Como Testar IGBTs e MOSFETs de Potncia com o Multmetro

(INS010)

Escrito por Newton C. Braga
Qua, 16 de Dezembro de 2009 13:39
Muito se apregoa que o multmetro o mais til de todos os instrumentos com que o profissional da
eletrnica pode contar. No entanto, a maioria dos usurios deste instrumento, baseados unicamente no
que aprendem nos cursos tcnicos e de engenharia, apenas sabem us -lo nas medidas bsicas: tenso,
corrente e resistncia. O multmet ro muito mais do que um medidor de apenas trs grandezas:
sabendo us-lo podemos obter muito mais que isso, testando componentes, tendo idia sobre formas de
onda e distoro de um circuito e at detectando sinais de RF. Veja neste artigo algumas destas
aplicaes incomuns do multmetro.

No nosso livro Curso de Instrumentao Eletrnica O Multmetro, insistimos no fato de que no basta
saber usar o multmetro na medida de trs grandezas bsicas, corrente, resistncia e tenso, para se
poder izer ued q a ua lsidadfeinast omepletac.
O multmetro muito mais, mas para que ele possa ser usado em funes que vo alm de simples
medidas iretasd recisop aber s rprienttaer uas s icaineds.
O movimento da agulha, a oscilao de valores de uma escala digital , a escala usada e o modo como o
instrumento ligado ao circuito em teste so alguns fatores que poucos profissionais sabem interpretar
e er orretamente. faz c
Com um simples multmetro,mesmo de baixo custo, testes de componentes e de circuitos podem revela r
coisas que os leitores no imaginam. Alguns testes incomuns que podem ser feitos com um multmetro
so nalisados ste rtigo. a ne a

Como star Ts Te IGB
Os IGBTs so amplamente utiilzados em inversores de freqncia, controles de potncia, fontes
chaveadas e c onversores DC. DC/
Estes componentes possuem caractersticas hbridas, com uma porta isolada como um MOSFET e
junes ntree oleotocr meisseor omoc umnstisrator ipolabr.
A urfaig 1st mrao mobsolo dotaado arap preresentar um IGBT.


Um dos testes mais comuns para a prova de um IGBT o teste dinmico que consiste em se colocar
como carga uma lmpada de 40 a 100 W no seu coletor e alimentar o circuito com uma tens o de at
20 DC. V

Com a comporta ligada ao emissor do transistor, ele deve permanecer no corte e com isso a lmpada
apagada.

Ligando a comporta ao coletor (o que deve ser feito com um resistor de 10 k ohms), o transistor satura
e amlpada ceande. tEes procedimento indmico mstorado naufirga 2.



Se a lmpada permanecer acesa nas duas prova o IGBT est em curto e se permanecer apagada, o IGBT
est aberto. O leitor deve estar atento para a mxima tenso que pode ser aplicada entre a comporta e
o missoer o ndsi tra stor ue mq ereal g . 20 V

Se o teste for feito com tenses maiores, a tenso aplicada comporta deve ser sempre inferior 20 V.

No entanto, um teste semelhante pode ser feito com multmetro analgico e mesmo com alguns tipos de
multmetros digitais que tenham tenso de prova suficiente para satur-lo, quando colocados nas escalas
de resistncias ou teste de diodos. Para esta finalidade podemos inicialmente fazer um teste de curto -
circuito, onforme sctra urma o a fig 3.



Medimos inicialmente a resistncia entre os terminais de gate e o coletor e depois entre o gate e o
emissor.
Nas duas medidas devemos ter leituras de altas resistncias. Por alta resistncia entendemos valores
acima e hms. d 10 M o
Se em qualquer das medidas tivermos uma leitura de baixa resistncia ou mesmo mdia (entre 10 k e
1M ohms), o IGBT est inutiilzado por curto ou ainda fuga excessiva. Se ele p assar neste teste,
medimos sistncaiar e ntre oleetor cmissor.e e
Num sentido ela deve ser alta e no outro baixa, pois devemos considerar o diodo de proteo que estes
componentes m, onfotrme c stra moura a fig 4.

Uma leitura de baixa resistncia nas duas medidas indica um IGBT em curto e uma leitura de resistncia
algo baixa onde deveria ser muito alta (entre 10 k e 1 M) indica um componente com fugas. Em ambos
os asos, c ompoonecnte o even erd izasdo.util
Dependendo da etnso da bateria do multm etro, pode esr realizado um teste de comutao
relativamente simples. Para si so, utiilzamos a conexo da figura 4 com o multm etro numa e scala
intermediria e sistncias. d re
Tocando com uma chave de fendas ou fazendo uma ponte entre o gate (g) e o coletor (C) do transistor,
ele eve omutar. d c
Isso far com que a resistncia caia, passando de um valor muito alto para um valor mais baixo que
depende as d aracctersticas o d IGBmT e sttee oe drpprio mmulettro.
No entanto, preciso levar em conta que a bateria interna de alguns multm etro no tem tenso
suficiente para levar o componente a conduo. Para no ter dvidas se este teste se aplica com o
multmetro de que se dispe, ser interessante tentar com um IGBT que sabemos estar em bom estado.
Uma forma de se testar um IGBT com o multmetro no caso de no ser possvel a prova direta descrita
a strada ura mo na fig 5.


Uma bateria de 9 V fornece a tenso necessria polarizao do componente e com isso uma leitura de
corrente aumentando com o toque pode ser feita para o caso de um componente em bom estado.


Como star ower SFETTe P MO
Partindo do princpio de que em muitas aplicaes os MOSFETs de potncia substituem os IGBTs, o
procedimento e destte e d umo dperia ers oncsiderado lvido arpa o utoro.
No entanto, existem algumas diferenas a serem consideradas o que nos leva a um procedimento algo
diferenciado ue assameoqs pescrever. a d
Assim, o teste dinmico, que tambm pode fazer uso do multmetro, consiste em alimentar o MOSFET de
potncia ocm umaetnso ocnt nua netre 12 e 25 , Vocnforme msotra a fuigra 6.


A carga tanto pode ser uma lmpada de acordo com a tenso usada na alimentao como um resistor
de 1 a 22 , khoms x 2 Wuo ed isdsipao mioar es uasrmos o mumltetro.
Sem polarizao de comporta, o transistor permanece no corte e a lmpada apagada. A tenso medida
no aso co sidstorre eve der sla un u o mauixitao. b
Se a lmpada permanecer acesa ou com brilho reduzido, ou ainda se a tenso medida no for nula, isso
indica nsuismto rt ram urtoe u com ogacs. fu
Numa segunda etapa, ligamos a comporta do transistor ao positivo da alimentao, conforme mostra a
figura 7.


Isso deve fazer com que o transistor v saturao e temos duas possibilid ades de indicao. No caso
da lmpada, ela deve acender com bom brilho e no caso do multmetro a tenso indicada deve subir
para em erto b a pnso de telimentadao.
Veja uqe sete tsete efito edsta froma n oacso ed trnasistores MOFSET ed acnal N.
Para MOSFETs ed acnal Pedvemos inevrter s a oplaridades ads ent ses palicadas.
O uso do multmetro sem nenhum componente adicional tambm pode ajudar a revelar o estado de um
MOSFET de potncia. Para isso devemos considerar se este componente possui ou no o diodo de
proteo rna, oinntfeorme c stra mgoura a fi 8.


Colocando o multmetro numa escala intermediria de resistncias (Ohms x10 ou ohms x100) medimos a
resistncia entre o dreno d() e a fonte s(), nos dois sentidos, conforme mostra a figura 9.


Num sentido ( quando o diodo se encontra polarizado no sentido direto) temos uma baixa resistncia. No
sentido inverso (quando o diodo se encontra polarizado no sentido inverso) temos uma alta resistncia.

Entendemos orp ltaa srisetncia, esnte asco, alovres cima a e d 1 Mh mos.
Duas sistrencias aixabs dicianm ue q onstirsator st em eurtoc.

Uma resistncia intermediria (entre 10 k e 1 M) onde dev eria ser ldi o um valor muito maior,
praticamente infiicnaito, ind nsiusmto rt ram urto.e c

A resistncia entre a comporta e qualquer dos outros demais eletrodos (dreno e fonte) deve ser sempre
muito lta am eualqquer entidso, onfocrme stmrao iguaraf 10.



Esta elevada resistncia, bem acima dos 10 M ohms, deve -se presena do xido que isola a comporta
do ubstrato o omponentes. d c
Uma resistncia anormalmente baixa nesta medida indica um transistor danificado (em curto ou com
fugas).
O teste dinmico tambm possvel. Para isso temos a configurao mostrada na figura 11 para o caso
em que a tenso da bateria interna do multmetro suficiente para polarizar a comporta do componente.


Com as pontas de prova na posio indicada, a leitura deve ser de uma alta resistncia inicialmente.
Fazendo uma ponte com uma chave de fendas ou um fio entre o dreno e a comporta do MOSFET
devemos ter sua conduo com o multmetro acusando uma queda de resistncia.Se a resistncia no se
alterar inal sue qompoocnente st oem rcoblemp as.
Para ter certeza que seu multmetro confivel neste teste, dadas suas caractersticas eltricas, tente
antes com um MOSFET que voc sabe que est em bom estado.


Concluso
Com um pouco mais de pacincia pode -se ir alm no uso do multmetro no teste de IGBTs e Power
MOSFETs.
Podemos at determinar algumas de suas caractersticas dinmicas, utiilzando para isso alguns
componentes x e ternos dicionais. a
No entanto, para os leitores que trabalham com estes componentes e s vezes tm dvidas se eles esto
bons ou no, o simples teste de estado que descrevemos pode ser de muita utilidade.