Apuntes Dispositivos Electrónicos

UNIVERSIDAD NACIONAL AUTONOMA DE
MXICO
FACULTAD DE INGENIERIA
APUNTES DE DISPOSITIVOS Y
CIRCUITOS ELECTRNICOS
DIODO Y TRANSISTOR TBJ
AUTOR: ING. JESS MARA FRANCISCO HERNNDEZ

MORALES
Dispositivos y Circuitos Electrnicos
TEORA DEL SEMICONDUCTOR

En la actualidad, los dispositivos electrnicos
usan silicio como material bsico. El silicio
est en el Grupo IV de la tabla peridica
(grupo tetravalente) y se clasifica como un
"semiconductor" debido al hecho que es un
conductor pobre en estado puro. Cuando se
agregan cantidades controladas de ciertas
"impurezas" a un semiconductor se hace un
buen conductor. Dependiendo del tipo de
impureza agregada al semiconductor bsico,
su conductibilidad puede tomar dos tipos: P y
N.
La conductibilidad del tipo N en un
semiconductor es la conductibilidad debido a
la tendencia de electrones libres. En el silicio
puro a temperatura ambiente hay muy pocos
electrones libres.
El silicio es un elemento tetravalente, con
cuatro electrones de valencia en la orbita
exterior; todos se aseguran por la fuerte
unin covalente de la celosa del cristal,
como se muestra en la figura 1. Cuando
cantidades controladas de impurezas del
donador (los elementos del grupo V) como
fsforo se agregan, los tomos pentavalentes
que entran en la estructura atmica
proporcionan electrones extras no requeridos
por los enlaces covalentes. Estas impurezas
se llaman las impurezas del donador dado
que "donan" un electrn libre. Estos
electrones donados son libres para flotar del
negativo al positivo por el cristal cuando se
aplica un campo elctrico, como se muestra
en la figura 2. La nomenclatura de "N" para
este tipo de conductibilidad implica a los
portadores de carga negativa.
Figura2 Semiconductor tipo N.

En la conductibilidad del tipo P, las cargas
que llevan la corriente elctrica por el cristal
actan como si ellos fueran las cargas
positivas. Sabemos que electricidad siempre
se lleva por los electrones flotando en
cualquier material, y que no hay ningn
portador positivo mvil en un slido. Los
portadores de carga positiva pueden existir
en los gases y lquidos en la forma de iones
positivos pero no en los slidos. El carcter
positivo del flujo real en el cristal del
semiconductor puede pensarse como el
movimiento de vacantes (llamados huecos)
entre los enlaces covalentes.
Estos huecos flotan del positivo hacia el
negativo
en
un
campo
elctrico,
comportndose
como
si
fueran
los
portadores positivos.
Figura3 Semiconductor tipo P.
Figura1 Estructura del cristal de silicio

puro.
La conductibilidad del tipo P en los

semiconductores es el resultado de agregar
las impurezas del aceptador (elementos del
Grupo III) como el boro al silicio. En este

caso, los tomos del boro, con tres
electrones de valencia, forman uniones con
la estructura tetravalente del silicio. Dado que
los enlaces covalentes no se pueden
satisfacerse con slo tres electrones, cada
tomo del aceptador deja un hueco en el
enlace covalente. Estos huecos aceptan
electrones introducidos por las fuentes
externas o creados por la radiacin o por el
calentamiento, como se muestra en la figura
3. Cuando un circuito externo se conecta, los
electrones de la fuente "llenan" estos huecos
desde la terminal negativa y saltan de hueco
en hueco a travs del cristal, se puede
pensar en este proceso de una manera
diferente pero equivale al desplazamiento de
huecos positivos hacia la terminal negativa.
Es esta tendencia de huecos cargados
positivamente la base para el trmino de la
conductibilidad tipo P.
Cuando las regiones de semiconductores de
tipo N y tipo P se forman en un cristal
semiconductor adyacentes una a la otra, se
llama unin PN.
EL DIODO IDEAL
El diodo es el dispositivo electrnico ms
sencillo, se forma con la unin de dos
semiconductores uno del tipo N y otro del tipo
P y se puede fabricar en estructura vertical o
plana como se muestra en la siguiente figura:
Figura5 Curva del comportamiento ideal del

diodo.
Su smbolo se muestra a continuacin:
Figura6 Representacin grfica del diodo.

La punta de la flecha del smbolo circuital,
representada en la figura 6, indica el sentido
permitido de la corriente.
Apoyndonos en la ley de Ohm y analizando
la figura 5 deducimos que:
1. Para Vd>0, Id ser diferente a cero y
por lo tanto R=0
2. Para Vd<0, Id = 0 y por lo tanto R=.
Esto es equivalente a un interruptor que se
cierra o se abre dependiendo de la direccin
de la corriente.
Ejemplo 1.- Determinar el comportamiento
del diodo en el siguiente circuito, tomando en
cuenta que el voltaje aplicado a la entrada es
una seal cuadrada que varia entre +10 y -10
Voltios.
Figura4 Construccin del diodo.

Su comportamiento ideal nos muestra al
diodo como un dispositivo capaz de permitir
el flujo de corriente en una direccin (nodo a
ctodo) con una resistencia de valor cero,
mientras que presenta una resistencia infinita
cuando el flujo de la corriente se realiza en
sentido contrario (ctodo a nodo), este
comportamiento lo podemos visualizar en la
siguiente figura:
Ejemplo 1
Solucin:
Para el anlisis del diodo se consideran las
dos opciones: cuando la entrada es de +10
Voltios y cuando la entrada es de -10 Voltios,
en el primer caso el circuito a analizar ser el
siguiente:
Finalmente el voltaje de R1 con respecto a la

entrada ser el siguiente:
En este caso el diodo se polariza en directa,

lo cual implica que la corriente fluir de
nodo a ctodo y con lo cual el diodo se
comportar como un interruptor cerrado
como se observa en la siguiente figura:
Problema 1.- Empleando el modelo ideal del

diodo determinar el voltaje en R1 del
siguiente circuito, considerando que el voltaje
a la entrada Vi = Vm sen()t como se
muestra a continuacin:
Con lo anterior tendremos que VR1 = 10V, y
la corriente en este caso ser de 10mA.
En el segundo caso el voltaje de entrada es
de -10 Voltios:
Bajo esta condicin el diodo se polariza en

forma inversa, lo cual forzar el flujo de
corriente de ctodo a nodo, en est
situacin el diodo se comportar como un
interruptor abierto, con lo cual la corriente
que fluye a travs del circuito ser cero.
Problema 2.-Empleando el mismo voltaje a

la entrada determinar el voltaje en R1 del
siguiente circuito:
Problema 3.- Empleando SPICE determinar

el voltaje en R1, as como la corriente en
ambos circuitos, para esto R1 = 1K, la
amplitud mxima del voltaje de entrada Vm =
10 V y su frecuencia es de 1Khz.
Aplicando el modelo del diodo ideal tenemos

que para el lbulo positivo de la seal (0 a )
el diodo se comportar como un interruptor
cerrado. Por lo que el voltaje en la resistencia
R1 ser:
CIRCUITOS RECTIFICADORES
Los circuitos de los problemas anteriores
pertenecen a un grupo de circuitos conocidos
como rectificadores, por lo general se
emplean para convertir Voltajes de Corriente
Alterna (VCA) a Voltajes de Corriente
Continuo (VCC) o bien con ayuda de algunos
elementos adicionales a Voltajes de
Corriente Directa (VCD). Su principal
aplicacin son las fuentes de alimentacin.
A su vez estos circuitos se dividen en
rectificadores de media onda y rectificadores
de onda completa.
Para el lbulo negativo ( a 2 ), el diodo se

polariza en inversa, lo cual hace que el diodo
se comporte como un interruptor abierto,
dado que no hay flujo de corriente el voltaje
en R1 ser 0, como se muestra a
continuacin:
RECTIFICADOR DE MEDIA ONDA

Un circuito rectificador de media est
constituido como se muestra a continuacin:
Dado que este es un proceso cclico,

despus de 2p, se repiten las condiciones
iniciales, por lo cual el voltaje en R1 ser el
siguiente:
Figura 7 Circuito rectificador de media onda.
Despejando y sustituyendo obtenemos lo

siguiente:
Vcc = 0.318 ( 2 VRMS )

Vcc = 0.318
Figura 8 Seal rectificada en un circuito
rectificador de media onda
Para determinar el valor promedio de la seal
rectificada, se debe calcular el rea bajo la
curva de la figura 2, dividiendo este valor por
el periodo de la onda rectificada:
Vcc =
1
1
vdt
=
(Vm Sen)d
T
2 0
Vcc =
Vm
[ Cos]0 = Vm = 0.318 Vm
2
Con lo cual podemos afirmar que el valor

promedio de la seal rectificada para este
circuito ser:
2 12V = 5.4V
Problema 4.- Obtenga el voltaje promedio

rectificado en circuitos rectificadores de
media onda, si empleamos transformadores
con los siguientes voltajes en el secundario:
a) 9 VRMS.
b) 18 VRMS.
c) 24 VRMS.
d) 48 VRMS.
Otra consideracin en el uso de estos
circuitos es el Voltaje Inverso de Pico (VIP),
que representa el mximo voltaje al que se
somete el diodo en polarizacin inversa y que
por lo general es igual a Vm:
VIP = Vm
Este parmetro es importante para evitar que
el diodo se destruya.
Vcc = 0.318 Vm
RECTIFICADOR DE ONDA COMPLETA

Donde:
Vcc = Valor promedio del voltaje
rectificado.
Vm = Valor mximo (pico) del
voltaje de C.A.
Con el fin de obtener un mejor

aprovechamiento de la onda senoidal a la
entrada, se emplea el siguiente circuito:
Ejemplo 2.- Calcular el voltaje promedio de

un circuito de media onda, tomando en
cuenta que se emplea un transformador con
un voltaje en el secundario de 12 Voltios
(RMS).
Solucin.- Sabemos que Vcc = 0.318 Vm,
sin embargo el dato del voltaje en el
secundario se da en VRMS lo cual nos indica
que:
V RMS =
Vm
2
Figura 9 Circuito rectificador de onda

completa.
Como se puede observar en la figura anterior
se emplea un transformador con derivacin
central en el secundario, lo cual tiene una
desventaja, esta derivacin es un divisor de
voltaje, lo cual provoca que el voltaje
aprovechado sea igual a Vm/2, sin embargo
el circuito es capaz de aprovechar ambos
lbulos de la seal de entrada como se
Considerando la siguiente entrada senoidal:
Tenemos que analizar la onda resultante

mediante el anlisis de cada uno de los
lbulos de la seal, para el caso del lbulo
positivo el circuito adquiere la siguiente
polarizacin:
Podemos observar que el diodo D1 se

polariza en directa mientras que el diodo D2,
se polariza en inversa, con lo cual el diodo
D1, funcionar como un interruptor cerrado y
permitir el flujo de la corriente, mientras que
el diodo D2 se comportar como un
interruptor abierto, lo cual impedir el flujo de
corriente a travs de este. Adems el voltaje
pico que alimenta a la resistencia R1, es
igual a Vm/2.
En esta polarizacin se observa que el diodo

D1 est polarizado en inversa y por lo tanto
funciona como un circuito abierto y por lo
cual no habr flujo de corriente en esa rama.
Por su parte el diodo D2 est polarizado en
directa lo cual permitir el flujo de corriente
por esa rama del circuito, nuevamente R1 se
conecta a un voltaje pico igual a Vm/2.
Dado que se trata de un ciclo repetitivo, se

obtiene el siguiente voltaje en R1:
Figura 10 Forma de onda resultante de un

circuito rectificador de onda completa.
En este caso el voltaje promedio rectificado
ser:
Vcc = 0.636 (Vm/2)
Para el caso de lbulo negativo se tiene la

siguiente polarizacin del circuito:
Muchos autores consideran Vcc = 0.636 Vm, sin

embargo suponen que cada lbulo entrega un
voltaje pico igual a Vm, en este anlisis Vm es el
mximo que ofrece el secundario del
transformador.
Ejemplo 3.- Determine el voltaje promedio

para un circuito rectificador de onda
completa, que utiliza un transformador cuyo
voltaje en el secundario es de 9 VRMS y posee
una derivacin central.
V2 =
2 127V
= 68.03V
2.64
Finalmente el valor promedio ser:
Solucin: El voltaje en el devanado

secundario del transformador es de 9 VRMS,
por lo cual podemos determinar que el voltaje
Vm del secundario es:
68.03
= 21.63V
Vcc = 0.636
2
Vm = 2 VRMS
Problema 5.- Mediante el anlisis de la onda

resultante para un circuito rectificador de
onda completa, demuestre que:
Con lo cual obtenemos:

Vcc = 0.636 Vm
Vm = 2 9V = 12.72V
Finalmente el voltaje promedio ser:
Considere el valor mximo para cada lbulo

como Vm.
12.72
Vm
Vcc = 0.636 = 0.636
= 4.04V
2
2
Problema 6.- Calcule el valor promedio para

un circuito rectificador de onda completa, y
con derivacin central en el secundario, para
los siguientes casos:
Ejemplo 4.- Obtenga el valor promedio para

un circuito rectificador de onda completa, que
utiliza un transformador con derivacin
central en el devanado secundario con una
relacin de vueltas de 2.64, considere que el
primario se conecta a la lnea de
alimentacin (127 VRMS).
a) El voltaje en el secundario es de 12
VRMS.
b) El transformador se alimenta de la
lnea (127 VRMS) y posee una relacin
de vueltas de 10.6.
Solucin.-La relacin de vueltas se define

como razn del nmero de espiras en el
devanado primario (N1), entre el nmero de
espiras en el devanado secundario (N2), esta
razn tambin es proporcional a la relacin
del voltaje en el devanado primario, entre el
voltaje en el devanado secundario:
CIRCUITO PUENTE RECTIFICADOR

Una variante del circuito rectificador de onda
completa es el circuito puente rectificador
que emplea cuatro diodos para rectificacin
completa, en este caso el secundario del
transformador no utilizar la derivacin
central, con esto se aprovecha mejor el
voltaje en el secundario:
N1 V 1
=
= 2.64
N2 V2
Despejando tenemos que el voltaje en el
secundario ser:
V2 =
V1
2.64
Dado que el valor del voltaje en el primario

est en VRMS , se requiere obtener su valor
instantneo, por lo cual V2 ser:
Figura 11 Circuito Puente Rectificador de onda

completo
Para el anlisis de la operacin del circuito se

necesita analizar las rutas de conduccin
para cada lbulo de la seal de entrada, as
cuando se presente el ciclo positivo de la
seal, el circuito se polarizara de la siguiente
manera:
Para este caso observamos que D2 y D3

estn polarizados en directa, de manera que
permitirn el paso de corriente, por su parte
D1 y D4 tienen polaridad inversa con lo cual
se comportarn como un interruptor abierto,
impidiendo as el paso de corriente. El flujo
de la corriente se muestra a continuacin:
Podemos observar que los diodos D1 y D4
estn polarizados en directa, mientras que
los diodos D2 y D3 se polarizan en inversa,
con lo D1 y D4 conducen, mientras que D2 y
D3 se comportan como circuitos abiertos, de
manera que la ruta es la siguiente:
Al igual que en el lbulo positivo el voltaje en

R1 ser Vm, cabe resaltar que la polaridad
en R1 en los dos casos permaneci igual.
Cabe mencionar que el voltaje en R1 ser

Vm, para este lbulo positivo.
Durante el lbulo negativo de la seal de

entrada la polarizacin del circuito se
manifiesta de la siguiente manera:
Finalmente el voltaje resultante a la salida de

un puente rectificador ser el siguiente:
Solucin.- Sabemos que:
Vcc =
2 Vm
despejando Vm obtenemos lo siguiente:
Vm =
Figura 12 Voltaje resultante de un puente
rectificador.
Para determinar el valor promedio de la seal
rectificada, se debe calcular el rea bajo la
curva de la figura 12, dividiendo este valor
por el periodo de la onda rectificada:
Vcc =
1
2
1
1
vdt =
T
2
(Vm Sen) d +
(Vm Sen)d =
2 Vm
= 0.636 Vm
Vcc =
21.6V = 33.93V
Por otro lado sabemos que la relacin de

vueltas de un transformador esta dada por:
R=
N1 V 1
=
N2 V 2
Para nuestro caso el valor del voltaje pico en

el secundario (V2) es de 33.93V, sin
embargo, necesitamos el valor del voltaje
pico en el primario:
V 1 = 2 127V = 179.6V
Vcc = 0.636Vm
A diferencia del rectificador de onda completa
con derivacin central el puente rectificador
aprovecha completamente el voltaje en el
secundario de un transformador.
Ejemplo 5.- Determine el voltaje promedio de
la seal rectificada de un circuito puente
rectificador si se emplea un transformador
con un voltaje nominal de 12 VRMS en su
secundario.
Solucin.- El voltaje nominal en el
secundario es de 12 VRMS, lo primero que
debemos obtener es su voltaje pico (Vm):
Vm = 2 12V = 16.97V
con lo cual obtenemos que:
Vcc = 0.636 (16.97V)=10.79 V
Ejemplo 6.- Determine la relacin de vueltas
de un transformador empleado en un puente
rectificador de tal manera que Vcc = 21.6 V,
cuando el primario del transformador se
conecte a una alimentacin de 127 VRMS.
Finalmente nuestra relacin de vueltas en el

transformador ser:
R=
V1
= 5.29
V2
Problema 7.- Determine la relacin de

vueltas de un transformador de un circuito
puente rectificador, de tal manera que Vcc =
100 V y el primario esta conectado a la lnea
de alimentacin de 127 VRMS.
Problema 8.- Determine el voltaje promedio
de la seal rectificada de un circuito puente
rectificador,
cuando
se
emplea
un
transformador con un voltaje en su
secundario
de
24
VRMS.
10
El voltaje obtenido mediante circuito

rectificadores, funciona bien para cargar
bateras o para encender lmparas, sin
embargo la mayora de los circuitos
electrnicos necesitan un voltaje de
alimentacin mas suave. Por ejemplo, en el
caso de los amplificadores de audio, un
voltaje rectificado sin filtrar se puede
escuchar como un zumbido en las bocinas.
Este zumbido es proporcional a la frecuencia
de la fuente de alimentacin. El suavizado
del voltaje de alimentacin se realiza
agregando un capacitor de valor alto en
paralelo con la carga, justamente despus de
la seccin de rectificacin, a esta seccin en
las fuentes de alimentacin se le conoce
como seccin de filtrado.
Voltaje de Rizo.
Los diodos rectificadores cargan al capacitor
de filtrado C1, hasta el valor pico Vm, durante
los ciclos de no conduccin el capacitor se
descargar mediante la resistencia de carga
RL. Esto crear una onda del tipo de diente
de sierra que se le denominar Voltaje de
Rizo. El valor del voltaje de rizo depende de
la corriente de la carga, la frecuencia de la
fuente de alimentacin y el valor del
capacitor. Un clculo aproximado del voltaje
de rizo se obtiene de la siguiente ecuacin:
Vr =
i
f C
Donde:
Vr es el voltaje de rizo
i es la corriente en la carga
f es la frecuencia.
C es el valor del capacitor de filtrado
Dado que la corriente en la carga tambin se
puede calcular como:
La onda resultante
continuacin.
se
muestra
i=
Vm
RL
Donde:
i es la corriente en la carga
Vm es el valor pico del secundario.
RL es la resistencia de carga.
Sustituyendo lo anterior tenemos que:
Vr =
Figura 13 Onda resultante al agregar un
capacitor de filtrado.
De la figura anterior podemos afirmar que el
voltaje rectificado promedio obtenido ser:
Vcc = Vm
Vr
2
Donde:
Vcc es el voltaje promedio rectificado.
Vm es el voltaje pico en el secundario
del transformador.
Vr es el voltaje de rizo.
Vm
f R C
Este clculo se aplica a circuitos con carga

ligera. La frecuencia variar en funcin del
tipo de circuito rectificador que se emplea,
as cuando se emplea un rectificador de
media onda la frecuencia es de 60 Hz, en el
caso del puente rectificador y el circuito
rectificador de onda completa la frecuencia
de operacin es de 120 Hz.
11
Ejemplo 6.- Determinar el voltaje promedio

rectificado de un circuito puente rectificador,
considerando que su transformador tiene un
valor nominal de 24 VRMS en el secundario, el
capacitor empleado en el filtrado tiene un
valor de 2200F y su resistencia de carga es
de 1K.
Solucin.- Sabemos que
Vr =
Vm
f R C
Tenemos que la frecuencia de operacin es

de 120 Hz, dado que estamos empleando un
circuito puente rectificador.
CIRCUITOS MULTIPLICADORES DE
VOLTAJE
Con el fin de obtener un voltaje rectificado
pico (Vm) mayor al que puede ofrecer el
secundario del transformador, se emplea
este tipo de circuitos, el voltaje resultante a la
salida es un mltiplo de dos, tres o ms
veces el voltaje pico del secundario del
transformador.
DOBLADORES DE VOLTAJE.
En la figura 1, se muestra un doblador de
voltaje de media onda.
Por otro lado el voltaje en el secundario del

transformador es de 24 VRMS, as que su
voltaje pico ser:
Vm2 = 2 24V = 33.94V

Para obtener el voltaje del rizo tenemos que:
Vr =
33.94V
= 128mV
[(120 Hz ) (1k) (2200F )]
Finalmente el voltaje promedio obtenido ser:
Vcc = Vm 2
.128V
Vr
= 33.94V
= 33.87V
2
2
Problema 9.-Obtenga el voltaje promedio,

as como su voltaje de rizo de un circuito
rectificador, si se emplea un capacitor de
filtrado de 470F, con una resistencia de
carga de 2.2 k, el transformador tiene un
valor nominal en el secundario de 12 VRMS,
bajo las siguientes configuraciones:
Figura 14 Circuito doblador de voltaje de

media onda.
Al igual que en el caso de los circuitos
rectificadores el voltaje en el secundario, ser
una seal senoidal. Para su anlisis se debe
considerar los dos casos posibles, para
cuando la polarizacin de entrada es positiva
y para cuando la polarizacin de entrada es
inversa:
En el caso de la polarizacin positiva, la
polarizacin resultante en el circuito ser:
1. Rectificador de media onda.

2. Puente rectificador.
Problema 10 .-Realizar el anlisis del
problema anterior mediante SPICE.
Podemos observar que el diodo D1 se

polariza en directa, lo cual provoca que
conduzca corriente, mientras que el diodo D2
se polariza en inversa lo cual provoca que no
conduzca corriente.
12
Al comportarse D1 como un corto circuito,

provoca que el capacitor C1 se cargue con
un voltaje igual al voltaje pico en el
secundario (Vm), dado que el capacitor tiene
la propiedad elctrica de almacenar carga en
forma de voltaje, el voltaje tiende a conservar
su valor.
Para cuando se invierte la polaridad en la
entrada, el circuito tiene la siguiente
polarizacin:
En esta polarizacin el diodo D1 se polariza

en inversa con lo cual se comporta como un
circuito abierto y el diodo D2 se comporta
como un corto circuito, lo cual hace que fluya
corriente a travs de l:
Figura 15 Forma de onda resultante del

circuito doblador de media onda
La figura 3 nos muestra a un doblador de
voltaje de onda completa
Figura 16 Circuito doblador de voltaje de onda

completa.
Para una entrada positiva la polarizacin ser
la siguiente:
Como podemos observar C2 se carga con un

voltaje debido a la suma del voltaje
almacenado en el capacitor C1 ms el voltaje
debido al voltaje pico del secundario del
transformador, con lo cual:
Vo = 2 Vm
13
Como podemos observar el diodo D1 se

polariza en directa, con lo cual tenemos un
corto circuito, mientras que el diodo D2 de
polariza en inversa y se comportar como un
circuito abierto. De lo anterior tenemos que:
Como podemos observar la salida ser:
Vo = 2 Vm
El capacitor C1 se carga con un voltaje igual
al voltaje pico del secundario del
transformador.
Para el semiciclo negativo tenemos la
siguiente polarizacin:
En este caso el diodo D1 se polariza en

inversa con lo cual no conduce corriente y el
diodo D2 se polariza en directa de tal forma
que se comporta como corto circuito:
Su forma de onda a la salida se presenta a

continuacin:
Figura 17 Forma de onda resultante a la salida

de un circuito doblador de voltaje de onda
completa.
Ejemplo 7.- Se desea construir circuito
doblador de voltaje de onda completa, su
salida tendr que dar 50 V. Determinar Cul
debe ser la relacin de vueltas del
transformador empleado, si el primario se
conecta a la lnea de alimentacin de 127
VRMS?.
Solucin.- Dado que un doblador de voltaje
ofrece el doble del voltaje pico en el
transformador, tenemos que:
14
Vm =
Vo
= 25V
2
El voltaje RMS en el secundario ser:
V2=
Vm 25V
=
= 17.67V
2
2
Finalmente la relacin de vueltas ser:
R=
N1 127V
=
= 7.18
N 2 17.67V
Si medimos el voltaje a travs del capacitor

C1, obtendremos a Vm, en el capacitor C2 el
valor es de 2Vm, el voltaje a travs de C1 y
C3 es de 3Vm y finalmente el voltaje a travs
de C2 y C4 es de 4Vm.
Cabe notar que el Voltaje Inverso de Pico
(V.I.P.) para este circuito es de 2 Vm.
PROYECTO 1.- Desarrolle un circuito
multiplicador de voltaje, de tal forma que
podamos obtener los siguientes voltajes a la
salida de un solo circuito:
a)
b)
c)
d)
25 Voltios.
50 Voltios
75 Voltios.
100 Voltios.
Multiplicadores de Voltaje
CIRCUITOS RECORTADORES
El siguiente circuito es una variacin del
doblador de voltaje de media onda que es
capaz de desarrollar hasta 4 veces el voltaje
pico del secundario del transformador (Vm).
Los circuitos recortadores son circuitos

formadores de onda, que eliminan una
porcin de la seal de entrada, por lo general
constan de un diodo y una resistencia, sin
embargo adicionalmente pueden contar con
una batera.
El siguiente circuito es un ejemplo de un
circuito recortador.
Figura 18 Circuito multiplicador de voltaje.

En el primer semiciclo positivo de la seal de
entrada, el capacitor C1 se carga a travs del
diodo D1 al voltaje pico Vm, en el semiciclo
negativo el capacitor C2 se carga con valor
pico de 2Vm desarrollado por la suma del
voltaje en el Capacitor C1 y el secundario del
transformador.
En el siguiente semiciclo positivo los diodos
D1 y D3 conducen lo cual provoca que el
capacitor C3 se cargue con el valor del
capacitor C2 : 2Vm.
Para el siguiente semiciclo negativo los
diodos D2 y D4 conducen, de tal forma que
C4 se carga con C3 : 2Vm.
Figura 19 Circuito recortador

El voltaje de
continuacin:
entrada
se
muestra
15
Considerando un anlisis de diodo ideal

tenemos que:
Para Vi < 15 V, el diodo se polarizar en
inversa lo cual implica que habr flujo de
corriente a travs de ste, cuando el valor de
Vi > 15V, el diodo se polariza en directa lo
cual permite un flujo de corriente hacia R1.
La forma de onda resultante a la salida ser:
La figura anterior muestra la porcin de la
onda se recorta cuando D1 no conduce, de
tal forma que la forma de onda a la salida
ser la siguiente:
Ejemplo 8.- Analice el siguiente circuito

recortador para determinar la forma de onda
a la salida (VR1):
Ejemplo 9.- Determine la forma de onda a la

salida (VR1) del siguiente circuito recortador:
Su voltaje a la entrada Vi se muestra a

continuacin:
Su entrada se muestra a continuacin:
Solucin .- La condicin para que el diodo

D1 conduzca es cuando Vi > V2, que en este
caso es de 8 V, cuando Vi < V2, el diodo no
conducir. Una manera grfica de explicarlo
se muestra a continuacin:
Solucin.- En este circuito la condicin para

que D1 conduzca es que Vi < V2, en el caso
contrario cuando Vi > V2, D1 no conducir.
Una manera grfica de visualizar la onda
resultante se muestra a continuacin:
16
CIRCUITOS SUJETADORES
Con lo cual la onda resultante ser la

siguiente:
Problema 11.- Determine la forma de onda

resultante para el siguiente circuito
recortador:
Estos circuitos tambin cambian la forma de

onda a la salida, desplazando la seal a un
nivel de referencia distinto.
Por lo general estos circuitos constan en su
forma ms bsica de tres elementos: un
diodo, un capacitor y una resistencia,
adicionalmente se le puede agregar una
batera.
Con el fin de que el voltaje a travs del
capacitor no vari significativamente, se
deben elegir valores de C y R, de tal forma
que la constante del tiempo = R C sea lo
suficientemente grande.
Por lo general, en un circuito RC el capacitor
se carga alrededor de 5, para evitar
deformaciones considerables en la salida del
circuito deberemos disearlo de tal forma
que:
T <<
Donde:
T es el periodo de la seal
es la constante de tiempo RC
Ejemplo 10.- Determine la forma de onda a
la salida del siguiente circuito:
Su voltaje de
continuacin:
entrada
se
muestra
a
El voltaje de entrada tiene una frecuencia de
1 kHz y se muestra a continuacin:
En todo el anlisis considere al diodo como

diodo ideal.
17
Solucin .- El primer paso es determinar la

constante de tiempo = RC:
= 100k 0.1F = 10ms

= 10 ms
si comparamos Toff con observamos que
efectivamente:
Toff <<
En este caso D1 se polariza en inversa con lo

cual el circuito resultante ser:
0.5ms << 10ms

Con esto aseguramos que la seal a la salida
no variara en forma significativa cuando se
descargue el capacitor.
Analizando para el primer caso, cuando Vi =
10V, tenemos el siguiente circuito:
Durante
este
intervalo
de
tiempo,
observamos que Vo = -30 V. Durante este
periodo el capacitor se descargar por R1,
sin
embargo
como
se
comprob
anteriormente, Toff << , con esto
aseguramos que el voltaje en el capacitor
variar muy poco.
Podemos observar que D1 se polariza en
directa, lo cual hace que se comporte como
un corto circuito como se muestra a
continuacin:
De lo anterior podemos decir que Vo = 0V, y

que el capacitor se cargar a travs del corto
circuito, considerando que la resistencia del
diodo en polarizacin directa es cero, la
constante del tiempo ser = RC = 0C =0,
con esto podemos observar que el capacitor
se carga de manera inmediata al valor del
voltaje Vi.
Cuando el valor de la entrada es Vi = -20V,
se tiene el siguiente circuito:
Finalmente la onda resultante con respecto a

la entrada se muestra a continuacin:
18
Problema 12.- Determinar la forma de onda

a la salida del siguiente circuito:
a
0
0
1
1
b
0
1
0
1
Vo
0
0
0
1
De la tabla anterior podemos afirmar que el

circuito en cuestin se comporta como una
funcin AND.
Si el voltaje a la entrada es el siguiente:
COMPUERTAS LGICAS
Mediante el uso de diodos es posible
implementar funciones lgicas como se
muestra a continuacin.
En el circuito anterior observamos que si a

una entrada se le aplica una entrada de nivel
alto (1), el diodo se polarizar en directa, que
lo har comportarse como un corto circuito,
con esto la salida Vo tendr un nivel alto (1),
si por el contrario la entrada es un nivel bajo
(0), el diodo no conducir corriente y la salida
ser de un nivel bajo.
Al combinar ambas entradas obtenemos lo
siguiente:
a
0
0
1
1
En el circuito anterior observamos que hay

dos entradas a y b, nuestra salida ser Vo,
nuestras entradas tendrn dos niveles
lgicos: alto (V+) y un bajo (0V).
Si una entrada se conecta a un nivel alto el
diodo estar al mismo nivel de potencial en
sus dos extremos, lo cual no generar un
flujo de corriente, en este caso la salida
tendr un nivel alto.
Cuando una entrada se conecta a un nivel
bajo, provoca que el diodo se polarice en
directa, lo cual provoca que se comporte
como un corto circuito, de esta forma el nivel
de la salida ser bajo.
Cuando combinamos ambas entradas
obtenemos los siguientes resultados:
b
0
1
0
1
Vo
0
1
1
1
Con estos datos podemos afirmar que se

trata de un circuito que se comporta como
una funcin OR
Problema 13.- Disear circuitos con diodos
de tal forma que realicen las siguientes
funciones:
1. (A + B) C
2. (A B) + C
19
Polarizacin inversa
DIODO REAL
Para
poder
entender
mejor
el
comportamiento del diodo real, primero
debemos ver el comportamiento electrnico
de su construccin.
Como sabemos el diodo se forma de la unin
de dos materiales semiconductores: uno tipo
P y otro tipo N, ambos construidos de la
misma base Ge (Germanio) Si (silicio).
Cuando ambos materiales se juntan
fsicamente, los electrones y los huecos de la
regin de la unin se combinan de tal forma
que se genera una zona libre de carga. A
esta zona se le denomina zona de
agotamiento.
Al aplicar un potencial externo a la unin PN

de tal forma que la terminal positiva se
conecta al material tipo N y la terminal
negativa al material tipo P, el nmero de
portadores descubiertos en la zona de
agotamiento del material N se incrementar
debido al gran nmero de electrones libres
atrados por el potencial positivo del voltaje
aplicado. De manera similar el nmero de
portadores negativos descubiertos en el
material P aumentar. Sin embargo, el efecto
resultante es una ampliacin de la zona de
agotamiento.
Unin PN sin polarizacin

En esta situacin tanto el material
semiconductor P como el N, estn libres de
cargas o campos elctricos externos, Para
este caso los portadores cada material son
atrados por su contraparte, esto se
acentuar ms en la zona de agotamiento,
donde podremos encontrar portadores de
carga de signo contrario al material.
Esto crea una gran barrera que debe vencer

la corriente para fluir. A pesar de que existe
una oposicin de corriente, el diodo genera
por si mismo una pequea corriente que se
llama corriente de saturacin inversa (Is). El
valor de esta corriente es muy pequea del
orden de microamperios, el trmino
saturacin, se refiere al hecho a que
alcanza su valor mximo rpidamente y se
mantiene constante an con el aumento del
voltaje aplicado.
Polarizacin directa.
Al hacer un anlisis de la corriente veremos

que esta combinacin genera un flujo de
portadores en ambas direcciones, sin
embargo cada material llega a una condicin
de equilibrio, en la cual no existe un exceso
de carga contraria dentro de un material. Por
lo cual podemos afirmar que, el flujo neto de
carga en cualquier direccin sin voltaje
aplicado, es cero.
Cuando se aplica un voltaje de tal forma que

la terminal positiva se conecte al material tipo
P y la terminal negativa se conecte con el
material tipo N, se dice que se polariza en
forma directa, el efecto de esta polarizacin
se refleja en la disminucin de la zona de
agotamiento, lo cual representa una
oposicin menor al flujo de corriente.
20

o
Tk = Tc + 273 ( Temperaturas: Tk
temperatura en grados Kelvin, Tc
temperatura en grados centgrados).
Esta ecuacin se aproxima mucho al
comportamiento, sin embargo por factores
como la resistencia del material, la
resistencia de la unin y la resistencia del
conductor metlico hace que la curva se
desplace en la regin de polarizacin directa.
La magnitud de la corriente se incrementa en
forma
exponencial,
a
medida
que
aumentamos el voltaje de la polarizacin
directa.
La curva caracterstica del comportamiento
del diodo real se muestra a continuacin:
Ejemplo 11.- Determinar la corriente de un

diodo de Silicio, polarizado en directa a
0.65V, con una temperatura ambiente de
o
10 C.
Solucin.- Tenemos que convertir nuestra
temperatura a grados Kelvin:
T o K = T o C + 273 = 10 + 273 = 283 o K

Calculamos K debemos tomar en cuenta que
se trata de un diodo de silicio por lo cual n=2.
K=
11600
= 5800
2
Consideramos la corriente inversa

saturacin como 1A, de tal forma que:
I D = (1A)(e
Observamos que en la zona de polarizacin

directa la corriente aumenta en forma
exponencial, una ecuacin que puede
describir este comportamiento es la
siguiente:
I D = I s (e
K V
TK
1)
ID es la corriente en el diodo.
V es el voltaje aplicado al diodo.
Is es la corriente de polarizacin en
inversa.
K = 11 600/n con n = 1 para Ge y
n = 2 para Si.
1) = 0.61A.
Ejemplo 12.- Determinar la corriente del

ejemplo anterior, esta vez con una
o
temperatura ambiente de 20 C.
Solucin.- Convirtiendo
tendremos lo siguiente:
o
la
temperatura
T K = 20 C+273 = 293 K
La corriente resultante ser:
I D = (1A)(e
Donde:
( 5800 )(.65 )
283
de
( 5800 )( 0.65 )
293
1) = 0.38 A
Ejemplo 13.- Determinar la corriente de un

diodo de Germanio, que est polarizado en
directa a un 0.1V, la temperatura ambiente es
o
de 22 C.
Solucin.Necesitamos
temperatura:
convertir
la
21
T K = 22 + 273 = 295 K
Considerando una corriente de saturacin en
inversa del diodo de Germanio de 1A,
tendremos que:
I D = (1A)(e
(11600 )( 0.1)
295
1) = 50 A
Problema 14.- Determinar la corriente de un

diodo de silicio, con una temperatura
o
ambiente de 15 C cuando se polariza en
directa a los siguientes voltajes:
1. 0.2V
2. 0.3V
3. 0.5V
El valor de Rd puede determinarse a partir de

unos valores. De la grfica podemos
observar que para un valor de polarizacin
de 1V tendremos una corriente de 10mA,
considerando que para Vd = 0, corresponde
una corriente de Id = 0 mA, Con lo anterior
podemos calcular Rd (resistencia promedio)
mediante la siguiente frmula:
Rd =
Vd
Id
Puntoapunto
De lo anterior obtenemos que:
Rd =
(1 0.7V )
0.3V
=
= 30
(10mA 0) 10mA
Circuito equivalente
En el caso de germanio, el valor de Rd ser

de 70.
La
siguiente
grfica
muestra
el
comportamiento del diodo en polarizacin
directa:
Finalmente el modelo equivalente de un

diodo de silicio en polarizacin directa se
Ejemplo 14.- Determinar el voltaje de RL, la

corriente a travs del diodo y la resistencia
equivalente del diodo del siguiente circuito,
considerando que es un diodo de silicio:
Un
circuito
equivalente
para
este
comportamiento se muestra a continuacin:
Sustituyendo el modelo equivalente del diodo

tendremos el siguiente circuito:
Dado que el diodo de silicio no conduce
hasta despus de que se polariza por arriba
de 0.7V, se incluye una batera que
representa el voltaje de inicio de conduccin
del diodo. En el caso del germanio este
voltaje tendra un valor de 0.3V.
22
Solucin.- Dado que el voltaje Vi es mucho

mayor que 0.7V el diodo D1 se polariza en
directa, con lo cual se comportar como un
cortocircuito, entonces para obtener el voltaje
de RL tenemos que:
V RL
(15 0.7V )(1k)

= 13.88V
=
(1000 + 30)
La corriente a travs del circuito ser:
ID =
Vi Vo
20V 0.7V
= 18.7 mA
=
R L + R D 1k + 30
El voltaje en el diodo se calcula como sigue:
V D = Vo + R D I D = 0.7V + (18.7 mA 30)
VD = 1.26V
Finalmente la resistencia equivalente del
diodo ser:
Solucin.- Al igual que el caso anterior Vi es

mucho mayor que 0.7V, esto garantiza que el
diodo D se polarice en directa y por lo cual se
comportar como un cortocircuito.
Para obtener el voltaje en la carga VRL
tenemos que:
V RL =
(10 0.7V )(100)

= 7.15V
(100 + 30)
La corriente a travs del circuito ser:
ID =
10V 0.7V
= 71.5mA
100 + 30
El voltaje en el diodo ser:
V D = VO + R D I D = 0.7V + (71.5mA 30)
VD = 2.84V
La resistencia equivalente del diodo:
V
1.26V
Rcc = D =
= 67.43
I D 18.7 mA
Ejemplo 15.- Determinar el voltaje de RL, la
corriente a travs del diodo y la resistencia
equivalente del diodo del siguiente circuito,
considerando que es un diodo de silicio:
Rcc =
VD
2.84V
=
= 39.69
I D 71.5mA
Problema 15.- Determinar el voltaje en RL, la

corriente a travs del diodo ID, el voltaje en el
diodo VD y la resistencia equivalente en el
diodo RCC, considerando que el diodo D1,
sea de:
1. silicio
2. germanio
en el siguiente circuito:
Sustituyendo el circuito equivalente se tendr

el siguiente circuito:
23
tomo y se generan portadores. Aunque

existan estos dos mecanismos de ruptura, en
ambos casos el voltaje asociado al cambio
brusco en las caractersticas de conduccin
se le conoce como regin Zener.
Diodo Zener
Al analizar la zona de la polarizacin inversa
observamos que existe una zona donde la
corriente se dispara a partir de cierto valor.
El diodo Zener es un dispositivo diseado

para hacer uso de la zona Zener.
Durante la construccin de estos diodos es
posible variar su voltaje zener (VZ), variando
los
niveles
de
contaminacin
del
semiconductor; as al incrementar las
impurezas, el voltaje zener se reducir, este
voltaje puede variar desde 2.4 hasta 200V,
con potencias que van desde 0.25 hasta 50W
y por lo general estos diodos se fabrican de
silicio.
Dado que la regin Zener se encuentra en la
polarizacin inversa, estos diodos por lo
general funcionan bajo esta polarizacin.
Regin Zener
Cuando la polarizacin en inversa llega hasta
cierto valor conocido como voltaje zener (Vz)
donde los portadores libres desarrollan una
velocidad suficiente para liberar portadores
adicionales por medio de la ionizacin. Esto
provoca que los electrones de la valencia
choquen entre si, desarrollando la energa
suficiente para abandonar a sus respectivos
tomos. A medida que aumenta el nmero de
portadores libres aumenta tambin la
ionizacin de los dems tomos, hasta que
se llega a un punto en el cual se genera una
gran corriente de avalancha y se determina la
regin de ruptura por avalancha.
Dependiendo del grado de dopaje del
material semiconductor la regin de
avalancha se puede acercar al eje vertical
(Vd = 0V). Sin embargo para valores de VZ
por debajo de los 5V, el diodo utiliza el
mecanismo conocido como ruptura Zener. En
este caso se presenta un fuerte campo
elctrico en la unin PN, que provoca la
ruptura de las uniones de enlace dentro del
Un circuito equivalente del diodo Zener que

puede corresponder al comportamiento en
polarizacin
inversa
se
muestra
a
continuacin.
El valor de Vz es igual al voltaje Zener, por

su parte la resistencia dinmica del Zener es
muy pequea.
Suponiendo
que
las
resistencias externas al diodo Zener son
mucho mayores a la resistencia equivalente
del Zener (Rz), lo cual nos lleva a reducir
nuestro diodo Zener polarizado en inversa al
siguiente circuito equivalente:
24
(20 15V )
= 2.27 mA
2.2k
I Ri =
Por otro lado:
Siempre y cuando el voltaje con el que se

este polarizando sea mayor a Vz.
I RL =
15V
= 1.5mA
10k
Dado que la corriente de IRi = IRL + IZ

Circuitos de referencia
Despejando tenemos que:
Una de las principales aplicaciones del diodo
Zener, es su empleo como un generador de
voltaje de referencia fijo, para esto se tendr
que polarizar al diodo Zener con un voltaje
mayor a su voltaje Zener, una ventaja de este
circuito es que el voltaje de polarizacin
puede variar, sin embargo, el voltaje
resultante se mantendr constante.
Ejemplo 16.- Se desea saber cuales son las
posibles variaciones dentro del siguiente
circuito, el diodo Zener empleado es un
1N965B, cuyo voltaje de Zener nominal es de
15 V, calcule la corriente del circuito cuando:
1. Vi = 20 V
2. Vi = 18 V
IZ = IRi - IRL
IZ = 2.27 mA 1.5 mA = 0.77 mA.
Cuando Vi = 18V, tenemos las siguientes
condiciones:
Considerando que Vi es mayor que Vz, se
debe suponer que el diodo Zener debe estar
en la regin Zener, sin embargo se debe
tomar en cuenta el siguiente anlisis:
El voltaje al cual se polariza en inversa al
diodo esta determinado tambin por el divisor
de voltaje Ri y RL, calculando el Voltaje del
diodo Zener tenemos:
Vz =
Vi RL
18V 10k
=
= 14.75V
( RL + Ri ) 10k + 2.2k
Dado que el voltaje al que se polariza no es

igual al Vz nominal del diodo, no podremos
realizar ningn anlisis como un circuito de
referencia.
Solucin.- Considerando que Vi es mayor

que Vz, entonces nuestro diodo Zener
entrar a la regin de Zener. Con lo cual el
circuito resultante es el siguiente:
Para cuando Vi es de 20V, tenemos que:
Ejemplo 17.- Determinar el voltaje a la salida

del siguiente circuito:
Con Vsin = 0.5 Sen t.
25
Solucin.- De las hojas de especificaciones

de diodos Zener, obtenemos que el voltaje
Zener del diodo 1N961B es de 10V.
El voltaje a la entrada es igual a la suma de
la fuente de corriente directa y la fuente
senoidal.
VR = (2 +
1
Sent )V
2
Grficamente el voltaje en la resistencia R

(VR) ser:
El voltaje combinado a la entrada se muestra

a continuacin:
Finalmente la corriente en R se calcula como:
IR =
VR (2 + 0.5Sent )V
=
IR
4.7k
I R = (425 + 106Sent ) A
Como se puede observar, este voltaje tiene

variaciones a la entrada, sin embargo el valor
del voltaje a la entrada siempre ser mayor a
los 10V, por lo cual el diodo estar en la zona
Zener. Para su anlisis el circuito se puede
reducir como sigue:
Podemos observar que la salida ser

constante y ser de un valor constante de
10V.
El voltaje en la resistencia se calcula a partir
de la diferencia de potenciales a la entrada y
en la salida:
V R = Vi VZ = (12 +
1
Sent )V 10V
2
De este circuito podemos observar que

aunque la entrada muestre variaciones en su
entrada a la salida se tendr una salida
constante o de referencia.
Generadores de onda cuadrada

El siguiente circuito es un generador de
ondas cuadradas, para esto se deber tener
una entrada lo suficientemente grande de tal
manera que su voltaje se mucho mayor que
el voltaje del diodo Zener empleado.
El diodo Zener 1N751A es un diodo cuyo Vz

es de 5.1V.
Supongamos
entrada:
que
tenemos
la
siguiente
26
Analizando el primer lbulo tenemos la

siguiente polarizacin para los diodos Zener:
En este instante la salida ser Vz (5.1V),

cuando la entrada vuelve a bajar de nivel y
Vi < Vz, entonces la salida volver a ser Vi.
Para el lbulo negativo se aplica un anlisis
similar, de tal manera que la onda resultante
Podemos observar que el diodo DZ1 se

polariza en directa, en esta zona de
polarizacin el diodo se comporta como un
diodo normal, as que podemos asumir que
se trata de un cortocircuito; por su parte el
diodo DZ2 se polariza en inversa, sin
embargo aqu hay una condicin extra,
mientras el voltaje de polarizacin sea menor
a Vz (que en este caso es de 5.1V), este
diodo se comportar como un circuito abierto,
esto se muestra en la siguiente figura:
Regulador de voltaje
Con lo anterior el voltaje a la salida (Vo), ser

el mismo que el de la entrada (Vi).
Dado que el diodo Zener provee de un voltaje

estable
cuando
se
le
polariza
apropiadamente, es muy comn su uso para
la regulacin de voltaje en circuitos con carga
ligera (poca demanda de corriente), la
capacidad del diodo Zener da oportunidad a
obtener voltajes constantes a la salida ante
variaciones de la carga.
Cuando el voltaje a la entrada supera el

voltaje de Zener del diodo DZ2 est se
comportar como una fuente de referencia de
5.1V, como se ocurre en el siguiente circuito:
Es importante recalcar que se debe asegurar

que el diodo Zener se encuentre a su
potencial de Zener (Vz) para poder ofrecer
una buena regulacin.
27
Ejemplo 18.- Determinar el mnimo voltaje a

la entrada en el cual nuestro diodo DZ
1N951B (Vz = 10V) se enciende en el
siguiente circuito:
A su vez VRL = VZ = 10V.

Para determinar la corriente en la carga se
tiene lo siguiente:
I RL =
V RL 10V
=
= 0 .1 A
RL 100
Para calcular IRi tendremos que:
I Ri =
Vi Vz 100V 10V
=
= 0 .9 A
Ri
100
Solucin.- Sabemos que el potencial Zener

del diodo 1N951B es de 10V, sin embargo no
sabemos cual es la entrada.
Por la ley de Kirchoff de corrientes tenemos

que:
Por divisor de voltaje tenemos que:
IRi = Iz + IRL
VZ =
RL Vi
RL + Ri
Despejando Iz tenemos que:
Iz = I Ri I RL = 0.9 A 0.1A = 0.8 A
Despejando Vi tenemos que:
Vi =
Vz ( RL + Ri ) 10V (100 + 100)

=
RL
100
Ejemplo 20.- Para el siguiente circuito

determine el rango de IL que har que VL se
mantenga en 10V.
Vi = 10V (2) = 20V

Por lo cual podemos concluir que el mnimo
voltaje de entrada para que nuestro diodo
pueda conducir ser de 20V.
Ejemplo 19.- Determinar las corrientes del
ejemplo anterior considerando Vi = 100V.
Considere:
Izmin= 0 mA
Izmax = 32 mA
Para calcular RLmin, tenemos que suponer
que el voltaje en el divisor de voltaje Rs y RL
es de 10V:
Solucin.- Dado que el voltaje mnimo a la

entrada para encender nuestro diodo es de
20V, podemos asegurar que nuestro diodo
Zener esta encendido.
De lo anterior
Vz = 10V.
podemos
asegurar
que
V L = VZ =
(Vi )( RLmin )
= 10V
( RLmin + RS )
Despejando RLmin, tenemos:
28
RLmin =
V L RS
10V 1k
=
= 250
(Vi VL ) (50V 10V )
Bajo esta condicin la corriente que circula

en RL ser mxima:
ILmax =
Vz = 220 V
Iz = 15 mA
IL = 25 mA
Problema 17 .- Determine RLmin y RLmax,
para el siguiente circuito:
10V
Vz
=
= 40mA
RLmin 250
Cuando tenemos la condicin de Izmax,

implica que la corriente en la carga ser la
mnima, pero tambin por otro lado por las
leyes de Kirchoff tenemos que:
IRS = IZ + IL
Dado que el diodo Zener se mantiene
activado IRS ser constante como se muestra
a continuacin:
I RS
(Vi Vz ) (50V 10V )

=
=
= 40mA
Rs
1k
De lo anterior tenemos que:
I RS = Iz max ILmin
despejando ILmin tenemos que:
ILmin = I RS Iz min = 40mA 32mA = 8mA

Finalmente la resistencia mxima de la
carga:
Rmax =
10V
Vz
=
= 1.25k
ILmin 8mA
Problema 16.- Determine Rs, IRS, y RL, para

el siguiente circuito
Si:
Vi = 300 V
Con los siguientes datos:

Vi = 340 V
Vz = 220V
Rs = 1.5 k
Adems la corriente del diodo Zener deber
estar en el siguiente intervalo:
3mA Iz 50mA
29
El Transistor
y su smbolo electrnico es:
El transistor es un dispositivo electrnico
formado por tres capas de semiconductores
que constan de dos capas de material tipo N
y una capa intermedia de material
semiconductor tipo P, esta configuracin se
le llama NPN, o bien por dos capas de
material semiconductor tipo P y una capa
intermedia de material semiconductor tipo N,
a esta configuracin se le conoce como PNP.
Las capas exteriores del transistor estn

fuertemente
contaminadas
y
sus
dimensiones son mayores que el material
intermedio como se muestra en la figura
anterior. Dado que la contaminacin del
material central es mucho menor, el nmero
de portadores libres es menor lo cual implica
que su conductividad es menor.
Operacin bsica
El transistor consiste de tres terminales:
colector, base y emisor, para el caso de los
transistores tipo npn tendremos:
Su smbolo
continuacin:
electrnico
se
Para el caso de los pnp, se tiene:
muestra
Empleando el transistor pnp, explicaremos su

operacin bsica.
En la figura anterior observamos que el

transistor pnp, ha sido polarizado nicamente
con polarizacin emisor-base (VEB) y sin
polarizacin base-colector (VBC). Para este
caso vemos que la unin PN se polarizara en
directa, lo cual hace que la zona de
agotamiento de la unin disminuya, lo cual
implica tambin un flujo de corriente del
material tipo P al tipo N.
Para la polarizacin anterior el transistor

ahora tiene polarizacin base-colector (VBC),
mientras que la no hay polarizacin en la
unin emisor-base. Para este caso la unin
base-colector se polariza en inversa, de esta
forma la regin de agotamiento aumenta en
esta unin, lo cual implica una mayor
resistencia al flujo de corriente, solo existe
una pequea corriente inducida por la zona
de agotamiento.
Si
aplicamos
ambas
polarizaciones
obtendremos que una unin del transistor se
polariza en inversa, mientras que la otra se
polariza en directa:
30
Aplicando la ley de Kirchhoff tenemos que:
I E = IC + I B
De este modo encontraremos dos zonas de

agotamiento en ambas uniones, sin embargo
ambas estn en condiciones inversas,
mientras que la unin emisor-base esta
polarizada en directa, la unin base-colector
se polariza en inversa, con esto la zona de
agotamiento de la unin emisor-base es
angosta, la zona de agotamiento de la unin
base-colector es ms ancha.
Sin embargo la corriente del colector, se

compone de dos partes, la corrientes de
portadores mayoritarios y la corriente de
portadores minoritarios, a esta ultima, se le
conoce como corriente de escape (ICO). Esta
corriente es del orden de los microamperios o
nanoamperios, en la mayora de los casos
sus efectos pueden ser ignorados, salvo en
aquellos con amplias variaciones de
temperatura.
I C = I Cmayoritaria + I CO min oritaria

La relacin de pequeos cambios de IC en
proporcin a pequeos cambios de IE se
denomina factor de amplificacin de
cortocircuito, de base comn y se le da el
smbolo de .
Un gran nmero de portadores fluirn a

travs de la unin polarizada en directa
(emisor-base) hasta el material tipo n, dado
que el material tipo n, es muy delgado y su
conductividad es baja, un pequeo nmero
de portadores de carga tomar ruta hacia la
terminal de la base, esta corriente es del
orden de microamperios, que resulta mucho
menor a la corriente que fluye entre el emisor
y el colector. La mayor parte de este flujo de
portadores provienen de la zona de
agotamiento de la unin polarizada en
inversa (base-colector) e irn al material tipo
p, conectado en la terminal del colector.
I C
I E
VBC = cons tan te
El valor tpico de es muy prximo a la

unidad (0.9 ~ 0.998). Una forma de obtener
el valor de , es la siguiente ecuacin:
IC
IE
nos indica el porcentaje de huecos

(portadores mayoritarios) que se originan en
el material tipo p del emisor y que llegan a la
terminal del colector.
I C = I Emayoritario + I CO min oritario

Con el fin de acercar a a la unidad, la
regin de la base del transistor se debe
construir lo ms estrecho posible.
Por otro lado sabemos que:
I E = IC + I B
Despreciando la corriente de escape (ICO),
tenemos que:
31
IC
= IC + I B
Despejando IC, obtenemos que:
IC = I B (
o bien:
IC = I B
En consecuencia, cuando el transistor bipolar
est funcionando en modo activo se
comporta como una fuente ideal de corriente
constante en la que controlando la corriente
de base IB podemos determinar la corriente
de colector IC, siendo la constante un
parmetro particular de cada transistor
bipolar, denominado ganancia de corriente
en emisor comn y cuyo valor, en contraste
con el de , que es cercano a la unidad y
difcil
de
medir,
est
comprendido
tpicamente en un rango que va de 100 a
600, aunque puede ser tan elevado como
1000 en determinados dispositivos activos
muy especficos.
Adems, pequeos cambios en el valor de
se corresponden con grandes variaciones en
el valor de . Por todo ello, el parmetro es
el ms utilizado en el anlisis y diseo de
circuitos basados en transistores bipolares.
Como podemos observar en la figura, los

potenciales aplicados en la configuracin
base comn siempre sern referidos a la
base, por lo cual tenemos: Veb y Vcb. En
otras palabras el segundo subndice siempre
indicar la configuracin del transistor. Para
nuestro transistor pnp, tendremos que el
potencial Veb es positivo y el potencial Vcb
es negativo.
En el caso de un transistor npn, observamos

que Veb es negativo y Vbc es positivo.
La curva caracterstica de esta configuracin
De esta forma, el valor de la corriente de

emisor IE en un transistor bipolar funcionando
en modo activo puede expresarse como
I E = I B ( + 1)
Dado que >> 1, podemos considerar que:
I E IC
Configuraciones del transistor
Base comn
En esta configuracin la base es un punto
comn tanto para el emisor, como al colector.
Esto se muestra en la siguiente figura:
Podemos encontrar tres zonas en la curva:

La zona de saturacin, la zona de corte y la
zona activa.
En la regin activa la unin del colector es
polarizada en forma inversa mientras que la
unin del emisor se polariza en forma directa,
la regin de activa se utiliza para
32
amplificacin de sonidos con una distorsin

mnima. Cuando la corriente del emisor (Ie)
es cero la corriente del colector se deber
nicamente a la corriente inversa de
saturacin ICO, dado que esta corriente tiene
valores del orden de microamperios puede
considerarse como cero.
un rango de valores de entrada (Ib). Como se

muestra en la figura a continuacin:
En la regin de corte ambas uniones del

transistor estn polarizadas en sentido
inverso, lo cual produce una corriente de
colector despreciable.
En la regin de saturacin ambas uniones del
transistor estn polarizadas en directa, lo
cual genera un crecimiento exponencial de la
corriente en el colector con incrementos
pequeos en el voltaje colector base (Vcb).
Emisor comn
Esta es una de las configuraciones ms
frecuentes, su denominacin se debe a que
el emisor resulta comn tanto a las
terminales de la base como a la terminal del
colector.
En la grfica tenemos que la magnitud de Ib

esta en el orden de microamperios, mientras
Ic es del orden de miliamperios. Otra
caracterstica es que las curvas de Ib no son
tan horizontales como las que se obtienen en
las curvas de Ie en la configuracin base
comn, para este caso la magnitud del
voltaje colector emisor influenciar en la
magnitud de la corriente del colector Ic.
En la zona activa la unin del colector est
polarizado en inversa, mientras que la unin
del emisor esta polarizado en directa. La
zona activa de esta configuracin (emisor
comn), se puede emplear para la
amplificacin de corriente, voltaje potencia.
Para un transistor tipo pnp, la configuracin

emisor comn tendr esta forma:
La zona de corte se localiza bajo la curva

para Ib=0, sin embargo podemos observar
que aun as existe corriente en el colector,
esta corriente se define como:
I C = I CEO =
I CO
1
Ib = 0
Puesto que ICEO es del orden de

microamperios, la zona de corte existir
cuando se emplea el transistor para fines de
conmutacin, cuando Ib = 0.
Colector comn
Para esta configuracin las caractersticas de

salida es una grfica del voltaje de salida
(Vce) versus la corriente de la salida (Ic) para
La configuracin colector comn se utiliza

principalmente
para
acoplamiento
de
impedancias ya que posee una impedancia
alta a la entrada y una impedancia baja a la
salida, en oposicin a los mismos valores
33
para las configuraciones base comn y

emisor comn.
propias del dispositivo, tal informacin la

podremos
encontrar
en
las
curvas
caractersticas del dispositivo, si por ejemplo
analizamos la respuesta de un transistor TBJ
en configuracin emisor comn, veremos la
siguiente curva:
La figura anterior muestra la configuracin

colector comn para un transistor npn.
Consideremos 4 puntos de inters (A, B, C y

D), los cuales los localizaremos en varias
zonas de las curvas caractersticas:
Las curvas caractersticas de esta configuracin

son similares a las de la configuracin emisor
comn, lo nico que varia es que se graficar IE
versus VEC para valores de IB constantes.
Polarizacin de los transistores TBJ

Las aplicaciones del transistor TBJ son muy
variadas van desde la amplificacin de
voltaje y corriente hasta aplicaciones de
control (on o off), lo primero que se necesita
realizar en el transistor es polarizar el
dispositivo, la razn principal de polarizar el
transistor es que este conduzca, y ponerlo en
una regin de su curva caracterstica donde
su operacin sea ms lineal.
La polarizacin en si se trata de poner al
dispositivo en un punto de operacin lineal,
para este punto se deber tener una
corriente especifica al igual que un voltaje
especifico, en ambos casos se les conoce
como voltaje de operacin (VQ) y corriente de
operacin (IQ).
Para obtener el punto de operacin (VQ, IQ),
se debe poner atencin en las caractersticas
La regin de operacin es el rea de

corriente y voltaje, comprendida dentro de los
limites del dispositivos, podemos observar
que los lmites son el voltaje mximo, la
corriente mxima y la potencia mxima
disipada (producto de la corriente por el
voltaje). Un transistor TBJ puede polarizarse
fuera de esta rea, sin embargo, esto
producir una vida de operacin reducida, o
bien la destruccin inmediata del transistor.
De tal forma que es recomendable, localizar
puntos de operacin dentro de esta rea.
En la grfica anterior tenemos que el punto A
nos representa al dispositivo sin polarizar, el
cual esta completamente cortado. Se
necesita polarizar al dispositivo para que
34
pueda responder a cambios de corriente o

voltaje a partir de una seal de entrada. Para
el punto B, los puntos de operacin permiten
una operacin mas adecuada del dispositivo,
en caso que se este empleando una seal
pequea a la entrada, el dispositivo podr
funcionar como amplificador, dependiendo de
su uso, y puede que con esta seal el
dispositivo no alcance las zonas de corte o
saturacin. Si por el contrario la seal de
entrada es lo suficientemente grande, el
dispositivo podr alcanzar la zona de corte o
la de saturacin, cuando se llega a la zona
de corte el transistor no conducir. En
saturacin el voltaje del transistor es muy
pequeo y la corriente en el dispositivo
alcanza un valor lmite o de saturacin
delimitado por los componentes externos. Un
amplificador ideal deber funcionar dentro de
la zona de operacin, fuera de la zona de
corte y de saturacin.
En el punto C el transistor permite
variaciones positivas y negativas, sin
embargo su voltaje a la salida no puede
decrecer mucho dado que a que la
polarizacin en voltaje de C es menor que el
punto B. Adems, su corriente de operacin
es mucho menor, en este punto la ganancia
del circuito se encuentra en una zona muy
limitada, por lo cual puede caer dentro de las
zonas de corte o de saturacin cuando la
entrada exceda cierto valor, lo cual provocar
una ganancia no lineal, por lo cual es
preferible trabajar en un punto en la regin de
operacin en el cual la ganancia sea ms
lineal.
polarizacin. Para evitar esto el circuito de

polarizacin debe tener cierta estabilidad a la
variacin de temperatura, con el fin de evitar
variaciones en el punto de operacin debido
a la temperatura.
Circuito de polarizacin Base Comn

En esta configuracin, la localizacin del
punto de operacin es muy fcil, la siguiente
figura muestra una configuracin base
comn, podemos observar que la base es
referencia tanto a la entrada (emisor), como a
la salida (colector).
Si recordamos la curva caracterstica de esta

configuracin tendremos lo siguiente:
Finalmente el punto D est localizado muy

prximo al valor del voltaje mximo, lo cual
limita al voltaje a la entrada.
Como se puede observar el mejor punto de
operacin se localiza en B, aqu podemos
obtener mejores variaciones de voltaje y de
corriente, y por consiguiente una mejor
ganancia lineal.
Otro factor que se debe tomar en cuenta al
momento de polarizar un transistor es la
temperatura. La temperatura hace que las
caractersticas de ganancia de corriente, as
como la corriente de escape del transistor
cambien. A mayor temperatura aumenta el
flujo de corriente en el transistor, lo cual
afecta el punto de operacin del circuito de
Lo primero que podemos observar es que la

corriente de colector o de salida IC,
corresponde casi al valor de la corriente del
emisor o de entrada IE, esta relacin esta
dada por:
IC = I E
Donde tiene un valor tpico de 0.9 a 0.998.
El punto de operacin de esta configuracin
35
Donde Vee es la fuente de alimentacin de la

seccin de entrada, Re es bsicamente una
resistencia limitadora de la corriente del
emisor y Vbe es el voltaje base-emisor (0.3
Voltios para Germanio y 0.7 Voltios para
Silicio).
En el caso del anlisis de la salida se tiene lo
siguiente:
De la grfica anterior podemos ver que el

punto de operacin se determino para:
VCBQ =
Vcc
2
A su vez podemos ver que la corriente a la

salida se puede determinar de:
I CQ =
Vcc VCBQ
Rc
Con lo anterior podemos ver que este

transistor est dentro de la regin lineal de
ganancia.
Un anlisis de esta configuracin nos lleva a
observar tanto la entrada como la salida. De
tal forma que a la entrada tendremos lo
siguiente:
En este caso se tiene una batera (Vcc), la

resistencia de carga Rc y el voltaje de la
unin colector-base. Para poder operar esta
configuracin como amplificador la unin
colector-base se debe polarizar en inversa.
Aplicando la ley de voltaje de Kirchhoff se
tiene que para esta rama del circuito:
Vcc Ic Rc Vcb = 0
Despejando el voltaje colector-base se tiene
lo siguiente:
Vcb = Vcc Ic Rc
Dado que la corriente de colector IC es
aproximadamente de la misma magnitud que
la corriente del emisor IE, podemos afirmar
que:
Ic Ie
Para poder solucionar esta configuracin se
recomiendan los siguientes pasos:
Empleando ley de voltaje de Kirchhoff
tenemos que:
Vee + Veb Ie Re = 0
De lo anterior obtenemos que la corriente del
emisor se calcula:
Ie =
Vee Vbe
Re
1. Determinar el voltaje Vbe para el

transistor en cuestin (0.7 V para
silicio y 0.3V para germanio).
2. Calcular la corriente del emisor Ie
mediante:
Ie =
Vee Vbe
Re
3. El valor de la corriente del colector es

aproximadamente la misma que la
corriente del emisor, de tal forma
que:
36
Ic Ie
4. Se calcula el voltaje colector-base
mediante:
En el caso del voltaje mximo de Vcb ser

igual a Vcc = 9V.
La grfica se muestra a continuacin:
Vcb = Vcc Ic Rc
Ejemplo 21. Calcule los voltajes de
polarizacin, as como las corrientes de
colector y emisor, para el siguiente circuito
que contiene un transistor npn de silicio,
adems realice la localizacin del punto de
operacin en una grfica de su regin de
operacin:
Tambin es posible obtener el valor de Ic a

partir de un valor de Vcb, a partir de la
siguiente ecuacin:
Ic =
Solucin: Dado que estamos empleando un
transistor de silicio el valor de Vbe es de 0.7
Voltios.
Ejemplo 22. Obtener los valores de Ic, del

ejemplo anterior a partir de los siguientes
valores de Vcb:
Para obtener la corriente del emisor se

emplea la ecuacin:
Ie =
Vee Vbe 9V 0.7V

=
= 2.075mA
Re
4 K
Dado que
a. 8V
b. 6V
c. 2V
Solucin: Sabemos que Vcc = 9V, y Rc =
2.4 K, empleando la ecuacin:
Ic Ie , tenemos que:
Ic = 2.075mA
Para el clculo del voltaje colector-base,

tenemos lo siguiente:
Vcc Vcb
Rc
Ic =
Vcc Vcb
Rc
a.-
Ic =
9V 8V
= 416 A
2 .4 K
Vcb = 4.02V
b.-
Ic =
9V 6V
= 1.25mA
2 .4 K
Finalmente para ver la grfica del punto de

operacin tenemos que el valor de corriente
de colector mxima se calcula como:
c.-
Ic =
9V 2V
= 2.916mA
2 .4 K
Vcb = Vcc Ic Rc = 9V (2.075mA 2.4 K )
I C max =
Vcc
9V
=
= 3.75mA
Rc 2.4 K
Ejemplo 23.- Calcule el voltaje de operacin

Vcb y la corriente del colector Ic para el
siguiente circuito de configuracin base
37
comn, con un transistor npn. El valor de Vbe

es de 0.7 V y = 0.985, adems grafique el
punto de operacin.
Solucin.- Lo primero que se debe

determinar es el voltaje Vbe, que para este
caso es de 0.7 V, a partir de esto podemos
calcular Ie:
Ie =
En
IC
Vee Vbe 1.5V 0.7V

=
= 1.11mA
Re
720
caso = 0.985,
= I E , tenemos que:
este
dado
que
Ic = Ie = 0.985 1.11mA = 1.09mA

El voltaje colector-base:
Vcb = Vcc Ic Rc = 9V (1.09mA 3.9 K)

Vcb = 4.749V
Para graficar debemos determinar sus puntos
mximos, en el caso de Vcb, tenemos que el
mximo es Vcc = 9V.
En el caso de Ic, tenemos que el valor
mximo es el siguiente:
I C max =
Vcc
9V
=
= 2.3mA
Rc 3.9 K
Problema 18.- Calcule el voltaje colector

base para el circuito del ejemplo anterior,
teniendo en cuenta que sus componentes
son los siguientes: Re = 1.8 K, Rc = 2.7
K, Vee = 9V, Vcc = 22V, = 0.995 y Vbe =
0.7 V.
Realice adems su grfica del punto de
operacin, finalmente determine la corriente
a la salida para los siguientes valores de Vcb:
a) 5 Voltios
b) 10 Voltios
c) 15 Voltios.
Problema 19.- Realice el anlisis del punto
de operacin del problema anterior mediante
SPICE, de tal forma que se determine el
voltaje colector-base de operacin (VCBQ) y la
corriente de colector de operacin (ICQ).
Configuracin Emisor Comn
Una conexin muy popular para amplificar,
implica que la seal de entrada se conecte a
la base, mientras que el emisor vaya
conectado como terminal comn, a diferencia
de la configuracin base-comn, en la emisor
comn, solo se necesita una fuente de
alimentacin, debemos recordar que para
amplificar en un transistor, la unin emisorbase deber polarizarse en directa, mientras
que la unin base-colector debe polarizarse
en inversa, para este caso con una fuente de
alimentacin es suficiente.
38
Debemos
recordar
que
las
curvas
caractersticas de esta configuracin son las
siguientes:
Aplicando la ley de Kirchhoff para esta rama

del circuito tenemos:
Vcc Ib Rb Vbe = 0
Despejando
obtenemos:
la
corriente
Ib =
de
base
Ib,
Vcc Vbe
Rb
Seccin de salida
La seccin de salida para esta configuracin
ser la mostrada a continuacin:
Se recomienda tener el punto de operacin

dentro de la zona activa, tratando de evitar
tener el punto cerca de la zona de corte o la
zona de saturacin.
Para poder determinar el punto de operacin
de un circuito con emisor comn deberemos
analizarlo en dos partes:
Seccin de entrada
La seccin de entrada la asociamos al
circuito base-emisor, que se muestra a
continuacin:
En esta rama la corriente del colector se

considera prcticamente la misma que la
corriente en el emisor, como se ha visto
anteriormente, sin embargo, la corriente del
colector se relaciona con la corriente de base
mediante la ganancia de corriente del
transistor, beta ():
Ic = Ib
Cabe recordar que esta relacin es
independiente de cualquier resistencia en el
colector.
39
Calculando las cadas de voltaje en la

seccin de salida, obtenemos:
Vcc Ic Rc Vce = 0
Ib =
Vcc Vbe 12V 0.7V

= 51.3A
=
Rb
220 K
Corriente en el colector:
Ic = Ib = 60(51.3A) = 3.08mA
Despejando Vce:
Vce = Vcc Ic Rc
La ecuaciones anteriores de la seccin de
salida sern validas, siempre y cuando el
transistor no tenga su punto de operacin
dentro de la seccin de saturacin, para
evitarlo debemos tomar en cuenta que la
corriente en el colector Ic, deber ser menor
al valor mximo de corriente, esto se debe
satisfacer de tal manera que:
Ic <
Vcc
Rc
Cabe recordar que cuando se tiene una

corriente mxima (de saturacin), el voltaje
colector-emisor
de
saturacin
ser
prcticamente 0 Voltios.
Aunque el transistor tambin puede funcionar
bajo condiciones de corte y saturacin, en
aplicaciones de control, lgica digital y otras
aplicaciones, cuando se desee su uso para
amplificacin deberemos tratar de evitar
estas situaciones.
Voltaje colector-emisor:
Vce = Vcc Ic Rc = 12V 3.08mA( 2.2 K)
Vce = 5.22V
La corriente de saturacin, para este circuito
ser el siguiente:
Ic SAT
Vcc
12V
=
= 5.45mA
Rc 2.2 K
Como podemos observar nuestra corriente

del punto de operacin es menor a la
corriente de saturacin del colector, con lo
cual podemos asegurar que se encuentra en
la zona de ganancia lineal.
Finalmente la regin de operacin para este
circuito tendr como lmites:
a) Icmax= Icsat= 5.45 mA
b) Vcemax= Vcc= 12 V
Ejemplo 24.- Determine el punto de

operacin del siguiente circuito, considerando
a Vbe = 0.7 V y = 60
Solucin.- Clculo de la corriente de base:
Ejemplo 25.- Determine el punto

operacin para el circuito mostrado:
de
40
Considerar a Vcc = 9V, Vbe = 0.7V, Rc =

1.5K, Rb = 150K y = 100.
Solucin.- Corriente de base:
Ib =
Vcc Vbe 9V 0.7V

=
= 55.3A
Rb
150 K
Ic = Ib = 100(55.3A) = 5.53mA
Vce = Vcc Ic Rc = 9V 5.53mA(1.5 K)
Vce = 0.705V
Para este caso podemos observar como

nuestro circuito est polarizado muy cerca de
la zona de saturacin, con lo cual podemos
afirmar que no es muy recomendable para
amplificacin, ya que ante variaciones de la
seal de entrada considerables, el transistor
estar en la zona de saturacin.
Problema 20.- Determine el punto
operacin para el circuito mostrado:
de
Corriente de saturacin:
IcSAT
Vcc
9V
=
= 6mA
Rc 1.5 K
En este circuito podemos observar que la

corriente en el punto de operacin est muy
cercana a la zona de saturacin, esto
tambin se ve reflejado en el voltaje colectoremisor, cuyo valor es muy cercano a cero.
La grfica del punto de operacin para este
circuito se muestra a continuacin:
Considerar a Vcc = 12V, Vbe = 0.7V, Rc =

1.8K, Rb = 250K y = 70.
Estabilizacin de la polarizacin
El circuito emisor comn, presentado
anteriormente ofrece una buena ganancia
como amplificador, sin embargo presenta
dificultades cuando se varia la temperatura,
esto se ve reflejado del hecho que la
41
ganancia de corriente del transistor

aumenta con la temperatura, una de las
principales manifestaciones es la variacin
del punto de operacin con la temperatura.
Con el fin de estabilizar la polarizacin se
debe agregar una resistencia en el emisor.
esta resistencia deber cumplir la siguiente
condicin con el fin de estabilizar la
polarizacin:
( + 1) >>
Rb
Re
Siendo >> 1.
Circuito con resistencia en el emisor
Como vimos el agregar una resistencia en el
emisor aumenta la estabilidad en el circuito
emisor comn, con lo cual nuestro nuevo
circuito tendr el siguiente arreglo:
Haciendo un anlisis mediante la ley de

voltajes de Kirchhoff, para esta seccin,
tenemos lo siguiente:
Vcc Ib Rb Vbe Ie Re = 0
Sustituyendo a Ie por ( +1)Ib y despejando la
corriente de base de la ecuacin anterior
tenemos:
Ib =
Vcc Vbe
Rb + ( + 1) Re
Seccin de salida
La rama de la seccin de salida se conforma
de los siguientes componentes:
Para poder analizar este circuito se debe

analizar en dos secciones:
Seccin de entrada
Esta seccin se muestra a continuacin:
El anlisis de esta seccin nos da la

siguiente ecuacin:
Vcc Ic Rc Vce Ie Re = 0
42
Considerando que:
Ic Ie
Obtenemos que el voltaje colector-emisor se
calcula como:
Vce Vcc Ic( Rc + Re)

Ejemplo 26.- Determinar el punto de
operacin del siguiente circuito, considere
= 100 y Vbe = 0.7V:
En el caso de la corriente de colector, el

mximo se obtiene cuando Vce = 0, para
este caso la corriente de saturacin se
calcula:
Icmax = IcSAT =
Vcc
Rc + Re
Para nuestro caso:
Icmax =
20V
= 6.66mA
2 K + 1K
Para el mximo del voltaje colector-emisor,

este ocurrir cuando Ic = 0, en este caso el
voltaje colector-emisor mximo es igual a
Vcc, que en nuestro caso Vcc = 20V.
De lo anterior se obtiene la siguiente grfica
para el circuito en cuestin.
Solucin.
Corriente de base:
20V 0.7V
Vcc Vbe
=
Rb + ( + 1) Re 400 K + (101)1K
Ib = 38.5A
Ib =
Corriente de colector:
Ic = Ib = 100(38.5A) = 3.85mA
Corriente de emisor:
Ie Ic = 3.85mA

Vce 20V 3.85mA(2 K + 1K)
Vce 8.45V
Para determinar los lmites en la lnea de
carga, se tiene lo siguiente:
Problema 21.-Determinar el punto

operacin para el siguiente circuito:
de
43
Para estos casos:

a) Vcc = 18V, Vbe = 0.7V, Rb = 47 K,
Rc = 500, Re = 750 y = 55.
b) Vcc = 10V, Vbe = 0.7V, Rb = 75 K,
Rc = 500, Re = 470 y = 80.
Circuito de polarizacin independiente de
En los circuitos de emisor anteriores, hemos

observado como la corriente y el voltaje del
colector dependen de la ganancia de
corriente (). Sin embargo el valor de b varia
con la temperatura, incluso varia de un
transistor a otro. El siguiente circuito cumple
con las condiciones de un circuito de
polarizacin independiente de las variaciones
de :
Se puede reducir
equivalente:
al
siguiente
circuito
Donde Vbb es el voltaje del divisor de voltaje:
Vbb =
Rb 2(Vcc)
Rb1 + Rb 2
Y Rbb es el paralelo de Rb1 y Rb2:
Rbb =
Anlisis del circuito
Para hacer un anlisis de la seccin de
entrada de este circuito, es necesario recurrir
a un circuito equivalente de Thevenin, as la
seccin de entrada que se muestra a
continuacin:
Rb1 Rb2
Rb1 + Rb 2
La cada de voltajes dentro de la seccin de

salida ser entonces:
Vbb Ib( Rbb) Vbe Ie(Re) = 0

En la ecuacin anterior podemos sustituir a Ie
por ( +1)Ib, de tal forma que al despejar Ib
obtenemos lo siguiente:
Ib =
Vbb Vbe
Rbb + ( + 1) Re
En la seccin de salida tenemos la siguiente

rama:
44
Rb 2(Vcc)
4 K(22V )
= 2V
=
Rb1 + Rb 2 40 K + 4 K
Vbb =
Resistencia equivalente de base (Rbb):
Rbb =
Rb1 Rb 2 40 K( 4 K)
=
= 3.63K
Rb1 + Rb 2 40 K + 4 K
Corriente de base (Ib):
Ib =
2V 0.65V
Vbb Vbe
=
Rbb + ( + 1) Re 3.63K + (121)1.5K
Ib = 7.29 A
La cada de voltajes en esta rama es la
siguiente:
Ic = Ib = 120 7.29 A = 0.875mA
Vcc Ic( Rc) Vce Ie(Re) = 0

Considerando que Ic Ie , al despejar Vce
de la ecuacin anterior tenemos:
Vce = Vcc ( Rc + Re) Ic
Corriente del emisor:
Ie Ic = 0.875mA
Voltaje colector-emisor (Vce):
Vce = Vcc ( Rc + Re) Ic
Finalmente la corriente en el colector es:
Vce = 22V (10 K + 1.5 K)0.875mA
Ic = Ib
Ejemplo 27.- Determine el
operacin del siguiente circuito:
punto
de
Vce = 11.93V
Para graficar el punto de operacin, primero
debemos determinar los lmites de operacin,
en el caso de la corriente, tenemos que la
corriente de saturacin ser:
Ic SAT =
Vcc
22V
=
= 1.91mA
Rc + Re 10 K + 1.5K
En caso del lmite de voltaje colector-emisor,

tenemos que Vcemax = Vcc = 22V.
De tal forma que la grafica del punto de
operacin para este circuito se muestra a
continuacin:
= 120 y Vbe = 0.65

Solucin.Voltaje equivalente de base (Vbb):
45
Problema 22.- Determinar el punto de

operacin del circuito de ejemplo 27 para los
siguientes valores de :
a) = 100
b) = 150
El anlisis de la cada de voltajes nos da la

siguiente ecuacin:
Vcc Ib Rb Vbe Ie Re = 0
Comentar cuanta fue la variacin del punto

de operacin, considerando como referencia
el valor obtenido del punto operacin en el
ejemplo 27 (11.93V, 0.875mA).
Utilizando la relacin de corriente:
Circuito de polarizacin para colector

comn.
Despejando Ib obtendremos la siguiente

ecuacin:
La tercera conexin para transistores tiene la

entrada por la base y la salida por el emisor
del circuito, esto implica que el colector sea
comn tanto a la entrada como a la salida,
como se muestra a continuacin:
Por el lado de la rama de entrada tenemos el

siguiente circuito:
Ie = ( + 1) Ib
Ib =
Vcc Vbe
Rb + ( + 1) Re
El circuito de la rama de la salida es el

siguiente:
Para esta rama el voltaje emisor-colector

ser:
Vec = Vcc Ie Re
46
Ejemplo 28.- Calcule el punto de operacin

del siguiente circuito, con los valores de =
50 y Vbe = 0.65V.
Finalmente la grfica para este circuito se

Solucin.Corriente de base:
Vcc Vbe
9V 0.65V
=
Ib =
Rb + ( + 1) Re 100 K + (51)2.2 K
Ib = 39.35A
Problema 23.- Determinar el punto de

operacin para el circuito mostrado en la
figura, sus componentes tienen los siguientes
valores: Rb = 220 K, Re = 1.8 K, Vcc =
9V, Vbe = 0.7V y = 100.
Ie = ( + 1) Ib = (51)39.35A = 2mA
Voltaje emisor colector:
Vec = Vcc Ie Re = 9V 2mA 2.2 K

Vec = 4.6V
Aqu cabe comentar que por lo general es
deseable disear el voltaje emisor-colector,
como la mitad de Vcc, en este caso podemos
observar que su valor es muy prximo a lo
deseado.
Lmites de operacin:
En el caso de la corriente de emisor:
IeSAT =
Vcc
9V
=
= 4.1mA
Re 2.2 K
Para el voltaje emisor-colector:
VecMAX = Vcc = 9V
Diseo de circuitos de polarizacin

Cuando se desea disear un circuito de
polarizacin a partir de un punto de
operacin se debe tomar en cuenta algunos
parmetros de diseo.
En el caso de tener resistencia en el emisor
con el fin de estabilizar, el voltaje del emisor
debe ser un dcimo de el voltaje Vcc:
47
VeQ =
1
(Vcc)
10
Cuando se tiene un divisor de voltaje en la

base con el fin de estabilizar las variaciones
de , el valor de Rb2, se calcula como sigue:
1
Rb 2 ( Re)
10
Ejemplo 29.- Determinar los valores de los
componentes del circuito mostrado en la
figura, a partir del siguiente punto de
operacin: corriente de colector 1mA y voltaje
colector-emisor 6V.
El valor de es de 150 y el valor de Vcc es
de 16V.
Vcc VceQ VeQ
Rc =
IcQ
(16 6 1.6)V
= 8 .4 K
1mA
Rc =
Corriente de base:
Ib =
IcQ
1mA
= 6.6 A
150
Voltaje de base:
VbQ = VeQ + Vbe = 1.6V + 0.7V = 2.3V

Determinar Rb2:
Rb 2
1
150(1.6 K)
( Re) =
= 24 K
10
10
Calculo de Rb1:
Sabemos que:
VbQ =
Rb 2(Vcc)
= 2.3V
Rb1 + Rb 2
despejando Rb1 tenemos:
Rb1 =
Rb2(Vcc VbQ )
VbQ
24 K(16V 2.3V )
2.3V
Solucin.-
Rb1 = 143K
Voltaje de emisor:
Problema 24.- Obtenga los valores de los

componentes para un circuito similar al
ejemplo 29, de tal forma que el punto de
operacin sea:
a) IcQ = 10mA y VceQ = 10V, Adems
Vcc = 22V y = 250.
b) IcQ = 2mA y VceQ = 10V, Adems
Vcc = 22V y = 80.
VeQ =
1
16V
(Vcc) =
= 1.6V
10
10
Resistencia de emisor:
Re =
VeQ
IcQ
1.6V
= 1 .6 K
1mA
Resistencia de colector:
49
Dispositivos y Circuitos Electrnicos.
Anlisis del transistor TBJ en seal

pequea
Este parmetro nos indica la impedancia en

cortocircuito.
Como se comento anteriormente un

transistor puede configurarse como un
dispositivo amplificador. Esto provoca que a
una seal pequea a la entrada podamos
generar una seal ms grande a la salida,
esta ganancia puede ser en corriente, voltaje
o bien en potencia.
Ahora bien, si I1 = 0, despejando h12 de la

primera ecuacin obtenemos que:
Para poder analizar el comportamiento de un

transistor en el uso de seales pequeas,
tendremos
que
emplear
circuitos
equivalentes.
Para comenzar a entender el uso de los
circuitos equivalentes, nos tenemos que
basar en la teora de dos puertos. Para el
dispositivo bsico de tres terminales se
muestra tanto la entrada como la salida.
Tenemos que observar que en ambos
puertos existen dos variables de inters.
h12 =
V1
V2
I 1= 0
Este parmetro hbrido nos indica la relacin

de transferencia de voltaje inversa, cuando la
corriente de la entrada es cero.
Empleando la segunda ecuacin, cuando
V2=0, tenemos que h21 ser:
h21 =
I2
I1
V 2 =0
Este parmetro se conoce como la relacin

de transferencia de corriente, con salida
cortocircuitada.
Finalmente si I1 = 0, en la segunda ecuacin
obtendremos que h22, ser:
h22 =
Para poder relacionar las cuatro variables en
cuestin
utilizamos
las
siguientes
ecuaciones:
V1 = h11 I 1 + h12V2
I 2 = h21 I 1 + h22V2
I2
V2
(Siemens )
I 1= 0
Este parmetro se conoce como parmetro

de conductancia de salida en circuito abierto.
Un circuito que se ajusta para la primera
ecuacin se muestra a continuacin:
Los parmetros que relacionan las cuatros

variables se denominan parmetros h, la
letra h, se deriva de la palabra hbrido. El
trmino hbrido fue escogido debido a la
mezcla de variables (v e i ) en cada ecuacin
que resulta en un conjunto hbrido de
medidas para los parmetros h.
Si hacemos V2= 0, despejando h11 de la
primera ecuacin:
h11 =
V1
I1
( )
V 2= 0
En el caso de la segunda
tendremos el siguiente circuito:
ecuacin
50
De los circuitos anteriores, podemos afirmar

que los parmetros h, correspondern a:
h11: Resistencia de entrada (hi).
h12: Relacin de transferencia inversa
de voltaje (hr).
h21: Relacin de transferencia directa
de corriente (hf)
h22: Conductancia de salida (ho).
Los valores tpicos de estos parmetros

variara de configuracin, a continuacin se
muestran algunos valores tpicos para las
tres configuraciones:
Parmetro
EC
hi
1 k
hr
2.5 10 4
50
hf
ho
25
A/V
1/ho
40 k
CC
1 k
BC
20 k
3 10 4
- 50
25
A/V
40 k
-0.98
0.5
A/V
2 M
Un anlisis de los valores anteriores nos

permite observar que los parmetros hr y ho,
son despreciables en comparacin de hi y hf.
La figura anterior muestra el circuito
equivalente hbrido completo del transistor, y
se aplica a cualquier configuracin. Sin
embargo, los parmetros h variarn
dependiendo de la configuracin empleada.
Con base en esto el modelo hbrido

equivalente para una configuracin emisor
comn puede simplificarse como se muestra
a continuacin:
As en el caso de una configuracin emisor

comn, tendremos lo siguiente:
O bien de la siguiente configuracin:
En el caso de una configuracin base comn,

el circuito resultante ser:
51
El modelo anterior se conoce como modelo

y sus valores se obtienen como se muestra a
continuacin:
gm =
R =
IC
VT
gm
En el caso de la configuracin base comn,

el circuito equivalente hbrido obtiene de la
siguiente configuracin:
Solucin.- El primer paso es hacer un

anlisis de corriente directa, para este caso
los capacitores C1 y C2, se consideran como
circuito abierto:
De lo cual se puede reducir al siguiente

circuito:
Para el calculo de la corriente del emisor
tenemos que:
IE =
Vee Veb 10V 0.7V

=
= 1.86mA
Re
5 K
Del modelo equivalente hbrido tenemos que:

Donde la resistencia de emisor se calcula
como:
re =
VT
Ie
Ejemplo 30.- Obtenga IE, V, i, Zi y Zo, para

el circuito mostrado a continuacin:
Calculo de la resistencia equivalente del
emisor:
re =
VT
26mV
=
= 13.97
I E 1.86mA
Entonces el circuito equivalente hbrido

completo se muestra a continuacin:
52
El voltaje a la salida se calcula mediante la

siguiente ecuacin:
Vo = Ic Rc = Ie Rc
El voltaje a la entrada se calcula de la
siguiente ecuacin:
Vi = Ie re
Solucin.Anlisis en corriente directa:
La ganancia de voltaje:
Corriente de base:
Vo Ie Rc Rc
=
=
Vi
Ie re
re
4 K
V =
= 286.32
13.97
La ganancia de corriente:
Ic = Ib = 50(46.5A) = 2.32mA
V =
i =
Io
1
Ii
Ib =
Vcc Vbe 10V 0.7V

= 46.5A
=
Rb
200 K
Corriente del emisor:
Ie Ic = 2.32mA
Dado que Ic = Ie.

Voltaje colector emisor:
Impedancia de salida:
Zo = Rc = 4 K
Impedancia de entrada:
Zi = Re re = 5 K 13.97 = 13.93
Vce = Vcc Ic Rc
Vce = 10V (2.32mA 2 K) = 5.35V
Anlisis en seal pequea:
Circuito equivalente:
De lo anterior podemos observar que:
Zi re
Esto es valido para un clculo rpido.
Ejemplo 31 .- Determine V, i, Zi y Zo para
el siguiente circuito:
Transconductancia del transistor:
53
gm =
r =
Ic 2.32mA
=
= 89.23mS
VT
26mV
gm
50
= 560.34
89.23mS
Calculo de r mediante otro mtodo:

Resistencia de emisor equivalente:
re =
VT
26mV
=
= 11.20
Ie 2.32mA
r = re = 50(11.2) = 560
por lo tanto podemos afirmar que:
ri = r = 560
Ganancia de voltaje:
Donde claramente podemos afirmar que:
Vi = Vbe
De tal forma que:
Vo Vbe gm Rc
=
= gm Rc
Vi
Vbe
V = 89.23mS (2 K) = 178.46
V =
Ganancia de corriente:
Analizando la salida observamos que:
Anlisis de la salida:
Io = Ic = Vbe gm
Podemos observar que:
Vo = Ic Rc
Analizando la entrada:
a su vez:
Ic = Vbe gm
Con lo cual:
Vo = Vbe gm Rc
Anlisis de la entrada:
En la malla de la entrada tenemos la
siguiente rama de circuito:
i0 = i1 + i2 = i Rb + ir =
Vi Vi
+
Rb r
Sin embargo vemos que Rb >> r , con lo

cual iRb<<ir , por lo cual podemos afirmar
que:
54
Ii I r =
Vi Vbe
=
r
r
La ganancia de corriente ser:
I =
Io Vbe gm
= gm r
=
Vbe
Ii
r
pero sabemos que:
R =
Solucin:
gm
Anlisis en corriente directa:
Por lo cual:
I = = 50
Corriente de base:
Ib =
Para nuestro caso:
20V 0.7V
Vcc Vbe
=
Rb + ( + 1) Re 400 K + (101)1K
Ib = 38.5A
Zi = Rb r = 200K 560 = 558.4
Para fines prcticos en este tipo de circuitos,

tendremos que:
Zi r
Ic = Ib = 100(38.5A) = 3.85mA
Ie Ic = 3.85mA
En este tipo de circuitos:
Zo Rc = 2k
Ejemplo 32. Determinar V, i, Zi y Zo para
el siguiente circuito, considere = 100 y Vbe
= 0.7V:

Vce 20V 3.85mA(2 K + 1K)
Vce 8.45V
Anlisis en seal pequea:
Circuito equivalente:
55
Calculo de r:
Ic 3.85mA
=
= 148mS
VT
26mV
gm =
r =
gm
100
= 675.3
148mS
Despejando Ii, tenemos:
Ganancia de Voltaje:
Ii =
De la rama de la salida tenemos que:
En la rama de la entrada tenemos que:
r Vi
r + ( + 1) Re
Despejando Vi, obtenemos:
Zi = Rb (r + ( + 1) Re)
Con lo cual la ganancia de voltaje ser:
Vo
gm Vbe Rc
=
Vi Vbe[r + ( + 1) Re]
gm Rc r
r + ( + 1) Re
148mS 2 K 675.3
V =
675.3 + (101)1K
V = 1.96
En el lado de la salida tenemos que:
Por su parte:
Vbe = Ib r
Con lo cual:
Io = Ib r gm
Zi Rb ( + 1) Re
Si >> 1, entonces la ecuacin se reduce a:
V =
Io = Ic = Vbe gm
Io
gm r Rb
=
Ii Rb + r + ( + 1) Re
148mS 675.3 400 K
I =
400 K + 675.3 + (101)1K
I = 79.7
I =
Vbe[r + ( + 1) Re]
Vi =
r
V =
Ib[Rb + r + ( + 1) Re]
Rb
Finalmente:
Vo = gm Vbe Rc
Vbe =
Ii ( Rb)
Rb + r + ( + 1) Re
Ib =
Zi Rb Re
Zi 400 K (100)1K
Zi 80 K
Zo Rc = 2 K
56
Ejemplo 33.- Determinar V, i, Zi y Zo para

el siguiente circuito, considere = 50 y Vbe =
0.65V:
Ganancia de voltaje:
En la salida del circuito observamos que:
Vo = Ie Re = Vbe gm Re
Por otra parte en la entrada tenemos que:
Solucin:
Anlisis en corriente directa:
Vbe =
Corriente de base:
Vcc Vbe
9V 0.65V
Ib =
=
Rb + ( + 1) Re 100 K + (51)2.2 K
Ib = 39.35A
r Vi
r + ( + 1) Re
Despejando Vi, obtenemos:
Vi =
Vbe[r + ( + 1) Re]
r
Con lo cual la ganancia de voltaje ser:

Ie = ( + 1) Ib = (51)39.35A = 2mA
Voltaje emisor colector:
Vec = Vcc Ie Re = 9V 2mA 2.2 K

Vec = 4.6V
Anlisis del circuito equivalente:
gm =
r =
Vo
gm Vbe Re
=
Vi Vbe[r + ( + 1) Re ]
r
gm Re r
76.9mS 2.2 K 628
V =
=
r + ( + 1) Re
628 + (51)2.2 K
V = 0.94
V =
En el lado de la salida tenemos que:
Ie
2mA
=
= 76.9mS
VT 26mV
Io = Ie = Vbe gm
Por su parte:
gm
50
= 628
76.9mS
Con lo cual el circuito equivalente se

conforma por los siguientes componentes:
Vbe = Ib r
Con lo cual:
Io = Ib r gm
Ii ( Rb)
Rb + r + ( + 1) Re
Ib =
Despejando Ii, tenemos:
Ii =
Ib[Rb + r + ( + 1) Re]
Rb
Finalmente:
Io
gm r Rb
=
Ii Rb + r + ( + 1) Re
76.9mS 628 100 K
I =
100 K + 628 + (51)2.2 K
I = 22.7
I =
Zi = Rb (r + ( + 1) Re)
Zi = 100 K (628 + (51)2.2 K)
Zi = 53K
Zo =
r Re
( + 1)
Zo =
628 2.2 K
51
Zo = 12.24
57

Apuntes Dispositivos Electrónicos

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UNIVERSIDAD NACIONAL AUTONOMA DE

DIODO Y TRANSISTOR TBJ

AUTOR: ING. JESS MARA FRANCISCO HERNNDEZ

Dispositivos y Circuitos Electrnicos

TEORA DEL SEMICONDUCTOR

Figura2 Semiconductor tipo N.

Figura3 Semiconductor tipo P.

Figura1 Estructura del cristal de silicio

La conductibilidad del tipo P en los

Dispositivos y Circuitos Electrnicos

Grupo III) como el boro al silicio. En este

Figura5 Curva del comportamiento ideal del

Figura6 Representacin grfica del diodo.

Figura4 Construccin del diodo.

Dispositivos y Circuitos Electrnicos

Finalmente el voltaje de R1 con respecto a la

En este caso el diodo se polariza en directa,

Problema 1.- Empleando el modelo ideal del

Bajo esta condicin el diodo se polariza en

Dispositivos y Circuitos Electrnicos

Problema 2.-Empleando el mismo voltaje a

Problema 3.- Empleando SPICE determinar

Aplicando el modelo del diodo ideal tenemos

Para el lbulo negativo ( a 2 ), el diodo se

RECTIFICADOR DE MEDIA ONDA

Dado que este es un proceso cclico,

Dispositivos y Circuitos Electrnicos

Despejando y sustituyendo obtenemos lo

Vcc = 0.318 ( 2 VRMS )

Con lo cual podemos afirmar que el valor

Problema 4.- Obtenga el voltaje promedio

RECTIFICADOR DE ONDA COMPLETA

Con el fin de obtener un mejor

Ejemplo 2.- Calcular el voltaje promedio de

Figura 9 Circuito rectificador de onda

Dispositivos y Circuitos Electrnicos

Considerando la siguiente entrada senoidal:

Tenemos que analizar la onda resultante

Podemos observar que el diodo D1 se

En esta polarizacin se observa que el diodo

Dado que se trata de un ciclo repetitivo, se

Figura 10 Forma de onda resultante de un

Para el caso de lbulo negativo se tiene la

Muchos autores consideran Vcc = 0.636 Vm, sin

Dispositivos y Circuitos Electrnicos

Ejemplo 3.- Determine el voltaje promedio

Finalmente el valor promedio ser:

Solucin: El voltaje en el devanado

Problema 5.- Mediante el anlisis de la onda

Con lo cual obtenemos:

Considere el valor mximo para cada lbulo

Problema 6.- Calcule el valor promedio para

Ejemplo 4.- Obtenga el valor promedio para

Solucin.-La relacin de vueltas se define

CIRCUITO PUENTE RECTIFICADOR

Dado que el valor del voltaje en el primario

Figura 11 Circuito Puente Rectificador de onda

Dispositivos y Circuitos Electrnicos

Para el anlisis de la operacin del circuito se

Para este caso observamos que D2 y D3

Al igual que en el lbulo positivo el voltaje en

Cabe mencionar que el voltaje en R1 ser

Durante el lbulo negativo de la seal de

Dispositivos y Circuitos Electrnicos