Lista 1

2014-I
Fsica e Tecnologia de Dispositivos Semicondutores

Lista 1
Marvyn W. Inga C. & Diego Scoca
May 9, 2014
Outline
Exerccio 1
Calcule a velocidade de propagao
Obtenha o valor mximo de frequncia de vibrao (
mx
) e o comprimento de onda da OEM ()
Faa um modelo em que um on esta h uma distncia a de dois outros ons, todos com carga +e
Exerccio 2
Obtenha numericamente as trs bandas da pgina 16
Exerccio 3
Calcule a concentrao de eltrons livres
Calcule o nvel de Fermi da prata
Exerccio 4
Obtenha a quantidade de portadores livres em Si, Ge e GaAs puros numa temperatura de T = 300 K.
Exerccio 5
Como deve ser a dependncia de n num semicondutor dopado em funo de T
Exerccio 6
Calcule a distncia entre o nvel de Fermi e o meio do gap para o Si
Fsica e Tecnologia de Dispositivos Semicondutores - FI227
Exerccio 7
Calcule a densidade de impurezas que fazem o nivel E
F
ser igual ao fundo da banda E
C
Exerccio 8
Qual a corrente em x = 0, considerando que todo excesso em x = W removido?
Marvyn W. Inga C. & Diego Scoca | UNICAMP Fsica Aplicada I 3/40
Exerccio 1
Considere uma rede linear com ons de massa atmica 56 e constante elstica C = 10 kg/s
2
. Calcule a
velocidade de propagao de ondas elsticas para ka << 1. Obtenha o valor mximo de frequncia de
vibrao da cadeia em Hz. Obtenha o comprimento de onda de radiao eletromagntica no vcuo que
teria esta frequncia. Faa um modelo em que um on esta h uma distncia a = 0.5 nm de dois outros
ons, todos com carga +e. Os ons da extremidade esto presos e repelem o on central. Na aproximao de
pequenas oscilaes, aproximao linear, qual deveria ser a constante elstica do sistema. Compare este
valor com o valor dado de C.
Calcule a velocidade de propagao
F = m x = C(x
n+1
x
n
) C(x
n
x
n1
) = C(x
n+1
2x
n
+x
n1
) (1)
As solues desta equao so ondas progressivas da forma
x
n
= x
0
exp [i(kna t)] (2)
Substituindo (2) na equao de movimento (1), obtenemos
2
m = C[exp (ika) 2 + exp (ika)] = 2C[1 cos (ka)] (3)
Usando a expanso de Taylor do cos(ka) para quando ka 1 (longos comprimentos de onda)
cos(ka) 1
1
2
(ka)
2
(4)
Substituindo (4) na equao (3)
(k) =
C
m
|ka| (5)
A velocidade de transmisso de um pacote de ondas a velocidade de grupo
v
g
=
d
dk
=
C
m
a =

|k|
(6)
Para o Fe (m = 56 g/mol) o parametro de red a = 0.287 nm, ento
v
g
=
C
m
a =
10 kg/s
2
56 g/mol
(0.287 nm) 2.98 km/s
Para longos comprimentos de onda, os efeitos de disperso so insignicantes e o meio se comporta como se
fosse elstico, continuo e homogneo.
Obtenha o valor mximo de frequncia de vibrao (
mx
) e o comprimento de onda da OEM ()
Da equao (3) temos:
2
=
2C
m
[1 cos(ka)] (7)
O qual tem um valor mximo para cos(ka) = 1, ento
2
mx
=
4C
m
(8)
mx
=
1
2
mx
=
1
C
m
3.3 THz (9)
O comprimento de onda de radiao eletromagntica no vcuo que teria a frequncia
mx

mn
=
c
mx
=
3 10
8
m/s
3.3 10
12
Hz
90.9 m (10)
Este comprimento de onda corresponde ao rango do infravermelho longo
50 10
6
m <
mn
< 1 10
3
m
Faa um modelo em que um on esta h uma distncia a de dois outros ons, todos com carga +e
Os ons da extremidade esto presos e repelem o on central, ento
F = m x =
e
2
4
0
1
(a x)
2

1
(a +x)
2
=
e
2
4
0
4ax
(a
2
x
2
)
2
(11)
Na aproximao de pequenas oscilaes (x/a 1) temos
F = m x =
e
2
0
a
3
x
1
1 (x/a)
2
e
2
0
a
3
x (12)
A constante elstica do sistema expressa a proporcionalidade entre a fora necessria para produzir um
deslocamento atmico e o prprio deslocamento, ento denimos
C
=
e
2
0
a
3
(13)
Sabendo que um on esta h uma distncia a = 0.5 nm de dois outros ons, ento
C
=
(1.6 10
19
C)
2
(3, 1416)(8.854 10
12
C
2
/Nm
2
)(0.5 10
9
nm)
3
7.36 kg/s
2
Exerccio 2
Considere U
0
= 0 eV e U
1
= 0.5 eV. Obtenha numericamente as trs bandas da pgina 16 das notas de
aula 1.
Obtenha numericamente as trs bandas da pgina 16
Para um certo k, temos:
Devemos esperar que o potencial peridico deva ter somente alguns coecientes no desprezveis para
os termos como K
m
= m2/a, m = 0, 1, 2, ...m
m
ax.
Por exemplo, consideremos o caso em que somente U
K0
= U
0
e U
K1
= U
K1
= U
1
, onde k
0
= 0
e K
1
= 2/a; apliquemos na equao acima e teremos 3 equaes envolvendo c
k
, c
kK1
e c
k+K1
.
Considerando U
0
= 0 eV
Casos Especias:
k = 0 [lembrem que (k) = (k)]
Notem que para U
1
= 0, temos =
1
(duplamente degenerado) e = 0
Para U
1
pequenos, temos =
1
; = ; =
1
; = 2U
2
1
/
1
(Varia com o quadrado da
perturbao)
k = /a
Para U
1
= 0, temos =
0
(duplamente degenerado) e =
2
Para U
1
pequenos, temos
2
; duas razes ocorrem para
0
; neste caso,
2

2
; ento:
Exerccio 3
A prata cristaliza na estrutura fcc, tendo quatro tomos por clula unitria, cada um deles com um eltron
5s. Sabendo que o parmetro de rede da prata 0.4086 nm, calcule a concentrao de eltrons livres.
Considerando a banda 5s parablica, calcule o nvel de Fermi da prata considerando que a massa igual
massa do eltron no vcuo.
Calcule a concentrao de eltrons livres
A estrutura fcc tem quatro tomos por clula unitria (8
1
8
+ 6
1
2
= 4)
Cada tomo tem um eltron 5s ([Ag]Kr 4d
10
5s
1
), por tanto temos 4 eltrons por cada clula unitria,
sendo a concentrao
=
n
e
V
=
n
e
a
3
=
4
(0.4086 10
7
cm)
3
5.86 10
22
tomos/cm
3
(14)
Calcule o nvel de Fermi da prata
Num metal (banda parcialmente completa) para T T
amb
temos
(T) (T = 0 K) = E
F
=
1
m
h
3
2
3n
2
2/3
(15)
Considerando que a massa igual massa do eltron no vcuo (m
= m
e
), ento
E
F
=
1
9.109 10
31
kg
(1.0546 10
34
J s)
3
(5.86 10
28
atomos/m
3
)
0.096
2/3
E
F
8.81 10
19
J 5.51 eV
Exerccio 4
A concentrao de eltrons na banda de conduo dada por
n = N
c
exp
c
E
F
kT
(16)
Onde
N
c
(T) = 2.5 10
19
c
m
0
3/2
T
300 K
3/2
cm
3
(17)
Usando a expresso da energia de Fermi para uma amostra puramente intrnseca
E
F
=

v
+
c
2
+kT ln
v
m
3/4
(18)
temos
c
E
F
=

c
v
2
kT ln
v
m
3/4
(19)
Finalmente
c
E
F
=
E
g
2

3
4
kT ln
v
m
(20)
Substituindo (17) e (20) em (16) e para T = 300 K temos
n = 2.5 10
19
c
m
0
3/2
exp
E
g
2kT
+
3
4
ln
v
m
cm
3
(21)
Agora usamos a siguente tabela para calcular o nmero de portadores
Elemento m
c
/m
0
m
v
/m
0
E
g
Si 1.18 0.81 1.12
Ge 0.55 0.37 0.66
GaAs 0.065 0.52 1.42
Table 1: Massas efetivas de eltrons e buracos a T = 300 K
Substituindo os valores dados na tabela obtemos a quantidade de portadores livres (n)
Si Ge GaAs
n(cm
3
) 9.52 10
9
2.17 10
13
2.35 10
6
Exerccio 5
Explique detalhadamente como deve ser a dependncia da densidade de portadores livres num semicondutor
dopado em funo da temperatura desde valores prximos a T = 0 K at valores T E
G
/K
B
.
Como deve ser a dependncia de n num semicondutor dopado em funo de T
A distribuio da densidade de estados nas bandas de valncia e de conduo dada por:
n
c
(E) =
m
2m
n
(E E
c
)
2
h
3
(22)
n
v
(E) =
m
2m
p
(E
v
E)
2
h
3
(23)
Para encontrarmos o nmero total de eltrons na banda de conduo e buracos (lacunas) na banda de
valncia um semicondutor, temos que resolver as duas bandas:
n =
E
c
n
c
(E)P
(E)dE (24)
p =
E
v
n
v
(E)[1 P
(E)]dE (25)
com
P
(E)
1
e
(E)/KT
+ 1
(26)
1 P
(E)
1
e
(E)/KT
+ 1
(27)
sendo a distribuio de Fermi-Dirac.
Notar que a cada temperatura temos um potencial qumico diferente para T T
amb
(T) (T =
0) = E
F
.
Substituindo as eqs. 1 e 5 na eq. 3 e as eqs. 2 e 6 na eq. 4 e realizando as integrais, obtemos a densidade
efetiva de estados na banda de conduo e da banda de valncia, respectivamente:
n = N
c
2
F
1/2
(
c
)p = N
v
2
F
1/2
(
v
) (28)
com
N
c
= 2
2m
n
KT
h
2
3/2
(29)
N
v
= 2
2m
p
KT
h
2
3/2
(30)
Numa situao no degenerada, ou seja, (E
c
)/KT e ( E
v
)/KT (simplicar fazendo = E
F
),
podemos aproximar a distribuio de Fermi-Dirac pela distribuio de Maxwell-Boltzman, simplicando o
nmero de portadores para:
n = N
c
(T) e
(E
c
E
F
)/KT
(31)
p = N
v
(T) e
(E
F
E
v)/KT
(32)
com
N
c
(T) =
E
c
n
c
(E)e
(EE
c
)/KT
dE = 2, 5
c
m
3/2
T
300K
3/2
10
19
cm
3
(33)
N
v
(T) =
E
c
n
v
(E)e
(E
v
E)/KT
dE = 2, 5
v
m
3/2
T
300K
3/2
10
19
cm
3
(34)
Deste modo, podemos relacionar o nmero de portadores intrnsecos, n
i
, com o nmero de portadores tipo
n e tipo p, da seguinte forma:
n
2
i
np = N
c
N
v
e
(E
c
E
v
)/KT
(35)
n
i
=
N
c
N
v
e
E
G
/2KT
(36)
Regio de Congelamento: faixa de temperatura onde apenas uma frao dos tomos doadores esto
ionizados (tipicamente ocorre para T < 100K para o Si).
Regio Extrnseca: faixa de temperatura onde todos os tomos doadores esto ionizados e ainda
valem as seguintes aproximaes: n
i
N
D
e n N
D
.
Regio Intrnseca: Aumentando ainda mais a temperatura, acima da temperatura da regio extrnseca,
as duas aproximaes acima no valem mais, ou seja, a gerao de pares eltron-buraco por transies
diretas da banda de valncia para a banda de conduo causa um incremento considervel na
concentrao de portadores majoritrios, deixando a concentrao intrnseca relativamente considervel.
Exerccio 6
Calcule a distncia entre o nvel de Fermi e o meio do gap para o silcio.
Calcule a distncia entre o nvel de Fermi e o meio do gap para o Si
Temos
n = N
c
exp
c
E
F
kT
(37)
p = N
v
exp
E
F

v
kT
(38)
Numa amostra puramente intrnseca as concentraes dos buracos e eltrons so iguais n
0
= p
0
, ento
E
F
=

v
+
c
2
+kT ln
N
v
N
c
(39)
Sendo
N
c
= 2
2m
c
kT
h
2
3/2
(40)
N
v
= 2
2m
v
kT
h
2
3/2
(41)
Finalmente
E
F
=

v
+
c
2
+kT ln
v
m
3/4
(42)
Se E
F
o nivel de Fermi para quando m
v
= m
c
, o seja quando encontra-se exactamente no punto meio
da regio proibida, ento
E
F
= E
F
+kT ln
v
m
3/4
(43)
Portanto a distncia entre o nvel de Fermi e o meio do gap
E = E
F
E
F
=
3
4
kT ln
v
m
(44)
Substituindo os valores da tabela (1) para o Si, temos
E =
3
4
(8.62 10
5
eVK
1
)(300 K) ln
0, 81
1, 18
E = 7.30 10
3
eV
Exerccio 7
Calcule a densidade de impurezas que fazem o nvel de Fermi (E
F
) ser igual ao fundo da banda de conduo
(E
C
) para Si e GaAs a 300 K (considere que todas as impurezas estejam ionizadas). Repita o mesmo para o
caso de aceitadores. Compare os valores da concentrao de impurezas e a densidade de tomos do Si e do
GaAs por unidade de volume.
Calcule a densidade de impurezas que fazem o nivel E
F
ser igual ao fundo da banda E
C
Vamos nos limitar ao limite de saturao, em equilbrio.
Para um semicondutor tipo n, temos:
n = N
D
(45)
np = n
2
i
p =
n
2
i
N
D
(46)
e portanto,
E
F
= E
c
+
KT
2
ln
N
D
(T)
N
c
(T)
(47)
Para que E
F
= E
c
N
D
(T) = N
C
(T), ou seja,
N
D
(T) = 2, 5
c
m
3/2
T
300K
3/2
10
19
cm
3
(48)
e para um semicondutor tipo p, teremos: p = N
A
; np = n
2
i
n =
n
2
i
N
A
e portanto
E
F
= E
v

KT
2
ln
N
A
(T)
N
v
(T)
(49)
Do mesmo modo teremos que E
F
= E
v
N
A
(T) = N
V
(T), levando a:
N
A
(T) = 2, 5
v
m
3/2
T
300K
3/2
10
19
cm
3
(50)
Substituindo os valores tabelados para o Si tipo n a 300 K, temos:
N
D
(T) = 2, 5
c
m
3/2
10
19
= 2, 5 (0, 81)
3/2
10
19
= 1, 82 10
19
cm
3
(51)
e se o Si for do tipo p, ainda a 300 K, temos:
N
A
(T) = 2, 5
v
m
3/2
10
19
= 2, 5 (1, 18)
3/2
10
19
= 3, 2 10
19
cm
3
(52)
Analogamente, substituindo os valores tabelados para o GaAs tipo n a 300 K, temos:
N
D
(T) = 2, 5
c
m
3/2
10
19
= 2, 5 (0, 52)
3/2
10
19
= 0, 97 10
19
cm
3
(53)
e se o Si for do tipo p, ainda a 300 K, temos:
N
A
(T) = 2, 5
v
m
3/2
10
19
= 2, 5 (0, 065)
3/2
10
19
= 0, 04 10
19
cm
3
(54)
Exerccio 8
Problema da pgina 17 da nota de aula 3: Consideremos que em x = 0, temos um excesso de portadores p,
p
n
(x) numa regio n para x > 0. Consideremos E = 0; qual a corrente em x = 0, considerando que
todo excesso em x = W removido?
Qual a corrente em x = 0, considerando que todo excesso em x = W removido?
O excesso de buracos dado por:
p
t
= G
p
p
E
p
x
+D
p
2
p
t
2
(55)
Considerando campos uniformes e que no h absoro de luz ou injeo de portadores, alm do excesso em
x = W ser removido, a equao acima torna-se:
0 =
p
n
(x)
p
+D
p
2
p
n
(x)
t
2
(56)
cuja soluo geral dado por:
p
n
(x) = Ae
x/L
p
+Be
x/L
p
(57)
com L
p
=
p
D
p
como sendo o comprimento de Debye.
As condies de contorno so p
n
(0) =
0
e p
n
(W) = 0, que nos leva a:
A +B =
0
(58)
Ae
W/L
p
+Be
W/L
p
= 0 (59)
As expresses para A e B so dadas ento por:
A =

0
e
W/L
p
2 sinh(W/L
p
)
(60)
B =

0
e
W/L
p
2 sinh(W/L
p
)
(61)
De modo que a soluo geral para o excesso de portadores seja:
p
n
(x) =

0
sinh(W x/L
p
)
2 sinh(W/L
p
)
(62)
A corrente em funo da distncia dada por:
J
x
(x) = eD
p
d
dx
p
n
(x) =
eD
p
0
L
p
cosh(W x/L
p
)
2 sinh(W/L
p
)
(63)
Em x = 0, temos:
J
x
(0) =
eD
p
0
L
p
coth(W/L
p
) (64)
e em x = W a corrente :
J
x
(W) =
eD
p
0
L
p
1
sinh(W/L
p
)
(65)
Notem que deve haver um suprimento de eltrons para a recombinao!
-
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