TRANSISTORES.

Antes de 1950 todo equipo electrnico utilizaba vlvulas al vaco, que son bulbos con un brillo te-
nue, que predominaban en la industria. El calefactor de una vlvula al vaco normal consuma un
par de watts, por lo que el equipo requera una el primer transistor de unin, que fue todo un
aconte-cimiento porque signific un gran cambio. El impacto del transistor en la electrnica ha sido
enorme, pues adems de fuente de alimentacin voluminosa que generaba una cantidad
considerable de calor, lo cual preocupaba sobremanera a los diseadores. El resultado era un
equipo anticuado y pesado. En 1951 Shockley invent iniciar la industria multinllonaria de los
semiconductores, ha sido el precursor de otros inventos como son los circuitos integrados, los
dispositivos optoelectrni-cos y los microprocesadores. Actualmente, casi todo equipo electrnico
utiliza dispositivos semi-conductores. Los cambios han sido ms notables en la industria de las
computadoras.

Un transistor puede considerarse formado por dos diodos semiconductores con una zona comn.
En un transistor existen, por consiguiente, tres terminales. La zona comn se denomina base y las
dos zonas exteriores en contacto con la base son el emisor y el colector.
Para que el transistor funcione correctamente, la unin correspondiente al diodo emisor-base debe
polarizarse en sentido directo, mientras que la unin correspondiente al colector-base ha de estar
polarizada en sentido inverso.
Si se conecta nicamente el circuito emisor-base, con dolarizacin directa, se establece una
circula-cin elctrica desde el emisor a la base a travs de la unin. Desconectando la
alimentacin en el circuito emisor-base y comunicando el conector-base con dolarizacin en
sentido inverso, la circu-lacin ser prcticamente ambas uniones emisor-base y colector-base, se
establecer una corriente entre el emisor y el colector. Dicha corriente esta determinada por la
tensin positiva del emisor y la negativa del colector, siempre con relacin a la base.
El factor de amplificacin de corriente de in transistor es la relacin entre la corriente de colector y
la del emisor.
La caracterstica del transistor en virtud de la cual, al vaciar la tensin del emisor, se pueden
obtener variaciones en la corriente del colector, comporta que pueda comparrsele con una vlvula
termoi-nica. El emisor, la base y el colector del transistor pueden identificarse con el ctodo, rejilla
y nodo de trodo, respectivamente.
Hay dos tipos de transistores:
ESTUDIO DEL TRANSISTOR BIPOLAR
El transistor convencional o bipolar se denomina as porque en su funcionamiento intervienen co-
rrientes de huecos, o de carga positiva, y de electrones, o de carga negativa. Otros dispositivos
como los FET se denominan monopolares porque slo hay corrientes de un tipo.
Los terminales del transistor reciben el nombre de emisor, colector y base. La base es el terminal
que est unido a la zona intermedia del transistor. Las tres partes del transistor se diferencian por
el distinto nivel de dopaje; la zona de menor dopaje es la base, a continuacin se encuentra el
colector y por ltimo el emisor.
Estudio de las corrientes
El anlisis del transistor se realizar para una estructura NPN, y es anlogo para el PNP.
Un transistor sin polarizar se comporta como dos diodos en contraposicin, y no existen corrientes
notables circulantes por l. Si se polariza, aparecen tres corrientes distintas, la corriente de base,
IB, corriente de emisor, IE, y por ltimo la corriente de colector, IC. En la figura siguiente estn
dibuja-das estas corrientes segn convenio, positivas hacia adentro:

Corriente en un transistor.
De estas tres corrientes, la del emisor es la ms grande, puesto que ste se comporta como fuente
de electrones. La corriente de base es muy pequea, no suele llegar al 1% de la corriente de
colector.
Aplicando la ley de Kirchoff se tiene la siguiente relacin:
IB + IC - IE = 0 ; IE = IB + IC
Existen dos parmetros que relacionan las distintas corrientes, el coeficiente alfa para continua, ,
y la ganancia de corriente beta, .
El factor Alfa. Es el cociente entre la intensidad de colector y la de emisor. Su valor nunca ser
superior a la unidad y da idea de hasta qu punto son iguales estas corrientes.
= IC / IE
El valor de a suele ser superior a 0,95, y en muchos casos es mayor de 0,99, por ello para mayor
simplicidad de clculos se suele tomar a = 1.
El factor Beta. La ganancia de corriente b se define como el cociente entre la corriente de colector
y la de base.
= IC / IB
Para transistores de baja potencia tiene valores entre 100 y 300.
Relacin entre y . Partiendo de la ecuacin de las corrientes, IE = IB + IC, si se divide ambos
trminos por IC, se tiene que:
IE / IC = 1 + (IB / IC) teniendo en cuenta que IC / IB = y IC / IE = se tiene 1 / = 1 + 1 /
despejando de la ecuacin anterior:
= / 1-

Configuraciones
Dependiendo de cul sea el terminal comn a la entrada y a la salida del transistor, se distinguen
tres tipos de configuraciones:
Configuracin en base comn. La base constituye el terminal comn a la entrada y a la salida, se
encuentra unida a masa. La ganancia en corriente de este circuito es la unidad, pero sin embargo
la ganancia en tensin puede ser muy alta y, por lo tanto, tambin la ganancia en potencia. Esta
confi-guracin presenta muy poca realimentacin entre la entrada y la salida, por lo que se emplea
espe-cialmente en circuitos de frecuencias altas o muy altas.
Configuracin en emisor comn. El emisor est unido a tierra. La ganancia en corriente es alta (la
Beta del transistor), la ganancia en tensin y en potencia (dependiente de la carga de colector) es
igualmente alta. Es la configuracin ms utilizada.




Configuracin en colector comn. En este caso, el terminal que est conectado a masa es el colec-
tor. La entrada se aplica a la base, como en las configuraciones anteriores y la carga entre el
emisor y masa. Esta configuracin tiene una ganancia en corriente de la beta del transistor, la
ganancia en tensin es muy parecida, pero inferior a la unidad, y la ganancia en potencia es
aproximadamente la beta del transistor. Esta configuracin se llama tambin seguidor de emisor;
se emplea para aislar o adaptar impedancias, ya que el circuito de base ofrece a la seal una
impedancia beta veces inferior a la que se encuentra en el emisor. Se conoce como seguidor de
emisor porque la tensin en el emisor "sigue" a la de base.


Configuraciones bsicas de empleo de un transistor.

Curvas caractersticas
Un transistor en rgimen esttico se encuentra, solamente, bajo la accin de las tensiones
continuas que se le aplican para polarizarle. Una forma de resumir este funcionamiento es utilizar
las curvas caractersticas del transistor, que relacionan las tensiones y las corrientes. Las tensiones
y corrientes que se utilizan dependen de la configuracin del transistor, pero independientemente
de sta, se dis-tinguen dos tipos de curvas: la caracterstica de entrada y la caracterstica de
salida.
a) Caractersticas de entrada
La caracterstica de entrada relaciona dos magnitudes de entrada con una de salida. En el caso de
la configuracin en emisor comn se tiene la corriente de base en funcin de la tensin base-
emisor, para distintos valores de tensin colector- emisor. La corriente de base y la tensin base-
emisor son variables de entrada, mientras que la tensin colector-emisor es una magnitud de
salida.
Si se tiene una configuracin en base comn, su caracterstica de entrada relacionar la corriente
del emisor con la tensin emisor-base, utilizando la tensin colector-base como parmetro. La
corriente de emisor y la tensin emisor-base con las magnitudes de entrada.
La figura muestra las diferentes caractersticas de entrada de dos transistores NPN de germanio y
silicio respectivamente en funcin del voltaje base-emisor para dos valores del voltaje colector.
emi-sor.


Caractersticas tpicas de transistores.

b) Caractersticas de salida
La caracterstica de salida tiene dos de las tres magnitudes pertenecientes al circuito de salida. Las
curvas que relacionan la corriente de colector, la de base y la tensin emisor-colector son
caracters-ticas de salida en configuracin emisor-comn, mientras que las que relacionan la
corriente de emi-sor, la de colector y la tensin colector-base son las curvas correspondientes a
una configuracin en base comn.

Familia de curvas de corriente colector.




Zonas de funcionamiento
Un transistor bipolar puede funcionar de tres formas diferentes dependiendo de la polarizacin que
tengan las dos uniones, base-emisor y base-colector. Estas zonas se pueden observar en la familia
de curvas caractersticas de salida de un transistor como se muestra en la figura.
Zona de corte. Para un transistor de silicio, Vbe es inferior a 0,6 V (para germanio 0,2 V), ambas
uniones estn polarizadas en sentido inverso y las intensidades en los terminales se pueden
conside-rar despreciables. En otras palabras, la tensin de base no es lo suficientemente alta para
que circule corriente por la unin base emisor, por lo que la corriente de colector es igualmente
despreciable.
Zona activa. La unin base-emisor est polarizada en sentido directo (Vbe > 0,6 V) y la unin co-
lectora lo est en sentido inverso, la corriente inversa que circula en la unin de colector es beta
ve-ces la corriente que circula en sentido directo base emisor. Esta zona es muy importante,
puesto que el transistor funciona en ella cuando se utiliza para amplificar seales.
Zona de saturacin. Ambas uniones, emisora y colectora, estn polarizadas en sentido directo. La
corriente base-emisor es muy grande, por lo que la corriente de colector lo es igualmente grande.
Se dice que ha entrado en saturacin si el voltaje del colector es inferior a la tensin base-emisor.
Limites de los transistores
En la hoja de caractersticas de un transistor aparecen una serie de valores que deben ser
respetados si no se quiere que el transistor se destruya o pierda sus propiedades. Aunque estas
caractersticas estn comentadas para los transistores bipolares, las de los transistores unipolares
son muy similares.
Corriente mxima de colector
Esta corriente viene limitada por la superficie de la unin y por los conductores que conectan los
terminales del transistor con los terminales exteriores. En algunos componentes se especifican los
valores que puede soportar un dispositivo de manera continua. Estos valores que estn
condiciona-dos por problemas trmicos pueden excederse durante tiempos muy cortos si exceder
los valores promedio sin grandes contratiempos.
Mxima potencia disipada
La potencia que puede disipar un transistor esta condicionada por la mxima temperatura que
puede soportar la unin semiconductora colector-base, ya que como en todo diodo la corriente
inversa cre-ce con la temperatura. Para que la temperatura de esta unin no supere los valores
permitidos, que suele estar hacia 125 C en el silicio y los 85 C en el germanio, debe proveerse de
dispositivos que extraigan al exterior el calor generado en las uniones. Los pequeos transistores
discretos de silicio que se utilizan en circuitera electrnica, tienen una superficie semiconductora
de 1 o 2 mm2 y pue-den llegar a disipar 0,25 W de calor sin que la temperatura de la unin supere
los valores permitidos. Acoplando un pequeo radiador unido trmicamente a la carcasa del
transistor puede llegarse hasta 1 W. Los transistores de media potencia (de 1 a 25 w) suelen ser
de mayor tamao ( 4 a lo mm2 ) y disponen de tornillos para acoplarse trmicamente a radiadores.
Los transistores de altas potencias (125 W y ms) tienen superficies de semiconductor del orden
de 25 mm2, soldadas a gruesas lminas de cobre con tornillos para una robusta fijacin al
radiador.
El las caractersticas de los transistores de potencia se suele sealar una curva llamada rea
segura de trabajo, una combinacin de voltaje y corriente colector emisor que en caso de
superarse supone la destruccin del dispositivo.
Tensin mxima
Es la mxima tensin de polarizacin inversa que puede aplicarse al transistor. Este valor tiene que
estar indicado para evitar que el transistor entre en la zona de ruptura, en la cual el dispositivo
sera destruido por un exceso de tensin. Antes de que el transistor entre en la zona de ruptura,
algunos transistores manifiestan un fenmeno singular conocido como avalancha. El transistor
soporta sin grandes fugas una alta tensin mientras no circula corriente de base. Pero en el
momento que co-mienza a circular una pequea corriente por la base el transistor entra en
conduccin total. Si no existe limitacin el la corriente de colector el transistor es destruido. Por el
contrario, este fenmeno con limitacin de corriente puede aprovecharse para obtener altos
valores de corriente en generado-res de pulsos para diodos lser y otras aplicaciones sofisticadas.
Frecuencia de transicin (Ft)
Es una caracterstica del comportamiento del transistor respecto a la frecuencia. La frecuencia de
transicin tambin llamado producto de ganancia por ancho de banda, determina el punto al cual la
ganancia en corriente del transistor para esa frecuencia (bf) es la unidad. En otras palabras la fre-
cuencia hasta la cual puede obtenerse ganancia de potencia del transistor cuando se emplea como
amplificador. Con este parmetro se especifica la capacidad del transistor para trabajar a altas fre-
cuencias.
Tiempo de conmutacin
En circuitos lgicos o digitales, el transistor generalmente se encuentra en uno de dos estados,
corte (no conduce) y saturacin (conduce totalmente). El paso de un estado a otro no es
instantneo por-que el transistor no es un dispositivo ideal, sino que requiere un tiempo. Cuanto
menores son los tiempos para cambiar de estado, mas rpido es el transistor.

TRANSISTORES UNIPOLARES
El funcionamiento de los transistores bipolares expuesto anteriormente est basado en el
movimiento de dos tipos de cargas, electrones y huecos, de ah el prefijo bi-; adems, las uniones
PN se po-larizan en sentido directo e inverso. Otro tipo de transistores muy importante son los
unipolares que se basan en el movimiento de un solo tipo de cargas, electrones o huecos, por ello
el prefijo uni-. En este tipo de transistor, las uniones PN se polarizan siempre en inverso. El
funcionamiento de estos transistores es significativamente diferente a los bipolares.
Los transistores unipolares se dividen en dos grupos, los transistores de unin de efecto de campo,
JFET o FET, que a su vez se dividen en transistores de canal N y transistores de canal P, y los
tran-sistores metal-xido-semiconductor de efecto de campo o MOSFET. Dentro de este grupo se
distin-guen dos subgrupos, MOSFET de enriquecimiento y MOSFET de empobrecimiento, que se
dividen al igual que los FET en canal N y canal P. La figura a continuacin muestra la simbologa
para los diferentes tipos de transistores.

Smbolos de diferentes transistores de efecto de campo.

Transistores JFET
Este transistor est formado por una pastilla de semiconductor tipo N, en la cual se difunden dos
zonas de semiconductor tipo P. La difusin puede hacerse utilizando una sola cara, o bien, utilizan-
do ambas. En la figura siguiente se observa la estructura esquemtica de este transistor. Si en
lugar de utilizar una pastilla de semiconductor tipo N se utiliza una de P y se difunden dos zonas N,
se obtiene un transistor FET de canal P.

Esquema de un transistor de efecto de campo.

Este transistor posee, al igual que el bipolar, 3 terminales, que se denominan fuente (source), dre-
naje (drain) y puerta (gate).
Drenaje y fuente: Son los terminales que estn unidos a la pastilla de semiconductor (N o P). Los
portadores mayoritarios salen por el drenaje y entran por la fuente. Se denominan por las letras D y
S respectivamente. La conduccin entre estos dos terminales se comporta como la de una
resistencia cuyo valor esta controlado por la tensin de puerta.
Puerta: Se corresponde con las zonas difundidas. Se comporta como la de un diodo polarizado en
inverso, por lo tanto presenta una alta resistencia de entrada y casi no circula corriente por ella. Si
estn las dos unidas interiormente y se tiene accesible un solo terminal, se tiene un FET de una
puer-ta, y si estn separadas, un transistor FET de dos puertas. La puerta se representa por la
letra G del ingls gate.
Los transistores FET tienen un comportamiento muy similar a las vlvulas de vaco; se suele decir
que son dispositivos de transconductancia en los que la corriente esta controlada por la tensin de
puerta. Los componentes discretos se emplean en etapas de entrada de amplificadores
operacionales por su alta impedancia de entrada, linealidad y bajo ruido. Los dispositivos de
potencia se usan ven-tajosamente para sustituir transistores convencionales en las etapas de
potencia ya que son ms rpi-dos, ms robustos y carentes de fenmenos de embalamiento
trmico. Se emplean en conmutacin de potencia debido a sus bajas resistencias internas de
conduccin.
Transistores MOSFET
La construccin y estructura de estos dispositivos es muy similar al FET e igualmente sus
electrodos se denominan puerta, drenaje y fuente. La diferencia se encuentra en que la puerta est
aislada del canal mediante una capa de xido de silicio (SiO2). Estos transistores reciben, tambin,
el nombre de IGFET (del ingls insulated gate, puerta aislada).
MOSFET de empobrecimiento. La estructura de este tipo de MOSFET est representada en la
siguiente figura. En una pastilla de material N, se difunde una zona p denominada sustrato. En este
caso se tiene un MOSFET canal P, si se hace a la inversa se obtendr un MOSFET canal N. Este
tipo de transistor apenas se utiliza, pero su importancia radica en que fue el primer paso para el
MOSFET de enriquecimiento, de gran importancia en electrnica digital y en los ordenadores.

Mosfet de empobrecimiento.
MOSFET de enriquecimiento. La diferencia con el transistor de empobrecimiento esta en que en la
pastilla de semiconductor N se difunden dos zonas tipo P, para el transistor de canal P.

Corte esquemtico de un transistor Mosfet.
Los transistores MOSFET, se emplean ventajosamente en etapas amplificadoras y mezcladoras de
radiofrecuencia. Dispositivos construidos con arseniuro de galio como material base se emplean en
amplificadores de potencia en radiofrecuencia hasta frecuencias de ms de 35 Ghz. Los pares
com-plementarios CMOS constituyen el elemento bsico de los circuitos integrados digitales de la
familia lgica CMOS. Con esta tecnologa se fabrican actualmente la mayora de los circuitos
digitales de los ordenadores personales.
Transistor uniunin
ste es dispositivo muy peculiar relativamente poco utilizado, porque slo encuentra aplicacin en
los osciladores de relajacin. Consta de una barrita de material semiconductor tipo N (aunque este
es el caso tpico puede darse la configuracin inversa) con dos terminales en sus extremos
denominados base 1 y base 2. Aproximadamente en la mitad se realiza una unin de tipo P con
otro terminal de salida denominado emisor. La barita semiconductora tiene pocos portadores y
ofrece mucha resistencia al paso de la corriente mientras la unin est polarizada en sentido
inverso lo que ocurre cuando el voltaje del emisor es inferior a 1/2 (Vb2-Vb1 0,65 V). Cuando el
voltaje del emisor supera este umbral, intecta portadores hacia la base, con lo cual aumenta la
conductividad de la barita y del diodo emisor-base1. Esta situacin se mantiene en tanto no se
corte la corriente a travs de este diodo.
Circuitos con transistores
Circuitos de polarizacin de transistores
Para que un transistor funcione, bien en la zona de amplificacin, en la de corte o en la de
saturacin, debe estar polarizado adecuadamente. Existen dos tipos de polarizacin, la de base y
la de emisor. La polarizacin de base se utiliza en circuitos digitales, en los cuales el transistor
trabaja en corte o en saturacin. La polarizacin de emisor se utiliza en circuitos amplificadores.
Polarizacion de base
La polarizacin de base se corresponde a un circuito como el de la figura 1 a). En este circuito se
estn utilizando dos fuentes de alimentacin, pero usualmente slo se dispone de una, con lo que
el circuito pasa a tomar la forma representada en la figura 1 b).

Fig 1. Polarizacin simplificada de un transistor.
Este tipo de polarizacin tiene el inconveniente de la fluctuacin del punto de funcionamiento, pro-
ducido por la variacin de la ganancia. La figura n 2 muestra la caracterstica de salida de un tran-
sistor con polarizacin de base, en la cual se ha dibujado la recta de carga, en la cual estn
situados todos los posibles puntos de funcionamiento del transistor.
Para el clculo de la recta de carga, nicamente hay que considerar:
- Punto de corte con el eje de ordenadas. Es precisamente la corriente de saturacin del transistor,
para su calculo se debe de poner en cortocircuito los terminales colector-emisor y calcular la
corriente que circula por el colector. Para los circuitos de las figura 1 este punto ser Isat =
Vcc/Rc.
- Punto de corte con el eje de abscisas. Se corresponde con la tensin de corte o mxima tensin
colector-emisor que se puede alcanzar. Para su clculo, basta con abrir los terminales colector-
emisor y calcular la tensin colector-emisor. Para el circuito considerado este valor es VCE(corte) =
Vcc.

Fig. 2. Caracterstica de salida de un transistor.
Teniendo en cuenta todo lo anterior, a continuacin se estudia la variacin el punto de funciona-
miento con la ganancia.
Considrense, en primer lugar, que el circuito de la figura n 1 posee una ganancia b, para unas
con-diciones determinadas. El punto de funcionamiento Q vendr dado por una corriente de
colector Ic =b .IB y por una tensin colector emisor, VCE = Vcc - Rc. b .IB, tal como se muestra en
la figura n 2. Supngase ahora que, por efecto de la temperatura, la ganancia toma un valor b < b
. En estas con-diciones se tiene un nuevo punto de funcionamiento Q tal que Ic = b.IB y VCE=
Vcc - Rc. b.IB, como Ic< Ic se tiene que VCE> VCE.
La ganancia de un transistor vara a causa de las tolerancias de fabricacin, de la temperatura y de
las condiciones de funcionamiento del propio transistor. Debido a esto en las hojas de
caractersticas aparece un valor mximo y uno mnimo para la ganancia en corriente continua. Esto
no es adecuado para la produccin en serie. Lo que se necesita es un circuito de polarizacin en el
cual su punto de funcionamiento se puede predecir independientemente de los cambios de
temperatura del transistor, etc. Este circuito es la polarizacin de emisor.
Un circuito con transistores que tenga polarizacin de base tiene sus aplicaciones en los circuitos
digitales y de conmutacin; o sea, en aquellos que no importa el valor exacto de la ganancia de co-
rriente. Pero cuando se quieren amplificadores, es necesario un circuito de polarizacin que sea in-
mune a las variaciones de la ganancia de corriente.
Polarizacin de emisor
Este circuito tiene el aspecto bsico de la figura 3. Con este diseo el punto de funcionamiento no
flucta con las variaciones de ganancia.

Fig 3. Estabilizacin con resistencia de emisor.


Si en esta caso se calcula los puntos de funcionamiento para dos ganancias diferentes, b y b, se
ver que el punto de funcionamiento no vara.
Punto de funcionamiento para ganancia b.
Teniendo en cuenta que Ic es aproximadamente igual a IE, se tiene un valor para la corriente de
emi-sor: IE = VBB/ RE, considerando el diodo del emisor como ideal. En caso de que se considere
que caen en el emisor 0.7 v, el numerador de la expresin anterior valdra VBB - 0.7
La tensin colector-emisor viene dada por la expresin:
VCE = Vcc - ICVBB- 0.7
- Punto de funcionamiento para ganancia b.
Como para este circuito IE es constante, para este nuevo valor de ganancia, se tiene el mismo
valor de corriente de emisor, luego el punto de funcionamiento permanece constante.
Aunque se considere que
IC = (B / B + 1) IE
se puede demostrar que el punto de funcionamiento permanece prcticamente constante para
gran-des variaciones de b.
Polarizacin con divisor de tensin
En ocasiones, la tensin de la fuente de alimentacin es demasiado elevada para aplicarla directa-
mente en la base del transistor. Como disear otra fuente es demasiado costoso se recorre a la
utili-zacin de un divisor de tensin. Lo que se hace es intercalar resistencias para reducir el nivel
de tensin. El circuito de la figura 4 muestra un circuito de polarizacin de emisor por divisin de
ten-sin. Se puede observar, que la tensin que se aplica en este caso entre base y masa es la
que cae en la resistencia R2.
En este circuito con Vcc, R1, R2 y Rc se controla la corriente de saturacin y la tensin de corte.
Una vez elegidos estos valores, se elige la resistencia del emisor para situar el punto de funciona-
miento Q a lo largo de cualquier punto de la recta.

Fig 4. Polarizacin con divisor de tensin.

Circuitos amplificadores
Cuando un transistor se ha polarizado con un punto de funcionamiento prximo al punto medio de
la recta de carga, y se aplica una pequea seal alterna a la base del transistor, en el colector se
tiene la misma seal que en la base, pero de con una amplitud mayor. Antes de pasar a ver el
funciona-miento bsico de un circuito amplificador, conviene tener claros los conceptos de
condensador de acoplo y desacoplo que se exponen a continuacin.
Acoplo por condensadores
La oposicin que presenta un condensador al paso de la corriente depende de su frecuencia. Esto
se puede justificar porque:
iX = 1 / (2pfC)
y como se observa en la expresin a mayor frecuencia menor Xc. Segn esto, un condensador a
altas frecuencias se comporta como un cortocircuito y a bajas como un circuito abierto, si se
considera alta frecuencia a un valor 10 superior a la frecuencia de corte.
Condensador de acoplo. Un condensador de acoplo transmite una seal de alterna de un nudo a
otro del circuito. La figura 5 muestra un condensador de acoplo. El condensador debe comportarse
como un cortocircuito para alterna, a la frecuencia ms baja que pueda tener el generador, es
decir, si se tiene un generador que varia entre 100 Hz y 10 KHz, el condensador tiene que ser un
cortocir-cuito para la frecuencia de 100 Hz.


Fig. 5. Condensador de acoplo.
Condensador de desacoplo. La figura 6 representa un condensador de desacoplo. Lo que se consi-
gue con este montaje es que la corriente alterna no pase por la resistencia. Como el condensador
es un cortocircuito para altas frecuencias la corriente alterna fluye por l y se deriva a tierra.

Fig. n 6. Condensador de desacoplo
Circuito en emisor comn
La figura 7 representa un amplificador en emisor comn. En este circuito, la tensin colector-emisor
es la misma que Vg, pero de mayor amplitud. Hay que tener claro que en este circuito hay dos
tipos de tensin, continua y alterna. El circuito tiene un comportamiento diferente para cada una de
ellas. Para continua, todos los condensadores son circuitos abiertos, y para alterna, todos son
cortocircui-tos.
La fuente de seal Vg est aplicada a la base del transistor atravs del condensador C1. En el
emisor se tiene una seal igual a la de la base y en fase con ella. La corriente de seal que circula
por el colector, se puede considerar igual a la del emisor. Cuando esta corriente circula por Rc,
produce una seal en el colector. Esta seal amplificada est desfasada 180 con respecto a la
tensin de entrada.
Se define como ganancia de tensin de un amplificador al cociente entre la tensin de salida y la
de entrada.

Fig 7. Circuito en emisor comn.[/font]