Ing. Andrs Gonzlez Garca.

IngAgg@hotmail.com

TECNICAS DE PROTECCION CONTRA EL RUIDO EN LAS

TELECOMUNICACIONES

Por: Andrs Gonzlez Garca

Presentado a
Colciencias e ICFES
Universidad de Cartagena
Departamento de Ciencias
Qumicas y Farmacuticas

Introduccin.

El tratamiento del ruido es un factor clave para el xito comercial de cualquier

producto electrnico. En esta investigacin hablaremos del ruido como tal, sus
orgenes, caractersticas, variedades, parmetros, etc., y la forma como cada tipo
de ruido afecta los circuitos electrnicos. Tambin examinaremos analticamente
el fenmeno del ruido trmico en transistores BJT y FET, as como en
amplificadores diferenciales y realimentados, presentados en cada ejemplo
prctico de diseo.

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Primera Parte.

En casi todas las reas de medicin, l limite mximo para la deteccin de seales
dbiles lo determina el ruido, es decir las seales indeseables que opacan las
seales deseadas. Incluso si la seal que se esta midiendo no es dbil, la
presencia de ruido degrada de todas formas la exactitud y calidad de la medicin.
El ruido es en muchos casos, el factor determinante del costo, el desempeo la
eficiencia de todo sistema. Un ejemplo representativo lo constituyen los LNA (low
noise amplifiers: Amplificadores de bajo ruido), utilizados en las etapas de
entradas de receptores satelitales, telfonos celulares y otros tipos de sistemas de
comunicaciones inalmbricas, donde es vital obtener muy bajas frecuencias de
ruido para garantizar una recepcin ptima.

Algunas formas de ruido, como las fluctuaciones reales en la cantidad que est
siendo medida, son inevitables y pueden ser superables nicamente mediante la
aplicacin de tcnicas especiales, como la promediacin o el estrechamiento de
su ancho de banda. Otras, como la interferencia de radiofrecuencias o RFI (radio
frecuency interference) y los LOOPS de tierra, pueden ser fcilmente reducidos o
eliminados mediante una gran variedad de trucos, incluyendo el uso de filtros,
blindajes y la seleccin cuidadosa de la localizacin de componentes crticos en
las tarjetas de circuito impreso. Pero tambin existen seales de ruido de primer
nivel que nace crecen y se reproducen en los propios circuitos electrnicos, las
cuales slo pueden ser reducidas o eliminadas desde su origen mediante la
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aplicacin de tcnicas de diseo especiales, algunas de las cuales se estudiaran

en esta investigacin.

Inicialmente hablemos del ruido como tal, sus orgenes, caractersticas,

variedades, etc., y las forma como cada tipo de ruido afecta los circuitos
electrnicos. Despus introduciremos algunos conceptos, como la relacin seal a
ruido, la figura de ruido, etc., los cuales son muy tiles para analizar el desempeo
y otros tipos de circuitos desde el punto de vista del ruido. En investigaciones
futuras se examinaran analticamente el fenmeno del ruido en transistores BJT y
los FET, as como en amplificadores diferenciales y realimentados, presentado en
cada caso ejemplos prcticos de diseo. Tambin exploraremos algunos mtodos
comunes de medicin del ruido y nos referiremos a los ruidos de interferencia.

Origen del Ruido.

El ruido es un fenmeno universal que tiene una multiplicidad de orgenes desde

fuentes acsticas (maquinas, vehculos, parlantes) hasta fuentes elctricas (lneas
de potencia, motores). Tambin puede ser un origen ptico, trmico, magntico,
etc. Sea cual sea este ultimo, el trmino ruido se aplica, en general, para referirse
a cualquier cosa indeseable que opaca una seal legitima y que no esta
directamente relacionada con ella (en cuyo caso se tratara de una distorsin). De
hecho, el ruido puede ser, por s mismo, otra seal, como la distintas formas de
interferencia que se producen en los circuitos electrnicos. En esta investigacin
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sin embrago, utilizamos el trmino ruido para referirnos principalmente a cualquier

ruido aleatorio de origen fsico, como el producido por los conductores y
semiconductores por el movimiento de las portadoras de carga, el cual tienen, en
principio, un origen trmico. Desde este punto de vista el ruido puede ser
caracterizado por su espectro de frecuencia, su distribucin de amplitud y el
mecanismo fsico de su generacin.

Desde la invencin de tubo de vaco por Lee de Forest en 1906, el ruido en los
circuitos electrnicos ha sido objeto de extensivas investigaciones. Un paso
decisivo en la comprensin de este fenmeno se dio en 1926, cuando, basado en
trabajos previos de Einstein, Smoluchowski y otros sobre movimiento Browniano,
el fsico norteamericano de origen sueco Jhon Bertrand Jhonson (1887-1970), de
los Laboratorios Bell, demostr experimentalmente la existencia del ruido trmico y
otros efectos de ruido de primer nivel dicho con anterioridad por el fsico alemn
Walter Schottky (1886-1976). De este modo se fijaba un limite practico a partir del
cual las seales de comunicaciones podan ser amplificadas en forma til. En su
honor el ruido trmico, presente en todo tipo de componentes, circuitos y sistemas
electrnicos, se conoce tambin como ruido Jhonson. Otro nombre dado algunas
veces al ruido trmico es ruido de Nyquist, en honor al tambin fsico
norteamericano de origen sueco Harry Nyquist (1889-1976), quien 1928 llevo
acabo un elegante, y ahora clsico, anlisis terico sobre este fenmeno titulado
Thermal agitation of electric charge in conductors (Physical review, volmen 32
(julio), pgina 110-113).
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Clases de Ruido.

En el diseo de sistemas electrnicos encontraremos una gran variedad de

perturbaciones elctricas y electrnicas causadas por lo que llamamos
genricamente ruido. De hecho, existen muchas formas de ruido, tanto a escala
microscpico como macroscpico. En la primera parte de esta serie de artculos,
sin embrago, nos referimos exclusivamente a los llamados ruidos de primer nivel o
FLn (First-Level noise), los cuales tienen un origen fsico y se manifiesta mediante
fluctuaciones electrnicas en metales, semiconductores y aislantes. Esta categora
incluye los siguientes tres mecanismos fundamentales de ruido, los cuales estn
presentes en todo tipo de componentes electrnicos:
1. El ruido trmico (thermical noise) o Jhonson.
2. El ruido de disparo (shot noise).
3. El ruido 1/f o intermitente (flicker noise).

Tambin existen ruidos de segundo nivel y ruidos de tercer nivel. Los ruidos de
segundo nivel (SLn: second-level noise), llamados tambin de campo cercano, son
aquellas perturbaciones de voltaje que emanan de la geometra electromagntica
propia del hardware (la estructura fsica) de los sistemas, tales como la diafona
(crosstalk), el rizado (ripple) de las fuentes de alimentacin, la interferencia de
radiofrecuencias (RFI), etc. Los ruidos de tercer nivel (TLn: Third-Level noise), por
su parte, llamados tambin de campo lejano, son los que emanan de lneas de
conduccin de energa elctrica, tormentas elctricas, sistemas de ignicin, y otras
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fuentes de interferencia electromagnticas (EMI) distantes. Todos estos voltajes

de ruido se suman algebraicamente a los voltajes de ruido de primer nivel, pero
pueden ser eliminados, o al menos minimizados, mediante una gran variedad de
tcnicas. Sin embargo, es poco lo que se puede hacer al respecto con los de
primer nivel. A continuacin examinaremos en detalle estos ltimos, los cuales
fijan un limite fsico practico al mnimo nivel de ruido que puede conseguirse en
cualquier circuito electrnico.

El ruido trmico o Johnson.

Cualquiera resistencia genera, por si misma, a travs de sus terminales, un voltaje

con fluctuaciones aleatorias conocido como ruido trmico o Johnson. Este tipo de
ruido es causado en un conductor por el movimiento aleatorio de los portadores de
carga y se produce siempre a temperatura por encima del cero absoluto (-273 oC
0 oC). Toda resistencia tiene una banda de conduccin, poblada por electrones
libres que tienden a moverse a aleatoriamente en cualquier direccin. La energa
de este movimiento proviene de la energa trmica del medio circundante, de
modo que entre ms alta sea la temperatura, ms rpido se movern estos
electrones y mayor ser el caos. As, habr instantes en los cuales una gran
cantidad de electrones libres se desplazarn en una direccin, produciendo
tensiones positivas mientras que en otros lo harn en direccin opuesta,
produciendo tensiones negativas. El resultado neto es la aparicin en los
terminales de la resistencia, de una seal de ruido, la cual tienen asociado un
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valor eficaz, un valor pico y un espectro de frecuencias.

El valor rms del voltaje de ruido Vn(rms) o VnR producido por una resistencia de valor
R a una temperatura T, se evala mediante la siguiente formula:

Vn ( rms ) = nR = (4kTRB)

Siendo k la llamada constante Boltzman (1.38x10-23 J/oK, T la temperatura en

grados kelvin (oK), R el valor de resistencia en ohmios () y B el ancho de banda
del ruido en hertzios (Hz). Para in valor de resistencia (R) dado, el voltaje de ruido
(VnR, en voltios) es proporcional a la raz cuadrada del ancho de banda (B, en
Hz1/2). La constante de proporcionalidad se denomina densidad de voltaje de ruido
Johnson (o voltaje de ruido equivalente), se designa como en y se expresa en
V/Hz1/2. Esto es:

VnR = en B

en = (4kTR ) = 1.27 x10 4 x R V / Hz 1 / 2

Siendo VnR el valor rms del voltaje de ruido (V), en la densidad del voltaje de ruido
(V/Hz1/2), B el ancho de banda del ruido (Hz) y R el valor de la resistencia (). Se
asume una temperatura de 20C (68F 293K).

Tpicamente el ancho de banda de una resistencia pura, es del orden de 1012 Hz,
que est muy lejos del margen normal de funcionamiento de la mayora de
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circuitos electrnicos. Por esta razn, habitualmente se considera que el ruido

Johnson contiene componentes de todas las frecuencias posibles. En la prctica,
el valor de B que se utiliza en las ecuaciones 1 y 2 para efectuar clculos de ruido
es el mismo ancho de banda de 3dB del circuito ajo anlisis. Por ejemplo, si un
receptor de radio tiene un ancho de banda de 10kHz, el ancho de banda (B) de la
seal de ruido trmico asociado tambin es de 10kHz.

Como ejemplo de aplicacin de la teora anterior, considere una resistencia de

10K conectada a la entrada de un filtro pasabanda de ganancia unitaria ideal (sin
ruido) con un ancho de banda de 10kHz y sometida a una temperatura ambiente
de 20C, es decir 293K. Bajo estas condiciones, de acuerdo a la ecuacin 1, el
valor rms del voltaje de ruido medido con un voltmetro (tambin ideal) entre los
terminales de la resistencia o de salida del filtro sera:

Vn ( rms ) = (4 x1.38 x10 23 J / Kx 293o Kx10 x10 3 x10 x10 3 Hz )

Vn ( rms ) = 1.27 V

Por tanto, desde el punto de vista del ruido, este componente se comportara
como una fuente de voltaje de 1.27Vrms con una resistencia interna de10K. Al
mismo resultado debe llegarse aplicando las ecuaciones 2 y 3.

Asimismo, de acuerdo a la densidad de ruido corresponde a una resistencia

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de10K es en=12.7nV/Hz1/2. Multiplicando este valor por 100Hz1/2 se obtienen un

voltaje de ruido (Vnr) de12.7x100=1.270nV es decir 1.27V, como era de esperar.
Note que el voltaje de ruido es proporcional a la resistencia y a la temperatura
absoluta. Por tanto, entre ms alto sea el valor de una resistencia, o ms alto sea
el valor de una resistencia, o ms alto sea el valor de una ruidosa es la misma, es
decir ms alto es el voltaje de ruido que produce. Por esta razn, tenga siempre
en cuenta la siguiente regla de oro:

En el diseo de circuito de bajo ruido debe evitarse, en los posible, las resistencias
e impedancias de muy alto valor, as como las altas temperaturas.

El ruido Johnson, en general, tiene un espectro de frecuencia dentro de un ancho

de banda dado tienen la misma potencia. Cualquier ruido con un espectro de
frecuencia plano se denomina genricamente un ruido ruido blanco, en analoga
con la luz blanca, que contiene todos los colores posibles. Por tanto, el ruido
Johnson es un ejemplo de ruido blanco y cualquier resistencia es potencialmente
una fuente de ruido blanco. La amplitud del voltaje de ruido Johnson en
cualesquiera instantes, en general, imprescindible, por su mismo carcter
aleatorio, pero obedece a las reglas estadsticas de una distribucin gaussiana.

La importancia del ruido Johnson radica en que fija un lmite al valor mnimo que
puede alcanzar el voltaje de ruido en cualquier detector, fuente de seal o

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amplificador que tenga resistencia. En el caso de un amplificador, por ejemplo, la

parte resistiva de la impedancia de la fuente de seal genera ruido Johnson, as
como tambin las resistencias de polarizacin y de cargas del mismo, y los
alambres de conexin. Todos estos factores contribuyen a conformar la figura de
ruido (NF: noise figure) del sistema. El ruido Johnson se manifiesta principalmente
en circuitos que trabajan con muy bajo nivel de seal, por ejemplo, los
preamplificadores de micrfonos utilizados en las etapas de entrada de muchos
equipos de audio.
El voltaje de ruido Johnson, originados por agitacin, no debe ser confundido con
el voltaje de ruido adicional creado por efecto de las fluctuaciones de la resistencia
cuando se aplica una corriente externa a una resistencia. Este ruido, conocido
como ruido intermitente o rosado (pink noise), y al cual nos referiremos ms
adelante, tiene una distribucin espectral tipo 1/f (la misma potencia en cada
dcada de frecuencia) y depende fuertemente de las caractersticas constructivas
de la resistencia.

Ruido de disparo (shot noise).

El ruido Johnson se debe al movimiento trmico aleatorio de los electrones y no

est afectado por la presencia de corriente. El ruido de disparo, por su parte, est
relacionado con la naturaleza no continua de la corriente elctrica, formada por el
flujo de cargas discretas. Esto causa fluctuaciones estadsticas de corriente.
Asumiendo que los portadores de carga actan independientemente entre s,
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como es el caso de las cargas que cruzan la barrera de potencial en un diodo

semiconductor, el valor de esta corriente de ruido est dado por la siguiente
formula:

Inrms = InR = 2qIdcB

Siendo q la carga del electrn y B el ancho de banda de la medicin. Por tanto, la

corriente total i(t) puede considerarse compuesta de una corriente constante Idc y
una corriente de ruido in(t) con un valor medio de cero. Por ejemplo, una corriente
permanente de 1 tiene realmente una fluctuacin rms de 57nA, medida con un
ancho de banda de 10kHz. Esta fluctuacin representa algo as como el
0.000006% de la corriente total. Para una corriente de 1pA, con el mismo ancho
de banda, el valor rms de la corriente de ruido sera del orden de 56fA (56x10-15),
lo cual corresponde al 5.6% de la corriente total. Claramente se observa que el
efecto de estas fluctuaciones es ms notable con corrientes pequeas que con
corrientes grandes.

El ruido de disparo, al igual que el ruido trmico, es una forma de ruido blanco, lo
cual implica que tiene un espectro de frecuencia plano. Adems, tiene tambin
una distribucin de amplitud gaussiana. Se produce principalmente en dispositivo
de tubos de vaco y con semiconductores. En los tubos de vaco este tipo de ruido
se debe a la emisin aleatoria de electrones del ctodo. En los dispositivos

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semiconductores es causado por la difusin aleatoria de los portadores

minoritarios, as como por la generacin y recombinacin de los pares electrnhueco. En el caso de conductores metlicos. Donde las cargas no actan
independientemente y existe un alto grado de correlacin entre ellas, el ruido de
disparo es relativamente pequeo y la corriente total tiene, de hecho, menos ruido
que el predicho por la ecuacin anterior.

Ruido 1/f o de Fluctuacin (flicker noise).

El ruido de disparo y el ruido Johnson son formas irreducibles de ruido, generados
de acuerdo a principios fsicos. D este modo, la ms costosa y sofisticada
resistencia de 10K tiene exactamente la misma cantidad de ruido de Johnson que
la ms barata resistencia de carbn del mismo valor. Adicionalmente, las
resistencias reales sufren fluctuaciones en su valor hmico, lo cual genera un
voltaje de ruido adicional que se agrega al siempre presente ruido Johnson. Este
ruido, conocido como ruido 1/f, de fluctuaciones, rosado (pink) o excedente,
depende de muchos factores, principalmente las caractersticas en particular
(materiales, conexiones trmicas, etc.). Los siguientes son algunos valores rms
tpicos del voltaje de ruido 1/f para algunos tipos de resistencias comnmente
utilizadas en los circuitos electrnicos.

Resistencia de composicin de carbn. Desde 0.10V hasta 3.0V

Resistencia de pelcula de carbn: desde 0.05V hasta 0.3V

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Resistencias de pelcula metlica: desde 0.02V hasta 0.2V

Resistencia de alambre devanado: desde 0.01V hasta 0.2V

El ruido de fluctuacin es inversamente proporcional a la frecuencia, de donde

deriva su designacin como ruido 1/f, y tienen una densidad de potencia uniforme
por dcada. El mismo se manifiesta principalmente en conductores debido a
efectos superficiales. Por ejemplo, los cambios de resistencia en la regin de base
de un transistor causan cambios en la rata de combinacin de los portadores
minoritarios, lo cual produce un voltaje de ruido, adicional al voltaje de ruido
trmico normal. Este tipo de ruido puede ser minimizado, e incluso eliminado,
mediante la seleccin cuidadosa de componentes y encapsulados. Por ejemplo, al
utilizar resistencias de pelcula metlica en lugar de resistencias de carbn.

Conceptos de ruido.

Antes de entrar en detalle en el anlisis y diseo de amplificadores de bajo ruido,

que ser el tema de nuestra investigacin, es conveniente conocer y definir
algunos trminos comnmente utilizados para caracterizar sistemas electrnicos
desde el punto de vista del ruido. Los ms importantes son la relacin seal a
ruido o SNR (signal to noise ration), la figura de ruido o NF (noise figure) y la
temperatura de ruido Tn (temperature noise).

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La relacin seal ruido (SNR) se define como la relacin en decibelios (dB), del
valor rms del voltaje de la seal deseada con respecto al valor rms del voltaje de
ruido presente en la misma. Formalmente.

SNR (dB) = 10 log

2Vs
2Vn

Siendo Vs y Vn los voltajes rms de seal de ruido definidos para un cierto ancho de
banda. Por tanto, la SNR es una medida de la cantidad de ruido presente en una
informacin legitima. Por ejemplo, una SNR de 60dB en un sistema de sonido
significa que el hiss y otros ruidos residuales sern 60dB ms imperceptibles que
la msica ms suave que usted probablemente puede grabar o reproducir.

La figura de ruido (NF) se define como la relacin, en decibelios, entre el voltaje de

ruido total en la salida y la parte de este voltaje debida a la resistencia de entrada
Rs, o una resistencia de valor Rs perfecta (sin ruido) conectada entre los
terminales de entrada. Matemticamente:

NF = 10 log 1 +

2Vn
4kTRs

Siendo Vn el voltaje de ruido contribuido por el amplificador cuando se conecta

una resistencia de valor Rs a travs de su entrada. Esta ltima restriccin es muy
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importante, debido a que el voltaje de ruido en la salida depende marcadamente

de la impedancia de la fuente de seal.

La figura de ruido es siempre mayor de 0dB y es uno de los paramentos ms

importantes de un circuito, puesto que proporciona una indicacin directa de la
forma como el mismo degrada la relacin seal ruido. Este desempeo e estima
considerndolo con el ruido de la fuente. En el caso de amplificadores de varias
etapas, una forma muy comn de conseguir bajas figuras de ruido es
maximizando la ganancia de la primera etapa.
Finalmente la temperatura de ruido (Tn) se define como la temperatura a la cual
debe mantener la resistencia de la fuente (Rs) de un circuito para que el ruido,
debido a esta resistencia, sea igual a la salida del ruido del propio circuito.
Naturalmente, siempre habr algn ruido en la salida, incluso aunque la fuente no
sea ruidosa, debido a que el amplificador genera su propio ruido. La temperatura
de ruido esta relacionada con la figura de ruido (NF) mediante las siguientes
ecuaciones:

NF (dB) = 10 log

Tn
+1
T

Siendo T la temperatura ambiente, usualmente tonada como 27C. Por tanto, la

figura de ruido y la temperatura de ruido son simplemente dos formas diferentes
de llevar una misma informacin. En general, los buenos amplificadores de bajo
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ruido tienen temperaturas de ruido muy por debajo de la temperatura ambiente.

Referencias bibliogrficas
1. Electrodinmica clsica. Jakson J. Davis.
2. Teora electromagntica. Jr. Hyte.
3. Fundamentos de Electrnica. Boice David.
4. Introduccin a las tcnicas digitales Shalssky.
5. Antenas theory. Kraus.

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