INSTITUTO TECNOLGICO

SUPERIOR DE MOTUL





Materia
Electrnica de potencia



Reporte De Prctica
Circuitos y aplicaciones del BJT



Alumnos
Aban Balam Omar
Hau Moo Wilbert
Pech Can Miguel Hidalgo




Profesor
I.E. Luis Antonio Cua Catzin

I. E. 7 A




Septiembre del 2014




Tabla de contenido
Objetivo: .......................................................................................................................................... 3
Componentes: ................................................................................................................................. 3
Instrumentacin: ............................................................................................................................. 3
MARCO TERICO ................................................................................................................................. 3
Parte experimental ............................................................................................................................ 13
Clculos: ................................................................................................ Error! Bookmark not defined.
Simulacin: ............................................................................................ Error! Bookmark not defined.
Comparacin de clculos con simulacin: ............................................ Error! Bookmark not defined.
Conclusin: ........................................................................................................................................ 24
Referencias: ........................................................................................... Error! Bookmark not defined.































Objetivo:
Caracterizar los transistores de unin bipolar (BJTs). Investigar amplificadores bsicos y fuentes de
corriente del BJT. Comparar los circuitos BJT medidos y simulados.
Componentes:
1 2N2222 NPN BJT, 1 2N3906 BJT pnp, 1 1N4733 5,1 V, 1 W Diodo Zener, 2 0,1 mF
condensadores, 1 100 condensador mF, 1 10 kW potencimetro, y resistencias: 1 x 100 , 2
1,0 kW, 4 10 k, 1 100 kW, y 2 1 MW (todo el 5%, W).
Instrumentacin:
Un trazador de curvas, una fuente de alimentacin, un generador de ondas (seno / ondas
triangulares), un multmetro digital, y un osciloscopio de doble canal.

MARCO TERICO
La figura 1 muestra los smbolos de circuito para el NPN y los BJT PNP, junto con los paquetes y pin
denominaciones de los dos dispositivos ms populares que vamos a estar utilizando en esta
prctica: el 2N2222 NPN BJT y la 2N3906 BJT pnp. Tenga en cuenta que las direcciones de
corriente y polaridades de voltaje de un dispositivo son opuestas los de la otra. Por otra parte, de
KCL, tenemos iC + Ib = iE, para ambos transistores. Cuando un BJT NPN de baja potencia es
empujado hacia adelante en la regin activa (FA), definida por la condiciones.

Su corriente de colector IC depende de la aplicada base-emisor VBE cada de tensin y la colector-
emisor operativo VCE tensin como
fig.1 - Smbolos, con las direcciones actuales y las polaridades de voltaje de la NPN y los BJT PNP.
Tambin se muestran los paquetes de la popular BJT NPN 2N2222 y 2N3906 PNP BJT.

Donde
Is es un factor de escala conocida como la corriente de saturacin colector.
VT es un factor de escala conocida como la tensin trmica.
VA es otro factor de escala conocida como la tensin Early.
A temperatura ambiente, VT 26 mV. Por otra parte, para un BJT de baja potencia, el valor de
temperatura ambiente de Is es tpicamente del orden de Fas (1 FA = 10-15 A), y el VA es del orden
de 102 V. El valor de extrapolar iC en el lmite VCE 0 es IC = Is *exp (VBE / VT)+.
Circuitos BJT son simuladas fcilmente mediante PSpice. La biblioteca contiene PSpice modelos de
dispositivos para un variedad de BJTs populares, incluyendo el 2N2222 y 2N3906 de la figura. 1.
Figura 2 muestra un circuito para PSpice visualizar el iC frente vBE caracterstica de un BJT 2N2222
para un valor fijo de VCE. El resultado se muestra en fig. 3. La pendiente de la curva en un punto
de funcionamiento particular, Q se llama la transconductancia, y es denotado como gm. Sus
unidades son A / V, o tambin 1 / . Pendiente depende de lo lejos hasta que estamos en la curva,
como


Para tener una idea prctica, recuerde que al IC = 1 mA tenemos gm = 1.26 = 38.5 mA / V = 1 / (26
).Consideraciones similares son vlidas para BJT PNP, siempre invertimos todas las direcciones y
de tensin actuales polaridades. Por lo tanto, las condiciones hacia adelante-activos de la cuacin.
1) convertido, para un BJT pnp,

Y la ecuacin 2 representa:

Del mismo modo, el valor extrapolado de la CI en el lmite VEC 0 es IC = Is [exp (VEB / VT)].Otra
manera perspicaz de ilustrar el funcionamiento BJT es trazando iC frente VCE para diferentes
valores de IB. El circuito de la figura PSpice. 4 genera una grfica de este tipo de pasos
incrementales en iB de 2 A cada uno. La familia resultante de las curvas, que se muestra en la
figura. 5, revela tres regiones de operacin para el BJT:
1. Para Ib = 0, obtenemos iC = 0, lo que indica que el BJT est funcionando en la regin de
corte (CO). en este regin, la base-emisor (BE) de conexiones y la base-colector (BC) de
unin estn bien invertir sesgada, o no suficientemente-sesgados hacia adelante para
llevar a corrientes convincentes, por lo que ambas uniones actan esencialmente como
circuitos abiertos.
2. Para iB> 0, el BJT est encendido. La regin correspondiente a iC> 0 y VCE> VCE (EOS)
0,2 V se denomina regin con miras al activo (FA). En este caso, la unin BE est polarizado
en vBE = VBE (on) 0,7 V, y la Unin BC se polariza inversamente, o como mucho es en
polarizacin en 0,7-0,2 = 0,5 V, lo cual es insuficiente para que sea llevar una cantidad
convincente de corriente directa. En FA, el IC frente VCE curvas son casi, lo que indica un
comportamiento de fuente de corriente horizontal por el puerto CE all. Si proyectamos las
curvas FA a la izquierda, todos ellos convergen al mismo punto, en el eje VCE. Este punto
se encuentra en -VA, la temprana tensin que aparece en la ecuacin. (2).
3. Para VCE <VCE (EOS) 0,2 V, las curvas se vuelven casi vertical, lo que indica un
comportamiento de fuente de tensin por el Puerto CE all. Las curvas se funden
aproximadamente a VCE = VCE (sat) 0,1 V, y esta regin de operacin se denomina la
regin de saturacin. La frontera entre la FA y las regiones de saturacin es llamado
acertadamente el borde de la saturacin (EOS).




Independientemente de si un BJT es del npn o pnp tipo, sus intensidades en los terminales de la
regin FA son relacionados como:

Donde

Tpicamente, F es muy cercano a la unidad (como F 0,99), y bF, conocida como la ganancia de
corriente hacia adelante, est en del orden de 102. Como sabemos, es conveniente expresar una
seal total, como la corriente de colector IC como la suma.

Donde
IC es la componente de corriente continua, tambin conocida como seal de gran.
ic es la componente de corriente alterna, tambin conocida como seal de pequea.

Para significar cmo un BJT relaciona tensiones y corrientes (smbolos en maysculas con
subndices en maysculas) DC utilizamos modelos de seales grandes, mientras que para significar
cmo se relaciona con las tensiones y corrientes alternas (smbolos en minscula con subndices
en minscula) utilizamos el modelo de pequea seal.
Grande-seal BJT Modelos:
En cada regin de operacin, un BJT admite un modelo de gran seal diferente:

En la regin de CO, un BJT dibuja solamente las corrientes de fuga, lo que a efectos prcticos son
por lo general descuidado. As, ambas uniones actan esencialmente como circuitos abiertos.
En la regin de FA, la BE actos puerto como VBE batera (on) 0,7 V, mientras que el puerto CE
acta como dependiente fuente de corriente IC = FIB. Los dos modelos BJT se muestran en la
figura. 6.
En la regin de saturacin del puerto CE tambin acta como una batera, a saber, VCE (SAT)
0,1 V, por lo que los dos BJT modelos son como en la figura. 7.
Para obtener informacin adicional sobre la operacin BJT, utilizamos el circuito PSpice de la
figura. 8 para barrer la BJT secuencialmente a travs de cada una de las tres regiones de
funcionamiento. Las curvas de transferencia de tensin resultantes (VTC), que se muestra en la
figura. 9, nos permiten hacer las siguientes observaciones:
Para vB <VBE (a) el BJT est en corte, y iC = 0 Por lo tanto, ve = 0 y vC = VCC = 6 V.
A medida que se acerca vB VBE (a), el BJT llega al borde de la conduccin (EOC), y ms all de
que entre en el FA regin, donde se convierte totalmente conductivo. A partir de entonces, hemos
VE = vB - VBE (on) vB - 0,7 V, es decir, el emisor seguir la base, aunque con un desplazamiento
de aproximadamente -0,7 V. Por otra parte, los rendimientos de circuitos.


Reescribiendo como vC K + AvvB, con K una constante adecuada, observamos que en la regin
de la FA BJT amplifica vB con la ganancia.


O Av - (1.3) = -3 V / V. Figura 9 confirma esto. La ecuacin (8) forma la base de la regla familiar
de pulgar: La ganancia del circuito de la figura. 8 es aproximadamente igual a la relacin de la
resistencia de colector RC a la resistencia de emisor RE.
A medida que el BJT se empuja ms en la regin de FA, vC sigue bajando a razn de -3 V / V,
hasta que se viene dentro de VCE (EOS) ( 0,2 V) de ve. Como sabemos, este punto es el borde de
la saturacin (EOS).
Ms all de la EOS, el BJT est en plena saturacin, y VC se ve obligado a montar alrededor de
0,1 V por encima de VE, que a su vez sabemos a estar en la cresta de 0,7 V por debajo de BB. En
consecuencia, vC ahora se alza con BB, aunque con un desplazamiento de -0,6 V.
Pequea seal BJT Modelo:
Cuando se utiliza como un amplificador, un BJT es operado en la regin de FA donde se modela su
forma de tensin relativa y variaciones de la corriente a travs del modelo de seal pequea.
Debido a su caracterstica exponencial, el BJT es un dispositivo altamente no lineal. Sin embargo, si
estipulamos para mantener sus variaciones de seal suficientemente pequeo (de ah la
designacin de pequea seal), entonces el modelo puede mantenerse lineal - aunque sea
aproximada. Para BJT, la pequea limitacin de la seal es:

Mientras que los modelos de gran seal son diferentes para los dos tipos BJT porque tienen
tensin opuesta polaridades y las direcciones actuales, el modelo de pequea seal es el mismo
para los dos.
Este modelo comn se muestra en la figura. 10, y tambin se llama el modelo porque sus
elementos son dispuestos en forma de al revs. La fuente dependiente puede ser considerado
como controlado ya sea por VBE o ib, dependiendo de cul es el ms conveniente para los clculos
de anlisis de CA. los parmetros que aparece en el modelo de pequea seal depender de la
corriente de polarizacin de acuerdo con IC.

Donde 0 es la pequea ganancia de corriente de la seal, por lo general tomado a la igualdad de
bF. Para desarrollar una idea prctica, utilizamos los valores tpicos 0 100 y VA 100 V para
encontrar que, al IC = 1 mA, un BJT de baja potencia tiene tpicamente.

A medida que nos movemos de E, a B, a C, los niveles de resistencia cambian desde pequeos, a
medio, a grandes.

Fig.10- Modelo BJT-de pequea seal (vlido para VBE << 2VT 52 mV).

La Figura 11 muestra el equivalente de CA de un circuito de BJT generalizada, cuyas propiedades
son vale la pena lista, ya que pueden ser utilizados para simplificar el anlisis de una variedad de
amplificadores BJT.
La resistencia vista mirando en la

Lo que indica que la resistencia de emisor RE, cuando se refleja a la base, se multiplica por (0 + 1).
Si RE = 0, entonces Rb = r.
La resistencia vista mirando hacia el emisor es

Donde re = F / gm 1 / g es la resistencia vista mirando hacia el emisor en los lmites RS 0.
Como saber, en IC = 1 mA hemos re = 26 . La ecuacin (12) indica que la resistencia Rs de base,
cuando reflejada para el emisor, se pone dividido por (0 + 1). Comparando las ecuaciones. (12) y
(13), vemos que la transformacin resistencia por el BJT funciona en ambos sentidos de manera
recproca, como en el caso de la transformador familiar. De hecho, la palabra transistor fue
acuado para significar la transformacin de una resistencia!
La resistencia vista mirando hacia el colector es

Lo que indica que la presencia de RE incrementa efectivamente la resistencia de colector ro al
valor de Eq. (14a). A menudo ocurre que (RS + RE) << r, en cuyo caso tenemos:


Lo que indica que la presencia de RE incrementa efectivamente la resistencia de colector ro al
valor de Eq. (14a). A menudo ocurre que (RS + RE) << r, en cuyo caso tenemos
El cambio en la corriente de colector IC derivada de un cambio de pequea seal en el vb tensin
de base esexpresado como CI = Gmvb, donde:

Es evidente que Gm <g, lo que indica que la presencia de RE reduce transconductancia del BJT.
Esta prdida se conoce como la degeneracin, y RE se dice para introducir la degeneracin de
emisor. En el lmite MGCR >> 1, obtenemos Gm = 1 / RE, es decir, la transconductancia ya no
depende de la BJT, pero se ajusta externamente por RE. Esto ofrece ventajas importantes, como
veremos en el Paso M13.
Concluimos que ilustra el uso de PSpice para simular un amplificador de emisor comn (CE). Como
habitual, puede simular este circuito por su cuenta mediante la descarga de sus archivos
correspondientes de la Web.
Para ello, vaya a http://online.sfsu.edu/~sfranco/CoursesAndLabs/Labs/301Labs.html, y una vez
all, haga clic en Ejemplos PSpice. A continuacin, siga las instrucciones contenidas en el archivo
Lame. El circuito PSpice se muestra en la figura. 12a. Despus de dirigir PSpice para realizar el
Anlisis de Puntos de Bias, que obtener el marcado esquemtica de la fig. 12b. Por otra parte,
despus de dirigir PSpice para realizar una de un punto AC anlisis en f = 10 kHz, nos encontramos
con que la ganancia de pequea seal del circuito es Av = vo / vi = -94,5 V / V. Vas a resultar muy
instructivo para confirmar los datos anteriores (tanto de polarizacin y AC) a travs de los clculos
a mano!

Fig.12- (a) amplificador PSpice CE y (b) su sesgo voltajes DC.
Trazadores de curvas:
Las caractersticas iC -vCE de un BJT se pueden mostrar experimentalmente en un tubo de rayos
catdicos (CRT) por mediante un instrumento llamado trazador de curvas. Un ejemplo de un
instrumento de este tipo es el tipo de Tektronix 575 Transistor trazador disponible en nuestro
laboratorio Curve. Siga los siguientes pasos para configurarlo para mostrar el iC vCE
caractersticas de un BJT NPN 2N2222:
En el rea superior derecha del panel frontal, localice los selectores vertical y horizontal, y
establecer ellos, respectivamente, a 0,2 mA / div y 1 V / div. Ajuste los mandos POSICIN
inmediatamente debajo de modo que el origen de la caracterstica iv est en la esquina inferior
izquierda de la CRT.
En la zona inferior derecha del panel frontal, localizar los controles del generador BASE PASO.
Set el selector en repetitivo. Gire el mando PASOS / FAMILIA completamente hacia la derecha.
Establezca el Perilla POLARIDAD a "+" para NPN, en "-" para PNP. Ajuste el selector de resistencia
en serie de 22 kW.Ajuste el SELECTOR PASO a "0.001 mA por STEP".
En el rea inferior izquierda del panel frontal, localizar los controles SWEEP COLECTOR. Ajuste el
PEAK TENSIN GAMA perilla para "X1". Ajuste la perilla de la polaridad a "+" (NPN). Ajuste el PEAK
Selector VOLTS RANGE para "0-20". Ajuste el selector DISIPACIN LIMITAR RESISTENCIA a "5 k".
Por ltimo, ajuste el selector en "TRANSISTOR B", y observar las caractersticas IC-VCE en la CRT.
Juegue con los mandos de un bit, como sea necesario, para la visualizacin y medicin ptima.
Parte experimental
Las hojas de datos BJT dan datos tpicos, es decir, los datos que se obtuvieron promediando sobre
una gran nmero de muestras. Los modelos BJT disponibles en la biblioteca PSpice se basan en los
datos tpicos. DATA hojas fcilmente se pueden descargar desde la Web (por ejemplo, ir a
http://www.google.com y bsqueda de "2N2222" y "2N3906" o variantes de la misma.) En esta
prctica vamos a caracterizar un determinado Muestra BJT, y comparar contra las hojas de datos
para evaluar qu tan cerca nuestra muestra es tpico, as como qu tan realistas son nuestras
simulaciones PSpice.
Por favor, consulte el Apndice para obtener consejos tiles sobre cmo construir circuitos proto-
board. En particular, siempre utilizar 0,1-mF condensadores para eludir sus fuentes de
alimentacin, y siempre apague la alimentacin antes de hacer cualquier cambio en un circuito. El
no hacerlo puede destruir tu BJT, lo que indica que las mediciones realizadas hasta ese momento
tendrn que ser repetida en una muestra diferente. Antes procedimiento, marque uno de sus BJT
2N2222 (el otro es de repuesto).
De ahora en adelante, los pasos se identifican como sigue: C para los clculos, M para las
mediciones, y S para la simulacin SPICE. Por otra parte, cada valor medido debe ser expresado en
la forma X ? X (por ejemplo, bF = 160 5), donde? X representa la incertidumbre estimada de la
medicin, algo que tiene que averiguar sobre la base de los conceptos de medicin y tcnicas
aprendidas en Engr 206 y 300 Engr.

Caractersticas Forward-activos:
MC1: Utilice el trazador de curvas para estimar la tensin Early VA as la bF ganancia de corriente
en el operativo punto Q (IC, VCE) = Q (1 mA, 5 V). Con referencia a la fig. 13, haga lo siguiente:
Ubique el punto Q especificado en la pantalla, y estimar el valor de IB correspondiente a la curva
pasando por P. Entonces, calcule bF = IC / IB.
Determine la pendiente grfica de la curva en Q, y encontrar ro como el recproco de esta
pendiente. Finalmente, estimacin VA = ROIC - VCE, donde IC = 1 mA y VCE = 5 V. Son sus valores
tpicos? Nota: Si el trazador de curvas ya est en uso por otro grupo, proceda con los siguientes
pasos y volver a la actual ms tarde.
MC2: Ahora utilizamos el circuito de prueba de la figura. 14 para una estimacin ms precisa de la
VA. Por lo tanto, con el suministro de energa, montar el circuito, las patillas cortas y sin pasar por
la fuente de alimentacin para conectar a tierra a travs de una 0,1-mF condensador, como se
recomienda en el Apndice. Entonces, mientras se monitorea IC con el medidor digital de
corriente (DCM), conecte la alimentacin y ajuste el potencimetro hasta que IC = 0,5 mA. Esto
empuja el BJT en el operativo el punto Q (IC, VCE) = (0,5 mA, 5 V), como se representa en la fig. 13.
A continuacin, el cortocircuito de RC con un alambre (es decir, cerca de SO) as como para
efectuar el cambio VCE = 5 V y por lo tanto mover el punto de funcionamiento de Q a Q '(vase
de nuevo. Fig 13). Registre el IC cambio correspondiente (este cambio es pequeo, as que use
tantos dgitos como su instrumento permitir). Por ltimo, calcular.

IC = 7A
VCE = 5.01 V

Donde IC = 0,5 mA y VCE = 5 V. Como de costumbre, expresar sus resultados en la forma X ? X
(por ejemplo VA = 90 5 V), donde X representa la incertidumbre estimada de la medicin. Cmo
afecta el valor de VA comparar con la estimada en el paso MC1?
MC3: Utilizamos los circuitos de la figura. 15 para una estimacin ms precisa de bF, as como para
la bsqueda de Is y VT.


Por lo tanto, el montaje del circuito de la figura. 15a y comenzar con VCC 10,7 V, ajuste VCC
para IC = 1,0 mA.
A continuacin, apague la unidad, inserte el DCM en serie con la base como en la figura. 15b,
vuelva a aplicar el poder sin cambiar el ajuste para VCC, y medir IB. Por ltimo, calcular

Donde IC = 1,0 mA. Como de costumbre, expresar el resultado en la forma X ? X (por ejemplo, bF
97 1). Cmo funciona el valor de bF compara con la estimada en el paso MC1?
MC4: Con la energa apagada, conecte el voltmetro digital (DVM) en paralelo con la unin base-
emisor como en la fig. 15 Vuelva a aplicar el poder, y mida y registre VBE (1 mA). A continuacin,
desconecte la alimentacin y conecte el BJT de nuevo como en la figura 15a, pero con R = 100 k.
Vuelva a conectar y ajustar VCC para IC = 0,1 mA. Entonces, sin tensin vuelva a conectar el BJT
como en la figura. 15c, vuelva a aplicar el poder, y medir y registrar su nueva cada de tensin VBE
(0,1 mA).

Sobre la base de las mediciones anteriores, podemos escribir dos ecuaciones en las incgnitas es y
VT

( )

( )

( )

( )

)

Donde VA es el voltaje Early encontrado en el paso MC2, y VBE (1,0 mA) y VBE (0,1 mA) la tensin
BE acaba de medir. Por lo tanto, sustituir los datos dados y resolver las dos ecuaciones para
obtener los valores experimentales de Is y VT. Son tpica?

Caractersticas Saturacin-Regin:
MC5: Para observar estas caractersticas que utilizamos el circuito de la figura. 16, que ensambla
con la alimentacin.
A continuacin, conecte la alimentacin, y comenzando con la seal de bucle vW en cero,
aumentar gradualmente vW mientras que el monitoreo VCE con el DVM. A medida que aumenta
VW, VCE disminuye hasta que finalmente se satura a VCE = VCE (sat). Registre los valores de VW,
VBE, y VCE en el punto cuando el BJT slo comienza a saturar, conocida como el borde- fsaturacin
(EOS). Utilice los datos anteriores para calcular la relacin IC / IB en el EOS. Cmo se compara
esta proporcin con el valor de bF encontrado antes? Comentario
El punto en el cual el BJT se empieza a saturar es el punto

M6: Ahora aumentar vW en el circuito de la figura. 16 todo el camino hasta 10 V, mientras que
todava monitoreo VCE con la DVM. Cambia VCE apreciable como el punto de funcionamiento se
mueve de la EOS a la saturacin de profundidad? Cul es el valor de la relacin IC / IB cuando vW
= 10 V? Cmo se compara con bF? justificar la designacin forced para la relacin IC / IB cuando
la operacin est ms all de la EOS.

1.64 0.16
2 0.14
3 0.12
3.69 0.11
4.52 0.1
6 0.09
6.57 0.08
7.27 0.08
8.71 0.07
9.46 0.07
9.99 0.07

Emisor Comn-Amplificador:
Con el suministro de energa, el montaje del circuito de la figura. 17 (aplicar Rbias con 2
resistencias 10 kW en serie), mantener a los clientes potenciales a corto y sin pasar por los
suministros con condensadores de 0,1-mF a tierra. Por la ecuacin. (10), el Vi entrada debe ser una
pequea seal para que el BJT para operar aproximadamente lineal, por lo que interponer una
divisor de tensin formado por R1 y R2 entre el generador de forma de onda y el BJT a escala
adecuadamente abajo la seal fuente. Con los valores de resistencia muestran que tenemos vi
vs / 100.
C7: Suponiendo vs DC tiene un valor de 0 V en la figura. 17, utilice el modelo BJT de gran seal
para predecir la DC Tensiones VB, VE, y VC. Por lo tanto, predecir el colector de corriente DC IC, as
como el valor de la pequea seal de ganancia Av = vo / vi, que en este caso es

Con gm y ro dada en la ecuacin. (11).
M8: Aplicar alimentacin al circuito de la figura. 17, pero sin necesidad de conectar el generador
de forma de onda, sin embargo, y el uso su DVM para medir la DC Tensiones VB, VC, y VE. A
continuacin, conecte el generador de forma de onda, y mientras observndola en Ch.1 del
osciloscopio, ajustar de modo que frente se encuentra a 10 kHz de onda sinusoidal con un pico
pico-a-amplitud de 2 V y 0 V DC offset. Por ltimo, utilice Ch. 2 para medir la amplitud pico a pico
de VO, y

Luego encontrar la Av ganancia = vo / vi de su amplificador, donde vi = vs / 100.

Frecuencia = 10 KHz Frecuencia = 10.42 KHz

-164.6mV=VB
6.77V=VC
760mv=VE
V2=0.02V
Vpp=2V
F=10Hz
Vo=109.8V

S9: Simular el circuito de Paso M8 travs PSpice (DC, as como el anlisis de AC). Para una
simulacin realista, es necesario crear un modelo de PSpice para su muestra especfica BJT. Con
este fin, cuando en PSpice, haga clic en el transistor para seleccionarlo, a continuacin, haga clic
en Editar modelo PSpice y cambiar los valores de los parmetros indicados como es, en el Bf y
Vaf a los valores encontrados para Is, bF, y VA en los pasos MC2 travs MC4.
C10: Comparar los valores pronosticados de Paso C7 con los medidos de Paso M8 y la simulada los
de la etapa S9. Cuenta de las posibles discrepancias.

M11: Regresando al circuito de la fig 17, regresa el canal 2 del osciloscopio al modo DC(
asegurate de que tu voltaje de linea sea 0), cambia la forma del generador de sinuidal a
triangular, ve incrementando la amplitude hasta que Vo empieze a distorsionarse, despues de
eso anota los valores del punto mas alto y el mas bajo (en caso de que la amplitude del
generador no sea suficiente, tendras que quitar R2 del circuito). Qu es lo que sgenera la
distorsion? cuales son los valores de los voltajes anotados mas alto y bajo? Justifica los dos
valores en trminos de regin de operacin del BJT
C12: El circuito 18 se obtiene del circuito 17 insertando la Resistencia RE. Asumiendo que Vs
tenga un valor de DC = 0V, encuantra Ic y predice el valor de la ganancia en pequea seal, la cual
es dada por
Av = vo/vi,
Av = Gm(Rc//RC) (17)
Donde Rc yGm se dan respectivamente en las ecuaciones. (14) y (15).
M13: Con la alimentacin, montar el circuito de la figura. 18 A continuacin, aplique alimentacin,
ajuste el generador de forma de onda de manera que es ahora un vi-10 kHz de onda senoidal de
0,2-V de amplitud de pico a pico, y medir la ganancia Av = vo / vi. Cmo se compara con el valor
predicho de la Etapa C12? Cmo se compara con la regla de oro-valor Av -RC / RE?
VB=-195mv
Vc=-795mv
vE=4.29v
vpp=1v
=10KHz
Vo=2V
V2=0.01V
Common-Collector Amplificador:
C14: Suponiendo vs DC tiene un valor de 0 V en la figura. 19, utilice el modelo de gran seal para
encontrar el colector DC IC actual. Por lo tanto, predecir el valor de la pequea ganancia de seal
AV = vo / vs, que en este caso es

Adems, predecir el valor de la resistencia de salida Ro visto por la carga, que en este caso es Ro =
Re // RE, con Re dada en la ecuacin. (13).
M15: Con la alimentacin, montar el circuito de la figura. 19 (no conecte RL todava.) Mantenga los
cables de corto y montar las fuentes de alimentacin condensadores de desacoplo de 0,1 mF en
las proximidades de su circuito. A continuacin, conecte la alimentacin, ajustar el generador de
forma de onda para que vs se encuentra a 10 kHz de onda senoidal con 0-V DC y una amplitud
mxima de 3 V, y medir la ganancia Av = vo / vs. Cmo se compara con el valor predicho de la
Etapa C14? Qu que pasa si ahora conecta la carga RL a su circuito? Est cargando notorio?
Explique!

Nota: En este circuito vs tiene una amplitud pico a pico de 6 V, apenas una pequea seal. Sin
embargo, apenas tomar nota de cualquier distorsin, lo que indica que el BJT todava est
operando bajo condiciones de baja seal. Explique por qu!
Una de las aplicaciones ms interesantes de la BJT es como una fuente de corriente (BJT PNP) o
como un sumidero de corriente
(NPN BJT). En cualquier caso, la corriente de salida es dibujada por el colector, el cual presenta una
relativamente alta Ro resistencia de salida. Por la ecuacin. (14), esta resistencia se puede
aumentar adicionalmente por medio de la degeneracin de emisor.
En el ejemplo de fuente de corriente de la figura. 20, el diodo D1 Zener VZ establece un voltaje de
referencia 5,1 V para empujar el BJT y RE se establece la corriente de salida como IO = F IE,, o

En nuestro caso, IO (5,1-0,7) RE = (4,4 V) / RE. Mediante la variacin de RE, podemos ajustar
exactamente IO, por ejemplo, a 1,0 mA.
Una buena fuente de corriente debe ser altamente insensible a las variaciones tanto en la tensin
de alimentacin VCC y la tensin VL establecido por la carga. La extensin de los conceptos de
regulacin aprendida en el laboratorio # 3 en relacin con fuentes de tensin, definimos
Regulacin de lnea = IO / VCC y Regulacin de carga = IO / VL. en el presente caso tenemos

Donde rz es la resistencia dinmica del diodo Zener, y Rc se da en la ecuacin. (14). En los pasos
restantes, nos caracterizamos por primera vez la pnp BJT, a continuacin, toda la fuente de
corriente.
MC16: Marque una de sus 2N3906 BJTs (el otro es de repuesto), y utilizar el trazador de curvas
para estimar su Temprano tensin VA y bF ganancia de corriente en IC = 1 mA y VCE = 5 V. Cul es
el valor de ro all?
Nota: Para la estimacin de VA y bF, proceder como en el paso MC1, pero con las perillas de
posicin ajustada de modo que el origen de la caracterstica iv se encuentra ahora en la esquina
superior derecha de la CRT. Adems

Debe establecer las perillas polaridad "-" (PNP), tanto en el GENERADOR BASE STEP y el Controles
SWEEP COLECTOR. Haga sus cambios antes de insertar su BJT en el zcalo.
C17: Usando la ecuacin. (20), predecir el Reglamento de la lnea y la Regulacin de carga de la
fuente de la IO = 1 mA (por rz, utilice el valor experimental determinado en el laboratorio # 3.)
M18: Con la alimentacin, montar el circuito de la figura. 20, con las patillas cortas (para RS
utilizan 2 resistencias 1-kW en la serie). A continuacin, aplique el poder, y el uso de su
ampermetro como la carga, ajuste el potencimetro para IO = 1.0 mA. A continuacin, encontrar
experimentalmente la lnea y regulacin de carga de la siguiente manera:
Elevar la tensin de alimentacin de 10 V a 15 V para producir VCC = 5 V. Registro
correspondiente
Cambiar IO, con tantos dgitos como su ampermetro permitir. Por lo tanto, encontrar
Regulacin de lnea = IO / VCC, compara con la prediccin de la Etapa C17 y dar cuenta de
cualquier diferencia.
Con el ampermetro todava actuando como carga, romper el circuito en el cobro C, e inserte una
resistencia de 5 kW (2 utilizar resistencias de 10-kW en paralelo) en serie entre ampermetro y el
colector, con el fin de hacer que el cambiar VL = (5 kW) (1 mA) = 5 V. Registro de la IO cambio
correspondiente utilizando tantos dgitos como el ampermetro permitir. Por lo tanto, encontrar
Regulacin de carga = IO / VL, compara con la prediccin de C17 Paso, y dar cuenta de las
diferencias.
C19: Sketch equivalente del Norton como se ve por la carga en la figura. 20. Luego, basndose en
las mediciones anteriormente, dar su valores de los elementos ISC y Ro, y el comentario.
Conclusin:
En la prctica nos dimos cuenta de cmo se utiliza el transistor para que realice distintas
funciones, por medio de distintos arreglos se puede lograr que el transistor aumente la seal de
entrada a gran medida o a una medida gradual.