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The Tzaro
Fsica del Estado Slido y Fsica de Semiconductores: lo que hay que saber
Posted in Divulgacin by thetuzaro on 20 febrero 2012
Llevo ya una temporadita leyendo, tanto en blogs de divulgacin cientfica y escepticismo como en noticias
relacionadas con los recortes que ha sufrido la financiacin de la Ciencia en Espaa, que los que nos dedicamos
a la investigacin vivimos en una torre de marfil y que es esencial que nos comuniquemos con el pblico. As, la
sociedad entender y valorar nuestro trabajo y podremos convencerla de que no est tirando el dinero
pagando por investigacin cientfica y tecnolgica (y as pagar con ms alegra, se entiende).
Como podris imaginar, estas llamadas a la divulgacin han llegado a mi corazoncito y, con toda la modestia
del mundo, voy a intentar participar. Con este artculo comienzo una serie en la que voy a tratar de explicar,
con un lenguaje lo ms sencillo posible, para todos los pblicos, sin casi ecuaciones, y con muchos dibujitos,
cul es mi trabajo: a qu me dedico ahora y a qu proyectos me he dedicado en el pasado. La cosa debera dar
para tres o cuatro artculos, porque, en principio, no quisiera entrar en demasiado detalle, sino ms bien dar
una visin general de mi campo, aunque todo se ver segn vayan pasando los das.
Para que se entienda todo esto que quiero escribrir, sin embargo, es necesario que primero os ensee los
principios bsicos de Fsica del Estado Slido y Fsica de Semiconductores en los que se basa mi trabajo, y a los
que luego voy a hacer referencia todo el rato. De eso trata el artculo de hoy. Que nadie se asuste porque,
insisto, est escrito para todos los pblicos y asumiendo que no tenis conocimientos previos del tema. Por otra
parte, espero que los entendidos sepis perdonar los gambazos que pueda meter intentando simplificar el
asunto.
Empezando por lo ms sencillo: el tomo.
Como todos sabris, la materia, absolutamente todo lo que nos rodea, est hecho a base de unos ladrillos
fundamentales que son los tomos. Estos constituyentes fundamentales estn a su vez compuestos por un
ncleo, que tiene carga positiva, y que concentra casi toda la masa del tomo, y uno o ms electrones, que
tienen carga negativa y muy poquita masa, y que se encuentran dando vueltas, formando una nube alrededor
del ncelo, a una cierta distancia. El ncleo, a su vez, est formado por protones, con carga positiva,
y neutrones, que no tienen carga elctrica, y que sirven para que el ncleo no se desintegre (ya sabis, las cargas
iguales se repelen, y el ncleo est lleno de cargas positivas). Si miramos dentro de estas partculas, podemos
ver que estn compuestas de otras ms fundamentales, pero eso ya est fuera de mi campo, y no me voy a
meter en camisas de once varas.

Figura 1. Esquema de niveles de energa de un tomo imaginario.
Es el nmero de electrones lo que le da sus propiedades al tomo a la hora de combinarse con otros y formar
slidos, que es lo que nos ocupa. Para mantener la neutralidad de carga elctrica del tomo (es decir, para que
la carga elctrica total del tomo en su conjunto sea cero), tiene que haber tantos protones como electrones. Es
relativamente fcil, sin embargo, quitar o aadir electones a un tomo, de modo que acabe teniendo ms
electrones que protones, o al revs: en ese caso se dice que el tomo est ionizado o se le llama in. Como el
nmero de protones no se puede cambiar tan fcilmente, se utiliza para etiquetar al tomo y darle un nombre.
As, si un tomo tiene un protn en el ncleo decimos que es un tomo de hidrgeno, y si tiene 14 protones,
decimos que es un tomo de silicio
Desde que se empez a desarrolar la fsica cuntica, a principios del siglo XX, sabemos que la energa total de
los electrones no puede tener cualquier valor, sino slo unos pocos determinados. A estos valores se les suele
llamar niveles de energa discretos, por oposicin a contnuos. En la Figura 1 he dibujado un esquemita de
niveles de energa de un tomo imaginario. Los electrones (que son las bolitas verdes con un signo menos de la
figura) slo pueden tener los valores de energa indicados con lneas en la escala, pero no los valores
intermedios.
A la temperatura del cero absoluto (que es la temperatura ms baja posible y es igual a ms o menos -273 C, es
decir, muy fro), los electrones que formen parte del tomo siempre se distriburin en los niveles ms bajos
disponibles, sin dejar huecos libres. Sin embargo, para temperaturas mayores, hay electrones excitados que
tienen una energa algo ms alta de lo que uno se esperara, aunque siempre una energa de las permitidas,
claro. Para que un electrn cambie de energa, tiene que dar o recibir justo (y de un golpe) la energa que le
separa de su nivel actual al nivel al que queremos que llegue. Esta energa puede darse o recibirse de diversas
maneras: en forma de luz, de energa trmica, de energa elctrica
Muchos tomos juntos: el slido
Todo esto es vlido para electrones aislados, pero, qu pasa cuando ponemos muchos tomos juntos para que
formen un slido? Para estudiar los slidos, se suelen considerar por un lado los ncelos de los tomos junto
con los electrones de menos energa que estn muy fuertemente ligados al ncelo, y por otro lado los electrones
menos ligados, los que estn en las capas ms lejanas al ncelo, a los que se llama de valencia y son los
encargados de formar los enlaces qumicos que mantienen los slidos nidos y formando una sola pieza. Segn
vamos acercando los tomos de nuestro slido entre s para formar un cristal (es decir, un arreglo de atmos
ordenados de una determinada manera), los niveles de energa de los electrones de valencia comienzan a
desplazarse y a agruparse, formando bandas de energa. Dichas bandas estn, en realidad, compuestas por
muchos niveles energticos muy juntitos. De nuevo, los electrones pueden tener cualquier energa dentro de
una banda, pero no puede tener los valores de energa que hay entre banda y banda. A esta bandas de energa
prohibida, en ingls se les llama band gap, algo as como el hueco entre las bandas, y de hecho, en espaol se
suele utilizar la palabra gap tambin.

Figura 2. Diagrama que muestra cmo los nveles energticos para los electrones de tomos aislados se
combinan formando bandas de energa para los electrones en un slido.
De una manera parecida a lo que pasaba con los electrones aislados, a 0 K (que se lee ceroKelvin, y es la
temperatura ms baja posible de la que hablaba antes) los electrones del slidos van ocupando los niveles ms
bajos (recuerda que las bandas, al fin y al cabo, estan compuestas por niveles muy juntos) sin dejar ninguno
libre. Si subimos la temperatura un poco, los electrones ms energticos (los de la superficie de esta especie de
mar de electrones) pueden ganar energa y ocupar niveles algo ms altos dentro de su banda, si es que hay
alguno libre.
En la Figura 2, he representado cmo los niveles electrnicos de los tomos aislados se convierten en bandas de
energa cuando los tomos forman un slido. Tenemos una banda de poca energa (que se suele llamar banda
de valencia) que est llena de electrones (y por eso la he pintado de color verde) y una banda de ms energa,
que en este caso est vaca de electrones (y por eso la he pintado de color gris). A esta banda inmediatamente
superior a la de valencia se le suele llamar banda de conduccin.
Conductores, semiconductores aislantes
Ahora viene una distincin importante. Hasta ahora hemos hablado de materiales que tienen unas bandas de
energas permitidas para los electrones, y que estas bandas estn separadas por bandas de energa prohibida
(es decir, los electrones no pueden tener esas energas). Tambin hemos dicho que los electrones se distribuyen
por estas bandas del mismo modo que el agua en el mar: de abajo a arriba sin dejar huecos.
El caso es que, segn cunta energa tengan los electrones que ms energa tengan (es decir, los de la superficie
de ese mar), en relacin con la estructura de las bandas, podemos diferenciar a los materiales en tres tipos
generales:conductores, semiconductores y aislantes. En los conductores, la banda de ms energa en la que hay
electrones est slo parcialmente ocupada, de modo que, como dije ms arriba, los electrones ms energticos
tienen niveles de energa disponibles para poder fcilmente ganar an ms energa (simplemente por estar el
cristal a una temperatura mayor que 0 K) y moverse por el cristal y transportar su carga: conducir electricidad,
vaya. En los semiconductores, la banda ocupada con mayor energa est llena hasta arriba, de modo que los
electrones no lo tienen tan fcil para ganar un poquito de energa y moverse por el cristal. Sin embargo, la
siguiente banda de energa no est muy lejos energticamente hablando (la energa de banda prohibida es muy
estrechita) y en el fondo no es tan difcil que puedan saltar a la siguiente banda y moverse por ah, con lo que el
material conducira la electricidad. Por ltimo, en los materiales aislantes, la banda de valencia, y la banda de
conduccin estn tan separadas que los electrones no pueden salvar la energa prohibida que las separa, y no
pueden conseguir energa para moverse por el cristal: estos materiales no conducen la electricidad.

Figura 3. Diagrama de bandas de energa para materiales conductores, semiconductores y aislantes.
En la Figura 3 he representado estos tres casos. Para los semiconductores y aislantes veris que hay un
numerito al lado de la banda de energa prohibida. Este nmerito representa la anchura de la banda de energa
prohibida en electronvoltios. Los electronvoltios (eV) son una unidad de energa que utilizamos porque as los
nmeros que manejamos son eso, manejables, como podis ver: 1, 3, 4 cosas as. Se suele considerar
semiconductor a los materiales cuya banda de energa prohibida est entre 0 y unos 4 eV. Materiales conband
gap mayor se suelen considerar aislantes. (Ah, y el simbolito que sale antes del nmero y que es como lo de
encima de la letra siginfica similar a).
Semiconductores intrnsecos
La mayora de las cosas que hecho en mi vida de investigador han estado relacionadas con los
semiconductores, y por eso voy a decir un par de cosas ms sobre ellos, que sern necesarias para lo que
explicar en futuros artculos.
A los semiconductores que, para poder conducir la electricidad, dependen de que los electrones de la banda de
valencia puedan llegar a la banda de conduccin se les suele llamar intrnsecos. En la Figura 4 (izquierda)
podis ver que, una vez que los electrones alcanzan la banda de conduccin, dejan un hueco libre en la banda
de valencia. Una situacin como la de la figura, en vez de describirla como en la banda de valencia estn todos
los electrones menos dos, la describimos como hay dos huecos en la banda de valencia. De hecho, a todos los
efectos prcticos, los huecos se consideran partculas reales, tal y como los electrones, pero con carga positiva.

Figura 4. Reaccin de electrones y huecos al aplicar un campo elctrico en un material semiconductor.
Si aplicamos un campo elctrico al material, nos encontramos con una situacin como la de la parte derecha de
la Figura 4: las bandas se inclinan, tanto ms cuanto ms intenso sea el campo elctrico que se aplica. Ante este
campo elctrico, cmo reaccionan electrones y huecos? Pues de una forma que se entiende muy bien
utilizando una analoga muy intuitiva. Los electrones se comportan como unas canicas en una cuesta, y ruedan
cuesta abajo. Los huecos reaccionan como las burbujas de un refresco (o de una cerveza, s, tambin) y van
subiendo hacia arriba en el diagrama.
Sin embargo, este sistema para que los semiconductores consigan portadores de carga (es decir, electrones y
huecos) que se pueden mover por el material y as conducir la electricidad, no es muy conveniente desde el
punto de vista prctico. Para empezar, la temperatura necesaria para que haya suficientes electrones que salten
de la banda de valencia a la banda de conduccin es muy alta (mayor que la temperatura ambiente), y adems,
la cantidad de electrones que tengamos ah arriba, en la banda de conduccin (y huecos ah abajo, en la de
valencia), depende fuertemente de la temperatura, con lo que no tenemos mucho control. Para superar este
problema se hace un truco bastante ingenioso. Como ejemplo, lo explicar con el semiconductor por
excelencia: el silicio.
Semiconductores tipo n y tipo p (estos son los extrnsecos, claro)
Los tomos de silicio (smbolo qumico Si) tienen cuatro electrones de valencia, que son los electrones que
utiliza el tomo para formar enlaces y juntarse con otros tomos para formar materiales. En un cristal de Si,
cada tomo comparte uno de esos cuatro electrones de valencia con un tomo de Si vecino. As, cada
tomo tiene ocho electrones que es algo muy estable y que a los tomos les gusta mucho.

Figura 5. Descripcin de un semiconductor tipo n.
Ahora viene el truco. Imaginemos (con ayuda de la Figura 5) que sustitumos unos pocos tomos de Si de
nuestro cristal por tomos, por ejemplo, de antimonio (smbolo qumico Sb) que tiene cinco electrones de
valencia. Igual que antes, el tomo de Sb comparte cuatro de sus cinco electrones de valencia con los cuatro
tomos de Si que lo rodean. Qu pasa? Pues que al tomo de Sb le sobra un electrn, y ese electrn tiene cierta
libertad para moverse por el cristal, siempre y cuando le demos suficiente energa como para que se separe del
tomo de Sb. Esto, explicado con un diagrama de bandas como los que he puesto ms arriba, significa que, una
vez que tenemos nuestras impurezas en el cristal, los electrones sobrantes se sitan, energticamente
hablando, en niveles localizados que estn dentro de la banda prohibida, pero muy cerquita de la banda de
conduccin, as que con muy poquita energa (la que tienen por estar el slido a temperatura ambiente, por
ejemplo), pueden saltar a la banda de conduccin y bueno, ya sabis, moverse por ah. De este modo, dopando
el Si con Sb (es decir, introduciendo en el cristal de Si impurezas de Sb) conseguimos un material rico en
electrones que son libres de moverse bajo la influencia de un campo elctrico. A semiconductores dopados de
esta manera, se les llama tipo n.
Si os acordis, ms arriba hablamos del concepto de hueco. Bsicamente consiste en quitar un electrn de la
banda de valencia del semiconductor, de modo que los electrones son libres de moverse. Pero a todos los
efectos, lo que tenemos es una carga positiva (el hueco dejado por el electrn que se fue a la banda de
conduccin) que se mueve en direccin contraria a los electrones. Pues bueno, tambin hay otro truco para
dopar los semiconductores para que la conduccin de la electricidad, en lugar de ser por electrones, como en
los semiconductores tipo n, sea por huecos.

Figura 6. Descripcin de un semiconductor tipo p.
Lo que se hace es algo muy parecido al caso anterior (ver Figura 6): sustituir algunos tomos de Si por otros de
otro elemento, esta vez por uno con tres electones de valencia, como el boro (smbolo B). El tomo de la
impuerza comparte sus tres electrones de valencia con tres de sus tomos de Si vecinos, pero no tiene nada que
ofrecer al cuarto en discordia. En este brazo del tomo de B, queda un hueco que puede ser llenado por un
electrn del tomo de Si vecino (veis?, ya salen los huecos a relucir) siempre y cuando a dicho electrn se le
comunique suficiente energa como para abandonar su tomo original. As, el hueco puede ir saltando de
tomo en tomo, y transportar su carga (rigurosamente, su falta de carga negativa, que es como si fuera una
carga positiva en el material neutro).
En un diagrama de bandas como el que ense antes, la cosa se ve as (parte derecha de la Figura 6): los
tomos de impureza introducen unos niveles energticos que estn vacos, y que estn localizados en la banda
de energa prohibida, un poco por encima del borde de la banda de valencia. Es fcil, para los electrones en la
banda de valencia, adquirir suficiente energa (por estar el material a temperatura ambiente, de nuevo), llenar
esos niveles, y dejar un hueco atrs, que es el que se encarga de conducir la electricidad.