REPORTE FINAL DEL PROGRAMA DE PERODO

SABTICO 2013-2014
PERODO REALIZADO: 12 DE AGOSTO DE 2013 AL
11 DE AGOSTO DE
201
4

ING. RAYMUNDO ARMBURO

BETANCOURT

PROGRAMA GENERAL AUTORIZADO A

DESARROLLAR DURANTE EL
PERODO SABTICO: 5. ELABORACIN DE
MATERIALES, RECURSOS O AUXILIARES
DIDCTICOS.

TTULO ESPECFICO DEL PROGRAMA ACADMICO

DESARROLLADO: LIBRO DE TEXTO:
ELECTRNICA ANALGICA

AO
SABTICO
Perodo 20132014
Raymundo Armburo Betancourt
Departamento de Ingeniera Elctrica y Electrnica
Lugar o Institucin donde se realizar: Instituto Tecnolgico de Tepic
Departamento de Ingeniera Elctrica y
Electrnica
Ttulo especfico del programa acadmico a desarrollar: Libro de
texto: Electrnica Analgica
Programa general autorizado a desarrollar durante el perodo
sabtico: 5. Elaboracin de
Materiales, Recursos o Auxiliares Didcticos.

Perodo semestral para ao: Primero: del 12 de agosto de 2013 al 11

de febrero de 2014
Nombre de los temas del contenido del programa que correspondan
al 50% del primer avance programado.
1.

Diodos
1.1 Construccin de un Diodo
1.1.1 Semiconductores contaminados P y N
1.1.2 Unin PN
1.2 Tipos de Diodos
1.3 Aplicaciones del Diodo
1.3.1 Circuitos recortadores
1.3.2 Regulacin con diodo zener
1.4 Reguladores de voltaje con circuito integrado
1.5 Construccin de una Fuente Regulada
2. Transistores Bipolares y
Unipolares BJT y FET
2.1 Construccin de un transistor
2.2 Configuraciones
2.2.1 Polarizacin
2.2.2 Lmites de operacin y hoja de especificaciones
2.2.3 Punto Q
2.2.4 Polarizacin con una fuente
2.2.5 Polarizacin con dos fuentes
2.3 Aplicaciones del transistor
2.3.1 Como interruptor
2.3.2 Como amplificador

Perodo semestral para ao: Segundo: del 12 de febrero de 2014 al

11 de agosto de 2014
Nombre de los temas del contenido del programa que correspondan al
50% del segundo avance programado.
3.

Amplificadores
Operacionales
3.1 Arquitectura de un Amplificador Operacional
3.2 Tipos de Amplificadores Operacionales
3.3 Especificaciones de los Amplificadores Operacionales
3.4 Aplicaciones bsicas de los Amplificadores Operacionales
3.4.1 Comparador
3.4.2 Seguidor
3.4.3 Inversor
3.4.4 No inversor
3.4.5 Sumador y restador
3.4.6 Diferenciador
3.4.7 Integrador
4. Dispositivos de Potencia
4.1 Dispositivos opto electrnicos. Fotodiodo.
Fotorresistencia. Fototransistor. Opto acopladores
4.2 Tiristores
4.2.1 SCR
4.2.2 TRIAC
4.2.3 DIAC
4.3 Transistores IGBT
4.4 Aplicaciones de Dispositivos de Potencia
4.4.1 Dimer
4.4.1.1 Control de iluminacin
4.4.1.2 Control de velocidad de un motor de CA

INTRODUCCIN
El principal valor que le concedo a un libro ms del tema de la ELECTRNICA
ANALGICA tiene dos vertientes: (1) El programa acadmico que corresponde a
la asignatura indicada arriba, est comprendido no en un slo libro comercial,
sino en varios: puede ocurrir que un solo libro lo contenga, sin embargo,
adems de sos contenidos abarcan muchos otros temas que los hacen muy
voluminosos, que, como se puede apreciar, incrementa el costo del mismo, en
ocasiones inaccesible para la gran mayora de los estudiantes; as que la
primera intencin que tendrn los presentes apuntes ser la de conjuntar en un
nico documento lo que realmente necesita el estudiante, en trminos, como
se ha dicho, del programa oficial de la asignatura, y (2) Para la definicin de
muchos de los temas sealados tomar la experiencia que he tenido de la
imparticin de la asignatura durante varios semestres a los estudiantes de la
carrera de Ingeniera
Elctrica, que, por otra parte, es una experiencia invaluable para m como
profesor.
BREVE HISTORIA DE LA ELECTRNICA
En noviembre de 2013 se cumplir el 66 aniversario del descubrimiento
(1947) del transistor bipolar por parte de John Bardeen y Walter Brattain en
los laboratorios Bell de U.S.A.; ste hecho marc la era de los
semiconductores. La invencin del transistor y el desarrollo posterior de la
microelectrnica han sido ms importantes para dar forma a la era moderna
que cualquier otro suceso. El transistor y la microelectrnica han modificado la
forma en que se efectan los negocios, diseando las mquinas, moviendo
informacin, transformando la manera en que interactan las personas, etc.
Los conocimientos que se obtendrn de stos apuntes permitir a los
estudiantes que aspiran a disear y crear la siguiente generacin de sta
revolucin tecnolgica construir una base slida para cursos de diseo ms
avanzados. Adems, obtendrn elementos que les ayudarn a entender la
microelectrnica, tecnologa que continuar teniendo impacto en la manera
en que se desarrollan muchas otras reas de la ingeniera.
Tras el descubrimiento del transistor, William Shockley formul una teora que
describe la operacin del transistor bipolar de unin. 10 aos despus, en
1956, Bardeen, Brattain y Shockley recibieron el Premio Nobel de Fsica por el
descubrimiento del transistor. En junio de 1948, los laboratorios Bell ofrecieron
una conferencia de prensa para anunciar su descubrimiento. En 1952, los
laboratorios Bell, de acuerdo con decretos legales, definieron licencias para
producir y distribuir el transistor por la modesta suma de US$25,000.00 ms
pagos de regalas posteriores. Por sa poca, Gordon Teal, miembro del grupo
de estado slido, dej de laborar en los laboratorios Bell para trabajar en
Geophysical Services, Inc., que posteriormente se convirti en Texas
4

Instruments (TI). Ah cre los primeros transistores de silicio, y TI comercializ

el primer
radio de transistores. Otra de las licencias la obtuvo Tokyo Tsushin Kogyo, que
en 1955 se convirti en la Compaa Sony. Esta empresa comercializ un radio
de transistores con una estrategia
basada en la idea de que cualquier persona poda tener un radio personal; de
se modo se abri el mercado de consumidores de transistores.
(Ms
informacin de lo anterior la podr encontrar en W. F. Brinkman, D. E. Haggan y
W. W. Troutman, A History of the Invention of the Transistor and

Where It Will Lead Us, IEEE Journal of Solid-State Circuits, vol. 32, nm.
12, pp. 1858-1865, diciembre de 1997; tambin en
www.pbs.org/transistor/sitemap.html).
MTODO PARA RESOLVER PROBLEMAS
La solucin de problemas es una parte fundamental de la actividad del
ingeniero. Debido a ello se recurre a la creatividad para encontrar nuevas
soluciones a los problemas que se presentan. Un mtodo bien definido puede
ayudar de manera significativa en la solucin de problemas. Este mtodo se
describe en los siguientes pasos:
1.
2.
3.
4.

Plantear el problema lo ms claro posible.

Listar la informacin conocida y los datos proporcionados.
Definir las incgnitas que deben encontrarse para resolver el problema.
Listar suposiciones. Es posible descubrir suposiciones adicionales
conforme se avance en el anlisis.
5. Elegir y desarrollar un mtodo a partir de una serie de alternativas
posibles.
6. Dentro del mtodo elegido, realizar un anlisis para encontrar una
solucin al problema.
Como parte del anlisis, debe dibujarse el circuito y etiquetar las
variables.
7. Verificar los resultados. Se ha resuelto el problema? Los clculos son
correctos? Se han encontrado todas las incgnitas? Se han cumplido
las suposiciones? Los resultados satisfacen las verificaciones de
consistencia simples?
8. Evaluar la solucin. La solucin es realista? Puede construirse? Si no,
deben repetirse los pasos 4 a 7 hasta obtener una solucin satisfactoria.
9. Utilizar anlisis asistido por computadora. SPICE y otras herramientas
de computadora son muy tiles para verificar los resultados y averiguar
si la solucin satisface los requerimientos del problema.
Para resolver un problema deben entenderse los detalles. Los primeros 4
pasos, que son los que buscan definir el problema, quiz sea la parte ms
importante del proceso de solucin. El tiempo que se dedica a entender,
clarificar y definir el problema puede ahorrar mucho tiempo de solucin y
frustracin.
El primer paso consiste en escribir un enunciado del problema. La descripcin
original del problema tal vez sea un poco vaga. Debe tratar de entenderse el
problema casi como, o incluso mejor que, la persona que lo propuso. Como
parte de este enfoque sobre el entendimiento del problema, se lista la
informacin que se conoce y se desconoce. Los errores en la solucin de
problemas a menudo se deben a la definicin imprecisa de cantidades
desconocidas. Por ejemplo, es importante para el anlisis dibujar de manera
6

apropiada el circuito y rotular con claridad los voltajes y corrientes en los

diagramas del circuito.
Muchas veces hay ms incgnitas que restricciones, por ello se requiere del
juicio del ingeniero para alcanzar una solucin. Parte de la labor en el estudio
de la Electrnica consiste en establecer los fundamentos para seleccionar entre
varias alternativas. A lo largo del camino, muchas veces se requiere realizar
aproximaciones y suposiciones que simplifiquen el problema o formen la base
del

mtodo elegido. Es importante establecer estas suposiciones, de manera que

pueda asegurarse la validez al final. Con frecuencia, deben realizarse
suposiciones que simplifiquen el esfuerzo de cmputo, obteniendo as
resultados tiles.
La exposicin de la informacin conocida, las incgnitas y las suposiciones
ayudan no slo a comprender mejor el problema, sino a pensar acerca de
diferentes soluciones alternativas. Debe elegirse el mtodo que parezca tener
la mejor oportunidad de solucin del problema. Quizs haya ms de un mtodo
satisfactorio. Cada persona ver el problema de manera diferente, y el mtodo
que sea ms claro para una persona no lo ser para la otra. Debe elegirse el
que le parezca mejor al lector-estudiante. Como parte de la definicin del
mtodo, se pueden considerar las herramientas de cmputo disponibles que
auxilien en la solucin: entre ellas, se incluyen MATLAB, MATHCAD, hojas
de clculo, SPICE y calculadora.
Despus de definir el problema y el mtodo de la manera ms clara posible,
ser posible efectuar el anlisis requerido para resolver el problema. Despus
de completar el anlisis se pueden verificar los resultados. Se podran
contestar las siguientes preguntas: (1) Se determinaron todas las incgnitas?,
(2) Los resultados tienen sentido?, (3) Son consistentes entre s?, (4) Son
consistentes con las suposiciones utilizadas al desarrollar el mtodo para el
problema?
Despus se podr evaluar la solucin. Los resultados son viables? Por
ejemplo, si los niveles de voltaje, corriente y potencia resultan razonables.
Puede ponerse en prctica el circuito con una produccin razonable y con
componentes reales? El circuito continuar funcionando dentro de las
especificaciones en respuesta a variaciones importantes de los
componentes? El costo del circuito es razonable? Si la solucin no es
satisfactoria deberemos modificar el mtodo y las suposiciones e intentar
una nueva solucin. Con frecuencia se puede requerir una solucin
interactiva para satisfacer las especificaciones en situaciones de diseo
realista. SPICE y otras herramientas de computadora son muy tiles para
verificar resultados y para asegurar que la solucin satisfaga los
requerimientos del problema.
Parte de la verificacin de los resultados debe ser para decidir si la respuesta es
razonable y
tiene sentido. Con el tiempo se podr obtener el dominio de qu magnitudes
de nmeros resultan razonables. La mayora de los dispositivos de estado
slido se disean para operar a partir de voltajes que varan desde un valor de
1 V hasta no ms de 40-50 V. (Existe la excepcin de la Electrnica de
Potencia, donde se presentan voltajes y corrientes mucho mayores a las aqu
sealadas). Los voltajes de fuentes de poder caractersticos estarn en el
intervalo de 10 a 20 V, y los valores de resistencia entre cientos de hasta
8

muchos M.
Con base en el conocimiento de los circuitos de cc, los voltajes en los circuitos
no deben superar los voltajes de las fuentes de poder. Por ejemplo, si un
circuito est operando a partir de alimentaciones de +8 y -5 V, todos los
voltajes de cc calculados estarn entre -5 y +8 V, adems, la amplitud pico a
pico de una seal de ca no exceder de 13 V, que es la diferencia de los 2
voltajes de alimentacin. Con una alimentacin de 10 V, la mxima corriente
que puede circular por un resistor de 100 es igual a 100 mA; la corriente que
circula por un resistor de 10 M no puede ser

mayor que 1 A. Por ello, deben tenerse en cuenta las siguientes

reglas para verificar los resultados:
1.

Con unas cuantas excepciones, los voltajes de cc en los circuitos no

excedern de los voltajes de las fuentes de poder. La amplitud pico a
pico de una seal de CA no deber superar la diferencia de los
voltajes de la alimentacin elctrica.
2. Las corrientes en los circuitos variarn de microamperes a no
ms de cientos de miliamperes.
CONCEPTOS IMPORTANTES DE LA TEORA DE CIRCUITOS
El anlisis y diseo de los circuitos electrnicos utilizan varias tcnicas
importantes de la teora bsica de circuitos. Los circuitos se analizan con
frecuencia utilizando una combinacin de la Ley de Voltajes de Kirchhoff
(LVK), y la Ley de Corrientes de Kirchhoff (LCK). En ocasiones, la solucin se
sustenta en una aplicacin sistemtica del Anlisis Nodal o del Anlisis de
Malla. Tambin, se utilizan las Transformaciones de Thvenin y de Norton del
circuito para simplificar circuitos. Las nociones de Divisin de Voltaje y de
Divisin de Corriente tambin constituyen herramientas
bsicas de anlisis. Los modelos de dispositivos activos incluyen fuentes
dependientes y se impone la familiarizacin con ellas en todas las formas. El
anlisis de amplificadores utiliza la teora de circuitos de dos puertos. Si el
lector-estudiante no se siente cmodo con los apartados aqu indicados, ste
es un buen momento para su repaso.
VARIACIONES DE LOS ELEMENTOS EN EL DISEO DE CIRCUITOS
Ya sea que un circuito se construya en forma discreta o se fabrique como un
circuito integrado (CI), todos los parmetros de componentes pasivos y del
dispositivo semiconductor tendrn tolerancias asociadas a sus valores. Es
posible contar con resistores discretos con diferentes tolerancias que incluyen
5 por ciento,
1 por ciento o mejores valores, en tanto
que los resistores en CI pueden exhibir incluso variaciones ms amplias ( 30
por ciento). Los capacitores presentan a menudo especificaciones de
tolerancias asimtricas, como +20 por ciento/-50 por ciento, y las tolerancias
del voltaje de alimentacin de especifican con frecuencia en el intervalo de 110 por ciento. Para los dispositivos semiconductores los parmetros quiz
varen en 30 por ciento o ms.
Adems de sta incertidumbre del valor inicial de las tolerancias, los valores de
los componentes y parmetros del circuito variarn con la temperatura y el
envejecimiento. Es importante entender
el efecto de estos cambios de los elementos en el circuito para disear a ste
y que contine operando de manera correcta ante las variaciones de sus
elementos. Para ste propsito, se sugiere estudiar un par de mtodos de
anlisis: el de peor caso y el de Montecarlo; stos, pueden ayudar a cuantificar
10

los efectos de las tolerancias sobre el desempeo del circuito.

ANLISIS DE PEOR CASO
El anlisis de peor caso se utiliza para asegurar que el diseo funcionar bajo
un conjunto dado de variantes en los componentes. Se efecta eligiendo
valores de los distintos componentes que

11

hacen que una variable deseada (voltaje, corriente, potencia, ganancia o

ancho de banda) sea tan grande o tan pequea como sea posible. Estos lmites
suelen encontrarse al evaluar un circuito con los valores de los distintos
elementos de circuito llevados a sus extremos, Aunque un diseo basado en el
peor caso es muchas veces demasiado conservador y representa un sobre
diseo, es importante entender la tcnica y sus limitaciones.
En un circuito real, los parmetros estarn distribuidos aleatoriamente entre
los lmites, y es improbable que todos los distintos componentes lleguen a los
extremos al mismo tiempo. As, la tcnica del peor caso sobreestimar (a
menudo inadecuadamente) los extremos del comportamiento del circuito, y
un diseo basado en el anlisis de peor caso casi siempre representa un
sobre diseo innecesario que es ms costoso que necesario para lograr las
especificaciones con una produccin satisfactoria. Un mtodo mejor, aunque
ms complejo, consiste en abordar el problema de manera estadstica
utilizando el anlisis de Montecarlo. Sin embargo, si el circuito debe funcionar
sin importar cmo, es posible que el anlisis de peor caso resulte apropiado.
ANLISIS DE MONTECARLO
El anlisis de Montecarlo usa versiones elegidas al azar de un circuito dado
para predecir su comportamiento a partir de bases estadsticas. Para el
anlisis de Montecarlo, un valor de cada uno de los elementos en el circuito
se selecciona al azar de las distribuciones posibles de parmetros, y el
circuito se analiza despus utilizando los valores de elementos elegidos
aleatoriamente. Muchas de estas realizaciones del circuito elegidas
aleatoriamente (casos o instancias) se generan, y el comportamiento
estadstico del circuito se construye a partir del anlisis de los muchos casos
de prueba. sta es una buena aplicacin para la computadora.

12

1.

DIODOS

El primer elemento de circuito electrnico que se analizar es el diodo de

unin pn de estado slido. El diodo es un dispositivo sumamente importante y
con muchas aplicaciones relevantes, entre las que se incluye la conversin de
potencia ca-cd (rectificacin). Adems, el diodo de unin pn es un bloque
constitutivo fundamental de otros dispositivos de estado slido. Dos diodos
acoplados se utilizan para formar el transistor de unin bipolar (BJT), dos
diodos se utilizan en el transistor de efecto de campo metlico de
semiconductor (MOSFET) y un solo diodo se emplea en la formacin del
transistor por efecto de campo de unin (JFET). La comprensin de las
caractersticas del diodo constituye un prerrequisito para entender el
comportamiento de los transistores de efecto de campo y bipolar que se
utilizan en los circuitos lgicos digitales y en los amplificadores analgicos.
El diodo de unin pn se fabrica con regiones adjuntas de material
semiconductor tipo p y tipo n. El diodo de unin pn es un elemento no lineal, y
para muchos representa el primer encuentro con un dispositivo no lineal. El
diodo es un elemento de circuito de dos terminales similar a un resistor, pero
su caracterstica i-v, la relacin entre la corriente que circula por el elemento y
el voltaje en los extremos del mismo, no es una lnea recta. Este
comportamiento no lineal permite que los circuitos electrnicos se diseen
para ofrecer muchas operaciones tiles, incluidas la rectificacin, el mezclado
(una forma de multiplicacin) y el acondicionamiento de onda. Los diodos
tambin se pueden utilizar para efectuar operaciones lgicas elementales, tales
como las funciones AND y OR.
1.1 CONSTRUCCIN DE UN
DIODO MATERIALES ELECTRNICOS
DE ESTADO SOLIDO

TABLA 1.1
Clasificaciones elctricas de materiales slidos.

Los materiales electrnicos por lo general se pueden dividir en tres categoras:

aislantes, conductores y semiconductores. La resistividad , con
unidades de .cm, es el parmetro fundamental que se usa para distinguir
entre estos materiales. Como se indica en la tabla 1.1, los aislantes tienen
13

resistividades mayores que 10 .cm, en tanto que la de los conductores

-3
estn por debajo de 10 .cm. Por ejemplo, el diamante, uno de los aislantes
16
de ms alta calidad, tiene una resistividad muy grande, 10 .cm. Por otro
-6
lado, el cobre puro, un buen conductor, tiene una resistividad de slo 3x10
.cm. Los semiconductores ocupan la gama completa de

14

resistividades entre las fronteras de los aislantes y los conductores; adems,

la resistividad puede controlarse agregando varios tomos de impurezas al
cristal semiconductor.

TABLA 1.2
Parte de la tabla peridica que
incluye los elementos
semiconductores ms
importantes (sombreado)

Los semiconductores elementales se forman a partir de un solo tipo de tomo

(columna IV de la tala peridica de los elementos, vase tabla 1.2), en tanto
que los semiconductores compuestos se forman a partir de combinaciones de
elementos de las columnas III y V o de las columnas II y VI. Estos ltimos
materiales con frecuencia se denominan semiconductores compuestos III-V (35) o
II-VI (2-6).

TABLA 1.3
Materiales semiconductores.

15

La tabla 1.3 presenta algunas de las posibilidades ms tiles. Tambin hay

materiales ternarios, como el telurio de cadmio de mercurio, el arseniuro de
aluminio de galio, el arseniuro de indio de galio y el fosfuro de indio de galio.
Histricamente, el germanio fue uno de los primeros semiconductores que se
utiliz. Sin embargo, rpidamente fue sustituido por el silicio, que en la
actualidad es el material semiconductor ms importante. El silicio tienen una
energa de banda ms amplia (la energa de banda EG es la energa mnima
que se necesita para romper un enlace covalente en el cristal semiconductor,
lo que consecuentemente libera electrones para la conduccin). La tabla 1.3
lista los valores de la energa de banda para varios semiconductores. El hecho
de que el silicio tenga una energa de banda ms amplia permite utilizarlo en
aplicaciones de ms alta temperatura que el germanio, y la oxidacin forma un
xido de silicio aislante estable, lo que da al silicio ventajas de procesamiento
importantes sobre el germanio durante la fabricacin de CI. Adems del silicio,
en la actualidad se encuentran comnmente el arseniuro de galio, el fosfuro de
indio y el carburo de silicio, aunque el germanio sigue utilizndose en algunas
aplicaciones limitadas. Los materiales semiconductores compuestos arseniuro
de galio (GaAs) y fosfuro de indio (InP) son los ms importantes en las
aplicaciones optoelectrnicas, que incluyen diodos emisores de luz (LED),
lseres y foto detectores.
Muchos laboratorios de investigacin estn explorando en la actualidad la
formacin de materiales de diamante, nitruro de boro, carburo de silicio y
germanio de silicio. El diamante y el nitruro de boro son aisladores excelentes a
temperatura ambiente, aunque es posible utilizarlos, al igual que el carburo de
silicio, como semiconductores a temperaturas mucho ms elevadas
(600C). Se ha demostrado recientemente que al agregar un pequeo
porcentaje (< 10 por ciento)
de germanio al silicio se logra un desempeo mejorado del dispositivo en un
proceso compatible con el procesamiento de silicio normal. Debido a sus
ventajas en el desempeo, esta tecnologa SiGe se ha introducido con rapidez
en la fabricacin de dispositivos para aplicaciones de RF (radiofrecuencias) en
particular para el uso en el mercado de las telecomunicaciones. (J. D. Cressler,
Re-Engineering Silicon: SiGe Heterojunction Bipolar Technology, IEEE
Spectrum, pp. 4955, marzo de 1995).
1.1.1 SEMICONDUCTORES CONTAMINADOS P Y N
Las ventajas reales de los semiconductores surgen cuando se agregan
impurezas al material en cantidades muy pequeas pero controlables. Este
proceso se llama adulteracin, impurificacin, contaminacin o dopado
y el material que resulta se conoce como semiconductor adulterado,
impurificado, contaminado o dopado. La adulteracin permite cambiar la
resistividad en una amplia gama y determinar si la poblacin de electrones o
de huecos controlan la resistividad del material. La siguiente discusin se
16

centra en el silicio, aunque los conceptos de adulteracin se aplican tambin a

otros materiales. Las impurezas que se usan con el silicio provienen de las
columnas III y V de la tabla peridica.
IMPUREZAS DEL DONADOR EN SILICIO
Las impurezas del donador en silicio provienen de la columna V, donde son
cinco los electrones de valencia en la capa exterior. Los elementos que se usan
de manera ms comn son el fsforo, el

17

arsnico y el antimonio. Cuando un tomo donador sustituye al tomo de

silicio en la red cristalina, como se muestra en la figura 1.1, cuatro de los cinco
electrones de la capa externa llenan la estructura de las covalentes; se
requiere muy poca energa trmica para liberar los electrones adicionales de la
conduccin. Cada tomo de donador que se ioniza al proporcionar un
electrn tendr una carga neta de +q y representa una carga fija inmvil en la
red cristalina.

FIGURA 1.1
Es posible obtener un electrn
adicional a partir de un tomo
donador de fsforo.

IMPUREZAS ACEPTADORAS EN EL SILICIO

Las impurezas de aceptador en silicio se forman a partir de la columna III y
tienen un electrn menos que el silicio en la capa exterior. La impureza de
aceptador primaria es el boro, el cual se muestra en lugar de un tomo de
silicio en la red de la figura 1.2a. Como el boro solo tiene tres electrones en la
capa exterior, existe una vacante en la estructura del enlace. Es fcil para un
electrn vecino moverse hacia esta vacante, creando otra vacante en la
estructura del enlace. Esta vacante mvil representa un hueco que puede
moverse por la red, como se ilustra en la figura
1.2b y c, y el hueco puede visualizarse simplemente como una partcula con
una carga de +q. Cada
18

tomo de la impureza al aceptar un electrn tiene una carga neta de q y se

encuentra inmvil en la red, como en la figura 1.2b.

19

FIGURA 1.2
a) Vacante de enlace covalente de un tomo aceptor de boro. b)
Hueco creado despus de que el tomo de boro acepta un electrn.
c) Hueco mvil que se mueve por la red de silicio.

CONCENTRACIONES DE ELECTRONES Y HUECOS EN SEMICONDUCTORES

ADULTERADOS
En un material adulterado, las concentraciones de electrones y huecos ya no
son iguales. Si n > p, el material se denomina de tipo n, y si p > n, se dice
que el material es de tipo p. El portador con una poblacin mayor se conoce
como el portador mayoritario, y el portador con una poblacin ms
pequea recibe el nombre de portador minoritario.
Para efectuar clculos detallados de las densidades de electrones y
huecos, se debe seguir el rastro a las concentraciones de las impurezas de
donador y aceptador:
20

ND = concentracin de impurezas donadoras

21

tomos/cm

NA = concentracin de impurezas aceptadoras

tomos/cm

Se necesitan dos piezas adicionales de informacin. Primero, el material

semiconductor debe mantener carga neutra, lo cual requiere que la suma total
de la carga positiva y de la carga negativa sea cero. Los donadores y huecos
ionizados representan carga positiva, en tanto que los aceptadores y
electrones ionizados transportan carga negativa. Por tanto, la neutralidad de
carga requiere
(

(1.1)

Segundo, el producto de las concentraciones de electrones y huecos en

materiales intrnsecos es
igual a
(1.2)
Lo anterior porque en cada enlace que se rompe se crean dos partculas
cargadas: un electrn y un hueco. Para silicio intrnseco,
(1.3)
Y el producto de las concentraciones de electrones y huecos es como indica
la frmula (1.2). El producto de la frmula (1.2) es vlido incluso en
semiconductores adulterados en equilibrio trmico y dicha ecuacin es vlida
para un amplio intervalo de concentraciones de adulteracin.
MATERIAL TIPO-N (ND > NA)
Al resolver la ecuacin (1.2) para p y sustituir en la ecuacin (1.1), se
obtiene una ecuacin cuadrtica para n:
(

lo que da para n:
(

(1.4)

En situaciones prcticas ND - NA >> 2ni, y n se da aproximadamente por medio

de n (ND NA). Las frmulas en la ecuacin (1.4) deben utilizarse para ND >
N A.

22

MATERIAL TIPO-P (NA > ND)

Para el caso de NA > ND, se sustituye n en la ecuacin (1.1) utilizando la
frmula cuadrtica para resolver con respecto a p:
(

(1.5)

De nuevo, el caso usual es (NA ND) >> 2ni, y p est dado aproximadamente
por p (NA ND). La ecuacin (1.5) debe utilizarse para NA > ND.
Debido a las limitaciones prcticas del control del proceso, las densidades de la
impureza que pueden introducirse en la red de silicio varan de
14

21

aproximadamente 10 a 10 tomos/cm . Por tanto, NA y ND normalmente

sern mucho mayores que la concentracin de portadores intrnseca en silicio
a temperatura ambiente. A partir de las expresiones anteriores, se observa que
la densidad de portadores mayoritarios est determinada de manera directa
por la concentracin de impurezas neta: p (NA ND) para NA > ND o n (ND
NA) para ND > NA.
NIVELES DE ADULTERACIN PRCTICOS
Tanto en semiconductores tipo n como tipo p, las concentraciones de
portadores mayoritarios se establecen en fbrica por medio de una eleccin
del ingeniero de NA y ND, y son independientes de la temperatura en una
intervalo amplio. En contraste, las concentraciones de portadores minoritarias,
aunque pequeas, son proporcionales a
y altamente dependientes de la
temperatura. Para niveles de adulteracin prcticos:
Para el tipo n (ND > NA): n ND NA
Para el tipo p (NA > ND): p NA ND
Los valores comunes de la adulteracin caen en este intervalo:
14

21

10 /cm NA - ND10 /cm

Ejemplo: Concentraciones de electrones y huecos

Obtener las concentraciones de electrones y huecos en una muestra de silicio
que contiene tanto impurezas de aceptador como de donador.
Problema: Determinar el tipo y las concentraciones de electrones y
huecos en una muestra de silicio a temperatura ambiente si sta se

16

adultera con una concentracin de boro de 10 /cm y una

15
3
concentracin de fsforo de 2 x 10 /cm .

Solucin: Informacin conocida y datos proporcionados: Se

especifican las concentraciones de adulteracin de boro y
fsforo y la operacin a temperatura ambiente.
Incgnitas: Concentraciones de electrones y huecos (n y p).
Mtodos: Identifique las concentraciones de impurezas de donador y
aceptador y utilice los valores para determinar n y p con la ecuacin
(1.4) o la ecuacin (1.5) segn resulte conveniente.
10
3
Suposiciones: A temperatura ambiente, ni = 10 /cm .
Anlisis: Utilizando la tabla 1.2 se determina que el boro es una
impureza de aceptador y el fsforo es una impureza de donador. Por
tanto
16

NA = 10 /cm y

15

ND = 2 x 10 /cm

15

Como NA > ND, el material es tipo p, y se tiene (NA ND) = 8 x 10 /cm .

10
3
Para ni = 10 /cm ,
(NA ND) >> 2ni, y puede aplicarse la forma simplificada de la ecuacin
(1.5):
p (NA ND) = 8.00 x 10
=

15

huecos/cm
4

= 1.25 x 10 electrones/cm

Verificacin de resultados: Ya se han encontrado las concentraciones de

electrones y huecos. Al comprobar dos veces el producto pn: se tiene pn
20
6
= 10 /cm , lo cual es correcto.
1.1.2 UNIN PN
El diodo de unin pn se forma mediante la creacin de una regin
semiconductora tipo p en contacto estrecho con una regin tipo n, como
se ilustra en la figura 1.3. El diodo se disea
utilizando un proceso de adulteracin o contaminacin o dopado.

FIGURA 1.3
Diodo de unin pn bsico

Un diodo real puede formarse con una oblea de tipo n y con dopaje o
adulteracin de tomos donadores (ND) al convertir de una manera selectiva
una parte de la oblea en tipo p agregando impurezas aceptadoras (NA) con NA
> ND. El punto en el cual el material cambia de regin tipo p a tipo n se
conoce como unin metalrgica. La regin p se denomina nodo del diodo, y
la regin tipo n se conoce como el ctodo del diodo. La figura 1.4
proporciona el smbolo del circuito del diodo, con el extremo del lado
izquierdo que corresponde a la regin tipo p del mismo y el
extremo derecho a la regin tipo n.

FIGURA 1.4
Smbolo de circuito del diodo.

CARACTERSTICAS i-v DEL DIODO

El diodo es el equivalente electrnico de la vlvula de verificacin mecnica
(permite que la corriente fuya en una direccin en un circuito, pero evita el
movimiento de corriente en la direccin opuesta). El comportamiento no lineal
tiene muchas aplicaciones tiles en el diseo de circuitos electrnicos. Para
entender este fenmeno, se ver la relacin entre la corriente en el diodo y el
voltaje aplicado en el mismo. Esta informacin, denominada caracterstica i-v
del diodo, se presenta primero grficamente y despus matemticamente.
La corriente en el diodo se determina mediante el voltaje aplicado en las
terminales del mismo, y
el diodo se muestra con un voltaje aplicado en la figura 1.5. El voltaje vD en la
figura 1.5 representa el voltaje aplicado en las terminales del diodo; iD es la
corriente que circula por el diodo. Las regiones neutras del diodo representan
una baja resistencia a la corriente, y en esencia todo
voltaje aplicado externo cae a travs de la regin central.

FIGURA 1.5

17

Los detalles ms importantes de la caracterstica i-v del diodo aparecen en la

figura 1.6. La caracterstica del diodo es no lineal. Para voltajes menores que
cero, el diodo ser no conductor, con iD 0. Cuando el voltaje aumenta arriba
de cero, la corriente se mantiene casi en cero hasta el voltaje vD,
aproximadamente de 0.5 a 0.7 V. En este punto, la corriente del diodo aumenta
con rapidez, y el diodo en los extremos del mismo se vuelve ms
independiente de la corriente. El voltaje que se requiere para llevar al diodo a
una conduccin importante se conoce como voltaje
de encendido o de interrupcin (corte) del diodo.

FIGURA 1.6
Grfca de caractersticas i-v de un diodo de unin pn.

ECUACIN DEL DIODO: MODELO MATEMTICO PARA EL DIODO

Cuando se efectan anlisis tanto manuales como por computadora de circuitos
que contienen diodos, es muy til contar con una representacin matemtica o
modelo, para las caractersticas i- v descritas en la figura 1.6. De hecho, la
teora de dispositivos de estado slido se ha usado para formular una expresin
matemtica que concuerda con las caractersticas i-v medidas del diodo de
unin pn. Esta frmula es de suma importancia y se denomina la ecuacin del
diodo.
Se aplica un voltaje al diodo de la figura 1.7; en la figura el diodo se
representa mediante su smbolo de circuito de la figura 1.4. La ecuacin del
18

diodo, dada en la ecuacin 1.6, proporciona un modelo matemtico para

las caractersticas i-v del diodo:

19

(1.6)

donde IS = corriente inversa de saturacin

del diodo (A)
vD = voltaje aplicado al diodo (V)
-19
q = carga electrnica (1.60 x 10 C)
-23
k = constante de Boltzmann (1.38 x 10 J/K)
T = temperatura absoluta (K)
n = factor de no idealidad (adimensional)
VT = kT/q = voltaje trmico (V)

FIGURA 1.7

La corriente total que circula por el diodo es iD, y la cada de voltaje en las
terminales del diodo es vD. Las direcciones positivas del voltaje y la corriente de
terminal se indican en la figura 1.7. VT es el voltaje trmico y se supondr igual
a 0.025 V a temperatura ambiente. IS es la corriente de saturacin (inversa) del
diodo, y n es un parmetro adimensional. La corriente de saturacin se
encuentra por lo comn en el intervalo
10

-18

-9

A IS 10 A

La corriente de saturacin del diodo es proporcional a , donde es la densidad

de electrones y huecos en materiales semiconductores intrnsecos. IS depende
en gran medida de la temperatura.
El parmetro n se conoce como factor de no idealidad. En la mayora de los
diodos de silicio n se encuentra en el intervalo de 1.0 a 1.1, aunque se
20

aproxima a un valor de 2 en diodos que operan a

21

elevadas densidades de corriente. A partir de este punto, se supone que n

= 1 a menos que se indique lo contrario, y en la ecuacin del diodo se
escribir como
(

(1.7)

El modelo matemtico de la ecuacin 1.7 proporciona una prediccin altamente

exacta de las
caractersticas i-v del diodo de unin pn. El modelo es til para entender el
comportamiento detallado de diodos. Tambin proporciona una base para
comprender las caractersticas i-v del transistor bipolar.
Ejemplo: Clculos de voltaje y corriente del diodo
Calcular algunos valores comunes de voltaje del diodo para varios niveles de
corriente diferentes y tipo de diodos.
Problema: a) Determine el voltaje del diodo para un diodo de silicio con
IS = 0.1 fA que
opera a temperatura ambiente y a una corriente de 300 A. Cul es el
voltaje del diodo si
IS 10 fA? Cul es el voltaje del diodo si la corriente aumenta hasta 1 mA?
b) Determine el voltaje del diodo para un diodo de potencia de silicio con
IS = 10 nA y n = 2 que opera a temperatura ambiente a una corriente de
10 A.
c) Un diodo de silicio opera con una temperatura de 50 C y el voltaje
del diodo que se mide corresponde a 0.736 V a una corriente de 2.50
mA. Cul es la corriente de saturacin del diodo?
Solucin a): Informacin conocida y datos proporcionados: Las
corrientes del diodo estn dadas y se especifica el parmetro de
corriente de saturacin IS.
Incgnitas: Voltaje del diodo en cada una de las corrientes de operacin.
Mtodo: Resuelva la ecuacin 1.6 para el voltaje del diodo y evale la
expresin en cada corriente de operacin.
Suposiciones: A temperatura ambiente, se emplea VT = 0.025 V =
1/40 V; suponga n = 1, pues no se especifica otra cosa; suponga una
operacin a cc: iD = ID y vD = VD.
Anlisis: Al resolver la ecuacin 1.6 para VD con ID = 0.1 fA, se obtiene
(
) (
(
)
)
para IS = 10 fA:
(
) (
(
)
)
para ID = 1 mA con IS = 0.1 fA:
(
) (
(
)
)

22

Verificacin de resultados: Todos los voltajes del diodo estn entre

0.5 y 1.0 V, y son razonables (el voltaje del diodo no debe exceder
el intervalo de banda para n = 1).
Solucin b): Informacin conocida y datos proporcionados: La corriente
del diodo est
dada y se especifican ambos valores del parmetro de la corriente de
saturacin IS y n.
Incgnita: Voltaje del diodo a la corriente de operacin.
Mtodo: Resuelva la ecuacin 1.6 para el voltaje del diodo y
evale la expresin resultante.
Suposiciones: A temperatura ambiente, se emplea VT = 0.025 V = 1/40 V
Anlisis: El voltaje del diodo ser
(
) (
(
)
)
Verificacin de resultados: Con base en el comentario final de la parte a)
y con n = 2, los
voltajes entre 1 y 2 V resultan razonables para diodos de potencia
que operan a altas corrientes.

Solucin c): Informacin conocida y datos proporcionados. La

corriente del diodo es 2.50 mA y el voltaje corresponde a 0.736 V. El
diodo est operando a una temperatura de 50 C.
Incgnitas: Corriente de saturacin IS del diodo.
Mtodo: Resuelva la ecuacin 1.6 para la corriente de saturacin y
evale la expresin resultante. El valor del voltaje trmico VT
necesitar calcularse para T = 50 C. Suposiciones: El valor de n no
est especificado, de modo que se supone n = 1.
Anlisis: Al convertir T = 50 C en Kelvins, T = (273 + 50) K = 323 K, y
(

)(

Al resolver la ecuacin 1.6 para IS, se obtiene

Verificacin de resultados: La corriente de saturacin est dentro del

intervalo de valores comunes especificados anteriormente.
1.2 TIPOS DE DIODOS
Otros tipos de diodos con caractersticas especializadas incluyen el diodo de
barrera Schottky, el
diodo Zener, el diodo emisor de luz y el fotodiodo. El diodo Zener, el
23
diodo emisor de luz y los

fotodiodos son tipos de diodos de unin pn con caractersticas especficas que

los hacen tiles en aplicaciones de circuitos particulares.
DIODO1.8
DE BARRERA SCHOTTKY
FIGURA
Diodo de barrera Schottky:
a) Geometra simplificada y b) smbolo del elemento

Un diodo de barrera Schottky, o simplemente Schottky, se forma cuando un

metal, tal como el aluminio, se pone en contacto con un semiconductor tipo n
adulterado moderadamente. La figura
1.8a muestra el contacto metal-semiconductor, y la figura 1.8b muestra el
smbolo del circuito con la direccin de corriente y la polaridad de voltaje.
Las caractersticas corriente-voltaje de un diodo Schottky son muy similares a
las de un diodo de unin pn. Puede emplearse la misma ecuacin del diodo
ideal para ambos dispositivos. Sin
24

embargo, hay dos importantes diferencias entre los dos diodos que
afectan directamente la respuesta del diodo Schottky.
Primero, el mecanismo de la corriente en los dos dispositivos es diferente. La
corriente en un diodo de unin pn est controlada por la difusin de los
portadores minoritarios, mientras que la corriente en un diodo Schottky resulta
del fujo de portadores minoritarios sobre la barrera de potencial en la unin
metalrgica. Lo anterior significa que no hay almacenamiento de portadores
minoritarios en el diodo Schottky y el tiempo de conmutacin de una
polarizacin directa a una polarizacin inversa es muy corto comparado con el
de un diodo de unin pn. El tiempo de almacenamiento para un diodo Schottky
es esencialmente cero.
Segundo, la corriente de saturacin inversa IS para un diodo Schottky es mayor
que la del diodo pn comparativamente. Esta propiedad significa que la
corriente en un diodo Schottky es mayor que la de un diodo de unin pn para el
mismo voltaje de polarizacin en sentido directo.
La figura 1.9 compara las caractersticas de los dos diodos. Podemos
determinar que el diodo
Schottky tiene un voltaje de encendido ms pequeo que el del diodo de unin
pn.
Ejemplo: Calcule las corrientes en un circuito que contiene tanto un diodo de
unin pn como un diodo Schottky.
Considere el circuito de la figura 1.10. Suponga que los voltajes de encendido
para el diodo de
unin pn y para el diodo Schottky son V = 0.7 V y V = 0.3 V,
respectivamente. Sea la resistencia a la corriente rf = 0 en ambos diodos.
Solucin: La corriente I1 es la diferencia de voltaje a travs de R1 dividida por la
resistencia R1, o

Similarmente, la corriente I2 es la diferencia de voltaje a travs de R2 dividida

por la resistencia R2,
o

Comentario: Los clculos de cd para un circuito que contiene un diodo

Schottky son los mismos que aquellos para un circuito que contiene un diodo
de unin pn.
25

Otro tipo de unin metal-semiconductor es tambin posible. Un metal aplicado

a un semiconductor altamente adulterado, forma, en la mayor parte de los
casos, un contacto hmico; esto es, un contacto que conduce corriente
igualmente en ambas direcciones, con muy poca cada de voltaje en la unin.
Los contactos hmicos se emplean para conectar un dispositivo semiconductor
a otro en un CI, o para conectar un CI a sus terminales externas.

26

FIGURA 1.9
Comparacin de las caractersticas I-V de
polarizacin directa de un diodo de unin
pn y de un diodo de barrera Schottky.

FIGURA 1.10
Circuito sencillo tanto con un diodo de
unin pn como con un diodo de barrera
Schottky

27

DIODO ZENER
Para entender el diodo Zener, debemos comprender primero el concepto de
ruptura del diodo. Sabemos que el voltaje de polarizacin inversa aplicado
no puede aumentar sin lmite. En algn punto, la corriente de polarizacin
inversa empezar a crecer muy rpidamente. La situacin recibe el nombre
de ruptura, y el voltaje aplicado en ese punto se llama voltaje de ruptura.
Las caractersticas i-v del diodo, incluyendo la ruptura, se muestran en la
figura 1.11. (Aunque el voltaje de ruptura est en el eje de voltaje negativo
{polarizacin inversa}, su valor suele darse
como una cantidad positiva).

FIGURA 1.11
Caractersticas I-V del diodo en las que se muestran los
efectos de
la ruptura.

28

Existen dos mecanismos fsicos que contribuyen a la ruptura de polarizacin

inversa: el efecto Zener y el efecto avalancha. La ruptura Zener ocurre en
uniones pn altamente adulteradas en las que los electrones forman un tnel
directamente a travs de la barrera de potencial. El fenmeno tnel lo
describe la mecnica cuntica que no se tratar aqu.
La ruptura por avalancha ocurre cuando electrones y huecos, movindose a
travs de la regin del espacio-carga, adquieren suficiente energa del campo
elctrico para chocar con electrones de valencia en la regin de agotamiento,
generando pares electrn-hueco. Los electrones y huecos nuevamente creados
se mueven en direcciones opuestas como consecuencia del campo elctrico,
sumndose por ello a la corriente de polarizacin inversa existente. Adems,
los electrones y huecos recin generados pueden adquirir suficiente energa
para ionizar otros tomos, en un proceso de avalancha. En la mayor parte de
las uniones pn, el efecto de avalancha es el mecanismo de ruptura
predominante.
La gran corriente que puede existir en la ruptura puede ocasionar efectos de
calentamiento y la falla catastrfica del diodo debido a la considerable
disipacin de potencia en el dispositivo. Sin embargo, los diodos pueden
operarse en la regin de ruptura limitando la corriente hasta un valor dentro de
las capacidades del dispositivo. Tal diodo puede utilizarse como una referencia
de voltaje constante en un circuito. El voltaje de ruptura del diodo es constante
en una amplia gama de corrientes y temperaturas. La pendiente de la curva de
caractersticas i-v en la ruptura es bastante grande, por lo que la resistencia
incremental rZ es pequea. Por lo comn, rZ est en el intervalo de unos
cuantos ohms o de decenas de ohms.
Aunque el mecanismo fsico de ruptura suele ser el efecto avalancha, los
diodos que operan en la regin de interrupcin reciben el nombre de diodos
Zener. El smbolo de este diodo se muestra en la figura 1.12. (Note la
diferencia entre este smbolo y el smbolo del diodo Schottky.) El voltaje VZ es
el voltaje de ruptura Zener, y la corriente IZ es la corriente de polarizacin
inversa cuando el
diodo est operando en la regin de ruptura.

FIGURA 1.12
Smbolo del diodo Zener.

29

Ejemplo: Objetivo: Considere un circuito con voltaje de referencia constante

simple y determine el valor de resistencia requerido para limitar la corriente
en este circuito.
Considere el circuito mostrado en la figura 1.13. Suponga que el voltaje de
ruptura del diodo Zener
es VZ = 5.6 V y que la resistencia Zener es rZ = 0. Determine el valor de R
necesario para limitar la corriente a I = 3 mA

FIGURA 1.13
Circuito sencillo que incluye un diodo Zener.

Solucin: Podemos determinar la corriente a partir de la diferencia de voltaje en

R dividida por la
resistencia. Esto es,

La resistencia es entonces

Comentario: La resistencia externa al diodo Zener limita la corriente cuando

el diodo est operando en la regin de ruptura. En el circuito que se muestra
en la figura, el voltaje de salida permanecer constante en 5.6 V, aun cuando
el voltaje de la batera y la resistencia pueden cambiar en un intervalo
limitado. En consecuencia, este circuito proporciona un voltaje de salida
constante.
30

EL DIODO EMISOR DE LUZ

El diodo emisor de luz (LED) convierte corriente en luz. Cuando se aplica un
voltaje de polarizacin directa a travs de una unin pn, electrones y huecos
fuyen a travs de la regin de espacio-carga y se vuelven un exceso de
portadores minoritarios. Este exceso de portadores minoritarios se difunden
dentro de las regiones neutras del semiconductor, donde se recombinan con
portadores mayoritarios. Si el semiconductor es un material de espacio
entre bandas directo, tal como el GaAs, los electrones y huecos pueden
recombinarse sin cambio en el momntum, y un fotn u onda luminosa puede
emitirse. Inversamente, en un material de espacio entre bandas indirecto
tal como el silicio, cuando un electrn y un hueco se recombinan, tanto la
energa como el momntum deben conservarse, por lo que la emisin de un
fotn es muy poco probable. Por consiguiente, los LED se fabrican empleando
GaAs u otros materiales semiconductores compuestos. En un LED, la corriente
del diodo es directamente proporcional a la tasa de recombinacin, lo cual
quiere decir que la intensidad de la luz de salida tambin es proporcional a la
corriente del diodo.
Los arreglos monolticos de LED se fabrican para exhibidores numricos y
alfanumricos, tales como el indicador de un vltmetro digital.
Un LED puede integrarse en una cavidad ptica para producir una salida de
fotones con un ancho de banda muy estrecho. Tal dispositivo es un diodo
lser, el cual se emplea en aplicaciones de comunicaciones pticas.
FOTODIODO
Los fotodetectores son dispositivos que convierten las seales pticas en
seales elctricas. Un ejemplo es el fotodiodo, que es una unin pn que opera
con un voltaje de polarizacin inversa. Los fotones incidentes o las ondas
luminosas crean excesos de electrones y huecos en la regin de espacio-carga.
Este exceso de portadores son separados rpidamente y desplazados de la
regin
de espacio-carga por el campo elctrico, creando as una fotocorriente.
Esta fotocorriente generada es proporcional al fujo de fotones incidentes.
El fotodiodo puede emplearse en conjunto con otros dispositivos. Por ejemplo,
puede combinarse con un LED para crear un sistema ptico como el que se
muestra en la figura 1.14. La seal luminosa creada puede viajar a lo largo de
distancias relativamente grandes a travs de la fibra ptica, debido a la baja
absorcin ptica en fibras pticas de alta calidad.

31

FIGURA 1.14
Elementos bsicos en un sistema de transmisin ptico.

Ejercicios
a) Las corrientes de saturacin inversa de un diodo de unin pn y un diodo
Schottky son IS =
-12
-8
10 A y 10 A, respectivamente. Determine los voltajes de
polarizacin requeridos para producir 1 mA en cada diodo.
(Respuestas: diodo pn, VD = 0.539 V; diodo Schottky, VD =
0.299 V).
b) Un diodo de unin pn y un diodo Schottky tienen ambos corrientes de
polarizacin directa de 1.2 mA. La corriente de saturacin inversa del
-15
diodo de unin pn es IS = 4 x 10 A. La diferencia en los voltajes de
polarizacin directa es de 0.265 V. Determine la corriente de saturacin
-10
inversa del diodo Schottky. (Respuesta: IS = 1.07 x 10 A)
c) Considere el circuito de la figura 1.13. Determine el valor de la
resistencia R requerida para limitar la potencia disipada en el diodo
Zener a 10 mW. (Respuesta: R = 2.46 k)
d) Un diodo Zener tiene una resistencia en serie equivalente a 20 . Si el
voltaje en el diodo
Zener es de 5.20 V a IZ = 1 mA. Determine el voltaje en el diodo a IZ = 10
mA. (Respuesta:
VZ = 5.38 V)
1.3 APLICACIONES DEL DIODO
Algunos circuitos con diodos se usan para limitar o recortar porciones de una
seal que estn arriba o debajo de algn nivel de referencia. Estos circuitos
se llaman limitadores o recortadores. Los circuitos recortadores o limitadores
32sentido de que transforman la forma
son circuitos de formacin de onda en el

de onda de la seal de entrada en una forma de onda de salida diferente.

Los diodos Zener operando en la regin de ruptura en polarizacin inversa,
tienen la ventaja de que el voltaje a travs del diodo en esta regin es casi
constante sobre una amplia gama de

33

corrientes. Estos diodos se usan en circuitos de referencia de voltaje o en

circuitos reguladores de voltaje.
1.3.1 CIRCUITOS RECORTADORES
Los diodos pueden emplearse en circuitos de formacin de ondas que limitan o
recortan partes
de una seal. Estos circuitos se llaman limitadores o recortadores.
Los circuitos recortadores, llamados tambin circuitos limitadores, se
emplean para eliminar partes de una seal que estn por encima o por debajo
de un nivel especificado. Un circuito que convierte una seal CA en seal CD,
tambin denominado rectificador, es un ejemplo de circuito recortador, puesto
que todos los voltajes por debajo de cero se eliminan. Otras aplicaciones, como
el procesamiento de seales, pueden requerir que la magnitud de una seal se
limite.
La figura 1.15 muestra las caractersticas de transferencia generales de un
circuito recortador. El recortador es un circuito lineal si la seal de entrada
est en el intervalo

donde Av es la pendiente de la curva de transferencia. Si Av 1, como en los

circuitos con diodo, el circuito es un recortador pasivo. Si , la salida est
limitada a un valor mximo
. De modo similar, si
, la salida est
limitada a un valor mnimo de
. La figura 1.15 muestra la curva de
transferencia general de un limitador doble, en el que tanto el valor pico
positivo como el negativo de la seal de entrada se limitan.
Varias combinaciones de y son posibles. Ambos parmetros pueden ser
positivos,
negativos o uno puede ser positivo mientras que el otro es negativo, segn se
indica en la figura. Si se acerca a menos infinito o se acerca a ms infinito,
entonces el circuito vuelve a ser un
recortador simple.
La figura 1.16a es un circuito recortador de un solo diodo. El diodo D1 est
desactivado siempre que
. Con D1
desactivado. La corriente es cero, la cada de voltaje a travs de R es cero y
el voltaje de salida sigue al voltaje de entrada. Cuando
,

el diodo se activa, el voltaje de salida se limita y vO es igual a VB + V. La seal

de salida se muestra en la figura 1.16b. En este circuito, la salida se recorta
34

arriba de VB + V.

35

FIGURA 1.15
Caractersticas de transferencia de voltaje
generales de un circuito limitador.

Otros circuitos recortadores pueden construirse invirtiendo el diodo, la

polaridad de la fuente de voltaje o ambos. Las figuras 1.17a, b y c muestran
estos circuitos, junto con las correspondientes seales de entrada y salida.

FIGURA
1.16
Recortador con diodo individual: a) circuito y b)
respuesta de salida

36

FIGURA 1.17
Circuitos recortadores adicionales con diodo individual y sus
correspondientes respuestas de salida.

Puede efectuarse en forma simultnea recorte positivo y negativo mediante un

recortador doble o un recortador/limitador paralelo, tal como el circuito que
se muestra en la figura 1.18 (2.19) (Pg.
65). Las seales de entrada y salida tambin se muestran en la figura. El
recortador paralelo se disea usando dos diodos y dos fuentes de voltaje
orientadas en direcciones opuestas.

37

FIGURA 1.18
Un circuito recortador con diodo en paralelo y su respuesta de salida

Ejemplo: Objetivo: Encuentre la salida del recortador paralelo mostrado

en la figura 1.19a. Por simplicidad, suponemos que
y
en
ambos diodos.
Solucin: Para t = 0, vemos que
y tanto D1 como D2 estn polarizados
inversamente. Para
, D1 y D2 permanecen apagados; en consecuencia,
. Para
, D1 se
enciende y

Asimismo,
(
Si

, entonces

Para
, tanto D1 como D2 estn apagados y
. Para
,
D2 se enciende y la salida es constante en
. Las formas de onda de
entrada y salida se grafican en la figura 1.19b.
Comentario: Si suponemos que
, la salida ser muy similar a los
resultados calculados aqu. La nica diferencia sern los puntos en los cuales
el diodo se activa.

38

FIGURA 1.19

Una aplicacin sencilla de un limitador paralelo es recortar el voltaje de

entrada entre una red de dos terminales, de modo que el voltaje de ruptura
de los transistores dentro de la red no se exceda. El limitador brinda
proteccin para una red.
Los circuitos recortadores con diodo tambin se pueden disear de modo tal
que la fuente de alimentacin en CD est en serie con las seales de entrada.
Varios circuitos basados en este diseo se ilustran en la figura 1.20. La batera
en serie con la seal de entrada ocasiona que sta ltima se superponga sobre
el voltaje de CD
. Las seales de entrada acondicionadas
resultantes y las seales de salida correspondientes tambin se presentan en la
figura 1.20.
1.3.2 REGULACIN CON DIODO ZENER
El voltaje de ruptura de un diodo Zener es casi constante sobre un intervalo
amplio de corrientes de polarizacin inversa. Esto hace que el diodo Zener sea
til en un circuito regulador de voltaje o en un circuito de referencia de
voltaje constante.
CIRCUITO DE REFERENCIA DE VOLTAJE IDEAL
La figura 1.21 muestra un circuito regulador de voltaje Zener. En ste, el
voltaje de salida debe permanecer constante, incluso cuando la resistencia
de carga de salida vare en un intervalo bastante amplio y cuando el voltaje
de entrada vare en un intervalo especfico.

39

FIGURA 1.20
Circuitos recortadores con diodo en serie y sus respuestas de salida
correspondientes.

40

FIGURA 1.21
Un circuito regulador de voltaje con diodo Zener

Determinamos inicialmente, la resistencia de entrada propia

. La
resistencia
limita la
corriente a travs del diodo Zener y disminuye el voltaje excedente entre
y .
Podemos escribir
(1.7)
lo cual supone que la resistencia Zener es cero para el diodo ideal. Al resolver
esta ecuacin para la corriente del diodo
, se obtiene
(1.8)
donde

y las variables son la fuente de voltaje de entrada

y la corriente de carga
. Para la operacin
apropiada de este circuito, el diodo debe permanecer en la regin de ruptura y
la disipacin de potencia no debe exceder su valor nominal. Es decir,
La corriente en el diodo es mnima,
(min), cuando la corriente de
carga es mxima, (max), y el voltaje de la fuente es mnimo,
(min).
La corriente en el diodo es mxima, (max), cuando la corriente de
carga es mnimo, (min), y el voltaje de la fuente es mximo,
(max).
Incluyendo estas dos especificaciones en la ecuacin (1.7), obtenemos
(

(1.9)

Igualando estas dos expresiones, obtenemos entonces

41

(1.10)

] [

)]

] [

)]

(1.11)

De manera razonable, podemos suponer que conocemos el intervalo de voltaje

de entrada, el de
la corriente de carga de salida, as como el voltaje Zener. La ecuacin (1.11)
contiene entonces dos
incgnitas,
(unsea
) eun( dcimo de
Adems,
como
requerimiento
mnimo,
podemos
fijar
la
corriente
( Zener
)
mnima
para
que
la ms
corriente
Zener
mxima,
o ).
(
).
(Requerimientos
de 20
diseo
exigentes
tal
vez
requieran
que
la
corriente
Zener
mnima
de
a 30
por ciento
del valor
mximo.)
Podemos
entonces
resolver
para sea
(
),
empleando
la ecuacin
(1.11),
como
sigue:
(

)[

)[

(1.12)

Empleando la corriente mxima obtenida de esa manera a partir de la

ecuacin (1.12), podemos determinar el mximo valor de potencia requerida
del diodo Zener. De tal modo, combinando la ecuacin (1.12) ya sea con la
ecuacin (1.9) o (1.10), podemos determinar el valor requerido de la
resistencia de entrada .
Ejemplo: Objetivo: Disee un regulador de voltaje, utilizando el circuito de la
figura 1.21.
Suponga que el diodo Zener tiene un voltaje de ruptura de
, la
fuente de voltaje est en el intervalo
y la resistencia de
carga vara de 100 a 500 . Determine
y el valor de potencia
requerido del diodo Zener.
Solucin: Las corrientes de carga mxima y mnima son
(

y
(

Empleando la ecuacin (1.12), la corriente mxima del diodo Zener es

(

) [

]
(

(
)

) [
( )

La mxima disipacin de potencia en el diodo Zener es

(

(
42

)(

De la ecuacin (1.10), el valor de la resistencia de entrada

(
(

)
)

Comentario: Al considerar diversas combinaciones de

determinar que la
corriente del diodo permanece dentro del intervalo de
(

es

, podemos
o

), como ya se estableci.

RESISTENCIA ZENER Y PORCENTAJE DE REGULACIN

En el diodo Zener ideal, la resistencia Zener es cero. En diodos Zener reales,
sin embargo, esto no sucede. El resultado es que el voltaje de salida es una
funcin de la corriente del diodo Zener o de la corriente de carga. La figura
1.22 muestra el circuito equivalente del regulador de voltaje de la figura 1.21.
A causa de la resistencia Zener, el voltaje de salida no permanecer constante.
Es posible determinar los valores mnimo y mximo del voltaje de salida. Un
factor de mrito para un regulador de voltaje es el llamado porcentaje de
regulacin y se define como
(

donde (

) es el valor nominal del voltaje de salida. Conforme el porcentaje

de regulacin se
acerca a cero, el circuito se aproxima al de un regulador de voltaje ideal.

FIGURA 1.22
Un circuito regulador de voltaje con diodo Zener con
una resistencia Zener diferente de cero.

43

Ejemplo: Objetivo: Determine el porcentaje de regulacin de un regulador de

voltaje.
Considere el circuito descrito en el ltimo ejemplo y suponga una resistencia
Zener de
. El
voltaje de salida nominal es (

).

Solucin: Como una primera aproximacin, podemos suponer que el voltaje de

salida no cambia
significativamente. Por tanto, las corrientes del diodo Zener mnima y
mxima sern las mismas, como en el mismo ejemplo anterior. Entonces,
(

)( )

y
(

)( )

El porcentaje de regulacin es entonces

(

)
(

(
)

Comentario: El porcentaje de regulacin puede mejorarse de manera

significativa empleando amplificadores en conjunto con el circuito de
voltaje de referencia.
Ejercicios
a) El circuito regulador con diodo Zener que se muestra en la figura 1.21
tiene un voltaje de entrada que vara entre y
. Suponga que se
utiliza un diodo Zener de
)
y que (
(
). Encuentre el valor de
requerida y el valor
mnimo de
potencia del diodo. (Respuesta:
)
b) Si el diodo en el ejercicio (a) ltimo tiene una resistencia Zener de
,
determine el porcentaje de regulacin. (Respuesta: 14.3%)
c) El porcentaje de regulacin del regulador con diodo Zener mostrado en
la figura 1.22 es
5%. El voltaje Zener es
y la resistencia
Zener es
. Adems, la resistencia de carga vara entre
y
, la resistencia de entrada es
y el voltaje
de la
fuente
alimentacin
. Determine
el) (voltaje
(esde la figura
alimentacin
(Respuesta:
) deSi)
d) mnimo
Considere
el permitido.
circuitode
con
diodo Zener
1.21.
,
,
(
)asegurar
e que
(( que
), determine
la resistencia
de la
carga
mnima
el diodo est
operando en
regin
de
)
ruptura.
) (Respuesta:
44

1.4 REGULADORES DE VOLTAJE CON CIRCUITO INTEGRADO

No es fcil producir voltajes de salida precisos con circuitos rectificadores CACD, en particular con corrientes de carga variables. En ocasiones se requieren
transformadores con devanado especial para producir los voltajes de salida
deseados, con capacitancias de filtro muy grandes para reducir el voltaje de
rizo de salida a valores muy pequeos. Un mucho mejor mtodo consiste en
utilizar reguladores de voltaje de circuito integrado para ajustar el voltaje de
salida y eliminar el rizo. Es posible encontrar una amplia gama de voltajes de
salida fijos, as como de versiones de salida ajustable.

FIGURA 1.23
Rectifcador de media onda y regulador de voltaje de CI de tres
terminales.

En la figura 1.23 se presenta un ejemplo de circuito rectificador con un

regulador de voltaje de
de tres terminales. El regulador utiliza retroalimentacin en un circuito con un
amplificador de alta ganancia para reducir en gran medida el voltaje de rizo en
la salida. (Los amplificadores operacionales y los amplificadores de
retroalimentacin no se estudian en ste captulo.) Los reguladores de
voltaje de CI proporcionan una importante regulacin de lnea y carga,
manteniendo un voltaje de salida constante aun cuando la corriente de salida
cambie en muchos rdenes de magnitud. El capacitor
es el
capacitor de filtro del rectificador normal y
y
(en general de
) son capacitores de desacoplamiento que
proporcionan una trayectoria de baja impedancia para seales de alta
frecuencia que requieren asegurar la operacin adecuada del regulador de
voltaje.
El regulador puede reducir el voltaje de rizo en un factor de 100 y hasta 1,000
o ms. Para minimizar la disipacin de potencia en el regulador, es posible
disear el rectificador con un voltaje de rizo grande a la entrada del regulador,
reduciendo as el voltaje de entrada promedio
al regulador. La principal
45

restriccin de diseo la establece el diferencial de voltaje de entrada-salida

en el regulador, el que no debe caer por debajo de un voltaje de cada
mnimo especificado por el regulador, que corresponde a unos cuantos voltios.
La corriente
que se necesita
para

46

operar el regulador CI corresponde a unos cuantos mA y casi siempre

representa un pequeo porcentaje de la corriente total suministrada por el
rectificador:
.
1.5 CONSTRUCCIN DE UNA
FUENTE REGULADA
Esta fuente regulada se ver por etapas, siendo la primera lo que constituye
los circuitos rectificadores bsicos, pasando enseguida a revisar la parte del
filtrado y finalmente la regulacin de voltaje ya descrito arriba. Lo anterior dar
forma al tema que nos ocupa, que es la construccin de una fuente regulada.
CIRCUITOS RECTIFICADORES DE MEDIA ONDA
Los rectificadores constituyen una aplicacin de los diodos que se encuentran
con frecuencia da con da, pero que es posible no reconocer como tales. El
circuito rectificador bsico convierte un voltaje de CA en un voltaje de CC
pulsante. Despus se agrega un filtro para eliminar las componentes de CA de
la forma de onda y producir una salida de voltaje de CC casi constante. Casi
todo dispositivo electrnico que se conecta a la lnea de CA utiliza un circuito
rectificador para convertir la fuente de la lnea elctrica de CA de 120 V y 60 Hz
en los diversos voltajes de CC que se requieren para operar dispositivos
electrnicos como las computadoras personales, sistemas de audio, receptores
de radio, televisiones y similares. De hecho, la gran mayora de circuitos
electrnicos son alimentados por una fuente de CC, casi siempre basada en
alguna forma de rectificador.
RECTIFICADOR DE MEDIA ONDA CON CARGA RESISTIVA

FIGURA 1.24
Circuito rectificador de media onda.

47

Un solo diodo se utiliza para formar el circuito rectificador de media onda

de la figura 1.24. Una
fuente de voltaje senoidal
( ) se conecta a la combinacin en serie del
diodo

y el

resistor de carga . Durante la primera mitad del ciclo, para el que

, la fuente
fuerza una
corriente por el diodo
en la direccin de polarizacin directa, y
estar
encendido. Durante la segunda mitad del ciclo,
. Como no existe una
corriente negativa en el diodo (a menos que est en ruptura), ste se apaga.
Ambos estados se modelan en la figura 1.25 mediante el modelo
del diodo ideal.

FIGURA 1.25
Modelos de diodos ideales para los dos estados de
rectifcador de media onda.

Cuando el diodo est encendido, la fuente de voltaje

se conecta
directamente a la salida y
. Cuando el diodo est apagado, la corriente en el resistor es cero, y el
voltaje de salida tambin es cero. En este circuito, el diodo est conduciendo
50 por ciento del tiempo y est apagado el otro 50 por ciento. La forma de
onda del voltaje de salida se muestra en la figura 1.26,
y la corriente resultante se denomina corriente continua pulsante.

FIGURA 1.26

42

En algunos casos, la cada de voltaje directo en el diodo puede ser

importante. La figura 1.27 muestra el modelo del circuito para el estado
activado utilizando el modelo CVD. El modelo del diodo ideal ignora la
presencia del pequeo voltaje casi constante en los extremos del diodo
polarizado directamente.

FIGURA 1.27
Modelo CVD para el estado
activado del rectificador,

Sin embargo, un modelo lineal del diodo puede mejorarse al agregar un voltaje
constante
en serie con el diodo ideal, como se muestra en la figura
1.28b. ste es el modelo de cada de voltaje constante (CVD).
inicia la
caracterstica i-v del diodo ideal, como se muestra en la figura 1.28c. El modelo
lineal del diodo para los dos estados se convierte en una fuente de voltaje
para el estado activado y en un circuito abierto para el estado
desactivado. En este caso se tiene
para

para

Es posible considerar el modelo del diodo ideal como el caso especial del
modelo de la cada de voltaje constante para el que
. De la caracterstica
i-v que se presenta en la figura 1.6, se observa que una eleccin razonable
para
es de 0.6 a 0.7 V. Usaremos un voltaje de 0.6 V
como el voltaje de encendido para el anlisis de circuitos del diodo.
Para el caso de la figura 1.27, el voltaje de salida es una cada de diodo ms
pequeo que el voltaje de entrada, durante el intervalo de conduccin:
43

)]

(1.13)

44

FIGURA
1.28

45

El voltaje de salida se mantiene en cero durante el intervalo del estado

desactivado. Las formas de onda de entrada y salida para el rectificador de
media onda, incluyendo el efecto de
, se muestran en la figura 1.29
para
y
.

FIGURA 1.29

En muchas aplicaciones, se usa un transformador para convertir el voltaje de

120 V CA y 60 Hz disponible de la lnea de alimentacin en el nivel de voltaje
de CA que se desea, como en la figura
1.30. El transformador puede elevar el voltaje o disminuirlo dependiendo de la
aplicacin; lo anterior tambin aumenta la seguridad al brindar el aislamiento
de la lnea de alimentacin. Se sabe que la salida de un transformador ideal
puede representarse mediante una fuente de voltaje ideal, y se puede
utilizarla as para simplificar la representacin de diagramas de circuito de
rectificador.
La salida sin filtro del rectificador de media onda de la figura 1.26 no es
adecuada para la
46

operacin de la mayora de los circuitos electrnicos, ya que se requieren

voltajes de alimentacin constantes para establecer la polarizacin adecuada
de los dispositivos electrnicos.

47

FIGURA 1.30
Rectificador de media onda con transformador.

Puede agregarse un capacitor de filtro (o un circuito ms complejo) para

filtrar la salida del circuito de las figuras 1.24 y 1.30 y remover de la forma de
onda las componentes variables en el tiempo.
CAPACITOR DE FILTRADO DEL RECTIFICADOR
Para comprender la operacin del filtro del rectificador, considrese
primero la operacin del circuito detector de picos de la figura 1.31.

FIGURA 1.31
Rectifcador con carga de capacitor (detector de pico).

Este circuito es similar al de la figura 1.30, con la diferencia que el resistor se

reemplaza por un
]. En la figura 1.32 se
capacitor que est descargado en un principio [ ( )
ilustran modelos
para el circuito con el diodo en los estados de encendido y apagado, y las
formas de onda de
48

voltaje de entrada y salida asociadas con este circuito se presentan en la figura

1.33.

49

FIGURA 1.32

Cuando el voltaje de entrada empieza a crecer, el diodo se enciende y conecta

el capacitor a la
fuente. El voltaje del capacitor es igual al voltaje de entrada menos la cada de
voltaje en el diodo.

FIGURA 1.33
Forma de ondas de entrada y salida para el circuito
detector de pico.

En el pico de la forma de onda del voltaje de entrada, la corriente que circula

por el diodo trata de
50

invertir la direccin pues [ (

, el diodo deja de conducir y el

capacitor se
desconecta del resto del circuito. No hay trayectoria en el circuito para
descargar el capacitor, por

51

lo que el voltaje en este ltimo permanece constante. Debido a que la

amplitud de la fuente de voltaje de entrada nunca puede exceder a , el
capacitor permanece desconectado de durante
. Por consiguiente, el
capacitor en el circuito de la figura 1.31 se carga hasta un voltaje con una
cada de diodo por debajo del pico de la forma de onda de entrada y luego
permanece constante, produciendo as un voltaje de salida de CC.
(1.14)
RECTIFICADOR DE MEDIA ONDA CON CARGA RC
Para utilizar este voltaje de salida, debe conectarse una carga al circuito,
como se representa mediante el resistor
en la figura 1.34.

FIGURA 1.34
Circuito rectificador de media onda con capacitor de filtro

Ahora hay una trayectoria disponible para descargar el capacitor durante el

tiempo que el diodo no conduce. En la figura 1.35 se presentan modelos para
los intervalos de conduccin y no conduccin; las formas de onda para el
circuito se presentan en la figura 1.36. Tambin en este caso se supone que el
capacitor est inicialmente descargado. Durante el primer cuarto de ciclo, el
diodo conduce, y el capacitor se carga con rapidez hacia el valor pico de la
fuente de voltaje de entrada. El diodo deja de conducir en el pico de , y el
voltaje del capacitor se descarga despus exponencialmente a travs del
resistor , conforme se activa el circuito de la figura 1.35b. La descarga
contina hasta que el voltaje de entrada supera el voltaje de salida
, lo cual
ocurre cerca del pico siguiente. El proceso se repite una vez cada ciclo.

52

FIGURA 1.35
Modelos de circuito de rectificador de media onda.

FIGURA 1.36
Formas de onda de voltaje de entrada y
salida para el circuito rectificador de media
onda.

53

VOLTAJE DE RIZO E INTERVALO DE CONDUCCIN

El voltaje de salida ya no es constante como en el circuito de detector de pico
ideal, sino que tiene un voltaje de rizo
. Adems, el
diodo slo conduce durante un corto tiempo
durante cada
ciclo. Este tiempo se denomina intervalo de conduccin, y su equivalente
angular es el ngulo de conduccin
.
VALOR NOMINAL DEL VOLTAJE INVERSO PICO (VIP)
No se debe pasar por alto el valor nominal del voltaje de ruptura de los diodos
utilizados en circuitos rectificadores. ste recibe el nombre de valor nominal
del voltaje inverso pico (VIP) del diodo rectificador. La situacin del peor
caso para el rectificador de media onda se describe en la
figura 1.37, en la que se supone que el voltaje de rizo
es muy pequeo.

FIGURA 1.37
Voltaje inverso fijo en el diodo en un
rectificador de media onda.

Cuando el diodo est apagado, como en la figura 1.35b, la polarizacin inversa

en el diodo es igual a
. El peor caso ocurre cuando alcanza su pico
negativo de
. Por tanto, el diodo debe ser capaz de
soportar una polarizacin inversa de al menos
54

(1.15)

55

De la ecuacin (1.15) se observa que los diodos utilizados en el circuito

rectificador de media onda deben tener un valor nominal VIP igual al doble del
voltaje pico suministrado por la fuente
. El
valor VIP corresponde al valor mnimo del voltaje de ruptura Zener para el
diodo rectificador.
Suele especificarse un margen de seguridad de al menos 25 a 50 por ciento
para el valor nominal
VIP de diodos para diseos de fuentes de poder.
CIRCUITO RECTIFICADOR TIPO PUENTE DE ONDA COMPLETA
Los circuitos rectificadores de onda completa reducen el tiempo de
descarga del capacitor a la mitad y ofrecen la ventaja de requerir slo la
mitad de capacitancia del filtro para alcanzar un voltaje de rizo determinado.
En la figura 1.38 se muestra un circuito rectificador de onda completa tipo
puente.

FIGURA 1.38
Circuito rectificador de onda completa con voltaje de salida
positivo.

Para
,
y estarn activados y y
estarn desactivados, como se
indica en la figura
1.39. La corriente sale de la parte superior del transformador, pasa por
hacia la carga
y regresa al
transformador a travs de
. El voltaje total del transformador, en este
caso menos las dos cadas del voltaje del diodo, aparece en el capacitor de la
carga y produce un voltaje de salida de CC.
(1.16)
El voltaje pico en el nodo 1, el cual representa
el mximo voltaje inverso que
56

aparece en
igual a
(
) (

). De manera similar, el voltaje inverso pico

). diodo
en el

57

es (

, es
)

FIGURA 1.39

Para
,
y estarn encendidos y y
apagados, como se
indica en la figura 1.40. La corriente sale de la parte inferior del transformador,
pasa a travs de hacia la carga , y regresa al transformador a travs de . De
nuevo se utiliza el voltaje completo del transformador.
(De
)) y essimilar,
El
voltaje
pico
en el nodo
el mximo
voltaje
inverso
que
aparece
en 3 es ahora igual a .es
inverso
( modo
(el )voltaje
pico
en el
diodo
(
).
Al analizar ambos medios ciclos, se observa que cada diodo debe tener un valor
VIP dado por
(1.17)

FIGURA 1.40

58

Ejemplo: Diseo de un rectificador

Utilizar los conocimientos de los rectificadores para disear un circuito
rectificador que proporcione un voltaje de salida y un voltaje de rizo
especificados.
Problema: Disee un rectificador para proporcionar un voltaje de salida de CC
de
con no
ms
de 1 por ciento de rizo a una corriente de carga de .
Solucin:
Informacin conocida y datos proporcionados:
,
,
.
Incgnitas: Topologa del circuito, voltaje del transformador, capacitor del
filtro, valor nominal del
VIP del diodo.
Mtodos: Utilice los datos proporcionados para evaluar las ecuaciones de
circuito rectificador. Elija una topologa de puente de onda completa que
requiera un valor ms pequeo de la capacitancia del filtro, un menor VIP del
diodo y transformador sin derivacin central. Suposiciones: Se supone que el
voltaje de encendido del diodo es 1 V. El voltaje de rizo es mucho
).
menor que el voltaje de salida de CC (
Anlisis: El voltaje del transformador requerido es

Aunque no se present el desarrollo de la siguiente frmula, slo se muestra su

forma final.
(
)
(
)(
)
El VIP mnimo del diodo es
. Una eleccin con un margen de seguridad sera
.
Verificacin de resultados: El voltaje de rizo se disea para 1 por ciento del
voltaje de salida de CC. De tal modo, se justifica la suposicin de que el voltaje
es constante.
Ejemplo: Diseo de un rectificador para un regulador de voltaje de CI
Redisear el rectificador del ejemplo ltimo anterior para trabajar con un
regulador de voltaje de CI. El valor del capacitor del filtro puede reducirse de
manera significativa al utilizar el regulador de CI.
Problema: Disee un rectificador para proporcionar un voltaje de salida de
CC de
con una corriente de carga de
utilizando un regulador de voltaje de CI con una salida
de
. El
regulador de voltaje de CI requiere un diferencial de voltaje de entradasalida de por lo menos para una operacin adecuada.
Solucin:
Informacin conocida y datos proporcionados:
regulado por un
regulador de voltaje de CI,
, .
59

Incgnitas: Topologa del circuito, voltaje del transformador, capacitor del

filtro, valor nominal del
VIP del diodo.

60

Mtodo: Utilizar los datos proporcionados para evaluar las ecuaciones de

circuito del rectificador. Elegir la topologa de puente de onda completa que
requiere un valor ms pequeo de la capacitancia del filtro, un voltaje VIP del
diodo menor y ninguna derivacin central en el transformador.
Suposiciones: Suponer que el voltaje de encendido en el diodo es de .
Suponer un voltaje de rizo grande a la entrada del regulador, por ejemplo, del
por ciento, para minimizar .
Suponer
.
Anlisis: El voltaje del transformador que se requiere es en este caso

Observe que
puede ser ms
grande que el valor aqu calculado. La circuitera interna del regulador utiliza
una retroalimentacin que mantiene el voltaje de salida constante y provoca
un voltaje de entrada adicional en el regulador como un incremento en
.
El capacitor del filtro se encuentra utilizando el voltaje de rizo, la corriente de
salida y el intervalo de descarga.
(

)(

Debe considerarse la disipacin de potencia en el regulador de voltaje, que es

igual a
(

( )

Donde se ha considerado que . Observe que el regulador deber contar con un

adecuado
enfriador para eliminar los
.
El VIP mnimo del diodo es
. Una eleccin con mayor margen de seguridad
sera
.
Verificacin de resultados: El voltaje de rizo representa
por ciento
del voltaje de salida del rectificador. De tal modo, se justifica la suposicin
de que el voltaje es aproximadamente constante.
Discusin: Al comparar este diseo con el del ejemplo anterior, se observa
que los requerimientos del capacitor del filtro se reducen en gran medida y con
ello el costo de estos componentes. A cambio, se habr agregado el costo de
un regulador de voltaje de circuito integrado, para alcanzar un mucho mejor
control de voltaje de salida y la significativa reduccin del rizo.

61

REFERENCIAS
Bolylestad, Robert L., Nashelsky, Louis, (2003). Electrnica: teora de
circuitos y dispositivos electrnicos, 8. Ed., Pearson educacin. Mxico.
Jaeger, Richard C., Blalock, Travis N., (2005). Diseo de circuitos
microelectrnicos. 2. Ed.,
McGraw-Hill/Interamericana Editores, S. A. de C. V. Mxico.
Neamen, Donald A., (1999). Anlisis y diseo de circuitos electrnicos.
1. Ed., McGraw- Hill/Interamericana Editores, S. A. de C. V. Mxico.

62

2.

TRANSISTORES BIPOLARES Y UNIPOLARES BJT y FET

En este captulo se vern los dos tipos de transistores: el FET y el BJT.

Iniciaremos con el estudio del FET para despus pasar al del BJT. Sin embargo,
y para tener una idea de lo que son dichos dispositivos, se hablar un poco al
principio de ambos; posteriormente, prepararemos el material para cada uno
de ellos.
INTRODUCCIN AL FET
El FET se ha erigido como el dispositivo dominante en los circuitos integrados
modernos y est presente en gran cantidad de circuitos semiconductores que
se producen hoy da. La capacidad de reducir en forma considerable el tamao
del dispositivo FET ha hecho posible el poder inimaginable de la computadora
porttil apenas hace 20 aos.
Diversas versiones del dispositivo de efecto de campo (FET) fueron concebidas
por Lilienfeld en
1928, Heil en 1935 y Schockley en 1952, mucho antes de que existiera la
tecnologa para producir este tipo de dispositivos. Los primeros transistores de
efecto de campo de semiconductor de xido metlico o MOSFET que tuvieron
xito se fabricaron a fines de la dcada de los aos cincuenta, aunque se
requiri casi una dcada para producir procesos de fabricacin comerciales
confiables para los dispositivos MOS. Debido a las dificultades relativas a la
fabricacin, los MOSFET con una regin conductora tipo p, dispositivos PMOS,
fueron los primeros disponibles comercialmente en forma de CI, y los primeros
microprocesadores se construyeron utilizando procesos PMOS. Al final de la
dcada de los aos sesenta, la comprensin y el control de los procesos de
fabricacin haba mejorado hasta el punto de que los dispositivos con una
regin conductora tipo n, transistores NMOS, podan fabricarse de manera
confiable en un gran nmero, y NMOS suplant con rapidez a la tecnologa
PMOS debido a la movilidad mejorada del dispositivo NMOS que se tradujo en
un desempeo de circuito ms alto. A mediados de la dcada de los ochenta, la
potencia se volvi un problema serio, y las caractersticas de baja potencia de
los dispositivos MOS complementarios o CMOS provoc un rpido cambio hacia
esa tecnologa, aun cuando era un proceso ms complejo y costoso. La
tecnologa CMOS actual, que recurre a transistores tanto NMOS como PMOS,
constituye la tecnologa dominante en la industria electrnica.
INTRODUCCIN AL BJT
Luego de la invencin y demostracin de los transistores de unin bipolar
(BJT) por parte de Bardeen, Brattain y Shockley en los laboratorios Bell al
final de la dcada de los aos 40, el BJT se convirti en el primer dispositivo
de estado slido de tres terminales comercialmente exitoso. Su xito
63

comercial se bas en su estructura. En la estructura del BJT, la regin base

activa del transistor est debajo de la superficie del material semiconductor,
lo que lo hace mucho menos dependiente de las propiedades y limpieza de la
superficie. De esta manera, en un principio fue ms sencillo fabricar los
transistores BJT que los MOS. Los transistores bipolares comerciales
estuvieron disponibles al final de la dcada de los aos cincuenta. Los
primeros circuitos

64

integrados con puertas lgicas resistor-transistor y amplificadores

operacionales consistentes en unos cuantos transistores y resistores
aparecieron a principios de la dcada de los 60.
Si bien el FET se ha convertido en la tecnologa de dispositivos dominantes en
los circuitos integrados modernos, los transistores bipolares siguen utilizndose
ampliamente en el diseo de circuitos tanto discretos como integrados. En
particular, el BJT sigue siendo el dispositivo preferido en muchas aplicaciones
que requieren alta velocidad y/o gran precisin. Las reas comunes de
aplicacin corresponden a los circuitos de las crecientes familias de productos
de cmputo y comunicaciones inalmbricas.
El BJT est compuesto por un emparedado de tres regiones semiconductoras
adulteradas y se presenta en dos formas: el transistor npn y el transistor pnp.
El desempeo del BJT es dominado por el transporte de portadores
minoritarios mediante la difusin y corrimiento en la regin
central del transistor. Debido a que la movilidad y difusividad de portadores son
ms altas para los
electrones que para los huecos, el transistor npn es un dispositivo de mayor
desempeo que el transistor pnp. Tambin, el BJT ofrece una capacidad de
ganancia de voltaje ms alta que el FET. Asimismo, la resistencia de entrada
del BJT es mucho menor, y es necesario proporcionar una corriente de
polarizacin de CC al electrodo de control.
2.1 CONSTRUCCIN DE UN
TRANSISTOR FET
El transistor de efecto de campo (FET) (por sus siglas en ingls Field Effect
Transistor) es un
dispositivo de tres terminales que se utiliza para diversas aplicaciones, en
gran parte, similares a las del transistor BJT. Aunque existen diferencias
importantes entre los dos tipos de dispositivos, tambin es cierto que tienen
muchas similitudes.
La principal diferencia entre los dos tipos de transistores es el hecho de que el
transistor BJT es un dispositivo controlado por corriente como se describe en la
figura 2.1a, mientras que el transistor FET es un dispositivo controlado por
voltaje como se muestra en la figura 2.1b. En otras palabras, la corriente
de
la figura 2.1a es una funcin directa del nivel de
. Para el FET la corriente
ser una funcin del voltaje
aplicado al circuito de entrada, como se muestra
en la figura 2.1b.
En cada caso, la corriente del circuito del salida se controla por un
parmetro del circuito de entrada, en un caso es con el nivel de corriente
y en el otro, con un voltaje aplicado.
65

FIGURA 2.1
Amplificadores controlados (a) por corriente; (b) por
voltaje.

El transistor BJT es un dispositivo bipolar; el prefijo bi indica que el nivel de

conduccin est en funcin de dos portadores de carga: los electrones y los
huecos. El FET es un dispositivo unipolar que depende nicamente de la
conduccin de electrones (tipo canal-n) o de huecos (tipo canal-p).
El trmino efecto de campo en el nombre asignado merece una cierta
explicacin. Todos estamos familiarizados con la capacidad de un imn
permanente para atraer limaduras de metal hacia el imn sin necesidad de un
contacto real. El campo magntico del imn permanente envuelve las
limaduras y las atrae hacia el imn mediante un esfuerzo por parte de las
lneas de fujo magntico con objeto de que sean lo ms cortas posibles. Para
el caso del FET, se establece un campo elctrico mediante las cargas
presentes que controlar la trayectoria de conduccin del circuito de salida,
sin la necesidad de un contacto directo entre las cantidades controladoras y
controladas.
Una de las caractersticas ms importantes del FET es su gran impedancia de
entrada. Con un nivel de y hasta varios cientos de megaohms, excede por
mucho los niveles tpicos de resistencia de entrada de los circuitos o
configuraciones con transistor BJT, siendo esto una caracterstica muy
importante para el diseo de sistemas de amplificacin lineal de CA. Por otro
lado, el BJT tiene
una mayor sensibilidad ante cambios en la seal aplicada. En otras palabras, la
variacin en la corriente de salida, por lo general, es mucho mayor para los BJT
s que para los FETs, ante el mismo cambio de voltaje aplicado. Por esta
razn, las ganancias comunes de voltaje en CA para los amplificadores de BJT
son mucho mayores que para los de FET. En general, los FETs son ms
estables a la temperatura que los BJTs, y aqullos son frecuentemente de
construccin ms pequea que los ltimos; lo anterior hace a los FETs
particularmente tiles en los circuitos integrados.
Sin embargo, las
66

caractersticas de construccin de algunos FETs los pueden hacer de manejo

ms delicado que los BJTs.
Se mostrarn dos tipos de FETs: el transistor de efecto de campo de unin
(JFET) (por sus siglas en ingls Junction Field Effect Transistor) y el transistor
de efecto de campo metal-xido-

67

semiconductor (MOSFET) (por sus siglas en ingls Metal-Oxide-Semiconductor

Field Effect Transistor). A su vez, la categora MOSFET se divide en los tipos
decremental e incremental. El MOSFET es uno de los dispositivos ms
importantes utilizados en el diseo y la construccin de los circuitos integrados
para computadoras digitales. Su estabilidad trmica lo hacen muy popular en
el diseo de circuitos de computadoras.
El JFET es un dispositivo de tres terminales, con una terminal capaz de
controlar la corriente entre las otras dos. Para el caso del transistor JFET, el
dispositivo de canal-n aparecer como el
dispositivo principal y el dispositivo de canal-p slo se mencionar brevemente.

FIGURA 2.2
Transistor de efecto de campo de unin (JFET).

La construccin bsica de un JFET de canal-n se muestra en la figura 2.2.

Observe que la mayor parte de la estructura es el material de tipo n que forma
el canal entre las capas integradas de material de tipo p. La parte superior del
canal de tipo n se encuentra conectada por medio de un contacto hmico a una
terminal referida como drenaje (D), mientras que el extremo inferior del mismo
material se conecta por medio de un contacto hmico a una terminal referida
como fuente (S). Los dos materiales de tipo p se encuentran conectados entre
s y tambin con la terminal de compuerta (G). Por tanto, el drenaje y la fuente
se encuentran conectados a los extremos del canal de tipo n y la compuerta a
las dos capas de material de tipo p. En ausencia de potencial alguno aplicado,
el JFET cuenta con dos uniones p-n bajo condiciones sin polarizacin. El
resultado es una regin de agotamiento en cada unin como se muestra en la
figura 2.2, lo que se asemeja a la misma regin de un diodo bajo condiciones
sin polarizacin. Debemos recordar que una regin de agotamiento es aquella
68

que no presenta portadores libres y es, por tanto, incapaz de soportar la

conduccin a travs de ella.

69

FIGURA 2.3
Smbolos del JFET: (a) canal-n; (b) canal-p.

Los smbolos grficos para los JFETs de canal-n y de canal-p se proporcionan

en la figura 2.3. Observe que la fecha se encuentra apuntando hacia adentro
para el caso del dispositivo de canal- n en la figura 2.3a, con objeto de
representar la direccin en la cual fuira una corriente
si la
unin p-n estuviera polarizada de forma directa. La nica diferencia en el
smbolo es la direccin
de la fecha para el caso del dispositivo de canal-p (figura 2.3b).
BJT
El BJT es un dispositivo semiconductor de tres capas que consta de ya sea de
dos capas de material tipo n y una capa tipo p, o bien de dos capas de material
tipo p y una de tipo n. Al primero se le denomina transistor npn mientras que al
segundo transistor pnp. Ambos se muestran en la figura
2.4 con la polarizacin de CD adecuada. Esta polarizacin de CD es necesaria
para establecer la regin de operacin adecuada para la amplificacin de CA.
La capa del emisor (E) se encuentra fuertemente adulterada, la de la base (B)
ligeramente adulterada y la del colector (C) slo muy poco adulterada. Las
capas exteriores tienen espesores mucho mayores que los de material tipo p o
tipo n centrales. Para los transistores que se muestran en la figura 2.4 la
proporcin del espesor
. La adulteracin
total con respecto al espesor de la capa central es de
de la
capa central es tambin mucho menor que la adulteracin de las capas
exteriores (casi siempre
o menos). Este bajo nivel de adulteracin disminuye la
conductividad (incrementa la
resistencia) de este material al limitar el nmero de portadores libres.
70

FIGURA 2.4
Tipos de transistores (a) pnp; (b) npn.

En la polarizacin que se muestra en la figura 2.4 se indican las terminales

mediante las literales E para el emisor, C para el colector y B para la base. La
abreviatura BJT, de Transistor Bipolar de Unin (del ingls Bipolar Junction
Transistor), suele aplicarse a este dispositivo de tres terminales. El trmino
bipolar refleja el hecho de que tanto huecos como electrones participan en el
proceso de inyeccin hacia el material polarizado en forma opuesta. Si slo se
utiliza un portador (electrn o hueco), se considera entonces un dispositivo
unipolar. El diodo Schottky es uno de estos dispositivos.
2.2 CONFIGURACIONES
2.2.1
POLARIZACIN FET
Para el caso del FET, la relacin entre las variables de entrada y de salida es no
lineal debido al
trmino cuadrtico en la ecuacin de Shockley siguiente.
(

)2

(2.1)

Las relaciones lineales generan lneas rectas cuando se grafica una variable en
funcin de la otra,
mientras que las relaciones no lineales generan curvas como las que se
pueden obtener para las caractersticas llamadas de transferencia de un JFET.
La relacin no lineal entre
y
puede
complicar el mtodo matemtico del anlisis de CD de las configuraciones del
FET. Un mtodo grfico limitara la solucin a una precisin de dcimas, pero a
cambio, es un mtodo ms rpido para la mayora de los amplificadores FET.
Ya que el mtodo grfico es en general el ms utilizado, el anlisis tendr
principalmente una orientacin grfica en lugar de tcnicas matemticas
directas.
71

Las relaciones generales que se pueden aplicar al anlisis en CD para todos los
amplificadores FET
son
(2.2
)
(2.3
)
Para los JFETs y los MOSFETs de tipo decremental, la ecuacin de Shockley se
aplica para
relacionar las cantidades de entrada y de salida. Para los MOSFETs de tipo
incremental, se aplica la siguiente ecuacin:
(

)2

(2.4)

Es importante observar que todas las ecuaciones anteriores son aplicables slo
para el dispositivo,
que no cambian con cada configuracin de red, siempre y cuando el dispositivo
se encuentre en la regin activa. La red simplemente define el nivel de
corriente y de voltaje asociado con el punto de operacin mediante su propio
conjunto de ecuaciones. En realidad, la solucin de CD para redes FET es la
solucin de las ecuaciones simultneas establecidas por el dispositivo y la red.
La solucin puede determinarse mediante el empleo de un mtodo matemtico
o grfico. Sin embargo, el mtodo grfico es el ms comn para las redes FET.
CONFIGURACIN DE POLARIZACIN FIJA PARA EL JFET DE CANAL- n
En la figura 2.5 se muestra el arreglo de polarizacin ms simple para el JFET
de canal-n. Conocida como la configuracin de polarizacin fija, es una de las
pocas configuraciones de FET que pueden resolverse de forma directa tanto
con un mtodo matemtico como con uno grfico. Ambos mtodos se incluyen
para demostrar la diferencia entre ambas filosofas, as como para demostrar el
hecho de que es posible obtener la misma solucin utilizando cualquier
mtodo.
La configuracin de la figura 2.5 incluye los niveles de CA
y
y los
capacitores de acoplamiento y
. Los capacitores de
acoplamiento se comportan como circuitos abiertos para el anlisis
en CD y como impedancias bajas (esencialmente cortos circuito para seal)
en el anlisis en CA. El resistor
est vigente para asegurar que se
presente a la entrada del amplificador a FET, para el anlisis en CA.
72

FIGURA 2.5
Confguracin de polarizacin fja.

Para el anlisis de CD,

La cada de cero volts a travs de

permite remplazar
por un
corto circuito equivalente,
como aparece en la red de la figura 2.6 especficamente vuelto a dibujar para el
anlisis en CD.

FIGURA 2.6
Red para el anlisis en dc.

El hecho de que la terminal negativa de la batera est conectada en forma

directa al potencial positivo definido como
, refleja claramente
que la polarizacin de
es directamente
73

opuesta

74

a la de . Al aplicar la ley de voltaje de Kirchhoff en direccin de las

manecillas del reloj en la malla indicada en la figura 2.6 se tiene

(2.5)
Debido a que es una fuente fija de CD, el voltaje
que justifica
la notacin configuracin de polarizacin fija.

ser de una magnitud fija, lo

Ahora, el nivel resultante de corriente de drenaje lo controla la ecuacin de

Shockley:
(

)2

Ya que es una cantidad fija para esta configuracin, es posible sustituir su

magnitud y signo en
la ecuacin de Shockley, adems de calcular el nivel resultante de
. ste
es uno de los pocos casos en que una solucin matemtica para una
configuracin de FET es muy directa.
Un anlisis grfico requerira una graficacin de la ecuacin de Shockley como
la mostrada en la
figura 2.7. Es importante recordar que la eleccin de

dar por resultado

una corriente
de drenaje de cuando se grafique la ecuacin.

FIGURA 2.7
Grfca de la ecuacin de Shockley.

75

En la figura 2.8 se ha sobrepuesto el nivel fijo de

como una lnea
vertical en
. En cualquier punto de la lnea
vertical el nivel de
es de
; el nivel desimplemente
deber estar determinado sobre esta lnea vertical. El punto donde se
intersectan ambas curvas es la

76

solucin comn para la configuracin, y se conoce generalmente como punto

de operacin o de estabilidad. El subndice Q se aplicar a la corriente de
drenaje y el voltaje de la compuerta a la fuente con objeto de identificar sus
niveles en el punto Q. Se observa en la figura 2.8 que el nivel de estabilidad de
se determina al dibujar una lnea horizontal desde el punto Q hacia el
eje vertical
. Es necesario mencionar que una vez que la red de la figura
2.5 est construida y operando, los niveles de CD de
y de que se midan
sern los valores estables definidos por la
figura 2.8.

FIGURA 2.8
Localizacin de la solucin para
configuracin de polarizacin fija.

El voltaje de drenaje a fuente de la seccin de salida puede calcularse si se

aplica la ley de voltaje de Kirchhoff de la siguiente forma:

(2.6)
Los voltajes con subndice sencillo se refieren al voltaje en un punto con
respecto a tierra. Para la configuracin de la figura 2.6,
(2.7
) Empleando una notacin de subndice doble:

77

(2.8)
Adems,

(2.9)
El hecho de que
y que
parece obvio a partir del hecho
de que
, pero se incluyeron las derivaciones anteriores con el objeto
de enfatizar la relacin que existe entre la notacin de subndice doble y de
subndice sencillo. Como se puede observar, la configuracin
necesita dos fuentes de CD, y debido a esto no es
muy usada.

FIGURA 2.9
Red para ejemplo siguiente.

Ejemplo:
Calcule lo siguiente para la red de la
figura 2.9. a) .

78

b)
.
.
.
e)
.
f)
.

c)
d)

Solucin:
Mtodo matemtico:
a)
b)

)2

)2
(

)2

)2

c)

)(

d)
e)
f)
Mtodo grfico:
La curva Shockley resultante y la lnea vertical en se proporcionan en la figura
2.10. Ciertamente es difcil de leer mas all del segundo decimal sin aumentar
significativamente el tamao de la figura, sin embargo, una solucin de
a
partir de la grfica de la figura 2.10 es bastante aceptable. Por tanto, para el
inciso a):

b)
c)

)(

d)
e)
f)
Este resultado confirma claramente el hecho de que las soluciones
generadas bajo los enfoques matemtico
79 y grfico son muy cercanas.

FIGURA 2.10
Solucin grfica para la red de la figura 2.9

CONFIGURACIN DE AUTOPOLARIZACIN PARA EL JFET DE CANAL- n

La configuracin de autopolarizacin elimina la necesidad de contar con dos
fuentes de alimentacin de CD. El voltaje de control de la compuerta a la
fuente lo determina ahora el voltaje a travs del resistor que est conectado
en la terminal de la fuente de la configuracin como
se muestra en la figura 2.11.

FIGURA 2.11
Confguracin de auto polarizacin de JFET

80

Para el anlisis en CD, los capacitores pueden remplazarse por circuitos

abiertos y el resistor
por un corto circuito equivalente ya que . El resultado es la red de la figura
2.12 para el anlisis relevante en CD.

FIGURA 2.12
Anlisis de dc de la
configuracin de auto
polarizacin

La corriente a travs de
como
y

es la corriente de fuente

, pero

Para la malla cerrada indicada en la figura 2.12, encontramos que

(2.10)
En este caso observe que
est en funcin
de la corriente de salida
y que no tiene
una magnitud fija como ocurra para la configuracin de polarizacin fija.
La ecuacin (2.10) est definida por la 81
configuracin de la red, y la ecuacin

de Shockley relaciona las cantidades de entrada y de salida del dispositivo.

Ambas ecuaciones relacionan a las mismas dos variables lo que permite una
solucin tanto matemtica como grfica.

82

Es posible obtener una solucin matemtica simplemente al sustituir la

ecuacin (2.10) en la ecuacin de Shockley como se muestra a
continuacin:
(
(

)2
)2

)2

Al desarrollar el trmino cuadrtico indicado y al reacomodar trminos, se

obtiene una ecuacin
como la siguiente

Posteriormente es posible resolver esta ecuacin cuadrtica para encontrar la

solucin apropiada para .
La secuencia anterior define el mtodo matemtico. El caso del mtodo
grfico requiere que primero establezcamos las caractersticas de
transferencia del dispositivo como se muestra en la
figura 2.13.

FIGURA 2.13
Defnicin de un punto sobre
la lnea de autopolarizacin

83

Ya que la ecuacin 2.10 define una lnea recta sobre la misma grfica, es
posible identificar dos puntos sobre la grfica que se encuentren sobre la
lnea y luego dibujar una lnea recta entre los dos puntos. La condicin ms
obvia que se puede aplicar es
, porque se obtiene
( )
. Por tanto, para la ecuacin 2.10 un punto sobre la
lnea recta se
encuentra definido por
y

, como aparece en la figura 2.13.

Para el segundo punto de la ecuacin 2.10 se requiere seleccionar un nivel de

o de y determinar el nivel correspondiente de la otra
cantidad utilizando la ecuacin 2.10. Entonces, los niveles resultantes de
y
definirn otro punto sobre la lnea recta que nos permitir
trazarla.
Supongamos que se selecciona un nivel de igual a un medio del nivel de
saturacin. Esto es,

El resultado es un segundo punto para la grfica de la lnea recta como se

muestra en la figura
2.14.

FIGURA 2.14
Trazo de la lnea de autopolarizacin

84

Entonces, se traza la lnea recta definida por la ecuacin 2.10 y se identifica el

punto de estabilidad que se obtiene en la interseccin de la grfica de la lnea
recta con la curva caracterstica del dispositivo. Luego, puede determinarse el
valor de estabilidad de
y
para encontrar las
dems cantidades de inters.
El nivel de puede determinarse si se utiliza la ley de voltaje de Kirchhoff al
circuito de salida, lo que da por resultado

(2.11
)(2.12
)
(2.13
()2.14
)

FIGURA 2.15
Red para el ejemplo siguiente

Ejemplo:
Determine lo siguiente para la red de la figura 2.15.
a)

b)

c)
d)
e)
f)

.
.
.
.

85

Solucin:
a) El voltaje compuerta-fuente se determina por

Si se elige

, se obtiene
(

)(

El resultado corresponde a la grfica de la figura 2.16, segn la define la red.

FIGURA 2.16
Trazo de la lnea de autopolarizacin para la red de la
figura 2.15

En caso de seleccionar
, el valor resultante de
sera de
, como
se muestra en la misma grfica. En cualquier caso, se obtendr la misma lnea
recta, que demostrar claramente que puede seleccionarse cualquier valor
adecuado de
, siempre y cuando se utilice el correspondiente valor
de
determinado por la ecuacin 2.10. Adems, debe
tenerse en cuenta que tambin es posible seleccionar el valor de
y
calcular el valor de
con la misma grfica resultante.

Si se selecciona
para la ecuacin de Shockley, tenemos que

, y resultar la grfica de la figura 2.17, la cual representa

las
caractersticas del dispositivo.
86

FIGURA 2.17
Trazo de las caractersticas del
dispositivo para el JFET de la fgura 2.15

La solucin se obtiene al sobreponer las caractersticas de la red definidas por

la figura 2.16 sobre las caractersticas de la figura 2.17 y al localizar el punto
de interseccin de las dos, como se indica
en la figura 2.18.

FIGURA 2.18
Determinacin del punto Q para la red de la figura
2.15

87

El punto de operacin resultante indica un valor estable del voltaje compuertafuente de

b)

En el punto de estabilidad:

c)

Ecuacin (2.11):
(
(

d)

)(

Ecuacin (2.12):
(

e)

)(

Ecuacin (2.13):

f) Ecuacin (2.14):
(

88

)(

FIGURA 2.19
Arreglo de polarizacin por divisor de voltaje

CONFIGURACIN DE POLARIZACIN POR DIVISOR DE VOLTAJE PARA EL

JFET DE CANAL- n
La red de la figura 2.19 se vuelve a dibujar en la figura 2.20 para el anlisis en
CD.

FIGURA 2.20
Red de la figura 2.19 redibujada
para el anlisis de dc.

89

Observe que todos los capacitores, incluso el capacitor de desvo

, se
remplazaron por un equivalente de circuito abierto. Adems, la fuente
se separ en dos fuentes
equivalentes para permitir una separacin mayor entre las zonas de entrada
y de salida de la red. Dado que
, la ley de corriente de Kirchhoff requiere que
y que el circuito
equivalente en
serie que aparece a la izquierda de la figura pueda emplearse para
encontrar el nivel de
. El voltaje
,
equivalente al voltaje a travs de
puede conocerse al utilizar la ley del
divisor de
voltaje de la siguiente manera:
(2.15)
Al aplicar la ley de voltaje de Kirchhoff en el sentido de las manecillas del
reloj para la malla indicada en la figura 2.20, obtendremos

Sustituyendo

, tenemos
(2.16)

FIGURA 2.21
Trazo de la ecuacin de la red para la
confguracin por divisor de voltaje.

90

El resultado es una ecuacin que todava incluye las mismas dos variables que
aparecen en la ecuacin de Shockley: e . Los valores de
y los fija la
red. La ecuacin 2.16 an es la ecuacin de una lnea recta, pero el origen ya
no es un punto en el trazo de la lnea. El procedimiento para trazar la ecuacin
2.16 no es difcil y se realizar a continuacin. Puesto que cualquier lnea recta
requiere de dos puntos para definirse, aprovechemos primero el hecho de que
en cualquier lugar sobre el eje horizontal de la figura 2.21 la corriente . Si por
tanto seleccionamos en , bsicamente estaremos estableciendo que nos
encontramos sobre el eje horizontal. La ubicacin exacta puede determinarse
slo con sustituir
en la
ecuacin 2.16 y al encontrar el valor resultante de de la siguiente manera:

|, ID=0 A

(2.17)

El resultado establece que al graficar la ecuacin 2.16, siempre que

seleccionemos
valor de para la grfica ser de
volts. El punto que se acaba de
determinar aparece en la figura 2.21.

, el

Para el caso del otro punto, se emplea el hecho de que sobre cualquier
punto en el eje vertical y resolvemos para el valor resultante de
:

|,

(2.18)

El resultado precisa que siempre que se grafique la ecuacin 2.16, si , el nivel

de
estar determinado por la ecuacin 2.18. Esta interseccin aparece tambin en
la figura 2.21.
Con los dos puntos definidos antes es posible dibujar una lnea recta que
represente a la ecuacin
2.16. La interseccin de la lnea recta con la curva de transferencia en la
regin a la izquierda del eje vertical, definir el punto de operacin y los
niveles correspondientes de
y de .
Debido
a que
la interseccin
sobre elen
eje
vertical
sede
determina
por elynivel de
la
fija
la red
de entrada,
el incremento
los
valores
reducir
la interseccin
de
como
se
91

muestra en la figura 2.22.

92

FIGURA 2.22

A partir de la figura 2.22 es obvio que el incremento en los valores de RS

ocasiona niveles menores de estabilidad de ID y valores ms negativos de VGS.
Una vez que se han determinado los valores de

el anlisis

restante de la red puede efectuarse de la forma acostumbrada. Esto es,

(

FIGURA 2.23
Red del ejemplo siguiente

(2.19)
(2.20)
(2.21
)
(2.22
)

93

Ejemplo:
Determine lo siguiente para la red de la
figura 2.23. a) y
.
b)
.
.
.
e)
.

c)
d)

Solucin:
a) Para las caractersticas de
transferencia, si

, luego

FIGURA 2.24
Determinacin del punto Q para la red de la figura
2.23

En la figura 2.24 aparece la curva resultante que representa la ecuacin

de Shockley. La
ecuacin de la red est definida por:

)(

94

95

Cuando

Cuando

La lnea de polarizacin aparece en la figura 2.24 con los valores de estabilidad

de

b)

c)

d)

)(

)(

(
(

)
)(

e) Aunque raras veces se requiere, el voltaje puede determinarse

fcilmente empleando

BJT
El anlisis o diseo de un amplificador a transistor requiere conocimientos
tanto de la respuesta del sistema en CD como en CA. A menudo, se piensa que
el transistor es un dispositivo mgico que puede elevar el nivel de una seal de
CA de entrada sin la ayuda de una fuente de energa externa. En realidad, el
nivel de potencia de la salida de CA mejorado es resultado de una transferencia
de energa proveniente de las fuentes de CD aplicadas. Por esta razn, el
anlisis o diseo de
cualquier amplificador electrnico posee dos componentes: la porcin de CD y
la porcin de CA. Por fortuna, es posible aplicar el teorema de superposicin
por lo que el anlisis de las condiciones de CD puede efectuarse de forma
completamente independiente de la respuesta de CA. Sin embargo, se debe
tener en cuenta que durante la etapa de diseo o de sntesis, la seleccin de
los parmetros para los niveles de CD requeridos afectarn la respuesta de CA
y viceversa.
El nivel de operacin de CD de un transistor es controlado por varios factores,
que incluyen el rango de posibles puntos de operacin sobre las
caractersticas del dispositivo. Una vez que se determinan los niveles de CD
tanto de la corriente como del voltaje, se deber construir una red que
establezca el punto de operacin deseado; cada diseo tambin determinar
la estabilidad del sistema.
Entre la variedad de redes que se analizarn, existe una similitud comn en
cada configuracin; se recurrir a las siguientes relaciones bsicas para un BJT:
(2.23)
(

(2.24)
(2.25)

En la mayora de los casos, la primera cantidad que deber determinarse es la

corriente de base
. Una vez que sta se conoce, ser posible aplicar las relaciones de las
ecuaciones 2.23 a la 2.25 para encontrar las cantidades de inters restantes.
Las ecuaciones para
son tan parecidas
en las diferentes configuraciones que es posible derivar una ecuacin de la
otra, simplemente mediante la adicin o eliminacin de uno o dos trminos.

FIGURA 2.25
Circuito de polarizacin fja.

CONFIGURACIN DE POLARIZACIN FIJA PARA UN BJT npn

El circuito de polarizacin fija de la figura 2.25 proporciona una introduccin
relativamente directa y simple al anlisis de la polarizacin en CD de los BJTs.
Incluso, aunque la red utiliza una configuracin de transistor npn, las
ecuaciones y los clculos aplican de igual forma a las configuraciones del
transistor pnp cambiando simplemente todas las direcciones de corriente y las
polaridades de voltaje. Las direcciones de corriente de la figura 2.25 son
direcciones reales, y los voltajes estn definidos por una notacin de doble
subndice. Para el anlisis de CD, la red puede aislarse de los niveles de CA
indicados remplazando los capacitores con equivalentes de circuito abierto.
Adems, la fuente CD de voltaje
puede dividirse en dos fuentes (slo para
propsitos de anlisis), como se muestra en la figura 2.26 para permitir una
separacin de los circuitos de entrada de los de salida; esto tambin reduce la
conexin entre las dos, con la corriente de base
. La separacin es sin duda vlida como se observa en la figura 2.26, donde se
encuentra
conectada directamente a
ya
, justo como en la figura 2.25.

FIGURA 2.26
Equivalente de dc de la figura 2.25

Base-Emisor
Considere primero la malla del circuito base-emisor de la figura 2.27.

FIGURA 2.27
Malla base-emisor

Al escribir la ecuacin de voltaje de Kirchhoff, en direccin de las manecillas

del reloj, obtenemos

Observe la polaridad de la cada de voltaje sobre

establecida por la direccin de
que se indica. Al resolver la
ecuacin para la corriente
el resultado es el siguiente:

(2.26
)
La ecuacin 2.26 no es difcil de recordar si se toma en cuenta que la corriente
de base es la corriente a travs de
, y de acuerdo con la ley de Ohm,
sta corriente es igual al voltaje a travs de
dividido entre la resistencia
. El voltaje a travs de
ser igual al voltaje aplicado en un extremo,
menos la cada a travs de la unin base-emisor ( ). Adems, debido a que
tanto el voltaje fuente
como el voltaje base-emisor
son
constantes, la seleccin del resistor de la
base , establecer el nivel de la corriente de base para el punto de operacin.

FIGURA 2.28
Malla colector-emisor

Colector-Emisor
En la figura 2.28 se presenta la seccin colector-emisor de la red, junto con la
direccin de la corriente
indicada y la polaridad resultante sobre
. La magnitud de la corriente del colector se encuentra relacionada
directamente con
mediante
(2.27)
Es interesante observar que debido a que la corriente de base es controlada
por el nivel de
y que est relacionada con por la constante , la
magnitud de
no es una funcin de la resistencia . El cambio de
nivel de
no afectar el nivel de
o siempre y cuando se
permanezca en la regin activa del dispositivo. Sin embargo, el nivel de
determinar la magnitud de
, siendo ste un
parmetro importante.
Si aplicamos la ley de voltaje de Kirchhoff en direccin de las manecillas del

(2.26
reloj alrededor de la malla cerrada de la figura 2.28, tendremos
)

(2.28
)
(2.29)
En esta ecuacin,es el voltaje colector-emisor y, y
son los voltajes
del colector y del emisor a tierra respectivamente.. Pero en este caso, dado
que
, tenemos
(2.30
) Adems, ya que
(2.31)
y como

, entonces
(2.32)

FIGURA 2.29
Circuito dc de polarizacin fija
para ejemplo siguiente.

Ejemplo:
Determine lo siguiente para la configuracin de polarizacin fija
de la figura 2.29. a) .
b)
c)
d)

.
y
.

Solucin:
a)

Ecuacin (2.26):
Ecuacin (2.27):

b)

)(

Ecuacin (2.28):
(

)(

c)
d)

Al utilizar notacin de doble subndice tenemos

el signo negativo revela que la unin se encuentra en polarizacin inversa,

como debe ser para el caso de amplificacin lineal.
Saturacin del transistor
El trmino saturacin se aplica a cualquier sistema donde los niveles alcanzan
los valores mximos. Para el caso del transistor que opera en la regin de
saturacin, la corriente es el valor mximo para el diseo particular. Si se
cambia el diseo, el nivel de saturacin correspondiente puede incrementar o
disminuir. Desde luego, el nivel de saturacin ms alto lo define la corriente
mxima del colector y se presenta en la hoja de especificaciones del transistor.
Las condiciones de saturacin se evitan normalmente porque la unin
base-colector ya no se encuentra en polarizacin inversa y la seal
amplificada se distorsionar. En la figura 2.30a se
describe un punto de operacin en la regin de saturacin.

FIGURA 2.30
Regiones de saturacin: (a) real; (b) aproximada.

Observe que se encuentra en una regin donde las curvas caractersticas

se unen y el voltaje colector-emisor se encuentra en o por debajo de
. Adems, la corriente del colector es relativamente alta sobre las
caractersticas.
Si aproximamos las curvas de la figura 2.30a con aquellas que aparecen
en la figura 2.30b, se
distingue de forma evidente un mtodo directo para determinar el nivel de
saturacin. En la figura
2.30b, la corriente es relativamente alta, y el voltaje
se asume en cero
volts. Al aplicar la ley de
Ohm, la resistencia entre las terminales del colector y el emisor puede
determinarse de la siguiente forma:

Al aplicar los resultados al esquema de la red tendremos la configuracin de la

figura 2.31.

FIGURA 2.31

Por tanto, para conocer la corriente de colector mxima aproximada (nivel de

saturacin) para un diseo particular, solamente se debe insertar un
equivalente de corto circuito entre el colector y el emisor del transistor y
calcular la corriente resultante del colector. En resumen, hay que
establecer
. Para la configuracin de polarizacin fija de la figura 2.32,
se aplic el corto circuito, ocasionando que el voltaje a travs de
se
convierta en el voltaje aplicado
. La
corriente de saturacin resultante para la configuracin de polarizacin fija es
(2.33)

88

Una vez que se conoce, tendremos una idea de la corriente del colector
mxima posible para el diseo seleccionado y el nivel bajo el cual deber
permanecer si se espera una amplificacin lineal.

89

FIGURA 2.32

Ejemplo:
Determine el nivel de saturacin para la red de la figura 2.29.
Solucin:

Anlisis por medio de la recta de carga

Hasta el momento, el anlisis se ha efectuado utilizando un nivel de
correspondiente con el punto
resultante. Ahora
veremos la forma en que los parmetros de la red definen el rango posible
de puntos
y la forma en que se determina el punto actual. La red de la
figura 2.33a establece una ecuacin de salida que relaciona a las variables
y
de la siguiente forma:
(2.34)
Las caractersticas de salida del transistor tambin relacionan las
mismas dos variables
como se muestra en la figura 2.33b.

Por tanto, tenemos una ecuacin de red y un conjunto de caractersticas que

utilizan las mismas variables. La solucin comn de las dos se presentar
cuando las restricciones establecidas por cada una, se satisfagan de manera
simultnea. En otras palabras, esto es similar a encontrar la solucin de dos
ecuaciones simultneas: una de ellas establecida por la red y la otra por las
caractersticas del dispositivo.
89

FIGURA 2.33
Anlisis por medio de la recta de carga:
(a) la red; (b) las caractersticas del
dispositivo.

En la figura 2.33b se proporcionan las caractersticas del dispositivo de en

funcin de
. Ahora deberemos
sobreponer la lnea recta definida por la ecuacin 2.34 sobre las caractersticas.
El mtodo ms directo para graficar la ecuacin 2.34 sobre las caractersticas
de salida es utilizar el
hecho de que una lnea recta se encuentra definida por dos puntos.

FIGURA 2.34
Recta de carga polarizacin fija.

Si decidimos que

sea igual a
2.34, encontramos que
( )
90

en la ecuacin

(2.35)

que define un punto para la lnea recta como se muestra en

la figura 2.34.

91

Si ahora seleccionamos
igual a , lo que establece al eje vertical como la
lnea sobre la cual
se definir el segundo punto, encontramos que
queda determinada por la
siguiente ecuacin:

(2.36)

de la forma en que aparece en la figura 2.33.

Al unir los dos puntos definidos por las ecuaciones 2.35 y 2.36, es posible
trazar la lnea recta establecida por la ecuacin 2.34. La lnea resultante en la
grfica de la figura 2.34 se denomina recta de carga ya que est definida por
el resistor de carga
. Al resolver para el nivel resultante de , es
posible establecer el punto
real como se muestra en la figura 2.34.
Si el nivel de
se modifica al variar el valor de
,
entonces el punto
se mover hacia arriba o hacia debajo
de la recta de carga como se muestra en la figura 2.35.

FIGURA 2.35

Si
se mantiene fijo y cambia, la recta de carga se desplazar como se
muestra en la figura
2.36. Si se mantiene fija, el punto
se
mover como se aprecia en la misma figura. Si
se
mantiene fija y vara, la recta de carga se desplazar como se muestra en
la figura 2.37.
91

FIGURA 2.36

FIGURA 2.37
Efecto de los valores bajos de Vcc sobre
la recta de carga y el punto Q

Ejemplo:
Dada la recta de carga de la figura 2.38 y el punto
definido en ella, determine los valores de
y para la configuracin de polarizacin fija.
Solucin:
De la figura 2.37,
a
a

92

FIGURA 2.38
Ejemplo anterior.

CONFIGURACIN DE POLARIZACIN ESTABILIZADO EN EMISOR PARA

UN BJT npn
La red de polarizacin de CD de la figura 2.39 contiene un resistor en el
emisor para mejorar el nivel de estabilidad de la configuracin en
polarizacin fija. El anlisis se llevar a cabo examinando primeramente la
malla base-emisor y luego utilizaremos los resultados para
investigar la malla colector-emisor.

FIGURA 2.39
Circuito de polarizacin para BJT con resistor en
emisor.

93

Malla base-emisor
La malla base-emisor de la red de la figura 2.39 puede volverse a dibujar
como se muestra en la figura 2.40.

FIGURA 2.40
Malla base-emisor.

Al utilizar la ley de voltaje de Kirchhoff alrededor de la malla indicada

en el sentido de las manecillas del reloj el resultado ser la siguiente
ecuacin:
(2.37
) De la ecuacin 2.24,
(

(2.38)

sustituyendo en la ecuacin 4.15 tenemos

(

Al agrupar los trminos resulta lo siguiente:

(

Al multiplicar por () tenemos

(

94

95

y al resolver para obtenemos

(

(2.39)

Observe que la nica diferencia entre esta ecuacin para y la obtenida para el
caso de la
configuracin en polarizacin fija es el trmino (

De la ecuacin 2.39 puede derivarse un resultado interesante si la ecuacin se

utiliza para
esquematizar una red en serie que resultara en la misma ecuacin. Tal es el
caso de la red en la figura 2.41.

FIGURA 2.41
Red derivada de la ecuacin
2.39.

Al resolver para la corriente

tendremos la misma ecuacin obtenida
anteriormente. Observe que adems del voltaje base-emisor
, el resistor
se refleja de regreso al circuito base de
(que
). En otras
entrada
porparte
un factor
de
palabras,
el resistor
del
( ser
) mucho
que
forma
de
la
malla
colector-emisor,
como
enemisor,
la
malla
base-emisor.
tpicamente
el valor
de
esDado
de
o
ms,
el resistor
delaparece
emisor
aparenta
mayor en el circuito base.
Por lo tanto, en general, para la configuracin de la figura 2.42,
(

(2.40)

FIGURA 2.42

95

Malla colector-emisor
La malla colector-emisor se vuelve a dibujar en la figura 2.43.

FIGURA 2.43
Malla colector-emisor.

Despus de utilizar la ley de voltajes de Kirchhoff, en el sentido de las

manecillas del reloj, para la malla indicada tendremos,

Al sustituir

y agrupar los trminos obtenemos

(
(

El voltaje con subndice sencillo

determina por

)
(2.41)

es el voltaje del emisor a tierra y se

(2.42)

mientras que el voltaje del colector a tierra puede determinarse mediante

(2.43
)

(2.44) El voltaje en la base con respecto a tierra puede

determinarse mediante

96

(2.45)
(2.46)

FIGURA 2.44
Circuito de polarizacin estabilizado
en emisor del ejemplo siguiente.

Ejemplo:
Para la red de polarizacin en emisor de la figura 2.44, determine:
a) .
b) .
c)
.
d)
.
e)
.
f)
.
g)
.
Solucin:
a)

Ecuacin (2.39):

b)
(

)(

97

)(

c)

Ecuacin (2.41):

)
(

)(

d)
(

)(

e)

)(

f)

g)
(con polarizacin inversa como se requiere)

FIGURA 2.45

98

Nivel
de
saturacin
El nivel de saturacin del colector o corriente mxima del colector, para un
diseo de polarizacin en emisor puede determinarse al utilizar el mismo
enfoque que se aplic para la configuracin de polarizacin fija: aplicando un
corto circuito entre las terminales colector-emisor como se
muestra en la figura 2.45 y calculando la corriente del colector como se
observa en la figura 2.45.
(2.47)
La incorporacin del resistor del emisor redujo el nivel de saturacin del
colector por debajo del que se obtuvo con una configuracin de polarizacin
fija que utiliza el mismo resistor del colector.
Ejemplo:
Determine la corriente de saturacin de la red del ejemplo anterior.
Solucin:

lo cual representa cerca de tres veces el nivel de

del ejemplo anterior.

Anlisis por medio de la recta de carga

El nivel de como lo determina la ecuacin 2.39 define el nivel de
las caractersticas de la figura 2.46 (denotado como
).

sobre

La ecuacin de la malla colector-emisor que define a la recta de carga es la

siguiente:
(
Al seleccionar

, tenemos

99

(2.48)

segn se obtuvo para la configuracin de polarizacin fija. Al seleccionar

tenemos

10
0

(2.49)

como se muestra en la figura 2.45. Niveles diferentes de desplazarn, como es

evidente, al
punto hacia arriba o hacia abajo sobre la recta de carga.

FIGURA 2.46
Recta de carga para la
confguracin de
polarizacin en emisor.

CONFIGURACIN DE POLARIZACIN POR DIVISOR DE VOLTAJE PARA

UN BJT npn
En las configuraciones de polarizacin previas, la corriente
y el voltaje
polarizacin
eran funcin de la ganancia de corriente ( ) del transistor. Sin embargo,

de

debido a que
es
sensible a la temperatura, especialmente para el caso de transistores de silicio,
y a que el valor
real de beta normalmente no se encuentra bien definido, sera muy deseable
desarrollar un circuito de polarizacin que sea menos dependiente, o de
hecho, independiente de la beta del transistor. La configuracin de
polarizacin por divisor de voltaje de la figura 2.47 es una red que cumple con
tales condiciones. Si sta se analiza sobre una base rigurosa, la sensibilidad a
cambios en beta es muy pequea. Si los parmetros del circuito son
seleccionados adecuadamente, los niveles resultantes dey
llegan a ser
casi totalmente independientes de beta. Un punto
se define por un nivel fijo de

como se muestra en la figura 2.48. El nivel de

alterar con cambios en beta, pero el punto de operacin sobre las
10
0

se

caractersticas definido por y

puede permanecer fijo si se emplean

parmetros apropiados del circuito.

10
1

FIGURA 2.47
Confguracin de polarizacin
por divisor de voltaje.

FIGURA 2.48
Defnicin del punto Q bajo la
configuracin de polarizacin de
divisor de voltaje.

Anlisis
La parte de la entrada en la red de la figura 2.46 puede volverse a dibujar
como se presenta en la figura 2.49 para el anlisis de CD. La red equivalente
de Thvenin para la red a la izquierda de la terminal de la base puede
determinarse de la siguiente forma:
: La fuente de voltaje se reemplaza por un equivalente de corto circuito
como se muestra en la figura 2.50 (4.28) (Pg. 179).

10
1

||

(2.50)

10
2

FIGURA 2.49
Redibujo de la parte de
entrada de la red de la
fgura 2.47

FIGURA 2.50

FIGURA 2.51

10
2

: La fuente de voltaje se reincorpora a la red y se calcula el voltaje

Thvenin de circuito abierto de la figura 2.51 como sigue:
Al aplicar la regla del divisor de voltaje:
(2.51)

FIGURA 2.52
Insercin del circuito equivalente de
Thvenin.

Luego la red de Thvenin se vuelve a dibujar como se muestra en la

figura 2.52, y se podr determinar
al aplicar primeramente la ley de
voltaje de Kirchhoff en direccin de las manecillas de reloj para la malla
que se indica:

Al sustituir

y resolver para tenemos:

(2.52)

Aunque la ecuacin 2.52 inicialmente parece diferente de aquellas que hemos

elaborado antes,
observe que nuevamente el numerador es la diferencia entre los dos niveles de
voltaje y que el
denominador es la suma de la resistencia de base y el resistor del emisor
reflejado por (
cual ciertamente es muy similar a la ecuacin 2.39.
Una vez que se conoce , las cantidades restantes de la red pueden
encontrarse de la misma forma que la empleada para la configuracin con
polarizacin en emisor. Es decir,
10
3

), lo

10
4

(2.53)

lo cual es exactamente igual a la ecuacin 2.41. Las ecuaciones restantes

para
, y
son
tambin las mismas que las obtenidas para la configuracin de polarizacin
en emisor.

FIGURA 2.53
Circuito de beta estabilizada para el ejemplo
siguiente.

Ejemplo:
Determine el voltaje de polarizacin de CD
y la corriente
configuracin por divisor de voltaje de la figura 2.53.
Solucin
Ecuacin (2.50):

||
(

)(

Ecuacin (2.51):
(

Ecuacin (2.52):

)(

10
4

para la

)(

10
5

Ecuacin (2.53):

)(

)(

Saturacin del transistor

El circuito de salida colector-emisor para la configuracin del divisor de voltaje
posee la misma apariencia que la del circuito de polarizacin en emisor
analizado previamente. La ecuacin resultante para la corriente de saturacin
(donde
se hace cero volts en la grfica) es
por tanto,
la misma que se obtuvo para la configuracin de polarizacin en emisor. Esto
es,
(2.54)
Anlisis por medio de la recta de carga
Las similitudes con el circuito de salida de la configuracin de polarizacin en
emisor provocan las mismas intersecciones para la recta de carga de la
configuracin del divisor de voltaje. Por lo tanto, la recta de carga tendr la
misma apariencia que la de la figura 2.46, con
|

(2.55)

(2.56)

2.2.2 LMITES DE OPERACIN Y HOJA DE

ESPECIFICACIONES Hoja de especificaciones
10
5

(JFETs)
Aunque el contenido general de las hojas de especificaciones puede variar
desde el mnimo necesario hasta una presentacin amplia de grficas y
tablas, existen unos cuantos parmetros

10
6

fundamentales que se proporcionan por parte de todos los fabricantes.

Algunos de los ms importantes se analizan ms adelante. La hoja de
especificaciones para el JFET de canal-n 2N5457 fabricado por Motorola se
ofrece a continuacin.
Figura 2.54. JFET 2N5457 de canal-n
de Motorola
VALORES NOMINALES
MXIMOS
Valor nominal
Voltaje Drenaje-Fuente
Voltaje Drenaje-Compuerta
Voltaje inverso Compuerta-Fuente
Corriente de compuerta
Disipacin Total del Dispositivo @ TA
= 25 C
Prdidade
deTemperatura
disipacin por
de
Rango
deencima
la Unin
Rango de Temperatura de
almacenamiento del Canal

Smbol
o

Valor
25
25
-25
10
310
2.82
125
-65 a
+150

Unida
d
mA CD
mW
mW/C
C
C

CARACTERSTICAS ELCTRICAS ( a menos que se especifique

lo contrario)
Caracterstica

Smbol Mnim
o
o

Tpic
o

Mxim Unida
o
d

CARACTERSTICAS DE APAGADO
Voltaje de Ruptura Compuerta-Fuente
(
Corriente Inversa de la Compuerta
(
(
Voltaje de Corte Compuerta-Fuente
(
)
Voltaje Compuerta-Fuente
(

-25

)
)
2N5457

-1.0
-200

-0.5

2N5457

-6.0

-2.5

CARACTERSTICAS DE ENCENDIDO
Corriente de Drenaje con Voltaje Cero en la Compuerta*
(
)
2N5457

mA CD
1.0

3.0

5.0

CARACTERSTICAS DE PEQUEA SEAL

Admitancia de Transferencia Directa para Fuente Comn*
(
)
2N5457
Admitancia de Salida de Fuente Comn*
(
)
Capacitancia de Entrada
(
)
Capacitancia de Transferencia Inversa
(
)
*Pulso de prueba: Ancho del Pulso 630 ms; Ciclo de Trabajo 10%

10
6

mhos
1000

5000

|
-

10

mhos

50

pF
-

4.5

7.0

1.5

3.0

pF

Valores nominales mximos

Por lo general, la lista de valores nominales mximos aparece al principio de la
hoja de especificaciones, con los valores mximos entre terminales especficas,
los niveles mximos de las corrientes y el nivel mximo de disipacin de
potencia del dispositivo. Los niveles mximos especificados para y
no deben
excederse en ningn momento del diseo de la operacin del dispositivo. La
fuente aplicada
puede exceder estos niveles, sin embargo, el nivel real de
voltaje entre estas terminales nunca debe exceder en nivel especificado. Todo
buen diseo evitar estos valores mediante un buen margen de seguridad. El
trmino inverso en
define el voltaje mximo con la fuente positiva con
respecto a la compuerta (como si estuviera polarizada normalmente para un
dispositivo de canal-n) antes de que ocurra la ruptura. En algunas hojas de
especificaciones se refiere como
, el voltaje de ruptura con
el drenaje y la fuente en corto circuito (
). Aunque normalmente
est diseado para operar con , pero si es necesaria una corriente de la
compuerta podra soportar
antes de que suceda cualquier dao. La
disipacin total del dispositivo a
(temperatura ambiente) es la potencia
mxima
que el dispositivo puede disipar bajo condiciones normales de operacin y est
definida por
(2.57)
El valor de
revela que el valor de disipacin decrece enpor cada
incremento en la temperatura de
por encima de .
Caractersticas elctricas
Las CARACTERSTICAS
caractersticas
incluyeny el
deCARACTERSTICAS
en
las un rango
DEcaso
APAGADO
denivel
en de
las
ENCENDIDO.
Enelctricas
ste
(
) tiene
entre
a
e
entre
y
. El hecho
que ambos
tengan DE
una
variacin entre dispositivos con la misma identificacin, debe considerarse
en el proceso de diseo. Las otras
cantidades estn definidas bajo las condiciones que aparecen entre parntesis.

FIGURA 2.55
Regin normal de operacin
para diseo de amplifcacin
lineal

107

Regin de operacin
La hoja de especificaciones y la curva definida por los niveles de estrechamiento
para cada nivel de
, definen la regin de operacin para amplificacin lineal sobre las
caractersticas de drenaje como se muestra en la figura 2.55. La regin
hmica define los valores mnimos permisibles de para cada nivel de , y
especifica el valor mximo para este parmetro. La corriente de
saturacin es la corriente mxima de drenaje, y el nivel mximo de
disipacin de potencia define la curva dibujada, de la misma manera que se
puede describir para los transistores BJT. La regin sombreada resultante es la
regin de operacin normal para el diseo de amplificadores.

10
8

Hoja de especificaciones (BJTs)

Debido a que las hoja de especificaciones es el enlace de comunicacin
entre el fabricante y el usuario, es particularmente importante que la
informacin proporcionada se reconozca y se
entienda con claridad.
Figura 2.56. BJT 2N4123 tipo npn
de Motorola
VALORES NOMINALES
MXIMOS
Valor nominal
Voltaje colector-emisor
Voltaje colector-base
Voltaje emisor-base
Corriente del colector-continua
Disipacin Total del Dispositivo @
TA = 25 C Prdida de disipacin por
encima
deTemperatura
25 C
Rango de
de la Unin
para almacenamiento y operacin

Smbol
o

Valor

Unida
d

30
40
5.0
200
625
5.0
a

mA CD
mW
mW/C
C

CARACTERSTICAS
TRMICAS
Caractersticas

Smbolo

Mx.

Unidad

Resistencia trmica, unin al encapsulado

Resistencia trmica, unin al ambiente

CARACTERSTICAS ELCTRICAS (
contrario)
Caracterstica

CARACTERSTICAS DE APAGADO
Voltaje de Ruptura colector-emisor (1)
(
)
Voltaje de ruptura colector-base
(
)
Voltaje de ruptura emisor-base
(
)
Corriente de corte del colector
(
)
Corriente de corte del emisor
(
)

a menos que se especifique lo

Smbol Mnim
o
o
(

30

Mxim Unida
o
d
-

40

5.0

50
50

CARACTERSTICAS DE ENCENDIDO
Ganancia de corriente de CD (1)
(
)
(
)
Voltaje de saturacin colector-emisor (1)
(
)
Voltaje de saturacin base-emisor (1)
(
)

50

150

25

0.3

0.95
-

CARACTERSTICAS DE PEQUEA SEAL

Producto ganancia en corriente-ancho de banda
(
)

250

MHz -

Capacitancia de salida
(
)
Capacitancia de entrada
(
)
Capacitancia colector-base
(
)
Ganancia de corriente en pequea seal
(
)

4.0
8.0
4.0
50

10
9

200

Ganancia de corriente en alta frecuencia

(
)
2.5
(
)
50
Factor de ruido
NF
(
)
(1) Pulso de prueba: Amplitud del pulso = 300 s. Ciclo de trabajo = 2.0%

11
0

200
6.0

dB

La informacin que se proporciona en la figura 2.56 (3.23) (Pg. 150) se tom

directamente de la Publicacin Small-Signal Transistors, FETs, and Diodes
(Transistores de pequea seal, FETs y diodos), preparada por Motorola Inc. El
2N4123 es un transistor npn de propsito general. La mayora de las hojas de
especificaciones se dividen en valores nominales mximos, caractersticas
trmicas y caractersticas elctricas. Las caractersticas elctricas se dividen a
su vez en caractersticas de encendido, apagado y de pequea seal. Las
caractersticas de encendido y de apagado se refieren a los lmites de CD,
en tanto que las de pequea seal incluyen los parmetros importantes para la
operacin de CA.
Observe en la lista de valores nominales mximos que
con
. La disipacin mxima del colector
. El
factor de reduccin de disipacin bajo el valor mximo especifica que el valor
mximo deber disminuirse en
por cada aumento de
de
temperatura por arriba de los
. En las caractersticas de apagado
se especifica como y en las caractersticas de encendido
. El nivel de
tiene un rango de entre
y
en
y ,
y un valor mnimo de
para la corriente ms alta de
al
mismo voltaje.
Ahora que hemos definido los lmites de operacin para el dispositivo,
stos se repiten a continuacin en un nuevo formato utilizando (lmite
superior) e
(
)(
)
. Ciertamente, para muchas aplicaciones los
pueden considerarse como sobre una base aproximada.
Lmites de
operacin

Antes de concluir con esta descripcin de las caractersticas, observe el hecho

de que no se proporcionan las caractersticas reales del colector. De hecho,
casi todas las hojas de especificaciones que presentan la mayora de los
fabricantes no proporcionan las caractersticas completas. Se espera que los
datos que se proporcionan sean suficientes para utilizar de manera eficaz el
dispositivo en el proceso de diseo.
11
0

2.2.3 PUNTO Q
El punto merece una explicacin tanto para el FET como para el BJT. Para el
FET, los
desarrollos analticos anteriores referentes a los circuitos de polarizacin, fija,
de autopolarizacin y por divisor de voltaje abundan acerca del significado y
clculo del punto
correspondiente,
por

11
1

lo que no se reconsiderar de nuevo en este apartado. Sin embargo, la

explicacin del significado y clculo del punto
para el BJT, adems de
enriquecer lo referente al FET, se repasar en esta ocasin.
El trmino polarizacin es un trmino muy amplio que comprende todo lo
relacionado con la aplicacin de voltajes de CD para establecer un nivel fijo de
corriente y voltaje. Para los amplificadores a transistor, la corriente de CD y el
voltaje resultantes establecen un punto de operacin sobre las caractersticas
que define la regin que ser empleada para la amplificacin de la seal
aplicada. Debido a que el punto de operacin es un punto fijo sobre las
caractersticas, se
le denomina tambin como punto de reposo (se abrevia como punto , del
ingls: quiescent
point). Por definicin, reposo significa quieto, esttico, inactivo.

FIGURA 2.57
Distintos puntos de operacin
dentro de los lmites de
operacin de un transistor.

En la figura 2.57 se muestra la caracterstica general de la salida de un

dispositivo, en la que se indican cuatro puntos de operacin. El circuito de
polarizacin puede disearse para
establecer la operacin del dispositivo en cualesquiera de estos puntos o en
otros dentro de la regin activa. Los valores mximos se indican en las
caractersticas de la figura 2.57 con una lnea horizontal para la corriente
mxima del colector
y con una lnea vertical para el voltaje mximo
del colector-emisor
. La restriccin de mxima potencia se define por
la curva
en la misma figura. En el extremo inferior de las escalas, se encuentra la
regin de corte, que se define por
, y la regin de
saturacin, definida por
.
11
1

El dispositivo BJT puede encontrarse polarizado para operar fuera de estos

lmites mximos, sin embargo, el resultado de tal operacin sera el recorte de
la vida til del dispositivo, o bien la destruccin del mismo. Limitndonos a la
regin activa, es posible seleccionar varias reas o puntos de operacin
diferentes. Frecuentemente el punto
seleccionado, depender del
uso que se piense dar al circuito. Aun as, es posible considerar algunas
diferencias entre los distintos

11
2

puntos de operacin que se muestran en la figura 2.57 con el objetivo de

presentar algunas ideas bsicas sobre el punto de operacin y, por
consiguiente, del circuito de polarizacin.
Si no se empleara la polarizacin, el dispositivo inicialmente se encontrara
completamente apagado, dando por resultado un punto en , es decir,
corriente cero a travs del dispositivo (y voltaje cero a travs de l). Debido a
que es necesario polarizar un dispositivo de manera que pueda responder ante
el rango completo de seales de entrada, el punto , por lo tanto, no es
conveniente. Para el punto
, si una seal se aplica al circuito, el dispositivo
variar en corriente y en voltaje a partir del punto de operacin, con lo que se
permitir al dispositivo reaccionar ante (y posiblemente amplificar) las
excursiones, tanto positivas como negativas de la seal de entrada. Si la seal
de entrada es seleccionada cuidadosamente, el voltaje y la corriente del
dispositivo variarn pero no lo suficiente como para llevar al dispositivo al
corte o a la saturacin. El punto permitir cierta variacin positiva y negativa
de la seal de salida, sin embargo, el valor pico a pico estar limitado por la
proximidad de
e
. Por otro lado, la operacin en el punto
provoca cierta preocupacin debido a las no linealidades que se
introducen por el hecho de que el espacio entre las curvas de cambia
rpidamente en esta regin. En general, es preferible operar donde la ganancia
del dispositivo es prcticamente constante (o lineal), para, de esta forma,
asegurar que la amplificacin sobre la amplitud completa de la seal de
entrada sea la misma. El punto es una regin con un espaciado ms lineal y
por lo tanto, con una operacin ms lineal, como se muestra en la figura 2.57.
El punto
establece el punto de operacin del dispositivo cerca del voltaje
y nivel de potencia mximos. La amplitud del voltaje de salida en la
direccin positiva se encuentra de esta forma limitada si el voltaje mximo no
debe excederse. Por lo tanto, el punto
parece ser el mejor punto de
operacin en trminos de ganancia lineal y de mayor excursin posible de
corriente y de voltaje. sta es, generalmente, la condicin deseada para los
amplificadores de pequea seal, pero ste no es necesariamente el caso para
los amplificadores de potencia. En sta antologa nos concentramos
principalmente en polarizar el transistor para una operacin de amplificacin a
pequea seal.
Existe otro factor de polarizacin muy importante que debe ser considerado.
Una vez que se Seleccion y se polariz el BJT en un punto de operacin, el
efecto de la temperatura tambin se debe tomar en cuenta. La temperatura
causa que los parmetros del dispositivo como la ganancia de corriente
del transistor y la corriente de fuga del mismo, se modifiquen.
Mayores temperaturas provocan un incremento en las corrientes de fuga del
dispositivo con lo que se modifica la condicin de operacin establecida por la
red de polarizacin. La consecuencia de esto es que el diseo de la red deber
proporcionar tambin un grado de estabilidad en temperatura
11
2

de manera que los cambios de temperatura provoquen las menores

modificaciones en el punto de
operacin. La conservacin del punto de operacin puede especificarse
mediante un factor de estabilidad, , el cual indica el grado de cambio en el
punto de operacin debido a una variacin de temperatura. Desde luego que
es deseable un circuito altamente estable por lo que es posible su diseo
apropiado.

11
3

2.2.4 POLARIZACIN CON UNA FUENTE

2.2.5 POLARIZACIN CON DOS FUENTES
Los circuitos de polarizacin, tanto del FET como los del BJT estudiados en esta
antologa, slo son una parte de las posibilidades de polarizacin para ambos
tipos de transistores; sin embargo, de los aqu vistos, y a manera de resumen,
slo uno de ellos, para el caso de los FET, el de polarizacin fija, es alimentado
por dos fuentes. A continuacin se presenta la figura 2.58 donde
se compendian los circuitos de polarizacin estudiados, tanto para los FET como
para los BJT.
Figura 2.58. Compendio de circuitos de polarizacin de ambos tipos de
transistores.
Tipo de
transistor
FET
FET
FET
BJT
BJT
BJT

Circuito de
polarizacin
Polarizacin
fija
Autopolarizacin
Por Divisor de
Voltaje
Polarizacin
fija
Estabilizado en
emisor
Por Divisor de
Voltaje

De una
fuente
X
X
X
X
X

De dos
fuentes
X

2.3 APLICACIONES DEL TRANSISTOR

2.3.1 COMO INTERRUPTOR
Las aplicaciones de los transistores no se limitan nicamente a la
amplificacin de seales. Mediante un diseo apropiado, se pueden utilizar
como interruptores para aplicaciones de cmputo y de control. La red de la
figura 2.59a puede emplearse como un inversor para circuitos lgicos de
cmputo. Observe que el voltaje de salida
es el opuesto del que se aplica
en la terminal de la base o de entrada. Adems, observe la ausencia de una
fuente de CD conectada al circuito de la base. La nica fuente de CD se
encuentra conectada al colector o lado de salida y, para aplicaciones de
cmputo, ste es generalmente igual a la magnitud alta de la seal
aplicada, que para este caso son
.
Un diseo apropiado para el proceso de inversin requiere que el punto de
operacin alterne entre el corte y la saturacin durante la recta de carga
mostrada en la figura 2.59b. Para nuestros propsitos, supondremos que
cuando
(lo que es una excelente
aproximacin a la luz de las mejoras en las tcnicas de construccin), como se
muestra en la figura
2.59b. Adems de esto, supondremos que
en lugar del valor comn de
a
11
3

.
Cuando
, el transistor se encontrar encendido y el diseo deber
asegurar que la red se encuentra altamente saturada por un nivel de mayor
que el asociado con la curva de
que aparece cerca del nivel de
saturacin. En la figura 2.59b, esto requiere que
. El nivel
de saturacin de la corriente del colector para el circuito de la figura 2.59a
est definido por

11
4

(2.58)

FIGURA 2.59
Transistor inversor.

El nivel de en la regin activa justo antes de que ocurra la saturacin puede

aproximarse con la
siguiente ecuacin:

Para el nivel de saturacin debemos, por lo tanto, asegurar que se satisface la

siguiente condicin:
(2.59)
11
4

Para la red de la figura 2.59b, cuando

siguiente:

, el nivel de

11
5

resultante es el

Al probar la ecuacin 2.59 tenemos

lo cual se satisface. Desde luego, cualquier nivel de

mayor de
pasar a
travs de un punto
sobre la recta de carga que se encuentra muy cercana al eje vertical.
Cuando
,
, y dado que estamos suponiendo que
voltaje a travs , determinada por
, resulta en
de
respuesta indicada en la figura 2.59a.

, la cada
dela
para

Adems de contribuir con la lgica computacional, el transistor puede

tambin emplearse como un interruptor utilizando los mismos extremos de la
recta de carga. En la saturacin, la corriente es muy alta y el voltaje es muy
bajo. El resultado es un nivel de resistencia, entre las dos terminales,
determinado por

y representado en la figura 2.60.

FIGURA 2.60
Condiciones de saturacin y la resistencia de terminal
resultante.

11
5

Al utilizar un valor promedio tpico de

como

El cual es un valor relativamente bajo y

resistores del
rango de los kiloohms.

tenemos

cuando es colocado en serie con

FIGURA 2.61
Condiciones de corte y la resistencia de terminal
resultante

Cuando
, como se muestra en la figura 2.61, la condicin de corte
ocasionar un nivel de
resistencia de magnitud siguiente:

lo que resulta en la equivalencia de circuito abierto. Para un valor tpico de

la
magnitud de la resistencia de corte es

el cual, ciertamente se aproxima a una equivalencia de circuito abierto para

varias situaciones.
Ejemplo:
Determine y

para el transistor de la figura 2.62 si

11
6

FIGURA 2.62
Inversor del ejemplo.

Solucin:
En la saturacin:

En la saturacin:

Al seleccionar

para asegurar la saturacin y utilizar

obtenemos

Seleccionar

, el cual es un valor estndar. Entonces

11
7

Por lo tanto, se debe utilizar

2.3.2 COMO AMPLIFICADOR

Aunque ya se han visto ciertos circuitos con transistores que desempean
bsicamente la funcin de amplificacin, en ste apartado se dilucidar, a
partir de un BJT, su accin amplificadora de una
manera sencilla y didctica.

FIGURA 2.63
Accin bsica de amplificacin de voltaje de la
confguracin base comn.

Anteriormente se estableci la relacin entre

e
, y ahora se puede
presentar la accin bsica de amplificacin del transistor bajo un nivel
superficial mediante la red de la figura 2.63. La polaridad de CD no aparece en
la figura ya que nuestro inters se limita a la respuesta en CA. Para la
configuracin de base comn, la resistencia CA de entrada determinada por
sus caractersticas
- es muy pequea y tpicamente vara entre y
. La resistencia de
salida, segn las caractersticas
- , es muy alta (mientras ms
horizontales sean las curvas, mayor ser la resistencia) y tpicamente vara
entre y
(
para el transistor de la figura 2.63). La
diferencia en la resistencia se debe a la unin en polarizacin directa en la
entrada (base a emisor) y a la unin en polarizacin inversa en la salida (base
a colector). Utilizando un valor
comn de para la resistencia de entrada, tenemos que:

Si suponemos por el momento que (

),
11
8

)(

El voltaje de amplificacin es

Los valores tpicos de la amplificacin de voltaje para la configuracin de base

comn varan entre
y
. La amplificacin de corriente ( ) es siempre menor que
para la
configuracin de
base comn. Esta ltima caracterstica debe ser obvia debido a que
y es siempre
menor que
.
La accin bsica de amplificacin se produjo mediante la transferencia de una
corriente
desde un circuito de baja resistencia a uno de alta resistencia. La
combinacin de los dos trminos en itlicas (transferencia y resistencia), da
como resultado el trmino transistor; esto es,
transferencia + resistor
transistor

11
9

REFERENCIAS
Bolylestad, Robert L., Nashelsky, Louis, (2003). Electrnica: teora de
circuitos y dispositivos electrnicos, 8. Ed., Pearson educacin. Mxico.
Jaeger, Richard C., Blalock, Travis N., (2005). Diseo de circuitos
microelectrnicos. 2. Ed.,
McGraw-Hill/Interamericana Editores, S. A. de C. V. Mxico.
Neamen, Donald A., (1999). Anlisis y diseo de circuitos electrnicos.
1. Ed., McGraw- Hill/Interamericana Editores, S. A. de C. V. Mxico.

12
0

3. AMPLIFICADORES OPERACIONALES
Uno de los dispositivos electrnicos de mayor uso y versatilidad en
aplicaciones lineales es el amplifcador operacional, llamado op amp en
ingls o amp op en espaol. El amp op tiene una gran popularidad porque
su costo es bajo, y fcil de utilizar. Permite construir circuitos tiles sin
necesidad de conocer la complejidad de su circuitera interna.
Se le atribuye a George Philbrick la invencin y difusin de los amp ops. Esos
primeros amp ops y las posteriores versiones estaban destinadas a emplearse
en las computadoras analgicas. La palabra operacional en sos dispositivos
significaba operaciones matemticas, de tal manera que los primeros amp op
s servan para construir circuitos capaces de sumar, restar, multiplicar e
incluso resolver ecuaciones diferenciales. Las computadoras analgicas eran
poco exactas: admitan un mximo de tres cifras significativas. De ah que
fueran reemplazadas por las computadoras digitales que son ms rpidas,
exactas y verstiles. A pesar de ello, el advenimiento de las computadoras
digitales no marc la desaparicin del amp op.
Entre los aos 1964 y 1967 la compaa Fairchild desarroll los amp ops en
versin de circuito integrado nmeros 702, 709 y 741, mientras que la
National Semiconductor introdujo el nmero
101/301. Estos amp ops de circuito integrado revolucionaron algunas reas de
la electrnica por su tamao pequeo y bajo costo. Tambin importante fue
que se redujo impresionantemente el trabajo de diseo de circuitos. Se calcula
que el tiempo necesario para disear un amplificador con un amp op es de
unos 10 segundos, mientras que anteriormente se empleaba mucho ms
tiempo el diseo de un amplificador con transistores. Otras ventajas que tienen
los amp ops son: (1) son baratos, (2) ocupan menos espacio, y (3) requieren
menos potencia que los componentes discretos. Algunas de las aplicaciones de
los amp ops son: (1) generacin de seales (osciladores), (2)
acondicionamiento de seales, (3) temporizadores, (4) deteccin de nivel de
voltaje, y (5) modulacin.
Al paso del tiempo los amp ops mejoraron en algunos aspectos: primero,
algunos transistores constitutivos de los amp ops del tipo BJT se sustituyeron
por JFETs; stos, en la etapa de entrada del amp op toman corrientes muy
pequeas y permiten que los voltajes de entrada varen entre los valores
lmites de los de su fuente de alimentacin. Los transistores MOSFET en los
circuitos de salida permiten que su salida se aproxime a los minivolts de los
valores lmites de la fuente de poder.
El primer amp op del tipo BIFET, o de transistores FET, fue el nmero LF356.
Otro, el CA3130 tiene
entradas de BJT y una salida MOS complementaria: de ah su nombre, BIMOS.
Las ventajas de stos ltimos son que son ms rpidos y presentan una
respuesta mejor a altas frecuencias que el
741.
12
1

El otro aspecto innovador fue la invencin de los encapsulados de doble y

cudruple amplificador. En el mismo encapsulado de 14 terminales de un solo
amp op, los diseadores fabricaron 4 amp ops individuales; stos comparten
la misma fuente de poder. El LM324 es un ejemplo muy conocido de estec tipo
cudruple y el LM358 es uno doble muy usado.
Despus de lo anterior, los amp ops se especializaron, es decir, los de
propsito general evolucionaron para optimizar o incorporar algunas
caractersticas. Los circuitos integrados de

12
2

propsito especial que contienen ms de un amp op se desarrollaron para

llevar a cabo funciones cada vez ms complejas. Algunas de ellas son: (1)
Capacidad de alta corriente, alto voltaje o ambos, (2) Mdulos para sonar de
emisin y recepcin, (3) Amplificadores mltiples, (4) Amplificadores de
ganancia programable, (5) Instrumentacin y control automotriz, (6) Circuitos
integrados para comunicaciones, (7) Circuitos integrados de radio/audio/video.
Se preve que los amp ops de propsito general duren mucho tiempo en el
mercado, sin embargo, se desarrollarn circuitos integrados cada vez ms
complejos en un solo chip que puedan combinar varios amplificadores con
circuitos digitales; an ms, con el advenimiento de la tecnologas de
integracin a gran escala (VLSI) lo anterior ser posible en poco tiempo.
Existen actualmente computadoras en un solo circuito integrado. Se espera
que se fabrique el televisor en un solo chip.
3.1 ARQUITECTURA DE UN AMPLIFICADOR
OPERACIONAL Smbolo y terminales del circuito
El smbolo del amp op que se da en la figura 3.1 es un tringulo que apunta en
la direccin del fujo de la seal. Este componente tiene un nmero de
identifcacin de parte (NIP) colocado dentro del smbolo del tringulo. El
nmero designa al amp op con caractersticas especficas. El 741C que se
muestra aqu es un amp op de propsito general.

FIGURA 3.1
Smbolo de circuito para un amplificador operacional de
propsito general. La numeracin de las terminales se
refiere a un encapsulado mini DIP de 8 terminales.

12
2

El amp op tambin puede codificarse en un esquema o diagrama de circuito

con un nmero de referencia, por ejemplo, U1, IC, 101, etc. Despus el
nmero de identificacin de parte se pone dentro de la lista de partes del
esquema del circuito. Todos los amp ops poseen por lo menos 5 terminales:
(1) la terminal de fuente de poder positiva
o , en la pata 7, (2) la
terminal de fuente de alimentacin negativa o , en la pata 4, (3) la
terminal de salida 6, (4) la terminal
de entrada inversora ( ) en la pata 2, (5) la terminal de entrada no inversora (
) en la pata 3.
Algunos ampo ops de propsito general cuentan con ms terminales
especializadas. Las
terminales que acabamos de mencionar se refieren al caso del mini DIP de
ocho terminales.
Esquema del circuito
El circuito equivalente del ampo op 741 se muestra en la figura 3.2. Es un
diseo complejo de tercera generacin, compuesto de 1 capacitor, 11
resistencias y 27 transistores. Los transistores
y , con sus circuitos de apoyo, constituyen la etapa de entrada diferencial
de alta ganancia. Los transistores
y
son la etapa de salida complementaria. Los transistores
y
detectan la corriente de salida y dan proteccin contra cortocircuitos. El resto
de los transistores
constituyen la etapa de desplazador de nivel, que conecta la etapa de entrada
con la de salida.

FIGURA 3.2
Circuito equivalente de un amplifcador operacional 741.
(Cortesa de Fairchild
Semiconductor, Division of Fairchild Camera and Instrument
Corporation.)

12
3

Encapsulado y terminales
El amp op se fabrica en un diminuto chip de silicio y se encapsula en una caja
adecuada. Alambres finos conectan el chip con terminales externas que salen
de la cpsula de metal, plstico o
cermica. La figura 3.3a, 3.3b y 3.3c muestra los encapsulados comunes de los
amp ops.

Figura 3.3
Los tres encapsulados ms comunes de amplificadores
operacionales son las cajas metlicas: (a) los encapsulados
dobles en lnea, de 8 y 14 terminales en (b) y (c). Respecto
a los circuitos integrados de gran densidad, se muestra en
(d), un encapsulado con tecnologa de montaje de
superfcie.

12
4

El encapsulado de caja metlica de la figura 3.3a viene con 3, 5, 8, 10 y 12

terminales. El chip de silicio est unido a la placa metlica del fondo para
facilitar la disipacin de calor. La lengeta identifica la pata 8 y las patas
estn numeradas en sentido contrario al de las manecillas del reloj cuando la
caja metlica se ve desde arriba.
Los conocidos encapsulados dobles en lnea (DIP) de 14 y 8 patas se muestran
en la figura 3.3b y
3.3c. Se dispone de cpsulas de plstico o cermica. Cuando se ven
desde arriba un punto o muesca identifica la pata 1 y las terminales estn
numeradas en sentido contrario al de las
manecillas del reloj.

Figura 3.4
Diagrama de conexin para encapsulados
tpicos de amplifcadores operacionales. La
abreviatura NC signifca no hay conexin.
Es decir, estas terminales no tienen
conexin interna y las terminales del
amplifcador operacional se
pueden utilizar para conexiones de reserva.

Los circuitos integrados complejos que contienen muchos amp ops y otros
12
5

circuitos integrados se fabrican hoy en una sola pastilla grande o bien

interconectando muchas pastillas grandes y ponindolas en una sola cpsula.
Para facilitar la fabricacin y el armado unas lengetas sustituyen las
terminales. A la estructura resultante se le llama tecnologa de montaje de
superficie (SMT) y
se muestra en la figura 3.3d. Estos encapsulados ofrecen mayor densidad de
circuito para un

12
6

encapsulado de tamao determinado. Adems, estos dispositivos tienen menos

ruido y mejores caractersticas de respuesta en frecuencia. Los componentes
para montaje de superficie estn disponibles como (1) chip con encapsulado de
plstico (PLCC, del ingls plastic lead chip carriers), (2) circuitos integrados
de tamao pequeo (SOIC, del ingls small outline integrated circuits chip
carriers) y (3) chip con encapsulado cermico (LCCC, del ingls leadless
ceramic chip carriers).
Los fabricantes combinan en un solo dibujo el smbolo del circuito de un amp
op con el encapsulado. Por ejemplo, los 4 tipos ms comunes de encapsulado
que aloja el amp op 741 se muestran en la figura 3.4. Si se comparan las
figuras 3.4a y 3.4d se observa que los esquemas de numeracin son
idnticos para la caja de 8 patas y para el DIP de 8 patas.
Una muesca o punto identifica la pata 1 en estos dispositivos y una lengeta
identifica la pata 8 en el encapsulado tipo TO-5 (o el semejante TO-99). Cuando
la figura se ve desde arriba, la numeracin de patas se realiza en sentido
contrario al de las manecillas del reloj.
Conexin De Circuitos De Amplificadores Operacionales
Fuente de poder
Las fuentes de alimentacin de los amp ops de propsito general son
bipolares. Como se aprecia en la figura 3.5a, las que se venden en el mercado
suelen generar 15 V. Se d en nombre de comn de las fuentes de
alimentacin al punto comn de ambas fuentes de + 15 V y 15 V que se
muestra con el smbolo de tierra por dos motivos. Primero, todas las
mediciones de voltaje se efectan respecto de se punto. Segundo, el comn
de la fuente de alimentacin suele conectarse al tercer conductor del cable de
corriente, que conecta con tierra (por lo general tomada de un tubo de agua en
el stano), al chass en que est contenida la fuente. En la figura 3.5b se
muestra el dibujo esquemtico de una fuente porttil. Se ofrece este diagrama
para reforzar la idea de que una fuente bipolar contiene dos fuentes de
potencia conectadas en serie en el mismo sentido.
Terminales de alimentacin de corriente
Las terminales del amp op etiquetadas como + V y V identifican las
terminales del amp op que deben conectarse a la fuente de poder; vase la
figura 3.6. Observe que la alimentacin de corriente tiene tres terminales:
positiva, negativa y comn. Esta terminal comn de la fuente de poder puede o
no estar conectada a tierra mediante el tercer alambre del cable de la lnea. Sin
embargo, ha llegado a ser costumbre mostrar el comn de corriente como un
smbolo de tierra en el diagrama esquemtico. La fuente de poder en la figura
3.6 recibe el nombre de fuente bipolar o dividida y los valores tpicos son de
12
6

15 V. Ntese que la tierra no est conectada al amp op en la figura 3.6. Las

corrientes que retornan a la fuente desde dicho amplificador deben pasar a
travs de los elementos externos del circuito, como por ejemplo la resistencia
de carga
. El voltaje
mximo de la fuente que puede aplicarse entre + V y V suele ser 36 V o bien
18 V.

12
7

Figura 3.5
Las fuentes de poder para los
amplificadores operacionales de
propsito general son bipolares.

Terminales de salida
En la figura 3.6 la terminal de salida del amp op est conectada a un extremo
de la resistencia de carga . El otro extremo de
est conectado a
tierra. El voltaje de salida se mide con respecto a tierra. Ya que slo hay una
terminal de salida en un amp op, se le llama salida de extremo nico. Hay un
lmite a la corriente que puede tomarse de la terminal de salida de un amp op,
por lo comn del orden de
a
mA. Tambin hay
lmites en los niveles de voltaje en la terminal de salida; stos lmites se
determinan por los voltajes de alimentacin y por los transistores de salida y
en la figura 3.2. El lmite superior de se denomina voltaje
positivo de saturacin,
, y el lmite inferior voltaje negativo de saturacin, .
La mayor parte de los amp ops, entre ellos el 741, tienen circuitos internos
que automticamente limitan la corriente de la terminal de salida. An cuando
ocurra un cortocircuito en , la corriente de salida est limitada a unos . Esta
caracterstica impide la destruccin del amp op en caso de un cortocircuito.
Terminales de entrada
En la figura 3.7 hay dos terminales de entrada, etiquetadas y +. Se
denominan terminales de entrada diferencial ya que el voltaje de salida
depende de la diferencia de voltaje
entre ellas,
, y la ganancia del amplificador ,
. Como se muestra en la figura 3.7a, la
terminal de salida es positiva respecto a tierra cuando la entrada (+) es
positiva respecto a, o mayor, a la entrada (-). Cuando
est invertida como
en la figura 3.7b, la entrada es negativa respecto a, o menor, a la entrada (-) y
se vuelve negativo respecto a tierra. Se concluye a partir de la figura
12
7

3.7 que la terminal de salida es la misma polaridad de la terminal de entrada

(+) con respecto a la entrada (-).

12
8

Figura 3.6
Cableado para la alimentacin y carga de
un amplifcador operacional.

Es ms, la polaridad de la terminal de salida es opuesta o inversa respecto a

la polaridad de la terminal de entrada (-). Por estas razones, la entrada (-) se
denomina entrada inversora y la entrada (+) se designa entrada no inversora.
Es importante destacar que la polaridad
depende slo de la diferencia en voltaje entre las entradas inversora y no
inversora. Esta diferencia de voltaje puede encontrarse por
(

12
8

(3.1)

Figura 3.7
La polaridad de un voltaje Vo de
salida del extremo nico depende
de la polaridad de un voltaje
diferencial de entrada Ed. Si la
entrada (+) est arriba de la
entrada (-), Ed es positivo y Vo se
encuentra arriba de la tierra en
+V sat. Si la entrada (+) se
encuentra abajo de la entrada
(-), Ed es negativo y Vo se encuentra abajo de
la tierra en -V sat.

Ambos voltajes de entrada se miden con respecto a tierra. El signo de indica,

(1) la polaridad de la entrada (+) respecto a la entrada (-) y (2) la polaridad de
la terminal de salida con respecto a tierra. Esta ecuacin es vlida si la entrada
inversora est puesta a tierra, si la entrada no inversora est puesta a tierra, e
inclusive si ambas entradas estn arriba o abajo del potencial de tierra.
3.2 TIPOS DE AMPLIFICADORES OPERACIONALES
El primer amplificador operacional apareci en el mercado en 1964, un
producto del fabricante Fairchild; fue el A702, y el ao siguiente sac el
A709. Estos amplificadores operacionales fueron el precursor del todava
popular A741, fabricado por la mayora de fabricantes de circuitos
integrados (Texas Instruments, Philips components, Motorola, etc.).
12
9

El A741 es de muy bajo precio y permite realizar de forma fcil muchos

circuitos prcticos, por eso es muy utilizado especialmente en la enseanza.
Cuando interesan mejores caractersticas se utilizan otros circuitos que,
aunque bsicamente son iguales, sus caractersticas tcnicas son ms
refinadas, por lo cual se denominan amplifcadores de instrumentacin. Una
aplicacin muy

13
0

representativa de estos circuitos es para la amplificacin y acondicionamiento

de seal de sensores. Un ejemplo de amplificador operacional de
instrumentacin es el AD522, del fabricante Analog Devices. Pero hay que
tomar en cuenta que estos operacionales son bastante ms caros que el
popular A741.
3.3 ESPECIFICACIONES DE LOS AMPLIFICADORES OPERACIONALES
El concepto de amplificador significa obtener una seal (de salida) de mayor
magnitud correspondiente a una seal denominada de entrada. Por ejemplo,
la seal de salida de un amplificador de potencia de audio (que es la que
recibe la bocina o altavoz) es mucho mayor que la seal de entrada (que es la
que entrega el micrfono). En el caso de un amplificador de antena, la seal
de salida es mayor que la seal de entrada (la que recibe de la antena).
En todo amplificador tenemos, entre otras, las siguientes caractersticas
fundamentales:
Ganancia de tensin (

):

Impedancia de entrada ( ):
Impedancia de salida (

):

Ancho de banda
Ancho de banda es el conjunto de frecuencias que puede amplificar sin que la
seal de salida disminuya ms de 3 dB. Por ejemplo, en sonido, el ancho de
banda que se considera estndar va de
a
. Pues un amplificador de
sonido amplificara correctamente este ancho de
banda si, dentro de ese grupo de frecuencias, la seal no se atena ms de 3
dB. En todo ancho de
banda, siempre hay una frecuencia mnima lmite en la cual la seal se atena 3
dB, y la
atenuacin va aumentando conforme la frecuencia es ms baja. De la misma
manera, tambin hay una frecuencia lmite mxima, donde la seal se atena 3
dB; y la atenuacin es mayor conforme
la frecuencia aumenta.
En la figura 3.8 se representa una curva de respuesta frecuencial general,
donde se muestran las frecuencias lmites (mnima y mxima); en dichas
frecuencias la atenuacin es 3 dB.
En todos los amplificadores tenemos una estructura general que se
13
0

representa en la figura 3.9, donde aparecen los conceptos de impedancia de

entrada (
), impedancia de salida ( ) y amplificacin de tensin
(
).

13
1

Figura 3.8
Curva de respuesta de frecuencia de tipo general.

Figura 3.9
Estructura que representa las tres caractersticas bsicas
de un
amplificador.

Amplificacin de tensin
El efecto de amplificacin, la ganancia (tambin se puede representar por
) equivale a un generador que
13
1

proporciona la seal de salida (

amplificada.

), que es la seal de entrada

13
2

La ganancia se suele representar en la unidad decibelio (dB), es cuestin de

aplicar la frmula

Mediante los dB, la escala de valores queda comprimida. Adems, las unidades
expresadas en dB
se corresponde aproximadamente con la forma de responder del sistema
auditivo; por eso, en sonido las unidades en los mandos de ecualizadores,
volumen, etc., estn expresadas en dB.

Expresado en dB, es

O sea, una ganancia de 100 dB equivale a una amplificacin lineal (de tensin)
de 100,000.
A veces interesa saber la amplificacin lineal (
) o el valor de la seal de
salida conociendo los dB, en este caso, se hace as.

Ejemplo.
Si la ganancia son 40 dB, la amplificacin lineal es:

Ejemplo.
Si la ganancia son 100 dB y la seal de entrada es de 100 V, De qu
valor ser la tensin de salida?

13
2

Impedancia de salida
La impedancia de salida equivale a la resistencia interna que aparece en todos
los generadores de seal; se puede representar por la relacin entre la
variacin de amplitud de la tensin de salida y
la variacin de la corriente de salida.

Por ello, cuanto ms baja sea la impedancia de salida, menor se ver afectada
la tensin de salida cuando vare la corriente de salida. Es el mismo concepto
que la resistencia interna en los generadores de tensin.
La impedancia de salida se puede ver como la resistividad interna de salida
que presenta el amplificador, la cual queda en serie con la carga (por ejemplo,
una bocina o altavoz). La impedancia de salida conviene pues que sea muy
baja, para que no produzca prdida de seal de salida.

Si la corriente de salida es cero (o muy baja) no se producir cada de

tensin en la salida, y tendremos

Pero cuanto mayor sea la corriente de salida, mayor ser la cada de tensin
en la impedancia de salida; por ello, en los amplificadores (de tensin)
conviene que la impedancia de salida sea todo lo baja posible (
).
Impedancia de entrada
La impedancia de entrada es la resistividad que encuentra la seal de
entrada, debido a caractersticas internas del amplificador.

Como se deduce, cuanto sea ms alta la

, ms baja ser la corriente de
entrada y menos se ver afectada la seal de entrada por la impedancia de
entrada. Hay que tener en cuenta que la seal de salida proviene de algn tipo
de generador, que tambin tendr su impedancia de salida (un micrfono, la
seal de una antena, la seal de un instrumento generador de funciones, etc.).

13
3

Esto es as en los amplificadores de tensin, que es el caso de los

amplificadores operacionales. Se puede dar el caso de un amplificador de
corriente: en ste caso interesara que la impedancia de entrada sea baja.
En los amplificadores operacionales estas caractersticas fundamentales
se consideran muy prximas a las ideales; en la prctica, son muy
buenas.
Idealmente, un amplificador tendra una amplificacin enorme ( ), una
impedancia de entrada enorme (
), lo cual dara
lugar a una corriente de entrada nula, una impedancia de salida de
, un
ancho de banda infinito, un tiempo de respuesta nulo y no generara ningn
tipo de ruido ni distorsin. En la prctica esto no es as, pero sus valores son
muy buenos, en especial en los amplificadores denominados de
instrumentacin.
Por ejemplo, en un A741 la ganancia puede ser de
, la impedancia de
entrada de
, la impedancia de salida de menos de y el
ancho de banda de
. Estos datos pueden variar mucho segn el
modelo. Adems, en el montaje de aplicacin, todos estos datos se pueden ver
afectados y variar mucho, segn el tipo de aplicacin. Por ejemplo, sera
normal realizar un circuito amplificador con
,
, y
un ancho de banda de
.

3.4 APLICACIONES BSICAS DE LOS

AMPLIFICADORES OPERACIONALES Consideraciones
prcticas de clculo con operacionales
El diseo de circuitos de aplicacin prctica resulta mucho ms sencillo
con amplificadores operacionales que con transistores. Se parte de unos
principios bsicos, que son:
Al ser la ganancia de los amplificadores operacionales muy elevada ( ),
la seal de entrada resulta muy baja, de tal manera que a efectos
prcticos se considera que la
tensin de entrada diferencial es cero; de manera que las dos
entradas tienen la misma tensin.

Por otra parte, considerando que la impedancia de entrada (

) es
muy grande, la corriente de entrada resulta muy pequea; o sea, se
13
4

considera que la corriente de las entradas es cero.

13
5

Caractersticas bsicas del A741

La tensin de alimentacin mxima puede llegar hasta
prctica, no se suele alimentar a ms de
.
La corriente de consumo tpica es de unos

. En la

, sin carga (

).

La salida est protegida contra cortocircuitos (se limita a ), lo cual es

importante de cara a la experimentacin de circuitos.
La resistencia de entrada (

) tpica es de.

La ganancia (en lazo abierto) es

Ajuste del Offset

Adems de las patillas fundamentales, tiene dos entradas ms que son para el
ajuste del offset (figura 3.10). Estas patillas son opcionales, en muchos
montajes no hace falta utilizarlas. Son para conseguir que la tensin de salida
sea
cuando las dos entradas estn a
.

Figura 3.10
Las pastillas 1 y 5 son para el ajuste del offset.

Debido a algunas imperfecciones del circuito integrado, cuando la tensin

diferencial de entrada es cero la tensin de salida puede no ser cero; ser de un
cierto valor positivo o negativo. Esto se llama error de offset. Para corregir
este desplazamiento o error de la tensin de salida, se utilizan las patillas
y
; se conecta un potencimetro de
(u otro valor) con el punto medio
al negativo de la alimentacin (
). El ajuste se realiza de manera
que, con las entradas a , la
13
5

salida tambin sea de

. Pero en la mayora de circuitos prcticos no es
necesario este ajuste, y dichas patillas no se utilizan.
Si el operacional no tiene patillas especficas para el ajuste de offset, se puede
hacer dicho ajuste aplicando una tensin continua adecuada a una de las
entradas, procurando que la resistencia a travs de la cual se le aplica la
tensin sea de valor suficientemente elevado como para que no se vea
afectada la seal de entrada.
Ganancia (en lazo abierto) en funcin de la frecuencia
La ganancia de tensin del operacional en lazo abierto es muy elevada, mayor
a
, pero esto es as para frecuencias muy bajas.
Conforme aumenta la frecuencia, la amplificacin va disminuyendo, pudiendo
llegar a
. Esto se representa en el grfico de la figura
3.11, donde
aparece la ganancia (
) en funcin de la frecuencia.

Figura 3.11
Grfco que representa la ganancia (dB)
en funcin de la frecuencia.

Para una frecuencia de unos

, la ganancia es de unos
; pero para una
frecuencia de la ganancia ha disminuido a
. Un valor significa que ,
no hay
amplificacin. El valor de la seal de salida es igual al de la entrada.
13
6

( )

13
7

Circuitos bsicos con operacionales. Aplicaciones prcticas

A continuacin se explican los circuitos de aplicacin prctica fundamentales,
y se ver con qu sencillez y eficacia se pueden disear muchos circuitos
electrnicos realizados con componentes discretos (transistores); ahora, con
los operacionales es ms fcil.
Operacin en lazo abierto y lazo cerrado. Realimentacin
En principio, se dice que el operacional trabaja en lazo abierto cuando se
utiliza sin realimentacin (feedback), que es cuando no hay componentes
que conecten la salida con las entradas. Normalmente se utiliza con
realimentacin, o sea, en lazo cerrado; pero tambin hay circuitos que
funcionan en lazo abierto. Regularmente, los montajes de aplicacin siempre
tienen realimentacin, que consiste en aplicar una fraccin de la seal de
salida (normalmente a travs de una resistencia) hacia la entrada inversora.
Cuando se hace esto, se produce lo que se llama realimentacin negativa; y
esto da lugar a una cierta regulacin y estabilizacin del circuito, mejorando
caractersticas como las impedancias de entrada y de salida, ancho de banda,
etc. Segn qu circuitos, la realimentacin se hace a travs de la entrada no
inversora; en este caso se llama realimentacin positiva. Esta aplicacin se
utiliza para hacer circuitos generadores de seal (osciladores).
Los amplificadores operacionales se alimentan con una fuente de tensin
simtrica; o sea, necesitan un positivo (
), un negativo (
) y el . Un
alimentador as se comporta como dos fuentes de tensin en serie con un
punto medio que es el
. En la figura 3.12 se representa este
tipo de fuente de alimentacin.

Figura 3.12
Una fuente de alimentacin simtrica suministra
dos tensiones de polaridad contraria respecto al
0 V; una tensin positiva (+V) y una tensin
negativa (-V). Es el tipo de alimentacin que
necesitan los amplifcadores operacionales.

13
7

Un circuito de alimentacin de este tipo se puede realizar fcilmente con dos

circuitos integrados reguladores: el
y el . Se obtiene una fuente de
alimentacin simtrica estabilizada y protegida de , cuyo montaje se muestra
en la figura 3.13.

Figura 3.13
Esquema de una fuente de alimentacin simtrica
sencilla.

Figura 3.14
Ajuste del offset en lazo abierto.
Se resalta la conexin de la
fuente de alimentacin.

13
8

Circuitos de ajuste del offset

El primer montaje que se propone es el ajuste del offset. Se har en lazo
abierto y lazo cerrado, as se podrn comparar las diferencias.
Ajuste en lazo abierto
El circuito a realizar se muestra en la figura 3.14, que se puede realizar en
placa protoboard. El objetivo es conseguir que, con las dos entradas a masa (
), ajustar el potencimetro hasta que la tensin de
salida sea
.
Debido a la alta ganancia en lazo abierto que tiene el operacional, el ajuste del
offset puede ser crtico; la ms mnima variacin se manifiesta de forma
notable en la salida. En vez de poner un potencimetro de ajuste de valor
tpico de
, puede resultar ms fcil con un potencimetro de
un valor ms bajo, como .
El ajuste del offset en lazo abierto se hace ms bien como experimento,
porque en la prctica lo normal es que los circuitos tengan realimentacin y
entonces el ajuste del offset resulta ms fcil.

Figura 3.15
Ajuste del offset en lazo cerrado.

Ajuste en lazo cerrado

En este caso, el circuito a realizar tiene realimentacin; el circuito trabaja en
lazo cerrado. En la figura 3.15 se muestra el circuito a realizar. La seal de
salida se aplica a la entrada inversora a travs de un divisor resistivo,
13
9

compuesto por una resistencia de

y una resistencia
de
. O sea, a la entrada inversora se le aplica una fraccin de la seal de
salida, que viene dada
por

14
0

La fraccin de seal de salida realimentada (

la seal de salida.

) es el

de

El proceso operativo de ajuste es igual que en circuito anterior; consiste en

conseguir, mediante ajuste del potencimetro, que la tensin de salida sea
igual a
. Pero en este caso el ajuste se hace mucho ms fcil, porque la
ganancia, debido a la realimentacin negativa, se ha reducido a
un valor que viene
dado por

Y en la misma proporcin, se han mejorado, regulado, las caractersticas del

circuito (que es un amplificador inversor, como se ver ms adelante).
3.4.1 COMPARADOR
El comparador es esencialmente un amplificador operacional que funciona en
la configuracin de lazo abierto, como se muestra en la figura 3.16a. Como su
nombre lo indica, un circuito comparador compara dos voltajes para
determinar cul es el mayor. Normalmente el comparador
est polarizado con los voltajes y

Figura 3.16
a) Comparador con lazo abierto y b) caractersticas
de transferencia de voltaje del comparador con lazo
abierto.

14
0

La figura 3.16b muestra las caractersticas de transferencia de voltaje,

despreciando cualquier efecto de los voltajes de offset. Cuando
es
ligeramente mayor que , la salida se lleva a un estado de saturacin elevada
; cuando
es ligeramente menor que
,
la salida se lleva a un estado de saturacin reducida
. Los valores de
salida de saturacin
y
pueden estar prximos a los voltajes de
alimentacin
y
, respectivamente, esto significa que
puede ser negativo. La regin de transicin es la
regin en la que el voltaje de salida est en cualesquiera de sus estados de
saturacin. Esta regin sucede cuando el voltaje de entrada diferencial est en
el
es intervalo
entonces

(y la diferencia
)
. Si
por los
ejemplo,
la ganancia
de lazo
),
entre
dos estados
de salida
es ( abierto

Normalmente el intervalo del voltaje de entrada diferencial en la regin de

transicin es muy
pequeo.
Una de las diferencias ms notables que existen entre un comparador y un
amplificador es que el primero no necesita la compensacin de frecuencia. La
estabilidad de frecuencia no se considera porque el comparador se excita
solamente en uno de dos estados posibles. Los tiempos de respuesta tpicos
que se necesitan para que cambie el estado de la salida del comparador estn
en el intervalo de
a
. El
tiempo de respuesta para el amplificador operacional
que
tiene
una velocidad de respuesta de
debe estar en el
orden de

, el cual es un factor

veces ms grande.

Figura 3.17
a) Circuito de un comparador no-inversor y
b) Circuito de un comparador inversor.

14
1

La figura 3.17 muestra dos configuraciones de un comparador y sus

caractersticas de transferencia de voltaje. En ambos casos se supone que
el ancho de la regin de transicin de entrada es pequea y por lo tanto
despreciable. El voltaje de referencia puede ser positivo o

14
2

negativo, y se supone que los voltajes de saturacin de salida son

simtricos cerca de cero. El voltaje de cruce se define como el voltaje de
entrada que hace cambiar el estado de la salida.

Figura 3.18
Circuitos comparadores adicionales: a) inversores y b)
no -inversores.

La figura 3.18 muestra dos configuraciones adicionales de un comparador,

en ambos casos el voltaje de cruce es una funcin de la relacin que existe
entre las resistencias. En esta figura tambin se incluye la compensacin
de las corrientes de polarizacin de entrada. De la figura
3.18a, se utiliza la superposicin para obtener
(

El voltaje ideal de cruce sucede cuando

el cual se puede expresar como

14
2

(3.2)
,o

La salida se vuelve alta cuando . De la ecuacin 3.2 se puede observar que

cuando es mayor que el voltaje de cruce. Un anlisis similar produce las
caractersticas que se muestran en la figura 3.18b.

Figura 3.19
Aplicacin del circuito comparador

La figura 3.19 muestra una aplicacin de comparador, para controlar las luces
de la calle. La seal de entrada es la salida del circuito de un foto detector. El
voltaje
es directamente proporcional a la cantidad de luz que
incide en el foto detector. Durante la noche,
,y
est en el
orden de
; el transistor se enciende. La corriente en el interruptor del
relevador enciende las luces de la calle. Durante el da, la luz que incide en el
foto detector produce una seal de salida en la que
. En este caso, est en
el orden de
, y el transistor se apaga.
El diodo se utiliza como un dispositivo de proteccin, evitando la
aparicin del voltaje de polarizacin de ruptura en la unin
. Cuando
la corriente de salida es cero se abre el interruptor del relevador y las
luces de la calle se apagan. En el crepsculo y al amanecer
.
El parpadeo indeseable cuando la luz incide de manera irregular puede
ocasionar ciertos inconvenientes funcionales del circuito; para ello, se podr
hacer uso de un disparador Schmitt y mantener el circuito ms estable.
3.4.2 SEGUIDOR
El esquema del circuito seguidor de tensin se muestra en la figura 3.20. Este
circuito es muy utilizado como adaptador de impedancias, ya que presenta
una muy alta impedancia de entrada
14
3

(del orden de cientos de ) y una muy baja impedancia de entrada (del orden de
los mili ). En

14
4

cambio, no tiene ganancia de tensin; en la salida aparece casi el mismo nivel

de seal que en
la entrada.

De ah la denominacin de seguidor de tensin; la seal de salida sigue a la

seal de entrada.

Figura 3.20
Circuito seguidor de tensin.

Considerando el principio prctico de clculo de que la tensin diferencial de

entrada es cero, las dos entradas se encuentran al mismo potencial, y como
la seal de salida est conectada a la entrada inversora, tenemos

De la cual se deduce por tanto, que la ganancia de este circuito es

En este circuito la seal realimentada es completa, ya que la salida est

conectada directamente a la entrada inversora; esto da lugar a una reduccin
mxima de la ganancia, y de la misma manera que la ganancia se ha reducido
mucho tambin han mejorado las caractersticas impedancia de entrada,
14
4

impedancia de salida y ancho de banda. En este caso, el ancho de banda es el

mximo que indica el fabricante (
). Este tipo de montaje tambin se llama
a veces buffer, o

14
5

separador, porque las seales de entrada se encuentran una impedancia de

entrada muy grande, y la seal de salida se obtiene con una muy baja
impedancia de salida.
3.4.3 INVERSOR
El circuito amplificador inversor es muy probablemente el montaje ms
conocido de los amplificadores operacionales, y el que normalmente se
realiza como primera prctica. Permite realizar amplificadores de una forma
muy sencilla y precisa. En la figura 3.21 se muestra su
esquema bsico.

Figura 3.21
Circuito amplificador inversor.

Es un circuito que trabaja en lazo cerrado, tiene realimentacin negativa

proporcionada por la resistencia
.
En consideracin a que las dos entradas se encuentran al mismo potencial, y
puesto que la entrada no inversora (patilla 3) est a masa (
), la entrada
inversora (patilla 2) tambin se encuentra a potencial . Pero hay que hacer
una observacin importante: la entrada inversora se encuentra a potencial
, pero en cambio no se deriva corriente a masa porque
existe una alta impedancia hacia masa; a esto se conoce por cero virtual, el
punto
es una masa virtual.
14
5

Aplicando Kirchhoff al punto

, masa virtual, tenemos (figura 3.22):

14
6

Y como la corriente de entrada se considera cero, la

Esto significa que los valores de las corrientes de entrada de seal ( ) y de la

corriente de realimentacin ( ) son del mismo valor, no se deriva corriente
hacia la entrada del operacional, y
las corrientes van en el mismo sentido (en vez de sentido diferente, como
aparece en el esquema).

Figura 3.22
El punto A es una masa virtual.

Los valores de las corrientes, teniendo en cuenta que la tensin en el punto es

:

Y como que

El smbolo de negativo indica que el amplificador invierte la fase de la seal de

entrada.
14
6

La impedancia de entrada del amplificador inversor es igual al valor de la

resistencia
. O sea ,
.

14
7

Ejemplo de clculo y de montaje prctico

Interesa un amplificador de ganancia y con una impedancia de entrada de
Aplicando lo explicado, se deduce que la resistencia
deber ser
de
, y el valor de la resistencia
de realimentacin:

Figura 3.23
Seal de entrada y de salida del
amplifcador inversor; la seal de
salida es 10 veces mayor que la seal
de entrada, invertida en fase.

14
7

El circuito prctico se muestra en la figura 3.23. Se procura ir resaltando la

conexin de la alimentacin de los circuitos porque la alimentacin simtrica
no suele estar muy claro por los alumnos, en un principio. Aplicando, por
ejemplo, una seal senoidal de
y
se
obtendra una seal de salida de : se produce una amplificacin de .

Figura 3.24
Amplifcador inversor experimentado con el
programa
Multisim.

En la misma figura se muestran el grfico de ondas de entrada y de salida; la

seal de salida tiene una amplitud
veces mayor que la seal de entrada.
Obsrvese como la seal de salida va en contrafase con la seal de entrada; se
produce una inversin de fase, por eso este circuito se llama amplifcador
inversor.
Al alimentarse el operacional con tensin negativa y positiva, permite que
las seales de salida tengan polaridad positiva y negativa, pasando por
14
8

; una verdadera seal alterna.

14
9

Experimentacin
Multisim

con

El circuito probado y analizado con el programa Multisim se representa en

la figura 3.24. Los resultados son los correctos. El clculo de circuitos
bsicos mediante operacionales, como se puede comprobar, resulta
sencillo y muy preciso en resultados, adems de barato.
3.4.4 NO INVERSOR
Si en vez de aplicar la seal de entrada por la entrada inversora se hace
por la entrada no inversora, se obtiene un amplificador que no invierte la
fase; un amplificador no inversor. El
circuito bsico se muestra en la
figura 3.25.

Figura 3.25
Circuito amplifcador no inversor.

Ahora no hace falta detallar tanto las cosas, porque ya se va teniendo una
base sobre el tema, los circuitos y la teora se puede representar de forma
ms simplificada.
En este montaje tenemos:
Muy alta impedancia de entrada.
Muy baja impedancia de salida.
Alta ganancia.
No invierte la fase.
Proceso para hallar la frmula de la ganancia:
Considerando que la tensin de entrada diferencial es cero (ganancia infinita),
las dos entradas se encuentran al mismo potencial, y que la corriente de
14
9

entrada es cero (impedancia infinita), tenemos:

15
0

As, la ganancia se puede expresar por

La ganancia se regula por la fraccin de seal realimentada (

dada por el divisor
resistivo compuesto por y
:

), que viene

Cuanto mayor sea el valor de

y ms bajo sea el valor de
mayor ser la ganancia. Si el circuito se dejara sin
realimentacin ( desconectada), la ganancia aumentara hasta su valor en
lazo abierto (
).
La impedancia de entrada del circuito puede ser muy elevada, viene dada por:
(
)
Y la impedancia de salida, muy baja:

, y son las caractersticas de impedancia de entrada, de salida y

ganancia del operacional en lazo abierto.
Ejemplo de clculo.
Si interesa un amplificador de

, poniendo

el valor de deber ser:

15
0

El circuito prctico es el representado en la figura 3.26. Como se puede deducir

del diagrama de ondas de entrada y salida, se obtiene una seal de salida
amplificada (
veces en este caso),
pero
en fase con la entrada. Este circuito no invierte la fase.

Figura 3.26
Amplifcador no inversor, con el grfco de la
seal de entrada y de salida; la salida est
amplificada 11 veces, en fase con la seal de
entrada.

15
1

3.4.5 SUMADOR Y RESTADOR

Circuito sumador.
Un circuito sumador se basa en el amplificador inversor con varias entradas,
de manera que en la salida tenemos la suma de varias seales de entrada. El
circuito sumador inversor bsico se muestra en la figura 3.27.

Figura 3.27
Circuito sumador inversor.

El principio de funcionamiento es igual que el amplificador inversor, pero con

varias entradas: en este caso se han puesto 3, pero pueden ser ms. La
expresin general de salida es:
[
Siendo los coeficientes

la ganancia de cada entrada, o sea:

,

Por ejemplo, si todas las resistencias son del mismo valor (

un sumador que responde a la frmula:
[

Si las tensiones de entrada fueran:

,

,
15
2

), se obtiene

La tensin de salida sera:

[

Un ejemplo de circuito prctico comprobado con el programa Multisim se

muestra en la figura
3.28, en el cual el multmetro muestra un resultado de casi
, lo cual es
la suma de las tres tensiones de entrada.

Figura 3.28
Experimentacin de un sumador inversor con Multisim.

Circuito sumador no inversor.

Si queremos que la salida no se invierta, se puede poner un amplificador
inversor en la salida, y de paso podemos obtener la suma de las seales
multiplicadas por un coeficiente (la ganancia del amplificador inversor de
salida).

El circuito podra ser como el mostrado en la figura 3.29. En la figura 3.30 se

representa un montaje de este tipo, en el cual el amplificador inversor de
salida tiene una ganancia de
, por
lo cual el circuito efecta una suma con amplificacin del resultado:

15
3

15
4

La simulacin mediante el programa Multisim da un resultado de

en la salida, como
resultado de la suma de las 3 seales de entrada multiplicado por
:
(

Figura 3.29
Circuito sumador no inversor.

Figura 3.30
Experimentacin de un sumador no inversor con Multisim.

15
4

Circuito restador.
Este circuito (figura 3.31) proporciona una tensin de salida que es
proporcional a la tensin diferencial entre las entradas, multiplicada por un
factor de ganancia. La expresin general de salida es:
(

Figura 3.31
Circuito restador.

Haciendo que
tensin de
salida:

, se obtiene la ecuacin simplificada que nos da la

Y si todas las resistencias fueran del mismo valor, pues se obtendra la tensin
diferencia pero sin amplificacin.
Ejemplo prctico de clculo.
Interesa un circuito restador que proporcione la tensin diferencia de entrada
multiplicada por
.
(
)
(
)
Tomando
y
:

15
5

Figura 3.32
Circuito restador, experimentado con Multisim.

En la figura 3.32 se representa un montaje prctico, en el cual se le aplican

una seal de
y
otra de
, y el circuito proporciona una tensin que es la diferencia
multiplicada por
.
3.4.6 DIFERENCIADOR
3.4.7
INTEGRADOR Integrador
Los circuitos elaborados a partir de amplificadores operacionales pueden llevar
a cabo funciones dependientes del tiempo, si se incluyen elementos de
almacenamiento de energa en la red de retroalimentacin. Un circuito como
ste, que se muestra en la figura 3.33, tiene la misma topologa del
amplificador inversor pero utiliza un capacitor como elemento de
retroalimentacin. El capacitor tiene la capacidad de almacenar carga y por
tanto tiene memoria. La salida del circuito, en consecuencia, depender de la
historia en el tiempo del voltaje de entrada y no solamente de su valor
15
6

instantneo. Al igual que en el amplificador inversor, la conexin de

retroalimentacin negativa mantiene la condicin
si no es forzada a

15
7

Figura 3.33
Amplificador operacional integrador ideal.

uno de sus lmites de saturacin por la seal de entrada. Como resultado,

se
mantendr a potencial de tierra.
Suponga que el capacitor inicialmente no est cargado. Si
se hace positivo en el tiempo
la corriente a travs de
ser igual a

Esta corriente tambin deber fuir por el capacitor, causando que el voltaje del
capacitor se
cargue de acuerdo a la relacin

Si debe estar equilibrado al potencial de tierra de

con la misma
rapidez que el capacitor se carga, esto es

debe reducirse

Haciendo algunos arreglos algebraicos, sta ltima ecuacin se puede escribir

15
7

Si inicialmente el capacitor no est cargado,

ser igual a cero
en
. Para tiempos
, la ecuacin
anterior se puede integrar a partir de cero para dar la salida en cualquier
momento :

( )

Como esta ecuacin muestra, la salida es igual a la integral del tiempo de

multiplicada por
un
factor de ganancia, igual a . La deduccin de sta ltima ecuacin se puede
ampliar para
incluir el caso donde el capacitor est inicialmente cargado a un valor que no
sea cero.
Nota: El integrador simple que aparece en la figura 3.33 funcionar
correctamente slo si el amplificador operacional es verdaderamente ideal.
Un amplificador operacional real introduce limitaciones al funcionamiento
del integrador. Estas limitaciones se debern analizar de una manera
apropiada.
Ejemplo:
El integrador de la figura 3.33 puede ser utilizado para sintetizar un voltaje en
rampa a partir de un
pulso rectangular. Para los valores de elementos indicados en la figura 3.34,
grafique
( ) en funcin del tiempo, si
pulso rectangular, con magnitud de
duracin

( )y
es un
y

Figura 3.34
Voltaje en cd conmutado a la entrada al integrador en t = 0.
El interruptor se abre
en t = 10 ms.

15
8

Solucin:
Encuentre el voltaje de salida en funcin del tiempo
Si inicialmente el capacitor no est cargado, de forma que
estar dado por
( )
(

)(

en

puede

donde est expresado en milisegundos y en volts. De acuerdo con esta

ecuacin, la salida
para
es una rampa lineal, que cae negativamente a una tasa
constante de
. En
, la salida alcanza el valor
|

)(

Determine el voltaje del capacitor en funcin del tiempo

Con un corto virtual a tierra mantenido en la terminal , el voltaje a travs
del capacitor se convierte solamente
, donde est definido como
en la figura 3.34. El capacitor dejar de cargarse en cuando regrese a
cero. A partir de ese momento, mantendr el valor dado por la ltima
ecuacin. Las grficas de ,
y
aparecen en la figura 3.35.
El integrador de la figura 3.34 se comportar segn lo dicho, siempre y
cuando
no sea llevado a alguno de sus lmites de saturacin.
Si
llega a saturacin, no podr mantener un corto
virtual en la terminal
, haciendo que el circuito regrese a un
comportamiento ordinario
.
Diferenciador
En sistemas analgicos, la diferenciacin es lo inverso de la integracin. Se
puede elaborar un circuito diferenciador a partir de un amplificador
operacional integrador como el de la seccin anterior, invirtiendo las
posiciones del resistor y del capacitor. Tambin se puede elaborar un
diferenciador reemplazando el capacitor integrador por un inductor.
Dos circuitos diferenciadores, cada uno de ellos incorporando
retroalimentacin negativa con un amplificador operacional ideal, aparecen
en la figura 3.36. Para el circuito de la figura 3.36a, la corriente de entrada
est dada por

15
9

Figura 3.35
Grfcas de VIN VOUT y VC en funcin del tiempo para el
integrador de la figura 3.34.

y el voltaje de salida por

donde

se convierte en
16
0

Como lo muestra la ecuacin anterior, la salida es proporcional a la derivada de

la entrada, por lo
que este circuito funciona como un diferenciador inversor.

Figura 3.36
Dos realizaciones ideales del amplificador operacional
diferenciador: (a) elemento de entrada capacitivo; (b)
elemento de retroalimentacin inductivo.

Para el circuito de la figura 3.36b, la corriente de entrada est dada por

y el voltaje de salida por

Dado que

se convierte en

Como muestra sta ecuacin el circuito de la figura 3.36b tambin funciona

como un diferenciador inversor. Su forma es, sin embargo, menos preferible
que la forma capacitiva de la figura 3.36a, porque rara vez es ideal el
comportamiento de un inductor verdadero. Los inductores verdaderos
16
1

tpicamente exhiben una resistencia en serie y una capacitancia en paralelo

que no son

16
2

insignificantes. Los inductores tambin tienden a ser de un tamao fsico

relativamente grande. En general, en la microelectrnica moderna se evita la
utilizacin de inductores.
Note que los circuitos diferenciadores de la figura 3.36 son ms susceptibles al
ruido que los circuitos integradores comparables. Las fuctuaciones de ruido
con entrada de amplitud insignificante a menudo tienen grandes derivadas.
Cuando son diferenciadas por este circuito, estas fuctuaciones de ruido
pueden hacer aparecer en la salida del diferenciador grandes seales de ruido.

16
2

REFERENCIAS
Bolylestad, Robert L., Nashelsky, Louis, (2003). Electrnica: teora de
circuitos y dispositivos electrnicos, 8. Ed., Pearson educacin. Mxico.
Jaeger, Richard C., Blalock, Travis N., (2005). Diseo de circuitos
microelectrnicos, 2. Ed.,
McGraw-Hill/Interamericana Editores, S. A. de C. V. Mxico.
Neamen, Donald A., (1999). Anlisis y diseo de circuitos electrnicos,
1. Ed., McGraw- Hill/Interamericana Editores, S. A. de C. V. Mxico.
Horestein, Mark N., (1997). Microelectrnica: circuitos y dispositivos, 2. Ed.,
Prentice-Hall
Hispanoamericana, S. A. Mxico.
Hermosa Donate, Antonio, (2013). Principios de electricidad y electrnica III,
2. Ed. Alfaomega
Grupo Editor, S. A. de C. V. Mxico.

16
3

4. DISPOSITIVOS DE POTENCIA
4.1 DISPOSITIVOS OPTO ELECTRNICOS. FOTODIODO.
FOTORRESISTENCIA.
FOTOTRANSISTOR. OPTO ACOPLADORES
Aunque los circuitos electrnicos basados en transistores forman la piedra
angular de la mayor parte del procesamiento de seales tanto analgicas como
digitales, una proporcin creciente de transmisin de seales y
almacenamiento de datos se lleva a cabo en forma ptica utilizando seales de
luz. Los llamados sistemas fotnicos se utilizan extensamente en redes
telefnicas y de computacin, en los reproductores de discos compactos (CD
s), en discos de computacin (CD- ROM), incluso en sistemas de navegacin
de barcos y aeronaves. Los sistemas fotnicos estn virtualmente libres de
interferencias; pueden tomar grandes cantidades de informacin con prdidas
mnimas de transmisin y son extremadamente confiables. Aunque estn
disponibles numerosos dispositivos electrnicos para la administracin y la
amplificacin de seales elctricas, solamente estn disponibles unos cuantos
dispositivos para el manejo y la amplificacin directa de seales fotnicas.
Como resultado, muchos sistemas que utilizan almacenamiento ptico de datos
o transmisiones de seales pticas se apoyan en circuitos electrnicos
tradicionales para conmutacin y amplificacin. La interfase entre los dominios
pticos y electrnicos se consigue mediante la clase de dispositivos que
analizaremos a continuacin.
FOTODIODOS
El inters en dispositivos sensibles a la luz se ha incrementado de manera casi
exponencial en aos recientes. El campo resultante de la optoelectrnica
recibir un gran inters por parte de investigadores a medida que se realicen
esfuerzos para mejorar los niveles de eficiencia. A travs de los medios
publicitarios, las personas se han vuelto conscientes de que las fuentes
luminosas ofrecen una fuente de energa nica, que transmitida como paquetes
discretos llamados fotones, posee un nivel directamente relacionado con la
frecuencia de la onda de luz segn lo determina la ecuacin siguiente.

donde es la llamada constante de Planck y es igual a

Claramente establece que dado que
una constante, la energa asociada con las ondas de luz incidentes se
encuentra directamente relacionada con la frecuencia de la onda.
La frecuencia, a su vez, se encuentra directamente relacionada con la
16
4

.
es

longitud de onda (la distancia entre dos picos sucesivos) de la onda

mediante la siguiente ecuacin.

16
5

donde

longitud de onda, en metros

velocidad de la luz,
frecuencia de la onda, en Hertz

La longitud de onda por lo general se mide en angstrom ( ) o en

micrmetros (

),

donde y
La longitud de onda es importante porque determinar el material que se
utilizar en el dispositivo
optoelectrnico. La respuesta espectral relativa del Ge, Si y selenio se
seala en la figura 4.1. El espectro de luz visible se ha incluido tambin
junto con una indicacin de la longitud de onda
asociada con los distintos colores.

Figura 4.1
Respuesta espectral relativa para el Si, Ge y selenio en
comparacin con el ojo humano.

El nmero de electrones libres generado en cada material es proporcional a la

intensidad de la luz incidente. La intensidad luminosa es una medida de la
16
5

cantidad de fujo luminoso que cae sobre el rea de una superficie particular.
El fujo luminoso, por lo general, se mide en lmenes (lm) o watts. Las dos
unidades se encuentran relacionadas mediante

16
6

La intensidad luminosa normalmente si mide en

(fc), o
, donde

, pie candela

El fotodiodo es un dispositivo semiconductor de unin

cuya regin de
operacin se limita a la regin de polarizacin inversa. El arreglo bsico de
polarizacin, la construccin y el smbolo de
ste dispositivo de muestran en la figura 4.2.

Figura 4.2 Fotodiodo:

(a) Arreglo bsico de
polarizacin y
construccin; (b) smbolo.

Se sabe que la corriente de saturacin inversa se encuentra normalmente

limitada a unos cuantos microamperes. Esto se debe nicamente a los
portadores minoritarios trmicamente generados en los materiales de tipo n y
de tipo p. La aplicacin de luz a la unin ocasionar una transferencia
de energa de las ondas de luz incidentes (en forma de fotones) hacia la
estructura atmica, lo que ocasionar un incremento en el nmero de
portadores minoritarios y un mayor nivel de corriente inversa. Esto se muestra
16
6

de forma clara en la figura 4.3 para distintos niveles de intensidad. La corriente

de oscuridad es la corriente que se presentar sin iluminacin aplicada.
Observe que la corriente solamente regresar a cero con una polarizacin
aplicada positiva igual a
. Adems,
la figura 4.2 demuestra el uso de una lente para concentrar la luz sobre una
regin de unin.

16
7

Figura 4.3 Caractersticas del fotodiodo.

El espaciamiento casi igual entre las curvas para el mismo incremento en el

fujo luminoso revela que la corriente inversa y el fujo luminoso se encuentran
relacionados prcticamente de forma lineal. En otras palabras, un incremento
en la intensidad luminosa ocasionar un incremento similar en la corriente
inversa. En la figura 4.4 se presenta una grfica de las dos para mostrar esta
relacin lineal para un voltaje fijo de
. Con base relativa, podemos
suponer que la corriente inversa es esencialmente igual a cero en ausencia de
la luz incidente. Dado que los tiempos de subida y bajada (los parmetros de
cambio de estado) son muy pequeos para este dispositivo (en el rango de los
nanosegundos), el dispositivo puede emplearse para aplicaciones de conteo o
conmutacin de alta velocidad. De nuevo a la figura 4.1, observamos que el Ge
abarca un espectro ms amplio de longitudes de onda que el Si. Esto lo vuelve
adecuado para luz incidente en la
regin infrarroja que proporcionan las fuentes luminosas de lser e IR
(infrarrojas). Por supuesto,
el Ge tiene una mayor corriente de oscuridad que el silicio, pero tambin tiene
un mayor nivel de corriente inversa. El nivel de corriente generado por la luz
incidente sobre un fotodiodo es tal que no es posible utilizarla como un control
16
7

directo, pero puede amplificarse para ste propsito.

16
8

Figura 4.5
Utilizacin de un fotodiodo en un sistema de alarma.

16
8

Aplicaciones
En la figura 4.5, el fotodiodo se utiliza en una sistema de alarma. La corriente
inversa permanecer fuyendo siempre que el rayo de luz no se interrumpa. Si
esto sucede,
caer al
nivel de corriente de oscuridad y la alarma se activar. En la figura 4.6, se
utiliza un fotodiodo para contar elementos sobre una banda transportadora. A
medida que cada elemento cruza el rayo de
luz, cae al nivel de corriente de oscuridad y el contador se incrementa en uno.

Figura 4.6
Utilizacin de un fotodiodo en una operacin de conteo.

FOTORRESIST
ENCIA
Las fotorresistencias son dispositivos semiconductores de dos terminales cuya
resistencia terminal vara (de forma lineal) con la intensidad de la luz incidente.
Por obvias razones, frecuentemente se le denomina como dispositivo
fotorresistivo. En la figura 4.7 se muestra el smbolo grfico ms
utilizado
para
este
dispositivo.

Figura 4.7
Celda fotoconductora (smbolo).

16
9

Los materiales fotoconductores que se usan con mayor frecuencia en las

fotorresistencias son el sulfuro de cadmio (CdS) y el seleniuro de cadmio
(CdSe). La respuesta espectral pico del CdS
ocurre aproximadamente a , y para el Cd Se a
(observe la figura 4.1).
El tiempo de respuesta de las unidades de CdS es de cerca de y de
para las celdas de CdSe. La celda fotoconductora
o fotorresistencia no posee una unin como el fotodiodo. Una capa delgada de
material conectado entre las terminales simplemente se expone a la energa
luminosa incidente.
A medida que la iluminacin sobre el dispositivo se incrementa en intensidad,
el estado de energa de un gran nmero de electrones en la estructura tambin
se incrementar como consecuencia de la mayor disponibilidad de los paquetes
de energa de los fotones. El resultado es un nmero creciente de electrones
relativamente libres en la estructura y una disminucin en la resistencia
terminal. En la figura 4.8 se presenta la curva de sensibilidad para un
dispositivo fotoconductor tpico. Observe la linealidad (cuando se grafica
mediante una escala log-log) de la curva resultante
y el gran cambio en la resistencia (
) para el cambio indicado en la
iluminacin.

Figura 4.8
Caractersticas terminales de la celda fotoconductora (GE
tipo B425).

17
0

En un esfuerzo por demostrar la riqueza del material disponible de cada

dispositivo por parte de los fabricantes, considere la fotorresistencia de CdS
descrita en la figura 4.9. Observe nuevamente lo relativo a la temperatura y al
tiempo de respuesta.

17
1

Figura 4.9
Caractersticas de una celda fotoconductora. Clairex de CdS.
(Cortesa de Clairex
Electronics.)

Figura 4.10
Regulador de voltaje que utiliza una celda fotoconductora.

Aplicacin
Una aplicacin un tanto sencilla pero interesante de este dispositivo se muestra
en la figura 4.10.
El propsito del este sistema es mantener a
en un nivel fijo
incluso cuando
pueda variar de su nivel establecido. Como se
indica en la figura, la fotorresistencia, el foco y el resistor forman parte de este
17
1

sistema regulador de voltaje. Si cayera en magnitud por cualesquiera

motivos, la intensidad del foco tambin disminuira. La disminucin de
iluminacin ocasionara un incremento

17
2

en la resistencia (
) de la fotorresistencia
para mantener en su nivel establecido segn lo determina la regla del
divisor de voltaje, es decir,

FOTOTRANSISTOR
El comportamiento fundamental de los dispositivos fotoelctricos se present
antes con la descripcin del fotodiodo. Ahora el anlisis se extender para
incluir al fototransistor, que posee una unin p-n colector-base fotosensible. La
corriente inducida por los efectos fotoelctricos ser la corriente de base del
transistor. Si asignamos la notacin
para la corriente de base
fotoinducida, la corriente de colector resultante, sobre una base aproximada,
ser

Figura 4.11 Fototransistor:

(a) Caractersticas del colector (MRD300); (b) smbolo.
(Cortesa de Motorola, Inc.)

En la figura 4.11 se proporciona un conjunto representativo de caractersticas

para un fototransistor junto con la representacin simblica del dispositivo.
Observe las similitudes entre estas curvas y las de un transistor bipolar tpico.
17
2

Como se esperaba, un incremento en la intensidad de luz corresponde con un

incremento en la corriente de colector. Para desarrollar un mayor grado de
familiaridad con la unidad de medida de la intensidad de luz, los miliwatts por
centmetro cuadrado, en la figura 4.12a se presenta una curva de la corriente
de base en funcin

17
3

de la densidad de fujo. En la misma figura, se proporciona un dibujo de un

fototransistor con la identificacin de terminales y la alineacin angular.

Figura 4.12 Fototransistor: (a) corriente de base en funcin

de la densidad de flujo; (b) dispositivo; (c) identifcacin de
terminales; (d) alineacin angular. (Cortesa de
Motorola, Inc.)

Algunas reas de aplicacin del fototransistor incluyen circuitos lgicos de

computadoras, control de iluminacin (autopistas, etc.), indicadores de nivel,
relevadores y sistemas de conteo.
Compuertas AND de alto aislamiento
En la figura 4.13 se muestra una compuerta AND de alto aislamiento que utiliza
tres fototransistores y tres LEDs (diodos emisores de luz). Los LEDs son
dispositivos semiconductores que emiten luz a una intensidad determinada por
la corriente directa que pasa a travs del dispositivo. La terminologa alto
aislamiento simplemente se refiere a la falta de conexin elctrica entre los
circuitos de entrada y de salida.
OPTO ACOPLADORES
El optoacoplador u optoaislador es un dispositivo que incorpora muchas de las
caractersticas ya descritas. Simplemente se trata de un encapsulado que
17
3

contiene tanto un LED infrarrojo como un fotodetector, como un diodo de

silicio, un transistor par Darlington o un SCR (ste ltimo se ver ms
adelante).

17
4

Figura 4.13 Compuerta AND de alto aislamiento que utiliza

fototransistores y diodos emisores de luz (LEDs).

La respuesta de longitud de onda de cada dispositivo se adapta para ser lo ms

similar posible para permitir el mayor nivel de acoplamiento posible. En la
figura 4.14 se proporcionan dos posibles configuraciones de circuito integrado.
Se presenta una cubierta transparente de aislamiento entre cada conjunto de
elementos incrustados en la estructura (no visible) para permitir el paso de la
luz. Estos dispositivos se encuentran diseados con tiempos de respuesta tan
pequeos que
pueden utilizarse para transmitir datos en el rango de los megahertz.
Los valores mximos y las caractersticas elctricas del modelo IL-1 se
proporcionan en la figura
4.15. Observe que se mide en nanoamperes y que la disipacin de
potencia del LED y del transistor es prcticamente la misma.

17
4

Figura 4.14
Dos optoaisladores de Litronix. (Cortesa de Siemens
Components, Inc.

Las curvas caractersticas optoelectrnicas tpicas para cada canal se

presentan de la figura 4.16 a la figura 4.20. Observe el efecto tan pronunciado
de la temperatura sobre la corriente de salida a bajas temperaturas, pero la
mediana respuesta a temperatura ambiente (
) o por encima
de ella. Como el nivel de
se mejora a un
ritmo constante, conforme las mejoras en el diseo y las tcnicas de
fabricacin, mientras sea menor ser mejor. En la figura 4.16, no se alcanza
hasta que la temperatura se eleva por encima de los
. Las
caractersticas de transferencia de la figura 4.17 comparan la corriente de
entrada del LED (que establece el fujo luminoso) con la corriente de colector
resultante del transistor de salida (cuya corriente de base est determinada
por el fujo incidente). De hecho, la figura 4.18 demuestra que el voltaje
afecta la corriente de colector
resultante slo de forma muy ligera. Resulta interesante observar en la figura
4.19 que el tiempo de conmutacin de un optoacoplador disminuye ante la
mayor corriente, mientras que para muchos dispositivos ocurre exactamente
lo contrario. Considere que ste es de tan slo
para una corriente de colector de
y una carga de
. La salida
relativa en funcin de la temperatura se muestra en la figura 4.20.
En la figura 4.14 se muestra la representacin esquemtica para un
optoacoplador por transistor. Las representaciones esquemticas de
optoaisladores de fotodiodo, de foto-Darlington y de foto- SCR aparecen en la
figura 4.21.
17
5

Figura 4.15 Optoaislador Litronix IL-1.

4.2 TIRISTORES
El tiristor (SCR) se comporta como un diodo pero que solo conduce cuando a
travs de una patilla de control (G) se le aplica una pequea corriente de
disparo.

17
6

Figura 4.16
Corriente de oscuridad (ICEO) en funcin de la temperatura.

Figura 4.17
Caractersticas de transferencia.

17
7

Figura 4.18
Caractersticas de salida del detector.

Figura 4.19
Tiempo de conmutacin en funcin de la corriente del
colector.

17
8

Figura 4.20
Salida relativa en funcin de la temperatura.

Figura 4.21
Optoaislador; (a) fotodiodo, (b) foto-Darlington; (c) foto-SCR.

17
9

Es un componente de 3 patillas, que se llaman nodo (A), ctodo (K) y puerta

(G). En la figura 4.22 se muestra su simbologa general tpica y aspecto
prctico de un tiristor de mediana potencia.

Figura 4.22
Smbolo del tiristor (SCR) y aspecto real de un modelo muy
utilizado (BT151)

4.2.1 SCR
SCR significa rectificador controlado de silicio (Silicon Controlled
Rectifer). Es un componente de la familia de los tiristores, entre los cuales
estn tambin el Triac, GTO, MCT, etc., siendo el ms representativo y popular
el SCR; por eso se conoce, en general, por tiristor. Se utilizan en Electrnica
General, pero se puede decir que es el componente fundamental en
Electrnica de Potencia. Es importante saber que, aunque se dispone en
versiones de baja y mediana potencia, tambin existen modelos para elevadas
potencias que se utilizan en aplicaciones de control de motores de alta
potencia (para la traccin en trenes, por ejemplo).
Funcin bsica del SCR
Un tiristor (SCR) se comporta como un diodo rectificador normal, con la
diferencia en que slo conduce cuando est polarizado de forma directa y
adems se le aplica un pequeo impulso de corriente (mA) en la patilla llamada
puerta (G). La patilla puerta y la patilla ctodo internamente es como un diodo;
18
0

de manera que cuando se aplica corriente aparece una cada directa como en
los diodos:
.

18
1

Y en estado de conduccin, entre las terminales nodo y ctodo aparece

una tensin tambin como en los diodos (algo mayor, dependiendo de la
intensidad que circule):
.
Una vez que el tiristor entra en conduccin (esto tambin se llama cebado),
aunque desaparezca la corriente de puerta sigue conduciendo; tiene efecto de
memoria. Slo deja de conducir (pasa al estado de bloqueo), si la corriente de
nodo se corta o se hace inferior a un valor mnimo (que se llama corriente de
mantenimiento).

Figura 4.23
Circuito que permite experimentar el comportamiento del
tiristor.

Circuito prctico de experimentacin del tiristor

En la figura 4.23 se muestra un montaje prctico que permite experimentar
el comportamiento del tiristor SCR, y medir sus valores caractersticos
bsicos.
El LED permanecer apagado hasta que no se active el pulsador de cebado; al
hacerlo, se aplica una pequea corriente de puerta ( ) que hace que el tiristor
se ponga a conducir, con lo que se encender el LED (es la carga de ejemplo).
18
1

Una vez en dicho estado, aunque el pulsador de cebado est abierto, o sea, no
haya corriente de puerta, el tiristor seguir conduciendo y el LED
encendido. nicamente se puede hacer que el tiristor deje de conducir, o sea,
que pase al estado de bloqueo, si la corriente de nodo se interrumpe (o bien
disminuye por debajo de un cierto

18
2

valor). Esto se consigue al pulsar el pulsador de descebado, ya que corta el

circuito y deja de circular corriente a travs del nodo y de la carga (LED), Y
para que vuelva a conducir, se tiene que activar otra vez el pulsador de
cebado.
La resistencia de
slo se pone para que la puerta del tiristor no quede al
aire, sin conectar, cuando el pulsador de cebado se encuentre abierto; si
quedara al aire, el tiristor estara muy sensible a cualquier seal elctrica
ambiental y podran aparecer cebados no deseados. De hecho, se puede
comprobar cmo con slo tocar con el dedo en la patilla puerta podra cebarse
el tiristor. Los valores de corriente de puerta (G) y de nodo se calculan
fcilmente: considerando una
tensin de puerta ( ) de unos
y la tensin tpica del LED de , la corriente de
puerta
es:

Y la corriente nodo-ctodo (
tensin de
, tenemos:

), suponiendo una

As pues, el tiristor tiene un efecto de memoria. Y este circuito se comporta

como el popular circuito de marcha-paro utilizado en automatismos elctricos.
El pulsador de cebado equivale al de marcha y el pulsador de descebado al
de paro.
As pues, el tiristor es un dispositivo con dos estados estables: conduccin y
bloqueo. Y debe quedar claro que a travs de la corriente de puerta slo lo
puede poner en conduccin , pero no se puede bloquear. Existe un tipo de
tiristor que s permite cortar la conduccin tambin a travs de
la puerta (aplicando un pulso negativo); se llama GTO, y es de uso
exclusivo en electrnica de potencia, tpicamente en trenes.
La funcin bsica del SCR permite, entre otras, una aplicacin bsica que se
llama rectificador controlado (de ah la denominacin de SCR); el valor de
la corriente contnua de salida se puede regular en funcin de los impulsos
aplicados en la patilla puerta (Figura 4.24).
Curvas caractersticas del tiristor

18
2

En la figura 4.25 se muestra la curva caracterstica tpica de un tiristor.

Aparece la zona de polarizacin directa, que es cuando una pequea
corriente de puerta lo puede cebar, poner en conduccin.
Normalmente con una pequea corriente de puerta (
), lo que da lugar a
una pequea tensin entre puerta y ctodo ( ), el tiristor se ceba; y seguir
cebado mientras no se interrumpa

18
3

la corriente de nodo o sta disminuya por debajo de un valor que se

llama corriente de mantenimiento y se representa por
(holding
current).

Figura 4.24
Estructura conceptual de los rectifcadores controlados. Por
medio de impulsos, se controlan los tiristores y se hace as
que vare la tensin continua media de salida.

Figura 4.25
Curvas caractersticas del tiristor.

18
3

Conforme la es mayor se necesita menos tensin nodo-ctodo para el cebado,

es lo que representa los valores
,
,
.en el grfico de la
figura 4.25. Aunque para se cebe el tiristor se necesita que est polarizado en
forma directa y adems se aplique una corriente en la puerta (G), si la tensin
nodo-ctodo es muy elevada (
) se puede producir un cebado no
deseado, aunque la corriente de puerta sea cero ( ).
La tensin mxima que se puede aplicar entre nodo y ctodo sin que se
cebe, para , se indica por
.
En la figura 4.26 se representa un resumen de los estados bsicos del tiristor.

Figura 4.26
Estados bsicos del tiristor.

18
4

Datos caractersticos bsicos del tiristor

Tensin directa entre nodo-ctodo. El
lmite es
.
Intensidad directa (conduccin normal).
Tensin inversa nodo-ctodo. El lmite debe ser menor a .
Es el valor mximo de tensin directa de pico sin que el tiristor entre en
conduccin. Corriente de mantenimiento. Es la mnima corriente que
puede mantener al tiristor cebado;
por debajo de este valor se puede descebar. (
). Este valor puede estar
entre
a unos
, dependiendo del tiristor.
Corriente de enganche; es la mnima corriente que debe estar circulando
por nodo-ctodo para que cuando se aplique el impulso de puerta el tiristor
se quede cebado.
4.2.2 TRIAC
El Triac es un componente similar al tiristor SCR, pero que permite la
circulacin de corriente de una forma bidireccional, lo que lo hace
especialmente interesante para el control y regulacin de aparatos
alimentados por corriente alterna. Con un Triac se puede realizar por tanto la
funcin de un rel de una forma electrnica. En la figura 4.27 se muestra su
simbologa y aspecto real de un
modelo comercial (BT137).

Figura 4.27
Smbolo de un Triac. Un modelo comercial muy utilizado es el
BT137.

18
5

Funcin bsica del Triac

Al no tener polaridad ya no se conservan los trminos nodo y ctodo como
en el tiristor SCR; sus patillas se denominan ,
y puerta (G).
No tiene polaridad, la corriente puede circular tanto en el sentido
como de
se comporta como si fuera un interruptor.

a
a

Al igual que el SCR, para que conduzca es necesario aplicar un impulso de

corriente (unos pocos
) en la patilla puerta. Dicho impulso tampoco tiene polaridad, puede ser
negativo (-) o positivo
(+), aunque la sensibilidad no es la misma en todos los casos.

Figura 4.28
Estados de polarizacin del Triac. La sensibilidad es buena
cuando la polaridad en la puerta (G) es la misma que la de
T2.

Estados de polarizacin
18
6

En la figura 4.28 se representan las diferentes polaridades que se pueden dar;

en todos los casos puede conducir, pero con ms o menos sensibilidad en la
corriente de puerta. La mxima

18
7

sensibilidad en el disparo, o sea, la mnima corriente de puerta necesaria

para cebarlo, se da cuando la polaridad en la puerta es diferente a la de la
terminal
; dicho de otra
forma, la sensibilidad es buena cuando la polaridad en la puerta es la
misma que la de
.
4.2.3 DIAC
Existe un componente complementario al Triac que se llama Diac, cuya
simbologa y un modelo comercial se muestra en la figura 4.29. Su aspecto
es como el de un diodo de pequea potencia
(tipo IN4148). Un ejemplo de modelo comercial muy utilizado es el BR100.

Figura 4.29
Smbolo y aspecto de un Diac.

Funcin bsica del Diac

Como se puede observar, es un componente de dos patillas. Se comporta de
forma similar a dos diodos zener en serie en contraposicin; cuando la
tensin alcance un cierto valor (tpicamente, entre unos y
), que se
llama tensin de ruptura (
), permite la circulacin de
corriente entre sus terminales. No tiene polaridad. Por debajo de la tensin
de ruptura, su resistencia es
muy elevada. Se comporta como un Triac que entra en conduccin cuando se
sobrepasa una cierta
tensin de ruptura (se produce un efecto de avalancha), sin que haya
18
7

corriente de puerta. Su grfico caracterstico se muestra en la figura 4.30.

Un modelo comercial es el BR100 (figura 4.31). Segn experimentos hechos, la
tensin de ruptura est alrededor de
; al llegar a dicha tensin, permite
la circulacin de corriente y su tensin se queda en unos . Una vez
conduciendo, si aumenta la corriente disminuye algo la tensin. Para

18
8

que deje de conducir, se tiene que hacer que la corriente disminuya por debajo
de unos
(esta es la corriente de mantenimiento,
).

Figura 4.30
Curva caracterstica tpica del Diac.

Figura 4.31
Curva caracterstica experimental del Diac BR100.

18
8

El Diac permite realizar circuitos sencillos para generar impulsos de control en

alterna, que resulta muy til especialmente en el control de los Triacs.
4.3 TRANSISTORES IGBT
El transistor IGBT es un tipo de transistor que combina las caractersticas del
transistor bipolar (BJT) y las de un MOSFET; es un transistor hbrido. Las siglas
IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor), significa transistor bipolar de puerta
aislada. Los IGBT son transistores de potencia , muy utilizados en electrnica
de regulacin y control en la industria. Posee las caractersticas de entrada de
los transistores MOSFET y caractersticas de salida de los bipolares. Se puede
ver pues como el conjunto de dos transistores: un MOS que controla a un BJT.
La impedancia de entrada de un IGBT es por lo tanto sumamente elevada,
prcticamente casi no hay corriente de entrada (
),
su control es por tensin. Y su salida es con las caractersticas colector-emisor,
lo que le confiere bajas prdidas cuando trabaja en conmutacin. Puede operar
a altas velocidades y controlando altas intensidades. Para tener una idea, los
transistores IGBT pueden soportar tensiones del orden de
y
controlar corrientes de
. Como es obvio, es un componente
fundamental en electrnica de potencia, muy utilizado en control de motores.
La simbologa de este tipo de transistor es como se muestra en la figura 4.32.
Como ya se deduce, la entrada (gate) es como un MOSFET y la salida como un
BJT (colector-emisor).

Figura 4.32
Simbologa y aspecto prctico de un transistor IGBT.

18
9

4.4 APLICACIONES DE DISPOSITIVOS DE POTENCIA

A continuacin se muestran algunos circuitos prcticos, con el fin de acercar
ms a la realidad a algunos conceptos de los sistemas explicados
anteriormente.
4.4.1 DIMMER
4.4.1.1 CONTROL DE
ILUMINACIN Control de potencia en
alterna
En muchos casos se precisa el poder alimentar cargas de alterna de forma
controlada y regulada, de manera automtica o manual. Si se parte de la
fuente de energa de la red elctrica, es cuestin de realizar un circuito
variador de potencia, que de una forma sencilla se puede realizar mediante
Triacs, o diodos y tiristores.

Figura 4.33
Estructura conceptual de un variador de potencia alterna
controlando el ngulo de conduccin de un triac o tiristor.
La tensin de salida no es senoidal.

En la figura 4.33 se representa su estructura. En cualquier caso, se obtiene una

onda de salida de corriente alterna que no es senoidal; son porciones del ciclo
de la onda alterna de la red. El Triac o tiristor se hace conductor slo ciertas
partes del ciclo de la red (control por el ngulo de fase). Esto tiene como
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consecuencia que genera muchos armnicos en la red elctrica, que incluso

puede producir interferencias y hasta perturbar el funcionamiento de otros
circuitos electrnicos. Por ello, este tipo de control, aunque comparativamente
es de bajo precio, tiene limitaciones.

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En el caso que se requiera que la onda de salida sea senoidal (figura 4.34), lo
cual es preciso si las cargas se basan en bobinados (transformadores y
motores, especialmente), entonces el variador de potencia se basa en un
inversor-ondulador controlado (automticamente o manualmente).

Figura 4.34
Estructura conceptual de un variador de potencia en
alterna basado en un inversor-ondulador. La tensin
de salida es senoidal.

Figura 4.35
Estructura conceptual de un cicloconvertidor; es un
convertidor directo de alterna en alterna de frecuencia
regulable.

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Cicloconvertidores
Los denominados cicloconvertidores, son convertidores directos, que
realizan la funcin de convertir corriente alterna en tambin corriente
alterna pero de diferente frecuencia; son bsicamente variadores de
frecuencia (figura 4.35). Permiten obtener una tensin alterna monofsica
o trifsica regulable en amplitud y especialmente frecuencia, partiendo de
la red
alterna. La frecuencia de la tensin de salida, tpicamente, como mximo puede
llegar a de la
frecuencia de entrada.
Son utilizados para el control y regulacin de motores de corriente alterna,
en los cuales su velocidad depende bsicamente de la frecuencia de la
tensin alterna aplicada. Su realizacin electrnica, como todos los
sistemas de electrnica de potencia, se basa en los tiristores.
Regulacin de potencia por ngulo de fase
La denominada regulacin de potencia por ngulo de fase es un sistema
de regulacin que se basa en entregar a la carga una tensin continua
(pulsatoria), o alterna, cuya magnitud se vara controlando el ngulo de la
onda que recibe la carga; o sea, la carga, puede recibir la onda completa de
entrada (mxima potencia) o slo una porcin de sta (pequea potencia).
Esto se consigue haciendo que el circuito de control de potencia (tiristores)
slo conduzca durante ciertos intervalos del ciclo de la onda de entrada. La
carga puede recibir tensin continua o tensin alterna, dependiendo del tipo
de circuito realizado. En la figura 4.36 se ilustra esto en base a un circuito
regulador en alterna.

Figura 4.36
Regulacin de potencia por control del
ngulo de fase. Casi no tiene prdidas de
potencia.

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Este sistema de regulacin tiene la ventaja frente a los sistemas tradicionales

de regulacin (por restato) de que slo se consume (aproximadamente) la
energa que consume la carga; o sea, tiene un alto rendimiento, casi no se
desperdicia potencia elctrica en el sistema de regulacin. El circuito de
control de potencia trabaja en conmutacin (conduccin-corte), se comporta
como un interruptor que se abre y se cierra automticamente en funcin de
los impulsos que le entrega la unidad de control.
La carga recibe partes de la onda, segn sea el ngulo de conduccin del
circuito de control; si conduce durante todo el ciclo de la onda de entrada,
la carga recibe la onda completa, toda la
tensin de entrada; y si conduce, por ejemplo, slo a partir de un ngulo de (
de ciclo), es
el caso del circuito de la figura 4.36, la carga recibe slo la mitad de los
semiciclos de la onda de
entrada, lo que supone la mitad de la tensin de entrada.

Figura 4.37
Regulacin de potencia por el sistema de potencimetro
de potencia (reostato). Las prdidas de potencia pueden
ser mayores que la energa consumida en la carga.

A nivel comparativo, en la figura 4.37 se muestra un circuito de regulacin

clsico basado en potencimetro de potencia (restato). Es un sistema que se
caracteriza por sus elevadas prdidas de potencia en el sistema de control,
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aunque an se sigue utilizando en ciertas aplicaciones de control de velocidad

de motores de traccin (ferrocarriles). La prdida de potencia puede ser mayor
en el restato que la utilizada en el motor.

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Montajes prcticos de experimentacin

Un circuito prctico para experimentar en clase se muestra en la figura 4.38. En
ste caso, por razones de seguridad, la alimentacin es con
en
lugar de la tensin de la red. Los
se consiguen fcilmente con un
transformador. Tambin, la carga puede ser una lamparita de
(o
dos de
en serie); de esta manera podemos observar visualmente la
graduacin de la potencia en la carga. Hacerlo as tambin nos facilita la
observacin y anlisis de las seales mediante el
osciloscopio.

Figura 4.38
Circuito prctico de experimentacin del circuito regulador
por variacin de ngulo de fase. Se alimenta con 24 V (de un
transformador).

Para un ngulo de disparo prximo a , la tensin en la carga ser el mximo.

Como la
entrada son , la tensin mxima (valor medio en continua) de salida ser:

En el montaje prctico se ha utilizado como carga, una lamparita de en

paralelo con un motorcito de
de los que se utilizan
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para refrigerar la CPU de los ordenadores. De esta manera, mediante ajuste

del potencimetro, se observa la variacin luminosa de la lamparita y
tambin de la velocidad del motor. Aunque el motor sea de no pasa nada, no
se estropea,

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porque es con fines experimentales y sabemos que no es bueno que reciba

la tensin mxima continuamente.
Los
de alimentacin se consiguen mediante un transformador. Con un
montaje como ste se puede experimentar y analizar mediante osciloscopio,
fcilmente y sin demasiados riesgos, las seales que genera el UJT, los
impulsos de disparo del tiristor, la forma de onda en la carga, etc.
4.4.1.2 CONTROL DE VELOCIDAD DE UN
MOTOR DE CA Circuito regulador en alterna con
Triac-Diac
En la figura 4.39 se muestra un circuito prctico bsico que permite la
regulacin de la tensin
alterna en la carga; el control se basa en la regulacin por variacin por ngulo
de fase.

Figura 4.39
Circuito regulador de potencia basado en triac-diac.

Existen ciertas aplicaciones donde esta funcin es muy interesante entre las
que destacan los reguladores de luz (dimmers), control de velocidad de
pequeos motores (taladros), la potencia en estufas elctricas, soldadores,
etc. En estos montajes se suelen encontrar aparejados los componentes Triac
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y Diac.
El Triac realiza la funcin de control de la tensin en la carga mediante los
impulsos que le va aplicando el Diac. Segn el valor total de resistencia (
el tiempo de carga del condensador

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(
) es diferente, de manera que se puede regular el tiempo que tarda el
condensador en llegar a la tensin de disparo del Diac. Cuando la tensin en el
Diac llegue a unos
ste conducir y se producir una corriente en la
patilla puerta del Triac que har que ste se cebe (conduzca); la
carga recibir entonces tensin. Y la onda de tensin en la carga podr ser una
muy pequea parte
de los semiciclos de la alterna de entrada o casi toda la onda senoidal.
Cuando el ngulo de disparo sea prximo a
, la tensin en la carga ser ;
y cuando el ngulo de disparo sea lo ms prximo a
la tensin ser
mxima.
La potencia mxima de la carga depender del Triac utilizado; el BT137
permite una corriente mxima eficaz de
y soporta una tensin de hasta
. Aunque hay que saber el Triac, como todos los
componentes, se puede calentar; segn la potencia a controlar, puede ser
necesario ponerle algn disipador, para que no alcance temperaturas
excesivas.
Otra cosa a tener en cuenta en este tipo de controladores de potencia es que al
trocear la onda, se producen lo que se llaman armnicos (componentes
frecuenciales mltiplos de
), que se
propagan por la red elctrica y tambin por el aire (en forma de ondas
electromagnticas); esto supone una fuente de interferencias hacia otro tipo de
aparatos (TV, equipos informticos, etc.) y tambin alteraciones en la tensin
de la red elctrica. Cuando es necesario, para minimizar esto,
se utilizan filtros de red.

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REFERENCIAS
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circuitos y dispositivos electrnicos, 8. Ed., Pearson educacin. Mxico.
Jaeger, Richard C., Blalock, Travis N., (2005). Diseo de circuitos
microelectrnicos, 2. Ed.,
McGraw-Hill/Interamericana Editores, S. A. de C. V. Mxico.
Neamen, Donald A., (1999). Anlisis y diseo de circuitos electrnicos,
1. Ed., McGraw- Hill/Interamericana Editores, S. A. de C. V. Mxico.
Horestein, Mark N., (1997). Microelectrnica: circuitos y dispositivos, 2. Ed.,
Prentice-Hall
Hispanoamericana, S. A. Mxico.
Hermosa Donate, Antonio, (2013). Principios de electricidad y electrnica III,
2. Ed. Alfaomega
Grupo Editor, S. A. de C. V. Mxico.

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