kna balanan

diyotlarla iki ynl olarak dolaan akm tek ynl hle
getirilir. Ancak diyotlar akm tam olarak dorultamazlar.
Yani elde edilen DC dalgaldr (nabazanldr, ripple deeri
yksektir, salnmldr, deiken doru akmdr). Bu da
alclarn dzgn almasn engeller. te k tam doru
akm hline getirebilmek iin kondansatr ya da bobinler
kullanlarak szge (filtre) devreleri yaplmtr.
V, I
t (s)
V, I
Deiken doru akm: Zamana gre yn deimeyen,
t (s)
ekil 5.14: Deiken
doru akm rnekleri
ancak deeri deien akma deiken doru akm denir.

Yarm ve tam dalga dorultmalarn filtresiz k sinyallerine nabazanl DC, ondlasyonlu DC
gibi adlar da verilir. ekil 5.14'te deiken doru akma ilikin rneklere yer verilmitir.
Dorultmalarda kullanlan filtre eitleri: DC g kayna devrelerinin k ularndaki
sinyalleri tam dzgn hle getirebilmek iin eitli filtreler kullanlr. imdi bu devreleri inceleyelim.
a. Kondansatrl (Cli) szge: Dorultma devresinin kna paralel bal olan kondansatr,
k sinyalini filtre ederek dzgnletirir. ekil 5.15'te grld gibi diyottan geen pozitif alternans
maksimum deere doru ykselirken kondansatr arj olur. Alternans sfr (0) deerine doru inerken
ise, C, zerindeki yk (akm) alcya (Ry) verir. Dolaysyla alcdan geen doru akmn biimi
(ekli) daha dzgn olur. Osilaskopla yaplacak gzlemde bu durum grlebilir.
Filtre olarak kullanlan kondansatrn kapasite deeri byk olursa ktan alnan DC daha dzgn
olur. Dorultma devrelerinde alcnn ektii akm gz nne alnarak 470-38.000 mF aras kapasiteye
sahip kondansatrler kullanlr.
Pratikte, 1 A k verebilen bir dorultma devresinin kna 1000-2200 mF lk kondansatr
93
V, I
V, I
+
+
-
Ry
ekil 5.15: C'li szge
balanmaktadr. Yani kullanlacak kondansatrn kapasite deeri alcnn ektii akma baldr.
Filtre olarak kullanlan kondansatrn k gerilimini ykseltmesinin nedeni yle aklanabilir:
Kondansatrler ACnin maksimum deerine arj olurlar. ACnin maksimum deeri etkin (efektif)
deerden % 41 fazla olduundan, dorultmacn kndaki DC, giriteki AC gerilimden yaklak % 41
orannda daha yksek olur. Devrenin kna yk balannca gerilimdeki bu ykselme der.
rnein, 12 volt k verebilen bir trafo kullanlarak tam dalga dorultma devresi yaplrsa,
devrenin kna alc bal deilken yaplan lmde voltmetre 16-17 voltluk bir deer gsterir.
nk 12 voltluk AC'nin maksimum deeri Vmaks = Vetkin.1,41 = 16,92 volttur.
b. Bobinli (Lli)
V, I
+
V, I
szge: Bobinler,
L
zerlerinden geen
dalgal akmlarn
Ry
deimelerine
(salnm yapmasna)
kar koyarlar. ekil
5.16'da grld
ekil 5.16: L'li szge
gibi diyotlarn
kna balanan bir bobin, dalgal (titreimli) olan DC sinyalin azalp oalmasn belli oranda
nleyerek ka bal olan alcdan daha dzgn akmn gemesini salar.
Bobinin filtreleme (szme) ilemini yapma ekli yle aklanabilir: Bobinlere deiken zellikli
akm uygulandnda sarglarn etrafnda bir manyetik alan oluur. Bu alan, kendisini oluturan etkiye
(akma) kar koyar. Yani ykselen giri akmn bastrr. Uygulanan akm kesilince ise bobin etrafndaki
manyetik alann aniden sfr deerine doru azalmas nedeniyle bobinde bir gerilim (EMK) oluur.
Bu EMK ebekenin geriliminde ykseltme etkisi yapar.
Yani, diyodun knda bulunan dalgal (salnml) akm sfrdan itibaren ykselirken bobin bunu
bastrmaya alr. Akm tepe deerinden sfra doru inerken ise bobin bir EMK oluturarak alcya
giden gerilimi ykseltmeye alr.
Szge olarak kullanlan bobinler (ok bobini), ince elik saclarn ya da ferritten yaplm nvelerin
zerine sarlm izoleli iletkenlerden oluur. Bobinde kullanlan iletkenin kesiti ve sarm says devrenin
akmna bal olarak deiir.
c. Bobin ve kondansatrl (L-C) szge: Bobin ve kondansatr bir arada kullanldnda
ktan alnan DC
daha dzgn olur.
V, I
V, I
Filtre devresindeki
+
L
bobin ktaki
C1
Ry
titreim (salnm,
ripple) orann biraz
drr. Daha sonra
kondansatr dolup
boalarak alcya
ekil 5.17: L-C szge
94
giden akmn ok dzgn hle gelmesini salar.

. Kondansatr, bobin, kondansatrl (CLC, p tipi) szge: En iyi szge devresidir.
Hassas yapl ve kaliteli devrelerin knn filtre edilmesinde kullanlr.
Diyotlarn
V, I
V, I
kndan gelen
+
L
dalgal (salnml)
akm, C-L-C'den
Ry
C2
C1
oluan szge
devresinden geerken
etkiye maruz
kalarak dzgn bir
ekil 5.18: CLC szge
akma dnr.
CLC filtrenin alma ilkesi yle aklanabilir: ekil 5.18'de grld gibi devrenin giriine
gelen salnml DC, C1 tarafndan biraz dzgnletirilir. Ardndan bobin kendine has zelliinden
dolay, ykselmek isteyen sinyalleri bastrrken, alalmak isteyen sinyalleri ise ykseltir. Bobinden
sonraki noktada DC zellikli sinyaller olduka dzelmi bir hle gelir. kta bulunan C2, sinyallerin
filtreleme ilemini bir kez daha yaparak elde edilen DC'nin tam dzgn hle gelmesini salar.
. DC g kaynaklarnda kullanlan regle (reglatr) devreleri
Deiik deerlerde akmlar eken devrelerden oluan elektronik cihazlardaki akm deiiklii,
aygt besleyen g kaynann k geriliminde deiiklik yapar. Ancak, g kaynaklarnn k
geriliminin sabit kalmas istenir. te bu sakncay gidermek iin reglel g kaynaklar yaplarak
deiken akmlara kar k geriliminin sabit kalmas salanmaktadr.
Hassas yapda olan elektronik cihazlara sabit deerli DC salamak iin eitli tiplerde regle
devreleri gelitirilmitir. imdi bunlar inceleyelim.
ekil 5.19: Zener diyotlu basit

paralel reglatr devresi
Ry=1 kW
zener
diyot
12 V
VBE
0,6 V
Vk=11,4 V
R
1kW
Vgiri=15 V
Vk = 9,1 V
R=270 W
9.1 V
BD135
+
Ry = 1 kW
Vgiri=15 V
ekil 5.20: Transistr ve zener

diyotlu seri reglatr devresi
a. Zener diyotlu basit paralel reglatr: ekil 5.19'da verilen basit paralel reglatr devresinde
giri gerilimi 15 V olmasna ramen k gerilimi 9,1 volt olmaktadr. Devrede kullanlan zener
diyot 12 V olursa k 12 V olmaktadr. Yani giri gerilimi deise dah, k hep sabit kalmaktadr.
Devrede zener diyodu ar akma kar korumak iin kullanlan R direncinin deeri:
R = (Vgiri-Vzener diyot)/Izener [W] denklemiyle hesaplanr.
Kk gl regle devresi hesaplamalarnda IZ akm 5-10 mA (0,005-0,01 A) aras bir deerde
seilebilir.
b. Transistr ve zener diyotlu seri reglatr: Seri reglatr devreleri NPN ya da PNP
transistr kullanlarak yaplabilir.
ekil 5.20'de verilen devrede kullanlan n diren (R) zener diyodu ve transistrn beyzini ar
akma kar korur. Girie DC uygulannca zener diyot zerinde sabit bir gerilim oluur. Bu gerilim,
transistrn beyz ucunu tetikler. Tetiklenen transistr ise iletime geerek ka bal alcy besler.
95
Giri gerilimi deise bile zener diyot sayesinde k ayn kalr. Bu tip devrelerde transistr alcya seri
baldr. k ular ksa devre edilirse devreden ar akm geer ve transistr bozulur.
Not: Seri reglatr devresinde 12 voltluk zener diyot kullanldnda BD135 adl transistr
silisyumdan yapld iin k gerilimi 11,4 V olur. 0,6 voltluk gerilim transistrn B-E ular
arasnda der. Devrede kullanlan transistr germanyum (AC187 vb.) olursa k geriliminin deeri
11,8 V dolaynda olur.
Uygulamada kullanlan seri reglatr devrelerinde zener diyota paralel olarak bir kondansatr
daha balanr. Bu eleman, giri geriliminde oluan salnmlar en aza indirme grevi yapar.
c. Transistr ve zener diyotlu paralel (nt) reglatrler: ekil 5.21'de verilen devreye uygulanan
giri gerilimi ykselince k da ykselir. Bu da alcya paralel bal olan transistrn beyz ucuna
bal zener diyodu iletime sokarak transistrn iletime gemesine neden olur. letken olan transistr
art (+) utan eksi (-) uca doru belli bir akm geirir. Transistrn aseye doru ilave bir akm
geirmesi R direncinden geen akm artrc etki yapar. R'den geen akmn artmas bu elemann
zerinde den gerilimi ykseltir. R'nn zerinde den gerilimin artmas ka bal olan alcda
den gerilimin azalmasna yol aar. Bu sayede alcya yksek gerilim gitmesi nlenmi olur.
Paralel reglatr devreleri k gerilimini ok hassas olarak sabit tutamadndan uygulamada
pek kullanlmaz.
T2
BC547
9,1 V
Vk = 9,1-10 V
BD135
R1
1,5 k
Ry=560 W
12 V
T1
R4 33 k P 10 k
Vgiri=15 V
R=1-3,3 kW
Vk=12-12,6 V
Vgiri=15 V
R2
1k
R3 3,3 k
BD135
ekil 5.22: Hata ykselteli

seri reglatr devresi
ekil 5.21: Transistr ve zener

diyotlu nt reglatr devresi
. Transistrl hata ykselteli seri reglatrler: ekil 5.22'de grld zere T2nin
emiterine bal olan zener diyot sabit bir gerilim oluturur. T1in beyzinde ise VZ+VCE2 kadar
gerilim oluur. VCE2 gerilimini pot ile deitirmek mmkndr. Potun orta ucu yukar doru
kaydrlrsa VCE2 azalr ve k gerilimi der. Potun orta ucu aa doru kaydrlrsa VCE2
byyeceinden k gerilimi de ykselir.
Devrenin giri gerilimi ykselince pot zerinden polarma alan T2 transistrnn iletkenlii de
artar. T2'nin iletken olmas T1'in beyzindeki gerilimi ve akm drr. T1'in beyz akmnn dmesi
ise alcya giden akm azaltr. Alcnn akmnn azalmas k geriliminin dmesine yol aar.
Transistrl, regleli DC g kaynaklaryla ilgili uygulama devreleri
a. 12 V sabit kl seri regleli g kayna devresi: ekil 5.23'te verilen devrede, trafo
ACyi drr, diyotlar dorultur, kondansatr filtre eder, R zener diyodu ve transistrn beyz
ucunu ar akma kar korur. Zener diyot sabit bir gerilim oluturur. Transistr zenerden ald sabit
polarma gerilimiyle iletime geerek alcy besler. Devrede 12 voltluk zener diyot ve silisyum transistr
kullanld iin k gerilimi 11,4 ile 12 volt arasnda olur. 0,6 voltluk gerilim transistrn B-E
ular arasnda der.
Not: k ular ksa devre olursa transistr bozulur.
96
+
-
R 820-2,2 kW
4x1N4001
C1 470-2200 m F
trafo (3-5 W)
AC 220 V
AC
12 V
+ 12 V
BD135
12 V
ekil 5.23: 12 V sabit kl g kayna devresi
b. 0-12 V ayarl kl, darlington balantl DC g kayna devresi: ekil 5.24'te

grlen devre amatr almalar iin ok iyi sonu vermektedir. Trafo 10 W'lk olursa k akm 1
ampere yakn olmaktadr.
Devre elemanlarnn grevleri yledir: Trafo AC'yi drr. Diyotlar AC'yi DC'ye evirir. C1
kondansatr salnml sinyalleri filtre eder. R zener diyodu ve T1 transistrn beyzini ar akma
kar korur. Zener 12 voltluk sabit bir gerilim oluturur. Pot, zener diyottan ald 12 voltluk gerilimi
blerek T1 transistrnn beyzine verir. T1 transistr iletime geerek T2 transistrn srer. T2
iletime getiinde ise alcya akm gitmeye balar.
BD135
R 820W -2,2 kW
C1 470-2200 mF
trafo (4-10 W)
4x1N4001
T2
T1
BC237
BC547
0-12 V / 1 A
AC 220 V
AC
12 V
12 V
P 10-100 k
ekil 5.24: 0-12 V ayarl kl, darlington balantl g kayna devresi
Gerilim reglatr entegreleri: DC g kayna devrelerinde montaj kolayl salamak iin

bir ok elektronik devre eleman (zener diyot, transistr, diren vb.) bir gvde iinde birletirilerek
DC reglatr entegreleri yaplmtr.
G kaynaklarnda ebeke gerilimi transformatr ile drlr ve diyotlarla dorultulur, filtrelerle
dzgnletirilir. Daha sonra reglatr entegreleriyle sabitletirilerek alclar beslenir.
Entegre gerilim reglatrlerinin baz eitleri unlardr:
a. Pozitif (+) kl gerilim reglatrleri: aseye gre pozitif DC verirler. Uygulamada yaygn
olarak kullanlan tipler, 78xx, TDD16xx serisi eklinde olup 2-24 V aras k veren modelleri
yaygndr.
78xx serisi reglatr entegrelerinin k akmlar eitli deerlerde (100 mA, 500 mA, 1 A, 2 A gibi)
olurken, TDD16xx serisi entegrelerin k akm 500 mA'dir.
97
Reglatr entegreleri byk akm tayorsa ortaya kabilecek

sy azaltmak iin soutucu plakalar kullanlmaldr.
78xx serisi pozitif kl reglatr entegrelerinin eitli
tiplerinin zellikleri yledir:
*78xx serisi reglatrlerin k akm 1 A'dir.
eitleri: 7805, 7806, 7808, 7809, 7810, 7812, 7815, 7818,
7824.
*78Sxx serisi reglatrlerin k akm 2 A'dir.
eitleri: 78S05, 78S06, 78S08, 78S09, 78S10, 78S12,
78S15, 78S18, 78S24.
78xx
1: giri
2: ase (gnd.)
3: k
Reglatr entegrelerinin sabit akm kayna olarak

kullanl: 78xx serisi gerilim reglatrleri sabit akm veren
eleman olarak da kullanlabilir. Bunu yapabilmek iin entegrenin
ekil 5.25: 78xx serisi pozitif
kna seri olarak diren eklenir. Elemann asesi ise eksi uca
kl reglatr entegrelerinin
deil, entegreye seri olarak balanan direncin kna balanr.
ayaklarnn dizilii
rnein 7805 adl reglatr entegresinin ase ucu 50 W'luk
seri diren ile birlikte pozitif ka balanacak olursa k akm,
Ik = V/R = 5/50 = 0,1 A = 100 mA olur.
Sabit akm kl devrelerin kullanm alanlarndan birisi pil arj devreleridir.
giri
giri
7805
ase
R1 50 W
79xx
1W
3-35 V
DC
1: giri
2: ase
3: k
ekil 5.27: 79xx serisi negatif kl

reglatr entegrelerinin ayaklarnn dizilii
ekil 5.26: Reglatr entegrelerinin

sabit akm kayna olarak kullanl
b. Negatif (-) kl gerilim reglatrleri: aseye gre negatif DC verirler. Yaygn olarak
kullanlan eitleri: 7905, 7906, 7908, 7909, 7912, 7915, 7918, 7924'tr.
79xx serisi negatif kl reglatr entegrelerinin eitli tiplerinin zellikleri unlardr:
*79xx serisi reglatrlerin k akm 1 A.
eitleri: 7905: -5 V, 7906: -6 V, 7908: -8 V, 7912: -12 V, 7918: -18 V, 7924: -24 V sabit k
vermektedir.
c. Kademeli k veren reglatr entegreli devreler: Reglatr entegrelerinde aseye
giden uca balanan zener diyot, dorultma diyodu ya da direnlerle devrenin k gerilimi
deitirilebilir.
I. LM317T entegreli, kademeli kl DC g kayna devresi: ekil 5.28'de grlen
LM317T reglatr entegreli kademeli g kayna devresinde k geriliminin deeri,
Vk = Vref.(1 + R2/R1 ) + IADJ.R2 [V] denklemiyle bulunabilir.
Denklemde: R2: RA...RE
Vref = 1,25 V IADJ = 50 - 100 mA'dir.
. Ayarl k veren reglatr entegreli devreler: Bu tip reglatr entegreleriyle k gerilimi

98
geni
bir
snr
iinde
giri LM317T k
4x1N4001
ayarlanabilmektedir. ekil 5.30'da
AC
R1
ayar U
LM317T'li 1,2-37 V ayarl kl
30 V
AC
ref
220 W
g kayna devresi verilmitir.
220 V
LM317T kodlu reglatr
+
entegresi 1 A k akm ve 1,237 V aras ayarl, regleli k
1000-2200 mF
RA RB RC RD RE
R2
gerilimi verebilmektedir.
Ayrca bu reglatr entegresinin
ekil 5.28: LM317T'li kademeli kl g kayna devresi
iinde ksa devre korumas da
vardr. Entegrenin giriine
uygulanabilecek gerilimi, 5 - 37 V arasnda deiebilir. LM317T reglatr entegresiyle yaplan ayarl
g kayna devresinde k geriliminin deeri,
Vk = Vref.(1 + R2/R1 ) + IADJ.R2 [V] denklemiyle bulunabilir.
Denklemde, Vref = 1,25 V, IADJ = 50-100 mA'dir.
giri
+
LM317T
1: giri
3: k
A: ayar
LM317T
giri
Vref
ayar (adj.)
5-37 V
DC
1,2-37 V
Iadj
100 nF
R1 240 W
R2 5 kW
-ekil 5.29: LM317T serisi ayarl kl

reglatr entegrelerinin ayaklarnn dizilii
ekil 5.30: LM317T'li ayarl kl g kayna devresi
rnek: R1 = 240 W, R2 = 2,4 kW olduunda k ka volt olur?

zm: Vk = 1,25 . (1 + 2400 / 240) + 0,0001 . 2400 = 13,75 . 0,24 = 13,99 V
Ayarl k veren reglatr entegrelerinin eitli tiplerinin zellikleri unlardr:
*LM317M: k akm: 500 mA.
*LM317T: k akm: 1 A, k gerilimi: 1,2-37 V.
Not: Sabit k vermek zere yaplm olan reglatr entegreleri de (78XX, 79XX) ayarl k
veren eleman olarak kullanlabilmektedir.
Reglatr entegreli uygulama devreleri
a. 7805 reglatr entegresiyle yaplan 5 V pozitif kl g kayna: ekil 5.31'de
verilen devrenin k akm 1 A'dir. Giri ve ka balanm olan kk kapasiteli (100 nF)
kondansatrler, k gerilimindeki parazitleri (salnm, gerilimde istenmeyen ykselme ve yksek
frekansl sinyalleri) yok etmeye yarar.
Not: Devrede kullanlan reglatr entegresi deitirilerek k gerilimi deitirilebilir. Reglatr
entegresi 7812 yapld zaman kullanlan trafonun k gerilimi de 12-14 volt olmaldr.
b. 7909 reglatr entegreli, 9 V negatif kl DC g kayna: ekil 5.32'de verilen
devrenin k akm 1 A, k gerilimi ise -9 volttur.
99
+
-
+5 V
ase
C3 100 nF
4x1N4001
7805 k
C2 100 nF
AC
6V
C1 470-2200 m F
trafo (220/6V/4-10 W)
AC 220 V
giri
giri
7909
k
-9 V
ase
4x1N4001
C2 100 nF
AC
9V
C1 470-2200 m F
trafo (220/9V/4-10 W)
AC 220 V
ekil 5.31: 7805'li 5 V sabit kl g kayna
ekil 5.32: 7909 entegreli -9 V negatif kl g kayna
D. Gerilim katlayclar (oklayclar)

Gerilim katlayclar, girie uygulanan AC sinyali ka katlayarak yanstan ve bu gerilimi DCye
dntren devrelerdir. Katlayc devrelerinde kullanlan diyot ve kondansatrler ucuz olduundan
ve transformatre gre az yer kapladndan tercih edilirler. Ancak diyot ve kondansatrlerle yaplan
katlayclarn k akm azdr. Televizyon, bilgisayar ekran gibi elektronik aygtlarda gereken yksek
gerilimi elde etmek iin gerilim katlayclar kullanlr. Bu aygtlarda kullanlan katlayclar pratikte
kaskad olarak adlandrlr.
+
1
D1 1N4001
100
DC 12 V
k
100 mF
100 mF
AC 6 V
AC 220 V
Gerilim katlayc eitleri unlardr:

a. Tam dalga gerilim ikileyiciler: ekil 5.33'te verilen
C1
devrede alternatif akmn birinci alternansnn polaritesi
emada gsterildii gibi iaretlenirse, D1 diyodu doru
2
polarmal olduundan iletime geerek C1 kondansatrn
trafo trafonun sekonder sarg geriliminin tepe (maks) deerine
220V/6V
C2
arj eder. D1 diyodu iletimdeyken, D2 diyodu ters
polarmal olduundan kesimde (yaltmda) kalr.
kinci alternansta trafonun kndaki polariteler (1D2 1N4001
2) yer deitirir. Bu durumda D1 diyodu yaltmda
ekil 5.33: Tam dalga gerilim ikileyici
kalrken, D2 diyodu uygun polaritede olduundan iletime
geerek C2 kondansatrn sekonder geriliminin tepe deerine arj eder. C1 kondansatr sekonder
sargnn AC geriliminin pozitif alternansyla, C2 kondansatr ise negatif alternans ile arj olmu
durumdadr.
C1 ve C2 kondansatrleri birbirine seri bal pil gibi olduklarndan, devrenin knda giri
geriliminin iki kat deerde bir DC gerilim oluur.
Bu tip devrenin pratik bir kullanm u olabilir: Elde var olan AC 6 V kl bir trafonun gerilimi
ikileyici ile DC 12 V yaplabilir. Ancak, gerilim artarken ktan alnabilecek akmn da % 50
100 mF
D1 1N4001
orannda azalaca unutulmamaldr.
DC 18 V
k
100 mF
D2 1N4001
AC 6 V
AC 220 V
b. Gerilim leyiciler: Devrede

sekonder geriliminin birinci
C1
alternansnn polaritesi ekil 5.34'te
C3
gsterildii gibi iaretlenirse, D1
1
100
mF
diyodu ters polarmal olduundan
yaltmda kalrken, D2 ve D3 diyotlar
iletime geerek C 1 ve C 2
kondansatrlerini arj ederler.
2
+
Sekonder geriliminin ikinci
C2
alternansnda polariteler (+, -) yer
D3 1N4001
deitireceinden, C1 kondansatr,
sekonder geriliminin bu alternansyla
seri duruma geer. D1 diyodu iletimde
ekil 5.34: Gerilim leyici devresi
olacandan, C3 kondansatr C1
kondansatr ve sekonder geriliminin toplamna (Vsekonder+VC1) arj olur. C2 ve C3 kondansatrleri
seri bal iki pil gibidir. C3'n zerindeki gerilim C2'nin zerindeki gerilimden iki kat daha yksek
olduundan ka bal alc zerinde giri geriliminin kat byklkte DC gerilim grlr.
Vg.8
giri
gerilimi
(V g)
Vg.4
ekil 5.35: Gerilim n'leyici devresi
c. Gerilim n'leyiciler: Gerilim katlayc devrelerinde kondansatr ve diyot saysn uygun gerilimli
ve uygun kapasiteli olmak kouluyla ne kadar artrrsak ktan o kadar yksek gerilim elde edebiliriz.
Bu nedenle okluu ifade edebilmek iin gerilim n'leyici kavram kullanlr. rnein gerilimi 8 kat
ykseltmek istersek devrede uygun gerilimli 8 adet kondansatr ve 8 adet diyot kullanmamz gerekir.
Aslnda gerilim n'leyici devreleri gerilim ikileyici devrelerinin arka arkaya balanmasyla
oluturulmaktadr ekil 5.35'te verilen emada C1 kondansatr Vgiri gerilimi deerine arj olurken,
bundan sonraki btn kondansatrler 2.Vgiri deerine arj olmaktadr.
Devrede C2, C4, C6, C8 kondansatrlerinde bulunan 2.Vgiri deerindeki voltajlar toplanacak
olursa kn 8.Vgiri deerinde olduu grlr.
101
Blm 6: Transistrl (BJT'li) ykselteler

A. Transistrl (BJT'li) ykselteleri DC ile polarma yntemleri
Kk genlikli (zayf) elektrik sinyallerini glendirmek iin kullanlan devrelere ykselte denir.
Mikrofon, anten, teyp okuyucu kafas, pikap inesi vb.'den gelen zayf sinyaller transistrl ya da
entegreli ykseltelerle glendirilir. Ykselte, mikrofon, teyp kafas vb. elemanlardan gelen elektrik
sinyallerini bytyorsa bu tip devrelere anfi (amplifikatr) ad verilir.
Ses sinyallerini ykselten devreler n ykselte, src, g kat gibi devrelerden oluur. n
ykselte (preamplifikatr) kat mikrofon, teyp kafas gibi elemanlardan gelen mikrovolt il milivolt
dzeyindeki zayf sinyalleri genlik (gerilim) bakmndan ykselterek src katna verir. Src kat
bu sinyalleri bir miktar daha ykselterek g katna gnderir.
Bu blmde, transistrlerle yaplan ses frekans (20 Hz - 20 kHz aras frekanslara sahip sinyaller)
ykselte devrelerinin yaps, zellikleri ve almas hakknda temel bilgiler verilecektir.
Polarma (n gerilimleme, kutuplama) kavram: Daha nceki konularda (diyotlar,
transistrler) grdmz gibi polarma, yar iletkenlerden yaplm devre elemanlarnn istenilen
noktada almas iin gereken DC gerilim anlamna gelmektedir.
rnein silisyumdan yaplm 1N4001 kodlu dorultma diyodunun iletime geirilebilmesi iin
en az 0,5-0,7 voltluk polarma geriliminin uygulanmas gerekmektedir.
Ayn ekilde ykselte devrelerinde kullanlan transistrlerin beyz ular, direnler kullanlarak
DC ile polarmalanr. Devrede kullanlan transistrn polarma akm ve geriliminin deeri devrenin
alma zelliine gre deiir.
Transistrl devrelerde polarma ilemi eitli biimlerde yaplr. Her yntemin kendine gre
zellikleri vardr.
Dengeleme, almaya hazr hle getirme anlamna
gelen polarma ilemi, ykseltecin giriine AC
+ Vcc
basit
5-12 V
zellikli sinyal uygulanmadan nce DC besleme
polarma
RC
kullanlarak transistrn istenilen noktada
direnci
altrlmas amacyla yaplr. Girie AC zellikli
RB
1-10 k
sinyaller uygulanmadan nce ykselte devresinin
22-100 k
Vk
VC
ektii akmlara bota alma, skunet, quiscent
Ck
NPN
akmlar ad verilir.
1-10 mF
1-10 mF
Transistrler scakla duyarl bir elemandr.
Ortam scaklnn ar deiimi, transistrn b akm
Cgiri
kazanc, VBE gerilimi ve IC akmnn deimesine
T
BC547
neden olur. Yani devrenin dengesi bozulur.
BC238
Vgiri
Transistrl ykselte devrelerinde DC

5-10 mV
polarma yntemleri
1-10 kHz
a. Basit (sabit, seri) polarma: Uygulanmas
kolay bir polarma eididir. Ykseltete kullanlan
ekil 6.1: Basit polarmal ykselte devresi
transistrn beyz ucunu beslemede kullanlan RB
direnci VCC kaynana seri olarak balandndan devre seri polarma olarak da adlandrlr.
Basit polarmal devrenin alma noktas scaklk artlarnda ar derecede deimektedir. O
nedenle basit polarmal ykselteler, oda scaklnda, dk kolektr akm ve gerilimine sahip
basit (hassas olmayan, amatr amal) devrelerde kullanlr.
ekil 6.1'de verilen devrede grld gibi beyz ucuna balanm olan diren transistrn giriine
DC akm salar. RB zerinden beyze gelen akmn deerine gre C ucundan E ucuna belli bir akm
geii olur. Beyze uygulanan akm ayn zamanda transistrn C ucundaki gerilimin (VC) deimesini
de salar. B ucuna DC akm verilmedii zaman ise C-E aras diren ok yksek olur. Bundan dolay
102
devreye uygulanan VCC geriliminin tamam C-E arasnda der. rnein VCC = 12 V ise, VC gerilimi
de 12 V olur. Beyz (B) ucuna verilen akm arttka C-E aras diren azalacandan VC gerilimi
dmeye balar.
Polarma direncinden (RB) geen akm,
IB = (VCC -VBE)/RB denklemiyle bulunur. (Silisyumdan yaplm transistrlerde VBE = 0,5-0,7 V
olarak kabul edilir.)
Baz hesaplamalarda VBE deeri kk olduundan ihmal edilebilir. Bu durumda,
IB = VCC /RB eklinde yazlabilir.
Devrede kolektrden geen akm, IC = b.IB ile bulunur.
C-E ular arasnda den gerilim ise, VC = VCC -IC.RC ile hesaplanr.
rnek: VCC = 12 V RC = 6 kW b = 200
a. ICmax = ? (Transistr doyum noktasnda altnda kolektrden geen akm)
b. IBO = ? (Girie AC sinyal uygulanmadan nceki beyz akm)
c. RB = ?
zm: a. ICmax = VCC/RC = 12/6000 = 0,002 A = 2 mA
ICO = ICmax/2 = 1 mA
Hatrlatma: Ykselte hesaplarnda giri sinyali yokken transistrn kolektrndeki gerilimin
VCC/2 deerinde olmas gereklidir.
b. IBO = ICO/b = 1/200 = 0,005 mA
Transistrn beyz - emiter aras diren deeri (RBE) yok saylrsa,
c. RB = VCC / IBO = 12 / 0,005 = 2400.000 W = 2400 kW olur.
Eer transistrn B-E ekleminin direncini ihmal etmeyip, VBE gerilim dmn 0,6 V olarak
kabul edersek:
RB = (VCC-VBE) / IBO = (12-0,6) / 0,005 = 2280.000 W = 2280 kW olarak bulunur.
rnekteki hesaplamalarn yapl eklini yle aklayabiliriz: Transistrl ykseltecin alabilmesi
iin girie hi sinyal uygulanmazken, transistrn C ayanda VCC/2 kadar bir gerilimin olmas
gereklidir. Bu gerilimin oluabilmesi iin ise transistrn B ucuna balanan RB ya da kolektre
balanan RC direncinin deeri hesaplamalarla belirlenir. Eer hesaplamalar yanl yaplp uygun
olmayan direnler balanacak olursa k sinyalleri hatal (distorsiyonlu) olur.
Verilen rnekte besleme gerilimi 12 volttur. O hlde transistrn VC gerilimi 6 V olmaldr. Kolektr
direnci RC = 6 kW olarak seildiine gre, transistr tam iletken olduu anda devreden VCCnin
geirebilecei maksimum akm,
ICmax = VCC/RC denklemine gre 2 mA olarak belirlenir.
Devrenin dengeli olabilmesi iin VC geriliminin 6 V olmas gerektiini belirtmitik. Bu deerden
yola karak VRC zerinde den geriliminin de 6 V olaca anlalr.
Giri sinyali yokken VC geriliminin 6 V olabilmesi iin ICO akmnn ICO = ICmax /2 denklemine
gre 1 mA olmas gerektii ortaya kar.
b = IC/IB olduuna gre buradan IBnin denklemi yazlrsa,
IB = IC/b = ICO/b = 1/200 = 0,005 mA bulunur.
Devrenin besleme gerilimi 12 V, transistrn beyz akm 0,005 mA olmas gerektiine gre beyz
direnci RB = (VCC - VBE) / IBO denklemini kullanarak 2280 kW olarak bulunur.
rnek: ekil 6.1'de verilen basit polarmal ykselte devresinde, VCC = 15 V, VBE = 0,7 V, b = 80,
RC = 5 kW (5000 W), RB = 500 kW (500.000 W) olduuna gre,
a. VRB, b. IB, c. IC, . VRC, d. VC deerlerini bulunuz.
zm: a. VCC = VRB + VBE denkleminden VRB ekilirse,
103
VRB = VCC-VBE = 15 - 0,7 = 14,3 V
+ Vcc
b. IB = VRB / RB = 14,3 / 500000 = 28,6 mA
RC
RB
c. IC = b.IB = 80.28,6 = 2,288 mA

Cgiri
. VRC = IC.RC = 2,288.10-3.5.10-3 = 11,44 V

d. VCC = VRC+VC denkleminden VC ekilirse,
VC=VCC-VRC=15-11,44 = 3,56 V bulunur.
Vgiri
VC
Ck
Vk
VCE
NPN
b. Transistrn emiter ayana diren ve

CE
RE
kondansatr bal basit polarma (emiteri
dengelenmi polarma): ekil 6.2'de grld gibi
ekil 6.2: Transistrn emiter ayana RE
kolektr akmnn kararlln salamak iin emiter
direnci ve C E kondansatr balanm
ayana seri bir diren eklenir. Bu diren RB direnci
basit polarmal ykselte devresi
zerinden gelen DC akmlarn ar artmasna kar geri
besleme yapar. Yani beyz akmnn fazla artmasn engeller.
RE direncine paralel bal CE kondansatr AC zellikli akmlar RE'den deil kendi zerinden
geirerek ykselte kazancn ve alma noktasn sabit tutmaya yarar. CEye dekuplaj (by-pass)
kondansatr ad verilir.
Devre alrken kolektr akm artacak olursa emitere bal olan REnin zerinde den gerilim
de artar. Oluan gerilim otomatik olarak beyzden gelen akm azaltr. Buna negatif geri besleme
denir.
Transistrl ykselte devrelerinde beyze seri balanan kondansatrn (Cgiri) grevleri
I. Giri sinyallerinin uyguland ksma seri balanan kondansatr devrenin almasn salayan
besleme kaynann (VCC), ykseltilmek istenen sinyalleri veren kaynan (mikrofon vb.) zerinden
akm geirmesini engeller.
yle ki; girie bir mikrofon balysa ve Cgiri kullanlmamsa VCCden gelen akm mikrofon
zerinden geebilir. Bu ise mikrofonun alma dzenini bozar.
II. Giriten gelen sinyallerin sadece belli bir blm ykseltece geer. ok dk frekansl sinyallere
kar C yksek diren gstereceinden bu sinyaller transistrn beyzine ulaamaz. Yani beyze balanan
C'nin grevi u ekilde de aklanabilir: C sayesinde DC sinyallerin etkisi bastrlm olur.
III. Girie C balanmad taktirde ykseltilecek sinyalleri reten elemann (mikrofon, teyp kafas,
sinyal jeneratr vb.) diren deeri transistrn B-E ular arasna bal olan polarma direnciyle
paralel bal durum arz edeceinden B - E aras diren deeri der. Bu ise devrenin knda VCC/
2 deerinden daha yksek bir gerilim olumasna yol aar ve k sinyalleri bozulur.
Hatrlatma: Kondansatrler DC akmlar zerlerinden geirmezler. Sadece dolana kadar akm
ekerler. AC akm ise kondansatrden kolayca geer. AC sinyalin uyguland bir kondansatr besleme
gerilimine sadece bir miktar diren gsterir. Bu diren XC olarak tanmlanr. XC'nin deeri elemana
uygulanan sinyalin frekansna bal olarak deiir.
yle ki; bir kondansatrn direncini hesaplamada kullanlan denklem, XC=1/2.p.f.C [W]'dur.
Burada kondansatre uygulanan akm DC olarak kabul edersek, DC'nin frekans deeri 0 olduundan
C'nin kapasitif reaktans (XC) deeri sonsuz ohm kar. te yandan kondansatre uygulanan sinyal
salnml yani frekansl olduunda ise XC deeri azalmaya balar. Yani sinyalin frekans deeri
ykseldike denklemde grlecei zere XC deeri azalr.
c. Otomatik (geri beslemeli) polarma: ekil 6.3'te verilen devrede bulunan RB direnci beyz
polarma akmn ve DC negatif geri beslemeyi salar. Yksek deerli giri sinyallerinde beyz akm
104
ve buna bal olarak kolektr akm artar. Kolektr

akmnn artmas RC ularndaki gerilimi artrrken
transistrn C-E ular arasndaki gerilimin (VC)
dmesine neden olur. VC gerilimi dnce ise Bye
giden DC polarma akm otomatik olarak azalm olur.
Giri sinyali azaldnda IC akm azalr, VC gerilimi
ykselir ve beyze giden DC polarma akm da eski
seviyesine doru artar. Beyz akmnn artmas kolektr
akmn otomatik olarak bir miktar artrr. VC gerilimi
alma noktasna yakn bir yere ykselir. Bylece
ykselen ve alalan giri sinyallerinde devre
kararlln kendi kendine ayarlar.
Bu polarma yntemi giri sinyalinin zayf olduu,
kazancn sabit tutulmak istendii basit ykselte
devrelerinde kullanlr.
Otomatik polarmal ykselte devresinde
hesaplamalarn yapl yledir:
Giri devresinin denklemi:
VCC = (IB + IC).RC + IB.RB + VBE
+Vcc
12 V
100-220 k
RC
1-10 k
VC
Vk
Ck
RB
100 nF
Cgiri
100 nF
NPN
AC187
BC547
BD135
Vgiri
5-10 mV
1-10 kHz
ekil 6.3: Otomatik polarmal

ykselte devresi
IC akm IB cinsinden yazlrsa: VCC = (IB + b.IB).RC + IB.RB + VBE elde edilir.
Bu denklemden IB akm ekilirse:
denklemi bulunur..
rnek: b = 80, VBE = 0,7 V ICO = 4 mA VCC = 12 V
a. VC =? b. RC =? c. IB =? . RB =? d. VRC =?
zm
a. VC = VCC / 2 = 6 V
b. RC = (VCC - VC) / ICO = (12-6)/0,004 = 1500 W
c. IB = ICO / b = 4 / 80 = 0,05 mA
. RB = (VCC - VBE) / IB = (12 - 0,7) / 0,05 = 226 000 W = 226 kW
d. VRC = ICO.RC = (b.IB).RC = (80.0,00005).1500 = 6 V
. deal (tam kararl, birleik) polarma:
En ok kullanlan polarma biimidir. Beyz
polarmas gerilim blc iki direnle salanr.
Devrede kullanlan RB1'e polarma direnci,
RB2'ye ise stabilizasyon (kararllk) direnci
denir.
Emiterdeki RE direncine paralel bal CE
kondansatr dekuplaj (AC zellikli sinyalleri
aseye aktarc) grevi yapar.
ekil 6.4'te grlen devrede kullanlan
transistrn scakl arttnda IC akm b.IB
deeri kadar artar. ICnin artmas RE'de den
gerilimi artrr. RB2 zerinde den gerilim
sabit olduundan VRE'nin artmas IB akmnn
azalmasna neden olur. Yani RE zerinde
oluan V RE gerilimi I B akmnn fazla
artmasn engeller. (Bu engellemeye negatif
+ Vcc 12 V
RB1
RC 1 k
22-100 k
Vgiri
5-10 mV
1-10 kHz
Vk AC187
BC547
BD135
T
RB2
10 k
RE
47 mF
Cgiri
Ck
100 nF
270 W
100 nF
NPN
VC
CE
ekil 6.4: deal polarmal ykselte devresi
105
geri besleme denir.) Beyz akmnn azalmas durumunda ise IC akm da b.IB kadar azalr. Bylece
devre kararl hle gelir.
giri
+
giri
ykselte
+ - +
+ - +
daha
negatif geri
besleme kk k
+ -
negatif geri besleme
daha
kk k
ekil 6.5: Transistrl ykseltelerde negatif geri besleme
+
giri
giri
ykselte
daha
pozitif geri
besleme byk k
+ -
pozitif geri besleme
+- +
daha
byk k
ekil 6.6: Transistrl ykseltelerde pozitif geri besleme
Transistrl ykseltelerde geri besleme (feed back): Geri besleme ilemi ykseltelerin
dengeli ve istenilen kazan deerinde almasn ya da osilatr olarak grev yapmasn salamak
iin uygulanr.
Bir ykselte devresinin kndan alnan sinyalin kk bir ksm ekil 6.5'te grld gibi ters
evrilerek devrenin giriine uygulanrsa, girie uygulanan sinyal azalr. Dolaysyla k sinyali de
zayflar. Buna negatif geri besleme denir.
ktan alnan sinyalin bir ksm ekil 6.6'da grld gibi ayn ynl olarak girie uygulandnda
ise k sinyali daha fazla byr. Buna ise pozitif geri besleme ad verilir.
Emiteri ase ykselte devrelerinde transistrn emiter ayana balanan direnle yaplan geri
beslemeye seri ya da negatif geri besleme denir. ekil 6.2 ve 6.4'e baknz. Burada kullanlan RE
direnci, IE ve IB akmnn ar ykselmesini engeller.
yle ki; RE'den geen akm bydke zerinde den VRE gerilimi ykselir. Bu da beyz tetikleme
akmnn azalmasna yol aar. IB azalnca IC de azalr.
Transistrl ykseltelerde beyz polarma direncinin st ucunun, transistrn kolektrne
balanmasyla yaplan geri beslemeye ise paralel geri besleme (ya da otomatik polarma) denir. ekil
6.3'e baknz. Bu uygulamada, beyz akmnn artmas transistrn iletkenliini artrr. Ardndan C-E
aras diren klr, C'nin aseye gre gerilimi (VC) der, ve beyze giden polarma gerilimi
azalacandan IB der. IB akmnn dmesi ise VC gerilimini ykseltir.
B. Transistrl ykseltelerin balant ekillerine gre snflandrlmas
Transistrler deiik biimde balanarak eitli zelliklere sahip ykselteler yaplabilmektedir.
imdi bu devreleri inceleyelim.
a. Emiteri ortak bal (emiteri ase, CE tipi, common emitter) ykselteler: Uygulamada
kullanlan ykseltelerin yaklak % 90' emiteri ortak bal tiptedir. Bu tip devre oluturulurken
direnlerin deerleri yle hesaplanr ki; girie sinyal gelmezken transistrn kolektr ayann
aseye gre olan geriliminin (VC ), VCC geriliminin yars deerde (VC = VCC /2) olmas salanr.
Girie uygulanan AC zellikli sinyal pozitif ve negatif ynl olmak zere iki paradan oluur.
imdi bu sinyallerin nasl ykseltildiini inceleyelim.
ekil 6.4'te grld gibi pozitif ynl giri sinyali beyz ucuna uygulandnda beyz tetiklenme
akm artar. Buna bal olarak IC akm ykselir. IC ykselirken VC gerilimi sfra doru azalr.
Giri sinyali negatif olduunda ise IB akm azalr. IB'nin azalmas IC'yi de azaltr. IC azalnca VC
gerilimi maksimum deere doru ykselir.
106
Grld zere, emiteri ase ykseltelerde giri sinyalindeki deime kta ters ynl ve genlik
bakmndan bym olarak karmza kar. ka balanan hoparlrden geen akm giri sinyaline
benzediinden, mikrofondan gelen zayf ses sinyalleri glendirilmi olur.
Emiteri ase ykseltelerde k sinyali giriin tersi olduundan, bunlara eviren (inverting)
ykselte de denir.
Daha zet bir anlatmla, transistrn C ucunda bulunan VCC/2 deerindeki gerilim, girie uygulanan
sinyale gre sfr ile maksimum gerilim arasnda deierek AC zellikli ve glenmi bir sinyal
oluturmaktadr.
ekil 6.4'te verilen emiteri ase
Vk
VC
Vgiri
ykselte devresinde,
V CC
I. RB polarma direnci yanllkla
VC =
byk seilirse beyz polarma akm
2
(a)
azalr ve transistrn kolektr ucunda
aseye gre oluan gerilim temel kurala
V CC
uymayarak VCC/2'den byk olur. Bu
VC
durumda girie AC sinsoidale benzer
2
(b)
bir sinyal uygulandnda negatif ynl
sinyaller tam olarak oluur ancak pozitif
V CC
alternanslarn ekli bozulur. Yani pozitif
VC
2
alternanslarda krplma olur. ekil 6.7(c)
b'ye baknz.
ekil 6.7: Transistrl ykseltelerde VC geriliminin deerine
II. RB polarma direnci yanllkla gre k sinyallerinde ortaya kan bozulmalar (distorsiyon)
kk seilirse beyz polarma akm artar
ve transistrn kolektr ucunda aseye gre oluan gerilim temel kurala uymayarak VCC/2'den
kk olur. Bu durumda girie AC sinsoidale benzer bir sinyal uygulandnda pozitif ynl sinyal
tam olarak oluur ancak negatif alternanslarn ekli bozulur. Yani negatif alternanslarda krplma
olur. ekil 6.7-c'ye baknz.
Emiteri ortak bal ykseltelerin baz teknik zellikleri
I. Giri empedanslar orta (500 W-10000 W) deerdedir.

II. k empedanslar byktr (10000 W-50000 W).
III. Gerilim kazanlar yksektir.
IV. Akm kazanlar 1'den byktr.
V. G kazanlar ok yksektir.
VI. Faz evirme (evirme, inverting) yaparlar. Yani giri sinyali ile
k sinyali arasnda 180'lik faz
fark vardr.
12 V
+ Vcc
RC
10 k
BC547
Ck
Cgiri 100 nF
b. Beyzi ortak (beyzi ase, CB
Vk
tipi , common base) bal
ykselteler: ekil 6.8'de
100 nF
Vgiri
RB
grld gibi giri sinyali pozitif
RE
olduunda transistr kesime doru
10 k
100-220 k
gider. Transistrn C-E ular
5-10 mV
CB=10 mF
1-10 kHz
arasndaki diren arttndan
kolektr ucundaki gerilim (sinyal)
ekil 6.8: NPN transistrl beyzi ase ykselte devresi
pozitif ynde ykselir. Giri sinyali
negatif olduunda transistrn iletkenlii artar. k sinyali negatif ynde azalr.
Beyzi ortak bal ykseltelerin baz teknik zellikleri
I. Giri empedanslar ok kktr (200 W-500 W).

107
II. k empedanslar yksektir

(50 kW-1,5 MW).
III. Gerilim kazanlar yksektir.
IV. Orta derecede g kazanlar
vardr.
V. a akm kazanlar 1'den
kktr.
VI. st frekans snr yksektir.
O nedenle yksek frekansl
devrelerde bu tip balant ok
kullanlrlar.
VII. Faz evirme (evirme)
yapmazlar.
c. Kolektr ortak bal (CC
tipi, common collector)
ykselteler: Devrede transistrn
Cc
RB
1 MW
10 mF
Cgiri
BC237
BC547
100 nF
100 nF
Vgiri
5-10 mV
1-10 kHz
+ 12 V
Vcc
Ck V
k
RE
1 kW
ekil 6.9: NPN transistrl kolektr ase ykselte devresi
kolektr ucu CC kondansatr ile

AC bakmdan aseye balanmtr. CC'ye dekuplaj ya da by-pass (artma) kondansatr ad
verilir.
ekil 6.9'da verilen kolektr ase ykselte devresinde giri sinyalinin pozitif alternansnda IB
akm artar. IB akmnn artmas IC ve IE akmlarn ykseltir. RE zerinde oluan gerilim pozitif
ynde ykselir.
Giri sinyalinin negatif alternansnda IB akm azalr. IB akmnn azalmas IC ve IE akmlarn
drr. RE zerinde oluan gerilim negatif ynde der. Ykseltete k sinyali emiterden
alndndan bu ykseltelere emiter izleyici de denir.
Kolektr ortak bal ykseltelerin baz teknik zellikleri
I. Giri empedanslar byktr (5kW-1,5 MW).
II. k empedanslar kktr (10 W-500 W).
III. Gerilim kazanlar 1'den biraz kktr (0,9 dolaynda).
IV. Faz evirme yapmazlar.
V. Yksek empedansl k olan bir devreyi dk empedans girii olan bir devreye balamak
iin (yani empedans uygunlatrc olarak) kullanlrlar.
C. Transistrl ykseltelerin polarma durumuna gre snflandrlmas
Transistrlerin beyzine uygulanan polarma akmnn deerine gre C'den E'ye geirdikleri akmn
deeri deimektedir. Polarma akmn ayarlama ilemi ise direnlerle yaplabilmektedir.
Polarma akmndan dolay ortaya kan alma ekilleri ve ktan alnan sinyallerin durumu
anlatmlarda kolaylk olmas bakmndan A, AB, B, C eklinde snflandrlmtr.
1. A snf alan ykselteler: A snf altrlan ykseltelerde ykseltilmek istenen AC
zellikli sinyal yokken bile kolektrden emitere bir akm geii (ICO) vardr. Yani devrenin A tipi
alabilmesi iin giri sinyali yokken bile kolektrden belli bir akmn geirilmesi zorunluluktur.
Bu sayede transistrn kolektr ucundaki gerilimin VCC/2 deerinde olmas salanabilmektedir.
Ykseltecin A snf olarak altrlmas esnasnda srekli bir IC akmnn gemesi verimi drc
bir etkendir. Dolaysyla A snf alan ykseltelerin verimi % 20-25 dolayndadr.
ekil 6.10'da verilen ema, ekil 6.11 ve 6.12-a'da grld gibi Q1 noktasnda alr. Bu noktada
alan ykseltete ktan alnan sinyal, girie uygulanan sinyalin ayns olur. O nedenle bu
ykseltelerin iletim as 360'dir.
A tipi alan ykselteler kalitenin fazla nemli olmad ve gcn 1-2 W olduu n ykseltelerde
(preanfi), src katlarnda vb. kullanlr.
108
+IC
+ Vcc
RC
RB1
33 k
1k
IB3
Vk
NPN
Cgiri
100 nF
IB4
VCC/2
6V
+
-
RB2
10 k
RE
ekil 6.10: A snf alan ykselte devresi
k
sinyali
+
(b)
(c)
Q4
(d)
+
-
Q3
(a)
+
-
VCE
Q3 Q
4
ekil 6.11: Ykseltelerin alma noktalarnn

yk dorusu zerinde gsterilii
giri
sinyali
alma
noktas
Q2
VC
Q2 IB1
IB0
-IC
270 W
5-10 mV
1-10 kHz
Q1
IB2
AC187
BD135
Vgiri
Q1
+
-
AB
ekil 6.12: Ykseltelerin A, AB, B, C snf almalarnda ktan alnan sinyallerin biimleri
b. AB snf alan ykselteler: A ve B tipi ykseltelerin zelliklerini tayan ykselte

eididir. Bu tip ykseltelerde beyzden ve kolektrden geen akm A tipi almaya gre daha
azdr.
ekil 6.13'te grld gibi transistrn beyz akmnn biraz azaltlp devrenin alma noktas Q2
noktasna doru indirilirse (ekil 6.11) ykseltecin knda pozitif alternanslar ekil 6.12-b de
grld gibi tam olarak oluamaz.
ekil 6.13'te verilen AB snf ykselte devresinde, giriten pozitif sinyal geldiinde ykseltecin
kolektrnden belli bir akm geer ve negatif sinyal oluur. Giriten negatif sinyal geldiinde ise
kolektrden az bir akm geii olur. te bu tip almaya AB tipi alma denir. AB tipi almada
ktan alnan sinyalin as 90 - 180 arasnda deiir.
c. B snf alan ykselteler: B snf almada beyz polarma akm RB1 direnci sklerek
sfr (0) yaplr. Bundan dolay transistrn alma noktas ekil 6.11'de grld gibi Q3'e gelir.
Bu durumda girie uygulanan sinyalin pozitif alternanslarnda kolektrden akm geer. Negatif giri
alternanslarnda ise, kolektrden hi akm gemez. Sonuta kta ekil 6.12-c'de grld gibi
sadece negatif alternanslar oluur.
109
+ Vcc
6V
+ Vcc
RC
5,6 k
NPN
Cgiri
5-10 mV
1-10 kHz
Cgiri
100 nF
Vgiri
T
RB2
2,2 k
Vk
AC187
BD135
AC187
BD135
RE
5-10 mV
1-10 kHz
270 W
100 nF
Vgiri
Vk
6V
RC
5,6 k
ekil 6.13: AB snf alan

ykselte devresi
T
RB2
RE
270 W
RB1
100 k
2,2 k
ekil 6.14: B snf alan

ykselte devresi
ekil 6.14'te verilen B tipi ykseltelerin iletim as

180'dir. Baka bir deyile kolektr akm beyze sinyal
uygulanmad srece 0 amperdir. B tipi altrlan
devrelerin verimi % 40-60 dolayndadr. AB ve B snf
alan anfiler, push-pull (it-ek) tip ykseltelerde
vb. kullanlr.
5 V + Vcc
-1 V
Cgiri
100 nF
RB1
10 k
T
RC
5,6 k
Vk
270 W
AC187
. C snf alan ykselteler: C snf
BD135
ykselte devresinin polarma direnleri ekil 6.15'te
Vgiri
RE
grld gibi az miktarda ters polarmaya maruz
RB2
braklrsa alma noktas ekil 6.11'de grld gibi
2,2 k
5-10 mV
Q4 noktasna kayar. Giriten uygulanan pozitif
1-10 kHz
sinyalin sadece bir blmnde iletim sz konusu olur.
Negatif giri sinyallerinde ise kolektr akm sfrdr.
ekil 6.15: C snf alan
Transistrn iletim as 90 ya da daha da az
ykselte devresi
olduundan elde edilen k sinyali byk bir
distorsiyona (bozulma) urar (ekil 6.12-d). te bu yzden C snf ykselteler ses frekans
sinyallerinin ykseltilmesinde deil radyo frekans ykseltelerinin (verici k katlar, tank devresi
vb.) yapmnda kullanlr.
Transistrl ykseltelerin gerilim ve g bakmndan snflandrlarak incelenmesi

a. Giri sinyalini gerilim bakmndan ykselten devreler: Zayf sinyalleri gerilim
bakmndan ykselten devrelerdir. Bunu rnekleme yoluyla aklayacak olursak: 1 mV genlikli AC
sinyal, 10 mV'luk bir sinyal haline getirilmise gerilim asndan ykseltme sz konusudur. Bu tip
devreler giri sinyalini akm bakmnda da bir miktar ykseltir. Ancak elde edilen k ile hoparlr
vb. gibi alclar altrmak mmkn deildir. Yani araya g ykselteci eklediimizde alcy
altrabiliriz.
Gerilim ykseltelerinin baz zellikleri unlardr:
I. Giri devresi direnci (empedans) kktr. (200 W-2000 W) Bu sayede devre kk gerilimli
sinyallerle de alabilir.
II. k direnci (empedans) ise 10 kW-500 kW aras deerde olup geni bir alan kapsamaktadr.
zetlersek, gerilim ykselteleri gerilim kumandal olarak alan devrelerdir ve kk boyutludur.
110
Giri sinyali mikrofon, teyp okuyucu kafas, pikap kafas, anten gibi kaynaklardan alnr. Ad geen
sinyal retelerinin verdii zayf iaretler gerilim ykselteci devresi tarafndan bytldkten sonra
g ykselteci devresine gnderilir. G ykselteci kat ise hoparlr besler (srer).
A snf gerilim ykselteleri giri sinyalinin dalga formunu (biimini) bozmadan ykseltecek ekilde
polarmalanr. alma noktas yk dorusunun tam ortasnda seilir. Yani girite hi bir sinyal olmasa
bile, kolektrden srekli olarak ICO akm geer. A snf alan n ykseltelerde ok kk genlikli
giri sinyallerinin ykseltilmesi istenirken, grlt (parazit, distorsiyon) miktarnn da az olmas
istenir. n ykseltelerde grlt oluursa bu grlt dier katlar tarafndan da ykseltileceinden
verimli bir devre oluturulamaz.
Ykselteleri olumsuz etkileyen grlt
kaynaklar
I. D manyetik alanlarn yaratt grltler:
Floresan lmba, motor vb. gibi indktif zellikli

alclarn oluturduu grltler (parazitik sinyaller),
n ykselte giriine ulaacak olursa, bunlar n
ykselte tarafndan byltlr. Sonuta hoparlrden
kula rahatsz eden czrtlar duyulur.
D manyetik alanlarn oluturduu grltler ekil
6.16'da grld gibi, girie balanan elemanlarn
irtibatlarnn blendajl (rgl) kablo ile yaplmasyla
biraz nlenebilir.
Vcc
blendajl
kablo
RB1
Cgiri
+
Vgiri
RC
Vk
Ck
T
RB2
RE
ekil 6.16: Blendajl kabloyla
grltlerin (parazit) nlenmesi
II. DC bileenlerin oluturduu grltler: DC beyz polarma gerilimi sabit deilse, k sinyalinin
genlii srekli olarak azalr ya da oalr. Bu ise k sinyalinin distorsiyonlu olmasna neden olur.
DC bileenlerin oluturduu grltler (parazitik sinyaller), besleme ucu ile ase arasna kondansatr
balanarak giderilir. Kondansatrler AC sinyallere kar iletken olduundan DC besleme gerilimine
karan AC zellikli sinyaller kondansatr tarafndan aseye aktarlr.
III. Yklenmeden dolay oluan grltler: n ykseltece giri yk olarak balanan

mikrofon, teyp kafas, pikap kristali vb. gibi elemanlarn herbirinin empedanslar birbirinden farkldr.
Eer giri yk empedansyla n ykseltecin giri empedans uygun deilse k sinyalinde distorsiyon
(bozulma, ekil deitirme) olur.
Yklenmeden dolay ortaya kan grltleri yok etmek iin giri yknn empedansyla n
ykseltecin giri empedansnn eit olmas salanr.
IV. Geri besleme sinyallerinden dolay oluan grltler: Ykseltelerde giri sinyaline
bal olarak IB akm deiir. IB'nin deimesi ise IC ve IE akmlarn deitirir. Ykselte devresinde
transistrn emiter ayanda RE direnci bal ise IE akmndan dolay RE zerinde VRE gerilimi
der. Beyz akmnn geiini zorlatracak ynde olan VRE gerilimi, IB akm zerinde azaltc etki
yapar. Buna negatif geri besleme ad verilir.
RE zerinde oluan VRE geriliminin IB akmn azaltmas IC ve IE akmlarnn da azalmasna
neden olur.
IE'nin azalmas RE zerinde oluan VRE geriliminin de azalmasna yol aar. VRE azalnca IB
akm tekrar eski dzeyine doru ykselmeye balar.
Sonu olarak, RE direnci zerinde oluan VRE gerilimi IB akmnn ar derecede deime
gstermesini engelleyici rol stlenir.
RE direncinin AC zellikli sinyaller karsnda grev yapmasn engellemek iin bu elemana paralel
olarak kondansatr balanr. Bu sayede, dirence gelen AC zellikli sinyaller kondansatr tarafndan
aseye aktarlr. Dirence paralel olarak balanan kondansatre dekuplaj kondansatr ad verilir.
b. Giri sinyalini g bakmndan ykselten devreler (g katlar): Girie uygulanan sinyali
111
AB tipi alan g ykselteci

devresi rnei: ekil 6.17'de verilen
+ Vcc
T2
BD135
1N4001
1N4001
12 V
R4
4,7 W
100 mF
R5
4,7 W
R1
56 k
BC547
Cg
10 mF
Vgiri
R2
10 k
T1
Vk
1k
R3
T3
BD138
8W
hem gerilim hem de akm bakmndan

ykselten devrelere g ykselteci denir.
G ykselteleri akm kumandal olarak
alan devrelerdir. Yani bunlarn giriine
uygulanan sinyallerin akm deerinin
gerilim ykseltelerinden daha yksek
olmas gerekir.
Durumu daha anlalr hle getirecek
olursak, gerilim ykselteci 1 mA'lik
sinyalle alabilirken, g ykselteci 10
mA'lik giri akmyla alr.
Ykseltme ilemi yapan transistrler
byk akm tadklarndan, alma
srasnda snrlar. Isnn datlmas iin
ise soutucu plakalar kullanlr.
ekil 6.17: AB tipi alan g ykselteci devresi
ykselte devresine eklenmi olan diyotlar sayesinde BD137 transistrnn beyzine uygulanan
polarma geriliminde 0,6+0,6 = 1,2 voltluk ykselme olur. BD137'nin polarma geriliminin ykselmesi
bu elemann beyzinden geen akm ykseltir ve T2 transistrnn C-E ular arasndan geen akm
artar. Bu akmn 4,7 W'luk R5 direncinde olut ur duu ger i l i m n eden i yl e 56 kW 'l uk diren
zerinden polarma alan BC237 iletime geer. BC237 iletime geince BD138 PNP transistr (-)
polarma alarak srlr.
Grld zere devreye eklenen iki diyot g transistrlerinin akmlarn artrmaktadr. Yaplan
bu ilem, devrenin AB tipi almasn salar. Devrenin AB tipinde almas distorsiyonlar (cross
over, gei bozulmas) nler.
+ Vcc
Transistrl ykseltelerde katlar
12 V
aras kuplaj (balant, balam)
1k
33 k
1k
ekilleri: Zayf sinyaller transistrl
Vk
+
ykselteler tarafndan glendirilir. Bir
33 k
transistrl ykselte, sinyalleri yeterince
10 mF
100 nF
ykseltemezse, ikinci bir devre (kat)
BC547
Ckuplaj
ilavesi yaplr. Bu duruma kas kad (arka
100 nF
BC547 T2
arkaya) balama denir.
T1
Ykselte devrelerinde bir katn ykselttii
Vgiri
sinyal dier kata eitli biimlerde aktarlr.
10 k
270 W
Sinyal aktarma esnasnda kullanlan her
10 k
devrenin kendine gre iyi ve kt yanlar
270 W
vardr. imdi bu balama (kuplaj, balam)
yntemlerini inceleyelim.
ekil 6.18: Diren-kapasite kuplajl ykselte devresi
I. Diren-kapasite (R-C) kuplajl

ykselteler: ekil 6.18'de verilen ykselte devresinde katlar aras balant kondansatr (Ckuplaj) ile
salanmtr. C'nin grevi birinci kattaki AC sinyalleri ikinci kata aktarmaktr. R-C kuplajda ykseltme
frekansa bamldr. Yani frekans deitike kondansatrn diren deeri de deitiinden geen sinyallerin
miktar deiir. te yandan, katlarn alma noktalar, kondansatr (C) sayesinde birbirinden etkilenmez.
II. Transformatr kuplajl ykselteler: ekil 6.19'da verilen ykselte devresinde katlar aras
balant empedans trafosu ile salanr. Bu uygulamada trafo her iki kat birbirinden elektriksel olarak
ayrr (yaltr).
112
Vcc
VCC
Vk
+
Vk
BC547
BC547
kuplaj
yapan tel
Vgiri
BC547
Vgiri
ekil 6.20: Direkt kuplajl

ykselte devresi
ekil 6.19: Transformatr

kuplajl ykselte devresi
Transformatr kuplajl ykseltelerin olumsuz ynleri: Bant genilikleri snrldr. Ses

frekansl devrelerde kullanlan kuplaj trafolarnn doyuma girmesi nedeniyle verim der. Bunu
engellemek iin ise yksek kaliteli kuplaj trafosu gerekir.
Transformatr kuplajl ykseltelerin iyi ynleri: Empedans farkl olan iki devre birbirine
balanabilir. Ykseltelerin alma noktalar birbirinden etkilenmez.
III. Direkt kuplajl ykselteler: ekil 6.20'de verilen direkt kuplajl ykselte devresinde katlar
aras balant bir iletken tel parasyla yaplr. Bu yntem R-C kuplaja benzer. Yalnzca arada kuplaj
kondansatr yoktur.
Direkt kuplajl ykseltelerin olumsuz yan: Transistrlerin alma noktas birbirine bamldr.
Direkt kuplajl ykseltelerin olumlu yan: Kuplaj frekansa bal deildir. DC gerilimler de
ykseltilebilir.
Transistrl ykseltelerin kararl almasn salamada kullanlan yntemler
I. Emiter ayana diren (RE) balayarak kararllk salama: Emiteri ase ykselte
devrelerinde transistrn E ucuna balanan diren, beyz akmnn artmasna kar koyar. Bu ilem u
ekilde olur: IB akm artnca IC akm da artar. IB ve IC akmlarnn artmas RE direnci zerinde
den gerilimi ykseltir. RE zerinde den VRE geriliminin ykselmesi IB akmn azaltc etki
yapar. IB'nin azalmas ise IC'yi azaltr.
Bu yntem ykseltelerde polarma konusunda incelenmitir. ekil 6.2 ve 6.4'e baknz.
II. Otomatik polarma ile kararllk salama: Emiteri ase ykselte devresinde beyz akm
kolektr ucundan alnarak otomatik polarma yaplr. Bu yntemde herhangi bir nedenle IB akm
ykselirse transistrn iletkenlii artar. Bunun sonucunda ise transistrn C ayann aseye gre
olan gerilimi der. C ucundaki VC geriliminin dmesi beyze giden IB akmn da azaltarak devrenin
kararl hle gemesini salar. Bu yntem ykseltelerde polarma konusunda incelenmitir. ekil
6.3'e baknz.
III. Isya duyarl elemanlarla (PTC, NTC) kararllk salama: Ykseltelerin polarma akm
devresine balanan termistrle (NTC) beyz akmnn ar artmas engellenir. Transistr snnca
NTC sdan etkilenir ve aseye doru geirdii akm artar. Bu ise transistrn beyz polarma akmn
113
azaltr. ekil 6.21'ye baknz.
Darlington balantl ykselteler:
T1 transistrnn akm kazanc b1, T2

transistrnn kazanc b2 ise, devrenin
toplam akm kazanc b toplam = b 1.b 2
olur.
rnein T1'in b akm kazanc 50,
T2'nin b akm kazanc 80 ise, darlington
balantnn toplam kazanc,
b T = b 1.b 2 = 4000 olur.
Grld gibi iki transistr darlington
balandklarnda ok byk akm kazanc
sz konusu olur.
Darlington balantl ykselteler, akm
kazancnn byk ve giri empedansnn
yksek olmas istenen yerlerde kullanlr.
ekil 6.23'te darlington balantl
ykselte devresi rnei verilmitir.
Faz tersleyici (parafaz, phase inverter) ykselteler: Push-pull (it-ek)
ilkesine gre alan amplifikatrlerin
kndan dzgn (distorsiyonsuz) ve en
yksek gc alabilmek iin, devrede
kullanlan transistrlerin beyz ularna
genlikleri eit, ancak birbirlerinden 180
faz farkl iki sinyal uygulanmaldr. te
birbirinden 180 faz farkl sinyaller elde
etmek iin yaplm olan ykseltelere
parafaz ykselteler ad verilmektedir.
Uygulamada faz tersleyici devreleri eitli
biimlerde retilmektedir. imdi bunlarn
iki eidini inceleyelim.
V CC
V CC
Vk
Vgiri
diyotlar
IV. Diyot ile kararllk salama:

Ykseltelerdeki g transistrleri
snnca yaknda bulunan diyotlar da snr.
Diyotlarn snmas bu elemanlarn
zerinde den gerilimlerin 0,6-0,7 V
seviyelerinden 0,3-0,4 V seviyelerine
inmesine yol aar. Polarma gerilimlerinin
dmesi ise beyz ve kolektr akmlarn
drerek transistrlerden geen akmlar
azaltr. ekil 6.22'ye baknz.
Vgiri
Vk
ekil 6.21: Ykseltelerde

sya duyarl elemanlarla
kararll salama

diyot ile kararll salama
+V CC
BC547
BC547
Vk
Vgiri
ekil 6.23: Darlington balantl ykselte devresi

+V CC
Vk1
BC547
Vk2
Vgiri
I. Tek transistrl faz tersleyici

ykselte devresi: ekil 6.24'te verilen
ekil 6.24: Tek transistrl faz
devrede transistrnn emiter ve kolektr
tersleyici ykselte devresi
ularndan alnan sinyaller birbirine 180
faz farkldr.
Devrenin giriine pozitif sinyal uygulandnda transistrn iletkenlii artar ve kolektrn gerilimi
114
(A noktas) negatif ynde azalr. te yandan RE direncinde oluan gerilim ise pozitif ynde ykselir.
Devrenin giriine negatif sinyal uygulandnda transistr kesime gideceinden A noktasnda pozitif
ynde ykselen, B noktasnda negatif ynde azalan bir gerilim oluur.
II. Transformatrl faz tersleyici ykselte devresi: ekil 6.25'te verilen devrede TR1,
faz tersleyici ara trafosudur. Bu
trafo hem faz evirme hem de
kuplaj eleman olarak grev
yapmaktadr. TR 2 ise k
trafosudur. Devrede kullanlan
A
TR1'in sekonderi orta ulu olarak
sarlmtr. Sekonder sargnn st ve
R1
k
T1
alt ucunda elde edilen sinyaller
N1
birbirine 180 faz farkldr.
N2
TR1 trafosunun primer sargsna
giri
RE
src kattan sinsoidal biimli bir
HP
T2
R2
sinyal geldiini kabul edelim. Bu
TR1
TR2
durumda TR1'in sekonderinde zt
+V cc
B
polarmal iki sinyal oluur.
TR1 'in A noktasnda oluan
+V cc
sinyalin polaritesinin pozitif, B
ekil 6.25: Transformatrl faz tersleyici ykselte devresi
noktasnda oluan sinyalin
polaritesinin ise negatif olmas
durumunda T1 kesimde kalrken, T2 iletime geer.
Sekonder sarmnda oluan gerilimlerin polariteleri deitiinde ise T1 iletime, T2 kesime gider.
T1 ve T2'nin srayla iletim kesim olmas sayesinde TR2 trafosunun primerindeki N1 ve N2
sarmlarndan srayla zt ynl akmlar dolar. TR2'den geen akmlarn srekli olarak yn
deitirmesi, bu trafonun sekonderinde giri sinyaline benzer k sinyali oluturur.
Transformatrl faz tersleyiciler plaket zerinde ok yer kaplar. Ayrca trafolarn ses frekanslarna
kar gsterdii karakteristik kt olduundan gnmzde kullanm alanndan kalkmtr. Sadece
eski tip devrelerde karmza karlar.
G ykselteleri: Girilerine uygulanan sinyalleri akm bakmndan ykselten devrelerdir. Bu
devreler anfilerin k kat olarak grev yaparlar. Ykseltelerin g katlar gzle bakldnda hemen
belli olur. nk, k katnda kullanlan transistrler byk gvdeli ve alminyum soutuculudur.
G ykselte devrelerine ilikin iki ema arka sayfada aklanmtr.
I. Push - pull (it - ek) ilkesine gre alan g ykselteci: ekil 6.26'da verilen devrenin
giriine sinsoidal eklinde bir sinyal uygulandnda, TR1 trafosunun sekonder sarmnn kenar
ularnda birbirinin tersi polaritede iki AC sinyal oluur.
TR1 trafosunda oluan gerilimlerin ilk anda ekil 6.26'da gsterilen polaritelerde olduunu
varsayalm. Bu durumda A noktasnda pozitif, B noktasnda negatif sinyal olacaktr.
A noktasndaki pozitif sinyal T1'i srerek TR2'nin primerinin N1 bobininden deiken akm
geirir. B noktasndaki negatif sinyal ise T2'yi kesimde tutar.
T1'in, TR2 trafosunun N1 sarmndan geirdii deiken akm N3 sarmnda deiken bir akm oluturur.
A ve B noktalarnn polariteleri yn deitirdiinde ise T2 iletime, T1 kesime gider. T2'nin iletime gemesi
TR2'nin N2 bobininden deiken bir akm geirir. N2'den geen akm N1'den geen akma gre 180 zt
ynl olduundan N3 sarmnda oluan akm bir ncekinin 180 tersi polaritede olur.
Sonu olarak, TR1 trafosu giriine uygulanan sinyal yn deitirdike T1 ve T2 transistrlerinin
srayla iletim-kesim olmasn salar. Yani bir alternansn yarsn T1 transistrnden geen akm,
dier yarsn ise T2 transistrnden geen akm oluturur.
Push-pull tipi g ykselte devreleri genellikle ses frekans sinyallerinin ykseltilmesinde kullanlr.
115
ekil 6.26'da almas

+V cc
anlatlan push-pull tipi g
ykselte devresi A snf
k
alan bir devredir. A snf
T1
alan push-pull tipi g
A
ykselte devrelerinde kta
oluan sinyal bir miktar
N1
distorsiyonlu (% 4-5
N3
orannda) olmaktadr. Bunun
giri
nedeni, devrede kullanlan
N2
transistrlerin beyzlerine
HP
gelen sinyalin voltaj deeri
B
TR2
0,6-0,7 V olduktan sonra
TR1
T2
iletime gemeleridir.
Bu distorsiyon nedeniyle A
snf alan push-pull tipi
ykseltelerin verimi % 50 ekil 6.26: NPN transistr ve transformatrl push-pull g ykselteci devresi
dolaynda olmaktadr. ok
yksek deerli k gc istenilen push-pull
sistemli ykselteler ise B snf altrlr. B
C giri
snf alan ykseltelerin verimi ise yaklak
giri
+
I1
% 78 olmaktadr.
II. Simetrik g ykselteci (ara ve k
trafosu olmayan push-pull tipi ykselte):
ekil 6.27'de verilen devrede grld gibi

birbirine simetrik olarak balanm, farkl tipte
iki transistrn oluturduu ykselte eididir.
Devrenin giriine sinsoidal biimli bir sinyal
uygulandnda, sinyalin pozitif alternansnda T1
iletime geerken, T2 kesimde kalr. T1'in iletimde
olduu sre boyunca VCC1 'den gelen akm
hoparlr zerinden I1 akmn dolatrr.
Giri sinyalinin polaritesi negatif olduunda T2
iletime geerken, T1 kesimde kalr. T2'in iletimde
olduu sre boyunca VCC2 'den gelen akm
hoparlr zerinden I2 akmn dolatrr.
Grld zere giri sinyalinin polaritesi
deitike hoparlr besleyen rete de
deimektedir. te bu yap, devrenin simetrik
g ykselteci olarak anlmasna neden
olmaktadr.
VCC
1
hop.
T1
Ck
+
k
I2
VCC
2
T2
ekil 6.27: Simetrik g ykselteci devresi
R1
R2
R3
+V cc
R4
C3
T1
T2
Vk
Vgiri
Ykseltelerde ses (volume) ton (tn) ve

balans (denge) kontrol devreleri
a. Ses (volume) kontrol devresi: Ykseltecin
ses (volume)
kontrol potu
giriine uygulanan sinyalin iddetinin ekil 6.28: Ykseltelerde ses kontrolnn yapl
deitirilmesiyle ses kontrol yaplabilir.
Ykseltelerde yaplan ses kontrolnde mutlaka logaritmik zellikli potansiyometreler kullanlmaldr.
ekil 6.28'de ses frekans ykselteci devrelerinde ses kontrolnn yapl yntemine ilikin devre
rnei verilmitir.
116
ekil 6.29: R-C'li alak

frekanslar geiren filtre
giri
R
giri
117
ekil 6.31: R-C'li yksek

giri
ekil 6.32: R-L'li yksek

C1
R1
C2
III. R-C ile yaplan yksek frekanslar geiren pasif filtre:

Dk frekanslarda kondansatrn kapasitif reaktans byk
olduundan alak frekansl sinyaller dier kata geemez.
ekil 6.31'de R-C'li yksek frekanslar ka ulatran
(geiren) pasif filtre verilmitir.
IV. Bant durdurucu (istenilen frekanslar bastran) pasif

filtreler: Sadece istenilen frekans aralndaki sinyalleri durdurup dier
sinyallerin tamamn ka aktarrlar.
II. R-L ile yaplan alak frekanslar geiren pasif filtre:

Bu filtrede kullanlan bobinin indktif reaktans XL=2.p.f.L
denklemine gre frekans ykseldike byr. Bu nedenle yksek
frekansl sinyaller bobinden geemez.
ekil 6.30'da R-L'li alak frekanslar ka ulatran (geiren)
pasif filtre verilmitir.
ekil 6.30: R-L'li alak

III. Bant (istenilen frekanslar) geirici pasif filtreler: Sadece

istenilen frekans aralndaki sinyalleri geirip dierlerini bastrrlar.
Basit yapl pasif filtre devrelerinin eitleri unlardr:

I. R-C ile yaplan alak frekanslar geiren pasif filtre:
Bu devre sadece alak frekanslar geirir. Yksek frekanslar aseye
verir. Frekans ykseldike kondansatrn kapasitif reaktans
klr.
nk, XC = 1/2.p.f.C [W]'dur. Reaktansn klmesi
sinyallerin dier ykselte katna gemesini engeller.
ekil 6.29'da R-C'li alak frekanslar ka ulatran (geiren)
pasif filtre verilmitir.
Pasif ses frekans filtrelerinin eitleri unlardr:

I. Alak frekanslar geirici pasif filtreler (low pass filter):
Sadece alak frekanslar geirirler.
II. Yksek frekanslar geirici pasif filtreler (high pass
filter): Sadece yksek frekanslar geirirler.
giri
giri
b. Ton (tn) kontrol devresi: Ykseltelerde ton (tn)

kontroln anlayabilmek iin bobin, diren, kondansatr gibi
elemanlar kullanlarak yaplan pasif tip frekans filtrelerinin (sinyal
ayrclarn) alma mantn anlamak gereklidir.
Pasif filtreler, istenmeyen frekanslarn bastrlmas ya da
zayflatlmas iin kullanlan devrelerdir. Bunlar ekolayzr, mikser,
kaliteli hoparlr kolonu, tweeter (tivitr) gibi dzeneklerde kullanlr.
Frekans szme ya da seme devreleri, pasif filtreler ve aktif
filtreler olmak zere iki ksmda incelenir. Pasif filtrelerin yapsnda
bobin, diren ve kondansatrler mevcuttur. Bu elemanlar frekans
seicilii yaparken, sinyallerin bir miktar zayflamasna neden
olurlar. Aktif filtrelerin yapsnda ise ilave olarak ykselte devreleri
mevcuttur. Aktif filtrelerde ykselte olmas nedeniyle kondansatr,
bobin ve direnlerde kaybolan g telafi edilebilmektedir.
R2
ekil 6.33: Tizlik ayarlayc

ses frekans filtresi
IV. R-L ile yaplan yksek frekanslar geiren pasif filtre: Alak frekansl sinyallerde
bobinin indktif reaktans kk olduundan sadece yksek frekansl iaretler dier kata geebilir.
ekil 6.32'de R-L'li yksek frekanslar ka ulatran (geiren) pasif filtre verilmitir.
Ykseltelerde kullanlan ton (tn, bas-tiz) kontrol devrelerinin eitleri: nsan kula
20 Hz-20 kHz arasndaki frekanslara sahip sesleri alglayabilmektedir. Bu seslerden dk frekansl
sesler bas, yksek frekansl sesler tiz sesleri oluturur. yi kalite ykseltelerde bas ve tiz sesleri
istenilen oranda ka aktarabilen filtre devreleri vardr.
giri
I. Tizlik (ses inceltme, treble) ayarlayc filtre devresi: Yksek frekansl elektrik sinyalleri
hoparlrden tiz seslerin kmasn salamaktadr. yle ki; yksek frekansl sinyallerde akmn yn
deitirme hz daha fazla olduundan, hoparlrn esnek membran (kon, diyafram) da ok hzl
titremektedir. Membran ise havay hzl titretirdiinden kulak zarmz da buna gre titremekte ve
biz yksek frekansl sinyalleri tiz olarak alglamaktayz.
Tizlik ayarlayc basit devrelerin esas R-C filtrelerle yksek
frekanslar almak ve dk frekanslar bastrmaktr. ekil 6.33'te
verilen devrede P potunun deeri deitirildike filtrenin diren
R1
deeri deimekte ve buna bal olarak da ka giden sinyallerin
C1
frekans ayarlanmaktadr. P potunun orta ucu yukar doru
kaydrldnda ka giden yksek frekansl sinyal miktar artar.
P potunun orta ucu aaya doru kaydrldnda ka giden
yksek frekansl sinyal miktar azalr.
P
II. Bas (ses kalnlatrma, bass) ayarlayc filtre devresi:
Alak frekansl elektrik sinyalleri hoparlrden bas seslerin
C2
kmasn salamaktadr. yle ki; alak frekansl sinyallerde
R
2
akmn yn deitirme hz daha yava olduundan, hoparlrn
esnek membran da az titremektedir. Membran havay yava
titretirdiinden kulak zarmz da buna gre titremekte ve biz
ekil 6.34: Bas ayarlayc
alak frekansl sinyalleri bas olarak alglamaktayz.
ses frekans filtresi
Bas ayarlayc basit devrelerin esas da R-C filtrelerdir. ekil
6.34'te verilen devrede P potunun deeri ile oynanarak elektriksel sinyallerin alak frekansl olanlarnn
ka gitmesi salanabilir.
III. Bas-tiz ayarlayc filtre devresi: Bu tip devreler, bas ve tiz kontrol devrelerinin birleiminden
oluur. Uygulamada kullanlan ses sistemlerinde ok deiik tiplerde bas-tiz kontrol devreleri
karmza kmaktadr.
ekil 6.35'te verilen devrede P1 ve P2 potansiyometrelerinin deeri deitirilerek tiz ve bas sesler
istenilen oranda ka aktarlabilir. Devrede kullanlan C2 kondansatr kk kapasiteli olduundan
sadece yksek frekansl (tiz) sinyallere kar dk diren gsterir. P1 potansiyometresinin deeri
deitirildike C2 kondansatrnn geirdii sinyallerin ka ulama miktar deiir. P2
potansiyometresinin deeri deitirildike ise ka giden alak frekansl sinyallerin oran deimektedir.
c. Ses balans (balance, dengeleme) kontrol devreleri: Balans potu bulunduu konuma
gre girilerden birini aseleyerek, yani giri sinyalini eksiye vererek zayflatr. Bu sayede, stereo
kl olan bir radyo/teypte balans kontrol potuyla sa ya da sol hoparlrden kan sesin iddeti
ayarlanabilir. ekil 6.36'de balans kontrol devresinin yapsna ilikin basit ema verilmitir.
. Hi-fi (high fidelity) ykselteler ve dzenleri: Bir ortamdaki sesin aslna uygun olarak
kayt edilmesi, ykseltilmesi ve dinleyiciye ulatrlmasn salayan devrelere hi-fi ykselte denir.
ekil 6.37'de hi-fi zellikli ykselte devresinin blok diyagram verilmitir.
118
C1
R1
C2
giri
tiz
P1
bas
C4
P2
C6
C3
C5
R2
ekil 6.35: Bas-tiz ayarlama

yapabilen ses kontrol devresi
giri1
balans
(denge)
potu
k1
Baka bir deyile, insan kulann duyabilecei

seslerin tmn ayn seviyede distorsiyonsuz
(parazitsiz) olarak veren devrelere hi-fi ykselte denir.
Alman DIN 45500 standardna gre saptanan
deerlerle hi-fi, insan kulana geree en yakn
biimde ses ve mziin ulatrlmasna yneliktir. Hifi szc yksek sadakat anlamna gelir.
giri2
Hi-fi ykseltelerin baz zellikleri unlardr:
I. Grlt ve vnlama dzeyi ok dktr.
II. k sinyallerindeki distorsiyon % 1
dolayndadr.
III. Ykselte, giriine balanacak teyp, radyo,
mikrofon gibi aralarn zelliine gre empedans
uygunlatrc devrelerine sahiptir.
IV. Anfinin k sinyalini kalnlatrabilmek ya da
balans kontrolnn yapl
inceltebilmek iin ekolayzr devreleri vardr.
V. Bu tip ykselteler mono, stereo ve kuadro olabilmektedir.
10 mV
giri
alak seviye
yksek seviye
yksek seviye
n
ykselte
gerilim
ykselteci
gerilim
ykselteci
gerilim
100 mV gerilim
kazanc x 10
kazanc x 10
k2
Resim 6.1: Bas-tiz ayarlayc

ekolayzr rnei
hoparlr
g
ykselteci
1 V gerilim kazanc x 10 10 V gerilim
10 V
kazanc x 1
ekil 6.37: Hi-fi ykseltelerin blok emas
d. Ykseltelerde ses yayn sistemleri: Ses ve mzik yaynlar mono (monofonik, tek kanall),
stereo (stereofonik, iki kanall) ya da kuadro (quadrofonik, drt kanall) olarak yaplabilmektedir.
imdi bunlar inceleyelim.
I. Mono (tek yollu) ses sistemi: Tek yollu yayn yapar. Seste derinlik yoktur. Eski model ya da
dk kaliteli cihazlarda karmza kar.
ekil 6.38'de tek mikrofonlu (mono) yayn sistemi, ekil 6.39'da mono teybin yaps ve ekil 6.40'da
mono seslendirme sisteminin dzeni gsterilmitir.
119
teyp
kafas
mikrofon
ykselte
hoparlr
ekil 6.38: Mono yayn sistemi
ykselte
hoparlr
ekil 6.39: Mono teybin yaps
dinleyici
ekil 6.40: Mono
seslendirme sistemi
II. Stereo (steryo, iki yollu) ses sistemi: ki yollu yayn yapar. Ses kalitesi monodan daha
iyidir. Kayt esnasnda iki mikrofon kullanlr. Stereo ses sistemleri iki mono ykseltici birletirilerek
yaplmaktadr.
Uygulamada en ok karlalan ses datm sistemi stereo olandr.
ekil 6.41'de stereo ses yayn sistemi ve ekil 6.42'de stereo seslendirme dzeni gsterilmitir.
sahne
hoparlr
hoparlr
III. Kuadro (quadro, drt yollu) ses yayn sistemi: ekil 6.45'te prensip emas verilen
drt yollu yayn
yapma sistemi
ykselte
kuadro olarak
sahne
adlandrlr.
Stereo cihazdan
mikrofon
ikinci
birinci
drt kanall
hoparlrn
hoparlrn
yayn
yayn alan
yayn alan
yaptrabilmek
dinleyici
iin dzenleyici,
mikrofon
stereodan
ykselte
kuadroya
ekil 6.41: Stereo yayn sistemi
ekil 6.42: Stereo seslendirme sistemi
dntrc opampl devreler
kullanlr. (rnein oto radyo teyplerinde drt
hoparlrl yayn sisteminde, iki adet anfi ve
kuadroya dntrc devreden yararlanlmaktadr.)
Bu uygulamaya yapay kuadrofonik sistem
denilmektedir. Gerek kuadrofonik sistemde kayt
drt mikrofonla yaplr. Bu yntem uygulandnda
dinleyici
hoparlrler dinleyiciye geree ok yakn ses
verirler. Gerek kuadrofonik kayt ve datm
sistemleri yksek kaliteli cihazlarda karmza
kmaktadr.
ekil 6.43: Kuadro seslendirme sistemi
Transistrl ve entegreli ykselteleri

verimli kullanabilmek iin zen gsterilmesi gereken noktalar unlardr:
a. Hoparlr besleme kablolar en az 0,75 mm, en ok 2,5 mm kesitinde olmaldr.
b. Hoparlrden nlama sesleri (akustik geri besleme) duyuluyorsa:
I. Hoparlrlerle mikrofonlarn kar karya olmas nlenmelidir.
II. Hoparlrler belirli ykseklik ve alarla dinleyiciye ynlendirilmelidir. Yani hoparlrn yayd
seslerin direkt olarak mikrofonlara ulamas engellenmelidir.
III. Mikrofonlarn ses alan ksmlarna sngerden yaplm boneler mutlaka taklmaldr.
IV. Mikrofon ve hoparlrler birbirinden mmkn olduu kadar uzak tutulmaldr.
c. Anfinin metal gvdesi ok iyi topraklanmaldr.
. Kullanlmayan mikrofonlar kapal (off) olmaldr.
120
d. Hoparlr ve mikrofonlar taklmadan ykselte altrlmamaldr.

e. Kullanlan hoparlrlerin toplam empedans ile anfinin k empedans birbirine eit ya da yakn
dzeyde olmaldr.
f. Ykseltecin elektronik devresinin korunmasnda uygun amperajl sigorta kullanlmaldr.
g. Ykseltecin kolayca soumas iin hava akm olabilecek biimde yerletirme yaplmaldr.
Kapal meknlar devre elemanlarnn ar snmasna yol aarak arzaya neden olurlar.
. Hoparlrden istenmeyen haric (d) sesler (telsiz ya da radyo yaynlar) duyuluyorsa:
h. Ykselte besleme fiinin prize giri ular ters evrilmelidir.
I. Hoparlr tesisat da, ekranl olarak tanmlanan blendajl (rgl, koaksiyel, iie yerleik)
kabloyla yaplmaldr.
II. Ykseltece yaplm olan topraklama tesisat gzden geirilmelidir.
Kaynaka
Baaran, ., E., Ses Frekans Teknii, MEB Yayn Evi, Ankara 1988.
Boylestad, R., Nashelsky, L., Elektronik Elemanlar ve Devre Teorisi, MEB Yayn Evi, Ankara 1995.
Conrad Electronic 1996-2001 yl rn kataloglar.
Dutar, C., Ses Frekans Teknii, zmir 1988.
Dutar, C., Transistr Esaslar-I, zmir 1988.
ELV Electronic 1996-2004 yl rn kataloglar.
Maplin Electronic 1996-2002 yl rn kataloglar.
zdemir, Ali, Analog Elektronik-II, zkan Matbaas, Ankara 2004.
zdemir, Ali, Atlye-I, zkan Matbaas, Ankara 2005.
zdemir, Ali, Dijital Elektronik, leri Kumanda Teknikleri ve PLC, zkan Matbaas, Ankara 2005.
zdemir, Ali, Elektrik Bilgisi, MEB Yayn Evi, Ankara 2003.
zdemir, Ali, Elektroteknik-I, zkan Matbaas, Ankara 2005.
zdemir, Ali, Endstriyel Elektronik, zkan Matbaas, Ankara 2005.
zdemir, Ali, Laboratuvar-I, zkan Matbaas, Ankara 2005.
Parr E. A., Endstriyel Kontrol El Kitab I-II, MEB Yayn Evi, Ankara 1992.
RS Electronic 1998-2004 yl rn kataloglar.
Tbitak Bilim ve Teknik dergisinin 1987-2002 yllar arasnda yaynlanm saylar.
www.conrad-electronic.com, www.siemens.com.tr, www.esem.com.tr, www.elimko.com.tr,
www.philips.com.tr, www.bimel.com.tr, www.elv.de adl web adresleri.
Ycezsoy, M., Yar letken Prensipleri, Aselsan yayn 1989.
121
Transistrl yk
Geri besleme i
almasn ya da os
Bir ykselte dev
grld gibi ters
azalr. Dolaysyla
ktan alnan si
girie uygulandnd
ad verilir.
Emiteri ase yks
yaplan geri beslem
baknz. Burada kull
yle ki; RE'den
Bu da beyz tetiklem
Transistrl yks
kolektrne balanm
otomatik polarma) d
transistrn iletkenl
gre gerilimi (U
IB akmnn dmesi
Blm 7: Mikrofonlar ve hoparlrler

A. Sesin elektrie evrilmesi
Elektrik sinyallerini sese ya da ses sinyallerini elektrie eviren elemanlara
ses transdseri (dntrcs) denir.
Ykselte devrelerinde sesleri alglayc olarak mikrofon kullanlr.
Ykseltecin kndaki elektrik sinyallerini ses sinyallerine evirici olarak ise
hoparlr kullanlr.
Bu blmde sesleri alglayan ve yayan elemanlar hakknda bilgi verilecektir.
ekil 7.1: Ses dalgalarnn kulaa gelii
Sesle ilgili temel kavramlar
I. Ses: Ses, havadaki molekllerin ynlendirilmi ve dzenlenmi titreimlerinden oluur. nsan
kula 20 Hz-20 kHz'lik titreimlere sahip ses frekanslarn iitir.
Kulak zarna gelen titreimler sinirler araclyla beyine ulatktan sonra alglanr. Sesin yaylmas
suya atlan bir cismin oluturduu dalgalara benzetilebilir.
II. Ses frekans: Ses dalgalarnn saniyedeki titreim (salnm) saysdr.
III. Genlik: Mikrofon ya da ykselteten alnan ses sinyallerinin gerilim cinsinden bykldr.
Mikrofonlar: Ses sinyallerini (akustik enerji) elektrik sinyallerine eviren elemanlara mikrofon
denir. Bu elemanlar, ses sinyallerini elektrik sinyallerine eviren transdserler (transducer, transduser)
olarak da tanmlanabilir.
Mikrofonlarn yaps, zellii ve alma ilkesi nasl olursa olsun en nemli elemanlar diyafram
ad verilen esnek zar ksmdr. nk hava ortamnda ilerleyen ses dalgalarnn oluturduu basn
ilk nce mikrofonun diyaframn titretirmektedir. Mikrofon eitleri unlardr:
mikrofon ular
a. Dinamik (bobinli, manyetik) mikrofonlar: ekil 7.2'de i yaps grlen dinamik mikrofonun
diyafram (membran, kon, esnek zar) ad verilen ksmna gelen ses titreimleri bu elemann salnm
yapmasna neden olur. Titreen diyafram ise kendisine tutturulmu olan ok hafif hareketli bobini
titretirir. Silindirik yapl bir doal mknatsn iine yerletirilmi olan bobin ise gelen ses dalgalarnn
frekansnda (AF: Audio frequency, ses
frekans, alak frekans) elektrik sinyalleri
doal mknats
retir. retilen elektrik sinyallerinin deeri
son derece kk olup, 1-10 mV
dzeyindedir.
Mikrofonun iindeki mknatsn yannda
bulunan bobinde elektrik akmnn douu u
ekilde olmaktadr: Manyetik alan teorilerine
gre, N-S mknats kutuplarnn yannda
hareketli
esnek
bulunan bir bobin saa sola hareket ettirilirse
bobin
diyafram
ya da dndrlrse bobinin iinde bulunan
ekil 7.2: Dinamik mikrofonun i yaps
elektronlar manyetik alan tarafndan hareket
ettirilir. Bu da elektrik akmn dourur
bone
(indkler).
b. Kapasitif (kondansatr) mikrofonlar:
Statik elektriklenme esasna gre alan

mikrofon tipidir. ekil 7.3'te grld gibi,
kapasitif mikrofonlarda ses dalgalarnn
basnc, ince metal diyafram etkiler.
Diyaframn esnemesiyle kondansatr gibi
blendajl
kablo
jack
(jak)
Resim 7.1: Dinamik yapl mikrofon
122
kapasitif
tip yaka
mikrofonu
mikrofon
kapsl
mikrofon
kapsl
Resim 7.2: Kapasitif tip mikrofon rnekleri
sabit iletken levha
Vcc=+9V
JFET'li
n ykselte
G
kapasitif
mikrofon
kapsl
C
150 pF
JFET
R1
100 MW
R2
2,2 kW
ses dalgalar
ses dalgalar
metal diyafram
(hareketli levha)
Vcc
ekil 7.4: Kapasitif tip mikrofonun DC ile beslenmesi ve mikrofon n ykselte devresi
ekil 7.3: Kapasitif tip

mikrofonun i yaps
alan dzenein kapasitesi deiir. Bu deiim sesin zelliine gre kta elektrik sinyalleri
oluturur.
Kapasitif mikrofonlarn devreye balants ekil 7.4'te grld gibi DC beslemeli olarak yaplr.
Mikrofonun plakalarna uygulanan DC, modele gre 1,5 - 48 V arasnda deimektedir. (Gnmzde
yaygn olarak kullanlan kapasitif mikrofonlarn DC beslemesinde bir ya da iki adet kalem pil bulunur.)
Mikrofonun iinde bulunan n ykselte devresinde kullanlan 100 MW deerli R1 direnci JFET'in
DC polarma gerilimini salamaktadr.
Bu tip mikrofonlar yksek kalite istenilen yerlerde kullanlr. Ayrca hafif ve kk yapl olarak
retilebilirler.
Not: JFET, ok kk sinyallerin ykseltilmesinde kullanlan alan etkili transistrdr.
Hatrlatma: Kondansatrlerin kapasitesinin artmasna neden olan etkenler unlardr:
I. Levhalarn boyutunun (yzey alannn) bymesi,
II. Levhalarn birbirine yaklatrlmas,
III. Levhalarn arasna konan yaltkann (dielektrik) kalitesinin yksek olmasdr.
Kapasitif mikrofonlarn baz teknik zellikleri
I. 50-15000 Hz aras frekansl seslere kar duyarldr.
II. Distorsiyon (parazit, bozulma) oranlar azdr.
III. Empedanslar byktr (10-30 MW).
c. eritli (bantl) mikrofonlar: ekil 7.5'te grld gibi manyetik alan iine yerletirilmi
ince bir alminyum ya da kalay levhaya ses sinyalleri arpnca, manyetik alan iinde hareket eden
levhada ses frekansl akm oluur.
eritli mikrofonlarn empedeans ok dk, kaliteleri yksektir. Sarsntdan, rzgrdan
123
olumsuz etkilendiklerinden kapal

ortamlarda kullanlrlar.
doal
mknats
doal
mknats
ses
dalgalar
ykseltece giden ular
. Piezoelektrik kristalli
mikrofonlar (kristal
mikrofonlar): Kuartz (quartz),
roel (rochelle) tuzu, baryum,
turmalin gibi kristal yapl
maddelere basn uygulandnda
zerlerinde elektrik akm oluur.
Bu akm, basncn kuvvetine ve
frekansna gre deiir. te bu
esastan yararlanarak kristal
mikrofonlar yaplmtr.
Kristalli mikrofonlarda, kristal
madde ekil 7.6'da grld gibi
ok ince iki metal elektrot arasna
yerletirilmi ve bir pin (kk
ubuk) ile diyaframa
tutturulmutur. Ses titreimleri
diyafram titretirince kristal de
titremektedir. Kristaldeki titreim
ise AC zellikli sinyallerin
olumasn salamaktadr.
esnek erit
eritli
mikrofon
ekil 7.5: eritli mikrofonun i yaps
ses dalgalar
esnek
diyafram
balant
pini
elektrot
elektrot
kristal
Kristal mikrofonlarn baz

teknik zellikleri
mikrofon ular
I. Kaliteleri yksektir.
ekil 7.6: Kristal mikrofonun i yaps
II. Hassas yapldr.
III. Kristalin rettii gerilimin
deeri ok kk olduundan mikrofonun iine mini bir n ykselte (preanfi) monte edilir.
IV. Mikrofonun yapmnda kullanlan kristal, nem, scaklk ve gne ndan uzak tutulmaldr.
V. Kristal, sarsnt, drme ve arpmalardan dolay bozulabileceinden, bu tip mikrofonlarn
zenle kullanlmas gerekir.
Ek bilgi: Piezo kelimesinin anlam sktrmadr. Baz maddelerin sktrlmas elektron ve oyuk
hareketini ok hzlandrmakta, gelen basncn iddetine gre maddede EMK olumaktadr. Skmaya
bal olarak gerilim reten maddeler sadece mikrofon yapmnda deil, kristal hoparlrlerde, basn
lerlerde ve benzeri kullanlrlar.
d. Elektret (electret) mikrofonlar: Rondela (halka) biimindeki ince bir yar iletken maddenin
iki yz, retim aamasnda elektrostatik yntem kullanlarak art (+) ve eksi (-) ile yklenir. Bu
elektrik yk yar iletkenin maddenin zelliinden dolay yllarca ayn deerde kalr.
Elektret kapsl, kristal mikrofonlarda olduu gibi diyaframa balanmtr. Diyafram titretiinde,
elektret de hareket eder. Bu da kapsln molekler yapsn deitirerek elektrotlar arasnda bir
gerilim olumasn salar. ekil 7.7 ve resim 7.3'te elektret mikrofonlarn yaps verilmitir.
Not: Elektret szc, elektriklenebilen anlamna gelmektedir.
Elektret mikrofonlarn teknik zellikleri
I. Direnleri (empedanslar) yksektir.
II. Boyutlar kk olduundan yaka mikrofonu olarak kullanlmaya uygundur.
124
elektret
membran
kar elektrot
membran
basnla
konan metal
yzey
balant
ular
ekil 7.7: Elektret mikrofonun i yaps
Resim 7.3: Elektret mikrofon rnekleri
III. Hassasiyetleri yksektir.

IV. lave bir DC reteciyle besleme yapmaya gerek duymazlar.
V. Frekans bantlar genitir. Yani alak ve yksek frekansl sinyalleri dengeli olarak alglarlar.
sabit levha
hareketli levha
ses dalgalar
diyafram
ses
dalgalar
karbon zerrecikleri
diyafram
karbon
zerrecikleri VCC
VCC
+
k
ekil 7.8: Karbon tozlu mikrofonun i yaps
e. Karbon tozlu mikrofonlar: Karbon tozlu mikrofonlar ekil 7.8'de grld gibi bir hazne
iinde doldurulan karbon tozu zerrecikleri ve esnek diyaframdan olumutur.
Ses dalgalar alminyum diyaframa arpnca bu eleman titreerek karbon zerreciklerinin skp
gevemesine yol aar. Tozlar sknca akmn gei yolu ksalacandan diren azalr. Tozlar
geveyince ise akmn gei yolu uzayacandan diren ykselir. te bu ilem esnasnda sesin iddetine
gre karbon tozlarndan geen akm deiken zellik gsterir.
Karbon tozlu mikrofonlarn alabilmesi iin bir DC besleme kaynana gereksinim vardr. Bu tip
mikrofonlarn empedanslar 50 W dolaynda olup ok kktr. Ayrca, kmr tozlar zamanla
zelliini kaybettiinden mikrofonun hassasiyeti bozulmaktadr. te bu nedenle gnmzde ok
kullanlan bir mikrofon tipi olmayp, eski tip telefonlarda vb. karmza kmaktadr.
Mikrofonlarn frekans karakteristii: Mikrofonlarn frekans karakteristii, diyaframa gelen
ses sinyallerinin her frekansna ayn oranda tepki vererek dzgn bir kt oluturmas anlamna
gelmektedir. Bir mikrofonun frekans karakteristiinin dzgn olmas retim kalitesiyle ilgilidir.
Mikrofon seiminde empedans, duyarllk, frekans karakteristii, yn karakteristii gibi unsurlar
gz nne alnr.
Empedans, mikrofonlarn yapmnda kullanlan malzemelerin zelliine gre deimektedir. Yani
dinamik yapl bir mikrofonda kullanlan bobinin sarm says ve telin kesiti empedans belirlemektedir.
125
dB (kazan)
20
10
0
-10
-20
-30
20
f (kHz)
30
50
1000
2000
5000
9000 10 kHz 20 kHz
ekil 7.9: Dinamik mikrofonlarn frekans karakteristii
Mikrofonlarn duyarll, ses frekansl gerilimi oluturmak iin uygulanan ses basncna, k
geriliminin genliine, empedansna gre belirlenir. Mzik yaynlarnda yksek duyarllkl mikrofonlar
istenirken, konuma amal dzeneklerde duyarllk pek nemsenmez. Duyarll yksek bir mikrofon
evreden gelen seslerin tamamn algladndan ykselte knda istenmeyen seslerin olumasna
neden olabilir.
Mikrofonlarn frekans karakteristii, diyaframa gelen ses dalgalarnn seviyesi belli bir deerde
tutulduunda, mikrofon kndaki gerilimin frekansa bal olarak nasl deitiini gsterir. Kaliteli
bir mikrofonda oluan ses frekansl gerilim, genlik ve frekans asndan, kendisini oluturan ses
dalgasnn zelliklerini aynen tamaldr.
yi bir mikrofonun frekans karakteristii btn frekans deerlerinde ayn dzeyde olmaldr. Ancak
uygulamada kullanlan mikrofonlar kalite ve modellerine gre deiik karakteristik sergilerler. yi
kalite mikrofonlarn frekans karakteristii de dzgn olmaktadr.
Frekans karakteristii, ses kaynann ynne ve mikrofona uzaklna bal olarak deiir. Stdyo
kaytlarnda, hassas, dzgn bir frekans karakteristii istenir. ekil 7.9'da dinamik mikrofonlarn
frekans karakteristii verilmitir.
Mikrofonlarda empedans: Frekansa bal olarak elektrik akmna gsterilen zorlua empedans
denir. Bir mikrofonun empedans deeri ok nemlidir. Rastgele mikrofon seimi yaplrsa dk
verim sz konusu olur. Gnmzde yaygn olarak kullanlan mikrofonlarn empedans deerleri,
300, 600 ve 2000 ohmdur. Bunlardan 600 W'luk dinamik mikrofonlar ok yaygn olarak
kullanlmaktadr.
Kablosuz (telsiz) mikrofonlar: Telsiz mikrofonlar, mikrofon ve kk gl VHF, UHF ya da
FM bandnda sinyal gnderebilen mini vericinin bir gvde iinde birletirilmesiyle yaplmlardr.
VHF (160-250 MHz) ve
UHF (800-960 MHz)
FM 88-108
bantlarndan yayn yaparak
MHz vericili
alan telsiz mikrofonlar
telsiz
mikrofon
profesyonel amal olup ok
pahaldr. (Yaklak 300-600
ABD Dolardr.) Bunlar,
tiyatro, konser ve toplant
salonlarnda kullanlrlar.
FM bandndan (88-108
MHz) yayn yaparak alan
telsiz mikrofonlar ise amatr
Resim 7.4: eitli telsiz mikrofonlar
126
amal olup ucuzdur.

Mono ve stereo (steryo) mikrofonlar: Tek kanall mikrofonlar monodur ve ses kaliteleri
dktr. yi kalite ses iin iki yollu (stereo) mikrofonlar yelenir. Stereo mikrofonlar iki mono
mikrofonun birlemesinden olumutur.
Mikrofon kablolar: Ses alma sistemlerinde blendajl (rgl) mikrofon kablolar kullanlr.
Bunlar, d manyetik etkileri bastrc zellie sahiptir.
Dinamik mikrofonlarn salamlk testi: Ohmmetreyle lldnde bir diren deeri
gstermelidir. Ayrca lm esnasnda bir tkrt duyulmaldr. Kapasitif ya da baka tip mikrofonlarn
salamlk testi ise eleman anfiye taklarak yaplabilir.
a. ok ynl mikrofon
b. ki ynl mikrofon
c. Tek ynl mikrofon
ekil 7.10: Mikrofonlarn al diyagramlar
Mikrofonlarn al diyagramlar (yn karakteristii): Gelen sesin ynne gre

karakteristiklerinin grafiksel olarak tanmlanmasdr. Tm mikrofonlarn yaplarna gre deiik
ynlerden gelen seslere kar tepkileri farkldr.
Uygulamada kullanlan mikrofonlar al diyagramlarna gre,
I. ok ynl (ynsz), II. ki ynl, III. Tek ynl olmak zere eit mikrofon vardr.
Bir ynl mikrofonlar nden gelen seslere ok duyarl, dier ynlerden gelen seslere kar ise az
duyarldr. Bu tip mikrofonlar, istenmeyen seslerin alnmamas gereken yerlerde kullanlr.
ki ynl mikrofonlar karlkl olarak iki yndeki seslere ok duyarl, dier ynlere az duyarldr.
Bu tip mikrofonlar karlkl konumann sz konusu olduu yerlerde kullanlrlar.
Ynsz mikrofonlar herhangi bir ynden gelen seslere kar ayn tepkiyi gsterirler.
ekil 7.10'da ok ynl, iki ynl ve tek ynl mikrofonlarn al diyagramlar (sesleri alma alar)
verilmitir.
Mikrofonlarda bulunmas gereken zellikler: Mikrofonun rettii elektrik sinyallerinin
dzgn (distorsiyonsuz) olabilmesi iin kalite ok nemlidir. Mikrofon seilirken nerede kullanlaca
gz nne alnmaldr. Ar sarsnt, rzgr, nem, evredeki grlt vb. gibi etkenlerin mikrofona
ulamamas iin tek ynl ve boneli (snger balkl) mikrofonlar kullanlmaldr.
B. Elektriin sese evrilmesi
Ykselte devresinin kndan alnan deiken zellikli sinyaller, hoparlr ad verilen devre
elemanlar araclyla ses sinyallerine dntrlebilmektedir. Bu blmde hoparlrlerin ve
kulaklklarn yaps, almas hakknda temel bilgiler verilecektir.
Hoparlrler: Elektriksel sinyalleri insan kulann duyabilecei ses sinyallerine eviren elemanlara
hoparlr denir. Hoparlr eitleri ve zellikleri yledir:
127
tweeter
mknats
(a)
ekil 7.11: Hoparlr sembol
(b)
Resim 7.5: Dinamik hoparlrler
a. Dinamik (hareketli bobinli)

hoparlrler: Resim 7.12'de grld
gibi dinamik hoparlrler, bobin,
gvde
d
mknats, kon (diyafram) gibi
sspansiyon
doal
elemanlarn birleiminden olumutur.
mknats
Bu elemanlarda demirden yaplm bir
bas sesler iin
mini bobin
silindirin ortasna doal mknats
byk kon
yerletirilmitir. Mknatsla yumuak
demir arasndaki hava aralna ise
i sshoparlr diyaframnn uzants zerine
pansiyon
sarlm bobin konmutur.
Bobinin sarld diyaframn alt ksm
bir sspansiyon (esnek tayc) ile
gvdeye tutturulmutur. Bobin,
tiz sesler iin
sspansiyonlar sayesinde hava
i kon
aralnda
rahata
hareket
edebilmektedir. Hoparlrlerde kon iki
hava aral
tanedir. Geni apl olan darda,
kk apl olan ortadadr. Byk kon
hoparlr
kaln (bas) sesleri, kk kon ise ince
ular
(tiz) sesleri oluturur.
Dinamik yapl hoparlrlerin alma
ilkesi yledir:
Ykselteten gelen AC zellikli
sinyaller hoparlr iindeki bobinin
ekil 7.12: Dinamik hoparlrlerin yaps
etrafnda deiken bir manyetik alan
oluturur. Bu alan ile sabit mknatsn alan birbirini itip ekerek diyaframn titreimine sebep olur.
Diyaframn ses sinyallerine gre titreimi havay titretirir. Kulak zar da buna bal olarak titreerek
sesleri alglamamz salar.
Tweeter (tivitr)'l dinamik hoparlrler: Resim 7.5-b'de grld gibi iki ya da hoparlrn
bir gvde iinde birletirilmesiyle retilmi elemanlara tweeter (tivitr)'l hoparlr denir. Bu elemanlar
az yer kapladndan zellikle oto radyo teyplerinde kullanlmaktadr. Bunlarda, ortadaki kk
hoparlrler tiz sesleri vermektedir. Tiz sesleri veren minik hoparlrlere sadece yksek frekansl
sinyallerin gitmesini salamak iin elemana seri olarak 1-10 mF aras kapasite deerlerine sahip
elektrolitik kondansatrler kullanlmaktadr.
b. Hava tazyikli (borulu) hoparlrler: Hava tazyikli hoparlrler ekil 7.13'te grld gibi
128
dinamik yapl hoparlre koni eklinde bir boru

eklenmesiyle yaplmtr. Boru, sesin daha uzak
mesafeye gitmesini salamaktadr. Hava tazyikli
hoparlrlerin sesleri oluturan bobin, mknats,
diyaframdan meydana gelmi ksmna nit (unit) ad
verilir.
Resim 7.6'da grlen nitler yaygn olarak 25, 35, 60,
100 W glerde retilirler. Okul, stadyum vb. yerlerin
ses dzeneklerinde kullanlan hava tazyikli hoparlrlerin
nitlerindeki ses oluturan bobinler sklp
taklabilecek cinstendir.
nit iinde bulunan membran adl ksm (resim 7.7)
bobin ve esnek diyaframdan oluur. Membran
arzaland zaman yenisiyle deitirilir.
nit iindeki membrann ayrlabilir olmas maliyeti
drc bir etkendir. Yani hoparlr arzaland zaman
yalnzca membran deitirilir.
c. Piezoelektrik (kristal) hoparlrler: Resim
7.8'de yaplar grlen piezoelektrik hoparlrler izgi
biiminde, birbirine kar polarize edilmi, bklgen
piezooksit (kurun, elmas, titan karm) maddeden
yaplmlardr. eritlere akm uygulandnda, boyut
uzayp ksalr ve kardakini itip eker. Bu titreim ise
esnek membran hareket ettirerek ses oluur.
Piezoelektrik hoparlrler daha ok yksek frekansl
seslerin elde edilmesinde (kolonlarn tivitrlarnda) ve
kulaklklarda kulllanlmaktadr.
huni (boru)
ses basn
odas
diyafram
sspansiyon
bobin
mknats
kon
nit
ekil 7.13: Hava tazyikli

(borulu) hoparlrlerin yaps
Hoparlr kabinleri (kolonlar): Hoparlrlerden iyi

ve yksek ses alabilmek iin uygun malzemeden
yaplm kabinler kullanlr (resim 7.9). Kabin
kullanlmad zaman hoparlrn n ve arka ksmna
doru yaylan ses dalgalar birbirini zayflatc etki yapar.
Yani havann titreimi istenilen dorultuda olmaz. Bu
olaya akustik ksa devre denir. Akustik ksa devre
olaynda zellikle bas sesler olduka zayflar.
Aratrmalara gre en verimli kabin ceviz ya da
Resim 7.6: Hava tazyikli
edeeri aalardan yaplmaktadr. Ancak piyasada
hoparlr niti rnei
yaygn olarak suntadan ya da plastikten retilmi
kolonlar bulunmaktadr.
Hoparlr kabinlerindeki byk hoparlrler alak
frekansl kaln (bas) sesler iin kullanlr. stteki kk
hoparlrler ise yksek frekansl ince (tiz, treble) sesleri
retirler.
Anfiden gelen ses sinyallerini birbirinden ayrarak
uygun hoparlre gndermek iin pasif ya da aktif
(ykselteli) filtre devreleri kullanlr.
Hoparlrlerin kabinlerinin boyut llerinin hesab
Resim 7.7: Hava tazyikli hoparlr
nitine taklan membranlar
olduka teknik bir husustur. Amatrler bu konuda fazla
zaman kaybetmeden sonuca gitmek istediklerinde,
piyasada satlan iyi kalite mzik setlerinin kabin boyutlarn l olarak alabilirler.
129
titreim
oyuu
piezo
transdser
Resim 7.8: Piezoelektrik (kristal) hoparlrlerin yaps ve kristal hoparlr rnekleri
Resim 7.9: Hoparlr kabinleri (kolonlar)
Ek bilgi: Kabinin ses verimi zerindeki nemini basit bir deneyle anlamak mmkndr. Minik
bir hoparlr nce plak olarak altrn ve sesi dinleyin. Daha sonra bu eleman herhangi bir kabn
iine (bardak, kutu ve benzeri) yerletirip sesi tekrar dinleyin. Hoparlrden kan seslerdeki art net
olarak hissedilecektir.
Hoparlr kolonlarnda kullanlan pasif filtre (ses frekans ayrc) devreleri: Bir hoparlrn
ses frekans band iindeki btn frekanslarda ayn iddette ses vermesi mmkn deildir. O hlde
bir kabin iine bir ka hoparlr kendi aralarnda seri, paralel balamak sretiyle yerletirebiliriz.
Bylece hem istediimiz empedans deerini elde ederiz, hem de eitli frekanslarda sesler duyarz.
Ancak istenilen k empedansnn elde edilmesine karn, byle bir kabinin ularn anfiye
baladmzda distorsiyonlar duyulur. nk kabin iindeki hoparlrler ayn anda alacaklarndan,
baz frekanslarda ar derecede yklenme (anfiden ekilen akmn artmas) sz konusu olur.
Bu durumu engellemek iin resim 7.10'da grlen frekans filtreleri retilmitir. Filtrelerin esas bobin ve
kondansatrlerin reaktanslarnn frekansa gre deimesidir. yle ki; hoparlre seri balanan bir kondansatr
gelen her frekansa ayr bir reaktans gsterir. Kondansatrlerin reaktans deeri, XC = 1/2.p.f.C ile
bulunmaktadr. Buna gre kondansatre uygulanan elektrik sinyallerinin frekans ykseldike XC
klr. IC = V/XC olduuna gre geen akm artar. Akmn artmas ise hoparlrden kan sesi
ykseltir.
Hoparlre paralel olarak bir kondansatr balandktan sonra karlan ular anfiye balanacak
Resim 7.10: Hoparlr kolonlarnda kullanlan pasif tip ses frekans filtreleri (sinyal ayrclar)
130
olursa sadece bas sesler duyulmaya balar.

Filtre olarak hoparlre seri bal bobin kullanlrsa: XL = 2.p.f.L denklemine gre yksek
frekanslarda XL byk olacandan, yksek frekansl tiz sesler duyulmaz olur.
Filtre olarak hoparlre paralel bal bobin kullanlrsa: XL = 2.p.f.L denklemine gre alak
frekanslarda XL kk olacandan, alak frekansl bas sesler duyulmaz olur.
Bobin ve kondansatrlerin bu gzel zellikleri sayesinde hem istediimiz sesleri duyabiliriz hem
de anfi k ar yk altnda kalmaz.
Kabin iinde bulunan 2 ile 6 aras saydaki hoparlre balanan bobin ve kondansatr esasl filtreler
sayesinde, anfiden gelen tiz, medyum, bas zellikli sesler ayr hoparlrlerden duyulur. Yani filtreler
anfinin akmn frekans bakmndan bler. Hoparlrlerin hepsi ayn anda akm ekmez. Herbiri kendi
alglama snrlar dhilinde akm ekmeye balar.
Baka bir deyile:
Bas ses yayan hoparlrler: 16 - 600 Hz (dk frekansl sesler).
Medyum ses yayan hoparlrler: 400 - 6000 Hz (orta frekansl sesler).
Tiz ses yayan hoparlrler: 4000 - 16.000 Hz'lik yksek frekansl sesleri yayarlar.
16 Hz ile 16.000 Hz arasnda deikenlik gsteren frekansl sinyalleri alglayabilen kulamz iin
ses, kabinler tarafndan e blnm olarak yaylmaktadr.
Gnmzde her gte kolon iin hoparlr filtresi hazr olarak satldndan filtre hesaplamalar
zerinde durulmayacaktr. nk hassas lme aralarna sahip olmadan retilen filtrelerin verimi
dk olmaktadr.
ekil 7.15: ki yollu hoparlr

filtresinde bobin lleri
ekil 7.14: ki yollu hoparlr filtresi
Hoparlr kabinleri iin iki yollu pasif filtre devresi rnei: ekil 7.14'te verilen basit
devre ykselteten gelen sinyalleri bas ve tiz eklinde ikiye ayrr. Devre zellikle 40 W'lk, iki yollu
kabinler iin uygundur.
Filtre devresindeki bobinlerin zellikleri: L1: 0,50 mm apnda tel ile 235 sarm L2: 0,40 mm apnda
tel ile 135 sarmdr.
Hoparlr kablolar: Hoparlr besleme devrelerinde en az 2x0,75 mm'lik ok damarl kablolar
(bitiik kordon, blendajl kablo vb.) kullanlmaldr. Kullanlan kablo iki renkli tipte olursa art (+)
ve eksi (-) u kolayca belirlenebilir. Hoparlrleri beslemede kullanlan kablo blendajl (rgl) olursa
ses kalitesi ok iyi olur.
Nasl bir mzik yayn sistemi kurmalym sorusu ok karmza kar. Bu durumda hemen bir yant
vermek yanl olur. nk ses tesisatnn kurulaca yerin lleri ve zellikleri ok iyi belirlenmeden
yaplacak bir sistem hatal olabilir. Dn, spor, konferans salonu gibi meknlara ses dzeni kurulurken
temel prensiplere dikkat edilmedii zaman bir ok problem kabilir. (Sesin azl, nlamalar, ar
ses, seste bozulmalar sk karlalan sorunlardr.) Yksek gl seslendirme dzeneklerinde devre
131
eleman seimi, teknik bilgi ve deneyim gerektirir. O nedenle malzeme alm yaplrken kkl gemii
olan firmalarn satn yapt kaliteli hoparlr, mikrofon, anfi, kolon donanmlar tercih edilmelidir.
Hoparlr karakteristii ve empedans: Kaliteli bir hoparlrn 40 Hz ile 16000 Hz
arasndaki yayn
bandnda
ortalama ses
dzeyi
deiiklii ekil
7.16'daki grafikte
grld gibi
ok az olmaldr.
Piyasada satlan
her hoparlr,
ykselteten
gelen alak ve
yksek frekansl
elektrik
sinyallerini ayn
ekil 7.16: DIN 45500 normuna gre hoparlr karakteristii
duyarllkla
alglayarak sese
eviremez. Bu sakncay giderebilmek iin 3-4 hoparlrden oluan kolonlar kullanlr.
Kolonlardaki kk apl hoparlrler yksek frekansl (tiz) sesleri, byk apl hoparlrler ise
alak frekansl (bas) sesleri iyi retir.
Her hoparlr kendisini besleyen anfiye kar elektriksel bir diren (empedans) gsterir. Bu empedans
deeri yaygn olarak 2 - 80 W arasnda deiir. Empedans deeri ses sistemlerinde ok nemlidir.
Yksek verim elde etmek iin ses frekans sinyali veren cihazn k empedans ile hoparlr empedans
birbirine eit olmaldr. Piyasada 4 - 8 W'luk hoparlrler yaygndr.
Ek bilgi: Hoparlrlerin empedans deeri 400 - 1000 Hz frekansl akmlar uygulanarak hassas
cihazlarla llmektedir. Ohmmetre ile yaplan lmde okunan deer empedans deeri deil bobinin
omik diren deeridir. Bir hoparlrn direnci ohmmetre ile lm yapldnda 12 W olarak
belirlenmise, empedans deeri Z = 15 - 16 W olarak kabul edilebilir.
Ykseltecin k gcnden daha dk deerli hoparlr kullanlrsa: Ses kalitesi
der. Hoparlrden vnlama, zrlt duyulur ve eleman bozulabilir.
Ykseltecin k gcnden daha yksek deerli hoparlr kullanlrsa: Ses az ve
kalitesiz kar. Ykseltecin elektronik devreleri ar snarak bozulabilir.
Ykselte k empedans hoparlr empedansndan byk olursa: Ses kaln ve
grltl kar.
Ykselte k empedans hoparlr empedansndan kk olursa: Ses ince ve az kar.
Hoparlrlerde g: Hoparlrlerin etiketlerinde empedans deerinin yannda g (W) deeri de

belirtilir. Ses sinyali reten aygtn (anfi, teyp) gcnden ok kk gte hoparlr balanrsa,
hoparlrler uzun mrl olmaz. Bir sre sonra bobin yanar.
Anfi kna ekebileceinden ok fazla gte hoparlr balanrsa (rnein walkman'e yksek
gl hoparlr balama) bu durumda ses k seviyesi ok azalr. nk gc yetersiz gelen alet,
hoparlrn diyaframn istenildii ekilde titretiremez. Ayrca hoparlr walkman (volkmen)'i ar
yk altnda brakacandan k kat snmaya balar. Ar s ise elektronik devrelerin dengesini
132
bozup arzaya neden olur.

Uygulamada yaygn olarak kullanlan hoparlrlerin g deerleri yledir: 0,2-0,3-10-15-25-3040-50-60-70-80-100-120-150-180-200-250-300-400-500-600-800-1000-1200 W...
Hoparlrlerde polarite (art ve eksi u): Hoparlr balant terminallerinde art (+) ve eksi () iaretleri karmza kar. Ayn zamanda ses sinyali reten cihazlarn k ularnda da art (+) ve
eksi (-) iaretleri vardr. Hoparlr balanrken bu iaretlere dikkat etmek gerekir.
Bir tek hoparlrn devreye dz ya da ters balanmasnn pratik olarak hi bir sakncas yoktur.
Birden fazla hoparlrl sistemlerde art (+) ve eksi (-) iaretlerine uyulmadan balant yaplrsa ses
verimi der.
yle ki; ters balantda iki hoparlre ayn anda elektrik sinyali gittiinde diyaframn biri darya
doru havay titreirken, br ieri doru titreir. Bu da kulamza ses titreimlerini tayan havann
titreiminin dengesiz olmasna neden olarak ses verimini drr.
Polaritesi (art ve eksi ucu) belli olmayan bir hoparlrn ular basite yle belirlenir:
1,5-9 voltluk bir pilin ular hoparlr terminal ularna ksa sreli olarak dedirilir. Diyafram da
doru titretii anda pilin art (+) ucunun dedii yer hoparlrn art (+) ucudur.
Hoparlrlerin seri, paralel, kark balanmas ve empedans uygunlatrma
a. Seri balama:
Hoparlrler seri balandnda
+
+
toplam empedans artar. 100 W, 8
W'luk iki hoparlr seri
Z1
Z2
baladmzda 50 W, 16 W'luk
ZT
bir hoparlr elde ederiz. Seri
ekil 7.17: Hoparlrlerin
bal hoparlrlerde toplam
seri balanmas
empedans bulmada kullanlan
denklem, ZT = Z1 + Z2 + ... + Zn [W]'dur.
+
ZT
+
-
Z1
Z2
ekil 7.18: Hoparlrlerin

paralel balanmas
rnek: Empedans deerleri 8 W olan iki hoparlr seri balanmtr. Sistemin toplam empedansn
bulunuz.
zm: ZT = Z1 + Z2 = 8 + 8 = 16 W
b. Paralel balama: Hoparlrler paralel balandnda toplam empedans azalr. 100 W, 8 W'luk
iki hoparlr paralel baladmzda 200 W, 4 W'luk bir hoparlr elde ederiz.
Paralel balantda toplam empedansn bulunmasnda kullanlan denklem:
rnek: Empedans deerleri 4 W olan iki hoparlr paralel balanmtr. Sistemin toplam
empedansn bulunuz.
zm:
c. Kark (seri - paralel) balama: ok hoparlrl ses datm sistemlerinde toplam hoparlr
empedansn anfi empedansna eit hle getirmek iin uygulanan yntemdir.
rnein 3-4 katl bir yapda her katdaki hoparlr kendi arasnda seri balandktan sonra, seri bal
gruplar kendi arasnda paralel balanarak empedans eitlenebilir.
yle ki; iki katl bir yapda her katta 3 adet 8 W'luk seslendirme hoparlr bulunsun. Birinci ve
ikinci katdaki hoparlr kendi arasnda seri balarsak 24 W'luk iki grup elde ederiz. Sonra bu iki
grubu birbirine paralel baladmzda sistemin toplam empedans 12 W olur.
133
Ykseltecin k nn u zak
mesafede bulunan hoparlrlere
iletilmesi: Ykselte ile hoparlrler
arasndaki mesafe ok uzun olursa, ses
verimi der. Yani uzun hat elektriksel
sinyallere diren gsterdiinden, hoparlre
ulaan AC zellikli sinyallerin geriliminde
dme olur. te bu durum karsnda uzun
hatlardan kaynaklanan zayflama hat
trafolar kullanlarak ortadan kaldrlr.
ekil 7.20'de hat trafolarnn balanna
ilikin rnek devre verilmitir.
+
Z1
Z2
-
Z4
+
Z5
Z3
Z6
ZT
ekil 7.19: Hoparlrlerin kark balanmas
Z3
Hop arlr seimi: Ses
Z2
Z1
sistemlerinde rastgele hoparlr
+
+
+
seimi yapldnda maliyeti
hat trafolar
yksek arzalar (anfi ya da
hoparlr arzalar) karmza
dier
ykselte k
kmaktadr. O nedenle iyice
hoparlrlere
aratrp incelemeden, kalitesinin
ne olduunu bilinmeden hoparlr
ekil 7.20: Ykseltecin kndan alnan ses sinyallerinin
hat trafolar kullanlarak uzak mesafelere iletilmesi
alnmamaldr. Ayrca ses
sisteminin empedans ve g
deerlerine dikkat edilmelidir.
Bu konuda ksaca bilgi verecek olursak: Ses sinyali yayan cihazn gc belirlenmeli ve buna gre
hoparlr kullanlmaldr. ok ses ksn diye fazla hoparlr balama yoluna gidilmemelidir. lkemizde
zellikle oto radyo teyplerinin kna rastgele hoparlr balants yaplmakta, bu ise sk sk arzalara
yol amaktadr.
Hoparlrlerin salamlk testi: Ohmmetre komtatr x1 W konumuna alnarak yaplr. Yaplan

lmde kk bir diren deeri okunmaldr. Bunun yannda lm esnasnda hoparlr bobini,
membran bir miktar titretirmelidir.
ekil 7.21: Kulaklk

sembol
Resim 7.11: Mono

kulaklk
Resim 7.12: Stereo kulaklklar
Kulaklklar: Hoparlrlerin boyutlarnn kltlmesiyle elde edilmi elemanlardr. Verdikleri

ses ok yakndan iitilebilir. Bunlar, mono ya da stereo olarak retilirler.
Kulaklk eitleri unlardr:
a. Dinamik (bobinli) kulaklklar: ekil 7.22'de grld gibi mini bobin, mknats ve
diyaframdan olumu elemandr.
134
Bu tip kulaklkta ykselteten gelen sinyal

bobinde manyetik alan oluturur. Mknats
bobini titretirir, diyafram titreir ve ses
ortaya kar.
Gnmzde dinamik yapl kulaklklar
ok yaygn olarak kullanlmaktadr.
b. Kristal kulakl klar: Kristal
mikrofonun yapsna benzer. Ykselteten
kristale gelen ses sinyali kristali titretirir.
Bu da diyafram, diyafram da havay
titretirerek sesi oluturur.
ekil 7.23'te kristal kulakln yaps basit
olarak gsterilmitir.
Uygulamada kullanlan kulaklklarn
empedans deerleri 21, 32, 64 ohmdur.
Kulaklk seimi yaplrken empedans
deeri ok nemlidir. Empedans uygun
olmazsa ses verimi der.
c. Bazrlar (buzzer): Telefon, oyuncak,
bilgisayar gibi elektronik devrelerde
kullanlan, hoparlre benzeyen ses retme
cihazdr. 9-12 V DC gerilimle alan
modelleri yaygn olarak kullanlmaktadr.
Bazrlarn bazlarnn iinde melodi retme
devresi de vardr. ekil 7.24'te bazr
diyafram
kulaklk
ular
doal mknats
bobin
ekil 7.22: Dinamik yapl

(bobinli) kulaklklarn yaps
kristal
kon
kulaklk ular
ekil 7.23: Kristal
kulaklklarn yaps
135
ekil 7.24: eitli

bazrlar
Blm 8: Ek bilgiler ve devreler

Baz diyotlarn elektriksel zellikleri
Kpr tipi diyotlar
klf I
Baz diyotlarn elektriksel zellikleri
klf II
klf III
Zener diyotlar
136
Pozitif kl reglatr entegreleri

klf I
klf II klf III
klf IV
1: Giri
2: ase
3: k
Pozitif k ayarlanabilir reglatr entegreleri

klf I
1: Giri
2: Ayar
3: k
Negatif kl reglatr entegreleri

1: Giri
2: ase
3: k
Negatif kl ayarlanabilir reglatr entegreleri
1: Giri
2: Ayar
3: k
137
klf II
Dk gl silisyum transistrler
138
Silisyum g transistrleri
139
A. Uygulamada kullanlan eitli transformatrler

1. Besleme transformatr: Elektrikli ve elektronik yapl cihazlarn beslenmesinde kullanlan trafo eididir. Kitabn
5. blmnde bu eleman hakknda geni bilgi verilmitir.
2. zolasyon (yaltm) transformatr: Alternatif akmla yaplan enerji datm sisteminde kablodan tasarruf etmek
iin canl ucun birisi topraa balanr. Bu ynteme "iletme topraklamas" denir. retecin (alternatr) bir ucunun
topraa irtibatlandrlm olmas dier u ile toprak arasnda kalan canllarn vcudundan akm dolamasna neden
olur. Elektriin canllar arpmamas iin primer ve sekonder sarm saylar ayn olan izolasyon trafolar kullanlr.
rnein eve gelen 220 voltluk gerilim 220 V/220 V zellikli bir trafodan geirilir ve sekonder ularndan birisi topraa
balanmazsa arplma olay sz konusu olmaz. (Sadece trafonun knn iki ucuna dokunulduunda arplma olur.)
Gvenlie ok nem verilen ev i yeri ve baz makinelerde izolasyon trafosu kullanlr. Bir evde bulunan elektrikli
aygtlarn toplam gc belirlenerek bir izolasyon trafosu balants yaplrsa arplma tehlikesi ortadan kaldrlr. Ortalama
bir ev iin bile 1-3 kW 'lk trafoya ihtiya duyulur. Bu byklkte bir trafonun maliyeti ok yksek olacandan evlerde
izolasyon trafosu kullanm yok denecek kadar azdr. Ayrca trafo % 5-10 aras elektrii kendisi harcayacandan
enerji tketim maliyeti ykselecektir.
3. Empedans trafosu: Elektronik devrelerde bir katn empedansn dier katn empedansna uygun hle getirmek
iin kullanlan kk boyutlu, iki sarml trafo eididir. Daha ok eski (20-30 yl nce retilmi) devrelerde karmza
kar. Diji tal elektroniin yaygnlam asyla birlikte em pedans uygunlatrm a ilem i daha pratik devrelerle
gerekletirilebilmektedir.
4. Hat transformatr: Seslendirme tesisatlarnda sinyallerin uzak mesafelere iletilmesinde kullanlan trafodur.
Anfinin iinde bulunan hat trafosu dk genlikli sinyalleri bytp uzakta bulunan gerilim drc zellikteki hat
trafosuna gnderir. Bilindii gibi elektrik sinyallerinin gerilimi ykseltildii zaman hattan geen akm azalr. Akmn
azalmas hatlarda oluan gerilim dm kayplarn azaltr.
5. Muayyen frekans transformatr: Radyo, TV, telsiz gibi cihazlarn ara frekans (IF) katnda kullanlan kk
boyutlu, ferrit nveli, nvesi tornavidayla ayarlanabilen trafodur (bobindir).
6. Ototransformatr (varyak): Tek sargl, k ayarlanabilen trafo eididir. Bu trafolar pot ya da reostaya
benzetilebilir. ktan alnan gerilim baz modellerde sabit, bazlarnda kademeli, bazlarnda ise ayarldr.
7. Darbe (pals) transformatr: zellikle tristr, triyak gibi endstriyel kontrol amal kullanlan devre elemanlarnn
tetikleme (G) ucuna alma gerilimi farkl bir devreden tetikleme palsi uygulamak iin kullanlan, kk boyutlu trafodur.
Optokuplrlerin yaygnlamasyla uygulama alanndan kalkmtr.
B. Akm dk ve orta deerli diyotlarn elektriksel zellikleri
Diyotlarn ortalama tepe akm deerleri
140
C. Baz kpr tipi diyotlarn elektriksel zellikleri

k akm (amper)
1,2 W
2N3055-MJE2955
R3 0,45.Imaks
3-10 W
6W
3-10 W
giri
L200
1-2 W
giri k
ase
BD244
L200
78Sxx
0,1 mF
50 V
5-40 V
ase
10 k
220 n
330 n
820 W
10 mF
25 V
ekil 8.2: L200 reglatr entegreli, ayarl, pozitif

kl, 1,5 A akm verebilen g kayna devresi
ekil 8.1: 78Sxx reglatr entegreli, pozitif kl,

3 A akm verebilen g kayna devresi
2N3055
ekil 8.3: 0-24 V ayarl kl, regleli DC g kayna devresi
BSW61
2N2222
100 n
60 p
BSW61
2N2222
10 mF
16 V
6,8 p
1k
4 tur,
0,8 mm
bakr
tel
220 W
16 V
2,2 k
4,7 k
2,2 mF 4,7 k
100 n
10 k
15 k
10 mF
16 V
6,8 k
1k
kapasitif mikrofon
1N4001
10 k
390 W
BC177
1000 mF 35 V
390 W
10 W
68 W
820 W
56 k
100 mF 35 V
BC141
12 V
2200 mF 35 V
24 V
220 V
1N4001
+9 V
4x1N4001
ekil 8.4: ki transistrl FM verici devresi
. eitli devreler
1. 78SXX reglatr entegreli, pozitif kl, 3 amper akm verebilen g kayna devresi: ekil 8.1'de verilen
devrede kullanlan reglatr entegresi 78S05, 78S08, 78S12, 78S15, 78S24 olabilir.
2. L200 reglatr entegreli, ayarl, pozitif kl, ksa devre korumal, 1,5 amper akm verebilen g kayna
devresi: ekil 8.2'de verilen devrede kullanlan L200 adl reglatr entegreli DC g kayna devresi 2,85-30 V
arasnda ayarl k gerilimi verebilir. Devrenin girii ise DC 5-40 V arasnda olabilir. k akmn snrlamay salayan
R3'n deeri ktan alnmak istenen maksimum akm deerinin 0,45 ile arplmasyla bulunur.
3. 0-24 V ayarl kl, regleli DC g kayna devresi: ekil 8.3'te verilen devre giriine uygulanan 24 volt 1
amperlik DC gerilimi 0-24 V ayarl hle getirir.
4. ki transistrl FM verici devresi: ekil 8.4'te verilen devre kapal alanda 100-200 metreye, ak alanda ise 1
km'ye yayn yapabilir. Devrede kullanlan bobin tkenmez kalem apnda, 0,80 mm kalnlktaki telden 4 sipir sarlmaldr.
141
4,7 k
10 k
1n
270 k
27 k
kapasitif mikrofon
741
18 p
10-60 p
d (ap)=3 mm, gm
ya da bakr tel
4,7 k
antene
8,5 mm
15 k
1M
4,7 mF
22 p
22 p
BB105
BB121
1M
2N2218
bobin
15 k
100 k
741
10 p
2N2218
1 cm
1, 25
+9 V
1,75
3 sipir
100 p
27 k
ekil 8.5: 741 op-ampl FM verici devresi

6. 741 op-amp'l FM verici devresi: ekil 8.5'te verilen devre ile 1 km'lik mesafeye net olarak yayn yaplabilir.
10-33 k
100-470 k
NPN
ekil 8.7: ki transistrl

siren (osilatr) devresi-II
NPN
NPN
1N4148
1N4001
3-5 mm led
10. Kaskad bal iki transistr ve LDR'li karanlkta

alan devre: ekil 8.10'da verilen devrede ortam
karanlkken LDR zerinden akm gemez ve R1 zerinde
gerilim olumaz, T 1 kesimde kalr. T 1 kesimdeyken bu
elemann C ucundaki gerilim yksek olacandan T2 iletime
geer ve lmba yanar.
56-220 W
1N4148
1N4001
10-100 mF
9. Kaskad bal iki transistr ve LDR'li aydnlkta

alan devre: ekil 8. 9'da veri len devrede ort am
aydnlkken LDR zerinde gerilim oluamaz ve T1 kesimde
kalr. T 1 kesimdeyken bu elemann C ucundaki gerilim
yksek olacandan T2 iletime geer ve lmba yanar.
1-2,2 MW
hoparlre paralel balanacak
NPN
5-12 V
8. Transistrl vu-metre
devresi: ekil 8.8'de verilen
devre gi ri e gel en sesi n
eletriksel i ddet ine gre
ekil 8.6: ki transistrl
ledleri altrr. Devrenin
siren (osilatr) devresi-I
giri ular anfinin kna
balanan hoparlre paralel olarak balanmaldr.
mini hoparlr
10-22 nF
5-12 V
mini hoparlr
33-56 k
33-100 k
PNP
2,2-47 mF
PNP
10-220 nF
10-47 mF
7. ki transistrl siren
(osilatr) devreleri: ekil
8.6 ve ekil 8.7'de verilen
devreler kullanlan diren
ve kondansatrlerin
deerine bal olarak
salnml sinyal retir.
Salnml sinyal hoparlre
uygulanrsa siren sesi
alnr.
1N4148
1N4001
100 k
220-470 W
1k
11. Kaskad bal iki transistr ve NTC'li soukta
alan devre: ekil 8.11'de verilen devrede ortam
soukken NTC zerinden akm gemez ve R1 zerinde
ekil 8.8: Transistrl vu-metre devresi
gerilim olumaz, T 1 kesimde kalr. T 1 kesimdeyken bu
elemann C ucundaki gerilim yksek olacandan T2 iletime geer ve lmba yanar.
R2 1-10 k
R2 1-10 k
R4 1-10 k NPN
NPN
LDR
ekil 8.9: Kaskad bal iki

transistr ve LDR'li
aydnlkta alan devre
R1
10-56 k
R3
10-22 k
R4 1-10 k
NPN
R2 1-10 k
R1
10-56 k
NPN
-
R3
10-22 k
NTC
1-10 k
R4 1-10 k NPN
NPN
-
ekil 8.11: Kaskad bal

iki transistr ve NTC'li
soukta alan devre

iki transistr ve LDR'li
karanlkta alan devre
142
R1
10-56 k
R3
10-22 k
+5-12 V
LDR
+5-12 V
R3
10-22 k
+5-12 V
R1
10-56 k
+5-12 V
12. Kaskad bal iki transistr ve NTC'li scakta alan devre: ekil 8.12'de verilen devrede ortam scakken
NTC zerinden akm geer, T1 kesimde kalr. T1 kesimdeyken bu elemann C ucundaki gerilim yksek olacandan T2
iletime geer ve lmba yanar.
R2 1-10 k
R4 1-10 k NPN
NTC
1-10 k
NPN

iki transistr ve NTC'li
scakta alan devre
+5-12 V
+5-12 V
R1
10-56 k
R2
10-56 k
R4
100-470 R
R3
10-22 k
T2
NPN
R2
10-56 k
R1
10-56 k
R4 100-470 R
13. ki NPN transistrl turn-off tipi

zamanlayc devresi: ekil 8.13'te verilen
devreye DC uygulandnda C dolm aya
balar. C dolunca T 1 iletime geer. T 1 'in C
noktasnn gerilimi deceinden T2 kesime
gider ve led sner. B butonuna basldnda
C boalr ve devre resetlenir (ilk hline, baa
dner).
R3
10-22 k
NPN
T2
PNP
BC547
BC547
14. ki NPN transistrl turn-off tipi
NPN
BC308
T1
B
T 1 10-220 mF
BC547
B
zamanlayc devresi: ekil 8.14'te verilen
10-220 mF
devreye DC uygulandnda C dolm aya
balar. C dolunca T 1 iletime geer. T 1 'in
ekil 8.13: ki NPN transistrl
ekil 8.14: NPN ve PNP transistrl
iletime gemesi PNP tipi T2 transistrnn B
turn-off tipi zamanlayc devresi
turn-on tipi zamanlayc devresi
ucuna eksi (-) gelmesini salar ve bu eleman
iletime geerek ledin yanmasn salar. B butonuna basldnda C boalr ve devre resetlenir (ilk hline, baa dner).
ulamas.
A
akm: letkenden saniyede geen elektrik yk
miktar.
ampermetre: Akm len aygt.
amplifikatr: Ykselte.
analog: rneksel, srekli deien sinyal.
anma deeri: Herhangi bir elektronik devre
elemannn, yk, akm, gerilim gibi alma
deerlerine ilikin snr deerleri. Nominal
deer.
anot: Art u.
aznlk tayc: N tipi maddede oyuklara, P
tipi maddede elektronlara verilen ad.
B
base (beyz): Taban, giri.
bipolar: Akm tayclarn P ve N gibi iki ayr
tipte yar iletkenden gemesi.
bobin: letkenlerin yan yana ya da st ste
sarlmasyla elde edilen eleman.
boaltlm (fakirlemi, depletion) blge:
P-N birleim yzeyinde elektron, oyuk
birlemesi ya da ters polarma sonucu oluan
ntr blge.
bridge rectefier: Kpr diyot.
C
calibration: Ayar.
capacity: Kondansatr, kapasite.
cermet: Ceramik (seramik) ve metal
szcklerinin birleiminden olumu kelime.
coil: Bobin.
collector: Toplayc, kolektr.
cone (kon): Diyafram, membran.
cut-off: Kesim.
alma noktas: Transistrl

ykseltelerde beyz akmna gre deien
zellik.
ounl uk ta y c : N tipi maddede
elektronlara, P tipi maddede oyuklara verilen
ad.
D
darlington balant: ki transistrn akm
kazancn artrmak iin arka arkaya
balanmas.
dielektrik: Yaltkan, iletken olmayan.
diyot: ki yar iletkenin birleiminden olumu
eleman.
display: Gsterge.
distorsiyon: Bozulma, bir dalga biiminde
ortaya kan istenmeyen durum.
diyafram: Membran, kon, esnek zar.
dorul tma di yodu: AC sinyalleri DC
sinyallere eviren eleman.
doyum (saturation): Bir elektronik devre
elemannn k akmnn, uygulanan
gerilimden bamsz olarak sabit bir dzeye
E
emiter: Yayc, gnderici.
empedans: Bobinin ACye gsterdii diren.
Empedans, elemana uygulanan sinyalin
frekansna gre deiir.
F
filtre: AC zellikli sinyalleri dzelten, istenilen
frekanslar geirmeye ya da bastrmaya
yarayan eleman.
frekans: AC zellikli sinyallerin saniyedeki yn
deitirme says.
G
gain: Kazan. Ykseltecin k gc ya da
geriliminin, giri gc ya da gerilimine oran.
Bu oran genellikle dB (desibel) cinsinden ya
da oran olarak ifade edilir.
genlik: Sinyallerin bykl.
geri besleme (feed back): Ykseltelerin
kndan alnan sinyallerin bir ksmnn girie
uygulanmas. Bu ilem pozitif ve negatif geri
besleme olarak uygulanabilir.
H
heat sink: Soutucu.
hoparlr: Elektrik sinyallerini ses sinyallerine
eviren eleman.
I-
input: Giri.
J
jonksiyon (junction): Birleim.
K
kademeli diren: Bir gvde iine konulmu
eitli saydaki direnten olumu eleman.
kapasite: Kondansatr, sa.
katot: Eksi u.
kondansatr: Elektrik yklerini depolayan
eleman.
kuadro: Drt yollu ses yayn sistemi.
L
led: Ik yayan diyot.
lineer: Dorusal.
load: Yk.
M
manuel: Elle kumanda.
membran: nce, esnek zar tabakas.
mikrofon: Ses sinyallerini elektrik sinyallerine
eviren eleman.
mono: Tek yollu ses yayn sistemi.
multimetre: Akm, gerilim, diren, s, frekans
vb. lebilen ok ilevli ara.
N
negatif: Eksi, ase, toprak.
NTC: Isndka direnci azalan eleman.
N tipi yar iletken: Eksi ykl yar iletken.
Elektron ynnden zengin karm.
O
off: Devrenin akmsz (ak) durumu.
omik yk: Diren.
on: Devrenin akml (kapal) durumu.
open circuit: Ak devre.
output: k.
143
P
peak to peak value (p-p): Tepeden tepeye
deer.
periyodik: Belli aralklarla tekrarlanan.
periyot: Bir saykln olumas iin geen sre.
phase: Faz. Bir sinyalin baka bir referansa
gre kaymasn gsteren a.
polarma: Kutuplama, uyarma, tetikleme.
potansiyometre: Diren deeri elle ayarlanan
eleman.
P tipi yar iletken: Art ykl yar iletken. Oyuk
ynnden zengin karm.
power amplifier: G ykselteci.
power: G.
preamplifikatr: n ykselte.
PTC: Isndka direnci ykselen eleman.
R
reosta: Yksek gl ayarl diren.
resistance (rezistans): Diren.
S
sabit diren: Diren deeri deitirilemeyen
eleman.
saturation: Doyma, doyum.
sipir: Bobinin sarm says.
SMD: Surface mounted device, yzeye monte
edilen eleman.
stabilizasyon: Kararllk.
stereo: ki kanal. ki yollu yayn sistemi.
stereo potansiyometre: ki adet
potansiyometrenin bir gvde iinde
birletirilmesiyle elde edilmi ayarl diren.
switch (sivi): Anahtar.
T
temperature: Scaklk.
ters polarma: Besleme kaynann ularnn
devre elemanna ters olarak uygulanmas.
tone: Ton, sesin zellii.
transistr: yar iletkenin birleiminden
olumu devre eleman.
turn-off: Devreyi ama.
turn-on: Devreyi kapama.
tweeter: Tiz ses hoparlr.
U
ultra: ok yksek.
V
valans elektron: Atomlarn en d
yrngesinde bulunan ve kk bir enerji
uygulanmas hlinde kolayca koparak serbest
hle geen elektron.
W
watt: G birimi.
wattmetre: G lmede kullanlan alet.
Y
yaltkan: Elektrik akmn geirmeyen madde.
yar iletken: Son yrngesinde drt elektron
bulunduran madde (silisyum, germanyum).
Z
zener diyot: Gerilim sabitleyici diyot.
zener noktas: Zener diyodun ters polarma
altnda alrken iletime getii nokta.
Uygulamada yaygn olarak kullanlan elektronik devre elemanlarnn

deerleri
1/4W metal film ve karbon direnler: 1-1,2-1,8-2,2-2,7-3,3-3,9-4,75,6-6,8-8,2-10-12-15-18-22-27-33-39-47-56-68-82-100-120-180-220-270330-390-470-560-680-820-1 k-1,2 k-1,5 k-1,8 k-2,2 k-2,7 k-3,3k-3,9 k-4,7
k-5,6 k-6,8 k-8,2 k-10 k-12k-15k-18k-22k-27k-33k-39k-47k-56k-68k-82k100k-120k-150k-180k-220k-270k-330k-390k-470k-560k-680k-820k-1M1,2M-1,5M-1,8M-2,2M-2,7M-3,3M-3,9M-4,7M-5,6M-6,8M-8,2M-10M.
1/2W metal film ve karbon direnler: 1-1,2-1,5-1,8-2,2-2,7-3,3-3,94,7-5,6-6,8-8,2-10-12-15-18-22-27-33-39-47-56-68-82-100-120-150-180220-270-330-390-470-560-680-820-1k-1,2k-1,5k-1,8k-2,2k-2,7k-3,3k-3,9k4,7k-5,6k-6,8k-8,2k-10k-12k-15k-18k-22k-27k-33k-39k-47k-56k-68k-82k100k-120k-150k-180k-220k-270k-330k-390k-470k-560k-680k-820k-1M1,2M-1,5M-1,8M-2,2M-2,7M-3,3M-3,9M-4,7M-5,6M-6,8M-8,2M-10M.
1 W metal film ve karbon direnler: 10-12-15-18-22-27-33-39-47-5668-82-100-120-150-180-220-270-330-390-470-560-680-820-1k-1,2k-1,5k1,8k-2,2k-2,7k-3,3k-3,9k-4,7k-5,6k-6,8k-8,2k-10k-12k-15k-18k-22k-27k33k-39k-47k-56k-68k-82k-100k-120k-150k-180k-220k-270k-330k-390k470k-560k-680k-820k-1M.
5 W metal film ve karbon direnler: 1-1,2-1,5-1,8-2,2-2,7-3,3-3,94,7-5,6-6,8-8,2-10-15-18-22-27-33-39-47-56-68-82-100-120-150-180-220270-330-390-470-560-680-820-1k.
Entegre tipi direnler: 100 ohm, 4 direnli, 5 ayakl-150 ohm, 4 direnli,
5 ayakl-220 ohm, 4 direnli, 5 ayakl-330 ohm, 4 direnli, 5 ayakl-470
ohm, 4 direnli, 5 ayakl-1 k, 4 direnli, 5 ayakl-2,2k,4 direnli, 5 ayakl3,3 k, 4 direnli, 5 ayakl-4,7 k, 4 direnli, 5 ayakl-10k, 4 direnli, 5 ayakl15k, 4 direnli, 5 ayakl-22 k, 4 direnli, 5 ayakl-33 k, 4 direnli, 5 ayakl47 k, 4 direnli, 5 ayakl-100k, 4 direnli, 5 ayakl-150 k, 4 direnli, 5 ayakl220 k, 4 direnli, 5 ayakl- 330k, 4 direnli, 5 ayakl- 100 ohm , 9 direnli, 9
ayakl-220 ohm , 9 direnli, 10 ayakl-330ohm , 9 direnli, 10 ayakl-470ohm
, 9 direnli, 10 ayakl-1 kohm, 9 direnli, 10 ayakl-2,2kohm, 9 direnli, 10
ayakl-4,7kohm, 9 direnli, 10 ayakl-10kohm, 9 direnli, 10 ayakl-47kohm,
9 direnli, 10 ayakl-100kohm, 9 direnli, 10 ayakl.
1/2W minyatr potansiyometreler (yatay): 100R-500R-1k-1,5k-10k20k-30k-50k-100k-300k-470k-2M
1/2W minyatr potansiyometreler (dikey): 100R-500R-1k-1,5k-2k5k-10k-20k-30k-50k-100k-300k-470k-2M.
1/2W dorusal (lineer) potansiyometre: 1k-5k-10k-20-50-100k-250k470k.
1/2 W yatay tip cermet potansiyometreler: 500R-1k-5k-10k-20k-25k50k-100k-500k.
1/2 W dikey tip cermet potansiyometreler: 500R-1k-5k-10k-20k-25k50k-100k-500k.
1/2W lineer potlar: 1k-5k-10k-20k-50k-100k-250k-470k.
Seramik kondansatrler: 1pF 50 V-1,2pF 50 V-1,5pF 50 V-1,8pF 50
V-2,2pF 50 V-2,7pF 50 V-3,3pF 50 V-3,9pF 50 V-4,7pF 50 V-5,6pF 50 V6,8pF 50 V-8,2pF 50 V-10pF 50 V-12pF 50 V-15pF 50 V-18pF 50 V-22pF
50 V-27pF 50 V-33pF 50 V-39pF 50 V-47pF 50 V-56pF 50 V-68pF 50 V82pF 50 V-100pF 50 V-120pF 50 V-150pF 50 V-180pF 50 V-220pF 50 V270pF 50 V-330pF 50 V-390pF 50 V-470pF 50 V-560pF 50 V-680pF 50 V820pF 50 V-0,001mF 50 V-0,0022mF 50 V-0,0033mF 50 V-0,0047mF 50 V0,0056mF 50 V-0,0068mF 50 V-0,0082mF 50 V-0,01mF 50 V-0,022mF 50
V-0,047mF 50 V-0,1mF 50 V-100pF 500 V-100pF 1kV-100pF 2kV-100pF
4kV-150pF 400 V-150pF 2kV-150pF 4kV-220pF 500 V-220pF 1kV-220pF
2kV-470pF 500 V-470pF 1k V-470pF 2kV-470pF 3kV-680pF 3kV-820pF
2kV-1000pF 500 V-1000pF 1kV-1000pF 2kV-1000pF 3kV- 1200pF 2kV1500pF 2kV-1800pF 2kV-2200pF 1kV-2200pF 3kV-4700pF 1kV-4700pF
3kV-0,01mF 500 V-0,01mF 1k V.
Monolitik seramik kondansatrler: 10pF 50 V-15pF 50 V-22pF 50 V33pF 50 V-47pF 50 V-56pF 50 V-68pF 50 V-100pF 50 V-150pF 50 V220pF 50 V-330pF 50 V-470pF 50 V-560pF 50 V-680pF 50 V- 1000pF 50
V-1500pF 50 V-2200pF 50 V-3300pF 50 V-4700pF 50 V-5600pF 50 V6800pF 50 V-0,01mF 50 V-0,015mF 50 V-0,022mF 50 V-0,033mF 50 V0,047mF 50 V- 0,10mF 50 V-0,15mF 50 V-0,22mF 50 V-0,33mF 50 V-0,47mF
50 V-1,0mF 50 V-2,2mF 50 V.
Elektrolitik kondansatrler: 1mF 50 V-2,2mF 50 V-3,3mF 50 V-4,7mF
50 V-10mF 16 V-10mF 35 V-10mF 50 V-22mF 50 V-33mF 50 V-47mF 10 V47mF 16 V-47mF 25 V-47mF 50 V-100mF 16 V-100mF 25 V-100mF 50 V220mF 10 V-220mF-220mF 50 V-330mF 25 V-470mF 16 V-470mF 25 V470mF 50 V-1000mF 16 V-1000mF 25 V-1000mF 50 V-2200mF 16 V-2200mF
25 V-3300mF 25 V-4700mF 25 V-0,001mF 100 V-0,0012mF 100 V-0,0015mF
100 V-0,0018mF 100 V-0,0022mF 100 V-0,0027mF 100 V-0,0033mF 100
V-0,0039mF 100 V-0,0047mF 100 V-0,0056mF 100 V-0,0068mF 100 V0,0082mF 100 V-0,01mF 100 V-0,012mF 100 V-0,015mF 100 V-0,018mF
100 V-0,022mF 100 V-0,027mF 100 V-0,033mF 100 V-0,039mF 100 V-
0,047mF 100 V-0,056mF 100 V-0,068mF 100 V-0,082mF 100 V-0,1mF 100
V-0,12mF 100 V-0,15mF 100 V-0,18mF 100 V-0,22mF 100 V-0,27mF 100 V0,330mF 100 V-0,39mF 100 V-0,47mF 100 V-0,56mF 100 V-0,68mF 100 V0,82mF 100 V-1mF 100 V-1,5mF 100 V-2,2mF 100 V-0,001mF 250 V-0,001mF
400 V-0,001mF 630 V-0,0015mF-250 V-0,0015mF 400 V-0,0022mF 250 V0,0022mF 400 V-0,0033mF 250 V-0,0033mF 400 V-0,0047mF 250 V0,0047mF 400 V-0,0068mF 250 V-0,0068mF 400 V-0,01mF 250 V-0,01mF
400 V-0,01mF 630 V-0,022mF 250 V-0,022mF 400 V-0,033mF 250 V-0,033mF
400 V-0,047mF 250 V-0,047mF 400 V-0,1mF 250 V-0,1mF 400 V-0,1mF
630 V.
Tantalyum kondansatrler: 0,1mF 35 V-0,22mF 35 V-0,33mF 35 V0,47mF 35 V-1mF 35 V-2,2mF 16 V-2,2mF 35 V-3,3mF 35 V-4,7mF 16 V4,7mF 35 V-6,8mF 35 V-10mF 16 V-10mF 35 V-22mF 6,3 V-22mF 16 V22mF 25 V-33mF 25 V-47mF 16 V-47mF 25 V.
Trimer kondansatrler: 4-34 pF-6-70 pF-8,5-100 pF-8,5-120 pF.
Schottky diyotlar: 1N5817-1N5818-1N5819-1N5820-1N5821-1N5822.
Hzl geri alma (dzelme) diyotlar: FR101 50 V 1A-FR102 100 V 1AFR103 200 V 1A-FR104 400 V-FR105 600 V 1A-FR106 800 V 1A-FR107
1000 V 1A-FR301 50 V 3A-FR302 100 V 3A-FR303 200 V 3A-FR304 400
V 3A-FR307 1000 V 3A.
W serisi kpr diyotlar: W02M 200 V 1A-W04M 400 V 1A-W06M 600
V 1A-W08M 800 V 1A-W10M 1000 V 1A-2W02M 200 V 2A-2W04M 400 V
2A-2W06M 600 V 2A-2W08M 800 V 2A-2W10M 1000 V 2A.
DF serisi kpr diyotlar: DF01M 100 V 1A-DF02M 200 V 1A-DF04M
400 V 1A-DF06M 600 V 1A.
BR serisi kpr diyotlar: BR81 100 V 8A-BR82 200 V 8A-BR84 400 V
8A-BR86 600 V 8A-BR88 800 V 8A-BR810 1000 V 8A.
MB serisi kpr diyotlar: MB151 100 V 15A-MB152 200 V 15A-MB154
400 V 15A-MB156 600 V 15A-MB158 800 V 15A-MB1510 1000 V 15AMB251 100 V 25A-MB252 200 V 25A-MB254 400 V 25A-MB256 600 V
25A-MB258 800 V 25A-1000 V 25A-MB351 100 V 35A-MB352 200 V 35AMB354 400 V 35A-MB356 600 V 35A-MB358 800 V 35A-MB3510 1000 V
35A.
400mW zener diyotlar: 1N746 3,3 V-1N747 3,6 V-1N748 3,9 V-1N750
4,7 V-1N751 5,1 V-1N752 5,6 V-1N753 6,2 V-1N754 6,8 V-1N755 7,5 V1N756 8,2 V-1N757 9,1 V-1N758 10 V-1N962 11 V-1N963 12 V-1N964 13
V-1N965 15 V-1N966 16 V-1N967 18 V-1N968 20 V-1N969 22 V-1N970
24 V-1N971 27 V-1N972 30 V-1N973 33 V.
1W zener diyotlar: 1N4728 3,3 V-1N4729 3,6 V-1N4730 3,9 V-1N4732
4,7 V-1N4733 5,1 V-1N4734 5,6 V-1N4735 6,2 V-1N4736 6,8 V-1N4737
7,5 V-1N4738 8,2 V-1N4739 9,1 V 1W-1N4740 10 V 1W-1N4741 11 V1N4742 12 V-1N4743 13 V-1N4744 15 V-1N4745 16 V-1N4746 18 V1N4747 20 V-1N4748 22 V-1N4749 24 V-1N4750 27 V-1N4751 30 V1N4752 33 V.
5W zener diyotlar: 1N5335B 3,9 V-1N5337B 4,7 V-1N5338B 5,1 V1N5339B 5,6 V-1N5341B 6,2 V-1N5342B 6,8 V-1N5343B 7,5 V-1N5344B
8,2 V-1N5346B 9,1 V-1N5347B 10 V-1N5348B 11 V-1N5349B 12 V1N5350B 13 V-1N5351B 14 V-1N5352B 15 V-1N5353B 16 V-1N5354B 17
V-1N5355B 18 V-1N5357B 20 V-1N5358B 22 V-1N5359B 24 V-1N5361B
27 V-1N5363B 30 V-1N5364B 33 V-1N5365B 36 V-1N5366B 39 V-1N5368B
47 V-1N5369B 51 V-1N5370B 56 V-1N5373B 68 V-1N5374B 75 V-1N5375B
82 V-1N5377B 91 V-1N5378B 100 V-1N5379B 110 V-1N5380B 120 V1N5383B 150 V.
Enfraruj ledler: IRD300-IRD500-TLN100-TLN110.
7 paral led gstergeler (display'ler): 7SEG1RCA anodu ase7SEG1RCC katodu ase- 7SEG2RCA anodu ase-7SEG2RCC katodu
ase-7SEG4RCC drt digit katodu ase-7SEGSRCAL anodu ase7SEGSRCAEL anodu ase.
Optokuplrler: 4N25-4N26-4N27-4N28-4N29-4N30-4N31-4N32-4N334N35-4N36-4N37-4N38-4N39-4N40-4N45-4N50-6N135-6N136-6N1376N138-6N139-MOC3010 triyakl-MOC3020 triyakl-MOC3021 triyaklMOC3022 triyakl-MOC3063 triyakl.
Rleler: SPST 5 V 0,5A-SPST 12 V 0,5A-DPDT 3 V 1A-DPDT 5 V 1ADPDT 12 V 1A-DPDT 24 V 1A-DPDT 5 V 2A-DPDT 12 V 2A-DPDT 24 V
2A-DPDT 48 V 2A-4PDT 5 V-4PDT 12 V 2A-SPDT 6 V 5A-SPDT 9 V 5ASPDT 12 V 5A-SPDT 24 V 5A-SPDT 6 V 10A-SPDT 9 V 10A-SPDT 12 V
10A-SPDT 24 V 10A
DPDT 12 VDC 10A-DPDT 24 VDC 10A-DPDT 48 VDC 10A-DPDT 110
VAC 10A-DPDT 220 VAC 10A-DPDT 12 VDC 5A-DPDT 24 VDC 5A-DPDT
110 VAC 5A-DPDT 230 VAC 5A-DPDT 12 VDC 10A-DPDT 24 VDC 10ADPDT 110 VAC 10A-DPDT 230 VAC 10A-4PDT 12 VDC 10A-4PDT 24
VDC 10A-4PDT 110 VAC 10A-4PDT 230 VAC 10A.
Yar iletken (SSR) rleler: SPST 4-32 V 3A-SPST 3-32 V 10A-SPST
3-32 V 25A-SPST 3-32 V 40A.
144

Elektronik 1 - Eemdersnotlari - Com Geniş Konu Anlatımı

Uploaded by

Document Information

Original Title

Copyright

Share this document

Share or Embed Document

Sharing Options

Did you find this document useful?

Is this content inappropriate?

Copyright:

Elektronik 1 - Eemdersnotlari - Com Geniş Konu Anlatımı

Uploaded by

Copyright:

Blm 1: Pasif devre elemanlar

"Direnler, kondansatrler, bobinler"

PDF created with pdfFactory trial version www.pdffactory.com

ekil 1.4: Elektrik akmnn iletkenden

Akmn ast katlar: Pikoamper (pA), nanoamper

Elektrik devresinden geen akm "I" ile

ekil 1.5: Ampermetrenin devreye balan

Akmn st katlar: Kiloamper (kA), megaamper (MA), gigaamper (GA).

ekil 1.6: Ohm kanununun deikenlerinin gen iinde gsterilii

PDF created with pdfFactory trial version www.pdffactory.com

kolayca karlabilir. Bu yaklama gre:

ekil 1.7: Sabit diren sembolleri

Direnlerin devredeki ilevleri (fonksiyonlar)

PDF created with pdfFactory trial version www.pdffactory.com

Resim 1.2: eitli ayarl direnler

Direnlerin yapld maddeye gre snflandrlmas

ekil 1.8: Karbon karml direncin yaps

metal film diren

ekil 1.9: Film direncin yaps

PDF created with pdfFactory trial version www.pdffactory.com

Diren snnca lehimli balant erir ve

ekil 1.10: Termik dzenekli ta direnler

Resim 1.4: eitli ta direnler

Resim 1.5: Potansiyometre rnekleri

Uygulamada kullanlan potansiyometre eitleri unlardr:

PDF created with pdfFactory trial version www.pdffactory.com

ayarl diren ular

Resim 1.6: Anahtarl potansiyometreler

Resim 1.7: Stereo potansiyometreler

II. Stereo (steryo) potansiyometre: ki potansiyometrenin bir gvde iinde birletirilmesiyle

ekil 1.12: Trimpot sembolleri

Resim 1.8: eitli trimpotlar

Resim 1.9: Vidal tip ayarl diren

PDF created with pdfFactory trial version www.pdffactory.com

b. Pozitif logaritmik (poz. log.) zellikli

Ayarl direnlerin kullanm alanlar

ekil 1.17: Ayarl direnlerin gerilim

ekil 1.16: Ayarl direnlerin akm

PDF created with pdfFactory trial version www.pdffactory.com

ekil 1.18: Ayarl direnlerin

ekil 1.19: Kademeli

ekil 1.20: Kademeli

Resim 1.10: eitli kademeli direnler

Kademeli diren eitleri

PDF created with pdfFactory trial version www.pdffactory.com

Entegre tipi direnler: ok karmak

face mount technology, yzey montaj teknolojisi)

ekil 1.21: eitli entegre tipi direnler

Resim 1.12: SMD (chip, yonga) direnler

Direnlerin balant ekilleri: Elektronik devrelerde kullanlan direnler seri, paralel ya da

PDF created with pdfFactory trial version www.pdffactory.com

ekil 1.23: Direnlerin

ekil 1.24: Direnlerin

rnek: Deerleri R1 = 12 W ve R2 = 10 W olan iki diren birbirine seri olarak balanmtr.

rnek: Deerleri R1 = 2 W, R2 = 5 W, R3 = 5 W olan diren ekil 1.25'teki gibi kark olarak

PDF created with pdfFactory trial version www.pdffactory.com

ekil 1.27: Kirof'un gerilim

toplam direncini bulunuz. b. Devreden geen toplam akm bulunuz.

ekil 1.28: Kirof'un akm

Not: Direnler paralel balyken hepsinin

rnek: ekil 1.29'da verilen devrede birbirine paralel

PDF created with pdfFactory trial version www.pdffactory.com

eitli glerde retilmektedirler.

PDF created with pdfFactory trial version www.pdffactory.com

Deeri rakam ve harflerle belirtilen direnlerin toleransn belirten harfler

b. Direnlerin deerinin renk bantlaryla belirtilmesi: Karbon ve metal filmden yaplm