Electrnica I

Mnica Martin Ortiz, Esp

Ingeniera Electromecnica
UPTC Duitama, Semestre I-2014
FISICA DE SEMICONDUCTORES
Clasificacin de los solidos, segn su organizacin atmica:
Amorfo: No existe orden entre los tomos.
Policristalino: tomos ordenados entre segmentos.
Cristalino: Los tomos forman un conjunto ordenado en todo el slido.
a) Amorfo
b) Policristalino c) Cristalino
Slidos cristalinos:
http://es.wikipedia.org/wiki/Resistividad
No disponen de cargar libres que se puedan mover por el material.
Estructura del cristal a bajas
temperaturas
La energa trmica produce
un electrn libre y un hueco
recombinacin de un
electrn libre y un hueco
Hueco: Vaco que deja la salida de un electrn, se comporta como una carga positiva
porque, la perdida de un electrn produce un in positivo.
BANDAS DE ENERGA Y CONDUCTIVIDAD ELCTRICA
Banda de Valencia: El electrn esta ligado a un tomo del cristal y no puede
moverse.
Banda de Conduccin: El electrn puede moverse libremente por el cristal,
pudiendo hacer parte de una corriente elctrica.
Banda Prohibida o Gap: Se encuentra entre la banda de valencia y la banda de
conduccin, sus niveles no pueden ser ocupados por ningn electrn.
Diseo Electrnico de Circuitos y Sistemas, C.J Savant
Eg (Energa de Ionizacin): Magnitud de la banda prohibida, unidad de energa el
Electrn voltio[eV]
La conductividad elctrica de los semiconductores es directamente proporcional a la
temperatura, y por ello se afirma que su Coeficiente Trmico de Conductividad es
positivo, a diferencia de los metales cuyo Coeficiente Trmico de Conductividad es
negativo.
Al aumentar la temperatura la resistividad de los metales aumenta o, en forma
equivalente, su conductividad disminuye. Por lo contrario, a temperaturas normales equivalente, su conductividad disminuye. Por lo contrario, a temperaturas normales
(aprox. 27C), la conductividad de los semiconductores aumenta en un 5% por cada
grado de incremento en la temperatura.
La corriente en los conductores se debe al movimiento de los electrones libres
mientras que en los semiconductores se debe al movimiento de los electrones libres y
los huecos.
CONDUCCIN INTRNSECA
Un semiconductor intrnseco es un semiconductor puro. A temperatura ambiente,
un cristal de silicio se comporta mas o menos como un aislante.
Flujo de electrones libres: El electrn libre se encuentra en una orbita de mayor
energa en el extremo derecho, repelindose de la placa negativa.
Flujo de huecos: Este hueco atrae al electrn de valencia del punto A, lo que
provoca que dicho electrn se desplace hacia el hueco. provoca que dicho electrn se desplace hacia el hueco.
Principios de Electrnica, A. Malvino
Un semiconductor
intrnseco tiene el
mismo nmero de
electrones libres y
huecos.
CONDUCCION EXTRINSECA
Dopaje: Aadir tomos de impurezas a un cristal intrnseco para modificar su
conductividad elctrica. Un semiconductor dopado se llama semiconductor
extrnseco.
Semiconductores Extrnseco Tipo N: Semiconductores intrnsecos que en el
proceso de dopado se le han aadido tomos o impurezas pentavalentes, como
Fsforo (P), Arsnico (As), Antimonio (Sb). Tambin son llamadas impurezas
Donadoras. Donadoras.
Semiconductores Extrnseco Tipo P: Se le han aadido tomos o impurezas
trivalentes, tales como Boro (B), Indio (In), Aluminio (Al), Galio (Ga) las cuales son
llamadas tambin Impurezas Aceptadoras.
CONDUCTIBILIDAD Y MOVILIDAD
Huecos: El campo elctrico aplicado ejerce una fuerza sobre los electrones
asociados a los enlaces covalentes.
Movimiento de los huecos debido al movimiento de los electrones