Clase 1 - Introducción A Los Sistemas Electrónicos de Potencia 2011

CURSO: ELECTRNICA INDUSTRIAL
Profesor: I ng. Oscar A. Inostroza

I IN NT TR RO OD DU UC CC CI I N N A A L LO OS S S SI IS ST TE EM MA AS S E EL LE EC CT TR R N NI IC CO OS S
D DE E P PO OT TE EN NC CI IA A

Definiciones y Conceptos
Aplicaciones
Semiconductores de Potencia
Conmutadores (Switches)
Puerta/ Conductores de base (Gate/base drivers)
Prdidas (Losses)
Dispositivos de frenado o amortiguacin de transientes (Snubbers)

1. DEFINICIONES Y CONCEPTOS

DEFINICIN: Para convertir, o sea, procesar y controlar el flujo de potencia/energa
elctrica suministrando voltajes y corrientes en una forma que es ptima para cargas de
usuario.

Diagrama de bloques Bsico

Construccin de los bloques:

Potencia de entrada (Input Power), Potencia de salida (Output Power)

Procesador de potencia (Power Processor)

Controlador (Controller)

Profesor: I ng. Oscar A. Inostroza 2

Sistemas Electrnicos de Potencia (Power Electronics
Systems: PES)

Para convertir energa elctrica de una forma a otra, es decir, desde la fuente para cargar
con, debe existir:
o la eficacia ms alta,
o la disponibilidad ms alta
o la fiabilidad ms alta
o menores costos
o menor tamao
o el menor peso.

Aplicaciones Estticas

Implica componentes que no giran o se mueven. Por ejemplo: Fuentes de
alimentacin de Corriente Continua, Fuentes Ininterrumpibles de potencia (UPS),
Generacin y transmisin de Potencia (HVDC), Electro-deposicin, Soldaduras,
Calefaccin, Refrigeracin, Ballasts Electrnicos.

Aplicaciones de Conduccin (Drive applications)

Contienen movimientos o giro; componentes tales como motores. Por ejemplo:
Trenes elctricos, Vehculos elctricos, Sistemas de aire acondicionado, Bombas,
Compresores, Cintas transportadoras (automatizacin en plantas).

EJEMPLOS:
Aplicacin
Esttica:
Fuente de
Poder de
Corriente
Continua

Aplicaciones de
Conduccin: Sistema
de Aire Acondicionado


Conceptos de Conversin de Potencia
Algunos Ejemplos

Suministro de la Red: 50 Hz, 240V RMS
(340V peak). El cliente requiere Corriente
Continua para propsitos de soldadura.

Onda sinusoidal de la Red entrega una
componente nula de corriente continua.

Podemos usar rectificador de media onda. Un voltaje DC ahora se puede obtener.

Voltaje Promedio de Salida:

Qu hacer cuando un cliente desea obtener un
voltaje DC variable?

Respuesta: Un circuito ms complejo usando
SCR (Silicon Controlled Rectifier) es requerido.


El voltaje de salida promedio resulta:

Por medio de controlar el ngulo de disparo
, el voltaje de salida DC (despus de la
conversin) puede variar. Se requiere de un
sistema de electrnica ms sofisticada
para efectuar los disparos de corriente en
pulsos para el SCR.

AC - DC: RECTIFICADOR

DC - DC: CHOPPER

DC - AC: INVERSOR


Escenario de Energa

Se necesita reducir la dependencia de combustible fsiles: petrleo, carbn, gas natural y
energa nuclear. La reduccin de estas fuentes es esperada.

Golpe de Fuentes de ener4gas renovables: solar, viento, celdas de combustible, mareas.

Ahorros de energa por medio de aplicaciones de dispositivos de Electrnica de Potencia
(PE). Ejemplos: sistemas de aire acondicionado usando la velocidad del compresor
variable (30% de ahorro comparado con el dispositivo controlado por termostato),
Iluminacin usando un ballast electrnico, lo que aumenta el uso de luz fluorescente en
un 20%.

Temas Ambientales

Seguridad Nuclear: las plantas de energa nuclear se mantienen radioactivas por miles de
aos.

Quema de combustible fsiles emiten gases tales como CO2, CO (combustin de aceite),
SO2, NOX (combustin de carbn). Se crea una alerta global por el efecto Invernadero,
lluvia cida y la polucin urbana de los humos.

Algunas posible soluciones por medio del uso de Electrnica de Potencia. Por ejemplo:
fuentes de energa renovables, descentralizacin de las plantas de energa en reas sub-
urbanas, vehculos elctricos.

C Cr re ec ci im mi ie en nt to o d de e l la a E El le ec ct tr r n ni ic ca a d de e P Po ot te en nc ci ia a

Su crecimiento se debe a:

Avance en switches y circuitos de potencia semiconductores.
Avances en microelectrnica (DSP: Digital Signal Processing, VLSI: Very Large
Systems Integration, microprocessor/microcontroller, ASIC: Applications for specific
integrated circuits)
Nuevas ideas en algoritmos de control
Demanda por nuevas aplicaciones.

La Electrnica de Potencia es un campo interdisciplinario

Electrnica digital/analgica
Potencia y energa
Microelectrnica
Sistemas de control
Computacin, simulacin y software
Fsica de estado slido y sus componentes
Embalaje
Transferencia de calor.

D Di is sp po os si it ti iv vo os s d de e P Po ot te en nc ci ia a s se em mi ic co on nd du uc ct to or re es s
(Switches de Potencia)

Switches de Potencia:
Burro de carga de los sistemas basados en Electrnica de Potencia.

Operan bajo dos estados:

Completamente abiertos o en on, i.e.: switch cerrado.
Estado de Conduccin.

Completamente fuera o off, i.e.
switch abierto.
Estado de bloqueo.

Los switches de Potencia nunca operan
en modo lineal.

Pueden ser categorizados en tres Grupos:

No controlados: Diodo.

Semi-controlado: Tiristor (SCR).

Completamente controlado: Transistores de potencia. Por ejemplo:

o BJT: Bipolar Junction Transistor,
o MOSFET: Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor,
o IGBT: Insulated Gate Bipolar Transistor,
o GTO: Gate Turn-Off Thyristor,
o IGCT: Integrated Gate-Commuted Thyristor.


D Di io od do os s d de e P Po ot te en nc ci ia a

Cuando un diodo es polarizado en directa, conduce corriente con un pequeo
voltaje en directo (Vf) a travs de l (0.2-3 Volts).

Cuando se encuentra en reversa (o estado de bloqueo) una corriente mnima de
salida o corriente de prdida (uA a mA) fluye hasta que la depresin reversa
ocurre.

Los diodos no deben operar a voltajes mayores que Vr.

Recuperacin Inversa, opuesta o de Reversa


Cuando un diodo es conmutado rpidamente despus de una polarizacin
inversa, contina conduciendo debido a portadores minoritarios que se
encuentran en su juntura p-n.

Los portadores minoritarios requieren un tiempo finito, i.e, trr (reverse
recovery time) para recombinarse con la carga opuesta y neutralizarse.

Los efectos de la recuperacin inversa han aumentado las prdidas de
conmutacin, las tasas de voltaje se han incrementado y sobre voltajes
(spikes) en cargas inductivas han aparecido.

Factor de Suavidad, Sr


T Ty yp pe es s o of f P Po ow we er r D Di io od de es s

Frecuencia de Lnea (propsitos generales):

Voltaje determinado: muy bajo (bajo 1 Volt)
Largo trr (alrededor de 25us) (muy baja respuesta)
Alta rango de corriente (sobre 5kA)
Muy alto rango de voltaje (5kV)
Uso en aplicaciones con frecuencia de lnea, tales como rectificadores.

Alta recuperacin

Muy bajo trr (<1us).
Niveles de potencia a varios cientos de volts y varios cientos de amperes.
Normalmente usados en circuitos de alta frecuencia.

Schottky

Baja cada de voltaje directo (tpico 0.3V)
Voltaje de bloqueo limitado (50-100V)
Usado en aplicaciones de bajo voltaje y elevada corriente, tales como
fuentes de potencia conmutadas o bajo modo de conmutacin.

T Ti ir ri is st to or r ( (S SC CR R) )


Si el voltaje directo de ruptura (V
bo
) es excedido, el SCR se auto-dispara a
un estado de conduccin.

La presencia de corriente de compuerta disminuir V
bo
.

Condiciones Normales en Tiristores operan cuando el dispositivo se
encuentra en el estado de bloqueo directo, esto es si V
ak
es positivo. Una
corriente de puerta o gate (I
g
) es aplicada.

Una vez que est en conduccin, la corriente de nodo es alcanzada (latch).
V
ak
colapsa a la cada de voltaje directa normal, que tpicamente es 1.5-3V.

En modo de polarizacin inverso, el SCR se comporta como un diodo.

Conduccin de un Tiristor

Los Tiristores no pueden apagarse aplicando una corriente negativa (inversa)
en la puerta o gate. Solo pueden apagarse si Ia se coloca en inversa o
negativa. Esto ocurre cuando la parte negativa de la seal sinusoidal ocurre
(conmutacin natural).

Otro mtodo de apagar un Tiristor es con una conmutacin forzada. La
corriente del nodo es enviada a otro circuito (se drena).


Tipos de Tiristores

Controlados por Fase

Rectificadores de voltaje de frecuencia de lnea y corriente DC y en
dispositivos o motores DC.

Capacidades de alto voltaje (sobre los 7kV) y corrientes sobre los 4kA.

Cadas de voltaje bajas (1.5 a 3V).

Por Inversin gradual

Usado en Inversores y choppers.

Relativamente rpidos. Pueden ser prendidos usando el mtodo de
conmutacin forzada.

Activados por Luz

Similar al controlado por fase, pero disparado por pulsos de luz.

Normalmente muy elevado rango de tensin.

TRIAC

Tiristores de polaridad dual.

Switches controlables (Transistores de potencia)

Pueden ser prendidos ON y apagados OFF con relativamente
pequeas seales de control.

Operan solamente en modos de SATURACIN (Saturation) y CORTE
(Cut-Off).

No se permiten operaciones en la regin lineal, debido a excesivas
prdidas de potencia.

En general, los transistores de potencia no operan en modo latch.

Dispositivos Tradicionales: BJT: Bipolar junction transistors, MOSFET:
Metal oxide silicon field effect transistor, IGBT: Insulated gate bipolar
transistors, GTO: Gate turn-off thyristors. Dispositivos Emergentes:
GCT: Gate controlled thyristors.


B BJ JT T: : B Bi ip po ol la ar r J Ju un nc ct ti io on n T Tr ra an ns si is st to or r

Rangos:
Voltaje: V
CE
<1000,
Corriente: I
C
<400A.
Frecuencia de Conmutacin hasta 5kHz.
Bajo voltaje de encendido V
CE (sat)
: 2-3V.

Baja corriente de ganancia (<10).

Necesita una elevada corriente de base para obtener un I
C
razonable.

Complejo y caro circuito de base.

No es popular en nuevos productos.

BJT Par Darlington (Darlington
Pair):


Normalmente es usado cuando se requiere una alta ganancia de corriente.

M MO OS SF FE ET T ( (M Me et ta al l O Ox xi id de e S Si il li ic co on n F Fi ie el ld d E Ef ff fe ec ct t T Tr ra an ns si is st to or r) )

Rangos:
Voltaje VDS<500V,
Corriente IDS<300A.
Frecuencia f >100KHz. Para algunos dispositivos de baja potencia
(algunos cientos de watts) puede alcanzar un rango de MHz.

El Encendido on y off es muy sencillo.

Se enciende (Turn on): V
GS
=+15V
Se apaga (Turn off): V
GS
=0 V y 0V para turn off.

Circuito de Gate es simple.


Caractersticas del MOSFET

Bsicamente un dispositivo de bajo voltaje. Dispositivos de elevado voltaje
estn disponibles sobre 600 volts pero con corriente limitada. Pueden usarse
en configuracin paralela para aumentar la corriente disponible.
La Resistencia interna (dinmica) entre drenaje (drain) y fuente (source)
durante el estado de ON, R
DS (ON)
, limita el manejo de potencia disponible del
MOSFET. Se observan elevadas prdidas para dispositivos de de alto voltaje
debido a R
DS (ON)
.
Dominante en aplicaciones de alta frecuencia (>100kHz). Mayores
aplicaciones son de dispositivos de potencia bajo modo switch o conmutado.

I IG GB BT T ( (I In ns su ul la at te ed d G Ga at te e B Bi ip po ol la ar r T Tr ra an ns si is st to or r) )

Combinacin de BJT y MOSFET caractersticas

Comportamiento de Gate similar al MOSFET, sencillo de encender (to turn) y
de apagar (turn off).

Bajas prdidas como BJT debido a bajo voltaje Colector-Emisor activo (2-3V).

Rangos:
Voltaje: V
CE
<3.3kV,
Corriente: I
C
<1.2kA actualmente disponible. ltimamente: HVIGBT 4.5kV/1.2kA.
Frecuencia de conmutacin sobre los 100KHz. Aplicaciones tpicas: 20-50KHz.


G GT TO O ( (G Ga at te e t tu ur rn n- -o of ff f t th hy yr ri is st to or r) )

Se comporta como un Tiristor normal, pero puede ser apagado (turned off)
usando la seal de gate.

Sin embargo el apagado (turning off) es difcil. Necesita una elevada corriente
de gate en reversa (normalmente 1/5 de la corriente de nodo).

El diseo de conduccin de Gate es muy difcil debido a la elevada corriente
de gate en reversa para apagarlo (turn off).

Rangos:

Rangos de switchs de alta potencia:
Voltaje: V
ak
<5kV;
Corriente: I
a
<5kA.
Frecuencia<5KHz.

Competencia muy fuerte:
Baja para IGBT.
Alta para IGCT.


I IG GC CT T ( (I In ns su ul la at te ed d G Ga at te e- -C Co om mm mu ut ta at te ed d T Th hy yr ri is st to or r) )

Entre los ltimos Switches de Potencia.

Conduce como un Tiristor normal (latching), pero puede ser apagado usando
la seal de gate, similar al apagado del IGBT; 20V es suficiente.

El switch de potencia est integrado con la unidad de conduccin del gate.

Rangos:

Voltaje: V
ak
<6.5kV;
Corriente: I
a
<4kA.
Frecuencia<1KHz.
Actualmente dispositivos de 10kV han sido desarrollados.

Muy bajos voltajes de encendido on state: 2.7V para dispositivos de 4kA.

S Sw wi it tc ch he es s P Po ot te en nc ci ia a: : R Ra at ti in ng g d de e P Po ot te en nc ci ia a

Circuito de conduccin (Base/gate)

Interface entre control (electrnica de baja potencia) y switches (alta potencia).
Funciones:

Amplificacin: amplifica la seal de control a un nivel requerido por el
switch conductor de potencia.

Aislacin: provee aislacin elctrica entre el switch de potencia y el
nivel lgico.

La complejidad de los drivers vara marcadamente entre los switches.

Drivers MOSFET/IGBT son simples.

Drivers GTO y BJT son complicados y costosos.

Ejemplo: MOSFET gate driver

Nota: El MOSFET requiere V
GS
=+15V para activarse o prenderse y 0Volts
para apagarse. El LM311 es un simple amplificar con salida de colector
abierto Q1.

Cuando B1 esta alto, Q1 conduce. V
GS
es llevado a tierra, y el MOSFET esta
apagado o fuera.

Cuando B1 esta bajo, Q1 estar cortado. V
GS
ser llevado a V
GG
. Si V
GG
es
colocado en +15Volts, el MOSFET estar prendido o en estado on.

Efectivamente, la potencia para activar un MOSFET proviene de la fuente
externa de potencia V
GG.

Aislacin:

Aislacin usando un Transformador de Pulso:

Aislacin usando un Opto-acoplador:

Comparacin de Switches (2003)

Ejemplos de Aplicaciones

Para las siguientes aplicaciones, elija el mejor switch de potencia y las razones del
porqu:

Inversor para sistema de iluminacin de la va ferroviaria, operando en CC de
750 volts. El tren opera en un rango de 150 kW. El motor de induccin puede
operar desde detenido a hasta 200 Hz. Con switches de frecuencia de
potencia hasta 10KHz.

Disear una fuente de potencia conmutada para un sistema remoto de
telecomunicaciones. El voltaje de entrada es desde un arreglo fotovoltaico
que produce una tensin de salida mxima de 100 Volts y una corriente
mnima de 200 Amperes. La frecuencia de conmutacin 100kHz.

Un sistema de transmisin de potencia de 300 MW (HVDC), que transfiere
potencia desde un sistema alterno (CA) a otro sistema alterno (AC). Ambos
operan a 50 Hz, y el link de tensin DC entre los sistemas opera a una
tensin de 2.0 kV.
P P r rd di id da as s e en n S Sw wi it tc ch hs s d de e P Po ot te en nc ci ia a

Por qu es tan importante considerar las prdidas en los switchs de potencia?

Para asegurar que el sistema opera confiablemente bajo las condiciones
ambientales pre-establecidas.
Que los sistemas de remocin de calor (por ejemplo: drenajes de calor,
radiadores, enfriadores o refrigerantes) puedan ser especificados. Las
prdidas en los switchs afectan la eficiencia del sistema.
Los sistemas de drenaje de calor o cualquier otro sistema que remueva
el calor son generalmente costosos y abultados. Esto puede ser un costo
sustancial en el total del sistema.
Si un switch de potencia no es refrigerado o enfriado hasta la temperatura
de unin especificada, la capacidad completa de potencia del switch no
puede alcanzarse. Una alteracin del rango del switch de potencia
deber ser incorporada.
Principales prdidas: prdidas de conduccin, prdidas por estados de
bloqueo, prdidas de conmutacin.

Prdidas de conduccin:

Switch Ideal:

El voltaje es nulo entre sus bornes cuando est activo (V
on
).
A pesar que la corriente directa (I
on
) puede ser alta, las prdidas en el
switch son nulas.

Switch Real:

Los objetos expuestos entregan un voltaje de conduccin (estado on), que
es entre 1-3Volts, dependiendo del tipo de switch, durante en encendido.
Las prdidas se miden multiplicando la cada de tensin a travs del
producto V
on
por la corriente, I
on
, promediada en el periodo.
Hay mayores prdidas en baja frecuencia y CC.

Prdidas por estados de bloqueo:

Durante el apagado el switch bloquea elevadas tensiones.
Idealmente no debera fluir ninguna corriente a travs de switch. Pero para
switchs reales, un pequeo monto de corriente de prdidas pueden fluir. Esta
corriente lo apaga y crea una prdida por estado de bloqueo.
La corriente de prdida durante el estado de apagado es normalmente muy
pequea, por lo que usualmente esta corriente de prdida es despreciada.

Prdidas por Conmutacin (Switching):

Switch Ideal:

Durante el apagado y el encendido, los switches ideales requieren un tiempo
de transicin nulo. Tanto el voltaje o tensin como la corriente son
conmutados instantneamente.
Las prdidas de potencia debida a la conmutacin son cero.

Switch Real:

Durante la transicin de conmutacin, el voltaje requiere un tiempo para caer
y la corriente requiere un tiempo para subir.
Las prdidas por conmutacin son el producto de la tensin y corriente de
transicin.
Mayores prdidas ante operaciones de alta frecuencia.

S Sn nu ub bb be er rs s ( (D Di is sp po os si it ti iv vo os s d de e f fr re en na ad do o d de e t tr ra an ns si ie en nt te es s) )

Las construcciones de PCB, los loops de alambrados crean una Inductancia
ociosa, L
s
.
Usando KVL,

Ya que d
i
/d
t
es negativo (apagado),

RCD Snubbers
La tensin a travs del switch es mayor que el de la fuente (por un corto
perodo). Esto se denomina spike.
El spike puede exceder el
voltaje de bloqueo
especificado para el switch
y puede causar daos por
sobre-tensin o sobre-
voltaje.
Un snubber es colocado a
lo largo del switch. Un
ejemplo de un snubber es
un circuito RCD, que se
muestra a continuacin.
Los circuitos snubber suavizan la transicin y hacen que la tensin del switch
suba ms lentamente. Efectivamente se amortigua la sobre-tensin y lo lleva
a un valor ms seguro.


En general, los snubbers son utilizados para:

1. En encendido (turn-on): para minimizar elevadas sobre-corrientes a
travs del dispositivo durante el encendido.
2. Apagado (turn-off): para minimizar sobre-voltajes elevados durante el
apagado en el dispositivo.
3. Reduccin de stress: para formar la onda del dispositivo, de manera
que la tensin y la corriente asociadas no sean elevadas
simultneamente.
4. Switches y diodos requieren de snubbers. Sin embargo, la nueva
generacin de IGBT, MOSFET e IGCT no los requieren.

Switch de Potencia Ideales
vs. Prcticos

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