UNIVERSIDAD DE GUADALAJARA

CENTRO UNIVERSITARIO DE CCIENCIASS EXACTA E INGENIERIAS

ELECTRONICA DE POTENCIA
SECCION D03
BRAVO MEDIANA, MANUEL SALVADOR



DAVID DASSAEV RAZO ALDANA














TIPO DE TIRISTORES













SCR

Rectificador controlado de silicio, dispositivo que acta a semejanza de un interruptor y debido a que es
un dispositivo de estado slido su conmutacin es muy rpida, desarrollado por general elctrica en 1958
el encendido puede ajustarse mediante una corriente que fluye por la compuerta. Cuando mayor se la
corriente de la compuerta menor se vuelve el voltaje necesario entre las terminales para que este
empiece a conducir. Una vez activado el circuito permanecer activo hasta que no pase corriente mayor
a la corriente de mantenimiento sobre l. Adems que una vez que este ha sido activado se puede retirar
la corriente en la compuerta

Ilustracin 1: diagram del SCR


GTO

Tiristor de desactivacin por compuerta, es un SCR que puede apagarse por una pulsacin grande en
Su compuerta, desde los aos 60 una de sus caractersticas ms comunes es en la aplicacin de control de
motores. Un GTO requiere de una mayor corriente de compuerta para encender que un SCR, y para
apagarlos se necesita de una pulsacin de corriente negativa de entre 20 y 30 A


Ilustracin 2: diagrama del GTO

TRIAC

Dispositivo que se comporta como dos SCR conectados en contra posicin con una compuerta comn, y
conduce en cualquier direccin una vez que el voltaje de ruptura se sobrepasa, igual que en el SCR el
voltaje de ruptura disminuye al inyectar corriente en la compuerta, con la diferencia que este conduce
en dos direcciones tanto positiva como negativa y permanece enclavado o activo hasta que la corriente
baja hasta ser menor que la corriente de mantenimiento.

Ilustracin 3: diagrama del TRIAC

RTC

Tiristor de conduccin inversa, su caracterstica es que se conecta un diodo anti paralelo a travs de un
SCR. Un RCT se conoce tambin como tiristor asimtrico (ASCR). El diodo fija el voltaje de bloqueo inverso
del SCR a 1 o 2v por debajo de las condiciones de rgimen permanente. Sin embargo, bajo condiciones
transitorias, el voltaje inverso puede elevarse hasta 30v debido al voltaje inducido en la inductancia
dispersa del circuito dentro del dispositivo. Sus aplicaciones se limitarn a diseos de circuitos especficos.

Ilustracin 4: diagrama del RCT

SITH

Tiristor de induccin esttica, es activado al aplicrsele un voltaje positivo de compuerta, como los
tiristores normales, y desactivado al aplicrsele un voltaje negativo a su compuerta. Un SITH es un
dispositivo de portadores minoritarios. Como consecuencia, el SITH tiene una baja resistencia en estado
activo as como una baja cada de potencial, y se puede fabricar con especificaciones de voltaje y corriente
ms altas. Un SITH tiene velocidades de conmutacin muy rpidas y capacidades altas de dv/dt y di/dt. El
tiempo de conmutacin es del orden de 1 a 6m s.

LASCR

Rectificador controlados de silicio activados por luz, se activa mediante radiacin directa sobre el disco de
silicio provocada con luz. Los pares electrn-hueco que se crean debido a la radiacin producen la
corriente de disparo bajo la influencia de un campo elctrico. La estructura de compuerta se disea a fin
de proporcionar la suficiente sensibilidad para el disparo, a partir de fuentes luminosas prcticas. Los
LASRC se utilizan en aplicaciones de alto voltaje y corriente. Un LASCR ofrece total aislamiento elctrico
entre la fuente de disparo luminoso y el dispositivo de conmutacin de un convertidor de potencia, que
flota a un potencial tan alto como unos cuantos cientos de kilovoltios.
FET-CTH

Tiristor controlados por FET, combina un MOSFET y un tiristor en paralelo, Si a la compuerta del MOSFET
se le aplica un voltaje suficiente, tpicamente 3v, se genera internamente una corriente de disparo para el
tiristor. Tiene una alta velocidad de conmutacin, Este dispositivo se puede activar como los tiristores
convencionales, pero no se puede desactivar mediante control de compuerta.

Ilustracin 5: Diagrama del FET-CTH

MCT

Tiristor controlados por MOS, combina las caractersticas de un tiristor regenerativo de cuatro capas y una
estructura de compuerta MOS. El MCT se puede operar como dispositivo controlado por compuerta, si su
corriente es menor que la corriente controlable pico. Intentar desactivar el MCT a corrientes mayores que
su corriente controlable pico de especificacin, puede provocar la destruccin del dispositivo. Para valores
ms altos de corriente, el MCT debe ser conmutado como un SCR estndar. Los anchos de pulso de la
compuerta no son crticos para dispositivos de corrientes pequeas. Para corrientes mayores, el ancho
del pulso de desactivacin debe ser mayor. Adems, durante la desactivacin, la compuerta utiliza una
corriente pico.

Ilustracin 6: Estructura del MCT y diagrama