Elabor:

Pablo E. Alarcn O.
Revis:

Aprob:





UNIVERSIDAD COOPERATIVA DE
COLOMBIA

FACULTAD DE INGENIERA
SECCIONAL BOGOT
REA: ELECTRNICA


CURSO:

Electrnica 2

CIE1

PRACTICA No. 1

FECHA: 2014-08-09


VERSIN: 1

Pgina 1 de 7

TEMA: Circuitos de Polarizacin del Transistor Bipolar
TIEMPO ESTIMADO: 1 sesin de 90 minutos

I. JUSTIFICACIN: El uso del transistor bipolar como amplificador de baja seal requiere
que sea polarizado adecuadamente para conseguir la ganancia requerida y evitar la
distorsin de la seal AC.

II. OBJETIVOS:
1. Reconocer algunos circuitos de polarizacin para el transistor bipolar.
2. Determinar el voltaje y la corriente de polarizacin o punto Q.
3. Analizar y disear circuitos de polarizacin para el BJT.

III. MATERIALES A UTILIZAR CANTIDAD

Transistor 2N2222, 2N3904 2N4401 02
Resistencias varias (1K, 10K, 100K) 10
Condensadores varios (0.01uF, 0.1uF,
1uF)
05
Multmetro 01
Osciloscopio 01
Fuente DC variable 01
Generador de seal 01
Protoboard 01
Caimanes 06



IV. FUNDAMENTACIN TERICA:
El transistor bipolar es un dispositivo que posee tres capas semiconductoras con sus
respectivos contactos llamados; colector(C), base(B) y emisor(E).
La palabra bipolar se deriva del hecho que internamente existe una doble circulacin de
corriente: electrones y huecos.




Elabor:
Pablo E. Alarcn O.
Revis:

Aprob:





UNIVERSIDAD COOPERATIVA DE
COLOMBIA

FACULTAD DE INGENIERA
SECCIONAL BOGOT
REA: ELECTRNICA


CURSO:

Electrnica 2

CIE1

PRACTICA No. 1

FECHA: 2014-08-09


VERSIN: 1

Pgina 2 de 7

A.- CLASIFICACION DE LOS TRANSISTORES BIPOLARES
Los transistores bipolares se clasifican de la siguiente manera:
1.- Por la disposicin de sus capas
- Transistores PNP
- Transistores NPN
2.- Por el material semiconductor empleado
- Transistores de Silicio
- Transistores de Germanio
3.- Por la disipacin de Potencia
- Transistores de baja potencia
-Transistores de mediana potencia
- Transistores de alta potencia
4.- Por la frecuencia de trabajo
- Transistores de baja frecuencia
- Transistores de alta frecuencia

B.- POLARIZACION DE LOS TRANSISTORES BIPOLARES
Para que un transistor bipolar funcione adecuadamente, es necesario polarizarlo
correctamente. Para ellos se debe cumplir que:
- La juntura BASE - EMISOR este polarizado directamente, y
- La juntura COLECTOR BASE este polarizado inversamente.
Ejemplo: Si el transistor es NPN, la base debe tener un voltaje positivo con respecto al
emisor y el colector debe tener un voltaje tambin positivo pero, mayor que el de la base. En
el caso de un transistor PNP debe ocurrir lo contrario.

C.- CODIFICACION DE LOS TRANSISTORES BIPOLARES
Los transistores tienen un cdigo de identificacin que en algunos casos especifica la funcin
que cumple y en otros casos indica su fabricacin.
Pese a la diversidad de transistores, se distinguen tres grandes grupos: Europeos,
Japoneses y Americanos.


Elabor:
Pablo E. Alarcn O.
Revis:

Aprob:





UNIVERSIDAD COOPERATIVA DE
COLOMBIA

FACULTAD DE INGENIERA
SECCIONAL BOGOT
REA: ELECTRNICA


CURSO:

Electrnica 2

CIE1

PRACTICA No. 1

FECHA: 2014-08-09


VERSIN: 1

Pgina 3 de 7

CODIFICACION EUROPEA
Primera letra
A: Germanio
B: Silicio
Segunda Letra
A: Diodo (excepto los diodos tnel)
B: Transistor de baja potencia
D: Transistor de baja frecuencia y de potencia
E: Diodo tnel de potencia
F: Transistor de alta frecuencia
L: Transistor de alta frecuencia y potencia
P: Foto semiconductor
S: Transistor para conmutacin
U: Transistor para conmutacin y de potencia
Y: Diodos de potencia
Z: Diodo Tener
Nmero de serie
100 999: Para equipos domsticos tales como radio, TV, amplificadores, grabadoras, etc.
10 99 y la letra X, Y o Z: Para aplicaciones especiales.
Ejemplo: AD149, es un transistor de potencia, de germanio y sus aplicaciones son de baja
frecuencia.
CODIFICACION JAPONESA
Primero
0 (cero): Foto transistor o fotodiodo
1: Diodos
2: Transistor
Segundo
S: Semiconductor
Tercero
A: Transistor PNP de RF (radiofrecuencia)
B: Transistor PNP de AF (audiofrecuencia)

Elabor:
Pablo E. Alarcn O.
Revis:

Aprob:





UNIVERSIDAD COOPERATIVA DE
COLOMBIA

FACULTAD DE INGENIERA
SECCIONAL BOGOT
REA: ELECTRNICA


CURSO:

Electrnica 2

CIE1

PRACTICA No. 1

FECHA: 2014-08-09


VERSIN: 1

Pgina 4 de 7

C: Transistor NPN de RF
D: Transistor NPN de AF
F: Tiristor tipo PNPN
G: Tiristor tipo NPNP
Cuarto
Nmero de serie: comienza a partir del nmero 11
Quinto
Indica un transistor mejor que el anterior
Ejemplo:

Es un transistor PNP de RF con mejores caractersticas tcnicas que el 2SA186.

CODIFICACION AMERICANA
Anteriormente los transistores americanos empezaban su codificacin con el prefijo 2N y a
continuacin un nmero que indicaba la serie de fabricacin. Ejemplo 2N3055, 2N2924, etc.
Actualmente, cada fbrica le antepone su propio prefijo, as se tiene por ejemplo: TI1411,
ECG128, etc. que corresponden respectivamente a TEXAS INSTRUMENTS Y SYLVANIA.
Tomado de http://www.viasatelital.com/proyectos_electronicos/polarizacion_transistor.htm


V. PROCEDIMIENTO:
Disee y realice el montaje de cada uno de los siguientes circuitos de polarizacin
mostrados en las figuras. Utilice resistencias de carga (resistencia de colector) de 1K.
Como regla de diseo utilice la relacin V
CE
= V
CC
/ 2
Para el circuito autopolarizado utilice la relacin R
E
= R
C
/ 10
Utilice fuentes de voltaje entre 6 y 30 V DC.
Hint: Utilice la misma fuente y la misma resistencia de carga para los tres circuitos.

Elabor:
Pablo E. Alarcn O.
Revis:

Aprob:





UNIVERSIDAD COOPERATIVA DE
COLOMBIA

FACULTAD DE INGENIERA
SECCIONAL BOGOT
REA: ELECTRNICA


CURSO:

Electrnica 2

CIE1

PRACTICA No. 1

FECHA: 2014-08-09


VERSIN: 1

Pgina 5 de 7

A. Circuito de Corriente de base fija:



B. Circuito Resistencia entre base y colector




Elabor:
Pablo E. Alarcn O.
Revis:

Aprob:





UNIVERSIDAD COOPERATIVA DE
COLOMBIA

FACULTAD DE INGENIERA
SECCIONAL BOGOT
REA: ELECTRNICA


CURSO:

Electrnica 2

CIE1

PRACTICA No. 1

FECHA: 2014-08-09


VERSIN: 1

Pgina 6 de 7

C. Circuito Autopolarizado


VI. MONTAJE: Utilice un protoboard para todos los montajes. Utilice la fuente DC del
laboratorio con valores entre 6 y 30 V. Si utiliza fuentes mayores a 10 V calcule la potencia
de las resistencias antes de colocarlas en el circuito.
Tenga precaucin con la polaridad de las fuentes. No polarice los transistores directamente,
utilice siempre las resistencias de polarizacin.

VII. REGISTRO DE DATOS: Registre sus mediciones en tablas similares a la mostrada.


Vcc Vce Vbb Ic Ie Ib Rc Re Rb
Valor
Calculado


Valor medido







Elabor:
Pablo E. Alarcn O.
Revis:

Aprob:





UNIVERSIDAD COOPERATIVA DE
COLOMBIA

FACULTAD DE INGENIERA
SECCIONAL BOGOT
REA: ELECTRNICA


CURSO:

Electrnica 2

CIE1

PRACTICA No. 1

FECHA: 2014-08-09


VERSIN: 1

Pgina 7 de 7

VIII. ANLISIS DE DATOS: Analice cada uno de los resultados obtenidos. Compare los
resultados obtenidos con los clculos tericos. Compare los tres circuitos. Escriba las
ventajas y desventajas del uso de cada uno de ellos.

IX. APLICACIONES: Amplificadores de audio, Amplificadores de video, Fuentes reguladas,
circuitos de control, instrumentos de medida, transmisores y receptores. Sugiera otras
aplicaciones.

X. CONCLUSIONES: Escriba las conclusiones de la practica realizada.

XI. BIBLIOGRAFIA:
Electrnica Integrada. Millman y Halkias
Circuitos Electrnicos: discretos e integrados. Schilling y Belove
Electrnica teora de circuitos. Robert Boylestad
Ingeniera Electrnica. Alley y Atwood
Electronics. Principles and Applications. Schuler.

XII. WEBGRAFIA:
http://www.virtual.unal.edu.co/cursos/ingenieria/2001771/
http://profesores.fi-b.unam.mx/jesmafco/apuntes/aa/Clase_Dispositivos.pdf