O transistor MOS Caractersticas

Esse guia de laboratrio tem dois objetivos:

estudar, em simulao, o comportamento do transistor MOS em tecnologia 0,35m

se familiarizar com o ambiente de simulao AWR

AWR (National Instrument) uma plataforma de concepo completa incluindo diversas ferramentas
permitindo de auxiliar o projetisto durante todas as etapas levando fabricao de um circuito
eletrnico que seja monoltico ou no:

simulao sistema
simulao eltrica
desenho de layout
simulao eletromagntica
verificao

Outras plataformas concorrentes oferecem as mesmas possibilidades, como ADS da Agilent ou Ansoft
Designer. Essas plataformas so muito usadas pelos projetistas de circuitos de RF ou microondas
porque permitem de simular problemas ocorrendo em frequncia alta.
As plataformas da Cadence ou da Mentor so as mais usadas pelos projetistas de circuitos integrado
analgico ou digital. Elas no oferecem possibilidades de simulaes eletromagnticas, ao contrrio
das outras, mas, em compensao, oferecem inmeras possibilidades de configurao, assim que
ferramentas de automatizao e de verificao muito competitivas.
As razes para utilizar o AWR durante essa disciplina so diversas:

oferta de licenas acadmicas gratuitas para os professores e os estudantes

funcionamento no Windows (facilidade para instalar no computador pessoal)
disponibilizao de um PDK permitindo de ilustrar todas as etapas de concepo de um circuito
integrado analgico
facilidade de utilizao (user-friendly)

Apresentao do ambiente de simulao

No AWR, todas as ferramentas so reagrupadas na mesma janela principal (Fig. 1), no gerenciador de
projeto. Os nomes sendo explcitos, a simples leitura dos mesmos informara o leitor da funo de cada
um.
NB: a ferramenta de desenho do layout, assim que as bibliotecas de componentes esto posicionadas
nas abas ao lado daquela do projeto.
Durante essa atividade, ns vamos criar um esquema eltrico (Circuit Schematics), e exibiremos os
resultados de simulao em uns grficos (Graphs). Ns criaremos tambm equaes (Output
Equations) para calcular uns parmetros do transistor MOSFET.

Emmanuel Dupouy, 11/05/2014

Fig. 1: Janela principal depois de iniciar AWR

Para comear, ns vamos configurar o AWR para utilizar o PDK BiCMOS genrico: File New
With Library AWR Examples Libraries Generic GenBic35.
Em seguida, nomear e salvar o projeto: File Save Project As
Depois disso, basta fazer um clico no atalho apropriado para salvar o projeto de vez em quando
e no perder nosso precioso trabalho.

A biblioteca de componentes se encontre na aba Elements. Conferir que os componentes da

tecnologia BiCMOS esto bem disponveis e aproveitar para dar uma olhada s possibilidades ofertas.

Nesse primeiro trabalho, ns vamos somente usar os transistores

MOSFET nmos1 e pmos1.
Na realidade, os PDK fornecidos pelos fabricantes de
semicondutores oferecem uma variedade de componentes bem
maior. Mas, ter acesso a um PDK completo requer a assinatura de
acordos de confidencialidade. O acesso, muito restrito,
geralmente reservado ao meio profissional.
Mas, esse PDK, mesmo simplificado, oferece do ponto de vista
didtico numeras possibilidades e permite notadamente de
ilustrar o fluxo completo de concepo de um circuito integrado.

Emmanuel Dupouy, 11/05/2014

Corrente de dreno (Id) vs tenso dreno-fonte (Vds)

Para essa simulao, ns vamos polarizar o transistor com VGS = 1V (Vth 0,75V para essa tecnologia).
Q: Nesse caso, o transistor funciona no regime de inverso forte. O que significa?
O objetivo de fazer variar a tenso Vds e medir a corrente Id.

Criao do esquema eltrico

Project > Add Schematic > New Schematic

Digite I_Vds e clique no boto Create. Uma janela de esquemtico aparece no espao de
trabalho e um item aparece no menu Circuit Schematics do gerenciador de projeto.
Procure os componentes na aba Elements do gerenciador de projeto e arraste-os na rea de
trabalho
o nmos1 (Libraries *Generic GenBic35 CMOS)
o V_DC (Sources DC)
o GND (Interconnects) (existe um atalho na barra de ferramenta)
Organize e configure-os de forma parecida Fig. 2 (Clique 2 vezes no componentes para editar
a suas propriedades)
Clique nos terminais dos componentes para realizar as conexes

Fig. 2: Esquema eltrico para a simulao de Id em funo de Vds

Criao do grfico Id=f(Vds)

Para criar um grfico:

Clique direito encima do menu Graphs no gerenciador de projetos e escolhe New Graph
Selecione o grfico de tipo Rectangular, digite Id_Vds como nome e clique no boto Create.
O grfico aparece no espao de trabalho e um item criado no menu Graphs do gerenciador
de projeto

Emmanuel Dupouy, 11/05/2014

Acrescente a medio a realizar no grfico: clique direito encima do nome do grfico e escolhe
o menu Add Measurement
A janela de configurao aparece. Configure-a do jeito que esta na Fig. 3 e clique no boto OK

Fig. 3: Configurao da medio de Id em funo de Vds

Q: lgico pegar a corrente DC no menu Nonlinear? Por qu?

Inicie a simulao: Simulate Analyse (existe um atalho na barra de ferramenta)

O resultado de simulao aparece no grfico criado (Fig. 4)
Id_Vds
0.15

0.1

0.05

IDC(DC_V.V2) (mA)
Id_Vds.AP_DC
0
0

2
Voltage (V)

Fig. 4: Grfico de Id em funo de Vds

Emmanuel Dupouy, 11/05/2014

Q: usando marcadores (Clique direito Add Marker), calcule a condutncia de sada do componente
e deduz o parmetro
Q: o efeito de modulao de comprimento do canal bem visvel. Mas, percebe-se tambm que
quando Vds passa de 3V, a subida acelera. Outro efeito vem se superpor? Qual? Explique o que
acontece? (ns no falamos desse efeito durante as aulas)

Criao do grfico Id=f(Vds) para vrias tenses Vgs

AWR oferece a opo de visualizar o ponto de operao diretamente no esquema eltrico.

Clique direito encima do nome do seu esquema eltrico no gerenciador de projeto. Escolhe a
opo Add Annotation...
A janela Add Schematic Annotation aparece, configure-a do jeito mostrado na Fig. 5 e clique
no boto OK

Fig. 5: Anotao do ponto de operao

Inicie a simulao tuned : Simulate - Tune

Um cursor aparece. Ele permite de fazer variar a tenso Vds dentro dos valores simulados
Passe o mouse encima do transistor, os parmetros pequeno sinal aparecem. Visualize-os para
vrias valores de Vds.

Q: Compare o parmetro adequado com o valor da condutncia de sada encontrado

precedentemente.

Emmanuel Dupouy, 11/05/2014

Para obter a curva Id=f(Vds) para vrias tenso Vgs:

Configure a fonte V1 (Vgs) para variar de 0.6V at 2V com 5 pontos

Edite a configurao da medio de Id=f(Vds): clique duplo na medio dentro do gerenciador
de projeto. Configure a fonte Vds para Use for x-axis e a fonte Vgs para Plot all traces
Simule de novo. Deve obter um grfico similar Fig. 6.
Id_Vds

p1: Vdc = 0.6 V

IDC(DC_V.V2)[*,X] (mA)
Id_Vds.AP_DC

p5

1.5

p2: Vdc = 0.95 V

p4

p3: Vdc = 1.3 V

p3

0.5

p4: Vdc = 1.65 V

p2
p1

0
0

2
Voltage (V)

p5: Vdc = 2 V

Fig. 6: Id=f(Vds) para vrias tenses Vgs

Q: repete o mesmo trabalho para o transistor PMOS

Efeitos da variao da largura, do comprimento do canal e do nmero de dedos do

transistor
Nessa parte, ns vamos visualizar de forma dinmica o efeito da variao do nmero de dedos assim
que da largura do transistor sobre a corrente Id. Ns veremos tambm o efeito dessa variao sobre o
desenho fsico do transistor. Para esse trabalho, AWR prope uma ferramenta chamada Tune.

Selecione o esquema eltrico Id_Vds no gerenciador de projeto para mostra-lo no espao de

trabalho.
Clique direito encima de Id_Vds no gerenciador de projeto: Selecione Disable All Annotations
Selecione Simulate Tune tools. Aparece uma ferramenta. Dentro do esquema eltrico,
selecione os parmetros l, w e ng do transistor
Selecione View View Layout e View View 3D Layout. Abrem duas novas abas com o layout
do transistor exibido em vista de cima na primeira e em 3D na segunda (Fig. 7).

Fig. 7: Layout 2D e 3D do transistor nmos1

Selecione Simulate Tune

Modifique o valor dos parmetros fsicos do transistor e visualize o resultado nos layouts e na
corrente Id

Emmanuel Dupouy, 11/05/2014

Corrente de dreno (Id) vs tenso porta-fonte (Vgs) na regio de

saturao
Essa simulao poderia ser feita de forma similar simulao anterior fazendo variar a fonte Vgs ao
lugar da fonte Vds.
Problema: medida que Vgs aumenta, se guardamos Vds constante, o transistor vai se aproximar da
regio de trodo. Uma boa forma de fazer guardar sempre Vds=Vgs. A forma mais simples de realizar
tal simulao utilizar umas variveis.

Crie um novo esquema eltrico chamado Id_Vgs

Draw Add Equation, crie umas equaes: vgs=0.7 e vds=vgs
Reproduz o esquema mostrado na Fig. 8. O elemento SWPVAR encontre dentro do menu
Simulation Control da aba Elements. A funo desse componente de definir a variao da
varivel vgs definida pela equao precedente.

Fig. 8: Esquema eltrico para a simulao Id=f(Vgs)

Crie um novo grfico e mea a corrente Id. O resultado deve parecer Fig. 9.
Id_Vgs

Id_Vgs

1.5

IDC(Gen:Bic35:nmos1.M1@1) (mA)
Id_Vgs.AP_DC

.01

.0001

0.5
1e-006

0
1e-008

IDC(Gen:Bic35:nmos1.M1@1) (mA)
Id_Vgs.AP_DC
-0.5

1e-010

0.5

1
Voltage (V)

1.5

0.5

1
Voltage (V)

1.5

Fig. 9: Id = f(Vgs) em escala linear e escala logartmica

Q: Porque interessante visualizar a corrente usando a escala linear e a escala logartmica? Usando
dois marcadores na zona de inverso forte, deduz o valor da potncia da progresso de Id em relao
a (Vgs-Vth).
Emmanuel Dupouy, 11/05/2014

Corrente de dreno (Id) vs tenso substrato-fonte (Vbs)

Repete a simulao anterior fazendo variar tambm a tenso do bulk Vbs. V a evoluo da tenso de
limiar.

Transcondutncia
A transcondutncia (gm) representa a variao da corrente Id em relao a uma variao infinitamente
pequena de Vgs. Ns no podemos simular uma variao infinitamente pequena de Vgs, mas se o
passo de simulao for suficientemente pequeno, o valor obtido representara uma boa aproximao

2
de gm. Nesse caso o gm aproximado pode ser calculado pela equao seguinte: = 1
.
1

Repete a simulao Id_Vgs do jeito que foi configurada

Crie uma folha de equao: Clique direito encima de Output Equaes e selecione New Output
Equations ...
Nomeie a folha de equaes gm_id_vgs e clique no boto Create
Preenche a folha com as equaes mostradas na Fig. 10.

Fig. 10: Equaes permitindo de calcular gm

Crie um novo grfico chamado gm_Vgs

Acrescente nesse grfico a medio como mostrada na Fig. 11
Crie um novo grfico chamado gm_Id
Acrescente nesse grfico a medio como mostrada na Fig. 12
Simule de novo Id_Vgs
Visualize os grficos

Q: Justifique a evoluo de gm nos dois casos. Usando 2 cursores em cada curva, calcule o valor da
potncia da progresso de gm em relao a Vgs e a Id. Esses valores so coerentes com os resultados
precedentes? Por qu ?
Esse mtodo para obter a variao de gm em relao a Vgs tem o mrito de ensinar a utilizao das
equaes. Mas, nesse caso, o gm pode ser obtido de forma bem mais simples, realizando uma
simulao direta do ponte de operao.

Dentro do grfico gm_Vgs, crie uma nova medio de tipo: Non linear OP Point OP DC
conforme Fig. 13
Compare com o resultado da simulao anterior, o resultado deve ser muito prximo.

Emmanuel Dupouy, 11/05/2014

Fig. 11: Janela de configurao do grfico gm_Vgs

Fig. 12: Janela de configurao do grfico gm_Id

Emmanuel Dupouy, 11/05/2014

Fig. 13: Janela de configurao de gm

Emmanuel Dupouy, 11/05/2014