Dispositivos de almacenamiento y de E/S

Mtodos de inyeccin y deteccin en CCD

El CCD se invent a finales delos 60 por investigadores de Bell Laboratories. Originalmente se
concibi como un nuevo tipo de memoria de ordenador pero pronto se observ que tena muchas
ms aplicaciones potenciales, tales como el proceso de seales y sobretodo la captacin de
imagen, esto ltimo debido a la sensibilidad a la luz que presenta el silicio.

Las siglas CCD provienen del ingls charge-coupled device, dispositivo de carga acoplada. Es una
superficie slida sensible a la luz, dotada de unos circuitos que permiten leer y almacenar
electrnicamente las imgenes que se proyectan sobre ella. El funcionamiento de los CCD se basa
en el fenmeno fsico del efecto fotoelctrico. Ciertas sustancias tienen la propiedad de absorber
cuantos de luz, o fotones, y liberar un electrn.

Tienen dos diferencias bsicas con los fotomultiplicadores:

Los sensores CCD son de menor tamao y estn construidos de semiconductores lo que permite la
integracin de millones de dispositivos sensibles en un solo chip. La eficiencia cuntica de los CCD
(sensibilidad) es mayor para los rojos. Los fotomultiplicadores son ms sensibles a los azules.

Para la fabricacin de los detectores CCD se utiliza el silicio, el cual es un material semiconductor.
Una de las caras de una placa de silicio se recubre con una red de electrodos microscpicos
cargados positivamente. En virtud del efecto fotoelctrico, la luz incidente genera electrones, de
carga negativa, que son atrados por los electrodos y se acumulan a su alrededor. La imagen final
captada por el detector CCD es un mosaico formado por tantos elementos, o teselas, como
electrodos hay en la placa de silicio. Se suele llamar pxeles a las teselas de los mosaicos digitales.


Captacin y acumulacin de luz en un detector CCD.

Para una cmara CCD, el detector se coloca en el plano focal de un objetivo. A continuacin se
abre el obturador y se permite que la luz incida sobre la superficie de silicio durante un cierto
tiempo. Los fotones se convierten en electrones que se van acumulando alrededor de los
minsculos electrodos. Cuando la exposicin ha acabado, la imagen est latente, convertida en
electrones, en el interior del CCD. El siguiente paso necesario es su lectura y almacenamiento.


Proceso de lectura de la imagen en un detector CCD.



Lectura en el caso imaginario de tener un chip de 7x4 pxeles.

Inyeccin y deteccin de cargas:

La carga de seal en el CCD puede ser inyectado a travs de la inyeccin ptica y elctrica
obtenida de dos maneras.

Inyeccin ptica es cuando la irradiacin de luz CCD oblea de silicio, cerca de la puerta del
cuerpo semiconductor produce pares electrn - hueco, los portadores mayoritarios se han
programado para abrir el voltaje de la puerta, portadores minoritarios se recogieron en la
seal de potencial bien formado cargo.
La inyeccin elctrica llamada, es la estructura de CCD a travs de la tensin de entrada o
seal de corriente se realiza un muestreo, la seal de voltaje o corriente se convierte en
una carga de seal. En slo discutir temas relacionados con el mtodo de inyeccin de la
luz.

Circuito de deteccin:

Transferido a los cargos de la seal de salida del CCD del circuito de salida para lograr una carga /
tensin (corriente) de la transformacin lineal, llamado detector de carga. Desde el punto de la
solicitud de aplicacin del detector de carga es un detector lineal, el ruido detectado causado por
la ganancia y la deteccin. Para los diferentes requisitos, hay varios circuitos de deteccin de uso
comn, tales como puerta de carga de condensador integrador y el circuito diferencial con una
puerta flotante y el circuito de salida del amplificador de distribucin de puerta flotante.

Mtodos de Inyeccin de electrones: (otra fuente de informacin)

Un procedimiento consiste en pulsar el electrodo del extremo de la entrada del dispositivo con un
voltaje suficientemente elevada para originar una disrupcin por alud momentnea, donde la
disrupcin tiene lugar en la regin de empobrecimiento bajo el electrodo, mandando a la
superficie un paquete de electrones. Y cuya temporizacin debe ser tal que est presente un pozo
potencial y comience su viaje de la entrada a la salida. La ausencia de pulso disruptivo almacena
un cero en el pozo. Los huecos que se generan durante la disrupcin pasan al substrato neutro.

Otra tcnica consiste en aplicar un pulso luminoso a la regin superficial bajo el electrodo de
entrada. En la capa de empobrecimiento se crean pares electrn-hueco y los electrones van a la
superficie.

Un tercer mtodo que se emplea a menudo para suministrar carga a un pozo de potencial utiliza
una regin PN. En el lado de entrada de la superficie hay una regin N fuertemente contaminada,
polarizada en sentido directo respecto al substrato P. Se inyectan electrones desde la regin N y
los que entran en la porcin de capa de empobrecimiento situada entre el substrato neutro y la
superficie constituyen el paquete que se almacena como bit.

Para la deteccin (la salida) se puede hacer un proceso similar al anterior, slo que en el electrodo
perteneciente a la salida.

Actualmente:

CCD: generacin y almacenamiento de carga:



Proceso de deteccin:

Los semiconductores absorben una gran cantidad de fotones incidentes, al contrario que los
metales que los reflejan. La llegada de fotones de suficiente energa produce pares electrn-hueco
ya que son capaces de comunicar esta energa a un electrn en la banda de valencia para que salte
a la banda de conduccin.

Almacenamiento:

Los electrones son almacenados en pozos de potencial bajo cada pixel en la posicin ms cercana
a su punto de impacto. La carga acumulada en cada pixel (seal) es directamente proporcional al
nmero de fotones que impactaron durante la exposicin. La imagen electrnica se corresponde
con la imagen ptica y slo queda leer la carga acumulada de forma que podamos construir la
imagen.



Bibliografa:
http://es.swewe.com/word_show.htm/?342410_2&Dispositivo|de|carga|acoplada
imartin.webs.ull.es/tee/CCD
www.investigacion.frc.utn.edu.ar/sensores/Tutorial/TECNO6