TOPICOS DE FSICA DE SEMICONDUCTORES: BANDAS DE

ENERGA
El objetivo principal de la teora de las Bandas es el de encontrar un
modelo analtico o matemtico, que describa cuantitativamente el
comportamiento de una partcula cargada en el cristal, como si se
estructurara del que tiene una partcula libre como una peculiar masa
denominada masa efectiva.
Cuando el electrn pasa cerca de un tomo es acelerado y cuando se
aleja es desacelerado, hasta que entra dentro del campo elctrico del
siguiente tomo. Este proceso se repite tomo tras tomo, por lo que el
campo de energa potencial del cristal ideal es peridico.
!e sabe por la mecnica cuntica que la e"presin que proporciona los
niveles de energa discretos de un electrn en un po#o unidimensional y
simtrico es$
%onde n& ', (, )*
Considerando analticamente el comportamiento del electrn en redes
peridicas +,edes de Bravais- mediante un modelo basado en un
potencial peridica de forma cuadrada en un cristal unidimensional de
dimensiones in.nitas se describe el potencial peridico de forma
cuadrada.
/ara algunos valores de energa E, el primer miembro resulta mayor que
la unidad por lo que el electrn no puede tener estas energas. Esta es la
e"plicacin de que apare#can bandas de energa prohibida.
MATERIALES INTRNSECOS Y EXTRNSECOS
SEMICONDUCTORES INTRNSECOS
Es un cristal de silicio o germanio que forma una estructura tetradrica
similar a la del carbono mediante enlaces covalentes entre sus tomos,
en la .gura representados en el plano por simplicidad. Cuando el cristal
se encuentra a temperatura ambiente algunos electrones pueden
absorber la energa necesaria para saltar a la banda de conduccin
dejando el correspondiente hueco en la banda de valencia +'-. 0as
energas requeridas, a temperatura ambiente, son de ','( ev y 1,23 ev
para el silicio y el germanio respectivamente.
4bviamente el proceso inverso tambin se produce, de modo que los
electrones pueden caer, desde el estado energtico correspondiente a la
banda de conduccin, a un hueco en la banda de valencia liberando
energa. 5 este fenmeno se le denomina recombinacin. !ucede que, a
una determinada temperatura, las velocidades de creacin de pares e6h,
y de recombinacin se igualan, de modo que la concentracin global de
electrones y huecos permanece constante. !iendo 7n7 la concentracin
de electrones +cargas negativas- y 7p7 la concentracin de huecos
+cargas positivas-, se cumple que$
8i & n & p
!iendo ni la concentracin intrnseca del semiconductor, funcin
e"clusiva de la temperatura y del tipo de elemento.
Ejemplos de valores de ni a temperatura ambiente +(3 9c-$
8i +!i- & '.: '1'1cm6)
8i +;e- & '.3) '1')cm6)
0os electrones y los huecos reciben el nombre de portadores. En los
semiconductores, ambos tipos de portadores contribuyen al paso de la
corriente elctrica. !i se somete el cristal a una diferencia de potencial
se producen dos corrientes elctricas. /or un lado la debida al
movimiento de los electrones libres de la banda de conduccin, y por
otro, la debida al despla#amiento de los electrones en la banda de
valencia, que tendern a saltar a los huecos pr"imos +(-, originando
una corriente de huecos con < capas ideales y en la direccin contraria
al campo elctrico cuya velocidad y magnitud es muy inferior a la de la
banda de conduccin.
SEMICONDUCTORES EXTRNSECOS
!i a un semiconductor intrnseco, como el anterior, se le a=ade un
peque=o porcentaje de impure#as, es decir, elementos trivalentes o
pentavalentes, el semiconductor se denomina e"trnseco, y se dice que
est dopado. Evidentemente, las impure#as debern formar parte de la
estructura cristalina sustituyendo al correspondiente tomo de silicio.
>oy en da se han logrado a=adir impure#as de una parte por cada '1
millones, logrando con ello una modi.cacin del material.
SEMICONDUCTOR TIPO N
?n !emiconductor tipo 8 se obtiene llevando a cabo un proceso de
dopado a=adiendo un cierto tipo de tomos al semiconductor para poder
aumentar el n@mero de portadores de carga libres +en este caso
negativos o electrones-.
Cuando se a=ade el material dopante, aporta sus electrones ms
dbilmente vinculados a los tomos del semiconductor. Este tipo de
agente dopante es tambin conocido como material donante, ya que da
algunos de sus electrones.
El propsito del dopaje tipo n es el de producir abundancia de electrones
portadores en el material. /ara ayudar a entender cmo se produce el
dopaje tipo n considrese el caso del silicio +!i-. 0os tomos del silicio
tienen una valencia atmica de cuatro, por lo que se forma un enlace
covalente con cada uno de los tomos de silicio adyacentes. !i un tomo
con cinco electrones de valencia, tales como los del grupo ': de la tabla
peridica +ej. Asforo +/-, arsnico +5s- o antimonio +!b--, se incorpora a
la red cristalina en el lugar de un tomo de silicio, entonces ese tomo
tendr cuatro enlaces covalentes y un electrn no enla#ado. Este
electrn e"tra da como resultado la formacin de 7electrones libres7, el
n@mero de electrones en el material supera ampliamente el n@mero de
huecos, en ese caso los electrones son los portadores mayoritarios y los
huecos son los portadores minoritarios. 5 causa de que los tomos con
cinco electrones de valencia tienen un electrn e"tra que 7dar7, son
llamados tomos donadores. 8tese que cada electrn libre en el
semiconductor nunca est lejos de un ion dopante positivo inmvil, y el
material dopado tipo 8 generalmente tiene una carga elctrica neta .nal
de cero.
SEMICONDUCTOR TIPO P
?n !emiconductor tipo / se obtiene llevando a cabo un proceso de
dopado, a=adiendo un cierto tipo de tomos al semiconductor para
poder aumentar el n@mero de portadores de carga libres +en este caso
positivos o huecos-.
Cuando se a=ade el material dopante libera los electrones ms
dbilmente vinculados de los tomos del semiconductor. Este agente
dopante es tambin conocido como material aceptor y los tomos del
semiconductor que han perdido un electrn son conocidos como huecos.
El propsito del dopaje tipo / es el de crear abundancia de huecos. En el
caso del silicio, un tomo tetravalente +tpicamente del grupo '< de la
tabla peridica- se le une un tomo con tres electrones de valencia,
tales como los del grupo ') de la tabla peridica +ej. 5l, ;a, B, Bn-, y se
incorpora a la red cristalina en el lugar de un tomo de silicio, entonces
ese tomo tendr tres enlaces covalentes y un hueco producido que se
encontrar en condicin de aceptar un electrn libre.
5s los dopantes crean los 7huecos7. 8o obstante, cuando cada hueco se
ha despla#ado por la red, un protn del tomo situado en la posicin del
hueco se ve 7e"puesto7 y en breve se ve equilibrado como una cierta
carga positiva. Cuando un n@mero su.ciente de aceptores son a=adidos,
los huecos superan ampliamente la e"citacin trmica de los electrones.
5s, los huecos son los portadores mayoritarios, mientras que los
electrones son los portadores minoritarios en los materiales tipo /. 0os
diamantes a#ules +tipo iib-, que contienen impure#as de boro +B-, son un
ejemplo de un semiconductor tipo / que se produce de manera natural.
UNION P-N
!e denomina unin /8 a la estructura fundamental de los componentes
electrnicos com@nmente denominados semiconductores,
principalmente diodos y transistores BCD. Est formada por la unin
metal@rgica de dos cristales, generalmente de !ilicio +!i-, aunque
tambin se fabrican de ;ermanio +;e-, de naturale#as / y 8 seg@n su
composicin a nivel atmico. Estos tipos de cristal se obtienen al dopar
cristales de metal puro intencionadamente con impure#as, normalmente
con alg@n otro metal o compuesto qumico.
/405,BE5CBF8 %B,ECD5 %E 05 ?8BF8 / G 8
/olari#acin directa del diodo p6n.
En este caso, la batera disminuye la barrera de potencial de la #ona de
carga espacial, permitiendo el paso de la corriente de electrones a
travs de la uninH es decir, el diodo polari#ado directamente conduce la
electricidad.
!e produce cuando se conecta el polo positivo de la pila a la parte / de
la unin / 6 8 y la negativa a la 8. En estas condiciones podemos
observar que$
El polo negativo de la batera repele los electrones libres del cristal
n, con lo que estos electrones se dirigen hacia la unin p6n.
El polo positivo de la batera atrae a los electrones de valencia del
cristal p, esto es equivalente a decir que empuja a los huecos hacia la
unin p6n.
Cuando la diferencia de potencial entre los bornes de la batera es
mayor que la diferencia de potencial en la #ona de carga espacial, los
electrones libres del cristal n, adquieren la energa su.ciente para
saltar a los huecos del cristal p, los cuales previamente se han
despla#ado hacia la unin p6n.
?na ve# que un electrn libre de la #ona n salta a la #ona p
atravesando la #ona de carga espacial, cae en uno de los m@ltiples
huecos de la #ona p convirtindose en electrn de valencia. ?na ve#
ocurrido esto el electrn es atrado por el polo positivo de la batera y
se despla#a de tomo en tomo hasta llegar al .nal del cristal p,
desde el cual se introduce en el hilo conductor y llega hasta la
batera.
%e este modo, con la batera cediendo electrones libres a la #ona n y
atrayendo electrones de valencia de la #ona p, aparece a travs del
diodo una corriente elctrica constante hasta el .nal.
/405,BE5CBF8 B8IE,!5 %E 05 ?8BF8 / 6 8
/olari#acin inversa del diodo pn.
En este caso, el polo negativo de la batera se conecta a la #ona p y el
polo positivo a la #ona n, lo que hace aumentar la #ona de carga
espacial, y la tensin en dicha #ona hasta que se alcan#a el valor de la
tensin de la batera, tal y como se e"plica a continuacin$
El polo positivo de la batera atrae a los electrones libres de la
#ona n, los cuales salen del cristal n y se introducen en el conductor
dentro del cual se despla#an hasta llegar a la batera. 5 medida que
los electrones libres abandonan la #ona n, los tomos pentavalentes
que antes eran neutros, al verse desprendidos de su electrn en el
orbital de conduccin, adquieren estabilidad$ J electrones en la capa
de valencia, y una carga elctrica neta de K', con lo que se
convierten en iones positivos.
El polo negativo de la batera cede electrones libres a los tomos
trivalentes de la #ona p. ,ecordemos que estos tomos slo tienen )
electrones de valencia, con lo que una ve# que han formado los
enlaces covalentes con los tomos de silicio, tienen solamente 3
electrones de valencia, siendo el electrn que falta el
denominado hueco. El caso es que cuando los electrones libres
cedidos por la batera entran en la #ona p, caen dentro de estos
huecos con lo que los tomos trivalentes adquieren estabilidad +J
electrones en su orbital de valencia- y una carga elctrica neta de 6',
convirtindose as en iones negativos.
Este proceso se repite una y otra ve# hasta que la #ona de carga
espacial adquiere el mismo potencial elctrico que la batera.
En esta situacin, el diodo no debera conducir la corrienteH sin embargo,
debido al efecto de la temperatura se formarn pares electrn6hueco a
ambos lados de la unin produciendo una peque=a corriente +del orden
de ' a- denominada corriente inversa de saturacin. 5dems, e"iste
tambin una denominada corriente super.cial de fugas la cual, como su
propio nombre indica, conduce una peque=a corriente por la super.cie
del diodoH ya que en la super.cie, los tomos de silicio no estn
rodeados de su.cientes tomos para reali#ar los cuatro enlaces
covalentes necesarios para obtener estabilidad. Esto hace que los
tomos de la super.cie del diodo, tanto de la #ona n como de la p,
tengan huecos en su orbital de valencia con lo que los electrones
circulan sin di.cultad a travs de ellos. 8o obstante, al igual que la
corriente inversa de saturacin, la corriente super.cial de fugas es
despreciable.
DIODOS EMISORES DE LUZ LED
El 0E% +0ight6Emitting%iode$ %iodo Emisor de 0u#-, es un dispositivo
semiconductor que emite lu# incoherente de espectro reducido cuando
se polari#a de forma directa la unin /8 en la cual circula por l una
corriente elctrica . Este fenmeno es una forma de
electroluminiscencia, el 0E% es un tipo especial de diodo que trabaja
como un diodo com@n, pero que al ser atravesado por la corriente
elctrica, emite lu#. Este dispositivo semiconductor est com@nmente
encapsulado en una cubierta de plstico de mayor resistencia que las de
vidrio que usualmente se emplean en las lmparas incandescentes.
5unque el plstico puede estar coloreado, es slo por ra#ones estticas,
ya que ello no inLuye en el color de la lu# emitida. ?sualmente un 0E%
es una fuente de lu# compuesta con diferentes partes, ra#n por la cual
el patrn de intensidad de la lu# emitida puede ser bastante complejo.
/ara obtener una buena intensidad luminosa debe escogerse bien la
corriente que atraviesa el 0E% y evitar que este se pueda da=arH para
ello, hay que tener en cuenta que el voltaje de operacin va desde ',J
hasta ),J voltios apro"imadamente +lo que est relacionado con el
material de fabricacin y el color de la lu# que emite- y la gama de
intensidades que debe circular por l vara seg@n su aplicacin. 0os
Ialores tpicos de corriente directa de polari#acin de un 0E% estn
comprendidos entre los '1 y (1 miliamperios +m5- en los diodos de color
rojo y de entre los (1 y <1 miliamperios +m5- para los otros 0E%. 0os
diodos 0E% tienen enormes ventajas sobre las lmparas indicadoras
comunes, como su bajo consumo de energa, su mantenimiento casi
nulo y con una vida apro"imada de '11,111 horas. /ara la proteccin del
0E% en caso haya picos inesperados que puedan da=arlo. !e coloca en
paralelo y en sentido opuesto un diodo de silicio com@n
En general, los 0E% suelen tener mejor e.ciencia cuanto menor es la
corriente que circula por ellos, con lo cual, en su operacin de forma
optimi#ada, se suele buscar un compromiso entre la intensidad luminosa
que producen +mayor cuanto ms grande es la intensidad que circula
por ellos- y la e.ciencia +mayor cuanto menor es la intensidad que
circula por ellos-.
!mbolo del 0E%
ESTRUCTURA DE UN DIODO LED
?n diodo 0E% com@n se compone de las siguientes partes$
'.6 E"tremo superior abovedado de la cpsula de resina epo"i, que hace
tambin funcin de lente conve"a. 0a e"istencia de esta lente permite
concentrar el ha# de lu# que emite el chip y proyectarlo en una sola
direccin.
(.6 Cpsula de resina epo"i protectora del chip.
).6 Chip o diodo semiconductor emisor de lu#.
<.6 Copa reLectora. En el interior de esta copa se aloja el chip emisor de
lu#.
:.6 Base redonda de la cpsula de resina epo"i. Esta base posee una
marca plana situada junto a uno de los dos alambres de cone"in del
0E% al circuito e"terno, que sirve para identi.car el terminal negativo +G-
correspondiente al ctodo del chip.
2.6 5lambre terminal negativo +G- de cone"in a un circuito elctrico o
electrnico e"terno. En un 0E% nuevo este terminal se identi.ca a simple
vista, porque siempre es ms corto que el terminal positivo.
3.6 5lambre terminal positivo +K- correspondiente al nodo del chip del
diodo, que se utili#a para conectarlo al circuito e"terno.
J.6 5lambre muy delgado de oro, conectado internamente con el
terminal positivo +K- y con el nodo del chip.
Estructura interna del chip de un diodo 0E%. En esta ilustracin el chip se
compone de nitruro de galio +;a8- como elemento semiconductor. 5qu
la corriente de electrones MBN que parte del polo negativo +G- de la
batera MBN, penetra en el diodo 0E% por el ctodo +negativo-,
correspondiente a la regin M8N. Cuando a este chip se le aplica un
voltaje adecuado que lo polarice de forma directa, los electrones
adquieren la energa e"tra necesaria que les permite circular y atravesar
las dos regiones que lo componen. %esde el mismo momento que la
batera MBN suministra a los electrones la energa su.ciente para vencer
la oposicin que les ofrece a su paso la barrera de potencial que se crea
en el punto de unin o juntura que limita las dos regiones del diodo,
estos pueden pasar a ocupar los huecos e"istentes en la regin M/N
+positiva-. 5cto seguido los electrones contin@an su recorrido por esa
otra parte del diodo, circulan por el circuito e"terno, atraviesan la
resistencia limitadora de corriente M,N y alcan#an, .nalmente, el polo
positivo +K- de la batera o fuente de energa de corriente directa,
completando as su recorrido por todo el circuito. ?na ve# que los
electrones comien#an a circular por el interior del diodo, en el mismo
momento que cada uno de ellos atraviesa la barrera de potencial y se
une a un hueco en la regin M/N, el e"ceso de energa e"tra previamente
adquirida procedente de la batera la libera en forma de fotn de lu#. En
el caso del diodo 0E% de este ejemplo, la lu# emitida ser ultravioleta
+?I-, invisible al ojo humano, por ser nitruro de galio +;a8- el
componente qumico del material semiconductor que compone este
chip.
El chip de un diodo 0E% com@n no se considera una MlmparaN
propiamente dicho como ocurre con otras fuentes de iluminacin o
bombillas ms tradicionales. /ara que sea considerado como tal, adems
del chip emisor de lu# en s, tiene que contener tambin otros elementos
adicionales, como son$ un controlador electrnico o driver, un disipador
de calor y componentes pticos apropiados, tal como poseen las
Mlmparas 0E%N de alta potencia luminosa utili#adas para su uso en
alumbrado general.
MATERIALES PARA FUENTES DE LUZ
En corriente continua +CC-, todos los diodos emiten cierta cantidad de
radiacin cuando los pares electrn6hueco se recombinanH es decir,
cuando los electrones caen desde la banda de conduccin +de mayor
energa- a la banda de valencia +de menor energa- emitiendo fotones en
el proceso. Bndudablemente, por ende, su color depender de la altura
de la banda prohibida +diferencias de energa entre las bandas de
conduccin y valencia-, es decir, de los materiales empleados. 0os
diodos convencionales, de silicio o germanio, emiten radiacin infrarroja
muy alejada del espectro visible. !in embargo, con materiales especiales
pueden conseguirse longitudes de onda visibles. 0os leds e B,E% +diodos
infrarrojos-, adems, tienen geometras especiales para evitar que la
radiacin emitida sea reabsorbida por el material circundante del propio
diodo, lo que sucede en los convencionales.
Compuestos empleados en la construccin de leds
0os primeros leds construidos fueron los diodos infrarrojos y de color
rojo, permitiendo el desarrollo tecnolgico posterior la construccin de
diodos para longitudes de onda cada ve# menores. En particular, los
diodos a#ules fueron desarrollados a .nales de los a=os noventa por
!huji8aOamura, a=adindose a los rojos y verdes desarrollados con
anterioridad, lo que permiti Ppor combinacin de los mismosP la
obtencin de lu# blanca. El diodo de seleniuro de cinc puede emitir
tambin lu# blanca si se me#cla la lu# a#ul que emite con la roja y verde
creada por fotoluminiscencia. 0a ms reciente innovacin en el mbito
de la tecnologa led son los leds ultravioleta, que se han empleado con
"ito en la produccin de lu# negra para iluminar materiales
Luorescentes. Danto los leds a#ules como los ultravioletas son caros
respecto a los ms comunes +rojo, verde, amarillo e infrarrojo-, siendo
por ello menos empleados en las aplicaciones comerciales.
0os leds comerciales tpicos estn dise=ados para potencias del orden de
los )1 a 21 mQ. En torno a 'RRR se introdujeron en el mercado diodos
capaces de trabajar con potencias de ' vatio para uso continuoH estos
diodos tienen matrices semiconductoras de dimensiones mucho
mayores para poder soportar tales potencias e incorporan aletas
metlicas para disipar el calor +vase conveccin- generado por el
efecto Coule.
>oy en da se estn desarrollando y empe#ando a comerciali#ar leds con
prestaciones muy superiores a las de hace unos a=os y con un futuro
prometedor en diversos campos, incluso en aplicaciones generales de
iluminacin. Como ejemplo, se puede destacar que 8ichiaCorporation ha
desarrollado leds de lu# blanca con una e.ciencia luminosa de ':1 lmSQ
utili#ando para ello una corriente de polari#acin directa de (1
miliamperios +m5-. Esta e.ciencia, comparada con otras fuentes de lu#
solamente en trminos de rendimiento, es apro"imadamente ',3 veces
superior a la de la lmpara Luorescente con prestaciones de color altas
+R1 lmSQ- y apro"imadamente '',: veces la de una lmpara
incandescente +') lmSQ-. !u e.ciencia es incluso ms alta que la de la
lmpara de vapor de sodio de alta presin +')( lmSQ-, que est
considerada como una de las fuentes de lu# ms e.cientes.
EFICIENCIA CUNTICA Y POTENCIA DE LOS LEDS
0a e.ciencia cuntica interna de un 0E% se de.ne como la fraccin de
pares electrn6hueco que se recombinan emitiendo radiacin ptica.
Tsta se calcula mediante la e"presin$
%ondeR
r
y R
nr
son respectivamente las ra#ones de recombinacin
radiativas y no6radiativas. Esto puede e"presarse en funcin del tiempo
total de recombinacin y el tiempo de recombinacin radiativa de la
forma$
%onde el tiempo total de recombinacin es$
0a potencia interna generada en el 0E% en funcin de la corriente
inyectada al dispositivo +I- est dada por$
%onde q es la carga del electrn y es la longitud de emisin pico.
0a e.ciencia e"terna se calcula considerando que no todos los fotones
generados saldrn del dispositivo. /ara esto se consideran los efectos de
reLe"in en la super.cie del 0E% +interfase-. Esto se simpli.ca
considerando @nicamente los fotones con ngulo de incidencia normal a
la interfase con lo que se utili#a el valor del coe.ciente de
transmisividad de Aresnel. Considerando que el medio e"terno es aire
+n=1-, la e.ciencia e"terna est dada por$
%onden es el ndice de refraccin del material semiconductor. %e aqu, la
potencia de emisin del 0E% puede obtenerse mediante$
0a sensibilidad o responsividad +responsivity- de un 0E% es la ra#n de
poder emitido +P- a corriente inyectada +I-. ;eneralmente se e"presa en
unidades de W/A, y cuando la longitud de onda se e"presa en
micrometrospuede calcularse como$
0a potencia de salida es proporcional a la corriente inyectada en un
intervalo limitado por la saturacin del dispositivo. El ancho espectral de
la emisin +en m- puede calcularse como$
%ondek
B
T est dado en eV y la longitud de onda en m
+'.(<eI&'.RR"'1
6'R
C-.
MODULACIN PTICA
0a modulacin ptica puede ser directa, donde la fuente de lu# es
modulada directamente por una inyeccin de corriente electrnica,
proveniente del circuito MdriverN, o ella puede ser una modulacin
e"terna, donde la lu# es primero generada por la fuente ptica y
despus a travs de un modulador e"terno es modulada. En este caso es
posible, pero no usual, modular, adems de la amplitud, la fase, la
frecuencia o la polari#acin de la se=al ptica. 0a ventaja de la
modulacin e"terna es la posibilidad de minimi#ar el efecto de lo MchirpN
de la se=al ptica, caractersticos das se=ales pticas moduladas
directamente. !in embargo, la mayora de los sistemas de comunicacin
por .bras pticas comerciali#ados actualmente utili#a la modulacin
directa, debido a su simplicidad y bajo costo. Estos sistemas son
llamados de sistemas del tipo BU o sea, la potencia ptica emitida por la
fuente de lu# +intensidad ptica- es modulada por la corriente
electrnica inyectada en la fuente ptica.
MODULACIN CON LED
0a modulacin ptica puede ser directa, donde la fuente de lu# es
modulada directamente por una inyeccin de corriente electrnica,
proveniente del circuito MdriverN, o ella puede ser una modulacin
e"terna, donde la lu# es primero generada por la fuente ptica y
despus a travs de un modulador e"terno es modulada. En este caso es
posible, pero no usual, modular, adems de la amplitud, la fase, la
frecuencia o la polari#acin de la se=al ptica. 0a ventaja de la
modulacin e"terna es la posibilidad de minimi#ar el efecto de lo MchirpN
de la se=al ptica, caractersticos das se=ales pticas moduladas
directamente. !in embargo, la mayora de los sistemas de comunicacin
por .bras pticas comerciali#ados actualmente utili#a la modulacin
directa, debido a su simplicidad y bajo costo. Estos sistemas son
llamados de sistemas del tipo BU o sea, la potencia ptica emitida por la
fuente de lu# +intensidad ptica- es modulada por la corriente
electrnica inyectada en la fuente ptica.
CIRCUITO DE MODULACION LED
Esta aplicacin de amp6op es un ampli.cador sumador donde la se=al de
entrada tiene una ganancia de 6', y el suministro de '(I se ampli.ca
por 6)S3 para proporcionar voltaje su.ciente para encender el 0E% y
llevarlo a su rango lineal. El cambio en la salida de lu# es entonces
proporcional al voltaje de la se=al.
DIODO LSER
0os %iodos lser, emiten lu# por el principio de emisin estimulada, la
cual surge cuando un fotn induce a un electrn que se encuentra en un
estado e"citado a pasar al estado de reposo, este proceso est
acompa=ado con la emisin de un fotn, con la misma frecuencia y fase
del fotn estimulante. /ara que el numero de fotones estimulados sea
mayor que el de los emitidos de forma espontnea, para que se
compensen las perdidas, y para que se incremente la pure#a espectral,
es necesario por un lado tener una fuerte inversin de portadores, la que
se logra con una polari#acin directa de la unin, y por el otro una
cavidad resonante, la cual posibilita tener una trayectoria de
retroalimentacin positiva facilitando que se emitan mas fotones de
forma estimulada y se seleccione ciertas longitudes de onda haciendo
mas angosto al espectro emitido.
0a presencia de una inversin grande de portadores y las propiedades
de la cavidad resonante hacen que las caractersticas de salida +potencia
ptica como funcin de la corriente de polari#acin- tenga un umbral a
partir del cual se obtiene emisin estimulada, el cual es funcin de la
temperatura.
?n diodo lser es diferente en este aspecto, ya que produce lu#
coherente lo que signi.ca que todas las ondas luminosas estn en fase
entre s. 0a idea bsica de un diodo lser consiste en usar una cmara
resonante con espejos que refuer#a la emisin de ondas luminosas a la
misma frecuencia y fase. 5 causa de esta resonancia, un diodo lser
produce un ha# de lu# estrecho que es muy intenso, enfocado y puro.
El diodo lser tambin se conoce como lser semiconductor o tambin
conocidos como lseres de inyeccin, Estos diodos pueden producir lu#
visible +roja, verde o a#ul- y lu# invisible +infrarroja-.!e usan en
productos de consumo y comunicaciones de banda ancha.
MODOS DE UN DIODO LASER
?n lser puede ser clasi.cado como operar en modo continuo o pulsado,
dependiendo de si la salida de potencia es esencialmente continua en el
tiempo o si su salida toma la forma de pulsos de lu# en una o en otra
escala de tiempo. /or supuesto, incluso un lser cuya salida es
normalmente continua se puede girar intencionalmente dentro y fuera a
una tasa con el .n de crear pulsos de lu#. Cuando la velocidad de
modulacin es en escalas de tiempo mucho ms lento que el tiempo de
vida cavidad y el perodo de tiempo durante el cual la energa se puede
almacenar en el mecanismo de accin lser o medio de bombeo, a
continuacin, todava se clasi.ca como un 7modulada7 o 7pulsada7 lser
de onda continua. 0a mayora de los diodos lser utili#ados en los
sistemas de comunicacin caen en esa categora.
OPERACIN DE ONDA CONTINUA
5lgunas aplicaciones de los lseres dependen de un ha# cuya potencia
de salida es constante en el tiempo. Dal un lser se conoce como onda
continua. !e pueden hacer muchos tipos de lser para operar en el
modo de onda continua para satisfacer este tipo de aplicacin. Uuchos
de estos lseres en realidad laser en varios modos longitudinales al
mismo tiempo, y tiempos entre las frecuencias ligeramente diferentes
pticas de las oscilaciones, de hecho, producir variaciones de amplitud
en escalas de tiempo ms cortas que el tiempo de ida y vuelta,
tpicamente de unos pocos nanosegundos o menos. En la mayora de los
casos, estos lseres son todava llaman 7onda continua7 como su
potencia de salida es estable cuando se promedian sobre cualquier
periodo de tiempo ms largos, con las variaciones de energa de muy
alta frecuencia que tienen poco o ning@n impacto en la aplicacin
prevista.
/ara el funcionamiento de onda continua que se requiere para la
inversin de poblacin del medio de ganancia que ser repuesto
continuamente por una fuente de bombeo constante. En algunos medios
de accin lser es imposible. En algunos otros lseres que requerira de
bombeo del lser a un nivel muy alto de potencia continua que sera
poco prctico o destruir el lser mediante la produccin de calor
e"cesivo. Estos lseres no se pueden ejecutar en modo CQ.
OPERACIN PULSADA
4peracin de pulsado de los lseres se re.ere a cualquier lser no
clasi.cados como onda continua, de modo que la potencia ptica
aparece en pulsos de una cierta duracin en alg@n tasa de repeticin.
Esto abarca una amplia gama de tecnologas que aborden un n@mero de
diferentes motivaciones. 5lgunos lseres son pulsadas simplemente
porque no se pueden ejecutar en el modo continuo.
En otros casos, la aplicacin requiere la produccin de impulsos que
tienen una energa tan grande como sea posible. /uesto que la energa
del pulso es igual a la potencia media dividida por la tasa de repeticin,
este objetivo a veces puede ser satisfecha mediante la reduccin de la
tasa de impulsos de modo que ms energa puede ser construida en
entre pulsos. En la ablacin con lser, por ejemplo, un peque=o volumen
de material en la super.cie de una pie#a de trabajo se puede evaporar si
se calienta en un tiempo muy corto, mientras que el suministro de la
energa gradualmente permitira el calor para ser absorbido en la mayor
parte de la pie#a , nunca alcan#ar una temperatura su.cientemente alta
en un punto particular.
4tras aplicaciones se basan en la potencia de cresta del impulso,
especialmente con el .n de obtener efectos pticos no lineales. /ara un
pulso de energa dada, esto requiere la creacin de pulsos de duracin
ms breve posible la utili#acin de tcnicas como el V6sWitching.
El ancho de banda ptica de un pulso no puede ser ms estrecha que el
recproco de la anchura del impulso. En el caso de pulsos
e"tremadamente cortos, que implica la accin lser en un ancho de
banda considerable, muy al contrario de los anchos de banda muy
estrechos tpicos de los lseres de CQ. El medio de emisin lser en
algunos lseres de colorante y los lseres de estado slido vibrnicas
produce ganancia ptica en un amplio ancho de banda, lo que hace
posible un lser que puede as generar pulsos de lu# de tan slo unos
pocos femtosegundos.
En un lser de V6conmutado, se permite la inversin de poblacin para
construir mediante la introduccin de la prdida en el interior del
resonador que e"cede la ganancia del medio, lo que tambin puede ser
descrito como una reduccin del factor de calidad o 7V7 de la cavidad.
Entonces, despus de la energa de bombeo almacenada en el medio de
lser se ha acercado al nivel m"imo posible, el mecanismo de prdida
introducido se elimina rpidamente, permitiendo que la accin lser
para comen#ar que obtiene rpidamente la energa almacenada en el
medio de ganancia. Esto se traduce en un impulso corto que la
incorporacin de la energa, y por lo tanto una alta energa m"ima.
?n lser de modo bloqueado es capa# de emitir pulsos e"tremadamente
cortos, del orden de decenas de picosegundos reduce a menos de '1
femtosegundos. Estos pulsos se repetir en el tiempo de ida y vuelta, es
decir, el tiempo que la lu# tarda en completar un viaje de ida y vuelta
entre los espejos que componen el resonador. %ebido al lmite de
Aourier, un pulso de tal longitud temporal corto tiene un espectro
e"tendido sobre un ancho de banda considerable. /or lo tanto un medio
de dicha ganancia debe tener un ancho de banda de ganancia
su.cientemente amplia para ampli.car esas frecuencias. ?n ejemplo de
un material adecuado es de titanio dopado, crecido arti.cialmente #a.ro
que tiene un ancho de banda de ganancia muy amplia y por lo tanto
puede producir pulsos de slo unos pocos femtosegundos duracin.
Dales lseres en modo bloqueado son una herramienta ms verstil para
procesos que ocurren en escalas de tiempo e"tremadamente cortos
investigacin, para ma"imi#ar el efecto de la no linealidad en materiales
pticos debido a la gran potencia de pico, y en aplicaciones de ablacin.
?na ve# ms, debido a la duracin e"tremadamente corta del impulso,
tal lser producir impulsos que alcan#an una potencia e"tremadamente
alta pico.
CONDICIONES DE DISPARO
4tro mtodo de lograr la operacin de lser pulsado es para bombear el
material lser con una fuente que es en s mismo pulsada, ya sea a
travs de la carga electrnica en el caso de lmparas de Lash, u otro
lser que ya est pulsado. /ulsos de bombeo se utili# histricamente
con lseres de colorante en el tiempo de vida de poblacin invertida de
una molcula de colorante era tan corto que se necesita una energa,
bomba rpida alta.
0a manera de superar este problema fue para cargar condensadores
grandes que luego se cambiaron a descargar a travs de lmparas de
destellos, la produccin de un Lash intensa. /ulsos de bombeo tambin
se requiere para lser de tres niveles en los que el nivel de energa ms
bajo se convierte rpidamente en altamente poblada evitar una mayor
accin lser hasta que esos tomos se relajan al estado fundamental.
Estos lseres, como el lser e"cimer y el lser de vapor de cobre, no se
pueden utili#ar en el modo CQ.
ECUACIONES DE EMISIN
/ara el anlisis del funcionamiento del lser hay que partir de
las ecuaciones de emisin +en este caso, particulari#adas para el caso de
lseres monomodo-, que son la solucin a las ecuaciones de Ua"Well
para el caso del lser$
X'Y
X(Y
%onde P y N representan la cantidad o n@mero de fotones y portadores
en la cavidad respectivamente, t
p
es el tiempo de vida de los
fotones , t
n
el tiempo de recombinacin de los portadores, R
esp
es la tasa
de emisin espontnea y G es la tasa de emisin estimulada o ganancia
ptica de la cavidad.
0a de.nicin o el valor de cada uno de los parmetros que determinan el
funcionamiento del lser es$
LA CANTIDAD DE FOTONES viene dada en funcin del campo
elctrico$
X)Y
%onde e
0
es la permitividad del medio material, m es el ndice del
modo, m

es ndice de los portadores inducidos y ! es la energa de un

fotn.
EL NMERO DE PORTADORES en la #ona activa se de.ne como$
X<Y
%onde n es la densidad de portadores y es prcticamente
constante, V="!# es el volumen de la cavidad siendo " la longitud, ! el
ancho y del grosor de la misma.
LA GANANCIA PTICA se halla a partir de:
X:Y
donde G es el factor de con.namiento, v

es la velocidad de grup
o de.nida como v

= c/m

y es una ganancia de la cavidad cuyo

valor es$ = s

$ n % n
0
& , donde s

es el coe.ciente de'n'nci'
#i(erenci'), n
0
la densidad de portadores requerida para alcan#ar el nivel
de transparencia y n la densidad de portadores. Como no se va a
trabajar con densidad de portadores por unidad de volumen, sino con
n@mero de portadores, se desarrolla un poco esta de.nicin para llegar
a otra e"presin que convenga mejor$ G = G
N
$N%N
0
&*
EL TIEMPO DE VIDA DE LOS FOTONES:
X2Y
%onde '
e
son las prdidas en los espejos, '
int
otras prdidas intrnseca de
la cavidad.
EL TIEMPO QUE TARDAN EN RECOMBINARSE LOS
PORTADORES es:
X3Y
LA TASA DE EMISIN ESPONTNEA,viene dada por$
XJY
%onde todo lo contenido dentro del corchete se conoce como factor de
inversin de la poblacin y E
f
es la energa de separacin entre los
niveles de Aermi.
!i a X'Y y X(Y se le a=ade la ecuacin de emisin de la fase, se tiene el
sistema de ecuaciones de emisin de lseres monomodo completo XRY.
XRY
EFICIENCIA CUNTICA
0a E.ciencia cuntica es una cantidad de.nida para un dispositivo
fotosensible como la pelcula fotogr.ca o un CC% como el porcentaje de
fotones que chocan con la super.cie fotorreactiva que producir un par
electrn6hueco. Es una medida precisa de la sensibilidad del dispositivo.
5 menudo se mide sobre un rango de diferentes longitudes de onda para
caracteri#ar la e.ciencia del dispositivo a cada energa. 0a pelcula
fotogr.ca tiene tpicamente una e.ciencia cuntica de menos del '1Z,
mientras los CC%s pueden tener una e.ciencia cuntica sobre R1Z en
algunas longitudes de onda.
FRECUENCIA DE RESONANCIA
!e denomina frecuencia de resonancia a aquella frecuencia
caracterstica de un cuerpo o un sistema que alcan#a el grado m"imo
de oscilacin.
Dodo cuerpo o sistema tiene una, o varias, frecuencias caractersticas.
Cuando un sistema es e"citado a una de sus frecuencias caractersticas,
su vibracin es la m"ima posible. El aumento de vibracin se produce
porque a estas frecuencias el sistema entra en resonancia.
0a e.ciencia de 5cople es la medida de la cantidad de potencia ptica
emitida desde una fuente que puede ser acoplada con una Aibra Fptica
/f& /otencia 5coplada a la Aibra
/s& /otencia Emitida desde la Auente de 0u#
0a e.ciencia de 5cople depende del tipo de .bra conectada a la fuente y
del proceso de acople +lentes u otro complemento-
ESTRUCTURA Y PATRONES DE RADIACIN
El modo transversal de un frente de onda electromagntica es el per.l
del campo electromagntico en un plano perpendicular +transversal- a la
direccin de propagacin del rayo. Uodos transversales ocurren en las
ondas de radio y microondas con.nadas en una gua de ondas, como
tambin la lu# con.nada en una .bra ptica y en el resonador ptico de
un lser.
0os modos transversales son debidos a las condiciones de frontera
impuestas por la gua de ondas. /or ejemplo una onda de radio que se
propaga a lo largo de una gua hueca de paredes metlicas tendr como
consecuencia que las componentes del campo elctrico paralelas a la
direccin de propagacin +eje de la gua- se anulen, y por tanto el per.l
transversal del campo elctrico estar restringido a aquellas ondas cuya
longitud de onda encaje entre las paredes conductoras. /or esta ra#n,
los modos soportados son cuanti#ados y pueden hallarse mediante la
solucin de las ecuaciones de Ua"Well para las condiciones de frontera
adecuadas.
LASER MONOMODO
0as comunicaciones led se producen principalmente a partir de ;a5sp o
;a5s. %ebido a que los ledes;a5sp operan a una mayor longitud de
onda que los ledes;a5s +',) micrmetros contra 1,J'61,J3 [m-, su
espectro de salida es ms ancho en un factor de alrededor de ',3 veces.
El ancho de amplio espectro de los ledes causa una alta dispersin en la
.bra, lo que limita considerablemente su producto tasa de bits6distancia
+medida com@n de utilidad-. 0os ledes son adecuados principalmente
para aplicaciones de red de rea local con velocidades de '1 a '11
UbitSs, y distancias de transmisin de unos pocos Oilmetros. 0os leds se
han desarrollado para usar varios po#os cunticos para emitir lu# en
diferentes longitudes de onda en un amplio espectro, y actualmente
estn en uso en redes de rea local de multiple"ado por divisin de
longitud de onda.
?n lser semiconductor transmite lu# a travs de la emisin estimulada
en ve# de emisin espontnea, lo que da como resultado una alta
potencia de salida +\'11 mQ-, as como otros bene.cios de la lu#
coherente. 0a salida del lser es relativamente direccional, lo que
permite un acoplamiento de alta e.ciencia +\:1Z- en .bras monomodo.
0a anchura espectral estrecha permite altas tasas de transferencia de
bits, ya que reduce el efecto de dispersin cromtica. 0os lseres
semiconductores pueden ser modulados directamente a altas
frecuencias, debido a la recombinacin de tiempo corto.
5 menudo, los diodos lser se modulan directamente, que es la salida de
lu# controlada por una corriente aplicada directamente al dispositivo.
/ara tasas de datos muy altas o enlaces de muy larga distancia, una
fuente de lser puede ser de onda continua y la lu# modulada por un
dispositivo e"terno como un modulador de electroabsorcin
MODULACIN
0a respuesta general a los distintos mtodos de modulacin depende de
factores intrnsecos y e"trnsecos del lser. 0os lmites e"trnsecos son
varios. ?na restriccin importante es el sobrecalentamiento del lser
debido a las altas corrientes de polari#acin del lser. Estas altas
corrientes son necesarias para poder hacer funcionar el lser a altas
velocidades. El sobrecalentamiento produce un deterioro de los
parmetros del dispositivo como la ganancia, corriente umbral, etc.
4tro aspecto importante en la polari#acin de lseres a alta potencia es
la degeneracin 7catastr.ca7 que se produce si se da=an los espejos.
Esto destruye el lser al estropearse los espejos de la cavidad. /or tanto
el lser tiene un lmite superior de inyeccin, hasta el cual puede operar
con seguridad y por encima del cual se destruye el lser.
?n @ltimo lmite e"trnseco del lser que limita la velocidad de ste es
debido a los elementos parsitos e"trnsecos del diodo lser. El lser
debe ser dise=ado con cuidado para que la resistencia, capacidad e
inductancia no limiten la respuesta del dispositivo. 0os lmites
intrnsecos de modulacin son debidos al dise=o de la cavidad, arrastre y
difusin de los portadores que limitan la velocidad de la modulacin de
peque=a se=al.
MODULACIN DE GRAN SEAL
En este tipo de modulacin el lser es puesto a 48 y a 4AA, es decir, la
corriente pasa de estar por encima del valor umbral a estar por debajo
del valor umbral. Este tipo de modulacin se puede utili#ar para
intercone"iones pticas o para algunas aplicaciones lgicas. 0a
respuesta del lser es bastante lenta con esta modulacin +\'1ns-. 0a
modulacin de gran se=al no se utili#a para comunicaciones pticas
debido a la respuesta tan lenta y debido a la anchura espectral de la
salida. %e hecho la respuesta en gran se=al de un lser.
MODULACIN DE PEQUEA SEAL
En modulacin de peque=a se=al el lser est polari#ado en un punto
por encima del valor umbral y se le aplica una peque=a se=al ac. Este
mtodo presenta la mayor respuesta en frecuencia pudindose alcan#ar
anchos de banda de hasta :1;>#.
MODULACIN DE CDIGO DE PULSOS
Esta tcnica de modulacin es la ms utili#ada en las comunicaciones
pticas actuales. Es un hbrido entre la modulacin de gran se=al y la de
peque=a se=al. El lser est polari#ado por encima de su valor umbral y
se le aplican pulsos de corriente +o tensin- de forma que la corriente va
de un valor superior a otro inferior pero siempre, incluso en el estado
bajo, por encima del valor umbral. Con este tipo de modulacin se
alcan#an anchos de banda de hasta '1;>#.
EFECTOS DE LA TEMPERATURA
Como en el 0E% la dependencia de la temperatura de la emisin de un
lser es de suma importancia. Dal y como hemos visto en una seccin
anterior, para aplicaciones de muy alta velocidad necesitamos altas
corrientes de inyeccin lo cual puede producir un calentamiento del
dispositivo a@n con buena refrigeracin. 0os factores de mayor
importancia en el estudio de la dependencia con la temperatura sonH i-
efecto de la temperatura sobre la corriente umbral y la intensidad ptica
y ii- efecto de la temperatura sobre la frecuencia de emisin.
DEPENDENCIA DE LA CORRIENTE UMBRAL CON LA TEMPERATURA
Conforme aumenta la temperatura del lser, su corriente umbral
tambin aumenta y para un nivel de inyeccin determinado, la salida de
fotones cae. !e debe a dos ra#ones principalmente$
El incremento de temperatura causa que puedan e"istir electrones
y huecos con energas mayores. En consecuencia, una mayor
fraccin de la carga inyectada podr cru#ar la regin activa y
entrar en el recubrimiento o regin de los contactos. Esta corriente
de prdidas ya la vimos para el 0E%. 0a corriente de prdidas
depende del dise=o del lser y se puede minimi#ar utili#ando una
regin activa ms ancha o una estructura con variacin gradual
del ndice en el caso de lseres de po#o cuntico.
5 mayor temperatura hay ms electrones y huecos con energas
superiores al valor energtico umbral necesario para que se
produ#ca la recombinacin de 5uger. Esto, junto junto con el
incremento en la densidad de portadores umbral hace que la
recombinacin de 5uger cre#ca e"ponencialmente con la
temperatura. 0os procesos de 5uger son especialmente
importantes en materiales de estrecha banda prohibida.
EFECTO AUGER:
0a ya mencionada recombinacin de 5uger da lugar a calor en ve# de a
fotones por lo que una fraccin de la corriente no estar disponible para
la creacin fotones y, en consecuencia, habr que aumentar el nivel de
inyeccin para alcan#ar la misma densidad de fotones. 5dems se
produce un aumento del factor de amortiguamiento de la resonancia
reduciendo el ancho de banda.
DEPENDENCIA CON LA TEMPERATURA DE LA FRECUENCIA DE
EMISIN
/ara la mayora de las aplicaciones es deseable que la frecuencia de
emisin permane#ca estable. /ero en realidad si cambia la temperatura
cambia la frecuencia de emisin del lser. >ay dos efectos que controlan
esta variacin de la frecuencia$
0a variacin de la banda prohibida hace despla#arse el espectro de
ganancia completo a energas menores conforme aumenta la
temperatura. Esta variacin de la banda prohibida es del orden de
1,:meIS] en la mayora de los semiconductores. Esto hace variar
al espectro de ganancia en )^ o <^ por ] si no hay efectos
adicionales como se muestra en la siguiente .gura +a-. !in
embargo, en el lser la emisin no depende slo de la posicin del
pico de ganancia si no tambin del modo Aabry6/erot ms cercano
a este pico de ganancia. Esto nos conduce al segundo efecto.
Conforme vara la temperatura, la e"pansin trmica de la cavidad
lser y lavariacin del ndice de refraccin altera la posicin de los
modos resonantes.0os modos resonantes vienen dados por +q es
un entero-
%ondeq es la longitud de onda en el material y q1 la longitud de onda
en el vaco. !i la longitud efectiva de la cavidad aumenta con la
temperatura, la posicin de los modos se despla#ar con respecto al
espectro de ganancia que a su ve# se est despla#ando debido a la
temperatura.
LINEALIDAD DE LA FUENTE DE LUZ
El transmisor de .bra ptica es un dispositivo hbrido electro6ptico.
Convierte se=ales elctricas en pticas y enva las se=ales pticas a una
.bra ptica. ?n transmisor de .bra ptica consiste de un circuito de
interfa#, un circuito controlador de la fuente, y una fuente ptica. El
circuito interfa# acepta la se=al elctrica entrante, y la procesa para que
sea compatible con el circuito controlador de la fuente. 0a intensidad del
circuito controlador de la fuente modula la fuente ptica variando su
propia corriente.
0a se=al ptica se junta, se acopla a la .bra ptica a travs de la interfa#
de salida del transmisor. >ay dos tipos de diodos de juntura de emisin
de lu# que se usan como fuente ptica del transmisor.
Esta el diodo emisor de lu# +0E%, acrnimo ingls de 0ight6
Emitting%iode-, y el diodo lser +0%-. 0os 0E% son ms simples y
generan lu# incoherente, y de potencia baja. 0os 0% son ms complejos
y generan lu# coherente, y de potencia alta.
El gr.co ilustra la potencia de salida ptica, /, de cada uno de estos
dispositivos en funcin de la corriente elctrica de entrada B, del circuito
de modulacin. En la .gura se ve que el 0E% tiene una caracterstica /6B
relativamente lineal, mientras que el 0% tiene una caracterstica no
lineal o efecto umbral. El 0% tambin tiene una propensin a tener
pliegues donde la energa disminuye con el aumento del ancho de
banda.
LANZAMIENTO DE POTENCIA FUENTE FIBRA
PATRN DE EMISIN DE LA FUENTE
0a combinacin de fuente de lu# de .bra, calidad de .bra y dimetro de
n@cleo de la .bra determinar no slo la distancia funcional del canal,
sino tambin la velocidad de las comunicaciones. ,ecientemente, la
.bra multimodo ha e"perimentado una transicin de .bra de 2(,:S'(:
+n@cleoSblindaje- en varias calidades a .bra de :1S'(: micras, tambin
disponible en varias calidades, incluyendo la .bra de m"imo
rendimiento optimi#ada para lser. 0a .bra multimodo es normalmente
la opcin para distancias ms cortas. 0a lu# se lleva en varias rutas o
modos. ?n modo es la transmisin de lu# en un estado constante. 0a
.bra monomodo permite una @nica rutaSmodo y es adecuada para
aplicaciones de ms largo alcance. 0a electrnica activa que respalda la
.bra multimodo es menos costosa que la monomodo.
0a velocidad a la que viaja la lu# en una .bra se mide por su ndice de
refraccin. !e trata de una ecuacin que compara la velocidad de la lu#
en un medio con su velocidad m"ima en el vaco. Esta lu# viaja en el
espectro no visible, normalmente J:1 nm, ')11 nm o '::1 nm. El
espectro visible termina apro"imadamente a 3:1 nm. Este espectro
puede llevar se=ales analgicas y digitales. 0os dispositivos que activan
la fuente de lu# convierten esas se=ales en pulsos de lu# dentro del
espectro requerido para la transmisin. En el otro e"tremo, otro
dispositivo detecta los pulsos de lu# que hay en cada modo y los
convierte otra ve# en se=ales analgicas o digitales que entiende el
dispositivo conectado.
0a velocidad de la .bra se mide en hercios o ciclos por segundo. Cada
ciclo equivale a un pulso u onda luminosa. ?n hercio equivale a un ciclo.
Como la .bra transmite a tasas de velocidad muy altas, medimos los
pulsosSciclos que un dispositivo lan#a a la .bra en megahercios +millones
de hercios por segundo-. %ebido a que la lu# no se degrada con la
distancia tan rpidamente como las se=ales elctricas, la atenuacin o
prdida de se=al es inferior que en sus equivalentes de cobre. Ello
permite que las ondas luminosas viajen mayores distancias.
APERTURA NUM!RICA DE EQUILIBRIO"
En ptica, la apertura numrica +58- de un sistema ptico es un
n@mero adimensional que caracteri#a el rango de ngulos para los
cuales el sistema acepta lu#. ,ecprocamente, tambin est relacionado
con el ngulo de salida del sistema. 0a de.nicin e"acta del trmino
vara seg@n diferentes reas de la ptica.
En la mayor parte de las reas de la ptica, especialmente
en microscopa, la apertura numrica de un sistema ptico tal como una
lente queda de.nido por la siguiente ecuacin$
donde n es el ndice de refraccin del medio en el que la lente se
encuentra +' para el aire, ',)) para el agua pura, y hasta ',:2 para
algunos aceites-, y es la mitad del ngulo de aceptancia m"imo que
puede entrar o salir de la lente. 0a 58 se mide generalmente con
respecto a un objeto o a un punto de una imagen y vara con la posicin
del punto.
_ngulo de 5ceptancia$ es el m"imo ngulo en el cual el rayo de lu#
incidente es atrapado por las paredes de la .bra. En este caso el rayo de
lu# se reLeja totalmente en el recubrimiento de la misma, por lo que el
ngulo de transmisin, sobre el recubrimiento de la .bra, es R19.
0as .bras pticas multimodo slo guan la lu# que entra en la .bra
dentro de un determinado cono de aceptancia. 0a mitad del ngulo de
este cono es el ngulo de aceptancia,
m'+
. /ara .bras con per.l de salto
de ndice multimodo, este ngulo de aceptancia viene determinado por
la siguiente e"presin
donde n
n
es el ndice de refraccin del n@cleo de la .bra, y n
c
es el
ndice de refraccin de la cubierta.
%ebido al gran parecido de esta e"presin con las de.niciones de 58
de otras reas de la ptica, es habitual llamar as al trmino de la
derecha de la ecuacin anterior, de.niendo .nalmente la apertura
numrica de una .bra como
,
donde n
n
es el ndice de refraccin del eje central de la .bra. 8tese que
cuando se usa esta de.nicin, la relacin entre la apertura numrica y el
ngulo de aceptancia es una mera apro"imacin. En particular, los
fabricantes suelen dar la 58 para .bras monomodo bsandose en esta
e"presin, aunque para este tipo de .bras el ngulo de aceptancia es
algo diferente y no depende solamente de los ndices de refraccin de
n@cleo y cubierta.
CLCULO DEL ACOPLE DE POTENCIA"
P#$%&'() A'#*+),) ,% +) F-%&$% ) +) F(./)
5s y `s son el _rea y el ngulo de emisin fijo de la fuente
5f y `f son el _rea y y el ngulo fijo de aceptacin de la Aibra
_rea 5ctiva
Auente
Fptica
/atrn de
,adiacin de
la Auente
5ngulo de
5ceptacin
de la Aibra
/otencia /erdida
rdr d d d B
dA d A B P
s
r
s
A
s s s F
m
f f


1
1
]
1

1
1
]
1

max 0
0
2
0
2
0 0
sin ) , (
) , (
P#$%&'() A'#*+),) ,%+ LED ) +) F(./)
P#$%&'() A'#*+),) ,%+ LED ) +) F(./) ,% S)+$# ,% &,('% 0S$%*-
I&,%1 F(.%/2
/otencia Dotal Fptica del 0E%$
rdr d B
rdr d B
rdr d d B P
s
r
s
r
s
r
s
s
s

2
2
0 0
0
2
0
max 0
2
0
0
2
0 0
0
0
NA
sin
sin cos 2
max 0

,
_

2
1 0
2 2 2
0
2 2
step LED,
2 ) NA ( n B r B r P
s s

sin cos 2
sin ) , (
2 /
0
0
2 2
0
2
2
0
2 /
0

B r d B r P
d d B A P
s s s
s s
P#$%&'() A'#*+),) ,%+ LED ) +) F(./) ,% &,('% G/),-)+ 0G/),%,-
I&,%1 F(.%/2
0a /otencia acoplada desde el 0E% a la .bra inde"ada graduada se da
como$
!i el medio entre la fuente y la .bra es diferente del material de n@cleo
con ndice de refraccin n, la potencia acoplada en la .bra se reducir
por el factor$
LANZAMIENTO DE POTENCIA VERSUS LONGITUD DE ONDA"
0a potencia ptica slo depende de la radiacin +luminosidad- y no en la
longitud de onda del modo. /ara un n@mero de .bras de ndice gradual
de modos est relacionada con la longitud de onda como$
/or lo tanto el doble de muchos modos se propagan para R11nm en
comparacin con ')11nm pero la potencia radiada por el modo de una
fuente es
/or lo tanto el doble de potencia es lan#ado por modo para ')11nm, en
comparacin con el R11nm
2
1
1

,
_

n n
n n
R

,
_

2
1
2
2

an
M
2

o
s
B
M
P

ESQUEMA DE LENTES PARA ME3ORAR EL ACOPLE"

Iarios esquemas de lentes posibles son$
'. Aibra de e"tremo redondeado
(. Uicroesferas 5nidlicas +esfera peque=a de cristal en contacto
tanto con la .bra y la fuente-
). Esfera Bmagen +una lente esfrica ms grande utili#ado para la
imagen de la fuente en la #ona n@cleo del e"tremo de la .bra-
<. 0ente cilndrica +generalmente formado a partir de una seccin
corta de la .bra-
:. 0E% de super.cie esfrica y .bra de e"tremo esfrico
2. Aibra de e"tremo 5.lada o Cnica
P/#.+%45$(') %& %+ -6# ,% +) +%&$%:
?n problema es que el tama=o de la lente es similar a la fuente y las
dimensiones del n@cleo de .bra, que introduce di.cultades de
fabricacin y de manipulacin.
En el caso de la .bra de e"tremo cnica, la alineacin mecnica debe
llevarse a cabo con gran precisin.
UNIONES FIBRA A FIBRA:
0as Aibras Bntercomunicadas en un sistema de .bra ptica es otro factor
muy importante. Estas intercone"iones deben ser de baja prdida. Estas
intercone"iones se producen en$
0a fuente ptica
' (
) <
: 2
El Aotodetector
%entro del cable de donde se conectan dos .bras
/unto intermedio en un enlace donde se conectan dos cables
0a Cone"in /uede !er$
Inculo permanente$ conocido como EU/50UE
Cone"in fcilmente desmontable$ Conocido como C48ECD4,
Dodas las tcnicas de unin estn sujetas a diferentes niveles de prdida
de energa en la unin. Estas prdidas dependen de diferentes
parmetros como$
%istribucin de energa de entrada a la unin
0ongitud de la .bra entre la fuente y la unin
Caractersticas geomtricas y de gua de onda de los dos e"tremos
de la unin
Cualidades del e"tremo de la .bra
0a potencia ptica que se puede acoplar de una .bra a la otra se limita
por el n@mero de modos que pueden propagarse en cada .bra
?na .bra con una capacidad de :11 modos conectada con la .bra de la
capacidad de <11 modos slo puede acoplar J1Z de la potencia
/ara una .bra ;B8 con un radio del n@cleo MaN, ndice n
(
de
revestimiento, O & (aS, y n+r- como la variacin en el per.l de
ndice de n@cleo, el n@mero total de modos se puede encontrar a
partir de la e"presin
Esta ecuacin se puede asociar con la apertura numrica local general
para producir
Como las diferentes .bras pueden tener diferentes valores de a, 85 +1- y
, de modo que U puede ser diferente para diferentes .bras
0a fraccin de energa que puede ser acoplado es proporcional al
volumen de modo com@n de U
comm
. 0a e.ciencia de 5cople Aibra6a6
Aibra
A
est dada

por$
%onde U
E
es el n@mero de modos en la .bra emisora. 0a prdida de
acoplamiento .bra a .bra 0
A
se da en trminos de
A
como$
"
,
= %10 )o
,
C)6# ): Dodos los modos igualmente e"citados, unin con .bra del
mismo tama=o que tiene incluso una ligera desalineacin
mecnica puede causar la prdida de potencia
C)6# B: 0a propagacin de modos en el estado de equilibrio
tienen un equilibrio 85. 0a unin con una .bra ptica del mismo
tama=o del n@cleo y mismas caractersticas se encontrar +unir-
a una 85 de tama=o ms grande en la .bra receptora y hasta una
desalineacin mecnica no puede causar la prdida de potencia.
Este caso es para .bras ms largas. 0a prdida de potencia se
produce cuando en la .bra receptora alcan#a el estado de
equilibrio
DESALINEAMIENTOS MECNICOS
5lineacin mecnica es el principal problema cuando se unen dos .bras
teniendo en cuenta su tama=o microscpico. ?n n@cleo de la .bra
multimodo ;B8 estndar es :1 G '11m de dimetro +grosor de un
cabello humano- 0a .bra monomodo tiene dimetro de n@cleo de Rm.
0as prdidas por radiacin se producen porque el cono de aceptacin de
la .bra emisora no es igual al cono de aceptacin de la .bra receptora.
0a magnitud de la prdida de la radiacin depende del grado de
desalineacin /ueden producirse tres tipos diferentes de desalineacin
a- !eparacin longitudinal
b- %esalineacin angular
c- El despla#amiento a"ial o despla#amiento lateral
P!RDIDAS RELACIONADAS A LA FIBRA"
Bgual que con el cobre, la prdida o atenuacin de se=al en la .bra se
mide en decibelios +dB-. 0a atenuacin de la .bra aumentar con cada
conector o empalme. 8ormalmente la prdida de empalme es de unos
1,( dB por empalme. 8o obstante, las terminaciones de.cientes pueden
aumentar esa cifra. 0a estimacin de prdida de .bra compara la
prdida real con la estimada +o prdida aceptable- seg@n el n@mero de
empalmes en el canal. /ara medir esta prdida, debe utili#arse un
medidor de potencia y una fuente de lu#. /robar una .bra estrictamente
con un reLectmetro ptico con indicacin temporal +4D%,- proporciona
la caracteri#acin del segmento de .bra, pero no facilita el rendimiento
de.nitivo.
!e encuentran dos tipos de atenuacin en cables de .bra ptica$
intrnseca y e"trnseca. 0a atenuacin intrnseca es inherente a la .bra y
se introduce durante el proceso de fabricacin. ?n ejemplo seran las
impure#as o irregularidades dentro del vidrio. Ello provoca que las
se=ales luminosas sean absorbidas o dispersadas y es el motivo por el
que algunas .bras admiten mayores distancias de aplicacin que otras.
0os avances en fabricacin han introducido una nueva calidad de .bra
multimodo conocida como .bra optimi#ada para lser.
Esta .bra incorpora dos mejoras de fabricacin esenciales. 0a primera es
la eliminacin de las anomalas mencionadas anteriormente, reduciendo
impure#as en el n@cleo de la .bra. 0a segunda es un mayor control del
ndice de refraccin, lo que reduce la dispersin de modo asegurando
que lleguen todos los modos al receptor bsicamente al mismo tiempo.
0a combinacin de esas mejoras aumenta mucho la capacidad de ancho
de banda de la .bra, cuyo resultado es la compatibilidad con
aplicaciones de mayor velocidad, incluyendo transmisiones a '1 ;bSs,
as como distancias de transmisin ms largas. DB5 hace referencia a
esta .bra como .bra optimi#ada para lser mientras que B!4SBEC lo hace
como .bra de calidad 4U).
0a atenuacin e"trnseca se introduce durante la manipulacin de
cables. Ejemplos seran peque=as tensiones mecnicas +micro6
torcimientos- o vulneraciones del radio de curvatura +macro6
torcimientos- y el resultado es que la lu# se refracta fuera del n@cleo.
>ay que respetar los lmites de radio de curvatura especi.cados por el
fabricante en todas las instalaciones de .bra.
En la .bra, las se=ales y los pulsos deben ser entendidos por el receptor
en cada e"tremo. >acer un tendido demasiado largo de un canal de .bra
puede causar errores, como pueden hacerlo e"cesivos empalmes, poca
calidad de la .bra y una instalacin de.ciente. Cualquier anomala que
impida que un receptor registre los pulsos equivaldr a un error binario.
PREPARACIN DE LA FIBRA
de .bra ptica se necesita una fuente de lu#. /uede ser un 0E%
+diodo emisor de lu#-, un lser +ampli.cacin de lu# por emisin
estimulada de radiacin- o un IC!E0 +lser emisor de super.cie
vertical-. 0os lseres y los IC!E0 proporcionan una fuente de lu# ms
intensa y enfocada por lo que pueden transmitir mayores distancias que
sus equivalentes 0E%. El equipo que genera la se=al mediante las dos
@ltimas tecnologas es ms caro que una fuente 0E%.
Con independencia del tipo de .bra, el hecho de situar los pulsos
de lu# en la .bra se conoce como 7lan#ar7. El mtodo de lan#amiento
puede variar desde un lan#amiento saturado a un lan#amiento de modo
restringido. Como se e"puso anteriormente, la ruta de la lu# se llama
modo. En un lan#amiento saturado, la lu# introduce una se=al de mayor
tama=o que el n@cleo real de la .bra. Eso permite que todos los modos
se e"citen. En lan#amiento de modo restringido, se introduce un n@cleo
de lu# ms peque=o que e"cita slo determinados modos en la .bra. En
monomodo, slo se e"cita una @nica ruta o modo.
0os pulsos de lu# pueden dispersarse dentro de la .bra con la
distancia, lo que se conoce como dispersin. Cuando los pulsos se
superponen, pueden limitar la capacidad del receptor para registrar
pulsos distintos, limitando en consecuencia el ancho de banda de una
.bra. 0a lu# viaja a diferentes velocidades en diferentes colores tambin.
/ara contrarrestar cierta prdida de dispersin, la fuente de lu# puede
proporcionar lo que se llama un lan#amiento restringido, normalmente
empleado para aplicaciones de mayor velocidad.
En ve# de llenar todos los modos en una .bra con lu#, slo
determinados modos se e"citan y por lo tanto se restringe la gama de
pulsos y los efectos de dispersin.
5 longitudes de onda ms largas para velocidades de gigabit
funcionando en calidades ms antiguas de .bra multimodo de 2(,:S'(:
micras, el lan#amiento restringido provoca retardo de modo diferencial
+las se=ales no llegan al receptor al mismo tiempo-. /ara esas
aplicaciones, deben utili#arse latiguillos acondicionadores de modo. Esos
latiguillos proporcionan un desfase de manera que la lu# no entra
directamente en el centro del n@cleo de la .bra. 5l desfasar el ha# hacia
un rea fuera del centro del n@cleo, la dispersin se minimi#a. %ebe
utili#arse un juego de latiguillos de lan#amiento restringido en cada
e"tremo del sistema.
El ancho de banda de la .bra es la capacidad de transmisin de
informacin de la .bra. Es inversamente proporcional a la cantidad de
dispersin. 5s, la medida en la que pueda controlarse la dispersin
determina esencialmente el ancho de banda utili#able de la .bra.
E6*%'(7')'(#&%6 ISO *)/) )&'8# ,% .)&,) 4-+$(4#,#6
A&'8# ,% .)&,) 49&(4# ,% 4#,#
M:; < =4
T(*# ,%
7./)
D(54%$/# ,%+
&>'+%#042
L#&?($-,
,% #&,)
L)&;)4(%&$#
6)$-/),#
L)&;)4(%&$# ,%
4#,# /%6$/(&?(,#
A&'8# ,% .)&,) 49&(4# ,% 4#,#
M:; < =4
@*$(') 0&42 0OFL2 0RML2 ABC &4
4U' :1 or 2(.: J:1
')11
(11
:11
8o especi.cado
8o especi.cado
4U( :1 or 2(.: J:1
')11
:11
:11
8o especi.cado
8o especi.cado
4U) :1 J:1
')11
':11
:11
(111
8o especi.cado
Not'- .) 'ncho #e /'n#' e(ectivo #e )'n0'miento #e )1ser se 'r'nti0'
us'n#o ret'r#o #e mo#o #i(erenci') $232&4 como se especi5c' en
I.6/PA7 809:%1%;<*
E6*%'(7')'(#&%6 TIA *)/) )&'8# ,% .)&,) 4-+$(4#,#
A&'8# ,% .)&,) 49&(4# ,% 4#,#
M:; < =4
T(*# ,% 7./)
@*$(')
L#&?($-, ,%
#&,) 0&42
L)&;)4(%&$#
6)$-/),# 0OFL2
L)&;)4(%&$# ,% 4#,#
/%6$/(&?(,# 0RML2
2(.:S'(:m J:1 '21 8o se requiere
Uulitmode ')11 :11 8o se requiere
:1S'(:m J:1 :11 8o se requiere
Uultimode ')11 :11 8o se requiere
0aser6
4ptimi#ed
J:1 ':11 (111
:1S'(:m
Uultimode
')11 :11 8o se requiere
B!4SBEC ''J1' Ed(.1 de.ne tres tipos pticos de .bra multimodo. 4U'
principalmente comprende la .bra histrica de 2(,:S'(: micras. 4U(
tiene un ancho de banda efectivo de :11 U>#bOm a ambas longitudes
de onda y representa la .bra de calidad estndar de :1S'(: micras. 4U)
tiene un ancho de banda de ':11S:11 U>#bOm para lan#amientos
saturados y (111 U>#bOm con un lan#amiento de modo restringido, y se
conoce por DB5SEB5 como .bra Moptimi#ada para lserN de :1S'(: micras.
CONOCER LA PARTE DEL LADO DEL EQUIPO
Cada pie#a de la electrnica activa tendr varias fuentes de lu#
empleadas para transmitir a travs de los distintos tipos de .bra. 0a
distancia y el ancho de banda variarn con la fuente de lu# y la calidad
de la .bra. En la mayora de redes, la .bra se utili#a para operaciones de
enlace ascendenteSred troncal y para conectar varios edi.cios juntos en
un campus. 0a velocidad y la distancia son una funcin del n@cleo, del
ancho de banda de modo, de la calidad de la .bra y de la fuente de lu#,
cuestiones tratadas anteriormente. /ara transmisiones de gigabit, las
distancias aprobadas por BEEE se muestran en la tabla siguiente.
GBIC
L#&?($-,
,% #&,)
0&42
T(*#
,%
7./)
D(54%$/#
,%+ &>'+%#
04('/)62
A&'8# ,%
.)&,) 4#,)+
0M:ZD=42
,(6$)&'()
,%+ ').+%
'111B5!E
6!c
J:1 UUA 2(.: '21 3(( ft.
+((1m-
2(.: (11 R(1 ft.
+(3: m-
:1 <11 '2<1 ft.
+:11m-
'111B5!E
60c
')11 UUAd 2(.: :11 'J1< ft.
+::1m-
:1 <11 'J1< ft.
+::1m-
RS'1 8S5 2.( miles
+'1Om-
'111B5!E
6Ec
'::1 !UA RS'1 8S5 <).< to 2(
miles
+31 to
'11Om-
d !e requiere un latiguillo acondicionador de modo.
Como puede verse, seg@n el tipo de .bra y el tipo de fuente de lu#, las
distancias admitidas varan entre ((1 m y varios Oilmetros. 5lgunas son
@nicamente monomodo como se indica. El coste de cada opcin
aumenta con la distancia debido al tipo de fuente de lu#. Cada una de
esas distancias son valores m"imos basados en el tipo, calidad e
instalacin de las .bras. 0a prdida adicional introducida puede cambiar
las distancias en gran medida. 0os ;BBC +conversores de interfa# gigabit-
que aparecen en la columna uno estn indicados como !c +corta
distancia-, 0c +larga distancia- y Ec +muy larga distancia-. Dambin es
importante observar que el uso de .bra monomodo para distancias
cortas puede causar que el receptor se vea desbordado y es posible que
se necesite un atenuador en lnea para introducir atenuacin en el canal.
/ara hacer notar la diferencia entre velocidades y calidad, en la
siguiente tabla se comparan distancias, empe#ando con aplicaciones de
'11 UbSs hasta llegar a aplicaciones de '1 ;bSs. Como puede verse, las
anomalas en la .bra, las fuentes de lu# y las velocidades globales de
ancho de banda inciden en las distancias a travs de las que se puede
llevar una se=al por la .bra. 0a distancia aumenta con productos de .bra
optimi#ados para lser y, por lo tanto, brindaran el retorno de la
inversin ms alto. 0as distancias adicionales admitidas eliminaran la
necesidad de ms electrnica costosa y repetidores dentro de la red de
.bra.
A*+(')'(@&
L#&,(?-,
,% O&,)
EF"B4
GECDBCC
EF"B4
FCCDBCC
BC4
BCCDBCC
BC4
FCCCDBCC
SMF
'11B5!E6!c J:1nm )11m )11m )11m )11m
'111B5!E6!c J:1nm ((1m (3:m ::1m ::1m
'111B5!E60c ')11nm ::1m ::1m ::1m ::1m :Om
'1;B5!E6!,e J:1nm (Jm (Jm J2m )11m
'1;B5!E60,e ')'1nm '1Om
'1;B5!E6E,e '::1nm <1Om
'1;B5!E60,U ')11nm ((1m ((1m ((1m ((1m
'1;B5!E60c< ')'1nm )11m )11m )11m )11m '1Om
=.s's inter('ces t'm/i>n se ven in#ic'#'s con un' ? en )u'r #e )' R4
pero se pue#en us'r in#istint'mente*
0a interfa# de la .bra para '1;bSs se llama cenpacO, a diferencia de
;BBC para gigabit. Danto '1;B5!E6!, como '1;B5!E60, tienen un
equivalente de comunicaciones de rea e"tensa para permitir que se
conecten a redes !48ED a R,:J<2<1 ;bSs +4C6'R(- a travs de su
interfa# de rea e"tensa. Esas interfaces se conocen como '1;B5!E6!Q
y '1;B5!E60Q respectivamente.
5hora que la velocidad gigabit en el escritorio se hace habitual, tambin
son ms comunes las redes troncales de '1 ;bSs. 0as interfaces !,
tambin se estn haciendo comunes en aplicaciones de centros de datos
e incluso en algunas aplicaciones de escritorio. Como puede verse, la
.bra de calidad ms elevada +o .bra optimi#ada para lser- proporciona
ms Le"ibilidad para una instalacin de planta de .bra. 5unque algunas
versiones +'1;B5!E60,U y '1;B5!E60c<- admiten calidades ms
antiguas de .bra para distancias de ((1 m o ms, el equipo es ms
costoso. En muchos casos, resulta menos caro actuali#ar .bra que
comprar los componentes ms costosos que tambin comportan costes
superiores de mantenimiento con el tiempo.
/arte de la solucin '1; ipf de !iemon, el sistema de .bra c;04g, es
ideal para aplicaciones de redes troncales de pr"ima generacin o de
.bra hasta el escritorio. 0os grupos de cable c;04 cuentan con .bra de
la mejor calidad que cumple la norma ;igabit Ethernet BEEE J1(.) '1,
as como las especi.caciones BEC6213R)6 (6'1 y DB56<R(555C para
retardo de modo diferencial de ancho de banda lser +%U%-. c;04
utili#a .bra optimi#ada para lser con el .n de obtener un ptimo
rendimiento de transmisin de aplicaciones Ethernet '; o '1;
ACOPLE DE LEDS A FIBRAS MONOMODO"
El Borde de emisin de los diodos de lser tienen un patrn de emisin
que nominalmente tiene AQ>U de
)1 G :1h en el plano perpendicular a la unin rea activa
: G '1h en el plano paralelo a la unin
Como la distribucin angular de la salida de lser es mayor que el
ngulo de aceptacin de la .bra y como el rea de emisin de lser es
mucho ms peque=o que el n@cleo de la .bra, se pueden utili#ar$
0entes esfricas
0entes cilndricas
Cono de .bra
/ara mejorar la e.ciencia de acoplamiento entre el borde de emisin de
diodos lser y .bras pticas
0a misma tcnica se utili#a para los lseres emisores de super.cie de
cavidad vertical +IC!E0-.
0as cone"iones producidas en masa de matrices de lser para ser
paralelo a la .bra multimodo tienen e.ciencia de ):Z
0os 5coplamiento %irectos +!in lentes- de una sola fuente IC!E0 a una
.bra multimodo resulta en e.ciencia de hasta un R1Z.
El uso de lentes de microesferas de vidrio homogneas ha sido probado
en serie de varios cientos de conjuntos de diodos lser.
0ente de cristal esfrica del ndice de refraccin de ',R y dimetros que
oscilan entre :1 y 21m pegados con resina a los e"tremos de :1 m de
dimetro de n@cleo de .bras de ndice gradual con 85 de 1,(. 0os
valores de AQ>U medidos de los haces de salida de lser fueron los
siguientes
bSW ) y Rm para el campo cercano paralelo a la unin
bSW )1 y 21o para el campo perpendicular a la unin
bSW ': y ::o para el campo paralelo a la unin
E.cacias de acoplamiento en estos e"perimentos variaron entre :1 y
J1Z.
EMPALMES
/ara la instalacin de sistemas de .bra ptica es necesario utili#ar
tcnicas y dispositivos de intercone"in como empalmes y conectores.
0os conectores son dispositivos mecnicos utili#ados para recoger la
mayor cantidad de lu#. ,eali#an la cone"in del emisor y receptor ptico.
En caso de que los n@cleos no se empalmen perfecta y uniformemente,
una parte de la lu# que sale de un n@cleo no incide en el otro n@cleo y se
pierde. /or tanto las prdidas que se introducen por esta causa pueden
constituir un factor muy importante en el dise=o de sistemas de
transmisin, particularmente en enlaces de telecomunicaciones de gran
distancia.
0os empalmes son las uniones .jas para lograr continuidad en la .bra.
En las .bras monomodo los problemas de empalme se encuentran
principalmente en su peque=o dimetro del n@cleo %n & '1m, esto
e"ige contar con equipos y mecanismos de alineamiento de las .bras
con una mayor precisin.
0as prdidas de acoplamiento se presentan en las uniones de$
Emisor ptico a .bra, cone"iones de .bra a .bra y cone"iones de .bra a
fotodetector.
0as prdidas de unin son causadas frecuentemente por una mala
alineacin lateral, mala alineacin de separacin, mala alineacin
angular, acabados de super.cie imperfectos y diferencias ya sea entre
n@cleos o diferencia de ndices, como los indicados en la .gura.
/ara reali#ar un empalme deben tenerse presente las siguientes
consideraciones$
!us prdidas pueden contribuir en forma considerable con el
balance de potencia del sistema +menor alcance-.
%eben reali#arse en el campo, no han de incluir partes delicadas
difciles de manejar o procedimientos complejos +Empalmes
econmicos con.ables y de calidad-.
0as prdidas se clasi.can en intrnsecas +homogeneidad y
composicin de la .bra- y e"trnsecas +proceso de empalme,
desalineacin-.
T!CNICAS DE EMPALME
E"isten fundamentalmente ( tcnicas diferentes de empalme que se
emplean para unir permanentemente entre s .bras pticas.
0a primera es el empalme por fusin que actualmente se utili#a en gran
escala, y la segunda el empalme mecnico.
EMPALME POR FUSIN
Consiste en la unin permanente de las .bras mediante la fusin y unin
de las mismas.
5nterior a la fusin de las .bras se calientan previamente para
eliminar ciertas impure#as, evitar la formacin de burbujas.
El empalme se reali#a cuando las .bras a unir llegan a una
temperatura su.cientemente alta como para fundirse.
0a duracin del proceso puede estar en un minuto. 0uego se
protege la #ona del empalme con manguito +termocontractil- el
cual se le recubre con un tubito de acero +rigide#-.
Dcnica de muy altas prestaciones, se logran atenuaciones de
1,1)61,1:dB +.bras monomodo-.
Dambin e"isten empalmadoras por fusin para multi.bras las
cuales reducen el tiempo de empalme por .bra. Dienen el mismo
principio descrito, pero las .bras a empalmar se alinean con un
elemento alineador multi.bra de ranuras.
EU/50UE /4, 5%>E!B48
0as .bras son insertadas en un mecanismo de alineacin y luego unidas
con un adhesivo epo"ico.
Uecanismos de alineacin$
,anura en I$ Dallada en un substrato metalico, cermico o plstico
Base tres cilindros$ El empalme es hecho introduciendo la .bra
dentro de tres tubos de alineacin.
Base tubo ajustado$ !e introduce la .bra dentro de un tubo o
manguito de vidrio agujereado perfectamente circular +)[m mayor
que el dimetro de la .bra-.
Base tipo cuadrado$ !e introduce la .bra dentro de un tubo de
seccin cuadrada, hacindolo ngulo de modo de orientarlas hacia
la esquina.
El adhesivo epo"ico adems de servir como elemento de unin es
adaptador de ndices de refraccin.
/ueden optimi#arse mediante rotacin de una de las .bras.
!e logran perdidas de insercin de 1,'61,:dB.
EMPALME MECNICO
Consiste en un tubo dividido hori#ontalmente, la parte de abajo es
una base tipo I y la de arriba una tapa plana.
El espacio entre ambas se llena de un gel adaptador, se insertan
las .bras cortadas +de longitud determinada- y luego se cierran
con unas grapas de presin que empujan las .bras hasta juntarlas.
E"isten versiones para cone"iones multi.brasplanares.
EMPALMES EN FIBRAS MONOMODO"
0os empalmes por fusin se utili#an sobre todo con .bra monomodo y
basndonos en ra#onamientos de calidad tcnica podemos asegurar
que los empalmes por fusin son los mejores ya que ofrecen menores
prdidas de insercin y altas prdidas de retorno +menores reLe"iones-,
pero e"isten otras ra#ones que hay que tener en cuenta al decidir el tipo
a utili#ar, stas pueden ser$ econmicas, tecnolgicas y logsticas.
En cuanto a las ra#ones econmicas, se debe tener en cuenta que los
empalmes mecnicos requieren una inversin inicial menor, que la
necesaria para los empalmes por fusin, dependiendo de la calidad y
precisin de la mquina y herramientas-, pero el coste del material
fungible para la reali#acin de cada empalme mecnico es ms elevado
que para los empalmes por fusin, ya que una ve# reali#ados solamente
es necesario utili#ar un protector termo contrctil con refuer#o metlico
cuyo coste es reducido .
0as ra#ones tecnolgicas vendrn marcadas por el tipo de industria en la
que se realicen los empalmes. En el sector de telecomunicaciones y
redes de C5DI, se utili#an .bras monomodo y donde las longitudes de
los cables sean elevadas se requerirn empalmes con bajas prdidas de
insercin, por lo que el empalme por fusin es el ms adecuado, pero en
enlaces de cortas distancias .
En cuanto a los condicionantes logsticos hay que tener en cuenta que el
espacio necesario para la reali#acin de empalmes mecnicos es menor
que el que se necesita para los empalmes por fusin y que para estos
@ltimos es preciso energa, aunque en los @ltimos a=os proviene de
bateras, la reali#acin de los empalmes mecnicos no requiere ning@n
tipo de alimentacin.
Estas caractersticas hacen que los empalmes mecnicos sean muy
adecuados para reali#ar reparaciones rpidas, aunque en algunos casos,
stas sean provisionales