UNION P-N

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redacta en un documento en MS Word explicando lo que muestra cada applet,
dos pginas por cada uno. Utiliza imgenes en tu explicacin.
http://webpersonal.uma.es/~ECASILARI/Docencia/Applets/3.Union_P
N_en_equilibrio_y_polarizada/Applet3.html
http://webpersonal.uma.es/~ECASILARI/Docencia/Applets/4.La_ley_
de_Shockley/Applet4.html
http://webpersonal.uma.es/~ECASILARI/Docencia/Applets/Applet3/Di
odoConmutaApplet.html

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Los applets son animaciones interactivas, para que puedas

visualizar estas aplicaciones es necesario tener actualizada
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SOLUCION
PRIMER APPLETS:

En este applet se simula el DIODO de unin PN polarizado considerando sus

caractersticas de:
Arrastre
Recombinacin
Difusin
Electrones
Huecos

Cuando los valores son positivos

Cuando los valores son negativos

SEGUNDO APPLETS
En este applet se simula la LEY DE SHOCKLEY describiendo el flujo de corriente
en una unin, considerando:

Recombinacin
Corrientes
Parmetros

Realizando la simulacin aplicando los tres parmetros

Modificando valores haciendo uso de corrientes y parmetros

Modificando valores haciendo uso de recombinacin, corrientes y

parmetros

Utilizando recombinacin y parmetros:

TERCER APPLETS
En este applet se simula la conmutacin de un diodo, pudiendo cambiar la
tensin aplicada en sus bornes de positiva a negativa y viceversa. Para ello se
dispone del esquema de un circuito con dos fuentes de tensin (una positiva y
otra negativa) y un conmutador, un circuito de polarizacin (que incluye una
resistencia) y un diodo de unin.
Este esquema se sita en la parte superior derecha del applet y se puede
conmutar entre tensiones haciendo click con el ratn en la zona entre las dos
fuentes de tensin. Al iniciar la aplicacin aparecer un mensaje y una flecha
que seala la mencionada zona sensible.
Conmutacin del diodo

Manipulando parmetros del circuito

Parmetros del diodo

Activando solo tensin

Activando corriente

Activando carga

Activando tensin

ANEXO

1. DIODO
El diodo es un semiconductor ms bsico, se usa fuertemente en la
industria, su funcionamiento est basado en la unin PN (positivo,
negativo). Es un elemento de circuito no lineal, muy simple, la relacin
entre el voltaje y la corriente elctrica no es una recta.
El diodo se utiliza para diferentes propsitos, ya que permite el flujo de la
corriente elctrica en una sola direccin, acta como una vlvula y es el
componente ideal para rectificar una corriente alterna a corriente continua.
Su resistencia protege en el caso de sobrecarga de corriente y protege a los
semiconductores.
1.1. Representacin de un diodo

2. SEMICONDUCTOR
El semiconductor ms usado es el silicio; en un cristal de silicio cada tomo
est unido a sus vecinos con 4 electrones formando enlaces covalentes.
Cuando se incrementa la temperatura algunos electrones pueden ganar
energa trmica y escapan quedando libres para conducir.
Los enlaces rotos pueden ser ocupados por otros electrones y al estado roto
lo llamamos hueco.
Hueco. Es un enlace roto a efectos de que un electrn gan energa, los
huecos se comportan con una carga y masa positiva. Los enlaces rotos
pueden ser ocupados por otros materiales.
3. SEMICONDUCTOR TIPO P Y SEMICONDUCTOR TIPO N

3.1. SEMICONDUCTOR TIPO P

Es un semiconductor extrnseco de Germanio o Silicio dopado con
impurezas de Fsforo o Arsnico que donan un electrn por cada
tomo, ya que son tomos pentavalentes.
El semiconductor de tipo N, en estado de reposo tiene muchos
electrones y unos cuantos huecos. Tiene una resistencia baja porque
sus impurezas son donadoras. Al polarizar (conectar dos placas) en
los extremos del semiconductor y se hace pasar una corriente
elctrica (flujo de electrones), los electrones libres son atrados por la
terminal positiva y los huecos que son minora se van al terminal
negativo ayudados por los electrones vecinos.

Figura 1.

- ee

- ee

- ee

- ee

- ee

- ee

- ee

- ee

- ee

- ee
+

Algunos electrones provenientes del cable ingresan al semiconductor debido a

que los huecos toman iones positivos, se comportan como cargas positivas,
estos atraen a los electrones y se combinan hasta convertir el semiconductor
como un cristal extrnseco puro, y se comporta como aislante perfecto y por lo
tanto su resistencia es enorme al ser completados los huecos.

Figura 2.

Aislante
perfecto

- ee

- ee

- ee

- ee

- ee

- ee

- ee

- ee

- ee

- ee

- ee

- ee

- ee

- ee

- ee

- ee

- ee

- ee

- ee

- ee

e
e

e
- ee

e
- ee

3.2. SEMICONDUCTOR TIPO P

Es un semiconductor extrnseco de Germanio o Silicio, dopado con
impurezas de Boro, Aluminio o Galio que donan un hueco por cada
tomo debido a que son tomos trivalentes. El semiconductor tiene
muchos huecos que son dopados por la placa negativa ayudado por
los electrones vecinos. Cada electrn proveniente del alambre entran
fcilmente al cristal recombinndose con cada uno de los huecos de
las impurezas trivalentes que dentro del material (semiconductor)
experimentan una fuerza de atraccin con la placa positiva y para
poder continuar con el proceso se ayudan de los huecos.

- ee

- ee

e
- ee

- ee
e
e

- ee

e
- ee

- ee

e
- ee

- ee

- ee
e

Conduct
or
- ee
e

- ee

- ee
e

- ee

- ee

- ee

- ee

- ee
+

- ee
-

- ee

e
e
e

e
e

- ee

e
- ee

e
- ee

e
e
- ee

e
e

El conductor se polariza y se convierte en un conductor que facilita la corriente

elctrica.
CONCLUSIN

1. Un material Tipo N, tiene impurezas con electrones mayoritarios que

ejercen una corriente elctrica que se comportan como un aislante perfecto,
su resistencia es grande.
2. Un material Tipo P, tiene impurezas con huecos mayoritariamente
(impurezas aceptadoras) que al ejercer una corriente elctrica cada hueco
acepta un electrn proveniente del exterior y el material se comporta como
un conductor. Por lo tanto la resistencia es pequea.
3.3. UNIN P-N
La Unin P-N, es la unin de material Tipo P y N, es decir la unin de
un material conductor y un aislante. Un fabricante puede construir un
material que contenga la unin Tipo P y Tipo N. Los dos materiales en
un solo material, el cual estar limitado por una lnea de unin.
Los electrones libres del material Tipo N se mueven en diferentes
direcciones, algunos traspasan la lnea de unin llegando al material
Tipo P y se ubican junto a la lnea de unin, es decir, prximos a los
huecos el material Tipo P y de los electrones del material Tipo N que
se encuentra junto a la lnea de unin.
Figura 1.

Lnea de
unin

Material
-e -Tipo P- e
e e
-e

-e

-e
-e
-e

-e

-e
-e

-e

-e

-e

-e

-e

-e

-e

-e

-e

-e

-e

-e

-e

-e

-e

-e

-e
-e

-e
-e

-e

-e

-e

-e

-e

-e
-e

-e

-e

-e

-e

-e

-e

-e

-e

-e

-e

-e

-e

-e

-e

-e

-e

-e
-e

Material
-e -e Tipo N
e

-e

-e

-e

-e

-e

-e

-e

-e

-e

-e

-e

-e

-e

-e

-e

-e

Los electrones del Tipo N que pasaron la lnea de unin y los huecos
del Tipo P, se unen al electrn ms prximo. Es decir, los que se
encuentran junto a la lnea de unin, los cuales forman una zona de
Deflexin y en ambos lados de los materiales, se forman la zona de
agotamiento o empobrecimiento.

Figura 2.

e-

Material
Tipo P- e- ee e
e-

ee-

ee-

e-

e-

e-

e-

e-

e-

e-

e-

e-

e-

e-

e-

e-

e-

ee-

e-

e-

e-

e-

e-

ee-

e-

ee-

e-

e-

e-

e-

e-

ee-

e-

e-

e-

e-

e-

ee-

e-

e-

ee-

e-

e-

e-

e-

e-

e-

e-

e-

e-

e-

e-

e-

e-

e-

e-

e-

e-

ee-

e-

e-

e-

e-

e-

e-

e-

Material
Tipo N- e e
e- ee-

e-

e-

e-

e-

e-

e-

e-

e-

Lnea de
unin
-e
e- e-

Zona de
Deflexin
ee- e-

e-

Zona de agotamiento o
empobrecimiento

Zona de agotamiento o
empobrecimiento

Los electrones del material Tipo N no podrn traspasar la lnea de

unin ya que se formar la zona de Deflexin que impide el paso de
los electrones del Tipo N al Tipo P. Pero algunos electrones logran
pasar, pero la zona de Deflexin se har cada vez ms ancha que
impedir el pase de los electrones del Tipo N.
Cuando ambos materiales se encuentren en equilibrio, la zona de
Deflexin se convertir en una barrera para los electrones del Tipo N.
Es ms visible la carencia de huecos del lado P cercanos a la zona de
Deflexin al formarse la zona de empobrecimiento, lo mismo ocurre
con los electrones libres del lado N.
Figura 3.

e-

Material
Tipo P
e- ee- ee-

e-

e-

e-

ee-

ee-

e-

e-

e-

e-

e-

ee-

e-

e-

e-

ee-

e-

Zona de
Deflexin
-e ee-

e-

e-

ee-

e-

e-

e-

e-

e-

e-

e-

e-

e-

e-

ee-

e-

Zona de agotamiento o
empobrecimiento

e-

e-

Lnea de
Material
unin
Tipo Neee- ee- eeee-e
eeeee- ee- eeeeeeeeee- ee- eeeeeeee-

e-

e-

e-

e-

e-

Zona de agotamiento o
empobrecimiento

eee-

ee-

e-

e-

ee-

e-

Lado P.
El electrn libre que ha pasado al lado P, se combina con el hueco del
tomo trivalente, deja de ser libre y se convierte en un electrn de
valencia, el cual queda cargado en forma negativa, hay ms
electrones en sus capas de valencia que protones en su ncleo.
Lado N.
El tomo pentavalente pierde un electrn libre y atraviesa el lado P
quedando cargo positivamente debido a la cantidad de protones del
ncleo no ha cambiado. El tomo tiene un protn ms en su ncleo, el
cual queda positivamente.
Entre ambos materiales se forma la Potencial de Barrera con signo
positivo y negativo, lo que permiti la creacin de los semiconduct

Figura 4.

e-

Material
Tipo P
e- ee- ee-

e-

e-

e-

e-

e-

ee-

e-

e-

e-

ee-

e-

e-

e-

e-

e-

e-

e-

e-

e-

ee-

e-

Zona de
Deplexin
ee eeeee- eee-

e-

e-

e-

Zona de agotamiento o
empobrecimiento

e-

e-

e-

e-

e-

Lnea de
unin
eeeeeeeeeeeeee-

Material
Tipo Ne- ee- eeeee-e
-e
ee- eee- eeeeeeee- eee- eeeeeeee- eee- e-

Zona de agotamiento o
empobrecimiento

POTENCIAL DE
BARRERA

3.4. LEY DE SHOCKLEY

William Bradford Shockley (13 de
febrero de 1910 - 12 de agosto de
1989), fsico estadounidense. Junto con
John Bardeen y Walter Houser Brattain,
obtuvo el premio Nobel de Fsica en
1956 por sus investigaciones sobre
semiconductores y el descubrimiento del
Transistor".
En 1955, Shockley abandon los
laboratorios Bell y regres a su ciudad
natal, Palo Alto, California, en las
proximidades de la Universidad de Stanford, para crear su propia
empresa, Shockley Semiconductors Laboratory, con el apoyo
econmico de Arnold Beckman, de Beckman Instruments. Contando
con la influencia de su prestigio y el respaldo econmico de Beckman
Instruments trato de convencer a varios de sus compaeros de
trabajo de Bell que se unieran a l en la nueva empresa; ninguno
quiso. Por lo tanto empez a rebuscar en las universidades a los ms
destacados estudiantes para formar con ellos la empresa. Pero, dado
su estilo empresarial, ocho de los investigadores abandonaron la
compaa en 1957 para formar la empresa Fairchild Semiconductor.
Entre ellos estaban Robert Noyce y Gordon Moore que ms tarde
crearan Intel.
A finales de los aos 1960, Shockley realiz unas controvertidas
declaraciones acerca de las diferencias intelectuales entre las razas,
defendiendo que las pruebas de inteligencia mostraban un factor
gentico en la capacidad intelectual revelando que los afroestadounidenses eran inferiores a los estadounidenses caucsicos y
que la mayor tasa de reproduccin entre los primeros ejerca un
efecto regresivo en la evolucin.
Entre sus publicaciones destaca "Electrones y huecos en el
semiconductor", obra publicada en 1950.
Ecuacin de Shockley
Modelo de Shockley del Diodo
El modelo matemtico ms empleado en el estudio del diodo es el de
Shockley (en honor a William Bradford Shockley) que permite
aproximar el comportamiento del diodo en la mayora de las
aplicaciones. La ecuacin que liga la intensidad de corriente y la
diferencia de potencial es:

Dnde
I
: Es la intensidad de la corriente que atraviesa el diodo y VD la
diferencia de

tensin entre sus extremos.

IS : Es la corriente de saturacin (aproximadamente 1012A)
q : Es la carga del electrn
T : Es la temperatura absoluta de la unin
K : Es la constante de Boltzmann
N : Es el coeficiente de emisin, dependiente del proceso de
fabricacin del
diodo y que suele adoptar valores entre 1 (para el germanio) y
del orden
de 2 (para el silicio).
El trmino VD = kT/q = T/11600 es la tensin debida a la
temperatura, del orden de 26 mV a temperatura ambiente (300 K
27 C).
Con objeto de evitar el uso de exponenciales (a pesar de ser uno de
los modelos ms sencillos), en ocasiones se emplean modelos ms
simples an, que modelizan las zonas de funcionamiento del diodo por
tramos rectos; son los llamados modelos de continua o de Ram-seal.