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Captulo 3

Transdutores de Ultra-Som:
Modelagem, Construo e
Caracterizao


Eduardo Tavares Costa
a

Vera Lcia da Silveira Nantes Button
a

Ricardo Grossi Dantas
a

Hayram Nicacio
a

Jorge Andr Giro Albuquerque
a

Joaquim Miguel Maia
b

Ricardo Tokio Higuti
c


a
Centro de Engenharia Biomdica
Departamento de Engenharia Biomdica
Faculdade de Engenharia Eltrica e de Computao
Universidade Estadual de Campinas Unicamp
educosta@ceb.unicamp.br, vera@ceb.unicamp.br

b
Departamento Acadmico de Eletrnica
Centro Federal de Educao Tecnolgica do Paran - CEFET-PR


c
Laboratrio de Ultra-som
Departamento de Engenharia Eltrica
Faculdade de Engenharia de Ilha Solteira - Unesp
tokio@dee.feis.unesp.br

2
Contedo

3.1. INTRODUO...................................................................................................... 4
3.2. ONDAS ACSTICAS .......................................................................................... 5
3.2.1. Movimento Harmnico Simples................................................................... 5
3.2.2. Ondas Transversais........................................................................................ 8
3.2.3. Ondas Longitudinais...................................................................................... 9
3.2.4. Velocidade, atenuao e impedncia acstica ........................................... 10
3.3. O CAMPO ACSTICO...................................................................................... 12
3.3.1. Integral de Superfcie de Rayleigh.............................................................. 14
3.3.2. A Soluo de Zemanek................................................................................ 16
3.3.2.1. Simulao e visualizao do campo acstico de transdutores ultra-
snicos ................................................................................................................... 20
3.3.3. A Soluo de Tupholme .............................................................................. 21
3.3.4. A Soluo de Stepanishen........................................................................... 23
3.3.4.1. Simulao e visualizao do campo acstico de transdutores ultra-
snicos ................................................................................................................... 27
3.3.5. O Espectro de Diretividade ......................................................................... 31
3.3.5.1. Mtodo usando o Espectro de Diretividade........................................... 33
3.3.5.2. O Mtodo.................................................................................................. 36
3.3.5.3. Hidrofone de Larga rea Ativa .............................................................. 41
3.3.5.4. Mapeamento Angular .............................................................................. 42
3.3.6. Retropropagao de Pulsos Mapeados pelo Espectro de Diretividade..... 44
3.4. CONSTRUO DE TRANSDUTORES DE ULTRA-SOM COM
CERMICAS PIEZOELTRICAS ........................................................................................ 46
3.5. TRANSDUTORES PIEZOCOMPSITOS....................................................... 67
3.5.1. Materiais Piezocompsitos.......................................................................... 67
3.5.2. Nomenclatura............................................................................................... 68
3.5.3. Mtodos de fabricao................................................................................. 69
3.5.4. Modelagem e Projeto................................................................................... 70
3.5.5. Procedimento de Projeto.............................................................................. 72
3
3.6. MAPEAMENTO DE CAMPO ACSTICO DE TRANSDUTORES
PIEZOELTRICOS.................................................................................................................. 76
3.6.1. Hidrofones Pontuais..................................................................................... 76
3.6.2. Tanque de Ensaios Acsticos...................................................................... 77
3.6.3. Posicionamento Tridimensional.................................................................. 79
3.6.4. O Programa de Controle.............................................................................. 81
3.6.5. Mapeamento Pontual de Campo Acstico ................................................. 81
3.6.6. Mapeamento Angular de Campo Acstico ................................................ 82
3.7. PRINCPIO DE FUNCIONAMENTO DOS EQUIPAMENTOS DE ULTRA-
SOM ............................................................................................................................... 84
3.7.1. Equipamentos Funcionando no Modo Amplitude (A-mode).................... 86
3.7.2. Equipamentos Funcionando no Modo Brilho (B-Mode) .......................... 88
Aplicaes do modo B.............................................................................................. 93
3.8. REFERNCIAS................................................................................................... 93

4

3.1. INTRODUO
Ultra-som (US) pode ser definido como ondas acsticas imperceptveis ao ouvido
humano, ou seja, aquelas cujas freqncias so superiores a 20kHz. So vibraes
mecnicas que se propagam em um determinado meio (ar, gua, sangue, tecido biolgico,
materiais slidos etc.), sendo que cada material apresenta propriedades acsticas
caractersticas como impedncia, velocidade de propagao e atenuao, por exemplo.
O transdutor o corao de todas as tcnicas baseadas em US. A maioria dos
transdutores encontrados nos equipamentos comerciais de US baseada em cermicas
piezoeltricas, sendo elementos singulares (geralmente na forma de discos) ou matrizes
com os elementos cermicos consecutivos diminutos (array transducers). A caracterizao
destes transdutores importante e o levantamento do campo acstico por eles gerado
essencial para o melhor entendimento da informao gerada pela interao do US com os
diversos meios e tecidos (no caso de imagens mdicas ou nos ensaios no-destrutivos) [1].
Para entender o ultra-som como ferramenta de trabalho em muitos campos de
atuao, neste captulo se far uma reviso sobre ondas acsticas, sua propagao e
interao com os diversos meios, como so geradas e detectadas, e como podemos construir
e caracterizar os transdutores que as produzem e detectam. Iniciaremos com uma reviso
sobre movimento harmnico simples e descreveremos as ondas acsticas e suas interaes.
Mostraremos como construir um transdutor piezoeltrico de US, a instrumentao
necessria para a excitao e deteco de ondas acsticas na faixa de ultra-som de 1-
10MHz, as solues da Equao de onda e os mtodos para previso do campo acstico
gerado pelos transdutores piezoeltricos, a gerao e mapeamento do campo acstico de
transdutores.






5
3.2. ONDAS ACSTICAS
Lista de Smbolos:
Seo 3.2
m massa
. constante elstica
F fora
u amplitude do deslocamento da partcula
a acelerao da partcula
f = 1/ freqncia de oscilao = 1/perodo de oscilao
=2f freqncia angular
v, a velocidade e acelerao da partcula
E
k
, E
p
Energia cintica, Energia potencial

comprimento de onda
c velocidade de propagao da onda
c Z =
impedncia acstica

densidade do material

i
,
r
.,
t
. ngulos de incidncia, reflexo e transmisso
p
i,
p
r,
p
t
presses de incidncia, refletida e transmitida
R coeficiente de reflexo

coeficiente de atenuao


3.2.1. Movimento Harmnico Simples

Uma das formas mais simples de oscilao, seja ela mecnica ou no, o
movimento harmnico simples. Um sistema massa-mola pode ser utilizado para melhor
compreenso do movimento harmnico simples, e sua Equao de onda anloga s
oscilaes acsticas (harmnicas). Considere o sistema massa-mola representado na Figura
3.1, o qual pode ser considerado uma aproximao para o modelo de pisto fixado a um
anteparo rgido, que normalmente utilizado para representar um transdutor de ultra-som.
Neste sistema, uma partcula de massa m apoiada sobre uma superfcie sem atrito, e
fixada a uma mola de massa desprezvel e constante elstica . Ao deslocar a partcula da
sua posio de equilbrio, uma fora F atuar na partcula, sendo que esta fora definida
pela lei de Hooke mostrada na Equao 3.1, sendo u a amplitude do deslocamento da
partcula:
/ F u = (3.1)
6
Esta fora F conhecida como fora de recuperao, pois age no sentido contrrio
ao deslocamento, atuando na tentativa de reposicionar a partcula no ponto de equilbrio. A
magnitude desta fora diretamente proporcional amplitude do deslocamento da
partcula. Esta relao diretamente proporcional que distingue o movimento harmnico
simples se comparado a outras oscilaes mais complexas [2].
Aplicando a segunda lei de Newton Equao 3.1, tem-se a relao da Equao 3.2,
onde a a acelerao da partcula no tempo t.
2
2
/
d u
u ma m
dt
= = (3.2)

Figura 3.1. Sistema Massa-Mola em Movimento Harmnico Simples

A Equao 3.2 pode ser reescrita na forma mostrada na Equao 3.3.
2
2
1
0
d u
u
dt m
+ = (3.3)
A dimenso de 1/m [T
-2
]. A partcula completa um ciclo de oscilao em um
perodo , que tem dimenso [T]; a freqncia f dada por f = 1/ de modo que 1/m tem a
mesma dimenso de f
2
. Assim, a Equao 3.3 pode ser escrita como a Equao 3.4, onde
(bf)
2
= 1/m, sendo b uma constante [2].
2
2
2
( ) 0
d u
bf u
dt
+ = (3.4)
7
H duas solues possveis para a Equao 3.4:
cos( ) cos( ) u A bft A t = = (3.5)
sen( ) sen( ) u B bft B t = = (3.6)
Estas solues satisfazem a Equao 3.4 porque da Equao 3.5 tem-se que
2
2
2
cos( )
d u
A t
dt
= e da Equao 3.6 tem-se que
2
2
2
sen( )
d u
B t
dt
= , onde A e B so
constantes de mesma dimenso de u, e = bf = 2f, onde define a freqncia angular do
sistema. Portanto, a soluo geral para a Equao 3.4 dada pela superposio das
equaes 3.5 e 3.6 mostrada na Equao 3.7.
cos( ) sen( ) u A t B t = + (3.7)
Considerando as constantes A = u
0
sen e B = u
0
cos, onde u
0
= (A
2
+ B
2
)
1/2
, e
tambm constante, a Equao 3.7 pode ser escrita da forma simplificada na Equao 3.8.
0 0
0
sen cos cos sen
sen( )
u u t u t
u t


=
=
(3.8)
A velocidade e a acelerao da partcula podem ser obtidas por primeira e segunda
derivadas da Equao 3.8, respectivamente.
0
2
0
cos( )
sen( )
du
v u t
dt
dv
a u t
dt


= =
= =
(3.9)
Considerando que a energia armazenada no sistema permanece constante, por no
haver, neste caso, perdas por atrito ou outra forma de dissipao, a energia potencial
armazenada dada pela Equao 3.10 e a energia cintica pela Equao 3.11.
2
0
/ 2
u
p
u
E du u

= =
}
(3.10)
2
/ 2
k
E mv = (3.11)
A energia total armazenada pode ser obtida pela Equao 3.12.
2 2
2 2
0 0
/ 2 / 2
ou
/ 2 ( ) / 2
p k
E E E u mv
E u m u


= + = +
= =
(3.12)

8
Dependendo da direo da propagao em relao vibrao das partculas, as
principais formas de oscilaes acsticas podem ser caracterizadas como transversais ou
longitudinais.

3.2.2. Ondas Transversais

A propagao de uma onda acstica, molcula a molcula, ocorre de forma anloga
ao do sistema massa-mola apresentado na seo anterior. Para facilitar o entendimento da
propagao de ondas transversais, ser utilizado o sistema mais conhecido deste tipo de
propagao, que a vibrao de uma corda.
Considere uma corda comprida e fina fixada em uma das extremidades. A outra
extremidade acoplada a um oscilador, de modo que esta extremidade se mova em
movimento harmnico simples ao longo de uma linha perpendicular ao eixo z mostrado na
Figura 3.2. As vibraes se propagam ao longo da corda, e desta forma, a energia
transmitida pela corda a uma velocidade finita. A onda que se propaga em uma corda uma
onda transversal, porque as partculas (cada elemento da corda) oscilam em uma direo
normal direo de propagao da onda.

Figura 3.2. Onda transversal em uma corda: (a) Distribuio espacial no instante t; (b) Distribuio
temporal na posio z.

A Figura 3.2(a) representa a variao do deslocamento no espao em um
determinado instante de tempo t. O comprimento de onda corresponde menor distncia
no eixo z entre duas partculas cujas amplitudes de deslocamento sejam idnticas. E a
9
Figura 3.2 (b) representa a variao no tempo em uma determinada posio z do espao (no
caso unidimensional). O perodo corresponde ao tempo necessrio para a onda percorrer
uma distncia , ou seja, a onda completa um ciclo de oscilao, sendo a freqncia f = 1/.
A velocidade c de propagao da onda igual distncia percorrida em uma
unidade de tempo, ou seja, c = f. = /.

3.2.3. Ondas Longitudinais
Outro modo de propagao de ondas ocorre nas ondas longitudinais, no qual as
partculas do meio oscilam na mesma direo em que a onda se propaga. Neste contexto,
uma partcula um elemento de volume grande o suficiente para conter milhes de
molculas, de modo que seja contnuo em relao sua periferia, e pequeno o bastante para
que grandezas como os deslocamentos de amplitude sejam constantes nesta partcula.
A oscilao das partculas determina variaes peridicas na presso no meio na
medida em que as partculas interagem entre si, como ilustrado na Figura 3.3.

Figura 3.3. Onda longitudinal em um meio extenso: (a) distribuio espacial da amplitude de
deslocamento e do espaamento entre partculas no instante t; (b) distribuio temporal da amplitude de
deslocamento na posio z.

10
3.2.4. Velocidade, atenuao e impedncia acstica
De forma semelhante aos efeitos que ocorrem com radiaes eletromagnticas, as
ondas sonoras sofrem reflexo, refrao e absoro causadas pelo meio onde se propagam.
A velocidade de propagao de uma onda sonora em um determinado meio funo de seu
comprimento de onda:
f c = (3.13)
onde:
c a velocidade do som no meio (m/s);
o comprimento de onda (m);
f a freqncia sonora (Hz).

Outro parmetro que caracteriza um determinado material sua impedncia acstica,
definida por:
c Z = (3.14)

onde:
Z a impedncia acstica (kgm/ls ou 10
-3
kg/m
2
s);
a densidade do material (g/ml);
c a velocidade do som no meio (m/s).

Estes dois parmetros (velocidade de propagao e impedncia acstica) so
importantes no estudo do comportamento de uma onda sonora na interface entre dois meios
compostos por materiais distintos. A Figura 3.4 ilustra uma onda, que se propaga no meio
1, atingindo o meio 2, resultando numa parcela refletida e outra transmitida, ambas
sofrendo desvio de direo [2-4].
11

Figura 3.4 Comportamento de uma onda acstica na interface de dois meios distintos.

Pode ser observado que, para uma interface plana, o ngulo de reflexo igual ao
de incidncia:
i
=
r
. J o ngulo de transmisso relaciona-se com o de incidncia em
funo das velocidades de propagao dos meios 1 e 2 (c
1
e c
2
) pela seguinte frmula:

2
1
sen
sen
c
c
t
i
=

(3.15)

A parcela da presso da onda incidente (p
i
) que refletida (p
r
) dada pelo
coeficiente R, segundo a seguinte relao:

t i
t i
r
i
Z Z
Z Z
p
p
R


cos cos
cos cos
1 2
1 2
+

= =
(3.16)

ou para incidncia normal em relao interface (
i
=
r
=
t
= 0):

1 2
1 2
Z Z
Z Z
p
p
R
r
i
+

= = (3.17)

A atenuao outro parmetro importante, pois trata do decaimento exponencial da
amplitude de uma onda acstica que se propaga atravs de um material. Vrios fatores
contribuem para a atenuao das ondas acsticas, podendo-se citar:
Divergncia do feixe em relao ao eixo central (o que provoca uma diminuio da
energia por unidade de rea);
12
Espalhamento devido no homogeneidade do meio (uma parcela da energia se desvia da
direo de propagao inicial);
Converso em outros modos de vibrao resultando no compartilhamento da energia com
duas ou mais ondas propagando-se com velocidades e sentidos diferentes;
Absoro pelo meio, onde parte da energia convertida em calor, principalmente devido
s foras de atrito que agem em oposio ao movimento das partculas;

O coeficiente de atenuao dado por:

b
af = (3.18)
onde:
o coeficiente de atenuao (dB/cm);
f a freqncia (MHz);
a o coeficiente de atenuao para 1MHz;
b o parmetro correspondente dependncia de atenuao com a freqncia.
3.3. O CAMPO ACSTICO
Lista de Smbolos:
Seo 3.3
a raio do transdutor

ngulo de divergncia do feixe na regio de campo distante
z = a
2
/ limite entre campo prximo e campo distante
( ) t , r


potencial velocidade
( ) t r v
n
,
0


velocidade na face de um pisto plano
) , ( t r p

presso
r


posio no campo acstico
S superfcie do pisto plano
R distncia de um elemento do pisto dS at um ponto de observao no
espao r


k = / c nmero de onda, constante de propagao
D() fator de diretividade
J
1
(.) funo de Bessel de primeira ordem
D(k) espectro de diretividade
( , )
D
f k L


fator de deslocamento
L distncia percorrida pela onda
P(x,z) projeo da distribuio espacial de um pulso ultra-snico ( , , , ) p x y z t no
instante de tempo t=0 e no plano (x,z)
13

A descrio do campo acstico produzido por um transdutor pode ser feita
considerando-o geralmente dividido em duas regies ao longo do eixo de propagao da onda.
Uma fica limitada s vizinhanas do transdutor, denominada regio de campo prximo
("nearfield region") ou regio de difrao de Fresnel. A outra conhecida como regio de
campo distante ("farfield region") ou regio de Fraunhofer. A regio de campo prximo
caracteriza-se pela ocorrncia de superposio entre as ondas de borda (geradas na periferia do
transdutor) e as ondas diretas (geradas a partir de toda a face do transdutor). Como estas ondas
podem ter amplitude e fase diferentes h interferncia construtiva e destrutiva provocando
mximos e mnimos na intensidade do campo acstico. Nesta regio h pouca divergncia do
feixe ultra-snico. Na regio de campo distante, a diferena de fase entre as ondas de borda e a
direta no so to evidentes e a interferncia construtiva de maneira a formar uma frente de
onda quase plana que atenua medida que se propaga no meio, distanciando-se da fonte.
Nesta regio o campo tende a ser divergente [5, 6]. A Figura 3.5 mostra a propagao de uma
onda acstica gerada por um transdutor, onde pode ser observado que, medida que a mesma
se distancia da fonte, as ondas de borda tendem a se propagar em fase com a onda direta.

t = 1s t = 10 s t = 35 s
Figura 3.5 Propagao de ondas acsticas geradas a partir de um transdutor circular, mostrando a
interao entre as ondas de borda (geradas na periferia do mesmo) e a onda direta. medida que o tempo
passa (aumenta a distncia da fonte geradora) as ondas de borda tendem a se propagar em fase com a onda
direta.
A Figura 3.6 mostra de maneira esquemtica a separao entre as regies de campo
prximo e de campo distante ao longo do eixo axial de um transdutor circular de raio a, onde o
ngulo de divergncia do feixe na regio de campo distante dado aproximadamente por: =
sin
-1
(0,61 /a). A maioria dos autores considera o ponto de separao entre as duas regies
14
(ltimo mximo na intensidade da presso) como ocorrendo a uma distncia axial z = a
2
/,
porm Zemanek [7] mostrou que esta transio ocorre a uma distncia menor (z = 0,75a
2
/).

Figura 3.6 - (a) Seo longitudinal atravs do feixe ultra-snico gerado por um transdutor circular de
raio a. (b) Variao da intensidade de presso ao longo do eixo axial do transdutor.

Para se entender a descrio dos campos acsticos como mostrado nas Figuras 3.5 e
3.6, descreve-se a seguir como possvel visualizar-se o campo ultra-snico a partir da
integral de Rayleigh e as solues desta integral propostas por Zemaneck (para onda
contnua), por Tupholme e por Stepanishen (para campos pulsados ou contnuos). H ainda
uma segunda abordagem, que a do mtodo do espectro de diretividade, que permite no
s a simulao e visualizao de campos contnuos ou pulsados, como tambm uma forma
diferenciada (simulada e experimental) de mapeamento do campo acstico de transdutores
usando hidrofones de larga rea ativa (LAH large aperture hydrophone).

3.3.1. Integral de Superfcie de Rayleigh
Uma das primeiras investigaes sobre a perturbao acstica causada pelo
movimento de um pisto acoplado a um anteparo rgido, em meio fluido, de extenso
semi-infinita, foi conduzida por Rayleigh no sculo XIX. Seus estudos aplicavam-se a
oscilaes harmnicas de um pisto de forma arbitrria. Aps Rayleigh, muitos autores se
dedicaram ao estudo do problema do pisto rgido, sendo que a maior parte da literatura
15
sobre o assunto dedicada a pistes circulares cujas pequenas oscilaes so harmnicas
[8].
A integral de Rayleigh, mostrada na Equao 3.19, define o potencial velocidade
como uma funo do tempo e do espao, e conhecida no domnio do tempo e da
freqncia, sendo sua transformada de Laplace mostrada na Equao 3.20.
( )
( )
dS
R
c R t r v
t r
S
n
}

=

2
/ ,
,
0

(3.19)
( )
( )
dS
R
e s r V
s r
S
c sR
n
}

=
2
,
,
/
0

(3.20)
As equaes 3.19 e 3.20 expressam o potencial velocidade para um ponto P
produzido pelo movimento de um pisto, sendo a forma deste pisto definida por uma
superfcie S localizada no plano z = 0, como mostra a Figura 3.7.

Figura 3.7: Geometria de um pisto plano de forma arbitrria e sistema de coordenadas para integral de
Rayleigh.

As equaes 3.19 e 3.20 valem para radiao acstica em um meio isotrpico,
homogneo e sem perdas, cuja velocidade de propagao do som seja c. O pisto se move
na direo normal ao plano, e sua velocidade descrita pela funo ( ) t r v
n
,
0

ou por sua
transformada de Laplace ( ) s r V
n
,
0

. Conhecido o potencial velocidade, a presso ) , ( t r p




pode ser obtida pela relao da Equao 3.21, onde a densidade do meio.
) , ( ) , ( t r
t
t r p

= (3.21)
16
Fisicamente, a integral de Rayleigh uma aplicao do princpio de Huygens,
demonstrada por Fresnel, a qual determina que cada ponto da superfcie oscilatria pode ser
considerado como uma fonte de radiao (acstica) que se propaga em todas as direes, e
o campo em um ponto qualquer pode ser obtido pela superposio das ondas provenientes
de todas as fontes. O conceito de Huygens-Fresnel foi formulado analiticamente por
Helmholtz e Kirchhoff, e a integral de Rayleigh um caso especial da soluo de
Helmholtz-Kirchhoff na qual a fonte de radiao plana [9].
Alm de Rayleigh, outros autores forneceram solues alternativas para o clculo
do campo gerado por oscilaes harmnicas geradas pelo modelo de um pisto fixo em um
anteparo rgido. Dentre eles, destacam-se King, que apresentou seu trabalho em 1934, e
Schoch, que publicou em 1941 [9]. Este modelo do pisto fixo em um anteparo rgido tem
sido usado como uma aproximao vlida para descrever o comportamento de um
transdutor de ultra-som.
As equaes 3.19 e 3.21 so solues genricas para o potencial velocidade e para a
presso acstica, respectivamente, aplicveis a qualquer geometria de pisto. Nas sees
seguintes so apresentadas solues com simplificaes especficas para geometrias
circulares, as quais so mais amplamente discutidas na literatura.

3.3.2. A Soluo de Zemanek
O campo ultra-snico produzido por transdutores de variadas formas estudado,
normalmente, considerando estes transdutores com rea fechada e vibrando imersos em um
anteparo rgido. De modo geral, assume-se que a rea do transdutor anloga a um pisto,
ou seja, toda a face move uniformemente. Assim, possvel prever o campo de presso que
se propaga a partir deste pisto, tanto para o caso de ondas contnuas quanto para ondas
pulsadas [1]. A abordagem de Zemanek [7] restrita a campos de ondas contnuas.
Por questes de ordem prtica, pressupe-se que as oscilaes so de pequena
amplitude e que o meio homogneo e sem perdas. A partir da integral de Rayleigh
(Equao 3.19) que determina o potencial velocidade , da sua relao (Equao 3.21) com
a presso acstica p e definindo a funo velocidade do pisto ( , )
n
v r t

, possvel calcular a
presso em qualquer ponto do campo acstico gerado pela oscilao do pisto. A principal
17
simplificao deste mtodo considerar uniforme o movimento da face do pisto, o que
torna a velocidade da face uma funo independente da posio, ou seja, a funo ( , )
n
v r t


simplificada para v
n
(t), e que esta funo senoidal (Equao 3.22, na forma exponencial),
correspondendo ao movimento harmnico simples, onde u
0
a mxima amplitude de
deslocamento.
0
( ) exp( )
n
v t u i t = (3.22)
Substituindo esta funo velocidade na Equao 3.19, obtm-se o potencial
velocidade como funo do tempo e da posio r

no campo, como mostrado na Equao


3.23, onde k = / c.
( )
[ ]
[ ]
0
0
exp ( / )
,
2
exp ( )

2
S
S
u i t R c
r t dS
R
i t kR u
dS
R

=
}
}

(3.23)
Para obter a presso p, basta usar a relao descrita na Equao 3.21, onde a presso
proporcional ao gradiente do potencial velocidade, o que nos fornece a expresso
mostrada na Equao 3.24.
( )
[ ]
[ ]
0
0
, ( , )
exp ( )

2
exp ( )

2
S
S
p r t r t
t
i t kR u
dS
t R
i t kR iu ck
dS
R

=
}
}

(3.24)
A expresso para calcular a presso mostrada na Equao 3.24 est referenciada
pelo sistema de coordenadas da Figura 3.7, como mostrado no incio da seo.
18

Figura 3.8: Sistema de Coordenadas Cilndricas.

Devido simetria radial do modelo utilizado, conveniente adotar um sistema de
coordenadas cilndricas para calcular o valor da presso acstica. O novo sistema de
coordenadas mostrado na Figura 3.8. Neste novo sistema de coordenadas, a expresso
para a presso dada pela Equao 3.25.
( )
[ ]
2
0
0 0
2 2 1/ 2
exp ( )
,
2
sendo ( 2 sen cos )
a
i t kr iu ck
p r t d d
r
r r r

= +
} }

(3.25)
onde:
a densidade do meio
c a velocidade do som no meio
k = 2/ = /c o nmero de onda, e o comprimento de onda, e
r a distncia do ponto de observao ao elemento de rea dS.

Esta expresso pode ser calculada numericamente. Assumindo simetria radial, e
definindo as variveis adimensionais
2
/
x
X
a
= e
2
/
z
Z
a
= , relativas ao comprimento de
onda e ao raio a do transdutor, obtm-se a Equao 3.26.
19

{ }
2
1 1
( , ) exp 2 ( / )
m n
q
pq
p q
pq
S
P Z X i a R
R

= =

=

(3.26)
onde:
1
2 2
2
1
2 2
2
1
p
2 2
1
( )
2
1
/
/
4 / ,
( sen cos )
( )
tan ( / )
1
( )
2
,
/ /
q q
q
pq q q p
S
q
na
m
n a m n
R R R
R Z X
X Z
p
z x
Z X
a a

=
=
=
=
= =
= +
= +
=
=
= =


A partir da Equao 3.25, se considerar-se que a distncia do ponto a ser calculado
at o centro do pisto bem maior que o raio do transdutor, ou seja r >> a [7], a
distncia do ponto at a face do transdutor pode ser simplificada Equao 3.27.

sen cos r r = (3.27)

Substituindo a Equao 3.27 na Equao 3.25, e resolvendo a integral, a expresso
para a presso pode ser dada pela Equao 3.28, onde J
1
a funo de Bessel de primeira
ordem.

{ }
2
0 1
2 ( sen )
( , ) exp ( )
2 sen
i cka u J ka
p r i t kr
r ka

(
=
(

(3.28)
20
A expresso entre colchetes
1
2 ( sen )
( )
sen
J ka
D
ka

= conhecida como fator de


diretividade, e no depende da distncia r do ponto analisado ao transdutor, servindo
apenas para descrever a presso acstica em uma distncia radial constante, como uma
funo do ngulo entre o eixo normal ao transdutor e o ponto de observao [7].
3.3.2.1. Simulao e visualizao do campo acstico de transdutores
ultra-snicos
Como exemplo de visualizao de campos produzidos por transdutores ultra-
snicos, pode-se ver o resultado de simulaes utilizando o modelo de Zemanek de sub-
rotina executada no ambiente Octave. O resultado, apresentado na Figura 3.9 e na Figura
3.10 corresponde simulao de um transdutor plano, de 12,7mm de dimetro, excitado a
uma freqncia de 2MHz, para o qual foi simulado o plano XY.


Figura 3.9: Imagem gerada pelo programa de simulao para transdutor com dimetro de 12,7mm
excitado a 2MHz viso do plano x-y (soluo de [7]).


21

Figura 3.10: Imagem gerada pelo programa de simulao para transdutor com dimetro de 12,7mm
excitado a 2MHz viso dos trs eixos x-y-p (soluo de [7]).

3.3.3. A Soluo de Tupholme
Resultados numricos para o clculo da radiao acstica transiente, produzida por um
pisto, foram apresentados por [8]. Seu trabalho apresenta a soluo para o clculo do pulso
de presso gerado por um pisto cuja borda definida por uma curva fechada, e aplica
esta soluo para o caso onde o pisto fixado a um anteparo rgido.
Definidas as condies iniciais onde o pisto e o anteparo so coplanares e t = 0, o
pulso gerado no fluido pelo movimento inicial do pisto. O sistema de coordenadas
cartesianas (x,y,z) definido em relao origem O situada dentro da posio inicial de ,
sendo o eixo z normal superfcie do pisto no plano , como mostrado na Figura 3.11. O
movimento do pisto especificado pela velocidade v(t) na sentido positivo do eixo z, e o
pulso acstico descrito pelo potencial velocidade , como funo de x,y,z e t.

22

Figura 3.11: Geometria para o clculo do potencial velocidade.

O potencial velocidade deve, portanto, satisfazer ao seguinte problema de condies
de contorno:
2
2
2 2
2
2
2
2
2
1
t c z y x


, para z > 0, t 0 (3.29)
= 0,
t

= 0, para z 0 em t = 0 (3.30)

, 0
), (t v
z

(0.1)

Para a soluo deste problema de condies de contorno, Tupholme prope o uso da
funo de Green da Equao 3.31, onde ( ) ( ) ( ) { }
2
1
2 2 2
z z y y x x + + = denota a
distncia entre o ponto ) , , ( z y x P e um ponto ) , , ( z y x P fixo no fluido, e H a funo
unitria de Heaviside.

2 ) ( ) ( ) , ( c t H c t v t G = (3.31)

para pontos dentro de , t 0, em z = 0
para pontos fora de , t 0, em z = 0

23
Integrando-se a funo de Green da Equao 3.32 sobre o plano ( 0 = z ) ocupado
pelo pisto, percebe-se que o problema da Equao 3.29 possui a soluo formal da
Equao 3.32.

( ) ( )
}}

= y d x d c t H c t v t z y x

1
2
1
) , , , ( (3.32)

Tupholme desenvolveu a soluo analtica para um pisto em forma de disco
circular, entre outras geometrias, mas limitou a velocidade v(t) da face do pisto funo
degrau. Uma soluo mais simples e elegante foi proposta por Stepanishen que vislumbrou
o uso da funo delta de Dirac e uma simples operao de convoluo para calcular o
campo acstico.

3.3.4. A Soluo de Stepanishen
Stepanishen [10] props uma abordagem diferente da de Tupholme, definindo uma resposta
ao impulso como sendo o potencial velocidade resultante do movimento impulsivo do
pisto. Esta resposta ao impulso, que pode ser expressa por uma integral de superfcie,
ento transladada para uma nova posio no espao atravs de uma transformao de
coordenadas da origem para o observador. Para o mesmo caso da Figura 3.7, Stepanishen
descreve o potencial velocidade em termos da funo de Green ( )
0 0
, , t r t r g

, como na
Equao 3.33.
( ) dS dt t r t r g t v t r
t
S
n
} }
=
0
0 0 0
, , ) ( ) , (

(3.33)

Nota-se que, nesta formulao, a velocidade v
n
da face do pisto considerada uniforme em
toda a sua superfcie, no dependendo, portanto, da posio r

. A funo de Green para este


problema conhecida e dada pela Equao 3.34.

R
c R t t
t r t r g
) / (
2
1
) , , (
0
0 0

=


(3.34)

24
Substituindo a Equao 3.34 na Equao 3.33, temos a Equao 3.35 para o
potencial velocidade.
dS dt
R
c R t t
t v t r
t
S
n
} }

=
0
0
0
2
) / (
) ( ) , (


(3.35)

A Equao 3.35 pode ser integrada no tempo, o que nos fornece a frmula de Rayleigh
para o potencial velocidade em funo do tempo (Equao 3.36).

dS
R
c R t v
t r
S
n
}

=

2
) / (
) , (

(3.36)

Alternativamente, a Equao 3.35 pode ser calculada desenvolvendo, primeiro, a
integral de superfcie. Desta forma, o potencial velocidade pode ser expresso como a
convoluo da velocidade v
n
da face do pisto com a resposta impulsiva h( r

,t) do pisto
relativa ao ponto localizado na posio r

, como mostrado nas equaes 3.37 e 3.38.



) , ( ) ( ) , ( t r h t v t r
n

= (3.37)
dS
R
c R t
t r h
S
}

=

2
) / (
) , (

(3.38)

Conhecida a resposta ao impulso h( r

,t), o potencial velocidade ) , ( t r

pode ser
determinado a partir da especificao da velocidade do pisto. Conseqentemente, tambm
se pode determinar a presso pela relao ( , ) ( , ) p r t r t
t


, que pode ser escrita como
mostrado na Equao 3.39:

( , ) ( , ) ( ) ( , ) ( )
( , ) ( ) ( , ) ( )

n n
n n
p r t h r t v d h r t v t
t t
h r t v t h r t v t


+


= =

= =
}

(3.39)
Para resolver esta integral, o primeiro passo conhecer a funo de resposta ao
impulso ( , ) h r t

para cada ponto em que se deseja calcular o campo acstico. A funo


( , ) h r t

pode ser calculada considerando que a presso ( , ) p r t

formada pela contribuio


25
de todos os elementos dL na face do transdutor que so eqidistantes do ponto ( ) Q r

para
um determinado instante de tempo onde se deseja calcular a presso, formando um arco
circular na face do transdutor, como mostrado na Figura 3.12.

Figura 3.12: Geometria usada para calcular a resposta ao impulso no ponto Q.

A projeo do ponto ( ) Q r

no plano x-y corresponde ao ponto ( , , 0) Q x y , e este ponto


o centro do arco circular de raio L formado pelos pontos do plano x-y eqidistantes do
ponto ( ) Q r

. Definindo ( ) r como um ngulo formado neste arco circular para o ponto


( , , 0) Q x y , possvel determinar o elemento de rea dS usado na integrao mostrada na
Equao 3.38.

2 2 2
( / )
( ) ( )
r L z
dr L r dL
dS r LdL r r dr
= +
=
= =
(3.40)
Substituindo a Equao 3.40 na Equao 3.38, obtm-se a nova expresso para a
funo resposta ao impulso, como mostrada na Equao 3.41. Na Equao 3.41, r
1
a
distncia mais prxima e r
2
a distncia mais afastada da borda do pisto ao ponto de
interesse, como mostrado na Figura 3.13.
26
1 2
( , ) ( , ) se
0 caso contrrio
c
h r t c t r ct r

= < <
=

(3.41)

Como a funo resposta ao impulso depende tanto da posio quanto do tempo, ela
deve ser calculada para cada ponto onde se deseja conhecer o campo acstico. Para o caso
de transdutores circulares, esta funo conhecida.

Figura 3.13: Geometria usada para um transdutor circular.

A Equao 3.42 apresenta a expresso para o clculo da funo resposta ao impulso
separada em duas regies: y < a e y a.
27
0 2
0 1
2 2 2 2
1
1/
2 2
Para :
( , ) 0 para e
para
( )
cos
2 ( )
y a
h r t t t t t
c t t t
c ct z y a
y ct z

<
= < >
= < <
+
=
(

1 2 2
1 2
2 2 2 2
1
1 2 1/ 2
2 2
0
2
1
para
Para :
( , ) 0 para e
( )
cos para
2 ( )
onde:
/
(1/ )
t t t
y a
h r t t t t t
c ct z y a
t t t
y ct z
t z c
t c z



< <
`

)

= < >

+
= < <
`
(
)
=
=

1/ 2
2
1/ 2
2 2
2
( )
(1/ ) ( )
y a
t c z y a
( +

( = + +

(3.42)
Conhecida a funo de resposta ao impulso ( , ) h r t

, necessrio definir a funo


velocidade de movimentao da face do pisto e calcular sua derivada ( )
n
v t . A convoluo
entre estas duas funes multiplicada pela densidade do meio fornece a variao da presso
no ponto Q.

3.3.4.1. Simulao e visualizao do campo acstico de transdutores
ultra-snicos
As simulaes baseadas no modelo de Stepanishen so divididas, basicamente, em
duas partes: o clculo da funo resposta ao impulso ( , ) h r t

e a convoluo desta funo


com a funo velocidade de movimentao v(t). Aps a obteno da forma de onda no
ponto desejado, calcula-se a intensidade da presso e armazena-se o resultado. Nas Figuras
3.14 a 3.18 so apresentados alguns grficos para a funo ( , ) h r t

calculada para um
transdutor de raio r = 6,35mm, excitado a 2MHz. Nestes grficos, a posio calculada
28
corresponde a z = 2mm, x = 0, sendo que para cada grfico tem-se uma posio diferente no
eixo y.

Figura 3.14: Funo resposta ao impulso h(r,t) para y/r = 0.


Figura 3.15: Funo resposta ao impulso h(r,t) para y/r = 0,1.

29

Figura 3.16: Funo resposta ao impulso h(r,t) para y/r = 0,5.


Figura 3.17: Funo resposta ao impulso h(r,t) para y/r = 0,9.


30

Figura 3.18: Funo Resposta ao Impulso h(r,t) para y/r = 1,0.

Conhecida a resposta ao impulso do transdutor e a funo velocidade de
movimentao da face, obtm-se os valores da presso acstica em cada ponto do campo.
As Figuras 3.19 e 3.20 apresentam as simulaes de campo acstico para um transdutor
cermico com dimetro de 12,7mm excitado em 2MHz.

Figura 3.19: Imagem gerada pelo programa de simulao para transdutor com dimetro de 12,7mm
excitado a 2MHz viso do plano x-y (soluo de Stepanishen).
31

Figura 3.20: Imagem gerada pelo programa de simulao para transdutor com dimetro de 12,7mm excitado a
2MHz viso dos trs eixos x-y-p (soluo de Stepanishen).

3.3.5. O Espectro de Diretividade

Os mtodos de anlise pontual do campo acstico no fornecem informaes
detalhadas sobre o perfil real de vibrao da face do transdutor, sendo que este perfil o
que mais afeta o feixe ultra-snico transmitido. As mais poderosas tcnicas para estudo da
propagao de campos so baseadas no espectro angular, ou decomposio de Fourier [11].
O mtodo apresentado por Schafer e Lewin baseado na medida do espectro angular
utilizando hidrofones pontuais que exige demorado processo de alinhamento e obteno. Os
resultados de Schafer e Lewin, apresentados em matrizes de 64 por 64 pixels, demoraram 9
horas cada uma para serem formadas.
Para contornar o problema do tempo de processamento dos dados no mtodo do
espectro angular, Healey e Leeman [12] propuseram a utilizao de projees do campo
acstico, e sugeriram um novo mtodo, que, segundo eles, uma generalizao do espectro
angular, chamado espectro de diretividade.
Leeman e Healey [13] apresentaram uma soluo vlida para a Equao de onda na
forma cannica (3.43) que pode ser escrita tambm no domnio da freqncia (Fourier).
32

2
2
2 2
1 ( , )
( , ) 0
p r t
p r t
c t

(3.43)

A soluo proposta por Leeman e colaboradores pode ser escrita como na Equao
4. 44, onde feita uma integral tridimensional nas variveis k
x
, k
y
e k
z
, sendo (-,+) o
perodo de integrao para cada dimenso, e designa a quantidade
2 2 2
x y z
ck c k k k + + .

3
3
1
( , ) ( ) exp( [ ])
(2 )
p r t D k i k r t dk

=
}}}


(3.44)

Define-se D(k) como espectro de diretividade, e Leeman e colaboradores [14]
demonstraram que o espectro de diretividade pode ser calculado como a Transformada de
Fourier da distribuio espacial do campo acstico, medido (ou assumido) em um
determinado instante, que convenientemente escolhe-se t = 0 por questes de simplificao.

}}}
=
3
) exp( ) , ( ) ( r d r k i t r p k D

(3.45)

Conhecido o espectro de diretividade, as equaes 3.44 e 3.45 permitem o clculo
da distribuio espacial tridimensional do campo transiente em qualquer instante do tempo.
D(k) chamado de espectro de diretividade porque representa uma forma geral do
espectro angular e codifica informao sobre a diretividade do campo transiente.
O mtodo do espectro de diretividade proposto por Leeman e colaboradores [14]
aplica-se tanto simulao de campos acsticos, especialmente campos pulsados, quanto
aquisio da distribuio espacial da onda de presso em um determinado instante, tambm
conhecida como fotografia acstica (snapshot). Para obter medidas do espectro de
diretividade, Healey e Leeman [12] utilizaram um hidrofone de larga rea ativa [1],
diferentemente da medida de espectro angular feita por Schafer e Lewin [11], que
utilizaram hidrofones pontuais.



33
3.3.5.1. Mtodo usando o Espectro de Diretividade

A partir da Equao 3.44, descrita no modelo que representa um pulso ultra-snico a
partir do seu espectro de diretividade, possvel estabelecer uma seqncia de
procedimentos para a simulao por computador de um pulso ultra-snico. No entanto,
interessante acrescentar dois outros elementos: o fator de deslocamento e o operador para
projeo do pulso em um plano.

3.3.5.1.1. O Fator de Deslocamento
O fator de deslocamento define em qual posio do espao/tempo o pulso ultra-
snico, que se propaga, ser reconstrudo, a partir do seu espectro de diretividade, sendo
este fator uma conseqncia da propriedade de translao no tempo/freqncia da
transformada de Fourier, onde
0 0
{ ( )} ( ) exp( ) FT g x x G x = e
1
0 0
{ ( ) exp( )} ( ) FT G x g x x

= . Assim, a Equao 3.45 pode ser reescrita de modo a


evidenciar o fator de deslocamento, como mostrado na Equao 3.46.

3
3
3
3
1
( , ) ( ) exp( [ ])
(2 )
1
( ) exp( ) exp( )
(2 )
p r t D k i k r t dk
D k ik r i t dk

=
=
}}}
}}}

(3.46)

Na Equao 3.46, a freqncia espacial, e est relacionada com o mdulo do
nmero de onda k pela velocidade de propagao c, sendo c k =

. Considerando um
determinado instante de tempo t > 0, a onda percorreu uma distncia L = ct. Substituindo
estas grandezas na Equao 3.46, possvel reescrever o pulso ( , ) p r t

como funo do
deslocamento L, ou seja, ( , ) p r L

como na Equao 3.47.


34
3
3
3
3
3
3
1
( , ) ( ) exp( ) exp( )
(2 )
1
( ) exp( ) exp( )
(2 )
1
( , ) ( ) exp( ) exp( )
(2 )
p r t D k ik r i t dk
D k ik r ic k t dk
p r L D k ik r ikL dk

=
=
=
}}}
}}}
}}}

(3.47)
Neste caso, o termo ( , ) exp( ) exp( )
D
f k L i k L ikL = =

denominado fator de
deslocamento, e est definido para o espao ( , , )
x y z
k k k k =

.
Conceitualmente, pode-se entender que a Equao 3.38 mostra como reconstruir o
pulso no instante de tempo t ou aps este ser deslocado de uma distncia L. No mtodo aqui
abordado, a segunda notao mais conveniente, como ser mostrado adiante.

3.3.5.1.2. Projeo do Pulso
No modelo mostrado nas sees anteriores para representar o campo acstico em
funo do seu espectro de diretividade, a reconstruo do pulso e o clculo do espectro de
diretividade foi apresentado, basicamente, como uma transformada tridimensional de
Fourier. Esta operao - a transformada de Fourier conhecida e existem variadas
alternativas para implement-la computacionalmente. No entanto, trabalhar com a
representao tridimensional de um pulso ultra-snico dificulta sua visualizao. Alm da
visualizao, o processamento tridimensional dos dados levaria em conta centenas de
planos (dependendo da resoluo desejada), sendo que os mtodos convencionais simulam
e fazem o mapeamento de apenas um plano. Com o propsito de simplificar o
processamento e a visualizao, Leeman e colaboradores [15] mostraram que possvel
aplicar o mtodo do espectro de diretividade em um nico plano (duas dimenses ao invs
de trs) que sintetiza a informao tridimensional, ou seja, um plano que contenha a
projeo do pulso ultra-snico.
Para tornar o equacionamento mais claro, a funo ( , ) p r t

na qual ( , , ) r x y z =


escrita como ( , , , ) p x y z t . Analogamente, a funo ( ) D k

reescrita como D(k


x
, k
y
, k
z
).
Considere a projeo P(x,z) da distribuio espacial de um pulso ultra-snico no instante de
tempo t = 0 e no plano (x,z) como mostrado na Figura 3.21 e a Equao 3.48.
35


Figura 3.21: Sistema de coordenadas e plano de projeo.

( )
[ ] ( )
3
3
3
3
( , ) ( , , , 0)
1
( , , ) exp
(2 )
1
( , , ) exp exp( )
(2 )
x y z x y z
x y z x z y
P x z p x y z dy
D k k k i k x k y k z dk dy
D k k k i k x k z ik y dk dy

( = + +

= +
}
} }}}
} }}}
(3.48)
Sabe-se que a funo delta de Dirac por ser expressa pela Equao 3.49:
1
( ) exp( )
2
f ifm dm

=
}
(3.49)
Substituindo a Equao 3.49 na Equao 3.48, com a devida alterao de dm por dy
e de f por k
y
[1], tem-se que:
[ ] ( )
[ ] ( ) { }
3
2
1
2 2
1
( , ) ( , , ) exp ( )
(2 )
1
( , 0, ) exp ( , 0, )
(2 )
x y z x z y
x z x z x z x z
P x z D k k k i k x k z k dk
D k k i k x k z dk dk FT D k k

= +
= +
}}}
}}

A projeo P(x,z) pode ser obtida a partir da expresso que define o pulso p(x,y,z,t)
no instante de tempo t = 0 como mostrado na Equao 3.48, onde { }
1
2
( , 0, )
x z
FT D k k


corresponde transformada inversa bidimensional de Fourier do espectro de diretividade
do pulso no plano (k
x
,k
z
). Ou seja, Leeman [15] mostrou que a projeo P(x,z) da
distribuio espacial de um pulso ultra-snico em um plano, (x,z) neste caso, est
relacionada com o espectro de diretividade neste plano por uma transformao de Fourier.
Alm disso, foi mostrado tambm que a projeo do pulso pode ser reconstruda em um
36
instante de tempo diferente da condio inicial t = 0, aps o pulso ter percorrido um
deslocamento L, analogamente situao mostrada na 3.47.
Considerando a projeo P(x,z,L/c) em um instante de tempo t = L/c, a Equao
3.50 mostra como obt-la a partir do espectro de diretividade no plano (x,z).
( )
[ ] ( )
{ }
3
3
2
1
2
( , , / ) ( , , , / )
1
( , , ) exp
(2 )
1
( , 0, ) exp
(2 )
( , 0, ) ( , )
x y z x y z
x z x z x z
x z D
P x z L c p x y z L c dy
D k k k i k x k y k z ikL dk dy
D k k i k x k z ikL dk dk
FT D k k f k L

( = + +

= +

}
} }}}
}}

(3.50)
Na Equao 3.50, ( , )
D
f k L

o fator de deslocamento.

3.3.5.2. O Mtodo
Feitas as consideraes sobre o fator de deslocamento e sobre a possibilidade de se
trabalhar com projees dos pulsos ao invs de sua representao tridimensional, possvel
estabelecer, agora, uma seqncia de procedimentos para simular em computador a
propagao de um pulso ultra-snico. A Figura 3.22 mostra um diagrama esquemtico do
mtodo utilizado.
Inicialmente, define-se o pulso no instante inicial, que pode corresponder a qualquer
posio no espao. Por questes de simplificao, escolhe-se t = 0 correspondendo regio
imediatamente aps a face do transdutor, como mostrado na Figura 3.23.
Este pulso formado utilizando-se uma forma de onda que deve ser a mais prxima
possvel de um sinal real. No caso apresentado, foi utilizada a forma de onda da Figura 3.24
37

Reconstruo
espacial do pulso
Clculo do Fator
de Deslocamento
Condio Inicial: Pulso no
Instante de tempo zero
Projeo do
Pulso
Transformada de Fourier 2D:
Valores apropriados de D(k)
Propagao de D(k)
para nova posio
Escolha da forma
de visualizao

Figura 3.22: Diagrama esquemtico do mtodo de simulao pelo espectro de diretividade.


Figura 3.23. Pulso imediatamente aps a face do transdutor (Tx) no instante t = 0.

.
38

Figura 3.24. Forma de onda do pulso usada nas simulaes. Amplitude normalizada x posio (mm).

Depois de definida a forma de onda, monta-se a imagem do pulso no instante t = 0
aplicando-se esta forma de onda a toda a extenso do transdutor, modulada pela projeo da
geometria deste transdutor. A Figura 3.25 mostra a projeo de um transdutor de geometria
circular, formada pela funo
2 2
2 x r y = , que a projeo de um crculo.


Figura 3.25. Projeo da face de um transdutor circular. Altura (%) x Posio ao longo do eixo x (mm).

Alternativamente, esta projeo pode ser obtida a partir de uma matriz que armazene
a geometria do transdutor, como mostrado na Figura 3.26.
39

(a) (b)
Figura 3.26. Representao da geometria do transdutor em uma matriz.
(a) Polarizao uniforme (b) Polarizao mais intensa no centro.

O somatrio de cada coluna de uma matriz que armazene a geometria de um
transdutor, como as apresentadas na Figura 3.26, fornece a projeo desta geometria. A Figura
3.26 (a) corresponde a um transdutor de geometria circular, uniformemente polarizado, ou
seja, todas as partculas da sua face se movem uniformemente e com a mesma amplitude ao
serem estimuladas, o que resulta em uma projeo semelhante mostrada na Figura 3.25.
Caso se queira simular uma situao diferente, como uma polarizao no uniforme da
cermica do transdutor, por exemplo, basta utilizar valores menores que o mximo na
formao da matriz que define a geometria do transdutor (no caso apresentado, os valores
foram normalizados para amplitude mxima unitria). A Figura 3.26 (b) apresenta um
exemplo de como se obter a projeo da geometria de um transdutor cuja cermica apresenta
uma polarizao mais intensa no centro (valor mximo unitrio, elemento central da matriz
armazena o valor 1) e menos intensa nas bordas (valores menores que 1).
A imagem correspondendo ao pulso formado pela forma de onda da Figura 3.26
modulada pela projeo de um transdutor circular mostrada na Figura 3.27. Nesta imagem, o
eixo x corresponde aos pontos da forma de onda mostrada na Figura 3.25 modulados em tons
de cinza. O eixo y corresponde ao perfil mostrado na Figura 3.26, sendo que o eixo y foi
posicionado na posio de mximo valor do sinal apenas para facilitar a ilustrao, e o eixo x
foi posicionado no centro do transdutor.
40

Figura 3.27. Pulso inicial correspondendo regio imediatamente aps face do transdutor.

A imagem mostrada na Figura 3.27 armazenada em uma matriz bidimensional,
onde cada ponto/pixel (m,n) guarda um valor de presso. A estes valores atribudo um tom
de cinza, onde o valor mximo corresponde cor branca e o valor mnimo cor preta.
Conhecida a distribuio espacial inicial do pulso, esta pode ser deslocada para
qualquer outra posio, conforme previsto na teoria. Este deslocamento feito no domnio da
freqncia, aplicando-se o que se convencionou chamar de fator de deslocamento (f
D
). Para
isto, calcula-se o mdulo da transformada bidimensional de Fourier da distribuio espacial do
pulso inicial (que corresponde ao espectro de diretividade). Esta operao retorna uma matriz
da mesma dimenso (m,n) que a matriz correspondente ao pulso inicial. No entanto, se for o
caso de transdutores circulares, pode-se aproveitar suas propriedades de simetria e trabalhar
com apenas um quadrante desta matriz.
Obtido o espectro de diretividade, multiplica-se cada elemento da matriz que o
armazena (agora no espao k) pelo seu fator de deslocamento correspondente, cujo valor
dado pela Equao 3.51. Nesta expresso, L corresponde ao deslocamento que ser aplicado.

( , ) exp( )
D
f k L i k L =

(3.51)

O prximo passo reconstruir a distribuio espacial do pulso, j na nova posio, o
que corresponde transformada inversa de Fourier do espectro de diretividade. Nota-se que o
fator de deslocamento altera a fase da transformada de Fourier do pulso, correspondendo ao
41
seu deslocamento no domnio do tempo/espao, sendo que sua magnitude (que representa o
espectro de diretividade) permanece inalterada.

3.3.5.3. Hidrofone de Larga rea Ativa

Como j comentado, uma alternativa complementar ao mapeamento pontual
apresentado nas sees anteriores o mapeamento angular. O mapeamento angular est
relacionado ao espectro de diretividade do campo acstico, e sua medio requer o uso de
um hidrofone com caractersticas diferentes das de um hidrofone pontual.
O uso de hidrofones de larga rea ativa (LAH - large aperture hydrophone)
consegue resolver o problema da difrao em algumas situaes e j foi mostrada sua
utilidade na medio de atenuao, velocidade e impedncia caracterstica. Um dos mais
importantes aspectos do LAH a sua capacidade de medir os campos ultra-snicos
evitando os efeitos da difrao nas medidas. Isto devido sua capacidade de medir
somente as componentes de campo que so perpendiculares sua face, ou seja, ele age
como um filtro espacial na direo normal face da membrana, provendo uma medida
unidimensional de um campo tridimensional [1, 16-18].
Essencialmente, o LAH consiste em uma fina membrana de PVDF (entre 9 e 52m de
espessura) uniformemente polarizada. Esta membrana esticada e fixada em uma moldura
plana circular de dimetro interno igual a 75 mm, como mostrado na Figura 3.28.


Figura 3.28. Hidrofone de larga rea ativa (LAH).
42

Estes hidrofones produzem o mesmo sinal de sada independentemente da sua
distncia ao transdutor emissor, desde que o campo emitido seja completamente interceptado
pela membrana em um meio sem perdas [16-18]. A gua aproxima, de forma aceitvel, a
condio de meio sem perdas.
Por suas caractersticas, possvel a utilizao do LAH na caracterizao de
transdutores j que, com poucas medies em ngulos diferentes, consegue-se levantar o
campo acstico gerado por estes transdutores.

3.3.5.4. Mapeamento Angular
O mapeamento angular do campo acstico, utilizando hidrofone de larga rea ativa,
contorna alguns problemas enfrentados no mapeamento pontual e no mapeamento pelo
espectro angular. Nos dois casos anteriores, o hidrofone pontual considerado ideal, o que
uma simplificao que nem sempre pode ser feita. Leeman e colaboradores [14, 19] citam as
especificaes necessrias ao hidrofone pontual para que esta aproximao possa ser feita.
Alm de ter resposta omnidirecional ao campo acstico, ele deve estar sempre orientado
radialmente na direo do transdutor, o que difcil obter em sistemas que foram projetados
para mapeamento pontual tridimensional. J o hidrofone de larga rea ativa tem a nica
restrio de ser de um dimetro tal que envolva todo o campo acstico a ser medido. Alm
disso, este mtodo apropriado para se medir todo o campo ) , ( t r p

e no apenas as
componentes harmnicas como feito pelo espectro angular [14], e pode medir campos de
onda contnua ou pulsada de transdutores planos ou focalizados [1].
As medidas so feitas posicionando o hidrofone de larga rea ativa frente do
transdutor emissor, de modo que todo o campo possa ser integrado pelo hidrofone, como
mostrado na Figura 3.29.

43

Figura 3.29. Posicionamento do Hidrofone de Larga rea Ativa (LAH) frente do transdutor.

Captura-se o sinal temporal fornecido pelo LAH, que corresponde ao campo integrado
ao longo de toda sua superfcie, para vrios ngulos , o que fornece uma imagem t-. Esta
imagem pode ser facilmente convertida em uma imagem x-, utilizando a relao ct x = , onde
c a velocidade do som no meio. A fim de se obter uma imagem da distribuio espacial do
pulso ultra-snico medido, deve-se transformar a imagem x- para as dimenses x-y. Esta
imagem x-y corresponde projeo do pulso no plano que intercepta o campo acstico e no
qual foi feita a varredura angular. O mdulo da transformada de Fourier deste pulso
corresponde ao espectro de diretividade. Esta seqncia de procedimentos est esquematizada
na Figura 3.30.
O sistema de medidas do LUS-CEB permite variaes nos ngulos vertical e
horizontal do hidrofone, correspondendo ao mapeamento de dois planos perpendiculares entre
si. possvel deslocar o hidrofone em 40, correspondendo s posies de -20 a +20 em
relao ao plano paralelo face do transdutor. O mapeamento no ngulo vertical possui uma
resoluo muito maior que no ngulo horizontal devido forma como o sistema foi
construdo. Para deslocar um grau no eixo vertical, so necessrios 180 passos no motor, e no
eixo horizontal apenas 4 passos. Isto corresponde a uma resoluo maior que 0,01 no eixo
vertical e uma resoluo de apenas 0,25 no eixo horizontal. Como h simetria na maioria dos
transdutores que so ensaiados, geralmente usado somente o eixo de melhor resoluo.
Estes procedimentos, portanto, permitem obter a distribuio espacial do pulso
acstico e o espectro de diretividade deste pulso. A distribuio espacial do pulso obtida
corresponde posio onde foi colocado o hidrofone de larga rea ativa durante a medio.
No entanto, o seu espectro de diretividade permite reconstruir este pulso em outra posio,
44
seja ela mais distante ou mais prxima do transdutor, como foi mostrado para pulsos
simulados. Neste caso, porm, o pulso utilizado como condio inicial foi medido, ao invs
de criado a partir da simulao.


Figura 3.30. Diagrama esquemtico para medio do espectro de diretividade.

Foi elaborada uma seqncia de procedimentos (script) que l os dados gerados
pelo programa de mapeamento angular e os converte do sistema de coordenadas t- para o
sistema de coordenadas x-y. Aps a converso entre sistemas de coordenadas, os dados
podem ser visualizados ou manipulados no prprio ambiente de simulao, atravs de
funes j existentes neste ambiente, como por exemplo, calcular o mdulo da
transformada bidimensional de Fourier destes dados (espectro de diretividade).


3.3.6. Retropropagao de Pulsos Mapeados pelo Espectro de
Diretividade

Para se entender como poderosa esta ferramenta matemtica e fcil sua
implementao computacional para se conhecer a propagao de pulsos ultra-snicos, mostra-
45
se como possvel retropropagar e conhecer o pulso espacial a qualquer distncia do
transdutor, desde que se conhea o seu espectro de diretividade. Para facilitar a compreenso
deste mtodo de reconstruo, a Equao 3.49 foi reescrita como mostrado na Equao 3.52,
evidenciando o termo que define este deslocamento, conhecido como fator de deslocamento
exp( )
D
f ikL = .

3
3
1
( , ) ( ) exp( ) exp( )
(2 )
p r L D k ik r ikL dk

=
}}}


(3.52)

Caso L = 0, esta reconstruo corresponde ao processo inverso do clculo do espectro
de diretividade (transformada inversa de Fourier), mostrado na Equao 3.48 (transformada de
Fourier), que retorna o pulso exatamente como foi medido. No entanto, atribuindo-se valores
negativos a L, o pulso ( , ) p r L

pode ser reconstrudo em uma posio mais prxima da face do


transdutor que do ponto onde foi medido. A posio relativa de cada um destes pulsos em
relao ao hidrofone de larga rea ativa e ao transdutor mostrada na Figura 3.31. Esta figura
mostra sucessivos deslocamentos (L negativos), onde possvel observar a retropropagao
do pulso mapeado a uma distncia L
0
= 6mm.

Figura 3.31. Posio do pulso em relao ao hidrofone e ao transdutor.

Os resultados mostrados na Figura 3.32 demonstram a possibilidade de observar a
projeo do pulso bem prximo da face do transdutor, o que d uma idia do perfil de
vibrao da face da cermica. Se o sistema de mapeamento angular for modificado para
mapear outros planos normais face do transdutor, possvel reconstruir o pulso
tridimensionalmente e obter um resultado mais detalhado da vibrao na face do transdutor.
L
0
= 6mm L
1
= 4mm
46

L
2
= 2mm L
3
= 0mm

Figura 3.32. Retropropagao de um pulso ultra-snico.


3.4. CONSTRUO DE TRANSDUTORES DE ULTRA-SOM COM
CERMICAS PIEZOELTRICAS
Lista de Smbolos:
Seo 3.4
f
r
freqncia de ressonncia
ar
f
freqncia de anti-ressonncia
k coeficiente de acoplamento
r
R
valor da impedncia na freqncia de ressonncia
C
r
capacitncia srie na ressonncia
L
r
indutncia srie na ressonncia
C
0
capacitncia eltrica ou intrnseca da cermica
R
0
perdas eltricas na cermica
BW faixa de passagem, largura de banda
47
Z
T
impedncia do transdutor
Z
C
impedncia da camada de casamento
Z
M
impedncia do meio de transmisso

importante notar que a simulao do campo acstico de um transdutor permite que se
tenha uma idia razovel sobre como ser o campo de radiao mas, ao se montar uma
cermica piezoeltrica em um encapsulamento apropriado para a manipulao do transdutor
em um ambiente de medida, esperado que o campo ultra-snico real seja semelhante ao
simulado. Nesta seo mostrado como pode ser construdo um transdutor de ultra-som
com cermica piezoeltrica e como feito o mapeamento do campo pelo mtodo pontual.
O protocolo para a construo de transdutores de ultra-som o do procedimento utilizado
no Laboratrio de Ultra-Som (LUS) do Departamento de Engenharia Biomdica
(DEB/FEEC) e do Centro de Engenharia Biomdica (CEB) da UNICAMP.
Os transdutores so construdos com cermicas piezoeltricas polarizadas (ou
apodizadas). Na Figura 3.33 so apresentados desenhos ilustrativos de discos de cermica
piezoeltrica despolarizada, polarizada e apodizada. Na cermica despolarizada, a
distribuio dos dipolos ferroeltricos aleatria e o efeito lquido da piezoeletricidade
desprezvel. Na cermica polarizada (aquecida at a temperatura de Curie, submetida a um
campo eltrico uniforme intenso de pelo menos 2kV/mm de espessura, e resfriada) os
dipolos ferroeltricos so realinhados segundo a direo de um campo eltrico externo. No
processo de apodizao de uma cermica piezoeltrica, o campo eltrico de polarizao
formatado, por exemplo, utilizando-se um eletrodo esfrico, como o mostrado na Figura
3.33 (c), de modo que em regies distintas da cermica a direo e a intensidade da
polarizao resultante so diferentes.
Cermica
polarizada
Cermica
despolarizada
cermica
Dipolo
eltrico
Cermica
polarizada
Cermica
despolarizada
cermica
Dipolo
eltrico
cermica
Dipolo eltrico

Cermica
piezoeltrica
Eletrodo esfrico metlico
(5mm de raio)
2kV/mm
Cermica
piezoeltrica
Eletrodo esfrico metlico
(5mm de raio)
2kV/mm 2kV/mm

(a) (b) (c)
Figura 3.33. Orientao dos dipolos eltricos em um disco de cermica despolarizada (a), polarizada (b)
e apodizada (c) (Modificada de Duarte, 2003).

48
Na Figura 3.34 apresenta-se o esquema de montagem de um transdutor de ultra-som
com elemento piezoeltrico circular nico. Os passos principais de construo so descritos
a seguir.


Figura 3.34. Esquema de montagem do transdutor ultra-snico com elemento piezoeltrico circular
nico, mostrando seus componentes principais (Modificada de Nascimento, 2003).

(1) Avaliao das cermicas no Analisador de Impedncias. O elemento transdutor ou
elemento ativo aquele que converte a excitao eltrica em campo acstico, na operao
de transmisso, ou converte a presso do som em sinal eltrico, operando como receptor.
Cermicas piezoeltricas so os elementos transdutores mais utilizados como detectores e
geradores de potncia acstica, para aplicaes em alta freqncia, que o caso dos
transdutores ultra-snicos para aplicao mdica. O elemento ativo de um transdutor ultra-
snico bsico um disco de cermica piezoeltrica, com dimetro maior que a espessura e
com eletrodos metlicos depositados nas faces paralelas.
Normalmente, o disco de cermica polarizado na direo do eixo 3 (Figura 3.35),
para vibrar preferencialmente no modo espessura, porm, quando a cermica excitada
para vibrar num modo principal, parte da energia tambm acoplada a outros modos. Em
um disco de cermica piezoeltrica vibrando livremente, os modos de vibrao mais
intensos so o modo espessura e o radial [20].
Todos os discos de cermica piezoeltrica com os quais sero construdos
transdutores, passam por uma varredura de freqncias num Analisador de Impedncias, no
qual so obtidas as curvas de Mdulo e Fase de Impedncia versus Freqncia. A partir
Aterramento
Camada de retaguada
Tubo de PVC externo

Contato eltrico com a face frontal e
Camada de acoplamento acstico
Elemento cermico

Tubo de lato

Conexo eltrica
Indutor
Cabo coaxial
Tubo de PVC interno
49
destas curvas (Figura 3.36) so determinados os valores das freqncias de ressonncia e
anti-ressonncia e do fator de acoplamento de cada modo de vibrao das cermicas.

Figura 3.35. Principais modos de vibrao de um disco de cermica piezoeltrica: radial (a) e em
espessura (b). O eixo 3 coincide com a direo de polarizao.

-100
-80
-60
-40
-20
0
20
40
60
80
100
10 110 210 310 410 510
FREQNCIA(KHz)
-50
4950
9950
14950
19950
24950
I
M
P
E
D

N
C
I
A
(
K

o
h
m
s
)
FASE
Impedncia
(a)
-100
-80
-60
-40
-20
0
20
40
60
80
100
500 600 700 800 900 1000 1100 1200 1300 1400 1500
FREQNCI A( KHz )
0
500
1000
1500
2000
2500
FASE
IMPEDNCI A
(b)
Figura 3.36. Curvas de mdulo (rosa) e fase (azul) da impedncia mostrando o modo radial (a) e em
espessura (b) de vibrao de um disco de cermica piezoeltrica (vibrando livre).

Ressonncia
Anti-ressonncia
Ressonncia
Anti-ressonncia
50
Como exemplo dos resultados que se obtm da avaliao das cermicas no
Analisador de Impedncias, mostra-se a seguir a Tabela 3.1 com as caractersticas de
cermicas piezoeltricas PZT5A com dimetro 17,5mm e espessura 1mm, fabricadas no
Grupo de Cermicas Ferroeltricas do Departamento de Fsica da UFSCar. Os dados foram
obtidos no Analisador de Impedncias HP-4192A LF Impedance Analyzer. Foram obtidas
curvas de mdulo e fase da impedncia versus freqncia para os discos de cermica
vibrando livres. Destas curvas so obtidos os valores da freqncia de ressonncia (menor
impedncia) e da freqncia de anti-ressonncia (maior impedncia) e calculado o
coeficiente de acoplamento (k) para cada modo de ressonncia.

Tabela 3.1. Caracterizao das Cermicas
Parmetro Cermica #
1 2 3 4 5 6 7
Modo 1 (Radial) 25kHz-1025kHz
f
r
(kHz) 163,50 162,44 165,36 163,44 162,74 164,00 162,05
f
ar
(kHz) 194,14 193,79 198,01 197,18 193,65 195,28 194,41
k 0,51 0,55 0,55 0,56 0,54 0,54 0,55

Modo 0 (espessura) 1000kHz-2500kHz
f
r
(kHz) 2108,12 2103,30 2099,86 2093,25 2093,64 2118,75 2081,91
f
ar
(kHz) 2304,45 2349,00 2335,10 2343,77 2339,79 2354,85 2330,86
k 0,40 0,45 0,44 0,45 0,45 0,44 0,45

(2) Fases da montagem.
Fase 2.1. O primeiro passo na construo do transdutor estabelecer contato
eltrico com o disco de cermica piezoeltrica. O disco de cermica piezoeltrica
fornecido pelo fabricante polarizado e com eletrodos metlicos (prata ou ouro) depositados
em ambas as faces. A direo da polarizao indicada pelo sinal + marcado na face
positiva do disco. O lado positivo do disco de cermica piezoeltrica deve coincidir com a
face frontal do transdutor, e estar aterrado com a carcaa (tubo de lato) atravs de um
contato eltrico estabelecido por soldagem de fio ou com cola condutiva. Na face negativa
de cada disco, limpa-se bem uma rea prxima borda da face, onde soldado um fio
flexvel. Utiliza-se fio de wire-wrap de aproximadamente 15cm, desencapado apenas na
extremidade a ser soldada no eletrodo metlico da cermica. Utiliza-se uma estao de
soldagem com controle de temperatura e com ponteiras especiais de dimetros reduzidos
para facilitar o processo de soldagem e evitar despolarizar a cermica na regio da solda
51
(por aquecimento excessivo). Pode-se soldar pelo menos mais um fio, para garantir que no
caso de quebra de um dos fios, durante o processo de montagem, no se perca o contato
eltrico de aterramento.
Fase 2.2. Um tubo de PVC com o dimetro interno aproximadamente 0,5mm maior
que o dimetro da cermica constitui o molde para a camada de retaguarda do
transdutor. A cermica colocada dentro do tubo de maneira que a face positiva fique
faceando uma extremidade do tubo e o fio soldado no lado negativo saia pelo outro lado do
tubo. Esse conjunto ento colocado com a face positiva da cermica virada para baixo,
sobre um pedao de acetato colocado sobre uma superfcie rgida e lisa.
Fase 2.3. Nesta fase colocada a camada de retaguarda do transdutor. Trs
quartos () do volume do tubo de PVC so ento preenchidos com uma mistura de epxi
de baixa viscosidade (as porcentagens corretas da mistura de cola e endurecedor devem ser
obedecidas) e alumina em p e/ou tungstnio em p (em porcentagens diversas). A
porcentagem correta de cola e de endurecedor e dessa mistura e do p de alumina e/ou de
tungstnio so conferidas com uma balana analtica. Esta mistura constituir a camada de
retaguarda (backing) do transdutor. A mistura deve ser colocada no tubo de PVC
cuidadosamente, comprimindo-se homogeneamente pequenos volumes contra a face
negativa da cermica, por dentro do tubo at atingir o volume final desejado. Deve-se tomar
cuidado para no quebrar a cermica nem romper o fio soldado no lado negativo do disco.
A Figura 37 ilustra as fases 2.1 a 2.3 da montagem de um transdutor de ultra-som.


(a) (b) (c) (d)
Figura 3.37. Etapas 2.1 a 2.3 da construo de transdutores. (a) soldagem de fios no eletrodo da
cermica; (b) colocao do tubo de PVC que d forma camada de retaguarda; e (c) colocao da mistura de
epxi e/ou tungstnio e p de alumina que constitui a camada de retaguarda (Modificada de Duarte, 2003). (d)
Detalhe mostrando a solda do fio no eletrodo da cermica a 90.

52
A camada de retaguarda usada para dar suporte mecnico ao transdutor, para
garantir mxima eficincia no acoplamento eletromecnico, e para impedir que haja
reverberao. A reverberao causada pela diferena entre as impedncias acsticas da
cermica piezoeltrica e os meios que fazem contato com ela. A impedncia acstica
definida como o produto da densidade (g/cm
3
) do material pela velocidade c (cm/s) do
som no material:
c . Z = (3.53)
Ao atravessar a interface entre dois meios de transmisso (meio-1 e meio-2, Figura
38) de impedncias acsticas Z
1
e Z
2
diferentes, parte do campo acstico transmitida
para o meio-2 atravs da interface e parte refletida de volta para o meio-1 (Figura 38 (a)).
Quando o campo acstico incide normalmente na interface, uma parcela R da energia
acstica refletida de acordo com a Equao:
( ) ( )
[ ]
R Z Z Z Z = +
2 1 2 1
2
/ (3.54)
As intensidades dos campos refletido e transmitido dependem do ngulo de
incidncia do ultra-som na interface entre os meios e das impedncias acsticas dos meios.
Quanto maior a impedncia do meio-2 em relao do meio-1, maior a parcela de energia
acstica refletida na interface. E tambm, quo mais prximo de 90 for o ngulo de
incidncia, menor a parcela de campo refletido e maior a parcela de energia acstica
transmitida.
Quando um transdutor ultra-snico usado diretamente no corpo, menos de 20% da
energia acstica incidente, que chega na face posterior da cermica transferida para o
meio de transmisso, ou seja para o corpo e a maior parte dela refletida de volta na
cermica (vide Figura 3.38 (b)). Quando a onda acstica alcana a face anterior da
cermica, novamente a energia acstica no transferida para o meio anterior cermica, e
transmitida em direo face posterior. Dessa maneira, a cermica permanece vibrando
at que a energia acstica seja totalmente dissipada (transmitida ou perdida sob forma de
calor). Quando um transdutor usado em diagnstico por ultra-som, desejvel reduzir a
parcela de energia acstica refletida na interface entre o transdutor e a superfcie do corpo,
para obter o melhor possvel em sensibilidade e penetrao do campo acstico.
53
No meio anterior cermica piezoeltrica, pode existir ar (como em algumas
aplicaes Doppler) ou, mais comumente, uma mistura de resina epoxi com tungstnio ou
alumina, que possui impedncia acstica semelhante das cermicas piezoeltricas e
absorve totalmente a energia da vibrao sem refleti-la de volta. Na Tabela 3.2 so
mostrados os valores resultantes de impedncia acstica para diversas composies de
camada de retaguarda.

(a) (b)
Figura 3.38. Transmisso do campo acstico atravs da interface entre dois meios de impedncias
acsticas diferentes: (a) incidncia, reflexo e transmisso da energia acstica; e (b) efeito de reverberao da
energia acstica.

Tabela 3.2. Valores da impedncia acstica Z
0
do PZTY5A e para composies diferentes da camada de
retagurada

Z
0
(kg/m
2
s)

Material cermico tipo PZT-5
A
33,7E+06

Camada de Retaguarda de epxi e alumina
composio
19,81g de epxi, 6,93g de endurecedor e 17,8g de alumina em p (39,98%) 5,58E+06

Camada de Retaguarda de epxi e tungstnio
composio
19,2g de epxi, 6,72g de endurecedor e 6,7g de tungstnio (W) ( 25,85%) 16,3E+06

Camada de Retaguarda de epxi e alumina e tungstnio
composio 43,88g de epxi, 15,36g de endurecedor, 14,93g de p de W (16,76%) e
14,90g de p de alumina (16,61%) 14,2E+06

Fase 2.4. Depois da fase 2.3, os transdutores so colocados em suportes, com a face
negativa voltada para baixo, e os conjuntos so centrifugados por aproximadamente 3
minutos, para que a mistura de epxi e Alumina fique bem compactada contra a face
posterior da cermica e eliminando bolhas de ar. Os transdutores so deixados em repouso
54
por 24 horas para a resina curar (opcionalmente pode-se coloc-los em uma estufa a 30-40
Celsius, por 2 horas), e novamente so medidas as freqncias de ressonncia e anti-
ressonncia das cermicas no Analisador de Impedncias.
Fase 2.5. Nesta etapa podem estar includos procedimentos de formatao do
backing, remoo do tubo de PVC (no torno mecnico) e/ou simplesmente a adio da
carcaa metlica do transdutor. Um tubo de lato com dimetro interno aproximadamente
0,5mm maior que o dimetro externo do tubo de PVC, e ligeiramente mais comprido que o
de PVC, colado (com epxi) no transdutor, tomando-se o cuidado de facear corretamente
a face negativa da cermica com uma das extremidades do tubo de lato. Os conjuntos so
deixados em repouso por 24 horas para secagem da cola. Deve-se verificar a ocorrncia de
possvel curto-circuito entre a carcaa metlica e a face negativa da cermica antes de
prosseguir com a montagem dos transdutores. Pode-se verificar tambm se houve
modificao das freqncias de ressonncia e anti-ressonncia e dos coeficientes de
acoplamento eletromecnico, principalmente do modo espessura, com o Analisador de
Impedncias. Na Tabela 3.3 so mostrados os valores das freqncias de ressonncia e de
anti-ressonncia e do coeficiente de acoplamento eletromecnico k, obtidos a partir das
curvas traadas no Analisador de Impedncias, aps a colocao da camada de retaguarda,
de transdutores construdos no LUS (Laboratrio de Ultra-Som, DEB/FEEC e CEB,
UNICAMP) (as cermicas so as mesmas da Tabela 3.1).
Os dados apresentados nas Tabelas 3.1 e 3.3 mostram que a montagem do transdutor
at a Fase 2.5 altera as caractersticas de transduo (freqncias de ressonncia e de
ressonncia e fator de acoplamento) das cermicas, em relao aos mesmos parmetros
avaliados com as cermicas vibrando livres.
Tabela 3.3. Avaliao das cermicas com a camada de backing
Parmetro Cermica #
3 4 5 7
Modo 1 (Radial) 25kHz-1025kHz
f
r
(kHz) 149 151,99 169 164,8
f
ar
(kHz) 156,9 157,13 199 185,5
k 0,313 0,254 0,528 0,663
Modo 0 (espessura) 1000kHz-2500kHz
f
r
(kHz) 2142 2156 2029 2152,5
f
ar
(kHz) 2344,5 2238 2273 2319
k 0,551 0,268 0,451 0,549


55
Fase 2.6. O prximo passo diz respeito a compatibilizao eltrica do transdutor. A
compatibilizao eltrica usada para compatibilizar as impedncias eltricas do transdutor
e do instrumento eltrico que funciona como gerador de pulso/receptor. Varia desde um
simples indutor a circuitos RLC e transformadores. Quando a diferena de impedncias
entre o gerador de pulso/receptor (valor tpico = 50 ) e o transdutor (na ressonncia < 10
) no equilibrada, ocorre o electrical ringing, quando uma parte do pulso de excitao
eltrica da cermica refletida para o gerador.
Na Figura 3.39(a) apresentado um modelo simplificado que representa um
transdutor piezoeltrico vibrando no modo espessura. Este modelo derivado do circuito
equivalente de [21], e nele distinguem-se duas partes: uma eltrica, representada por R
0
e
C
0
e uma mecnica, representada por C
r
, L
r
e R
r
. Mesmo sendo bastante simples, o
modelo representa bem a cermica piezoeltrica para valores de freqncia prximos
ressonncia e anti-ressonncia. onde os parmetros envolvidos so:
f
r
= freqncia de ressonncia srie, na qual a impedncia atinge um valor mnimo R
r
;
f
ar
= freqncia paralela ou de anti-ressonncia, na qual a impedncia atinge um valor
mximo;
R
r=
valor da impedncia na freqncia de ressonncia; representa os efeitos de atrito na
cermica;
C
r
= a capacitncia srie na ressonncia; representa os efeitos de elasticidade da cermica;
L
r
= a indutncia srie na ressonncia; representa os efeitos inerciais da cermica;
C
0
= a capacitncia eltrica ou intrnseca da cermica; e
R
0
que representa as perdas eltricas na cermica.
Para o modelo simplificado de Mason, as seguintes equaes so vlidas:

( )
C C f f f
r ar r r
=
0
2 2 2
(3.55)

C C C
r 0
= ' (3.56)

( ) L f C
r r r
= 1 2
2
(3.57)
onde: C' a capacitncia da cermica numa freqncia bem abaixo da ressonncia f
r
.
56
(a) (b)
Figura 3.39. (a) Modelo simplificado, derivado do circuito equivalente de Mason, do transdutor prximo
ressonncia. (b) Modelo simplificado com indutor em paralelo para compatibilizao eltrica passiva.

Das equaes 3.55 a 3.57 nota-se que a capacitncia da cermica na ressonncia est
relacionada ao valor da capacitncia intrnseca, atravs do coeficiente de acoplamento
eletromecnico (Equao 3.55). Os valores da indutncia L
r
e da capacitncia C
r
so tais
que as componentes reativas da impedncia da cermica na ressonncia anulam-se
(Equao 3.57), resultando apenas a componente resistiva R
r
em paralelo com C
0
e R
0
(Figura 3.39 (a)).
Uma soluo bastante simples para realizar a compatibilizao eltrica de maneira
passiva a utilizao de um indutor em paralelo com o transdutor, indicada na Figura 3.39
(b). O valor da indutncia L
0
deve ser escolhido de maneira a anular a componente reativa
da impedncia eltrica do transdutor na freqncia de ressonncia f
r
, de acordo com a
Equao 3.58:
Z
R
j wC
wL
= +
|
\

|
.
|
1 1
0
0
0
(3.58)
ou seja:
( )
L
f C
r
0
2
0
1
2
=

(3.59)

Em geral, o transdutor com indutor em paralelo, em relao ao transdutor sem
compatibilizao eltrica, tem uma faixa de passagem maior para uma mesma impedncia
da camada de anteparo (backing), e tambm o valor da impedncia prximo
ressonncia aumenta, o que possibilita um melhor acoplamento com a impedncia tpica de
um gerador de pulso/receptor (50 ).
A partir do valor terico calculado com a Equao 3.59, podem ser testados vrios
valores de indutor, prximos ao calculado, para determinar exatamente o melhor valor a ser
V
IN
R
0
C
0
L
C
R
r
r
r
V
IN
R
0
C
0
L
C
R
r
r
r
L
0
57
utilizado. Isto necessrio porque ao medir as capacitncias C' e C
r
, para calcular C
0

(Equao 3.56), dificilmente se obtm valores de leitura estveis no Analisador de
Impedncias. A leitura no Analisador de Impedncias muda continuamente e a cada nova
leitura o valor da capacitncia diminui. Para testar um dado valor de indutncia, o indutor
deve ser conectado ao transdutor, entre a carcaa e o fio soldado na face negativa, e traam-
se as curvas de fase e de impedncia versus freqncia, na faixa que contenha os modos
radial e em espessura do transdutor. Deve ser escolhido como melhor valor de indutncia,
aquele que resulte em curvasxf e Zxf com a ressonncia e a anti-ressonncia bem
definidas de cada modo. Um valor incorreto de indutncia pode at anular a ressonncia.
Na Figura 3.40 so apresentadas as curvas xf e Zxf para um transdutor construdo no
LUS.
A compatibilizao eltrica melhora a faixa de passagem e a sensibilidade do
transdutor, pois permite uma excitao mais eficiente do elemento piezoeltrico. Na Tabela
3.4 so mostrados os valores da faixa de passagem (BW) de transdutores construdos no
LUS com e sem compatibilizao eltrica.

Tabela 3.4. Faixa de passagem dos transdutores sem indutor e com indutor (com compatibilizao
eltrica)
sem indutor com indutor
Transdutor BW % f
pico
(MHz) f
central
(MHz) BW % f
pico
(MHz) f
central
(MHz)
#16 23,00 2,07 2,05 29,54 2,05 2,02
#18 19,96 2,18 2,20 21,12 2,16 2,17
#19 16,60 2,18 2,15 18,76 2,16 2,13

Aps a determinao dos valores adequados da indutncia para a compatibilizao
eltrica, os indutores so ento soldados com um dos seus terminais na carcaa do
transdutor e o outro na face negativa da cermica (indutor em paralelo com a cermica). A
rea do tubo metlico onde foi soldado o terminal do indutor deve ser lixada para facilitar a
soldagem, que deve ser rpida para no aquecer demasiadamente a carcaa, pois a mesma
est em contato com a cermica, que pode ser despolarizada. No mesmo local tambm
soldado o cabo do transdutor (etapa 2.7), sendo que a malha do cabo soldada no fio terra
(em contato com a face negativa da cermica).
58
Fase 2.7. A prxima etapa a colocao do cabo do transdutor, tomando-se o
cuidado de preencher a regio aps o backing, ocupada pelo indutor e pelo cabo, com
epxi. Isto garante que o conjunto backing/indutor/cabo fique rgido para evitar tanto o
rompimento de fio ou de solda, como a infiltrao de gua.
Fase 2.8. Nesta etapa feito o contato eltrico da face frontal do transdutor com a
carcaa metlica, por exemplo, soldando-se um fio (de wire-wrapp descascado) entre o
eletrodo da face frontal da cermica e a carcaa.
Fase 2.9. Nesta etapa so colocados o revestimento externo e a camada de
compatibilizao acstica do transdutor. O revestimento (casing), um tubo de PVC,
colado no tubo de lato e deve cobrir o transdutor, desde a face frontal at a sada do cabo
coaxial (aproximadamente 5 a 6 cm de comprimento). A distncia que deve ser deixada
entre a face frontal da cermica e a borda deste revestimento, corresponde a / 4ou a um
mltiplo mpar de / 4 ( o comprimento de onda do ultra-som). A regio resultante
deste espaamento preenchida posteriormente com epxi e corresponde camada de
compatibilizao do transdutor. A espessura da camada de compatibilizao ajustada com
um micrmetro digital (Figura 3.41).
Um valor tpico de impedncia acstica de transdutor de ultra-som com cermica
piezoeltrica de PZT 5A 34 kg/m
2
.s, e para tecido biolgico 1,6 kg/m
2
.s. A cermica e
o meio posterior cermica piezoeltrica, tecido biolgico, possuem impedncias acsticas
bem diferentes, o que implica em grande parte do sinal ser refletido de volta para a
cermica.


59
(a) (b)
(c) (d)
Figura 3.40. Curvas de mdulo e fase da impedncia versus freqncia para um transdutor ultrasnico
construdo com disco de cemica piezoeltrica, (a) e (b) antes do acoplamento eltrico e (c) e (d) com indutor
L
0
colocado em paralelo ao transdutor.



60

Figura 3.41. A colocao da camada de compatibilizao acstica do transdutor feita usando um
micrmetro para ajustar sua espessura.

Para aumentar a eficincia da transferncia de energia acstica do transdutor para o
meio de transmisso do sinal acstico, nos transdutores usados em imagens mdicas por
ultra-som, costuma-se incluir uma camada de um material com impedncia acstica de
valor intermedirio entre a cermica e o tecido biolgico, que colocada na frente da
cermica, para fazer a compatibilizao das impedncias. Como est indicado na Figura
3.42, a incluso dessa camada resulta em duas interfaces acsticas. As parcelas de energia
acstica refletida e transmitida atravs dessa camada, so dependentes do ngulo de
incidncia do campo acstico, das impedncias acsticas dos trs materiais (cermica,
camada de compatibilizao acstica e tecido biolgico ou meio de transmisso) e da
espessura da camada de compatibilizao. A escolha apropriada do material e da espessura
da camada, pode resultar numa transmisso mais efetiva do campo acstico do meio 1 para
o meio 2, atravs da camada de compatibilizao. A camada de compatibilizao,
adequadamente construda, permite que a energia acstica disponvel no transdutor seja
transmitida da face frontal da cermica para a carga, ou meio de transmisso (tecido
biolgico), em vez de ser refletida e absorvida pela camada de retaguarda, diminuindo
perdas e possibilitando uma presso acstica final maior.
61

Figura 3.42. Camada de compatibilizao includa entre os meios 1 e 2.

Essa camada geralmente implementada atravs de um material com impedncia
acstica de valor intermedirio entre os valores da cermica e do tecido biolgico e com
espessura igual a do comprimento de onda da vibrao principal ou de um valor prximo
a ela ( / 4 ). Na Figura 3.44 apresenta-se um esquema de como a camada de
compatibilizao com espessura / 4 atua, aumentando a parcela de som transmitido do
meio1 para o meio 2. Quando duas ondas acsticas esto em fase, suas intensidades
adicionam-se, e quando esto fora de fase, subtraem-se, com a tendncia de uma cancelar a
outra (Figura 3.43). Como no possvel evitar a reflexo de parte da energia acstica
incidente, procura-se com a tcnica da camada de compatibilizao de espessura / 4,
colocar as ondas refletidas em fase com as ondas transmitidas atravs da interface
camada/meio 2, de modo a refor-las.

62


Figura 3.43. Na figura, as ondas A e B esto em fase, no entanto a onda C est em oposio de fase com
as outras duas ( A e B) (Modificado de [22]).



(a) (b) (c)
Figura 3.44. Propagao de campo acstico atravs de camada de compatibilizao com espessura igual
a / 4 (Modificado de [22]).

Na Figura 3.44, esquematiza-se o processo de reforo das ondas acsticas incidentes,
pelas ondas refletidas, atravs de uma camada de compatibilizao de espessura / 4. Os
pontos A e B representam duas das inmeras fontes do campo acstico da cermica
piezoeltrica (meio 1) na interface com a camada de compatibilizao. No instante t1 so
iniciadas duas ondas que atravessam a camada de compatibilizao e atingem a interface
com o meio 2 em t2 (Figura 3.44 (a)), quando ocorre a transmisso da onda B para o meio
2, e a reflexo da onda A (A) (Figura 3.44 (b)). Como a espessura da camada de
compatibilizao / 4, no instante t3 as ondas iniciadas em A e B no instante t1,
percorreram uma distncia igual a / 2 em relao onda de referncia: a onda iniciada em
63
A, atravessou a camada de compatibilizao e foi refletida de volta para o ponto de origem;
e a onda iniciada em B atravessou a camada de compatibilizao e percorreu uma distncia
/ 4 atravs do meio 2. No instante t4 (Figura 3.44 (c)), a onda refletida A e as novas
ondas iniciadas em A e B chegam na interface camada/meio 2 em fase, produzindo um
reforo da energia acstica. Esse processo de reforo ocorre continuamente, j que uma
parcela da energia emitida sempre refletida, a cada vez que a frente de onda atinge uma
interface acstica (que pode ser uma estrutura de tecido biolgico). Uma camada de
compatibilizao com espessura igual a 3 4 / tambm produz esse mesmo efeito de reforo
do sinal inicial; no entanto, a camada deve ser o menos espessa possvel para minimizar
perdas por atenuao do campo acstico atravs do material.
O material da camada de compatibilizao com espessura / 4 deve ser escolhido de
modo a apresentar impedncia acstica ( Z
C
) intermediria entre os valores de impedncias
do material do transdutor ( Z
T
) e do meio de transmisso do campo acstico ( Z
M
). O
valor terico timo de Z
C
, para se obter o mximo de transmisso da energia acstica,


pode ser calculado [23] atravs da Equao:

Z Z Z
C T M
= . (3.60)

Souquet et alii [24] investigaram vrias maneiras de obter a transferncia tima de
energia acstica atravs da camada de compatibilizao / 4 , usando o circuito
equivalente de Mason para um transdutor sem camada de anteparo (air-backed), e
indicaram que a compatibilidade tima ocorre quando, ao usar uma nica camada, a mesma
tenha impedncia acstica igual a:

Z Z Z
C T M
= 2
3
. (3.61)

A soluo da camada de compatibilizao com espessura / 4 resolve o problema de
transferncia de energia acstica para apenas uma freqncia e deixa a faixa de passagem
do transdutor ainda mais estreita. No diagnstico por ultra-som atravs da tcnica de pulso-
64
eco, usam-se pulsos estreitos de faixa larga, que contm uma quantidade significativa de
energia acstica fora da freqncia principal, e o coeficiente de reflexo razoavelmente
grande para os comprimentos de onda diferentes do qual foi considerado para a escolha da
camada de compatibilizao. O coeficiente de reflexo definido como a razo das
amplitudes do som incidente e do som refletido.
Para melhorar o desempenho do transdutor, a idia da camada de compatibilizao
pode ser expandida, incorporando-se uma segunda camada, como indicado na Figura 3.45,
onde a primeira camada tem espessura d
L1
e impedncia acstica Z
C1
e a segunda camada
tem espessura d
L2
e impedncia acstica Z
C2
.

Figura 3.45. Esquema do uso de duas camadas de compatibilizao de impedncia acstica.

Na Figura 3.46 so apresentadas as distribuies da amplitude de sada de um
transdutor versus freqncia para 3 situaes: (1) transdutor operando em pulso-eco,
perfeitamente casado com o meio de transmisso; (2) a utilizao de uma camada de
compatibilizao / 4reduz a faixa de passagem do transdutor; e (3) a faixa de passagem
mais larga que na situao (2), quando utiliza-se 2 camadas de compatibilizao com
impedncias acsticas intermedirias entre a cermica e o meio de transmisso. A transio
da impedncia acstica da cermica para a do tecido biolgico em dois passos, resulta
numa reflexo menor, e portanto, melhor transmisso e aumento da faixa de passagem do
transdutor. A espessura de cada uma das camadas de compatibilizao pode ser, mas no
est limitada a / 4e o valor da impedncia de cada camada pode ser calculada atravs da
simulao do modelo em computador. A utilizao de duas (ou mesmo mltiplas) camadas
65
de compatibilizao acstica reduz a reverberao em cada uma das camadas, resultando
num pulso acstico transmitido mais estreito e com faixa de passagem mais larga [23].


Figura 3.46. Amplitude de sada do transdutor (pulso-eco) versus freqncia (1) perfeitamente casado
com o meio de transmisso; (2) com uma camada de compatibilizao acstica; e (3) com duas camadas de
compatibilizao acstica. f
0
= freqncia de ressonncia natural do transdutor.

Desilets et alii. [25] descreveram uma formulao geral para vrias camadas de
compatibilizao de um transdutor sem camada de retaguarda (air-backed), usando as
propriedades de linha de transmisso de um disco fino de material piezoeltrico (modelo
KLM). Dessa anlise resultou que a impedncia acstica Z
C
de uma camada de
compatibilizao / 4 deveria ter o valor calculado pela Equao:

Z Z Z
C T M
=
3
2 3
. (3.62)

para obter transmisso e faixa de passagem timos. Para 2 camadas de compatibilizao, as
impedncias acsticas Z
C1
e Z
C2
de cada camada deveriam ser calculadas pelas equaes:

Z Z Z
C T M 2
1
7
6
7
= . (3.63)
e
(1)


(3)

(2)
66
Z Z Z
C T M 1
4
7
3
7
= . (3.64)

Um transdutor perfeitamente casado com o meio de transmisso aquele que est
operando com uma camada de anteparo com impedncia acstica igual do elemento
transdutor, a qual dissipa toda a energia acstica que recebe, e camada de compatibilizao
que transmite toda a energia acstica para o meio de transmisso, sem reflexo.
Fase 2.10. A ltima etapa a colocao do terminal BNC na extremidade externa
do cabo do transdutor (que pode ser feita na etapa 2.7). O comprimento do cabo entre o
transdutor e o conector BNC de 1,5m. Novamente as curvas xf e Zxf dos transdutores
devem ser obtidas no Analisador de Impedncias, como parte inicial da caracterizao dos
transdutores. Na Figura 3.47 so mostradas algumas das etapas de construo dos
transdutores.


Figura 3.47. Foto mostrando as etapas de construo de um transdutor de ultra-som com disco de
cermica piezoeltrica. (a) disco de cermica com eletrodos de prata depositados em ambas as faces; (b) fio
soldado no eletrodo da face negativa do disco; (c) colocao do tubo de PVC e da camada de retaguarda; (d)
colocao do tubo de lato (contato eltrico com o eletrodo da face positiva); (e) colocao do revestimento
externo, da camada de acoplamento acstico e do cabo coaxial; e transdutor pronto.






(a)
(b)
(c)
(d)
(e)
(f)
67
3.5. TRANSDUTORES PIEZOCOMPSITOS
Lista de Smbolos:
Seo 3.5
k
t
fator de acoplamento eletromecnico
b largura da ferramenta de corte
a largura do elemento piezoeltrico
t espessura do elemento piezoeltrico
d passo da ferramenta de corte

proporo em volume de cermica

impedncia acstica
f
L
freqncia de ressonncia do modo lateral
f
0
freqncia de ressonncia desejada

Freqentemente deseja-se trabalhar com transdutores que tenham boa resoluo
axial. Neste caso, importante que o sinal gerado pelo transdutor tenha poucos ciclos, ou
em outras palavras, que o transdutor seja de banda larga.
Existem diversas alternativas para a fabricao de transdutores de banda larga:
cristais ou cermicas operando nos modos de vibrao superiores [26, 27]; filmes
piezeltricos, por exemplo, de xido de Zinco [28, 29]; PVDF em estruturas multi-camadas
[30]; materiais compsitos (cermicas/polmeros). As vantagens de se utilizar materiais
compsitos so a relativa simplicidade (em comparao com os filmes), eficincia (maior
que das cermicas e PVDF) e pode tornar-se desnecessrio o uso de camadas de casamento
de impedncia acstica e eltrica. Dessa forma, o transdutor torna-se mais simples, com o
desempenho desejado.

3.5.1. Materiais Piezocompsitos

Um piezocompsito (ou simplesmente compsito) um material obtido a partir da
combinao entre um material piezeltrico (cermica, polmero) e um material no-
piezeltrico (geralmente um polmero), formando um novo material piezeltrico com
diferentes propriedades.
As vantagens que podem ser obtidas com essa implementao so as seguintes (no
todas necessariamente simultneas):
68
Pode-se chegar a um fator de acoplamento eletromecnico k
t
maior que o da
cermica pura, o que se reflete em uma maior largura de banda e maior eficincia;
Reduz-se a impedncia acstica do transdutor, o que melhor para acoplamento
num meio com impedncia mais baixa como a pele, lquidos ou polmeros. A
proximidade entre as impedncias implica num mais fcil casamento, ou mesmo a
no necessidade de uma camada de casamento de impedncia.
Velocidade de propagao longitudinal prxima do material de contato (pele,
polmero etc.);
Possibilidade de se variar a constante dieltrica para ajustar-se impedncia eltrica
do circuito de excitao/recepo;
As perdas dieltricas e mecnicas podem ser menores.

Alm dessas vantagens de carter de desempenho, em geral o piezocompsito torna-
se ligeiramente malevel, possibilitando a produo de transdutores focalizados sem a
necessidade do uso de lentes, por exemplo.

3.5.2. Nomenclatura

Existe uma nomenclatura que identifica os diversos tipos de conectividade entre as
diversas fases do material compsito. Por exemplo, para um material composto por duas
fases, uma cermica e um polmero, que o caso mais comum, tem-se a representao por
dois dgitos, um para cada fase. Cada dgito pode variar entre 0 e 3, dependendo de como a
fase interliga-se com ela mesma:
0 - indica que um elemento bsico daquela fase no se interliga com outro elemento
bsico da mesma fase (por exemplo um material em partculas);
1 - indica que essa interligao se d numa dimenso (uma barra);
2 - indica que a interligao se d num plano e
3 - indica que a interligao se d nas trs dimenses.

69
Alguns exemplos so ilustrados na Figura 3.48, onde o primeiro dgito refere-se
cermica, o segundo ao polmero e cada cubo um elemento bsico citado anteriormente.
Por exemplo, transdutores compsitos 1-3 so os mais comumente utilizados.

Figura 3.48. Alguns exemplos de conectividades em materiais compsitos. O primeiro dgito refere-se
fase de cor cinza, e o segundo fase de cor branca.

3.5.3. Mtodos de fabricao

O mtodo para fabricar um material compsito depende da geometria, ou
conectividade entre as fases. Uma das geometrias mais aplicadas para transdutores
compsitos a 1-3 [31]. O mtodo mais comum utilizado para a produo de materiais
piezocompsitos tipo 1-3 a partir de cortes ao longo da superfcie de um disco cermico,
com posterior preenchimento dos espaos vazios com o polmero desejado (dice-and-fill).
Os cortes nas cermicas so feitos com uma mquina com motor de alta rotao,
que utiliza discos diamantados. Duas estratgias podem ser utilizadas: a primeira a
produo do compsito a partir de uma cermica com espessura maior que a desejada, ou
seja, com uma freqncia menor (por exemplo, de 2 MHz e aproximadamente 1 mm de
espessura). Depois disso, deve-se reduzir a espessura, utilizando uma retfica plana, at
chegar ao valor desejado.
70
Outra estratgia consiste em fazer os cortes numa cermica cuja espessura j a
desejada. Esta se apresenta um pouco mais complicada, pois ao se cortar a cermica at o
final, as barras podem ficar sem sustentao mecnica. Uma soluo no cortar as barras
em toda a sua extenso, deixando uma pequena poro prxima borda para servir de
sustentao. Ao final, essa regio descartada, podendo ser deixada sem metalizao ou ser
simplesmente eliminada.
Uma outra tcnica que pode ser utilizada para produzir transdutores compsitos a
tcnica de fraturao da cermica [32, 33]. uma tcnica que produz multi-fraturas na
cermica, que so preenchidas com um polmero. Assim, criam-se espaos aleatoriamente
distribudos, que uma caracterstica interessante por evitar as ressonncias laterais,
presentes nos compsitos produzidos com cortes peridicos. Parte-se de um disco de
cermica, que pressionado com uma espcie de pisto contra um suporte com formato de
uma calota esfrica. Entre o pisto e o transdutor coloca-se um material que preencher as
fraturas, e que ser j o backing. Assim, se produz de maneira rpida um transdutor
compsito e focalizado. Por outro lado, no se podem ter propores de polmero muito
grandes, e no h muito controle sobre as distribuies das fraturas.

3.5.4. Modelagem e Projeto

De grande importncia para a aplicao do transdutor so os modos de vibrao.
Estes dependem da geometria e das dimenses do elemento compsito. No compsito 1-3,
o modo de vibrao de interesse o de espessura, mas o projeto deve cuidar para que outros
modos no interfiram nesse modo desejado e reduzam a eficincia do transdutor. Esses
outros modos so o radial (ou planar) e lateral [34]. O modo radial aquele em que a
cermica vibra na direo perpendicular ao modo de espessura, depende do dimetro do
transdutor e no chega a interferir no modo desejado, pois geralmente essa freqncia de
ressonncia est bem abaixo da faixa de freqncia de interesse. Os modos laterais so
provenientes de ondas de superfcie que sofrem reflexes na estrutura peridica do
compsito, e podem apresentar freqncias de ressonncia prximas daquela de interesse.
71
importante salientar que o compsito como um todo vibra no modo espessura, mas cada
elemento cermico vibra no modo barra.
Um modelo simples para o material piezocompsito considera que este se comporta
como um material homogneo, cujas propriedades elsticas e eltricas equivalentes
dependem das propriedades e propores das fases constituintes. Nesse caso, as dimenses
e periodicidades do material devem ser muito menores que o comprimento de onda.
Consideraes tericas mais detalhadas so dadas em [35, 36]. As aproximaes
mais importantes so: o campo eltrico na direo de vibrao (espessura) o mesmo nas
duas fases; uma deformao perpendicular espessura numa fase compensada por uma
deformao complementar da fase adjacente; as deformaes na direo da espessura so
iguais nas duas fases.
Como exemplo, tm-se na Figura 3.49 as curvas simuladas do coeficiente de
acoplamento eletromecnico e impedncia acstica equivalentes (normalizados pelos
respectivos valores da cermica) em funo da proporo em volume de cermica () para
um compsito 1-3 (cermica PZT e polmero Araldite). Nota-se que podem chegar a
valores de k
t
quase 40% maiores que o da cermica, enquanto que a impedncia pode ser
substancialmente menor. Dependendo da espessura e da porcentagem de cermica (que
tambm define a velocidade de propagao acstica), pode-se variar a freqncia de
ressonncia do piezocompsito.

72
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
[%]
k
t
/ k
tcer
Z / Z
cer


Figura 3.49. Propriedades de um material compsito 1-3 em funo da proporo em volume de
cermica : constante de acoplamento piezeltrico (k
t
) e impedncia acstica (Z). Valores normalizados em
relao s propriedades da cermica.

3.5.5. Procedimento de Projeto

Para o projeto do elemento piezocompsito, inicialmente deve-se estabelecer a
porcentagem de cermica de acordo com as propriedades desejadas, utilizando um grfico
como o da Figura 3.49. Devem ser determinadas as dimenses indicadas na Figura 3.50.
Utilizando-se o mtodo de corte da cermica, b a largura da ferramenta de corte, a+b=d
o passo de corte e t a espessura do elemento piezeltrico. As dimenses mnimas so, a
princpio, limitadas pela ferramenta de corte e pela cermica.

Figura 3.50. Dimenses do elemento cermico (barra) e compsito 1-3 (vista superior).

73
O procedimento de projeto o seguinte:
a partir da porcentagem volumtrica de cermica, fixa-se a relao espacial a/d, pois = a
2

/ d
2
.
para que cada elemento cermico (rod) vibre no modo barra, este deve ter a espessura
maior que as dimenses laterais [31], e esta condio pode ser estabelecida fazendo-se t/a >
2. A freqncia de ressonncia do modo lateral (f
L
) deve estar distante da freqncia de
ressonncia desejada f
0
, e tambm depende inversamente da periodicidade do compsito, d
[31]. A velocidade de propagao dessa onda de cerca de 1000 m/s, e portanto deve-se ter
que f
L
~ 1000/d >> f
0
.
Por exemplo, para um compsito operando a 5 MHz com cerca de 40% de cermica
e uma espessura de 0,3 mm, tem-se que a relao espacial a/d=0,63. Escolhendo a=90m,
tem-se que t/a = 3,33 e d=140m. Nesse caso, a freqncia do modo lateral estar em torno
de 7,1 MHz e deve ser utilizada uma ferramenta de corte com espessura de 50m. Por essas
dimenses nota-se a dificuldade tecnolgica em se produzir compsitos para freqncias
acima de 5 MHz.
Os materiais assim projetados e fabricados podem, posteriormente, ser
caracterizados da mesma maneira que uma cermica comum, usando-se um analisador de
impedncias, e medindo-se sua resposta no tempo e em freqncia.
Na Figura 3.51 tem-se uma foto de um compsito aps a operao de corte (vista
superior), onde as barras de cermica esto representadas por uma cor mais clara, e pode-se
notar alguma metalizao (partes brilhantes) que no foi eliminada no processo de corte.
Posteriormente coloca-se o epxi e ambas faces do material so metalizadas com
sputtering.

74

Figura 3.51. Foto de um compsito: as partes mais claras indicam a parte cermica com metalizao, e
as partes escuras as regies do polmero. A espessura da ferramenta de corte igual a 50m (partes escuras).

Medindo as caractersticas deste compsito atravs das curvas de impedncia em
funo da freqncia, chegou-se a um valor de k
t
igual a 0,55, 25% acima do coeficiente de
acoplamento da cermica, igual a 0,44.
Um experimento foi realizado aderindo-se o compsito sobre uma linha de retardo
de acrlico de 10 mm de comprimento, e captando os ecos com um receptor de PVDF,
posicionado entre o acrlico e uma pea de vidro. Foram comparados os resultados quando
se utilizou o compsito e um transdutor comercial (Panametrics, V308SU, 5 MHz). Deve-
se ressaltar que, ao usar o compsito, no se utilizou nenhuma camada de retaguarda nem
circuito de casamento de impedncia eltrico. Os sinais no tempo e freqncia captados
pelo receptor de PVDF esto indicados nas Figuras 3.52 e 3.53, respectivamente. Nota-se
pelos espectros que a resposta quando se utiliza o compsito de banda mais larga. De fato,
medindo-se as larguras de banda de 3 dB, tem-se 2,41 MHz para o transdutor comercial e
5,51 MHz para o compsito (3,18 e 6,86 MHz para as larguras de banda de -6dB).
Nota-se o bom desempenho do piezocompsito, que poderia ser inclusive
melhorado se fossem utilizados um backing e um matching, usando os mesmos
procedimentos descritos anteriormente para a construo de transdutores. Uma dificuldade
a fabricao de transdutores de altas freqncias usando o mtodo de fabricao descrito,
devido ao problema do corte da cermica, limitando-se a cerca de 10 MHz. No entanto,
adequada para a faixa de freqncia usada em aplicaes biomdicas e de ensaios no-
destrutivos.
75

t [s]
Figura 3.52. Respostas de um receptor de PVDF com vrios emissores e uma linha de retardo de
acrlico. (a) Transdutor comercial; (b) compsito.

f [MHz]
Figura 3.53. Espectros de magnitude das respostas de um receptor de PVDF com vrios emissores e uma
linha de retardo de acrlico. (a) Transdutor comercial, (b) compsito.


76
3.6. MAPEAMENTO DE CAMPO ACSTICO DE TRANSDUTORES
PIEZOELTRICOS

O mapeamento de campo acstico pressupe o uso de hidrofones pontuais ou no
(dependendo do tipo de mapeamento requerido). Embora novas tcnicas de caracterizao
de transdutores ultra-snicos estejam disponveis como a tcnica do mapeamento angular
com hidrofones de larga rea ativa usando o espectro de diretividade [37], neste captulo
ser mostrada somente a tcnica de mapeamento pontual.

3.6.1. Hidrofones Pontuais

Atualmente, a caracterizao dos transdutores se d por meio do levantamento do
campo acstico por hidrofones pontuais (dimetro de 0,2mm a 2mm), como mostrado na
Figura 3.54, difceis de construir e que, devido sua pequena rea ativa, produzem sinais
de baixssima amplitude, complicando sua aquisio e processamento [1].

Figura 3.54. Hidrofones pontuais.

Diversos autores apresentam resultados de mapeamento de campo acstico de
transdutores de ultra-som com a finalidade de comparar o campo medido com as previses
tericas. Hayman e Weight [5] apresentaram resultados de medidas feitas com hidrofone
pontual (150 m de dimetro) em um nico ponto. Foi discutida pelos autores a
necessidade de hidrofones com ampla resposta em freqncia e o menor dimetro possvel.
Em outro trabalho, Weight e Hayman [38] compararam os campos gerados por transdutores
circulares e por transdutores quadrados, com nfase na interao entre as ondas de borda e a
77
onda plana. Hutchins e colaboradores [39] mapearam e compararam campos transientes
irradiados por transdutores de PVDF, em duas dimenses (x-z), com as previses tericas.
Eles mostraram que transdutores de PVDF podem ser construdos de modo a se comportar
como pistes planos ao vibrarem. Para registrar as variaes de presso do campo gerado
pelos transdutores de PVDF, eles utilizaram hidrofones de PZT com dimetro de 1,0mm, e
fizeram a varredura em um tanque de gua com o posicionamento do hidrofone controlado
por computador.
Apesar do grupo de Hutchins ter utilizado hidrofones de PZT, o Instituto Americano
de Ultra-som em Medicina [40] recomenda a construo de hidrofones de PVDF, pois os
hidrofones cermicos falham em importantes critrios necessrios ao bom desempenho:
largura de banda e ampla diretividade angular. Alm de critrios e requisitos de
desempenho, o AIUM estabelece e recomenda procedimentos para confeco, calibrao e
caracterizao de transdutores e hidrofones. Os hidrofones da Figura 3.54 so de PVDF e
so fabricados e distribudos comercialmente pela Precision Acoustics Ltd., sendo
hidrofones de 0,2mm de dimetro e 9 micrmetros de espessura.
3.6.2. Tanque de Ensaios Acsticos

O Laboratrio de Ultra-Som do CEB/Unicamp est equipado com um tanque com
capacidade para realizar mapeamentos acsticos conforme esquematizado na Figura 3.55.

Figura 3.55. Esquema de ligao dos equipamentos para mapeamento do transdutor.

78
No sistema acima, um gerador de funes determina a forma de onda a ser utilizada
para estimular o transdutor, e sua sada tambm dispara a varredura horizontal do
osciloscpio para aquisio da forma de onda recebida pelo hidrofone. A fim de simular a
excitao senoidal contnua, utilizam-se trens de pulsos com 10 a 20 ciclos de 1MHz a
2,5MHz e taxa de repetio de 100Hz. Este sinal amplificado para tenses prximas a 100
volts e ento aplicado ao transdutor. A freqncia da onda senoidal aplicada ao transdutor
depende de sua freqncia de ressonncia, ou seja, um transdutor montado com uma
cermica de 5MHz dever ser excitado nesta freqncia. O campo gerado captado por um
hidrofone pontual e visualizado no segundo canal do osciloscpio. A posio do hidrofone
em relao ao transdutor controlada por um sistema de posicionamento (X-Y-Z) atravs
de motores de passo. Um microcomputador utilizado para controlar os motores de passo e
capturar o sinal mostrado no osciloscpio atravs de uma interface GPIB, permitindo o
processamento deste sinal e a construo de grficos para melhor visualizao.
Ao serem estimulados, os transdutores produzem ondas de presso que se propagam
e so captadas pelos hidrofones pontuais. A propagao destas ondas aproxima da condio
ideal considerada na literatura quando ocorre em meio aquoso, portanto, os elementos
transmissor e receptor devem estar imersos em gua. Recomenda-se utilizar gua filtrada e
deionizada, e eliminar partculas e bolhas para que estes elementos no causem artefatos
nas medidas. Nestes ensaios utilizado um tanque com dimenses suficientemente grandes
para evitar que reflexes destas ondas nas paredes do tanque interfiram com os sinais
captados no processo de mapeamento. A Figura 3.56 apresenta o tanque de ensaios
acsticos disponvel no LUS-CEB, o qual tem dimenses de 700 mm x 1000 mm x 600 mm
(largura x comprimento x altura). Nele colocado o transdutor a ser caracterizado e o
hidrofone pontual posicionado sua frente e, sobre o tanque, o sistema de posicionamento
do hidrofone para a varredura ponto a ponto do campo acstico.

79

Figura 3.56. Tanque de ensaios acsticos do Laboratrio de Ultra-Som do CEB/Unicamp.

3.6.3. Posicionamento Tridimensional

Criadas as condies que mais se aproximam do meio ideal, o hidrofone pontual
deve ser posicionado frente do transdutor para captar o campo acstico gerado por ele,
como mostra a Figura 3.57. Dependendo do que se deseja observar, pode-se efetuar a
medida em um nico ponto, percorrer uma linha (o eixo acstico, por exemplo), ou varrer
todo um plano frente do transdutor, como mostrado na Figura 3.58.
A medio em um nico ponto do campo til quando se deseja verificar algumas
caractersticas de um transdutor como, por exemplo, a melhor freqncia de resposta do
transdutor, quantas oscilaes ele produz com um nico pulso de excitao, a forma de
onda destas oscilaes no campo distante, ou outra caracterstica que possa ser utilizada
para caracterizar o transdutor sob ensaio.

80

Figura 3.57. Hidrofone pontual posicionado frente do transdutor cujo campo ser mapeado.

Medies feitas ao longo de uma linha podem ser utilizadas para identificar a que
distncia do transdutor ocorre a transio de campo prximo para campo distante e a
largura do feixe ultra-snico, por exemplo.
x
y
z
x
y
z

Figura 3.58. Varredura no plano X-Z para mapeamento ponto a ponto.

Para que a informao obtida pelo mapeamento, seja em uma linha ou em um plano,
represente a distribuio do campo na regio mapeada, importante que a posio do
hidrofone em relao ao transdutor (conseqentemente sua posio no campo acstico) seja
conhecida com a melhor preciso possvel. Por esse motivo, o sistema de posicionamento
do hidrofone deve permitir deslocamentos mnimos com a resoluo desejada, que
normalmente est relacionada com o dimetro do hidrofone.
O sistema possui um motor de passo para cada um dos eixos X-Y-Z, e este motor
faz girar um fuso ao qual est acoplado o suporte do hidrofone. O conjunto motor-fuso
permite deslocamentos mnimos de 12,5m, o que corresponde a 80 passos do motor para
81
um deslocamento de 1,0mm. Como o menor hidrofone disponvel no laboratrio de
0,2mm, a resoluo do sistema de posicionamento suficiente.

3.6.4. O Programa de Controle

O controle dos motores de passo do sistema de posicionamento do hidrofone feito
por um sistema eletrnico que gera os pulsos necessrios nas bobinas destes motores, sendo
que este sistema eletrnico fornece tambm a potncia requerida movimentao de todo o
conjunto. Os sinais que indicam qual motor deve ser movimentado, qual ser o sentido do
movimento e qual a amplitude do deslocamento so gerados por um microcomputador e
passados ao sistema eletrnico que alimenta os motores. Estes sinais so de baixa potncia,
fornecidos pela porta paralela do microcomputador, e so determinados em funo dos
deslocamentos necessrios para se fazer um mapeamento completo, seja apenas o
posicionamento em um determinado ponto ou a varredura de uma linha, ou at mesmo um
plano inteiro. Para definir a seqncia de movimentao do hidrofone em um mapeamento,
existe um programa que faz a interface com o usurio. Feitas as configuraes, o
mapeamento ocorre de forma automtica, e os dados so armazenados em um arquivo
definido pelo operador.


3.6.5. Mapeamento Pontual de Campo Acstico

Utilizando o sistema de mapeamento descrito nas sub-sees anteriores, apresenta-se a
seguir o resultado de mapeamento de um transdutor construdo no LUS-CEB [41]. A
Figura 3.59 mostra o campo mapeado de um transdutor plano construdo com cermica
polarizada uniformemente. Este mapeamento confirma resultados de simulaes, tanto pelo
modelo de Zemanek quanto pelo modelo de Stepanishen. A Figura 3.60 apresenta o mesmo
campo acstico mostrando os valores relativos de presso na ordenada.
82

Figura 3.59. Mapeamento pontual de transdutor plano plano x-y.


Figura 3.60: Mapeamento pontual de transdutor plano plano x-y, viso x-y-p.

3.6.6. Mapeamento Angular de Campo Acstico

Como exemplo de mapeamento angular usando o mtodo do espectro de diretividade,
pode-se ver na Figura 3.61 o mapeamento angular do mesmo transdutor plano cujo
mapeamento angular foi mostrado nas Figuras 3.59 e 3.60. O mapeamento angular gera
grficos -t que podem ser vistos tambm como -x, se modificado o eixo horizontal pela
relao ct x = . Foram feitas medidas com 300 ngulos distintos (de -15 a +15, com passo de
0,1), e 1024 pontos no tempo para cada ngulo, resultando em uma imagem de 300 por 1024
83
pontos. Este mapeamento foi realizado em 40 minutos, mostrando-se muito mais rpido que o
mapeamento utilizando hidrofones pontuais, o qual tem uma durao aproximada de 6 horas
para produzir uma imagem de 100 por 150 pontos.



Figura 3.61. Mapeamento angular do pulso ultra-snico mostrados na forma -t. para o transdutor plano.

Para que esta imagem passe a corresponder distribuio espacial do pulso
ultra-snico, necessria uma transformao trigonomtrica do sistema de coordenadas -x
para o sistema y-x, como esquematizado na Figura 3.62.

Figura 3.62. Transformao do sistema de coordenadas -x para o sistema y-x.

Uma vez medida a distribuio espacial do campo acstico
0
( , ) p r t

, possvel
calcular o espectro de diretividade deste campo atravs da transformada (bidimensional) de
b)
84
Fourier. apresentado na Figura 3.63 o espectro de diretividade do transdutor plano (Figura
3.61).


Figura 3.63. Espectro de diretividade do transdutor plano (superior); sistema de coordenadas k
x

k
y
.(inferior).

3.7. PRINCPIO DE FUNCIONAMENTO DOS EQUIPAMENTOS DE
ULTRA-SOM

A radiao ultra-snica (ou campo ultra-snico) gerada pela aplicao de um sinal
eltrico (pulso de curta durao ou salva de senides ou ondas retangulares) a um
dispositivo transdutor com caractersticas piezoeltricas, ou seja, que converte a energia
eltrica em energia mecnica (vibraes) e vice-versa (o efeito piezoeltrico, como j visto,
aparece em alguns cristais e cermicas sinterizadas, como o Quartzo, Sal de Rochelle,
Titanato de Brio, Titanato de Zirconato de Chumbo PZT-4 e PZT-5). O transdutor,
geralmente, fica em contato com o objeto em estudo (por exemplo, o corpo de um paciente,
ou uma estrutura metlica) utilizando-se um meio de acoplamento. As ondas geradas pelo
transdutor propagam-se para o interior do objeto e interagem com as diferentes estruturas
presentes no objeto, gerando ondas (ecos) que so espalhadas e que propagam em todas as
direes e tambm na direo do transdutor emissor. Estes ecos so detectados por este
transdutor (que age como receptor). Conhecida a velocidade de propagao do ultra-som
b)
85
naquele meio, busca-se interpretar os sinais recebidos a diferentes profundidades
(distncias da face do transdutor). Se no for conhecida a velocidade, possvel determin-
la como meio de caracterizar o material. Dependendo da informao requerida possvel,
por exemplo, visualizar estruturas internas ou estimar o fluxo de um lquido em escoamento
por tubulaes ou a atenuao das ondas devido s diferenas de densidades entre as
diversas estruturas, podendo mais uma vez permitir sua caracterizao.
Um equipamento bsico de ultra-som formado por uma unidade de gerao e
transmisso dos pulsos eltricos para excitao dos transdutores, uma unidade de recepo
e amplificao dos sinais captados, uma unidade de controle e processamento que
utilizada para configurar os parmetros das unidades de transmisso e recepo e uma
unidade para visualizao dos resultados do processamento. O tipo de anlise e de
processamento efetuados nos sinais enviados e recebidos pelos transdutores depende das
informaes requeridas.
A pesquisa na rea de transdutores de ultra-som (probes) est em constante
desenvolvimento e vrios tipos tm sido utilizados em equipamentos de uso geral. A
freqncia do sinal e a largura do campo acstico gerado pelos transdutores dependem da
espessura e do dimetro do cristal piezoeltrico, respectivamente. Transdutores que gerem
altas freqncias produzem comprimento de ondas menores e campos acsticos mais
estreitos, o que melhora a resoluo mas, por outro lado, como a atenuao maior nas
altas freqncias, a profundidade atingida menor. Para corrigir em parte este problema, os
equipamentos apresentam um controle de ganho que pode ser ajustado pelo operador para
poder visualizar interfaces mais distantes da face do transdutor.
No incio da utilizao do ultra-som, era comum o uso de transdutores circulares
que faziam varredura em uma direo de uma rea de interesse e as freqncias variavam
entre 1MHz e 3,5MHz. Com o advento de novas tcnicas de fabricao e encapsulamento
das cermicas piezoeltricas, passou a ser comum o uso de transdutores do tipo matricial
(array transducers), e o acionamento de cada elemento do array passou a ser eletrnico
(varredura eletrnica). Alm do desenvolvimento da eletrnica analgica e digital, a
fabricao de transdutores de freqncia acima de 3,5MHz tornou-se comum. Isto facilitou
a utilizao do ultra-som em diversas reas, sendo muito comum na medicina sua utilizao
em oftalmologia com transdutores operando em freqncias entre 10MHz e 25MHz.
86
Ultimamente, grande a quantidade de pesquisadores que esto desenvolvendo
transdutores que chegam a operar entre 25MHz e 100MHz, com aplicao direta na
visualizao de estruturas de artrias e vasos.

3.7.1. Equipamentos Funcionando no Modo Amplitude (A-mode)
Este modo, como os demais, exceto o Doppler Contnuo, tem como base a tcnica
pulso-eco, onde um pulso de ultra-som de curta durao transmitido por um transdutor.
Este pulso viaja atravs do meio que est sendo investigado e toda vez que ocorre uma
mudana da impedncia acstica neste meio, ocorrem reflexes e estas podem ser captadas
pelo mesmo transdutor. O tempo decorrido entre a transmisso do pulso e a recepo do
eco proporcional profundidade de penetrao, o que possibilita o mapeamento
unidimensional das interfaces na direo de propagao do campo. A Figura 3.64 mostra o
diagrama em blocos de um equipamento no Modo A (aplicao biomdica).

Figura 3.64. Elementos de um equipamento no modo A (Modificado de [4]).

O circuito de pulso aplica um pulso de curta durao (da ordem de 10 a 500 ns,
dependendo da freqncia do transdutor) e alta amplitude (da ordem de dezenas ou
centenas de volts) ao transdutor atravs do circuito de chaveamento T/R, que isola os
circuitos de recepo durante a aplicao do pulso de alta energia para evitar saturao,
sobrecarga e danos dos mesmos e, durante a recepo, deixa passar os ecos de baixa
amplitude (da ordem de unidades a dezenas de milivolts, dependendo da atenuao do meio
87
e da energia inicial aplicada ao transdutor). O transdutor gera uma onda ultra-snica (pulso
incidente) que se propaga na estrutura em exame e sofre reflexes nas interfaces dos meios
1 e 2 (Z1/Z2 e Z2/Z1). Os ecos gerados nessas interfaces so captados pelo transdutor (que
passa a operar como receptor), amplificados e condicionados nos circuitos de recepo
(utilizando-se circuitos demoduladores que geram a envoltria do sinal, controle de ganho
varivel com o tempo, circuitos que realizam compresso logartmica para permitir que
ecos muito longos ou muito curtos sejam mostrados na mesma escala, comparadores de
limiar, filtros analgicos, etc.) e depois so mostrados no display (TRC Tubo de Raios
Catdicos) de forma semelhante ao que feito em um osciloscpio, onde o eixo horizontal
representa a varredura ao longo do tempo (distncia) e no eixo vertical do display so
mostradas as amplitudes dos sinais recebidos aps terem sido amplificados e condicionados
adequadamente. O display pode ainda ser do tipo LCD ou outra tecnologia. A Figura
3.65 mostra a seqncia de passos normalmente implementada no processamento do sinal
recebido no Modo A.

88
Figura 3.65. Seqncia de passos implementada no processamento do sinal recebido no Modo A.

3.7.2. Equipamentos Funcionando no Modo Brilho (B-Mode)

O Modo B produz uma imagem bidimensional do meio sob estudo pela combinao
dos sinais do Modo A em vrias direes, obtidos pelo deslocamento mecnico do
transdutor (ou por varredura eletrnica de uma matriz de cermicas piezoeltricas
devidamente montadas em um probe). A posio do transdutor determinada medindo-se
o ngulo entre a armao que serve para sustentar e direcionar o mesmo e uma determinada
referncia. Este modo pode ser melhor entendido considerando-se uma linha no Modo A,
modificada de tal forma que a amplitude do sinal recebido no cause um deslocamento
vertical do feixe do tubo de raios catdicos, mas sim aumento ou diminuio do brilho. O
eixo na direo de propagao do pulso, da mesma forma que no Modo A, representa a
profundidade de penetrao ou distncia. A Figura 3.66 mostra como uma linha do Modo B
pode ser obtida a partir do Modo A para o mesmo objeto e a Figura 3.67 mostra o diagrama
em blocos de um equipamento no Modo B com varredura mecnica. Os circuitos para
gerao do pulso de excitao do transdutor, chaveamento, amplificao e condicionamento
dos ecos recebidos so semelhantes aos descritos anteriormente para os equipamentos no
modo A, sendo que a diferena est no fato que a sada do circuito de recepo, neste caso,
modula o brilho de cada linha no display (TRC). A direo de cada linha (dada pelo
ngulo ) determinada pelos transdutores de posio adaptados ao suporte para o
transdutor ultra-snico. Aps a varredura completa da regio desejada, a imagem em duas
dimenses atualizada no display. importante ficar claro que a varredura pode ser
eletrnica.
89

Figura 3.66 Obteno de uma linha do Modo B a partir do sinal do Modo A.

Figura 3.67 Elementos de um equipamento no Modo B. (Modificado de [4]).

importante e necessria a utilizao de mtodos de varredura que permitam obter
imagens em tempo real como a varredura mecnica ou a varredura eletrnica. A Figura
3.68 mostra alguns modos de varredura mecnica para obter setores no Modo B e a Figura
3.69 mostra o mecanismo de funcionamento de um arranjo de 5 elementos em um
transdutor matricial linear para realizar a varredura eletrnica, onde o direcionamento do
feixe obtido por meio de atrasos na excitao dos transdutores.
90

Figura 3.68 Varredura mecnica no Modo B: (a) Rotao do transdutor; (b) Oscilao do transdutor; (c)
Oscilao do refletor.
91

Figura 3.69 Arranjo de 5 elementos de um transdutor matricial linear para varredura e direcionamento
do feixe eletronicamente: (a) paralelo; (b) inclinado; (c) focalizado (d) focalizado e inclinado (Modificado de
[3].

As imagens de ultra-som so geralmente bidimensionais (2D) como pode ser visto
na Figura 3.70. No caso de imagens obtidas com outros tipos de radiao, como em
tomografia computadorizada por Raios-X, comum buscar-se a visualizao tridimensional
(3D) das estruturas e rgos internos do corpo. No caso do ultra-som, a obteno de
imagens tridimensionais difcil e se encontra em estgio ainda inicial, embora muitas
92
pesquisas e desenvolvimento estejam sendo realizados com sucesso por pesquisadores e
empresas.

(a) Imagem obtida com transdutor matricial com varredura linear.

(b) Imagem obtida com transdutor matricial com varredura setorial.
Figura 3.70 - Imagens 2D obtidas com transdutores matriciais especficos para (a) varredura linear e (b)
setorial. (Imagens cedidas pela ATL Ultrasound - 2000 ATL Ultrasound).





93
Aplicaes do modo B
Os instrumentos no Modo B representam a grande maioria dos equipamentos de
ultra-som para diagnstico atualmente, principalmente devido ao grande nmero de regies
anatmicas que podem ser observadas com este modo e tambm a facilidade na
interpretao de imagens em duas dimenses e mais recentemente em 3 dimenses.
Uma das principais aplicaes deste modo est na obstetrcia, onde a taxa de
crescimento, posio e anormalidades podem ser observadas sem o risco de submeter o feto
e a me radiao X. A localizao da placenta ou a presena de gmeos podem ser
tambm verificadas facilmente. Na ginecologia este modo pode ser utilizado na
identificao de tumores malignos e cistos no ovrio.
Na regio abdominal podem ser obtidas imagens do fgado, do bao, da vescula
biliar e dos rins. As anormalidades causadas por tumores ou outras leses nessa regio
podem ser facilmente observadas neste modo.
Outras aplicaes incluem a obteno de imagens do seio para diagnosticar a
presena de tumores e tambm imagens de alguns pontos do corao. Imagens do corao
ficam bastante limitadas visto que o mesmo fica praticamente todo envolvido pelo pulmo,
onde a presena de ar nos alvolos impede a passagem das ondas ultra-snicas atravs do
mesmo e para solucionar este problema, so utilizados transdutores especiais (trans-
esofgicos) ou o acesso feito pela regio do abdome.

3.8. REFERNCIAS

1. E.T. Costa, Development and Application of a Large-Aperture PVDF Hydrophone for
Measurement of Linear and Non-linear Ultrasound Fields. PhD Thesis, University of
London, 1989.
2. P.N.T. Wells, Biomedical Ultrasonics, Academic Press Inc., New York, pp.635, 1977.
3. J. D. Bronzino, Biomedical Engineering and Instrumentation: Basic Concepts and
Application. BWS - Kent, p. 347-386, 1986.
4. D. A. Christensen, Ultrasonic Bioinstrumentation. ed. John Wiley & Sons, New York, ,
235 p., 1988.
94
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by Circular and Square Transducers. J. Acoust. Soc. Am., vol 66, 945-951, 1979.
6. G. S. Kino, Acoustic Waves: Devices, Imaging, and Signal Processing, ch. 3, Prentice
Hall, New Jersey, 1987.
7. J. Zemanek, Beam Behavior within the Nearfield of a Vibrating Piston. J. Acoust.
Soc. Am., vol. 49, 181-191, 1971.
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Mathematika, vol. 16, 209-224, 1969.
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