DEPARTAMENTO DE ELCTRICA Y

ELECTRNICA
PRCTICAS DE ELECTRNICA I


PRCTICA 4
TRANSISTOR (BJ T)


Hrs. de la asignatura
6 Hrs

Responsable de la Prctica
Ing. Jos Bucheli


ESCUELA POLITCNICA DEL EJRCITO SEDE LATACUNGA


Lab. Electrnica I Ing. Jos Bucheli ESPE Latacunga
DEPARTAMENTO DE ELCTRICA Y ELECTRNICA
LABORATORIO DE ELECTRNICA I
TEMA: OPERACIN DEL TRANSISTOR (BJ T)
1. OBJETIVOS

Mediante el desarrollo de esta prctica se pretenden lograr los siguientes
objetivos:

Implementar y comprobar el funcionamiento de un transistor en la zona
activa
Calcular y comparar con los valores medidos los voltajes y corrientes de
polarizacin.
Determinar el valor de la ganancia de corriente

2.- EQUIPOS Y MATERIALES A UTILIZAR

Fuente de voltaje
Ampermetro, Voltmetro
Transistor, potencimetro, resistencias

3. CONOCIMIENTOS PREVIOS NECESARIOS

El transistor es un dispositivo semiconductor, que presenta dos modos de
funcionamiento: lineal y no lineal. El inters en las aplicaciones de conmutacin
se centra en la parte no lineal, que permite utilizar dos estado claramente
diferenciados (corte y saturacin; 1 lgico y 0 lgico).
Existen diversos tipos de transistores, entre ellos los TBJ BJT (Transistor
Bipolar de
Juntura), los TECJ JFET (Transistor de Efecto de Campo de Juntura), MOS-
FET TECMOS y otros. Los ms habituales son los TBJ y en ellos se centrar
esta referencia.
Estos transistores se modelan a travs de dos mallas: la malla de entrada y la
de salida.
La de entrada est dada por la base B y el emisor E mientras que la de salida
por el colector C y el emisor E. Resulta evidente que el E resulta comn a
ambas.
A su vez, existen dos tipos de TBJ y su diferencia radica en el sentido de
circulacin de las corrientes:


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Las ecuaciones que relacionan las distintas corrientes quedan dadas por:

Donde es la denominada ganancia de corriente y es una caracterstica de
cada transistor. En la prctica se observa que el valor de es bastante mayor a
la unidad ( 100 a 800) y se suele aproximar:

Adems, es muy variable de un transistor a otro, incluso del mismo modelo
(por ejemplo en el TBJ NPN 2N3904, su valor vara entre 100 y 300), por lo que
se vuelve necesario disear circuitos cuyo comportamiento sea poco
dependiente de su valor.
Otro aspecto importante es que entre los terminales de entrada B y E se
observa el comportamiento de un diodo, de modo que existir una diferencia de
potencial VBE que rondar los 0,7 V. Si dicha tensin cae por debajo de este
valor, la corriente IB ser prcticamente nula (dando lugar al corte del
transistor) y consecuentemente tambin lo ser IC.
Adems, existe una limitacin en la malla de salida, siendo que hay una
mnima tensin entre el C y el E. Dicha tensin (que da lugar al estado de
saturacin) se denomina tensin VCE de saturacin (VCEsat) que es del orden
de 0,3 a 0,7 V.

4.- PROCEDIMIENTO PRCTICO
4.1 Pruebe el estado del transistor: Mida las resistencias
Parmetro En polarizacin
directa
En polarizacin
inversa
RBE
RBC
RCE


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Mediante el probador de diodos
Parmetro En polarizacin
directa
En polarizacin
inversa
VBE
VBC

4.2 Implemente el circuito del literal 3.2 del trabajo previo y registre los
resultados en la tabla
Parmetro Medido Calculado Error
VB
VE
VCE
VRE
VRC
VC
IB
IC
IE
IC/IB= En base al manual =

4.3 Implemente el circuito del literal 3.3 del trabajo previo y registre los
resultados en la tabla
4.4 Implemente el circuito del literal 3.4 del trabajo previo y registre los
resultados en la tabla
4.5 Implemente el circuito del literal 3.5 del trabajo previo y registre los
resultados en la tabla
4.6 Implemente el circuito del literal 3.6 del trabajo previo y registre los
resultados en la tabla
5.- ANLISIS DE RESULTADOS
5.1 Entregar como memoria los resultados obtenidos.
5.2 Compare los valores medidos y los calculados. Explique

Los valores obtenidos en la prctica son similares a los obtenidos en los
clculos, existe un margen de error ya que el voltaje entre base y emisor que
se trabaja para los clculos es de 0.7 V mientras que en la prctica era un poco
superior. A dems los valores de los clculos son ideales, mientras que en la
prctica son valores reales.



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5.3 Indique los pasos para probar un transistor NPN y un PNP

Para un transistor NPN:
Identificar los terminales de base (B), emisor (E) y colector(C) con la ayuda del
datasheet, caso contario se lo realiza midiendo resistencia entre dos terminales
del transistor y ver si nos marca resistencia y luego con el otro terminal y el
terminal comn en las dos mediciones de resistencia es la base y con el
terminal que me marque mayor resistencia es el Emisor y con el que me
marque menos es el colector.
1. Polarizacin directa B positiva.
RBC y RBE de ben ser resistencias bajas, adems RBE debe ser
mayor que RBC
2. Polarizacin inversa B negativa.
RBC y RBE de ben ser resistencias infinitas.

3. La RCE siempre debe ser infinita.
4. Probador de diodos
El voltaje de base con respecto al emisor y al colector deben ser
alrededor de 0.7V.

Para un transistor PNP:
Identificar los terminales de base (B), emisor (E) y colector(C) con la ayuda del
datasheet, caso contario realizar el mismo procedimiento que para el NPN.
1. Polarizacin directa B negativa.
RBC y RBE de ben ser resistencias bajas, adems RBE debe ser
mayor que RBC
2. Polarizacin inversa B positiva.
RBC y RBE de ben ser resistencias infinitas.

3. La RCE siempre debe ser infinita.
4. Probador de diodos
El voltaje de emisor y de colector con respecto a la base debe ser
alrededor de 0.7V.


6.- CUESTIONARIO

Indique 2 caractersticas de cada una de las zonas de trabajo del
transistor.

Zona de corte:
Transistor abierto
Juntura BE y BC estn en polarizacin inversa
Zona de saturacin:
Transistor cerrado
Juntura BE y BC estn en polarizacin directa
Zona activa:
El transistor no est ni abierto ni cerrado


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Juntura BE en polarizacin directa y juntura BC estn en polarizacin
inversa.
Zona de ruptura:
El voltaje V
CC
no debe superar el V
CEO
porque el transistor se quema.
El voltaje V
CES
no debe ser superado cuando se conecta la base con el
emisor.
Zona inversa:
La tensin colector emisor tiene un valor alrededor de 10V.
Un voltaje superior al que soporta en la zona inversa destruir al
transistor.

7.- COMENTARIOS Y CONCLUSIONES

El error se produce por la variacin que existe entre el beta utilizado
para los clculos y el que el fabricante da como informacin.
Al aumentar la corriente de base, la corriente del colector aumenta hasta
que el transistor se sature, despus de ello si la corriente de base
aumenta esta no influye en la corriente de colector, mientras que el beta
va disminuyendo.

8- RECOMENDACIONES
Comprobar que el transistor este en buen estado antes de comenzar la
prctica.


9.- BIBLIOGRAFA