U. N. A. M.

F. E. S. C.


Laboratorio de: Microprocesadores Grupo: 1801 B



Profesor: Tequipaneca Escobar Omar



Alumno: Ramrez Sosa Edson Braulio



Nombre de la prctica: Memoria SRAM o Memoria de Datos



No. De prctica: 6



Fecha de realizacin: 21-09-2013 Fecha de entrega: 28-10-2013


Semestre: 2014-I




PRCTICA 6 Memoria SRAM o Memoria de datos
Tema:

3.2 Estructura de los sistemas de memoria

Objetivos:

El alumno realizar la conexin de un circuito de memoria SRAM 6116 al sistema de
microprocesador Z80
El alumno programar una GAL para generar el decodificador de direcciones para la memoria
SRAM.
El alumno crear un programa que utilice subrutinas y el almacenamiento de datos en la
memoria SRAM.

Introduccin:

El siguiente elemento en el esquema de Von Neumann es la memoria SRAM o memoria de
datos, la cual se emplea dentro del sistema mnimo para poder almacenar datos binarios que
pueden ser empleados por el procesador para realizar sus operaciones o simplemente como
almacenamiento de informacin en forma de tablas.

La figura 6.1 nos muestra este elemento.


















Figura 6.1 Memoria RAM en el esquema de Von Neuman

La memoria de datos se emplear para el almacenamiento de la informacin del usuario
(variables, tablas, caracteres, etc.) y para el establecimiento de la pila o Stack necesaria para
la ejecucin de las subrutinas que se puedan incluir en los programas en lenguaje
ensamblador.
La SRAM tiene la caracterstica de ser una memoria voltil y esttica y por lo tanto
mantiene su informacin mientras el circuito est alimentado elctricamente sin requerir de
refresco de memoria. La DRAM es voltil y dinmica, por lo tanto si requiere de refresco
de memoria peridico. Para la implementacin de este sistema emplearemos memoria
SRAM debido a que no requiere del circuito de refresco y reduce el tamao del sistema.

Para la implementacin de este elemento utilizaremos una memoria SRAM 6116 con
capacidad de 2k x 8 como la que se muestra en la figura 6.2.










Figura 6.2 Memoria SRAM 6116 de 2k x 8

Esta conexin requiere la modificacin de las funciones de Boole establecidas dentro de la
GAL para incluir la caracterstica de activacin de la memoria SRAM.

La direccin de memoria donde se localizar la SRAM debe seleccionarse por encima del
espacio ocupado por la memoria EEPROM que fue conectada a partir de la localidad
0000H y hasta la direccin 07FFH (2K x 8), la ubicacin de la memoria SRAM se
establecer en el valor 3000H, el cual, como podemos observar no es consecutivo a la
memoria EEPROM, dejando un espacio libre desde la posicin 0800H hasta la 2FFFH, esto
es una prctica comn en sistemas de microprocesadores ya que previene el espacio
suficiente para futuras ampliaciones de la memoria. En la figura 6.3 se muestra el mapa de
memoria.















Figura 6.3 Posicin de la memoria SRAM dentro de mapa de memoria.
Para realizar la prueba de funcionamiento de todo el sistema se realizar un programa que
compruebe la lectura y escritura de la memoria SRAM para almacenamiento y su
utilizacin como Stack o Pila.

El programa de prueba realizar el almacenamiento de 5 datos en la memoria SRAM a
partir de la localidad 3000H, tomados desde la instrucciones del programa y despus
retomar los valores almacenados sumndolos y almacenando el resultado en la localidad
3010H, para despus enviar el dato al puerto 04H. La posicin de la Pila se establecer en
la ltima localidad del circuito de SRAM y por lo tanto el valor del registro SP ser 37FFH.

Material:

1 Sistema mnimo con Microprocesador, Circuito de reloj, Circuito de Reset, Memoria
EEPROM y decodificador de direcciones con GAL.
1 Circuito Integrado SRAM 6116.

Equipo:

1 Fuente de C.D.
1 Osciloscopio
1 Multmetro
1 Punta lgica para prueba de tercer estado
1 Circuito de Leds de prueba

Procedimiento experimental:

1. Implemente el circuito mostrado en la figura 6.7 considerando que ya se tiene armado el
sistema mnimo de microprocesador incluyendo hasta la memoria EEPROM y solo
deber adicionarse el circuito integrado 6116 que integra la memoria SRAM.

2. Utilice la figura 6.4 para guiarse en la implementacin fsica.






Figura 6.4 Implementacin de memoria SRAM
3. Realice el siguiente programa en lenguaje ensamblador, tal y como se muestra en la
figura 6.5 y obtenga el cdigo de mquina.















Figura 6.5 Programa de prueba

4. Programe la memoria EEPROM en el programador universal con el archivo con
terminacin HEX.






5. Escriba la funcin decodificadora de direccin en un proyecto de WINCUPL tal y
como se muestra en la figura 6.6.















Figura 6.6Habilitacin de EEPROM y SRAM con la GAL


6. Programe la GAL y pruebe el sistema completo para comprobar el funcionamiento del
sistema.

7. Compruebe que el cdigo se identifica en forma correcta.



Figura 6.7 Diagrama de conexiones del sistema mnimo


Cuestionario:
1. Es posible llamar una y otra vez en forma recursiva a las subrutinas con la
estructura de la pila de este microprocesador?

Si, puede llamarse varias veces.

2. Porque se establece la direccin inicial de la pila en la direccin final de la SRAM y
no al principio.

Porque el SP funciona de forma descendente y suele utilizarse al final de la memoria
SRAM para un mejor aprovechamiento de los registros.

3. Justifique la expresin de Boole empleada para la activacin de la SRAM.

Sirven para indicar la activacin de una variable de salida

4. Explique el concepto LIFO empleado en la pila del microprocesador Z80.

La pila es una estructura en la que el ltimo elemento en entrar ser el primero en salir, es
decir, es lo que se denomina estructura LIFO (Last In First Out).

5. Como identifica el microprocesador a que memoria se est accediendo.

Lo identifica con el programa que se instal en la GAL, la SRAM se activa en la direccin
3000H, observando que la EEPROM solo es lectura y se activa con el Z80 en la terminal
RD.

Conclusiones:

Esta prctica se observ el funcionamiento de una memoria SRAM, en este armado de
circuito nos permite colocar variables en sus localidades. Adems de programar la GAL y
de esta forma decodificar las direcciones de la SRAM;


Bibliografa:

http://otrospasos.blogspot.mx/2011/10/fifo-y-lifo.html