Lista 9.

Questo 01. J ustifique os diferentes efeitos da adio de Bi e de Sb no Sn,

resultando em diminuio ou elevao da temperatura de fuso.
Lista 9.
Questo 01. J ustifique os diferentes efeitos da adio de Bi e de Sb no Sn,
resultando em diminuio ou elevao da temperatura de fuso.
Lista 9.
Questo 01. J ustifique os diferentes efeitos da adio de Bi e de Sb no Sn,
resultando em diminuio ou elevao da temperatura de fuso.
Lista 9.
Questo 02. Utilize os cortes abaixo para explicar os cortes isotrmicos e
isoplticos em diagramas ternrios.
Lista 9.
Questo 03. Defina energia e tenso interfacial.
A fora f por unidade de comprimento usada para aumentar uma superfcie chamada de
tenso superficial.
- energia necessria para criar uma unidade de rea superficial.
As unidades de energia e tenso so as mesmas e a tenso superficial numericamente
igual energia superficial.
Lista 9.
Questo 04. Use o mtodo descrito no Adamian, para estimar as energias de
superfcie dos planos {111}, {200}e {220}num cristal cfc.
No interior, para cada mole existe uma energia de coeso E.
Para cada tomo individual, esta energia : = E/N
N o numero de Avogadro.
Os tomos da superfcie tem portanto uma energia de coeso de:
9/12 = ,
ou seja, somente 75% da energia de coeso dos tomos do interior.
A concluso que a energia dos tomos da superfcie maior do que a dos tomos do
interior!
Ou seja, para transportar um tomo do interior para a superfcie necessrio ceder energia
a esse tomo, ou ainda, para levar um tomo do interior para a superfcie necessrio
romper trs ligaes atmicas, o que s possvel pela cesso de energia.
Este efeito se aplica a qualquer slido com qualquer estrutura e tambm para os lquidos.
Lista 9.
Questo 05. Observe os valores da tenso superficial da Tabela ao lado. Descreva
o que representam esses valores to diferentes.
Lista 9.
Questo 06. J ustifique a seguinte equao que descreve a fora motriz para o
processo de solidificao:
sl
f
r
T
T
H r G
f

2 3
4
3
4
+

=
Lista 9.
Questo 07. J ustifique a diferena de solubilidade que ocorre entre pequenos e
grandes cristais. Em funo de sua resposta, descreva porque necessria a
ocorrncia de superresfriamento e supersaturao, para ocorrncia de solidificao
e precipitao, respectivamente.
A expresso permite calcular o aumento de solubilidade, N
sat
,
que ocorre quando diminui o tamanho dos cristais em equilbrio com sua soluo
saturada.
Conseqncia importante: supersaturao.
Se aumentarmos paulatinamente a concentrao de uma soluo at atingirmos o
limite de solubilidade do soluto, o mesmo no ir precipitar pois o cristal formado
inicialmente muito pequeno e portanto com solubilidade maior.
Esta precipitao vai ocorrer aps uma supersaturao, que diminui o tamanho da
partcula crtica.
d RT
V
N
N s
sat
sat

__
0
ln =

Lista 9.
Questo 07.
Lista 9.
Questo 07.
Lista 9.
Questo 08. Discuta a viabilidade de descrever contornos de gro somente com
arranjos de linhas de discordncias. Quais as limitaes para isso?
Lista 9.
Questo 09. Baseado nos diagramas de fase Al-Fe e Al-Mg, abaixo, em que
situao espera-se encontrar contornos de gro mais enriquecido: de Fe em ligas
diludas Al-Fe ou de Mg em ligas diludas Al-Mg, numa mesma temperatura? Veja
figura 3.28 nas notas de aula.
Lista 9.
Questo 09.
Lista 9.
Questo 10. Descreva as microestruturas ao lado, justifique suas caractersticas em
funo de propriedades de interfaces.
Lista 9.
Questo 11. Considere as figuras abaixo; explique o que so interfaces moveis e
discuta possveis associaes com transformaes martensticas.
Lista 9.
Questo 12. Discuta (so estveis, qual densidade, como varia com a temperatura,
etc) a presena dos seguintes defeitos (ou grupos de defeitos) nos materiais
cristalinos:
Vacncias
Intersticiais
Linhas de discordncias
Impurezas - LD
Impurezas c.g.
Lista 9.
Questo 12.
Lista 9.
Questo 13. Descreva os tipos de defeitos que podem existir em um composto
estequiomtrico.
For stoichiometric compounds the same basic defects may be present, but various relations
exist between their concentrations, because of the need to maintain a simple relationship
between the concentration of the atomic species in the crystal.
For this special case of perfect stoichiometry we shall need to consider five basic types of
disorder. Any of these types of disorder may exist in a crystal M
a
X
b
:
Equal number of vacancies on X sublattice and the formation of X interstitial atoms; the M
sublattice remains unperturbed; called Frenkel disorder.
2. Equal numbers of vacancies on M sublattice and the formation of M interstitial atoms; X
sublattice unperturbed; called Frenkel disorder.
3. Equal number of vacant sites on M subtattice and X sublattice; called Schottky disorder.
4. Equal numbers of M and X interstitials.
5. Substitutional disorder in which M atoms occupy X sites and X atoms occupy M sites: called
antistructure disorder.
Lista 9.
Questo 13. Descreva os tipos de defeitos que podem existir em um composto
estequiomtrico.
line defects dislocations
planar defects interfaces
A great number of defect complexes may also exist.
Foreign atoms - vacancy pairs.
Vacancy clusters of n vacancies.
Dislocation - vacancy interactions.
Dislocation - foreign atom complexes
Foreign atom - foreign atom complexes.
Foreign atom - surface interactions
Electronic defect - atomic defect interactions
Lista 9.
Questo 14. Explique e justifique a curva ao lado, Fig.12.3.
Lista 9.
Questo 15. Explique as relaes, representadas no diagrama abaixo, Fig.14.4,
associadas ao equilbrio de defeitos de Frenkel.
Lista 9.
Questo 16. J ustifique atravs de curvas de energia livre versus composio, como
a faixa de composio de uma fase pode mudar com a temperatura, ou seja; no
exemplo ao lado, Fig.15.1, como um composto estequiomtrico em baixa
temperatura passa a existir numa faixa de composio com o aumento da
temperatura.
Lista 9.
Questo 16.