Recombinacin a travs de trampas:

61
la tasa de recombinacin (por unidad de volumen y por segundo) a
travs de una trampa que ocupa una nica energa E = E
T
(single
level trap, SLT) dentro del gap, tambin llamada recombinacin
Schockley-Read-Hall, es:
donde la vida media de los portadores viene dada por
siendo la seccin eficaz de captura, v
th
la velocidad trmica de los
portadores, y
T
la concentracin de trampas.
Si el material es tipo-p ( p p
0
>> n
0
), hay baja inyeccin
(n
0
n << p
0
), y la energa de la trampa est cerca del medio del
gap (E
T
E
i
), se tiene:
Recombinacin a travs de trampas:
62
En el caso de alta inyeccin ( p n >> p
0
, n
0
), es:
Recombinacin radiativa:
Es el proceso inverso a la generacin ptica, y es mucho ms
eficiente en los semiconductores de gap directo que en los de gap
indirecto. La tasa de recombinacin radiativa viene dada por:
Si el material es tipo-n ( n n
0
>> p
0
) y hay baja inyeccin
(p
0
p << n
0
), se puede escribir:
con
Recombinacin Auger:
63
En este caso, la energa de la transicin se transfiere a otro portador (en
la banda de conduccin o en la banda de valencia). Este electrn (o
hueco) luego relaja trmicamente (entregando su exceso de energa y
momento a fonones). La tasa de recombinacin debida a procesos Auger
es:
Si el material es tipo-n ( n n
0
>> p
0
), hay baja inyeccin
(p
0
p << n
0
) y los coeficientes
n
y
p
son de magnitudes
comparables, se puede escribir:
con
Recombinacin en el volumen:
64
Todos estos procesos de recombinacin ocurren en paralelo, y puede
haber trampas mltiples y/o distribuidas en el gap; por lo tanto la tasa de
recombinacin total ser la suma de los procesos individuales:
Entonces, la vida media de un portador minoritario en un material
dopado y con bajo nivel de inyeccin viene dada por:
Recombinacin superficial:
65
Las superficies contienen una alta
concentracin de defectos, debido a la
terminacin abrupta de la red
cristalina. Esto se manifiesta a travs
de una distribucin continua de
trampas en el gap, a travs de las
cuales los portadores pueden
recombinarse.
La tasa de recombinacin (por
unidad de rea y por segundo) se
puede escribir:
donde E
t
es la energa de la trampa, D

(E
t
) la concentracin superficial de
trampas, y s
n
, s
p
son las velocidades de recombinacin superficial.
Recombinacin superficial:
66
La tasa de recombinacin
superficial generalmente se escribe,
para un material tipo-n, como:
y para uno tipo-p como:
S
p
y S
n
son velocidades de
recombinacin superficial efectivas,
las cuales no son necesariamente
constantes, aunque se las suele tomar
como tal.
Transporte de cargas:
67
Drift: es el movimiento de las partculas cargadas por efecto
de un campo elctrico

j
dr,n
= - q n v
dr,n
v
dr,n
= -
n
j
dr,n
= q
n
n
j
dr,p
= q p v
dr,p
v
dr,p
=
p
j
dr,p
= q
p
p
j
dr
= q (
n
n +
p
p )
Movilidades de los semiconductores ms comunes:
68
Mecanismos de scattering que afectan la movilidad de un
semiconductor:
scattering con fonones (con la red)
L
T
n
n ~ 1.5 2.2
scattering con impurezas ionizadas
I
T
+3/2
/
I

I
=
d
+
+
a
-
L I

1 1 1
: presentes mecanismos ambos Con + =
Dependencia de la movilidad con la temperatura
Silicio cristalino con distintos niveles de dopaje
69
T
-2.2
T
-2.1
Dependencia de la movilidad con el nivel de dopaje
70
c-Si
71
Conductividad Conductividad:
( ) = + = p n q j
p n dr
: conductividad del semiconductor [
-1
cm
-1
]
( ) p n q
p n

+
= =
1 1
: resistividad del semiconductor [ cm]
72
Para un semiconductor con estados en el gap:
p q n q
p n
+ =
n, p: concentraciones de electrones y huecos en las bandas

n
,
p
: movilidades de electrones y huecos en las bandas
(movilidad de estados extendidos)
Con una densidad de estados apreciable en el gap (atrapamiento)
tambin puede definirse:
( ) ( )
tr p , dr tr n , dr
p p q n n q + + + =
n
tr
, p
tr
: concentraciones de electrones y huecos atrapados

dr,n
,
dr,p
: movilidades drift de electrones y huecos
Difusin: es el proceso por el cual las partculas tienden a
redistribuirse como consecuencia de su movimiento trmico al
azar, desde las zonas de mayor concentracin hacia las de menor
concentracin
j
dif, n
= q D
n
dn/dx
73
D
n
, D
p
coeficientes de
difusin [cm
2
/s].
j
dif, p
= - q D
p
dp/dx
74
Densidad de corriente total:
dx
dp
qD
dx
dn
qD p q n q j
p n x p x n
+ + =
en tres dimensiones:
p qD n qD p q n q j
p n p n
+ + =
Relacin de Einstein:
q
kT
D
D
p
p
n
n
= =

Valores tpicos de movilidad y coeficiente de difusin:
75
G puede depender de la posicin y/o del tiempo:
en ese caso n=n(x,t), p=p(x,t) difusin, drift
x
F
t
p
p

( )
p dif p dr
p
p
j j
q q
j
F
, ,
1
+ = =
dx
dp
D q j p q j
p p dif p p dr
= =
, ,
,
Ecuaciones de continuidad:
Flujo de huecos (#h/cm
2
-s) que entran a
un volumen diferencial en x y salen en
x+dx
Si adems existe generacin y recombinacin:
x
F
R G
t
p
p
p p

Ecuaciones de transporte:
|

\
|

+ =

x
n
x
n
x
n
D R G
t
n
n
2
2
n n n


( )
x
j
q
R G
t
n
n
n n

+ =

1
( )
x
j
q
R G
t
p
p
p p

1
x
n
qD n q j j j
n n n , dif n , dr n

+ = + =
x
p
qD p q j j j
p p p , dif p , dr p

= + =
|

\
|

+ =

x
p
x
p
x
p
D R G
t
p
p
2
2
p p p


n n n
0
+ = p p p
0
+ =
76
Transporte ambipolar:
2
2
n n
n n n
G R D n
t x x x



| |
= + + +
|

\
2
2
p p
n n n
G R D p
t x x x



| |
= + +
|

\
77
Los electrones y huecos tienden a moverse en forma conjunta, atrados
por fuerzas electrostticas:
p
p
n
n
( ) ( )( ) ( ) ( )
2
2
n p n p n p p n n p
n n n
n p n p G R nD pD p n
t x x



+ = + + + +

La neutralidad de carga implica que n(x,t) = p(x,t)
+
2
2

n n n
G R D
t x x



= + +

( )
,
n n p p n p
n p n p
n D p D p n
D
n p n p

+
= =
+ +
D : coeficiente de difusin ambipolar ; : movilidad ambipolar
78
Tambin podemos escribir:
2
2
n n
n
n n n n
G D
t x x

= + +

( ) ( )
,
n p n p
n p n p
D D n p p n
D
D n D p n p

+
= =
+ +
En cada caso, la ecuacin describe el comportamiento de los portadores
minoritarios en exceso. Sin embargo, la condicin de neutralidad de carga implica
que la concentracin de portadores mayoritarios en exceso es igual a la
concentracin de portadores minoritarios.
Por lo tanto, el comportamiento de los portadores mayoritarios est definido por
los parmetros de los portadores minoritarios.
ecuacin diferencial no-lineal
Lmite de baja inyeccin: n
0
>>n, p
0
>>p
( )
( ) ( )
0 0
0 0

n p
n p
D D n n p p
D
D n n D p p


+ + +
=
+ + +
tipo p p
0
>> n
0
tipo n n
0
>> p
0
,
n n
D D = = ,
p p
D D = =
( )
( ) ( )
0 0
0 0

n p
n p
p p n n
n n p p

+
=
+ + +
2
2
p p
p
p p p p
G D
t x x

= +

Ecuaciones de transporte ambipolar para baja inyeccin:
x
n
x
n
D
n
G
t
n
n n
n
n

+ =

2
2
x
p
x
p
D
p
G
t
p
p p
p
p

+ =

2
2
79
tipo n
tipo p
Aplicaciones de las ecuaciones de transporte:
x
n
x
n
D
n
G
t
n
n n
n
n

+ =

2
2
x
p
x
p
D
p
G
t
p
p p
p
p

+ =

2
2
Una oblea de silicio tipo n a T=300 K se ilumina a partir de t=0.
Suponiendo que
d
=10
15
cm
-3
y
p
=10
-6
s, y que la luz crea uniformemente
10
17
pares electrn-hueco por cm
3
, determinar p(t).
3 5
0
2
0
10 25 . 2

= = cm
n
n
p
i
1) En equilibrio: Si a T=300 K n
i
=1.5 10
10
cm
-3

( )
p
t
p p
e G t p


/
1 ) (

=
80
3 15
0
10

= = cm n
d
2) Bajo iluminacin: G
p
=10
17
cm
-3
( ) 0 0 = =

p con
p
G
t
p
p
p

p
t
G
p

p
tipo n
tipo p
x
p
x
p
D
p
G
t
p
p p
p
p

+ =

2
2
h
Una de las caras de una barra de silicio dopada con
d
=10
15
cm
-3
se ilumina con luz fuertemente absorbida, la cual crea p = 10
10
huecos/cm
3
en x=0. Determinar p(x).
0
p
x
p
D
p
2
2
p
=

Con: p(x=0) = 10
10
cm
-3
, p(x)=0.
p p p
L / x
0
D L , e p ) x ( p
p
= =

81
L
p
: longitud de difusin de huecos en un
material tipo n
Distancia promedio que los portadores
minoritarios pueden difundir antes de
recombinarse
Si T=300 K,
d
=10
15
cm
-3
y
p
=10
-6
s :
m 35
q
kT
D L
p p p p p
= =
x
p
Suponer que G pares e
-
-h
+
se generan a tiempo t=0 en x=0, pero que
G=0 para t>0. Considerar un semiconductor tipo n con un campo
elctrico aplicado constante
0
en la direccin +x. Calcular la
concentracin de portadores en exceso como funcin de x y t.
82
x
p
x
p
D
p
t
p
p p
p

+ =

0
2
2
Para los portadores
minoritarios (huecos):
( )
( )
( )
(
(

=

t D
t x
t D
e
t x p
p
p
p
t
p
4
exp
4
,
2
0
2 / 1
/

La solucin es:
sin campo elctrico
con campo elctrico
p
x
t
1
t
2
t
3
p
x
t
1
t
2
t
3
Supongamos una situacin como la de la figura, en la cual una
concentracin uniforme de huecos p se inyecta en la superficie de un
semiconductor tipo n:
83

= E
Ecuacin de Poisson:
Tiempo de relajacin dielctrico:
Hasta ahora impusimos la condicin de neutralidad de carga,
n(x,t) = p(x,t); pero cmo se establece y que tan rpido?
E j = Ley de Ohm:
t
j

=

Ecuacin de continuidad:


= = E j

t
( ) ( )

= = = +

d
t
d
e t
t
con 0 0
/
Ej.: Calcular el tiempo de relajacin dielctrico para silicio tipo n con

d
=10
16
cm
-3
. 1 1 16 19
92 . 1 10 1200 10 6 . 1

= = cm q
d n

s
d
13 14
10 39 . 5 92 . 1 10 85 . 8 7 . 11

= = =
84
p
B
p
p p
R

=
Para tipo n, en el bulk:
Estados superficiales:
En la superficie del semiconductor aparecen estados electrnicos con
niveles de energa en el gap baja el tiempo de recombinacin
s p
s
p
B
s
p p
R R
,

= =
Para generacin uniforme y
estado estacionario:
s p
s
S
p
R
,

=
En la superficie:
s B s p p
p p > >
, ( )
p p p
L x
s B B
D L
e p p p x p
p

=
=

: con
) (
/
85
( )
sup
sup
p s
dx
p d
D
p

=
Entonces, la ecuacin:
Velocidad de recombinacin superficial:
Se define a partir de
Ej: Considere un semiconductor tipo n con p
B
= 10
14
cm
-3
,
p
= 10
-6
s, y
p,s
= 10
-7
s.
Considere que no hay campo elctrico aplicado y que D
p
=10 cm
2
/s. Calcule la
velocidad de recombinacin superficial.
Por lo tanto, si s=0:
(
(

+
=

p p
L x
p
B
L s D
e L s
p x p
p
/
1 ) (
( )
p
L x
s B B
e p p p x p
/
) (

=
puede escribirse como:
B
p x p = ) (
y si s=: ( ) 0 ) 0 ( 1 ) (
/
= =

p e p x p
p
L x
B

cm D L
p p p
3 6
10 16 . 3 10 10

= = =
3
10 16 . 3 / 13 14
10 9 10 ) (


=
x
e x p
3 13 ,
10

= = cm p p
B
p
s p
s

( )
s
cm
p
dx
p d
D s
p
4
sup
sup
10 85 . 2 = =

86
p n
Juntura metalrgica
Tipo p: dopado con aceptores
Tipo n: dopado con donores
x = 0

a
difusin
de huecos
difusin de electrones
Hay un gradiente de concentraciones en la zona de la juntura
La difusin crea zonas con carga espacial
+

D
n

A
p
Aproximacin de juntura abrupta
La juntura p-n:
Formacin de la zona de carga espacial (zona de deplecin):
Formacin de la zona de carga espacial (zona de deplecin):
87
Formacin de la zona de carga espacial (zona de deplecin):
p n
Juntura p-n en equilibrio
Juntura p-n en equilibrio
Juntura p-n en equilibrio:
88
E
F
es la energa de Fermi, constante en todo el sistema
V
bi
es el potencial built-in [V]
E
Fi
es el nivel de Fermi intrnseco
Se dibuja la energa potencial de los electrones en funcin de
la posicin.
Clculo del potencial built-in
Clculo del potencial built-in
Clculo del potencial built-in:
89
( ) ( )
p
V F
n
F C G bi
E E E E E eV =
En la zona n:
( ) kT E E
C n
F C
e n

=
0
( ) kT E E
V p
V F
e p

=
0
|
|

\
|

|
|

\
|
=
0 0
ln ln
p
V
n
C
G bi
p

kT
n

kT E eV
|
|

\
|
=
0 0
ln
p n
V C
G bi
p n

kT E eV
|
|

\
|

2
ln
i
A D
bi
n

kT eV
En la zona p:
|
|

\
|

A D
V C
G bi


kT E eV ln
Campo elctrico: se crea por las zonas con cargas positivas y negativas
Campo elctrico: se crea por las zonas con cargas positivas y negativas
Campo elctrico: se crea por las zonas con cargas positivas
y negativas
90
El campo y el potencial surgen de resolver la ecuacin de
Poisson:
Campo elctrico
Campo elctrico
91
Campo elctrico:
Potencial:
(la energa
potencial para
electrones es
-e.)
92
( ) ( )
( ) ( )

=
+

=
n n
d
p p
a
x x x x
q
x E
x x x x
q
x E
0
0
0
0

( ) ( )
( )

+
|
|

\
|
=
+ =
n p
a
n
d
p p
a
x x x
q x
x x
q
x
x x x x
q
x
0
2 2
0
2
2
0
2
0
2
0

Campo y potencial:
93
Ancho de carga espacial:
Juntura con voltaje inverso:
Juntura con voltaje inverso:
94
Juntura con voltaje inverso:
V positivo al semiconductor tipo n
V
tot
= V
bi
+ V
R
Campos elctricos interno y aplicado
Campos elctricos interno y aplicado
95
Campos elctricos interno y aplicado:
p n
El campo total aumenta Waumenta
Mximo campo elctrico en la juntura metalrgica
Juntura de un lado
Juntura de un lado Juntura de un lado
Capacitancia de la juntura
96
W
A
C
0

=
Juntura de un lado:
Si por ejemplo
A
>>
D
, la
juntura es p
+
n:
En este caso, x
p
<<x
n
y Wx
n

la zona de carga espacial se

extiende hacia el lado menos
dopado.
La separacin de cargas da lugar a una capacitancia. Por
analoga con el capacitor plano:
Juntura con distribucin no-uniforme de impurezas:
Juntura con distribucin no-uniforme de impurezas:
97
Juntura con distribucin no-uniforme de impurezas:
Cerca de la juntura:
En este caso, el campo elctrico resulta una funcin cuadrtica y
el potencial una funcin cbica de la posicin.
Juntura con voltaje directo:
Juntura con voltaje directo:
98
Juntura con voltaje directo:
p n
La barrera de potencial
se reduce a e(V
bi
-V
D
)
el campo elctrico se
reduce, lo mismo que W
los electrones pueden
cruzar con mayor
facilidad hacia la zona p,
y los huecos hacia la
zona n.
la corriente elctrica
aumenta.
Juntura con distintos voltajes aplicados:
Juntura con distintos voltajes aplicados:
99
Juntura con distintos voltajes aplicados:
n n n p p p
Curva J-V a oscuras para un diodo p-n ideal:
Curva J-V a oscuras para un diodo p-n ideal:
100
Curva J-V a oscuras para un diodo p-n ideal:
( )
(
(

+ =
(
(

=
n
0 p n
p
0 n p
S
kT
eV
S
L
n eD
L
p eD
J ; 1 e J V J
J
S
: corriente de saturacin inversa
D
p
: coeficiente de difusin para huecos en la zona n
D
n
: coeficiente de difusin para electrones en la zona p
p
n0
: concentracin de huecos en equilibrio en la zona n
n
p0
: concentracin de electrones en equilibrio en la zona p
L
p
: longitud de difusin de huecos en la zona n
L
n
: longitud de difusin de electrones en la zona p
Problema 1: Calcular la corriente de saturacin inversa para una juntura p-n
de silicio a T=300 K, con los siguientes parmetros:
a
=
d
=110
16
cm
-3
,
D
n
=25 cm
2
/s, D
p
=10 cm
2
/s,
p0
=
n0
=510
-7
s.
2 11
2 0 0
/ 10 15 . 5 cm A

D
n q
L
n eD
L
p eD
J
a
n n
d
p p
i
n
p n
p
n p
S

=
(
(

+ =
(
(

+ =

Curva J-V a oscuras para un diodo ideal:

Curva J-V a oscuras para un diodo ideal:
101
Curva J-V a oscuras para un diodo ideal:
n p
( )
(
(

= 1 e J V J
kT
eV
S
102
Corrientes de electrones y huecos:
( ) ( )
p n n p
x J x J J + =
Efectos no ideales:
Efectos no ideales:
103
Efectos no ideales:
corriente de recombinacin directa
corriente de recombinacin directa
104
Corriente de recombinacin en directa:
|

\
|
=
kT
eV
J J
a
S dif
exp
Curva J-V emprica:
Curva J-V emprica:
105
( )
(
(

= 1 e J V J
kT n
eV
S
n: factor de idealidad
n 1 para voltajes directos
relativamente grandes, cuando
domina la difusin
n 2 para voltajes directos
pequeos, cuando domina la
recombinacin
Curva J-V emprica:
corriente de generacin en inversa
corriente de generacin en inversa
Corriente de generacin en inversa:
106
Problema 2: Calcular la corriente de generacin inversa para la juntura p-n del
problema 1 con V
R
+ V
bi
= 5 V, y comparar con la corriente de saturacin
inversa.
2 7
0
/ 10 74 . 2
2
cm A
W n q
J
i
gen

= =

( ) cm V V


q
W
R bi
d a
d a
4
2 / 1
0
10 14 . 1
2

=
)
`

+
|
|

\
|
+
=

2 11
/ 10 15 . 5 cm A J
S

=
Ruptura de la juntura
Ruptura de la juntura
107
Ruptura de la juntura
a) ruptura Zenner
b) ruptura por avalancha
Efecto de la resistencia serie
Efecto de la resistencia serie
108
( )
( )
(
(

=

1 e I V I
kT n
r I V e
S
s
Circuito equivalente para el
diodo semiconductor
Efecto de la resistencia serie
r
s
V V
d
s d
r I V V + =
conductancia del diodo
( )
e nkT
g r 1 I
dV
dI
g
d s
d

= =
s
d
r I
e
nkT
g
I
+ =
0.0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8
0.00
0.05
0.10
0.15
0.20
0.25
0.30
0.35
0.40

I
/
g
d


(
V
)
Corriente (A)
interseccin=nkT/e
pendiente=r
s